特開 2022-88710 フレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造及び前記フレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造を使用した電気回路基板構造

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022088710

(43)【公開日】2022-06-15

(54)【発明の名称】フレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造及び前記フレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造を使用した電気回路基板構造

(51)【国際特許分類】

   H05K 1/16 20060101AFI20220608BHJP

   H01G 4/40 20060101ALI20220608BHJP

   H01G 4/30 20060101ALI20220608BHJP

   H01C 13/00 20060101ALI20220608BHJP

   H01F 27/00 20060101ALI20220608BHJP

   H05K 3/46 20060101ALI20220608BHJP

   H05K 3/38 20060101ALI20220608BHJP

【ＦＩ】

H05K1/16 A

H01G4/40 307A

H01G4/40 321A

H01G4/30 541

H01C13/00 A

H01F27/00 S

H05K3/46 G

H05K3/46 Q

H05K3/38 B

【審査請求】未請求

【請求項の数】1

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2020200668

(22)【出願日】2020-12-03

(71)【出願人】

【識別番号】514300672

【氏名又は名称】鼎展電子股▲分▼有限公司

(74)【代理人】

【識別番号】100082418

【弁理士】

【氏名又は名称】山口 朔生

(74)【代理人】

【識別番号】100167601

【弁理士】

【氏名又は名称】大島 信之

(74)【代理人】

【識別番号】100201329

【弁理士】

【氏名又は名称】山口 真二郎

(74)【代理人】

【識別番号】100220917

【弁理士】

【氏名又は名称】松本 忠大

(72)【発明者】

【氏名】葉宗和

【テーマコード（参考）】

4E351

5E001

5E070

5E082

5E316

5E343

【Ｆターム（参考）】

4E351AA16

4E351BB03

4E351BB05

4E351CC03

4E351CC06

4E351DD04

4E351DD17

4E351DD19

4E351DD23

4E351DD43

4E351DD48

4E351GG20

5E001AD04

5E001AH03

5E001AJ01

5E001AJ02

5E070AA05

5E070AB02

5E070CB12

5E082AB01

5E082BC39

5E082DD02

5E082DD08

5E082EE05

5E082EE23

5E082EE26

5E082EE37

5E082FF05

5E082FG03

5E082FG06

5E082FG26

5E082FG34

5E082FG42

5E082FG46

5E082GG10

5E082LL35

5E316AA02

5E316AA13

5E316AA23

5E316AA32

5E316AA43

5E316CC10

5E316CC32

5E316DD17

5E316DD24

5E316EE42

5E316GG15

5E316GG17

5E316GG28

5E316HH22

5E316HH24

5E316JJ14

5E343AA12

5E343AA17

5E343AA18

5E343AA33

5E343AA37

5E343BB52

5E343CC07

5E343DD25

5E343DD43

5E343GG20

(57)【要約】      （修正有）

【課題】軽量薄肉化を有効に実現するフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造を提供する。
【解決手段】フレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造ＰＳＤにおいて、第１導電金属層１１と、第１電気抵抗層１２と、第１誘電体層Ｉｅ１と、可撓性支持層Ｆｓと、第２誘電体層Ｉｅ２と、第２電気抵抗層２２と、第２導電金属層２１と、をこの順に含む。第１電子回路は、２回の現像・エッチング処理を施した後のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造の頂部表面の上に、少なくとも１つの薄膜電気抵抗と、少なくとも１つの薄膜インダクタと、少なくとも１つの薄膜コンデンサとを含む。そして、同時に第２電子回路は、フレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造の底部表面の上に、少なくとも１つの薄膜電気抵抗と、少なくとも１つの薄膜インダクタと、少なくとも１つの薄膜コンデンサとを含む。
【選択図】図３Ｃ

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１導電金属層と、
その一表面が前記第１導電金属層の一表面に結合され、かつニッケル、クロム、タングステン、ニッケル金属化合物、クロム金属化合物、タングステン金属化合物、ニッケル基合金、クロム基合金またはタングステン基合金から作製される第１電気抵抗層と、
その一表面が前記第１電気抵抗層の他表面に結合される第１誘電体層と、
その一表面が前記第１誘電体層の他表面に結合される可撓性支持層と、
その一表面が前記可撓性支持層の他表面に結合される接合層と、
前記接合層の他表面の上に形成される第２導電金属層と，を含むことを特徴とする、
フレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、埋込式受動素子の複合銅膜の技術分野に係り、特に、フレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造及び前記フレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造を使用した電気回路基板構造に関するものである。

【背景技術】

【0002】

自らプリント電気回路基板（Ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ，ＰＣＢ）を購入すると共に、予め設計された回路レイアウト（ｃｉｒｃｕｉｔ ｌａｙｏｕｔ）に基づいて、前記プリント電気回路基板に対して現像、エッチングと剥膜（Ｄｅｖｅｌｏｐｉｎｇ／Ｅｔｃｈｉｎｇ／Ｓｔｒｉｐｐｉｎｇ，ＤＥＳ）などのプロセスを行い、その後、前記プリント電気回路基板の表面の上に、電子回路と呼ばれるような図案化された銅箔回路を製作する経験は、電気電子工学、電気機械工学や情報工学を習得した経歴を持つエンジニアであれば、一度は必ずあるはずである。電子回路の製作が完了した後、また、次いで、電子回路の上に予め決定したチップと受動素子を配置し、例えば、アンプ、プロセッサ、レジスト、コンデンサやインダクタンスなどが挙げられる。

【0003】

一方、知能技術の高度発展に伴って、ポータブル式電子製品の基本的な規格として軽量及び薄肉の要求が高まっている。考えれば分かるように、ポータブル式電子製品の体積サイズの更なる軽量薄肉に向けた絶え間ない進化と相まって、その内部の電子チップと受動素子を受容可能な空間もそれにつれて圧縮されてしまうことになる。よって、ポータブル式電子製品の有限な内部空間内に十分な量の電子素子と受動素子を配置できるようにすることが、電子デバイス製造メーカーと組立工場が直面している最大の難題の一つである。

【0004】

これに鑑み、産業界の対応策としては、受動素子の寸法を持続的に縮小することが提唱されている。現在、寸法サイズが０８０５（８０×５０ｍｉｌ^２）と０６０３（６０×３０ｍｉｌ^２）の受動素子は、主にマザーボードとノート型パソコンの製作に使用されている一方、寸法サイズが０４０２（４０×２０ｍｉｌ^２）と０２０１（２０×１０ｍｉｌ^２）の受動素子では、スマートフォンとタブレット端末の中に広汎に応用されている。受動素子の寸法サイズについて微細化が継続的に進むなかで、技術上またはプロセス上に限界を必然的に迎えざるをえず、このため、「埋込式受動素子」（Ｅｍｂｅｄｄｅｄ ｐａｓｓｉｖｅｓ）の技術は、近年再び注目を集めていることが推知される。特に、スリー・エム・イノベティブ・プロパティ・カンパニー（３Ｍ Ｉｎｎｏｖａｔｉｖｅ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ Ｃｏｍｐａｎｙ）より提案された受動的電気構造（Ｐａｓｓｉｖｅ ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ ａｒｔｉｃｌｅ）が米国特許出願公開第２００６／０２８６６９６（Ａ１）号（特許文献１）に開示されていた。

【0005】

図１は、従来技術の受動的電気構造を示す模式的斜視図である。図１に示すように、従来技術の受動的電気構造ＰＥ´は、第１圧延銅層１１´と、電気抵抗層１２´と、絶縁層１３´と、第２圧延銅層１４´とを含む。その内、電気抵抗層１２´は、ニッケル・リン化合物（Ｎｉ－Ｐ ｃｏｍｐｏｕｎｄ）であり、かつ前記絶縁層１３´は、例えば、厚み範囲が６μｍ～２０μｍであるポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ，ＰＩ）のような重合体である。その内、第１圧延銅層１１´と前記電気抵抗層１２´とで銅箔電気抵抗１´に構成されてなる。特に説明したいところは、さらに誘電体粒子を前記ポリイミド（絶縁層１３´）にドープしてもよい。そして、前記受動的電気構造ＰＥ´のプロセスは次のステップ（１）～（３）を含む。
（１）適当な厚みの第１圧延銅層１１´を用意し、電気めっき技術を利用してその表面に、電気抵抗層１２´として厚みが１μｍより小さい一層のニッケル・リン化合物（Ｎｉ－Ｐ ａｌｌｏｙ）を形成して、銅箔電気抵抗１´の製作を完了する。
（２）適当な厚みの第２圧延銅層１４´を用意し、その表面に、厚みが６～２０μｍである一層の絶縁層１３´（ＰＩ）を形成して、銅箔絶縁体１ａ´の製作を完了する。
（３）前記電気抵抗層１２´と前記絶縁層１３´を相互に貼り合わせる方式によって、係る銅箔電気抵抗１´と係る銅箔絶縁体１ａ´を結合させて、所要な受動的電気構造ＰＥ´を取得する。

【0006】

一般として、前記第２圧延銅層１４´と前記第１圧延銅層１１´の厚みが３６μｍであり、つまり、前記受動的電気構造ＰＥ´全体の厚みが７９μｍ～９３μｍの範囲に入るようになる。しかし、特に注意すべきところは、ニッケル・リン化合物で電気めっきプロセスを介して第１圧延銅層１１´のマット面（Ｍａｔｔ ｓｉｄｅ）の上に係る電気抵抗層１２´を形成するため、その電気めっきプロセスで発生する大量の高リン電気めっき液は、反って廃水の排水と処理に新たに問題が派生する。
一方、曲げ試験機を用いて直径φ４ｍｍの丸棒で前記受動的電気構造ＰＥ´に対して曲げテストを行い、この曲げテストが完了するまでの過程において、前記受動的電気構造ＰＥ´に対して４０回を超えるような曲げを行った後、前記第１圧延銅層１１´と前記電気抵抗層１２´との間に既に剥離現象が現れ始めることを発見した。この現象の原因は、電気めっきの基材である銅層のマット面にあると考えられ、前記電気抵抗層１２´が、粗度がとても高いマット面に沿って核生成と成長していくと、前記電気抵抗層１２´の被膜の連続性が悪く、孔が多くて緻密化が進まなくなる。このことを微視的に見ると、機械性質に影響を及ぼすだけではなく、前記電気抵抗層１２´の抵抗値を極限まで低くすることもできないことは、素子設計のボトルネックとなってしまう。前記第１圧延銅層１１´とニッケル・リン化合物により作製される前記電気抵抗層１２´との間の接合性には、依然として改善する余地があることが顕現される。

【0007】

以上の説明に続き、前記銅箔電気抵抗１´を含む前記受動的電気構造ＰＥ´の上に、電子回路に必要な電気抵抗素子を製作しようとする場合には、前記受動的電気構造ＰＥ´に対して少なくとも３回のエッチングプロセスを施さなければならない。プロセスの需要に応じて、第１段階にて、不要な回路の領域にある銅箔と、その底部にある電気抵抗層１２´（ニッケル・リン化合物）をそれぞれエッチング液を用いて除去する必要がある。第２段階にて、引き続きエッチング液を用いて所定の電気抵抗領域にある銅箔を除去する。ニッケル・リン化合物の耐銅食薬液の性能が比較的に劣るので、電気抵抗素子の製品の信頼性が好ましくないことを避けるために、及び顧客からの回路寸法精度への要求を満たすために、エッチング作業を少なくとも３回経る必要がある。作業回数が多ければ多いほど、それに伴って品質と歩留り率に問題が発生してくる。それに加えて、現像・エッチング技術を用いて前記受動的電気構造ＰＥ´に電子回路を製作した後、前記電子回路の線幅／線ピッチが、通常、３０ミクロン／３０ミクロンよりも大きいのは、前記銅箔電気抵抗１´の被膜の緻密度と連続性がまだ完璧に至らないことに起因するものである。

【0008】

このほか、オーク・ミツイ・インコーポレイテッド（Ｏａｋ－Ｍｉｔｓｕｉ Ｉｎｃ．）より提案された抵抗器及びコンデンサ形成のための多層化構造（Ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒｅｄ ｃｏｎｓｔｒｕｃｔｉｏｎ ｆｏｒ ｒｅｓｉｓｔｏｒ ａｎｄ ｃａｐａｃｉｔｏｒ ｆｏｒｍａｔｉｏｎ）が米国特許第７１９２６５４（Ｂ２）号（特許文献２）に開示されていた。
図２は、従来技術の抵抗器及びコンデンサ形成のための多層化構造を示す模式的斜視図である。図２に示すように、従来技術の抵抗器及びコンデンサ形成のための多層化構造ＭＳ´は、第１圧延銅層２１´と、電気抵抗層２２´と、第１誘電体層２３´と、絶縁層２４´と、第２誘電体層２５´と、第２圧延銅層２６´とを含む。その内、係る絶縁層２４´は、例えば、厚み範囲が６μｍ～２０μｍであるポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ，ＰＩ）のような重合体であり、かつ前記第１圧延銅層２１´と前記電気抵抗層２２´とで銅箔電気抵抗２´に構成されてなる。そして、前記抵抗器及びコンデンサ形成のための多層化構造ＭＳ´のプロセスは次のステップ（１）～（３）を含む。
（１）適当な厚みの第１圧延銅層２１´を用意し、電気めっき技術を利用してその表面に、前記電気抵抗層２２´として厚みが１μｍより小さい一層のニッケル・リン化合物を形成して、銅箔電気抵抗２´の製作を完了する。
（２）適当な厚みの絶縁層（ＰＩ）２４´と、第１誘電体層２３´と、第２誘電体層２５´とを用意し、前記第１誘電体層２３´と前記第２誘電体層２５´を前記絶縁層２４´の一表面と、もう一つの表面にそれぞれ貼り付けて、誘電絶縁体２ａ´を取得する。
（３）適当な厚みの第２圧延銅層２６´を用意し、前記第２圧延銅層２６´と、前記誘電絶縁体２ａ´と、前記銅箔電気抵抗２´とを順に積層する。その内、前記銅箔電気抵抗２´の前記電気抵抗層２２´と前記誘電絶縁体２ａ´の前記第１誘電体層２３´とを相互に貼り合わせる。

【0009】

一般として、前記第２圧延銅層２６´と前記第１圧延銅層２１´の厚みが３６μｍであり、前記第１誘電体層２３´と前記第２誘電体層２５´の厚みが８μｍであり、かつ係る絶縁層２４´の厚みが６μｍ～２０μｍである。つまり、抵抗器及びコンデンサ形成のための多層化構造ＭＳ´全体の厚みが９４μｍ～１０８μｍの範囲に入るようになる。

【0010】

そして、特許文献１で開示された受動的電気構造ＰＥ´との共通点は、ニッケル・リン化合物で電気めっきプロセスを介して前記第１圧延銅層２１´のマット面（Ｍａｔｔ ｓｉｄｅ）の上に係る電気抵抗層２２´を形成するため、その電気めっきプロセスで発生する大量の高リン電気めっき液は、廃水の排水と処理に新たに問題が派生する点である。
一方、曲げ試験機を用いて直径φ４ｍｍの丸棒で抵抗器及びコンデンサ形成のための多層化構造ＭＳ´に対して曲げテストを行い、この曲げテストが完了するまでの過程において、抵抗器及びコンデンサ形成のための多層化構造ＭＳ´に対して４０回を超えるような曲げを行った後、前記第１圧延銅層２１´と前記電気抵抗層２２´との間に既に剥離現象が現れ始めることを発見した。この現象の原因は、電気めっきの基材である銅層のマット面にあると考えられ、電気抵抗層が、粗度がとても高いマット面に沿って核生成と成長していくと、電気抵抗層の被膜の連続性が悪く、孔が多くて緻密化が進まなくなる。このことを微視的に見ると、機械性質に影響を及ぼすだけではなく、電気抵抗層の抵抗値を極限まで低くすることもできないことは、素子設計のボトルネックとなってしまう。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0011】

【特許文献1】米国特許出願公開第２００６／０２８６６９６（Ａ１）号明細書

【特許文献2】米国特許第７１９２６５４（Ｂ２）号明細書

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0012】

上記の説明から分かるように、現有の抵抗器、インダクタとコンデンサを形成した多層化構造には、明らかに数多くの欠点があり、かつ全体の厚みが厚すぎ、例えば、厚みが１２ミクロン以上の銅箔導電層、厚みが１０ミクロン以上の誘電体層、厚みが１００ミクロン以上のガラス繊維強化エポキシ樹脂と緑色インクガラス繊維強化エポキシ樹脂硬板のように、厚膜設計を主にすることが多く、従って軽量薄肉化を有効に実現することができなかった。
そこで、上記に鑑み、本願の発明者は、発明を鋭意研究考案した結果、遂に本発明に係るフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造及び前記フレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造を使用した電気回路基板構造を研究開発して完了させた。

【課題を解決するための手段】

【0013】

本発明の主な目的は、第１導電金属層と、第１電気抵抗層と、第１誘電体層と、可撓性支持層と、第２誘電体層と、第２電気抵抗層と、第２導電金属層とを含むフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造を提供することである。
特に、本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造に対して２回の現像・エッチング処理を施した後、そのフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造の頂部表面の上に、少なくとも１つの薄膜電気抵抗と、少なくとも１つの薄膜インダクタと、少なくとも１つの薄膜コンデンサとを含む第１電子回路が製作される。そして、同時にそのフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造の底部表面の上に、少なくとも１つの薄膜電気抵抗と、少なくとも１つの薄膜インダクタと、少なくとも１つの薄膜コンデンサとを含む第２電子回路も製作される。勿論、フレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造の上に導通孔を製作する方式によって、前記第１電子回路を前記第２電子回路に接続させることができる。

【0014】

本発明は、上記の主要な目的を達成するために、係るフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造の第１実施例を提供する。
このフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造は、第１導電金属層と、その一表面が前記第１導電金属層の一表面に結合され、かつニッケル、クロム、タングステン、ニッケル金属化合物、クロム金属化合物、タングステン金属化合物、ニッケル基合金、クロム基合金またはタングステン基合金から作製される第１電気抵抗層と、その一表面が前記第１電気抵抗層の他表面に結合される第１誘電体層と、その一表面が前記第１誘電体層の他表面に結合される可撓性支持層と、その一表面が前記可撓性支持層の他表面に結合される接合層と、前記接合層の他表面の上に形成される第２導電金属層とを含む。

【0015】

本発明は、上記の主要な目的を達成するために、係るフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造の第２実施例を提供する。
このフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造は、第１導電金属層と、その一表面が前記第１導電金属層の一表面に結合され、かつニッケル、クロム、タングステン、ニッケル金属化合物、クロム金属化合物、タングステン金属化合物、ニッケル基合金、クロム基合金またはタングステン基合金から作製される第１電気抵抗層と、その一表面が前記第１電気抵抗層の他表面に結合される第１誘電体層と、その一表面が前記第１誘電体層の他表面に結合され、かつニッケル、クロム、タングステン、ニッケル金属化合物、クロム金属化合物、タングステン金属化合物、ニッケル基合金、クロム基合金またはタングステン基合金から作製される第２電気抵抗層と、前記第２電気抵抗層の他表面の上に形成される第２導電金属層とを含む。

【0016】

本発明は、上記の主要な目的を達成するために、係るフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造の第３実施例を提供する。
このフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造は、第１導電金属層と、その一表面が前記第１導電金属層の一表面に結合され、かつニッケル、クロム、タングステン、ニッケル金属化合物、クロム金属化合物、タングステン金属化合物、ニッケル基合金、クロム基合金またはタングステン基合金から作製される第１電気抵抗層と、その一表面が前記第１電気抵抗層の他表面に結合される第１誘電体層と、その一表面が前記第１誘電体層の他表面に結合される可撓性支持層と、その一表面が前記可撓性支持層の他表面に結合される第２誘電体層と、その一表面が前記第２誘電体層の他表面に結合され、かつニッケル、クロム、タングステン、ニッケル金属化合物、クロム金属化合物、タングステン金属化合物、ニッケル基合金、クロム基合金またはタングステン基合金から作製される第２電気抵抗層と、前記第２電気抵抗層の他表面の上に形成される第２導電金属層とを含む。

【0017】

本発明は、上記の主要な目的を達成するために、係るフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造の第４実施例を提供する。
このフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造は、第１導電金属層と、その一表面が前記第１導電金属層の一表面に結合され、かつニッケル、クロム、タングステン、ニッケル金属化合物、クロム金属化合物、タングステン金属化合物、ニッケル基合金、クロム基合金またはタングステン基合金から作製される第１電気抵抗層と、その一表面が前記第１電気抵抗層の他表面に結合される第１可撓性支持層と、その一表面が前記第１可撓性支持層の他表面に結合される第１誘電体層と、その一表面が前記第１誘電体層の他表面に結合される第２可撓性支持層と、その一表面が前記第２可撓性支持層の他表面に結合され、かつニッケル、クロム、タングステン、ニッケル金属化合物、クロム金属化合物、タングステン金属化合物、ニッケル基合金、クロム基合金またはタングステン基合金から作製される第２電気抵抗層と、前記第２電気抵抗層の他表面の上に形成される第２導電金属層とを含む。

【0018】

前述した本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造のいずれか１つの実施例において、前記第１誘電体層及び／または前記第２誘電体層は、第１誘電体定数と第１損失係数を有する第１誘電体材料と、第２誘電体定数と第２損失係数を有し、誘電体定数調整剤として機能する第２誘電体材料と、高分子粘結材料とを含有し、その内、前記高分子粘結材料で前記第１誘電体材料と前記第２誘電体材料とを粘結した後、半固化型誘電体材料を得、前記半固化型誘電体材料は、タブレット焼結工程を経た後に係る第１誘電体層及び／または係る第２誘電体層に成層される。

【0019】

前述した本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造のいずれか１つの実施例において、焼結工程を経過した後、前記第１誘電体材料の前記第１誘電体定数が９９９よりも大きく、かつそれに係る第１損失係数が０．０２９よりも小さく、かつ前記第１誘電体材料は、チタン酸バリウム、一酸化鉛（ＰｂＯ）がドープされたチタン酸バリウム、酸化イットリウム（Ｙ_２Ｏ_３）がドープされたチタン酸バリウム、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）がドープされたチタン酸バリウム、及び酸化カルシウム（ＣａＯ）がドープされたチタン酸バリウムのうちのいずれか１種であってもよい。

【0020】

前述した本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造のいずれか１つの実施例において、焼結工程を経過した後、前記第２誘電体材料の前記第２誘電体定数が５よりも小さく、かつそれに係る第２損失係数が０．０１よりも小さく、かつ前記第２誘電体材料は、フッ化ポリビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、及びポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）のうちのいずれか１種であってもよい。

【0021】

前述した本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造のいずれか１つの実施例において、前記第１誘電体層及び／または前記第２誘電体層の誘電体定数が８よりも大きく、かつその損失係数が０．０２よりも小さい。

【0022】

前述した本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造のいずれか１つの実施例において、前記高分子粘結材料は、半固化特性を持ち、かつそれはエポキシ樹脂（Ｅｐｏｘｙ）、フッ化ポリビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリイミド（ＰＩ）、及びリン含有樹脂のうちのいずれか１種であってもよい。

【0023】

前述した本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造のいずれか１つの実施例において、係るエポキシ樹脂（Ｅｐｏｘｙ）は、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ノボラックエポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型ノボラックエポキシ樹脂、オルソクレゾールエポキシ樹脂、三官能エポキシ樹脂、四官能エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエンエポキシ樹脂、リン含有エポキシ樹脂、ｐ－キシレンエポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニルノボラックエポキシ樹脂、及びクレゾールフェニルノボラックエポキシ樹脂のうちのいずれか１種であってもよいし、またはそれらのいずれか２種の組合せであってもよいし、もしくはそれらのいずれか２種以上の組合せであってもよい。

【0024】

前述した本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造のいずれか１つの実施例において、係るリン含有樹脂は、９，１０－ジヒドロ－９－オキサ－１０－ホスファフェナントレン－１０－オキシド、及びリン含有ビスフェノールＡ型フェノール樹脂のうちのいずれか１種であってもよい。

【0025】

前述した本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造のいずれか１つの実施例において、前記第１誘電体層及び／または前記第２誘電体層は、いずれも硬化材料をさらに含有し、かつ前記硬化材料は、架橋剤、硬化促進剤、難燃剤、レベリング剤、消泡剤、分散剤、沈降防止剤、下地処理剤、界面活性剤、靭性改質剤、及び溶剤のうちのいずれか１種であってもよい。

【0026】

前述した本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造のいずれか１つの実施例において、係る架橋剤は、アミン付加物であり、かつ前記アミン付加物は、ジアミノジフェニルスルホン、ヒドラジド、ジヒドラジド、ジシアンジアミド、及びアジピン酸ジヒドラジドのうちのいずれか１種であってもよい。

【0027】

前述した本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造のいずれか１つの実施例において、係る硬化促進剤は、イミダゾール、三フッ化ホウ素アミン錯体、塩化エチルトリフェニルホスフィン、２－メチルイミダゾール、２－フェニルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、トリフェニルホスフィン、及びジメチルアミノピリジンのうちのいずれか１種であってもよい。

【0028】

前述した本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造のいずれか１つの実施例において、係る難燃剤は、ビスフェノールビフェニルリン酸エステル、ポリリン酸アンモニウム、ヒドロキノン－ビス－（ジフェニルリン酸エステル）、トリス（２－カルボキシエチル）ホスフィン、トリス（イソプロピルクロリド）リン酸エステル、トリメチルリン酸エステル、ジメチル－メチルリン酸エステル、レゾルシノールビスジメチルフェニルリン酸エステル、ポリリン酸メラミン、ホスファゾ化合物、及びホスファゼン化合物のうちのいずれか１種であってもよい。

【0029】

前述した本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造のいずれか１つの実施例において、係る界面活性剤は、シラン化合物、シロキサン化合物、及びアミノシラン化合物のうちのいずれか１種であってもよいし、またはそれらのいずれか２種の重合体であってもよいし、もしくはそれらのいずれか２種以上の重合体であってもよい。

【0030】

前述した本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造のいずれか１つの実施例において、係る靭性改質剤は、ゴム樹脂、ポリブタジエン、及びコアシェル重合体のうちのいずれか１種であってもよい。

【0031】

前述した本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造のいずれか１つの実施例において、係る溶剤は、メチルベンゼン、ジメチルベンゼン、エチレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオン酸塩、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、及びジエチレングリコールモノブチルエーテルのうちのいずれか１種であってもよい。

【0032】

前述した本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造のいずれか１つの実施例において、係るレベリング剤は、ドイツＢＹＫ－Ｃｈｅｍｉｅ社製の二酸化ケイ素上に吸着した顔料親和性基を有する共重合体であってもよく、例えば、ＢＹＫ－３９５０Ｐ、ＢＹＫ－３９５１Ｐ、ＢＹＫ－３９５５Ｐ及びＤｉｓｐｅｒｂｙｋ－２２００などが挙げられる。

【0033】

前述した本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造のいずれか１つの実施例において、係る消泡剤は、ドイツＢＹＫ－Ｃｈｅｍｉｅ社製のイソパラフィンまたはパラフィン系とナフテン系の混合物であってもよく、例えば、ＢＹＫ－１７９０、ＢＹＫ－１７９４及びＢＹＫ－Ａ５３０などが挙げられる。

【0034】

前述した本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造のいずれか１つの実施例において、係る沈降防止剤と液状レオロジーコントロール剤は、ドイツＢＹＫ－Ｃｈｅｍｉｅ社製の変性ウレア溶液であってもよく、例えば、ＢＹＫ－７４１０ＥＴが挙げられる。

【0035】

前述した本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造のいずれか１つの実施例において、係る湿潤分散剤は、ドイツＢＹＫ－Ｃｈｅｍｉｅ社製の水酸基含有カルボン酸エステル、線状高分子共重合体、または高度分岐構造のポリエステルとアクリル酸の共重合体であってもよく、例えば、Ｄｉｓｐｅｒｂｙｋ－１０７、Ｄｉｓｐｅｒｂｙｋ－１１１、Ｄｉｓｐｅｒｂｙｋ－１１８、Ｄｉｓｐｅｒｂｙｋ－２０１３及びＤｉｓｐｅｒｂｙｋ－９０１０などが挙げられる。

【0036】

前述した本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造のいずれか１つの実施例において、係る基材濡れ剤は、ドイツＢＹＫ－Ｃｈｅｍｉｅ社製のフッ素不含ポリエーテル変性ジメチルシロキサン及びポリエーテル変性ポリジメチルシロキサンであってもよく、例えば、ＢＹＫ－３４５５及びＢＹＫ－３３３などが挙げられる。

【発明の効果】

【0037】

前記フレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造の中において、前記第１誘電体層と前記第２誘電体層は、特別に設計された誘電体材料で製作されるので、その誘電体定数（Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ｃｏｎｓｔａｎｔ）４～６８の間にあり、かつその誘電体損失が０．０２よりも小さい。さらに進んで、フレキシブルプリント電気回路基板（ＦＰＣ）として応用される以外に、本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造と少なくとも１つの電気回路基板とを組み合わせてなるリジッドフレックス基板（Ｒｉｇｉｄ－ｆｌｅｘ ｂｏａｒｄ）としても応用可能となる。

【図面の簡単な説明】

【0038】

【図1】従来技術の受動的電気構造を示す模式的斜視図である。

【図2】従来技術の抵抗器及びコンデンサ形成のための多層化構造を示す模式的斜視図である。

【図3A】本発明に係るフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造の第１実施例を示す模式的斜視図である。

【図3B】本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造の第２実施例を示す模式的斜視図である。

【図3C】本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造の第３実施例を示す模式的斜視図である。

【図3D】本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造の第４実施例を示す模式的斜視図である。

【図4】本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造を示す模式的製作手順図である。

【図5】本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造を示す模式的製作手順図である。

【図6】本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造を示す模式的製作手順図である。

【図7A】本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造を備える電気回路基板構造の現像エッチングプロセスを示す動作分解図である。

【図7B】本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造を備える電気回路基板構造の現像エッチングプロセスを示す動作分解図である。

【図7C】本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造を備える電気回路基板構造の現像エッチングプロセスを示す動作分解図である。

【図7D】本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造を備える電気回路基板構造の現像エッチングプロセスを示す動作分解図である。

【図8】特許文献１に開示された銅箔電気抵抗のサンプルの電子後方散乱回折（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｂａｃｋ－ｓｃａｔｔｅｒｅｄ ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ，ＥＢＳＤ）画像を示す図である。

【図9】本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造の銅箔電気抵抗のサンプルのＥＢＳＤ画像を示す図である。

【図10】曲げテストの実行手順を示す模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0039】

本発明が提出した一種のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造及び前記フレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造を使用した電気回路基板構造をより明瞭に記述するために、添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施例を以下に詳述する。

【0040】

（フレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造）
図３Ａは、本発明に係るフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造の第１実施例を示す模式的斜視図である。図３Ａに示すように、本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造ＰＳＤは、第１導電金属層１１と、第１電気抵抗層１２と、第１誘電体層Ｉｅ１と、可撓性支持層ＦＳと、接合層Ａｄと、第２導電金属層２１とを含む。その内、第１導電金属層１１と第２導電金属層２１の厚みが０．４ミクロン～５０ミクロンである。かつそれらのプロセス材料は、例えば、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀複合物、銅複合物、金複合物、アルミニウム複合物のうちのいずれか１種であってもよいし、またはそれらのいずれか２種の複合物であってもよいし、もしくはそれらのいずれか２種以上の複合物であってもよい。

【0041】

図３Ａに示すように、第１電気抵抗層１２は、その一表面が第１導電金属層１１の一表面に結合され、かつその厚みが２ミクロンよりも小さい。よく見られる第１導電金属層１１の材質が銅であり、かつスパッタリングプロセスを介して係る第１電気抵抗層１２が第１導電金属層１１の上に形成される。勿論、第１電気抵抗層１２のプロセス時間を短縮するために、第１電気抵抗層１２の製作が完了できるように、一部にスパッタリングを施し、一部に電気めっきを施す方式を採用してもよい。しかしながら、強調すべきことは、スパッタリングによって形成される第１電気抵抗層１２は、より高い被膜の緻密度と連続性を有するということである。本発明において、第１電気抵抗層１２のプロセス材料としては、ニッケル、クロム、タングステン、ニッケル金属化合物、クロム金属化合物、タングステン金属化合物、ニッケル基合金、クロム基合金またはタングステン基合金が挙げられる。その内、第１電気抵抗層１２の模範的な材料を下記の表１にまとめて示す。

【0042】

【表1】

【0043】

式中、ｘ、ｙ、ｚは原子数百分率を表し、かつｘ＋ｙ＋ｚ＝１である。なおかつ、Ｍは、例えば、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、鉄（Ｆｅ）、アルミニウム（Ａｌ）、またはチタン（Ｔｉ）などの金属を表す。一方、Ｍとは反対に、Ｎは、例えば、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、窒素（Ｎ）、酸素（Ｏ）、またはケイ素（Ｓｉ）などの非金属を表す。

【0044】

より詳細に説明すると、第１誘電体層Ｉｅ１は、その一表面が第１電気抵抗層１２の他表面に結合され、かつ可撓性支持層ＦＳは、その一表面が第１誘電体層Ｉｅ１の他表面に結合される。本発明の設計によれば、第１誘電体層Ｉｅ１の厚みが０．０１ミクロン～５０ミクロンであり、かつ可撓性支持層ＦＳの厚みが５ミクロン～３５０ミクロンである。一般的に言えば、第１誘電体層Ｉｅ１は、ポリマーマトリックス（Ｐｏｌｙｍｅｒ ｍａｔｒｉｘ）と、前記ポリマーマトリックスにドープされた複数個の誘電体粒子とを含むものであってもよく、その内、前記誘電体粒子の材料は、高誘電体材料、誘電体材料、及び低誘電体材料のうちのいずれか１種であってもよいし、またはそれらのいずれか２種の混合物であってもよい。異なる種類の誘電体粒子をただ参考として下記の表２に列記するが、第１誘電体層Ｉｅ１の材料成分はそれらに制限されるものではない。しかし、さらに説明すべきことは、係る第１誘電体層Ｉｅ１は、一層のスパッタリング層であってもよい。特に、前記スパッタリング層には、ペロブスカイト（ｐｅｒｏｖｓｋｉｔｅ）構造またはスピネル（ｓｐｉｎａｌ）構造を含み、かつ微量元素を添加し、その内、前記微量元素は、ランタン系元素、オスミウム系元素、希土類元素、及びアルカリ土類元素のうちのいずれか１種であってもよい。説明に値することは、係る微量元素は、ペロブスカイト（ｐｅｒｏｖｓｋｉｔｅ）構造またはスピネル（ｓｐｉｎａｌ）構造の内部のドナー（ｄｏｎｎｅｒ）とアクセプター（ａｃｃｅｐｔｅｒ）の数を調整することによって、スパッタリング層全体に低／高ｋ値（ｌｏｗ／ｈｉｇｈ ｋ）と、高Ｑ値（ｈｉｇｈ Ｑ）の誘電体特性を達することができる。

【0045】

【表2】

【0046】

一方、係る可撓性支持層ＦＳは、軟性基板であってもよい。より詳細に説明すると、軟性基板の厚みが２００ミクロン以下であれば、可撓性を確保することができる。本発明において、可撓性支持層ＦＳのプロセス材料は、ゴム樹脂、ポリブタジエン、コアシェル重合体、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＶＤＦ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、エポキシ樹脂（Ｅｐｏｘｙ）のうちのいずれか１種であってもよいし、またはそれらのいずれか２種のポリマーブレンド物であってもよいし、もしくはそれらのいずれか２種以上のポリマーブレンド物であってもよい。

【0047】

それに加えて、接合層Ａｄは、その一表面が可撓性支持層ＦＳの他表面に結合されると共に、その厚みが２ミクロン以下である。本発明において、接合層Ａｄのプロセス材料は、ニッケル、クロム、タングステン、ニッケル金属化合物、クロム金属化合物、タングステン金属化合物、ニッケル基合金、クロム基合金またはタングステン基合金のうちのいずれか１種であってもよく、模範的な材料については、上記の表１を参照することができる。一方、接合層Ａｄのプロセス材料は、例えばニッケル銅合金、ニッケルチタン合金、銅チタン合金またはクロムニッケル合金であってもよい。

【0048】

図３Ｂは、本発明に係るフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造の第２実施例を示す模式的斜視図である。図３Ｂに示すように、本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造ＰＳＤの第２実施例は、第１導電金属層１１と、第１電気抵抗層１２と、第１誘電体層Ｉｅ１と、第２電気抵抗層２２と、第２導電金属層２１とを含む。一方、図３Ｃは、本発明に係るフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造の第３実施例を示す模式的斜視図である。図３Ｃに示すように、本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造ＰＳＤの第３実施例は、第１導電金属層１１と、第１電気抵抗層１２と、第１誘電体層Ｉｅ１と、可撓性支持層ＦＳと、第２誘電体層Ｉｅ２と、第２電気抵抗層２２と、第２導電金属層２１とを含む。図３Ｂと図３Ｃとを比較してから、第３実施例のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造ＰＳＤは、可撓性支持層ＦＳと、第２誘電体層Ｉｅ２とをさらに含み、これら二層を、第２電気抵抗層２２と第１誘電体層Ｉｅ１との間に挟んで設置するようにしてもよいことを見出した。より詳細に説明すると、可撓性支持層ＦＳは、その一表面が第１誘電体層Ｉｅ１の他表面に結合され、かつ第２誘電体層Ｉｅ２は、その一表面が可撓性支持層ＦＳの他表面に結合されることで、第２電気抵抗層２２は、その一表面が第２誘電体層Ｉｅ２の他表面に結合される。特に強調すべきこととしては、前述の説明では、第１誘電体層Ｉｅ１の常用プロセス材料を既に紹介しており、かつ第２誘電体層Ｉｅ２の常用プロセス材料は、第１誘電体層Ｉｅ１と基本的に同様であるので、繰り返し説明を省略する。

【0049】

さらに、図３Ｄは、本発明に係るフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造の第４実施例を示す模式的斜視図である。図３Ｄに示すように、本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造ＰＳＤの第４実施例は、第１導電金属層１１と、第１電気抵抗層１２と、第１可撓性支持層ＦＳ１と、第１誘電体層Ｉｅ１と、第２可撓性支持層ＦＳ２と、第２電気抵抗層２２と、第２導電金属層２１とを含む。その内、第１電気抵抗層１２は、その一表面が第１導電金属層１１の一表面に結合され、第１可撓性支持層ＦＳ１は、その一表面が第１電気抵抗層１２の他表面に結合され、第１誘電体層Ｉｅ１は、その一表面が第１可撓性支持層ＦＳ１の他表面に結合され、第２可撓性支持層ＦＳ２は、その一表面が第１誘電体層Ｉｅ１の他表面に結合され、かつ第２電気抵抗層２２は、その一表面が第２可撓性支持層ＦＳ２の他表面に結合される。さらに、第２導電金属層２１は、第２電気抵抗層２２の他表面の上に形成される。

【0050】

特に説明したいところは、本発明の主な技術的特徴は、材料設計を利用することで、第２誘電体層Ｉｅ２及び／または第１誘電体層Ｉｅ１の誘電体定数を４～６８の範囲内に簡単に調節制御することができ、かつ同時に第２誘電体層Ｉｅ２と第１誘電体層Ｉｅ１の誘電体損失が０．０２よりも小さくなる。材料組成の面から、本発明では、第２誘電体層Ｉｅ２と第１誘電体層Ｉｅ１は、いずれも第１誘電体材料と、第２誘電体材料と、高分子粘結材料と、硬化材料とを含有する。その内、前記第１誘電体材料は、高誘電体定数と低損失係数を有する。かつ、第２誘電体材料は、誘電体定数調整剤として機能し、かつ低誘電体定数と低損失係数を有する。第１誘電体材料を選択する条件としては、焼結を経過した後、第１誘電体材料の誘電体定数が９９９よりも大きいこと（即ち、≧１０００）が必要であり、かつその損失係数が０．０２９よりも小さいこと（即ち、≦０．０３）が必要である。よって、第１誘電体材料として適用されるものは、チタン酸バリウム、一酸化鉛（ＰｂＯ）がドープされたチタン酸バリウム、酸化イットリウム（Ｙ_２Ｏ_３）がドープされたチタン酸バリウム、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）がドープされたチタン酸バリウム、または酸化カルシウム（ＣａＯ）がドープされたチタン酸バリウムであってもよい。その一方で、第２誘電体材料を選択する条件としては、焼結を経過した後、第２誘電体材料の誘電体定数が５よりも小さいことが必要であり、かつその損失係数が０．０１よりも小さいことが必要である。よって、第２誘電体材料として適用されるものは、フッ化ポリビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、またはポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）であってもよい。

【0051】

本発明において、高分子粘結材料は、半固化特性を持たなければならない。つまり、加熱加圧すると軟化する一方、冷却後に反応を起こせば固化する特性を持たなければならない。このため、係る高分子粘結材料を利用して前述の第１誘電体材料と第２誘電体材料とを粘結した後、半固化型誘電体材料を取得することができ、前記半固化型誘電体材料は、タブレット焼結工程を経た後に係る第１誘電体層Ｉｅ１と係る第２誘電体層Ｉｅ２とに成層される。本発明は、第１誘電体材料と第２誘電体材料を適切に選択するので、最終に作製される第１誘電体層Ｉｅ１と第２誘電体層Ｉｅ２の誘電体定数が８よりも大きく、かつその損失係数が０．０２よりも小さい。補足説明すると、前記高分子粘結材料は、エポキシ樹脂（Ｅｐｏｘｙ）、フッ化ポリビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリイミド（ＰＩ）、及びリン含有樹脂のうちのいずれか１種であってもよい。

【0052】

より詳細に説明すると、係るエポキシ樹脂（Ｅｐｏｘｙ）は、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ノボラックエポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型ノボラックエポキシ樹脂、オルソクレゾールエポキシ樹脂、三官能エポキシ樹脂、四官能エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエンエポキシ樹脂、リン含有エポキシ樹脂、ｐ－キシレンエポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニルノボラックエポキシ樹脂、及びクレゾールフェニルノボラックエポキシ樹脂のうちのいずれか１種であってもよいし、またはそれらのいずれか２種の組合せであってもよいし、もしくはそれらのいずれか２種以上の組合せであってもよい。一方、係る高分子粘結材料として適用されるリン含有樹脂は、９，１０－ジヒドロ－９－オキサ－１０－ホスファフェナントレン－１０－オキシド、及びリン含有ビスフェノールＡ型フェノール樹脂のうちのいずれか１種であってもよい。

【0053】

高分子粘結材料、第１誘電体材料と第２誘電体材料のほかに、第１誘電体層Ｉｅ１と第２誘電体層Ｉｅ２の材料組成は、硬化材料をさらに含有し、かつ前記硬化材料は、架橋剤、硬化促進剤、難燃剤、レベリング剤、消泡剤、分散剤、沈降防止剤、下地処理剤、界面活性剤、靭性改質剤、及び溶剤のうちのいずれか１種であってもよい。より詳細に説明すると、架橋剤は、アミン付加物であり、かつ前記アミン付加物は、ジアミノジフェニルスルホン、ヒドラジド、ジヒドラジド、ジシアンジアミド、及びアジピン酸ジヒドラジドのうちのいずれか１種であってもよい。一方、係る硬化促進剤は、イミダゾール、三フッ化ホウ素アミン錯体、塩化エチルトリフェニルホスフィン、２－メチルイミダゾール、２－フェニルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、トリフェニルホスフィン、及びジメチルアミノピリジンのうちのいずれか１種であってもよい。

【0054】

以上の説明に続き、係る難燃剤は、ビスフェノールビフェニルリン酸エステル、ポリリン酸アンモニウム、ヒドロキノン－ビス－（ジフェニルリン酸エステル）、トリス（２－カルボキシエチル）ホスフィン、トリス（イソプロピルクロリド）リン酸エステル、トリメチルリン酸エステル、ジメチル－メチルリン酸エステル、レゾルシノールビスジメチルフェニルリン酸エステル、ポリリン酸メラミン、ホスファゾ化合物、及びホスファゼン化合物のうちのいずれか１種であってもよい。そして、係る界面活性剤は、シラン化合物、シロキサン化合物、及びアミノシラン化合物のうちのいずれか１種であってもよいし、またはそれらのいずれか２種の重合体であってもよいし、もしくはそれらのいずれか２種以上の重合体であってもよい。一方、係る靭性改質剤は、ゴム樹脂、ポリブタジエン、及びコアシェル重合体のうちのいずれか１種であってもよい。それに加えて、係る溶剤は、メチルベンゼン、ジメチルベンゼン、エチレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオン酸塩、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、及びジエチレングリコールモノブチルエーテルのうちのいずれか１種であってもよい。

【0055】

さらに説明すると、レベリング剤は、ドイツＢＹＫ－Ｃｈｅｍｉｅ社製の二酸化ケイ素上に吸着した顔料親和性基を有する共重合体であってもよく、例えば、ＢＹＫ－３９５０Ｐ、ＢＹＫ－３９５１Ｐ、ＢＹＫ－３９５５Ｐ及びＤｉｓｐｅｒｂｙｋ－２２００などが挙げられる。そして、消泡剤は、ドイツＢＹＫ－Ｃｈｅｍｉｅ社製のイソパラフィンまたはパラフィン系とナフテン系の混合物であってもよく、例えば、ＢＹＫ－１７９０、ＢＹＫ－１７９４及びＢＹＫ－Ａ５３０などが挙げられる。一方、沈降防止剤と液状レオロジーコントロール剤は、ドイツＢＹＫ－Ｃｈｅｍｉｅ社製の変性ウレア溶液であってもよく（例えば、ＢＹＫ－７４１０ＥＴ）、また湿潤分散剤は、ドイツＢＹＫ－Ｃｈｅｍｉｅ社製の水酸基含有カルボン酸エステル、線状高分子共重合体、または高度分岐構造のポリエステルとアクリル酸の共重合体であってもよく、例えば、Ｄｉｓｐｅｒｂｙｋ－１０７、Ｄｉｓｐｅｒｂｙｋ－１１１、Ｄｉｓｐｅｒｂｙｋ－１１８、Ｄｉｓｐｅｒｂｙｋ－２０１３及びＤｉｓｐｅｒｂｙｋ－９０１０などが挙げられる。それに加えて、基材濡れ剤は、ドイツＢＹＫ－Ｃｈｅｍｉｅ社製のフッ素不含ポリエーテル変性ジメチルシロキサン及びポリエーテル変性ポリジメチルシロキサンであってもよく、例えば、ＢＹＫ－３４５５及びＢＹＫ－３３３などが挙げられる。

【0056】

＜フレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造の製作（一）＞
図３Ｂを継続的に参照すると共に、図４に示される本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造の模式的製作手順図を同時に参照する。本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造ＰＳＤの第２実施例の製作手順は次のステップ（１）～（４）を含む。
（１）図４の（ａ）図に示すように、スパッタリングプロセスを介して第１金属導電層１１の一表面の上に第１電気抵抗層１２を形成して、第１電気抵抗銅膜ユニットＣＲ１を取得する。
（２）図４の（ｂ）図に示すように、スパッタリングプロセスを介して第２金属導電層２１の一表面の上に第２電気抵抗層２２を形成して、第２電気抵抗銅膜ユニットＣＲ２を取得する。
（３）図４の（ｃ）図に示すように、半固化型の第１誘電体層Ｉｅ１を第１電気抵抗銅膜ユニットＣＲ１と第２電気抵抗銅膜ユニットＣＲ２との間に置き、それから三方に対して真空熱圧着接合工程を実行する。
（４）図４の（ｄ）図に示すように、係る真空熱圧着接合工程を完了させれば、本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造ＰＳＤを取得する。

【0057】

＜フレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造の製作（二）＞
図３Ｃを継続的に参照すると共に、図５に示される本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造の模式的製作手順図を同時に参照する。本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造ＰＳＤの第３実施例の製作手順は次のステップ（１ａ）～（５ａ）を含む。
（１ａ）図５の（ａ）図に示すように、スパッタリングプロセスを介して第１金属導電層１１の一表面の上に第１電気抵抗層１２を形成して、第１電気抵抗銅膜ユニットＣＲ１を取得する。
（２ａ）図５の（ｂ）図に示すように、スパッタリングプロセスを介して第２金属導電層２１の一表面の上に第２電気抵抗層２２を形成して、第２電気抵抗銅膜ユニットＣＲ２を取得する。
（３ａ）図５の（ｃ）図に示すように、塗布工程を介して半固化型の第１誘電体層Ｉｅ１と、半固化型の第２誘電体層Ｉｅ２とをそれぞれ可撓性支持層ＦＳの両表面の上に結合して、誘電体層ユニットＣＩを取得する。
（４ａ）図５の（ｄ）図に示すように、誘電体層ユニットＣＩを第１電気抵抗銅膜ユニットＣＲ１と第２電気抵抗銅膜ユニットＣＲ２との間に置き、それから三方に対して真空熱圧着接合工程を実行する。
（５ａ）係る真空熱圧着接合工程を完了させれば、本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造ＰＳＤを取得し、その内、任意の２個の接合ユニットの間に気泡や接合の不均一が発生する事態を招来しないことになる。

【0058】

＜フレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造の製作（三）＞
図３Ｄを継続的に参照すると共に、図６に示される本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造の模式的製作手順図を同時に参照する。本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造ＰＳＤの第４実施例の製作手順は次のステップ（１ｂ）～（４ｂ）を含む。
（１ｂ）図６の（ａ）図に示すように、スパッタリングプロセスを介して第１金属導電層１１の一表面の上に第１電気抵抗層１２を形成し、かつ第１可撓性支持層ＦＳ１を第１金属導電層１１の他表面に結合して、第１スタック構成ユニットＳＴ１を取得する。
（２ｂ）図６の（ｂ）図に示すように、スパッタリングプロセスを介して第２金属導電層２１の一表面の上に第２電気抵抗層２２を形成し、かつ第２可撓性支持層ＦＳ２を第２金属導電層２１の他表面に結合して、第２スタック構成ユニットＳＴ２を取得する。
（３ｂ）図６の（ｃ）図に示すように、半固化型の第１誘電体層Ｉｅ１を第１スタック構成ユニットＳＴ１と第２スタック構成ユニットＳＴ２との間に置き、それから三方に対して真空熱圧着接合工程を実行する。
（４ｂ）図６の（ｄ）図に示すように、係る真空熱圧着接合工程を完了させれば、本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造ＰＳＤを取得する。

【0059】

＜フレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造の応用＞
特に説明したいところは、本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造ＰＳＤに対して現像エッチングプロセスを施した後、その頂部表面の上に、少なくとも１つの薄膜電気抵抗（Ｆｉｌｍ ｒｅｓｉｓｔｏｒ）と、少なくとも１つの薄膜インダクタ素子（Ｆｉｌｍ ｉｎｄｕｃｔｏｒ）と、少なくとも１つの薄膜コンデンサ素子（Ｆｉｌｍ ｃａｐａｃｉｔｏｒ）とを含む第１電子回路が製作される。そして、同時にそのフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造ＰＳＤの底部表面の上に、少なくとも１つの薄膜電気抵抗素子と、少なくとも１つの薄膜インダクタと、少なくとも１つの薄膜コンデンサとを含む第２電子回路も製作されるということである。次の段落において、現像エッチングプロセスを示す動作分解図を参照しながら、それと関連する原因事由について解説する。

【0060】

図７Ａ～図７Ｄは、本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造を備える電気回路基板構造の現像エッチングプロセスを示す動作分解図である。図３Ｃと図７Ａを同時に参照する。現像エッチングプロセスを実行する際は、まず、第１フォトレジストＰＲ１を第１導電金属層１１と第２導電金属層２１の上に塗布し（図７Ａの（ａ）図と（ｂ）図を参照）、それから露光現像の方式を用いて第１導電金属層１１と第２導電金属層２１の上に１つの図案化された第１フォトレジストｐＰＲ１（図７Ａの（ａ´）図と（ｂ´）図を参照）を製作する。

【0061】

続いて、エッチング液を使用して同時に第１導電金属層１１と第１電気抵抗層１２との図案化された第１フォトレジストｐＰＲ１によって被覆されていない部分を除去すると同時に、そのエッチング液で第２導電金属層２１と第２電気抵抗層２２との図案化された第１フォトレジストｐＰＲ１によって被覆されていない部分（図７Ｂの（ａ）図と（ｂ）図を参照）を除去する。次いで、図７Ｂの（ａ´）図と（ｂ´）図に示すように、図案化された第１フォトレジストｐＰＲ１を取り除き、その後、第１誘電体層Ｉｅ１の上に図案化された第１導電金属層ｐ１１を取得すると同時に、第２誘電体層Ｉｅ２に図案化された第２導電金属層ｐ２１を取得する。補足説明すると、理解を補助するための図３Ｃに示すように、第１誘電体層Ｉｅ１と第２誘電体層Ｉｅ２とをそれぞれ係る可撓性支持層ＦＳの両表面に結合することが分かる。

【0062】

次いで、図７Ｃの（ａ）図と（ｂ）図に示すように、継続的に第２フォトレジストＰＲ２を図案化された第１導電金属層ｐ１１と第１誘電体層Ｉｅ１の上に塗布し、かつ第２フォトレジストＰＲ２は、同時に図案化された第２導電金属層ｐ２１と第２誘電体層Ｉｅ２の上に覆われる。特に説明すべきところは、図７Ｃでは第２フォトレジストＰＲ２を半透明な材質で図示していて、その目的は、図案化された第１導電金属層ｐ１１と図案化された第２導電金属層ｐ２１の後続の製造手順での変化を完全に図解するためである。図７Ｃには、特に、頂面の第２フォトレジストＰＲ２の上に第１エッチング窓Ｗ１１と第２エッチング窓Ｗ１２が開設されることを図示し、かつ第１エッチング窓Ｗ１１と第２エッチング窓Ｗ１２は、係る図案化された第１導電金属層ｐ１１に対して相対的に上方箇所に位置する。それと同時に、底面の第２フォトレジストＰＲ２の上に第３エッチング窓Ｗ２１と第４エッチング窓Ｗ２２も開設され、かつ第３エッチング窓Ｗ２１と第４エッチング窓Ｗ２２は、係る図案化された第２導電金属層ｐ２１に対して相対的に上方箇所に位置する。

【0063】

続いて、エッチング液を使用して第１エッチング窓Ｗ１１と第２エッチング窓Ｗ１２を通して図案化された第１導電金属層ｐ１１の第２フォトレジストＰＲ２によって被覆されていない部分を除去する。それと同時に、エッチング液を使用して第３エッチング窓Ｗ２１と第４エッチング窓Ｗ２２を通して図案化された第２導電金属層ｐ２１の第２フォトレジストＰＲ２によって被覆されていない部分をも除去する。理解を補助するための図３Ｃを対照すると、エッチング液を使用してウェットエッチングを完了した後、図７Ｃの（ａ´）図と（ｂ´）図に示すように、第１電気抵抗層１２の一部は、第１エッチング窓Ｗ１１と第２エッチング窓Ｗ１２を介して露見され、かつ第２電気抵抗層２２の一部も、第３エッチング窓Ｗ２１と第４エッチング窓Ｗ２２を介して露見されることが分かる。

【0064】

最後に、図７Ｄの（ａ）図と（ｂ）図に示すように、第２フォトレジストＰＲ２を除去した後、図案化された第１導電金属層ｐ１１と、第１薄膜電気抵抗Ｒ１と、第１薄膜インダクタＬ１と、上部金属板ＵＭとを含む第１電子回路は、第１誘電体層Ｉｅ１の上に位置する。それと同時に、図案化された第２導電金属層ｐ２１と、第２薄膜電気抵抗Ｒ２と、第２薄膜インダクタＬ２と、下部金属板ＬＭとを含む第２電子回路では、第２誘電体層Ｉｅ２の上に位置する。注意に値することは、係る上部金属板ＵＭと係る下部金属板ＬＭとの間に、第１電気抵抗層１２と、第１誘電体層Ｉｅ１と、可撓性支持層ＦＳと、第２誘電体層Ｉｅ２と、第２電気抵抗層２２とが挟まれている。第１電気抵抗層１２、第１誘電体層Ｉｅ１、可撓性支持層ＦＳ、第２誘電体層Ｉｅ２、及び第２電気抵抗層２２をコンデンサ誘電体層とすることで、係る上部金属板ＵＭと、コンデンサ誘電体層と、係る下部金属板ＬＭとで埋込式コンデンサ（Ｅｍｂｅｄｄｅｄ ｃａｐａｃｉｔｏｒ）に構成されてなることが理解される。

【0065】

さらに、レーザーエッチング技術により、前記第１電子回路の第１接点ＣＰ１に第１スルーホールＴＨ１を製作することができ、かつ前記第２電子回路の第２接点ＣＰ２に第２スルーホールＴＨ２を製作することができる。二層電気回路基板の製作を熟知している電子エンジニアであれば、係る第１電子回路の主体が図案化された第１導電金属層ｐ１１であり、かつ係る第２電子回路の主体が図案化された第２導電金属層ｐ２１であることを理解できる。さらに、第１スルーホールＴＨ１と第２スルーホールＴＨ２に導電物質（例えば、ハンダ）を充填する方式によって、第１接点ＣＰ１と第２接点ＣＰ２との電気的接続が達成され、この方式によれば、前記第１電子回路と前記第２電子回路とを電気的に接続することができる。

【0066】

従って、図７Ａ～図７Ｄから分かるように、本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造ＰＳＤに対して２回の現像・エッチング処理を施した後、そのフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造ＰＳＤの頂部表面の上に、少なくとも１つの第１薄膜電気抵抗Ｒ１と、少なくとも１つの第１薄膜インダクＬ１と、少なくとも１つの薄膜コンデンサとを含む第１電子回路が製作される。そして、同時にそのフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造ＰＳＤの底部表面の上に、少なくとも１つの第２薄膜電気抵抗Ｒ２と、少なくとも１つの第２薄膜インダクタＬ２と、少なくとも１つの薄膜コンデンサ素子とを含む第２電子回路も製作される。勿論、フレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造ＰＳＤの上にスルーホール（ＴＨ１，ＴＨ２）を製作する方式によって、前記第１電子回路を前記第２電子回路に接続させることができる。

【0067】

特に、フレキシブルプリント電気回路基板（ＦＰＣ）として直接応用される以外に、本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造ＰＳＤと少なくとも１つの電気回路基板とを組み合わせてなるリジッドフレックス基板（Ｒｉｇｉｄ－ｆｌｅｘ ｂｏａｒｄ）としても応用可能となる。

【0068】

＜実施例＞
本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造ＰＳＤは、確かに特許文献１に開示された受動的電気構造ＰＥ´（図１参照）の銅箔電気抵抗１´に比べてより優れた性質が顕現されることを証明するために、本願の発明者は、同時に図５に示される電気抵抗銅膜ユニット（ＣＲ１，ＣＲ２）と図１に示される銅箔電気抵抗１´のサンプルの製作を完了した。図８は、特許文献１に開示された銅箔電気抵抗のサンプルの電子後方散乱回折（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｂａｃｋ－ｓｃａｔｔｅｒｅｄ ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ，ＥＢＳＤ）画像を示す図である一方、図９は、本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造の銅箔電気抵抗のサンプルのＥＢＳＤ画像を示す図である。ニッケル・リン化合物（Ｎｉ－Ｐ ｃｏｍｐｏｕｎｄ）で第１圧延銅層１１´のマット面（Ｍａｔｔ ｓｉｄｅ）を電気めっきしていわゆる電気抵抗層１２´を形成するという従来技術に比べ、本発明は、スパッタリング技術によって第１導電金属層１１（例えば、銅箔）の上に合金、金属または金属化合物からなる電気抵抗膜（即ち、第１電気抵抗層１２）を形成する。なおかつ、図７から分かるように、電気めっきによって生成された薄膜が、銅箔導電体の表面に沿って核生成と成長が進行するので、被膜の不連続性と高い粗度とも、電気特性（表面電気抵抗）、機械特性（曲げ引張）や（細い）回路の歩留り率などに対してマイナスな影響を与えるおそれがある。これに反して、図９から観察されるように、スパッタリング法を使用して製作されるＮｉ_０．９７Ｃｒ_０．０３合金からなる電気抵抗層１２は、微視的に見ると、連続かつ緻密で、その上、表面粗度が小さいであることが顕現されており、曲げ可能な製品と細い回路の設計に適用されている。本発明の電気抵抗銅膜ユニット（ＣＲ１，ＣＲ２）の電気抵抗膜は、より高い被膜の緻密度と連続性を有することが裏付けられた。

【0069】

次いで、本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造ＰＳＤのハーフ構造に対して曲げテストを行い、係るハーフ構造とは、第１導電金属層１１、第１電気抵抗層１２、第１誘電体層Ｉｅ１、及び可撓性支持層ＦＳのみを含む構造を指す。図１０は、曲げテストの実行手順を示す模式図である。図１０の（ａ）図と（ｂ）図に示すように、計３組の異なる銅層厚のサンプルに対して曲げテストを行い、この曲げテストにおいては、曲げ試験機を使用して半径１．５ｍｍの丸棒（曲げ）で片面フレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜を０度から９０度に曲げるように制御を実施する。それから、図１０の（ｂ）図と（ｃ）図に示すように、曲げ試験機を継続的に操作して半径１．５ｍｍの丸棒（曲げ）で片面フレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜を９０度から１８０度に曲げて荷重０．５キログラムをかけて試験を行う。第１組の曲げ試験全体を、（ａ）図～（ｃ）図の実行手順を計５０００回繰り返し、ＪＩＳ Ｃ ５０１６－８．７に規定された測定方法に従って測定を行った。曲げ試験の実験データを図１０にまとめて示す。

【0070】

図１０の曲げテストの実験データから容易に発見できるように、半径１．５ｍｍの曲げで本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造ＰＳＤのハーフ構造に対して５０００回の曲げを行っても、本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造ＰＳＤのハーフ構造の中の第１電気抵抗層１２に対して計測された電気抵抗値が実質的に変化しないままである。曲げ試験機を利用して半径１．５ｍｍの丸棒でフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造ＰＳＤのハーフ構造に対して曲げテストを行い、この曲げテストが完了するまでの過程において、５０００回を超えるような曲げ回数を行った結果、無導電性及び層間剥離と銅断線現象が現れ始めることを発見し、銅厚が薄ければ薄いほど、耐屈曲性がより良くなる。
従って、スパッタリング技術によって第１導電金属層１１（例えば、銅箔）の上に合金、金属または金属化合物からなる電気抵抗膜（即ち、第１電気抵抗層１２）が形成され、それと銅箔の間にかなり良い接合性を有することが測定結果から示されている。これゆえ、電気抵抗銅膜ユニット（ＣＲ１，ＣＲ２）の信頼性と可屈曲性を向上させることができる。

【0071】

こうして、上記の詳細な説明から、本発明に係るフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造ＰＳＤの全ての実施例及びその構造組成は、完全かつ明瞭に開示されており、本発明が下記の利点を有することが分かる。

【0072】

（１）本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造ＰＳＤは、第１導電金属層１１と、第１電気抵抗層１２と、第１誘電体層Ｉｅ１と、可撓性支持層ＦＳと、第２誘電体層Ｉｅ２と、第２電気抵抗層２２と、第２導電金属層２１とを含む。特に、本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造ＰＳＤに対して２回の現像・エッチング処理を施した後、そのフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造ＰＳＤの頂部表面の上に、少なくとも１つの第１薄膜電気抵抗Ｒ１と、少なくとも１つの第１薄膜インダクＬ１と、少なくとも１つの薄膜コンデンサ素子とを含む第１電子回路が製作される。そして、同時にそのフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造ＰＳＤの底部表面の上に、少なくとも１つの第２薄膜電気抵抗Ｒ２と、少なくとも１つの第２薄膜インダクタＬ２と、少なくとも１つの薄膜コンデンサ素子とを含む第２電子回路も製作される。勿論、フレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造ＰＳＤの上にスルーホール（ＴＨ１，ＴＨ２）を製作する方式によって、前記第１電子回路を前記第２電子回路に接続させることができる。

【0073】

（２）特に、フレキシブルプリント電気回路基板（ＦＰＣ）として直接応用される以外に、本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造と少なくとも１つの電気回路基板とを組み合わせてなるリジッドフレックス基板（Ｒｉｇｉｄ－ｆｌｅｘ ｂｏａｒｄ）としても応用可能となる。

【0074】

（３）強調すべきことは、スパッタリングによって形成される電気抵抗層１２は、より高い被膜の緻密度と連続性を有するので、その表面抵抗の最小値は、５オーム／□より低いか、またそれと等しい。それと同時に、スパッタリング技術を利用して製作される合金、金属または金属化合物からなる電気抵抗膜（電気抵抗層１２）は、工業廃水の発生を効果的に減少させることもできるということである。

【0075】

（４）スパッタリングにより作製される電気抵抗層１２は、優れた被膜の緻密度と連続性を有し、現像・エッチング技術を用いて埋込式受動素子構造ＰＳＤに電子回路を製作した後、前記電子回路の線幅／線ピッチが１０ミクロン／１０ミクロンよりも小さくなるように制御することができる。かつ、曲げテストを行った結果、埋込式フレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜は、素晴らしい可屈曲性を有することが顕現される。

【0076】

（５）２回のエッチングプロセスに１回の孔あけ・孔めっきプロセスを加えるだけで埋込式ＲＬＣ電気回路を完成できるため、プロセスが簡易である。

【0077】

（６）本発明が開発された誘電体層の誘電体定数と誘電体損失係数が優れており、材料成分と設計は、独特性と新規性を有する。誘電体定数の値は、これまでの業界最高水準（ｋ＞３０）を上回ることができるため、未来の電気回路の微小化設計使用に役立てることが可能となる。

【符号の説明】

【0078】

ＰＳＤ フレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造
１１ 第１導電金属層
１２ 第１電気抵抗層
Ｉｅ１ 第１誘電体層
Ｉｅ２ 第２誘電体層
ＦＳ 可撓性支持層
ＦＳ１ 第１可撓性支持層
ＦＳ２ 第２可撓性支持層
Ａｄ 接合層
２１ 第２導電金属層
２２ 第２電気抵抗層
ＣＲ１ 第１電気抵抗銅膜ユニット
ＣＲ２ 第２電気抵抗銅膜ユニット
ＣＩ 誘電体層ユニット
ＳＴ１ 第１スタック構成ユニット
ＳＴ２ 第２スタック構成ユニット
ＰＲ１ 第１フォトレジスト
ｐＰＲ１ 図案化された第１フォトレジスト
ＰＲ２ 第２フォトレジスト
ｐ１１ 図案化された第１導電金属層
ｐ２１ 図案化された第２導電金属層
Ｗ１１ 第１エッチング窓
Ｗ１２ 第２エッチング窓
Ｗ２１ 第３エッチング窓
Ｗ２２ 第４エッチング窓
Ｒ１ 第１薄膜電気抵抗
Ｒ２ 第２薄膜電気抵抗
Ｌ１ 第１薄膜インダクタ
Ｌ２ 第２薄膜インダクタ
ＵＭ 上部金属板
ＬＭ 下部金属板
ＴＨ１ 第１スルーホール
ＴＨ２ 第２スルーホール
ＣＰ１ 第１接点
ＣＰ２ 第２接点
ＰＥ´ 受動的電気構造
１１´ 第１圧延銅層
１２´ 電気抵抗層
１３´ 絶縁層
１４´ 第２圧延銅層
１´ 銅箔電気抵抗
１ａ´ 銅箔絶縁体
ＭＳ´ 抵抗器及びコンデンサ形成のための多層化構造
２１´ 第１圧延銅層
２２´ 電気抵抗層
２３´ 第１誘電体層
２４´ 絶縁層
２５´ 第２誘電体層
２６´ 第２圧延銅層
２´ 銅箔電気抵抗
２ａ´ 誘電絶縁体

【図1】

【図2】

【図3A】

【図3B】

【図3C】

【図3D】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7A】

【図7B】

【図7C】

【図7D】

【図8】

【図9】

【図10】