▶ チップモス テクノロジーズ インコーポレイテッドの特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022008700
(43)【公開日】2022-01-14
(54)【発明の名称】半導体構造およびその製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/60 20060101AFI20220106BHJP
H01L 21/3205 20060101ALI20220106BHJP
C25D 7/12 20060101ALI20220106BHJP
C25D 3/56 20060101ALI20220106BHJP
【ＦＩ】
H01L21/92 604B
H01L21/92 604D
H01L21/92 603B
H01L21/60 311S
H01L21/92 602C
H01L21/88 T
C25D7/12
C25D3/56 E
C25D3/56 F
【審査請求】有
【請求項の数】6
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2014005798
(22)【出願日】2014-01-16
(31)【優先権主張番号】14/078,240
(32)【優先日】2013-11-12
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(71)【出願人】
【識別番号】514013897
【氏名又は名称】チップモス テクノロジーズ インコーポレイテッド
【氏名又は名称原語表記】ＣＨＩＰＭＯＳ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＩＥＳ ＩＮＣ．
(74)【代理人】
【識別番号】100073184
【弁理士】
【氏名又は名称】柳田 征史
(74)【代理人】
【識別番号】100090468
【弁理士】
【氏名又は名称】佐久間 剛
(72)【発明者】
【氏名】チォン シージェ
(72)【発明者】
【氏名】ルゥ トゥンバオ
【テーマコード（参考）】
4K023
4K024
5F033
5F044
【Ｆターム（参考）】
4K023AB41
4K023BA24
4K023CA03
4K023DA03
4K023DA07
4K023DA08
4K024AA10
4K024BA15
4K024BB12
4K024BC10
4K024CA01
4K024CA03
4K024CA04
4K024CA06
5F033HH07
5F033HH13
5F033HH14
5F033HH18
5F033HH23
5F033PP06
5F033PP15
5F033PP27
5F033PP28
5F033PP33
5F033QQ08
5F033VV07
5F033WW00
5F033WW03
5F033WW04
5F033WW08
5F044KK03
5F044KK06
5F044LL09
5F044LL15
5F044RR16
(57)【要約】
【課題】 半導体構造の製造において、電気性能を改善し、チップとパッケージとの間の相互接続密度を高くし、シリコン面積を節約し、装置コストを減少させ、製造コストを減少させる。
【解決手段】 半導体ダイ上に導体パッド１０２を形成し、導体パッド１０２上にシード層１０５を形成し、シード層１０５上に第１のマスク層１０９を画成し、第１のマスク層１０９内に銀合金バンプ体１０１を形成する。銀合金バンプ体１０１の形成において、第１のシアン化物系浴を調製する。第１のシアン化物系浴のｐＨ値を、約６から約８の範囲内に制御し、第１のシアン化物系浴中に半導体ダイを浸漬し、半導体ダイに、約０．１ＡＳＤ（１０Ａ／ｍ2）から約０．５ＡＳＤ（５０Ａ／ｍ2）の電気メッキ電流密度を印加する。
【選択図】図１７
【解決手段】 半導体ダイ上に導体パッド１０２を形成し、導体パッド１０２上にシード層１０５を形成し、シード層１０５上に第１のマスク層１０９を画成し、第１のマスク層１０９内に銀合金バンプ体１０１を形成する。銀合金バンプ体１０１の形成において、第１のシアン化物系浴を調製する。第１のシアン化物系浴のｐＨ値を、約６から約８の範囲内に制御し、第１のシアン化物系浴中に半導体ダイを浸漬し、半導体ダイに、約０．１ＡＳＤ（１０Ａ／ｍ2）から約０．５ＡＳＤ（５０Ａ／ｍ2）の電気メッキ電流密度を印加する。
【選択図】図１７
【特許請求の範囲】
【請求項1】
半導体構造を製造する方法において、
半導体ダイ上に導体パッドを形成する工程、
前記導体パッド上にシード層を形成する工程、
前記シード層上に第１のマスク層を画成する工程、および
前記第１のマスク層内に銀合金バンプ体を形成する工程であって、
第１のシアン化物系浴を調製する工程と、
前記第１のシアン化物系浴のｐＨ値を、約６から約８の範囲内に制御する工程と、
前記第１のシアン化物系浴中に半導体ダイを浸漬する工程と、
前記半導体ダイに、約０．１ＡＳＤ（１０Ａ／ｍ2）から約０．５ＡＳＤ（５０Ａ／ｍ2）の電気メッキ電流密度を印加する工程と、
を含む工程、
を有してなる方法。
半導体ダイ上に導体パッドを形成する工程、
前記導体パッド上にシード層を形成する工程、
前記シード層上に第１のマスク層を画成する工程、および
前記第１のマスク層内に銀合金バンプ体を形成する工程であって、
第１のシアン化物系浴を調製する工程と、
前記第１のシアン化物系浴のｐＨ値を、約６から約８の範囲内に制御する工程と、
前記第１のシアン化物系浴中に半導体ダイを浸漬する工程と、
前記半導体ダイに、約０．１ＡＳＤ（１０Ａ／ｍ2）から約０．５ＡＳＤ（５０Ａ／ｍ2）の電気メッキ電流密度を印加する工程と、
を含む工程、
を有してなる方法。
【請求項2】
前記第１のマスク層内に前記銀合金バンプ体を形成した後、該第１のマスク層を除去する工程、および
前記銀合金バンプ体により覆われていない前記シード層の部分を除去する工程、
をさらに含む、請求項１記載の方法。
前記銀合金バンプ体により覆われていない前記シード層の部分を除去する工程、
をさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項3】
前記第１のシアン化物系浴を調製する工程は、約２ｍｌ／Ｌから約５ｍｌ／Ｌの濃度を有するシュウ酸イオンおよびその塩を、前記第１のシアン化物系浴に導入する工程を含む、請求項１記載の方法。
【請求項4】
前記第１のシアン化物系浴を調製する工程は、ＫＡｇ（ＣＮ）2およびその塩を前記第１のシアン化物系浴に導入する工程を含む、請求項１記載の方法。
【請求項5】
前記第１のシアン化物系浴を調製する工程は、ＫＡｕ（ＣＮ）2およびその塩を前記第１のシアン化物系浴に導入する工程を含む、請求項４記載の方法。
【請求項6】
前記ＫＡｕ（ＣＮ）2およびその塩を第１のシアン化物系浴に導入する工程は、ＫＡｕ（ＣＮ）2の濃度を約１０質量％から約６０質量％の範囲内に制御する工程を含む、請求項５記載の方法。
【請求項7】
前記第１のシアン化物系浴を調製する工程は、Ｋ2Ｐｄ（ＣＮ）4およびその塩を前記第１のシアン化物系浴に導入する工程をさらに含む、請求項４記載の方法。
【請求項8】
前記Ｋ2Ｐｄ（ＣＮ）4およびその塩を第１のシアン化物系浴に導入する工程は、Ｋ2Ｐｄ（ＣＮ）4の濃度を約１０質量％から約３０質量％の範囲内に制御する工程を含む、請求項７記載の方法。
【請求項9】
前記銀合金バンプ体を約２００から約３００℃の温度で焼き鈍す工程をさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項10】
前記銀合金バンプ体を焼き鈍す工程が約３０から約６０分の期間を含む、請求項９記載の方法。
【請求項11】
電気メッキ操作により、前記銀合金バンプ体の上面に金属層を形成する工程をさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項12】
前記半導体ダイが、ＫＡｕ（ＣＮ）2を含む第２のシアン化物系浴中に浸漬される、請求項１１記載の方法。
【請求項13】
電気メッキ操作または無電界メッキ操作により、前記銀合金バンプ体の上面と側壁を覆う金属層を形成する工程をさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項14】
前記銀合金バンプ体の上面と側壁を覆う金属層を形成する工程が、
前記シード層上に削減された第１のマスク層を形成する工程、および
前記削減された第１のマスク層内に前記金属層を形成する工程、
を含む、請求項１３記載の方法。
前記シード層上に削減された第１のマスク層を形成する工程、および
前記削減された第１のマスク層内に前記金属層を形成する工程、
を含む、請求項１３記載の方法。
【請求項15】
前記無電界メッキ操作により、前記銀合金バンプ体の上面と側壁を覆う金属層を形成する工程が、前記半導体ダイを、ＫＡｕ（ＣＮ）2を含む無電界メッキ浴中に浸漬する工程を含む、請求項１３記載の方法。
【請求項16】
前記第１のシアン化物系浴の温度を約４０から約５０℃の範囲内に制御する工程をさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項17】
チップオンフィルム（ＣＯＦ）半導体構造を製造する方法において、
半導体ダイ上に導体パッドを形成する工程、
前記導体パッド上にシード層を形成する工程、
前記シード層上に銀合金バンプ体を形成する工程であって、
約４０から約５０℃の溶液温度でＫＡｕ（ＣＮ）2、ＫＡｇ（ＣＮ）2およびＫ2Ｐｄ（ＣＮ）4の内の少なくとも１つを含むシアン化物系浴を調製する工程と、
前記シアン化物系浴のｐＨ値を、約６から約８の範囲内に制御する工程と、
前記シアン化物系浴中に半導体ダイを浸漬する工程と、
前記半導体ダイに、約０．１ＡＳＤ（１０Ａ／ｍ2）から約０．５ＡＳＤ（５０Ａ／ｍ2）の電気メッキ電流密度を印加する工程と、
を含む工程、および
前記銀合金バンプ体をフレキシブルフィルムに接合する工程、
を有してなる方法。
半導体ダイ上に導体パッドを形成する工程、
前記導体パッド上にシード層を形成する工程、
前記シード層上に銀合金バンプ体を形成する工程であって、
約４０から約５０℃の溶液温度でＫＡｕ（ＣＮ）2、ＫＡｇ（ＣＮ）2およびＫ2Ｐｄ（ＣＮ）4の内の少なくとも１つを含むシアン化物系浴を調製する工程と、
前記シアン化物系浴のｐＨ値を、約６から約８の範囲内に制御する工程と、
前記シアン化物系浴中に半導体ダイを浸漬する工程と、
前記半導体ダイに、約０．１ＡＳＤ（１０Ａ／ｍ2）から約０．５ＡＳＤ（５０Ａ／ｍ2）の電気メッキ電流密度を印加する工程と、
を含む工程、および
前記銀合金バンプ体をフレキシブルフィルムに接合する工程、
を有してなる方法。
【請求項18】
前記銀合金バンプ体をフレキシブルフィルムに接合する工程が、前記銀合金バンプ体と前記フレキシブルフィルム上のはんだ層との間の接合部をＳｕ－Ａｇ共融温度以上に制御する工程を含む、請求項１７記載の方法。
【請求項19】
前記銀合金バンプ体を約２００から約３００℃の温度で焼き鈍す工程をさらに含む、請求項１７記載の方法。
【請求項20】
前記銀合金バンプ体を焼き鈍す工程が約３０から約６０分の期間を含む、請求項１９記載の方法。
【請求項21】
前記銀合金バンプ体をフレキシブルフィルムに接合する工程が、前記銀合金バンプ体と前記フレキシブルフィルムとの間に異方性導電膜（ＡＣＦ）を施す工程を含む、請求項１７記載の方法。
【請求項22】
電気メッキ操作または無電界メッキ操作により、前記銀合金バンプ体上に金属層を形成する工程をさらに含む、請求項１７記載の方法。
【請求項23】
チップオンガラス（ＣＯＧ）半導体構造を製造する方法において、
半導体ダイ上に導体パッドを形成する工程、
前記導体パッド上にシード層を形成する工程、
前記シード層上に銀合金バンプ体を形成する工程であって、
ＫＡｕ（ＣＮ）2、ＫＡｇ（ＣＮ）2およびＫ2Ｐｄ（ＣＮ）4の内の少なくとも１つを含むシアン化物系浴を調製する工程と、
前記シアン化物系浴のｐＨ値を、約６から約８の範囲内に制御する工程と、
前記シアン化物系浴中に前記半導体ダイを浸漬する工程と、
前記半導体ダイに、約０．１ＡＳＤ（１０Ａ／ｍ2）から約０．５ＡＳＤ（５０Ａ／ｍ2）の電気メッキ電流密度を印加する工程と、
を含む工程、および
前記銀合金バンプ体をガラス基板に接合する工程、
を有してなる方法。
半導体ダイ上に導体パッドを形成する工程、
前記導体パッド上にシード層を形成する工程、
前記シード層上に銀合金バンプ体を形成する工程であって、
ＫＡｕ（ＣＮ）2、ＫＡｇ（ＣＮ）2およびＫ2Ｐｄ（ＣＮ）4の内の少なくとも１つを含むシアン化物系浴を調製する工程と、
前記シアン化物系浴のｐＨ値を、約６から約８の範囲内に制御する工程と、
前記シアン化物系浴中に前記半導体ダイを浸漬する工程と、
前記半導体ダイに、約０．１ＡＳＤ（１０Ａ／ｍ2）から約０．５ＡＳＤ（５０Ａ／ｍ2）の電気メッキ電流密度を印加する工程と、
を含む工程、および
前記銀合金バンプ体をガラス基板に接合する工程、
を有してなる方法。
【請求項24】
ＫＡｕ（ＣＮ）2の濃度が約１０質量％から約６０質量％の範囲内に制御される、請求項２３記載の方法。
【請求項25】
Ｋ2Ｐｄ（ＣＮ）4の濃度が約１０質量％から約３０質量％の範囲内に制御される、請求項２３記載の方法。
【請求項26】
前記銀合金バンプ体をガラス基板に接合する工程が、前記銀合金バンプ体と前記ガラス基板との間に異方性導電膜（ＡＣＦ）を施す工程を含む、請求項２３記載の方法。
【請求項27】
電気メッキ操作または無電界メッキ操作により、前記銀合金バンプ体上に金属層を形成する工程をさらに含む、請求項２３記載の方法。
【請求項28】
前記無電界メッキ操作により銀合金バンプ体上に金属層を形成する工程が、ＫＡｕ（ＣＮ）2を含む無電界メッキ浴を調製する工程を含む、請求項２７記載の方法。
【請求項29】
前記無電界メッキ浴の温度を約８０から約９０℃の範囲内に制御する工程をさらに含む、請求項２３記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、半導体構造およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
電子産業の近年の進歩により、電子部品は、高性能であるように開発されており、それゆえ、小型化され高密度化されたパッケージの要望がある。したがって、ＩＣをメインボードに接続する機能を果たすインターポーザをより緻密に実装しなければならない。パッケージの高密度化は、ＩＣのＩ／Ｏの数の増加に帰因し、インターポーザとの接続方法も、より効率的にされてきた。
【0003】
インターポーザ技術の中で、フリップチップ・ボンディングの評判が高まっている。シリコン集積回路（ＩＣ）素子の製造プロセスの流れにおけるフリップチップ・アセンブリは、いくつかの要因により決定される。第１に、半導体素子の電気性能は、従来のワイヤ・ボンディング相互接続技法に関連する寄生インダクタンスが減少した場合、改善することができる。第２に、フリップチップ・アセンブリは、ワイヤ・ボンディングよりも高い、チップとパッケージとの間の相互接続密度を提供する。第３に、フリップチップ・アセンブリは、ワイヤ・ボンディングよりも小さいシリコンの「土地」しか使用せず、それゆえ、シリコン面積を節約し、装置コストを減少させるのに役立つ。そして第４に、連続した個別のボンディング工程ではなく、同時のギャング・ボンディング技法を使用した場合、製造コストを減少させることができる。
【0004】
インターポーザのサイズとピッチを減少させるために、特に、改良型ワイヤボール技法により金属バンプを作製することにより、フリップチップ・ボンディングにおける初期のはんだ系の相互接続ボールを金属バンプと置き換える努力が行われた。一般に、金属バンプは、半導体チップの導体パッドのアルミニウム層上に作製される。その後、はんだを使用して、チップが基板に取り付けられる。金属バンプは、ＬＣＤ、メモリ、マイクロプロセッサおよびマイクロ波ＲＦＩＣのアプリケーションに関してフリップチップ実装に使用される。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【0005】
１つの態様によれば、半導体構造を製造する方法において、半導体ダイ上に導体パッドを形成する工程；前記導体パッド上にシード層を形成する工程；前記シード層上に第１のマスク層を画成する工程；および前記第１のマスク層内に銀合金バンプ体を形成する工程であって、第１のシアン化物系浴を調製する工程と、前記第１のシアン化物系浴のｐＨ値を、約６から約８の範囲内に制御する工程と、前記第１のシアン化物系浴中に半導体ダイを浸漬する工程と、前記半導体ダイに、約０．１ＡＳＤ（１０Ａ／ｍ2）から約０．５ＡＳＤ（５０Ａ／ｍ2）の電気メッキ電流密度を印加する工程と、を含む工程；を有してなる方法が提供される。
【0006】
別の態様によれば、チップオンフィルム（ＣＯＦ）半導体構造を製造する方法において、半導体ダイ上に導体パッドを形成する工程；前記導体パッド上にシード層を形成する工程；前記シード層上に銀合金バンプ体を形成する工程であって、約４０から約５０℃の溶液温度でＫＡｕ（ＣＮ）2、ＫＡｇ（ＣＮ）2およびＫ2Ｐｄ（ＣＮ）4の内の少なくとも１つを含むシアン化物系浴を調製する工程と、前記シアン化物系浴のｐＨ値を、約６から約８の範囲内に制御する工程と、前記シアン化物系浴中に半導体ダイを浸漬する工程と、を含む工程；前記半導体ダイに、約０．１ＡＳＤ（１０Ａ／ｍ2）から約０．５ＡＳＤ（５０Ａ／ｍ2）の電気メッキ電流密度を印加する工程；および前記銀合金バンプ体をフレキシブルフィルムに接合する工程；を有してなる方法が提供される。
【0007】
さらに別の態様によれば、チップオンガラス（ＣＯＧ）半導体構造を製造する方法において、半導体ダイ上に導体パッドを形成する工程；前記導体パッド上にシード層を形成する工程；前記シード層上に銀合金バンプ体を形成する工程であって、ＫＡｕ（ＣＮ）2、ＫＡｇ（ＣＮ）2およびＫ2Ｐｄ（ＣＮ）4の内の少なくとも１つを含むシアン化物系浴を調製する工程と、前記シアン化物系浴のｐＨ値を、約６から約８の範囲内に制御する工程と、 前記シアン化物系浴中に前記半導体ダイを浸漬する工程と、を含む工程；前記半導体ダイに、約０．１ＡＳＤ（１０Ａ／ｍ2）から約０．５ＡＳＤ（５０Ａ／ｍ2）の電気メッキ電流密度を印加する工程；および前記銀合金バンプ体をガラス基板に接合する工程；を有してなる方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【0008】
本開示の態様は、添付図面と共に読んだときに、以下の詳細な説明から最も良く理解される。当該技術分野の標準的技法にしたがって、様々な特徴が一定の縮尺で描かれていないことを強調しておく。実際に、様々な特徴の寸法は、議論を明快にするために、任意に増減されているであろう。
【図1】本開示のいくつかの実施の形態による銀合金バンプ構造の断面図
【図2】本開示のいくつかの実施の形態による粒径分布曲線
【図3】本開示のいくつかの実施の形態による銀合金バンプ構造の断面図
【図4】本開示のいくつかの実施の形態による銀合金バンプ構造を有するチップオンフィルム（ＣＯＦ）半導体構造の断面図
【図6】本開示のいくつかの実施の形態による多層バンプ構造の断面図
【図7】本開示のいくつかの実施の形態による多層バンプ構造を有するチップオンフィルム（ＣＯＦ）半導体構造の断面図
【図8】本開示のいくつかの実施の形態による多層バンプ構造を有するチップオンフィルム（ＣＯＦ）半導体構造の断面図
【図10】本開示のいくつかの実施の形態による銀合金バンプ構造を有するチップオンガラス（ＣＯＧ）半導体構造の断面図
【図11】本開示のいくつかの実施の形態による多層バンプ構造を有するチップオンガラス（ＣＯＧ）半導体構造の断面図
【図12】本開示のいくつかの実施の形態による多層バンプ構造を有するチップオンガラス（ＣＯＧ）半導体構造の断面図
【図13】本発明のいくつかの実施の形態による銀合金バンプ構造および多層バンプ構造を製造する操作を示す説明図
【図14】本発明のいくつかの実施の形態による銀合金バンプ構造および多層バンプ構造を製造する操作を示す説明図
【図15】本発明のいくつかの実施の形態による銀合金バンプ構造および多層バンプ構造を製造する操作を示す説明図
【図16】本発明のいくつかの実施の形態による銀合金バンプ構造および多層バンプ構造を製造する操作を示す説明図
【図17】本発明のいくつかの実施の形態による銀合金バンプ構造および多層バンプ構造を製造する操作を示す説明図
【図18】本発明のいくつかの実施の形態による銀合金バンプ構造および多層バンプ構造を製造する操作を示す説明図
【図19】本発明のいくつかの実施の形態による銀合金バンプ構造および多層バンプ構造を製造する操作を示す説明図
【図20】本発明のいくつかの実施の形態による銀合金バンプ構造および多層バンプ構造を製造する操作を示す説明図
【図21】本発明のいくつかの実施の形態による銀合金バンプ構造および多層バンプ構造を製造する操作を示す説明図
【図22】本発明のいくつかの実施の形態による銀合金バンプ構造および多層バンプ構造を製造する操作を示す説明図
【図23】本発明のいくつかの実施の形態による銀合金バンプ構造および多層バンプ構造を製造する操作を示す説明図
【図24】本発明のいくつかの実施の形態による銀合金バンプ構造および多層バンプ構造を製造する操作を示す説明図
【図25】本発明のいくつかの実施の形態による銀合金バンプ構造および多層バンプ構造を製造する操作を示す説明図
【図26】本発明のいくつかの実施の形態による銀合金バンプ構造および多層バンプ構造を製造する操作を示す説明図
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下の詳細な説明において、本発明を完全に理解するために、多数の特定の詳細が述べられている。しかしながら、本発明は、これらの特別な詳細を持たずに実施してもよいことが当業者には理解されるであろう。他の例において、公知の方法、手法、部品および回路は、本発明を分かりにくくしないように、詳細には記載されていない。以下の開示は、様々な実施の形態の異なる特徴を実施するための多くの異なる実施の形態または実施例を提供することが理解されよう。部品および構成の特別の実施例が、本開示を簡素にするために、以下に記載されている。これらは、もちろん、単に例であって、制限を意図するものではない。
【0010】
実施の形態の製造と使用が以下に詳しく論じられている。しかしながら、本発明は、多種多様の特別な状況で具現化できる多くの適用できる本発明の概念を提供することを認識すべきである。論じられた特別な実施の形態は、本発明を製造し使用する特別な様式を単に説明するものであって、本発明の範囲を制限するものではない。
【0011】
半導体実装における金属バンプ技術の中で、金バンプは、当該技術分野において材料特性および加工技術がよく知られているという点で、高い評判を得た。しかしながら、高い材料コスト、劣ったボンディングの信頼性、および低い電気伝導率や低い熱伝導率などの十分ではない材料特性が、依然として、未解決の問題である。金属バンプを製造するための代わりの費用を節約する手法は、多層バンプ、例えば、Ｃｕ（最下層）、Ｎｉ（中間層）およびＡｕ（最上層）のバンプを作製することによるものである。この手法により、金属バンプの金材料の消費が節約されるが、Ｃｕ最下層が酸化および腐食し易く、よって、信頼性の懸念が生じてしまう。
【0012】
基板のパッド上に堆積されたはんだのリフローによって、金バンプをパッドに接合するときに、多数の金／スズの合金が形成される。溶融はんだ中の金の高い溶出速度のために、金バンプとのはんだの接合部は、１回のリフローの後、大きい体積分率の金属間化合物を有し、主相のＡｕＳｎ4は接合部を著しくもろくしてしまう。パッケージ・オン・パッケージ製品を組み立てるために、一般に、２回以上のリフローが必要とされるが、そのリフロー後、金バンプは完全に使い尽くされ、金／スズ金属間化合物に転化されるであろう。これらの化合物の脆さおよびチップ側のアルミニウムパッドとの金属間化合物の直接接触のために、接合部は、バンプ／チップの界面でのクラックの発生により、機械的落下試験などの信頼性試験に度々不合格となる。
【0013】
銀バンプは、金バンプの費用の２０分の１であり、銀バンプは、ここに論じられた３種類の金属（Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ）の中で最高の電気伝導率および最高の熱伝導率を有する。その上、銀バンプの焼鈍温度は金バンプの焼鈍温度より低く、それゆえ、パッシベーションクラックの恐れが著しく減少する。基板への銀バンプのはんだ接合部に関する限り、共融温度より高い温度では、銀／スズ界面は、金／スズ界面のものより優れたボンディング特性を示す。本開示のいくつかの実施の形態において、純粋な銀に固有の、銀針(silver needle)、銀の移行、酸化および加硫の問題を避けるために、銀合金が銀バンプに利用される。
【0014】
物品に金属被覆を電気メッキする方法は、概して、メッキ溶液中の２つの電極間に電流を通す工程を含み、電極の一方（一般にカソード）は、メッキすべき物品である。典型的な銀または銀合金メッキ溶液は、溶解した銀イオン、水、スズまたは銅などの随意的な１種類以上の溶解した合金化金属、このメッキ溶液に伝導性を与えるのに十分な量のメタンスルホン酸などの酸電解質、およびメッキの均一性と金属堆積物の品質を改善するための専用の添加剤(proprietary additives)を含む。そのような添加剤としては、中でも、錯化剤、界面活性剤、および結晶微細化剤(grain refiner)が挙げられる。
【0015】
本開示のいくつかの実施の形態は、半導体構造を製造する方法を提供する。この方法は、半導体ダイ上に導体パッドを形成する工程、導体パッド上にシード層を形成する工程、シード層上に第１のマスク層を画成する工程、および第１のマスク層内に銀合金バンプ体を形成する工程を有してなる。第１のマスク層内に銀合金バンプ体を形成する工程は、第１のシアン化物系浴を調製する工程、第１のシアン化物系浴のｐＨ値を、約６から約８の範囲内に制御する工程、第１のシアン化物系浴中に半導体ダイを浸漬する工程、および半導体ダイに、約０．１ＡＳＤ（１０Ａ／ｍ2）から約０．５ＡＳＤ（５０Ａ／ｍ2）の電気メッキ電流密度を印加する工程を含む。
【0016】
本開示のいくつかの実施の形態は、チップオンフィルム（ＣＯＦ）半導体構造を製造する方法を提供する。この方法は、半導体ダイ上に導体パッドを形成する工程、導体パッド上にシード層を形成する工程、シード層上に銀合金バンプ体を形成する工程、および銀合金バンプ体をフレキシブルフィルムに接合する工程を有してなる。シード層上に銀合金バンプ体を形成する工程は、約４０から約５０℃の溶液温度でＫＡｕ（ＣＮ）2、ＫＡｇ（ＣＮ）2およびＫ2Ｐｄ（ＣＮ）4の内の少なくとも１つを含むシアン化物系浴を調製する工程、シアン化物系浴のｐＨ値を、約６から約８の範囲内に制御する工程、シアン化物系浴中に半導体ダイを浸漬する工程、および半導体ダイに、約０．１ＡＳＤ（１０Ａ／ｍ2）から約０．５ＡＳＤ（５０Ａ／ｍ2）の電気メッキ電流密度を印加する工程をさらに含む。
【0017】
本開示のいくつかの実施の形態は、チップオンガラス（ＣＯＧ）半導体構造を製造する方法を提供する。この方法は、半導体ダイ上に導体パッドを形成する工程、導体パッド上にシード層を形成する工程、シード層上に銀合金バンプ体を形成する工程、および銀合金バンプ体をガラス基板に接合する工程を有してなる。シード層上に銀合金バンプ体を形成する工程は、ＫＡｕ（ＣＮ）2、ＫＡｇ（ＣＮ）2およびＫ2Ｐｄ（ＣＮ）4の内の少なくとも１つを含むシアン化物系浴を調製する工程、シアン化物系浴のｐＨ値を、約６から約８の範囲内に制御する工程、シアン化物系浴中に半導体ダイを浸漬する工程、および半導体ダイに、約０．１ＡＳＤ（１０Ａ／ｍ2）から約０．５ＡＳＤ（５０Ａ／ｍ2）の電気メッキ電流密度を印加する工程をさらに含む。
【0018】
定義
本開示を記載し、特許請求の範囲を作成する上で、下記に述べられた定義にしたがって、以下の用語法が使用される。
本開示を記載し、特許請求の範囲を作成する上で、下記に述べられた定義にしたがって、以下の用語法が使用される。
【0019】
ここに用いたように、以下の略語は、文脈から明白にそうではないと示されていない限り、以下の意味を有するものとする：ＡＳＤ：Ａ／ｄｍ2＝平方デシメートル当たりのアンペア；℃：摂氏度；ｇ：グラム；ｍｇ：ミリグラム；Ｌ：リットル；Å：オングストローム；μｍ：ミクロン＝マイクロメートル；ｍｍ：ミリメートル；ｍｉｎ：分；ＤＩ：脱イオン；およびｍＬ：ミリリットル。別記されていない限り、全ての量は質量パーセント（「質量％」）により表され、全ての比はモル比である。全ての数値範囲は、そのような数値範囲が合計１００％に制限されていることが明白である場合を除いて、包括的であり、任意の順序で組み合わせることもできる。
【0020】
ここに用いたように、「平均粒径」は、Ｘ線回折（ＸＲＤ）、電子線散乱解析法（ＥＢＳＰ）、透過型電子顕微鏡法（ＴＥＭ）、または走査型電子顕微鏡法（ＳＥＭ）などの任意の従来の粒径測定技法によって測定される。本開示において論じた粒径測定には、サンプルの前処理した断面を調製する。図１は、導体パッド１０２に銀合金バンプ体１０１が接続されている、銀合金バンプ構造１０の断面を示しており、銀合金バンプ体１０１および導体パッド１０２の両方がデバイス１００上に配置されている。銀合金バンプ構造１０の縦方向はＹ方向に対して平行である。言い換えると、縦方向は、銀合金バンプ体１０１および導体パッド１０２を収容する表面に対して垂直な方向を称する。ここに論じられる測定のいずれかが行われる断面は、縦方向に対して垂直な面を有する銀合金バンプ体１０１を通過する任意の面である。
【0021】
ここに用いたように、平均粒径測定に使用される「電子線散乱解析法（ＥＢＳＰ）」は、コンピュータ解析プログラム（例えば、ＴＳＬ ＯＩＭ解析）によって支援される。コンピュータ解析プログラムの設定としては、以下に限られないが、１５度の粒界方位差、０．１以上のＣＩ値、および少なくとも５つの試験点の最小粒径が挙げられる。ＥＢＳＰ測定の平均粒径は、断面の少なくとも３カ所の異なる試験位置上の粒径を平均することによって得られる。各試験位置において所定の面積を測定する。その所定の面積は、異なる実施の形態の特徴にしたがって様々である。各試験位置は、隣接する試験位置から少なくとも１ｍｍ離れている。いくつかの実施の形態において、１カ所の試験位置における各測定点の間の間隔は少なくとも５μｍである。いくつかの実施の形態において、ＥＢＳＰ測定が行われる調製したサンプルを、２０ｋＶの加速電圧および１００倍から５００倍の倍率で観察する。いくつかの実施の形態において、調製したサンプルを７０度の傾斜角に配置する。
【0022】
ここに用いたように、平均粒径測定に使用される「透過型電子顕微鏡法（ＴＥＭ）、または走査型電子顕微鏡法（ＳＥＭ）」は、画像解析プログラム（例えば、ＣＬＥＭＥＸ Ｖｉｓｉｏｎ ＰＥ）により支援される。いくつかの実施の形態において、ＴＥＭまたはＳＥＭ測定の平均粒径は、断面の少なくとも３カ所の異なる試験位置上の粒径を平均することによって得られる。各試験位置で所定の面積を測定する。その所定の面積は、異なる実施の形態の特徴にしたがって様々である。各試験位置は、隣接する試験位置から少なくとも１ｍｍ離れている。いくつかの実施の形態において、１カ所の試験位置における各測定点の間の間隔は少なくとも５μｍである。いくつかの実施の形態において、ＴＥＭまたはＳＥＭ測定が行われる調製したサンプルを、約５ｋＶから約２０ｋＶの加速電圧および１００倍から５００倍の倍率で観察する。
【0023】
ここに用いたように、銀合金バンプの「粒径分布の標準偏差」は、ここに論じられる画像解析プログラムを使用して得られる統計結果を称する。粒径分布の分散曲線を得た後、１標準偏差が、平均粒径（期待値）から外れた粒径と定義され、ここで、外れた粒径と平均粒径との間の粒径を有する粒子の数は、粒子の総数の３４％を占め得る。
【0024】
図１は、導体パッド１０２に銀合金バンプ体１０１が接続されている、銀合金バンプ構造１０の断面である。銀合金バンプ体１０１および導体パッド１０２はデバイス１００上に配置されている。いくつかの実施の形態において、デバイス１００は、以下に限られないが、メモリ、トランジスタ、ダイオード（ＰＮまたはＰＩＮ接合）、集積回路、またはバラクターなどの能動素子を含む。他の実施の形態において、デバイス１００は、レジスタ、キャパシタ、または誘導子などの受動素子を含む。図１に示されるように、銀合金バンプ体１０１の微細構造のみが示されている。銀合金バンプ体１０１の断面は、銀合金バンプ構造１０を縦方向（Ｙ方向）に沿って切断することによって調製され、ＸＹ面が得られる。電子顕微鏡を使用して、その断面に銀合金バンプ体１０１の粒子構造が特定され、ここに論じられる画像解析ソフトウェアの支援により、粒径分布の統計的情報を得ることができる。
【0025】
図１を参照すると、粒子１０１Ａの面積が直線によって陰影が付けられている。銀合金バンプ体１０１において示されるＳＥＭ写真は、ここに記載された銀合金バンプ体１０１の実際の断面から撮られる。いくつかの実施の形態において、銀合金バンプ体１０１は、電気メッキ操作により形成されるので、粒径分布はかなり均一であり、スタッドバンプ（図示せず）におけるもののような、熱影響域（ＨＡＺ）は観察されない。ＨＡＺでは、粒子成長手法が局所的な高温に曝されるという事実のために、粒径の急激な変化が生じる。通常、粒径はＨＡＺにおいて明白に増加している。本開示のいくつかの実施の形態において、亜結晶粒構造が銀合金バンプ体１０１の粒子に特定されることがある。例えば、粒子１０１Ａにおいて、亜結晶粒領域が、ドメイン境界により隔てられた粒子１０１Ａ内のいくつかの領域が特定できるように目に見える。
【0026】
いくつかの実施の形態において、銀合金バンプ体１０１はＡｇ1-xＹxを含む。Ａｇ1-xＹx合金における種Ｙは、任意の質量百分率で銀と完全な固溶体を形成する金属を含む。いくつかの実施の形態において、種Ｙは、二元系状態図を見ることによって特定できる。二元系状態図においてレンズ形状を形成する液相線および固相線は、２つの金属成分の任意の組成での固溶体の完全な混合物を示す。例えば、本開示のいくつかの実施の形態において、種Ｙは、金、パラジウム、またはそれらの組合せである。実施の形態において、Ａｇ1-xＹx合金における種Ｙの含有量は、原子パーセントで約０．００５から約０．２５に及ぶ。
【0027】
図１に示されるように、銀合金バンプ体１０１の粒径が図２の分散曲線を形成する。いくつかの実施の形態において、図２の分散曲線は、以下に限られないが、ＣＬＥＭＥＣ Ｖｉｓｉｏｎ ＰＥなどの画像解析ソフトウェアプログラムにより得られる。図２において、分散曲線のＸ軸が粒径を表すのに対し、分散曲線のＹ軸は粒子の正規化数を表す。本開示における粒径の計算は、コンピュータ解析プログラム（例えば、ＴＳＬ ＯＩＭ解析）により支援される。いくつかの実施の形態において、コンピュータ解析プログラムは、粒子の面積を、同じ面積を有する仮想円に変換し、そのような仮想円の直径が、長さの単位（通常はマイクロメートル）を有する粒径と定義される。しかしながら、粒径の計算は、上述した操作に限られない。他の実施の形態において、平均粒径は、ここに記載された銀合金バンプ構造の断面のＴＥＭ写真またはＳＥＭ写真に対角線を描き、その対角線が出合った粒子の数で対角線の長さを割ることによって得られる。コンピュータソフトウェアにより支援されている限り、または一貫した系統的方法で行われる限り、どのような粒径測定操作も適している。
【0028】
図２に示された分散曲線を作成した後、銀合金バンプ体１０１の微細構造の形態特徴として標準偏差を測定することができる。いくつかの実施の形態において、分散曲線は、分散曲線の右端に高い最大値を有する歪んだベル形を有する。いくつかの実施の形態において、粒径の平均値または期待値が、分散曲線の最大値により表される。図２に示されるように、平均値Ｍは粒径Ａに相当し、これは、いくつかの実施の形態において、約０．７μｍから約０．８μｍの範囲にある。平均値Ｍから正の方向（＋１σ）に離れた１標準偏差は粒径Ｃに相当し、これは、いくつかの実施の形態において、約１．０μｍから約１．１μｍの範囲にある。平均値Ｍから負の方向（－１σ）に離れた１標準偏差は粒径Ｂに相当し、これは、いくつかの実施の形態において、約０．４μｍから約０．５μｍの範囲にある。いくつかの実施の形態において、１標準偏差は、平均値Ｍから外れた粒径として定義され、ここで、外れた粒径ＢまたはＣと平均値Ｍとの間の粒径を有する粒子の数は、粒子の総数の３４％を占め得る。実際の粒径測定から得られた分散曲線は、平均値Ｍについて対照的である必要はなく、それゆえ、いくつかの実施の形態において、平均値Ｍから粒径Ｃで正の方向（＋１σ）に離れた１標準偏差と、平均値Ｍとの間の差は、平均値Ｍから粒径Ｂで負の方向（－１σ）に離れた１標準偏差と、平均値Ｍとの間の差と必ずしも同じではない。
【0029】
本開示のいくつかの実施の形態において、粒径Ｃと粒径Ａとの間の差は、約０．２μｍから約０．４μｍである。他の実施の形態において、粒径Ｂと粒径Ａとの間の差は、約０．２μｍから約０．４μｍである。本開示において議論される電気メッキ操作を使用することによって、銀合金バンプ体１０１の粒径は均一な分布を示し、平均値Ｍから離れた（正の方向または負の方向に）１標準偏差と平均値Ｍとの間の差は、約０．２μｍから約０．４μｍの範囲内として定量化できる。
【0030】
図３を参照すると、銀合金バンプ構造２０の断面が示されている。図１の銀合金バンプ構造１０と比べると、銀合金バンプ構造２０は、バンプ下地金属（ＵＢＭ）層１０４およびシード層１０５をさらに含んでいる。いくつかの実施の形態において、シード層１０５は、銀または銀合金を含有し、化学気相成長（ＣＶＤ）、スパッタリング、および電気メッキ操作の内の１つにより調製される。いくつかの実施の形態において、ＵＢＭ層１０４は、単層構造、または異なる材料から形成されたいくつかの副層を含む複合構造を有し、ニッケル層、チタン層、チタンタングステン層、パラジウム層、金層、銀層、およびそれらの組合せから選択される層を含む。
【0031】
図３に示されるように、銀合金バンプ体１０１の高さＨ１は、銀合金バンプ体の上面から、導体パッド１０２の上面まで測定される。いくつかの実施の形態において、銀合金バンプ体１０１またはＡｇ1-xＹx合金の高さＨ１は、約９μｍから約１５μｍの範囲にある。銀合金バンプ体１０１の高さＨ１に比例して、ＵＢＭ層１０４の厚さＴ２はシード層１０５の厚さＴ１と同等である。いくつかの実施の形態において、ＵＢＭ層１０４の厚さＴ２は約１０００Åから約３０００Åの範囲にあり、シード層１０５の厚さＴ１は約１０００Åから約３０００Åの範囲にある。
【0032】
図４を参照すると、チップオンフィルム（ＣＯＦ）半導体構造３０の断面が示されている。ＣＯＦ半導体構造３０は、第１の表面３０１Ａおよび第２の表面３０１Ｂを有するフレキシブルフィルム３０１を含む。このフレキシブルフィルム３０１としては、以下に限られないが、フレキシブルプリント基板（ＦＰＣＢ）またはポリイミド（ＰＩ）が挙げられる。導電性銅配線などの導電層３０２がフレキシブルフィルム３０１の第１の表面３０１Ａ上に描かれている。図４において、図１および３に示されたものなどの同じ参照番号の付いた要素は、同じ要素またはそれらの同等物と称され、簡単にするために、ここでは繰り返されていない。図４において、２つの銀合金バンプ体１０１が、デバイス１００を、フレキシブルフィルム３０１の導電層３０２に電気的に連結している。いくつかの実施の形態において、適切な粘度を有する封止剤３０４、例えば、無溶剤エポキシ樹脂が、フレキシブルフィルム３０１とデバイス１００との間の空間に注入される。
【0033】
図４に示された銀合金バンプ体１０１はＡｇ1-xＹx合金を含み、ここで、種Ｙは、金、パラジウム、またはそれらの組合せである。例えば、Ａｇ1-xＹx合金は、Ａｇ1-xＡｕxまたはＡｇ1-xＰｄxなどの二成分合金であって差し支えなく、さらに、Ａｇ1-xＹx合金は、Ａｇ1-x（ＡｕＰｄ）xなどの三成分合金であって差し支えない。いくつかの実施の形態において、Ａｇ1-xＹx合金中の種Ｙの含有量は、約０．００５から約０．２５原子パーセントに及ぶ。いくつかの実施の形態において、Ａｇ1-xＹx合金中の種Ｙは、任意の質量百分率で銀と完全な固溶体を形成する金属を含む。図４に示されるように、銀合金バンプ体１０１の高さＨ１は、約９μｍから約１５μｍの範囲にあり、隣接する銀合金バンプ体１０１の間のピッチＰは１０μｍ未満である。いくつかの実施の形態において、導体パッド１０２の幅Ｗは、約１０μｍから約２０μｍの範囲にある。
【0034】
図４において、ソルダレジストパターン３０５が導電層３０２上に配置されている。銀合金バンプ体１０１と導電層３０２の接合部にはんだ層３０６が施されている。本開示のいくつかの実施の形態において、はんだ層３０６は、従来のＳｎＰｂまたは無鉛はんだであって差し支えない。点線の枠３０３により囲まれた接合部分が、図５に拡大されて、示されている。図５を参照すると、はんだ層３０６は、はんだ材料自体だけでなく、Ａｇ1-xＳｎx合金も含む。いくつかの実施の形態において、Ａｇ1-xＳｎx合金は少なくともＡｇ0.5Ｓｎ0.5合金を含む。特定の実施の形態において、銀合金バンプ側に設定されたＣＯＦのインナーリードボンディング（ＩＬＢ）温度が約４００℃である場合、その合金バンプの自由端で設定された同じボンディング温度を考えると、ＡｇＳｎ合金系の液相は、ＡｕＳｎ合金系の液相よりも実質的に多い。ＡｇＳｎ合金の過剰な液相により、銀合金バンプ体１０１と導電層３０２との間の接着が促進され、それゆえ、Ａｇ系合金バンプを使用することによって、ＡｇＳｎ合金系により良好な接合信頼性が得られる。他方で、ＣＯＦのより低いＩＬＢ温度をＡｇＳｎ合金系に使用しても差し支えない。例えば、４００℃より低いＩＬＢ温度は、フレキシブルフィルム３０１が変形したり収縮したりするのを防ぐことができる。他の実施の形態において、異方性導電膜（ＡＣＦ）を使用して、銀合金バンプ体１０１と導電層３０２を接続しても差し支えない。
【0035】
図５を参照すると、銀合金バンプ体１０１の微細構造のみが示されている。銀合金バンプ体１０１の平均粒径は、約０．５μｍから約１．５μｍの範囲にある。銀の溶融温度は９６２℃辺りであるので、銀合金バンプ体１０１に適用される焼鈍温度は、図１、図３および図４に示されたパッシベーション層１０３にクラックが形成されないように、２５０℃より低くすることができる。金のより高い溶融温度（１０６４℃）と比べると、溶融温度が低いことにより、焼鈍温度が低くなり、それゆえ、パッシベーション層などの先に成長した構造が曝される熱応力が小さくなる。いくつかの実施の形態において、２５０℃より低い温度で銀合金バンプ体１０１を焼き鈍した後、ここに記載された方法により測定したＡｇ1-xＹx合金の平均粒径は１μｍ辺りである。
【0036】
図６を参照すると、多層バンプ構造４０の断面が示されている。図３の銀合金バンプ構造２０と比べると、多層バンプ構造４０は、銀合金バンプ体１０１の上面に金属層１０７をさらに含んでいる。いくつかの実施の形態において、多層バンプ構造４０は、図１、図３および図４に示されたものなどの銀合金バンプ構造を含み、銀合金バンプ体１０１は、導体パッド１０２に接続された底面および金属層１０７に接続された上面を有している。いくつかの実施の形態において、金属層１０７は、銀合金バンプ体１０１の上面だけでなく、側壁にも配置されている。いくつかの実施の形態において、金属層１０７は、銀以外の金属材料である。他の実施の形態において、多層バンプ構造４０の金属層１０７は、金、金合金、銅、または銅合金を含む。他の実施の形態において、多層バンプ構造４０の金属層１０７は、Ｃｕおよびその合金を含む。金属層１０７の高さＨ２は、銀合金バンプ体１０１と外部デバイスまたは基板、例えば、フレキシブルフィルムの導電性配線（ここには示されていない）との間の接合界面を形成するのに十分に厚いものとする。
【0037】
いくつかの実施の形態において、金属層１０７の高さＨ２は約１μｍから約３μｍであり、金属層１０７は電気メッキ操作により形成される。図６において、多層バンプ構造４０は、バンプ下地金属（ＵＢＭ）層１０４およびシード層１０５を含む。いくつかの実施の形態において、シード層１０５は、銀または銀合金を含有し、化学気相成長（ＣＶＤ）、スパッタリング、および電気メッキ操作の内の１つにより調製される。いくつかの実施の形態において、ＵＢＭ層１０４は、単層構造、または異なる材料から形成されたいくつかの副層を含む複合構造を有し、ニッケル層、チタン層、チタンタングステン層、パラジウム層、金層、銀層、およびそれらの組合せから選択される層を含む。
【0038】
図６に示された銀合金バンプ体１０１はＡｇ1-xＹx合金を含み、ここで、種Ｙは、金、パラジウム、またはそれらの組合せである。例えば、Ａｇ1-xＹx合金は、Ａｇ1-xＡｕxまたはＡｇ1-xＰｄxなどの二成分合金であって差し支えなく、さらに、Ａｇ1-xＹx合金は、Ａｇ1-x（ＡｕＰｄ）xなどの三成分合金であって差し支えない。いくつかの実施の形態において、Ａｇ1-xＹx合金中の種Ｙの含有量は、約０．００５から約０．２５原子パーセントに及ぶ。いくつかの実施の形態において、Ａｇ1-xＹx合金中の種Ｙは、任意の質量百分率で銀と完全な固溶体を形成する金属を含む。図６に示されるように、銀合金バンプ体１０１の高さＨ１は、約９μｍから約１５μｍの範囲にある。
【0039】
図７を参照すると、チップオンフィルム（ＣＯＦ）半導体構造５０の断面が示されている。ＣＯＦ半導体構造５０は、第１の表面３０１Ａおよび第２の表面３０１Ｂを有するフレキシブルフィルム３０１を含む。このフレキシブルフィルム３０１としては、以下に限られないが、フレキシブルプリント基板（ＦＰＣＢ）またはポリイミド（ＰＩ）が挙げられる。導電性銅配線などの導電層３０２がフレキシブルフィルム３０１上の第１の表面３０１Ａ上に描かれており、ソルダレジストパターン３０５が導電層３０２上に配置されている。図７において、図１および３に示されたものなどの同じ参照番号の付いた要素は、同じ要素またはそれらの同等物と称され、簡単にするために、ここでは繰り返されていない。図７において、銀合金バンプ体１０１および金属層１０７を含む２つの多層バンプ構造（１０１，１０７）が、デバイス１００を、フレキシブルフィルム３０１の導電層３０２に電気的に連結している。いくつかの実施の形態において、適切な粘度を有する封止剤３０４、例えば、無溶剤エポキシ樹脂が、フレキシブルフィルム３０１とデバイス１００との間の空間に注入される。金属層１０７が電気メッキ金膜から製造されている場合、その後のボンディング操作には、金バンプのための当該技術分野における従来のボンディング操作を利用できる。
【0040】
図７に示された銀合金バンプ体１０１はＡｇ1-xＹx合金を含み、ここで、種Ｙは、金、パラジウム、またはそれらの組合せである。例えば、Ａｇ1-xＹx合金は、Ａｇ1-xＡｕxまたはＡｇ1-xＰｄxなどの二成分合金であって差し支えなく、さらに、Ａｇ1-xＹx合金は、Ａｇ1-x（ＡｕＰｄ）xなどの三成分合金であって差し支えない。いくつかの実施の形態において、Ａｇ1-xＹx合金中の種Ｙの含有量は、約０．００５から約０．２５原子パーセントに及ぶ。いくつかの実施の形態において、Ａｇ1-xＹx合金中の種Ｙは、任意の質量百分率で銀と完全な固溶体を形成する金属を含む。図７に示された金属層１０７は、銀以外の金属材料、例えば、金または銅を含む。図７に示されるように、銀合金バンプ体１０１の高さＨ１は、約９μｍから約１５μｍの範囲にあり、隣接する銀合金バンプ体１０１の間のピッチＰは１０μｍ未満である。金属層１０７の高さＨ２は約１μｍから約３μｍの範囲にある。いくつかの実施の形態において、導体パッド１０２の幅Ｗは、約１０μｍから約２０μｍの範囲にある。
【0041】
図７において、ソルダレジストパターン３０５が導電層３０２上に配置されている。多層バンプ構造（１０１，１０７）と導電層３０２の接合部にはんだ層３０８が施されている。本開示のいくつかの実施の形態において、はんだ層３０８は、従来のＳｎＰｂまたは無鉛はんだであって差し支えない。点線の枠３０７により囲まれた接合部分が、図９に拡大されて、示されている。
【0042】
図８に示されたチップオンフィルム（ＣＯＦ）半導体構造６０の断面は、図８の金属層１０７が銀合金バンプ体１０１の上面と側壁を覆っていることを除いて、図７に示されたＣＯＦ半導体構造５０の断面と類似している。言い換えれば、多層バンプ構造（１０１，１０７）は、少なくとも２つの異なる構成を有し得る。図７において、金属層１０７は、電気メッキ操作または無電界メッキ操作によって、銀合金バンプ体１０１の上面に形成されているのに対し、図８において、金属層１０７は、電気メッキ操作または無電界メッキ操作によって、銀合金バンプ体１０１の上面と側壁に形成されている。図７に示されたものなどの同じ参照番号の付いた図８の要素は、同じ要素またはそれらの同等物と称され、簡単にするために、ここでは繰り返されていない。
【0043】
本開示のいくつかの実施の形態において、はんだ接合による、銀合金バンプ体１０１または多層バンプ構造（１０１，１０７）のフレキシブルフィルム３０１へのボンディングに加え、異方性導電膜（ＡＣＦ）を採用して、図４、７および８に示されたようなＣＯＦ半導体構造３０，５０および６０における接続部を形成しても差し支えない。
【0044】
図９を参照すると、はんだ層３０８は、はんだ材料自体だけでなく、金属層１０７がＡｕまたはその合金から製造されている場合、Ａｕ1-xＳｎx合金も含む。いくつかの実施の形態において、Ａｕ1-xＳｎx合金は少なくともＡｕ0.5Ｓｎ0.5合金を含む。他の実施の形態において、異方性導電膜（ＡＣＦ）を使用して、多層バンプ構造（１０１，１０７）と導電層３０２を接続しても差し支えない。
【0045】
図１０に示されるような、本開示のいくつかの実施の形態において、ここに論じられた銀合金バンプ体１０１は、チップオンガラス（ＣＯＧ）半導体構造７０にも使用できる。透明基板の第１の表面４０１Ａ上の導電性配線４０２と、実装すべきデバイス１００の銀合金バンプ体１０１との間の電気的接続は、異方性導電膜（ＡＣＦ）４０６であっても差し支えない。例えば、透明基板はガラス基板４０１である。ＡＣＦは、熱硬化性エポキシマトリクス内に分散された、約３μｍから約５μｍの直径を有するＡｕ被覆プラスチック球体４０６Ａを含む。いくつかの実施の形態において、ＣＯＧ半導体構造６０にＡＣＦを使用するためのボンディング温度は、約２００℃である。
【0046】
図１１に示されるような、本開示のいくつかの実施の形態において、ここに論じられた多層バンプ構造（１０１，１０７）は、チップオンガラス（ＣＯＧ）半導体構造８０にも使用できる。実装すべきデバイス１００の多層バンプ構造（１０１，１０７）とガラス基板４０１の第１の表面４０１Ａ上の導電性配線４０２との間の電気的接続は、異方性導電膜（ＡＣＦ）４０６であって差し支えない。いくつかの実施の形態において、ガラス基板４０１上の第１の表面４０１Ａ上の導電性配線４０２は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）などの透明な導電性材料から製造される。例えば、ＡＣＦは、熱硬化性エポキシマトリクス中に分散した、約３μｍから約５μｍの直径を有するＡｕ被覆プラスチック球体４０６Ａを含む。いくつかの実施の形態において、ＣＯＧ半導体構造７０内にＡＣＦを使用するためのボンディング温度は約２００℃である。いくつかの実施の形態において、多層バンプ構造（１０１，１０７）の金属層１０７は、約１μｍから約３μｍの厚さを有する電気メッキ金膜である。この状況下で、金バンプの技術分野における従来のボンディング操作を、多層バンプ構造（１０１，１０７）とガラス基板などの外部デバイスとの接続に利用できる。
【0047】
図１２に示されるような、本開示のいくつかの実施の形態において、ここに論じられた多層バンプ構造（１０１，１０７）は、チップオンガラス（ＣＯＧ）半導体構造９０にも使用できる。実装すべきデバイス１００の多層バンプ構造（１０１，１０７）とガラス基板４０１の第１の表面４０１Ａ上の導電性配線４０２との間の電気的接続は、異方性導電膜（ＡＣＦ）４０６であって差し支えない。例えば、ＡＣＦは、熱硬化性エポキシマトリクス中に分散した、約３μｍから約５μｍの直径を有するＡｕ被覆プラスチック球体４０６Ａを含む。いくつかの実施の形態において、ＣＯＧ半導体構造９０内にＡＣＦを使用するためのボンディング温度は約２００℃である。いくつかの実施の形態において、多層バンプ構造（１０１，１０７）の金属層１０７は、銀合金バンプ体１０１の上面１０１Ｂおよび側壁１０１Ａを覆う、約１μｍから約３μｍの厚さを有する電気メッキ金膜である。この状況下で、金バンプの技術分野における従来のボンディング操作を、多層バンプ構造（１０１，１０７）とガラス基板などの外部デバイスとの接続に利用できる。いくつかの実施の形態において、上面１０１Ｂ上の金属層１０７の厚さは、銀合金バンプ体１０１の側壁１０１Ａを覆う金属層１０７の厚さとは異なる。
【0048】
ここに開示された銀合金バンプの硬度は、適切な電気メッキ浴を選択することによって容易に調節できる。例えば、ＣＯＧアプリケーションのための銀合金バンプの硬度は、約１００ＨＶに調節することができる。別の例では、ＣＯＧアプリケーションのための銀合金バンプの硬度は、約５５ＨＶに調節することができる。純粋な銀の硬度（約８５ＨＶ）は５５ＨＶと１００ＨＶとの間にあるので、所望の硬度を有する銀合金は、異なる電気メッキ浴を使用して銀合金バンプを電気メッキすることによって、調整することができる。いくつかの実施の形態において、ＣＯＧアプリケーションでは、ＡＣＦボンディング操作を容易にするために、より高い硬度を有する銀合金バンプが必要とされる。他の実施の形態において、ＣＯＦアプリケーションでは、フレキシブルフィルム上の導電性配線への損傷を防ぐために、低い硬度を有する銀合金バンプが必要とされる。
【0049】
図１３から図２６は、本開示に記載された銀合金バンプの製造操作を示している。図１３において、パッシベーション層１０３および導体パッド１０２の一部の上にＵＢＭ層１０４が形成されている。いくつかの実施の形態において、ＵＢＭ層１０４は、ニッケル、チタン、チタンタングステン、パラジウム、金、銀、およびそれらの組合せから選択される材料のＣＶＤ、スパッタリング、電気メッキ、または無電界メッキにより形成される。いくつかの実施の形態において、ＵＢＭ層１０４の厚さＴ２は、約１０００Åから約３０００Åの範囲にあるように制御される。図１４において、ＵＢＭ層１０４上にシード層１０５が成膜されている。いくつかの実施の形態において、シード層１０５は、銀を含有する材料のＣＶＤ、スパッタリング、電気メッキ、または無電界メッキにより形成される。いくつかの実施の形態において、シード層１０５の厚さＴ１は、ＵＢＭ層１０４の厚さＴ２と同等になるように制御される。例えば、厚さＴ１は約１０００Åから約３０００Åの範囲にある。
【0050】
図１５を参照すると、シード層１０５上に、硬質マスクまたはフォトレジストであり得る、第１のマスク層１０９が形成されている。導電性バンプ材料を受け入れるために、導体パッド１０２上に第１のマスク層１０９の開口１０９Ａが形成されている。いくつかの実施の形態において、第１のマスク層１０９は、メッキすべき導電性バンプの厚さよりも厚い厚さＴ３を有するポジ型フォトレジストから製造される。他の実施の形態において、第１のマスク層１０９はネガ型フォトレジストから製造される。
【0051】
図１６および図１７は、電気メッキ操作とその後の結果を示している。図１６は、電気メッキ浴１１３、アノード１１１、およびカソード１１２を収容する容器１００’を含む電気メッキシステムを示している。いくつかの実施の形態において、アノード１１１は、不溶性であり、白金被覆チタンから製造されて差し支えなく、適切なシード層が成膜されたウェハーパッドがカソード１１２に配置され、電気メッキ浴１１３は、ＫＡｇ（ＣＮ）2、ＫＡｕ（ＣＮ）2、Ｋ2Ｐｄ（ＣＮ）4、およびそれらの塩の内の少なくとも１つを含むシアン化物系メッキ溶液を含有する。いくつかの実施の形態において、電気メッキ浴１１３のｐＨ値は、例えば、約６から約８の、中性辺りに制御される。電気メッキ浴１１３の温度は、４０から５０℃辺りに制御される。いくつかの実施の形態において、電気メッキ浴１１３の温度は、容器１００’の下に配置された保温プレート（図示せず）によって維持することができる。他の実施の形態において、電気メッキ浴１１３の温度は電気メッキ溶液循環システムによって維持することができ、そこでは、電気メッキ溶液が排出口１００Ｂから排出され、温度制御された電気メッキ溶液が注入口１００Ａから取り入れられている。シュウ酸イオン(oxalate)を含む適切なレベリング剤(leveling agent)を、約２ｍ／Ｌから約５ｍｌ／Ｌの濃度で電気メッキ浴１１３に加えても差し支えない。いくつかの実施の形態において、銀合金導電性バンプメッキのために印加される直流（ＤＣ）の電流密度は、約０．１ＡＳＤ（１０Ａ／ｍ2）から約０．５ＡＳＤ（５０Ａ／ｍ2）の範囲にある。
【0052】
図１６を参照すると、カソード１１２は、銀または銀合金を含有するシード層１０５が成膜されたウェハーパッドを含み、カソードで生じる反応は、以下の内の１つであり得る：
ＫＡｇ（ＣＮ）2 → Ｋ+ ＋ Ａｇ+ ＋ ２ＣＮ-
ＫＡｕ（ＣＮ）2 → Ｋ+ ＋ Ａｕ+ ＋ ２ＣＮ-
Ｋ2Ｐｄ（ＣＮ）4 → ２Ｋ+ ＋ Ｐｄ2+ ＋ ４ＣＮ-
ＫＡｇ（ＣＮ）2 → Ｋ+ ＋ Ａｇ+ ＋ ２ＣＮ-
ＫＡｕ（ＣＮ）2 → Ｋ+ ＋ Ａｕ+ ＋ ２ＣＮ-
Ｋ2Ｐｄ（ＣＮ）4 → ２Ｋ+ ＋ Ｐｄ2+ ＋ ４ＣＮ-
【0053】
【0054】
外部ＤＣ電流の正の端子がアノードに接続され、外部ＤＣ電流の負の端子がカソードに接続される。図１６から分かるように、還元された銀イオンと還元された金イオンが、ウェハーパッドのシード層１０５上に堆積し、第１のマスク層１０９により画成された開口１０９Ａを充填し、ＡｇＡｕ二成分合金を形成する。いくつかの実施の形態において、電気メッキ浴が、上述したのと同じ電気メッキ操作の設定により、銀イオン源（例えば、ＫＡｇ（ＣＮ）2）およびパラジウムイオン源（例えば、Ｋ2Ｐｄ（ＣＮ）4）を含む場合、還元された銀イオンと還元されたパラジウムイオンがウェハーパッドのシード層１０５上に堆積され、第１のマスク層１０９により画成された開口１０９Ａを充填し、ＡｇＰｄ二成分合金を形成する。いくつかの実施の形態において、電気メッキ浴が、上述したのと同じ電気メッキ操作の設定により、銀イオン源（例えば、ＫＡｇ（ＣＮ）2およびその塩）、金イオン源（例えば、ＫＡｕ（ＣＮ）2およびその塩）、およびパラジウムイオン源（例えば、Ｋ2Ｐｄ（ＣＮ）4およびその塩）を含む場合、還元された銀イオンと還元された金イオンと還元されたパラジウムイオンがウェハーパッドのシード層１０５上に堆積され、第１のマスク層１０９により画成された開口１０９Ａを充填し、ＡｇＡｕＰｄ三成分合金を形成する。
【0055】
図６に示されたような多層バンプ構造４０を電気メッキするいくつかの実施の形態において、ＡｇＡｕ合金、ＡｄＰｄ合金、またはＡｇＡｕＰｄ合金が図１６におけるウェハーパッドのシード層上に堆積された後、次いで、このウェハーパッドは、いくつかの金属イオン源を含む電気メッキ浴から取り出され、図６に示されたような非銀金属層１０７の堆積のために金属イオン源の１つの種を含有する別の電気メッキ浴に入れられる。
【0056】
図１７は、図１６に示された電気メッキ操作の完了後のウェハーパッドを示している。図１７において、導体パッド１０２上に銀合金バンプ体１０１が形成されている。図１８において、フォトレジストが使用された場合、第１のマスク層１０９が剥離されている。銀合金バンプ体１０１により覆われていないＵＢＭ層１０４およびシード層１０５は、２つの銀合金導電性バンプを隔離するために、エッチング操作により除去される。
【表1】
【0057】
［実施の形態１］
実施の形態１は、Ｘが約０．０１から約０．１の範囲にある、Ａｇ1-xＡｕx合金バンプ体１０１を有する、図３に示された半導体構造２０を製造する方法を提供する。半導体構造２０の製造に採用された操作は、本開示に先に論じられたように、図１３、１４、１５、１６、１７および１８を参照することができる。図１３において、ＵＢＭ層１０４がパッシベーション層１０３および導体パッド１０２の一部分の上に形成されており、これらの層はデバイス１００上に形成されている。実施の形態１において、デバイス１００は半導体ダイを含む。図１４において、ＵＢＭ層１０４上にシード層１０５が形成されている。図１５において、シード層１０５上に第１のマスク層１０９のパターンが形成されており、第１のマスク層１０９にいくつかの開口１０９Ａが画成されている。実施の形態１において、開口１０９Ａは導体パッド１０２上に位置している。図１６は、電気メッキ操作による第１のマスク層１０９内の銀合金バンプ体１０１の形成を示している。
実施の形態１は、Ｘが約０．０１から約０．１の範囲にある、Ａｇ1-xＡｕx合金バンプ体１０１を有する、図３に示された半導体構造２０を製造する方法を提供する。半導体構造２０の製造に採用された操作は、本開示に先に論じられたように、図１３、１４、１５、１６、１７および１８を参照することができる。図１３において、ＵＢＭ層１０４がパッシベーション層１０３および導体パッド１０２の一部分の上に形成されており、これらの層はデバイス１００上に形成されている。実施の形態１において、デバイス１００は半導体ダイを含む。図１４において、ＵＢＭ層１０４上にシード層１０５が形成されている。図１５において、シード層１０５上に第１のマスク層１０９のパターンが形成されており、第１のマスク層１０９にいくつかの開口１０９Ａが画成されている。実施の形態１において、開口１０９Ａは導体パッド１０２上に位置している。図１６は、電気メッキ操作による第１のマスク層１０９内の銀合金バンプ体１０１の形成を示している。
【0058】
図１６に示された容器１００’において、電気メッキ操作で、半導体ダイを含むウェハーパッドがカソードとして第１のシアン化物系浴中に浸漬されており、一方でＰｔ被覆Ｔｉがアノードとして配置されている。実施の形態１において、第１のシアン化物系浴は、５から１５ｇ／ＬのＫＡｇ（ＣＮ）2およびその塩、並びに５から１５ｇ／ＬのＫＡｕ（ＣＮ）2およびその塩を含む。実施の形態１において、第１のシアン化物系浴は、その中に添加される塩の合計において、約１０質量％から約６０質量％のＫＡｕ（ＣＮ）2を含み、残りはＫＡｇ（ＣＮ）2塩である。
【0059】
実施の形態１において、電気メッキ反応を促進させるために、２から５ｍｌ／Ｌのシュウ酸イオン含有溶液などのレベリング剤を第１のシアン化物系浴に加えても差し支えない。第１のシアン化物系浴のｐＨ値は、約６．５から７の範囲内に制御され、約０．１５から約０．５ＡＳＤ（１５から５０Ａ／ｍ2）の電気メッキ電流密度が印加される。実施の形態１において、第１のシアン化物系浴の温度は、約４０から約５０℃に維持される。図１８に示されるように、第１のシアン化物系浴中で銀合金バンプ体１０１が形成された後、第１のマスク層１０９および銀合金バンプ体１０１により覆われていないシード層１０５の部分は除去される。次いで、銀合金バンプ体１０１は、約３０から約６０分の期間に亘り約２００から約３００℃の温度で焼き鈍される。
【0060】
実施の形態１において銀合金バンプ体１０１を形成した後、ボンディング操作によって、図４に示されたようなチップオンフィルム（ＣＯＦ）半導体構造を形成するために、銀合金バンプ体１０１をフレキシブルフィルム３０１にさらに取り付けることができる。適切な熱源をデバイス１００の端部に施し、これにより、銀合金バンプ体１０１とはんだ層３０６との間の接合を、Ｓｎ－Ａｇ共融温度（約２２０℃）以上にすることができる。Ａｇの融点はＡｕの融点より低いので、ＣＯＦ半導体構造における銀合金バンプ体１０１に使用される焼鈍温度は、約３０から約６０分の期間に亘りたった約２００から約３００℃に制御することができる。その上、はんだ接合操作を使用する以外に、異方性導電膜（ＡＣＦ）を使用して、銀合金バンプ体１０１およびフレキシブルフィルム３０１を接合することができる。
【0061】
実施の形態１において銀合金バンプ体１０１を形成した後、ボンディング操作によって、図１０に示されるようなチップオンガラス（ＣＯＧ）半導体構造を形成するために、銀合金バンプ体１０１をガラス基板４０１にさらに取り付けることができる。異方性導電膜（ＡＣＦ）を使用して、銀合金バンプ体１０１およびガラス基板４０１を接合することができる。
【0062】
［実施の形態２］
実施の形態２は、Ｘが約０．０１から約０．１の範囲にある、Ａｇ1-xＰｄx合金バンプ体１０１を有する、図３に示された半導体構造２０を製造する方法を提供する。半導体構造２０の製造に採用された操作は、本開示に先に論じられたように、図１３、１４、１５、１６、１７および１８を参照することができる。第１のシアン化物系浴の含有量を除いて、実施の形態２における他の製造操作は、実施の形態１に記載されたものを参照することができる。
実施の形態２は、Ｘが約０．０１から約０．１の範囲にある、Ａｇ1-xＰｄx合金バンプ体１０１を有する、図３に示された半導体構造２０を製造する方法を提供する。半導体構造２０の製造に採用された操作は、本開示に先に論じられたように、図１３、１４、１５、１６、１７および１８を参照することができる。第１のシアン化物系浴の含有量を除いて、実施の形態２における他の製造操作は、実施の形態１に記載されたものを参照することができる。
【0063】
図１６に示された容器１００’において、電気メッキ操作で、半導体ダイを含むウェハーパッドがカソードとして第１のシアン化物系浴中に浸漬されており、一方でＰｔ被覆Ｔｉがアノードとして配置されている。実施の形態２において、第１のシアン化物系浴は、５から１５ｇ／ＬのＫＡｇ（ＣＮ）2およびその塩、並びに５から１５ｇ／ＬのＫ2Ｐｄ（ＣＮ）4およびその塩を含む。実施の形態２において、第１のシアン化物系浴は、その中に添加される塩の合計において、約１０質量％から約３０質量％のＫ2Ｐｄ（ＣＮ）4を含み、残りはＫＡｇ（ＣＮ）2塩である。
【0064】
［実施の形態３］
実施の形態３は、Ｘが約０．０１から約０．１の範囲にある、Ａｇ1-x（ＡｕＰｄ）x合金バンプ体１０１を有する、図３に示された半導体構造２０を製造する方法を提供する。半導体構造２０の製造に採用された操作は、本開示に先に論じられたように、図１３、１４、１５、１６、１７および１８を参照することができる。第１のシアン化物系浴の含有量を除いて、実施の形態３における他の製造操作は、実施の形態１および２に記載されたものを参照することができる。
実施の形態３は、Ｘが約０．０１から約０．１の範囲にある、Ａｇ1-x（ＡｕＰｄ）x合金バンプ体１０１を有する、図３に示された半導体構造２０を製造する方法を提供する。半導体構造２０の製造に採用された操作は、本開示に先に論じられたように、図１３、１４、１５、１６、１７および１８を参照することができる。第１のシアン化物系浴の含有量を除いて、実施の形態３における他の製造操作は、実施の形態１および２に記載されたものを参照することができる。
【0065】
図１６に示された容器１００’において、電気メッキ操作で、半導体ダイを含むウェハーパッドがカソードとして第１のシアン化物系浴中に浸漬されており、一方でＰｔ被覆Ｔｉがアノードとして配置されている。実施の形態３において、第１のシアン化物系浴は、５から１５ｇ／ＬのＫＡｇ（ＣＮ）2、５から１５ｇ／ＬのＫ2Ｐｄ（ＣＮ）4、並びに５から１５ｇ／ＬのＫＡｕ（ＣＮ）2およびそれらの塩を含む。実施の形態３において、第１のシアン化物系浴は、その中に添加される塩の合計において、約１０質量％から約３０質量％のＫ2Ｐｄ（ＣＮ）4および約１０質量％から約６０質量％のＫＡｕ（ＣＮ）2を含み、残りはＫＡｇ（ＣＮ）2塩である。
【0066】
図１７、図１９および図２０は、多層バンプ構造の製造工程を示している。いくつかの実施の形態において、図１６に示された電気メッキ浴から取り出された後であって、フォトレジストが剥離される前に、次いで、ウェハーパッドは、ＫＡｕ（ＣＮ）2およびその塩を含有する別の電気メッキ浴中に浸漬される。図１９に示されるように、銀合金バンプ体１０１の上面１０１Ｂ上に金属層１０７が形成されている。図２０に示されるように、フォトレジストが使用された場合、第１のマスク層１０９が剥離されている。銀合金バンプ体１０１により覆われていないＵＢＭ層１０４およびシード層１０５は、２つの多層合金バンプを隔離するために、エッチング操作により除去される。
【表2】
【0067】
［実施の形態４］
実施の形態４は、Ｘが約０．０１から約０．１の範囲にある、Ａｇ1-xＡｕx、Ａｇ1-xＰｄx、またはＡｇ1-x（ＡｕＰｄ）x合金バンプ体１０１、およびその銀合金バンプ体１０１の上面のみにある金属層１０７を有する、図６に示された多層バンプ構造４０を製造する方法を提供する。多層バンプ構造４０の製造に採用された操作は、本開示に先に論じられたように、図１３、１４、１５、１６、１７、１９および２０を参照することができる。図１３において、ＵＢＭ層１０４がパッシベーション層１０３および導体パッド１０２の一部分の上に形成されており、これらの層はデバイス１００上に形成されている。実施の形態４において、デバイス１００は半導体ダイを含む。図１４において、ＵＢＭ層１０４上にシード層１０５が形成されている。図１５において、シード層１０５上に第１のマスク層１０９のパターンが形成されており、第１のマスク層１０９にいくつかの開口１０９Ａが画成されている。実施の形態４において、開口１０９Ａは導体パッド１０２上に位置している。図１６は、電気メッキ操作による第１のマスク層１０９内の銀合金バンプ体１０１の形成を示している。
実施の形態４は、Ｘが約０．０１から約０．１の範囲にある、Ａｇ1-xＡｕx、Ａｇ1-xＰｄx、またはＡｇ1-x（ＡｕＰｄ）x合金バンプ体１０１、およびその銀合金バンプ体１０１の上面のみにある金属層１０７を有する、図６に示された多層バンプ構造４０を製造する方法を提供する。多層バンプ構造４０の製造に採用された操作は、本開示に先に論じられたように、図１３、１４、１５、１６、１７、１９および２０を参照することができる。図１３において、ＵＢＭ層１０４がパッシベーション層１０３および導体パッド１０２の一部分の上に形成されており、これらの層はデバイス１００上に形成されている。実施の形態４において、デバイス１００は半導体ダイを含む。図１４において、ＵＢＭ層１０４上にシード層１０５が形成されている。図１５において、シード層１０５上に第１のマスク層１０９のパターンが形成されており、第１のマスク層１０９にいくつかの開口１０９Ａが画成されている。実施の形態４において、開口１０９Ａは導体パッド１０２上に位置している。図１６は、電気メッキ操作による第１のマスク層１０９内の銀合金バンプ体１０１の形成を示している。
【0068】
図１６に示された容器１００’において、電気メッキ操作で、半導体ダイを含むウェハーパッドがカソードとして第１のシアン化物系浴中に浸漬されており、一方でＰｔ被覆Ｔｉがアノードとして配置されている。実施の形態４において、第１のシアン化物系浴は、５から１５ｇ／ＬのＫＡｇ（ＣＮ）2およびその塩、並びに５から１５ｇ／ＬのＫＡｕ（ＣＮ）2およびその塩を含んで差み得る。実施の形態４において、第１のシアン化物系浴は、その中に添加される塩の合計において、約１０質量％から約６０質量％のＫＡｕ（ＣＮ）2を含み、残りはＫＡｇ（ＣＮ）2塩である。同様に、実施の形態４において、第１のシアン化物系浴は、５から１５ｇ／ＬのＫＡｇ（ＣＮ）2およびその塩、並びに５から１５ｇ／ＬのＫ2Ｐｄ（ＣＮ）4およびその塩を含み得る。実施の形態４において、第１のシアン化物系浴は、その中に添加される塩の合計において、約１０質量％から約３０質量％のＫ2Ｐｄ（ＣＮ）4を含み、残りはＫＡｇ（ＣＮ）2塩である。同様に、実施の形態４において、第１のシアン化物系浴は、５から１５ｇ／ＬのＫＡｇ（ＣＮ）2およびその塩、５から１５ｇ／ＬのＫ2Ｐｄ（ＣＮ）4およびその塩、並びに５から１５ｇ／ＬのＫＡｕ（ＣＮ）2およびその塩を含み得る。実施の形態４において、第１のシアン化物系浴は、その中に添加される塩の合計において、約１０質量％から約３０質量％のＫ2Ｐｄ（ＣＮ）4、および約１０質量％から約６０質量％のＫＡｕ（ＣＮ）2を含み、残りはＫＡｇ（ＣＮ）2塩である。
【0069】
実施の形態４において、電気メッキ反応を促進させるために、２から５ｍｌ／Ｌのシュウ酸イオン含有溶液などのレベリング剤を第１のシアン化物系浴に加えても差し支えない。第１のシアン化物系浴のｐＨ値は、約６．５から７の範囲内に制御され、約０．１５から約０．５ＡＳＤ（１５から５０Ａ／ｍ2）の電気メッキ電流密度が印加される。実施の形態４において、第１のシアン化物系浴の温度は、約４０から約５０℃に維持される。
【0070】
実施の形態４において、銀合金バンプ体１０１が形成された後、次いで、ウェハーパッドは、５から１５ｇ／ＬのＫＡｕ（ＣＮ）2およびその塩を含む第２のシアン化物系浴中に浸漬される。電気メッキ反応を促進させるために、２から５ｍｌ／Ｌのシュウ酸イオン含有溶液などのレベリング剤を第２のシアン化物系浴に加えても差し支えない。第２のシアン化物系浴のｐＨ値は、約６．５から７の範囲内に制御され、約０．１５から約０．５ＡＳＤ（１５から５０Ａ／ｍ2）の電気メッキ電流密度が印加される。実施の形態４において、第２のシアン化物系浴の温度は、約４０から約４５℃に維持される。
【0071】
図１９および図２０に示されるように、第２のシアン化物系浴中で多層バンプ構造(１０１，１０７)が形成された後、第１のマスク層１０９および多層バンプ構造(１０１，１０７)により覆われていないシード層１０５の部分は除去される。次いで、多層バンプ構造(１０１，１０７)は、約３０から約６０分の期間に亘り約２００から約３００℃の温度で焼き鈍される。
【0072】
実施の形態４において多層バンプ構造(１０１，１０７)を形成した後、ボンディング操作によって、図７に示されたようなチップオンフィルム（ＣＯＦ）半導体構造５０を形成するために、多層バンプ構造(１０１，１０７)をフレキシブルフィルム３０１にさらに取り付けることができる。適切な熱源をデバイス１００の端部に施し、これにより、銀合金バンプ体１０１の上面の金属層１０７とはんだ層３０８との間の接合を、Ｓｎ－Ａｕ共融温度（約２１５℃）以上にすることができる。その上、はんだ接合操作を使用する以外に、異方性導電膜（ＡＣＦ）を使用して、多層バンプ構造(１０１，１０７)およびフレキシブルフィルム３０１を接合することができる。
【0073】
実施の形態４において多層バンプ構造(１０１，１０７)を形成した後、ボンディング操作によって、図１１に示されるようなチップオンガラス（ＣＯＧ）半導体構造８０を形成するために、多層バンプ構造(１０１，１０７)をガラス基板４０１にさらに取り付けることができる。異方性導電膜（ＡＣＦ）４０６を使用して、多層バンプ構造(１０１，１０７)およびガラス基板４０１を接合することができる。
【0074】
図１７、図２１から図２４、および図２６は、多層バンプ構造の製造工程を示している。いくつかの実施の形態において、多層バンプ構造を形成するために電気メッキ操作が使用される。図１６に示された電気メッキ浴から取り出された後であって、フォトレジストが剥離される前に、第１のマスク層１０９の第１の幅Ｗ１を削減するために、第１のマスク層１０９上に第２のマスク層１１０が形成される。いくつかの実施の形態において、第１のマスク層１０９の第１の幅Ｗ１は、メッキされた銀合金バンプ体１０１の側壁１０１Ａに対して物理的に接触するのに十分な幅である。図２１および図２２において、第１のマスク層１０９が、部分剥離操作により、第２の幅Ｗ２に変化させられる。いくつかの実施の形態において、第２の硬質マスク層１１０により覆われていない部分が、剥離操作において除去され、その減少した第２の幅Ｗ２が得られる。いくつかの実施の形態において、第２のマスク層１１０の第２の幅Ｗ２は、それ自体と、メッキされた銀合金バンプ体１０１の側壁１０１Ａとの間に間隙を形成するほど十分に狭い。
【0075】
図２３は、電気メッキ浴１１３、アノード１１１、およびカソード１１２を収容する容器１００’を含む電気メッキシステムを示している。いくつかの実施の形態において、アノード１１１は、不溶性であり、白金被覆チタンから製造されて差し支えなく、適切なシード層が成膜されたウェハーパッドがカソード１１２に配置され、電気メッキ浴１１３は、ＫＡｕ（ＣＮ）2、およびその塩を含むシアン化物系メッキ溶液を含有する。いくつかの実施の形態において、電気メッキ浴１１３のｐＨ値は、例えば、約６から約８の、中性辺りに制御される。電気メッキ浴１１３の温度は、４０から５０℃辺りに制御される。いくつかの実施の形態において、電気メッキ浴１１３の温度は、容器１００’の下に配置された保温プレート（図示せず）によって維持することができる。他の実施の形態において、電気メッキ浴１１３の温度は電気メッキ溶液循環システムによって維持することができ、そこでは、電気メッキ溶液が排出口１００Ｂから排出され、温度制御された電気メッキ溶液が注入口１００Ａから取り入れられている。シュウ酸イオンを含む適切なレベリング剤を、約２ｍ／Ｌから約５ｍｌ／Ｌの濃度で電気メッキ浴１１３に加えても差し支えない。いくつかの実施の形態において、銀合金導電性バンプメッキのために印加される直流（ＤＣ）の電流密度は、約０．１ＡＳＤ（１０Ａ／ｍ2）から約０．５ＡＳＤ（５０Ａ／ｍ2）の範囲にある。
【0076】
図２４は、図２３における電気メッキ操作後に電気メッキ浴１１３から取り出されたウェハーパッドを示している。金イオンが、銀合金バンプ体１０１と、銀合金バンプ体１０１の上面１０１Ｂと側壁１０１Ａを含むその表面で反応し、銀合金バンプ体１０１の上面１０１Ｂと側壁１０１Ａとの両方を覆う金属層１０７を形成する。しかしながら、いくつかの実施の形態において、上面１０１Ｂでの金属層１０７の厚さは、銀合金バンプ体１０１の側壁１０１Ａでの金属層１０７の厚さとは異なる。他の実施の形態において、上面１０１Ｂでの金属層１０７の厚さは、銀合金バンプ体１０１の側壁１０１Ａでの金属層１０７の厚さより厚い。
【0077】
図２６において、第１のマスク層１０９、並びに銀合金バンプ体１０１により覆われていないＵＢＭ層１０４およびシード層１０５は、２つの多層合金バンプを隔離するために、剥離操作およびエッチング操作により除去されている。
【0078】
［実施の形態５］
実施の形態５は、Ｘが約０．０１から約０．１の範囲にある、Ａｇ1-xＡｕx、Ａｇ1-xＰｄx、またはＡｇ1-x（ＡｕＰｄ）x合金バンプ体１０１、およびその銀合金バンプ体１０１の上面だけでなく側壁にある金属層１０７を有する、多層バンプ構造を製造する方法を提供する。多層バンプ構造の製造に採用された操作は、本開示に先に論じられたように、図１３、１４、１５、１６、１７、２１、２２、２３、２４および２６を参照することができる。図１３において、ＵＢＭ層１０４がパッシベーション層１０３および導体パッド１０２の一部分の上に形成されており、これらの層はデバイス１００上に形成されている。実施の形態５において、デバイス１００は半導体ダイを含む。図１４において、ＵＢＭ層１０４上にシード層１０５が形成されている。図１５において、シード層１０５上に第１のマスク層１０９のパターンが形成されており、第１のマスク層１０９にいくつかの開口１０９Ａが画成されている。実施の形態５において、開口１０９Ａは導体パッド１０２上に位置している。図１６は、電気メッキ操作による第１のマスク層１０９内の銀合金バンプ体１０１の形成を示している。
実施の形態５は、Ｘが約０．０１から約０．１の範囲にある、Ａｇ1-xＡｕx、Ａｇ1-xＰｄx、またはＡｇ1-x（ＡｕＰｄ）x合金バンプ体１０１、およびその銀合金バンプ体１０１の上面だけでなく側壁にある金属層１０７を有する、多層バンプ構造を製造する方法を提供する。多層バンプ構造の製造に採用された操作は、本開示に先に論じられたように、図１３、１４、１５、１６、１７、２１、２２、２３、２４および２６を参照することができる。図１３において、ＵＢＭ層１０４がパッシベーション層１０３および導体パッド１０２の一部分の上に形成されており、これらの層はデバイス１００上に形成されている。実施の形態５において、デバイス１００は半導体ダイを含む。図１４において、ＵＢＭ層１０４上にシード層１０５が形成されている。図１５において、シード層１０５上に第１のマスク層１０９のパターンが形成されており、第１のマスク層１０９にいくつかの開口１０９Ａが画成されている。実施の形態５において、開口１０９Ａは導体パッド１０２上に位置している。図１６は、電気メッキ操作による第１のマスク層１０９内の銀合金バンプ体１０１の形成を示している。
【0079】
図１６に示された容器１００’において、電気メッキ操作で、半導体ダイを含むウェハーパッドがカソードとして第１のシアン化物系浴中に浸漬されており、一方でＰｔ被覆Ｔｉがアノードとして配置されている。実施の形態５において、第１のシアン化物系浴は、５から１５ｇ／ＬのＫＡｇ（ＣＮ）2およびその塩、並びに５から１５ｇ／ＬのＫＡｕ（ＣＮ）2およびその塩を含んで差み得る。実施の形態５において、第１のシアン化物系浴は、その中に添加される塩の合計において、約１０質量％から約６０質量％のＫＡｕ（ＣＮ）2を含み、残りはＫＡｇ（ＣＮ）2塩である。同様に、実施の形態５において、第１のシアン化物系浴は、５から１５ｇ／ＬのＫＡｇ（ＣＮ）2およびその塩、並びに５から１５ｇ／ＬのＫ2Ｐｄ（ＣＮ）4およびその塩を含み得る。実施の形態５において、第１のシアン化物系浴は、その中に添加される塩の合計において、約１０質量％から約３０質量％のＫ2Ｐｄ（ＣＮ）4を含み、残りはＫＡｇ（ＣＮ）2塩である。同様に、実施の形態５において、第１のシアン化物系浴は、５から１５ｇ／ＬのＫＡｇ（ＣＮ）2およびその塩、５から１５ｇ／ＬのＫ2Ｐｄ（ＣＮ）4およびその塩、並びに５から１５ｇ／ＬのＫＡｕ（ＣＮ）2およびその塩を含み得る。実施の形態５において、第１のシアン化物系浴は、その中に添加される塩の合計において、約１０質量％から約３０質量％のＫ2Ｐｄ（ＣＮ）4、および約１０質量％から約６０質量％のＫＡｕ（ＣＮ）2を含み、残りはＫＡｇ（ＣＮ）2塩である。
【0080】
実施の形態５において、電気メッキ反応を促進させるために、２から５ｍｌ／Ｌのシュウ酸イオン含有溶液などのレベリング剤を第１のシアン化物系浴に加えても差し支えない。第１のシアン化物系浴のｐＨ値は、約６．５から７の範囲内に制御され、約０．１５から約０．５ＡＳＤ（１５から５０Ａ／ｍ2）の電気メッキ電流密度が印加される。実施の形態５において、第１のシアン化物系浴の温度は、約４０から約５０℃に維持される。
【0081】
実施の形態５において、シード層１０５上に幅Ｗ２を有する削減された第１のマスク層１０９が形成され、削減された第１のマスク層１０９と銀合金バンプ体１０１との間に間隙が形成される。削減された第１のマスク層１０９の幅Ｗ２は第１のマスク層１０９の幅Ｗ１よりも小さいので、削減された第１のマスク層１０９の形成は、図２１および２２に示されるようなリソグラフィー操作によって行うことができる。削減された第１のマスク層１０９の削減(trimming)の程度（すわなち、Ｗ１とＷ２との間の差）を画成するために、図２１に示された第２のマスク層１１０が使用される。
【0082】
実施の形態５において、銀合金バンプ体１０１および削減された第１のマスク層１０９が形成された後、次いで、ウェハーパッドは、５から１５ｇ／ＬのＫＡｕ（ＣＮ）2およびその塩を含む第２のシアン化物系浴中に浸漬される。電気メッキ反応を促進させるために、２から５ｍｌ／Ｌのシュウ酸イオン含有溶液などのレベリング剤を第２のシアン化物系浴に加えても差し支えない。第２のシアン化物系浴のｐＨ値は、約６．５から７の範囲内に制御され、約０．１５から約０．５ＡＳＤ（１５から５０Ａ／ｍ2）の電気メッキ電流密度が印加される。実施の形態５において、第２のシアン化物系浴の温度は、約４０から約４５℃に維持される。
【0083】
図２４および図２６に示されるように、第２のシアン化物系浴中で多層バンプ構造(１０１，１０７)が形成された後、削減された第１のマスク層１０９および多層バンプ構造(１０１，１０７)により覆われていないシード層１０５の部分は除去される。次いで、多層バンプ構造(１０１，１０７)は、約３０から約６０分の期間に亘り約２００から約３００℃の温度で焼き鈍される。
【0084】
実施の形態５において多層バンプ構造(１０１，１０７)を形成した後、ボンディング操作によって、図８に示されたようなチップオンフィルム（ＣＯＦ）半導体構造６０を形成するために、多層バンプ構造(１０１，１０７)をフレキシブルフィルム３０１にさらに取り付けることができる。適切な熱源をデバイス１００の端部に施し、これにより、銀合金バンプ体１０１の上面の金属層１０７とはんだ層３０８との間の接合を、Ｓｎ－Ａｕ共融温度（約２１５℃）以上にすることができる。その上、はんだ接合操作を使用する以外に、異方性導電膜（ＡＣＦ）を使用して、多層バンプ構造(１０１，１０７)およびフレキシブルフィルム３０１を接合することができる。
【0085】
実施の形態５において多層バンプ構造(１０１，１０７)を形成した後、ボンディング操作によって、図１２に示されるようなチップオンガラス（ＣＯＧ）半導体構造９０を形成するために、多層バンプ構造(１０１，１０７)をガラス基板４０１にさらに取り付けることができる。異方性導電膜（ＡＣＦ）４０６を使用して、多層バンプ構造(１０１，１０７)およびガラス基板４０１を接合することができる。
【0086】
図１７、図２５、および図２６は、多層バンプ構造の製造工程を示している。いくつかの実施の形態において、多層バンプ構造を形成するために無電界メッキ操作が使用される。第１のマスク層１０９の除去後、次いで、第１のマスク層１０９により元々覆われていたＵＢＭ層１０４およびシード層１０５が曝露される。図２５は、無電界メッキ浴１１５を収容する容器２００を示している。第１のマスク層１０９が剥離された後のウェハーパッドが、ＫＡｕ（ＣＮ）2およびその塩などのシアン化物系メッキ溶液を含有する無電界メッキ浴１１５中に浸漬される。いくつかの実施の形態において、無電界メッキ浴１１５のｐＨ値は、例えば、約６から約８の、中性辺りに制御される。無電界メッキ浴１１５の温度は、４０から５０℃辺りに制御される。いくつかの実施の形態において、無電界メッキ浴１１５の温度は、容器２００の下に配置された保温プレート２０１によって維持することができる。他の実施の形態において、無電界メッキ浴１１５の温度は電気メッキ溶液循環システム（図示せず）によって維持することができ、そこでは、電気メッキ溶液が排出口から排出され、温度制御された電気メッキ浴が注入口から取り入れられている。シュウ酸イオンおよびその塩を含む適切なレベリング剤を、約２ｍ／Ｌから約５ｍｌ／Ｌの濃度で無電界メッキ浴１１５に加えても差し支えない。図２５および図２６に示されるように、金イオンが、銀合金バンプ体１０１と、その銀合金バンプ体１０１の上面１０１Ｂおよび側壁１０１Ａを含むその表面で反応し、銀合金バンプ体１０１の上面１０１Ｂおよび側壁１０１Ａの両方を覆う金属層１０７を形成する。しかしながら、いくつかの実施の形態において、上面１０１Ｂでの金属層１０７の厚さは、銀合金バンプ体１０１の側壁１０１Ａでの金属層１０７の厚さに匹敵する。他の実施の形態において、無電界メッキ操作により調製された金属層１０７の厚さの均一性は、電気メッキ操作により調製された金属層１０７の厚さの均一性よりも良好である。
【0087】
【0088】
［実施の形態６］
実施の形態６は、Ｘが約０．０１から約０．１の範囲にある、Ａｇ1-xＡｕx、Ａｇ1-xＰｄx、またはＡｇ1-x（ＡｕＰｄ）x合金バンプ体１０１、およびその銀合金バンプ体１０１の上面だけでなく側壁にある金属層１０７を有する、多層バンプ構造において金属層１０７を製造する無電界メッキ方法を提供する。多層バンプ構造の製造に採用された操作は、本開示に先に論じられたように、図１３、１４、１５、１６、１７、２５および２６を参照することができる。図１３において、ＵＢＭ層１０４がパッシベーション層１０３および導体パッド１０２の一部分の上に形成されており、これらの層はデバイス１００上に形成されている。実施の形態６において、デバイス１００は半導体ダイを含む。図１４において、ＵＢＭ層１０４上にシード層１０５が形成されている。図１５において、シード層１０５上に第１のマスク層１０９のパターンが形成されており、第１のマスク層１０９にいくつかの開口１０９Ａが画成されている。実施の形態６において、開口１０９Ａは導体パッド１０２上に位置している。図１６は、電気メッキ操作による第１のマスク層１０９内の銀合金バンプ体１０１の形成を示している。
実施の形態６は、Ｘが約０．０１から約０．１の範囲にある、Ａｇ1-xＡｕx、Ａｇ1-xＰｄx、またはＡｇ1-x（ＡｕＰｄ）x合金バンプ体１０１、およびその銀合金バンプ体１０１の上面だけでなく側壁にある金属層１０７を有する、多層バンプ構造において金属層１０７を製造する無電界メッキ方法を提供する。多層バンプ構造の製造に採用された操作は、本開示に先に論じられたように、図１３、１４、１５、１６、１７、２５および２６を参照することができる。図１３において、ＵＢＭ層１０４がパッシベーション層１０３および導体パッド１０２の一部分の上に形成されており、これらの層はデバイス１００上に形成されている。実施の形態６において、デバイス１００は半導体ダイを含む。図１４において、ＵＢＭ層１０４上にシード層１０５が形成されている。図１５において、シード層１０５上に第１のマスク層１０９のパターンが形成されており、第１のマスク層１０９にいくつかの開口１０９Ａが画成されている。実施の形態６において、開口１０９Ａは導体パッド１０２上に位置している。図１６は、電気メッキ操作による第１のマスク層１０９内の銀合金バンプ体１０１の形成を示している。
【0089】
図１６に示された容器１００’において、電気メッキ操作で、半導体ダイを含むウェハーパッドがカソードとして第１のシアン化物系浴中に浸漬されており、一方でＰｔ被覆Ｔｉがアノードとして配置されている。実施の形態６において、第１のシアン化物系浴は、５から１５ｇ／ＬのＫＡｇ（ＣＮ）2およびその塩、並びに５から１５ｇ／ＬのＫＡｕ（ＣＮ）2およびその塩を含んで差み得る。実施の形態６において、第１のシアン化物系浴は、その中に添加される塩の合計において、約１０質量％から約６０質量％のＫＡｕ（ＣＮ）2を含み、残りはＫＡｇ（ＣＮ）2塩である。同様に、実施の形態６において、第１のシアン化物系浴は、５から１５ｇ／ＬのＫＡｇ（ＣＮ）2およびその塩、並びに５から１５ｇ／ＬのＫ2Ｐｄ（ＣＮ）4およびその塩を含み得る。実施の形態６において、第１のシアン化物系浴は、その中に添加される塩の合計において、約１０質量％から約３０質量％のＫ2Ｐｄ（ＣＮ）4を含み、残りはＫＡｇ（ＣＮ）2塩である。同様に、実施の形態６において、第１のシアン化物系浴は、５から１５ｇ／ＬのＫＡｇ（ＣＮ）2およびその塩、５から１５ｇ／ＬのＫ2Ｐｄ（ＣＮ）4およびその塩、並びに５から１５ｇ／ＬのＫＡｕ（ＣＮ）2およびその塩を含み得る。実施の形態６において、第１のシアン化物系浴は、その中に添加される塩の合計において、約１０質量％から約３０質量％のＫ2Ｐｄ（ＣＮ）4、および約１０質量％から約６０質量％のＫＡｕ（ＣＮ）2を含み、残りはＫＡｇ（ＣＮ）2塩である。
【0090】
実施の形態６において、電気メッキ反応を促進させるために、２から５ｍｌ／Ｌのシュウ酸イオン含有溶液などのレベリング剤を第１のシアン化物系浴に加えても差し支えない。第１のシアン化物系浴のｐＨ値は、約６．５から７の範囲内に制御され、約０．１５から約０．５ＡＳＤ（１５から５０Ａ／ｍ2）の電気メッキ電流密度が印加される。実施の形態６において、第１のシアン化物系浴の温度は、約４０から約５０℃に維持される。
【0091】
図１７および図２５に示されるように、銀合金バンプ体１０１が形成された後、第１のマスク層１０９は除去され、次いで、ウェハーパッドが、１０から２０ｇ／ＬのＫＡｕ（ＣＮ）2およびその塩を含む無電界メッキ浴１１５中に浸漬される。無電界メッキ浴１１５ｐＨ値は、約４．５から６．５の範囲内に制御される。実施の形態６において、無電界メッキ浴１１５の温度は、約８０から約９０℃の範囲に維持される。
【0092】
図２５および図２６に示されるように、無電界メッキ浴１１５中で多層バンプ構造(１０１，１０７)が形成された後、多層バンプ構造(１０１，１０７)により覆われていないシード層１０５の部分が除去される。次いで、多層バンプ構造(１０１，１０７)は、約３０から約６０分の期間に亘り約２００から約３００℃の温度で焼き鈍される。
【0093】
実施の形態６において多層バンプ構造(１０１，１０７)を形成した後、ボンディング操作によって、図８に示されたようなチップオンフィルム（ＣＯＦ）半導体構造６０を形成するために、多層バンプ構造(１０１，１０７)をフレキシブルフィルム３０１にさらに取り付けることができる。適切な熱源をデバイス１００の端部に施し、これにより、銀合金バンプ体１０１の上面の金属層１０７とはんだ層３０８との間の接合を、Ｓｎ－Ａｕ共融温度（約２１５℃）以上にすることができる。その上、はんだ接合操作を使用する以外に、異方性導電膜（ＡＣＦ）を使用して、多層バンプ構造(１０１，１０７)およびフレキシブルフィルム３０１を接合することができる。
【0094】
実施の形態６において多層バンプ構造(１０１，１０７)を形成した後、ボンディング操作によって、図１２に示されるようなチップオンガラス（ＣＯＧ）半導体構造９０を形成するために、多層バンプ構造(１０１，１０７)をガラス基板４０１にさらに取り付けることができる。異方性導電膜（ＡＣＦ）４０６を使用して、多層バンプ構造(１０１，１０７)およびガラス基板４０１を接合することができる。
【0095】
本開示のいくつかの実施の形態は、半導体構造を製造する方法であって、半導体ダイ上に導体パッドを形成する工程、導体パッド上にシード層を形成する工程、シード層上に第１のマスク層を画成する工程、および第１のマスク層内に銀合金バンプ体を形成する工程を有してなる。第１のマスク層内に銀合金バンプ体を形成する工程は、第１のシアン化物系浴を調製する工程、第１のシアン化物系浴のｐＨ値を、約６から約８の範囲内に制御する工程、第１のシアン化物系浴中に半導体ダイを浸漬する工程、および半導体ダイに、約０．１ＡＳＤ（１０Ａ／ｍ2）から約０．５ＡＳＤ（５０Ａ／ｍ2）の電気メッキ電流密度を印加する工程を含む。
【0096】
本開示のいくつかの実施の形態において、半導体構造を製造する方法は、第１のマスク層内に銀合金バンプ体を形成した後、第１のマスク層を除去する工程、および銀合金バンプ体により覆われていないシード層の部分を除去する工程をさらに含む。
【0097】
本開示のいくつかの実施の形態において、半導体構造を製造する方法において第１のシアン化物系浴を調製する工程は、約２ｍｌ／Ｌから約５ｍｌ／Ｌの濃度を有するシュウ酸イオンおよびその塩を、第１のシアン化物系浴に導入する工程を含む。
【0098】
本開示のいくつかの実施の形態において、半導体構造を製造する方法において第１のシアン化物系浴を調製する工程は、ＫＡｇ（ＣＮ）2およびその塩を第１のシアン化物系浴に導入する工程を含む。
【0099】
本開示のいくつかの実施の形態において、半導体構造を製造する方法において第１のシアン化物系浴を調製する工程は、ＫＡｕ（ＣＮ）2およびその塩を第１のシアン化物系浴に導入する工程を含む。
【0100】
本開示のいくつかの実施の形態において、半導体構造を製造する方法においてＫＡｕ（ＣＮ）2およびその塩を第１のシアン化物系浴に導入する工程は、ＫＡｕ（ＣＮ）2の濃度を約１０質量％から約６０質量％の範囲内に制御する工程を含む。
【0101】
本開示のいくつかの実施の形態において、第１のシアン化物系浴を調製する工程は、Ｋ2Ｐｄ（ＣＮ）4およびその塩を第１のシアン化物系浴に導入する工程をさらに含む。
【0102】
本開示のいくつかの実施の形態において、Ｋ2Ｐｄ（ＣＮ）4およびその塩を第１のシアン化物系浴に導入する工程は、Ｋ2Ｐｄ（ＣＮ）4の濃度を約１０質量％から約３０質量％の範囲内に制御する工程を含む。
【0103】
本開示のいくつかの実施の形態において、半導体構造を製造する方法は、銀合金バンプ体を約２００から約３００℃の温度で焼き鈍す工程をさらに含む。
【0104】
本開示のいくつかの実施の形態において、半導体構造を製造する方法は、銀合金バンプ体を約３０から約６０分の期間に亘り焼き鈍す工程をさらに含む。
【0105】
本開示のいくつかの実施の形態において、半導体構造を製造する方法は、電気メッキ操作により、銀合金バンプ体の上面に金属層を形成する工程をさらに含む。
【0106】
本開示のいくつかの実施の形態において、電気メッキ操作により、銀合金バンプ体の上面に金属層を有する半導体構造を製造する方法は、半導体ダイを、ＫＡｕ（ＣＮ）2を含む第２のシアン化物系浴中に浸漬する工程を含む。
【0107】
本開示のいくつかの実施の形態において、半導体構造を製造する方法は、電気メッキ操作または無電界メッキ操作により、銀合金バンプ体の上面と側壁を覆う金属層を形成する工程をさらに含む。
【0108】
本開示のいくつかの実施の形態において、半導体構造を製造する方法において、銀合金バンプ体の上面と側壁を覆う金属層を形成する工程は、シード層上に削減された第１のマスク層を形成する工程、および削減された第１のマスク層内に金属層を形成する工程を含む。
【0109】
本開示のいくつかの実施の形態において、無電界メッキ操作により、銀合金バンプ体の上面と側壁を覆う金属層を形成する工程は、半導体ダイを、ＫＡｕ（ＣＮ）2を含む無電界メッキ浴中に浸漬する工程を含む。
【0110】
本開示のいくつかの実施の形態において、半導体構造を製造する方法は、第１のシアン化物系浴の温度を約４０から約５０℃の範囲内に制御する工程をさらに含む。
【0111】
本開示のいくつかの実施の形態は、チップオンフィルム（ＣＯＦ）半導体構造を製造する方法を提供する。この方法は、半導体ダイ上に導体パッドを形成する工程、導体パッド上にシード層を形成する工程、シード層上に銀合金バンプ体を形成する工程、および銀合金バンプ体をフレキシブルフィルムに接合する工程を有してなる。シード層上に銀合金バンプ体を形成する工程は、約４０から約５０℃の溶液温度でＫＡｕ（ＣＮ）2、ＫＡｇ（ＣＮ）2およびＫ2Ｐｄ（ＣＮ）4の内の少なくとも１つを含むシアン化物系浴を調製する工程、シアン化物系浴のｐＨ値を、約６から約８の範囲内に制御する工程、シアン化物系浴中に半導体ダイを浸漬する工程、および半導体ダイに、約０．１ＡＳＤ（１０Ａ／ｍ2）から約０．５ＡＳＤ（５０Ａ／ｍ2）の電気メッキ電流密度を印加する工程をさらに含む。
【0112】
本開示のいくつかの実施の形態において、ＣＯＦ半導体構造を製造する方法において銀合金バンプ体をフレキシブルフィルムに接合する工程は、銀合金バンプ体とフレキシブルフィルム上のはんだ層との間の接合部をＳｕ－Ａｇ共融温度以上に制御する工程を含む。
【0113】
本開示のいくつかの実施の形態において、ＣＯＦ半導体構造を製造する方法は、銀合金バンプ体を約２００から約３００℃の温度で焼き鈍す工程をさらに含む。
【0114】
本開示のいくつかの実施の形態において、ＣＯＦ半導体構造を製造する方法は、銀合金バンプ体を約３０から約６０分の期間に亘り焼き鈍す工程をさらに含む。
【0115】
本開示のいくつかの実施の形態において、ＣＯＦ半導体構造を製造する方法において銀合金バンプ体をフレキシブルフィルムに接合する工程は、銀合金バンプ体とフレキシブルフィルムとの間に異方性導電膜（ＡＣＦ）を施す工程を含む。
【0116】
本開示のいくつかの実施の形態において、ＣＯＦ半導体構造を製造する方法は、電気メッキ操作または無電界メッキ操作により、銀合金バンプ体上に金属層を形成する工程をさらに含む。
【0117】
本開示のいくつかの実施の形態は、チップオンガラス（ＣＯＧ）半導体構造を製造する方法を提供する。この方法は、半導体ダイ上に導体パッドを形成する工程、導体パッド上にシード層を形成する工程、シード層上に銀合金バンプ体を形成する工程、および銀合金バンプ体をガラス基板に接合する工程を有してなる。シード層上に銀合金バンプ体を形成する工程は、ＫＡｕ（ＣＮ）2、ＫＡｇ（ＣＮ）2およびＫ2Ｐｄ（ＣＮ）4の内の少なくとも１つを含むシアン化物系浴を調製する工程、シアン化物系浴のｐＨ値を、約６から約８の範囲内に制御する工程、シアン化物系浴中に半導体ダイを浸漬する工程、および半導体ダイに、約０．１ＡＳＤ（１０Ａ／ｍ2）から約０．５ＡＳＤ（５０Ａ／ｍ2）の電気メッキ電流密度を印加する工程をさらに含む。
【0118】
本開示のいくつかの実施の形態において、ＣＯＧ半導体構造を製造する方法は、ＫＡｕ（ＣＮ）2の濃度をシアン化物系浴中で約１０質量％から約６０質量％の範囲内に制御する工程を含む。
【0119】
本開示のいくつかの実施の形態において、ＣＯＧ半導体構造を製造する方法は、Ｋ2Ｐｄ（ＣＮ）4の濃度を約１０質量％から約３０質量％の範囲内に制御する工程を含む。
【0120】
本開示のいくつかの実施の形態において、ＣＯＧ半導体構造を製造する方法において銀合金バンプ体をガラス基板に接合する工程は、銀合金バンプ体とガラス基板との間に異方性導電膜（ＡＣＦ）を施す工程を含む。
【0121】
本開示のいくつかの実施の形態において、ＣＯＧ半導体構造を製造する方法は、電気メッキ操作または無電界メッキ操作により、銀合金バンプ体上に金属層を形成する工程をさらに含む。
【0122】
本開示のいくつかの実施の形態において、ＣＯＧ半導体構造を製造する方法において無電界メッキ操作により銀合金バンプ体上に金属層を形成する工程は、ＫＡｕ（ＣＮ）2を含む無電界メッキ浴を調製する工程を含む。
【0123】
本開示のいくつかの実施の形態において、ＣＯＧ半導体構造を製造する方法は、無電界メッキ浴の温度を約８０から約９０℃の範囲内に制御する工程をさらに含む。
【0124】
さらに、本出願の範囲は、本明細書に記載されたプロセス、装置、製造、物質の組成、手段、方法および工程の特定の実施の形態に制限されることを意図していない。当業者には本開示から容易に認識されるように、ここに記載された対応する実施の形態と実質的に同じ機能を果たす、または実質的に同じ結果を達成する、既存の、または後に開発される、プロセス、装置、製造、物質の組成、手段、方法、または工程を、本開示にしたがって利用してもよい。
【0125】
したがって、添付の特許請求の範囲は、プロセス、装置、製造、物質の組成、手段、方法または工程などをそれらの範囲内に含むことが意図されている。その上、各請求項は、個別の実施の形態を構成し、様々な請求項および実施の形態の組合せは、本発明の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【0126】
１０，２０ 銀合金バンプ構造
３０，５０，６０ チップオンフィルム（ＣＯＦ）半導体構造
４０ 多層バンプ構造
７０，８０，９０ チップオンガラス（ＣＯＧ）半導体構造
１００ デバイス
１０１ 銀合金バンプ体
１０２ 導体パッド
１０３ パッシベーション層
１０４ バンプ下地金属（ＵＢＭ）層
１０５ シード層
１１１ アノード
１１２ カソード
１１３ 電気メッキ浴
１１５ 無電界メッキ浴
３０１ フレキシブルフィルム
３０２ 導電層
３０４ 封止剤
３０６，３０８ はんだ層
４０１ ガラス基板
３０，５０，６０ チップオンフィルム（ＣＯＦ）半導体構造
４０ 多層バンプ構造
７０，８０，９０ チップオンガラス（ＣＯＧ）半導体構造
１００ デバイス
１０１ 銀合金バンプ体
１０２ 導体パッド
１０３ パッシベーション層
１０４ バンプ下地金属（ＵＢＭ）層
１０５ シード層
１１１ アノード
１１２ カソード
１１３ 電気メッキ浴
１１５ 無電界メッキ浴
３０１ フレキシブルフィルム
３０２ 導電層
３０４ 封止剤
３０６，３０８ はんだ層
４０１ ガラス基板
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【手続補正書】
【提出日】2014-09-04
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
半導体構造を製造する方法において、
半導体ダイ上に導体パッドを形成する工程、
前記導体パッド上にシード層を形成する工程、
前記シード層上に第１のマスク層を画成する工程、および
前記第１のマスク層内に銀合金バンプ体を形成する工程であって、
第１のシアン化物系浴を調製する工程と、
前記第１のシアン化物系浴のｐＨ値を、約６から約８の範囲内に制御する工程と、
前記第１のシアン化物系浴中に半導体ダイを浸漬する工程と、
前記半導体ダイに、約０．１ＡＳＤ（１０Ａ／ｍ2）から約０．５ＡＳＤ（５０Ａ／ｍ2）の電気メッキ電流密度を印加する工程と、
を含む工程、
を有してなり、
前記第１のシアン化物系浴を調製する工程は、ＫＡｇ（ＣＮ） 2 およびその塩を前記第１のシアン化物系浴に導入する工程を含むことを特徴とする方法。
半導体ダイ上に導体パッドを形成する工程、
前記導体パッド上にシード層を形成する工程、
前記シード層上に第１のマスク層を画成する工程、および
前記第１のマスク層内に銀合金バンプ体を形成する工程であって、
第１のシアン化物系浴を調製する工程と、
前記第１のシアン化物系浴のｐＨ値を、約６から約８の範囲内に制御する工程と、
前記第１のシアン化物系浴中に半導体ダイを浸漬する工程と、
前記半導体ダイに、約０．１ＡＳＤ（１０Ａ／ｍ2）から約０．５ＡＳＤ（５０Ａ／ｍ2）の電気メッキ電流密度を印加する工程と、
を含む工程、
を有してなり、
前記第１のシアン化物系浴を調製する工程は、ＫＡｇ（ＣＮ） 2 およびその塩を前記第１のシアン化物系浴に導入する工程を含むことを特徴とする方法。
【請求項2】
前記第１のシアン化物系浴を調製する工程は、ＫＡｕ（ＣＮ）2およびその塩を前記第１のシアン化物系浴に導入する工程を含む、請求項１記載の方法。
【請求項3】
前記ＫＡｕ（ＣＮ）2およびその塩を第１のシアン化物系浴に導入する工程は、ＫＡｕ（ＣＮ）2の濃度を約１０質量％から約６０質量％の範囲内に制御する工程を含む、請求項２記載の方法。
【請求項4】
半導体構造を製造する方法において、
半導体ダイ上に導体パッドを形成する工程、
前記導体パッド上にシード層を形成する工程、
前記シード層上に第１のマスク層を画成する工程、および
前記第１のマスク層内に銀合金バンプ体を形成する工程であって、
第１のシアン化物系浴を調製する工程と、
前記第１のシアン化物系浴のｐＨ値を、約６から約８の範囲内に制御する工程と、
前記第１のシアン化物系浴中に半導体ダイを浸漬する工程と、
前記半導体ダイに、約０．１ＡＳＤ（１０Ａ／ｍ 2 ）から約０．５ＡＳＤ（５０Ａ／ｍ 2 ）の電気メッキ電流密度を印加する工程と、
を含む工程、および
電気メッキ操作により、前記銀合金バンプ体の上面に金属層を形成する工程、
を有してなり、
前記半導体ダイが、ＫＡｕ（ＣＮ） 2 を含む第２のシアン化物系浴中に浸漬されることを特徴とする方法。
半導体ダイ上に導体パッドを形成する工程、
前記導体パッド上にシード層を形成する工程、
前記シード層上に第１のマスク層を画成する工程、および
前記第１のマスク層内に銀合金バンプ体を形成する工程であって、
第１のシアン化物系浴を調製する工程と、
前記第１のシアン化物系浴のｐＨ値を、約６から約８の範囲内に制御する工程と、
前記第１のシアン化物系浴中に半導体ダイを浸漬する工程と、
前記半導体ダイに、約０．１ＡＳＤ（１０Ａ／ｍ 2 ）から約０．５ＡＳＤ（５０Ａ／ｍ 2 ）の電気メッキ電流密度を印加する工程と、
を含む工程、および
電気メッキ操作により、前記銀合金バンプ体の上面に金属層を形成する工程、
を有してなり、
前記半導体ダイが、ＫＡｕ（ＣＮ） 2 を含む第２のシアン化物系浴中に浸漬されることを特徴とする方法。
【請求項5】
半導体構造を製造する方法において、
半導体ダイ上に導体パッドを形成する工程、
前記導体パッド上にシード層を形成する工程、
前記シード層上に第１のマスク層を画成する工程、および
前記第１のマスク層内に銀合金バンプ体を形成する工程であって、
第１のシアン化物系浴を調製する工程と、
前記第１のシアン化物系浴のｐＨ値を、約６から約８の範囲内に制御する工程と、
前記第１のシアン化物系浴中に半導体ダイを浸漬する工程と、
前記半導体ダイに、約０．１ＡＳＤ（１０Ａ／ｍ 2 ）から約０．５ＡＳＤ（５０Ａ／ｍ 2 ）の電気メッキ電流密度を印加する工程と、
を含む工程、および
電気メッキ操作または無電界メッキ操作により、前記銀合金バンプ体の上面と側壁を覆う金属層を形成する工程、
を有してなり、
前記銀合金バンプ体の上面と側壁を覆う金属層を形成する工程が、
前記シード層上に削減された第１のマスク層を形成する工程、および
前記削減された第１のマスク層内に前記金属層を形成する工程、
を含むことを特徴とする方法。
半導体ダイ上に導体パッドを形成する工程、
前記導体パッド上にシード層を形成する工程、
前記シード層上に第１のマスク層を画成する工程、および
前記第１のマスク層内に銀合金バンプ体を形成する工程であって、
第１のシアン化物系浴を調製する工程と、
前記第１のシアン化物系浴のｐＨ値を、約６から約８の範囲内に制御する工程と、
前記第１のシアン化物系浴中に半導体ダイを浸漬する工程と、
前記半導体ダイに、約０．１ＡＳＤ（１０Ａ／ｍ 2 ）から約０．５ＡＳＤ（５０Ａ／ｍ 2 ）の電気メッキ電流密度を印加する工程と、
を含む工程、および
電気メッキ操作または無電界メッキ操作により、前記銀合金バンプ体の上面と側壁を覆う金属層を形成する工程、
を有してなり、
前記銀合金バンプ体の上面と側壁を覆う金属層を形成する工程が、
前記シード層上に削減された第１のマスク層を形成する工程、および
前記削減された第１のマスク層内に前記金属層を形成する工程、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項6】
半導体構造を製造する方法において、
半導体ダイ上に導体パッドを形成する工程、
前記導体パッド上にシード層を形成する工程、
前記シード層上に第１のマスク層を画成する工程、および
前記第１のマスク層内に銀合金バンプ体を形成する工程であって、
第１のシアン化物系浴を調製する工程と、
前記第１のシアン化物系浴のｐＨ値を、約６から約８の範囲内に制御する工程と、
前記第１のシアン化物系浴中に半導体ダイを浸漬する工程と、
前記半導体ダイに、約０．１ＡＳＤ（１０Ａ／ｍ 2 ）から約０．５ＡＳＤ（５０Ａ／ｍ 2 ）の電気メッキ電流密度を印加する工程と、
を含む工程、および
電気メッキ操作または無電界メッキ操作により、前記銀合金バンプ体の上面と側壁を覆う金属層を形成する工程、
を有してなり、
前記無電界メッキ操作により、前記銀合金バンプ体の上面と側壁を覆う金属層を形成する工程が、前記半導体ダイを、ＫＡｕ（ＣＮ） 2 を含む無電界メッキ浴中に浸漬する工程を含むことを特徴とする方法。
半導体ダイ上に導体パッドを形成する工程、
前記導体パッド上にシード層を形成する工程、
前記シード層上に第１のマスク層を画成する工程、および
前記第１のマスク層内に銀合金バンプ体を形成する工程であって、
第１のシアン化物系浴を調製する工程と、
前記第１のシアン化物系浴のｐＨ値を、約６から約８の範囲内に制御する工程と、
前記第１のシアン化物系浴中に半導体ダイを浸漬する工程と、
前記半導体ダイに、約０．１ＡＳＤ（１０Ａ／ｍ 2 ）から約０．５ＡＳＤ（５０Ａ／ｍ 2 ）の電気メッキ電流密度を印加する工程と、
を含む工程、および
電気メッキ操作または無電界メッキ操作により、前記銀合金バンプ体の上面と側壁を覆う金属層を形成する工程、
を有してなり、
前記無電界メッキ操作により、前記銀合金バンプ体の上面と側壁を覆う金属層を形成する工程が、前記半導体ダイを、ＫＡｕ（ＣＮ） 2 を含む無電界メッキ浴中に浸漬する工程を含むことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】2014-12-12
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
半導体構造を製造する方法において、
半導体ダイ上に導体パッドを形成する工程、
前記導体パッド上に、銀または銀合金を含有するシード層を形成する工程、
前記シード層上に第１のマスク層を画成する工程、および
前記第１のマスク層内に銀合金バンプ体を形成する工程であって、
第１のシアン化物系浴を調製する工程と、
前記第１のシアン化物系浴のｐＨ値を、６から８の範囲内に制御する工程と、
前記第１のシアン化物系浴中に半導体ダイを浸漬する工程と、
前記半導体ダイに、０．１ＡＳＤ（１０Ａ／ｍ2）から０．５ＡＳＤ（５０Ａ／ｍ2）の電気メッキ電流密度を印加する工程と、
を含む工程、
を有してなり、
前記第１のシアン化物系浴を調製する工程は、ＫＡｇ（ＣＮ）2およびその塩を前記第１のシアン化物系浴に導入する工程を含むことを特徴とする方法。
半導体ダイ上に導体パッドを形成する工程、
前記導体パッド上に、銀または銀合金を含有するシード層を形成する工程、
前記シード層上に第１のマスク層を画成する工程、および
前記第１のマスク層内に銀合金バンプ体を形成する工程であって、
第１のシアン化物系浴を調製する工程と、
前記第１のシアン化物系浴のｐＨ値を、６から８の範囲内に制御する工程と、
前記第１のシアン化物系浴中に半導体ダイを浸漬する工程と、
前記半導体ダイに、０．１ＡＳＤ（１０Ａ／ｍ2）から０．５ＡＳＤ（５０Ａ／ｍ2）の電気メッキ電流密度を印加する工程と、
を含む工程、
を有してなり、
前記第１のシアン化物系浴を調製する工程は、ＫＡｇ（ＣＮ）2およびその塩を前記第１のシアン化物系浴に導入する工程を含むことを特徴とする方法。
【請求項2】
前記第１のシアン化物系浴を調製する工程は、ＫＡｕ（ＣＮ）2およびその塩を前記第１のシアン化物系浴に導入する工程を含む、請求項１記載の方法。
【請求項3】
前記ＫＡｕ（ＣＮ）2およびその塩を第１のシアン化物系浴に導入する工程は、ＫＡｕ（ＣＮ）2の量を、前記第１のシアン化物系浴中に添加される塩の合計において、１０質量％から６０質量％の範囲内に制御する工程を含む、請求項２記載の方法。
【請求項4】
半導体構造を製造する方法において、
半導体ダイ上に導体パッドを形成する工程、
前記導体パッド上に、銀または銀合金を含有するシード層を形成する工程、
前記シード層上に第１のマスク層を画成する工程、および
前記第１のマスク層内に銀合金バンプ体を形成する工程であって、
第１のシアン化物系浴を調製する工程と、
前記第１のシアン化物系浴のｐＨ値を、６から８の範囲内に制御する工程と、
前記第１のシアン化物系浴中に半導体ダイを浸漬する工程と、
前記半導体ダイに、０．１ＡＳＤ（１０Ａ／ｍ2）から０．５ＡＳＤ（５０Ａ／ｍ2）の電気メッキ電流密度を印加する工程と、
を含む工程、および
電気メッキ操作により、前記銀合金バンプ体の上面に金属層を形成する工程、
を有してなり、
前記電気メッキ操作により、前記銀合金バンプ体の上面に前記金属層を形成する工程が、前記半導体ダイを、ＫＡｕ（ＣＮ）2を含む第２のシアン化物系浴中に浸漬する工程を含むことを特徴とする方法。
半導体ダイ上に導体パッドを形成する工程、
前記導体パッド上に、銀または銀合金を含有するシード層を形成する工程、
前記シード層上に第１のマスク層を画成する工程、および
前記第１のマスク層内に銀合金バンプ体を形成する工程であって、
第１のシアン化物系浴を調製する工程と、
前記第１のシアン化物系浴のｐＨ値を、６から８の範囲内に制御する工程と、
前記第１のシアン化物系浴中に半導体ダイを浸漬する工程と、
前記半導体ダイに、０．１ＡＳＤ（１０Ａ／ｍ2）から０．５ＡＳＤ（５０Ａ／ｍ2）の電気メッキ電流密度を印加する工程と、
を含む工程、および
電気メッキ操作により、前記銀合金バンプ体の上面に金属層を形成する工程、
を有してなり、
前記電気メッキ操作により、前記銀合金バンプ体の上面に前記金属層を形成する工程が、前記半導体ダイを、ＫＡｕ（ＣＮ）2を含む第２のシアン化物系浴中に浸漬する工程を含むことを特徴とする方法。
【請求項5】
半導体構造を製造する方法において、
半導体ダイ上に導体パッドを形成する工程、
前記導体パッド上に、銀または銀合金を含有するシード層を形成する工程、
前記シード層上に第１のマスク層を画成する工程、および
前記第１のマスク層内に銀合金バンプ体を形成する工程であって、
第１のシアン化物系浴を調製する工程と、
前記第１のシアン化物系浴のｐＨ値を、６から８の範囲内に制御する工程と、
前記第１のシアン化物系浴中に半導体ダイを浸漬する工程と、
前記半導体ダイに、０．１ＡＳＤ（１０Ａ／ｍ2）から０．５ＡＳＤ（５０Ａ／ｍ2）の電気メッキ電流密度を印加する工程と、
を含む工程、および
電気メッキ操作または無電界メッキ操作により、前記銀合金バンプ体の上面と側壁を覆う金属層を形成する工程、
を有してなり、
前記銀合金バンプ体の上面と側壁を覆う金属層を形成する工程が、
前記シード層上に削減された第１のマスク層を形成する工程、および
前記削減された第１のマスク層内に前記金属層を形成する工程、
を含むことを特徴とする方法。
半導体ダイ上に導体パッドを形成する工程、
前記導体パッド上に、銀または銀合金を含有するシード層を形成する工程、
前記シード層上に第１のマスク層を画成する工程、および
前記第１のマスク層内に銀合金バンプ体を形成する工程であって、
第１のシアン化物系浴を調製する工程と、
前記第１のシアン化物系浴のｐＨ値を、６から８の範囲内に制御する工程と、
前記第１のシアン化物系浴中に半導体ダイを浸漬する工程と、
前記半導体ダイに、０．１ＡＳＤ（１０Ａ／ｍ2）から０．５ＡＳＤ（５０Ａ／ｍ2）の電気メッキ電流密度を印加する工程と、
を含む工程、および
電気メッキ操作または無電界メッキ操作により、前記銀合金バンプ体の上面と側壁を覆う金属層を形成する工程、
を有してなり、
前記銀合金バンプ体の上面と側壁を覆う金属層を形成する工程が、
前記シード層上に削減された第１のマスク層を形成する工程、および
前記削減された第１のマスク層内に前記金属層を形成する工程、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項6】
半導体構造を製造する方法において、
半導体ダイ上に導体パッドを形成する工程、
前記導体パッド上に、銀または銀合金を含有するシード層を形成する工程、
前記シード層上に第１のマスク層を画成する工程、および
前記第１のマスク層内に銀合金バンプ体を形成する工程であって、
第１のシアン化物系浴を調製する工程と、
前記第１のシアン化物系浴のｐＨ値を、６から８の範囲内に制御する工程と、
前記第１のシアン化物系浴中に半導体ダイを浸漬する工程と、
前記半導体ダイに、０．１ＡＳＤ（１０Ａ／ｍ2）から０．５ＡＳＤ（５０Ａ／ｍ2）の電気メッキ電流密度を印加する工程と、
を含む工程、および
電気メッキ操作または無電界メッキ操作により、前記銀合金バンプ体の上面と側壁を覆う金属層を形成する工程、
を有してなり、
前記無電界メッキ操作により、前記銀合金バンプ体の上面と側壁を覆う金属層を形成する工程が、前記半導体ダイを、ＫＡｕ（ＣＮ）2を含む無電界メッキ浴中に浸漬する工程を含むことを特徴とする方法。
半導体ダイ上に導体パッドを形成する工程、
前記導体パッド上に、銀または銀合金を含有するシード層を形成する工程、
前記シード層上に第１のマスク層を画成する工程、および
前記第１のマスク層内に銀合金バンプ体を形成する工程であって、
第１のシアン化物系浴を調製する工程と、
前記第１のシアン化物系浴のｐＨ値を、６から８の範囲内に制御する工程と、
前記第１のシアン化物系浴中に半導体ダイを浸漬する工程と、
前記半導体ダイに、０．１ＡＳＤ（１０Ａ／ｍ2）から０．５ＡＳＤ（５０Ａ／ｍ2）の電気メッキ電流密度を印加する工程と、
を含む工程、および
電気メッキ操作または無電界メッキ操作により、前記銀合金バンプ体の上面と側壁を覆う金属層を形成する工程、
を有してなり、
前記無電界メッキ操作により、前記銀合金バンプ体の上面と側壁を覆う金属層を形成する工程が、前記半導体ダイを、ＫＡｕ（ＣＮ）2を含む無電界メッキ浴中に浸漬する工程を含むことを特徴とする方法。