特開 2022-87988 回路基板、表示パネルおよび回路基板の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022087988

(43)【公開日】2022-06-14

(54)【発明の名称】回路基板、表示パネルおよび回路基板の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/3205 20060101AFI20220607BHJP

   H01L 29/417 20060101ALI20220607BHJP

   H01L 21/28 20060101ALI20220607BHJP

   H01L 29/786 20060101ALI20220607BHJP

【ＦＩ】

H01L21/88 B

H01L29/50 M

H01L21/28 B

H01L29/78 616V

H01L29/78 617M

【審査請求】未請求

【請求項の数】7

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2020200172

(22)【出願日】2020-12-02

(71)【出願人】

【識別番号】514188173

【氏名又は名称】株式会社ＪＯＬＥＤ

(74)【代理人】

【識別番号】100189430

【弁理士】

【氏名又は名称】吉川 修一

(74)【代理人】

【識別番号】100190805

【弁理士】

【氏名又は名称】傍島 正朗

(72)【発明者】

【氏名】村井 淳人

(72)【発明者】

【氏名】三浦 正範

【テーマコード（参考）】

4M104

5F033

5F110

【Ｆターム（参考）】

4M104BB04

4M104DD40

4M104DD64

4M104DD78

4M104DD83

4M104FF17

4M104GG09

4M104HH16

5F033GG03

5F033GG04

5F033HH11

5F033HH18

5F033MM13

5F033PP15

5F033QQ08

5F033QQ19

5F033QQ73

5F033VV15

5F033XX08

5F110AA03

5F110BB01

5F110CC01

5F110DD01

5F110DD02

5F110DD03

5F110DD05

5F110DD13

5F110DD14

5F110DD15

5F110EE02

5F110EE04

5F110EE06

5F110EE22

5F110EE23

5F110EE30

5F110EE44

5F110EE48

5F110EE50

5F110FF01

5F110FF02

5F110FF03

5F110GG01

5F110HL02

5F110HL04

5F110HL06

5F110HL27

5F110HM02

5F110HM03

5F110NN03

5F110NN22

5F110NN23

5F110NN24

5F110NN44

(57)【要約】      （修正有）

【課題】配線層の電気抵抗が大きくなることを抑制することが可能な回路基板、表示パネルおよび回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】回路基板１は、絶縁層１２と、絶縁層１２上に設けられた、ＣｕおよびＴｉを含む配線層２０と、を備える。配線層２０は、配線層２０を断面で見た場合に、配線層２０の中央領域２１よりも外周領域２２のほうがＴｉの含有率が高い。回路基板の製造方法は、絶縁層上にＴｉを含むＣｕ合金膜を形成する工程と、Ｃｕ合金膜をエッチングすることで配線パターンを形成する工程と、配線パターンを不活性ガス雰囲気において加熱し、配線パターンの外周面に前記Ｔｉを偏析させることで、前記配線層を形成する。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

絶縁層と、
前記絶縁層上に設けられた、ＣｕおよびＴｉを含む配線層と、
を備え、
前記配線層は、前記配線層を断面で見た場合に、前記配線層の中央領域よりも外周領域のほうが前記Ｔｉの含有率が高い
回路基板。

【請求項2】

前記配線層は、前記外周領域よりも前記中央領域のほうが前記Ｃｕの含有率が高い
請求項１に記載の回路基板。

【請求項3】

前記配線層は、前記絶縁層に接する下面と、前記下面に背向する上面と、前記下面および前記上面を繋ぐ側面と、を有し、
前記Ｔｉの含有率が高い前記外周領域は、前記下面、前記上面および前記側面を含む領域に形成されている
請求項１または２に記載の回路基板。

【請求項4】

前記配線層は、前記配線層を断面で見た場合に、台形状である
請求項１～３のいずれか１項に記載の回路基板。

【請求項5】

前記回路基板は、薄膜トランジスタを有し、
前記薄膜トランジスタに含まれるゲート電極、ソース電極、ドレイン電極およびシールド電極の少なくとも１つの電極は、前記配線層によって構成される
請求項１～４のいずれか１項に記載の回路基板。

【請求項6】

請求項１～５のいずれか１項に記載の回路基板と、
前記回路基板上に設けられたＥＬデバイス層と、
を備える表示パネル。

【請求項7】

絶縁層および配線層を備える回路基板の製造方法であって、
前記絶縁層上にＴｉを含むＣｕ合金膜を形成する工程と、
前記Ｃｕ合金膜をエッチングすることで配線パターンを形成する工程と、
前記配線パターンを不活性ガス雰囲気において加熱し、前記配線パターンの外周面に前記Ｔｉを偏析させることで、前記配線層を形成する工程と、
を含む回路基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、回路基板、この回路基板を備える表示パネル、および、回路基板の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

デジタルテレビ等の表示装置に用いられる表示パネルとして、複数の画素がマトリクス状に配置された有機ＥＬ（ｅｌｅｃｔｒｏ ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示パネルが知られている。例えばトップエミッション構造を有する有機ＥＬ表示パネルは、薄膜トランジスタなどを有する回路基板と、回路基板上に設けられたＥＬデバイス層と、によって構成される。薄膜トランジスタは、基板上に複数の絶縁層および複数の配線層などが積層されることで形成される。

【0003】

特許文献１には、絶縁層上にＴｉを含むＣｕ配線層を配置し、その後熱処理することで、絶縁層とＣｕ配線層との界面にＴｉを偏析させる方法が開示されている。界面に偏析したＴｉは、Ｃｕ配線層のＣｕが絶縁層に拡散することを防止するバリア層としての機能を有する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２００７－２５８２５６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

例えば、Ｃｕ配線層の表面においてＴｉ、Ｍｏなどの金属や絶縁膜、所謂バリア層で保護されていない部分があると、後工程で行われる焼成などの熱処理によって、当該部分が酸化することがある。当該部分が酸化すると、配線層の電気抵抗が大きくなるという問題がある。

【0006】

本開示は、上記問題を解決するためになされたものであり、配線層の電気抵抗が大きくなることを抑制できる回路基板等を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

上記目的を達成するために、本開示の回路基板の一態様は、絶縁層と、前記絶縁層上に設けられた、ＣｕおよびＴｉを含む配線層と、を備え、前記配線層は、前記配線層を断面で見た場合に、前記配線層の中央領域よりも外周領域のほうが前記Ｔｉの含有率が高い。

【0008】

上記目的を達成するために、本開示の表示パネルの一態様は、上記回路基板と、前記回路基板上に設けられたＥＬデバイス層と、を備える。

【0009】

上記目的を達成するために、本開示の回路基板の製造方法の一態様は、絶縁層および配線層を備える回路基板の製造方法であって、前記絶縁層上にＴｉを含むＣｕ合金膜を形成する工程と、前記Ｃｕ合金膜をエッチングすることで配線パターンを形成する工程と、前記配線パターンを不活性ガス雰囲気において加熱し、前記配線パターンの外周面に前記Ｔｉを偏析させることで、前記配線層を形成する工程と、を含む。

【発明の効果】

【0010】

本開示の回路基板等によれば、配線層の電気抵抗が大きくなることを抑制できる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】図１は、比較例の回路基板の製造過程を示す図である。

【図2】図２は、実施の形態に係る回路基板を示す図である。

【図3】図３は、実施の形態に係る回路基板の製造方法を示すフローチャートである。

【図4】図４は、実施の形態に係る回路基板の製造過程を示す図である。

【図5】図５は、実施の形態に係る回路基板を備える表示パネルの一部の断面図である。

【図6】図６は、実施の形態の変形例に係る回路基板を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

（本開示に至る経緯）
本開示に至る経緯について、図１を参照しながら説明する。

【0013】

図１は、比較例の回路基板１０１の製造過程を示す図である。

【0014】

比較例の回路基板１０１を作製するためには、まず、図１の（ａ）に示すように、基板１１０上にＴｉ、ＭｏまたはＭｏＴｉなどの金属層１３１を成膜し、さらに、金属層１３１上にＣｕ層１３２を成膜する。次に、図１の（ｂ）に示すように、金属層１３１およびＣｕ層１３２を所定パターンでエッチングすることで、配線層１２０を形成する。これにより、基板１１０上に配線層１２０が形成された回路基板１０１が作製される。

【0015】

しかしながら、この回路基板１０１では、後工程で行われる焼成などの熱処理によって、配線層１２０に不具合が起きることがある。具体的には、酸素雰囲気において２００℃以上の熱処理が行われた場合、配線層１２０の表面が酸化することがある。配線層１２０の表面が酸化すると、配線層１２０の電気抵抗が大きくなるという問題が起きる。

【0016】

それに対し本開示の回路基板では、以下に示す構成を有することで、配線層の電気抵抗が大きくなることを抑制している。

【0017】

以下、本開示の実施の形態について、図面を用いて説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、いずれも本開示における一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される、数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、工程、並びに、工程の順序などは、一例であって本開示を限定する主旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本開示における最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。

【0018】

また、各図は模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。したがって、各図において縮尺などは必ずしも一致していない。なお、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する。

【0019】

また、本明細書において、「上」及び「下」という用語は、絶対的な空間認識における上方向（鉛直上方）及び下方向（鉛直下方）を指すものではなく、積層構成における積層順を基に相対的な位置関係により規定される用語として用いる。また、「上」及び「下」という用語は、２つの構成要素が互いに接する状態で配置される場合のみならず、２つの構成要素が互いに間隔をあけて配置されて２つの構成要素の間に別の構成要素が存在する場合にも適用される。

【0020】

（実施の形態）
［回路基板の構成］
本実施の形態に係る回路基板の構成について、図２を参照しながら説明する。

【0021】

図２は、実施の形態に係る回路基板１を示す図である。

【0022】

図２に示すように、回路基板１は、基板１０と、基板１０上に設けられた配線層２０とを備える。

【0023】

基板１０は、絶縁性基板１１と、絶縁層１２とによって構成されている。

【0024】

絶縁性基板１１は、基台となる板状部材である。絶縁性基板１１は、例えば、ガラス、石英及びシリコンなどから構成されている。なお、絶縁性基板１１は、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＩ（ポリイミド）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）などの樹脂材料から構成されていてもよい。

【0025】

絶縁層１２は、絶縁性基板１１上に設けられる層であり、絶縁性基板１１の全体を覆っている。絶縁層１２は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ_２）膜などの絶縁材料により構成されている。なお、絶縁層１２は、窒化シリコン（ＳｉＮ）膜、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）膜などのなどの絶縁材料により構成されていてもよい。

【0026】

配線層２０は、絶縁層１２上に設けられる層であり、Ｃｕ（銅）およびＴｉ（チタン）などの材料（元素）を含んでいる。なお、配線層２０は、Ｎ（窒素）などの他の材料（元素）を微小量含んでいてもよい。

【0027】

配線層２０は、基板１０の主面に垂直な方向から見て、所定の配線形状にパターニングされている（図示省略）。また、配線層２０は、配線が延びる方向から見て、すなわち配線層２０を断面で見た場合に、台形状である。配線層２０は、絶縁層１２に接する下面２０ａと、下面２０ａに背向する上面２０ｂと、下面２０ａおよび上面２０ｂを繋ぐ２つの側面２０ｃと、を有している。側面２０ｃは、下面２０ａに対して傾斜している。下面２０ａに対する側面２０ｃの傾斜角は、例えば、２５°以上６０°以下である。配線層２０の厚みは、例えば、１００ｎｍ以上８００ｎｍ以下である。

【0028】

配線層２０は、配線層２０を断面で見た場合に、配線層２０の中心を含む中央領域２１と、中央領域２１の外側に位置する外周領域２２とを有する。外周領域２２は、中央領域２１の周囲に設けられ、配線層２０の外周面２３の全面を含んでいる。外周領域２２の厚みは、例えば１ｎｍ以上２０ｎｍ以下である。本実施の形態では、配線層２０は、中央領域２１よりも外周領域２２のほうがＴｉの含有率が高い。例えば、中央領域２１におけるＴｉの含有率は３原子％未満である。つまりこの配線層２０は、外周領域２２においてＴｉが偏析されており、中央領域２１にあるＣｕが酸化されにくい構造となっている。

【0029】

また、配線層２０は、外周領域２２よりも中央領域２１のほうがＣｕの含有率が高い。中央領域２１におけるＣｕの含有率は、例えば、９８原子％以上である。すなわち、配線層２０は、中央領域２１においてＣｕの純度が高く、例えば配線層２０の全体がＣｕＴｉ合金で構成されている場合に比べて、比抵抗が小さくなっている。

【0030】

［回路基板の製造方法］
回路基板１の製造方法について、図３および図４を参照しながら説明する。

【0031】

図３は、回路基板１の製造方法を示すフローチャートである。図４は、回路基板１の製造過程を示す図である。

【0032】

まず、図４の（ａ）に示すように、基板１０の絶縁層１２上にＴｉを含むＣｕ合金膜５１を形成する（ステップＳ１１）。具体的には、Ｃｕターゲットを用いたスパッタ法により、絶縁層１２上にＴｉを含むＣｕ合金膜５１を形成する。Ｃｕターゲットは、Ｔｉを含むＣｕターゲットであってもよいし、純Ｃｕターゲット上にＴｉチップを載せたターゲットであってもよい。Ｃｕ合金膜５１は、絶縁層１２上の全面に形成される。絶縁層１２上に形成されたＣｕ合金膜５１の厚みは、例えば、４００ｎｍである。Ｃｕターゲットに含まれるＴｉの含有率が３原子％である場合、Ｃｕ合金膜５１におけるＴｉの含有率も約３原子％となる。なお、スパッタが窒素を含む雰囲気で実行される場合、絶縁層１２上に形成されるＣｕ合金膜５１に、窒素成分が含まれていてもよい。

【0033】

次に、図４の（ｂ）に示すように、Ｃｕ合金膜５１をエッチングすることで配線パターン５２を形成する（ステップＳ１２）。具体的には、フォトレジスト法により配線パターン５２の配線形状に対応したレジストをＣｕ合金膜５１上に形成した後、過酸化水素を含むエッチャントを用いてウエットエッチングする。その後、レジストを除去することで、配線パターン５２が形成される。このウエットエッチングが行われることで、配線パターン５２の断面が台形状になる。なお、ウエットエッチングは異方性エッチングであることが望ましい。

【0034】

次に、図４の（ｃ）に示すように、配線パターン５２の外周面にＴｉを偏析させることで、配線層２０を形成する（ステップＳ１３）。具体的には、配線パターン５２が形成された基板１０を窒素などの不活性ガス雰囲気において、数時間加熱する。この加熱処理（アニール処理）によって、配線パターン５２に含まれるＴｉ成分が中央から外周に向けて移動する。これにより、配線層２０の外周面２３にＴｉが偏析され、外周領域２２におけるＴｉの含有率が高い配線層２０が形成される。例えば、配線層２０の中心におけるＴｉの含有率は３原子％未満である。

【0035】

また、配線層２０の外周領域２２のＴｉの含有率は、加熱処理前よりもステップＳ１３による加熱処理後のほうが高くなっている。例えば、外周領域２２において、加熱処理前のＴｉの含有率は３原子％であり、加熱処理後のＴｉの含有率は３原子％よりも高くなっている。

【0036】

これらのステップＳ１１～Ｓ１３が実行されることで、中央領域２１よりも外周領域２２のＴｉの含有率が高い配線層２０が形成される。

【0037】

［表示パネルの構成］
上記の回路基板１を備えた表示パネル５の構成について説明する。表示パネル５は、デジタルテレビ等の表示装置に用いられるパネルであり、複数の画素回路を備えている。以下では、表示パネル５の一部の断面に着目して説明する。

【0038】

図５は、回路基板１を備える表示パネル５の一部の断面図である。

【0039】

図５に示すように、表示パネル５は、回路基板１とＥＬデバイス層２とを備えている。ＥＬデバイス層２は、陽極、正孔注入層、発光層、電子注入層および陰極が積層された多層構造を有している（図示省略）。

【0040】

図５に示すように、回路基板１は、薄膜トランジスタ４０を有している。薄膜トランジスタ４０は、基板１０、層間絶縁層４４、酸化物半導体層４５、ゲート絶縁層４６、ゲート電極４７、層間絶縁層４８、ソース電極４９ａおよびドレイン電極４９ｂを含んでいる。また、薄膜トランジスタ４０は、シールド電極４３を含んでいる。

【0041】

本実施の形態では、ゲート電極４７、ソース電極４９ａ、ドレイン電極４９ｂおよびシールド電極４３の少なくとも１つの電極が、前述した配線層２０によって構成されている。以下、各構成要素について説明する。

【0042】

基板１０は、前述した絶縁性基板１１および絶縁層１２によって構成されている。

【0043】

シールド電極４３は、絶縁層１２上に配置される所定の形状にパターニングされた導電層である。シールド電極４３は、ゲート電極４７および酸化物半導体層４５と対向する位置に配置される。シールド電極４３は、前述した配線層２０によって構成されている。

【0044】

層間絶縁層４４は、シールド電極４３を覆うように、絶縁層１２上に配置される絶縁層である。層間絶縁層４４は、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）膜、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）膜などの絶縁材料によって構成されている。

【0045】

酸化物半導体層４５は、層間絶縁層４４上に配置され、チャネル領域４５ａと、低抵抗領域４５ｂとを有する半導体層である。チャネル領域４５ａは、シールド電極４３およびゲート電極４７と対向する位置に形成される。酸化物半導体層４５としては、例えば、酸化インジウムスズ亜鉛（ＩＴＺＯ）、酸化インジウムガリウム亜鉛（ＩＧＺＯ：ＩｎＧａＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化インジウムガリウム（ＩＧＯ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム（ＩｎＯ）などを用いることができる。

【0046】

ゲート絶縁層４６は、酸化物半導体層４５上に配置される絶縁層である。ゲート絶縁層４６は、ゲート電極４７の直下に配置される。ゲート絶縁層４６として、例えば、シリコン酸化（ＳｉＯ_ｘ）膜、シリコン窒化（ＳｉＮ_ｘ）膜、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）膜、酸化アルミニウム（ＡｌＯ_ｘ）膜、酸化ハフニウム（ＨｆＯ_ｘ）膜のうちの１種よりなる単層膜、又は、それらのうちの２種以上よりなる積層膜を用いることができる。

【0047】

ゲート電極４７は、酸化物半導体層４５の上方に配置される導電層である。ゲート電極４７は、ゲート絶縁層４６を介して酸化物半導体層４５のチャネル領域４５ａと対向している。ゲート電極４７は、印加されるゲート電圧によってチャネル領域４５ａ中のキャリア密度を制御すると共に、電位を供給する配線としての機能を有する。ゲート電極４７は、前述した配線層２０によって構成されている。

【0048】

層間絶縁層４８は、ゲート電極４７を覆うように、ゲート絶縁層４６上に配置される絶縁膜である。層間絶縁層４８として、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）膜、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）膜などを用いることができる。層間絶縁層４８として、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）膜、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）膜などを用いてもよい。

【0049】

ソース電極４９ａおよびドレイン電極４９ｂは、それぞれ、薄膜トランジスタ４０のソースおよびドレインとして機能する電極である。ソース電極４９ａおよびドレイン電極４９ｂは、前述した配線層２０によって構成されている。

【0050】

このように本実施の形態では、薄膜トランジスタ４０のゲート電極４７、ソース電極４９ａ、ドレイン電極４９ｂおよびシールド電極４３が、前述した配線層２０によって構成されている。

【0051】

［変形例］
実施の形態の変形例に係る回路基板１Ａについて、図６を参照しながら説明する。変形例では、配線層２０を覆うように、絶縁層１２とは異なる他の絶縁層１４が設けられている例について説明する。

【0052】

図６は、実施の形態の変形例に係る回路基板１Ａを示す図である。

【0053】

図６に示すように、変形例の回路基板１Ａは、基板１０、配線層２０および絶縁層１４を備えている。

【0054】

基板１０は、絶縁性基板１１と、絶縁層１２とによって構成されている。配線層２０は、絶縁層１２上に設けられており、ＣｕおよびＴｉなどの材料を含んでいる。基板１０および配線層２０の構成は、実施の形態と同様である。

【0055】

変形例の絶縁層１４は、絶縁層１２と同様に、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）膜などの絶縁材料により構成されている。なお、絶縁層１４は、窒化シリコン（ＳｉＮ）膜、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）膜などのなどの絶縁材料により構成されていてもよい。

【0056】

この絶縁層１４は、配線層２０を覆うように、絶縁層１２上に設けられている。そのため、変形例の回路基板１Ａでは、配線層２０の上面２０ｂおよび２つの側面２０ｃが絶縁層１４に接している。すなわち、変形例の回路基板１Ａでは、配線層２０の外周面２３が、絶縁層１２または１４に接する構造となっている。

【0057】

この変形例においても、配線層２０は、中央領域２１よりも外周領域２２のほうがＴｉの含有率が高くなっている。また、配線層２０は、外周領域２２よりも中央領域２１のほうがＣｕの含有率が高くなっており、例えば配線層２０の全体がＣｕＴｉ合金で構成されている場合に比べて、比抵抗が小さくなっている。

【0058】

なお、変形例に係る回路基板１Ａは、図３に示すステップＳ１２とＳ１３との間に、絶縁層１４を設ける工程を入れることで作製される。具体的には、ステップＳ１２の後に、配線パターン５２を覆うように絶縁層１４を形成する。そしてステップＳ１３の加熱処理によって、配線パターン５２に含まれるＴｉ成分が中央から外周に向けて移動する。これにより、Ｃｕ合金膜５１と絶縁層１２、１４との界面にＴｉが偏析され、外周領域２２におけるＴｉの含有率が高い配線層２０が形成される。

【0059】

［効果等］
本実施の形態に係る回路基板１は、絶縁層１２と、絶縁層１２上に設けられた、ＣｕおよびＴｉを含む配線層２０と、を備える。配線層２０は、配線層２０を断面で見た場合に、配線層２０の中央領域２１よりも外周領域２２のほうがＴｉの含有率が高い。

【0060】

このように、配線層２０の外周領域２２におけるＴｉの含有率が高くなっていることで、例えば、後工程で行われる焼成などの熱処理によって、配線層２０の表面が酸化することを抑制できる。これにより、配線層２０の電気抵抗が大きくなることを抑制できる。

【0061】

また、配線層２０は、外周領域２２よりも中央領域２１のほうがＣｕの含有率が高くてもよい。

【0062】

このように、中央領域２１におけるＣｕの含有率が高くなっていることで、配線層２０の電気抵抗を小さくすることができる。これにより、配線層２０の電気抵抗が大きくなることを抑制できる。

【0063】

また、配線層２０は、絶縁層１２に接する下面２０ａと、下面２０ａに背向する上面２０ｂと、下面２０ａおよび上面２０ｂを繋ぐ側面２０ｃと、を有している。Ｔｉの含有率が高い外周領域２２は、下面２０ａ、上面２０ｂおよび側面２０ｃを含む領域に形成されていてもよい。

【0064】

この構成によれば、配線層２０の下面２０ａ、上面２０ｂおよび側面２０ｃが酸化することを抑制できる。これにより、配線層２０の電気抵抗が大きくなることを抑制できる。

【0065】

また、配線層２０は、配線層２０を断面で見た場合に、台形状であってもよい。

【0066】

例えば、配線層２０上に他の絶縁層が配置される場合、配線層２０の上側に位置する他の絶縁層に亀裂が入ることがある。具体的には、配線層２０の側面２０ｃが、下面２０ａおよび上面２０ｂに対して垂直であると、側面２０ｃと上面２０ｂとが交差する箇所において応力集中が起き、他の絶縁層に亀裂が入りやすい。それに対し、配線層２０の断面を台形状とすることで、側面２０ｃと上面２０ｂとが交差する箇所において応力集中が起きることを抑制できる。これにより、配線層２０上に配置された他の絶縁層に亀裂が入ることを抑制でき、回路基板１に発生する不具合を減らすことができる。

【0067】

また、回路基板１は、薄膜トランジスタ４０を有し、薄膜トランジスタ４０に含まれるゲート電極３７、ソース電極４９ａ、ドレイン電極４９ｂおよびシールド電極４３の少なくとも１つの電極は、配線層２０によって構成されていてもよい。

【0068】

これによれば、ゲート電極３７、ソース電極４９ａ、ドレイン電極４９ｂおよびシールド電極４３の少なくとも１つの電極の電気抵抗が大きくなることを抑制できる。

【0069】

本実施の形態に係る表示パネル５は、上記回路基板１と、回路基板１上に設けられたＥＬデバイス層２と、を備える。

【0070】

これによれば、例えば、配線層２０の電気抵抗を小さくした回路基板１を備える表示パネル５を提供することができる。

【0071】

本実施の形態に係る回路基板１の製造方法は、絶縁層１２および配線層２０を備える回路基板１の製造方法であって、絶縁層１２上にＴｉを含むＣｕ合金膜５１を形成する工程と、Ｃｕ合金膜５１をエッチングすることで配線パターン５２を形成する工程と、配線パターン５２を不活性ガス雰囲気において加熱し、配線パターン５２の外周面にＴｉを偏析させることで、配線層２０を形成する工程と、を含む。

【0072】

これによれば、配線層２０の外周領域２２におけるＴｉの含有率が高い回路基板１を製造することができる。そのため、例えば、後工程で行われる焼成などの熱処理によって、配線層２０の表面が酸化することを抑制できる。これにより、配線層２０の電気抵抗が大きくなることを抑制できる。

【0073】

（その他の形態）
以上、本開示に係る回路基板などについて、実施の形態に基づいて説明したが、本開示に係る回路基板などは、上記実施の形態に限定されるものではない。各実施の形態における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、各実施の形態に対して本開示の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例も本開示に含まれる。

【0074】

本実施の形態では、配線層２０が中央領域２１および外周領域２２を有している例を示したが、中央領域２１と外周領域２２との境界は必ずしも明確である必要はない。例えば、配線層２０は、中央領域２１と外周領域２２との境界付近において、中央領域２１から外周領域２２に向かってＴｉの含有率が徐々に高くなるように構成されていてもよい。

【0075】

本実施の形態では、基板１０が絶縁性基板１１と絶縁層１２とによって構成されている例を示したが、絶縁性基板１１は、絶縁層の一例であり、上記の絶縁層１２と厳密に区別される必要はない。この例のように、基板本体が絶縁性基板１１である場合、基板１０は複数の絶縁層で構成されていることになる。また、基板１０が絶縁性基板１１のみで構成されている場合も、基板１０は絶縁層で構成されていることになる。

【産業上の利用可能性】

【0076】

本開示は、回路基板を備える表示パネル、および、表示パネルを備える表示装置等に有用である。

【符号の説明】

【0077】

１、１Ａ 回路基板
２ ＥＬデバイス層
５ 表示パネル
１０ 基板
１１ 絶縁性基板
１２、１４ 絶縁層
２０ 配線層
２０ａ 下面
２０ｂ 上面
２０ｃ 側面
２１ 中央領域
２２ 外周領域
２３ 外周面
４０ 薄膜トランジスタ
４３ シールド電極
４４ 層間絶縁層
４５ 酸化物半導体層
４５ａ チャネル領域
４５ｂ 低抵抗領域
４６ ゲート絶縁層
４７ ゲート電極
４８ 層間絶縁層
４９ａ ソース電極
４９ｂ ドレイン電極
５１ Ｃｕ合金膜
５２ 配線パターン

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】