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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022095537
(43)【公開日】2022-06-28
(54)【発明の名称】ＭｎＺｎ系フェライト
(51)【国際特許分類】
H01F 1/34 20060101AFI20220621BHJP
C04B 35/38 20060101ALI20220621BHJP
【ＦＩ】
H01F1/34 140
C04B35/38
【審査請求】未請求
【請求項の数】7
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021182808
(22)【出願日】2021-11-09
(31)【優先権主張番号】P 2020208715
(32)【優先日】2020-12-16
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】591067794
【氏名又は名称】ＪＦＥケミカル株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100147485
【弁理士】
【氏名又は名称】杉村 憲司
(74)【代理人】
【識別番号】100165696
【弁理士】
【氏名又は名称】川原 敬祐
(72)【発明者】
【氏名】石原 真由
(72)【発明者】
【氏名】中村 由紀子
(72)【発明者】
【氏名】吉田 裕史
(72)【発明者】
【氏名】菊地 孝宏
【テーマコード（参考）】
5E041
【Ｆターム（参考）】
5E041AB02
5E041AB19
5E041BD01
5E041CA01
5E041NN02
5E041NN13
5E041NN14
(57)【要約】
【課題】ＭｎＺｎ系フェライトに、Ｎｂ２Ｏ５，Ｖ２Ｏ５およびＬｉ２ＣＯ３を同時に添加することで、高初透磁率を維持しながら高周波のインピーダンスおよびΔＢ＝Ｂｍ－Ｂｒを向上させたノイズフィルタ向け高透磁率ＭｎＺｎ系フェライトを提供する。
【解決手段】基本成分をＦｅ２Ｏ３：５１.００～５４.００ｍｏｌ％、ＺｎＯ：１５.００～２１.００ｍｏｌ％、残部ＭｎＯとし、添加成分としてＳｉをＳｉＯ２換算で５０～１５０質量ｐｐｍ、ＣａをＣａＣＯ３換算で２５０～１１００質量ｐｐｍとし、さらにＮｂをＮｂ２Ｏ５換算で５０～５００質量ｐｐｍもしくはＶをＶ２Ｏ５換算で１００～７００質量ｐｐｍのいずれか、あるいは両方と、ＬｉをＬｉ２ＣＯ３換算で２００～６００質量ｐｐｍ（ただし２００質量ｐｐｍは含まない）とし、５００ｋ～３ＭＨｚのインピーダンスの最大値を４０Ω・ｍｍ－１以上かつ１００℃のときのΔＢ＝Ｂｍ－Ｂｒを２５０ｍＴ以上とする。
【選択図】なし
【解決手段】基本成分をＦｅ２Ｏ３：５１.００～５４.００ｍｏｌ％、ＺｎＯ：１５.００～２１.００ｍｏｌ％、残部ＭｎＯとし、添加成分としてＳｉをＳｉＯ２換算で５０～１５０質量ｐｐｍ、ＣａをＣａＣＯ３換算で２５０～１１００質量ｐｐｍとし、さらにＮｂをＮｂ２Ｏ５換算で５０～５００質量ｐｐｍもしくはＶをＶ２Ｏ５換算で１００～７００質量ｐｐｍのいずれか、あるいは両方と、ＬｉをＬｉ２ＣＯ３換算で２００～６００質量ｐｐｍ（ただし２００質量ｐｐｍは含まない）とし、５００ｋ～３ＭＨｚのインピーダンスの最大値を４０Ω・ｍｍ－１以上かつ１００℃のときのΔＢ＝Ｂｍ－Ｂｒを２５０ｍＴ以上とする。
【選択図】なし
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基本成分と副成分からなるＭｎＺｎ系フェライトであって、
上記基本成分として、
鉄：Ｆｅ２Ｏ３換算で５１．００～５４．００ｍｏｌ％、
亜鉛：ＺｎＯ換算で１５．００～２１．００ｍｏｌ％および
マンガン：残部
を含み、
上記副成分として、
Ｓｉ：ＳｉＯ２換算で５０～１５０質量ｐｐｍ、
Ｃａ：ＣａＣＯ３換算で２５０～１１００質量ｐｐｍ、
Ｎｂ：Ｎｂ２Ｏ５換算で５０～５００質量ｐｐｍおよび
Ｌｉ：Ｌｉ２ＣＯ３換算で２００質量ｐｐｍ超、６００質量ｐｐｍ以下
であるＭｎＺｎ系フェライト。
上記基本成分として、
鉄：Ｆｅ２Ｏ３換算で５１．００～５４．００ｍｏｌ％、
亜鉛：ＺｎＯ換算で１５．００～２１．００ｍｏｌ％および
マンガン：残部
を含み、
上記副成分として、
Ｓｉ：ＳｉＯ２換算で５０～１５０質量ｐｐｍ、
Ｃａ：ＣａＣＯ３換算で２５０～１１００質量ｐｐｍ、
Ｎｂ：Ｎｂ２Ｏ５換算で５０～５００質量ｐｐｍおよび
Ｌｉ：Ｌｉ２ＣＯ３換算で２００質量ｐｐｍ超、６００質量ｐｐｍ以下
であるＭｎＺｎ系フェライト。
【請求項2】
基本成分と副成分からなるＭｎＺｎ系フェライトであって、
上記基本成分として、
鉄：Ｆｅ２Ｏ３換算で５１．００～５４．００ｍｏｌ％、
亜鉛：ＺｎＯ換算で１５．００～２１．００ｍｏｌ％および
マンガン：残部
を含み、
上記副成分として、
Ｓｉ：ＳｉＯ２換算で５０～１５０質量ｐｐｍ、
Ｃａ：ＣａＣＯ３換算で２５０～１１００質量ｐｐｍ、
Ｖ：Ｖ２Ｏ５換算で１００～７００質量ｐｐｍおよび
Ｌｉ：Ｌｉ２ＣＯ３換算で２００質量ｐｐｍ超、６００質量ｐｐｍ以下
であるＭｎＺｎ系フェライト。
上記基本成分として、
鉄：Ｆｅ２Ｏ３換算で５１．００～５４．００ｍｏｌ％、
亜鉛：ＺｎＯ換算で１５．００～２１．００ｍｏｌ％および
マンガン：残部
を含み、
上記副成分として、
Ｓｉ：ＳｉＯ２換算で５０～１５０質量ｐｐｍ、
Ｃａ：ＣａＣＯ３換算で２５０～１１００質量ｐｐｍ、
Ｖ：Ｖ２Ｏ５換算で１００～７００質量ｐｐｍおよび
Ｌｉ：Ｌｉ２ＣＯ３換算で２００質量ｐｐｍ超、６００質量ｐｐｍ以下
であるＭｎＺｎ系フェライト。
【請求項3】
基本成分と副成分からなるＭｎＺｎ系フェライトであって、
上記基本成分として、
鉄：Ｆｅ２Ｏ３換算で５１．００～５４．００ｍｏｌ％、
亜鉛：ＺｎＯ換算で１５．００～２１．００ｍｏｌ％および
マンガン：残部
を含み、
上記副成分として、
Ｓｉ：ＳｉＯ２換算で５０～１５０質量ｐｐｍ、
Ｃａ：ＣａＣＯ３換算で２５０～１１００質量ｐｐｍ、
Ｎｂ：Ｎｂ２Ｏ５換算で５０～５００質量ｐｐｍ、
Ｖ：Ｖ２Ｏ５換算で１００～７００質量ｐｐｍおよび
Ｌｉ：Ｌｉ２ＣＯ３換算で２００質量ｐｐｍ超、６００質量ｐｐｍ以下
であるＭｎＺｎ系フェライト。
上記基本成分として、
鉄：Ｆｅ２Ｏ３換算で５１．００～５４．００ｍｏｌ％、
亜鉛：ＺｎＯ換算で１５．００～２１．００ｍｏｌ％および
マンガン：残部
を含み、
上記副成分として、
Ｓｉ：ＳｉＯ２換算で５０～１５０質量ｐｐｍ、
Ｃａ：ＣａＣＯ３換算で２５０～１１００質量ｐｐｍ、
Ｎｂ：Ｎｂ２Ｏ５換算で５０～５００質量ｐｐｍ、
Ｖ：Ｖ２Ｏ５換算で１００～７００質量ｐｐｍおよび
Ｌｉ：Ｌｉ２ＣＯ３換算で２００質量ｐｐｍ超、６００質量ｐｐｍ以下
であるＭｎＺｎ系フェライト。
【請求項4】
以下の（１）式で求められるΔＢ[ｍＴ]の値が、１００℃において２５０ｍＴ以上である請求項１～３のいずれか１項に記載のＭｎＺｎ系フェライト。
ΔＢ＝Ｂｍ－Ｂｒ ・・・（１）式
（ただし、Ｂｍは飽和磁束密度[ｍＴ]、Ｂｒは残留磁束密度[ｍＴ]である）
ΔＢ＝Ｂｍ－Ｂｒ ・・・（１）式
（ただし、Ｂｍは飽和磁束密度[ｍＴ]、Ｂｒは残留磁束密度[ｍＴ]である）
【請求項5】
周波数５００ｋＨｚ～３ＭＨｚの範囲において、以下の（２）式および（３）式で求められる規格化インピーダンスＺnorm[Ω・ｍｍ－１]の最大値が４０Ω・ｍｍ－１以上である請求項１～４のいずれか１項に記載のＭｎＺｎ系フェライト。
Ｚnorm=Ｚ・ｃ１／Ｎ２ ・・・（２）式
ｃ１＝ｌｅ／Ａｅ ・・・（３）式
（Ｚはインピーダンス[Ω]、ｃ１はコア定数[ｍｍ－１]、ｌｅは磁路長[ｍｍ]、Ａｅは断面積[ｍｍ２]、Ｎはコイルの巻き数[－]である）
Ｚnorm=Ｚ・ｃ１／Ｎ２ ・・・（２）式
ｃ１＝ｌｅ／Ａｅ ・・・（３）式
（Ｚはインピーダンス[Ω]、ｃ１はコア定数[ｍｍ－１]、ｌｅは磁路長[ｍｍ]、Ａｅは断面積[ｍｍ２]、Ｎはコイルの巻き数[－]である）
【請求項6】
１０ｋＨｚ、２３℃のμi’（初透磁率μiの実数部分）が４０００以上、かつ５００ｋＨｚ、２３℃のμi’（初透磁率μiの実数部分）が４５００以上である請求項１～５のいずれか１項に記載のＭｎＺｎ系フェライト。
【請求項7】
焼結密度が４．９７ｇ／ｃｍ３以上である請求項１～６のいずれか１項に記載のＭｎＺｎ系フェライト。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、スイッチング電源等のノイズ対策部品等に広く用いられているＭｎＺｎ系フェライトに関し、その磁性材料の磁気飽和特性と高周波特性を改善したノイズフィルタ用高透磁率ＭｎＺｎ系フェライトに関する。
【背景技術】
【0002】
軟磁性材料の一つとして代表的なＭｎＺｎ系フェライトは、スイッチング電源における電源トランスやノイズ対策用部品として広く用いられている。中でもノイズ対策部品として用いられるＭｎＺｎ系フェライトは、高透磁率であることが求められ、エアコン、テレビ、パソコンなどのあらゆる電子機器において、不要な電気成分（ノイズ）を取り除く役割を担うコモン・モード・チョークとして利用されている。
【0003】
近年では車の電動化が進み、カーエレクトロニクス分野においてＭｎＺｎ系フェライトが需要を伸ばしている。ここで、車載用途の場合、エンジンルーム周りになると、その周囲温度が－４０℃～１５０℃と幅広い温度範囲となる。そのため、かかる温度範囲の環境下のすべてで安定した特性を示すコモン・モード・チョークが必要となる。
【0004】
ここで、現在市販されているＭｎＺｎ系フェライトは、高透磁率といっても、室温における飽和磁束密度が４４０ｍＴ、１００℃における飽和磁束密度が２５０ｍＴ程度である。また、１００℃における飽和磁束密度Ｂｍと残留磁束密度Ｂｒの差であるΔＢは、高くとも１９０ｍＴ程度であるため、高温になると損失が大きくなる。そのため、かかるＭｎＺｎ系フェライトが使用されたノイズフィルタ用の部品は、その使用環境下で発熱してしまう。
よって、ΔＢという値は、ノイズフィルタ用途の場合、インバータやコンプレッサーなどが発するパルスノイズへの効果を考慮すると、高温でも安定して使用できるよう値を高く、例えば、１００℃のときには２５０ｍＴ以上にする必要がある。
よって、ΔＢという値は、ノイズフィルタ用途の場合、インバータやコンプレッサーなどが発するパルスノイズへの効果を考慮すると、高温でも安定して使用できるよう値を高く、例えば、１００℃のときには２５０ｍＴ以上にする必要がある。
【0005】
さらに、ノイズフィルタ用コモン・モード・チョークとしての機能を果たすためには、取り除きたいノイズの周波数において、そのノイズよりも十分に大きい規格化インピーダンスが必要となる。
特に近年では、電気自動車の車載用半導体として炭化ケイ素（ＳｉＣ）や窒化ガリウム（ＧａＮ）などのパワー半導体が導入され始めているが、これらパワー半導体は１ＭＨｚ以上の高周波帯域で大きなノイズを発生させる。従って、かかるパワー半導体と共に用いる場合は、高周波帯域のノイズを除去できる高い規格化インピーダンスを示すコモン・モード・チョークが必要である。
特に近年では、電気自動車の車載用半導体として炭化ケイ素（ＳｉＣ）や窒化ガリウム（ＧａＮ）などのパワー半導体が導入され始めているが、これらパワー半導体は１ＭＨｚ以上の高周波帯域で大きなノイズを発生させる。従って、かかるパワー半導体と共に用いる場合は、高周波帯域のノイズを除去できる高い規格化インピーダンスを示すコモン・モード・チョークが必要である。
【0006】
ＭｎＺｎ系フェライトは、アモルファス金属などと比較して安価であることから、ノイズフィルタとして導入しやすい反面、Ｆｅ２＋の含有量が多いことから、Ｆｅ３＋－Ｆｅ２＋間での電子の授受が起こりやすいため、比抵抗が０．１Ω・ｍオーダーと低い。かように比抵抗が低いと、使用する周波数帯が高くなるにつれ、フェライト内の渦電流による損失が急増し、初透磁率が低下する。それに伴ってインダクタンスが低下し、同時に規格化インピーダンスの最大値の低下および最大値をとる周波数の低周波化を招く。
そのため、ＭＨｚオーダーで高い規格化インピーダンスを得るためには、比抵抗が１０５Ω・ｍ以上とフェライトの中では比較的高いＮｉＺｎ系フェライトを用いるか、ＭｎＺｎ系フェライトのＦｅ２＋の量を減らして比抵抗を上昇させる必要がある。
そのため、ＭＨｚオーダーで高い規格化インピーダンスを得るためには、比抵抗が１０５Ω・ｍ以上とフェライトの中では比較的高いＮｉＺｎ系フェライトを用いるか、ＭｎＺｎ系フェライトのＦｅ２＋の量を減らして比抵抗を上昇させる必要がある。
【0007】
しかし、ＮｉＺｎ系フェライトの場合、低周波における初透磁率が数百程度と低くコモン・モード・チョークには向かない。他方、ＭｎＺｎ系フェライトの場合、フェライトのＦｅ２＋を減らすと磁気モーメントが減少して飽和磁束密度が低下するという問題点がある。
【0008】
比抵抗を上昇させるもう一つの手法として、金属酸化物を微量添加する方策がある。というのは、主成分以外の金属酸化物は、導電性を示さず、結晶組織の中で粒界に偏析する。そのため、粒界抵抗が上昇して、フェライト本体の比抵抗が上昇するからである。
【0009】
しかしながら、このように、高周波の規格化インピーダンスやΔＢを向上させるため、金属酸化物を微量添加して比抵抗を上昇させると、一般的には１０ｋＨｚ周辺の低周波における初透磁率が低下してしまうという問題点がある。
なお、本明細での規格化インピーダンスとは、実測したインピーダンスを寸法およびコイルの巻き数で規格化した値である。
なお、本明細での規格化インピーダンスとは、実測したインピーダンスを寸法およびコイルの巻き数で規格化した値である。
【0010】
ここで、特許文献１および特許文献２には、Ｎｂ２Ｏ５およびＶ２Ｏ５の添加により残留磁束密度が低減しΔＢが向上する効果が得られることが示されている。
また、特許文献３および特許文献４には、高周波の規格化インピーダンスやΔＢの向上に効果があるＮｂ，Ｖ，Ｌｉを含有したＭｎＺｎ系フェライトが開示されている。
また、特許文献３および特許文献４には、高周波の規格化インピーダンスやΔＢの向上に効果があるＮｂ，Ｖ，Ｌｉを含有したＭｎＺｎ系フェライトが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0011】
【特許文献1】特開平６－１４０２３１号公報
【特許文献2】特開平６－２８３３２０号公報
【特許文献3】特開２０１４－０８０３４４号公報
【特許文献4】特開２００１－３４２０５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0012】
前述したように、Ｎｂ２Ｏ５およびＶ２Ｏ５の添加により残留磁束密度が低減しΔＢが向上する効果が得られることが示されている。
しかしながら、特許文献１および特許文献２に記載の発明は、電源トランス用磁心として用いられるＭｎＺｎ系フェライトに適用されており、高透磁率材として初透磁率には言及されていない。なお、一般に添加物を加え、比抵抗を上昇させると、１０ｋＨｚ程度の低周波における初透磁率は低下するため、Ｎｂ２Ｏ５とＶ２Ｏ５のみの添加では十分な初透磁率が確保できずノイズ対策用フェライトとしては不向きといえる。
しかしながら、特許文献１および特許文献２に記載の発明は、電源トランス用磁心として用いられるＭｎＺｎ系フェライトに適用されており、高透磁率材として初透磁率には言及されていない。なお、一般に添加物を加え、比抵抗を上昇させると、１０ｋＨｚ程度の低周波における初透磁率は低下するため、Ｎｂ２Ｏ５とＶ２Ｏ５のみの添加では十分な初透磁率が確保できずノイズ対策用フェライトとしては不向きといえる。
【0013】
また、特許文献３および特許文献４に記載の発明は、いずれもΔＢと規格化インピーダンスの向上を目的としたものではない。
【0014】
よって、ＭｎＺｎ系フェライトをコモン・モード・チョークとして使用するためには、高初透磁率であることが必要であるため、従来技術では、低周波帯の初透磁率の低下を押さえながら高周波帯の規格化インピーダンスやΔＢの向上を図ることは解決されていない。
【0015】
本発明は、上記事情に鑑み開発されたもので、１０～１５０ｋＨｚ程度の周波帯における初透磁率の低下を防ぎつつ、１００℃のような高温でもΔＢが大きくかつ飽和しにくく、５００ｋＨｚ～３ＭＨｚの高周波帯での規格化インピーダンスの最大値を大きくすることで１０ｋＨｚ～３ＭＨｚにおけるノイズ除去能の高いノイズ対策用ＭｎＺｎ系フェライトを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0016】
すなわち、本発明の要旨構成は次のとおりである。
１．基本成分と副成分からなるＭｎＺｎ系フェライトであって、上記基本成分として、鉄：Ｆｅ２Ｏ３換算で５１．００～５４．００ｍｏｌ％、亜鉛：ＺｎＯ換算で１５．００～２１．００ｍｏｌ％およびマンガン：残部を含み、上記副成分として、Ｓｉ：ＳｉＯ２換算で５０～１５０質量ｐｐｍ、Ｃａ：ＣａＣＯ３換算で２５０～１１００質量ｐｐｍ、Ｎｂ：Ｎｂ２Ｏ５換算で５０～５００質量ｐｐｍおよびＬｉ：Ｌｉ２ＣＯ３換算で２００質量ｐｐｍ超、６００質量ｐｐｍ以下であるＭｎＺｎ系フェライト。
１．基本成分と副成分からなるＭｎＺｎ系フェライトであって、上記基本成分として、鉄：Ｆｅ２Ｏ３換算で５１．００～５４．００ｍｏｌ％、亜鉛：ＺｎＯ換算で１５．００～２１．００ｍｏｌ％およびマンガン：残部を含み、上記副成分として、Ｓｉ：ＳｉＯ２換算で５０～１５０質量ｐｐｍ、Ｃａ：ＣａＣＯ３換算で２５０～１１００質量ｐｐｍ、Ｎｂ：Ｎｂ２Ｏ５換算で５０～５００質量ｐｐｍおよびＬｉ：Ｌｉ２ＣＯ３換算で２００質量ｐｐｍ超、６００質量ｐｐｍ以下であるＭｎＺｎ系フェライト。
【0017】
２．基本成分と副成分からなるＭｎＺｎ系フェライトであって、上記基本成分として、鉄：Ｆｅ２Ｏ３換算で５１．００～５４．００ｍｏｌ％、亜鉛：ＺｎＯ換算で１５．００～２１．００ｍｏｌ％およびマンガン：残部を含み、上記副成分として、Ｓｉ：ＳｉＯ２換算で５０～１５０質量ｐｐｍ、Ｃａ：ＣａＣＯ３換算で２５０～１１００質量ｐｐｍ、Ｖ：Ｖ２Ｏ５換算で１００～７００質量ｐｐｍおよびＬｉ：Ｌｉ２ＣＯ３換算で２００質量ｐｐｍ超、６００質量ｐｐｍ以下であるＭｎＺｎ系フェライト。
【0018】
３．基本成分と副成分からなるＭｎＺｎ系フェライトであって、上記基本成分として、鉄：Ｆｅ２Ｏ３換算で５１．００～５４．００ｍｏｌ％、亜鉛：ＺｎＯ換算で１５．００～２１．００ｍｏｌ％およびマンガン：残部を含み、上記副成分として、Ｓｉ：ＳｉＯ２換算で５０～１５０質量ｐｐｍ、Ｃａ：ＣａＣＯ３換算で２５０～１１００質量ｐｐｍ、Ｎｂ：Ｎｂ２Ｏ５換算で５０～５００質量ｐｐｍ、Ｖ：Ｖ２Ｏ５換算で１００～７００質量ｐｐｍおよびＬｉ：Ｌｉ２ＣＯ３換算で２００質量ｐｐｍ超、６００質量ｐｐｍ以下であるＭｎＺｎ系フェライト。
【0019】
４．以下の（１）式で求められるΔＢ[ｍＴ]の値が、１００℃において２５０ｍＴ以上である前記１～３のいずれか１項に記載のＭｎＺｎ系フェライト。
ΔＢ＝Ｂｍ－Ｂｒ ・・・（１）式
（ただし、Ｂｍは飽和磁束密度[ｍＴ]、Ｂｒは残留磁束密度[ｍＴ]である）
ΔＢ＝Ｂｍ－Ｂｒ ・・・（１）式
（ただし、Ｂｍは飽和磁束密度[ｍＴ]、Ｂｒは残留磁束密度[ｍＴ]である）
【0020】
５．周波数５００ｋＨｚ～３ＭＨｚの範囲において、以下の（２）式および（３）式で求められる規格化インピーダンスＺnorm[Ω・ｍｍ－１]の最大値が４０Ω・ｍｍ－１以上である前記１～４のいずれか１項に記載のＭｎＺｎ系フェライト。
Ｚnorm=Ｚ・ｃ１／Ｎ２ ・・・（２）式
ｃ１＝ｌｅ／Ａｅ ・・・（３）式
（Ｚはインピーダンス[Ω]、ｃ１はコア定数[ｍｍ－１]、ｌｅは磁路長[ｍｍ]、Ａｅは断面積[ｍｍ２]、Ｎはコイルの巻き数[－]である）
Ｚnorm=Ｚ・ｃ１／Ｎ２ ・・・（２）式
ｃ１＝ｌｅ／Ａｅ ・・・（３）式
（Ｚはインピーダンス[Ω]、ｃ１はコア定数[ｍｍ－１]、ｌｅは磁路長[ｍｍ]、Ａｅは断面積[ｍｍ２]、Ｎはコイルの巻き数[－]である）
【0021】
６．１０ｋＨｚ、２３℃のμi’（初透磁率μiの実数部分）が４０００以上、かつ５００ｋＨｚ、２３℃のμi’（初透磁率μiの実数部分）が４５００以上である前記１～５のいずれか１項に記載のＭｎＺｎ系フェライト。
【0022】
７．焼結密度が４．９７ｇ／ｃｍ３以上である前記１～６のいずれか１項に記載のＭｎＺｎ系フェライト。
【発明の効果】
【0023】
本発明によれば、１００℃といった高温におけるΔＢ＝Ｂｍ－Ｂｒが大きく、高周波帯における規格化インピーダンス値の高い高透磁率ＭｎＺｎ系フェライトが得られ、高温かつ高周波に対応可能なコモン・モード・チョークとして使用できるＭｎＺｎ系フェライトが得られる。
【発明を実施するための形態】
【0024】
以下に、本発明について詳細に説明する。
本発明のＭｎＺｎ系フェライトは、前述のとおり、Ｆｅ，ＺｎおよびＭｎの酸化物を基本成分とする。なお、以下のｍｏｌ％は基本成分中の組成比である。
本発明のＭｎＺｎ系フェライトは、前述のとおり、Ｆｅ，ＺｎおよびＭｎの酸化物を基本成分とする。なお、以下のｍｏｌ％は基本成分中の組成比である。
【0025】
本発明では、鉄を、Ｆｅ２Ｏ３換算で５１．００～５４．００ｍｏｌ％含有する。Ｆｅ２Ｏ３換算で５１．００ｍｏｌ％未満では、室温の初透磁率が低下する。一方、Ｆｅ２Ｏ３換算で５４．００ｍｏｌ％を超えると室温の初透磁率が低下すると共に、損失成分が増え、相対損失係数ｔａｎδ／μｉが大きくなってしまうためである。好ましくは、Ｆｅ２Ｏ３換算で５１．５０～５４．００ｍｏｌ％の範囲である。より好ましくは、Ｆｅ２Ｏ３換算で５２．００～５３．９０ｍｏｌ％の範囲である。さらに好ましくは、Ｆｅ２Ｏ３換算で５２．５０～５３．８０ｍｏｌ％の範囲である。
加えて、Ｆｅ２Ｏ３は、上記下限未満になるとフェライトのＢｍが低下してしまい、十分なΔＢが得られなくなってしまう。一方、Ｆｅ２Ｏ３が上記上限を超えるとフェライトの初透磁率の低下を招き、本来の高透磁率材用途には不向きである。
加えて、Ｆｅ２Ｏ３は、上記下限未満になるとフェライトのＢｍが低下してしまい、十分なΔＢが得られなくなってしまう。一方、Ｆｅ２Ｏ３が上記上限を超えるとフェライトの初透磁率の低下を招き、本来の高透磁率材用途には不向きである。
【0026】
本発明では、亜鉛を、ＺｎＯ換算で１５．００～２１．００ｍｏｌ％含有する。ＺｎＯがかかる下限値未満になると、フェライトの比抵抗が低下し高周波特性が不良となる。一方、ＺｎＯがかかる上限値を超えるとフェライトのＢｍが低下し十分なΔＢが得られなくなってしまう。なお、ＺｎＯの好ましい範囲は、ＺｎＯ換算で１５．００ｍｏｌ％超、２１．００ｍｏｌ％以下である。より好ましくは、ＺｎＯ換算で１６．００～２０．００ｍｏｌ％である。さらに好ましくは、ＺｎＯ換算で１７．００～２０．００ｍｏｌ％である。
【0027】
本発明において、残部をＭｎとしたのは、Ｎｉの場合だと十分な初透磁率が得られないためである。なお、ＭｎＯの好ましい範囲は、２３．００～３０．００ｍｏｌ％、より好ましくは２５．００ｍｏｌ％以上３０．００ｍｏｌ％未満、さらに好ましくは２５．００～２９．５０ｍｏｌ％、よりさらに好ましくは２６．００～２９．４０ｍｏｌ％である。
【0028】
次に、副成分について説明する。
Ｓｉ：ＳｉＯ２換算で５０～１５０質量ｐｐｍ、Ｃａ：ＣａＣＯ３換算で２５０～１１００質量ｐｐｍ
ＳｉＯ２とＣａＣＯ３は、ともに結晶組織の中で粒界に偏析し、粒界の抵抗を向上させる。それに伴い高周波帯の初透磁率や規格化インピーダンスを向上させる働きがある。上記下限値よりも少ない場合、いずれも高周波におけるフェライトの初透磁率が急激に降下してしまい、高周波特性には不利になる。一方で上記上限値よりも多い場合、いずれも低周波におけるフェライトの初透磁率を著しく低下させてしまう。そのため、いずれの成分も上記範囲が適切である。なお、シリコンの好ましい添加範囲は、ＳｉＯ２換算で５５～１２０質量ｐｐｍである。また、カルシウムの好ましい添加範囲は、ＣａＣＯ３換算で３５０～１０８０質量ｐｐｍ、より好ましくは、ＣａＣＯ３換算で５００～１０５０質量ｐｐｍの範囲である。
Ｓｉ：ＳｉＯ２換算で５０～１５０質量ｐｐｍ、Ｃａ：ＣａＣＯ３換算で２５０～１１００質量ｐｐｍ
ＳｉＯ２とＣａＣＯ３は、ともに結晶組織の中で粒界に偏析し、粒界の抵抗を向上させる。それに伴い高周波帯の初透磁率や規格化インピーダンスを向上させる働きがある。上記下限値よりも少ない場合、いずれも高周波におけるフェライトの初透磁率が急激に降下してしまい、高周波特性には不利になる。一方で上記上限値よりも多い場合、いずれも低周波におけるフェライトの初透磁率を著しく低下させてしまう。そのため、いずれの成分も上記範囲が適切である。なお、シリコンの好ましい添加範囲は、ＳｉＯ２換算で５５～１２０質量ｐｐｍである。また、カルシウムの好ましい添加範囲は、ＣａＣＯ３換算で３５０～１０８０質量ｐｐｍ、より好ましくは、ＣａＣＯ３換算で５００～１０５０質量ｐｐｍの範囲である。
【0029】
Ｎｂ：Ｎｂ２Ｏ５換算で５０～５００質量ｐｐｍ
酸化ニオブＮｂ２Ｏ５は、粒界に偏析し、Ｃａと結合して粒内に残存しているＣａ２＋を粒界に引き寄せることで粒界を高抵抗化させ、渦電流損失を低減させるため高周波帯の規格化インピーダンスを高く維持することができ、残留磁束密度を低減させる効果があると考えられる。
本発明でＮｂ２Ｏ５の添加範囲を５０～５００質量ｐｐｍとしたのは、この範囲に満たないと前記した効果が十分に得られない一方で、この範囲を超えると異常粒成長を起こしてしまい、フェライトの比抵抗の低下および初透磁率の低下を招いてしまうためである。なお、ニオブの好ましい添加範囲は、Ｎｂ２Ｏ５換算で６０～４００質量ｐｐｍである。より好ましくは、Ｎｂ２Ｏ５換算で７０～３５０質量ｐｐｍ、さらに好ましくは、Ｎｂ２Ｏ５換算で２００～３００質量ｐｐｍの範囲である。
酸化ニオブＮｂ２Ｏ５は、粒界に偏析し、Ｃａと結合して粒内に残存しているＣａ２＋を粒界に引き寄せることで粒界を高抵抗化させ、渦電流損失を低減させるため高周波帯の規格化インピーダンスを高く維持することができ、残留磁束密度を低減させる効果があると考えられる。
本発明でＮｂ２Ｏ５の添加範囲を５０～５００質量ｐｐｍとしたのは、この範囲に満たないと前記した効果が十分に得られない一方で、この範囲を超えると異常粒成長を起こしてしまい、フェライトの比抵抗の低下および初透磁率の低下を招いてしまうためである。なお、ニオブの好ましい添加範囲は、Ｎｂ２Ｏ５換算で６０～４００質量ｐｐｍである。より好ましくは、Ｎｂ２Ｏ５換算で７０～３５０質量ｐｐｍ、さらに好ましくは、Ｎｂ２Ｏ５換算で２００～３００質量ｐｐｍの範囲である。
【0030】
Ｖ：Ｖ２Ｏ５換算で１００～７００質量ｐｐｍ
酸化バナジウムＶ２Ｏ５は、比較的融点が低く、焼成時に液相を形成することで結晶の緻密化を促進し、焼結密度を向上させ飽和磁束密度を増大させる効果を有する。また、Ｖ２Ｏ５は、Ｎｂ２Ｏ５と同様に粒界近傍でＣａ－Ｖ結合を形成しＣａ２＋が粒界に偏析することでフェライトの高抵抗化、渦電流損失の低減による高周波帯の規格化インピーダンスの向上、残留磁束密度の低減をもたらすと考えられる。なお、Ｖ２Ｏ５はＮｂ２Ｏ５よりも残留磁束密度の低減に大きな効果をもたらす。
加えて、液相焼結になることで粒界近傍の歪みが緩和されるので、粒界応力が低減して残留磁束密度が低減すると考えられる。本発明において、Ｖ２Ｏ５の添加範囲を１００～７００質量ｐｐｍとしたのは、１００質量ｐｐｍ未満の場合、前記の効果が十分に得られない一方で、７００質量ｐｐｍ超になるとフェライトの比抵抗が上昇してその初透磁率が大きく低下してしまうためである。なお、バナジウムの好ましい添加範囲は、Ｖ２Ｏ５換算で１５０～６００質量ｐｐｍである。より好ましくは、Ｖ２Ｏ５換算で１８０～５５０質量ｐｐｍ、さらに好ましくは、Ｖ２Ｏ５換算で３００～５００質量ｐｐｍの範囲である。
酸化バナジウムＶ２Ｏ５は、比較的融点が低く、焼成時に液相を形成することで結晶の緻密化を促進し、焼結密度を向上させ飽和磁束密度を増大させる効果を有する。また、Ｖ２Ｏ５は、Ｎｂ２Ｏ５と同様に粒界近傍でＣａ－Ｖ結合を形成しＣａ２＋が粒界に偏析することでフェライトの高抵抗化、渦電流損失の低減による高周波帯の規格化インピーダンスの向上、残留磁束密度の低減をもたらすと考えられる。なお、Ｖ２Ｏ５はＮｂ２Ｏ５よりも残留磁束密度の低減に大きな効果をもたらす。
加えて、液相焼結になることで粒界近傍の歪みが緩和されるので、粒界応力が低減して残留磁束密度が低減すると考えられる。本発明において、Ｖ２Ｏ５の添加範囲を１００～７００質量ｐｐｍとしたのは、１００質量ｐｐｍ未満の場合、前記の効果が十分に得られない一方で、７００質量ｐｐｍ超になるとフェライトの比抵抗が上昇してその初透磁率が大きく低下してしまうためである。なお、バナジウムの好ましい添加範囲は、Ｖ２Ｏ５換算で１５０～６００質量ｐｐｍである。より好ましくは、Ｖ２Ｏ５換算で１８０～５５０質量ｐｐｍ、さらに好ましくは、Ｖ２Ｏ５換算で３００～５００質量ｐｐｍの範囲である。
【0031】
Ｌｉ：Ｌｉ２ＣＯ３換算で２００質量ｐｐｍ超、６００質量ｐｐｍ以下
リチウムは通常酸化物の形態で存在し、酸化リチウムは、上記した他の添加物と同様に、フェライトの比抵抗を向上させる効果がある。また、酸化リチウムは、初透磁率の温度特性に影響を与える。
ＭｎＺｎ系フェライトの初透磁率は、一般的に磁性が消失する温度であるキュリー温度の直下でピークをとり、これをプライマリーピークと呼ぶ。また、ＭｎＺｎ系フェライトの初透磁率は、キュリー温度よりも低い温度で結晶磁気異方性定数Ｋ１が０となる温度で出現するピークがあり、かかるピークをセカンダリーピークと呼ぶが、酸化リチウムを添加すると、このセカンダリーピークが高温側に移動する。
リチウムは通常酸化物の形態で存在し、酸化リチウムは、上記した他の添加物と同様に、フェライトの比抵抗を向上させる効果がある。また、酸化リチウムは、初透磁率の温度特性に影響を与える。
ＭｎＺｎ系フェライトの初透磁率は、一般的に磁性が消失する温度であるキュリー温度の直下でピークをとり、これをプライマリーピークと呼ぶ。また、ＭｎＺｎ系フェライトの初透磁率は、キュリー温度よりも低い温度で結晶磁気異方性定数Ｋ１が０となる温度で出現するピークがあり、かかるピークをセカンダリーピークと呼ぶが、酸化リチウムを添加すると、このセカンダリーピークが高温側に移動する。
【0032】
一般的に高透磁率材の場合、室温付近（２５℃付近）にセカンダリーピークが出現する組成を選択するが、本発明では、あえてセカンダリーピークを１０～１５℃程度低温にずらした組成にＬｉ２ＣＯ３を添加して調整することで、セカンダリーピークを室温付近（２５℃付近）にシフトさせる。かかるセカンダリーピークのシフトによって、本発明は、フェライトの、高透磁率を維持しながら比抵抗を向上させ、その高周波特性の改善および残留磁束密度の低減といった効果を得ることができる。
【0033】
なお、上述のとおり、リチウムを添加するごとにセカンダリーピークが高温側にシフトするため、リチウム添加前のセカンダリーピークの温度によって量を調節する必要がある。具体的には、２００質量ｐｐｍ以下の場合セカンダリーピークのシフトが十分でない一方で、６００質量ｐｐｍ超ではセカンダリーピークが大きく高温側にずれてしまい、初透磁率の向上に寄与しないため、上記範囲とした。なお、リチウムの好ましい添加範囲は、Ｌｉ２ＣＯ３換算で２２０～５８０質量ｐｐｍである。より好ましくは、Ｌｉ２ＣＯ３換算で２５０～５５０質量ｐｐｍ、さらに好ましくは、Ｌｉ２ＣＯ３換算で３００～５００質量ｐｐｍの範囲である。
【0034】
これらＮｂ、ＶおよびＬｉの酸化物のうち少なくとも２つ、あるいは３つすべての添加による相乗効果によって、フェライトの、高初透磁率と高いΔＢの実現および高周波帯における高規格化インピーダンスの実現がいずれも可能となったと考えられる。
【0035】
本発明は、以下の（１）式で求められるΔＢ[ｍＴ]の値を、１００℃において２５０ｍＴ以上とする。ＭｎＺｎフェライトの高透磁率材(μiが４，０００以上)の場合は，飽和磁束密度が低く１００℃などの高温で磁気飽和を起こしやすいからである。なお、かかるΔＢ[ｍＴ]の値の好ましい上限は１００℃において３２０ｍＴ程度である。
ここで、従来は、１００℃における飽和磁束密度が２５０ｍＴ程度なので、ΔＢは１９０[ｍＴ]程度である。
ΔＢ＝Ｂｍ－Ｂｒ ・・・（１）式
（ただし、Ｂｍは飽和磁束密度[ｍＴ]、Ｂｒは残留磁束密度[ｍＴ]である）
ここで、従来は、１００℃における飽和磁束密度が２５０ｍＴ程度なので、ΔＢは１９０[ｍＴ]程度である。
ΔＢ＝Ｂｍ－Ｂｒ ・・・（１）式
（ただし、Ｂｍは飽和磁束密度[ｍＴ]、Ｂｒは残留磁束密度[ｍＴ]である）
【0036】
本発明は、周波数５００ｋＨｚ～３ＭＨｚの範囲において、以下の（２）式および（３）式で求められる規格化インピーダンスＺnorm[Ω・ｍｍ－１]の１ＭＨｚ付近で生じる最大値を４０Ω・ｍｍ－１以上とする。1ＭＨｚ付近のノイズを除去するためである。なお、かかる最大値の好ましい上限は６５Ω・ｍｍ－１程度である
ここで、従来は、高透磁率材の場合、高周波におけるインダクタンスは低いので、規格化インピーダンスＺnormは３０[Ω・ｍｍ－１]程度である。
Ｚnorm=Ｚ・ｃ１／Ｎ２ ・・・（２）式
ｃ１＝ｌｅ／Ａｅ ・・・（３）式
（Ｚはインピーダンス[Ω]、ｃ１はコア定数[ｍｍ－１]、ｌｅは磁路長[ｍｍ]、Ａｅは断面積[ｍｍ２]、Ｎはコイルの巻き数[－]である）
ここで、従来は、高透磁率材の場合、高周波におけるインダクタンスは低いので、規格化インピーダンスＺnormは３０[Ω・ｍｍ－１]程度である。
Ｚnorm=Ｚ・ｃ１／Ｎ２ ・・・（２）式
ｃ１＝ｌｅ／Ａｅ ・・・（３）式
（Ｚはインピーダンス[Ω]、ｃ１はコア定数[ｍｍ－１]、ｌｅは磁路長[ｍｍ]、Ａｅは断面積[ｍｍ２]、Ｎはコイルの巻き数[－]である）
【0037】
本発明は、１０ｋＨｚ、２３℃のμi’（初透磁率μiの実数部分）を４０００以上、かつ５００ｋＨｚ、２３℃のμi’（初透磁率μiの実数部分）を４５００以上とするのが好ましい。なお、１０ｋＨｚ、２３℃のμi’（初透磁率μiの実数部分）の好ましい上限は６５００程度、また５００ｋＨｚ、２３℃のμi’（初透磁率μiの実数部分）の好ましい上限は６５００程度である。
【0038】
焼結密度について、本発明のＭｎＺｎ系フェライトは４．９７ｇ／ｃｍ３以上が望ましい。これを満たすことで飽和磁束密度が４．９７ｇ／ｃｍ３未満の焼結密度の場合よりも向上し、ΔＢの向上に寄与するためである。なお、好ましい上限は５．１０ｇ／ｃｍ３程度である。
【0039】
かかる焼結密度を達成するには、１３７０℃またはそれ以上という高温で焼成することが望ましい。また、焼成時間についてはより長いほど焼結密度が高まり好ましいといえる。しかし、焼成時間が長すぎると特性は上がるが生産性などが低下してしまうため、実用的な範囲として１２時間程度が上限である。また、焼成温度も高すぎるとＺｎの蒸発量が増大してしまい、組成変動に大きく影響してしまうため、１４５０℃程度を上限とするのが好ましい。さらに、高温長時間で焼成するほど結晶粒が大きく成長し、初透磁率は高くなるが粒内の渦電流が流れやすくなるため、渦電流損失が増大し、高周波における初透磁率や規格化インピーダンスが低下するため、温度は１３７０～１３８５℃、時間は２～４時間がより好ましい焼成の条件と考えられる。
【0040】
なお、本発明におけるＭｎＺｎ系フェライトを製造する方法は、本明細に記載のないかぎり、いずれも常法を用いることができる。
【実施例0041】
[実施例１]
含有する鉄、亜鉛およびマンガンをすべてＦｅ２Ｏ３，ＺｎＯおよびＭｎＯとして換算した場合に、Ｆｅ２Ｏ３，ＺｎＯおよびＭｎＯの比率が５３．４４：１７．０９：２７．４７ｍｏｌ％となるように秤量した原料粉末を、湿式ボールミルを用いて１６時間混合し、大気中で９２５℃、３時間の条件で仮焼した。次に、この仮焼粉に酸化ケイ素、酸化カルシウム、酸化ニオブおよび酸化リチウムをそれぞれＳｉＯ２，ＣａＣＯ３，Ｎｂ２Ｏ５およびＬｉ２ＣＯ３の換算で表１に示す比率で添加し、湿式ボールミルで１６時間粉砕を行った。かかる粉砕後、乾燥して得られた粉砕粉にポリビニルアルコール（ＰＶＡ）を加え、篩に通して造粒し造粒紛とした。かかる造粒紛を、トロイダル状に成形し成形体とした後、この成形体をバッチ型焼成炉に導入し、最高温度１３７０℃で２時間、窒素ガスと空気を適宜混合したガス流中で焼成し、外径３０ｍｍ、内径１９ｍｍ、高さ６ｍｍの焼結体トロイダルコアとした。
含有する鉄、亜鉛およびマンガンをすべてＦｅ２Ｏ３，ＺｎＯおよびＭｎＯとして換算した場合に、Ｆｅ２Ｏ３，ＺｎＯおよびＭｎＯの比率が５３．４４：１７．０９：２７．４７ｍｏｌ％となるように秤量した原料粉末を、湿式ボールミルを用いて１６時間混合し、大気中で９２５℃、３時間の条件で仮焼した。次に、この仮焼粉に酸化ケイ素、酸化カルシウム、酸化ニオブおよび酸化リチウムをそれぞれＳｉＯ２，ＣａＣＯ３，Ｎｂ２Ｏ５およびＬｉ２ＣＯ３の換算で表１に示す比率で添加し、湿式ボールミルで１６時間粉砕を行った。かかる粉砕後、乾燥して得られた粉砕粉にポリビニルアルコール（ＰＶＡ）を加え、篩に通して造粒し造粒紛とした。かかる造粒紛を、トロイダル状に成形し成形体とした後、この成形体をバッチ型焼成炉に導入し、最高温度１３７０℃で２時間、窒素ガスと空気を適宜混合したガス流中で焼成し、外径３０ｍｍ、内径１９ｍｍ、高さ６ｍｍの焼結体トロイダルコアとした。
【0042】
かくして得られたトロイダルコアに対し、２３℃にてアルキメデス法により焼結密度を算出し、４端子法によって比抵抗を測定した。
次いで、上記トロイダルコアに銅線を１０ターン巻き、ＬＣＲメータ（キーサイト社製４９８０Ａ）を用いて１０ｋＨｚのときの－２０～２００℃の範囲でインダクタンスＬと品質係数Ｑを測定し、その値を基に計算した初透磁率からキュリー温度ＴＣを算出した。また、２３℃のときの１ｋ～３０ＭＨｚのインダクタンスＬと品質係数Ｑを測定し、その値を基に初透磁率およびコア定数で規格化した規格化インピーダンスＺ・ｃ１／Ｎ２を算出した。
また、上記トロイダルコアに１次側４０ターン、２次側２０ターンの銅線を巻き、直流磁化特性試験装置を用い、磁化力Ｈを最大１２００Ａ／ｍとして、その飽和磁束密度および残留磁束密度を測定した。なお、ΔＢは飽和磁束密度と残留磁束密度の差として算出した。
微量添加物の影響を調査した結果を表１に併記する。
次いで、上記トロイダルコアに銅線を１０ターン巻き、ＬＣＲメータ（キーサイト社製４９８０Ａ）を用いて１０ｋＨｚのときの－２０～２００℃の範囲でインダクタンスＬと品質係数Ｑを測定し、その値を基に計算した初透磁率からキュリー温度ＴＣを算出した。また、２３℃のときの１ｋ～３０ＭＨｚのインダクタンスＬと品質係数Ｑを測定し、その値を基に初透磁率およびコア定数で規格化した規格化インピーダンスＺ・ｃ１／Ｎ２を算出した。
また、上記トロイダルコアに１次側４０ターン、２次側２０ターンの銅線を巻き、直流磁化特性試験装置を用い、磁化力Ｈを最大１２００Ａ／ｍとして、その飽和磁束密度および残留磁束密度を測定した。なお、ΔＢは飽和磁束密度と残留磁束密度の差として算出した。
微量添加物の影響を調査した結果を表１に併記する。
【0043】
【表1】
【0044】
表１に示した実施例のように、Ｎｂ２Ｏ５とＬｉ２ＣＯ３，Ｖ２Ｏ５とＬｉ２ＣＯ３，Ｎｂ２Ｏ５とＶ２Ｏ５とＬｉ２ＣＯ３という組み合わせで微量添加物を加えると、初透磁率はＬｉ２ＣＯ３の効果で無添加の場合と比べ向上し、規格化インピーダンスの最大値が４０Ω・ｍｍ－１以上になった。さらに、ΔＢは１００℃のとき２５０ｍＴ以上を得ることができた。
【0045】
[実施例２]
原料粉末を表２に記載のとおりに、秤量、混合、仮焼し、仮焼粉に酸化ケイ素、酸化カルシウムをそれぞれＳｉＯ２，ＣａＣＯ３の換算で表２に示した比率で、酸化ニオブ、酸化バナジウムおよび酸化リチウムをＮｂ２Ｏ５，Ｖ２Ｏ５およびＬｉ２ＣＯ３の換算でそれぞれ３００、５００および３００質量ｐｐｍ添加した。その後実施例１と同様に粉砕、造粒、成形を行い、成形体をバッチ型焼成炉に導入し、最高温度１３７０℃で２時間焼成することで実施例１と同様の焼結体トロイダルコアを得た。
原料粉末を表２に記載のとおりに、秤量、混合、仮焼し、仮焼粉に酸化ケイ素、酸化カルシウムをそれぞれＳｉＯ２，ＣａＣＯ３の換算で表２に示した比率で、酸化ニオブ、酸化バナジウムおよび酸化リチウムをＮｂ２Ｏ５，Ｖ２Ｏ５およびＬｉ２ＣＯ３の換算でそれぞれ３００、５００および３００質量ｐｐｍ添加した。その後実施例１と同様に粉砕、造粒、成形を行い、成形体をバッチ型焼成炉に導入し、最高温度１３７０℃で２時間焼成することで実施例１と同様の焼結体トロイダルコアを得た。
【0046】
得られたトロイダルコアを、実施例１と同じ方法、手順を用いて、同項目を測定した。
基本組成、ＳｉＯ２およびＣａＣＯ３の添加量を変化させ、Ｎｂ２Ｏ５，Ｖ２Ｏ５およびＬｉ２ＣＯ３の効果を調査した実施例の結果を表２に併記する。なお、比較例１１、１２ではＮｂ２Ｏ５，Ｖ２Ｏ５およびＬｉ２ＣＯ３を添加しなかった。
基本組成、ＳｉＯ２およびＣａＣＯ３の添加量を変化させ、Ｎｂ２Ｏ５，Ｖ２Ｏ５およびＬｉ２ＣＯ３の効果を調査した実施例の結果を表２に併記する。なお、比較例１１、１２ではＮｂ２Ｏ５，Ｖ２Ｏ５およびＬｉ２ＣＯ３を添加しなかった。
【0047】
【表2】
【0048】
表２に示したように、基本組成やＳｉＯ２およびＣａＣＯ３の添加量が変化しても、Ｎｂ２Ｏ５，Ｖ２Ｏ５およびＬｉ２ＣＯ３の添加効果により前記実施例１の結果と同様に、初透磁率および飽和磁束密度、ΔＢ、高周波における規格化インピーダンスの向上が見られる。