特開 2022-92344 放射線検出器

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022092344

(43)【公開日】2022-06-22

(54)【発明の名称】放射線検出器

(51)【国際特許分類】

   G01T 1/20 20060101AFI20220615BHJP

   G01T 1/204 20060101ALI20220615BHJP

【ＦＩ】

G01T1/20 L

G01T1/20 E

G01T1/20 G

G01T1/204

【審査請求】未請求

【請求項の数】11

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2020205111

(22)【出願日】2020-12-10

(71)【出願人】

【識別番号】503382542

【氏名又は名称】キヤノン電子管デバイス株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001737

【氏名又は名称】特許業務法人スズエ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】會田 博之

(72)【発明者】

【氏名】堀内 弘

【テーマコード（参考）】

2G188

【Ｆターム（参考）】

2G188AA03

2G188BB02

2G188CC09

2G188CC15

2G188CC17

2G188CC19

2G188CC22

2G188DD05

2G188DD11

2G188DD12

2G188DD14

2G188DD36

2G188DD42

2G188DD44

2G188DD47

2G188EE07

(57)【要約】

【課題】 外部からの衝撃に強い放射線検出器を提供する。又は、軽量化及び薄型化が可能な放射線検出器を提供する。
【解決手段】 放射線検出器は、光電変換基板２と、シンチレータ層５と、保護体１３と、筐体５１と、入射窓５２と、を備える。光電変換基板２及び保護体１３で覆われ、かつ、シンチレータ層５が位置している空間は、大気圧より減圧された空間である。保護体１３は、入射窓５２の内面Ｓ５２ａを押圧した状態に保持され、又は入射窓５２の内面Ｓ５２ａに接着材を介して接着されている。光電変換基板２は、入射窓５２に固定され、又は筐体５１の上壁に固定されている。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１主面及び前記第１主面とは反対側の第２主面を有する光電変換基板と、
前記光電変換基板の前記第２主面側に位置したシンチレータ層と、
前記光電変換基板とともに前記シンチレータ層を挟み、前記光電変換基板とともに前記シンチレータ層を密閉した保護体と、
前記光電変換基板、前記シンチレータ層、及び前記保護体を収容し、開口を含む筐体と、
前記保護体と対向した内面を有し、前記筐体に固定され、前記開口を閉塞した入射窓と、を備え、
前記光電変換基板及び前記保護体で覆われ、かつ、前記シンチレータ層が位置している空間は、大気圧より減圧された空間であり、
前記保護体は、
前記入射窓の前記内面を押圧した状態に保持され、又は
前記入射窓の前記内面に接着材を介して接着され、
前記光電変換基板は、
前記入射窓に固定され、又は
前記筐体のうち前記開口が形成された上壁に固定されている、
放射線検出器。

【請求項2】

前記保護体は、前記入射窓の前記内面を押圧した状態に保持され、前記入射窓の前記内面に接触している、
請求項１に記載の放射線検出器。

【請求項3】

前記保護体は、前記入射窓の前記内面を押圧した状態に保持され、
前記保護体と前記入射窓との間の空間は、密閉され、大気圧より減圧されている、
請求項１に記載の放射線検出器。

【請求項4】

前記光電変換基板の前記第１主面に設けられた無機層をさらに備え、
平面視にて、前記無機層は、前記シンチレータ層の全体に重なっている、
請求項１に記載の放射線検出器。

【請求項5】

第１主面及び前記第１主面とは反対側の第２主面を有する光電変換基板と、
前記光電変換基板の前記第２主面側に位置したシンチレータ層と、
前記光電変換基板とともに前記シンチレータ層を挟み、前記光電変換基板とともに前記シンチレータ層を密閉した保護体と、
前記光電変換基板、前記シンチレータ層、及び前記保護体を収容し、開口を含む筐体と、
前記光電変換基板の前記第１主面と対向した内面を有し、前記筐体に固定され、前記開口を閉塞した入射窓と、を備え、
前記光電変換基板及び前記保護体で覆われ、かつ、前記シンチレータ層が位置している空間は、大気圧より減圧された空間であり、
前記光電変換基板は、
前記入射窓の前記内面を押圧した状態に保持され、又は
前記入射窓の前記内面に接着材を介して接着され、
前記光電変換基板は、
前記入射窓に固定され、又は
前記筐体のうち前記開口が形成された上壁に固定されている、
放射線検出器。

【請求項6】

前記光電変換基板は、前記入射窓の前記内面を押圧した状態に保持され、
前記光電変換基板の前記第１主面は、前記入射窓の前記内面に接触している、
請求項５に記載の放射線検出器。

【請求項7】

前記光電変換基板は、前記入射窓の前記内面を押圧した状態に保持され、
前記光電変換基板と前記入射窓との間の空間は、密閉され、大気圧より減圧されている、
請求項５に記載の放射線検出器。

【請求項8】

前記入射窓の前記内面と、前記光電変換基板の前記第１主面と、の間に設けられた無機層をさらに備え、
平面視にて、前記無機層は、前記シンチレータ層の全体に重なっている、
請求項５に記載の放射線検出器。

【請求項9】

前記光電変換基板は、前記第１主面を含み可撓性を持つ基材と、複数の光電変換素子と、を有する、
請求項１又は５に記載の放射線検出器。

【請求項10】

前記シンチレータ層は、タリウム賦活ヨウ化セシウムで形成されている、
請求項１又は５に記載の放射線検出器。

【請求項11】

前記光電変換基板に電気的に接続された回路基板をさらに備え、
前記筐体は、前記開口とは反対側に底壁を有し、
前記回路基板は、前記底壁に固定され、前記光電変換基板に間隔を空けて位置している、
請求項１又は５に記載の放射線検出器。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、放射線検出器に関する。

【背景技術】

【0002】

Ｘ線フィルムに置き換わるＸ線画像診断機器として、Ｘ線画像検出器の普及拡大が図られている。Ｘ線フィルムに対してＸ線画像検出器は、Ｘ線撮影から画像確認までの時間が非常に短く、画像のダイナミックレンジが広く、フィルム現像に必要な薬液も必要が無いという利点を有している。

【0003】

現在実用化されているＸ線画像検出器の多くでは、まず、人体等の被写体を透過したＸ線画像をＸ線画像検出器内部のシンチレータ層にて可視光に変換される。次いで、変換された可視光像は平面状の基材の上にマトリクス状に敷き詰めた複数の光電変換素子によって電気信号に変換される。その後、Ｘ線画像検出器の回路基板により変換された電気信号を画像情報に変換し、Ｘ線画像検出器の外部に出力される。

【0004】

Ｘ線画像検出器は、診断装置に固定した状態にて使用される固定式のＸ線画像検出器と、診断装置とは固定されない携帯式のＸ線画像検出器とがある。特に携帯式のＸ線画像検出器は撮影できる部位の自由度が高いという特徴があり、この特徴が医療の診察において有益とされている。

【0005】

携帯式のＸ線画像検出器の多くは、Ｘ線入射側に位置した入射窓と、筐体と、筐体の内部に収容された基台、Ｘ線検出パネル、及び回路基板と、を備えている。Ｘ線検出パネルは基台に固定されている。Ｘ線検出パネルは、入射窓に間隔を空けて配置されている。又は、入射窓とＸ線検出パネルとの間に緩衝材が設置されている（例えば、特許文献１参照）。

【0006】

携帯式のＸ線画像検出器は、持ち運ぶことが多く、また使用の際には固定されず不安定な状態であることが多い。そのため、携帯式のＸ線画像検出器は、固定式のＸ線画像検出器よりも外部からの衝撃が加わり易いという特徴がある。

【0007】

Ｘ線画像検出器に用いられているＸ線検出パネルにおいて、画素が高精細に形成された光電変換基板の上に厚いシンチレータ層（１００乃至１０００μｍ厚のシンチレータ層）が積層されている。そのため、Ｘ線画像検出器に外部からの衝撃が加わると、光電変換基板とシンチレータ層と界面にて剥がれが発生し易くなる。光電変換基板からシンチレータ層が剥がれると、出力されるＸ線画像に悪影響を及ぼすこととなる。

【0008】

上述した従来構造のＸ線画像検出器では、Ｘ線検出パネルは、筐体内部に設置され強固で大きな基台に固定されており、Ｘ線画像検出器の外部に露出している筐体及び入射窓とは接していない。上述したように、入射窓とＸ線検出パネルとの間に緩衝材が設置されている。そのため、外部からＸ線画像検出器に加わる衝撃がＸ線検出パネルに直接加わることは無いという利点を有している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0009】

【特許文献1】特開２００５－１９５６４３号公報

【特許文献2】特開２０１０－２６２１３４号公報

【特許文献3】特開２０１４－２１１４号公報

【特許文献4】特開２０１６－１８０７０７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0010】

本実施形態は、外部からの衝撃に強い放射線検出器を提供する。又は、軽量化及び薄型化が可能な放射線検出器を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0011】

一実施形態に係る放射線検出器は、
第１主面及び前記第１主面とは反対側の第２主面を有する光電変換基板と、前記光電変換基板の前記第２主面側に位置したシンチレータ層と、前記光電変換基板とともに前記シンチレータ層を挟み、前記光電変換基板とともに前記シンチレータ層を密閉した保護体と、前記光電変換基板、前記シンチレータ層、及び前記保護体を収容し、開口を含む筐体と、前記保護体と対向した内面を有し、前記筐体に固定され、前記開口を閉塞した入射窓と、を備え、前記光電変換基板及び前記保護体で覆われ、かつ、前記シンチレータ層が位置している空間は、大気圧より減圧された空間であり、前記保護体は、前記入射窓の前記内面を押圧した状態に保持され、又は前記入射窓の前記内面に接着材を介して接着され、前記光電変換基板は、前記入射窓に固定され、又は前記筐体のうち前記開口が形成された上壁に固定されている。

【0012】

また、一実施形態に係る放射線検出器は、
第１主面及び前記第１主面とは反対側の第２主面を有する光電変換基板と、前記光電変換基板の前記第２主面側に位置したシンチレータ層と、前記光電変換基板とともに前記シンチレータ層を挟み、前記光電変換基板とともに前記シンチレータ層を密閉した保護体と、前記光電変換基板、前記シンチレータ層、及び前記保護体を収容し、開口を含む筐体と、前記光電変換基板の前記第１主面と対向した内面を有し、前記筐体に固定され、前記開口を閉塞した入射窓と、を備え、前記光電変換基板及び前記保護体で覆われ、かつ、前記シンチレータ層が位置している空間は、大気圧より減圧された空間であり、前記光電変換基板は、前記入射窓の前記内面を押圧した状態に保持され、又は前記入射窓の前記内面に接着材を介して接着され、前記光電変換基板は、前記入射窓に固定され、又は前記筐体のうち前記開口が形成された上壁に固定されている。

【図面の簡単な説明】

【0013】

【図1】図１は、第１の実施形態に係るＸ線検出器を示す断面図である。

【図2】図２は、上記Ｘ線検出器のＸ線検出パネル、回路基板、及び複数のＦＰＣを示す斜視図である。

【図3】図３は、上記Ｘ線検出器のＸ線検出パネルの一部を示す拡大断面図である。

【図4】図４は、上記Ｘ線検出器の一部を示す平面図であり、Ｘ線検出パネル、入射窓、及び支持材を示す図である。

【図5】図５は、第２の実施形態に係るＸ線検出器を示す断面図である。

【図6】図６は、第３の実施形態に係るＸ線検出器を示す断面図である。

【図7】図７は、上記第３の実施形態に係るＸ線検出器を示す平面図である。

【図8】図８は、第４の実施形態に係るＸ線検出器を示す断面図である。

【図9】図９は、第５の実施形態に係るＸ線検出器を示す断面図である。

【図10】図１０は、第６の実施形態に係るＸ線検出器を示す断面図である。

【図11】図１１は、第７の実施形態に係るＸ線検出器を示す断面図である。

【図12】図１２は、第８の実施形態に係るＸ線検出器を示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0014】

以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

【0015】

始めに、本発明の実施形態の基本構想について説明する。
例えば、特許文献１に示すようなＸ線画像検出器は、筐体内部に配置された基台（支持板）を必要としている。衝撃に弱い放射線検出パネルを保護するため、基台には強度が必要である。しかしながら、基台に十分な強度を持たせると、基台の重量が大きくなり、携帯式のＸ線画像検出器の重量を増加させ、可搬性を損なうという問題がある。

【0016】

また、基台の強度を確保するため、基台はある程度の厚みを有する必要があり、厚い基台を筐体の内部に格納することとなる。そのため、筐体の厚みが大きくなり、Ｘ線画像検出器の厚みが大きくなり、Ｘ線画像検出器の可搬性を損なうという問題がある。

【0017】

そこで、本発明の実施形態においては、かかる問題を改善するものであり、可搬性が高く実現に有用である携帯式の放射線検出器を得ることができるものである。例えば、外部からの衝撃に強い放射線検出器を得ることができるものである。又は、軽量化及び薄型化が可能な放射線検出器を得ることができるものである。次に、上記問題を改善するための手段及び手法について説明する。

【0018】

（第１の実施形態）
まず、第１の実施形態について説明する。図１は、第１の実施形態に係るＸ線検出器１を示す断面図である。Ｘ線検出器１は、Ｘ線画像検出器であり、Ｘ線検出パネルを利用するＸ線平面検出器である。

【0019】

図１に示すように、Ｘ線検出器１は、Ｘ線検出パネルＰＮＬ、回路基板１１、接続基板としてのＦＰＣ（フレキシブルプリント基板）２ｅ１、筐体５１、入射窓５２、支持材１５、スペーサ９ａ，９ｂ等を備えている。Ｘ線検出パネルＰＮＬは、光電変換基板２、シンチレータ層５、保護体１３等を備えている。

【0020】

光電変換基板２は、第１主面Ｓ２ａ、及び第１主面Ｓ２ａとは反対側の第２主面Ｓ２ｂを有している。シンチレータ層５は、光電変換基板２の第２主面Ｓ２ｂ側に位置している。保護体１３は、光電変換基板２とともにシンチレータ層５を挟み、光電変換基板２とともにシンチレータ層５を密閉している。

【0021】

回路基板１１にはＦＰＣ２ｅ１に対応するコネクタが実装され、ＦＰＣ２ｅ１はコネクタを介して回路基板１１に電気的に接続されている。ＦＰＣ２ｅ１とＸ線検出パネルＰＮＬとの接続には、ＡＣＦ（異方性導電フィルム）を利用した熱圧着法が用いられる。この方法により、Ｘ線検出パネルＰＮＬの複数の微細なパッドと、ＦＰＣ２ｅ１の複数の微細なパッドとの電気的接続が確保される。

【0022】

上記のように、回路基板１１は、上記コネクタ、ＦＰＣ２ｅ１等を介してＸ線検出パネルＰＮＬ（光電変換基板２）に電気的に接続されている。回路基板１１は、Ｘ線検出パネルＰＮＬを電気的に駆動し、かつ、Ｘ線検出パネルＰＮＬからの出力信号を電気的に処理するものである。

【0023】

Ｘ線検出パネルＰＮＬ、回路基板１１、ＦＰＣ２ｅ１等は、筐体５１の内部に収容されている。筐体５１は、開口ＯＰと、開口ＯＰとは反対側の底壁５１ａと、側壁５１ｂと、を有している。底壁５１ａ及び側壁５１ｂは、一体に形成されている。

【0024】

入射窓５２は、Ｘ線検出パネルＰＮＬと対向した内面Ｓ５２ａを有し、筐体５１に固定され、開口ＯＰを閉塞している。本実施形態において、内面Ｓ５２ａは、Ｘ線検出パネルＰＮＬの保護体１３と対向している。

【0025】

入射窓５２はＸ線を透過させる。そのため、Ｘ線は入射窓５２を透過してＸ線検出パネルＰＮＬに入射される。入射窓５２は、板状に形成され、筐体５１内部を保護する機能を有している。入射窓５２は、Ｘ線吸収率の低い材料で薄く形成することが望ましい。本実施形態において、入射窓５２は、炭素繊維強化プラスチック（ＣＦＲＰ：Carbon-Fiber-Reinforced Plastic）で形成されている。これにより、入射窓５２で生じる、Ｘ線の散乱と、Ｘ線量の減衰とを低減することができる。そして、薄くて軽いＸ線検出器１を実現することができる。

【0026】

筐体５１の底壁５１ａには、スペーサ９ａ，９ｂを介して回路基板１１が固定されている。言い換えると、筐体５１は、スペーサ９ａ，９ｂを介して回路基板１１を支持している。上記のように、回路基板１１は、非Ｘ線入射側にて筐体５１の内側に固定されている。スペーサ９ａ，９ｂを使用することで、主に金属で構成される筐体５１（底壁５１ａ）から回路基板１１までの電気的絶縁距離を保持することができる。回路基板１１は、光電変換基板２（Ｘ線検出パネルＰＮＬ）に間隔を空けて位置している。

【0027】

Ｘ線検出パネルＰＮＬ及び回路基板１１は、筐体５１に固定されている。Ｘ線検出器１は、Ｘ線検出パネルＰＮＬや回路基板１１を支持するための支持板を筐体５１の内部に設けなくともよい。上記支持板の分、Ｘ線検出器１の重量を低減したり、Ｘ線検出器１の薄型化を図ったり、できるため、可搬性の高いＸ線検出器１を得ることができる。

【0028】

光電変換基板２（Ｘ線検出パネルＰＮＬ）は、筐体５１又は入射窓５２に固定されている。本実施形態において、光電変換基板２（Ｘ線検出パネルＰＮＬ）は、支持材１５により入射窓５２に固定されている。

【0029】

図２は、本実施形態のＸ線検出器１のＸ線検出パネルＰＮＬ、回路基板１１、及び複数のＦＰＣ２ｅ１，２ｅ２を示す斜視図である。なお、図２には、Ｘ線検出器１の全ての部材を示していない。保護体１３等、Ｘ線検出器１のいくつかの部材の図示は、図２において省略している。

【0030】

図２に示すように、Ｘ線検出パネルＰＮＬは、光電変換基板２、シンチレータ層５等を備えている。光電変換基板２は、基材２ａ、複数の光電変換部２ｂ、複数の制御ライン（又はゲートライン）２ｃ１、複数のデータライン（又はシグナルライン）２ｃ２等を有している。なお、光電変換部２ｂ、制御ライン２ｃ１、及びデータライン２ｃ２の数、配置等は図２の例に限定されるものではない。

【0031】

複数の制御ライン２ｃ１は、行方向に延在し、列方向に所定の間隔をあけて並べられている。複数のデータライン２ｃ２は、列方向に延在し、複数の制御ライン２ｃ１と交差し、行方向に所定の間隔をあけて並べられている。

【0032】

複数の光電変換部２ｂは、基材２ａの一方の主面側に設けられている。光電変換部２ｂは、制御ライン２ｃ１とデータライン２ｃ２とにより区画された四角形状の領域に設けられている。１つの光電変換部２ｂは、Ｘ線画像の１つの画素に対応する。複数の光電変換部２ｂは、行方向及び列方向にマトリクス状に並べられている。上記のことから、光電変換部２ｂは、アレイ基板である。

【0033】

各々の光電変換部２ｂは、光電変換素子２ｂ１と、スイッチング素子としてのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）２ｂ２と、を有している。ＴＦＴ２ｂ２は、対応する一の制御ライン２ｃ１と、対応する一のデータライン２ｃ２とに接続されている。光電変換素子２ｂ１はＴＦＴ２ｂ２に電気的に接続されている。

【0034】

制御ライン２ｃ１は、ＦＰＣ２ｅ１を介して回路基板１１に電気的に接続されている。回路基板１１は、ＦＰＣ２ｅ１を介して複数の制御ライン２ｃ１に制御信号Ｓ１を与える。データライン２ｃ２は、ＦＰＣ２ｅ２を介して回路基板１１に電気的に接続されている。光電変換素子２ｂ１によって変換された画像データ信号Ｓ２（光電変換部２ｂに蓄積された電荷）は、ＴＦＴ２ｂ２、データライン２ｃ２、及びＦＰＣ２ｅ２を介して回路基板１１に伝送される。

【0035】

Ｘ線検出器１は、画像伝送部４をさらに備えている。画像伝送部４は、配線４ａを介して回路基板１１に接続されている。なお、画像伝送部４は、回路基板１１に組込まれてもよい。画像伝送部４は、図示しない複数のアナログ－デジタル変換器によりデジタル信号に変換された画像データの信号に基づいて、Ｘ線画像を生成する。生成されたＸ線画像のデータは、画像伝送部４から外部の機器に向けて出力される。

【0036】

図３は、本実施形態に係るＸ線検出器１のＸ線検出パネルＰＮＬの一部を示す拡大断面図である。
図３に示すように、光電変換基板２は、基材２ａ、複数の光電変換部２ｂ、絶縁層２１，２２，２３，２４，２５を有している。複数の光電変換部２ｂは、検出領域ＤＡに位置している。各々の光電変換部２ｂは、光電変換素子２ｂ１と、ＴＦＴ２ｂ２と、を備えている。

【0037】

ＴＦＴ２ｂ２は、ゲート電極ＧＥ、半導体層ＳＣ、ソース電極ＳＥ、及びドレイン電極ＤＥを有している。光電変換素子２ｂ１は、フォトダイオードで構成されている。なお、光電変換素子２ｂ１は、光を電荷に変換するように構成されていればよい。

【0038】

基材２ａは、板状の形状を有し、絶縁材料で形成されている。基材２ａの平面形状は、例えば四角形である。基材２ａは、可撓性を持ち、湾曲可能である。基材２ａの材料としては、例えば樹脂であるポリイミド（ＰＩ）を挙げることができる。基材２ａは、上述した第１主面Ｓ２ａを有している。複数の光電変換部２ｂ（光電変換素子２ｂ１及びＴＦＴ２ｂ２）は、基材２ａの第１主面Ｓ２ａとは反対側に位置している。
なお、本実施形態と異なり、基材２ａは、ガラスで形成されてもよい。

【0039】

絶縁層２１は、基材２ａの上に設けられている。絶縁層２１の上に、ゲート電極ＧＥが形成されている。ゲート電極ＧＥは、上記制御ライン２ｃ１に電気的に接続されている。絶縁層２２は、絶縁層２１及びゲート電極ＧＥの上に設けられている。半導体層ＳＣは、絶縁層２２の上に設けられ、ゲート電極ＧＥに対向している。半導体層ＳＣは、非晶質半導体としての非晶質シリコン、多結晶半導体としての多結晶シリコン等の半導体材料で形成されている。

【0040】

絶縁層２２及び半導体層ＳＣの上に、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥが設けられている。ゲート電極ＧＥ、ソース電極ＳＥ、ドレイン電極ＤＥ、上記制御ライン２ｃ１、及び上記データライン２ｃ２は、アルミニウムやクロムなどの低抵抗金属を用いて形成されている。

【0041】

ソース電極ＳＥは、半導体層ＳＣのソース領域に電気的に接続されている。また、ソース電極ＳＥは、上記データライン２ｃ２に電気的に接続されている。ドレイン電極ＤＥは、半導体層ＳＣのドレイン領域に電気的に接続されている。

【0042】

絶縁層２３は、絶縁層２２、半導体層ＳＣ、ソース電極ＳＥ、及びドレイン電極ＤＥの上に設けられている。光電変換素子２ｂ１は、ドレイン電極ＤＥに電気的に接続されている。絶縁層２４は、絶縁層２３及び光電変換素子２ｂ１の上に設けられている。バイアス線ＢＬは、絶縁層２４の上に設けられ、絶縁層２４に形成されたコンタクトホールを通り光電変換素子２ｂ１に接続されている。絶縁層２５は、絶縁層２４及びバイアス線ＢＬの上に設けられている。絶縁層２５は、上述した第２主面Ｓ２ｂを有している。

【0043】

絶縁層２１，２２，２３，２４，２５は、無機絶縁材料、有機絶縁材料等の絶縁材料で形成されている。無機絶縁材料としては、酸化物絶縁材料、窒化物絶縁材料、及び酸窒化物絶縁材料を挙げることができる。有機絶縁材料としては樹脂を挙げることができる。

【0044】

シンチレータ層５は、光電変換基板２（第２主面Ｓ２ｂ）の上に設けられている。シンチレータ層５は、複数の光電変換部２ｂと対向している。シンチレータ層５は、少なくとも検出領域ＤＡに位置し、複数の光電変換部２ｂの上方を覆っている。シンチレータ層５は、入射されるＸ線を光（蛍光）に変換するように構成されている。

【0045】

なお、光電変換素子２ｂ１は、シンチレータ層５から入射される光を電荷に変換する。変換された電荷は光電変換素子２ｂ１に蓄積される。ＴＦＴ２ｂ２は、光電変換素子２ｂ１への蓄電及び光電変換素子２ｂ１からの放電を切替えることができる。なお、光電変換素子２ｂ１の自己容量が不十分である場合、光電変換基板２はコンデンサ（蓄積キャパシタ）をさらに有し、光電変換素子２ｂ１で変換された電荷をコンデンサに蓄積してもよい。

【0046】

シンチレータ層５は、タリウム賦活ヨウ化セシウム（ＣｓＩ：Ｔｌ）で形成されている。真空蒸着法を用いてシンチレータ層５を形成すれば、複数の柱状結晶の集合体からなるシンチレータ層５が得られる。シンチレータ層５の厚みは、例えば、６００μｍである。シンチレータ層５の最表面において、シンチレータ層５の柱状結晶の太さは、８乃至１２μｍである。柱状構造結晶のタリウム賦活ヨウ化セシウムで形成されたシンチレータ層５は、Ｘ線の吸収効率が高いため、Ｘ線検出パネルＰＮＬに優れたＸ線検出パネルＰＮＬを得ることができる。

【0047】

シンチレータ層５を形成する材料は、ＣｓＩ：Ｔｌに限定されるものではない。シンチレータ層５は、タリウム賦活ヨウ化ナトリウム（ＮａＩ：Ｔｌ）、ナトリウム賦活ヨウ化セシウム（ＣｓＩ：Ｎａ）、ユーロピウム賦活臭化セシウム（ＣｓＢｒ：Ｅｕ）、ヨウ化ナトリウム（ＮａＩ）等で形成されてもよい。

【0048】

なお、真空蒸着法を用いてシンチレータ層５を形成する際には、開口を有するマスクが用いられる。この場合、光電変換基板２上の開口に対峙する領域にシンチレータ層５が形成される。また、蒸着によるシンチレータ材は、マスクの表面にも堆積する。そして、シンチレータ材は、マスクの開口の近傍にも堆積し、開口の内部に徐々に張り出すように結晶が成長する。マスクから開口の内部に結晶が張り出すと、開口の近傍において、光電変換基板２へのシンチレータ材の蒸着が抑制される。そのため、図２に示したように、シンチレータ層５の周縁近傍は、外側になるに従い厚みが漸減している。

【0049】

又は、シンチレータ層５は、マトリクス状に並べられ、光電変換部２ｂに一対一で設けられ、それぞれ四角柱状の形状を有する複数のシンチレータ部を有してもよい。そのようなシンチレータ層５を形成する際、酸硫化ガドリニウム（Ｇｄ_２Ｏ_２Ｓ）蛍光体粒子をバインダ材と混合したシンチレータ材を、光電変換基板２上に塗布し、シンチレータ材を焼成して硬化させる。その後、ダイサによりダイシングするなどし、シンチレータ材に格子状の溝部を形成する。上記の場合、複数のシンチレータ部の間には、空気又は酸化防止用の窒素（Ｎ_２）等の不活性ガスが封入される。又は、複数のシンチレータ部の間の空間は、大気圧より減圧された空間に設定されてもよい。

【0050】

本実施形態において、Ｘ線検出パネルＰＮＬは、光反射層６及び防湿カバー（防湿部）７をさらに備えている。光反射層６は、シンチレータ層５の上に設けられている。光反射層６は、少なくとも検出領域ＤＡに位置し、シンチレータ層５の上面を覆っている。光反射層６は、光（蛍光）の利用効率を高めて感度特性の向上を図るために設けられている。すなわち、光反射層６は、シンチレータ層５において生じた光のうち、光電変換部２ｂが設けられた側とは反対側に向かう光を光電変換部２ｂ側に反射させる。

【0051】

例えば、表面が銀合金やアルミニウムなどの光反射率の高い金属層を含むシートや、光散乱性粒子を含む樹脂シート等をシンチレータ層５の上に設けることで光反射層６を形成してもよい。ただし、光反射層６は、必ずしも必要ではなく、Ｘ線検出パネルＰＮＬに求められる感度特性などに応じて設ければよい。

【0052】

防湿カバー７は、光電変換基板２、シンチレータ層５、及び光反射層６の上に設けられている。防湿カバー７は、シンチレータ層５及び光反射層６を覆っている。防湿カバー７は、空気中に含まれる水分により、光反射層６の特性やシンチレータ層５の特性が劣化するのを抑制するために設けられている。防湿カバー７は、シンチレータ層５の露出部分を完全に覆っている。防湿カバー７は光反射層６等との間に隙間を空けてもよいし、防湿カバー７は光反射層６等と接触してもよい。

【0053】

防湿カバー７は、金属を含むシートで形成されている。上記金属としては、アルミニウムを含む金属、銅を含む金属、マグネシウムを含む金属、タングステンを含む金属、ステンレス、コバール等を挙げることができる。防湿カバー７が金属を含んでいる場合、防湿カバー７は、水分の透過を、防止したり、大幅に抑制したりすることができる。

【0054】

また、防湿カバー７は、樹脂層と金属層とが積層された積層シートで形成されてもよい。この場合、樹脂層は、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、テフロン（登録商標）、低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、弾性ゴム等の材料で形成することができる。金属層は、例えば、前述した金属を含むものとすることができる。金属層は、スパッタリング法、ラミネート法等を用いて形成することができる。

【0055】

この場合、樹脂層より金属層をシンチレータ層５側に設けた方が好ましい。樹脂層により金属層を覆うことができるので、外力などにより金属層が受け得る損傷を抑制することができる。また、金属層が樹脂層よりもシンチレータ層５側に設けられていれば、樹脂層を介した透湿によるシンチレータ層５の特性の劣化を抑制することができる。

【0056】

防湿カバー７としては、金属層を含むシート、無機絶縁層を含むシート、樹脂層と金属層とが積層された積層シート、及び樹脂層と無機絶縁層とが積層された積層シートを挙げることができる。上記のことから、防湿カバー７の無機層は、金属層にかぎらず、無機絶縁層であってもよい。又は、防湿カバー７は、金属層及び無機絶縁層の両方を有してもよい。無機絶縁層は、酸化珪素、酸化アルミニウム等を含む層で形成することができる。無機絶縁層は、スパッタリング法等を用いて形成することができる。

【0057】

本実施形態において、保護体１３は、光反射層６及び防湿カバー７を有し、光反射層６及び防湿カバー７の積層体で形成されている。但し、保護体１３の構成は、本実施形態に限定されるものではなく、種々変形可能である。
例えば、保護体１３は防湿カバー７のみで形成されてもよい。
又は、Ｘ線検出パネルＰＮＬが、光反射層６を備え、防湿カバー７を備えていない場合、保護体１３は光反射層６のみで形成されてもよい。
又は、Ｘ線検出パネルＰＮＬが、防湿カバー７を備え、光反射層６を備えていない場合、保護体１３は防湿カバー７のみで形成されてもよい。

【0058】

図４は、本実施形態のＸ線検出器１の一部を示す平面図であり、Ｘ線検出パネルＰＮＬ、入射窓５２、及び支持材１５を示す図である。図４において、支持材１５には右上がりの斜線を付し、シンチレータ層５には右下がりの斜線を付している。
図１及び図４に示すように、光電変換基板２は、検出領域ＤＡと、検出領域ＤＡの周囲に位置する枠状の非検出領域ＮＤＡと、を有している。

【0059】

シンチレータ層５は、少なくとも検出領域ＤＡに位置している。保護体１３（光反射層６及び防湿カバー７）は、検出領域ＤＡ及び非検出領域ＮＤＡに位置している。保護体１３は、図４に示す平面図において、シンチレータ層５を完全に覆っている。保護体１３は、光電変換基板２とともにシンチレータ層５を密封している。本実施形態において、光電変換基板２及び保護体１３で覆われ、かつ、シンチレータ層５が位置している空間は、密閉空間であり、大気圧より減圧された空間である。

【0060】

空気が存在する大気圧の空間と比較して、シンチレータ層５が位置する上記空間に存在し得る水分の量を大幅に低減することができ、又は、上記空間に水分を存在させなくすることができる。そのため、シンチレータ層５に向かう水分の量を低減させることができ、又は、シンチレータ層５への水分の浸入を防止することができる。

【0061】

支持材１５は、非検出領域ＮＤＡに位置し、シンチレータ層５の周囲に設けられている。本実施形態において、支持材１５は、非検出領域ＮＤＡのうち保護体１３より外側の領域に位置している。支持材１５は、枠状の形状を有し、非検出領域ＮＤＡを連続的に延在している。支持材１５は、光電変換基板２（第２主面Ｓ２ｂ）と、入射窓５２と、を気密に接合している。

【0062】

本実施形態において、保護体１３と入射窓５２との間の空間（光電変換基板２、入射窓５２、及び支持材１５で囲まれた空間）は、密閉され、大気圧より減圧されている。可撓性を持つ基材２ａは、フレキシブルなＸ線検出パネルＰＮＬの形成に寄与している。上記のことから、保護体１３は入射窓５２の内面Ｓ５２ａを押圧した状態に保持され、保護体１３の表面は内面Ｓ５２ａに接触している。

【0063】

上記のように構成された第１の実施形態に係るＸ線検出器１によれば、Ｘ線検出器１は、第１主面Ｓ２ａ及び第２主面Ｓ２ｂを有する光電変換基板２と、シンチレータ層５と、保護体１３と、開口ＯＰを含む筐体５１と、内面Ｓ５２ａを有する入射窓５２と、を備えている。

【0064】

光電変換基板２は、可撓性を持つ基材２ａを有している。そのため、基材２ａがガラス等で形成されたリジッド基板である場合と比較して、光電変換基板２の軽量化及び薄型化に寄与することができる。さらに、基材２ａはガラスに比べて湾曲可能であるため、衝撃に強く、かつ、割れ難い基材２ａを得ることができる。

【0065】

Ｘ線検出パネルＰＮＬは、入射窓５２に固定されている。入射窓５２の弾性率（剛性）は、基材２ａの弾性率（剛性）より高い。そのため、入射窓５２はＸ線検出パネルＰＮＬを良好に支持することができる。Ｘ線検出器１は、特許文献１に示すような厚くて重量のある基台（支持板）無しに構成されている。これにより、Ｘ線検出器１の軽量化及び薄型化を図ることができ、可搬性の高いＸ線検出器１を得ることができる。

【0066】

ところで、Ｘ線検出パネルＰＮＬを入射窓５２に固定することで、入射窓５２に加えられる衝撃がＸ線検出パネルＰＮＬに直接伝わったり、筐体５１に加えられる衝撃が実質的に吸収されること無しにＸ線検出パネルＰＮＬに伝わったり、することになる。そして、その衝撃がシンチレータ層５に伝わることで、シンチレータ層５が光電変換基板２から剥離し、シンチレータ層５の内部にて発生した蛍光が光電変換基板２の光電変換部２ｂ（画素）に伝わらなくことで、撮影したＸ線画像の画質が落ちてしまう可能性がある。

【0067】

そこで、保護体１３と入射窓５２との間の空間（光電変換基板２、入射窓５２、及び支持材１５で囲まれた空間）を、大気圧より低い減圧状態にしている。Ｘ線検出パネルＰＮＬには、大気圧により、入射窓５２側に向かう圧力が加えられる。保護体１３は入射窓５２の内面Ｓ５２ａを押圧した状態に保持されるため、上記外部からの衝撃がシンチレータ層５に伝わっても、光電変換基板２からのシンチレータ層５の剥離を防止することができ、又は上記剥離を抑制することができる。上記のことから、外部からの衝撃に強いＸ線検出器１を得ることができる。

【0068】

Ｘ線検出器１の主な用途が医療における人体の診断であり、人間の通常の生活環境では最も標高の高い町とされるボリビアのエル・アルトで標高４１００ｍとされており、その際の気圧環境としては０．６気圧である。また、高地に類似する気圧の環境としては、航空機によるＸ線検出器１の輸送時の、０．８～０．７気圧程度である。

【0069】

外部からの衝撃による光電変換基板２からのシンチレータ層５の剥離を抑制するには、上記環境下においても、シンチレータ層５が位置している空間を、外部気圧環境以下とすることが必要である。そのため、シンチレータ層５が位置している空間の圧力は０．６気圧以下であることが望ましい。

【0070】

保護体１３と入射窓５２との間に空隙が存在すると、外部からの衝撃によりＸ線検出パネルＰＮＬが振動し、入射窓５２と保護体１３が衝突する可能性がある。そして、入射窓５２と保護体１３が衝突すると、その衝突による力がシンチレータ層５に加わり、シンチレータ層５の微細な柱状構造が崩れてしまう。その崩れによって、シンチレータ層５にて発生した蛍光が散乱され、散乱によってＸ画像の解像度が低下し、出力される画像の品質が低下してしまう。

【0071】

そこで、本実施形態において、保護体１３の表面は内面Ｓ５２ａに接触している。外部からの衝撃による入射窓５２と保護体１３の衝突を防ぐことが可能となるため、Ｘ線画像の品質劣化を防止することが可能となる。Ｘ線検出器１の周囲の環境の気圧を考慮すると、保護体１３と入射窓５２との間の空間（光電変換基板２、入射窓５２、及び支持材１５で囲まれた空間）も、０．６気圧以下であることが望ましい。

【0072】

（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態について説明する。図５は、第２の実施形態に係るＸ線検出器１を示す断面図である。Ｘ線検出器１は、本第２の実施形態で説明する構成以外、上記第１の実施形態と同様に構成されている。

【0073】

図５に示すように、入射窓５２の内面Ｓ５２ａは、Ｘ線検出パネルＰＮＬの保護体１３と対向していない。本実施形態において、内面Ｓ５２ａは、光電変換基板２の第１主面Ｓ２ａと対向している。

【0074】

支持材１５は、非検出領域ＮＤＡに位置し、シンチレータ層５の周囲に設けられている。本実施形態において、支持材１５は、非検出領域ＮＤＡのうち保護体１３より外側の領域に位置している。支持材１５は、枠状の形状を有し、非検出領域ＮＤＡを連続的に延在している。支持材１５は、光電変換基板２と、入射窓５２との隙間を閉塞している。本実施形態において、光電変換基板２（Ｘ線検出パネルＰＮＬ）は、支持材１５により入射窓５２に固定されている。

【0075】

本実施形態において、光電変換基板２と入射窓５２との間の空間は、支持材１５により密閉され、大気圧より減圧されている。上記のことから、光電変換基板２（基材２ａ）は入射窓５２の内面Ｓ５２ａを押圧した状態に保持され、光電変換基板２（基材２ａ）の第１主面Ｓ２ａは内面Ｓ５２ａに接触している。本実施形態において、基材２ａは、ガラスで形成されている。

【0076】

上記のように構成された第２の実施形態に係るＸ線検出器１によれば、Ｘ線検出器１は、上述した第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。基材２ａに実質的に０．７ｍｍの厚みを持つガラス基板を使用している。しかしながら、保護体１３は、薄いアルミ箔、フィルム等の剛性の低い材料を用いている。これは、保護体１３の剛性を低くすることで基材２ａと保護体１３の素材の違いによる熱膨張率差等による基板の反りの量を低くすることが出来るためである。

【0077】

Ｘ線検出パネルＰＮＬは入射窓５２に固定されているため、Ｘ線検出器１の外部からの衝撃は入射窓５２からＸ線検出パネルＰＮＬに伝わることになる。この際に図１に示した第１の実施形態では、入射窓５２に固定されているのは剛性の低い保護体１３であるため、衝撃がシンチレータ層５に伝わり易い。しかしながら、図５に示した第２の実施形態では入射窓５２に固定されているのは剛性の高い光電変換基板２（基材２ａ）となるため、シンチレータ層５への衝撃の伝わりが改善され、微細な柱状結晶構造を有するシンチレータ層５の破壊や、シンチレータ層５と光電変換基板２との界面での剥離を防止することが可能となる。

【0078】

本第２の実施形態では、基材２ａの材質にガラスを用いている。但し、基材２ａに、薄くて可撓性のある樹脂製の材料として、ポリイミド等の材料を用いてもよい。基材２ａがガラス基板である場合と比較して、基材２ａを２５０ｇ以上軽くすることが可能となり、Ｘ線検出器１の可搬性向上に寄与することができる。

【0079】

可撓性のある樹脂製の基材２ａは、ガラス基板と比較して透湿量が多いという特徴がある。ガラス基板では実質的な透湿量は０（無し）と見なすことが出来るが、例として１００μｍの厚みを持つポリイミド基板の水蒸気透過率は実質的に２１ｇ・ｍｍ／ｄａｙ・ｍ^２となる。

【0080】

Ｘ線検出パネルＰＮＬの基材２ａに可撓性のある樹脂を用いると、筐体５１と入射窓５２の隙間や、ＣＦＲＰ等の樹脂製の入射窓５２を通して外部から侵入した水分が、基材２ａを通してシンチレータ層５の内部に到達する可能性がある。シンチレータ層５にタリウム賦活ヨウ化セシウム等の潮解性のある材料を用いた場合、シンチレータ層５の内部に到達した水分によりシンチレータ層５が潮解する。

【0081】

これにより、シンチレータ層５の柱状結晶構造が崩れ、その崩れによりシンチレータ層５にて発生した蛍光が散乱し、その散乱によってＸ線画像の解像度が劣化し、出力画像の劣化を招く場合がある。特に、Ｘ線検出器１の高温多湿環境での使用や、Ｘ線検出器１の長期間の使用によって上記悪影響が発生することがある。

【0082】

しかしながら、本実施形態において、光電変換基板２と入射窓５２との間の空間は、大気圧より減圧されている。減圧状態の空間は、空気が存在する大気圧の空間と比較して、空間に存在し得る水分の量を大幅に低減することができる。又は、空間に水分を存在させなくすることができる。そのため、基材２ａが透湿性を持っていても、第１主面Ｓ２ａから基材２ａに浸入してシンチレータ層５に向かう水分の量を低減させることができる。又は、シンチレータ層５への水分の浸入を防止することができる。そして、シンチレータ層５の劣化を抑制することができる。

【0083】

（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態について説明する。図６は、第３の実施形態に係るＸ線検出器１を示す断面図である。図７は、上記第３の実施形態に係るＸ線検出器１を示す平面図である。Ｘ線検出器１は、本第３の実施形態で説明する構成以外、上記第１の実施形態と同様に構成されている。

【0084】

図６及び図７に示すように、Ｘ線検出器１は、無機層ＩＬをさらに備えている。無機層ＩＬは、光電変換基板２の第１主面Ｓ２ａに設けられている。本実施形態において、無機層ＩＬは、第１主面Ｓ２ａに張り付けられている。平面視において、無機層ＩＬは、少なくともシンチレータ層５の全体に重なっている。無機層ＩＬにより、第１主面Ｓ２ａから基材２ａに浸入する水分の量を低減することができ、シンチレータ層５の劣化を抑制することができる。

【0085】

本実施形態において、無機層ＩＬはアルミ箔で形成されている。無機層ＩＬは導電性を有しているため、光電変換基板２を電気的にシールドすることができる。また、無機層ＩＬは光反射材で形成されている。無機層ＩＬにより、Ｘ線検出パネルＰＮＬから回路基板１１側への光漏れを抑制することができる。なお、上記光漏れを抑制する効果は、無機層ＩＬが光吸収材で形成される場合も同様である。

【0086】

無機層ＩＬを形成する材料は、アルミニウムに限定されるものではなく、チタン、モリブデン、銅、酸化シリコン、窒化シリコン、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）等の無機材料であってもよい。
無機層ＩＬの厚みは、例えば１０μｍである。

【0087】

上記のように構成された第３の実施形態に係るＸ線検出器１によれば、Ｘ線検出器１は、上述した第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。Ｘ線検出器１は無機層ＩＬをさらに備えている。無機層ＩＬは、光電変換基板２に対してシンチレータ層５の反対側に位置している。無機層ＩＬは金属で構成されているため、無機層ＩＬの水蒸気透過量は非常に低い。１０μｍの厚みを持ちアルミ箔で形成された無機層ＩＬの水分透過量は実質的に０（無し）と見なすことが出来る。
アルミは、実用的な金属中において比重が軽く、また圧延も容易のため、アルミ箔を薄く圧延形成することで、無機層ＩＬを他の実用金属箔よりも軽くすることが可能となる。

【0088】

光電変換基板２の第１主面Ｓ２ａに無機層ＩＬを張り付けることにより、Ｘ線検出パネルＰＮＬの外部の水蒸気のシンチレータ層５の内部への進入を抑制することが可能となる。Ｘ線検出器１が高温多湿の環境下に置かれても、シンチレータ層５の性能の劣化を抑制することができ、製品寿命の長いＸ線検出器１を得ることが可能となる。

【0089】

（第４の実施形態）
次に、第４の実施形態について説明する。図８は、第４の実施形態に係るＸ線検出器１を示す断面図である。Ｘ線検出器１は、本第４の実施形態で説明する構成以外、上記第２の実施形態と同様に構成されている。

【0090】

図８に示すように、Ｘ線検出器１は、無機層ＩＬをさらに備えている。無機層ＩＬは、入射窓５２の内面Ｓ５２ａと、光電変換基板２の第１主面Ｓ２ａと、の間に設けられている。本実施形態において、無機層ＩＬは、第１主面Ｓ２ａに張り付けられている。平面視において、無機層ＩＬは、少なくともシンチレータ層５の全体に重なっている。本実施形態において、光電変換基板２（基材２ａ）は、無機層ＩＬを介して入射窓５２の内面Ｓ５２ａを間接に押圧した状態に保持され、無機層ＩＬは内面Ｓ５２ａに接触している。

【0091】

上記のように構成された第４の実施形態に係るＸ線検出器１によれば、Ｘ線検出器１は、上述した第２の実施形態と同様の効果を得ることができる。
光電変換基板２（基材２ａ）は、入射窓５２の内面Ｓ５２ａと対向している。ＣＦＲＰ等の樹脂製の入射窓５２を透過した水分は、入射窓５２と対向した無機層ＩＬにて遮断される。光電変換基板２の第１主面Ｓ２ａに到達する水分の量を減少させることができるため、シンチレータ層５の内部へ到達する水分の量を減少させることができ、シンチレータ層５の劣化を抑制することができる。なお、無機層ＩＬは、入射窓５２の内面Ｓ５２ａに張り付けられてもよく、この場合も、シンチレータ層５の内部への水分の進入を抑制することができる。

【0092】

（第５の実施形態）
次に、第５の実施形態について説明する。図９は、第５の実施形態に係るＸ線検出器１を示す断面図である。Ｘ線検出器１は、本第５の実施形態で説明する構成以外、上記第１の実施形態と同様に構成されている。

【0093】

図９に示すように、Ｘ線検出器１は、支持材１５の替わりに接着材ＡＬを備えている。接着材ＡＬは、入射窓５２と保護体１３との間に位置している。保護体１３は、入射窓５２の内面Ｓ５２ａに接着材ＡＬを介して接着されている。

【0094】

上記のように構成された第５の実施形態に係るＸ線検出器１によれば、Ｘ線検出器１は、上述した第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。例えば、外部からの衝撃に強いＸ線検出器１を得ることができる。

【0095】

（第６の実施形態）
次に、第６の実施形態について説明する。図１０は、第６の実施形態に係るＸ線検出器１を示す断面図である。Ｘ線検出器１は、本第６の実施形態で説明する構成以外、上記第２の実施形態と同様に構成されている。

【0096】

図１０に示すように、Ｘ線検出器１は、支持材１５の替わりに接着材ＡＬを備えている。接着材ＡＬは、入射窓５２と光電変換基板２（基材２ａ）との間に位置している。光電変換基板２は、入射窓５２の内面Ｓ５２ａに接着材ＡＬを介して接着されている。

【0097】

上記のように構成された第６の実施形態に係るＸ線検出器１によれば、Ｘ線検出器１は、上述した第２の実施形態と同様の効果を得ることができる。例えば、外部からの衝撃に強いＸ線検出器１を得ることができる。

【0098】

図９及び図１０に示したように、接着材ＡＬを用いて保護体１３を入射窓５２に接着したり、光電変換基板２を入射窓５２に接着したり、することも有効である。何故なら、保護体１３を入射窓５２に接着したり、光電変換基板２を入射窓５２に接着したり、しない場合、外部からＸ線検出器１に加えられた振動により、保護体１３と入射窓５２の間や、光電変換基板２と入射窓５２の間に、横方向のずれが発生する場合があるためである。このずれの発生により、入射窓５２に接している保護体１３又は光電変換基板２の第１主面Ｓ２ａにこすれが発生し、保護体１３の表面又は光電変換基板２の第１主面Ｓ２ａが損傷してしまう。そして、保護体１３によるシンチレータ層５の保護機能の低下や、光電変換基板２の破損によるＸ線検出器１の動作不良が発生する可能性がある。

【0099】

そこで、接着材ＡＬを用いることで、外部からＸ線検出器１に振動が加えられても、入射窓５２に対する保護体１３の位置ずれの発生や、入射窓５２に対する光電変換基板２の位置ずれの発生を防止することができる。これにより、保護体１３の保護機能の低下や、光電変換基板２の破損を抑制することができる。

【0100】

但し、Ｘ線検出器１のリサイクル等の観点において、図１、図５等に示したＸ線検出器１の構成の方が望ましい。何故なら、接着材ＡＬを用いると、入射窓５２とＸ線検出パネルＰＮＬとの分離が困難となるためである。Ｘ線検出器１のリサイクルや、Ｘ線検出器１の修理の際に両者が分離できないことにより問題となることがある。そのため、入射窓５２とＸ線検出パネルＰＮＬとの間の空間を減圧した方が望ましい場合がある。

【0101】

（第７の実施形態）
次に、第７の実施形態について説明する。図１１は、第７の実施形態に係るＸ線検出器１を示す断面図である。Ｘ線検出器１は、本第７の実施形態で説明する構成以外、上記第１の実施形態と同様に構成されている。

【0102】

図１１に示すように、筐体５１は、底壁５１ａと、側壁５１ｂと、開口ＯＰが形成された上壁５１ｃと、を有している。底壁５１ａ、側壁５１ｂ、及び上壁５１ｃは、一体に形成されている。光電変換基板２（Ｘ線検出パネルＰＮＬ）は、支持材１５により上壁５１ｃに固定されている。
上記のように構成された第７の実施形態に係るＸ線検出器１によれば、Ｘ線検出器１は、上述した第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。

【0103】

（第８の実施形態）
次に、第８の実施形態について説明する。図１２は、第８の実施形態に係るＸ線検出器１を示す断面図である。Ｘ線検出器１は、本第８の実施形態で説明する構成以外、上記第２の実施形態と同様に構成されている。

【0104】

図１２に示すように、筐体５１は、底壁５１ａと、側壁５１ｂと、開口ＯＰが形成された上壁５１ｃと、を有している。底壁５１ａ、側壁５１ｂ、及び上壁５１ｃは、一体に形成されている。光電変換基板２（Ｘ線検出パネルＰＮＬ）は、支持材１５により上壁５１ｃに固定されている。
上記のように構成された第８の実施形態に係るＸ線検出器１によれば、Ｘ線検出器１は、上述した第２の実施形態と同様の効果を得ることができる。

【0105】

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

【0106】

例えば、筐体５１及び入射窓５２で囲まれた内部の空間（Ｘ線検出パネルＰＮＬが露出する空間）は、空気が存在する大気圧の空間である。但し、上記空間は、大気圧より減圧された空間であってもよい。又は、上記空間は、不活性ガス、乾燥エア等の乾燥ガスが充填された空間であってもよい。なお、乾燥ガスは水分を含まないガスである。これにより、シンチレータ層５を水分から、一層、保護することができる。

【0107】

上述した技術は、上記Ｘ線検出器１への適用に限定されるものではなく、他のＸ線検出器、各種の放射線検出器に適用することができる。放射線検出器は、Ｘ線検出パネルＰＮＬの替わりに、放射線を検出する放射線検出パネルを備えていればよい。

【符号の説明】

【0108】

１…Ｘ線検出器、ＰＮＬ…Ｘ線検出パネル、２…光電変換基板、Ｓ２ａ…第１主面、
Ｓ２ｂ…第２主面、２ａ…基材、２ｂ…光電変換部、２ｂ１…光電変換素子、
２ｂ２…ＴＦＴ、５１…筐体、５１ａ…底壁、５１ｂ…側壁、５１ｃ…上壁、
ＯＰ…開口、５２…入射窓、Ｓ５２ａ…内面、５…シンチレータ層、６…光反射層、
７…防湿カバー、１１…回路基板、１３…保護体、１５…支持材、ＡＬ…接着材、
ＩＬ…無機層、ＤＡ…検出領域、ＮＤＡ…非検出領域。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】