特開 2022-89712 弾性表面波デバイス

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022089712

(43)【公開日】2022-06-16

(54)【発明の名称】弾性表面波デバイス

(51)【国際特許分類】

   H03H 9/145 20060101AFI20220609BHJP

   H03H 9/25 20060101ALI20220609BHJP

   H03H 3/08 20060101ALI20220609BHJP

【ＦＩ】

H03H9/145 C

H03H9/25 C

H03H3/08

H03H9/145 Z

【審査請求】未請求

【請求項の数】11

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2020202334

(22)【出願日】2020-12-05

(71)【出願人】

【識別番号】518453730

【氏名又は名称】三安ジャパンテクノロジー株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100171077

【弁理士】

【氏名又は名称】佐々木 健

(72)【発明者】

【氏名】本山 惠一郎

(72)【発明者】

【氏名】▲高▼橋 敦哉

(72)【発明者】

【氏名】熊谷 浩一

(72)【発明者】

【氏名】▲高▼岡 良和

【テーマコード（参考）】

5J097

【Ｆターム（参考）】

5J097AA26

5J097AA36

5J097DD28

5J097FF01

5J097FF03

5J097FF05

5J097FF08

5J097GG02

5J097GG03

5J097GG04

5J097HA07

5J097JJ04

5J097KK09

5J097KK10

(57)【要約】

【課題】ヒロックの発生を十分に抑制し、十分な耐電力を確保した、信頼性の高い弾性表面波デバイスを提供する。
【解決手段】 上記課題を解決するための本発明の手段は、圧電基板と、前記圧電基板上に形成され、互いに間挿し合う複数本の電極指を有する一対のくし型電極であるＩＤＴを有する金属パターンとを備える弾性表面波デバイスであって、前記金属パターンは、第1の金属と第2の金属からなり、前記第2の金属は、前記第1の金属に覆われている、弾性表面波デバイスである。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

圧電基板と、
前記圧電基板上に形成され、互いに間挿し合う複数本の電極指を有する一対のくし型電極であるＩＤＴを有する金属パターンと
を備える弾性表面波デバイスであって、
前記金属パターンは、第1の金属と第2の金属からなり、
前記第2の金属は、前記第1の金属に覆われている、弾性表面波デバイス。

【請求項2】

前記第1の金属は、前記第2の金属よりも、線膨張係数が小さい特性を有する弾性表面波デバイス。

【請求項3】

前記第１の金属は、チタンまたはチタン合金である請求項１に記載の弾性表面波デバイス。

【請求項4】

前記第２の金属は、アルミニウム、銅またはこれらのいずれかを含む合金である、請求項１に記載の弾性表面波デバイス。

【請求項5】

前記圧電基板は、タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムからなる基板である、請求項１に記載の弾性表面波デバイス。

【請求項6】

前記圧電基板は、前記金属パターンが形成された面とは反対の主面に、サファイア、シリコン、アルミナ、スピネル、水晶、またはガラスからなる基板が接合されている請求項１に記載の弾性表面波デバイス。

【請求項7】

前記金属パターンは、バンプパッドと、前記ＩＤＴと前記バンプパッドを電気的に接続する配線パターンを有する請求項１に記載の弾性表面波デバイス。

【請求項8】

圧電基板上に、第１の金属により、凹部形状に、互いに間挿し合う複数本の電極指を有する一対のくし型電極であるＩＤＴを有する金属パターンを形成する工程と、
前記第1の金属の凹部に第2の金属を充填する工程と、
前記第2の金属上に前記第1の金属を形成する工程と
を含む弾性表面波デバイスの製造方法。

【請求項9】

前記圧電基板上に、第１の金属により、凹部形状に、互いに間挿し合う複数本の電極指を有する一対のくし型電極であるＩＤＴを有する金属パターンを形成する工程は、
前記圧電基板上に犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層をパターニングし、前記圧電基板を部分的に露出させる工程と
を含む請求項８に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。

【請求項10】

前記圧電基板上に、第１の金属により、凹部形状に、互いに間挿し合う複数本の電極指を有する一対のくし型電極であるＩＤＴを有する金属パターンを形成する工程は、底部と側壁部が一括して形成される、請求項８に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。

【請求項11】

前記第1の金属の凹部に第2の金属を充填する工程の後、前記犠牲層が露出するまで、第２の金属を研磨する工程を含む請求項９に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、弾性表面波（ＳＡＷ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）デバイスに関する。

【背景技術】

【0002】

移動体通信端末に代表されるスマートフォンなどでは、年々、高機能化が進んでいる。そのため、使用される電子部品の数は増加する傾向にある。

【0003】

弾性表面波デバイスの基本構造は、すでに多くの解説書に述べられているように、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウム等の圧電基板上に弾性表面波を励振するＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）を形成し、共振器とする。ＩＤＴは、アルミニウム（Ａｌ）等の導電性膜を形成した後、フォトレジストをマスクにしてエッチング処理することにより、形成することができる。適宜、複数の共振器を形成し、ＤＭＳ設計やラダー設計を採用し、所望のバンドパスフィルタとしての特性が得られるよう、構成されることがある。

【0004】

また、弾性表面波デバイスでは、耐電力性の高いことが求められることがある。従来用いられてきたアルミニウムによりＩＤＴを形成した場合、パワー印可によるＩＤＴの変位の影響により、マイグレーションが発生する。その結果、ＩＤＴが破壊してしまうため、耐電力が小さいという問題があった。

【0005】

例えば、特許文献１に記載のように、弾性表面波デバイスの小型化を図り、耐電力性を高め、ヒロックのような突出部が生じにくい弾性表面波デバイスを提供するため、所定量の銅を添加したアルミニウム－銅合金膜によりＩＤＴを形成することがある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【特許文献1】国際公開第２００９／１５０７８６号パンフレット

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

本発明が解決しようとする主たる課題について説明する。弾性表面波デバイスのパターン配線やＩＤＴの金属材料に純アルミニウムを使用すると、パターン配線やＩＤＴにヒロックが発生し、また、耐電力が弱いという課題があった。ヒロックは、製造工程などにおける熱履歴による膜応力の負荷や、高電圧が印可されることにより、パターン配線やＩＤＴに発生する。ヒロックにより、ＩＤＴの耐電力は低下する。

【0008】

そこで、特許文献１に記載のように、従来、ヒロックの発生を抑制し、耐電力を向上させるために、銅を添加する技術が開示されている。

【0009】

しかし、抵抗の増大や、酸化防止対策による伝搬特性への影響があり、近時の弾性表面波デバイスの小型化、高周波化の要求に対して、十分な耐電力性をみたすことが困難である。また、ヒロックの発生の抑制も、十分ではない。

【0010】

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、ヒロックの発生を十分に抑制し、十分な耐電力を確保した、信頼性の高い弾性表面波デバイスを提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0011】

前記課題を達成するために、本発明にあっては、
圧電基板と、
前記圧電基板上に形成され、互いに間挿し合う複数本の電極指を有する一対のくし型電極であるＩＤＴを有する金属パターンと
を備える弾性表面波デバイスであって、
前記金属パターンは、第1の金属と第2の金属からなり、
前記第2の金属は、前記第1の金属に覆われている、弾性表面波デバイスとした。

【0012】

前記第1の金属は、前記第2の金属よりも、線膨張係数が小さい特性を有することが、本発明の一形態とされる。

【0013】

前記第１の金属は、チタンまたはチタン合金であることが、本発明の一形態とされる。

【0014】

前記第２の金属は、アルミニウム、銅またはこれらのいずれかを含む合金であることが、本発明の一形態とされる。

【0015】

前記圧電基板は、タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムからなる基板であることが、本発明の一形態とされる。

【0016】

前記圧電基板は、前記金属パターンが形成された面とは反対の主面に、サファイア、シリコン、アルミナ、スピネル、水晶、またはガラスからなる基板が接合されていることが、本発明の一形態とされる。

【0017】

前記金属パターンは、バンプパッドと、前記ＩＤＴと前記バンプパッドを電気的に接続する配線パターンを有することが、本発明の一形態とされる。

【0018】

さらに、本発明の別の側面においては、
圧電基板上に、第１の金属により、凹部形状に、互いに間挿し合う複数本の電極指を有する一対のくし型電極であるＩＤＴを有する金属パターンを形成する工程と、
前記第1の金属の凹部に第2の金属を充填する工程と、
前記第2の金属上に前記第1の金属を形成する工程と
を含む、弾性表面波デバイスの製造方法である。

【0019】

前記圧電基板上に、第１の金属により、凹部形状に、互いに間挿し合う複数本の電極指を有する一対のくし型電極であるＩＤＴを有する金属パターンを形成する工程は、
前記圧電基板上に犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層をパターニングし、前記圧電基板を部分的に露出させる工程と
を含むことが、本発明の一形態とされる。

【0020】

前記圧電基板上に、第１の金属により、凹部形状に、互いに間挿し合う複数本の電極指を有する一対のくし型電極であるＩＤＴを有する金属パターンを形成する工程は、底部と側壁部が一括して形成されることが、本発明の一形態とされる。

【0021】

前記第1の金属の凹部に第2の金属を充填する工程の後、前記犠牲層が露出するまで、第２の金属を研磨する工程を含むことが、本発明の一形態とされる。

【発明の効果】

【0022】

本発明によれば、ヒロックの発生を十分に抑制し、十分な耐電力を確保した、信頼性の高い弾性表面波デバイスを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0023】

【図1】図１は、本実施例にかかる弾性表面波デバイス１の断面図である。

【図2】図２は、ＩＤＴ５を含む共振器の構成を説明するための平面図である。

【図3】図３は、パターン配線７を含む圧電基板３上の概略を示す平面図である。

【図4】図４は、本発明にかかる弾性表面波デバイスの製造方法を説明するための図である。

【図5】図５は、本発明を適用したＩＤＴと、比較例であるＩＤＴの断面図である。

【図6】図６は、本発明を適用したＩＤＴに生じる応力を示す図である。

【図7】図７は、比較例のＩＤＴに生じる応力を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0024】

以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施の形態を説明することにより、本発明を明らかにする。

【0025】

（実施例）
図１は、本実施例にかかる弾性表面波デバイス１の断面図である。図１に示すように、本実施例にかかる弾性表面波デバイス１は、圧電基板３を有する。

【0026】

圧電基板３は、本実施形態では、タンタル酸リチウム単結晶からなる。圧電基板３の厚みは、例えば、２０μｍとすることができる。

【0027】

圧電基板３は、他の圧電単結晶、例えば、ニオブ酸リチウムまたは水晶などの圧電単結晶、あるいは、圧電セラミックスを用いて形成されてもよい。

【0028】

本実施例にかかる弾性表面波デバイス１の圧電基板３の一主面上に、金属パターンが形成されている。金属パターンは、互いに間挿し合う複数本の電極指を有する一対のくし型電極であるＩＤＴ５を有する。

【0029】

図２は、ＩＤＴ５を含む共振器の構成を説明するための平面図である。

【0030】

図２に示すように、圧電基板３上に、ＩＤＴ５と反射器５ａが形成されている。ＩＤＴ５は、互いに対向する一対の櫛形電極５ｂを有する。櫛形電極５ｂは、複数の電極指５ｃと複数の電極指５ｃを接続するバスバー５ｄとを有する。反射器５ａは、ＩＤＴ５の両側に設けられている。

【0031】

図１に示すように、ＩＤＴ５は、第１の金属５１と第２の金属５２からなる。第２の金属５２は、第１の金属５１によって、覆われている。ＩＤＴ５は、本実施形態では、第１の金属として、チタン（Ｔｉ）を、第２の金属として、アルミニウム（Ａｌ）を、それぞれ用いた。ＩＤＴ５は、その厚みが、例えば、１５０ｎｍから４００ｎｍの薄膜である。

【0032】

チタン（Ｔｉ）は、線膨張係数が約８．５×１０－６／Ｋである。アルミニウム（Ａｌ）は、線膨張係数が約２３．９×１０－６／Ｋである。従って、チタン（Ｔｉ）のほうが、アルミニウム（Ａｌ）よりも、線膨張係数が小さい。

【0033】

第１の金属５１は、例えば、チタン合金、鉄ニッケル合金（インバーを含む）のほか、銀、銅、タングステン、モリブデン、クロム、ジルコニウム、イリジウム、アンチモンなどの適宜の金属（半金属を含む。）もしくはこれらの合金を含んでもよく、これらの合金により形成されてもよい。

【0034】

第２の金属５２は、例えば、アルミニウム合金のほか、銀、銅、鉄、ニッケルなどの適宜の金属もしくはこれらの合金を含んでもよく、これらの合金により形成されてもよい。

【0035】

本実施例にかかる弾性表面波デバイス１の圧電基板３の一主面上に、金属パターンに含まれる、パターン配線７が形成されている。図３は、パターン配線７を含む圧電基板３上の概略を示す平面図である。

【0036】

図３に示すように、圧電基板３上に、金属パターンに含まれる、パターン配線７、ＩＤＴ５および反射器５ａが形成されている。

【0037】

圧電基板３上に形成されたパターン配線７、ＩＤＴ５および反射器５ａは、所望のバンドパスフィルタとしての特性が得られるよう、適宜、ＤＭＳ設計やラダー設計などを採用することができる。

【0038】

図３に示すように、パターン配線７は、入力パッドＩｎ、出力パッドＯｕｔおよびグランドパッドＧＮＤを含んでいる。また、パターン配線７は、ＩＤＴ５と電気的に接続されている。

【0039】

図１に示すように、パターン配線７は、本実施形態では、第１の金属７１と第２の金属７２からなる。第２の金属７２は、第１の金属７１によって、覆われている。パターン配線７は、本実施形態では、第１の金属として、チタン（Ｔｉ）を、第２の金属として、アルミニウム（Ａｌ）を、それぞれ用いた。パターン配線７は、その厚みが、例えば、１５０ｎｍから４００ｎｍの薄膜である。

【0040】

第１の金属７１は、例えば、チタン合金、鉄ニッケル合金（インバーを含む）のほか、銀、銅、タングステン、モリブデン、クロム、ジルコニウム、イリジウム、アンチモンなどの適宜の金属（半金属を含む。）もしくはこれらの合金を含んでもよく、これらの合金により形成されてもよい。

【0041】

第２の金属７２は、例えば、アルミニウム合金のほか、銀、銅、鉄、ニッケルなどの適宜の金属もしくはこれらの合金を含んでもよく、これらの合金により形成されてもよい。

【0042】

図１に示すように、本実施例にかかる弾性表面波デバイス１のパターン配線７に含まれる入力パッドＩｎ、出力パッドＯｕｔおよびグランドパッドＧＮＤ上に、バンプ９がそれぞれボンディングされている。

【0043】

バンプ９は、本実施形態では、金（Ａｕ）からなる。バンプ９の高さは、例えば、２０μｍから５０μｍである。

【0044】

図１に示すように、本実施例にかかる弾性表面波デバイス１は、配線基板１１を有する。配線基板１１は、絶縁基板であり、例えば、ＨＴＣＣ（Ｈｉｇｈ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ－Ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ）またはＬＴＣＣ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ－Ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ）等のセラミックス基板または樹脂基板である。

【0045】

配線基板１１は、一主面上に複数のランドパッド１１ａを有し、他の主面上に複数の外部接続端子１１ｂを有する。圧電基板３は、バンプ９を介して、配線基板１１にフリップチップ実装されている。圧電基板３は、バンプ９およびランドパッド１１ａを介して、外部接続端子１１ｂに電気的に接続されている。

【0046】

図１に示すように、本実施例にかかる弾性表面波デバイス１は、圧電基板３と配線基板１１に挟まれた空間を密閉された中空となるように封止する封止部１３を有する。封止部１３は、配線基板１１上に圧電基板３を囲むように設けられている。

【0047】

封止部１３は、例えば、合成樹脂等の絶縁体により形成してもよく、金属を用いてもよい。金属は、例えば、錫銀半田もしくは金錫半田等のろう材を用いることができる。

【0048】

合成樹脂は、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミドなどを用いることができるが、これらに限るものではない。好ましくは、エポキシ樹脂を用い、低温硬化プロセスを用いて封止部１３を形成する。

【0049】

図１に示すように、本実施例にかかる弾性表面波デバイス１の圧電基板３は、支持基板１５に接合されている。支持基板１５は、本実施形態では、サファイアからなる基板である。支持基板１５は、例えば、シリコン、多結晶アルミナ、多結晶スピネル、水晶、または、ガラスを用いて形成されてもよい。

【0050】

次に、本発明の別の側面である、弾性表面波デバイス１の製造方法について説明する。

【0051】

（製造方法１）
図４は、本発明にかかる弾性表面波デバイスの製造方法を説明するための図である。また、図４は、弾性表面波の進行方向における断面を示している。

【0052】

図４（ａ）から図４（ｃ）は、本実施例にかかる弾性表面波デバイス１の製造方法を示す図である。

【0053】

以下、図４（ａ）から図４（ｃ）を用いて、本実施例にかかる弾性表面波デバイス１の製造方法を説明する。なお、図示はしないが、圧電基板３にはサファイア基板がＦＡＢ（Ｆａｓｔ Ａｔｏｍｉｃ Ｂｅａｍ）などによる活性化処理をされた上で接合される。

【0054】

図４（ａ）に示すように、圧電基板３上に、パターニングした犠牲層Ｓを形成する。次に、圧電基板３上および犠牲層Ｓ上に、第１の金属Ｍ１を成膜する。

【0055】

犠牲層Ｓは、例えば、シリコンを用いることができる。犠牲層Ｓは、例えば、フォトリソグラフィ法により、金属パターンが形成される領域がエッチングされることで、パターニングされる。

【0056】

第１の金属Ｍ１は、例えば、チタン（Ｔｉ）を用いることができる。第１の金属Ｍ１は、例えば、スパッタリング法により、蒸着され、成膜される。第１の金属Ｍ１は、圧電基板３上、ならびに、犠牲層Ｓの上面および側面上に、連続的に成膜される。すなわち、第１の金属Ｍ１は、凹部形状の底部と側壁部が、一括して形成される。第１の金属Ｍ１は、例えば、２０μｍ～３０μｍの厚みとすることができる。

【0057】

図４（ｂ）に示すように、第２の金属Ｍ２を、第１の金属Ｍ１の凹部形状部分に充填する。次に、犠牲層Ｓが露出するまで、第２の金属Ｍ２および第１の金属Ｍ１を研磨する。研磨は、例えば、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法を用いることができる。

【0058】

第２の金属Ｍ２は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）を用いることができる。第２の金属Ｍ２は、例えば、めっき法により、第１の金属Ｍ１の凹部形状部分に充填される。

【0059】

ここで、第１の金属Ｍ１の凹部形状部分に充填されると同時に、犠牲層Ｓ上面上に製膜された第１の金属Ｍ１上にも第２の金属Ｍ２が成膜されるため、第１の金属Ｍ１および第２の金属Ｍ２を、犠牲層Ｓの上面が露出するまで、研磨する。

【0060】

第１の金属Ｍ１の凹部形状部分に充填された第２の金属Ｍ２は、例えば、３００μｍ～４００μｍの厚みとすることができる

【0061】

図４（ｃ）に示すように、第２の金属Ｍ２上に、第１の金属Ｍ１を形成する。第１の金属Ｍ１は、例えば、スパッタリング法により、蒸着され、成膜される。第１の金属Ｍ１は、例えば、２０μｍ～３０μｍの厚みとすることができる。

【0062】

次いで、図４（ｃ）に示すように、第２の金属Ｍ２上以外の領域に形成された第１の金属Ｍ１を除去するため、フォトレジストＰＲを金属パターン上にパターニングする。

【0063】

次いで、第１の金属Ｍ１の凹部形状部分および第２の金属Ｍ２上以外の領域に形成された第１の金属Ｍ１をエッチングすることで除去する。次いで、フォトレジストＰＲを除去することで、第２の金属Ｍ２が第１の金属Ｍ１に覆われている金属パターンを形成することができる。

【0064】

なお、図４（ｃ）を用いて説明した工程は、フォトレジストを金属パターンの以外の領域にパターニングした後、第１の金属Ｍ１の凹部形状部分および第２の金属Ｍ２上に、第１の金属Ｍ１を形成する手法を用いてもよい。この場合、第１の金属Ｍ１の凹部形状部分および第２の金属Ｍ２上に、第１の金属Ｍ１を形成した後、フォトレジストを除去することで、不要な第１の金属Ｍ１はリフトオフされ、図４（ｃ）を用いて説明した工程と同様の第２の金属Ｍ２が第１の金属Ｍ１に覆われている金属パターンを形成することができる。

【0065】

次いで、パターン配線のパッド上に、ボンディング装置を用いて金バンプをボンディングする。

【0066】

その後、圧電基板３を個片化し、配線基板１１アレイにフリップチップ実装する。封止材料を充填し、封止材料を硬化させた後、個片化することで、弾性表面波デバイス１が得られる。

【0067】

次に、本発明の効果について、説明する。

【0068】

図５は、本発明を適用したＩＤＴと、比較例であるＩＤＴの断面図である。図５（ａ）は、本発明を適用したＩＤＴの断面図である。図５（ｂ）は、本発明と効果を比較するための比較例のＩＤＴの断面図である。本発明を適用したＩＤＴと比較例のＩＤＴの幅は、ともに５００ｎｍである。

【0069】

また、本発明を適用したＩＤＴと比較例のＩＤＴは、ともに圧電基板３に形成されている。また、本発明を適用したＩＤＴと比較例のＩＤＴは、ともに弾性表面波の進行方向における断面において、上下部分に厚み２５ｎｍのチタン（Ｔｉ）膜が、中央部分に厚み３５０ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）が形成されている。

【0070】

図５（ａ）に示すように、本発明を適用したＩＤＴは、両側壁部が厚み２５ｎｍのチタン（Ｔｉ）膜が形成されており、中央部分のアルミニウム（Ａｌ）が完全にチタン（Ｔｉ）膜に覆われている構成となっている。

【0071】

図６は、図５（ａ）を用いて説明した、本発明を適用したＩＤＴに生じる応力を示す図である。

【0072】

図７は、図５（ｂ）を用いて説明した、比較例のＩＤＴに生じる応力を示す図である。

【0073】

本発明を適用したＩＤＴと比較例のＩＤＴに、それぞれ同様にパワーを印可し、応力を測定した。その結果、図６および図７に示すように、いずれの構成においても、ＩＤＴの下部の端部に最大の応力が発生した。

【0074】

図６に示すように、本発明を適用したＩＤＴに生じた最大の応力は、１．１ｅ^９〔Ｎ／ｍ^２〕であった。一方で、図７に示すように、比較例のＩＤＴに生じた最大の応力は、１．３２ｅ^９〔Ｎ／ｍ^２〕であった。すなわち、比較例のＩＤＴに比べて、本発明を適用したＩＤＴの方が、大幅に応力を抑制することができた。

【0075】

ＩＤＴにかかる応力の影響で、ＩＤＴの破壊を招くボイドやヒロック、マイグレーションが発生する。すなわち、ＩＤＴにかかる応力を抑制することで、弾性表面波デバイスの耐電力を向上させることができる。

【0076】

以上説明した本発明の構成によれば、ヒロックの発生を十分に抑制し、十分な耐電力を確保した、信頼性の高い弾性表面波デバイスを提供することができる。

【0077】

なお、当然のことながら、本発明は以上に説明した実施態様に限定されるものではなく、本発明の目的を達成し得るすべての実施態様を含むものである。

【0078】

また、少なくとも一つの実施形態のいくつかの側面を上述したが、様々な改変、修正及び改善が当業者にとって容易に想起されることを理解されたい。かかる改変、修正及び改善は、本開示の一部となることが意図され、かつ、本発明の範囲内にあることが意図される。理解するべきことだが、ここで述べられた方法及び装置の実施形態は、上記説明に記載され又は添付図面に例示された構成要素の構造及び配列の詳細への適用に限られない。方法及び装置は、他の実施形態で実装し、様々な態様で実施又は実行することができる。特定の実装例は、例示のみを目的としてここに与えられ、限定されることを意図しない。また、ここで使用される表現及び用語は、説明目的であって、限定としてみなすべきではない。ここでの「含む」、「備える」、「有する」、「包含する」及びこれらの変形の使用は、以降に列挙される項目及びその均等物並びに付加項目の包括を意味する。「又は（若しくは）」の言及は、「又は（若しくは）」を使用して記載される任意の用語が、当該記載の用語の一つの、一つを超える、及びすべてのものを示すように解釈され得る。前後左右、頂底上下、及び横縦への言及はいずれも、記載の便宜を意図しており、本発明の構成要素がいずれか一つの位置的又は空間的配向に限られるものではない。したがって、上記説明及び図面は例示にすぎない。

【符号の説明】

【0079】

１ 弾性表面波デバイス
３ 圧電基板
５ ＩＤＴ
５ａ 反射器
５ｂ 櫛形電極
５ｃ 電極指
５ｄ バスバー
５１ ７１ Ｍ１ 第１の金属
５２ ７２ Ｍ２ 第２の金属
７ パターン配線
Ｉｎ 入力パッド
Ｏｕｔ 出力パッド
ＧＮＤ グランドパッド
９ バンプ
１１ 配線基板
１１ａ ランドパッド
１１ｂ 外部接続端子
１３ 封止部
１５ 支持基板
Ｓ 犠牲層
ＰＲ フォトレジスト

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】