(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022094930
(43)【公開日】2022-06-27
(54)【発明の名称】表示パネル
(51)【国際特許分類】
H01L 51/50 20060101AFI20220620BHJP
H01L 27/32 20060101ALI20220620BHJP
H05B 33/12 20060101ALI20220620BHJP
H05B 33/22 20060101ALI20220620BHJP
H05B 33/02 20060101ALI20220620BHJP
C09K 11/06 20060101ALI20220620BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20220620BHJP
【ＦＩ】
H05B33/14 B
H01L27/32
H05B33/12 E
H05B33/12 B
H05B33/12 C
H05B33/22 Z
H05B33/22 A
H05B33/02
C09K11/06 650
C09K11/06 603
G09F9/30 365
【審査請求】未請求
【請求項の数】15
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021190304
(22)【出願日】2021-11-24
(31)【優先権主張番号】10-2020-0175784
(32)【優先日】2020-12-15
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】512187343
【氏名又は名称】三星ディスプレイ株式會社
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】１， Ｓａｍｓｕｎｇ－ｒｏ， Ｇｉｈｅｕｎｇ－ｇｕ， Ｙｏｎｇｉｎ－ｓｉ， Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ， Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ
(74)【代理人】
【識別番号】110002619
【氏名又は名称】特許業務法人ＰＯＲＴ
(72)【発明者】
【氏名】キム ヒョンピル
(72)【発明者】
【氏名】スン ビョンフン
【テーマコード（参考）】
3K107
5C094
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107CC04
3K107CC21
3K107DD52
3K107DD53
3K107DD54
3K107DD58
3K107DD59
3K107DD69
3K107DD75
3K107DD89
3K107EE22
3K107EE24
3K107EE28
5C094BA03
5C094BA27
5C094CA19
5C094DA13
5C094FB01
5C094HA05
5C094HA07
5C094HA08
(57)【要約】 （修正有）
【課題】効率及び寿命が改善された発光素子を含む表示パネル提供する。
【解決手段】表示パネルは、第１光を発光する第１画素領域と、第１光とは異なる第２光を発光する第２画素領域と、第１光及び第２光とは異なる第３光を発光する第３画素領域と、を含む上部表示基板と、第１画素領域に重畳する第１発光素子と、第２画素領域に重畳する第２発光素子と、第３画素領域に重畳する第３発光素子と、を含む下部表示基板と、を含み、第１発光素子及び第２発光素子はそれぞれ第２光を放出する第１発光層を含む第１スタック部及び第１電荷生成層を一つ以上含み、第３発光素子は、第３光を放出する第２発光層を含む第２スタック部及び第２電荷生成層を一つ以上含み、第１電荷生成層は有機ドーパントを含み、第２電荷生成層は無機ドーパントを含む。
【選択図】図４
【解決手段】表示パネルは、第１光を発光する第１画素領域と、第１光とは異なる第２光を発光する第２画素領域と、第１光及び第２光とは異なる第３光を発光する第３画素領域と、を含む上部表示基板と、第１画素領域に重畳する第１発光素子と、第２画素領域に重畳する第２発光素子と、第３画素領域に重畳する第３発光素子と、を含む下部表示基板と、を含み、第１発光素子及び第２発光素子はそれぞれ第２光を放出する第１発光層を含む第１スタック部及び第１電荷生成層を一つ以上含み、第３発光素子は、第３光を放出する第２発光層を含む第２スタック部及び第２電荷生成層を一つ以上含み、第１電荷生成層は有機ドーパントを含み、第２電荷生成層は無機ドーパントを含む。
【選択図】図４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１光を発光する第１画素領域と、前記第１光とは異なる第２光を発光する第２画素領域と、前記第１光及び前記第２光とは異なる第３光を発光する第３画素領域と、を含む上部表示基板と、
前記第１画素領域に重畳する第１発光素子と、前記第２画素領域に重畳する第２発光素子と、前記第３画素領域にする第３発光素子と、を含む下部表示基板と、を含み、
前記第１発光素子及び前記第２発光素子は、それぞれ前記第２光を放出する第１発光層を含む第１スタック部及び第１電荷生成層を一つ以上含み、
前記第３発光素子は、前記第３光を放出する第２発光層を含む第２スタック部及び第２電荷生成層を一つ以上含み、
前記第１電荷生成層は有機ドーパントを含み、
前記第２電荷生成層は無機ドーパントを含む表示パネル。
前記第１画素領域に重畳する第１発光素子と、前記第２画素領域に重畳する第２発光素子と、前記第３画素領域にする第３発光素子と、を含む下部表示基板と、を含み、
前記第１発光素子及び前記第２発光素子は、それぞれ前記第２光を放出する第１発光層を含む第１スタック部及び第１電荷生成層を一つ以上含み、
前記第３発光素子は、前記第３光を放出する第２発光層を含む第２スタック部及び第２電荷生成層を一つ以上含み、
前記第１電荷生成層は有機ドーパントを含み、
前記第２電荷生成層は無機ドーパントを含む表示パネル。
【請求項2】
前記第１電荷生成層は、ｐ型の第１電荷生成層及びｎ型の第１電荷生成層を含み、
前記第２電荷生成層は、ｐ型の第２電荷生成層及びｎ型の第２電荷生成層を含み、
前記ｐ型の第１電荷生成層は、前記有機ドーパントを含み、
前記ｐ型の第２電荷生成層は、前記無機ドーパントを含む請求項１に記載の表示パネル。
前記第２電荷生成層は、ｐ型の第２電荷生成層及びｎ型の第２電荷生成層を含み、
前記ｐ型の第１電荷生成層は、前記有機ドーパントを含み、
前記ｐ型の第２電荷生成層は、前記無機ドーパントを含む請求項１に記載の表示パネル。
【請求項3】
前記有機ドーパントは、４－［［２，３－ビス［シアノ－（４－シアノ－２，３，５，６－テトラフルオロフェニル）メチリデン］シクロピロピリデン］－シアノメチル］－２，３，５，６－テトラフルオロベンゾニトリル（ＮＤＰ９）、１，４，５，８，９，１１－ヘキサアザトリフェニレン－ヘキサカルボニトリル（ＨＡＴ－ＣＮ）、２，３，５，６－テトラフルオロ－７，７，８，８－テトラシアノキノジメタン（ＦＡ－ＴＣＮＱ）、テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）のうち少なくとも一つを含む請求項１に記載の表示パネル。
【請求項4】
前記無機ドーパントは、ポスト遷移金属、準金属、ポスト遷移金属と準金属との化合物、及び遷移金属とハロゲンとの化合物のうち少なくとも一つを含む請求項１に記載の表示パネル。
【請求項5】
前記第１スタック部は、前記第１発光層の下に配置される第１正孔輸送領域及び前記第１発光層の上に配置される第１電子輸送領域を更に含み、
前記第２スタック部は、前記第２発光層の下に配置される第２正孔輸送領域及び前記第２発光層の上に配置される第２電子輸送領域を更に含む請求項１に記載の表示パネル。
前記第２スタック部は、前記第２発光層の下に配置される第２正孔輸送領域及び前記第２発光層の上に配置される第２電子輸送領域を更に含む請求項１に記載の表示パネル。
【請求項6】
前記下部表示基板は、前記第２発光素子と前記第３発光素子との間に配置されるバンクを更に含み、
前記第１発光素子と前記第２発光素子との間には前記バンクが配置されない請求項１に記載の表示パネル。
前記第１発光素子と前記第２発光素子との間には前記バンクが配置されない請求項１に記載の表示パネル。
【請求項7】
前記上部表示基板は、前記第１領域乃至前記第３画素領域に隣接する非画素領域を更に含み、
前記下部表示基板は、前記非画素領域に重畳する画素定義膜を更に含み、
前記バンクは、前記画素定義膜に重畳する請求項６に記載の表示パネル。
前記下部表示基板は、前記非画素領域に重畳する画素定義膜を更に含み、
前記バンクは、前記画素定義膜に重畳する請求項６に記載の表示パネル。
【請求項8】
前記第１発光素子の第１スタック部及び前記第２発光素子の第１スタック部は、一体の形状を有する請求項１に記載の表示パネル。
【請求項9】
前記第１発光素子及び前記第２発光素子は、それぞれ一つ以上の前記第２スタック部及び前記第２電荷生成層を更に含む請求項１に記載の表示パネル。
【請求項10】
前記上部表示基板は、
前記第１画素領域に重畳し、第１量子ドットを含む第１光制御部と、
前記第２画素領域に重畳し、前記第２光を透過させる第２光制御部と、
前記第３画素領域に重畳し、前記第３光を透過させる第３光制御部と、を含み、
前記第１量子ドットは、前記第２光を前記第１光に変換させる請求項１に記載の表示パネル。
前記第１画素領域に重畳し、第１量子ドットを含む第１光制御部と、
前記第２画素領域に重畳し、前記第２光を透過させる第２光制御部と、
前記第３画素領域に重畳し、前記第３光を透過させる第３光制御部と、を含み、
前記第１量子ドットは、前記第２光を前記第１光に変換させる請求項１に記載の表示パネル。
【請求項11】
前記上部表示基板は、
前記第１画素領域に重畳し、第１量子ドットを含む第１光制御部と、
前記第２画素領域に重畳し、第２量子ドットを含む第２光制御部と、
前記第３画素領域に重畳し、前記第３光を透過させる第３光制御部と、を含み、
前記第１量子ドットは、前記第２光または第３光を前記第１光に変換させ、
前記第２量子ドットは、前記第３光を前記第２光に変換させる請求項９に記載の表示パネル。
前記第１画素領域に重畳し、第１量子ドットを含む第１光制御部と、
前記第２画素領域に重畳し、第２量子ドットを含む第２光制御部と、
前記第３画素領域に重畳し、前記第３光を透過させる第３光制御部と、を含み、
前記第１量子ドットは、前記第２光または第３光を前記第１光に変換させ、
前記第２量子ドットは、前記第３光を前記第２光に変換させる請求項９に記載の表示パネル。
【請求項12】
前記第１発光素子の第２スタック部及び前記第２発光素子の第２スタック部は、前記第３発光素子の第２スタック部のうち少なくとも一つと一体の形状を有する請求項９に記載の表示パネル。
【請求項13】
前記第３発光素子は前記第１スタック部を含まない請求項１に記載の表示パネル。
【請求項14】
前記第１発光素子と前記第２発光素子とは互いに同じ構造を有する請求項１に記載の表示パネル。
【請求項15】
前記第１光は赤色光で、前記第２光は緑色光で、前記第３光は青色光である請求項１に記載の表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は表示パネルに関し、より詳しくは、寿命及び発光効率が向上された発光素子を含む表示パネルに関する。
【背景技術】
【0002】
テレビジョン、携帯電話、タブレットコンピュータ、ナビゲーション、ゲーム機などのようなマルチメディア装置に使用される多様な表示装置が開発されている。このような表示装置は、発光材料を発光させて表示を実現する、いわゆる自発光型の表示装置を利用する。
【0003】
詳しくは、発光素子は第１電極及び第２電極から注入された正孔及び電子を発光層で再結合させることで励起子を生成し、生成された励起子を底状態に落として光を発生させる。
【0004】
タンデム（ｔａｎｄｅｍ）有機発光素子は、アノード電極とカソード電極との間に正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層のスタック（ｓｔａｃｋ）が２つ以上の複数個からなる構造であり、各スタックの間に電荷の生成及び移動を助ける電荷生成層（Ｃｈａｒｇｅ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）が存在する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】韓国公開特許第１０－２０２０－００１４０４５号公報
【特許文献2】米国特許出願公開第２０１６／０２５４３２３号明細書
【特許文献3】韓国公開特許第１０－２０１６－００６１７１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本発明は、効率及び寿命が改善された発光素子を含む表示パネル提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
一実施例において、第１光を発光する第１画素領域と、前記第１光とは異なる第２光を発光する第２画素領域と、前記第１光及び前記第２光とは異なる第３光を発光する第３画素領域と、を含む上部表示基板と、前記第１画素領域に重畳する第１発光素子と、前記第２画素領域に重畳する第２発光素子と、前記第３画素領域に重畳する第３発光素子と、を含む下部表示基板と、を含み、前記第１発光素子及び前記第２発光素子はそれぞれ前記第２光を放出する第１発光層を含む第１スタック部及び第１電荷生成層を一つ以上含み、前記第３発光素子は、前記第３光を放出する第２発光層を含む第２スタック部及び第２電荷生成層を一つ以上含み、前記第１電荷生成層は有機ドーパントを含み、前記第２電荷生成層は無機ドーパントを含む表示パネルを提供する。
【0008】
前記第１電荷生成層はｐ型の第１電荷生成層及びｎ型の第１電荷生成層を含み、前記第２電荷生成層はｐ型の第２電荷生成層及びｎ型の第２電荷生成層を含み、前記ｐ型の第１電荷生成層は前記有機ドーパントを含み、前記ｐ型の第２電荷生成層は前記無機ドーパントを含む。
【0009】
前記有機ドーパントは、４－［［２，３－ビス［シアノ－（４－シアノ－２，３，５，６－テトラフルオロフェニル）メチリデン］シクロピロピリデン］－シアノメチル］－２，３，５，６－テトラフルオロベンゾニトリル（ＮＤＰ９）、１，４，５，８，９，１１－ヘキサアザトリフェニレン－ヘキサカルボニトリル（ＨＡＴ－ＣＮ）、２，３，５，６－テトラフルオロ－７，７，８，８－テトラシアノキノジメタン（ＦＡ－ＴＣＮＱ）、テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）のうち少なくとも一つを含む。
【0010】
前記無機ドーパントは、ポスト遷移金属、準金属、ポスト遷移金属と準金属との化合物、及び遷移金属とハロゲンとの化合物のうち少なくとも一つを含む。
【0011】
前記第１スタック部は前記第１発光層の下に配置される第１正孔輸送領域及び前記第１発光層の上に配置される第１電子輸送領域を更に含み、前記第２スタック部は前記第２発光層の下に配置される第２正孔輸送領域及び前記第２発光層の上に配置される第２電子輸送領域を更に含む。
【0012】
前記下部表示基板は前記第２発光素子と前記第３発光素子との間に配置されるバンクを更に含み、前記第１発光素子と前記第２発光素子との間には前記バンクが配置されない。
【0013】
前記上部表示基板は、前記第１領域乃至前記第３画素領域に隣接する非画素領域を更に含み、前記下部表示基板は前記非画素領域に重畳する画素定義膜を更に含み、前記バンクは前記画素定義膜に重畳する。
【0014】
前記第１発光素子の第１スタック部及び前記第２発光素子の第１スタック部は一体の形状を有する。
【0015】
前記第１発光素子及び前記第２発光素子は、それぞれ一つ以上の前記第２スタック部及び前記第２電荷生成層を更に含む。
【0016】
前記上部表示基板は、前記第１画素領域に重畳し、第１量子ドットを含む第１光制御部と、前記第２画素領域に重畳し、前記第２光を透過させる第２光制御部と、前記第３画素領域に重畳し、前記第３光を透過させる第３光制御部と、を含み、前記第１量子ドットは前記第２光を前記第１光に変換させる。
【0017】
前記上部表示基板は、前記第１画素領域に重畳し、第１量子ドットを含む第１光制御部と、前記第２画素領域に重畳し、第２量子ドットを含む第２光制御部と、前記第３画素領域に重畳し、前記第３光を透過させる第３光制御部と、を含み、前記第１量子ドットは前記第２光または第３光を前記第１光に変換させ、前記第２量子ドットは前記第３光を前記第２光に変換させる。
【0018】
前記第１発光素子の第２スタック部及び前記第２発光素子の第２スタック部は、前記第３発光素子の第２スタック部のうち少なくとも一つと一体の形状を有する。
【0019】
前記第３発光素子は前記第１スタック部を含まない。
【0020】
前記第１発光素子と前記第２発光素子とは互いに同じ構造を有する。
【0021】
前記第１光は赤色光で、前記第２光は緑色光で、前記第３光は青色光である。
【0022】
一実施例において、第１方向から隣り合って配置される第１画素領域、第２画素領域、及び第３画素領域を含む上部表示基板と、前記第１画素領域に重畳する第１発光素子、前記第２画素領域に重畳する第２発光素子、前記第３画素領域に重畳する第３発光素子、及び前記第２発光素子と前記第３発光素子との間に配置されるバンクを含む下部表示基板と、を含み、前記第１発光素子及び前記第２発光素子は、それぞれ第２光を放出する第１発光層を含む第１スタック部を一つ以上含み、前記第３発光素子は、前記第２光とは異なる第３光を放出する第２発光層を含む第２スタック部を２つ以上含み、前記第１スタック部を含まない表示パネルを提供する。
【0023】
前記下部表示基板は、前記第１発光層の下に配置されるｐ型の第１電荷生成層、及び前記第２発光層の下に配置されるｐ型の第２電荷生成層を更に含み、前記ｐ型の第１電荷生成層は有機ドーパントを含み、前記ｐ型の第２電荷生成層は無機ドーパントを含む。
【0024】
前記下部表示基板は、前記第１発光層上に配置されるｎ型の第１電荷生成層、及び前記第２発光層の上に配置されるｎ型の第２電荷生成層を更に含む。
【0025】
第１発光素子乃至第３発光素子のそれぞれは、前記第１方向と直交する第２方向に順次積層される第１スタック乃至第３スタックをそれぞれ含み、前記第１発光素子及び前記第２発光素子の第１スタック乃至第３スタックは、それぞれ一体の形状を有する第１スタック部を含み、前記第３発光素子の第１スタック乃至第３スタックは、それぞれ第２スタック部を含む。
【0026】
第１発光素子乃至第３発光素子のそれぞれは、前記第１方向と直交する第２方向に順次積層される第１スタック乃至第３スタックをそれぞれ含み、前記第１発光素子及び前記第２発光素子の第１スタック乃至第３スタックのうち少なくともいずれか一つの層に第２スタック部を含み、残りの層に第１スタック部を含み、前記第３発光素子の第１スタック乃至第３スタックは、それぞれ第２スタック部を含む。
【発明の効果】
【0027】
本発明の一実施例による表示装置は、発光効率及び寿命が改善される。
【図面の簡単な説明】
【0028】
【図1】本発明の一実施例による表示パネルの斜視図である。
【図2】本発明の一実施例による表示パネルの断面図である。
【図3】本発明の一実施例による表示パネルの表示領域の平面図である。
【図4】一実施例による表示パネルの断面図である。
【図5】一実施例による発光素子の断面図である。
【図6】一実施例による発光素子の断面図である。
【図7】一実施例による表示パネルの断面図である。
【図8】一実施例による発光素子の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0029】
本発明は、多様な変更を加えることができ、多様な形態を有することができるゆえ、特定の実施例を図面に例示し、本文に詳細に説明する。しかし、これは本発明を特定な開示形態に限定しようとするものではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれる全ての変更、均等物または代替物を含むと理解すべきである。
【0030】
各図面を説明しながら、類似した参照符号が類似した構成要素に対して使用されている。添付した図面において、構造物の寸法は本発明の明確性のために実際より拡大して示されている。第１、第２などの用語は多様な構成要素を説明するのに使用されるが、前記構成要素は前記用語に限らない。前記用語は一つの構造要素を他の構成要素から区別する目的にのみ使用される。例えば、本発明の権利範囲を逸脱しない範囲で第１構成要素は第２構成要素と命名されてもよく、類似して第２構成要素も第１構成要素と命名されてもよい。単数の表現は、文脈上明白に異なるように意味しない限り、複数の表現を含む。
【0031】
「及び／または」は、関連する構成が定義する一つ以上の組み合わせを全て含む。
【0032】
異なるように定義されない限り、本明細書で使用された全ての用語（技術的及び科学的用語を含む）は、本発明の属する技術分野の当業者によって一般的に理解される意味と同じ意味を有する。また、一般的に使用される辞書に定義されている用語は、関連技術の脈絡における意味と同じ意味を有すると解釈すべきであり、明示的に定義されない限り、理想的な、または過度に形式的な意味に解釈されない。
【0033】
本出願において、「含む」または「有する」などの用語は明細書の上に記載された特徴、数字、ステップ、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものが存在することを指定するものであって、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、ステップ、動作、構成要素、部分品またはこれらを組み合わせたものの存在または付加可能性を予め排除しないと理解すべきである。
【0034】
本出願において、層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上に」または「上部に」あるとする場合、これは他の部分の「直上」にある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。逆に、層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「下に」または「下部に」にあるとする場合、これは他の部分の「直下」にある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。また、本出願において、「上に」配置されるとは、上部だけでなく下部に配置される場合も含む。
【0035】
一方、本出願において、「直接接する」とは、層、膜、領域、板などの部分と他の部分の間に追加される層、膜、領域、板などがないことを意味する可能性がある。例えば、「直接接する」とは、２つの層または２つの部材の間に接着部材などの追加の部材を使用せずに配置することを意味する可能性がある。
【0036】
以下、図面を参照して、本発明の一実施例による表示パネルについて説明する。
【0037】
【0038】
図１及び図２を参照すると、表示パネルＤＰは、下部表示基板１００と、下部表示基板１００と向かい合って離隔されている上部表示基板２００と、を含む。下部表示基板１００と上部表示基板２００との間には充填層ＢＦＬが充填される。図示していないが、一実施例による表示パネルＤＰでは充填層ＢＦＬが省略されて、下部表示基板１００と上部表示基板２００との間には所定のセルギャップが設けられてもよい。
【0039】
別途図示していないが、表示パネルＤＰはシャシー部材またはモールディング部材を更に含んでもよく、表示パネルＤＰの種類によってバックライトユニットを更に含んでもよい。
【0040】
一実施例による表示パネルＤＰは、非表示領域ＮＤＡにおいて下部表示基板１００と上部表示基板２００とを結合するシーラントＳＬＭを含む。シーラントＳＬＭは有機接着部材または無機接着部材を含む。シーラントＳＬＭはフリットを含む。但し、これに限らず、シーラントＳＬＭは省略されてもよい。
【0041】
表示パネル１００は、表示面ＤＰ－ＩＳを介してイメージを表示する。表示面ＤＰ－ＩＳは、第１方向軸ＤＲ１及び第２方向軸ＤＲ２が定義する面と平行する。表示面ＤＰ－ＩＳは表示領域ＤＡと非表示領域ＮＤＡを含む。表示領域ＤＡには画素ＰＸが配置される。非表示領域ＮＤＡは表示面ＤＰ－ＩＳの縁に沿って定義される。表示領域ＤＡは非表示領域ＮＤＡによって囲まれる。
【0042】
表示面ＤＰ－ＩＳの法線方向、つまり、表示パネルＤＰの厚さ方向は第３方向ＤＲ３である。以下で説明する各層またはユニットの前面（または上面）と背面（または下面）は、第３方向ＤＲ３によって区分される。しかし、本実施例において、図示した第１乃至第３方向ＤＲ１、ＤＲ２、ＤＲ３は例示に過ぎない。
【0043】
本発明の一実施例において、平面型表示面ＤＰ－ＩＳを備える表示パネルＤＰを示したが、これに限らない。表示パネルＤＰは曲面型表示面または立体型表示面を含んでもよい。立体型表示面は互いに異なる方向を指示する複数個の表示領域を含んでもよい。
【0044】
表示パネルＤＰ、液晶表示パネル（ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ）、電気泳動表示パネル（ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｒｅｔｉｃ ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ）、ＭＥＭＳ表示パネル（ｍｉｃｒｏ ｅｌｅｃｔｒｏ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｓｙｓｔｅｍ ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ）、電気湿潤表示パネル（ｅｌｅｃｔｒｏｗｅｔｔｉｎｇ ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ）、有機発光表示パネル（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ）、マイクロＬＥＤ表示パネル（ｍｉｃｒｏ ＬＥＤ ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ）、量子ドット表示パネル（Ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔ ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ）、量子ロッド表示パネル（Ｑｕａｎｔｕｍ ｒｏｄ ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ）のうちいずれか一つであってもよく、特に限らない。
【0045】
【0046】
図３を参照すると、表示パネルＤＰの表示領域ＤＡは非画素領域ＮＰＸＡ及び画素領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂを含む。画素領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂが順次交互に配列される縞状構造を有する形態を例示的に示したが、画素領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂの配列構造はこれに限らず、多様な配列形態を有してもよい。一実施例において、画素領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂはダイヤモンド配列構造、またはペンタイル配列構造を有してもよい。
【0047】
画素領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂは互いに離隔されて配置される第１画素領域ＰＸＡ－Ｒと、第２画素領域ＰＸＡ－Ｇと、第３画素領域ＰＸＡ－Ｂと、を含む。図３では、平面上矩形の第１乃至第３画素領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂを示したが、これに限らない。平面上において、第１乃至第３画素領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂは他の多角形状を有してもよく、角領域が丸い正多角形を有してもよい。
【0048】
第１乃至第３画素領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂの周辺には非表示領域ＮＰＸＡが配置される。非画素領域ＮＰＸＡは第１乃至第３画素領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂの境界を設定し、第１乃至第３画素領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂの間の混色を防止する。また、非画素領域ＮＰＸＡは光源がユーザに視認されないように光源を遮断する。
【0049】
図４を参照すると、表示パネルＤＰの下部表示基板１００は、ベース層ＢＳと、ベース層ＢＳの上に提供される回路層ＤＰ－ＣＬと、表示素子層ＤＰ－ＥＤと、を含む。表示素子層ＤＰ－ＥＤは、画素定義膜ＰＤＬと、画素定義膜ＰＤＬに設けられる開口部ＯＨに重畳して配置される発光素子ＥＤ１、ＥＤ２、ＥＤ３とを含む。
【0050】
画素定義膜ＰＤＬは、画素領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂを区分する。非画素領域ＮＰＸＡは隣り合う画素領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂの間の領域であって、画素定義膜ＰＤＬと対応する領域である。
【0051】
発光素子ＥＤ１、ＥＤ２、ＥＤ３は画素領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂに重畳して配置される。画素領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂのそれぞれは、発光素子ＥＤ１、ＥＤ２、ＥＤ３から生成された光がそれぞれ放出される領域である。
【0052】
例えば、表示パネルＤＰは互いに離隔されて配置される第１画素領域ＰＸＡ－Ｒ、第２画素領域ＰＸＡ－Ｇ、及び第３画素領域ＰＸＡ－Ｂを含み、第１画素領域ＰＸＡ－Ｒに重畳する第１発光素子ＥＤ１、第２画素領域ＰＸＡ－Ｇに重畳する第２発光素子ＥＤ２、及び第３画素領域ＰＸＡ－Ｒに重畳する第３発光素子ＥＤ３を含んでもよい。
【0053】
一実施例において、第１画素領域ＰＸＡ－Ｒは赤色光の画素領域である。赤色光は６２５ｎｍ以上６７５ｎｍ以下の波長領域の光に該当する。第２画素領域ＰＸＡ－Ｇは緑色光の画素領域である。緑色光は５００ｎｍ以上５７０ｎｍ以下の波長領域の光に該当する。第３画素領域ＰＸＡ－Ｂは青色光の画素領域である。青色光は４１０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の波長を有する光に該当する。
【0054】
一実施例の表示装置ＤＤにおいて、第１発光素子ＥＤ１と第２発光素子ＥＤ２は同じ波長領域の光を放出し、第３発光素子ＥＤ３は第１発光素子ＥＤ１及び第２発光素子ＥＤ２とは異なる波長領域の光を放出する。例えば、第１発光素子ＥＤ１及び第２発光素子ＥＤ２は緑色光を放出し、第３発光素子ＥＤ３は青色光を放出してもよい。但し、これに限らず、第１発光素子ＥＤ１及び第２発光素子ＥＤ２は緑色光及び青色光を放出してもよい。
【0055】
図３及び図４では、画素領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂの面積がいずれも類似しているように示したが、実施例はこれにかぎらず、画素領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂの面積は放出する光の波長領域によって互いに異なり得る。一方、画素領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂの面積は、第１方向ＤＲ１と第２方向ＤＲ２が定義する平面上から見た際の面積を意味する。
【0056】
ベース層ＢＳは、表示素子層ＥＰ－ＥＤが配置されるベース面を提供する部材である。ベース層ＢＳは、ガラス基板、金属基板、プラスチック基板などである。しかし、実施例はこれに限らず、ベース層ＢＳは無機層、有機層、または複合材料層であってもよい。
【0057】
一実施例において、回路層ＤＰ－ＣＬはベース層ＢＳの上に配置されるが、回路層ＤＰ－ＣＬは複数のトランジスタ（図示せず）を含む。トランジスタ（図示せず）は、それぞれ制御電極、入力電極、及び出力電極を含む。例えば、回路層ＤＰ－ＣＬは第１乃至第３発光素子ＥＤ１、ＥＤ２、ＥＤ３を駆動するためのスイッチングトランジスタ及び駆動トランジスタを含んでもよい。
【0058】
回路層ＤＰ－ＣＬの上には画素定義膜ＰＤＬが配置される。画素定義膜ＰＤＬは、高分子樹脂からなる。例えば、画素定義膜ＰＤＬは、ポリアクリレート系樹脂、またはポリイミド系樹脂を含んで形成されてもよい。また、画素定義膜ＰＤＬは、高分子樹脂以外に無機物を更に含んで形成されてもよい。また、画素定義膜ＰＤＬは、光吸収物質を含んで形成されるか、ブラック顔料またはブラック染料を含んで形成されてもよい。ブラック顔料またはブラック染料を含んで形成された画素定義膜ＰＤＬは、ブラック画素定義膜を具現する。画素定義膜ＰＤＬを形成する際、ブラック顔料またはブラック染料としてはカーボンブラックなどを使用してもよいが、実施例はこれに限らない。
【0059】
また、画素定義膜ＰＤＬは無機物からなる。例えば、画素定義膜ＰＤＬは、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、窒酸化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）などを含んで形成されてもよい。
【0060】
画素定義膜ＰＤＬによって第１乃至第３発光素子ＥＤ１、ＥＤ２、ＥＤ３が区分される。
【0061】
第１乃至第３発光素子ＥＤ１、ＥＤ２、ＥＤ３のそれぞれは互いに向かい合う第１電極ＥＬ１と第２電極ＥＬ２、及び第１電極ＥＬ１と第２電極ＥＬ２との間に第３方向ＤＲ３に積層される複数のスタック層ＳＦ１、ＳＦ２、ＳＦ３を含む。複数のスタック層ＳＦ１、ＳＦ２、ＳＦ３のそれぞれは、正孔輸送領域ＨＴＲ（図５）と、発光層ＥＭＬ（図５）と、電子輸送領域ＥＴＲ（図５）と、を含む。つまり、一実施例の表示パネルＤＰに含まれる発光素子は複数の発光層を含むタンデム構造の発光素子である。一方、図４において、第１乃至第３発光素子ＥＤ１、ＥＤ２、ＥＤ３のそれぞれが第１層スタックＳＦ１、第２層スタックＳＦ２、及び第３層スタックＳＦ３を含む構成を示したが、これに限らない。
【0062】
一実施例において、第１発光素子ＥＤ１及び第２発光素子ＥＤ２に含まれる複数のスタック層ＳＦ１、ＳＦ２、ＳＦ３は互いに同じ構造及び材料を有する。一方、第３発光素子ＥＤ３は第１発光素子ＥＤ１及び第２発光素子ＥＤ２に含まれる複数のスタック層ＳＦ１、ＳＦ２、ＳＦ３に比べ構造及び／または材料が異なるスタック層ＳＦ１、ＳＦ２、ＳＦ３を一つ以上含む。それについては図６及び図８を参照してより詳細に後述する。
【0063】
第３発光素子ＥＤ３との境界にはバンクＢＫが配置される。例えば、第１発光素子ＥＤ１と第３発光素子ＥＤ３との間にはバンクＢＫが配置されてもよい。第２発光素子ＥＤ２と第３発光素子ＥＤ３との間にはバンクＢＫが配置されてもよい。バンクＢＫによって、第３発光素子ＥＤ３は第１発光素子ＥＤ１及び第２発光素子ＥＤ２と区分されるスタック層ＳＦ１、ＳＦ２、ＳＦ３を含む。
【0064】
一実施例において、バンクＢＫは画素定義膜ＰＤＬの上に配置され、画素定義膜ＰＤＬに重畳する。バンクＢＫは画素定義膜ＰＤＬと同じ物質を含むか、または異なる物質を含む。例えば、バンクＢＫは撥液性物質を含んでもよい。バンクＢＫは画素定義膜ＰＤＬとは区別される層であるか、または画素定義膜ＰＤＬと一体の形状を有する。
【0065】
第１乃至第３発光素子ＥＤ１、ＥＤ２、ＥＤ３の上には封止層ＴＦＥが配置される。封止層ＴＦＥは第１乃至第３発光素子ＥＤ１、ＥＤ２、ＥＤ３をカバーする。封止層ＴＦＥは、表示素子層ＤＰ－ＥＤを密封する。封止層ＴＦＥは薄膜封止層である。封止層ＴＦＥは一層または複数の層が積層されている。封止層ＴＦＥは少なくとも一つの絶縁層を含む。一実施例による封止層ＴＦＥは、少なくとも一つの無機膜（以下、封止無機膜）を含む。また、一実施例による封止層ＴＦＥは、少なくとも一つの有機膜（以下、封止有機膜）、及び少なくとも一つの封止無機膜を含む。
【0066】
封止無機膜は水分／酸素から表示素子層ＤＰ－ＥＤを保護し、封止有機膜はほこり粒子のような異物から表示素子層ＤＰ－ＥＤを保護する。封止無機膜は、シリコンナイトライド、シリコンオキシナイトライド、シリコンオキサイド、チタンオキサイド、またはアルミニウムオキサイドなどを含んでもよいが、特にこれに限らない。封止有機膜はアクリル系化合物、エポキシ系化合物などを含む。封止有機膜は光重合可能な有機物質を含むが、特にこれに限らない。
【0067】
封止層ＴＦＥの上には第１充填層ＢＦＬ１が配置される。第１充填層ＢＦＬ１は、下部表示基板１００と上部表示基板２００との間に配置されて、上部表示基板２００に含まれる光制御層ＣＣＬなどの構成が下部表示基板１００の封止層ＴＦＥと接触することを防止し、表示パネルＤＰの光抽出効果を向上させる。第１充填層ＢＦＬ１は封止層ＴＦＥの上面をカバーする。
【0068】
図４では下部表示基板１００と上部表示基板２００との間に第１充填層ＢＦＬ１が充填されている構成を例示したが、これに限らず、本発明の一実施例による表示パネルＤＰにおいて第１充填層ＢＦＬ１は省略されてもよい。この場合、下部表示基板１００と上部表示基板２００との間には所定のセルギャップが設けられてもよい。
【0069】
表示パネルＤＰの上部表示基板２００は、ベース基板ＢＬと、カラーフィルタ層ＣＦＬと、光制御層ＣＣＬと、を含む。上部表示基板２００は封止層ＴＦＥの上に配置される。
【0070】
光制御層ＣＣＬは下部表示基板１００の上に配置される。光制御層ＣＣＬは光変換体を含む。光変換体は量子ドット（Ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔ）または蛍光体などである。光変換体は、提供された光を波長変換して放出する。つまり、光制御層ＣＣＬは量子ドットを含む層であるか、または蛍光体を含む層である。
【0071】
一実施例において、量子ドットは、コアとしてＩＩ－ＶＩ族化合物、ＩＩＩ－ＶＩ族化合物、Ｉ－ＩＩＩ－ＶＩ族、ＩＩＩ－Ｖ族化合物、ＩＩＩ－ＩＩ－Ｖ族化合物、ＩＶ－ＶＩ族化合物、ＩＶ族元素、ＩＶ族化合物、及びこれらの組み合わせを含む。
【0072】
ＩＩ－ＶＩ族化合物は、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＣｄＳ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＺｎＯ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＭｇＳｅ、ＭｇＳ、及びこれらの混合物からなる群より選択される二元素化合物、ＣｄＳｅＳ、ＣｄＳｅＴｅ、ＣｄＳＴｅ、ＺｎＳｅＳ、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＳＴｅ、ＨｇＳｅＳ、ＨｇＳｅＴｅ、ＨｇＳＴｅ、ＣｄＺｎＳ、ＣｄＺｎＳｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＣｄＨｇＳ、ＣｄＨｇＳｅ、ＣｄＨｇＴｅ、ＨｇＺｎＳ、ＨｅＺｎＳｅ、ＨｅＺｎＴｅ、ＭｇＺｎＳｅ、ＭｇＺｎＳ、及びこれらの混合物からなる群より選択される三元素化合物、及びＨｇＺｎＴｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＴｅ、ＣｄＺｎＳＴｅ、ＣｄＨｇＳｅＳ、ＣｄＨｇＳｅＴｅ、ＣｄＨｇＳＴｅ、ＨｇＺｎＳｅＳ、ＨｇＺｎＳｅＴｅ、ＨｇＺｎＳＴｅ、及びこれらの混合物せからなる群より選択される四元素化合物からなる群より選択される。
【0073】
ＩＩＩ－ＶＩ族化合物は、Ｉｎ２Ｓ３、Ｉｎ２Ｓｅ３などのような二元素化合物、ＩｎＧａＳ３、ＩｎＧａＳｅ３などのような三元素化合物、またはこれらの任意の組み合わせを含む。
【0074】
Ｉ－ＩＩＩ－ＶＩ族化合物は、ＡｇＩｎＳ、ＡｇＩｎＳ２、ＣｕＩｎＳ、ＣｕＩｎＳ２、ＡｇＧａＳ２、ＣｕＧａＳ２、ＣｕＧａＯ２、ＡｇＧａＯ２、ＡｇＡｌＯ２、及びこれらの混合物からなる群より選択される三元素化合物、またはＡｇＩｎＧａＳ２、ＣｕＩｎＧａＳ２などの四元素化合物から選択される。
【0075】
ＩＩＩ－Ｖ族化合物は、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、及びこれらの混合物からなる群より選択される二元素化合物と、ＧａＮＰ、ＧａＮＡｓ、ＧａＮＳｂ、ＧａＰＡｓ、ＧａＰＳｂ、ＡｌＮＰ、ＡｌＮＡｓ、ＡｌＮＳｂ、ＡｌＰＡｓ、ＡｌＰＳｂ、ＩｎＧａＰ、ＩｎＡｌＰ、ＩｎＮＰ、ＩｎＮＡｓ、ＩｎＮＳｂ、ＩｎＰＡｓ、ＩｎＰＳｂ、及びこれらの混合物からなる群より選択される三元素化合物と、ＧａＡｌＮＰ、ＧａＡｌＮＡｓ、ＧａＡｌＮＳｂ、ＧａＡｌＰＡｓ、ＧａＡｌＰＳｂ、ＧａＩｎＮＰ、ＧａＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＳｂ、ＧａＩｎＰＡｓ、ＧａＩｎＰＳｂ、ＩｎＡｌＮＰ、ＩｎＡｌＮＡｓ、ＩｎＡｌＮＳｂ、ＩｎＡｌＰＡｓ、ＩｎＡｌＰＳｂ、及びこれらの混合物からなる群より選択される四元素化合物とからなる群より選択される。一方、ＩＩＩ－Ｖ族化合物はＩＩ族金属を更に含む。例えば、ＩＩＩ－ＩＩ－Ｖ族化合物としてＩｎＺｎＰ、ＩｎＧａＺｎＰ、及びＩｎＡｌＺｎＰなどが選択されてもよい。
【0076】
ＩＶ－ＶＩ族化合物は、ＳｎＳ、ＳｎＳｅ、ＳｎＴｅ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、及びこれらの混合物からなる群より選択される二元素化合物と、ＳｎＳｅＳ、ＳｎＳｅＴｅ、ＳｎＳＴｅ、ＰｂＳｅＳ、ＰｂＳｅＴｅ、ＰｂＳＴｅ、ＳｎＰｂＳ、ＳｎＰｂＳｅ、ＳｎＰｂＴｅ、及びこれらの混合物からなる群より選択される三元素化合物と、ＳｎＰｂＳＳｅ、ＳｎＰｂＳｅＴｅ、ＳｎＰｂＳＴｅ、及びこれらの混合物からなる群より選択される四元素化合物とからなる群より選択される。ＩＶ族元素としては、Ｓｉ、Ｇｅ、及びこれらの混合物からなる群より選択される。ＩＶ族化合物としては、ＳｉＣ、ＳｉＧｅ、及びこれらの混合物からなる群より選択される二元素化合物である。
【0077】
この場合、二元素化合物、三元素化合物、または四元素化合物は均一な濃度で粒子内に存在するか、濃度分布が部分的に異なる状態に分けられて同一粒子内に存在する。また、一つの量子ドットが他の量子ドットを囲むコア／シェル構造を有してもよい。コア／シェル構造において、シェルに存在する元素の濃度がコアに行くほど低くなる濃度勾配（ｇｒａｄｉｅｎｔ）を有する。
【0078】
前記量子ドットのシェルは、前記コアの化学的変性を防止して半導体特性を維持するための保護層の役割をするか、及び／または量子ドットに電気泳動特性を与えるためのチャージング層（ｃｈａｒｇｉｎｇ ｌａｙｅｒ）の役割をする。前記シェルは単層または多重層である。前記量子ドットのシェルの例としては、金属または非金属の酸化物、半導体化合物、またはこれらの組み合わせなどが挙げられる。
【0079】
例えば、前記金属または非金属の酸化物は、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＺｎＯ、ＭｎＯ、Ｍｎ２Ｏ３、Ｍｎ３Ｏ４、ＣｕＯ、ＦｅＯ、Ｆｅ２Ｏ３、Ｆｅ３Ｏ４、ＣｏＯ、Ｃｏ３Ｏ４、ＮｉＯなどの二元素化合物、またはＭｇＡｌ２Ｏ４、ＣｏＦｅ２Ｏ４、ＮｉＦｅ２Ｏ４、ＣｏＭｎ２Ｏ４などの三元素化合物などが挙げられるが、本発明はこれに限らない。
【0080】
また、前記半導体化合物は、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＺｎＳｅＳ、ＺｎＴｅＳ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＳｂ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＩｎＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＧａＰ、ＩｎＳｂ、ＡｌＡｓ、ＡｌＰ、ＡｌＳｂなどが挙げられるが、本発明はこれに限らない。
【0081】
量子ドットは約４５ｎｍ以下、好ましくは約４０ｎｍ以下、より好ましくは約３０ｎｍ以下の発光波長スペクトルの半値幅（ｆｕｌｌ ｗｉｄｔｈ ｏｆ ｈａｌｆ ｍａｘｉｍｕｍ、ＦＷＨＭ）を有し、この範囲で色純度や色再現性を向上させることができる。また、このような量子ドットを介して発光される光は全方向に放出されるゆえ、光視野角が向上される。
【0082】
また、量子ドットの形態は当分野で一般的に使用する形態のものであって特に限らないが、より詳しくは、球状、ピラミッド状、多腕（ｍｕｌｔｉ－ａｒｍ）状、立方体（ｃｕｂｉｃ）のナノ粒子、ナノチューブ、ナノワイヤ、ナノ繊維、ナノ板状粒子などの形態のものを使用してもよい。
【0083】
量子ドットは粒子のサイズに応じて放出する光の色相を調節するが、それによって量子ドットは赤色、緑色、青色など多様な発光色相を有する。
【0084】
光制御層ＣＣＬは散乱体ＳＰを含む。散乱体ＳＰは光を散乱させるが、例えば、無機粒子であってもよい。一実施例において、散乱体ＳＰは、ＴｉＯ２、ＺｎＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、及び中空シリカのうち少なくとも一つを含む。散乱体ＳＰは、ＴｉＯ２、ＺｎＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、及び中空シリカのうちいずれか一つを含むか、ＴｉＯ２、ＺｎＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、及び中空シリカのうちから選択される２種以上の物質が混合されたものである。本発明の他の実施例において、散乱体ＳＰは省略されてもよい。
【0085】
光制御層ＣＣＬは量子ドット及び散乱体ＳＰを分散させるベース樹脂ＢＲ１、ＢＲ２、ＢＥ３を含む。ベース樹脂ＢＲ１、ＢＲ２、ＢＲ３は量子ドット及び散乱体ＳＰが分散される媒質であって、一般にバインダと称される多様な樹脂組成物からなる。例えば、ベース樹脂ＢＲ１、ＢＲ２、ＢＲ３はアクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、シリコン系樹脂、エポキシ系樹脂などであってもよい。ベース樹脂ＢＲ１、ＢＲ２、ＢＲ３は透明樹脂である。一実施例において、第１ベース樹脂ＢＲ１、第２ベース樹脂ＢＲ２、及び第３ベース樹脂ＢＲ３それぞれは互いに同じであるか、または異なる。
【0086】
光制御層ＣＣＬは、複数個の光制御部ＣＣＰ１、ＣＣＰ２、ＣＣＰ３を含む。光制御部ＣＣＰ１、ＣＣＰ２、ＣＣＰ３は互いに離隔されている。図示したように、互いに離隔されている光制御部ＣＣＰ１、ＣＣＰ２、ＣＣＰ３の間に分割パターンＢＭＰが配置されるが、実施例はこれに限らない。分割パターンＢＭＰは光制御部ＣＣＰ１、ＣＣＰ２、ＣＣＰ３と重畳しないように示されているが、光制御部ＣＣＰ１、ＣＣＰ２、ＣＣＰ３のエッジは分割パターンＢＭＰと少なくとも一部が重畳してもよい。
【0087】
光制御層ＣＣＬは、下部表示基板１００から提供される光を透過されるかまたは変換される第１光制御部ＣＣＰ１と、第２光制御部ＣＣＰ２と、第３光制御部ＣＣＰ３と、を含む。例えば、第１光は赤色光であってもよく、第２光は緑色光であってもよく、第３光は青色光であってもよい。
【0088】
図４を参照すると、第１光制御部ＣＣＰ１は第２光または第３光を第１光に変換させる。第１光制御部ＣＣＰ１は第１ベース樹脂ＢＲ１内に分散されている第１量子ドットＱＤ１と散乱体ＳＰを含む。第１量子ドットＱＤ１は第２光または第３光を第１光に変換させる。例えば、第１光制御部ＣＣＰ１に含まれる第１量子ドットＱＤ１は赤色の量子ドットであってもよい。
【0089】
第２光制御部ＣＣＰ２は第２光を透過させる。第２光制御部ＣＣＰ２は第２ベース樹脂ＢＲ２内に分散されている散乱体ＳＰを含み、光変換体を含まない。
【0090】
第３光制御部ＣＣＰ３は第３光を透過させる。第３光制御部ＣＣＰ３は第３ベース樹脂ＢＲ３内に分散されている散乱体ＳＰを含み、光変換体を含まない。
【0091】
但し、光制御層ＣＣＬの実施例はこれに限らず、第２光制御部ＣＣＰ２及び／または第３光制御部ＣＣＰ３が量子ドットを含んでもよい。
【0092】
上部表示基板２００は第２充填層ＢＦＬ２を含む。第２充填層ＢＦＬ２は光制御部ＣＣＰ１、ＣＣＰ２、ＣＣＰ３とカラーフィルタ部ＣＦ１、ＣＦ2、ＣＦ３との間に配置される。第２充填層ＢＦＬ２は水分及び／または酸素（以下、「水分／酸素」と称する）の浸透を防ぐ役割をする。
【0093】
一方、図示していないが、光制御部ＣＣＰ１、ＣＣＰ２、ＣＣＰ３の下に配置されるバリア層を更に含む。バリア層は光制御部ＣＣＰ１、ＣＣＰ２、ＣＣＰ３をカバーし、光制御部ＣＣＰ１、ＣＣＰ２、ＣＣＰ３が水分／酸素に露出されることを遮断する。
【0094】
カラーフィルタ層ＣＦＬは、光制御層ＣＣＬの上に配置される。例えば、カラーフィルタ層ＣＦＬは色制御層ＣＣＬの上に直接配置されてもよい。この場合、第２充填層ＢＦＬ２は省略される。
【0095】
カラーフィルタ層ＣＦＬは、遮光部ＢＭと、カラーフィルタ部ＣＦ１、ＣＦ２、ＣＦ３とを含む。詳しくは、カラーフィルタＣＦＬは、第１光を透過させる第１カラーフィルタＣＦ１と、第２光を透過させる第２カラーフィルタＣＦ２と、第３光を透過させる第３カラーフィルタＣＦ３とを含む。例えば、第１カラーフィルタＣＦ１は赤色カラーフィルタで、第２カラーフィルタＣＦ２は緑色カラーフィルタで、第３カラーフィルタＣＦ３は青色カラーフィルタであってもよい。
【0096】
第１乃至第３カラーフィルタＣＦ１、ＣＦ２、ＣＦ３のそれぞれは、高分子感光樹脂と、顔料または染料を含む。第１カラーフィルタＣＦ１は赤色の顔料または染料を含み、第２カラーフィルタＣＦ２は緑色の顔料または染料を含み、第３カラーフィルタＣＦ３は青色の顔料または染料を含む。一方、実施例はこれに限らない。例えば、第３カラーフィルタＣＦ３は顔料または染料を含まなくてもよい。第３カラーフィルタＣＦ３は高分子感光樹脂を含み、顔料または染料を含まなくてもよい。
【0097】
遮光部ＢＭはブラックマトリックスである。遮光部ＢＭは、黒色顔料または黒色染料を含む有機遮光物質または無機遮光物質を含んで形成される。遮光部ＢＭは光漏れ現象を防止し、隣接するカラーフィルタＣＦ１、ＣＦ２、ＣＦ３の間の境界を区分する。また、一実施例において、遮光部ＢＭは青色フィルタで形成される。
【0098】
第１乃至第３カラーフィルタＣＦ１、ＣＦ２、ＣＦ３のそれぞれは、第１画素領域ＰＸＡ－Ｒ、第２画素領域ＰＸＡ－Ｇ、及び第３画素領域ＰＸＡ－Ｂのそれぞれに対応して配置される。
【0099】
ベース基板ＢＬは、カラーフィルタ層ＣＦＬ及び光制御層ＣＣＬなどが配置されるベース面を提供する。ベース基板ＢＬは、ガラス基板、金属基板、プラスチック基板などである。しかし、実施例はこれに限らず、ベース基板ＢＬは無機層、有機層、または複合材料層であってもよい。また、図示とは異なって、一実施例においてベース基板ＢＬは省略されてもよい。ベース基板ＢＬが省略される場合、下部表示基板１００の上に光制御層ＣＣＬ及びカラーフィルタ層ＣＦＬがこの順に積層される。
【0100】
一方、上部表示基板２００の構成はこれに限らず、例えば、上部表示基板２００は偏光層を更に含んでもよく、またはカラーフィルタ層ＣＦＬが省略されてもよい。偏光層は外部から表示パネルＤＰに入射する外部光を遮断する。
【0101】
図５は、一実施例による発光素子ＥＤを概略的に示す断面図である。一実施例による第１乃至第３発光素子ＥＤ１、ＥＤ２、ＥＤ３のそれぞれは図示した発光素子ＥＤの構造を有する。
【0102】
図５を参照すると、発光素子ＥＤは、第１電極ＥＬ１、第２電極ＥＬ２、及び第１電極ＥＬ１と第２電極ＥＬ２との間に配置されるｎ個のスタック層ＳＦ１、ＳＦｎを含み、ｎは２以上の整数である。つまり、発光素子ＥＤは少なくとも２つ以上のスタック層を含むが、例えば、２つのスタック層、３つのスタック層、または４つ以上のスタック層を含んでもよい。
【0103】
複数のスタックＳＦ１、ＳＦｎのそれぞれは、正孔輸送領域ＨＴＲと、発光層ＥＭＬと、電子輸送領域ＥＴＲと、を含む。複数のスタックＳＦ１、ＳＦｎのうち隣り合うスタックの間には電荷生成層ＣＧＬが配置される。電荷生成層ＣＧＬは、ｐ型の電荷生成層及び／またはｎ型の電荷生成層を含む。電荷生成層ＣＧＬは正孔及び／または電荷の移動を促す。
【0104】
第１電極ＥＬ１は導電性を有する。第１電極ＥＬ１は金属材料、金属合金、または導電性化合物からなる。第１電極ＥＬ１はアノード（ａｎｏｄｅ）またはカソード（ｃａｔｈｏｄｅ）である。しかし、実施例はこれに限らない。また、第１電極ＥＬ１は画素電極である。第１電極ＥＬ１は、透過型電極、半透過型電極、または反射型電極である。第１電極ＥＬ１が透過型電極であれば、第１電極ＥＬ１は透明金属酸化物、例えば、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）などを含む。第１電極ＥＬ１が半透過型電極または反射型電極であれば、第１電極ＥＬ１はＡｇ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、またはこれらの化合物や混合物（例えば、ＡｇとＭｇの混合物）を含む。または、第１電極ＥＬ１は前記物質からなる反射膜や半透過膜、及びＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、ＩＴＺＯなどからなる透明導電膜を含む複数の層構造である。例えば、第１電極ＥＬ１はＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯの３槽構造を有してもよいが、これに限らない。また、実施例はこれに限らず、第１電極ＥＬ１は上述した金属材料、上述した金属材料のうちから選択される２種以上の金属材料の組み合わせ、または上述した金属材料の酸化物などを含んでもよい。第１電極ＥＬ１の厚さは約７００Å以上約１００００Å以下である。例えば、第１電極ＥＬ１の厚さは、約１０００Å以上約３０００Å以下であってもよい。
【0105】
正孔輸送領域ＨＴＲは第１電極ＥＬ１の上に提供される。正孔輸送領域ＨＴＲは、正孔輸送層ＨＴＬ及び電子阻止層ＥＢＬのうち少なくとも一つを含む。しかし、実施例はこれに限らず、正孔輸送領域ＨＴＲは正孔注入層（図示せず）、バッファ層（図示せず）または発光補助層（図示せず）を更に含んでもよい。正孔輸送領域ＨＴＲの厚さは、例えば、約５０Å以上約１５，０００Å以下であってもよい。
【0106】
正孔輸送領域ＨＴＲは、単一物質からなる単一層、複数の互いに異なる物質からなる単一層、または複数の互いに異なる物質からなる複数の層を有する多層構造を有する。
【0107】
例えば、正孔輸送領域ＨＴＲは正孔注入層または正孔輸送層の単一層の構造を有してもよく、正孔注入物質及び正孔輸送物質からなる単一層の構造を有してもよい。また、正孔輸送領域ＨＴＲは、複数の互いに異なる物質を有する単一層の構造を有する、または第１電極ＥＬ１から順番に積層される正孔注入層／正孔輸送層、正孔注入層／正孔輸送層／バッファ層、正孔注入層／バッファ層、正孔注入層／バッファ層、正孔輸送層／バッファ層、または正孔注入層／正孔輸送層／電子阻止層の構造を有してもよいが、実施例はこれに限らない。
【0108】
正孔輸送領域ＨＴＲは、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法（Ｌａｎｇｍｕｉｒ－Ｂｌｏｄｇｅｔｔ）、インクジェットプリント法、レーザプリント法、レーザ熱転写法（Ｌａｓｅｒ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｉｍａｇｉｎｇ、ＬＩＴＩ）などのような多様な方法を利用して形成される。
【0109】
上述したように、正孔輸送領域ＨＴＲは、正孔注入層及び正孔輸送層以外に、バッファ層及び電子阻止層のうち少なくとも一つを更に含む。バッファ層は、発光層ＥＭＬから放出される光の波長による共振距離を補償して光放出効率を増加させる。バッファ層に含まれる物質としては、正孔輸送領域ＨＴＲに含まれ得る物質を使用する。電子阻止層は、電子輸送領域ＥＴＲから正孔輸送領域ＨＴＲへの電子の注入を防止する役割をする。
【0110】
発光層ＥＭＬは正孔輸送領域ＨＴＲの上に提供される。発光層ＥＭＬは、例えば、約１００Å以上約１０００Å以下、または約１００Å以上約３００Å以下の厚さを有する。発光層ＥＭＬは、単一物質からなる単一層、複数の互いに異なる物質からなる単一層、または複数の互いに異なる物質からなる複数の層を有する多層構造を有する。
【0111】
発光層ＥＭＬは発光物質として低分子有機物または高分子有機物を含む。発光層ＥＭＬはホスト物質及びドーパント物質を含む。発光層ＥＭＬはホスト物質にりん光または蛍光発光物質をドーパントとして含んで形成される。発光層ＥＭＬはホスト物質に熱活性遅延蛍光（ＴＡＤＦ）ドーパントとして含んで形成される。
【0112】
発光層ＥＭＬは、アントラセン誘導体、ピレン誘導体、フルオランテン誘導体、クリセン誘導体、ジヒドロベンズアントラセン誘導体、またはトリフェニレン誘導体を含む。詳しくは、発光層ＥＭＬは、アントラセン誘導体またはピレン誘導体を含んでもよい。
【0113】
また、発光層ＭＥＬは、スチリル誘導体（例えば、１，４－ビス［２－（３－Ｎ－エチルカルバゾリル）ビニル］ベンゼン（ＢＣｚＶＢ）、４－（ジ－ｐ－トリルアミノ）－４’－［（ジ－ｐ－トリルアミノ）スチリル］スチルベン（ＤＰＡＶＢ）、Ｎ－（４－（（Ｅ）－２－（６－（（Ｅ）－４－（ジフェニルアミノ）スチリル）ナフタレン－２－イル）ビニル）フェニル）－Ｎ－フェニルベンゼンアミン（Ｎ－ＢＤＡＶＢｉ）、ぺリレン及びその誘導体（例えば、２，５，８，１１－テトラ－ｔ－ブチルぺリレン（ＴＢＰ））、ピレン及びその誘導体（例えば、１，１－ジピレン、１，４－ジピレニルベンゼン、１，４－ビス（Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ）ピレン）、Ｎ１，Ｎ６－ジ（ナフタレン－２－イル）－Ｎ１，Ｎ６－ジフェニルピレン－１，６－ジアミン）などを含んでもよい。但し、これに限らず、必要によっては公知の物質を含んでもよい。
【0114】
複数のスタックＳＦ１、ＳＦｎは互いに異なる光を放出する発光層ＥＭＬを含む。例えば、第１層スタックＳＦ１に含まれる発光層ＥＭＬと第ｎ層スタックＳＦｎに含まれる発光層ＥＭＬは互いに異なる光を放出してもよい。しかし、実施例はこれに限らず、複数のスタック層ＳＦ１、ＳＦｎに含まれる発光層ＥＭＬはいずれも同じ光を放出してもよく、または一部のスタック層に含まれる発光層ＥＭＬが互いに同じ光を放出してもよい。
【0115】
電子輸送領域ＥＴＲは発光層ＥＭＬの上に配置される。正孔輸送領域ＨＴＲは、電子輸送層ＥＴＬ及び正孔阻止層ＨＢＬのうち少なくとも一つを含む。しかし、実施例はこれに限らず、電子輸送領域ＥＴＲは電子注入層、バッファ層（図示せず）または発光補助層（図示せず）を更に含んでもよい。
【0116】
電子輸送領域ＥＴＲは、単一物質からなる単一層、複数の互いに異なる物質からなる単一層、または複数の互いに異なる物質からなる複数の層を有する多層構造を有する。
【0117】
例えば、電子輸送領域ＥＴＲは電子注入層のまたは電子輸送層ＥＴＬの単一層構造を有してもよく、電子注入物質と電子輸送物質からなる単一層構造を有してもよい。また、電子輸送領域ＥＴＲは、複数の互いに異なる物質からなる単一層の構造を有するか、発光層ＥＭＬから順番に積層される電子輸送層／電子注入層、正孔阻止層／電子輸送層／電子注入層の構造を有してもよいが、これに限らない。
【0118】
電子輸送領域ＥＴＲは、真空蒸着法、スピンコート法、ＬＢ法、インクジェットプリント法、レーザプリント法、レーザ熱転写法（ＬＩＴＩ）などのような多様な方法を利用して形成される。
【0119】
一実施例の発光素子ＥＤは、第２電極ＥＬ２の下に電子注入層ＥＩＬを含む。但し、実施例はこれに限らず、複数のスタック層ＳＦ１、ＳＦｎのそれぞれに含まれる電子輸送領域ＥＴＲに電子注入層が配置されてもよい。
【0120】
電子注入層ＥＩＬはＹｂのようなランタン族金属を含む。但し、実施例はこれに限らず、電子注入層ＥＩＬとして、ＬｉＦ、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、ＲｂＣｌ、ＲｂＩのようなハロゲン化金属、Ｌｉ２Ｏ、ＢａＯのような金属酸化物、またはＬｉｑ（リチウムキノラート）などが使用されてもよい。また、電子注入層ＥＩＬは、電子輸送物質と絶縁性の有機金属塩（ｏｒｇａｎｏ ｍｅｔａｌ ｓａｌｔ)が混合された物質からなる。有機金属塩は、エネルギーバンドギャップ（ｅｎｅｒｇｙ ｂａｎｄ ｇａｐ)が約４ｅＶ以上の物質である。詳しくは、例えば、有機金属塩は、酢酸金属塩（ｍｅｔａｌ ａｃｅｔａｔｅ)、安息香酸金属塩（ｍｅｔａｌ ｂｅｎｚｏａｔｅ)、アセト酢酸金属塩（ｍｅｔａｌ ａｃｅｔｏａｃｅｔａｔｅ）、金属アセチルアセトネート（ｍｅｔａｌ ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ）、またはステアリン酸金属塩（ｓｔｅａｒａｔｅ）を含む。
【0121】
第２電極ＥＬ２は共通電極である。第２電極ＥＬ２はカソードまたはアノードであってもよいが、実施例はこれに限らない。例えば、第１電極ＥＬ１がアノードであれば第２電極はカソードで、第１電極ＥＬ１がカソードであれば第２電極はアノードであってもよい。
【0122】
第２電極ＥＬ２は、透過型電極、半透過型電極、または反射型電極である。第２電極ＥＬ２が透過型電極であれば、第２電極ＥＬ２は透明金属酸化物、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、ＩＴＺＯなどからなる。
【0123】
第２電極ＥＬ２が半透過型電極または反射型電極であれば、第２電極ＥＬ２はＡｇ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｙｂ、Ｗ、またはこれらを含む化合物や混合物（例えば、ＡｇＭｇ、ＡｇＹｂ、またはＭｇＡｇ）を含む。または、第２電極ＥＬ２は前記物質からなる反射膜や半透過膜、及びＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、ＩＴＺＯなどからなる透明導電膜を含む複数の層構造である。例えば、第２電極ＥＬ２は上述した金属材料、上述した金属材料のうちから選択される２種以上の金属材料の組み合わせ、または上述した金属材料の酸化物などを含んでもよい。
【0124】
図示していないが、第２電極ＥＬ２は補助電極と連結される。第２電極ＥＬ２が補助電極と連結されれば、第２電極ＥＬ２の抵抗を減少させることができる。
【0125】
【0126】
図６を参照すると、一実施例において、第１乃至第３発光素子ＥＤ１、ＥＤ２、ＥＤ３のそれぞれが３つのスタック層を含む構成が示されている。詳しくは、第１乃至第３発光素子ＥＤ１、ＥＤ２、ＥＤ３のそれぞれが、図４で説明した第１層乃至第３層スタックＳＦ１、ＳＦ２、ＳＦ３に対応する３つのスタック層を含む構成が示されている。但し、実施例はこれに限らず、例えば、第１乃至第３発光素子ＥＤ１、ＥＤ２、ＥＤ３のそれぞれは２つのスタック層または４つ以上のスタック層を含んでもよい。
【0127】
一実施例の第１発光素子ＥＤ１及び第２発光素子ＥＤ２は、それぞれ図４で説明した第１層スタックＳＦ１として第１スタック部ＳＴ－Ｇを含み、第２層スタックＳＦ２として第１スタック部ＳＴ－Ｇを含み、第３層スタックＳＦ３として第１スタック部ＳＴ－Ｇを含む。つまり、第１発光素子ＥＤ１及び第２発光素子ＥＤ２に含まれる複数のスタック層はいずれも第１スタック部ＳＴ－Ｇを含む。
【0128】
それによって、第１発光素子ＥＤ１及び第２発光素子ＥＤ２のそれぞれに含まれる第１層スタックＳＦ１の第１スタック部ＳＴ－Ｇは一定の形状を有し、第２層スタックＳＦ２の第１スタック部ＳＴ－Ｇは一定の形状を有し、第３層スタックＳＦ３の第１スタック部ＳＴ－Ｇは一定の形状を有する。但し、これに限らない。
【0129】
一実施例の第３発光素子ＥＤ３は、第１発光素子ＥＤ１及び第２発光素子ＥＤ２とは異なる構造を有する。例えば、第３発光素子ＥＤ３は３つの第２スタック部ＳＴ－Ｂを含んでもよい。詳しくは、第３発光素子ＥＤ３は、第１層乃至第３層スタックＳＦ１、ＳＦ２、ＳＦ３がいずれも第２スタック部ＳＴ－Ｂである。
【0130】
第１スタック部はＳＴ－Ｇは第２光を放出し、第２スタック部ＳＴ－Ｂは第３光を放出する。例えば、第１スタック部ＳＴ－Ｇは緑色光を発光し、第２スタック部ＳＴ－Ｂは青色光を放出してもよい。
【0131】
第３発光素子ＥＤ３に含まれる各層の第２スタック部ＳＴ－Ｂは第１発光素子ＥＤ１及び第２発光素子ＥＤ２の各層に含まれる第１スタック部ＳＴ－Ｇと一体の形状を有しない。つまり、第３発光素子ＥＤ３の第２スタック部ＳＴ－ＢはバンクＢＫによって第１発光素子ＥＤ１及び第２発光素子ＥＤ２の第１スタック部ＳＴ－Ｇと離隔される。一方、第３発光素子ＥＤ３の境界にバンクＢＫが配置されることで、第３発光素子ＥＤ３の各スタック層の第２スタック部ＳＴ－Ｂに含まれる正孔輸送領域ＨＴＲ、発光層ＥＭＬ、及び電子輸送領域ＥＴＲなどはインクジェットプリント法でパターニングされて提供される。
【0132】
一方、図６では画素定義膜ＰＤＬ及びバンクＢＫが別途の形状を有すると示されているが、これに限らず、画素定義膜ＰＤＬ及びバンクＢＫは一体の形状を有してもよい。例えば、画素定義膜ＰＤＬ及びバンクＢＫは互いに同じ材料を含んでもよい。
【0133】
第１スタック部ＳＴ－Ｇ及び第２スタック部ＳＴ－Ｂそれぞれは上述した正孔輸送領域、発光層、及び電子輸送領域を含む。図６では正孔輸送領域が電子輸送層ＥＴＬ１、ＥＴＬ２を含み、正孔輸送領域が正孔輸送層ＨＴＬ１、ＨＴＬ２を含む構成を簡単に示している。
【0134】
例えば、第１スタック部ＳＴ－Ｇは、第１正孔輸送ＨＴＬ１と、第１発光層ＥＭＬ－Ｇと、第１電子輸送層ＥＴＬ１と、を含んでもよい。第１発光層ＥＭＬ－Ｇは第２光を放出する。
【0135】
例えば、第２スタック部ＳＴ－Ｂは、第２正孔輸送ＨＴＬ２と、第２発光層ＥＭＬ－Ｂと、第２電子輸送層ＥＴＬ２と、を含んでもよい。第２発光層ＥＭＬ－Ｂは第３光を放出する。
【0136】
但し、実施例はこれに限らず、第１スタック部ＳＴ－Ｇ及び第２スタック部ＳＴ－Ｂのそれぞれは電子注入層、正孔阻止層、正孔注入層、電子阻止層、バッファ層などを更に含んでもよい。
【0137】
第１発光素子ＥＤ１は第１スタック部ＳＴ－Ｇのみを含んで第２光を発光する。図４を参照すると、第１発光素子ＥＤ１に重畳する第１光制御部ＣＣＰ１は第１量子ドットＱＤ１を含み、第２光を第１光に変換させる。
【0138】
第２発光素子ＥＤ２は第１スタック部ＳＴ－Ｇのみを含んで第２光を発光する。図４を参照すると、第２発光素子ＥＤ２に重畳する第２光制御部ＣＣＰ２は光変換体を含まず、第２光を透過させる。
【0139】
第３発光素子ＥＤ３は第２スタック部ＳＴ－Ｂのみを含んで第３光を発光する。図４を参照すると、第３発光素子ＥＤ３に重畳する第３光制御部ＣＣＰ３は光変換体を含まず、第３光を透過させる。
【0140】
スタック部ＳＴ－Ｇ、ＳＴ－Ｂの間には電荷生成層が配置される。電荷生成層は、ｐ型の電荷生成層Ｐ－ＣＧＬ１、Ｐ－ＣＧＬ２及びｎ型の電荷生成層Ｎ－ＣＧＬ１、Ｎ－ＣＧＬ２を含み、スタック部ＳＴ－Ｇ、ＳＴ－Ｂの間の正孔及び／または電荷の移動を促す。電荷生成層Ｐ－ＣＧＬ１、Ｐ－ＣＧＬ２、Ｎ－ＣＧＬ１、Ｎ－ＣＧＬ２はそれぞれいずれか一つのスタック部ＳＴ－Ｇ、ＳＴ－Ｂに接して配置される。
【0141】
一実施例において、第１スタック部ＳＴ－Ｇの間には第１電荷生成層Ｎ－ＣＧＬ１、Ｐ－ＣＧＬ１が積層されて配置される。第２スタック部ＳＴ－Ｂの間には第２電荷生成層Ｎ－ＣＧＬ２、Ｐ－ＣＧＬ２が積層されて配置される。
【0142】
詳しくは、第１層スタックＳＦ１の第１スタック部ＳＴ－Ｇの上には第１層スタックＳＦ１の第１スタック部ＳＴ－Ｇに電子を提供するｎ型の第１電荷生成層Ｎ－ＣＧＬ１が配置される。第２層スタックＳＦ２の第１スタック部ＳＴ－Ｇの下には第２層スタックＳＦ２の第１スタック部ＳＴ－Ｇに正孔を提供するｐ型の第１電荷生成層Ｐ－ＣＧＬ１が配置される。第１層スタックＳＦ１の第２スタック部ＳＴ－Ｂの上には第１層スタックＳＦ１の第２スタック部ＳＴ－Ｂに電子を提供するｎ型の第２電荷生成層Ｎ－ＣＧＬ２が配置される。第２層スタックＳＦ２の第２スタック部ＳＴ－Ｂの下には第２層スタックＳＦ２の第２スタック部ＳＴ－Ｂに正孔を提供するｐ型の第２電荷生成層Ｐ－ＣＧＬ２が配置される。
【0143】
一方、順次積層されるスタック層が互いに異なるスタック部を含む場合、ｎ型の電荷生成層及びｐ型の電荷生成層は直接接するスタック部の種類に応じて決定される。詳しくは、図８を参照すると、第２層スタックＳＦ２の第１スタック部ＳＴ－Ｇの上にはｎ型の第１電荷生成層Ｎ－ＣＧＬ１が配置され、第３層スタックＳＦ３の第２スタック部ＳＴ－Ｂの下にはｐ型の第２電荷生成層Ｐ－ＣＧＬ２が配置される。
【0144】
ｐ型の第１電荷生成層Ｐ－ＣＧＬ１及びｎ型の第１電荷生成層Ｎ－ＣＧＬ１と、ｐ型の第２電荷生成層Ｐ－ＣＧＬ２及びｎ型の第２電荷生成層Ｎ－ＣＧＬ２は互いに異なる材料を含む。電荷生成層の材料をそれぞれ異なるようにして、電荷生成層の特性を調節することができる。但し、これに限らない。
【0145】
一実施例において、ｐ型の第２電荷生成層Ｐ－ＣＧＬ２はｐ型の第１電荷生成層Ｐ－ＣＧＬ１より電荷生成特性が高い。例えば、ｐ型の第２電荷生成層Ｐ－ＣＧＬ２に含まれる物質はｐ型の第１電荷生成層Ｐ－ＣＧＬ１に含まれる物質より電荷生成特性が高くてもよい。
【0146】
ｐ型の第１電荷生成層Ｐ－ＣＧＬ１は有機ドーパントを含む。有機ドーパントは、例えば、ｐ型のドーパントであってもよい。詳しくは、ｐ型のドーパントは、４－［［２，３－ビス［シアノ－（４－シアノ－２，３，５，６－テトラフルオロフェニル）メチリデン］シクロピロピリデン］－シアノメチル］－２，３，５，６－テトラフルオロベンゾニトリル（以下、ＮＤＰ９）、１，４，５，８，９，１１－ヘキサアザトリフェニレン－ヘキサカルボニトリル（ＨＡＴ－ＣＮ）、２，３，５，６－テトラフルオロ－７，７，８，８－テトラシアノキノジメタン（ＦＡ－ＴＣＮＱ）、テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）のうち少なくとも一つを含む。一実施例において、ｐ型の第１電荷生成層Ｐ－ＣＧＬ１に含まれる有機ドーパントのドーピング濃度は０．５％以上３０％以下である。
【0147】
ｐ型の第２電荷生成層Ｐ－ＣＧＬ２は無機ドーパントを含む。無機ドーパントは、例えば、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｆｌ、Ｂｉ、及びＰｏのようなポスト遷移金属、Ｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ａｔなどのような準金属、Ｂｉ２Ｔｅ３、ＢｉｘＴｅｙ、Ｓｂ２Ｔｅ３、Ｉｎ２Ｔｅ３、Ｇａ２Ｔｅ２、Ａｌ２Ｔｅ３、Ｔｌ２Ｔｅ３、Ａｓ２Ｔｅ３、ＧｅＳｂＴｅ、ＳｎＴｅ、ＰｂＴｅ、ＳｉＴｅ、ＧｅＴｅ、ＦｌＴｅ、ＳｉＧｅ、ＡｌＩｎＳｂ、ＡｌＧａＳｂ、ＡｌＡｓＳｂ、ＧａＡｓ、ＩｎＳｂ、ＡｌＳｂ、ＡｌＡｓ、ＡｌｘＩｎｘＳｂ、ＡｌｘＩｎ（１－ｘ）Ｓｂ、ＡｌＳｂ、ＧａＳｂ、ＡｌＩｎＧａＡｓなどのようなこれらの化合物、及びＣｕＩ、ＡｇＩ、ＡｕＩ、ＣｏＩ２、ＮｉＩ２、ＰｔＩ２、ＣｕＣｌ、ＣｕＢｒ、ＡｇＣｌ、ＡｇＢｒなどのような遷移金属とハロゲン化合物のうち少なくとも一つを含んでもよい。一実施例において、ｐ型の第２電荷生成層Ｐ－ＣＧＬ２に含まれる無機ドーパントのドーピング濃度は０．５％以上３０％以下である。
【0148】
図６において、電子注入層ＥＩＬが第１乃至第３画素領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂに重畳し、一体の形状を有すると示されている。しかし、実施例はこれに限らず、電子注入層ＥＩＬは重畳する画素領域によって、画素領域別に異なる材料を含むか、または含む材料の濃度が異なるように調節されてもよい。
【0149】
一実施例において、第１乃至第３発光素子ＥＤ１、ＥＤ２、ＥＤ３の上にキャッピング層ＣＰＬが更に配置される。キャピング層ＣＰＬは、多層または単層を含む。一実施例において、キャッピング層ＣＰＬは有機層または無機層である。例えば、キャッピング層ＣＰＬが無機物を含む場合、無機物はＬｉＦなどのアルカリ金属化合物、ＭｇＦ２などのアルカリ土類化合物、ＳｉＯＮ、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｙなどを含んでもよい。
【0150】
例えば、キャッピング層ＣＰＬが有機物を含む場合、有機物は、α－ＮＰＤ、ＮＰＢ、ＴＰＤ、ｍ－ＭＴＤＡＴＡ、Ａｌｑ３、ＣｕＰｃ、ＴＰＤ１５（Ｎ４，Ｎ４，Ｎ４’，Ｎ４’－テトラ（ビフェニル－４－イル）ビフェニル－４，４’－ジアミン）、ＴＣＴＡ（４，４’，４”－トリス（カルバゾール ソル－９－イル）トリフェニルアミン）などを含むか、エポキシ樹脂、またはメタクリレートなどのようなアクリレートを含んでもよい。
【0151】
但し、実施例はこれに限らず、キャッピング層ＣＰＬは省略されてもよい。
【0152】
図７は、一実施例による表示パネルＤＰの断面図である。図８は、図７の一実施例による発光素子ＥＤ１、ＥＤ２、ＥＤ３の断面図である。以下、図７及び図８では上述した説明の構成については同じ参照符号を付与して説明を省略し、相違点を中心に説明する。
【0153】
一実施例において、第１発光素子ＥＤ１は、図４で説明した第１層スタックＳＦ１として第１スタック部ＳＴ－Ｇを含み、第２層スタックＳＦ２として第１スタック部ＳＴ－Ｇを含み、第３層スタックＳＦ３として第２スタックＳＴ－Ｂを含む。つまり、第１発光素子ＥＤ１は２つの第１スタック部ＳＴ－Ｇ及び一つの第２スタック部ＳＴ－Ｂを含む。但し、第１スタック部ＳＴ－Ｇ及び第２スタック部ＳＴ－Ｂの積層順はこれに限らない。例えば、第２スタック部ＳＴ－Ｂは、第１層スタックＳＦ１であってもよく、第２層スタックＳＦ２であってもよい。また、第１発光素子ＥＤ１の構成はこれに限らない。例えば、第１発光素子ＥＤ１は、４つのスタック部を含んでもよいが、例えば、３つの第２スタック部ＳＴ－Ｂ及び一つの第１スタック部ＳＴ－Ｇを含んでもよい。
【0154】
一実施例の第２発光素子ＥＤ２は第１発光素子ＥＤ１と同じ構造を有する。例えば、第２発光素子ＥＤ２は、図４で説明した第１層スタックＳＦ１として第１スタック部ＳＴ－Ｇを含み、第２層スタックＳＦ２として第１スタック部ＳＴ－Ｇを含み、第３層スタックＳＦ３として第２スタックＳＴ－Ｂを含む。但し、積層順及び構造はこれに限らず、第１発光素子ＥＤ１のように多様な積層順及び構造を有してもよい。
【0155】
一実施例の第３発光素子ＥＤ３は、第１発光素子ＥＤ１及び第２発光素子ＥＤ２とは異なる構造を有する。例えば、第３発光素子ＥＤ３は３つの第２スタック部ＳＴ－Ｂを含んでもよい。詳しくは、第３発光素子ＥＤ３は、第１層乃至第３層スタックＳＦ１、ＳＦ２、ＳＦ３がいずれも第３スタック部ＳＴ－Ｂである。
【0156】
図７及び図８に示した一実施例の発光素子ＥＤ１、ＥＤ２、ＥＤ３において、第１乃至第３発光素子ＥＤ１、ＥＤ２、ＥＤ３の第３層スタックＳＦ３がいずれも第２スタック部ＳＴ－Ｂであることで、第１乃至第３発光素子ＥＤ１、ＥＤ２、ＥＤ３の第３層スタックＳＦ３は一体の形状を有する。一部のスタック層を一体の形状で構成すれば、工程が簡素化される。
【0157】
一方、画素定義膜ＰＤＬの上に配置されるバンクＢＫは、第３方向ＤＲ３の上で第３発光素子ＥＤ３の第１層スタックＳＦ１及び第２層スタックＳＦ２と重畳し、第３層スタックＳＦ３とは重畳しない。つまり、一体の形状を有する第３層スタックの間にはバンクＢＫが配置されない。但し、実施例はこれに限らない。
【0158】
第１発光素子ＥＤ１は第１スタック部ＳＴ－Ｇ及び第２スタック部ＳＴ－Ｂをいずれも含んで第２光及び第３光を発光する。図７を参照すると、第１発光素子ＥＤ１に重畳する第１光制御部ＣＣＰ１は第１量子ドットＱＤ１を含み、第２光及び第３光を第１光に変換させる。
【0159】
第２発光素子ＥＤ２は第１スタック部ＳＴ－Ｇ及び第２スタック部ＳＴ－Ｂをいずれも含んで第２光及び第３光を発光する。図７を参照すると、第２発光素子ＥＤ２に重畳する第２光制御部ＣＣＰ２は第２光を透過させる。また、第２光制御部ＣＣＰ２は第２量子ドットＱＤ２を含み、第３光を第２光に変換させる。例えば、第２光制御部ＣＣＰ２に含まれる第２量子ドットＱＤ２は第３光を第２光に変換させる緑色の量子ドットであってもよい。
【0160】
本発明の表示パネルＤＰについて、第１発光を子ＥＤ１及び第２発光素子ＥＤ２が第１発光層ＥＭＬ－Ｇを含む第１スタック部ＳＴ－Ｇを含むことで、表示パネルＤＰの発光効率が向上される。
【0161】
詳しくは、本発明の表示パネルについて、発光層が緑色光及び青色光をいずれも発光することで、光制御層ＣＣＬにおける緑色光の光転換率が向上される。それによって、発光層が青色光のみを発光する表示パネルに比べ、本発明の表示パネルは５００ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の中心波長を有する光の光量が６０％以上上昇する。
【0162】
以下、具体的な実施例を参照して本発明の表示パネルの特性評価の結果を説明する。但し、本発明は下記実施例に制限されない。
【0163】
(表示パネルの製作及び評価)
【0164】
表１のようにｐ型の第２電荷生成層Ｐ－ＣＧＬ２の無機材料及びドーピング濃度のみを異なるようにし、他の構成は全て同じようにして、図６のような第１乃至第３発光素子を含む実施例１乃至実施例５、及び比較例１の表示パネルを製作した。
【0165】
【表1】
【0166】
表１を参照すると、実施例１乃至実施例５は無機材料をドーピングしてｐ型の第２電荷生成層を形成している。比較例１はｐ型の第１電荷生成層と同じ有機材料をドーピングしてｐ型の第２電荷生成層を形成している。
【0167】
表２は、表１で製作した表示パネルの駆動電圧を測定して示している。表２に示した駆動電圧は１０ｍＡ／ｃｍ２の電流密度を基準に測定した電圧値を示している。
【0168】
【表2】
【0169】
表２を参照すると、実施例１乃至実施例５の発光素子は、比較例に比べ低電圧、高効率、長寿命を達成することが分かる。
【0170】
それを介し、本発明の一実施例の表示パネルは、発光層によってｐ型の電荷生成層の電荷生成特性を調節し、特に、ｐ型の第２電荷生成層の電荷生成特性をｐ型の第１電荷生成層より高く調節して、素子駆動時の駆動電圧が低くなり、それによって効率及び寿命が向上されることを確認した。
【0171】
本発明の表示パネルＤＰは、互いに異なる色を発光する第１スタック部ＳＴ－Ｇ及び第２スタック部ＳＴ－Ｂを含み、青色光を放出する第２スタック部ＳＴ－Ｂの間に配置されるｐ型の第２電荷生成層は、緑色光を放出する第１スタック部ＳＴ－Ｇの間に配置されるｐ型の第２電荷生成層より高い電荷生成度を有することで、素子の効率及び寿命を向上させることができる。
【0172】
これまで本発明の好ましい実施例を参照して説明したが、該当技術分野における熟練した当業者または該当技術分野における通常の知識を有する者であれば、後述する請求の範囲に記載された本発明の思想及び技術領域から逸脱しない範囲内で本発明を多様に修正及び変更し得ることを理解できるはずである。
【0173】
よって、本発明の技術的範囲は明細書の詳細な説明に記載の内容に限らず、特許請求の範囲によって決められるべきである。
【符号の説明】
【0174】
ＥＬ１：第１電極、 ＥＬ２：第２電極、 ＥＤ１、ＥＤ２、ＥＤ３：第１乃至第３発光素子、 ＳＴ－Ｇ：第１スタック部、 ＳＴ－Ｂ：第２スタック部、 ＳＦ１、ＳＦ２、ＳＦ３：第１層乃至第３層スタック
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
