特開 2022-97377 電子部品及びその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022097377

(43)【公開日】2022-06-30

(54)【発明の名称】電子部品及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01G 4/224 20060101AFI20220623BHJP

   H01G 4/30 20060101ALI20220623BHJP

【ＦＩ】

H01G4/224 100

H01G4/30 160

H01G4/30 201K

H01G4/30 201F

H01G4/30 201C

H01G4/30 511

H01G4/30 517

【審査請求】未請求

【請求項の数】20

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021169261

(22)【出願日】2021-10-15

(31)【優先権主張番号】10-2020-0178556

(32)【優先日】2020-12-18

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】594023722

【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．

(74)【代理人】

【識別番号】110000877

【氏名又は名称】龍華国際特許業務法人

(72)【発明者】

【氏名】ジョン、コン ジョー

(72)【発明者】

【氏名】アン、ソ ジュン

(72)【発明者】

【氏名】ウォン、クァン イェウン

(72)【発明者】

【氏名】スン、ウー キュン

(72)【発明者】

【氏名】パク、キュ シク

(72)【発明者】

【氏名】パク、ミュン ジュン

【テーマコード（参考）】

5E001

5E082

【Ｆターム（参考）】

5E001AB03

5E001AE01

5E001AE02

5E001AE03

5E001AE04

5E001AH01

5E001AH03

5E001AH05

5E001AH06

5E001AH09

5E001AJ04

5E082AA01

5E082AB03

5E082BC19

5E082EE23

5E082EE35

5E082FG04

5E082FG26

5E082LL03

5E082MM24

5E082PP09

(57)【要約】

【課題】内部への流体浸透経路が遮断された電子部品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
電子部品及びその製造方法が提供される。電子部品は、積層された多数の誘電体層と対応する誘電体層を間に挟んで配置された多数の内部電極を含む本体、及び本体の外側面上に配置され、多数の内部電極のうち一部と連結される電極層を含む微小体、及びシーリング薄膜を含み、微小体は誘電体層、内部電極及び電極層のうち少なくとも一部によって定義され、微小体の表面を介して開口する開放型微細孔を含み、シーリング薄膜は開放型微細孔の内部を少なくとも部分的に充填し、開放型微細孔の入口を閉鎖する内部シーリング薄膜を含む。
【選択図】図８

【特許請求の範囲】

【請求項1】

積層された多数の誘電体層と対応する誘電体層を間に挟んで配置された多数の内部電極を含む本体と、
前記本体の外側面上に配置され、前記多数の内部電極のうち一部と連結される電極層を含む微小体と、
シーリング薄膜とを備え、
前記微小体は、前記誘電体層、前記内部電極及び前記電極層のうち少なくとも一部によって定義され、前記微小体の表面を介して開口する開放型微細孔を含み、
前記シーリング薄膜は、前記開放型微細孔の内部を少なくとも部分的に充填し、前記開放型微細孔の入口を閉鎖する内部シーリング薄膜を含む、電子部品。

【請求項2】

前記内部シーリング薄膜は、前記開放型微細孔の内部を完全に充填する、請求項１に記載の電子部品。

【請求項3】

前記開放型微細孔は、前記内部シーリング薄膜によって充填されない空いた空間を含み、前記空いた空間は、前記内部シーリング薄膜が閉鎖する領域よりも内側に位置する、請求項１または２に記載の電子部品。

【請求項4】

前記微小体は、前記誘電体層、前記内部電極及び前記電極層のうち少なくとも一部によって定義され、前記微小体の表面を介して開口しない閉鎖型微細孔をさらに含む、請求項１から３のいずれか一項に記載の電子部品。

【請求項5】

前記内部シーリング薄膜は、前記閉鎖型微細孔内に配置されない、請求項４に記載の電子部品。

【請求項6】

前記シーリング薄膜は、前記電極層の端部と前記本体との間の界面上に配置された外部シーリング薄膜をさらに含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の電子部品。

【請求項7】

前記外部シーリング薄膜は、前記内部シーリング薄膜と同一の物質からなる、請求項６に記載の電子部品。

【請求項8】

前記内部シーリング薄膜及び前記外部シーリング薄膜は、フッ素を含む、請求項７に記載の電子部品。

【請求項9】

前記内部シーリング薄膜及び前記外部シーリング薄膜は、少なくとも部分的に結晶化している、請求項７または８に記載の電子部品。

【請求項10】

前記電極層上に配置されためっき層をさらに含み、前記電極層と前記めっき層との間には、前記シーリング薄膜が配置されない、請求項１から９のいずれか一項に記載の電子部品。

【請求項11】

前記内部シーリング薄膜は、前記開放型微細孔の表面の開口から深さ方向に後退して配置される、請求項１から１０のいずれか一項に記載の電子部品。

【請求項12】

前記シーリング薄膜は、前記微小体の外側面上に配置されない、請求項１１に記載の電子部品。

【請求項13】

積層された多数の誘電体層と対応する誘電体層を間に挟んで配置された多数の内部電極を含む本体と、
前記本体上に配置されて対応する前記内部電極と電気的に連結されるように配置された電極層と、
前記電極層上に配置されためっき層を含む外部電極と、
前記電極層の端部と前記本体との間の界面上に配置された外部シーリング薄膜とを備える電子部品。

【請求項14】

前記外部シーリング薄膜は、フッ素を含む、請求項１３に記載の電子部品。

【請求項15】

前記外部シーリング薄膜は、少なくとも部分的に結晶化している、請求項１３または１４に記載の電子部品。

【請求項16】

前記外部シーリング薄膜の最大厚さは、２０ｎｍ～２００ｎｍである、請求項１３から１５のいずれか一項に記載の電子部品。

【請求項17】

積層された多数の誘電体層と対応する誘電体層を間に挟んで配置された多数の内部電極を含む本体、及び前記本体の外側面上に配置され、前記多数の内部電極のうち一部と連結される電極層を含む微小体を提供する段階と、
前記微小体上に気相蒸着工程でシーリング薄膜を形成する段階と、
前記シーリング薄膜を少なくとも部分的に除去する段階とを含む、電子部品の製造方法。

【請求項18】

前記シーリング薄膜を形成する段階は、ＣｘＦｙをソースガスとして用いるプラズマ蒸着装置内で行われる、請求項１７に記載の電子部品の製造方法。

【請求項19】

前記シーリング薄膜を少なくとも部分的に除去する段階は、乾式研磨工程を含む、請求項１７または１８に記載の電子部品の製造方法。

【請求項20】

前記シーリング薄膜を少なくとも部分的に除去する段階の後に、前記電極層上にめっき層を形成する段階をさらに含む、請求項１７から１９のいずれか一項に記載の電子部品の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、電子部品及びその製造方法に関するものである。

【背景技術】

【0002】

電子部品のうち積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ：Ｍｕｌｔｉ－Ｌａｙｅｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）は、液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）などの映像機器、コンピュータ、スマートフォン及び携帯電話などの様々な電子製品のプリント回路基板に装着されて電気を充電又は放電させる役割を果たすチップ形態のコンデンサである。

【0003】

かかる積層型セラミックキャパシタは、小型でありながら高容量が保障され、実装が容易であるという利点により、様々な電子装置の部品として用いられることができる。最近、電子装置の部品が小型化するにつれて、積層型キャパシタの小型化及び高容量化に対する要求が増加しつつある。

【0004】

積層型キャパシタは、多数の誘電体層と、誘電体層を間に挟んで交互に配置された多数の内部電極、及び内部電極と連結された外部電極を含む。誘電体層、内部電極、外部電極は、互いに緻密に結合することが好ましいが、場合によっては、欠陥が発生する可能性がある。このような欠陥は、流体浸透経路になることがある。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本発明が解決しようとする課題は、内部への流体浸透経路が遮断された電子部品を提供することである。

【0006】

本発明が解決しようとする他の課題は、内部への流体浸透経路が遮断された電子部品の製造方法を提供することである。

【0007】

本発明の技術的課題は、以上で言及した技術的課題に制限されず、言及されていないさらに他の技術的課題は、以下の記載から当業者であれば明確に理解することができる。

【課題を解決するための手段】

【0008】

上記課題を解決するための一実施形態に係る電子部品は、積層された多数の誘電体層と対応する誘電体層を間に挟んで配置された多数の内部電極を含む本体、及び上記本体の外側面上に配置され、上記多数の内部電極のうち一部と連結される電極層を含む微小体、及びシーリング薄膜を含み、上記微小体は、上記誘電体層、上記内部電極及び上記電極層のうち少なくとも一部によって定義され、上記微小体の表面を介して開口する開放型微細孔を含み、上記シーリング薄膜は、上記開放型微細孔の内部を少なくとも部分的に充填し、上記開放型微細孔の入口を閉鎖する内部シーリング薄膜を含む。

【0009】

上記課題を解決するための他の実施形態に係る電子部品は、積層された多数の誘電体層と対応する誘電体層を間に挟んで配置された多数の内部電極を含む本体、上記本体上に配置されて対応する上記内部電極と電気的に連結されるように配置された電極層、及び上記電極層上に配置されためっき層を含む外部電極、及び上記電極層の端部と上記本体との間の界面上に配置された外部シーリング薄膜を含む。

【0010】

上記他の課題を解決するための一実施形態に係る電子部品の製造方法は、積層された多数の誘電体層と対応する誘電体層を間に挟んで配置された多数の内部電極を含む本体、及び上記本体の外側面上に配置され、上記多数の内部電極のうち一部と連結される電極層を含む微小体を提供する段階、上記微小体上に気相蒸着工程でシーリング薄膜を形成する段階、及び上記シーリング薄膜を少なくとも部分的に除去する段階を含む。

【0011】

その他の実施形態の具体的な事項は、詳細な説明及び図面に含まれている。

【発明の効果】

【0012】

一実施形態に係る電子製品及びその製造方法によると、内部に流体が浸透することを効果的に遮断することができる。したがって、電子製品の内部部材の流体露出による不良を防止することができる。

【0013】

実施形態に係る効果は以上で例示された内容によって制限されず、より様々な効果が本明細書内に含まれている。

【図面の簡単な説明】

【0014】

【図1】本発明の一実施形態に係る電子部品を説明するための斜視図である。

【図2】図１の電子部品を説明するための分解斜視図である。

【図3】図１に示された電子部品の本体を説明するための分解斜視図である。

【図4】図１のＩＶ－ＩＶ'線に沿って切断した断面図である。

【図5】一実施形態によるシーリング薄膜形成前の微小体の部分断面図である。

【図6】開放型微細孔を含む微小体が流体に露出した状態を示した概略図である。

【図7】閉鎖型微細孔を含む微小体が流体に露出した状態を示した概略図である。

【図8】図５の微小体にシーリング薄膜が形成された構造を示した部分断面図である。

【図9】開放型微細孔の内部にシーリング薄膜が形成された微小体が流体に露出した状態を示した概略図である。

【図10】一実施形態に係る電子部品の製造方法の工程段階を示した断面図である。

【図11】一実施形態に係る電子部品の製造方法の工程段階を示した断面図である。

【図12】一実施形態に係る電子部品のシーリング薄膜の形成工程を示した概略図である。

【図13】一実施形態に係る電子部品の製造方法の工程段階を示した断面図である。

【図14】シーリング薄膜の成長方向を説明するための部分断面図である。

【図15】一実施形態に係る電子部品の製造方法の工程段階を示した断面図である。

【図16】一実施形態に係る電子部品の製造方法の工程段階を示した断面図である。

【図17】様々な実施形態に係る電子部品の内部シーリング薄膜に対する断面図である。

【図18】開放型微細孔内に湿式方式でコーティング層を形成する方法を示した断面図である。

【図19】他の実施形態に係る電子部品の断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0015】

本発明の利点及び特徴、そしてこれらを達成する方法は、添付される図面とともに詳細に後述する実施形態を参照すると明確になる。しかし、本発明は、以下で開示される実施形態に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態で実現されることができ、単に本実施形態は、本発明の開示を完全にし、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に説明するために提供されるものであり、本発明は請求項の範疇によって定義されるだけである。明細書全体にわたって同一参照符号は同一構成要素を示す。

【0016】

素子（ｅｌｅｍｅｎｔｓ）、または層が異なる素子、または層の「上（ｏｎ）」と称されるものは、他の素子または層の直上だけでなく、中間に他の層または他の素子を介在した場合をすべて含む。一方、素子が「直上（ｄｉｒｅｃｔｌｙ ｏｎ）」と称されるものは、中間に他の素子または層を介在していないものを示す。

【0017】

空間的に相対的な用語である「下（ｂｅｌｏｗ）」、「下（ｂｅｎｅａｔｈ）」、「下部（ｌｏｗｅｒ）」、「上（ａｂｏｖｅ）」、「上部（ｕｐｐｅｒ）」などは、図面に示されているように、一つの素子または構成要素と異なる素子または構成要素との相関関係を容易に記述するために用いられることができる。空間的に相対的な用語は、図面に示されている方向に加えて、使用時または動作時の素子の互いに異なる方向を含む用語として理解すべきである。例えば、図面に示されている素子を覆す場合、他の素子の「下（ｂｅｌｏｗ）」または「下（ｂｅｎｅａｔｈ）」と記述された素子は、他の素子の「上（ａｂｏｖｅ）」に置かれることがある。したがって、例示的な用語である「下」は、下及び上の方向をすべて含むことができる。素子は、他の方向にも配向されることができ、これにより、空間的に相対的な用語は配向によって解釈されることができる。

【0018】

たとえ、第１、第２などが様々な素子、構成要素及び／またはセクションを説明するために用いられるが、これらの素子、構成要素及び／またはセクションはこれらの用語によって制限されないことはもちろんである。これらの用語は、ただ一つの素子、構成要素またはセクションを他の素子、構成要素またはセクションと区別するために用いられるものである。したがって、以下で言及される第１素子、第１構成要素または第１セクションは、本発明の技術的思想内で第２素子、第２構成要素または第２セクションであることもできる。

【0019】

以下、添付された図面を参照して、様々な実施形態を説明する。

【0020】

図１は、本実施形態に係る電子部品を説明するための斜視図であり、図２は、図１の電子部品を説明するための分解斜視図であり、図３は、図１に示された電子部品の本体を説明するための分解斜視図であり、図４は、図１のＩＶ－ＩＶ'線に沿って切断した断面図である。

【0021】

図１～図４を参照すると、電子部品１００は、互いに分離した第１電極と第２電極、及びその間に介在された誘電体を含む。第１電極及び第２電極は、それぞれ複数個であり、相互交互に積層されることができる。各電極間には誘電体が介在する。複数の第１電極、第２電極及び誘電体は、積層型キャパシタをなす。以下では、電子部品の構成について詳細に説明する。

【0022】

電子部品１００は、本体１１０、第１外部電極１６１、及び第２外部電極１６２を含む。

【0023】

本体１１０は、例えば、六面体形状であることができる。具体的に、本体１１０は、図２に示されたように、６つの面Ｍ１、Ｍ２、Ｆ１、Ｆ２、Ｃ１、Ｃ２を含むことができる。第１面Ｍ１と第２面Ｍ２は、第３方向Ｔに（または本体１１０の厚さ方向に）互いに対向する。電子部品１００を基板に実装するとき、第１面Ｍ１または第２面Ｍ２は、基板に実装される面（すなわち、実装面）になることがある。第３面Ｆ１と第４面Ｆ２は、第２方向Ｗに（または本体１１０の幅方向に）互いに対向する。第３面Ｆ１及び第４面Ｆ２は第１面Ｍ１及び第２面Ｍ２と連結される。第５面Ｃ１と第６面Ｃ２は、第１方向Ｌに（または本体１１０の長さ方向に）互いに対向する。第５面Ｃ１及び第６面Ｃ２は第１面Ｍ１、第２面Ｍ２、第３面Ｆ１及び第４面Ｆ２と連結される。

【0024】

図３に示したように、本体１１０は多数の誘電体層１１１、多数の第１内部電極１２１、及び多数の第２内部電極１２２を含む。具体的に、多数の誘電体層１１１が積層され、多数の第１内部電極１２１及び多数の第２内部電極１２２は、誘電体層１１１を間に挟んで交互に配置される。

【0025】

多数の誘電体層１１１は、焼結された状態で、隣接する誘電体層同士の境界が確認できないほどに一体化していることがある。

【0026】

誘電体層１１１は、高誘電率を有するセラミック材料を含むことができる。例えば、誘電体層１１１は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系またはチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ_３）系粉末を含むことができるが、これに限定されない。すなわち、十分な静電容量を得ることができる物質であれば、どのようなものでも誘電体層１１１の物質として適用可能である。誘電体層１１１には、セラミック粉末に併せてセラミック添加剤、有機溶剤、有機バインダー、可塑剤、結合剤、及び分散剤などが選択的にさらに添加されることができる。セラミック添加剤としては、遷移金属酸化物または炭化物、希土類元素、マグネシウム（Ｍｇ）またはアルミニウム（Ａｌ）などが挙げられるが、セラミック添加剤の例示は、これに限定されない。

【0027】

多数の第１内部電極１２１及び多数の第２内部電極１２２は、第３方向Ｔに（または本体１１０の厚さ方向に）重なるが、互いに重なる面積は、キャパシタの容量形成と関連する。

【0028】

第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２は、ニッケル（Ｎｉ）を含むことができる。第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２はニッケルを主成分とし、さらに添加剤を含むことができる。例えば、酸化ニッケル（ＮｉＯ）の形成を減少させて内部電極１２１、１２２の導電性を高めるためにＬｉ、Ｎａ、Ｋを含む群から選択された少なくとも一つの物質が上記添加剤として用いられることができる。また、内部電極１２１、１２２の信頼性を向上させるために、Ｓｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｂ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｐｂを含む群から選択された少なくとも一つの物質が上記添加剤として用いられることができる。また、内部電極１２１、１２２の界面組成を均一にするためにＢａ、Ｍｇ、Ｄｙ、Ｔｉを含む群から選択された少なくとも一つの物質が上記添加剤として用いられることができる。

【0029】

図４に示されたように、多数の第１内部電極１２１は、第５面Ｃ１に露出し、第１外部電極１６１と電気的に連結される。多数の第２内部電極１２２は、第６面Ｃ２に露出して第２外部電極１６２と電気的に連結される。第１外部電極１６１及び第２外部電極１６２に電圧を印加すると、互いに対向する第１内部電極１２１と第２内部電極１２２との間に電荷が蓄積されることができる。

【0030】

本体１１０は、さらに、多数の第１内部電極１２１と多数の第２内部電極１２２のうち最下にある内部電極の下に位置する下部カバー層１１１Ｌをさらに含むことができる。また、本体１１０は、さらに、多数の第１内部電極１２１と多数の第２内部電極１２２のうち最上にある内部電極の上部に位置する上部カバー層１１１Ｈをさらに含むことができる。下部カバー層１１１Ｌ及び上部カバー層１１１Ｈは、多数の誘電体層１１１とともに焼結された状態で、隣接する層同士の境界が確認できないほど一体化していることがある。

【0031】

下部カバー層１１１Ｌ及び上部カバー層１１１Ｈは、単一の誘電体層または２つ以上の誘電体層を第３方向Ｔに（例えば、本体１１０の厚さ方向に）積層して形成することができる。下部カバー層１１１Ｌ及び上部カバー層１１１Ｈは、物理的／化学的ストレスから第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２の損傷を防止する役割を果たす。また、実装方向性を除去するために、下部カバー層１１１Ｌの厚さＴＬと上部カバー層１１１Ｈの厚さＴＨを同一に形成することができるが、これに限定されない。下部カバー層１１１Ｌまたは上部カバー層１１１Ｈは、誘電体層１１１と同一の材質及び構成を有することができるが、これに限定されない。

【0032】

本体１１０の形状、寸法、誘電体層１１１の積層数、第１内部電極１２１／第２内部電極１２２の積層数、下部／上部カバー層１１１Ｌ、１１１Ｈの厚さＴＬ、ＴＨなどは設計によって異なる場合があり、図示されたものに限定されない。

【0033】

第１外部電極１６１は、第１接続部１６１ａ、第１実装部１６１ｂ、及び第１側面部１６１ｃを含むことができる。

【0034】

第１接続部１６１ａは、本体１１０の第５面Ｃ１に配置され、第５面Ｃ１に露出した多数の第１内部電極１２１と接続される。第１接続部１６１ａは、本体１１０の第５面Ｃ１の全部をカバーすることができる。

【0035】

第１実装部１６１ｂは、第１接続部１６１ａから本体１１０の第１面Ｍ１と第２面Ｍ２に延長されることができる。第１実装部１６１ｂは、本体１１０の第１面Ｍ１と第２面Ｍ２を部分的にカバーすることができる。

【0036】

第１側面部１６１ｃは、第１接続部１６１ａから本体１１０の第３面Ｆ１と第４面Ｆ２に延長されることができる。第１側面部１６１ｃは、本体１１０の第３面Ｆ１と第４面Ｆ２を部分的にカバーすることができる。

【0037】

第１実装部１６１ｂは、第１内部電極１２１がなす平面と平行し、第１側面部１６１ｃは、第１内部電極１２１がなす平面と垂直であることができる。

【0038】

本体１１０の第１面Ｍ１に配置された第１実装部１６１ｂと、本体１１０の第２面Ｍ２に配置された第１実装部１６１ｂは、本体１１０を中心に互いに第３方向Ｔに対称であることができる。例えば、本体１１０の第１面Ｍ１に配置された第１実装部１６１ｂの第１方向Ｌ（または第２方向Ｗ）への長さと、本体１１０の第２面Ｍ２に配置された第１実装部１６１ｂの第１方向Ｌ（または第２方向Ｗ）への長さは互いに同一であることができる。

【0039】

同様に、本体１１０の第３面Ｆ１に配置された第１側面部１６１ｃと、本体１１０の第４面Ｆ２に配置された第１側面部１６１ｃは、本体１１０を中心に互いに第２方向Ｗに対称であることができる。すなわち、本体１１０の第３面Ｆ１に配置された第１側面部１６１ｃの第１方向Ｌ（または第３方向Ｔ）への長さと、本体１１０の第４面Ｆ２に配置された第１側面部１６１ｃの第１方向Ｌ（または第３方向Ｔ）への長さは互いに同一であることができる。

【0040】

第１外部電極１６１と同様に、第２外部電極１６２は、第２接続部１６２ａ、第２実装部１６２ｂ及び第２側面部１６２ｃを含むことができる。

【0041】

第２接続部１６２ａは、本体１１０の第６面Ｃ２に配置され、第６面Ｃ２に露出した多数の第２内部電極１２２と接続される。第２接続部１６２ａは、本体１１０の第６面Ｃ２の全部をカバーすることができる。

【0042】

第２実装部１６２ｂは、第２接続部１６２ａから本体１１０の第１面Ｍ１と第２面Ｍ２に延長されることができる。第２実装部１６２ｂは、本体１１０の第１面Ｍ１と第２面Ｍ２を部分的にカバーすることができる。

【0043】

第２側面部１６２ｃは、第２接続部１６２ａから本体１１０の第３面Ｆ１と第４面Ｆ２に延長されることができる。第２側面部１６２ｃは、本体１１０の第３面Ｆ１と第４面Ｆ２を部分的にカバーすることができる。

【0044】

第２実装部１６２ｂは、第２内部電極１２２がなす平面と平行し、第２側面部１６２ｃは、第２内部電極１２２がなす平面と垂直であることができる。

【0045】

本体１１０の第１面Ｍ１に配置された第２実装部１６２ｂと、本体１１０の第２面Ｍ２に配置された第２実装部１６２ｂは、本体１１０を中心に互いに第３方向Ｔに対称であることができる。本体１１０の第３面Ｆ１に配置された第２側面部１６２ｃと、本体１１０の第４面Ｆ２に配置された第２側面部１６２ｃは、本体１１０を中心に互いに第２方向Ｗに対称であることができる。

【0046】

前述したように、本体１１０の第１面Ｍ１に形成された第１実装部１６１ｂ／第２実装部１６２ｂと、本体１１０の第２面Ｍ２に形成された第１実装部１６１ｂ／第２実装部１６２ｂが対称性を有し、下部カバー層１１１Ｌの厚さＴＬと上部カバー層１１１Ｈの厚さＴＨを同一に形成することができる。このようにすることで、電子部品１００を基板に実装する際、実装方向性を除去することができる。すなわち、本体１１０の第１面Ｍ１が基板と向き合うように実装することもでき、本体１１０の第２面Ｍ２が基板と向き合うように実装することもできる。

【0047】

本体１１０の一側は第１内部空間ＩＳ１に配置され、本体１１０の他側は第２内部空間ＩＳ２に配置されることができる。

【0048】

第１外部電極１６１は第１内部空間ＩＳ１を定義する。第１内部空間ＩＳ１は、第１接続部１６１ａと、第１接続部１６１ａから折り曲げられた第１実装部１６１ｂ及び第１側面部１６１ｃによって決定される。第１接続部１６１ａ、第１実装部１６１ｂ及び第１側面部１６１ｃによって囲まれた空間が第１内部空間ＩＳ１となる。具体的には、第１接続部１６１ａは長方形状であり、第１実装部１６１ｂ／第１側面部１６１ｃは、長方形状である第１接続部１６１ａの各辺から垂直に折り曲げられて、第２外部電極１６２に向かって長く延長されることができる。

【0049】

第２外部電極１６２は第２内部空間ＩＳ２を定義する。第２内部空間ＩＳ２は、第２接続部１６２ａと、第２接続部１６２ａから折り曲げられた第２実装部１６２ｂ及び第２側面部１６２ｃによって決定される。第２接続部１６２ａ、第２実装部１６２ｂ及び第２側面部１６２ｃによって囲まれた空間が第２内部空間ＩＳ２となる。具体的には、第２接続部１６２ａは長方形状であり、第２実装部１６２ｂ／第２側面部１６２ｃは、長方形状である第２接続部１６２ａの各辺から垂直に折り曲げられて、第１外部電極１６１に向かって長く延長されることができる。

【0050】

また、第１外部電極１６１及び第２外部電極１６２は、本体１１０の中央部を中心に対称形状であることができる。

【0051】

例えば、本体１１０の第１面Ｍ１に配置された第１外部電極１６１の第１実装部１６１ｂと、本体１１０の第１面Ｍ１に配置された第２外部電極１６２の第２実装部１６２ｂは、本体１１０を中心に第１方向Ｌに対称であることができる。また、本体１１０の第３面Ｆ１に配置された第１外部電極１６１の第１側面部１６１ｃと、本体１１０の第３面Ｆ１に配置された第２外部電極１６２の第２側面部１６２ｃは、本体１１０を中心に第１方向Ｌに対称であることができる。また、本体１１０の第５面Ｃ１に配置された第１外部電極１６１の第１接続部１６１ａと、本体１１０の第６面Ｃ２に配置された第２外部電極１６２の第２接続部１６２ａは、本体１１０を中心に第１方向Ｌに対称であることができる。

【0052】

第１及び第２外部電極１６１、１６２によって本体１１０の第５面Ｃ１と第６面Ｃ２は全部カバーされるが、本体１１０の第１面Ｍ１、第２面Ｍ２、第３面Ｆ１、及び第４面Ｆ２は、部分的に露出することができる。

【0053】

第１外部電極１６１及び第２外部電極１６２は、それぞれ順に積層された電極層及びめっき層を含むことができる。

【0054】

第１外部電極１６１の電極層１３１は、本体１１０の第５面Ｃ１の全体、本体１１０の第１面Ｍ１、第２面Ｍ２、第３面Ｆ１、及び第４面Ｆ２の一部の直上に配置されることができる。第２外部電極１６２の電極層１３２は、本体１１０の第６面Ｃ２の全体、本体１１０の第１面Ｍ１、第２面Ｍ２、第３面Ｆ１、及び第４面Ｆ２の一部の直上に配置されることができる。第１外部電極１６１の電極層１３１及び第２外部電極１６２の電極層１３２は、実質的に同一の物質及び構造で形成されることができる。電極層１３１、１３２は、導電性金属、例えば、銅（Ｃｕ）、ニッケル、金、銀、白金、及びパラジウムのうち少なくとも一つの物質またはこれらの合金を含むことができるが、これに限定されない。また、電極層１３１、１３２は、補助材料としてガラスをさらに含むことができる。導電性金属は、チップ密閉性及びチップとの電気的連結性を保障し、ガラスは導電性金属の焼成収縮時に空いた空間を満たすと同時に、第１外部電極１６１と本体１１０の結合力を付与することができる。

【0055】

第１外部電極１６１の電極層１３１上にめっき層１５１が配置され、第２外部電極１６２の電極層１３２上にはめっき層１５２が配置される。めっき層１５１、１５２は、その下部の電極層１３１、１３２に基づいて電解めっきにより形成されることができる。その結果、めっき層１５１、１５２は、その下部の電極層１３１、１３２と実質的に同一のパターン形状を有することができる。

【0056】

第１外部電極１６１のめっき層１５１及び第２外部電極１６２のめっき層１５２は、実質的に同一の物質及び構造で形成されることができる。めっき層１５１、１５２は、ニッケル（Ｎｉ）めっき層及び／またはスズ（Ｓｎ）めっき層を含むことができる。めっき層１５１、１５２は、ニッケル／スズ合金を含むことができる。いくつかの実施例において、めっき層１５１、１５２は、２以上の層を含むことができる。例えば、めっき層１５１、１５２は、電極層１３１、１３２上に形成され、ニッケルを含む第１めっき層及び第１めっき層上に形成され、スズを含む第２めっき層を含むことができる。

【0057】

電子部品１００は、シーリング薄膜ＳＴ：ＳＴ＿Ｉ、ＳＴ＿Ｏを含むことができる。シーリング薄膜ＳＴは、本体１１０と電極層１３１からなる構造物の表面またはその内部に配置され、流体が内部に浸透することを防止する役割を果たす。説明の便宜上、本体１１０上に電極層１３１、１３２が形成された構造物、言い換えると、電子部品１００でめっき層１５１、１５２を除いた残りの構造物を微小体と定義すると、シーリング薄膜ＳＴは、微小体の表面及び／または内部に配置される。シーリング薄膜ＳＴは、微小体の表面上に配置される外部シーリング薄膜ＳＴ＿Ｏと微小体の内部に配置される内部シーリング薄膜ＳＴ＿Ｉを含むことができる。

【0058】

外部シーリング薄膜ＳＴ＿Ｏは本体１１０上に配置される電極層１３１、１３２の端部及び本体１１０によって行われる段差部ＳＴＰ上に配置されることができる。外部シーリング薄膜ＳＴ＿Ｏは電極層１３１、１３２の端部と本体１１０との間の界面上に配置され、上記界面をカバーすることができる。外部シーリング薄膜ＳＴ＿Ｏは電極層１３１、１３２の端部が位置する微小体の第１面Ｍ１、第３面Ｆ１、第２面Ｍ２及び第４面Ｆ２にそれぞれ配置されることができる。外部シーリング薄膜ＳＴ＿Ｏは電極層１３１、１３２の端部と本体１１０との間の界面を完全に囲むように連続的に配置されることができるが、これに制限されるものではなく、断続的に配置されることもある。外部シーリング薄膜ＳＴ＿Ｏの厚さ（電極層１３１または本体１１０との界面から垂直方向に測定された最大の高さ）は、２０ｎｍ～２００ｎｍであることができるが、これに制限されるものではない。

【0059】

微小体がその内部に配置される微細孔ＯＰ：ＯＰ＿Ｈ、ＯＰ＿Ｃを含む場合、内部シーリング薄膜ＳＴ＿Ｉが微細孔ＯＰの内部に配置されることができる。以下で、シーリング薄膜ＳＴ及び微小体の微細孔ＯＰについてさらに詳細に説明する。

【0060】

図５は、一実施形態によるシーリング薄膜形成前の微小体の部分断面図であり、説明の便宜上、微細孔ＯＰの大きさ及び配置を多少誇張に示した。また、図５では、第１外部電極１６１の電極層１３１が配置された部分を示したが、例示された形状は、第２外部電極１６２の電極層１３２が配置された部分や他の部分の例示としても適用できることは自明である。

【0061】

図４及び図５を参照すると、電子部品１００の微小体は、内部に微細孔ＯＰを含むことができる。微細孔ＯＰは、隣接して配置された物質や完全な結合がなされなかったことにより形成された所定空間として定義されることができる。微小体を構成する物質は、微細孔ＯＰを基準として相互分離する。すなわち、微細孔ＯＰは、物質の不連続区間を形成することができる。

【0062】

微細孔ＯＰは、固体物質に占有されずに空いている空間であって、流体が滞在するか、移動できる空間を提供することができる。例えば、いくつかの微細孔ＯＰは、十分な大きさを有してめっき液のような液体が通過することができる空間を提供することができる。他のいくつかの微細孔ＯＰは、比較的非常に小さい大きさを有するため、液体は通過できないものの気体は通過させることができる空間を提供することができる。

【0063】

微細孔ＯＰは、微小体の製造過程で形成されることができる。微細孔ＯＰは、特定目的のために意図的に形成されることもあるが、非意図的に形成されることもある。例えば、焼結、焼成などの製造過程では、層または電極を構成する物質が空間を完全に満たして固結または硬化することを意図したが、工程条件の様々な変数や採用した工程条件の限界により構成物質が一部空間を満たせない欠陥が発生する可能性があり、このような欠陥が微細孔ＯＰの形態で電子部品１００の内部に配置されることがある。その他に微小体の製造過程や取り扱い過程で発生する亀裂、外部衝撃によるクラックなどによっても微細孔ＯＰが形成されることがある。

【0064】

微細孔ＯＰは、様々な形状を有することができる。例えば、微細孔ＯＰは、均一または不均一な幅を有する隙間、トンネル、ポア（ｐｏｒｅ）、澱みなどの形状を有することができ、界面間の浮きの形態を有することもできる。また、球形、楕円形、アモルファスなどのアイランド形状を有することもでき、直線、曲線、または枝や道路のように連結されたライン形状を有することもできる。微細孔ＯＰは、ＦＥ－ＳＥＭ写真などを介して観察されることができる。

【0065】

微細孔ＯＰは、微小体の内部で様々な位置に配置されることができる。

【0066】

例えば、微細孔ＯＰは、本体１１０の誘電体層１１１や内部電極１２１、１２２の内部、または電極層１３１の内部のように特定部材の内部に配置されることができる。具体的に、誘電体層１１１、内部電極１２１、１２２、電極層１３１などの部材はそれぞれペースト状に提供された後、焼結及び／または焼成により固結または硬化して形成されることができる。ペーストは、焼結及び／または焼成を経て、殆どの領域で相互結合して一体化するが、場合によっては、一部領域で結合がなされなかったり、結合後に再分離されたりすることができる。このような未結合した領域が微細孔ＯＰをなすことができる。

【0067】

他の例として、微細孔ＯＰは、誘電体層１１１と内部電極１２１、１２２との間の界面、誘電体層１１１と電極層１３１との間の界面、内部電極１２１と電極層１３１との間の界面などのような異種部材の界面に配置されることもある。また、微細孔ＯＰは、セラミックシートから由来する各単位誘電体層１１１との間の界面のような同種部材の界面に配置されることもある。微小体の製造過程において、互いに異なる部材は密着した状態で固化するが、殆どの界面で物質は相互結合し、その間に空いた空間を生成しない。しかし、一部界面において物質が相互結合できない場合、言い換えると、特定層が他の層から浮く場合、該当領域は微細孔ＯＰを形成することができる。

【0068】

電子部品１００の微細孔ＯＰは、上記で列挙した様々な位置から選択された一つ以上の位置に配置されることがある。また、空間が連結された一つの微細孔ＯＰが上記で列挙された２以上の位置にわたって配置されることもある。例えば、いくつかの微細孔ＯＰは、誘電体層１１１と内部電極１２１、１２２の界面から誘電体層１１１を貫通して誘電体層１１１と電極層１３１の界面まで延長することができ、さらに電極層１３１の内部を貫通して電極層１３１の外表面に開口することができる。

【0069】

微細孔ＯＰは、微小体の表面への開口有無に応じて区分されることができる。ここで、微小体の表面は、電極層１３１の表面と本体１１０の表面を含むが、本体１１０の表面が電極層１３１によって覆われた領域では、電極層１３１の表面が微小体の表面となる。

【0070】

微細孔ＯＰは、空間的に連結された一つの微細孔ＯＰが微小体の表面に開口する開放型微細孔ＯＰ＿Ｈと空間的に連結された一つの微細孔ＯＰが微小体の表面を介して開口せず、全体空間が閉じている閉鎖型微細孔ＯＰ＿Ｃを含むことができる。ここで、閉鎖型と開放型の区分は、微小体によって定義される微細孔ＯＰ自体を基準とする。すなわち、微細孔ＯＰは、誘電体層１１１や内部電極１２１、１２２のような本体１１０の構成物質及び電極層１３１の構成物質のうち少なくとも一部によって定義される。例えば、誘電体層１１１、内部電極１２１、１２２、電極層１３１などの部材からなる微細孔ＯＰが本体１１０または電極層１３１の表面で開口した場合は、開口の入口が薄膜やコーティング物質などによって塞がっても微細孔ＯＰ自体をみると、表面の開口ＥＮに該当するため、開口型微細孔ＯＰと称される。

【0071】

図６は、開放型微細孔を含む微小体が流体に露出した状態を示した概略図であり、図７は、閉鎖型微細孔を含む微小体が流体に露出した状態を示した概略図である。

【0072】

図６及び図７を参照すると、製造過程中にある電子部品１００の中間構造物（例えば、微小体）や完成された電子部品１００の表面は、時々、流体に露出することがある。例えば、電子部品１００のめっき層１５１は、これに制限されるものではないが、本体１１０に電極層１３１を形成した後、これをめっき液に担持させる電解めっき方式により形成されることができる。この場合、電子部品１００の中間構造物である微小体は、液体状態のめっき液に露出することができる。このように積極的に液体に担持させる場合以外にも、電子部品１００やその微小体は、大気中の水分やその他の気体に露出することがある。

【0073】

閉鎖型微細孔ＯＰ＿Ｃの場合、図７に示したように、微小体の表面と空間的に連結されていないため、閉鎖型微細孔ＯＰ＿Ｃの内部への流体浸透が基本的に防止されることができる。一方、開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの場合、図６に示されたように、表面の開口ＥＮにより開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの内部に流体が浸透する余地がある。如何なる経緯であれ、微細孔ＯＰの内部に一旦侵入した流体は、微細孔ＯＰの延長方向に沿って内部に進入する可能性がある。浸透した流体は、微細孔ＯＰの周辺の誘電体層１１１、内部電極１２１、１２２、及び／または電極層１３１と接触することができ、接触した部材に影響を及ぼす可能性がある。例えば、浸透流体がめっき液の場合、内部電極１２１、１２２や電極層１３１と電気化学反応を起こして、電極の特性を変える可能性がある。また、反応により発生する水素ガスなどのような副産物は、体積膨張を起こし、微小体の内部にクラックを誘発することがある。また、浸透した流体が誘電体と反応して誘電率を落としたり、副産物を生成したりする可能性もある。このように、微小体の内部で流体が部材と接触する場合、電子部品１００の特性（例えば、Ｂｒｅａｋ ｄｏｗｎ ｖｏｌｔａｇｅ）の低下やクラック発生などのような不良が発生する可能性がある。このような不良はめっき液だけでなく、微細孔ＯＰの内部に浸透する水分（例えば、水蒸気や湿気など）やその他のガスなどによっても発生する可能性がある。

【0074】

このような開放型微細孔ＯＰ＿Ｈによる流体浸透可能性は、開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの内部をシーリング薄膜ＳＴに満たして流体の移動経路を閉鎖することにより効果的に遮断することができる。

【0075】

図８は、図５の微小体にシーリング薄膜が形成された構造を示す部分断面図であり、図９は、開放型微細孔の内部にシーリング薄膜が形成された微小体が流体に露出した状態を示した概略図である。

【0076】

図８を参照すると、電子部品１００は、内部シーリング薄膜ＳＴ＿Ｉ及び／または外部シーリング薄膜ＳＴ＿Ｏを含むことができる。図８では、内部シーリング薄膜ＳＴ＿Ｉと外部シーリング薄膜ＳＴ＿Ｏがすべて形成されている例を示したが、シーリング薄膜ＳＴとして内部シーリング薄膜ＳＴ＿Ｉだけを含むか、外部シーリング薄膜ＳＴ＿Ｏだけを含むこともできる。シーリング薄膜ＳＴの形成工程を終えた電子部品１００での内部シーリング薄膜ＳＴ＿Ｉの形成有無は、微小体が開放型微細孔ＯＰ＿Ｈを含むかどうかによって決定されることができる。外部シーリング薄膜ＳＴ＿Ｏはシーリング薄膜ＳＴ＿の蒸着厚さ及び表面除去工程の変数によって残留有無及び厚さが決定されることができる。

【0077】

内部シーリング薄膜ＳＴ＿Ｉは微細孔ＯＰのうち開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの内部に配置される。内部シーリング薄膜ＳＴ＿Ｉは、開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの内部空間を少なくとも部分的に充填する。例えば、内部シーリング薄膜ＳＴ＿Ｉは、開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの内部空間を全部満たすことができる。内部シーリング薄膜ＳＴ＿Ｉが開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの内部空間をすべて満たすと、空いた空間自体がなくなるため、流体の移動通路を基本的に遮断することができる。

【0078】

内部シーリング薄膜ＳＴ＿Ｉは、開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの内部空間のうち一部だけを満たすこともできる。図９に示されたように、内部シーリング薄膜ＳＴ＿Ｉが開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの内部空間を全部満たさず、空いた空間ＲＭの空隙を定義しても、表面に隣接した開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの入口を流体移動が不可能なほど閉鎖すると、流体の移動通路の観点から閉鎖型微細孔ＯＰ＿Ｃと実質的に同一の状態になるため、表面から流体が開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの内部に進入することを遮断することができる。

【0079】

外部シーリング薄膜ＳＴ＿Ｏは、電極層１３１の端部と本体１１０との間の界面上に配置されることができる。外部シーリング薄膜ＳＴ＿Ｏは、電極層１３１の端部と本体１１０との間の界面をシーリングして流体移動通路を基本的に遮断する機能を行うことができる。開放型微細孔ＯＰ＿Ｈが本体１１０と電極層１３１の界面にまで延長した場合、シーリング薄膜ＳＴは、開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの内部まで成長することができる。この場合、外部シーリング薄膜ＳＴ＿Ｏ及び内部シーリング薄膜ＳＴ＿Ｉが相互連結された構造を有することもできる。

【0080】

シーリング薄膜ＳＴは、周辺の部材（誘電体層１１１、内部電極１２１、１２２、電極層１３１）上に気相蒸着工程によって蒸着され、周辺の部材と少なくとも部分的に結合することができる。上記結合は、化学結合を含むことができる。このような化学結合は、コーティング及び硬化工程を介して形成される有機コーティング層よりも周辺の部材とのより強い結合力を付与することができる。

【0081】

シーリング薄膜ＳＴは、結晶性を有することができる。具体的に、シーリング薄膜ＳＴは、蒸着工程を経て全部または少なくとも部分的に結晶化することができる。結晶化したシーリング薄膜ＳＴは、コーティング及び硬化工程を介して形成される有機コーティング層よりも機械的により強固な膜をなし、より優れた封止機能を有するため、流体浸透を効果的に遮断することができる。

【0082】

シーリング薄膜ＳＴは、撥水性物質を含むことができる。シーリング薄膜ＳＴの接触角は、例えば、これに制限されるものではないが、９０°～１１０°であることができる。シーリング薄膜ＳＴが撥水性を有するようになると、めっき液や水分などの流体が微小体の内部に浸透することをより効果的に防止することができる。

【0083】

一実施形態において、シーリング薄膜ＳＴはフッ素を含むことができる。具体的には、シーリング薄膜ＳＴはＣｘＦｙなどのようなフッ素系有機物を含むことができる。シーリング薄膜ＳＴの平均厚さは、その位置により異なる可能性があるが、最大厚さが２０ｎｍ～２００ｎｍの範囲内で調節されることができる。

【0084】

以下、例示的な電子部品１００の製造方法を説明しながら、シーリング薄膜ＳＴについてより具体的に説明する。

【0085】

図１０、図１１、図１３、図１５及び図１６は、一実施形態に係る電子部品の製造方法の工程段階を示した断面図である。

【0086】

図１０を参照すると、まず、本体１１０及び電極層１３１を含む微小体を提供する。微小体は本体１１０を形成した後、本体１１０上に電極層１３１を形成することにより製造されることができる。

【0087】

本体１１０は、公知の様々な方法で形成されることができる。例えば、多数のセラミックグリーンシートを用意し、スクリーン印刷法またはグラビア印刷法のような印刷法を利用して、各セラミックグリーンシート上に導電性ペーストを塗布する。続いて、多数のセラミックグリーンシートを積層し、積層方向に加圧して積層されたセラミックグリーンシートと内部電極１２１、１２２用の導電性ペーストを互いに圧着させる。続いて、互いに圧着された積層体を１つの積層型キャパシタの本体１１０に対応する領域ごとにカットして、未焼結状態の本体を完成する。続いて、本体を熱処理してバインダーを燃焼させ、還元雰囲気で焼成することにより焼結及び／または焼成が完了した本体１１０を得ることができる。

【0088】

続いて、本体１１０上に電極層１３１を形成する。電極層１３１は、例えば、銅（Ｃｕ）、ニッケル、金、銀、白金、及びパラジウムのうち少なくとも一つの物質またはこれらの合金などのような導電性物質粉末及びガラス粉末を含む導電性ペーストまたは導電性エポキシ樹脂を本体１１０上に塗布し、電気的特性を付与するために高温熱処理して焼成することで形成されることができる。

【0089】

本体１１０と電極層１３１の焼結及び／または焼成を終えた微小体は、上述したように、内部に微細孔ＯＰを含むことができる。複数の微小体を製造する場合、一部の微小体は微細孔ＯＰを含み、他の一部の微小体は微細孔ＯＰを含まなくてもよい。微細孔ＯＰを含むいくつかの微小体は、開放型微細孔ＯＰ＿Ｈなしに閉鎖型微細孔ＯＰ＿Ｃだけを含み、他のいくつかの微小体は閉鎖型微細孔ＯＰ＿Ｃなしに開放型微細孔ＯＰ＿Ｈだけを含み、残りの微小体は、開放型微細孔ＯＰ＿Ｈと閉鎖型微細孔ＯＰ＿Ｃのすべてを含むことができる。

【0090】

微細孔ＯＰがないか、開放型微細孔ＯＰ＿Ｈなしに閉鎖型微細孔ＯＰ＿Ｃだけを含む微小体の場合、後続するめっき工程でめっき液に担持されてもめっき液の浸透及び微小体の内部進入が発生しないため、流体進入防止のためのシーリング薄膜ＳＴの形成工程が不要であることがある。一方、開放型微細孔ＯＰ＿Ｈを含む微小体の場合には、流体の内部進入を防止するためのシーリング薄膜ＳＴの形成工程が採用されることが好ましい。

【0091】

微小体の製造後、検査工程を介して開放型微細孔ＯＰ＿Ｈを含むかどうかが分かるのであれば、開放型微細孔ＯＰ＿Ｈを含む微小体のみを選別してシーリング薄膜ＳＴの形成工程を行うことが効率的である。しかし、微小体は非常に小さい大きさを有するため、開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの存在有無を検査することが容易でなく、工程の費用も多くかかることがある。また、開放型微細孔ＯＰ＿Ｈを含む微小体を区分したとしても、複数の微小体からこれらを選択的に選別することも工程の観点から非効率的である可能性がある。却って、開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの有無に対する検査及び選別過程なしに製造されたすべての微小体に対してシーリング薄膜ＳＴの形成工程を行うことによって全体工程の不良率を減らし、工程の効率を改善することができる。開放型微細孔ＯＰ＿Ｈがない微小体にシーリング薄膜ＳＴの形成工程を行う場合、内部シーリング薄膜ＳＴ＿Ｉなしに、外部シーリング薄膜ＳＴ＿Ｏのみが形成されるが、外部シーリング薄膜ＳＴ＿Ｏはめっき工程だけでなく、完成された電子部品１００で本体１１０と電極層１３１との間の流体の流入を防止する機能を行うため、別の副作用なく、電子部品１００の信頼性を高める利点が加わることができる。

【0092】

上記のような観点から一実施形態に係る電子部品１００の製造方法は、焼成を終えた微小体に対して開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの存在有無に対する検査工程なしに行われるシーリング薄膜ＳＴ＿の形成工程を含むことができる。

【0093】

図１１を参照すると、シーリング薄膜ＳＴの形成工程は、ＣＶＤ、ＰＥＣＶＤ（またはプラズマ蒸着装置）、ＰＶＤ、ＡＬＤなどのような気相蒸着工程により行われることができる。シーリング薄膜ＳＴの形成工程がＰＥＣＶＤで行われる場合を例に挙げて説明すると、まず、ＰＥＣＶＤ装置内に微小体を配置する。ソースガスとしては、例えば、Ｃ３Ｆ６などのようなＣｘＦｙガスが利用されることができる。ＰＥＣＶＤ装置内でプラズマを生成して蒸着工程を行うと微小体の表面にＣｘＦｙ物質が蒸着されることができる。

【0094】

シーリング薄膜ＳＴの成膜厚さは蒸着方向に関係することがある。一般的に、被蒸着面がＰＥＣＶＤ装置のシャワーヘッド及びプラズマ生成装置の電界方向に対向する場合、シーリング薄膜ＳＴがさらに厚く成膜されることができる。微小体は直方体形状を有するが、例えば、第２面Ｍ２がＰＥＣＶＤ装置のシャワーヘッドに向かって、その反対面である第１面Ｍ１が底に向かう場合、シャワーヘッドに向かう第２面Ｍ２は、十分な厚さのシーリング薄膜ＳＴ＿が成膜されるに対し、第２面Ｍ２に垂直である第３～第６面Ｆ１、Ｆ２、Ｃ１、Ｃ２は、それより小さな厚さのシーリング薄膜ＳＴが形成されることができる。もし、第１面Ｍ１がＰＥＣＶＤ装置の支持台または安着部などのような部材に当接している場合、第１面Ｍ１には、シーリング薄膜ＳＴがほぼ形成されないこともある。

【0095】

開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの安定したシーリングのためには、開放型微細孔ＯＰ＿Ｈが微小体のある面に開口するかどうかは分からない状態において、微小体のすべての面上に均一な厚さの成膜が行われることが好ましい。このような均一な成膜のための方法の一つとして、シャワーヘッドなどに対する微小体の対向面を固定せず、各面の位置を変更させながら蒸着工程を行う方法が採択されることができる。

【0096】

例示的な被蒸着面の変更方式が図１２に示されている。図１２は、一実施形態に係る電子部品のシーリング薄膜形成工程を示した概略図である。図１２は、バレル型ＰＥＣＶＤ装置２００内で多数個の微小体を回転させながら蒸着工程を行う回転式蒸着工程を例示する。図１２に示したように、微小体をバレル内部に配置してバレルを回転させながら蒸着工程を行うと、微小体の各面が規則的にまたはランダムに回転するため、微小体のすべての面に対して概ね均一な蒸着が可能となることができる。

【0097】

図１３を参照すると、ＰＥＣＶＤ装置内で蒸着物質ＣｘＦｙは微小体上に蒸着されて結合した後、厚さ方向に成長しながらシーリング薄膜ＳＴ＿Ｗに成膜されることができる。外観上のシーリング薄膜ＳＴ＿Ｗは微小体の全体面上に形成される。すなわち、シーリング薄膜ＳＴ＿Ｗは電極層１３１と本体１１０のうち電極層１３１によって覆われず、露出した部分上に形成されることができる。シーリング薄膜ＳＴ＿Ｗは本体１１０の露出した誘電体層１１１の面（外側面）だけでなく、露出した電極層１３１の面（外側面）の全体を覆うように形成されることができる。電極層１３１の端部と本体１１０との間には、電極層１３１の厚さに該当する段差部ＳＴＰが定義されるが、シーリング薄膜ＳＴ＿Ｗは段差部ＳＴＰに沿ってコンフォーマルに形成されることができる。

【0098】

シーリング薄膜ＳＴ＿Ｗは微小体の全面にわたって均一な厚さを有することができる。蒸着されたシーリング薄膜ＳＴ＿Ｗの厚さは、工程時間や条件の制御を介して調節されることができる。微小体上に蒸着されるシーリング薄膜ＳＴ＿Ｗの平均厚さは、開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの入口を十分に閉鎖することができる程度の範囲内で決定されることができる。上記条件を満たすシーリング薄膜ＳＴ＿Ｗの厚さは、開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの大きさに応じて異なることがあるが、一般的な工程条件で形成した多数の微小体に対して実験的に確認した結果によるとシーリング薄膜ＳＴ＿Ｗの平均厚さを２０ｎｍ～２００ｎｍの範囲で設定した場合、流体浸透による電子部品１００の劣化が有意に減少した。

【0099】

図１４は、シーリング薄膜の成長方向を説明するための部分断面図である。図１４を参照すると、微小体はＰＥＣＶＤ蒸着装置内で気相状態の蒸着物質に露出する。蒸着物質が微小体の表面と会うと、微小体の表面に結合することができる。気相状態の蒸着物質は外部に露出した微小体の外側面に接触して結合することができる。それだけでなく、気相状態の蒸着物質は、開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの内部に浸透及び進入することができるため、開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの内壁にも接触して結合することができる。

【0100】

蒸着工程が続いて行われると、気相蒸着物質は微小体に既に結合された蒸着物質上にも接触し、それに結合することができる。このような過程を経て、シーリング薄膜ＳＴ＿の成長が行われる。シーリング薄膜ＳＴ＿の主な成長方向は、図１４に示されたように、概ね被蒸着面に対して垂直方向であることができる。

【0101】

微小体の外側面において、シーリング薄膜ＳＴ＿Ｗは外側方向に成長する。微小体の外側面には、成長を障害する構造物がないため、シーリング薄膜ＳＴ＿Ｗは概ね予め設定した厚さに相応する厚さに成長することができる。

【0102】

開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの場合には、内壁から垂直方向にシーリング薄膜ＳＴ＿Ｗが成長する。シーリング薄膜ＳＴ＿Ｗは、開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの内壁の内周全体から中心に向かって成長することができる。

【0103】

開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの内部でシーリング薄膜ＳＴ＿Ｗが成長するにつれ、開放型微細孔ＯＰ＿Ｈ内の空いた空間ＲＭは、ますます減るようになる。空いた空間ＲＭの大きさが減っても空いた空間ＲＭが残っている限り、該当空間を介して気相蒸着物質が開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの内外部に疎通することができる。したがって、成膜が行われた領域の内側空間にも追加成膜は可能である。

【0104】

開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの内部でシーリング薄膜ＳＴ＿Ｗがさらに成長しながら、向き合って成長するシーリング薄膜ＳＴ＿と当接することができる。蒸着工程中に開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの内壁から互いに異なる方向に成長するシーリング薄膜ＳＴ＿Ｗが相互当接することができる条件は、設定された成膜厚さ（外側面を基準とした厚さ）と開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの最小内径に関係する。例えば、微小体の外側面と開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの内部の成膜速度が同一であると仮定すると、開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの内径が設定された成膜厚さの半分より小さいか、同一である場合に微細孔ＯＰの内壁で互いに異なる方向に成長するシーリング薄膜ＳＴ＿Ｗが相互接することができる。もし、外側面より開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの内部の成膜速度が平均１／２とすると、開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの内径が設定された成膜厚さ以下であることが開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの内部でシーリング薄膜ＳＴ＿Ｗが中央部で接する必要条件となる。言い換えると、シーリング薄膜ＳＴ＿Ｗの成膜厚さは、開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの大きさ、その内部での成膜速度などを考慮して、最小限の蒸着工程を介して開放型微細孔ＯＰ＿Ｈを閉鎖することができる水準に設定することができる。

【0105】

互いに当接したシーリング薄膜ＳＴ＿Ｗは、接合部で相互結合することができる。向き合って成長するシーリング薄膜ＳＴ＿Ｗが満遍なく完全結合すると、該当領域で空間閉鎖が行われることができる。したがって、その後からは気相蒸着物質であっても閉鎖された領域の内側には進入しないため、その内側での成膜も追加で行われない。閉鎖時点で閉鎖領域よりも内側に空いた空間ＲＭが残留した場合、この後の蒸着工程が続いて行われも内側の空いた空間ＲＭは、そのまま残留することができる。一方、閉鎖時点で閉鎖領域より外部に開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの開口と連結された空いた空間ＲＭが残留する場合には、さらなる入口閉鎖が行われない限り、続いて成膜が行われることができる。

【0106】

図１５を参照すると、シーリング薄膜ＳＴ＿Ｗの形成工程に後続してシーリング薄膜ＳＴ＿Ｗの除去工程が伴われる。シーリング薄膜ＳＴ＿Ｗの除去工程は、シーリング薄膜ＳＴ＿Ｗを少なくとも部分的に除去する工程であることができる。シーリング薄膜ＳＴ＿Ｗの除去工程は、電極層１３１上に配置されたシーリング薄膜ＳＴ＿Ｗを除去するために行われる。電極層１３１上にはめっき層１５１が形成されるが、電極層１３１をシーリング薄膜ＳＴ＿Ｗが覆っていると、めっき工程が円滑に行われ難い。また、電極層１３１上にシーリング薄膜ＳＴ＿Ｗが残留する場合、その上に配置されるめっき層１５１と電極層１３１との間の電気的抵抗が増加することができる。したがって、本工程を介して電極層１３１を覆うシーリング薄膜ＳＴ＿Ｗを除去することで、後続するめっき工程を円滑にし、電極層１３１とめっき層１５１との間の電気的抵抗の増加を防止することができる。

【0107】

シーリング薄膜ＳＴ＿Ｗの除去工程は、開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの内部に形成されたシーリング薄膜ＳＴ＿Ｗを残留させる条件で行われる。開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの内部に形成されたシーリング薄膜ＳＴ＿Ｗもともに除去されると、後続するめっき工程においてめっき液の浸透を防止することができないため、微小体の外側面に形成されたシーリング薄膜ＳＴ＿Ｗは除去しながら、同時に開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの内部に形成されたシーリング薄膜ＳＴ＿Ｗを残留させることができる除去工程が選択されることが好ましい。

【0108】

上記のような条件を満たすシーリング薄膜ＳＴ＿Ｗの除去工程の例として、乾式研磨が挙げられる。乾式研磨の例としては、機械的（または物理的）研磨が挙げられる。機械的研磨工程は、研磨粒子ＡＢＲをシーリング薄膜ＳＴ＿Ｗが形成された微小体に衝突させ、物理的にシーリング薄膜ＳＴ＿Ｗを分離する方法で行われることができる。

【0109】

機械的研磨工程は、バレル内で行われることができる。すなわち、バレル内部にシーリング薄膜ＳＴ＿が形成された多数の微小体を配置し、バレルを回転させて微小体を回転させながら微小体に研磨粒子ＡＢＲ（または研磨材）を打撃する方式で行われることができる。このようなバレル研磨法の場合、微小体のすべての面に対する均一な研磨を可能とするだけでなく、多数の微小体に対する研磨を同時に行うことができるため、工程効率を改善することができる。バレル研磨の以外にもサンドブラスト法など当業界に公知された様々な機械的研磨工程がシーリング薄膜ＳＴ＿Ｗの部分的除去工程のために適用されることができる。

【0110】

研磨粒子ＡＢＲは、砂、ガラス、金属などの無機物やシリコーンなどのような樹脂からなることができるが、これに制限されるものではなく、機械的研磨に使用される様々な物質の研磨粒子ＡＢＲが適用されることができる。

【0111】

研磨粒子ＡＢＲの形状は、球形、楕円形などであることができるが、それに制限されるものではなく、アモルファスなどのような様々な形状が研磨粒子ＡＢＲの形状として適用可能である。

【0112】

研磨粒子ＡＢＲの大きさは、これに制限されるものではないが、１ｍｍ以下であることができる。いくつかの実施形態において、研磨粒子ＡＢＲの直径０．５ｍｍ～０．８ｍｍの範囲にあることができる。例えば、機械的研磨工程に平均直径が０．７ｍｍである研磨粒子ＡＢＲが使用されるか、０．６ｍｍの研磨粒子ＡＢＲが使用されることができる。

【0113】

研磨時間を含む研磨条件は、金属層上に形成されたシーリング薄膜ＳＴ＿Ｗがすべて削除されて電極層１３１が外部に露出する条件に設定されて行われることができる。

【0114】

図１６は、シーリング薄膜の部分的除去工程が完了された微小体の断面図である。

【0115】

図１６を参照すると、シーリング薄膜除去工程を介して微小体の外側面に形成されていた殆どのシーリング薄膜が除去され、微小体の外側面が露出する。開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの内部に形成されたシーリング薄膜は研磨粒子ＡＢＲによって直接的に打撃を受けることがないため、削除されず残留することができる。開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの内部に残留したシーリング薄膜は、上述した内部シーリング薄膜ＳＴ＿Ｉとなる。

【0116】

一方、電極層１３１の端部と本体１１０との間の段差部ＳＴＰでは、電極層１３１の側面が研磨粒子ＡＢＲに対するシャドウとして作用することができる。また、研磨粒子ＡＢＲは、所定の大きさを有するため、相対的に狭い幅を有する段差部ＳＴＰの内側の角部位は、研磨粒子ＡＢＲによる物理的打撃に露出しないことがある。その結果、電極層１３１の端部と本体１１０の界面上に配置されたシーリング薄膜は、機械的研磨にも関わらず、削除されず、少なくとも一部が残留することができる。電極層１３１の端部と本体１１０の界面上に残留するシーリング薄膜ＳＴ＿は、上述した外部シーリング薄膜ＳＴ＿Ｏとなる。外部シーリング薄膜ＳＴ＿Ｏの最大厚さは、シーリング薄膜ＳＴ＿Ｗの形成厚さと実質的に同一であることができる。

【0117】

シーリング薄膜除去工程の後、電極層１３１上にめっき層１５１を形成して、図４に示したような電子部品１００を形成する。めっき層１５１は、微小体をめっき液に担持するめっき工程で行われることができる。シーリング薄膜除去工程を介して電極層１３１の外側面のシーリング薄膜が除去され、電極層１３１の外側面が露出するため、めっき層１５１の形成が円滑に行われることができる。また、微小体の開放型微細孔ＯＰ＿Ｈは、内部シーリング薄膜ＳＴ＿Ｉによって閉鎖された状態であるため、めっき液が開放型微細孔ＯＰ＿Ｈを介して微小体の内部に進入することが遮断されることができる。また、電極層１３１の端部と本体１１０の界面上には、外部シーリング薄膜ＳＴ＿Ｏが形成されているため、界面を介しためっき液の内部浸透が基本的に防止されることができる。

【0118】

上述した内部シーリング薄膜ＳＴ＿Ｉは、開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの形状、大きさ、シーリング薄膜形成時の工程条件などによって様々な形態で開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの内部に配置されることができる。いくつかの例示的な形態の内部シーリング薄膜ＳＴ＿Ｉが図１７に示されている。

【0119】

図１７は、様々な実施形態に係る電子部品の内部シーリング薄膜に対する断面図である。

【0120】

図１７（ａ）は、開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの内部を内部シーリング薄膜ＳＴ＿Ｉが完全に満たした形態を例示する。シーリング薄膜ＳＴ＿の形成工程時に蒸着物質が開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの内部に均一に広がり、内側から成長が順に行われる場合、図１７（ａ）のような形態で形成されることができる。このように、開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの内部を内部シーリング薄膜ＳＴ＿Ｉが完全に満たす場合、内部シーリング薄膜ＳＴ＿Ｉは、高い機械的強度を有することができる。

【0121】

図１７（ｂ）は、開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの表面の開口ＥＮから一定区間は、内部シーリング薄膜ＳＴ＿Ｉが完全に満たして閉鎖領域を定義するが、閉鎖地点の内側には空いた空間ＲＭの空隙が残留する場合を例示する。蒸着物質が開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの内部空間を完全に満たす前に入口閉鎖が行われた場合、図１７（ｂ）のような形態の内部シーリング薄膜ＳＴ＿Ｉが形成されることができる。

【0122】

図１７（ｃ）は、閉鎖領域が２以上形成されて開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの内部に相互分離した２以上の空いた空間ＲＭの空隙が残留する場合を例示する。相対的深い位置で１次閉鎖が行われ、この後、さらに浅い位置で２次閉鎖及び３次閉鎖が順に行われる場合、図１７（ｃ）のような形態の内部シーリング薄膜ＳＴ＿Ｉが形成されることができる。

【0123】

図１７（ａ）のように開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの内部を、内部シーリング薄膜ＳＴ＿Ｉが完全に満たした場合だけでなく、図１７（ｂ）、図１７（ｃ）のように開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの内部に空いた空間ＲＭの空隙が形成された場合にも、開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの入口が閉鎖されているため、めっき液のような流体浸透が防止されることができる。また、図１７（ｂ）、図１７（ｃ）に含まれた空隙は、閉鎖型微細孔ＯＰ＿Ｃとともに電子部品１００の外部衝撃や部材の膨張などにより加わるストレスを緩和させる役割を果たすことができる。

【0124】

上述した実施例は、内部シーリング薄膜ＳＴ＿Ｉを形成するために気相蒸着法を利用するため、開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの入口を効果的に閉鎖して流体浸透を基本的に遮断することができる。このような気相蒸着方式は、開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの入口遮断の信頼性の側面で湿式方式によってコーティング層を形成する方式と比べて、より良い利点を有する。以下で具体的に説明する。

【0125】

図１８は、開放型微細孔内に湿式方法でコーティング層を形成する方法を示した断面図である。湿式方法でコーティング層を形成する方法は、コーティング組成物を開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの内部に有機組成物ＯＲＬを充填する段階（図１８（ａ）参照）及び有機組成物ＯＲＬを乾燥及び／または硬化する段階（図１８（ｂ）参照）を含むことができる。

【0126】

有機組成物ＯＲＬは液状で提供される。開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの内部に有機組成物ＯＲＬを充填する段階は、微小体を液状の有機組成物ＯＲＬに担持する方式で行われることができる。有機組成物ＯＲＬが有機コーティング層ＯＲＣに残留するには乾燥及び／または硬化過程が必要である。有機組成物ＯＲＬの液状成分は、乾燥及び／または硬化過程を介して蒸発や揮発し、固形分成分が残ってコーティング層ＯＲＣをなすようになる。上記過程を経て有機組成物ＯＲＬの体積が減るが、図１８（ｂ）に示されたように、液状成分が蒸発する通路となる開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの入口には、固形分が残留できない可能性がある。この場合、開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの内側の深部はコーティング層ＯＲＣによって充填されていてもよいが、表面の開口ＥＮは依然として開放された状態にある可能性がある。したがって、コーティング層ＯＲＣの形成後にも微小体の内部の流体浸透通路を完全に遮断できない可能性がある。

【0127】

一方、図１７に示された内部シーリング薄膜ＳＴ＿Ｉの場合、たとえ、開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの内部に空いた空間ＲＭを形成されていても、少なくとも開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの表面の開口ＥＮは、確実に閉鎖することができる。したがって、より高いシーリング信頼性を有することができる。

【0128】

図１９は、他の実施形態に係る電子部品の断面図である。

【0129】

図１９を参照すると、本実施形態に係る電子部品１０１は、外部シーリング薄膜ＳＴ＿Ｏがなく、内部シーリング薄膜ＳＴ＿Ｉが開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの表面の開口ＥＮから所定距離後退して配置された点で、図４の実施例との違いがある。内部シーリング薄膜ＳＴ＿Ｉの端部は、開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの表面の開口ＥＮから所定深さに配置されるが、少なくとも配置された領域では、閉鎖区間を形成する。したがって、流体は開放型微細孔ＯＰ＿Ｈと内部シーリング薄膜ＳＴ＿Ｉによって定義される溝部までは浸透することができるが、その内部への追加進入は防止することができる。内部シーリング薄膜ＳＴ＿Ｉが開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの表面の開口ＥＮから後退する距離は１００ｎｍ以下であることができるが、これに制限されるものではない。開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの表面の開口ＥＮが電極層１３１に位置する場合、内部シーリング薄膜ＳＴ＿Ｉが後退された空間をめっき層１５１が満たすことができる。

【0130】

図１９に示された電子部品１０１は、シーリング薄膜形成工程は、以前の実施例と同一の方式で行うが、シーリング薄膜除去工程を乾式研磨の代わりに乾式エッチングや湿式エッチングなどの方法で行うことで製造することができる。

【0131】

湿式エッチング工程の例を挙げて説明すると、図１３の結果物についてエッチング液に担持するか、エッチング液を噴射すると微小体のすべての面を介してシーリング薄膜ＳＴ＿Ｗのエッチングが行われる。シーリング薄膜ＳＴ＿Ｗがエッチングされる厚さは、エッチング液に露出する時間、言い換えると、エッチング時間に概ね比例する。エッチング時間は、電極層１３１上のシーリング薄膜ＳＴ＿Ｗをすべて削除することを目標として設定される。電極層１３１上のシーリング薄膜ＳＴ＿Ｗがすべて削除されるとき、類似した厚さを有する微小体の他面上に配置されたシーリング薄膜ＳＴ＿Ｗもともに除去されることができる。また、電極層１３１の端部と本体１１０との間の段差部ＳＴＰ上に配置されたシーリング薄膜ＳＴ＿Ｗもエッチング液によって除去されることができる。

【0132】

一方、開放型微細孔ＯＰ＿Ｈが形成された領域の場合にも、外側面の方向に均一な厚さでシーリング薄膜ＳＴ＿が積層されているため、電極層１３１上のシーリング薄膜ＳＴ＿Ｗが除去される時点で内部シーリング薄膜ＳＴ＿Ｉの端部が露出することができる。この時点で、エッチング工程を停止すると、内部シーリング薄膜ＳＴ＿Ｉは、図１６の実施例のように開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの表面の開口ＥＮから後退せずに残留させることができる。

【0133】

電極層１３１上のシーリング薄膜ＳＴ＿Ｗの完全除去を担保するために所定追加時間の間、過エッチング工程を行う場合があるが、この時には内部シーリング薄膜ＳＴ＿Ｉが過エッチングの間、エッチング液に露出して追加エッチングされることがある。したがって、図１９に示されたように、開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの表面の開口ＥＮから所定深さ後退して配置された形態で、内部シーリング薄膜ＳＴ＿Ｉが残留するようになることがある。

【0134】

非常に長い時間、過エッチングが行われると、内部シーリング薄膜ＳＴ＿Ｉが過度にエッチングされてすべて削除されるか、図１８（ｃ）に示されたものと類似して開放型微細孔ＯＰ＿Ｈの入口が閉鎖できない可能性があるため、過エッチング時間は内部シーリング薄膜ＳＴ＿Ｉが適正な範囲内の後退距離（例えば、１００ｎｍ以下）を有するように調節することができる。

【0135】

以下、製造例及び実験例により実施例についてさらに詳細に説明する。

【0136】

＜製造例１＞
図１０を参照して説明した方法として、本体及び電極層を含む微小体を製造した。集束イオンビーム（ＦＩＢ）を用いて製造された微小体から試験片を用意した。

【0137】

＜製造例２＞
図１０、図１１、図１３、図１５及び図１６を参照して説明した方法として、電子部品を製造した。シーリング薄膜形成工程は、Ｃ３Ｆ６をソースガスとして利用するバレル型ＰＥＣＶＤ装置で行われた。蒸着物質の平均蒸着厚みを１００ｎｍになるように工程条件を設定した。シーリング薄膜除去工程は、バレル型機械的研磨装置で行われた。使用された研磨粒子の平均大きさが０．７ｍｍであった。シーリング薄膜除去工程を終えた後、めっき層を形成して電子部品を完成した。

【0138】

集束イオンビーム（ＦＩＢ）を用いて製造された電子部品から試験片を用意した。

【0139】

＜製造例３～５＞
蒸着物質の平均蒸着厚さを１５ｎｍ（製造例３）、６０ｎｍ（製造例４）、３００ｎｍ（製造例５）に変更したことを除いては、製造例２と同様の方式で電子部品を製造した。

【0140】

＜製造例６＞
シーリング薄膜形成工程とシーリング薄膜除去工程なしに微小体にめっき層を直ちに形成して電子部品を製造した。

【0141】

＜実験例＞
製造例１による多数のサンプルに対してＢＤＶ（Ｂｒｅａｋ Ｄｏｗｎ Ｖｏｌｔａｇｅ）を照射し、その結果を下記表１に示した。

【0142】

【表1】

【0143】

上記表１において、「ｍｉｎ」は該当製造例で測定されたＢＤＶの最小値を、「ａｖｇ」は該当製造例のＢＤＶの平均値をそれぞれ示す。上記表１を参照すると、めっき工程に露出しない製造例１は、めっき工程を経た製造例２～６に比べてＢＤＶ最小値が相対的高く示された。上記表１の「３８Ｖ以下の占有率」は、各製造例で製造例１のＢＤＶの最小値である３８Ｖよりも小さいか、同様のＢＤＶ特性を示したサンプルの割合を示す。「３８Ｖ以下の占有率」が小さいほどＢＤＶ特性に優れたものと評価される。上記表１を参照すると、めっき工程を経た製造例のうち、シーリング薄膜形成工程を省略した製造例６や、シーリング薄膜の平均蒸着厚みが２０ｎｍ未満の製造例３は、２４，０００ｐｐｍ内外の相対的大きい「３８Ｖ以下の占有率」を示した。一方、シーリング薄膜の平均蒸着厚さが２０ｎｍ以上の製造例２、４、５は、相対的小さい「３８Ｖ以下の占有率」を示し、全般的にさらに良いＢＤＶ特性を示した。蒸着物質の平均蒸着厚さが３００ｎｍの製造例５は、蒸着物質の平均蒸着厚さが１００ｎｍの製造例２に比べて約３倍以上の工程時間がかかるにも関わらず、「３８Ｖ以下の占有率」は、製造例２と同様に示された。

【0144】

以上、添付された図面を参照して、本発明の実施形態を説明したが、本発明は、上記実施例に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態で製造することができ、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者は、本発明の技術的思想や必須の特徴を変更せず、他の具体的な形態で実施されることができるということを理解できる。それ故に、以上で記述した実施形態はすべての面で例示的なものであり、限定的ではないものと理解すべきである。

【符号の説明】

【0145】

１００ 電子部品
１１０ 本体
１１１ 誘電体層
１１１Ｈ 上部カバー層
１１１Ｌ 下部カバー層
１２１ 第１内部電極
１２２ 第２内部電極
１３１、１３２ 電極層
１５１、１５２ めっき層
１６１ 第１外部電極
１６２ 第２外部電極
ＳＴ シーリング薄膜
ＯＰ 微細孔

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】