特開 2022-92964 圧電デバイスの製造方法及び圧電デバイス

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022092964

(43)【公開日】2022-06-23

(54)【発明の名称】圧電デバイスの製造方法及び圧電デバイス

(51)【国際特許分類】

   H03H 3/007 20060101AFI20220616BHJP

   H03H 9/02 20060101ALI20220616BHJP

【ＦＩ】

H03H3/007

H03H9/02 A

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2020205989

(22)【出願日】2020-12-11

(71)【出願人】

【識別番号】000006633

【氏名又は名称】京セラ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100090033

【弁理士】

【氏名又は名称】荒船 博司

(74)【代理人】

【識別番号】100093045

【弁理士】

【氏名又は名称】荒船 良男

(74)【代理人】

【識別番号】100079164

【弁理士】

【氏名又は名称】高橋 勇

(74)【代理人】

【識別番号】100193998

【弁理士】

【氏名又は名称】渡辺 純一

(72)【発明者】

【氏名】植田 貴博

【テーマコード（参考）】

5J108

【Ｆターム（参考）】

5J108BB02

5J108CC04

5J108DD02

5J108EE07

5J108EE18

5J108GG03

5J108GG16

5J108MM02

(57)【要約】      （修正有）

【課題】圧電素子の先端の基体への接触を回避しつつ、等価直列抵抗値の低減等の電気的特性の向上を達成し得る圧電デバイスの製造方法及びその製造方法によって得られた圧電デバイスを提供する。
【解決手段】圧電デバイスの製造方法は、融点Ｔ１を持つ突起部４０を基体３０上の突起部形成面４１に形成する突起部形成工程と、熱硬化温度Ｔ２を持つ接合材５４、５５によって基端２１を基体３０上に固定するとともに、基端２２よりも先端２１側を突起部４０上に載置する圧電素子載置工程と、基体３０及び圧電素子２０を加熱することにより、接合材５４、５５を硬化させるとともに、突起部４０を溶融させて圧電素子２０から突起部４０を離間させる加熱工程と、を有する。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

圧電素子の先端を自由端とし前記圧電素子の基端を固定端とした状態で前記圧電素子を基体に搭載する工程を含む圧電デバイスの製造方法であって、
融点を持つ突起部を前記基体上の突起部形成面に形成する突起部形成工程と、
熱硬化温度を持つ接合材によって前記基端を前記基体上に固定するとともに、前記基端よりも前記先端側を前記突起部上に載置する圧電素子載置工程と、
前記基体及び前記圧電素子を加熱することにより、前記接合材を硬化させるとともに、前記突起部を溶融させて前記圧電素子から前記突起部を離間させる加熱工程と、
を含む圧電デバイスの製造方法。

【請求項2】

前記接合材は導電性接着剤からなり、前記突起部は前記熱硬化温度以下の前記融点を持つ金属からなる、
請求項１記載の圧電デバイスの製造方法。

【請求項3】

前記基体はセラミックスからなり、前記突起部は金スズ合金からなり、
前記突起部形成面は、メタライズ層に金メッキが施されたものからなり、平面視した面積が前記突起部よりも大きい、
請求項２記載の圧電デバイスの製造方法。

【請求項4】

前記金スズ合金は金が８０重量％かつスズが２０重量％であり、前記熱硬化温度は２９５℃～３０５℃である、
請求項３記載の圧電デバイスの製造方法。

【請求項5】

前記接合材は導電性接着剤からなり、前記突起部は前記熱硬化温度よりも高い前記融点を持つ金属からなる、
請求項１記載の圧電デバイスの製造方法。

【請求項6】

前記突起部と同じ組成の蓋体用接合材を介して前記基体に蓋体を加熱接合することにより、前記圧電素子を気密封止する蓋体接合工程を、
更に含む請求項２乃至５のいずれか一つに記載の圧電デバイスの製造方法。

【請求項7】

セラミックスからなる基体と、
先端を自由端とし基端を固定端とした状態で前記基体に搭載された圧電素子と、
前記圧電素子に対向する前記基体上に位置するとともに、前記圧電素子側を金スズ合金層とするメタライズ部と、
前記基体に接合することにより前記圧電素子を気密封止する蓋体と、
を備えた圧電デバイス。

【請求項8】

前記メタライズ部の周辺の前記基体上に凹部及び凸部の少なくとも一方が位置する、
請求項７記載の圧電デバイス。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、例えば水晶振動子などの圧電デバイスの製造方法、及び、その製造方法によって得られた圧電デバイスに関する。

【背景技術】

【0002】

一般的な圧電デバイスは、セラミックスなどからなる基体と、先端を自由端とし基端を固定端とした状態で基体上に搭載される圧電素子と、基体に接合することにより圧電素子を気密封止する蓋体と、を備えている。圧電素子は、導電性接着剤などによって、基体に対して所定角度（例えば水平）になるように保持される。このとき、圧電素子の先端が傾いて基体に接触することにより、圧電素子の振動が阻害されることがある。

【0003】

一方、圧電素子の先端の基体への接触を回避する技術が知られている。特許文献１の技術では、圧電素子の先端側に対向する基体上に枕部を設け、圧電素子の先端を枕部に載せる構造を採っている。特許文献２の技術では、導電性接着剤の熱硬化時に膨張し熱硬化後に縮小する合成樹脂を用いて枕部を構成することにより、通常の動作時に圧電素子の先端から枕部が離れるようにしている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０１６－１３９９０１号公報（段落００２５）

【特許文献2】特開２０１４－９３５６６号公報（要約）

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

しかしながら、特許文献１の圧電デバイスでは、圧電素子の先端を枕部に載せることにより、圧電素子の先端が完全な自由端にはならないので、等価直列抵抗値の増大等の電気的特性の低下を招くおそれがある。特許文献２の圧電デバイスでは、通常の動作時における温度上昇によって、枕部が膨張して圧電素子の先端に接触するおそれがある。

【0006】

そこで、本開示の目的は、圧電素子の先端の基体への接触を回避しつつ、等価直列抵抗値の低減等の電気的特性の向上を達成し得る圧電デバイスの製造方法等を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本開示に係る圧電デバイスの製造方法は、
圧電素子の先端を自由端とし前記圧電素子の基端を固定端とした状態で前記圧電素子を基体に搭載する工程を含む圧電デバイスの製造方法であって、
融点を持つ突起部を前記基体上の突起部形成面に形成する突起部形成工程と、
熱硬化温度を持つ接合材によって前記基端を前記基体上に固定するとともに、前記基端よりも前記先端側を前記突起部上に載置する圧電素子載置工程と、
前記基体及び前記圧電素子を加熱することにより、前記接合材を硬化させるとともに、前記突起部を溶融させて前記圧電素子から前記突起部を離間させる加熱工程と、
を含む。

【0008】

本開示に係る圧電デバイスは、
セラミックスからなる基体と、
先端を自由端とし基端を固定端とした状態で前記基体に搭載された圧電素子と、
前記圧電素子に対向する前記基体上に位置するとともに、前記圧電素子側を金スズ合金層とするメタライズ部と、
前記基体に接合することにより前記圧電素子を気密封止する蓋体と、
を備えている。

【発明の効果】

【0009】

本開示によれば、圧電素子の基端側を固定する接合材が加熱によって硬化する際に、圧電素子の先端側を支える突起部が溶融して圧電素子の先端側から離れる。そのため、突起部が溶融するまでは圧電素子の先端を突起部が支えているので、圧電素子の先端が傾いて基体に接触することを回避でき、かつ、最終的には圧電素子の先端側から突起部が離れるので、圧電素子の電気的特性を向上できる。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】図１［Ａ］は実施形態１の製造方法を示す工程図、図１［Ｂ］は実施形態２の製造方法を示す工程図、図１［Ｃ］は実施形態３の製造方法を示す工程図である。

【図2】図２［Ａ］、図２［Ｂ］及び図２［Ｃ］は実施形態１の突起部形成工程における突起部周辺を示す断面図であり、図２［Ｄ］は実施形態１の加熱工程後におけるメタライズ部周辺を示す断面図である。

【図3】実施形態１の圧電素子載置工程前の圧電デバイスを示す分解斜視図である。

【図4】実施形態１の圧電素子載置工程後の圧電デバイスを示す断面図である（図３におけるIV－IV線断面に対応）。

【図5】実施形態１の加熱工程後の圧電デバイスを示す断面図である（図２におけるIV－IV線断面に対応）。

【図6】実施形態１の蓋体接合工程後の圧電デバイスを示す断面図である（図２におけるIV－IV線断面に対応）。

【図7】図７［Ａ］は実施形態１におけるメタライズ部周辺の第一変形例を示す断面図、図７［Ｂ］は実施形態１におけるメタライズ部周辺の第二変形例を示す断面図である。

【図8】実施形態３の蓋体接合工程前の圧電デバイスを示す断面図である（図２におけるIV－IV線断面に対応）。

【発明を実施するための形態】

【0011】

以下、添付図面を参照しながら、本開示を実施するための形態（以下「実施形態」という。）について説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成要素については同一の符号を用いることにより、重複説明を省略する。図面に描かれた形状は、当業者が理解しやすいように描かれているため、実際の寸法及び比率とは必ずしも一致していない。本明細書では、圧電デバイスの製造方法を単に「製造方法」と略すことがある。

【0012】

以下、図１［Ａ］及び図２乃至図６に基づき、実施形態１の製造方法を説明する。

【0013】

本実施形態１の製造方法は、圧電素子２０の先端２１を自由端とし圧電素子２０の基端２２を固定端とした状態で圧電素子２０を基体３０に搭載する工程を含む圧電デバイス１０の製造方法であって、次の工程を含む。

【0014】

・突起部形成工程Ｓ１１（図２［Ａ］乃至図２［Ｃ］）：融点Ｔ１を持つ突起部４０を基体３０上の突起部形成面４１に形成する。
・圧電素子載置工程Ｓ１２（図３、図４）：熱硬化温度Ｔ２を持つ接合材５４，５５によって基端２２を基体３０上に固定するとともに、基端２２よりも先端２１側を突起部４０上に載置する。
・加熱工程Ｓ１３（図２［Ｄ］及び図５）：基体３０及び圧電素子２０を加熱することにより、接合材５４，５５を硬化させるとともに、突起部４０を溶融させて圧電素子２０から突起部４０を離間させる。

【0015】

本実施形態１の製造方法は、更に次の工程を含んでもよい。
・蓋体接合工程Ｓ１４（図６）：基体３０に蓋体６０を接合することにより、圧電素子２０を気密封止する。

【0016】

本実施形態１の製造方法は、次のように構成してもよい。
・接合材５４，５５は導電性接着剤からなり、突起部４０は熱硬化温度Ｔ２以下の融点Ｔ１を持つ金属からなる。すなわちＴ１≦Ｔ２である。
・基体３０はセラミックスからなり、突起部４０は金スズ合金からなる。図２［Ｃ］に示すように、突起部形成面４１は、メタライズ層４３に金メッキ４４が施されたものからなり、平面視した面積が突起部４０よりも大きい。
・突起部４０を構成する金スズ合金は金が８０重量％かつスズが２０重量％であり、熱硬化温度Ｔ２は２９５℃～３０５℃である、

【0017】

次に、本実施形態１の各工程について詳しく説明する。

【0018】

＜突起部形成工程Ｓ１１＞
まず、基体３０について説明する。基体３０は、上面３１ａ及び下面３１ｂを有する矩形状の基板部３１と、上面３１ａの周縁と一体化された枠部３２と、上面３１ａに設けられた電極用パッド３４，３５と、下面３１ｂの四隅に設けられた外部端子１２とを備えている。

【0019】

図３では、枠部３２の一部を切除して示している。枠部３２は、基板部３１の周縁に沿って矩形枠状になっている。基板部３１には、電極用パッド３４，３５と外部端子１２とを、電気的に接続する導体（図示せず）が形成されている。基板部３１及び枠部３２は、例えば積層セラミックスからなる。その場合、複数の四角形状のグリーンシートを重ね、その上に複数の四角枠状のグリーンシートを重ね、全体を焼成することにより、基板部３１及び枠部３２が得られる。

【0020】

電極用パッド３４，３５は、例えばタングステン等のメタライズに金メッキ等を施した導体からなり、圧電素子２０の引き出し電極２４，２５に対向する位置に設けられ、接合材５４，５５によって引き出し電極２４，２５に電気的に接続される。

【0021】

ここで、図２［Ａ］乃至図２［Ｃ］を中心に突起部形成工程Ｓ１１について説明する。まず、図２［Ａ］に示すように、基板部３１の上面３１ａに例えばタングステン等のメタライズ層４３を形成する。続いて、図２［Ｂ］に示すように、メタライズ層４３に金メッキ４４を施して突起部形成面４１を形成する。メタライズ層４３及び金メッキ４４から突起部用パッド４２が構成される。突起部用パッド４２を電極用パッド３４，３５と同時に形成すれば、製造工程を簡略化できる。続いて、図２［Ｃ］に示すように、突起部形成面４１に突起部４０を形成する。突起部４０の形成方法としては、例えば、突起部形成面４１の一部に金スズペーストをそのまま載置する、又は、突起部形成面４１の一部に部分メッキ法で金スズバンプを形成する、などが挙げられる。

【0022】

なお、突起部４０の材料は、一定の融点を持つものであれば何でもよく、例えば、はんだ材若しくはろう材などの金属、又はガラス材などとしてもよい。突起部４０の平面形状は、円形に限らず、例えば、楕円形、矩形又は多角形などとしてもよい。突起部４０の側面形状は、例えば、半円形、半楕円形又は矩形などとしてもよい。

【0023】

＜圧電素子載置工程Ｓ１２＞
まず、圧電素子２０について説明する。図３及び図４に示すように、圧電素子２０は、平面視した形状が矩形状であり、その一辺に引き出し電極２４，２５が設けられ、引き出し電極２４，２５が接合材５４，５５を介して電極用パッド３４，３５に片持ち梁状に固定される。電極用パッド３４，３５は、平面視した形状がそれぞれ矩形状である。ここでいう「矩形」には、正方形も含まれる。

【0024】

換言すると、圧電素子２０は、水晶振動素子であり、引き出し電極２４，２５、励振電極２６，２７及び水晶片２３を有する。水晶片２３は、例えば矩形状のＡＴカット板からなる。励振電極２６，２７は、それぞれ水晶片２３の両面に設けられ、かつ互いに絶縁されている。励振電極２６，２７の一部は、それぞれ水晶片２３の一方の主面から側面を跨いで他方の主面まで延び、引き出し電極２４，２５に接続されている。なお、圧電素子２０は、厚みすべり振動素子であるが、それに代えて音叉型屈曲振動素子又は輪郭すべり振動素子などを用いることもできる。圧電素子２０及び励振電極２６，２７の平面形状は、矩形に限らず、例えば円形、楕円形、多角形などとしてもよい。

【0025】

接合材５４，５５は、導電性接着剤であり、例えばシリコーン樹脂等のバインダの中に導電フィラとして導電性粉末を含有するもの（例えば銀ペーストなど）からなり、硬化前は流動性を有する。導電性粉末としては、アルミニウム、モリブデン、タングステン、白金、パラジウム、銀、チタン、ニッケル又はニッケル鉄のうちのいずれか一つ又はこれらの組み合わせを含むものが用いられる。また、バインダとしては、例えばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂又はビスマレイミド樹脂が用いられる。

【0026】

ここで、図３及び図４を中心に圧電素子載置工程Ｓ１２を説明する。まず、ディスペンサなどを用いて、接合材５４，５５としての導電性接着剤を、電極用パッド３４，３５上に一定量吐出する。すると、接合材５４，５５が表面張力によって丸くなり電極用パッド３４，３５に塗布される。続いて、圧電素子２０の基端２２側すなわち引き出し電極２４，２５を接合材５４，５５上に載置するとともに、圧電素子２０の先端２１側を突起部４０上に載置する。このとき、圧電素子２０は、接合材５４，５５の持つ濡れ性によって軽く固定されるとともに、突起部４０によって上面３１ａに対し所定角度（例えば水平）に保たれる。

【0027】

＜加熱工程Ｓ１３＞
突起部４０が金８０重量％かつスズ２０重量％の金スズ合金からなる場合、その融点Ｔ１は２８０℃である。一方、接合材５４，５５の熱硬化温度Ｔ２は２９５℃～３０５℃である。そこで、２９５℃～３０５℃の恒温槽内に、図４に示す状態の圧電デバイス１０を入れる。圧電デバイス１０が室温から２８０℃になるまでは、圧電素子２０の先端２１側は突起部４０上に載っているので所定角度に保たれる。圧電デバイス１０が２８０℃を越えると、図５に示すように、突起部４０が溶融して圧電素子２０から離れる。このとき、接合材５４，５５の硬化がある程度進んでいるので、圧電素子２０は突起部４０の支えが無くても所定角度に保たれる。圧電デバイス１０が２９５℃～３０５℃に達してから一定時間が経過すると、接合材５４，５５の硬化は完了する。図２［Ｃ］及び図４に示す突起部４０は、溶融すると金メッキ４４全体に広がって合金化し、図２［Ｄ］及び図５に示す扁平な金スズ合金層４５となる。図２［Ｄ］及び図５に示すように、加熱工程後のメタライズ層４３及び金スズ合金層４５部はメタライズ部４６を構成する。

【0028】

＜蓋体接合工程Ｓ１４＞
図６に示すように、蓋体６０は、例えばコバール（Kovar）などの金属からなる矩形の平板であり、基体３０の枠部３２の上端面に重ねられる。つまり、蓋体６０は、基体３０へ蓋体用接合材６１などにより接合され、気密封止された凹部空間１１を形成する。蓋体用接合材６１は、ガラス封止材、はんだ材、又は、ろう材などである。凹部空間１１は、本実施形態１では基体３０側に形成しているが、蓋体６０側に形成してもよい。

【0029】

次に、本実施形態１の製造方法によって得られた圧電デバイス１０について、図６を中心に説明する。

【0030】

以上の工程によって、圧電デバイス１０は、圧電素子２０が基体３０に搭載された状態で、基体３０と蓋体６０とが蓋体用接合材６１によって接合され、圧電素子２０が凹部空間１１内に気密封止された構造になる。すなわち、圧電デバイス１０は、セラミックスからなる基体３０と、先端２１を自由端とし基端２２を固定端とした状態で基体３０に搭載された圧電素子２０と、圧電素子２０に対向する基体３０上に位置するとともに、圧電素子２０側を金スズ合金層４５とするメタライズ部４６と、基体３０に接合することにより圧電素子２０を気密封止する蓋体６０と、を備えている。

【0031】

換言すると、圧電デバイス１０は、圧電素子２０、基体３０及び蓋体６０を備えた水晶振動子である。なお、圧電デバイス１０は、半導体ＩＣチップを付設した水晶発振器、電圧制御型水晶発振器（ＶＣＸＯ：Voltage Controlled Crystal Oscillator）、温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ：Temperature Compensated Crystal Oscillator）又は恒温槽付水晶発振器（ＯＣＸＯ：Oven Controlled Crystal Oscillator）などであってもよい。

【0032】

また、圧電デバイス１０は、次のように構成してもよい。図７［Ａ］に示すように、メタライズ部４６の周辺の基体３０上（すなわち基板部３１の上面３１ａ）に、凹部４７が位置する。図７［Ｂ］に示すように、メタライズ部４６の周辺の基体３０上（すなわち基板部３１の上面３１ａ）に、凸部４８が位置する。凹部４７及び凸部４８は、基体３０の製造工程においてグリーンシートで形成してもよいし、基体３０にレーザ加工などで形成してもよい。また、凹部４７及び凸部４８の両方が、基体３０上に位置するようにしてもよい。

【0033】

次に、本実施形態１の製造方法による作用及び効果について説明する。

【0034】

（１）本実施形態１によれば、圧電素子２０の基端２２側を固定する接合材５４，５５が加熱によって硬化する際に、圧電素子２０の先端２１側を支える突起部４０が溶融して圧電素子２０の先端２１側から離れる。そのため、突起部４０が溶融するまでは圧電素子２０の先端２１を突起部４０が支えているので、圧電素子２０の先端２１が傾いて基体３０に接触することを回避でき、かつ、最終的には圧電素子２０の先端２１側から突起部４０が離れるので、圧電素子２０の電気的特性を向上できる。また、特許文献２の技術と異なり、通常の動作時に温度上昇により突起部４０が復活することもないので、信頼性を向上できる。

【0035】

換言すると、圧電素子２０は安定した角度で基体３０に固定されることにより、圧電素子２０と基体３０又は蓋体６０との接触の可能性を低減できる。また、圧電素子２０の保持角度が安定することにより、圧電素子２０の励振電極２６，２７と蓋体６０又は基板部３１の配線パターンとの距離を一定にできるので、浮遊容量の変動を低減できる。

【0036】

（２）突起部４０の融点Ｔ１が接合材５４，５５の熱硬化温度Ｔ２以下（すなわちＴ１≦Ｔ２）の場合、その作用及び効果は次のとおりである。圧電デバイス１０が室温から融点Ｔ１になるまでは、図４に示すように、圧電素子２０の先端２１側を突起部４０が支えているので、圧電素子２０は所定角度に保たれる。圧電デバイス１０が融点Ｔ１を越えると、図５に示すように、突起部４０が溶融して圧電素子２０から離れる。このとき、接合材５４，５５の硬化がある程度進んでいるので、圧電素子２０は突起部４０の支えが無くても所定角度に保たれる。圧電デバイス１０が熱硬化温度Ｔ２に達してから一定時間が経過すると、接合材５４，５５の硬化は完了する。この場合、圧電素子２０が熱硬化温度Ｔ２以上に加熱されないことにより、圧電素子２０が不要な高温処理に曝されないので、圧電素子２０の電気的特性の劣化を抑制できる。

【0037】

（３）突起部４０が金スズ合金からなり、突起部形成面４１がメタライズ層４３及び金メッキ４４からなり（図２［Ｃ］）、突起部形成面４１の平面視した面積が突起部４０よりも大きい場合、その作用及び効果は次のとおりである。突起部４０の金スズ合金は、融点Ｔ１以上になって溶けると、突起部形成面４１の金メッキ４４全体に広がる。すると、突起部４０の高さが低くなるので、突起部４０が圧電素子２０から離れる。更に、突起部４０の金スズ合金は、金メッキ４４の金と合金化することにより、より金の多い金スズ合金層４５となる（図２［Ｄ］及び図５）。金スズ合金は金が多くなるほど融点が高くなるので、金スズ合金層４５は突起部４０よりも高い融点を持つ。よって、その後の工程での熱処理（例えば金スズ合金による蓋体６０の接合など）において、金スズ合金層４５が溶けて流れ出すことを抑制できる。

【0038】

（４）突起部４０を構成する金スズ合金が金８０重量％かつスズ２０重量％であり、接合材５４，５５の熱硬化温度Ｔ２が２９５℃～３０５℃であるとした場合、突起部４０の融点Ｔ１が２８０℃となることから、前述のＴ１≦Ｔ２の関係を実現できる。

【0039】

次に、本実施形態１の製造方法によって得られた圧電デバイス１０の作用及び効果について説明する。

【0040】

基板部３１の上面３１ａには電極用パッド３４，３５の他に突起部用パッド４２（加熱工程後はメタライズ部４６）が付加されているので、基板部３１ひいては基体３０の温度差による歪みを均等化できる。基板部３１の温度は、電極用パッド３４，３５の周辺がパッドのない部分よりも高くなる。電極用パッド３４，３５（金属）の熱伝導率が高いためである。そこで、パッドのない部分に突起部用パッド４２（金属）を設けることにより、パッドの有無による温度差を小さくできる。

【0041】

図７［Ａ］及び図７［Ｂ］に示すように、メタライズ部４６の周辺の基体３０上に凹部４７又は凸部４８を設けた場合は、金スズ合金層４５の広がりを凹部４７又は凸部４８で抑止できるので、短絡などの不良の発生を低減できる。

【0042】

次に、実施形態２の製造方法について、図１［Ｂ］に基づき説明する。

【0043】

本実施形態２の製造方法は、突起部４０の融点Ｔ１が接合材５４，５５の熱硬化温度Ｔ２よりも高い（すなわちＴ１＞Ｔ２）点だけが実施形態１と異なる。つまり、図１［Ｂ］の突起部形成工程Ｓ２１、圧電素子載置工程Ｓ２２及び蓋体接合工程Ｓ２４は、図１［Ａ］の突起部形成工程Ｓ１１、圧電素子載置工程Ｓ１２及び蓋体接合工程Ｓ１４と同じである。そして、図１［Ｂ］の加熱工程Ｓ２３が図１［Ａ］の加熱工程Ｓ１３と異なる。したがって、実施形態１の図面（図２乃至図６）をそのまま流用して、本実施形態２について説明する。

【0044】

図１［Ｂ］の加熱工程Ｓ２３において、圧電デバイス１０が室温から熱硬化温度Ｔ２に達してから一定時間が経過すると、接合材５４，５５の硬化は完了する。このとき、図４に示すように、圧電素子２０の先端２１側は突起部４０に支えられているので、圧電素子２０は所定角度に保たれる。続いて、圧電デバイス１０が熱硬化温度Ｔ２を越えて融点Ｔ１に達すると、図５に示すように、突起部４０が溶融して圧電素子２０から離れる。したがって、接合材５４，５５の硬化が完了するまで圧電素子２０の先端２１側を突起部４０が支えているので、圧電素子２０の先端２１が基体３０に接触することをより確実に回避できる。本実施形態２のその他の構成、作用及び効果は実施形態１のそれらと同様である。

【0045】

次に、実施形態３の製造方法について、図１［Ｃ］に基づき説明する。

【0046】

本実施形態３の製造方法は、蓋体接合工程Ｓ３４において、突起部４０と同じ組成の蓋体用接合材６１を介して基体３０に蓋体６０を加熱接合することにより、圧電素子２０を気密封止する点で、実施形態２と異なる。つまり、突起部４０の融点と蓋体用接合材６１の融点とは等しくＴ１である。そのため、図１［Ｃ］の突起部形成工程Ｓ３１及び圧電素子載置工程Ｓ３２は、図１［Ｂ］の突起部形成工程Ｓ２１及び圧電素子載置工程Ｓ２２と同じである。図１［Ｃ］の加熱工程Ｓ３３及び蓋体接合工程Ｓ３４が、図１［Ｂ］の加熱工程Ｓ２３及び蓋体接合工程Ｓ２４と異なる。したがって、本実施形態３についても、実施形態１の図面（図２乃至図６）をそのまま流用するとともに、新たに図８を加えて説明する。

【0047】

図１［Ｃ］の加熱工程Ｓ３３において、圧電デバイス１０が室温から熱硬化温度Ｔ２に達してから一定時間が経過すると、接合材５４，５５の硬化は完了する。このとき、図４に示すように、圧電素子２０の先端２１側を突起部４０が支えているので、圧電素子２０は所定角度に保たれる。加熱工程Ｓ３３はこれで終わり、続いて蓋体接合工程Ｓ３４に入る。蓋体接合工程Ｓ３４では、図８に示す状態の圧電デバイス１０が熱硬化温度Ｔ２を越える融点Ｔ１に達すると、図６に示すように、蓋体用接合材６１が溶融して基体３０に蓋体６０が接合されるとともに、突起部４０が溶融して圧電素子２０から離れる。したがって、突起部４０を溶融する工程を別に設けなくてもよいので、製造工程を簡略化できる。本実施形態３のその他の構成、作用及び効果は実施形態１、２のそれらと同様である。なお、突起部４０と蓋体用接合材６１とは、例えば同じ金スズ合金とすることができるが、同じ組成であればどのようなものでもよい。

【0048】

以上、上記各実施形態を参照して本開示を説明したが、本開示は上記各実施形態に限定されるものではない。本開示の構成や詳細については、当業者が理解し得るさまざまな変更を加えることができる。また、本開示には、上記各実施形態の構成の一部又は全部を相互に適宜組み合わせたものも含まれる。

【符号の説明】

【0049】

１０ 圧電デバイス
１１ 凹部空間
１２ 外部端子
２０ 圧電素子
２１ 先端
２２ 基端
２３ 水晶片
２４，２５ 引き出し電極
２６，２７ 励振電極
３０ 基体
３１ 基板部
３１ａ 上面
３１ｂ 下面
３２ 枠部
３４，３５ 電極用パッド
４０ 突起部
４１ 突起部形成面
４２ 突起部用パッド
４３ メタライズ層
４４ 金メッキ
４５ 金スズ合金層
４６ メタライズ部
４７ 凹部
４８ 凸部
５４，５５ 接合材
６０ 蓋体
６１ 蓋体用接合材
Ｔ１ 融点
Ｔ２ 熱硬化温度
Ｓ１１，Ｓ２１，Ｓ３１ 突起部形成工程
Ｓ１２，Ｓ２２，Ｓ３２ 圧電素子載置工程
Ｓ１３，Ｓ２３，Ｓ３３ 加熱工程
Ｓ１４，Ｓ２４，Ｓ３４ 蓋体接合工程

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】