(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022095788
(43)【公開日】2022-06-28
(54)【発明の名称】表示基板、表示基板の製造方法、表示パネル及び表示装置
(51)【国際特許分類】
H05B 33/04 20060101AFI20220621BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20220621BHJP
H01L 27/32 20060101ALI20220621BHJP
H01L 51/50 20060101ALI20220621BHJP
H05B 33/02 20060101ALI20220621BHJP
H05B 33/10 20060101ALI20220621BHJP
【ＦＩ】
H05B33/04
G09F9/30 310
G09F9/30 309
G09F9/30 365
H01L27/32
H05B33/14 A
H05B33/02
H05B33/10
【審査請求】有
【請求項の数】10
【出願形態】ＯＬ
【外国語出願】
(21)【出願番号】P 2022059777
(22)【出願日】2022-03-31
(62)【分割の表示】P 2019536253の分割
【原出願日】2018-04-04
(31)【優先権主張番号】201810076879.6
(32)【優先日】2018-01-26
(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN
(71)【出願人】
【識別番号】510280589
【氏名又は名称】京東方科技集團股▲ふん▼有限公司
【氏名又は名称原語表記】ＢＯＥ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ＧＲＯＵＰ ＣＯ．，ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】Ｎｏ．１０ Ｊｉｕｘｉａｎｑｉａｏ Ｒｄ．，Ｃｈａｏｙａｎｇ Ｄｉｓｔｒｉｃｔ，Ｂｅｉｊｉｎｇ １０００１５，ＣＨＩＮＡ
(74)【代理人】
【識別番号】100133514
【弁理士】
【氏名又は名称】寺山 啓進
(74)【代理人】
【識別番号】100070024
【弁理士】
【氏名又は名称】松永 宣行
(74)【代理人】
【識別番号】100195257
【弁理士】
【氏名又は名称】大渕 一志
(72)【発明者】
【氏名】スン、 チョンユアン
(72)【発明者】
【氏名】ワン、 ウェイ
(72)【発明者】
【氏名】ワン、 ルー
(57)【要約】 （修正有）
【課題】水及び酸素がＯＬＥＤデバイスに浸透するのを阻止するためのパッケージング技術を提供する。
【解決手段】表示基板は、ベース基板１と、前記ベース基板の表示領域Ｂにある表示構造２０と、前記ベース基板の表示領域の周りの周辺領域にある少なくとも一つの遮断構造と、前記基板における第１遮水層１０とを含んでいて良い。前記第１遮水層は、前記表示構造及び前記少なくとも一つの遮断構造を覆っていて良い。前記遮断構造は、前記遮断構造の前記表示領域とは反対側で第１遮水層に生じたクラックが前記表示領域に伝搬するのを阻止するように構成されていて良い。
【選択図】図１
【解決手段】表示基板は、ベース基板１と、前記ベース基板の表示領域Ｂにある表示構造２０と、前記ベース基板の表示領域の周りの周辺領域にある少なくとも一つの遮断構造と、前記基板における第１遮水層１０とを含んでいて良い。前記第１遮水層は、前記表示構造及び前記少なくとも一つの遮断構造を覆っていて良い。前記遮断構造は、前記遮断構造の前記表示領域とは反対側で第１遮水層に生じたクラックが前記表示領域に伝搬するのを阻止するように構成されていて良い。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
表示基板であって、
ベース基板と、
前記ベース基板の表示領域にある表示構造と、
前記ベース基板の前記表示領域を囲む周辺領域にある少なくとも一つの遮断構造と、
前記基板上にあり、前記表示構造及び前記少なくとも一つの遮断構造を覆う第１遮水層
とを含み、
前記少なくとも一つの遮断構造は、前記遮断構造の前記表示領域とは反対側で第１遮水
層に生じたクラックが前記表示領域に伝搬するのを阻止するように構成される、表示基板
。
ベース基板と、
前記ベース基板の表示領域にある表示構造と、
前記ベース基板の前記表示領域を囲む周辺領域にある少なくとも一つの遮断構造と、
前記基板上にあり、前記表示構造及び前記少なくとも一つの遮断構造を覆う第１遮水層
とを含み、
前記少なくとも一つの遮断構造は、前記遮断構造の前記表示領域とは反対側で第１遮水
層に生じたクラックが前記表示領域に伝搬するのを阻止するように構成される、表示基板
。
【請求項2】
前記遮断構造と前記ベース基板との界面の境界における第１遮水層の厚さは、前記遮断
構造の前記ベース基板から最も遠い表面を覆う遮水層の厚さより小さい請求項１に記載の
表示基板。
構造の前記ベース基板から最も遠い表面を覆う遮水層の厚さより小さい請求項１に記載の
表示基板。
【請求項3】
前記遮断構造の前記ベース基板から最も遠い端面の面積は、前記遮断構造と前記ベース
基板との界面の面積より大きい請求項１に記載の表示基板。
基板との界面の面積より大きい請求項１に記載の表示基板。
【請求項4】
前記遮断構造は前記ベース基板上の少なくとも一つの突起を含み、前記突起の前記ベー
ス基板に平行な平面における断面積は、前記突起の突出方向に沿って徐々に増加する請求
項３に記載の表示基板。
ス基板に平行な平面における断面積は、前記突起の突出方向に沿って徐々に増加する請求
項３に記載の表示基板。
【請求項5】
前記突起の前記ベース基板に平行な平面における正投影は円形である請求項４に記載の
表示基板。
表示基板。
【請求項6】
前記ベース基板の表示領域を囲む周辺領域に少なくとも一つの溝が設けられており、
前記突起の前記少なくとも一つの溝に面する表面に少なくとも一つのサブ突起が設けら
れており、
前記少なくとも一つのサブ突起は、それぞれ前記少なくとも一つの溝の内部にある請求
項４に記載の表示基板。
前記突起の前記少なくとも一つの溝に面する表面に少なくとも一つのサブ突起が設けら
れており、
前記少なくとも一つのサブ突起は、それぞれ前記少なくとも一つの溝の内部にある請求
項４に記載の表示基板。
【請求項7】
前記ベース基板の表示領域を囲む周辺領域に溝が設けられており、
前記突起は前記溝内に配置されており、前記突起の一部は前記溝の開口から突出し、
前記突起の前記基板の表面から最も遠い端面の面積は、前記溝の開口の面積以上である
請求項４に記載の表示基板。
前記突起は前記溝内に配置されており、前記突起の一部は前記溝の開口から突出し、
前記突起の前記基板の表面から最も遠い端面の面積は、前記溝の開口の面積以上である
請求項４に記載の表示基板。
【請求項8】
前記溝の底面に少なくとも一つのサブ突起が設けられており、
前記突起の前記溝の底面に面する表面に少なくとも一つのサブ溝が設けられており、
前記少なくとも一つのサブ突起は、それぞれ前記少なくとも一つのサブ溝の内部に配置
されている請求項７に記載の表示基板。
前記突起の前記溝の底面に面する表面に少なくとも一つのサブ溝が設けられており、
前記少なくとも一つのサブ突起は、それぞれ前記少なくとも一つのサブ溝の内部に配置
されている請求項７に記載の表示基板。
【請求項9】
前記ベース基板の表示領域を囲む周辺領域に溝が設けられており、
前記溝に少なくとも一つの島状構造が配置されており、
前記少なくとも一つの突起は、それぞれ前記少なくとも一つの島状構造に配置されてい
る請求項４に記載の表示基板。
前記溝に少なくとも一つの島状構造が配置されており、
前記少なくとも一つの突起は、それぞれ前記少なくとも一つの島状構造に配置されてい
る請求項４に記載の表示基板。
【請求項10】
前記ベース基板の表示領域を囲む周辺領域に溝が設けられており、
前記突起の前記溝に対向する表面に充填部が設けられており、前記充填部は前記溝の内
部に充填されている請求項４に記載の表示基板。
前記突起の前記溝に対向する表面に充填部が設けられており、前記充填部は前記溝の内
部に充填されている請求項４に記載の表示基板。
【請求項11】
前記遮断構造は、前記表示構造が位置する前記ベース基板の表面から陥没した溝を含み
、前記溝の前記ベース基板に平行な平面における断面積は、前記溝の陥没方向に沿って徐
々に増加する請求項１に記載の表示基板。
、前記溝の前記ベース基板に平行な平面における断面積は、前記溝の陥没方向に沿って徐
々に増加する請求項１に記載の表示基板。
【請求項12】
前記ベース基板はキャリアボードを含み、
前記溝は前記キャリアボードの内部に配置されている請求項６～１１のいずれか一項に
記載の表示基板。
前記溝は前記キャリアボードの内部に配置されている請求項６～１１のいずれか一項に
記載の表示基板。
【請求項13】
前記ベース基板は、キャリアボードと、前記キャリアボードに配置された誘電体層とを
含み、
前記溝は前記誘電体層の内部に配置されている請求項６～１１のいずれか一項に記載の
表示基板。
含み、
前記溝は前記誘電体層の内部に配置されている請求項６～１１のいずれか一項に記載の
表示基板。
【請求項14】
前記遮断構造は、前記ベース基板上の少なくとも一つの突起を含み、前記突起の前記ベ
ース基板に平行な平面における断面積は、前記突起の突出方向に沿って、まず増加してか
らその後減少する請求項１に記載の表示基板。
ース基板に平行な平面における断面積は、前記突起の突出方向に沿って、まず増加してか
らその後減少する請求項１に記載の表示基板。
【請求項15】
前記突起の前記ベース基板に垂直な平面における正投影の形状は等脚台形である請求項
４に記載の表示基板。
４に記載の表示基板。
【請求項16】
前記溝の前記ベース基板に垂直な平面における正投影の形状は等脚台形である請求項１
１に記載の表示基板。
１に記載の表示基板。
【請求項17】
前記少なくとも一つの遮断構造は複数の遮断構造を含み、
前記複数の前記遮断構造は、前記表示領域を少なくとも一周囲み、且つ間隔をおいて配
置されている請求項１に記載の表示基板。
前記複数の前記遮断構造は、前記表示領域を少なくとも一周囲み、且つ間隔をおいて配
置されている請求項１に記載の表示基板。
【請求項18】
第２遮水層と、有機層とを更に含み、
前記第２遮水層は、前記表示構造及び前記遮断構造を覆い、
前記有機層は、前記第２遮水層の前記表示領域における部分を覆い、
前記第１遮水層は、前記有機層及び前記第２遮水層を覆っている請求項１に記載の表示
基板。
前記第２遮水層は、前記表示構造及び前記遮断構造を覆い、
前記有機層は、前記第２遮水層の前記表示領域における部分を覆い、
前記第１遮水層は、前記有機層及び前記第２遮水層を覆っている請求項１に記載の表示
基板。
【請求項19】
前記ベース基板上の位置決め構造を更に含み、
前記位置決め構造は、前記遮断構造の前記表示構造に隣接する側に位置し、且つ前記有
機層の周りの環状凸部を含む請求項１７に記載の表示基板。
前記位置決め構造は、前記遮断構造の前記表示構造に隣接する側に位置し、且つ前記有
機層の周りの環状凸部を含む請求項１７に記載の表示基板。
【請求項20】
請求項１～１９のいずれか一項に記載の表示基板を含む表示パネル。
【請求項21】
請求項２０に記載の表示パネルを含む表示装置。
【請求項22】
表示基板の製造方法であって、
ベース基板を提供するステップと、
前記ベース基板の表示領域に表示構造を形成するステップと、
前記ベース基板の前記表示領域の周りの周辺領域に遮断構造を形成するステップと、
前記表示構造及び前記遮断構造を覆う第１遮水層を形成するステップとを含み、
前記遮断構造は、前記遮水層を薄くしたり切断したりすることにより、前記遮断構造の
前記表示領域とは反対側で第１遮水層に生じたクラックが前記表示領域に伝搬するのを阻
止するように構成される表示基板の製造方法。
ベース基板を提供するステップと、
前記ベース基板の表示領域に表示構造を形成するステップと、
前記ベース基板の前記表示領域の周りの周辺領域に遮断構造を形成するステップと、
前記表示構造及び前記遮断構造を覆う第１遮水層を形成するステップとを含み、
前記遮断構造は、前記遮水層を薄くしたり切断したりすることにより、前記遮断構造の
前記表示領域とは反対側で第１遮水層に生じたクラックが前記表示領域に伝搬するのを阻
止するように構成される表示基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本出願は、２０１８年１月２６日に中国特許庁に提出された中国特許出願２０１８１０
０７６８７９．６の優先権を主張し、その全ての内容が援用により本出願に取り込まれる
。
０７６８７９．６の優先権を主張し、その全ての内容が援用により本出願に取り込まれる
。
【0002】
本発明は、表示技術に関し、より詳しくは、表示基板、表示基板の製造方法、表示パネ
ル及び表示装置に関する。
ル及び表示装置に関する。
【背景技術】
【0003】
情報技術の発展に伴って、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）は次世代ディスプレイとし
て高く期待されている。ＬＣＤディスプレイと比べて、ＯＬＥＤディスプレイは、より速
いレスポンス、より高いコントラスト、より広い視野角及びより良好な低温耐性等の利点
を有する。しかしながら、有機電界発光素子等の有機発光材料及びカソード等の金属材料
は極めて耐水性に劣るため、ＯＬＥＤデバイスの性能が湿気によって急速に劣化し得る。
そのため、水及び酸素がＯＬＥＤデバイスに浸透するのを阻止するためにパッケージング
技術を利用する必要がある。
て高く期待されている。ＬＣＤディスプレイと比べて、ＯＬＥＤディスプレイは、より速
いレスポンス、より高いコントラスト、より広い視野角及びより良好な低温耐性等の利点
を有する。しかしながら、有機電界発光素子等の有機発光材料及びカソード等の金属材料
は極めて耐水性に劣るため、ＯＬＥＤデバイスの性能が湿気によって急速に劣化し得る。
そのため、水及び酸素がＯＬＥＤデバイスに浸透するのを阻止するためにパッケージング
技術を利用する必要がある。
【発明の概要】
【0004】
従って、本開示の一例は、表示基板である。前記表示基板は、ベース基板と、前記ベー
ス基板の表示領域にある表示構造と、前記ベース基板の前記表示領域を囲む周辺領域にあ
る少なくとも一つの遮断構造と、前記基板上にあり、前記表示構造及び前記少なくとも一
つの遮断構造を覆う第１遮水層とを含んでいて良い。前記少なくとも一つの遮断構造は、
前記遮断構造の前記表示領域とは反対側で第１遮水層に生じたクラックが前記表示領域に
伝搬するのを阻止するように構成されて良い。前記遮断構造と前記ベース基板との界面の
境界における第１遮水層の厚さは、前記遮断構造の前記ベース基板から最も遠い表面を覆
う遮水層の厚さより小さくて良い。前記遮断構造の前記ベース基板から最も遠い端面の面
積は、前記遮断構造と前記ベース基板との界面の面積より大きくて良い。
ス基板の表示領域にある表示構造と、前記ベース基板の前記表示領域を囲む周辺領域にあ
る少なくとも一つの遮断構造と、前記基板上にあり、前記表示構造及び前記少なくとも一
つの遮断構造を覆う第１遮水層とを含んでいて良い。前記少なくとも一つの遮断構造は、
前記遮断構造の前記表示領域とは反対側で第１遮水層に生じたクラックが前記表示領域に
伝搬するのを阻止するように構成されて良い。前記遮断構造と前記ベース基板との界面の
境界における第１遮水層の厚さは、前記遮断構造の前記ベース基板から最も遠い表面を覆
う遮水層の厚さより小さくて良い。前記遮断構造の前記ベース基板から最も遠い端面の面
積は、前記遮断構造と前記ベース基板との界面の面積より大きくて良い。
【0005】
前記遮断構造は前記ベース基板上の少なくとも一つの突起を含んでいても良く、前記突
起の前記ベース基板に平行な平面における断面積は、前記突起の突出方向に沿って徐々に
増加していても良い。前記突起の前記ベース基板に平行な平面における正投影は円形であ
っても良い。
起の前記ベース基板に平行な平面における断面積は、前記突起の突出方向に沿って徐々に
増加していても良い。前記突起の前記ベース基板に平行な平面における正投影は円形であ
っても良い。
【0006】
一実施形態では、前記ベース基板の表示領域を囲む周辺領域に少なくとも一つの溝が設
けられていても良い。前記突起の前記少なくとも一つの溝に面する表面に、少なくとも一
つのサブ突起が設けられていても良い。前記少なくとも一つのサブ突起は、それぞれ前記
少なくとも一つの溝の内部にあっても良い。
けられていても良い。前記突起の前記少なくとも一つの溝に面する表面に、少なくとも一
つのサブ突起が設けられていても良い。前記少なくとも一つのサブ突起は、それぞれ前記
少なくとも一つの溝の内部にあっても良い。
【0007】
一実施形態では、前記ベース基板の表示領域を囲む周辺領域に溝が設けられていても良
く、前記突起は前記溝内に配置されていても良く、前記突起の一部は前記溝の開口から突
出し、前記突起の前記基板の表面から最も遠い端面の面積は、前記溝の開口の面積以上で
あっても良い。
く、前記突起は前記溝内に配置されていても良く、前記突起の一部は前記溝の開口から突
出し、前記突起の前記基板の表面から最も遠い端面の面積は、前記溝の開口の面積以上で
あっても良い。
【0008】
一実施形態では、前記溝の底面に少なくとも一つのサブ突起が設けられていても良く、
前記突起の前記溝の底面に面する面に、少なくとも一つのサブ溝が設けられていても良く
、前記少なくとも一つのサブ突起は、それぞれ前記少なくとも一つのサブ溝の内部に配置
されていても良い。
前記突起の前記溝の底面に面する面に、少なくとも一つのサブ溝が設けられていても良く
、前記少なくとも一つのサブ突起は、それぞれ前記少なくとも一つのサブ溝の内部に配置
されていても良い。
【0009】
一実施形態では、前記ベース基板の表示領域を囲む周辺領域に溝が設けられていても良
く、前記溝に少なくとも一つの島状構造が配置されていても良く、前記少なくとも一つの
突起は、それぞれ前記少なくとも一つの島状構造に配置されていても良い。
く、前記溝に少なくとも一つの島状構造が配置されていても良く、前記少なくとも一つの
突起は、それぞれ前記少なくとも一つの島状構造に配置されていても良い。
【0010】
一実施形態では、前記ベース基板の表示領域を囲む周辺領域に溝が設けられていても良
く、前記突起の前記溝に対向する表面に充填部が設けられていても良く、前記充填部は前
記溝の内部に充填されていても良い。
く、前記突起の前記溝に対向する表面に充填部が設けられていても良く、前記充填部は前
記溝の内部に充填されていても良い。
【0011】
前記遮断構造は、前記表示構造が位置する前記ベース基板の表面から陥没した溝を含ん
でいて良く、前記溝の前記ベース基板に平行な平面における断面積は、前記溝の陥没方向
に沿って徐々に増加していても良い。前記ベース基板はキャリアボードを含んでいても良
く、前記溝は前記キャリアボードの内部に配置されていても良い。別の実施形態では、前
記ベース基板は、キャリアボードと、前記キャリアボードに配置された誘電体層とを含ん
でいても良く、前記溝は前記誘電体層の内部に配置されていても良い。
でいて良く、前記溝の前記ベース基板に平行な平面における断面積は、前記溝の陥没方向
に沿って徐々に増加していても良い。前記ベース基板はキャリアボードを含んでいても良
く、前記溝は前記キャリアボードの内部に配置されていても良い。別の実施形態では、前
記ベース基板は、キャリアボードと、前記キャリアボードに配置された誘電体層とを含ん
でいても良く、前記溝は前記誘電体層の内部に配置されていても良い。
【0012】
前記遮断構造は、前記ベース基板上の少なくとも一つの突起を含んでいても良く、前記
突起の前記ベース基板に平行な平面における断面積は、前記突起の突出方向に沿って、ま
ず増加してからその後減少しても良い。前記突起の前記ベース基板に垂直な平面における
正投影の形状は等脚台形であっても良い。前記溝の前記ベース基板に垂直な平面における
正投影の形状は等脚台形であっても良い。前記少なくとも一つの遮断構造は複数の遮断構
造を含んでいても良く、前記複数の前記遮断構造は、前記表示領域を少なくとも一周囲み
、且つ間隔をおいて配置されていても良い。
突起の前記ベース基板に平行な平面における断面積は、前記突起の突出方向に沿って、ま
ず増加してからその後減少しても良い。前記突起の前記ベース基板に垂直な平面における
正投影の形状は等脚台形であっても良い。前記溝の前記ベース基板に垂直な平面における
正投影の形状は等脚台形であっても良い。前記少なくとも一つの遮断構造は複数の遮断構
造を含んでいても良く、前記複数の前記遮断構造は、前記表示領域を少なくとも一周囲み
、且つ間隔をおいて配置されていても良い。
【0013】
前記表示基板は、第２遮水層と、有機層とを更に含んでいても良い。前記第２遮水層は
、前記表示構造及び前記遮断構造を覆っていても良く、前記有機層は、前記第２遮水層の
前記表示領域における部分を覆っていても良く、前記第１遮水層は、前記有機層及び前記
第２遮水層を覆っていても良い。
、前記表示構造及び前記遮断構造を覆っていても良く、前記有機層は、前記第２遮水層の
前記表示領域における部分を覆っていても良く、前記第１遮水層は、前記有機層及び前記
第２遮水層を覆っていても良い。
【0014】
前記表示基板は、前記ベース基板上の位置決め構造を更に含んでいても良く、前記位置
決め構造は、前記遮断構造の前記表示構造に隣接する側に位置し、且つ前記有機層の周り
の環状凸部を含んでいても良い。
決め構造は、前記遮断構造の前記表示構造に隣接する側に位置し、且つ前記有機層の周り
の環状凸部を含んでいても良い。
【0015】
本開示の別の例は、表示パネルである。前記表示パネルは、本開示の一実施形態に係る
表示基板を含んでいて良い。
表示基板を含んでいて良い。
【0016】
本開示の別の例は、表示装置である。前記表示装置は、本開示の一実施形態に係る表示
パネルを含む。
パネルを含む。
【0017】
本開示の別の例は、表示基板の製造方法である。前記方法は、ベース基板を提供するス
テップと、前記ベース基板の表示領域に表示構造を形成するステップと、前記ベース基板
の前記表示領域の周りの周辺領域に遮断構造を形成するステップと、前記表示構造及び前
記遮断構造を覆う第１遮水層を形成するステップとを含んでいて良い。前記遮断構造は、
前記遮水層を薄くしたり切断したりすることにより、前記遮断構造の前記表示領域とは反
対側で第１遮水層に生じたクラックが前記表示領域に伝搬するのを阻止するように構成さ
れていて良い。
テップと、前記ベース基板の表示領域に表示構造を形成するステップと、前記ベース基板
の前記表示領域の周りの周辺領域に遮断構造を形成するステップと、前記表示構造及び前
記遮断構造を覆う第１遮水層を形成するステップとを含んでいて良い。前記遮断構造は、
前記遮水層を薄くしたり切断したりすることにより、前記遮断構造の前記表示領域とは反
対側で第１遮水層に生じたクラックが前記表示領域に伝搬するのを阻止するように構成さ
れていて良い。
【図面の簡単な説明】
【0018】
本発明と見なされる主題は、本明細書の末尾にある請求項において特に明示され且つ明
確に請求される。本発明の前述の及びそれ以外の目的、特徴並びに利点は、添付図面と併
せて下記詳細な記述により明らかになる。図面は以下のとおりである。
確に請求される。本発明の前述の及びそれ以外の目的、特徴並びに利点は、添付図面と併
せて下記詳細な記述により明らかになる。図面は以下のとおりである。
【0019】
【図1】本開示の実施形態に係る表示基板の断面図である。
【0020】
【図2A】本開示の実施形態に係る表示基板の上面図である。
【0021】
【図2B】本開示の実施形態に係る表示基板の上面図である。
【0022】
【図3】本開示の実施形態に係る隣接する２つの表示基板の上面図である。
【0023】
【図4】本開示の実施形態に係る表示基板の別の上面図である。
【0024】
【図5】本開示の実施形態に係る表示基板の別の断面図。
【0025】
【図6】本開示の実施形態に係る表示基板の断面図である。
【0026】
【図7】本開示の実施形態に係る表示基板の横断面図である。
【0027】
【図8】本開示の実施形態に係る表示基板の断面図である。
【0028】
【図9】本開示の実施形態に係る表示基板の部分横断面図である。
【0029】
【図10A】本開示の実施形態に係る表示基板の部分横断面図である。
【0030】
【図10B】本開示の実施形態に係る表示基板の部分横断面図である。
【0031】
【図11】本開示の実施形態に係る表示基板の部分横断面図である。
【0032】
【図12A】本開示の実施形態に係る表示基板の部分横断面図である。
【0033】
【図12B】本開示の実施形態に係る表示基板の部分横断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0034】
当業者が本開示の技術方案をより良く理解できるように、以下では、添付図面及び実施
形態を参照しながら本開示を更に詳細に説明する。本開示の説明全般にわたって、図１～
図１２Ｂを参照する。図面を参照する際、全般にわたって示される同様の構造及び要素は
、同様の参照番号で示される。説明する実施形態は、本開示の実施形態の一部であり、全
ての実施形態ではない。本開示の実施形態に基づいて、当業者により創造的な努力なしに
得られる他の全ての実施形態は本開示の保護範囲に属する。
形態を参照しながら本開示を更に詳細に説明する。本開示の説明全般にわたって、図１～
図１２Ｂを参照する。図面を参照する際、全般にわたって示される同様の構造及び要素は
、同様の参照番号で示される。説明する実施形態は、本開示の実施形態の一部であり、全
ての実施形態ではない。本開示の実施形態に基づいて、当業者により創造的な努力なしに
得られる他の全ての実施形態は本開示の保護範囲に属する。
【0035】
本開示の説明において、「第１」及び「第２」との用語は、例示のみを目的として使用
され、相対的な重要度又は示された技術特徴の数量に対する暗示的な言及を示すもの若し
くは暗示するものと解釈されるべきではない。従って、「第１」及び「第２」との用語に
よって定義される特徴は、一つ又は複数の特徴を明示的に又は暗示的に含み得る。本開示
の説明において、特に別段の定義がない限り、「複数」は２つ又はそれ以上を意味する。
され、相対的な重要度又は示された技術特徴の数量に対する暗示的な言及を示すもの若し
くは暗示するものと解釈されるべきではない。従って、「第１」及び「第２」との用語に
よって定義される特徴は、一つ又は複数の特徴を明示的に又は暗示的に含み得る。本開示
の説明において、特に別段の定義がない限り、「複数」は２つ又はそれ以上を意味する。
【0036】
本明細書の説明において、「一実施形態」、「幾つかの実施形態」、「例示的実施形態
」、「実施例」、「特定の実施例」、「幾つかの実施例」等の用語への言及は、本開示の
少なくとも一つの実施形態又は実施例に含まれる実施形態又は実施例に関連して説明され
た特定の特徴及び構造、材料又は特性を指すことを意図する。用語の概略的な表現は、必
ずしも同一の実施形態又は例を指すものではない。さらに、説明された特定の特徴、構造
、材料又は特性は、任意の適切な態様により、任意の一つ又は複数の実施形態又は実施例
に含まれていて良い。
」、「実施例」、「特定の実施例」、「幾つかの実施例」等の用語への言及は、本開示の
少なくとも一つの実施形態又は実施例に含まれる実施形態又は実施例に関連して説明され
た特定の特徴及び構造、材料又は特性を指すことを意図する。用語の概略的な表現は、必
ずしも同一の実施形態又は例を指すものではない。さらに、説明された特定の特徴、構造
、材料又は特性は、任意の適切な態様により、任意の一つ又は複数の実施形態又は実施例
に含まれていて良い。
【0037】
従来の表示基板においては、一般的に、遮水層を用いて基板全体を覆い、基板上の部材
が水や酸素の影響を受けるのを阻止している。しかし、この手法では、以下の問題も発生
する。
が水や酸素の影響を受けるのを阻止している。しかし、この手法では、以下の問題も発生
する。
【0038】
表示基板を製造する工程では、通常、一つのベース基板に複数の表示基板が配置される
。そのため、レーザー光を利用してベース基板を切断し、最終的に個片化した表示基板を
形成する必要がある。但し、レーザー光を利用して切断する過程において、遮水層のエッ
ジの付近でよくクラックが生じ、当該クラックは、表示領域に伝搬して、結果的にパッケ
ージングが不良となることがある。このため、レーザー光の切断線は遮水層の境界から離
れて位置しなければならず、結果的に表示基板が広縁となってしまう
。そのため、レーザー光を利用してベース基板を切断し、最終的に個片化した表示基板を
形成する必要がある。但し、レーザー光を利用して切断する過程において、遮水層のエッ
ジの付近でよくクラックが生じ、当該クラックは、表示領域に伝搬して、結果的にパッケ
ージングが不良となることがある。このため、レーザー光の切断線は遮水層の境界から離
れて位置しなければならず、結果的に表示基板が広縁となってしまう
【0039】
図１及び図２は、本開示の一実施形態に係る表示基板を示している。図１及び図２に示
すように、本開示の第１実施形態により提供される表示基板は、ベース基板１と、ベース
基板１の表示領域Ｂに配置された表示構造２０と、基板１に配置された第１遮水層１０と
を含む。表示構造２０は、薄膜トランジスタ２と、平坦化層３と、アノード６と、ＯＬＥ
Ｄ有機発光層５と、画素定義層４と、カソード７とを含み、これらはベース基板１から遠
ざかる方向に沿って順に配置されている。ベース基板１には有機層９が更に設けられ、上
記の表示構造を覆っている。一実施形態では、ベース基板１はキャリアボードを含み、前
記キャリアボードは硬質キャリアボード又は柔性キャリアボードであって良い。
すように、本開示の第１実施形態により提供される表示基板は、ベース基板１と、ベース
基板１の表示領域Ｂに配置された表示構造２０と、基板１に配置された第１遮水層１０と
を含む。表示構造２０は、薄膜トランジスタ２と、平坦化層３と、アノード６と、ＯＬＥ
Ｄ有機発光層５と、画素定義層４と、カソード７とを含み、これらはベース基板１から遠
ざかる方向に沿って順に配置されている。ベース基板１には有機層９が更に設けられ、上
記の表示構造を覆っている。一実施形態では、ベース基板１はキャリアボードを含み、前
記キャリアボードは硬質キャリアボード又は柔性キャリアボードであって良い。
【0040】
一実施形態では、前記表示基板は、ベース基板１に配置され且つ表示領域Ｂの周りの周
辺領域Ｃに位置する遮断構造を更に含む。第１遮水層１０は、前記表示構造及び前記遮断
構造を覆う。前記遮断構造は、レーザーカッター１２が発するレーザー光により前記表示
基板を切断する過程において、前記遮断構造の前記表示領域Ｂとは反対側で第１遮水層１
０に生じたクラックが表示領域Ｂまで広がるのを阻止するために用いられる。従って、表
示基板の縁の幅を小さくして狭額縁化設計を図ることができる。
辺領域Ｃに位置する遮断構造を更に含む。第１遮水層１０は、前記表示構造及び前記遮断
構造を覆う。前記遮断構造は、レーザーカッター１２が発するレーザー光により前記表示
基板を切断する過程において、前記遮断構造の前記表示領域Ｂとは反対側で第１遮水層１
０に生じたクラックが表示領域Ｂまで広がるのを阻止するために用いられる。従って、表
示基板の縁の幅を小さくして狭額縁化設計を図ることができる。
【0041】
一実施形態では、前記遮断構造は、ベース基板１に配置された突起１１を含む。突起１
１は、露光プロセスにより所望のパターンを形成するのに役立つような、樹脂接着剤等の
感光材料で形成されるのが好ましい。突起１１は、前記表示構造が位置するベース基板１
の表面に直接設けられている。突起１１のベース基板１に平行な平面における断面積は、
突起１１の突出方向、即ち、図１において矢印が示す方向Ｉに沿って、徐々に増加する。
突起１１の側面とベース基板１の表面の間に鋭角αが形成される。従って、突起１１を製
造する過程において、位置Ａにおいて第１遮水層１０を薄くしたり切断したりでき、これ
によりクラックの伝搬を阻止する。即ち、前記遮断構造と前記ベース基板との界面の境界
での第１遮水層の厚さは、前記遮断構造の前記ベース基板から最も遠い表面を覆う遮水層
の厚さより小さい。図１に示すように、前記遮断構造と前記ベース基板との界面の境界は
位置Ａで示されている。
１は、露光プロセスにより所望のパターンを形成するのに役立つような、樹脂接着剤等の
感光材料で形成されるのが好ましい。突起１１は、前記表示構造が位置するベース基板１
の表面に直接設けられている。突起１１のベース基板１に平行な平面における断面積は、
突起１１の突出方向、即ち、図１において矢印が示す方向Ｉに沿って、徐々に増加する。
突起１１の側面とベース基板１の表面の間に鋭角αが形成される。従って、突起１１を製
造する過程において、位置Ａにおいて第１遮水層１０を薄くしたり切断したりでき、これ
によりクラックの伝搬を阻止する。即ち、前記遮断構造と前記ベース基板との界面の境界
での第１遮水層の厚さは、前記遮断構造の前記ベース基板から最も遠い表面を覆う遮水層
の厚さより小さい。図１に示すように、前記遮断構造と前記ベース基板との界面の境界は
位置Ａで示されている。
【0042】
なお、全ての図面において、第１遮水層の厚さは実際の厚さを表すものではなく、単に
例示的な説明に過ぎない。その具体的な厚さは、工程条件、パラメータ等によって異なる
。図面は前記遮水層の領域Ａにおける厚さが、前記遮断構造の前記ベース基板に平行な表
面上における前記遮水層の厚さより著しく小さいことを示しているに過ぎない。
例示的な説明に過ぎない。その具体的な厚さは、工程条件、パラメータ等によって異なる
。図面は前記遮水層の領域Ａにおける厚さが、前記遮断構造の前記ベース基板に平行な表
面上における前記遮水層の厚さより著しく小さいことを示しているに過ぎない。
【0043】
所謂「薄く」とは、第１遮水層１０を製作する工程において、第１遮水層１０の位置Ａ
での厚さが他の位置での厚さより小さいことを意味する。所謂「切断」とは、第１遮水層
１０を製造する工程において、第１遮水層１０が位置Ａで完全に切断されることを意味す
る。即ち、第１遮水層１０の突起１１における部分とベース基板１における部分とが、位
置Ａで完全に分断されている。
での厚さが他の位置での厚さより小さいことを意味する。所謂「切断」とは、第１遮水層
１０を製造する工程において、第１遮水層１０が位置Ａで完全に切断されることを意味す
る。即ち、第１遮水層１０の突起１１における部分とベース基板１における部分とが、位
置Ａで完全に分断されている。
【0044】
一実施形態では、突起１１のベース基板１に垂直な平面における正投影の形状は等脚台
形であり、作製が容易であるという利点を有する。一実施形態では、図１に示すように、
突起１１の側面とベース基板１の表面との間に形成される鋭角αは、２０°～６０°の範
囲にある。前記等脚台形の高さは、２μｍ～６μｍの範囲にある。その中で、６μｍは、
現在の工程で達成できる最大の高さである。等脚台形状の突起１１は、等脚台形状の突起
１１を容易に形成可能な、ネガ型フォトレジストで作られることが好ましい。
形であり、作製が容易であるという利点を有する。一実施形態では、図１に示すように、
突起１１の側面とベース基板１の表面との間に形成される鋭角αは、２０°～６０°の範
囲にある。前記等脚台形の高さは、２μｍ～６μｍの範囲にある。その中で、６μｍは、
現在の工程で達成できる最大の高さである。等脚台形状の突起１１は、等脚台形状の突起
１１を容易に形成可能な、ネガ型フォトレジストで作られることが好ましい。
【0045】
一実施形態では、図２に示すように、複数の突起１１は、表示領域Ｂを囲み且つ間隔を
おいて配置されている。突起１１のベース基板１に平行な平面における正投影は円形であ
る。もちろん、本開示はこれに限られない。実用的には、複数の突起１１は、表示領域Ｂ
を２回、３回、４回又は４回以上囲んでいても良い。一実施形態では、図２Ｂに示すよう
に、複数の突起１１は、表示領域Ｂを２回囲んでいる。複数の突起１１は互いに独立して
いる。従って、複数の突起１１は、ベース基板１が曲げられる際に、応力を緩和するよう
に作用することができる。
おいて配置されている。突起１１のベース基板１に平行な平面における正投影は円形であ
る。もちろん、本開示はこれに限られない。実用的には、複数の突起１１は、表示領域Ｂ
を２回、３回、４回又は４回以上囲んでいても良い。一実施形態では、図２Ｂに示すよう
に、複数の突起１１は、表示領域Ｂを２回囲んでいる。複数の突起１１は互いに独立して
いる。従って、複数の突起１１は、ベース基板１が曲げられる際に、応力を緩和するよう
に作用することができる。
【0046】
一実施形態では、図３に示すように、前記表示基板を製造する工程において、通常、一
つのベース基板に複数の表示基板が配置される。そのため、レーザーカッター１２を利用
してレーザー光を発してベース基板１を切断することにより、独立した表示基板を形成す
る必要がある。レーザーカッター１２が発するレーザー光が隣接する２つの表示基板の間
の切断線Ｆに沿って通過する際、第１遮水層１０のエッジでクラックＧが生じ得る。当該
クラックは前記遮水層に沿って前記表示領域に伝搬する可能性があり、これにより表示パ
ネルの不良が発生する。この問題を解決するために、周辺領域Ｃに一周の突起１１を設け
ることにより、第１遮水層１０を薄くしたり切断したりでき、これによりクラックＧが表
示領域Ｂへ広がるのを防止できる。更に、突起１１のベース基板１に平行な平面における
正投影の形状は円形であり且つ当該円は閉じているため、クラックの突起１１への伝搬を
より阻止しやすい。一実施形態では、円形の正投影の直径は、６μｍ～５０μｍの範囲に
ある。その中で、５０μｍは、現在の工程で達成できる最大の直径である。隣接する２つ
の突起１１の中心の間の距離は、２.５μｍ～１００μｍの範囲にあることがより好まし
い。
つのベース基板に複数の表示基板が配置される。そのため、レーザーカッター１２を利用
してレーザー光を発してベース基板１を切断することにより、独立した表示基板を形成す
る必要がある。レーザーカッター１２が発するレーザー光が隣接する２つの表示基板の間
の切断線Ｆに沿って通過する際、第１遮水層１０のエッジでクラックＧが生じ得る。当該
クラックは前記遮水層に沿って前記表示領域に伝搬する可能性があり、これにより表示パ
ネルの不良が発生する。この問題を解決するために、周辺領域Ｃに一周の突起１１を設け
ることにより、第１遮水層１０を薄くしたり切断したりでき、これによりクラックＧが表
示領域Ｂへ広がるのを防止できる。更に、突起１１のベース基板１に平行な平面における
正投影の形状は円形であり且つ当該円は閉じているため、クラックの突起１１への伝搬を
より阻止しやすい。一実施形態では、円形の正投影の直径は、６μｍ～５０μｍの範囲に
ある。その中で、５０μｍは、現在の工程で達成できる最大の直径である。隣接する２つ
の突起１１の中心の間の距離は、２.５μｍ～１００μｍの範囲にあることがより好まし
い。
【0047】
一実施形態では、突起１１のベース基板１に平行な平面における正投影の形状は、楕円
形又は長円形等縦横比が１より大きい形状であっても良い。この形状を採用した各突起１
１の長軸は、前記表示基板の前記突起と対向する辺と平行である。これにより、各突起１
１の有効的なバリア長を長くすることができ、各突起１１による遮断効果が向上する。例
えば、図４に示すように、突起１１’のベース基板１に平行な平面における正投影は、長
円形である。突起１１'の各々は、前記表示基板の側縁のうちの一つと対向し、突起１１'
の長軸方向と前記表示基板の対向する側縁とは互いに平行である。一実施形態では、前記
突起は、優れた遮断効果を生み出す閉円構造である。
形又は長円形等縦横比が１より大きい形状であっても良い。この形状を採用した各突起１
１の長軸は、前記表示基板の前記突起と対向する辺と平行である。これにより、各突起１
１の有効的なバリア長を長くすることができ、各突起１１による遮断効果が向上する。例
えば、図４に示すように、突起１１’のベース基板１に平行な平面における正投影は、長
円形である。突起１１'の各々は、前記表示基板の側縁のうちの一つと対向し、突起１１'
の長軸方向と前記表示基板の対向する側縁とは互いに平行である。一実施形態では、前記
突起は、優れた遮断効果を生み出す閉円構造である。
【0048】
一実施形態では、図５に示すように、ベース基板１において、有機層９の周りに有機層
９の分布領域を定義するための位置決め構造１３が設けられている。具体的には、位置決
め構造１３は、前記表示構造が位置するベース基板１の表面に対して突出した環状突起を
含む。一実施形態では、前記位置決め構造は一つの環状突起を含む。別の実施形態では、
前記位置決め構造は複数の環状突起を含み、前記複数の環状突起は互いに離間している。
第１遮水層１０は前記環状突起を覆っている。有機層９は、インクジェット印刷により形
成されるため、印刷中に一定の流動性を有する。そのため、位置決め構造１３により有機
層９の流動範囲を容易に規定することができる。
９の分布領域を定義するための位置決め構造１３が設けられている。具体的には、位置決
め構造１３は、前記表示構造が位置するベース基板１の表面に対して突出した環状突起を
含む。一実施形態では、前記位置決め構造は一つの環状突起を含む。別の実施形態では、
前記位置決め構造は複数の環状突起を含み、前記複数の環状突起は互いに離間している。
第１遮水層１０は前記環状突起を覆っている。有機層９は、インクジェット印刷により形
成されるため、印刷中に一定の流動性を有する。そのため、位置決め構造１３により有機
層９の流動範囲を容易に規定することができる。
【0049】
一実施形態では、突起１１のベース基板１に平行な平面における断面積は、突起１１の
突出方向に沿って徐々に増加する。例えば、突起１１のベース基板１に垂直な平面におけ
る正投影の形状は等脚台形である。但し、本開示はこれに限られない。
突出方向に沿って徐々に増加する。例えば、突起１１のベース基板１に垂直な平面におけ
る正投影の形状は等脚台形である。但し、本開示はこれに限られない。
【0050】
一実施形態では、図６に示すように、ベース基板１に突起１７が設けられており、突起
１７のベース基板１に平行な平面における断面積は、突起１７の突出方向（即ち、図６に
おいて矢印が示す方向Ｉ）に沿ってまず増加してからその後減少する。例えば、突起１１
のベース基板１に垂直な平面における正投影の形状は円弧形状である。弧状突起１１の弧
状表面と前記表示構造が位置するベース基板１の表面の間に鋭角ｂが形成される。当該鋭
角ｂは上記の鋭角αより小さいため、位置Ｅにおいて第１遮水層１０を切断するのにより
有利である。もちろん、実用的には、前記突起のベース基板１に垂直な平面における正投
影の形状は、前記第１遮水層を薄くしたり切断したりできるのであれば、他のいかなる形
状であっても良い。
１７のベース基板１に平行な平面における断面積は、突起１７の突出方向（即ち、図６に
おいて矢印が示す方向Ｉ）に沿ってまず増加してからその後減少する。例えば、突起１１
のベース基板１に垂直な平面における正投影の形状は円弧形状である。弧状突起１１の弧
状表面と前記表示構造が位置するベース基板１の表面の間に鋭角ｂが形成される。当該鋭
角ｂは上記の鋭角αより小さいため、位置Ｅにおいて第１遮水層１０を切断するのにより
有利である。もちろん、実用的には、前記突起のベース基板１に垂直な平面における正投
影の形状は、前記第１遮水層を薄くしたり切断したりできるのであれば、他のいかなる形
状であっても良い。
【0051】
本開示の第２実施形態によって提供される表示基板は、図７に示すように、遮水層の層
が追加された点を除けば、上記の第１実施形態によって提供される表示基板と実質的に同
一である。以下では、これら二つの実施形態の違いを主に説明する。
が追加された点を除けば、上記の第１実施形態によって提供される表示基板と実質的に同
一である。以下では、これら二つの実施形態の違いを主に説明する。
【0052】
一実施形態では、前記表示基板は、前記表示構造及び前記遮断構造を覆う第２遮水層１
４を更に含む。有機層９は、第２遮水層１４の表示領域Ｃにおける部分を覆っている。第
１遮水層１０は、有機層９及び第２遮水層１４を覆って、有機層９における微量の水蒸気
を直接遮断する。有機層９は表示構造の凹凸部を充填でき、最終的に平坦面を形成し、且
つ前記第１遮水層は有機層９上に配置されているため、前記第１遮水層の成膜品質がより
良好になり、前記第１遮水層の耐水性が向上する。一実施形態では、第２遮水層１４は位
置決め構造１３を覆っている。
４を更に含む。有機層９は、第２遮水層１４の表示領域Ｃにおける部分を覆っている。第
１遮水層１０は、有機層９及び第２遮水層１４を覆って、有機層９における微量の水蒸気
を直接遮断する。有機層９は表示構造の凹凸部を充填でき、最終的に平坦面を形成し、且
つ前記第１遮水層は有機層９上に配置されているため、前記第１遮水層の成膜品質がより
良好になり、前記第１遮水層の耐水性が向上する。一実施形態では、第２遮水層１４は位
置決め構造１３を覆っている。
【0053】
なお、全ての図面における第１遮水層の厚さ及び第２遮水層の厚さは、実際の厚さを表
すものではなく、単に例示的な説明に過ぎない。その具体的な厚さは，工程条件、パラメ
ータ等によって異なる。
すものではなく、単に例示的な説明に過ぎない。その具体的な厚さは，工程条件、パラメ
ータ等によって異なる。
【0054】
本開示の第３実施形態によって提供される表示基板は、図８に示すように、遮断構造が
異なっている点を除けば、上記の第１実施形態によって提供される表示基板と実質的に同
一である。以下では、これら二つの実施形態の違いを主に説明する。
異なっている点を除けば、上記の第１実施形態によって提供される表示基板と実質的に同
一である。以下では、これら二つの実施形態の違いを主に説明する。
【0055】
一実施形態では、遮断構造は、表示構造が位置するベース基板１の表面からベース基板
１の内部に向かって陥没した溝１５を含む。更に、溝１５のベース基板１に平行な平面に
おける断面積は、凹部１５の陥没方向（即ち、図８において矢印が示す方向ＩＩ）に沿っ
て徐々に増加する。これにより、溝１５の側面と前記表示構造が位置するベース基板１の
表面の間に鋭角が形成される。従って、第１遮水層１０を製造する工程において、位置Ｄ
において第１遮水層１０を薄くしたり切断したりでき、これによりクラックの伝搬を回避
する。第１実施形態の突起１１と同様に、溝１５のベース基板１に垂直な平面における正
投影の形状は、等脚台形、弧状等のように、遮水層１０を薄くしたり切断したりできる形
状であって良い。第１実施形態の突起１１と同様に、複数の溝１５があっても良い。複数
の溝１５は、表示領域Ｂを少なくとも一周囲み、且つ離間している。
１の内部に向かって陥没した溝１５を含む。更に、溝１５のベース基板１に平行な平面に
おける断面積は、凹部１５の陥没方向（即ち、図８において矢印が示す方向ＩＩ）に沿っ
て徐々に増加する。これにより、溝１５の側面と前記表示構造が位置するベース基板１の
表面の間に鋭角が形成される。従って、第１遮水層１０を製造する工程において、位置Ｄ
において第１遮水層１０を薄くしたり切断したりでき、これによりクラックの伝搬を回避
する。第１実施形態の突起１１と同様に、溝１５のベース基板１に垂直な平面における正
投影の形状は、等脚台形、弧状等のように、遮水層１０を薄くしたり切断したりできる形
状であって良い。第１実施形態の突起１１と同様に、複数の溝１５があっても良い。複数
の溝１５は、表示領域Ｂを少なくとも一周囲み、且つ離間している。
【0056】
図９に示すように、本開示の第４実施形態によって提供される表示基板は、上記の第１
実施形態に基づいた改良である。本実施形態では、ベース基板１は、キャリアボード１ａ
と、キャリアボード１ａに設けられた誘電体層１ｂとを含む。その中で、キャリアボード
１ａは、硬質キャリア又は柔性キャリアであって良い。誘電体層１ｂは、酸化ケイ素、窒
化ケイ素等のような有機材料で作られていて良い。
実施形態に基づいた改良である。本実施形態では、ベース基板１は、キャリアボード１ａ
と、キャリアボード１ａに設けられた誘電体層１ｂとを含む。その中で、キャリアボード
１ａは、硬質キャリア又は柔性キャリアであって良い。誘電体層１ｂは、酸化ケイ素、窒
化ケイ素等のような有機材料で作られていて良い。
【0057】
本実施形態では、突起１１が誘電体層１ｂに配置され、誘電体層１ｂの内部に向かって
陥没した少なくとも一つの溝が、表示構造が位置する誘電体層１ｂの表面に配置されてい
る。例えば、図９には３つの溝が示されており、突起１１の前記溝に面する表面にはサブ
突起１１ａが設けられている。即ち、サブ突起１１ａは前記溝に一対一に対応するように
設けられており、サブ突起１１ａは前記溝とマッチングする。マッチングするとは、サブ
突起１１ａが前記溝に部分的に充填されるか又は完全に充填されることを意味する。
陥没した少なくとも一つの溝が、表示構造が位置する誘電体層１ｂの表面に配置されてい
る。例えば、図９には３つの溝が示されており、突起１１の前記溝に面する表面にはサブ
突起１１ａが設けられている。即ち、サブ突起１１ａは前記溝に一対一に対応するように
設けられており、サブ突起１１ａは前記溝とマッチングする。マッチングするとは、サブ
突起１１ａが前記溝に部分的に充填されるか又は完全に充填されることを意味する。
【0058】
サブ突起１１ａを前記溝とマッチングさせることで、突起１１と誘電体層１ｂの間の接
触面積を増やすことができ、これにより両者の密着性を向上させ、異常脱離のリスクをな
くし、従って構造安定性を向上させることができる。
触面積を増やすことができ、これにより両者の密着性を向上させ、異常脱離のリスクをな
くし、従って構造安定性を向上させることができる。
【0059】
一実施形態では、上記の溝は誘電体層１ｂの厚さを貫通するが、本開示はそれに限られ
ない。上記の溝の深さは誘電体層１ｂの厚さより小さくても良い。
ない。上記の溝の深さは誘電体層１ｂの厚さより小さくても良い。
【0060】
一実施形態では、ベース基板１は、キャリアボード１ａと、キャリアボード１ａに設け
られた誘電体層１ｂとを含む。但し、キャリアボード１ａのみが設けられていても良く、
上記の溝はキャリアボード１ａに設けられていても良い。
られた誘電体層１ｂとを含む。但し、キャリアボード１ａのみが設けられていても良く、
上記の溝はキャリアボード１ａに設けられていても良い。
【0061】
図１０Ａに示すように、本開示の第５実施形態によって提供される表示基板は、遮断構
造が異なっている点を除けば、上記の第１実施形態によって提供される表示基板と実質的
に同一である。以下では、これら二つの実施形態の違いを主に説明する。
造が異なっている点を除けば、上記の第１実施形態によって提供される表示基板と実質的
に同一である。以下では、これら二つの実施形態の違いを主に説明する。
【0062】
一実施形態では、ベース基板１は、キャリアボード１ａと、キャリアボード１ａに設け
られた誘電体層１ｂとを含む。誘電体層１ｂの表示構造側の表面には、誘電体層１ｂの内
部に向かって陥没した溝１８が設けられている。遮断構造は、溝１８に配置された突起１
１を含み、突起１１の一部は溝１８の開口から突出し、即ち、突起１１の高さは溝１８の
深さより高い。突起１１の誘電体層１ｂの平面に平行で且つ誘電体層１ｂの平面から遠い
端面の寸法Ｈは、溝１８の開口の寸法より大きいか又はそれに等しい。このように、突起
１１は、溝１８を遮蔽する役割を果たすことができる。第１遮水層１０を形成する工程に
おいて、突起１１の遮蔽により、上部から底部へ蒸着される材料の一部が溝１８に進入で
きないため、突起１１の傾斜角の位置において第１遮水層１０を薄くしたり切断したりす
ることがより容易になる。
られた誘電体層１ｂとを含む。誘電体層１ｂの表示構造側の表面には、誘電体層１ｂの内
部に向かって陥没した溝１８が設けられている。遮断構造は、溝１８に配置された突起１
１を含み、突起１１の一部は溝１８の開口から突出し、即ち、突起１１の高さは溝１８の
深さより高い。突起１１の誘電体層１ｂの平面に平行で且つ誘電体層１ｂの平面から遠い
端面の寸法Ｈは、溝１８の開口の寸法より大きいか又はそれに等しい。このように、突起
１１は、溝１８を遮蔽する役割を果たすことができる。第１遮水層１０を形成する工程に
おいて、突起１１の遮蔽により、上部から底部へ蒸着される材料の一部が溝１８に進入で
きないため、突起１１の傾斜角の位置において第１遮水層１０を薄くしたり切断したりす
ることがより容易になる。
【0063】
一実施形態では、図１０Ｂに示すように、上記の第５実施形態によって提供される表示
基板に基づいて、溝１８の底面に少なくとも一つのサブ突起１９が設けられている。例え
ば、図１０Ｂは、３つのサブ突起１９を示している。また、突起１１の溝１８の底面と対
向する表面にサブ溝が設けられており、サブ突起１９は前記サブ溝に一対一に対応するよ
うに位置し、前記サブ溝とサブ突起１９とは相互にマッチングする。マッチングするとは
、サブ突起１９が前記サブ溝に部分的に充填されるか又は完全に充填されることを意味す
る。
基板に基づいて、溝１８の底面に少なくとも一つのサブ突起１９が設けられている。例え
ば、図１０Ｂは、３つのサブ突起１９を示している。また、突起１１の溝１８の底面と対
向する表面にサブ溝が設けられており、サブ突起１９は前記サブ溝に一対一に対応するよ
うに位置し、前記サブ溝とサブ突起１９とは相互にマッチングする。マッチングするとは
、サブ突起１９が前記サブ溝に部分的に充填されるか又は完全に充填されることを意味す
る。
【0064】
前記サブ溝をサブ突起１９とマッチングさせることで、突起１１と誘電体層１ｂの間の
接触面積を増やすことができ、これにより両者の密着性を向上させ、異常脱離のリスクを
なくし、従って構造安定性を向上させることができる。
接触面積を増やすことができ、これにより両者の密着性を向上させ、異常脱離のリスクを
なくし、従って構造安定性を向上させることができる。
【0065】
図１１に示すように、本開示の第６実施形態によって提供される表示基板は、遮断構造
が異なっている点を除けば、上記の第１実施形態によって提供される表示基板と実質的に
同一である。以下では、これら二つの実施形態の違いを主に説明する。
が異なっている点を除けば、上記の第１実施形態によって提供される表示基板と実質的に
同一である。以下では、これら二つの実施形態の違いを主に説明する。
【0066】
一実施形態では、ベース基板１は、キャリアボード１ａと、キャリアボード１ａに設け
られた誘電体層１ｂとを含む。誘電体層１ｂの表示構造が位置する表面には、誘電体層１
ｂの内部に向かって陥没した溝１８が設けられている。溝１８には少なくとも一つの島状
構造２０が設けられている。遮断構造は突起１１を含み、突起１１の数は島状構造２０の
数に対応し、突起１1は島状構造２０に一対一に対応するように配置されている。突起１
１を島状構造２０に設置することによって、島状構造２０と突起１１とにより形成される
隆起の高さが高くなる。従って、第１遮水層１０を製造する工程において、第１遮水層１
０の蒸着材料の「這い上がり」の難度が大きくなる。その結果、蒸着材料が島状構造２０
と突起１１とにより形成される側部及び底部に蒸着されるのをある程度防止できる。この
結果、第１遮水層１０を薄くしたり切断したりすることがより容易になる。
られた誘電体層１ｂとを含む。誘電体層１ｂの表示構造が位置する表面には、誘電体層１
ｂの内部に向かって陥没した溝１８が設けられている。溝１８には少なくとも一つの島状
構造２０が設けられている。遮断構造は突起１１を含み、突起１１の数は島状構造２０の
数に対応し、突起１1は島状構造２０に一対一に対応するように配置されている。突起１
１を島状構造２０に設置することによって、島状構造２０と突起１１とにより形成される
隆起の高さが高くなる。従って、第１遮水層１０を製造する工程において、第１遮水層１
０の蒸着材料の「這い上がり」の難度が大きくなる。その結果、蒸着材料が島状構造２０
と突起１１とにより形成される側部及び底部に蒸着されるのをある程度防止できる。この
結果、第１遮水層１０を薄くしたり切断したりすることがより容易になる。
【0067】
図１２Ａに示すように、本開示の第７実施形態によって提供される表示基板は、遮断構
造が異なっている点を除けば、上記の第１実施形態によって提供される表示基板と実質的
に同一である。以下では、これら二つの実施形態の違いを主に説明する。
造が異なっている点を除けば、上記の第１実施形態によって提供される表示基板と実質的
に同一である。以下では、これら二つの実施形態の違いを主に説明する。
【0068】
一実施形態では、ベース基板１は、キャリアボード１ａと、キャリアボード１ａに設け
られた誘電体層１ｂとを含む。誘電体層１ｂの表示構造側の表面には、誘電体層１ｂの内
部に向かって陥没した溝１８が設けられている。遮断構造は突起１１と、突起１１の溝に
面する表面に設けられた充填部１１１とを含み、充填部１１１は前記溝に充填されている
。
られた誘電体層１ｂとを含む。誘電体層１ｂの表示構造側の表面には、誘電体層１ｂの内
部に向かって陥没した溝１８が設けられている。遮断構造は突起１１と、突起１１の溝に
面する表面に設けられた充填部１１１とを含み、充填部１１１は前記溝に充填されている
。
【0069】
突起１１の側面と前記表示構造が位置する誘電体層１ｂの表面との間に鋭角が形成され
ている。従って、第１遮水層１０を製造する工程において、第１遮水層１０を薄くしたり
切断したりできるため、クラックの伝搬を回避できる。充填部１１１により、突起１１と
誘電体層１ｂの間の接触面積を増やすことができ、これにより両者の密着性を向上させ、
異常脱離のリスクをなくし、構造安定性を向上させることができる。
ている。従って、第１遮水層１０を製造する工程において、第１遮水層１０を薄くしたり
切断したりできるため、クラックの伝搬を回避できる。充填部１１１により、突起１１と
誘電体層１ｂの間の接触面積を増やすことができ、これにより両者の密着性を向上させ、
異常脱離のリスクをなくし、構造安定性を向上させることができる。
【0070】
一実施形態では、図１２Ｂに示すように、上記の第７実施形態で提供される表示基板に
基づいて、複数の突起１１がある。複数の突起１１は、表示領域Ｂを３回囲み、且つ離間
している。もちろん、実用的には、複数の突起１１は、表示領域Ｂを１回、２回、４回又
は４回以上囲んでいても良い。
基づいて、複数の突起１１がある。複数の突起１１は、表示領域Ｂを３回囲み、且つ離間
している。もちろん、実用的には、複数の突起１１は、表示領域Ｂを１回、２回、４回又
は４回以上囲んでいても良い。
【0071】
一実施形態では、本開示によって提供する表示基板は、ベース基板に遮断構造が設けら
れており、前記遮断構造は表示領域の周りの周辺領域に位置し、第１遮水層は表示構造及
び前記遮断構造を覆う。前記遮断構造は、前記第１遮水層を薄くしたり切断したりするこ
とで、前記遮断構造の前記表示領域とは反対側で第１遮水層に生じたクラックが前記表示
領域に伝搬するのを阻止するために用いられる。従って、前記表示基板の縁の幅を小さく
することができ、これにより狭額縁化設計を実現できる。
れており、前記遮断構造は表示領域の周りの周辺領域に位置し、第１遮水層は表示構造及
び前記遮断構造を覆う。前記遮断構造は、前記第１遮水層を薄くしたり切断したりするこ
とで、前記遮断構造の前記表示領域とは反対側で第１遮水層に生じたクラックが前記表示
領域に伝搬するのを阻止するために用いられる。従って、前記表示基板の縁の幅を小さく
することができ、これにより狭額縁化設計を実現できる。
【0072】
本開示の別の実施形態は、表示パネルである。前記表示パネルは、本開示の一実施形態
に係る表示基板を含む。
に係る表示基板を含む。
【0073】
本開示により提供される表示パネルによれば、本開示の一実施形態に係る上記の表示基
板を利用することで、縁の幅を小さくすることができ、これにより狭額縁化設計を図るこ
とができる。
板を利用することで、縁の幅を小さくすることができ、これにより狭額縁化設計を図るこ
とができる。
【0074】
本開示の別の実施形態は、表示装置である。前記表示装置は、本開示の一実施形態に係
る表示パネルを含む。
る表示パネルを含む。
【0075】
本開示により提供される表示装置によれば、本開示の一実施形態に係る上記の表示パネ
ルを利用することで、縁の幅を小さくすることができ、これにより狭額縁化設計を図るこ
とができる。
ルを利用することで、縁の幅を小さくすることができ、これにより狭額縁化設計を図るこ
とができる。
【0076】
本開示の別の実施形態は、表示基板の製造方法である。前記方法は、ベース基板を提供
するステップと、前記ベース基板の表示領域に表示構造を形成するステップと、前記表示
領域の周りの前記ベース基板の周辺領域に遮断構造を形成するステップと、前記表示構造
及び前記遮断構造を覆う第１遮水層を形成するステップとを含む。前記遮断構造は、前記
第１遮水層を薄くしたり切断したりすることにより、前記遮断構造の前記表示領域とは反
対側で第１遮水層に生じたクラックが前記表示領域に伝搬するのを阻止するために用いら
れる。
するステップと、前記ベース基板の表示領域に表示構造を形成するステップと、前記表示
領域の周りの前記ベース基板の周辺領域に遮断構造を形成するステップと、前記表示構造
及び前記遮断構造を覆う第１遮水層を形成するステップとを含む。前記遮断構造は、前記
第１遮水層を薄くしたり切断したりすることにより、前記遮断構造の前記表示領域とは反
対側で第１遮水層に生じたクラックが前記表示領域に伝搬するのを阻止するために用いら
れる。
【0077】
本開示の一実施形態に係る表示基板の製造方法において、前記遮断構造は、前記第１遮
水層を薄くしたり切断したりすることにより、前記遮断構造の前記表示領域とは反対側で
第１遮水層に生じたクラックが前記表示領域に伝搬するのを阻止するために用いられる。
従って、前記表示基板の縁の幅を小さくすることができ、これにより狭額縁化設計を実現
できる。
水層を薄くしたり切断したりすることにより、前記遮断構造の前記表示領域とは反対側で
第１遮水層に生じたクラックが前記表示領域に伝搬するのを阻止するために用いられる。
従って、前記表示基板の縁の幅を小さくすることができ、これにより狭額縁化設計を実現
できる。
【0078】
以上、本開示の様々な実施形態の記述は、説明目的で提示されているが、網羅的である
こと又は開示された実施形態に限定されることを意図したものではない。当業者にとって
は、記述された実施形態の範囲及び精神から逸脱することなく、多様な変更及び変形は明
らかであろう。本文で使用された用語は、実施形態の原理、又は市場で見られる技術の実
用やその技術的改善を最適に説明するため、または、本分野の他の当業者が本文に開示さ
れる実施形態を理解できるようにするために選ばれたものである。
こと又は開示された実施形態に限定されることを意図したものではない。当業者にとって
は、記述された実施形態の範囲及び精神から逸脱することなく、多様な変更及び変形は明
らかであろう。本文で使用された用語は、実施形態の原理、又は市場で見られる技術の実
用やその技術的改善を最適に説明するため、または、本分野の他の当業者が本文に開示さ
れる実施形態を理解できるようにするために選ばれたものである。
【図1】
【図2A】
【図2B】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10A】
【図10B】
【図11】
【図12A】
【図12B】
【手続補正書】
【提出日】2022-04-04
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
表示基板であって、
ベース基板と、
前記ベース基板の表示領域にある表示構造と、
前記ベース基板の前記表示領域を囲む非表示領域にある少なくとも一つの遮断構造と、
前記基板上にあり、前記表示構造及び前記少なくとも一つの遮断構造を覆う第１遮水層とを含み、
前記遮断構造と前記ベース基板との界面の境界における第１遮水層の厚さは、前記遮断構造の前記ベース基板から最も遠い表面を覆う遮水層の厚さより小さく、
前記遮断構造は、前記ベース基板上の少なくとも１つの突起を含み、前記少なくとも１つの突起は、２μｍ～６μｍの範囲にある高さを有する、
表示基板。
ベース基板と、
前記ベース基板の表示領域にある表示構造と、
前記ベース基板の前記表示領域を囲む非表示領域にある少なくとも一つの遮断構造と、
前記基板上にあり、前記表示構造及び前記少なくとも一つの遮断構造を覆う第１遮水層とを含み、
前記遮断構造と前記ベース基板との界面の境界における第１遮水層の厚さは、前記遮断構造の前記ベース基板から最も遠い表面を覆う遮水層の厚さより小さく、
前記遮断構造は、前記ベース基板上の少なくとも１つの突起を含み、前記少なくとも１つの突起は、２μｍ～６μｍの範囲にある高さを有する、
表示基板。
【請求項2】
前記少なくとも１つの突起の側面と前記ベース基板の表面との間に形成される鋭角αは、２０°～６０°の範囲にあり、
前記遮断構造は、前記ベース基板上の少なくとも２つの突起を含む場合、前記少なくとも２つの突起のうち、任意の隣接する２つの突起の中心の間の距離は、２.５μｍ～１００μｍの範囲にある、請求項１に記載の表示基板。
前記遮断構造は、前記ベース基板上の少なくとも２つの突起を含む場合、前記少なくとも２つの突起のうち、任意の隣接する２つの突起の中心の間の距離は、２.５μｍ～１００μｍの範囲にある、請求項１に記載の表示基板。
【請求項3】
前記遮断構造は、前記表示構造が位置する前記ベース基板の表面から前記ベース基板の内側へと陥没した溝を含む、請求項１に記載の表示基板。
【請求項4】
前記溝の前記ベース基板に平行な平面における断面積は、６μｍ～５０μｍの範囲にある長さを有する、請求項３に記載の表示基板。
【請求項5】
前記ベース基板は、キャリアボードと、前記キャリアボード上に配置された誘電体層とを含む、請求項３に記載の表示基板。
【請求項6】
前記キャリアボードは、柔性キャリアボードであり、前記誘電体層は、無機材料を含む、請求項５に記載の表示基板。
【請求項7】
前記無機材料は、酸化ケイ素、又は窒化ケイ素の少なくとも１つを含む、請求項６に記載の表示基板。
【請求項8】
前記溝の深さは前記ベース基板の厚さよりも小さい、請求項３に記載の表示基板。
【請求項9】
前記第１遮水層によって覆われる有機層と、
前記有機層を囲む位置決め構造であって、前記有機層の分布領域を定義するように構成される位置決め構造と、を更に含み、
前記位置決め構造は、前記ベース基板の前記表示構造に隣接する側に位置し、かつ前記ベース基板の表面から突出する１つ又は複数の環状凸部を含む、請求項１に記載の表示基板。
前記有機層を囲む位置決め構造であって、前記有機層の分布領域を定義するように構成される位置決め構造と、を更に含み、
前記位置決め構造は、前記ベース基板の前記表示構造に隣接する側に位置し、かつ前記ベース基板の表面から突出する１つ又は複数の環状凸部を含む、請求項１に記載の表示基板。
【請求項10】
前記第１遮水層は、前記１つ又は複数の環状凸部を覆う、請求項９に記載の表示基板。
【外国語明細書】