(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022091737
(43)【公開日】2022-06-21
(54)【発明の名称】蒸着装置及びそれを含む表示パネルの製造装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/683 20060101AFI20220614BHJP
C23C 14/50 20060101ALI20220614BHJP
【ＦＩ】
H01L21/68 R
C23C14/50
【審査請求】未請求
【請求項の数】10
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021199572
(22)【出願日】2021-12-08
(31)【優先権主張番号】10-2020-0171107
(32)【優先日】2020-12-09
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】512187343
【氏名又は名称】三星ディスプレイ株式會社
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】１， Ｓａｍｓｕｎｇ－ｒｏ， Ｇｉｈｅｕｎｇ－ｇｕ， Ｙｏｎｇｉｎ－ｓｉ， Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ， Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ
(74)【代理人】
【識別番号】110002619
【氏名又は名称】特許業務法人ＰＯＲＴ
(72)【発明者】
【氏名】ベク ギュンミン
(72)【発明者】
【氏名】サン ヒョナ
(72)【発明者】
【氏名】シン ヒョノク
(72)【発明者】
【氏名】カン ナムウク
(72)【発明者】
【氏名】ユ ドソン
(72)【発明者】
【氏名】リ ユジョン
【テーマコード（参考）】
4K029
5F131
【Ｆターム（参考）】
4K029AA24
4K029CA01
4K029DA08
4K029JA01
5F131AA03
5F131BA19
5F131BA33
5F131BA43
5F131CA03
5F131DA02
5F131DA09
5F131DA33
5F131DA42
5F131EA03
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5F131EB11
5F131EB14
5F131EB15
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5F131EB18
5F131EB61
5F131EB62
5F131EB63
5F131EB64
5F131EB78
5F131EB81
5F131EB82
5F131EB84
(57)【要約】 （修正有）
【課題】基板がチャッキングされる面の温度不均一が解消される蒸着装置及びそれを含む表示パネルの製造装置を提供する。
【解決手段】蒸着装置は、複数のサセプタ孔ＳＣ－ＯＰが定義されたサセプタＳＣと、サセプタの上に配置され、複数の静電チャック孔ＥＳＣ－ＯＰが定義された静電チャックＥＳＣと、サセプタＳＣ及び静電チャックＥＳＣを貫通して連結する複数のピンＰＮと、を含む。複数のピンＰＮの夫々は、複数の静電チャック孔ＥＳＣ－ＯＰの内部に配置される第１部分ＰＮ１と、複数のサセプタ孔の内部に配置される第２部分ＰＮ２と、を含む。第１部分ＰＮ１は、第１ベース部ＢＳ－ＰＮ１と、第１ベース部ＢＳ－ＰＮ１の内部に配置される第１クーラーＣＬ－ＰＮ１と、を含むことで、蒸着装置の上部の温度が均一に維持されて、蒸着装置によって製造される薄膜にシミなどの不良が発生することを防止する。
【選択図】図６
【解決手段】蒸着装置は、複数のサセプタ孔ＳＣ－ＯＰが定義されたサセプタＳＣと、サセプタの上に配置され、複数の静電チャック孔ＥＳＣ－ＯＰが定義された静電チャックＥＳＣと、サセプタＳＣ及び静電チャックＥＳＣを貫通して連結する複数のピンＰＮと、を含む。複数のピンＰＮの夫々は、複数の静電チャック孔ＥＳＣ－ＯＰの内部に配置される第１部分ＰＮ１と、複数のサセプタ孔の内部に配置される第２部分ＰＮ２と、を含む。第１部分ＰＮ１は、第１ベース部ＢＳ－ＰＮ１と、第１ベース部ＢＳ－ＰＮ１の内部に配置される第１クーラーＣＬ－ＰＮ１と、を含むことで、蒸着装置の上部の温度が均一に維持されて、蒸着装置によって製造される薄膜にシミなどの不良が発生することを防止する。
【選択図】図６
【特許請求の範囲】
【請求項1】
複数のサセプタ孔が定義されたサセプタと、
前記サセプタの上に配置され、複数の静電チャック孔が定義された静電チャックと、
前記サセプタ及び前記静電チャックを貫通して連結する複数のピンと、を含み、
前記複数のピンのそれぞれは、
前記複数の静電チャック孔の内部に配置される第１部分と、
前記複数のサセプタ孔の内部に配置される第２部分と、を含み、
前記第１部分は、
第１ベース部と、
前記第１ベース部の内部に配置される第１クーラーと、を含む蒸着装置。
前記サセプタの上に配置され、複数の静電チャック孔が定義された静電チャックと、
前記サセプタ及び前記静電チャックを貫通して連結する複数のピンと、を含み、
前記複数のピンのそれぞれは、
前記複数の静電チャック孔の内部に配置される第１部分と、
前記複数のサセプタ孔の内部に配置される第２部分と、を含み、
前記第１部分は、
第１ベース部と、
前記第１ベース部の内部に配置される第１クーラーと、を含む蒸着装置。
【請求項2】
前記第２部分は、第２ベース部と、
前記第２ベース部の内部に配置される第２クーラーと、を含む請求項１に記載の蒸着装置。
前記第２ベース部の内部に配置される第２クーラーと、を含む請求項１に記載の蒸着装置。
【請求項3】
前記静電チャックは、
チャック体と、
前記チャック体の上に配置される第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の上に配置される複数の電極と、
前記複数の電極の上に配置される第２絶縁層と、を含む請求項１に記載の蒸着装置。
チャック体と、
前記チャック体の上に配置される第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の上に配置される複数の電極と、
前記複数の電極の上に配置される第２絶縁層と、を含む請求項１に記載の蒸着装置。
【請求項4】
前記第１部分は、
複数のピン絶縁層と、前記複数のピン絶縁層の間に配置される複数のピン電極と、を含む請求項３に記載の蒸着装置。
複数のピン絶縁層と、前記複数のピン絶縁層の間に配置される複数のピン電極と、を含む請求項３に記載の蒸着装置。
【請求項5】
前記複数のピン電極及び前記複数の電極は個別に駆動する請求項４に記載の蒸着装置。
【請求項6】
前記第２部分はセラミックまたは金属を含む請求項１に記載の蒸着装置。
【請求項7】
前記サセプタの下部に配置されて前記サセプタを間に挟んで前記静電チャックと離隔されるプレートを更に含み、
前記複数のピンは前記プレートの上面から突出される請求項１に記載の蒸着装置。
前記複数のピンは前記プレートの上面から突出される請求項１に記載の蒸着装置。
【請求項8】
前記プレートは内部に配置されるプレートクーラーを含む請求項７に記載の蒸着装置。
【請求項9】
前記プレートの下部に配置され、前記プレート、前記サセプタ、及び前記静電チャックの角度を変更する駆動部を更に含む請求項７に記載の蒸着装置。
【請求項10】
前記サセプタは、
サセプタ本体と、
前記サセプタ本体の内部に配置されるピーターと、を含む請求項１に記載の蒸着装置。
サセプタ本体と、
前記サセプタ本体の内部に配置されるピーターと、を含む請求項１に記載の蒸着装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、蒸着装置及びそれを含む表示パネルの製造装置に関し、より詳しくは、シミなどの不良が防止された薄膜を製造することができる蒸着装置及びそれを含む表示パネルの製造装置に関する。
【背景技術】
【0002】
スマートフォン、タブレット、ノートパソコン、及びスマートテレビなどのような電子装置が開発されている。このような装置は情報を提供するために表示装置を備える。表示装置は基板の表面に所定物質の薄膜を形成する薄膜蒸着（ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）工程、薄膜の選択された一部を露出されるフォトリソグラフィ（ｐｈｏｔｏ－ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）工程、薄膜の露出部分を除去して目的する形態にパターニング（ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ）する乾式または湿式エッチング（ｅｔｃｈｉｎｇ）工程が数回繰り返されるが、このうち薄膜蒸着工程をはじめとする乾式エッチング工程などは通常密閉された工程チェンバ（ｐｒｏｃｅｓｓ ｃｈａｍｂｅｒ）内で行われ、それぞれの工程チェンバ内には基板を固定するための静電チャック（ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ ｃｈｕｃｋ）と、工程温度を調節するためのクーラーなどが設けられる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0003】
本発明は基板がチャッキングされる面の温度不均一が解消される蒸着装置及びそれを含む表示パネルの製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0004】
本発明の一実施例による蒸着装置は、複数のサセプタ孔が定義されたサセプタと、前記サセプタの上に配置され、複数の静電チャック孔が定義された静電チャックと、前記サセプタ及び前記静電チャックを貫通して連結する複数のピンと、を含み、前記複数のピンのそれぞれは、前記複数の静電チャック孔の内部に配置される第１部分と、前記複数のサセプタ孔の内部に配置される第２部分と、を含み、前記第１部分は、第１ベース部と、前記第１ベース部の内部に配置される第１クーラーと、を含む。
【0005】
前記第２部分は、第２ベース部と、前記第２ベース部の内部に配置される第２クーラーと、を含む。
【0006】
前記静電チャックは、チャック体と、前記チャック体の上に配置される第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上に配置される複数の電極と、前記複数の電極の上に配置される第２絶縁層と、を含む。
【0007】
前記第１部分は、複数のピン絶縁層と、前記複数のピン絶縁層の間に配置される複数のピン電極と、を含む。
【0008】
前記複数のピン電極及び前記複数の電極は個別に駆動する。
【0009】
前記第２部分はセラミックまたは金属を含む。
【0010】
本発明の一実施例による蒸着装置は、前記サセプタの下部に配置されて前記サセプタを間に挟んで前記静電チャックと離隔されるプレートを更に含み、前記複数のピンは前記プレートの上面から突出される。
【0011】
前記プレートは内部に配置されるプレートクーラーを含む。
【0012】
本発明の一実施例による蒸着装置は、前記プレートの下部に配置され、前記プレート、前記サセプタ、及び前記静電チャックの角度を変更する駆動部を更に含む。
【0013】
前記サセプタは、サセプタ本体と、前記サセプタ本体の内部に配置されるピーターと、を含む。
【0014】
前記静電チャックは、静電チャックベース部と、前記静電チャックベース部の内部に配置される静電チャッククーラーと、を含む。
【0015】
前記第１クーラー及び前記静電チャッククーラーは個別に駆動する。
【0016】
前記第１クーラーは、クーリングラインと、前記クーリングラインの内部を循環する冷媒または冷却ガスと、を含む。
【0017】
本発明の一実施例による蒸着装置は、上部方向に突出される複数のピンを含むプレートと、前記プレートの上に配置され、前記複数のピンによって貫通されるサセプタと、前記サセプタの上に配置され、前記複数のピンによって貫通される静電チャックと、を含み、前記複数のピンのそれぞれは、第１ベース部と、前記第１ベース部の内部に配置される第１クーラーと、を含み、前記第１ベース部は、複数のピン絶縁層と、前記複数のピン絶縁層の間に配置される複数のピン電極と、を含む。
【0018】
前記第１ベース部及び前記第１クーラーは、前記上部方向と交差する一方向で前記静電チャックと重畳する。
【0019】
前記静電チャックに複数のピンが配置される静電チャック孔が定義され、前記静電チャック孔の内に前記第１ベース部及び前記第１クーラーが配置される。
【0020】
本発明の一実施例による表示パネル製造装置は、チェンバと、前記チャックの内部に配置され、蒸着物質を噴射する蒸着ヘッドと、前記蒸着ヘッドの下部に配置され、対象基板を支持する支持部材と、を含み、前記支持部材は、複数のサセプタ孔が定義されたサセプタと、前記サセプタの上に配置され、複数の静電チャック孔が定義された 静電チャックと、前記サセプタ及び前記静電チャックを貫通して連結する複数のピンと、を含み、前記複数のピンのそれぞれは、前記複数の静電チャック孔の内部に配置される第１部分と、前記複数のサセプタ孔の内部に配置される第２部分と、を含み、前記第１部分は、第１ベース部と、前記第１ベース部の内部に配置される第１クーラーと、を含む。
【0021】
本発明の一実施例による表示パネル製造装置は、前記支持部材と前記蒸着ヘッドとの間に配置されるマスクを更に含む。
【0022】
前記対象基板は前記静電チャックの上に配置されて支持され、前記支持部材は前記対象基板を所定角度に傾かせてチャッキングする駆動部を更に含む。
【0023】
前記支持部材は、前記サセプタの下部に配置されて前記サセプタを間に挟んで前記静電チャックと離隔されるプレートを更に含み、前記複数のピンは前記プレートの上面から突出される。
【発明の効果】
【0024】
本発明の一実施例による蒸着装置では、基板がチャッキングされる静電チャックにクーラーを含むだけでなく、静電チャックに定義された孔に挿入されるリフトピンの上部にもクーラーを含むことで、基板がチャッキングされる面の温度不均一が解消され、それによって形成される薄膜に温度不均一によるシミなどが発生することが防止されて、表示パネルの信頼性が改善される。
【図面の簡単な説明】
【0025】
【図1】本発明の一実施例による蒸着装置を示す斜視図である。
【図2】本発明の一実施例による蒸着装置を示す分解斜視図である。
【図3a】本発明の一実施例による基板及び蒸着装置を示す斜視図である。
【図3b】本発明の一実施例による基板及び蒸着装置を示す斜視図である。
【図3c】本発明の一実施例による基板及び蒸着装置を示す斜視図である。
【図3d】本発明の一実施例による基板及び蒸着装置を示す斜視図である。
【図4】本発明の一実施例による静電チャックの断面図である。
【図5】本発明の一実施例による蒸着装置の断面図である。
【図6】本発明の一実施例による蒸着装置の一部分の断面図である。
【図7】本発明の一実施例による蒸着装置の一部分の断面図である。
【図8】本発明の他の実施例による蒸着装置の断面図である。
【図9】一実施例による蒸着装置のうち一部の構成を示す断面図である。
【図10】本発明の一実施例による表示パネル製造装置の断面図である。
【図11】本発明の一実施例による表示パネル製造装置によって処理される対象基板の断面図である。
【図12a】本発明の一実施例による蒸着装置によって製造される薄膜の撮像画像である。
【図12b】比較例の蒸着装置によって製造される薄膜の撮像画像である。
【発明を実施するための形態】
【0026】
以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。本明細書において、ある構成要素（または領域、層、部分など）が他の構成要素の「上にある」、「連結される」、または「結合される」と言及されれば、それは他の構成要素の上に直接連結・結合され得るか、またはそれらの間に第３の構成要素が配置され得ることを意味する。
【0027】
同じ図面符号は同じ構成要素を指す。また、図面において、構成要素の厚さ、割合、及び寸法は技術的内容の効果的な説明のために誇張されている。「及び／または」は、関連する構成が定義する一つ以上の組み合わせを全て含む。
【0028】
第１、第２などの用語は多様な構成要素を説明するのに使用されるが、前記構成要素は前記用語に限らない。前記用語は一つの構造要素を他の構成要素から区別する目的にのみ使用される。例えば、本発明の権利範囲を逸脱しないながらも第１構成要素は第２構成要素と命名されてもよく、類似して第２構成要素も第１構成要素と命名されてもよい。単数の表現は、文脈上明白に異なるように意味しない限り、複数の表現を含む。
【0029】
また、「下に」、「下側に」、「上に」、「上側に」などの用語は、図面に示した構成の連関関係を説明するために使用される。前記用語は相対的な概念であって、図面に示した方向を基準に説明される。
【0030】
「含む」または「有する」などの用語は明細書上に記載の特徴、数字、ステップ、動作、構成要素、部品、またはこれらを組み合わせたものが存在することを指定するものであって、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、ステップ、動作、構成要素、部分品、またはこれらを組み合わせたものの存在または付加可能性を予め排除しないと理解すべきである。
【0031】
以下、図面を参照して本発明の一実施例による蒸着装置及びそれによる表示パネルの製造方法について説明する。
【0032】
【0033】
図１及び図２を参照すると、蒸着装置はＥＡは、プレートＰＴと、プレートＰＴの上に配置されるサセプタＳＣと、サセプタＳＣの上に配置される静電チャックＥＳＣとを含む。静電チャックＥＳＣはサセプタＳＣに定義された所定の空間ＳＣに埋め立てられる形状を有する。静電チャックＥＳＣはサセプタＳＣの上部に定義された所定の空間のＳＣに埋め立てられて、サセプタＳＣを間に挟んでプレートＰＴと離隔される。
【0034】
静電チャックＥＳＣは静電気誘導現象を利用して静電力を形成し、蒸着工程の基板ＳＵＢをチャッキング（ｃｈｕｃｋｉｎｇ）またはデチャッキング（ｄｅｃｈｕｃｋｉｎｇ）する。
【0035】
静電チャックＥＳＣは基板ＳＵＢを処理する工程を行うために基板ＳＵＢをチャッキングさせ、基板ＳＵＢが加工された後、次のステップの加工のためにデチャッキングされる過程を繰り返す。
【0036】
静電チャックＥＳＣは、静電チャックＥＳＣの上部に配置される基板ＳＵＢをチャッキングする。但し、これに限らず、基板ＳＵＢを重力の反対方向、または垂直方向など多様な方向にチャッキングしてもよい。基板ＳＵＢは、画素定義膜ＰＤＬが上を向くように配置されて加工される。例えば、静電チャックＥＳＣの上部に蒸着物質を含む蒸着源が配置されてもよい。
【0037】
蒸着物質は、例えば、発光層を構成する発光物質であってもよい。但し、蒸着物質はスパッタ（ｓｐｕｔｔｅｒ）などの蒸着工程を介して蒸着可能な物質であれば制限されずに選択される。例えば、蒸着物質は電極を形成する金属物質であるか、絶縁層を形成する有機物質または無機物質であってもよい。
【0038】
サセプタＳＣは内部に配置される静電チャックＥＳＣの温度を制御し、静電チャックＥＳＣ及びそれにチャッキングされた基板ＳＵＢを様々な角度で配置する構成である。静電チャックＥＳＣはサセプタＳＣの上に配置される。より詳しくは、サセプタＳＣの上部に定義される所定の空間ＳＣ－Ｈ内に静電チャックＥＳＣが設置される。
【0039】
サセプタＳＣの内部には、蒸着工程を実行中の基板ＳＵＢの温度を制御するためのヒーターが設置される。または、サセプタＳＣの内部には基板ＳＵＢの温度を制御するために冷媒用の流路が設置されるか、サセプタＳＣの熱を基板に効率的に伝達するためにバックサイドガス、例えば、ヘリウムガスを供給するための流路が設置されてもよい。サセプタＳＣに設置される流路を介してヘリウムガスが静電チャックＥＳＣと基板ＳＵＢの界面側に伝達される。
【0040】
サセプタＳＣは金属を含む。例えば、サセプタＳＣはアルミニウムを含んでもよい。
【0041】
プレートＰＴはサセプタＳＣの下部に配置され、プレートＰＴ本体の上面から突出される複数のピンＰＮを含む。プレートＰＴの本体はサセプタＳＣ及び静電チャックＥＳＣを支持する。プレートＰＴは、例えば、セラミックまたは金属を含んでもよい。
【0042】
サセプタＳＣ及び静電チャックＥＳＣのそれぞれには貫通孔が定義され、プレートＰＴから突出される複数のピンＰＮがサセプタＳＣ及び静電チャックＥＳＣのそれぞれに定義された貫通孔を通過するように配置される。貫通孔は複数のピンＰＮに対応して定義される。図２では１１個のピンＰＮがサセプタＳＣ及び静電チャックＥＳＣを貫通するように配列されることを例示的に示しているが、これに限らず、複数のピンＰＮの個数及び配列は蒸着対象である基板ＳＵＢのサイズ及び形態などによって異なり得る。
【0043】
サセプタＳＣには複数のサセプタ孔ＳＣ－ＯＰが定義され、静電チャックＥＳＣには複数の静電チャック孔ＥＳＣ－ＯＰが定義される。プレートＰＴから突出される複数のピンＰＮは、サセプタＳＣに定義された複数のサセプタ孔ＳＣ－ＯＰ、及び静電チャックＥＳＣに定義された複数の静電チャック孔ＥＳＣ－ＯＰを介して少なくとも一部が静電チャックＥＳＣの上面の上に突出される。それによって、複数のピンＰＮの上に蒸着工程処理前の基板ＳＵＢが支持され、複数のピンＰＮが下降することで基板ＳＵＢが静電チャックＥＳＣの上に配置される。次に、蒸着工程が終了された基板ＳＵＢに対しては複数のピンＰＮが上昇することで静電チャックＥＳＣから離れて、工程チェンバの外部に移送される。つまり、複数のピンＰＮは、基板ＳＵＢをローディング及びアンローディングするために利用される。
【0044】
【0045】
図１及び図３ａ乃至図３ｄを参照すると、本発明の一実施例による蒸着装置ＥＡは、静電チャックＥＳＣの上面に基板ＳＵＢを配置した後、駆動部ＤＲＰの駆動によって基板ＳＵＢを様々な方向にチャッキングする。駆動部ＤＲＰはプレートＰＴの下部に連結されて、プレートＰＴ、サセプタＳＣ、及び静電チャックＥＳＣの角度を変更する。駆動部ＤＲＰの動作によって、静電チャックＥＳＣの上面の方法と静電チャックＥＳＣにチャッキングされた基板ＳＵＢの方向が変更される。
【0046】
【0047】
図１、図３ｂ及び図３ｃを参照すると、蒸着装置ＥＡは基板ＳＵＢが所定の角度ＡＧ１、ＡＧ２に傾くようにチャッキングする。例えば、図３ｂに示したように、蒸着装置ＥＡは基板ＳＵＢを第１角度ＡＧ１に傾けてチャッキングしてもよい。第１角度ＡＧ１は第１方向ＤＲ１及び第２方向ＤＲ２が定義する平面に対して、基板ＳＵＢが接触する静電チャックＥＳＣの一面の角度である。第１角度ＡＧ１は鈍角である。基板ＳＵＢは静電チャックＥＳＣによってチャッキングされて、第１角度ＡＧ１に傾けられた状態で加工される。
【0048】
または、図３ｃに示したように、蒸着装置ＥＡは基板ＳＵＢを第２角度ＡＧ２に傾けてチャッキングしてもよい。第２角度ＡＧ２は第１方向ＤＲ１及び第２方向ＤＲ２が定義する平面に対する基板ＳＵＢが接触する静電チャックＥＳＣの一面の角度である。第２角度ＡＧ２は鋭角である。基板ＳＵＢは静電チャックＥＳＣによってチャッキングされて、第２角度ＡＧ２に傾けられた状態で加工される。
【0049】
または、図３ｄに示したように、蒸着装置ＥＡは基板ＳＵＢを重力の反対方向にチャッキングしてもよい。蒸着装置ＥＡは基板ＳＵＢの上面が下を向くようにチャッキングする。基板ＳＵＢは静電チャックＥＳＣによってチャッキングされて、上面が第１方向ＤＲ１の反対側を向くように配置された後、蒸着工程によって加工される。
【0050】
図４は、本発明の一実施例による静電チャックの断面図である。
【0051】
図４を参照すると、静電チャックＥＳＣは、チャック体ＢＳと、第１絶縁層ＩＬ１と、第２絶縁層ＩＬ２と、複数の正極ＰＥと、複数の負極ＮＥと、を含む。
【0052】
チャック体ＢＳは、所定の剛性を有する物質を含んで静電チャックＥＳＣのベース骨格を提供する構成である。チャック体ＢＳはセラミックを含む。但し、これは例示的なものであって、本発明の一実施例によるチャック体ＢＳの材料はこれに限らない。例えば、本発明の一実施例によるチャック体ＢＳは、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、ステンレススチール、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、または窒化アルミニウムを含んでもよい。一方、図４ではチャック体ＢＳが第１絶縁層ＩＬ１の下部に配置されていることを例示的に説明したが、これに限らず、チャック体ＢＳは第２絶縁層ＩＬ２の上部に配置されてもよい。チャック体ＢＳは基板ＳＵＢ（図１）に配置されるベース面を提供する構成である。
【0053】
第１絶縁層ＩＬ１はチャック体ＢＳの上に配置される。第１絶縁層ＩＬ１は第２絶縁層ＩＬ２より耐熱性及び化学的安定性が高い物質を含む。例えば、第１絶縁層ＩＬ１は酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）を含んでもよい。但し、これは例示的なものであって、本発明の一実施例による第１絶縁層ＩＬ１の材料はこれに限らず、耐熱性及び化学的安定性を有する多様な物質を含んでもよい。
【0054】
第１絶縁層ＩＬ１の厚さは、チャック体ＢＳの厚さより小さい。第１絶縁層ＩＬ１の厚さは８０μｍ（マイクロメートル）～１００μｍである。チャック体ＢＳの厚さは１０ｍｍ～２０ｍｍである。
【0055】
第２絶縁層ＩＬ２は第１絶縁層ＩＬ１の上に配置される。第２絶縁層ＩＬ２は第１絶縁層ＩＬ１より熱伝導性及び誘電特性が高い物質を含む。例えば、第２絶縁層ＩＬ２はアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を含んでもよい。但し、これは例示的なものであって、本発明の一実施例による第２絶縁層ＩＬ２の材料はこれに限らず、熱伝導性を有する多様な物質を含んでもよい。
【0056】
第２絶縁層ＩＬ２の厚さは第１絶縁層ＩＬ１の厚さより大きい。第２絶縁層ＩＬ２の厚さは、チャック体ＢＳの厚さより小さい。第２絶縁層ＩＬ２の厚さは１１０μｍ～１５０μｍである。
【0057】
第１絶縁層ＩＬ１と第２絶縁層ＩＬ２との間には複数の電極ＰＥ、ＮＥが配置される。複数の電極ＰＥ、ＮＥは複数の正極ＰＥ及び複数の負極ＮＥを含む。複数の正極ＰＥ及び複数の負極ＮＥは第１絶縁層ＩＬ１と第２絶縁層ＩＬ２との間に配置される。第２絶縁層ＩＬ２は複数の正極ＰＥ及び複数の負極ＮＥをカバーする。複数の正極ＰＥ及び複数の負極ＮＥは互いに異なる極性を有する。複数の正極ＰＥ及び複数の負極ＮＥは交互に配置される。
【0058】
複数の正極ＰＥ及び複数の負極ＮＥのそれぞれはタングステン（Ｗ）を含む。但し、これは例示的なものであって、本発明の一実施例による複数の正極ＰＥ及び複数の負極ＮＥのそれぞれの材料はこれに限らない。例えば、複数の正極ＰＥ及び複数の負極ＮＥのそれぞれは銀（Ａｇ）または銅（Ｃｕ）を含んでもよい。
【0059】
複数の正極ＰＥ及び複数の負極ＮＥのそれぞれは同じ厚さを有する。複数の正極ＰＥ及び複数の負極ＮＥのそれぞれの厚さは第１絶縁層ＩＬ１及び第２絶縁層ＩＬ２より小さい。複数の正極ＰＥ及び複数の負極ＮＥのそれぞれの厚さは２５μｍ～３５μｍである。
【0060】
複数の正極ＰＥには正の直流電圧が印加される。複数の正極ＰＥと基板ＳＵＢとの間には第１静電力が発生する。複数の負極ＮＥには負の直流電圧が印加される。複数の負極ＮＥと基板ＳＵＢとの間には第２静電力が発生する。前記第１静電力及び前記第２静電力は静電力である。本発明の一実施例による静電チャックＥＳＣはバイポーラ静電チャック（Ｂｉｐｏｌａｒ Ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ Ｃｈｕｃｋ）である。但し、これは例示的なものであって、本発明の一実施例による静電チャックＥＳＣの種類はこれに限らない。例えば、静電チャックＥＳＣはモノポーラ静電チャック（Ｍｏｎｏｐｏｌａｒ Ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ Ｃｈｕｃｋ）であってもよい。この場合、静電チャックＥＳＣの複数の正極ＰＥ及び複数の負極ＮＥには同じ極性を有する直流電圧が印加される。
【0061】
複数の正極ＰＥのそれぞれに前記正極の直流電圧が印加されたら、平面上から見た際、複数の正極ＰＥのそれぞれと重畳する基板ＳＵＢの第１領域の上部部分は負の電位に帯電される。複数の正極ＰＥと前記第１領域との間には電荷による静電力（Ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ Ｆｏｒｃｅ）が発生する。
【0062】
複数の負極ＮＥのそれぞれに前記負極の直流電圧が印加されたら、平面上から見た際、複数の負極ＮＥのそれぞれと重畳する基板ＳＵＢの第２領域の上部部分は正の電位に帯電される。複数の負極ＮＥと前記第２領域との間には電荷による静電力が発生する。
【0063】
図５は、本発明の一実施例による蒸着装置の断面図である。図６及び図７は、本発明の一実施例による蒸着装置の一部分の断面図である。図８は、本発明の他の実施例による蒸着装置の断面図である。図５では図２のＩ－Ｉ’線に対応する断面を示している。図６及び図７では図５のＡ領域を拡大して示している。図８では図２のＩ－Ｉ’線に対応する断面を示している。
【0064】
図２、図５及び図６を参照すると、一実施例の蒸着装置において、プレートＰＴから複数のピンＰＮが突出され、サセプタＳＣ及び静電チャックＥＳＣは複数のピンＰＮによって結合される。複数のピンＰＮのうち少なくとも一部分の内部にはピンクーラーＣＬ－ＰＮが配置される。例えば、ピンクーラーＣＬ－ＰＮは第１部分ＰＮ１の内部に配置されてもよい。または、ピンクーラーＣＬ－ＰＮは第１部分ＰＮ１及び第２部分ＰＮ２のそれぞれの内部に配置されてもよい。
【0065】
複数のピンＰＮのそれぞれは第１部分ＰＮ１及び第２部分ＰＮを含む。第１部分ＰＮ１は断面上で静電チャックＥＳＣと重畳する部分であり、第２部分ＰＮ２は断面上でサセプタＳＣと重畳する部分である。第１部分ＰＮ１は第１方向ＤＲ１（図２）で静電チャックＥＳＣと重畳する部分であり、第２部分ＰＮ１は第１方向ＤＲ１でサセプタＳＣと重畳する部分である。つまり、第１部分ＰＮ１は静電チャックＥＳＣに定義された静電チャック孔ＥＳＣ－ＯＰ内に配置される部分であり、第２部分ＰＮ２はサセプタＳＣに定義されたサセプタ孔ＳＣ－ＯＰ内に配置される部分である。
【0066】
静電チャックＥＳＣの内部には静電チャッククーラーＣＬ－ＥＳＣが配置される。静電チャッククーラーＣＬ－ＥＳＣは静電チャックベース部ＢＳ－ＥＳＣの内部に配置される。静電チャッククーラーＣＬ－ＥＳＣは冷却物質が循環する経路を提供するクーリングラインである。静電チャッククーラーＣＬ－ＥＳＣ内には、例えば、クーリングラインと、クーリングラインの内部を循環する冷媒または冷却ガスを含んでもよい。静電チャッククーラーＣＬ－ＥＳＣはガルデン（Ｇａｌｄｅｎ）液などの溶媒や、アルゴンガスまたは水素ガスなどの冷却ガスが循環するクーリングラインである。静電チャッククーラーＣＬ－ＥＳＣは、例えば、静電チャックＥＳＣのチャック体ＢＳ（図４）の内部に配置されてもよい。
【0067】
複数のピンＰＮのうち第１部分ＰＮ１の内部には第１クーラーＣＬ－ＰＮ１が配置される。第１部分ＰＮ１は第１ベース部ＢＳ－ＰＮ１を含み、第１ベース部ＢＳ－ＰＮ１の内部に第１クーラーＣＬ－ＰＮ１が配置される。
【0068】
第１クーラーＣＬ－ＰＮ１は冷却物質が循環する経路を提供するクーリングラインである。第１クーラーＣＬ－ＰＮ１内には、例えば、クーリングラインと、クーリングラインの内部を循環する冷媒または冷却ガスを含んでもよい。第１クーラーＣＬ－ＰＮ１はガルデン液などの溶媒や、アルゴンガスまたは水素ガスなどの冷却ガスが循環するクーリングラインである。
【0069】
第１クーラーＣＬ－ＰＮ１及び静電チャッククーラーＣＬ－ＥＳＣは個別に駆動する。つまり、第１クーラーＣＬ－ＰＮ１を駆動する駆動部と、静電チャッククーラーＣＬ－ＥＳＣを駆動する駆動部が別途に備えられる。第１クーラーＣＬ－ＰＮ１及び静電チャッククーラーＣＬ－ＥＳＣは独立に駆動され、複数のピンＰＮ部分と静電チャックＥＳＣ部分の温度が独立に制御される。但し、これに限らず、第１クーラーＣＬ－ＰＮ１及び静電チャッククーラーＣＬ－ＥＳＣが一つの駆動部を介して共に駆動されてもよい。
【0070】
複数のピンＰＮのうち第２部分ＰＮ２はプレートＰＴと同じ物質を含む。例えば、第２部分ＰＮ２はセラミックまたは金属を含んでもよい。第２部分ＰＮ２はプレートＰＴと一体の形状を有する。つまり、第２部分ＰＮ２はプレートＰＴの上面から上部方向に延長されるように形成される。
【0071】
一実施例の蒸着装置は、サセプタＳＣと静電チャックＥＳＣを固定し、基板ＳＵＢのローディング及びアンローディングのために利用される複数のピンＰＮを含み、複数のピンＰＮのそれぞれは内部に配置される第１クーラーＣＬ－ＰＮ１を含む第１部分ＰＮ１と、プレートＰＴと同じ材料を含む第２部分ＰＮ２を含む。それによって、静電チャックＥＳＣが配置される領域と複数のピンＰＮが配置される領域の温度差が発生することを防止し、蒸着工程を介して形成される層にシミが発生することを防止することができる。
【0072】
従来の蒸着装置では蒸着工程の温度を調節するために、静電チャックの内部にクーラーを備えて対象基板に加えられる温度を下げていたが、複数のピンが配置される静電チャック孔部分にはクーラーが備えられず、静電チャック孔部分の温度が他の部分に比べ高くなるという問題が発生しており、温度差によって対象基板にシミが発生するという問題が発生していた。本発明の一実施例による蒸着装置は、複数のピンＰＮの第１部分ＰＮ１の内部に配置される第１クーラーＣＬ－ＰＮ１を介して複数のピンＰＮが配置される静電チャック孔ＥＳＣ－ＯＰ部分の温度も共に調節することができ、対象基板にシミが発生するという問題が防止される。それによって、蒸着装置によって製造される表示パネルの製品信頼性が向上される。
【0073】
図２、図５及び図７を共に参照すると、複数のピンＰＮのうち第２部分ＰＮ２の内部にもクーラーが配置される。第２部分ＰＮ２は第２ベース部ＢＳ－ＰＮ２を含み、第２ベース部ＢＳ－ＰＮ２の内部には第２クーラーＣＬ－ＰＮ２が配置される。第２クーラーＣＬ－ＰＮ２は冷却物質が循環する経路を提供するクーリングラインである。第２クーラーＣＬ－ＰＮ２内には、例えば、クーリングラインと、クーリングラインの内部を循環する冷媒または冷却ガスを含んでもよい。第２クーラーＣＬ－ＰＮ２はガルデン液などの溶媒や、アルゴンガスまたは水素ガスなどの冷却ガスが循環するクーリングラインである。図７のように、第１クーラーＣＬ－ＰＮ１と第２クーラーＣＬ－ＰＮ２が一体の形状を有する。第１クーラーＣＬ－ＰＮ１と第２クーラーＣＬ－ＰＮ２は連結され、第２クーラーＣＬ－ＰＮ２から第１クーラーＣＬ－ＰＮ１が延長される形状を有する。但し、これに限らず、第１クーラーＣＬ－ＰＮ１と第２クーラーＣＬ－ＰＮ２は連結されずに、第１ベース部ＢＳ－ＰＮ１及びは第２ベース部ＢＳ－ＰＮ２のそれぞれに離隔されて配置されてもよい。
【0074】
図８を参照すると、一実施例の蒸着装置は、プレートＰＴの内部に配置されるプレートクーラーＣＬ－ＰＴを更に含む。プレートクーラーＣＬ－ＰＴは冷却物質が循環する経路を提供するクーリングラインである。プレートクーラーＣＬ－ＰＴはプレートＰＴの温度を下げて、蒸着工程で蒸着装置の温度が過度に上昇することを制御する。プレートクーラーＣＬ－ＰＴ内には、例えば、クーリングラインと、クーリングラインの内部を循環する冷媒または冷却ガスを含んでもよい。プレートクーラーＣＬ－ＰＴはガルデン液などの溶媒や、アルゴンガスまたは水素ガスなどの冷却ガスが循環するクーリングラインである。プレートクーラーＣＬ－ＰＴはピンクーラーＣＬ－ＰＮ及び静電チャッククーラーＣＬ－ＥＳＣなどとは個別に駆動される。または、プレートクーラーＣＬ－ＰＴがピンクーラーＣＬ－ＰＮ及び静電チャッククーラーＣＬ－ＥＳＣのうち少なくとも一つと同じ駆動部を介して共に駆動されてもよい。
【0075】
【0076】
図９を参照すると、一実施例による蒸着装置において、プレートＰＴから突出されるピンＰＮは第１部分ＰＮ１と第２部分ＰＮ２を含み、第１部分ＰＮ１はピン体部ＢＳ－Ｐと、複数のピン絶縁層ＩＬ１－Ｐ、ＩＬ２－Ｐと、複数のピン電極ＰＥ－Ｐ、ＮＥ－Ｐとを含む。
【0077】
ピン体部ＢＳ－Ｐは所定の剛性を有する物質を含む。ピン体部ＢＳ－Ｐはセラミックを含む。但し、これは例示的なものであって、本発明の一実施例によピン体部ＢＳ－Ｐの材料はこれに限らない。例えば、本発明の一実施例によピン体部ＢＳ－Ｐは、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、ステンレススチール、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、または窒化アルミニウムを含んでもよい。一方、図９ではピン体部ＢＳ－Ｐが第１絶縁層ＩＬ１－Ｐの下部に配置されていることを例示的に説明したが、これに限らず、ピン体部ＢＳ－Ｐは第２ピン絶縁層ＩＬ２－Ｐの上部に配置されてもよい。ピン体部ＢＳ－Ｐは静電チャックＥＳＣ（図４）のチャック体ＢＳ（図４）に対応する部分である。一実施例において、第１部分ＰＮ１の内部に配置される第１クーラーＣＬ－ＰＮ１（図６）はピン体部ＢＳ－Ｐの内部に配置される。
【0078】
第１ピン絶縁層ＩＬ１－Ｐはピン体部ＢＳ－Ｐの上に配置される。第１ピン絶縁層ＩＬ１－Ｐは第２ピン絶縁層ＩＬ２－Ｐより耐熱性及び化学的安定性が高い物質を含む。例えば、第１ピン絶縁層ＩＬ１－Ｐは酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）を含んでもよい。但し、これは例示的なものであって、本発明の一実施例による第１ピン絶縁層ＩＬ１－Ｐの材料はこれに限らず、耐熱性及び化学的安定性を有する多様な物質を含んでもよい。第１ピン絶縁層ＩＬ１－Ｐは静電チャックＥＳＣ（図４）の第１絶縁層ＩＬ１（図４）に対応する部分である。
【0079】
第２ピン絶縁層ＩＬ２－Ｐは第１ピン絶縁層ＩＬ１－Ｐの上に配置される。第２ピン絶縁層ＩＬ２－Ｐは第１ピン絶縁層ＩＬ１－Ｐより熱伝導性及び誘電特性が高い物質を含む。例えば、第２ピン絶縁層ＩＬ２－Ｐはアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を含んでもよい。但し、これは例示的なものであって、本発明の一実施例による第２ピン絶縁層ＩＬ２－Ｐの材料はこれに限らず、熱伝導性を有する多様な物質を含んでもよい。第２ピン絶縁層ＩＬ２－Ｐは静電チャックＥＳＣ（図４）の第２絶縁層ＩＬ２（図４）に対応する部分である。
【0080】
第１ピン絶縁層ＩＬ１－Ｐと第２ピン絶縁層ＩＬ２－Ｐとの間には複数のピン電極ＰＥ－Ｐ、ＮＥ－Ｐが配置される。複数のピン電極ＰＥ－Ｐ、ＮＥ－Ｐは複数のピン正極ＰＥ－Ｐ及び複数のピン負極ＮＥ－Ｐを含む。複数のピン正極ＰＥ－Ｐ及び複数のピン負極ＮＥ－Ｐは第１ピン絶縁層ＩＬ１－Ｐと第２ピン絶縁層ＩＬ２－Ｐとの間に配置される。第２ピン絶縁層ＩＬ２－Ｐは複数のピン正極ＰＥ－Ｐ及び複数のピン負極ＮＥ－ＰＥをカバーする。複数のピン正極ＰＥ－Ｐ及び複数のピン負極ＮＥ－Ｐは互いに異なる極性を有する。複数のピン正極ＰＥ－Ｐ及び複数のピン負極ＮＥ－Ｐは交互に配置される。
【0081】
複数のピン正極ＰＥ－Ｐ及び複数のピン負極ＮＥ－Ｐのそれぞれはタングステン（Ｗ）を含む。但し、これは例示的なものであって、本発明の一実施例による複数のピン正極ＰＥ－Ｐ及び複数のピン負極ＮＥ－Ｐのそれぞれの材料はこれに限らない。例えば、複数のピン正極ＰＥ－Ｐ及び複数のピン負極ＮＥ－Ｐのそれぞれは銀（Ａｇ）または銅（Ｃｕ）を含んでもよい。
【0082】
複数のピン正極ＰＥ－Ｐには正の直流電圧が印加される。複数のピン正極ＰＥ－Ｐと基板ＳＵＢとの間には第１静電力が発生する。複数のピン負極ＮＥ－Ｐには負の直流電圧が印加される。複数のピン負極ＮＥ－Ｐと基板ＳＵＢとの間には第２静電力が発生する。前記第１静電力及び前記第２静電力は静電力である。第１部分ＰＮ１はバイポーラ静電チャックである。但し、これは例示的なものであって、第１部分ＰＮ１はモノポーラ静電チャックであってもよい。この場合、第１部分ＰＮ１の複数のピン正極ＰＥ－Ｐ及び複数のピン負極ＮＥ－Ｐには同じ極性を有する直流電圧が印加される。
【0083】
複数のピン正極ＰＥ－Ｐのそれぞれに前記正の直流電圧が印加されたら、平面上から見た際、複数のピン正極ＰＥ－Ｐのそれぞれと重畳する基板ＳＵＢの第１ピン領域の上部部分は負の電位に帯電される。複数のピン正極ＰＥ－Ｐと前記第１ピン領域との間には電荷による静電力が発生する。
【0084】
複数のピン負極ＮＥ－Ｐのそれぞれに前記負の直流電圧が印加されたら、平面上から見た際、複数のピン負極ＮＥ－Ｐのそれぞれと重畳する基板ＳＵＢの第２ピン領域の上部部分は正の電位に帯電される。複数のピン負極ＮＥ－Ｐと前記第２ピン領域との間には電荷による静電力が発生する。
【0085】
複数のピンＰＮの内部に配置される複数のピン電極ＰＥ－Ｐ、ＮＥ－Ｐは、静電チャックＥＣＳ（図４）の内部に配置される複数の電極ＰＥ、ＮＥ（図４）と個別に駆動する。つまり、複数のピン電極ＰＥ－Ｐ、ＮＥ－Ｐを駆動する駆動部と、複数の電極ＰＥ、ＮＥを駆動する駆動部が別途に備えられる。複数のピン電極ＰＥ－Ｐ、ＮＥ－Ｐ及び複数の電極ＰＥ、ＮＥは独立に駆動され、複数のピンＰＮ部分と静電チャックＥＳＣ部分の静電力が独立に制御される。但し、これに限らず、複数のピン電極ＰＥ－Ｐ、ＮＥ－Ｐ及び複数の電極ＰＥ、ＮＥが一つの駆動部によって共に駆動されてもよい。
【0086】
【0087】
図１０を参照すると、表示パネル製造装置ＤＰＤは、チェンバＣＨＢと、蒸着ヘッドＳＨと、ステージＳＴＧと、マスクアセンブリＭＡと、支持部材とを含む。支持部材は、プレートＰＴと、サセプタＳＣと、静電チャックＥＳＣとを含む。支持部材はプレートＰＴに連結される駆動部ＤＲＰを更に含む。
【0088】
チェンバＣＨＢは密閉された空間を提供する。蒸着ヘッドＳＨ、ステージＳＴＧ、マスクアセンブリＭＡ、静電チャックＥＳＣ、及び駆動部ＤＲＰはチェンバＣＨＢ内に配置される。チェンバＣＨＢは少なくとも一つのゲートＧＴを備える。ゲートＧＴによってチェンバＣＨＢが開閉される。基板ＳＵＢはチェンバＣＨＢに備えられたゲートＧＴを介して出入りする。図示していないが、静電チャックＥＳＣ及びステージＳＴＧの温度を調節する温度調節モジュールがチェンバＣＨＢ内に更に配置される。
【0089】
蒸着ヘッドＳＨは蒸着物質ＤＭを外部に噴射する。一実施例において、蒸着ヘッドＳＨはシャワーヘッドである。蒸着物質ＣＭは昇華または気化可能な物質であって、無機物、金属、また有機物のうち一つ以上を含む。本実施例による蒸着物質ＤＭは、有機発光層を製作するための有機物を含む場合を例示的に説明している。
【0090】
ステージＳＴＧはマスクアセンブリＭＡを上下に移動させる。
【0091】
ステージＳＴＧの上にマスクアセンブリＭＡが安着される。マスクアセンブリＭＡは蒸着ヘッドＳＨと対向する。ステージＳＴＧはマスクアセンブリＭＡのフレームＦＲと重畳し、マスクアセンブリＭＡを支持する。
【0092】
ステージＳＴＧはフレームＦＲの開口部ＨＯと重畳しない。つまり、ステージＳＴＧは蒸着ヘッドＳＨから基板ＳＵＢに供給される蒸着物質の移動経路の外に配置される。
【0093】
マスクアセンブリＭＡの下には基板ＳＵＢが配置される。蒸着物質ＤＭは複数の貫通部ＯＰＰを貫通して基板ＳＵＢに蒸着される。
【0094】
基板ＳＵＢは支持部材の最上部に位置する静電チャックＥＳＣによってチャッキングされて処理される。一実施例において、基板ＳＵＢの上面が地面から９０度方向にチャッキングされた後、基板ＳＵＢに蒸着工程が処理される。但し、これに限らず、駆動部ＤＲＰの動作によって、静電チャックＥＳＣの上面の方向と静電チャックＥＳＣにチャッキングされた基板ＳＵＢの方向が変更されてもよい。基板ＳＵＢは駆動部ＤＲＰによってマスクアセンブリＭＡの下部に整列される。
【0095】
基板ＳＵＢは伝導性物質を含む。例えば、基板ＳＵＢは回路素子層を含んでもよい。回路素子層は伝導性を有する導電層を含む。
【0096】
図１１を参照すると、本発明の一実施例による基板ＳＵＢは、有機発光素子を含む有機発光パネルの一部である。
【0097】
基板ＳＵＢは第１方向ＤＲ１及び第２方向ＤＲ２が定義する面に平行する面を有する。基板ＳＵＢの厚さは第３方向ＤＲ３が指示する。基板ＳＵＢの前面（または上面）と背面（または下面）は第３方向ＤＲ３によって区分される。第３方向ＤＲ３は第１方向ＤＲ１及び第２方向ＤＲと交差する方向である。例えば、第１方向ＤＲ１は、第２方向ＤＲ２と、及び第３方向ＤＲ３は互いに直交してもよい。また、本明細書において、第１方向ＤＲ１と第２方向ＤＲ２が定義する面を平面と定義し、「平面上から見た」とは第３方向ＤＲ３から眺めたことと定義される。
【0098】
基板ＳＵＢは、ベース層ＢＬと、回路層ＤＰ－ＣＬと、画素定義膜ＰＤＬとを含む。
【0099】
ベース層ＢＬは合成樹脂フィルムを含む。ベース層ＢＬは多層構造を有する。例えば、ベース層ＢＬは合成樹脂層、接着層、及び合成樹脂層の３層構造を有してもよい。前記合成樹脂層はポリイミド系樹脂層である。但し、これは例示的なものであって、本発明の一実施例による前記成樹脂層の種類はこれに限らない。例えば、前記合成樹脂層は、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、ポリイソプレン、ビニール系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、セルロース系樹脂、シロキサン系樹脂、ポリアミド系樹脂、及びフェリレン系樹脂のうち少なくともいずれか一つを含んでもよい。
【0100】
ベース層ＢＬの上面に少なくとも一つの無機層を形成する。前記無機層は、アルミニウムオキシド、チタンオキシド、シリコンオキシド、シリコンオキシナイトライド、ジルコニウムオキシド、及びハフニウムオキシドのうち少なくとも一つを含む。前記無機層は多層からなる。前記多層の無機層はバリア層及び／またはバッファ層を構成する。本実施例において、基板ＳＵＢはバッファ層ＢＦＬを含むと示されている。
【0101】
回路層ＤＰ－ＣＬは、バッファ層ＢＦＬと、第１トランジスタＴ１と、第２トランジスタＴ２と、第１絶縁層１０と、第２絶縁層２０と、第３絶縁層３０と、第４絶縁層４０と、第５絶縁層５０と、第６絶縁層６０とを含む。
【0102】
バッファ層ＢＦＬは、ベース層ＢＬと半導体パターンとの間の結合力を向上させる。バッファ層ＢＦＬは、シリコンオキシド層及びシリコンナイトライド層を含む。シリコンオキシド層とシリコンナイトライド層は交互に積層される。
【0103】
バッファ層ＢＦＬの上に半導体パターンが配置される。前記半導体パターンはポリシリコンを含む。但し、これは例示的なものであって、本発明の一実施例による前記半導体パターンの種類はこれに限らない。例えば、前記半導体パターンは非晶質シリコンまたは金属酸化物を含んでもよい。
【0104】
前記半導体パターンはドーピング可否によって電気的性質が異なり得る。前記半導体パターンはドーピング領域と非ドーピング領域を含む。前記ドーピング領域はＮ型ドーパントまたはＰ型ドーパントでドーピングされる。Ｎ型のトランジスタは前記Ｎ型のドーパントでドーピングされたドーピング領域を含む。Ｐ型のトランジスタは前記Ｐ型のドーパントでドーピングされたドーピング領域を含む。
【0105】
前記ドーピング領域は伝導性が非ドーピング領域より大きく、実質的に電極または信号ラインの役割を有する。非ドーピング領域は実質的にトランジスタのアクティブ領域（またはチャネル）に当たる。つまり、前記半導体パターンの一部分は前記トランジスタの前記アクティブ領域であり、他の一部分は前記トランジスタのソースまたはドレインであり、また他の一部分は連結電極または連結信号ラインである。
【0106】
前記トランジスタは第１トランジスタＴ１及び第２トランジスタＴ２を含む。第１トランジスタＴ１のソースＳ１、アクティブ領域Ａ１、及びドレインＤ１が半導体パターンから形成され、第２トランジスタＴ２のソースＳ２、アクティブ領域Ａ２、及びドレインＤ２が半導体パターンから形成される。ソースＳ１、Ｓ２及びドレインＤ１、Ｄ２はアクティブ領域Ａ１、Ａ２から互いに反対方向に延長される。
【0107】
図１１では半導体パターンから形成された連結信号ラインＳＣＬの一部分を示している。別途に示していないが、連結信号ラインＳＣＬは平面上から見た際、第２トランジスタＴ２のドレインＤ２に連結される。
【0108】
バッファ層ＢＦＬの上に第１絶縁層１０が配置される。第１絶縁層１０は第１トランジスタＴ１及び第２トランジスタＴ２をカバーする。第１絶縁層１０は無機層及び／または有機層であり、単層構造または多層構造を有する。第１絶縁層１０だけでなく、後述する回路層ＤＰ－ＣＬの絶縁層は無機層及び／または有機層であり、単層または多層構造を有する。
【0109】
ゲートＧ１、Ｇ２は第１絶縁層１０の上に配置される。ゲートＧ１、Ｇ２は金属パターンの一部である。平面上から見た際、ゲートＧ１、Ｇ２はアクティブ領域Ａ１、Ａ２と重畳する。
【0110】
第２絶縁層２０は第１絶縁層１０の上に配置される。第２絶縁層２０はゲートＧ１、Ｇ２をカバーする。
【0111】
上部電極ＵＥは第２絶縁層２０の上に配置される。平面上から見た際、上部電極ＵＥは第２トランジスタＴ２のゲートＧ２と重畳する。上部電極ＵＥは金属パターンの一部分である。ゲートＧ２の一部分とそれに重畳する上部電極ＵＥはキャパシタを定義する。但し、これは例示的なものであって、本発明の一実施例による上部電極ＵＥは省略されてもよい。
【0112】
第３絶縁層３０は第２絶縁層２０の上に配置される。第３絶縁層３０は上部電極ＵＥをカバーする。第３絶縁層３０の上には第１連結電極ＣＮＥ１が配置される。第１連結電極ＣＮＥ１は、第１絶縁層１０、第２絶縁層２０、及び第３絶縁層３０を貫通するコンタクト孔ＣＮＴ－１を介して連結信号ラインＳＣＬに接続される。
【0113】
第４絶縁層４０は第３絶縁層３０の上に配置される。第５絶縁層５０は第４絶縁層４０の上に配置される。第５絶縁層５０は有機層である。第５絶縁層５０の上には第２連結電極ＣＮＥ２が配置される。第２連結電極ＣＮＥ２は、第４絶縁層４０及び第５絶縁層５０を貫通するコンタクト孔ＣＮＴ－２を介して第１連結電極ＣＮＥ１に接続される。
【0114】
第６絶縁層６０は第５絶縁層５０の上に配置される。第６絶縁層６０は第２連結電極ＣＮＥ２をカバーする。第６絶縁層６０は有機層である。
【0115】
電極ＡＥは第６絶縁層６０の上に配置される。電極ＡＥは、第６絶縁層６０が貫通するコンタクト孔ＣＮＴ－３を介して第２連結電極ＣＮＥ２に連結される。
【0116】
画素定義膜ＰＤＬは電極ＡＥ及び第６絶縁層６０の上に配置される。画素定義膜ＰＤＬには開口部ＯＰが定義される。画素定義膜ＰＤＬの開口部ＯＰは電極ＡＥの少なくとも一部分を露出させる。
【0117】
蒸着物質は基板ＳＵＢの電極ＡＥの上に蒸着されて発光層を構成する。但し、これに限らず、蒸着物質を介して形成される層はスパッタなどの蒸着工程を介して蒸着可能な層であれば制限されない。例えば、蒸着物質は電極ＡＥの上に蒸着されて正孔輸送層また電子輸送層などの電荷輸送層を構成してもよく、または、蒸着物質が金属を含んで、発光層などの有機層の上に上部電極を形成してもよい。または、蒸着物質が有機物質または無機物質を含み、上部電極の上にキャッピング層や薄膜封止層などを形成してもよい。
【0118】
図１２ａは、本発明の一実施例による蒸着装置によって製造される薄膜の撮像画像である。図１２ｂは、比較例の蒸着装置によって製造される薄膜の撮像画像である。図１２ａは、本発明の一実施例のように、複数のピンのうち上部に配置されて断面上で静電チャックと重畳する第１部分の内部に第１クーラーが配置される蒸着装置によって製造された薄膜の撮像画像である。図１２ｂは本発明とは異なって、複数のピンの内部にクーラーが配置されていない蒸着装置によって製造された薄膜の撮像画像である。図１２ａ及び図１２ｂでは実施例と比較例の蒸着装置によって製造されたＴｉ薄膜の上部面の撮像画像を示している。
【0119】
図１２ａ及び図１２ｂを参照すると、本発明の一実施例による蒸着装置によって製造された金属薄膜の場合、上面にシミがなく均一な薄膜が形成されることを確認した。これとは異なって、比較例の蒸着装置によって製造された金属薄膜の場合、温度不均一のため金属薄膜の上面にシミが発生していることを確認した。一実施例による蒸着装置は静電チャックにクーラーを含む一方、静電チャック孔に配置される複数のピンの上部にもクーラーを含むことで、蒸着装置の上部の温度が均一に維持されて、蒸着装置によって製造された薄膜にシミなどの不良が発生することを防止することができる。それによって、蒸着装置によって製造された表示パネルの信頼性が改善される。
【0120】
これまで本発明の好ましい実施例を参照して説明したが、該当技術分野における熟練した当業者または該当技術分野における通常の知識を有する者であれば、後述する特許請求の範囲に記載の本発明の思想及び技術領域から逸脱しない範囲内で本発明を多様に修正及び変更し得ることを理解できるはずである。よって、本発明の技術的範囲は明細書の詳細な説明に記載の内容に限らず、特許請求の範囲によって決められるべきである。
【符号の説明】
【0121】
ＥＡ：蒸着装置
ＳＣ：サセプタ
ＥＳＣ：静電チャック
ＰＮ：複数のピン
ＰＴ：プレート
ＣＬ－ＰＮ：ピンクーラー
ＳＣ：サセプタ
ＥＳＣ：静電チャック
ＰＮ：複数のピン
ＰＴ：プレート
ＣＬ－ＰＮ：ピンクーラー
【図1】
【図2】
【図3a】
【図3b】
【図3c】
【図3d】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12a】
【図12b】
