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特開2022-86804ＳｉＣエピタキシャルウェハ、ＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法
発明の名称 ＳｉＣエピタキシャルウェハ、ＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法
出願人 昭和電工株式会社 （識別番号 2004）
特許公開件数ランキング 11608 位（1件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 24267 位（0件）（共同出願を含む）
出願人 一般財団法人電力中央研究所 （識別番号 173809）
特許公開件数ランキング 824 位（30件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 664 位（31件）（共同出願を含む）
公報番号 特開-2022-86804
公報発行日 2022年6月9
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_A1-2022-86804
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