特開 2022-88936 スピンドライヤ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022088936

(43)【公開日】2022-06-15

(54)【発明の名称】スピンドライヤ

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20220608BHJP

   F26B 11/04 20060101ALI20220608BHJP

   F26B 21/00 20060101ALI20220608BHJP

【ＦＩ】

H01L21/304 651D

H01L21/304 651L

H01L21/304 648C

F26B11/04

F26B21/00 Z

【審査請求】未請求

【請求項の数】10

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2020201079

(22)【出願日】2020-12-03

(71)【出願人】

【識別番号】000134028

【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮ ＳＰＥ テック

(74)【代理人】

【識別番号】100088672

【弁理士】

【氏名又は名称】吉竹 英俊

(74)【代理人】

【識別番号】100088845

【弁理士】

【氏名又は名称】有田 貴弘

(72)【発明者】

【氏名】松田 将平

【テーマコード（参考）】

3L113

5F157

【Ｆターム（参考）】

3L113AA06

3L113AB08

3L113AC28

3L113AC48

3L113AC49

3L113AC67

3L113AC76

3L113BA34

3L113CB24

3L113DA14

3L113DA24

5F157AB03

5F157AB13

5F157AB34

5F157AB90

5F157AC03

5F157AC15

5F157BH14

5F157CB13

5F157CB15

5F157CB23

5F157CF02

5F157CF14

5F157CF34

5F157CF44

5F157CF60

5F157DB32

5F157DB37

(57)【要約】

【課題】パターンが倒壊する可能性を低減できるエッチング方法を提供する。
【解決手段】スピンドライヤ１００は、複数の基板Ｗを一括して乾燥させる。スピンドライヤ１００は、チャンバ１と、カセット保持部２と、回転機構３と、第１吐出管とを備える。チャンバ１は吸気口および排気口１ｂを有する。カセット保持部２は、上側開口９ａおよび下側開口９ｂを有し、かつ、複数の基板Ｗを収容するカセットＣを、チャンバ１内において保持する。第１吐出管は、チャンバ１内においてカセットＣの上側開口９ａおよび下側開口９ｂの一方と向かい合う位置に設けられ、不活性ガスをカセットＣの内部に向けて吐出する。回転機構３は、複数の基板Ｗの厚み方向に沿う回転軸線Ｑ１のまわりで、カセット保持部２および第１吐出管を一体に回転させる。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数の基板を一括して乾燥させるスピンドライヤであって、
吸気口および排気口を有するチャンバと、
上側開口および下側開口を有し、かつ、複数の基板を収容するカセットを、前記チャンバ内において保持するカセット保持部と、
前記チャンバ内において前記カセットの前記上側開口および前記下側開口の一方と向かい合う位置に設けられ、不活性ガスを前記カセットの内部に向けて吐出する第１吐出管と、
前記複数の基板の厚み方向に沿う回転軸線のまわりで、前記カセット保持部および前記第１吐出管を一体に回転させる回転機構と
を備える、スピンドライヤ。

【請求項2】

請求項１に記載のスピンドライヤであって、
前記第１吐出管は、前記回転機構による前記カセット保持部の回転方向とは反対側に向かって前記不活性ガスを吐出し、前記複数の基板の周縁部と前記カセットの内面との間に前記不活性ガスを流入させる、スピンドライヤ。

【請求項3】

請求項２に記載のスピンドライヤであって、
前記第１吐出管は、前記不活性ガスを吐出する複数の第１吐出口を有し、
前記カセットの内面には、前記複数の基板の周縁部が挿入される複数の溝が形成され、
前記複数の第１吐出口は前記複数の溝の間隔と同じ間隔で形成される、スピンドライヤ。

【請求項4】

請求項１から請求項３のいずれか一つに記載のスピンドライヤであって、
前記カセットの前記上側開口および前記下側開口の他方と向かい合う位置に設けられ、前記カセットの内部にガスを供給する第２吐出管をさらに備える、スピンドライヤ。

【請求項5】

請求項１から請求項４のいずれか一つに記載のスピンドライヤであって、
前記回転機構は、
前記回転軸線に沿って延在し、前記カセット保持部に連結される中空シャフトと、
前記中空シャフトを前記回転軸線のまわりで回転させるモータと
を含み、
前記不活性ガスは前記中空シャフトを通じて前記第１吐出管に供給される、スピンドライヤ。

【請求項6】

請求項１から請求項５のいずれか一つに記載のスピンドライヤであって、
前記第１吐出管は、前記カセットの前記上側開口と向かい合う位置に設けられ、
前記スピンドライヤは、
前記第１吐出管を、前記カセットの前記上側開口と向かい合う第１位置と、鉛直方向において前記カセットと対向しない第２位置との間で移動させる駆動機構をさらに備える、スピンドライヤ。

【請求項7】

請求項６に記載のスピンドライヤであって、
前記カセット保持部は、
前記カセットの下端を支持するカセット支持部と、
前記第１吐出管と一体に移動可能な当接部材と
を含み、
前記当接部材は、
前記第１吐出管が前記第１位置で停止した状態で、前記カセットの上端、または、前記カセットの前記上側開口における前記複数の基板の周縁に当接して、前記カセット支持部とともに前記カセットを挟持し、
前記第１吐出管が前記第２位置で停止した状態で、前記カセットと鉛直方向において対向しない位置で停止する、スピンドライヤ。

【請求項8】

請求項１から請求項７のいずれか一つに記載のスピンドライヤであって、
前記カセット保持部は、前記複数の基板を前記カセットから浮かせた状態で前記カセットおよび前記複数の基板を保持する、スピンドライヤ。

【請求項9】

請求項１から請求項８のいずれか一つに記載のスピンドライヤであって、
前記第１吐出管よりも上流側において前記不活性ガスを加熱するヒータをさらに備える、スピンドライヤ。

【請求項10】

請求項１から請求項９のいずれか一つに記載のスピンドライヤであって、
前記カセット保持部および前記第１吐出管の回転期間の全期間において、前記第１吐出管から前記不活性ガスを供給する、スピンドライヤ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本願は、スピンドライヤに関する。

【背景技術】

【0002】

従来から、基板を乾燥させる基板乾燥装置として、スピンドライヤが提案されている（例えば特許文献１）。スピンドライヤは乾燥室を有しており、当該乾燥室には、空気吸引用開口および空気排出用開口が形成される。また、当該乾燥室内には、複数の半導体ウエハを収容した収容ケースが搬入される。

【0003】

乾燥室内には、回転支持体が設けられる。当該回転支持体は、搬入された収容ケースを支持しつつ、収容ケースとともに特定回転軸線のまわりを回転する。当該回転に伴って、空気吸引用開口から乾燥室内に空気が流入し、その一部が収容ケースの内部の半導体ウエハ間を流れ、空気排出用開口から外部に流出する。

【0004】

半導体ウエハに付着した水分のうち比較的に大きなものは遠心力により振り飛ばされ、比較的に小さなものは空気流により蒸発する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２００５－１８３８９２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

スピンドライヤのスループットを向上させるためには、より多くの基板を収容した収容ケースをスピンドライヤに搬入することが望ましい。一度の乾燥処理により、より多くの基板を乾燥させることができるからである。その一方で、収容ケースのサイズを大きくすることはスピンドライヤの大型化を招くので、望ましくない。

【0007】

収容ケースの大型化を抑制しつつ基板の枚数を増やすと、収容ケース内の基板どうしの間隔が狭くなってしまう。また、収容ケースの内面には、各基板の周縁部が挿入される溝が形成されており、基板の枚数の増加により、各溝における基板の周縁部と収容ケースの内面との間の隙間も狭くなる。このような狭い隙間には空気が流入しにくく、基板の乾燥が困難となる。

【0008】

そこで、本願は、基板をより適切に乾燥させることができるスピンドライヤを提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0009】

スピンドライヤの第１の態様は、複数の基板を一括して乾燥させるスピンドライヤであって、吸気口および排気口を有するチャンバと、上側開口および下側開口を有し、かつ、複数の基板を収容するカセットを、前記チャンバ内において保持するカセット保持部と、前記チャンバ内において前記カセットの前記上側開口および前記下側開口の一方と向かい合う位置に設けられ、不活性ガスを前記カセットの内部に向けて吐出する第１吐出管と、前記複数の基板の厚み方向に沿う回転軸線のまわりで、前記カセット保持部および前記第１吐出管を一体に回転させる回転機構とを備える。

【0010】

スピンドライヤの第２の態様は、第１の態様にかかるスピンドライヤであって、前記第１吐出管は、前記回転機構による前記カセット保持部の回転方向とは反対側に向かって前記不活性ガスを吐出し、前記複数の基板の周縁部と前記カセットの内面との間に前記不活性ガスを流入させる。

【0011】

スピンドライヤの第３の態様は、第２の態様にかかるスピンドライヤであって、前記第１吐出管は、前記不活性ガスを吐出する複数の第１吐出口を有し、前記カセットの内面には、前記複数の基板の周縁部が挿入される複数の溝が形成され、前記複数の第１吐出口は前記複数の溝の間隔と同じ間隔で形成される。

【0012】

スピンドライヤの第４の態様は、第１から第３のいずれか一つの態様にかかるスピンドライヤであって、前記カセットの前記上側開口および前記下側開口の他方と向かい合う位置に設けられ、前記カセットの内部にガスを供給する第２吐出管をさらに備える。

【0013】

スピンドライヤの第５の態様は、第１から第４のいずれか一つの態様にかかるスピンドライヤであって、前記回転機構は、前記回転軸線に沿って延在し、前記カセット保持部に連結される中空シャフトと、前記中空シャフトを前記回転軸線のまわりで回転させるモータとを含み、前記不活性ガスは前記中空シャフトを通じて前記第１吐出管に供給される。

【0014】

スピンドライヤの第６の態様は、第１から第５のいずれか一つの態様にかかるスピンドライヤであって、前記第１吐出管は、前記カセットの前記上側開口と向かい合う位置に設けられ、前記スピンドライヤは、前記第１吐出管を、前記カセットの前記上側開口と向かい合う第１位置と、鉛直方向において前記カセットと対向しない第２位置との間で移動させる駆動機構をさらに備える。

【0015】

スピンドライヤの第７の態様は、第６の態様にかかるスピンドライヤであって、前記カセット保持部は、前記カセットの下端を支持するカセット支持部と、前記第１吐出管と一体に移動可能な当接部材とを含み、前記当接部材は、前記第１吐出管が前記第１位置で停止した状態で、前記カセットの上端、または、前記カセットの前記上側開口における前記複数の基板の周縁に当接して、前記カセット支持部とともに前記カセットを挟持し、前記第１吐出管が前記第２位置で停止した状態で、前記カセットと鉛直方向において対向しない位置で停止する。

【0016】

スピンドライヤの第８の態様は、第１から第７のいずれか一つの態様にかかるスピンドライヤであって、前記カセット保持部は、前記複数の基板を前記カセットから浮かせた状態で前記カセットおよび前記複数の基板を保持する。

【0017】

スピンドライヤの第９の態様は、第１から第８のいずれか一つの態様にかかるスピンドライヤであって、前記第１吐出管よりも上流側において前記不活性ガスを加熱するヒータをさらに備える。

【0018】

スピンドライヤの第１０の態様は、第１から第９のいずれか一つの態様にかかるスピンドライヤであって、前記カセット保持部および前記第１吐出管の回転期間の全期間において、前記第１吐出管から前記不活性ガスを供給する。

【発明の効果】

【0019】

スピンドライヤの第１の態様によれば、不活性ガスがカセットの内部に供給される。よって、カセットの内部の湿潤な雰囲気を不活性ガスで置換することができ、基板に付着した処理液の蒸発を促進させることができる。よって、基板をより適切に乾燥させることができる。

【0020】

スピンドライヤの第２の態様によれば、不活性ガスが、基板の周縁部とカセットの内面との間の狭い隙間に流入する。第１吐出管が設けられていない場合、回転機構の回転によって生じる空気流は、このような狭い隙間には流入しにくく、特に当該隙間での基板の乾燥が困難であった。第２の態様によれば、不活性ガスが隙間に流入するので、当該隙間でも処理液の蒸発を促進させることができる。

【0021】

スピンドライヤの第３の態様によれば、効率的に不活性ガスを溝に供給することができる。

【0022】

スピンドライヤの第４の態様によれば、カセットの上側開口を通じてカセットの内部に不活性ガスが供給されるとともに、下側開口を通じてもカセットの内部に不活性ガスが供給される。よって、基板の乾燥をさらに促進させることができる。

【0023】

スピンドライヤの第５の態様によれば、中空シャフトを不活性ガスの供給流路に利用しているので、より簡易な構成で第１吐出管に不活性ガスを供給できる。

【0024】

スピンドライヤの第６の態様によれば、第１吐出管が第１位置に位置する状態では、第１吐出管はカセットの内部に不活性ガスを供給しやすい。第１吐出管が第２位置に位置する状態では、カセットをチャンバに対して鉛直方向に沿って搬出入することができる。

【0025】

スピンドライヤの第７の態様によれば、第１吐出管が第２位置に位置する状態で、鉛直上側から鉛直下側にカセットを移動させてカセットをチャンバ内に搬入でき、また、チャンバ内から鉛直上側に移動させてカセットを搬出することができる。

【0026】

スピンドライヤの第８の態様によれば、基板の周縁とカセットの内面との間の隙間を大きくすることができるので、不活性ガスが当該隙間を流れやすい。

【0027】

スピンドライヤの第９の態様によれば、高温の不活性ガスをカセット内に供給できるので、処理液の蒸発をさらに促進できる。

【0028】

スピンドライヤの第１０の態様によれば、不活性ガスによる処理液の蒸発促進効果を全期間にわたって招来することができる。

【図面の簡単な説明】

【0029】

【図1】第１の実施の形態にかかるスピンドライヤの構成の一例を概略的に示す側断面図である。

【図2】カセットの構成の一例を概略的に示す上面図である。

【図3】チャンバの構成の一例を概略的に示す上面図である。

【図4】カセット保持部および不活性ガス供給部の構成の一例を概略的に示す側面図である。

【図5】カセット保持部および不活性ガス供給部の構成の一例を概略的に示す上面図である。

【図6】第２吐出管およびカセットの構成の一例を概略的に示す斜視図である。

【図7】制御部の内部構成の一例を概略的に示すブロック図である。

【図8】スピンドライヤの動作の一例を示すフローチャートである。

【図9】第２の実施の形態にかかるスピンドライヤの構成の一例を概略的に示す側断面図である。

【図10】カセット保持部の他の構成の一例を概略的に示す側断図である。

【発明を実施するための形態】

【0030】

以下、添付の図面を参照しながら、実施の形態について説明する。なお、この実施の形態に記載されている構成要素はあくまでも例示であり、本開示の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。図面においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法または数が誇張または簡略化して図示されている場合がある。また、図面には、適宜にＸＹＺ直交座標系が示される。ここでは、Ｚ軸は鉛直方向に沿う軸である。以下では、Ｘ方向の一方側を＋Ｘ側とも呼び、他方側を－Ｘ側とも呼ぶ。Ｙ方向およびＺ方向についても同様である。

【0031】

相対的または絶対的な位置関係を示す表現（例えば「一方向に」「一方向に沿って」「平行」「直交」「中心」「同心」「同軸」など）は、特に断らない限り、その位置関係を厳密に表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる範囲で相対的に角度または距離に関して変位された状態も表すものとする。等しい状態であることを示す表現（例えば「同一」「等しい」「均質」など）は、特に断らない限り、定量的に厳密に等しい状態を表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる差が存在する状態も表すものとする。形状を示す表現（例えば、「四角形状」または「円筒形状」など）は、特に断らない限り、幾何学的に厳密にその形状を表すのみならず、同程度の効果が得られる範囲で、例えば凹凸または面取りなどを有する形状も表すものとする。一の構成要素を「備える」「具える」「具備する」「含む」または「有する」という表現は、他の構成要素の存在を除外する排他的表現ではない。「Ａ，ＢおよびＣの少なくともいずれか一つ」という表現は、Ａのみ、Ｂのみ、Ｃのみ、Ａ，ＢおよびＣのうち任意の２つ、ならびに、Ａ，ＢおよびＣの全てを含む。

【0032】

＜第１の実施の形態＞
＜スピンドライヤ＞
図１は、第１の実施の形態にかかるスピンドライヤ１００の構成の一例を概略的に示す側断面図である。スピンドライヤ１００は、複数の基板Ｗを一括して乾燥させるバッチ式の乾燥装置である。基板Ｗは例えば半導体基板であり、図１の例では、円板形状を有している。なお、基板Ｗは半導体基板に限らず、その材料および形状は適宜に変更し得る。

【0033】

＜カセット＞
複数の基板Ｗはカセット（基板収容器）Ｃに収容された状態でスピンドライヤ１００に搬入される。以下では、まず、カセットＣについて述べる。

【0034】

カセットＣは例えば樹脂（より具体的な一例として、テトラフルオロエチレン）によって形成され、＋Ｚ側および－Ｚ側に開口する箱型形状を有している。以下では、カセットＣの＋Ｚ側の開口および－Ｚ側の開口をそれぞれ上側開口９ａおよび下側開口９ｂとも呼ぶ。複数の基板Ｗの各々は起立姿勢でカセットＣの上側開口９ａからカセットＣの内部に挿入される。ここでいう起立姿勢とは、基板Ｗの厚み方向が水平方向に沿う姿勢である。複数の基板Ｗはその厚み方向に沿って並んだ状態で、カセットＣの内部に収容される。

【0035】

図２は、カセットＣの構成の一例を概略的に示す上面図である。図１および図２の例では、カセットＣは前壁９１と後壁９２と側壁９３と側壁９４と支持脚９５と支持脚９６とを含む。前壁９１および後壁９２は基板Ｗの厚み方向（ここではＹ方向）において、間隔を空けて互いに向かい合う。ここでは、前壁９１は後壁９２よりも＋Ｙ側に設けられる。側壁９３および側壁９４は、基板Ｗの厚み方向に垂直かつ水平な方向（ここではＸ方向）において、間隔を空けて互いに向かい合う。ここでは、側壁９３は側壁９４よりも－Ｘ側に設けられる。側壁９３は前壁９１の－Ｘ側の端部および後壁９２の－Ｘ側の端部を連結し、側壁９４は前壁９１の＋Ｘ側の端部および後壁９２の＋Ｘ側の端部を連結する。これにより、前壁９１、後壁９２、側壁９３および側壁９４はカセットＣの内部空間を形成する。前壁９１、後壁９２、側壁９３および側壁９４によって囲まれたカセットＣの内部空間は、その上部において開口して上側開口９ａを形成し、その下部において開口して下側開口９ｂを形成する。

【0036】

図１に例示するように、側壁９３の内面（＋Ｘ側の面）は、Ｚ方向に沿って延在する鉛直面９３ａと、鉛直面９３ａよりも－Ｚ側において鉛直面９３ａに対して傾斜する傾斜面９３ｂとを有する。同様に、側壁９４の内面（－Ｘ側の面）は、Ｚ方向に沿って延在する鉛直面９４ａと、鉛直面９４ａよりも－Ｚ側において鉛直面９４ａに対して傾斜する傾斜面９４ｂとを有する。傾斜面９３ｂおよび傾斜面９４ｂは－Ｚ側に向かうにつれて互いに近づくように傾斜しており、複数の基板Ｗの周縁（側面）に当接して複数の基板Ｗを支持する。

【0037】

支持脚９５は側壁９３の－Ｚ側の端部（下端）に設けられ、支持脚９６は側壁９４の－Ｚ側の端部（下端）に設けられる。支持脚９５および支持脚９６はＸ方向において互いに間隔を空けて向かい合う。

【0038】

図２に例示するように、側壁９３の内面および側壁９４の内面には、各基板Ｗの周縁部を厚み方向に沿って挟むための突部が形成されている。より具体的には、側壁９３の内面には、複数の突部９３１が基板Ｗの厚み方向に沿って並んで形成され、側壁９４の内面には、複数の突部９４１が基板Ｗの厚み方向に沿って並んで形成される。これによれば、隣り合う２つの突部９３１の間に溝９３２が形成され、隣り合う２つの突部９４１の間に溝９４２が形成される。各基板Ｗの周縁部のうち－Ｘ側の部分は溝９３２に挿入され、各基板Ｗの周縁部のうち＋Ｘ側の部分は溝９４２に挿入される。これにより、各基板Ｗが起立姿勢でカセットＣ内に収容される。

【0039】

カセットＣに収容される基板Ｗの枚数は特に制限されないものの、例えば数十枚程度である。カセットＣのサイズが一定であれば、基板Ｗの枚数を多くするほど、基板Ｗの相互間の間隔がより狭くなる。ひいては、各基板Ｗと各突部９３１との間の隙間がより狭く設定され、各基板Ｗと各突部９４１との間の隙間がより狭く設定される。基板Ｗが８インチの半導体基板である場合、基板Ｗの間隔は例えば３ｍｍ程度に設定される。基板Ｗと突部９３１との間の隙間および基板Ｗと突部９４１との間の隙間は当然に３ｍｍよりも小さく設定される。当該隙間が狭くなると、基板Ｗに付着した処理液は当該隙間に残留しやすくなり、基板Ｗの乾燥が困難となる。

【0040】

＜スピンドライヤの構成の概要＞
スピンドライヤ１００はチャンバ１とカセット保持部２と回転機構３と不活性ガス供給部４と制御部５とを含んでいる。以下では、これらの各構成について概説した後に、その一例について詳述する。

【0041】

チャンバ１は箱形の中空形状を有する。チャンバ１の内部空間は、複数の基板Ｗを乾燥させるための乾燥室に相当する。図３は、チャンバ１の構成の一例を概略的に示す上面図である。図１および図３に例示するように、チャンバ１は吸気口１ａと排気口１ｂとを有する。吸気口１ａはチャンバ１の＋Ｚ側の部分（上部）に形成されており、排気口１ｂはチャンバ１の－Ｚ側の部分（下部）に形成されている。外部の空気は吸気口１ａを通じてチャンバ１内に流入し、チャンバ１の内部空間を流れて排気口１ｂから外部に流出する。

【0042】

カセット保持部２はチャンバ１内に設けられる。カセット保持部２は、チャンバ１内に搬入されたカセットＣおよび複数の基板Ｗを保持する。

【0043】

回転機構３は、回転軸線Ｑ１のまわりでカセット保持部２を回転させる。回転軸線Ｑ１はＹ方向に沿う軸であり、カセット保持部２によって保持された基板Ｗの中心よりもやや＋Ｚ側に設定される。カセット保持部２の回転により、カセット保持部２によって保持されたカセットＣおよび基板Ｗも回転軸線Ｑ１のまわりで回転する。図１の例では、回転機構３は、＋Ｙ側から－Ｙ側に沿って見て、反時計回り方向にカセット保持部２を回転させる。

【0044】

当該回転に伴って、チャンバ１の吸気口１ａにおける圧力が負圧となり、排気口１ｂにおける圧力が正圧となる。これにより、外部の空気が吸気口１ａを通じてチャンバ１内に流入し、チャンバ１内を流れて排気口１ｂから外部に流出する。このとき、空気の一部はカセットＣ内の基板Ｗの相互間を流れて排気口１ｂから外部に流出する。

【0045】

基板Ｗに付着した処理液（例えば純水）は、回転軸線Ｑ１まわりの回転に伴う遠心力によって基板Ｗの周縁から外側に飛散したり、あるいは、蒸発したりする。チャンバ１内の空気流は処理液の蒸発を促進させることができるものの、基板Ｗの間隔が狭いほど、空気は基板Ｗの相互間に流入しにくい。基板Ｗの相互間の雰囲気は、基板Ｗに付着した処理液によって湿潤な雰囲気となっているところ、基板Ｗの間隔が狭い場合には、基板Ｗの相互間の高湿度の雰囲気が空気に置換されにくく、処理液の蒸発が促進されにくい。特に、基板Ｗと突部９３１との間の隙間、および、基板Ｗと突部９４１との間の隙間はより狭いので、これらの隙間には空気がより流入しにくい。よって、特に当該隙間において、処理液の蒸発が促進されにくい。

【0046】

そこで、スピンドライヤ１００には、不活性ガス供給部４が設けられている。不活性ガス供給部４はカセットＣの内部に不活性ガスを供給する。不活性ガスとは、基板Ｗに対する反応性が低いガスである。不活性ガスとしては、例えば、アルゴン等の希ガス、窒素ガスおよび空気の少なくともいずれか一つを採用することができる。

【0047】

図１の例では、不活性ガス供給部４は吐出管４１と吐出管４２とを含む。吐出管４１はカセットＣの上側開口９ａと向かい合う位置に設けられており、基板Ｗよりも＋Ｚ側に設けられる。吐出管４１は、例えばＹ方向に沿って延在した長尺状の配管であり、その外周面に吐出管４１ａを有する。吐出管４１ａはカセットＣの内部に向けて開口しており、吐出管４１は吐出管４１ａからカセットＣの内部に向けて不活性ガスを吐出する。図１の例では、吐出管４１ａは、カセットＣの側壁９４と複数の基板Ｗとの間の空間に向けて開口する。具体的には、吐出管４１ａの開口方向は、回転機構３によるカセットＣの回転方向とは反対側の方向（ここでは時計回り方向）に沿っている。

【0048】

吐出管４１ａから吐出された不活性ガスは、上側開口９ａからカセットＣの内部に供給される。よって、カセットＣの内部に低湿度の不活性ガスを供給することができ、基板Ｗに付着した処理液の蒸発を促進させることができる。

【0049】

しかも、上述の例では、吐出管４１ａの開口方向は、カセットＣの内部に向かう方向であって、カセットＣの回転方向とは反対側の方向である。よって、吐出管４１ａからの不活性ガスは基板Ｗの＋Ｘ側の周縁部とカセットＣの突部９４１との間の隙間に流入しやすい。したがって、当該隙間における処理液の蒸発を効果的に促進させることができる。

【0050】

吐出管４２はカセットＣの下側開口９ｂと向かい合う位置に設けられており、基板Ｗよりも－Ｚ側に設けられる。図１の例では、吐出管４２は支持脚９５と支持脚９６との間に位置するように設けられる。吐出管４２は、例えばＹ方向に沿って延在した長尺状の配管であり、その外周面に吐出管４２ａを有する。吐出管４２ａはカセットＣの内部に向けて開口しており、吐出管４２は吐出管４２ａからカセットＣの内部に向けて不活性ガスを吐出する。図１の例では、吐出管４２ａは、カセットＣの側壁９３と複数の基板Ｗとの間の空間に向けて開口する。具体的には、吐出管４２ａの開口方向は、回転機構３によるカセットＣの回転方向とは反対側の方向（ここでは時計回り方向）に沿っている。

【0051】

吐出管４２ａから吐出された不活性ガスは、下側開口９ｂからカセットＣの内部に供給される。よって、カセットＣの内部に低湿度の不活性ガスを供給することができ、基板Ｗに付着した処理液の蒸発を促進させることができる。

【0052】

しかも、上述の例では、吐出管４２ａの開口方向は、カセットＣの内部に向かう方向であって、カセットＣの回転方向とは反対側の方向である。よって、吐出管４２ａからの不活性ガスは基板Ｗの－Ｘ側の周縁部とカセットＣの突部９３１との間の隙間に流入しやすい。したがって、当該隙間における処理液の蒸発を効果的に促進させることができる。

【0053】

制御部５はスピンドライヤ１００を統括的に制御する。例えば制御部５はカセット保持部２、回転機構３および不活性ガス供給部４を制御する。具体的には、制御部５はカセット保持部２にカセットＣおよび複数の基板Ｗを保持させ、不活性ガス供給部４に不活性ガスを供給させつつ、回転機構３によってカセット保持部２を回転させる。これにより、スピンドライヤ１００による実質的な乾燥処理が行われる。

【0054】

以下、スピンドライヤ１００の各構成のより具体的な一例について詳述する。図４および図５は、カセット保持部２および不活性ガス供給部４の構成の一例を概略的に示す図である。以下では、図４および図５も参照して各構成を説明する。

【0055】

＜チャンバ＞
図１の例では、チャンバ１は本体１１と蓋１２とを含んでいる。図１の断面では図示されていないものの、図１とは異なるＹ方向位置の断面において、本体１１の＋Ｚ側の部分（上部）には搬送用開口（不図示）が形成される。蓋１２は本体１１の＋Ｚ側の部分に開閉可能に連結される。図３の例では、蓋１２はヒンジ部１３を介して本体１１に連結されている。蓋１２はヒンジ部１３を中心に回転して開閉する。蓋１２の開閉は制御部５によって制御される。

【0056】

カセットＣは蓋１２が開いた状態で、搬送用開口を通じて本体１１の内部に搬入され、また、搬送用開口を通じて本体１１の内部から搬出される。なお、図１の例では、カセットＣの＋Ｚ側には後述の押さえ部２２および吐出管４１が設けられているものの、図４に例示するように、この押さえ部２２および吐出管４１はカセットＣの直上から退避可能である。押さえ部２２および吐出管４１はカセットＣの搬出入時においてカセットＣの直上から退避する。これにより、カセットＣの搬出入時において、カセットＣと押さえ部２２との物理的な干渉およびカセットＣと吐出管４１との物理的な干渉を回避できる。

【0057】

図３の例では、吸気口１ａは蓋１２に形成されている。吸気口１ａは例えば一方向に長い長尺形状を有しており、蓋１２をその厚み方向に貫通する。図３の例では、複数の吸気口１ａが短手方向において並んで形成される。

【0058】

図１の例では、本体１１と蓋１２との間には、封止部１４が設けられている。封止部１４は例えばオーリングであって、本体１１と蓋１２との間を封止する。また、図１の例では、蓋１２にはイオナイザ１５が設けられている。イオナイザ１５は制御部５によって制御され、吸気口１ａを通じてチャンバ１内に流入した空気を除電する。

【0059】

＜カセット保持部＞
カセット保持部２はチャンバ１内に設けられており、カセットＣおよび複数の基板Ｗを保持する。図１の例では、カセット保持部２はカセット支持部２１と可動の押さえ部２２と駆動機構２３（図４も参照）とを含む。

【0060】

カセット支持部２１はカセットＣを支持する。例えばカセット支持部２１は板状の載置台であって、カセット支持部２１の上面にカセットＣの支持脚９５および支持脚９６の－Ｚ側の端部（下端）が当接する。カセット支持部２１には、カセットＣの位置を決めるための突部２１１が設けられてもよい。突部２１１はカセット支持部２１の上面から＋Ｚ側に突出しており、水平方向においてカセットＣの支持脚９５および支持脚９６と当接してカセットＣの水平方向の位置を規制する。

【0061】

図５の例では、カセット支持部２１の＋Ｙ側の端部は第１板部２４に連結され、カセット支持部２１の－Ｙ側の端部は第２板部２５に連結される。第１板部２４および第２板部２５は板状形状を有し、その厚み方向がＹ方向に沿う姿勢で設けられる。このような構成において、カセット支持部２１は第１板部２４および第２板部２５を連結する連結部としても機能する。

【0062】

図５の例では、第１板部２４および第２板部２５は連結部２６および連結部２７を介しても互いに連結されている。連結部２６および連結部２７は、Ｙ方向に沿って延びる角柱形状を有し、Ｘ方向において間隔を空けて設けられる。連結部２６および連結部２７の＋Ｙ側の端部は第１板部２４に連結され、連結部２６および連結部２７の－Ｙ側の端部は第２板部２５に連結される。連結部２６および連結部２７はカセット支持部２１よりも＋Ｚ側に位置しており、カセットＣはカセット支持部２１によって支持された状態で連結部２６と連結部２７との間に位置する（図４も参照）。

【0063】

押さえ部２２はカセットＣの上側開口９ａにおいて、カセットＣに収容された全ての基板Ｗの周縁（側面）に当接可能であり、カセット支持部２１とともに複数の基板ＷおよびカセットＣを挟持する。

【0064】

ここでは、一対の押さえ部２２が設けられている。一対の押さえ部２２はカセットＣよりも＋Ｚ側に設けられ、Ｘ方向において互いに間隔を空けて設けられる。一方の押さえ部２２は基板Ｗの中心に対して＋Ｘ側で基板Ｗの周縁に当接し、他方の押さえ部２２は基板Ｗの中心に対して－Ｘ側で基板Ｗの周縁に当接する。よって、カセットＣおよび複数の基板Ｗを一つの構造体とみなすと、当該構造体はカセット支持部２１および一対の押さえ部２２によって挟持される。

【0065】

各押さえ部２２は、複数の基板Ｗの周縁に当接する当接位置と、複数の基板Ｗから離れた退避位置との間で変位可能に設けられる。退避位置は、押さえ部２２がカセットＣの搬送経路に干渉しない位置である。ここでは、カセットＣはＺ方向に沿ってチャンバ１内に搬送されるので、退避位置は、押さえ部２２がＺ方向においてカセットＣと対向しない位置である。

【0066】

図４の例では、一対の押さえ部２２は、ＹＺ平面に平行な基準面に関して互いに対称な形状を有しており、第１当接部材２２１とアーム２２２とを含んでいる。第１当接部材２２１は、Ｙ方向に沿って延在する円柱形状を有し、その外周面の一部が複数の基板Ｗの周縁に当接する。アーム２２２はその一端において第１当接部材２２１に連結される。アーム２２２の他端は回転軸線Ｑ２のまわりで回転可能に設けられる。なお、図５では図面の煩雑を避けるために押さえ部２２の図示を省略しているものの、アーム２２２の他端は第１板部２４および第２板部２５に回転可能に連結される。回転軸線Ｑ２はＹ方向に沿う軸であり、Ｚ方向においてカセットＣと対向しない位置に設けられる。図４の例では、＋Ｘ側の押さえ部２２についての回転軸線Ｑ２はカセットＣよりも＋Ｚ側かつ＋Ｘ側の位置に設けられ、－Ｘ側の押さえ部２２についての回転軸線Ｑ２はカセットＣよりも＋Ｚ側かつ－Ｘ側の位置に設けられる。

【0067】

駆動機構２３は制御部５によって制御され、押さえ部２２をそれぞれの当接位置と退避位置との間で変位させる。具体的な一例として、駆動機構２３はモータを含み、アーム２２２を回転軸線Ｑ２のまわりで回動させる。アーム２２２が回転軸線Ｑ２のまわりで回動することにより、第１当接部材２２１は当接位置と退避位置との間で円弧経路に沿って往復移動する。－Ｘ側の押さえ部２２は退避位置においてカセットＣの搬送経路よりも－Ｘ側に位置し、＋Ｘ側の押さえ部２２は退避位置においてカセットＣの搬送経路よりも＋Ｘ側に位置する。

【0068】

図示の例では、各押さえ部２２は複数の基板Ｗの周縁のみならず、カセットＣの＋Ｚ側の端部（上端）にも当接可能である。具体的には、押さえ部２２は第２当接部材２２３をさらに含んでいる。第２当接部材２２３は、Ｙ方向に沿って延在する角柱形状を有し、その－Ｚ側の端部（下部）がカセットＣの＋Ｚ側の端部（上端）に当接する。

【0069】

図示の例では、第２当接部材２２３の＋Ｚ側の端部（上端）はアーム２２２に連結されており、第２当接部材２２３は第１当接部材２２１と一体で移動する。つまり、駆動機構２３が押さえ部２２を当接位置で停止させた状態では、第１当接部材２２１は複数の基板Ｗの周縁に当接し、第２当接部材２２３はカセットＣの＋Ｚ側の端部に当接する。これによれば、カセット保持部２はカセットＣの＋Ｚ側の端部にも当接するので、カセットＣおよび複数の基板Ｗをより強固に保持することができる。

【0070】

一方、駆動機構２３が押さえ部２２を退避位置で停止させた状態では、第１当接部材２２１および第２当接部材２２３はＺ方向においてカセットＣと対向しない。これにより、カセットＣの搬出入時において、押さえ部２２がカセットＣと物理的に干渉することを回避することができる。

【0071】

＜回転機構＞
回転機構３はカセット保持部２を回転軸線Ｑ１のまわりで回転させる。図５の例では、回転機構３はモータ３１とシャフト３２とを含んでいる。シャフト３２は回転軸線Ｑ１に沿って延在しており、カセット保持部２に連結されている。図５の例では、シャフト３２はカセット保持部２の第１板部２４に連結される。また、シャフト３２は回転軸線Ｑ１のまわりで回転可能にチャンバ１に軸支される。つまり、シャフト３２は不図示の軸受を介してチャンバ１に連結される。

【0072】

モータ３１は制御部５によって制御され、シャフト３２を回転軸線Ｑ１のまわりで回転させる。モータ３１がシャフト３２を回転軸線Ｑ１のまわりで回転させることにより、シャフト３２に連結されたカセット保持部２が回転軸線Ｑ１のまわりで回転する。これにより、カセット保持部２によって保持されたカセットＣおよび複数の基板Ｗも回転軸線Ｑ１のまわりで一体に回転する。

【0073】

図５の例では、カセット保持部２の第２板部２５にはシャフト３３が連結される。シャフト３３はシャフト３２と同軸に設けられ、回転軸線Ｑ１のまわりで回転可能にチャンバ１に軸支される。

【0074】

＜不活性ガス供給部＞
不活性ガス供給部４の吐出管４１および吐出管４２は配管を通じてガス供給源４９に接続される。ここでは、シャフト３２は中空シャフトであり、吐出管４１および吐出管４２はシャフト３２の中空部を介してガス供給源４９に接続される（図４および図５も参照）。吐出管４１は第１中継管４３の下流端に接続され、第１中継管４３の上流端はシャフト３２に接続される。吐出管４２は第２中継管４４の下流端に接続され、第２中継管４４の上流端はシャフト３２に接続される。シャフト３２は第３中継管４５を介してガス供給源４９に接続される。ガス供給源４９は不活性ガスを第３中継管４５の上流端に供給する。

【0075】

第３中継管４５には、バルブ４６が介装されている。バルブ４６は制御部５によって制御される。バルブ４６が開くことにより、ガス供給源４９からの不活性ガスが第３中継管４５、シャフト３２、第１中継管４３および第２中継管４４を通じて、それぞれ、吐出管４１および吐出管４２に供給される。当該不活性ガスは吐出管４１の吐出管４１ａおよび吐出管４２の吐出管４２ａから吐出される。バルブ４６が閉じることにより、吐出管４１および吐出管４２からの不活性ガスの吐出が停止する。

【0076】

図示の例では、第３中継管４５には、流量調整部４７が介装されている。流量調整部４７は制御部５によって制御され、第３中継管４５を流れる不活性ガスの流量を調整する。流量調整部４７は例えばマスフローコントローラである。不活性ガスの流量は例えば５Ｌ／ｍｉｎ以上かつ５０Ｌ／ｍｉｎ以下に設定され得る。

【0077】

図示の例では、吐出管４１および吐出管４２よりも上流側でヒータ４８が設けられている。具体的には、ヒータ４８は第３中継管４５に設けられている。ヒータ４８は制御部５によって制御され、第３中継管４５を流れる不活性ガスを加熱する。ヒータ４８は、例えば、熱電対を含む電気抵抗式のヒータである。ヒータ４８は、不活性ガスの温度が５０℃以上かつ１００℃以下となるように不活性ガスを加熱する。なお、この温度範囲は、ヒータ４８の直後の不活性ガスの温度についての温度範囲であってもよく、あるいは、チャンバ１内に吐出された直後の不活性ガスの温度についての温度範囲であってもよい。

【0078】

ヒータ４８によって加熱された高温の不活性ガスは吐出管４１および吐出管４２から吐出され、カセットＣの内部に流入する。不活性ガスの温度が高いので、処理液の蒸発をさらに促進させることができる。

【0079】

上述の例では、吐出管４１および吐出管４２はシャフト３２に接続される。よって、シャフト３２が回転することにより、吐出管４１および吐出管４２もカセット保持部２と一体で回転軸線Ｑ１のまわりを回転する。したがって、カセット保持部２の回転中において、吐出管４１および吐出管４２はカセットＣの内部に不活性ガスを供給し続けることができる。

【0080】

また、上述の例では、吐出管４１の吐出管４１ａの開口方向は、カセットＣの内部に向かう方向であって、カセットＣの回転方向とは反対側である（図１も参照）。この場合、吐出管４１はＸ方向において、カセットＣの側壁９３よりも側壁９４に近い位置に設けられるとよい。これによれば、吐出管４１を、基板Ｗの＋Ｘ側の周縁部とカセットＣの側壁９４との間の空間のより近くに設けることができる。したがって、より効率的に不活性ガスを当該空間に流入させることができる。

【0081】

また、図１の例では、吐出管４２の吐出管４２ａの開口方向は、カセットＣの内部に向かう方向であって、カセットＣの回転方向とは反対側である。この場合、吐出管４２はＸ方向において、カセットＣの側壁９４よりも側壁９３に近い位置に設けられるとよい。これによれば、吐出管４２を、基板Ｗの－Ｘ側の周縁部とカセットＣの側壁９３との間の空間のより近くに設けることができる。したがって、より効率的に不活性ガスを当該空間に流入させることができる。

【0082】

吐出管４１は、不活性ガスを吐出する吐出位置と、退避位置との間で移動可能に設けられる（図４も参照）。吐出位置とは、吐出管４１がカセットＣの上側開口９ａと対向する位置であって、吐出管４１がカセットＣの内部に不活性ガスを供給可能な位置である。退避位置は、吐出管４１がカセットＣの搬送経路に干渉しない位置であり、具体的な一例として、Ｚ方向においてカセットＣと対向しない位置である。

【0083】

図４の例では、吐出管４１は押さえ部２２と連動して移動する。例えば第１中継管４３はフレキシブル配管であり、シャフト３２から径方向に沿って回転軸線Ｑ２に向けて延在しつつ、回転軸線Ｑ２付近で屈曲し、吐出管４１に向かって延在する。図４の例では、吐出管４１は吐出位置において、第１当接部材２２１よりも－Ｚ側かつ＋Ｘ側に位置する。吐出管４１および第１中継管４３は押さえ部２２に連結されており、押さえ部２２と一体で移動する。よって、吐出管４１は回転軸線Ｑ２を中心とした円弧経路に沿って、吐出位置と退避位置との間を移動する。ここでは、押さえ部２２および吐出管４１が一体で移動するので、押さえ部２２の当接位置および吐出管４１の吐出位置を纏めて第１位置とも呼び、押さえ部２２の退避位置および吐出管４１の退避位置を纏めて第２位置とも呼ぶ。

【0084】

駆動機構２３はカセットＣの搬出入時において、押さえ部２２および吐出管４１を第２位置で停止させる。これにより、カセットＣと押さえ部２２との物理的な干渉およびカセットＣと吐出管４１との物理的な干渉を回避できる。また、駆動機構２３は乾燥処理において、押さえ部２２および吐出管４１を第１位置で停止させる。これにより、カセット保持部２がカセットＣおよび複数の基板Ｗを保持でき、また、吐出管４１がカセットＣの内部に不活性ガスを供給できる。

【0085】

図６は、吐出管４２およびカセットＣの構成の一例を概略的に示す斜視図である。吐出管４２には複数の吐出管４２ａが形成されていてもよい。図６の例では、複数の吐出管４２ａはＹ方向において間隔を空けて並ぶように形成される。複数の吐出管４２ａのピッチは複数の基板Ｗのピッチに応じて設定される。ここでいうＡとＢとの間のピッチとは、ＡのＹ方向の中心とＢのＹ方向の中心との間の距離をいう。吐出管４２ａのピッチは基板Ｗのピッチと同じであってもよい。言い換えれば、吐出管４２ａのピッチはカセットＣ内における溝９３２のピッチと同じであってもよい。また、各吐出管４２ａのＹ方向位置は溝９３２のＹ方向位置と同じでであってもよい。言い換えれば、各吐出管４２ａはカセットＣの各溝９３２と対向する位置に形成されてもよい。

【0086】

これによれば、複数の吐出管４２ａから吐出される不活性ガスはそれぞれ複数の溝９３２に沿って流れる。よって、不活性ガスをより効率的に、各基板Ｗの－Ｘ側の周縁部とカセットＣの突部９３１との間の隙間に供給することができる。また、不活性ガスをより効率的に、各基板Ｗの周縁とカセットＣの側壁９３との接触箇所Ｐ１に供給することもできる。接触箇所Ｐ１は処理液が残留しやすいところ、接触箇所Ｐ１に不活性ガスを供給することにより、接触箇所Ｐ１における処理液の残留を抑制することができる。

【0087】

同様に、吐出管４１には複数の吐出管４１ａが形成されていてもよい。複数の吐出管４１ａはＹ方向において間隔を空けて並ぶように形成される。複数の吐出管４１ａのピッチは複数の基板Ｗのピッチに応じて設定される。吐出管４１ａのピッチは基板Ｗのピッチと同じであってもよい。言い換えれば、吐出管４１ａのピッチはカセットＣ内における溝９４２のピッチと同じであってもよい。また、各吐出管４１ａのＹ方向位置は溝９４２のＹ方向位置と同じでであってもよい。言い換えれば、各吐出管４１ａはカセットＣの各溝９４２と対向する位置に形成されてもよい。

【0088】

これによれば、複数の吐出管４１ａから吐出される不活性ガスはそれぞれ複数の溝９４２に沿って流れる。よって、不活性ガスをより効率的に、各基板Ｗの＋Ｘ側の周縁部とカセットＣの突部９４１との間の隙間に供給することができ、また、各基板Ｗの周縁とカセットＣの側壁９４との接触箇所Ｐ２にも供給することができる。接触箇所Ｐ２は処理液が残留しやすいところ、接触箇所Ｐ２に不活性ガスを供給することにより、接触箇所Ｐ２における処理液の残留を抑制することができる。

【0089】

＜制御部＞
図７は、制御部５の構成の一例を概略的に示すブロック図である。制御部５は電子回路機器であって、例えばデータ処理装置５１および記憶媒体５２を有していてもよい。データ処理装置５１は例えばＣＰＵ（Central Processor Unit）などの演算処理装置であってもよい。記憶媒体５２は非一時的な記憶媒体５２１（例えばＲＯＭ（Read Only Memory）またはハードディスク）および一時的な記憶媒体５２２（例えばＲＡＭ（Random Access Memory））を有していてもよい。非一時的な記憶媒体５２１には、例えば制御部５が実行する処理を規定するプログラムが記憶されていてもよい。データ処理装置５１がこのプログラムを実行することにより、制御部５が、プログラムに規定された処理を実行することができる。もちろん、制御部５が実行する処理の一部または全部が、論理回路などのハードウェア回路によって実行されてもよい。

【0090】

＜スピンドライヤの動作＞
次にスピンドライヤ１００の動作の一例について説明する。図８は、スピンドライヤ１００の動作の一例を示すフローチャートである。まず、複数の基板Ｗを収容したカセットＣが不図示の搬送装置によってチャンバ１内に搬入される（ステップＳ１）。具体的には、チャンバ１の蓋１２が開き、駆動機構２３が押さえ部２２および吐出管４１を第２位置（退避位置）で停止させる。この状態で、搬送装置がカセットＣをチャンバ１の本体１１内に搬送する。そして、カセットＣがカセット支持部２１の上に載置されると、駆動機構２３は押さえ部２２および吐出管４１を第１位置に一体に移動させる。これにより、押さえ部２２が当接位置で停止して、カセットＣおよび複数の基板Ｗがカセット保持部２によって保持され、吐出管４１が吐出位置で停止する。また、蓋１２が閉じる。

【0091】

次に、不活性ガス供給部４は高温の不活性ガスを吐出管４１および吐出管４２から吐出させる（ステップＳ２）。具体的には、バルブ４６が開き、ヒータ４８が不活性ガスを加熱する。これにより、高温の不活性ガスがカセットＣの内部に供給される。より具体的には、吐出管４１は基板Ｗの＋Ｘ側の周縁部とカセットＣの側壁９４との間の空間に向かって高温の不活性ガスを吐出し、吐出管４２は基板Ｗの－Ｘ側の周縁部とカセットＣの側壁９３との間の空間に向かって高温の不活性ガスを吐出する。

【0092】

次に、回転機構３は回転軸線Ｑ１のまわりでカセット保持部２を回転させる（ステップＳ３）。これにより、カセット保持部２に保持されたカセットＣおよび複数の基板Ｗが回転軸線Ｑ１のまわりで回転する。上述の例では、吐出管４１および吐出管４２はシャフト３２と連結されているので、これらも回転軸線Ｑ１のまわりで回転する。当該回転によって、外部の空気が吸気口１ａを通じてチャンバ１内に流入し、チャンバ１内を流れて排気口１ｂから排出される。チャンバ１内においては、空気の一部がカセットＣ内の基板Ｗの相互間を流れて、排気口１ｂから排出される。

【0093】

なお、ステップＳ２，Ｓ３の開始タイミングはほぼ同時であってもよく、あるいは、互いに前後してもよい。

【0094】

複数の基板Ｗが十分に乾燥すると、不活性ガス供給部４は不活性ガスの供給を終了し、回転機構３はカセット保持部２の回転を終了する。

【0095】

次に、カセットＣがチャンバ１から搬出される（ステップＳ４）。具体的には、駆動機構２３が押さえ部２２および吐出管４１を一体に第２位置に移動させ、蓋１２が開く。この状態で、搬送装置がカセットＣをチャンバ１の本体１１から搬出する。

【0096】

以上のように、スピンドライヤ１００は、カセットＣ内に収容された複数の基板Ｗに対して一括して乾燥処理を行うことができる。しかも、このスピンドライヤ１００においては、不活性ガス供給部４がカセットＣの内部に不活性ガスを供給している。よって、カセットＣの回転に伴う空気流のみならず、不活性ガス供給部４による不活性ガスもカセットＣの内部を流れる。したがって、基板Ｗの相互間にガスが流入しやすく、処理液の蒸発を促進させることができる。つまり、基板Ｗをより適切に乾燥させることができる。

【0097】

また上述の例では、吐出管４１および吐出管４２の両方が設けられている。よって、上側開口９ａを通じてカセットＣの内部に不活性ガスが供給されるとともに、下側開口９ｂを通じてもカセットＣの内部に不活性ガスが供給される。よって、基板Ｗの乾燥をより促進させることができる。

【0098】

また上述の例では、吐出管４１はカセットＣの回転方向とは反対側に向かって不活性ガスを吐出する。よって、吐出管４１から吐出された不活性ガスは、基板Ｗの＋Ｘ側の周縁部とカセットＣの側壁９４の内面との間の空間に流入する。よって、乾燥が困難な、基板Ｗと突部９４１との間の隙間に不活性ガスを効率的に供給でき、処理液の蒸発を促進させることができる。

【0099】

また上述の例では、吐出管４２はカセットＣの回転方向とは反対側に向かって不活性ガスを吐出する。よって、吐出管４２から吐出された不活性ガスは、基板Ｗの－Ｘ側の周縁部とカセットＣの側壁９３の内面との間の空間に流入する。よって、乾燥が困難な、基板Ｗと突部９３１との間の隙間に不活性ガスを効率的に供給でき、処理液の蒸発を促進させることができる。

【0100】

また上述の例では、吐出管４１および吐出管４２はカセット保持部２と一体に回転軸線Ｑ１のまわりで回転する。これによれば、不活性ガス供給部４はカセット保持部２の回転中にカセットＣの内部に不活性ガスを供給し続けることができ、不活性ガスによる処理液の蒸発促進効果を維持することができる。

【0101】

また上述の例では、複数の吐出管４１ａがＹ方向に沿って並んで形成される。吐出管４１ａのピッチは基板Ｗのピッチと同じであり、各吐出管４１ａのＹ方向の位置は各溝９４２のＹ方向の位置と同じである。これによれば、不活性ガスを効率的に溝９４２に供給することができ、ひいては不活性ガスを効率的に接触箇所Ｐ２に供給することができる。

【0102】

また上述の例では、吐出管４２には複数の吐出管４２ａがＹ方向に沿って並んで形成される。吐出管４２ａのピッチは基板Ｗのピッチと同じであり、各吐出管４２ａのＹ方向の位置は各溝９３２のＹ方向の位置と同じである。これによれば、不活性ガスを効率的に基板Ｗの溝９３２に供給することができ、ひいては不活性ガスを効率的に接触箇所Ｐ１に供給できる。

【0103】

また上述の例では、ガス供給源４９はシャフト３２の中空部を通じて吐出管４１および吐出管４２に不活性ガスを供給する。つまり、シャフト３２の中空部を不活性ガスの供給流路として利用している。これによれば、カセット保持部２と一体に回転する吐出管４１および吐出管４２に対して、より簡易な構成で不活性ガスを供給することができる。

【0104】

また上述の例では、吐出管４１は第１位置（吐出位置）と第２位置（退避位置）との間で移動可能に設けられている。吐出管４１が第１位置に位置する状態では、吐出管４１はカセットＣの上側開口９ａと向かい合う位置で停止する。よって、吐出管４１はより効率的にカセットＣの内部に不活性ガスを供給することができる。吐出管４１が第２位置に位置する状態では、吐出管４１はＺ方向においてカセットＣと対向しない。よって、チャンバ１に対してカセットＣをＺ方向に沿って搬出入することができる。

【0105】

また上述の例では、吐出管４１は押さえ部２２と一体に移動する。つまり、駆動機構２３は押さえ部２２と吐出管４１とを一体に移動させる。これによれば、より簡易な構成で押さえ部２２と吐出管４１とを移動させることができる。つまり、押さえ部２２に専用の駆動機構と、吐出管４１に専用の駆動機構とが設けられる場合には、構成が複雑化し、コストの増加を招くのに対して、上述の例では、駆動機構２３が押さえ部２２および吐出管４１に対して共通して設けられるので、構成を簡易にでき、コストを低減させることができる。

【0106】

また上述の例では、ヒータ４８が不活性ガスを加熱する。よって、高温の不活性ガスをカセットＣの内部に供給することができる。したがって、処理液の蒸発をさらに促進させることができる。

【0107】

また上述の例では、不活性ガス供給部４はカセット保持部２の回転開始とほぼ同時に不活性ガスを供給し始める。これによれば、乾燥処理の初期から不活性ガスによる処理液の蒸発促進効果を得ることができる。また、不活性ガス供給部４はカセット保持部２の回転期間の全期間において、不活性ガスを供給する。これによれば、不活性ガスによる処理液の蒸発促進効果を全期間にわたって招来することができる。

【0108】

＜第２の実施の形態＞
図９は、第２の実施の形態にかかるスピンドライヤ１００Ａの構成の一例を概略的に示す側断面図である。スピンドライヤ１００Ａはカセット保持部２の構成を除いて、スピンドライヤ１００と同様の構成を有している。なお、第２の実施の形態では、不活性ガス供給部４は必須要件ではない。

【0109】

第２の実施の形態では、カセット保持部２は、複数の基板ＷをカセットＣから浮かせた状態で、複数の基板ＷおよびカセットＣを保持する。具体的には、カセット保持部２は、複数の基板ＷをカセットＣから浮かせた状態で支持する基板支持部２８をさらに含んでいる。基板支持部２８はカセット支持部２１の上面に立設されており、カセットＣの支持脚９５と支持脚９６との間に位置するように設けられる。基板支持部２８の＋Ｚ側の端部は複数の基板Ｗの周縁（側面）のうち－Ｚ側の部分に当接しており、複数の基板ＷをカセットＣから浮かせた状態で支持する。つまり、各基板Ｗは基板支持部２８によって支持された状態では、カセットＣによって支持されない。これによれば、各基板ＷとカセットＣの側壁９３の傾斜面９３ｂとの間の隙間Ｇ１、および、各基板ＷとカセットＣの側壁９４の傾斜面９４ｂとの間の隙間Ｇ２を大きくすることができる。

【0110】

図９の例では、一対の基板支持部２８が設けられており、Ｘ方向において互いに間隔を空けて設けられる。一方の基板支持部２８は基板Ｗの中心に対して－Ｘ側に設けられ、他方の基板支持部２８は基板Ｗの中心に対して＋Ｘ側に設けられる。つまり、一対の基板支持部２８はＸ方向において基板Ｗの中心に対して互いに反対側に設けられる。この構造によれば、各基板Ｗは一対の基板支持部２８によって２点で支持される。図９の例では、一対の押さえ部２２が各基板Ｗの周縁（側面）のうち＋Ｚ側の部分に当接するので、各基板Ｗは一対の押さえ部２２の第１当接部材２２１および一対の基板支持部２８によって４点で挟持される。

【0111】

なお、各基板Ｗは基板支持部２８によって支持された状態においても、カセットＣの溝９３２および溝９４２に挿入される。要するに、基板支持部２８の高さは、各基板Ｗが基板支持部２８によって支持された状態において溝９３２，９４２に挿入される程度に設定され得る。これにより、各基板Ｗの起立姿勢をカセットＣによって維持することができる。

【0112】

吐出管４２が設けられる場合には、基板支持部２８は吐出管４２による不活性ガスの供給を阻害しないように設けられる。ここでは、吐出管４２は－Ｘ側かつ＋Ｚ側の斜め方向（時計回り方向）に向けて不活性ガスを吐出するので、図９の例では、一対の基板支持部２８は吐出管４２に対して＋Ｘ側に設けられている。言い換えれば、基板支持部２８は吐出管４２とカセットＣの支持脚９５との間を避けて設けられる。

【0113】

以上のように、各基板ＷはカセットＣから浮いた状態で第１当接部材２２１および基板支持部２８によって挟持される。なお、カセットＣはカセット支持部２１および一対の押さえ部２２の第２当接部材２２３によって挟持される。

【0114】

スピンドライヤ１００Ａの動作の一例は第１の実施の形態と同様である。このスピンドライヤ１００Ａによれば、カセット保持部２は複数の基板ＷをカセットＣから浮かせた状態で支持する。よって、基板Ｗの周縁とカセットＣの内面との間の隙間Ｇ１，Ｇ２を大きくすることができ、ガスが隙間Ｇ１，Ｇ２に流入しやすい。よって、これらの隙間Ｇ１，Ｇ２において処理液の蒸発を促進させることができる。

【0115】

不活性ガス供給部４が設けられている場合には、回転機構３に伴って隙間Ｇ１，Ｇ２に空気が流入するとともに、不活性ガスも当該隙間に流入する。よって、隙間Ｇ１，Ｇ２における処理液の蒸発をさらに促進させることができる。

【0116】

図９の例では、基板支持部２８は＋Ｚ側に向かうにしたがって先細となる先細形状を有している。これよれば、基板支持部２８と基板Ｗの周縁との接触面積を小さくすることができるので、この接触箇所における処理液の残留量も低減できる。この観点によれば、基板支持部２８はＺＸ平面において点接触で各基板Ｗと接触することが望ましい。また基板支持部２８はＹ方向に沿って一様に延在しているとよい。これによれば、全ての基板Ｗの側面との接触面積を低減できる。

【0117】

図１０は、カセット保持部２の構成の他の一例を概略的に示す図である。図１０の例では、カセット保持部２には、３つの基板支持部２８が設けられている。３つの基板支持部２８はＸ方向において互いに間隔を空けて設けられる。中央の基板支持部２８はＺ方向において基板Ｗの中心部と向かい合う位置に設けられ、－Ｘ側の基板支持部２８は基板Ｗの中心よりも－Ｘ側に設けられ、＋Ｘ側の基板支持部２８は基板Ｗの中心よりも＋Ｘ側に設けられる。これによれば、各基板Ｗを支持する箇所を増やすことができ、カセット保持部２はより強固に基板ＷおよびカセットＣを保持することができる。

【0118】

＜変形例＞
上述の例では、不活性ガス供給部４には吐出管４１および吐出管４２の両方が設けられているものの、いずれか一方のみが設けられてもよい。いずれか一方のみが設けられた場合でも、両方が設けられない場合に比べれば、処理液の蒸発を促進させることができる。

【0119】

また上述の例では、シャフト３２は第１板部２４をＹ方向に貫通しており（図５参照）、第１中継管４３の上流端および第２中継管４４の上流端は第１板部２４よりも－Ｙ側において、シャフト３２に接続されている。しかるに、第１中継管４３および第２中継管４４の上流端は第１板部２４よりも＋Ｙ側でシャフト３２に接続されてもよい。第１中継管４３はその上流端から第１板部２４の－Ｙ側の主面に沿って延在し、第１板部２４の側面を跨いで第１板部２４よりも＋Ｙ側の空間に延在し、その下流端において吐出管４１に接続されてもよい。第２中継管４４も同様である。これによれば、シャフト３２は第１板部２４を貫通する必要がなく、製造工程を簡易にすることができる。

【0120】

また上述の例では、押さえ部２２において、第１当接部材２２１および第２当接部材２２３は一体に移動可能に設けられている。しかしながら、第１当接部材２２１および第２当接部材２２３は互いに独立して移動可能に設けられてもよい。この場合、第１当接部材２２１を駆動する駆動機構２３と、第２当接部材２２３を駆動する駆動機構２３とが別体で設けられてもよい。この場合、吐出管４１は第１当接部材２２１と一体で移動可能に設けられてもよく、第２当接部材２２３と一体で移動可能に設けられてもよい。もちろん、吐出管４１は押さえ部２２とは独立して移動可能に設けられても構わない。

【0121】

また上述の例では、カセット保持部２の回転開始とほぼ同時に不活性ガスの供給が開始する。しかるに、これに限らず、不活性ガスの供給期間は適宜に変更してもよい。例えば、カセット保持部２の回転期間の一部のみで不活性ガスを供給しても構わない。

【0122】

また上述の例では、吐出管４１および吐出管４２はカセット保持部２と一体で回転する。しかしながら、必ずしもこれに限らない。例えば、吐出管４１がカセット保持部２よりも径方向外側において、回転不能にチャンバ１に設けられてもよい。この場合、カセットＣの回転中において、カセットＣの上側開口９ａが吐出管４１の吐出管４１ａと向かい合うタイミングでは、吐出管４１ａからの不活性ガスが上側開口９ａを通じてカセットＣの内部に供給される。よって、吐出管４１が設けられていない場合に比べれば、カセットＣの内部において処理液の蒸発を促進させることができる。

【0123】

以上のように、このスピンドライヤ１００，１００Ａは詳細に説明されたが、上記の説明は、すべての局面において、例示であって、このスピンドライヤ１００，１００Ａがそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この開示の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。上記各実施形態及び各変形例で説明した各構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わせたり、省略したりすることができる。

【符号の説明】

【0124】

１ チャンバ
１００，１００Ａ スピンドライヤ
２ カセット保持部
２２１ 当接部材（第１当接部材）
２２３ 当接部材（第２当接部材）
２３ 駆動機構
３ 回転機構
３１ モータ
３２ 中空シャフト（シャフト）
４ 不活性ガス供給部
４１，４２ 第１吐出管、第２吐出管（吐出管）
４１ａ，４２ａ 第１吐出口、第２吐出口（吐出口）
４８ ヒータ
９ａ 上側開口
９ｂ 下側開口
９３２，９４２ 溝
Ｃ カセット
Ｑ１ 回転軸線
Ｗ 基板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】