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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022097533
(43)【公開日】2022-06-30
(54)【発明の名称】ＲＦＩＤタグ用基板、ＲＦＩＤタグ及びＲＦＩＤシステム
(51)【国際特許分類】
G06K 19/077 20060101AFI20220623BHJP
H01Q 13/08 20060101ALN20220623BHJP
【ＦＩ】
G06K19/077 252
G06K19/077 144
G06K19/077 208
H01Q13/08
【審査請求】未請求
【請求項の数】11
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022069140
(22)【出願日】2022-04-20
(62)【分割の表示】P 2020538437の分割
【原出願日】2019-08-21
(31)【優先権主張番号】P 2018155087
(32)【優先日】2018-08-22
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000006633
【氏名又は名称】京セラ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100090033
【弁理士】
【氏名又は名称】荒船 博司
(74)【代理人】
【識別番号】100093045
【弁理士】
【氏名又は名称】荒船 良男
(72)【発明者】
【氏名】山本 周一
(72)【発明者】
【氏名】林 拓也
(57)【要約】
【課題】通信距離をより長くすることができるＲＦＩＤタグ用基板、ＲＦＩＤタグ及びＲＦＩＤシステムを提供する。
【解決手段】絶縁基板に、第１面導体と、第２面導体と、第１面導体と第２面導体とを電気的に接続する短絡部貫通導体と、第１面導体の少なくとも一部、又は第２面導体の少なくとも一部と対向して容量素子を形成する容量導体と、容量導体と第１面導体及び第２面導体のうち一方とを電気的に接続する容量部貫通導体と、半導体集積回路のうち送信電波に係る電圧信号が出力される端子が電気的に接続される第１の電極と、半導体集積回路のうち基準電位となる端子が電気的に接続される第２の電極と、を備え、容量素子のうち第１の導体、第２の導体は、それぞれ短絡部貫通導体を介さずに第１の電極、第２の電極に電気的に接続され、第１の電極から短絡部貫通導体までの距離が、第２の電極から短絡部貫通導体までの距離より短い。
【選択図】図３
【解決手段】絶縁基板に、第１面導体と、第２面導体と、第１面導体と第２面導体とを電気的に接続する短絡部貫通導体と、第１面導体の少なくとも一部、又は第２面導体の少なくとも一部と対向して容量素子を形成する容量導体と、容量導体と第１面導体及び第２面導体のうち一方とを電気的に接続する容量部貫通導体と、半導体集積回路のうち送信電波に係る電圧信号が出力される端子が電気的に接続される第１の電極と、半導体集積回路のうち基準電位となる端子が電気的に接続される第２の電極と、を備え、容量素子のうち第１の導体、第２の導体は、それぞれ短絡部貫通導体を介さずに第１の電極、第２の電極に電気的に接続され、第１の電極から短絡部貫通導体までの距離が、第２の電極から短絡部貫通導体までの距離より短い。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
半導体集積回路が実装される板面を有し、当該板面及び前記半導体集積回路が封止部材により封止されて用いられるＲＦＩＤタグ用基板であって、
一方の面が前記板面をなす絶縁基板と、
前記絶縁基板の前記一方の面に設けられた第１面導体と、
前記絶縁基板の前記一方の面とは反対側の面に設けられた第２面導体と、
前記絶縁基板を厚さ方向に貫通し、前記第１面導体と前記第２面導体とを電気的に接続する短絡部貫通導体と、
前記絶縁基板の内部に設けられ、前記第１面導体の少なくとも一部、又は前記第２面導体の少なくとも一部と対向して容量素子を形成する容量導体と、
前記絶縁基板の内部に設けられ、前記容量導体と、前記第１面導体及び前記第２面導体のうち前記容量導体と対向しない一方と、を電気的に接続する容量部貫通導体と、
前記絶縁基板の前記一方の面に設けられ、前記半導体集積回路が有する複数の端子のうち送信電波に係る電圧信号が出力される端子が電気的に接続される第１の電極と、
前記絶縁基板の前記一方の面に設けられ、前記半導体集積回路が有する複数の端子のうち基準電位となる端子が電気的に接続される第２の電極と、
を備え、
前記容量素子を形成する一対の導体のうち第１の導体は、前記短絡部貫通導体を介さずに前記第１の電極に電気的に接続され、前記一対の導体のうち第２の導体は、前記短絡部貫通導体を介さずに前記第２の電極に電気的に接続され、
前記第１の電極から前記短絡部貫通導体までの距離が、前記第２の電極から前記短絡部貫通導体までの距離より短いＲＦＩＤタグ用基板。
一方の面が前記板面をなす絶縁基板と、
前記絶縁基板の前記一方の面に設けられた第１面導体と、
前記絶縁基板の前記一方の面とは反対側の面に設けられた第２面導体と、
前記絶縁基板を厚さ方向に貫通し、前記第１面導体と前記第２面導体とを電気的に接続する短絡部貫通導体と、
前記絶縁基板の内部に設けられ、前記第１面導体の少なくとも一部、又は前記第２面導体の少なくとも一部と対向して容量素子を形成する容量導体と、
前記絶縁基板の内部に設けられ、前記容量導体と、前記第１面導体及び前記第２面導体のうち前記容量導体と対向しない一方と、を電気的に接続する容量部貫通導体と、
前記絶縁基板の前記一方の面に設けられ、前記半導体集積回路が有する複数の端子のうち送信電波に係る電圧信号が出力される端子が電気的に接続される第１の電極と、
前記絶縁基板の前記一方の面に設けられ、前記半導体集積回路が有する複数の端子のうち基準電位となる端子が電気的に接続される第２の電極と、
を備え、
前記容量素子を形成する一対の導体のうち第１の導体は、前記短絡部貫通導体を介さずに前記第１の電極に電気的に接続され、前記一対の導体のうち第２の導体は、前記短絡部貫通導体を介さずに前記第２の電極に電気的に接続され、
前記第１の電極から前記短絡部貫通導体までの距離が、前記第２の電極から前記短絡部貫通導体までの距離より短いＲＦＩＤタグ用基板。
【請求項2】
前記第１の電極から前記容量部貫通導体までの距離が、前記第２の電極から前記容量部貫通導体までの距離より長い、
請求項１に記載のＲＦＩＤタグ用基板。
請求項１に記載のＲＦＩＤタグ用基板。
【請求項3】
前記容量導体は、前記第２面導体の少なくとも一部と対向して前記容量素子を形成し、
前記第１の導体は、前記容量導体であり、前記第２の導体は、前記第２面導体であり、
前記第１の電極は、前記絶縁基板のうち前記第１の電極と前記容量導体との間の層に設けられた第１の層間貫通導体を介して前記容量導体に電気的に接続され、
前記第２の電極は、前記絶縁基板を貫通する第２の層間貫通導体を介して前記第２面導体に電気的に接続され、
前記容量導体における前記第１の電極との電気的な接続位置から前記短絡部貫通導体までの距離が、前記第２面導体における前記第２の電極との電気的な接続位置から前記短絡部貫通導体までの距離より短い、
請求項１又は２に記載のＲＦＩＤタグ用基板。
前記第１の導体は、前記容量導体であり、前記第２の導体は、前記第２面導体であり、
前記第１の電極は、前記絶縁基板のうち前記第１の電極と前記容量導体との間の層に設けられた第１の層間貫通導体を介して前記容量導体に電気的に接続され、
前記第２の電極は、前記絶縁基板を貫通する第２の層間貫通導体を介して前記第２面導体に電気的に接続され、
前記容量導体における前記第１の電極との電気的な接続位置から前記短絡部貫通導体までの距離が、前記第２面導体における前記第２の電極との電気的な接続位置から前記短絡部貫通導体までの距離より短い、
請求項１又は２に記載のＲＦＩＤタグ用基板。
【請求項4】
前記容量導体における前記第１の電極との電気的な接続位置から前記容量部貫通導体までの距離が、前記第２面導体における前記第２の電極との電気的な接続位置から前記容量部貫通導体までの距離より長い、
請求項３に記載のＲＦＩＤタグ用基板。
請求項３に記載のＲＦＩＤタグ用基板。
【請求項5】
前記容量導体は、前記第１面導体の少なくとも一部と対向して前記容量素子を形成している、
請求項１又は２に記載のＲＦＩＤタグ用基板。
請求項１又は２に記載のＲＦＩＤタグ用基板。
【請求項6】
前記第１の導体は、前記第１面導体であり、前記第２の導体は、前記容量導体であり、
前記第２の電極は、前記絶縁基板を貫通する第２の層間貫通導体を介して前記第２面導体に電気的に接続され、
前記第１面導体における前記第１の電極との電気的な接続位置から前記短絡部貫通導体までの距離が、前記第２面導体における前記第２の電極との電気的な接続位置から前記短絡部貫通導体までの距離より短い、
請求項５に記載のＲＦＩＤタグ用基板。
前記第２の電極は、前記絶縁基板を貫通する第２の層間貫通導体を介して前記第２面導体に電気的に接続され、
前記第１面導体における前記第１の電極との電気的な接続位置から前記短絡部貫通導体までの距離が、前記第２面導体における前記第２の電極との電気的な接続位置から前記短絡部貫通導体までの距離より短い、
請求項５に記載のＲＦＩＤタグ用基板。
【請求項7】
前記第１面導体における前記第１の電極との電気的な接続位置から前記容量部貫通導体までの距離が、前記第２面導体における前記第２の電極との電気的な接続位置から前記容量部貫通導体までの距離より長い、
請求項６に記載のＲＦＩＤタグ用基板。
請求項６に記載のＲＦＩＤタグ用基板。
【請求項8】
前記第１の導体は、前記第１面導体であり、前記第２の導体は、前記容量導体であり、
前記第２の電極は、前記絶縁基板のうち前記第２の電極と前記容量導体との間の層に設けられた第３の層間貫通導体を介して前記容量導体に電気的に接続され、
前記第１面導体における前記第１の電極との電気的な接続位置から前記短絡部貫通導体までの距離が、前記容量導体における前記第２の電極との電気的な接続位置から前記短絡部貫通導体までの距離より短い、
請求項５に記載のＲＦＩＤタグ用基板。
前記第２の電極は、前記絶縁基板のうち前記第２の電極と前記容量導体との間の層に設けられた第３の層間貫通導体を介して前記容量導体に電気的に接続され、
前記第１面導体における前記第１の電極との電気的な接続位置から前記短絡部貫通導体までの距離が、前記容量導体における前記第２の電極との電気的な接続位置から前記短絡部貫通導体までの距離より短い、
請求項５に記載のＲＦＩＤタグ用基板。
【請求項9】
前記第１面導体における前記第１の電極との電気的な接続位置から前記容量部貫通導体までの距離が、前記容量導体における前記第２の電極との電気的な接続位置から前記容量部貫通導体までの距離より長い、
請求項８に記載のＲＦＩＤタグ用基板。
請求項８に記載のＲＦＩＤタグ用基板。
【請求項10】
請求項１から９のいずれか一項に記載のＲＦＩＤタグ用基板と、
前記ＲＦＩＤタグ用基板の前記板面に実装された前記半導体集積回路と、
前記ＲＦＩＤタグ用基板の前記板面及び前記半導体集積回路を封止する前記封止部材と、
を備えるＲＦＩＤタグ。
前記ＲＦＩＤタグ用基板の前記板面に実装された前記半導体集積回路と、
前記ＲＦＩＤタグ用基板の前記板面及び前記半導体集積回路を封止する前記封止部材と、
を備えるＲＦＩＤタグ。
【請求項11】
請求項１０に記載のＲＦＩＤタグと、
前記ＲＦＩＤタグとの間で電波を送受信するリーダライタと、
を備えるＲＦＩＤシステム。
前記ＲＦＩＤタグとの間で電波を送受信するリーダライタと、
を備えるＲＦＩＤシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、ＲＦＩＤ（Radio Frequency Identifier）タグ用基板、ＲＦＩＤタグ及びＲＦＩＤシステムに関する。
【背景技術】
【0002】
従来、物品の管理等を目的として、ＲＦＩＤタグとの間で無線通信により情報の送受信を行うＲＦＩＤシステムが用いられている。ＲＦＩＤタグとしては、板状逆Ｆアンテナ等のアンテナが設けられたＲＦＩＤタグ用基板と、当該ＲＦＩＤタグ用基板の板面に実装された半導体集積回路とを備えたものが広く用いられている（例えば、国際公開第２０１３／１４５３１２号）。このようなＲＦＩＤタグは、ＲＦＩＤタグ用基板のアンテナを介して、半導体集積回路に記憶された情報を含む電波を送信したり、受信した電波に含まれる情報を半導体集積回路に書き込んだりすることができる。このようなＲＦＩＤタグを用いたＲＦＩＤシステムによれば、例えば、物品にＲＦＩＤタグを取り付けて、所定のリーダライタによりＲＦＩＤタグから物品に係る情報を取得したり、ＲＦＩＤタグに必要な情報を書き込んだりすることで、物品の管理を行うことができる。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【0003】
本開示の一態様のＲＦＩＤタグ用基板は、
半導体集積回路が実装される板面を有し、当該板面及び前記半導体集積回路が封止部材により封止されて用いられるＲＦＩＤタグ用基板であって、
一方の面が前記板面をなす絶縁基板と、
前記絶縁基板の前記一方の面に設けられた第１面導体と、
前記絶縁基板の前記一方の面とは反対側の面に設けられた第２面導体と、
前記絶縁基板を厚さ方向に貫通し、前記第１面導体と前記第２面導体とを電気的に接続する短絡部貫通導体と、
前記絶縁基板の内部に設けられ、前記第１面導体の少なくとも一部、又は前記第２面導体の少なくとも一部と対向して容量素子を形成する容量導体と、
前記絶縁基板の内部に設けられ、前記容量導体と、前記第１面導体及び前記第２面導体のうち前記容量導体と対向しない一方と、を電気的に接続する容量部貫通導体と、
前記絶縁基板の前記一方の面に設けられ、前記半導体集積回路が有する複数の端子のうち送信電波に係る電圧信号が出力される端子が電気的に接続される第１の電極と、
前記絶縁基板の前記一方の面に設けられ、前記半導体集積回路が有する複数の端子のうち基準電位となる端子が電気的に接続される第２の電極と、
を備え、
前記容量素子を形成する一対の導体のうち第１の導体は、前記短絡部貫通導体を介さずに前記第１の電極に電気的に接続され、前記一対の導体のうち第２の導体は、前記短絡部貫通導体を介さずに前記第２の電極に電気的に接続され、
前記第１の電極から前記短絡部貫通導体までの距離が、前記第２の電極から前記短絡部貫通導体までの距離より短い。
半導体集積回路が実装される板面を有し、当該板面及び前記半導体集積回路が封止部材により封止されて用いられるＲＦＩＤタグ用基板であって、
一方の面が前記板面をなす絶縁基板と、
前記絶縁基板の前記一方の面に設けられた第１面導体と、
前記絶縁基板の前記一方の面とは反対側の面に設けられた第２面導体と、
前記絶縁基板を厚さ方向に貫通し、前記第１面導体と前記第２面導体とを電気的に接続する短絡部貫通導体と、
前記絶縁基板の内部に設けられ、前記第１面導体の少なくとも一部、又は前記第２面導体の少なくとも一部と対向して容量素子を形成する容量導体と、
前記絶縁基板の内部に設けられ、前記容量導体と、前記第１面導体及び前記第２面導体のうち前記容量導体と対向しない一方と、を電気的に接続する容量部貫通導体と、
前記絶縁基板の前記一方の面に設けられ、前記半導体集積回路が有する複数の端子のうち送信電波に係る電圧信号が出力される端子が電気的に接続される第１の電極と、
前記絶縁基板の前記一方の面に設けられ、前記半導体集積回路が有する複数の端子のうち基準電位となる端子が電気的に接続される第２の電極と、
を備え、
前記容量素子を形成する一対の導体のうち第１の導体は、前記短絡部貫通導体を介さずに前記第１の電極に電気的に接続され、前記一対の導体のうち第２の導体は、前記短絡部貫通導体を介さずに前記第２の電極に電気的に接続され、
前記第１の電極から前記短絡部貫通導体までの距離が、前記第２の電極から前記短絡部貫通導体までの距離より短い。
【0004】
本開示の一態様のＲＦＩＤタグは、
上記のＲＦＩＤタグ用基板と、
前記ＲＦＩＤタグ用基板の前記板面に実装された前記半導体集積回路と、
前記ＲＦＩＤタグ用基板の前記板面及び前記半導体集積回路を封止する前記封止部材と、
を備える。
上記のＲＦＩＤタグ用基板と、
前記ＲＦＩＤタグ用基板の前記板面に実装された前記半導体集積回路と、
前記ＲＦＩＤタグ用基板の前記板面及び前記半導体集積回路を封止する前記封止部材と、
を備える。
【0005】
本開示の一態様のＲＦＩＤシステムは、
上記のＲＦＩＤタグと、
前記ＲＦＩＤタグとの間で電波を送受信するリーダライタと、
を備える。
上記のＲＦＩＤタグと、
前記ＲＦＩＤタグとの間で電波を送受信するリーダライタと、
を備える。
【発明の効果】
【0006】
本開示によれば、通信距離を長くすることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】ＲＦＩＤシステムを示す図である。
【図2A】ＲＦＩＤタグの構造に応じた電波の放射状態を説明する図である。
【図2B】ＲＦＩＤタグの構造に応じた電波の放射状態を説明する図である。
【図3】第１の実施形態のＲＦＩＤタグの構成を示す断面図である。
【図5】第１の実施形態のＲＦＩＤタグの他の態様を示す分解斜視図である。
【図6】比較例のＲＦＩＤタグ用基板の構成を示す断面図である。
【図7】第２の実施形態のＲＦＩＤタグの構成を示す断面図である。
【図9】第３の実施形態のＲＦＩＤタグの構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、本開示の各実施形態について図面を参照して詳細に説明する。
【0009】
（第１の実施形態）
図１は、本開示の第１の実施形態に係るＲＦＩＤシステム１を示す図である。
ＲＦＩＤシステム１は、ＲＦＩＤタグ１０と、当該ＲＦＩＤタグ１０との間で電波を送受信するリーダライタ２とを有する。
このうちＲＦＩＤタグ１０は、例えば管理対象の物品３の表面に取り付けられて用いられる。また、ＲＦＩＤタグ１０は、電池を内蔵しないタイプであり、リーダライタ２から電磁波を介して電力を受け、この電力によって動作する。なお、ＲＦＩＤタグ１０は、電池を内蔵するタイプであっても良い。
図１は、本開示の第１の実施形態に係るＲＦＩＤシステム１を示す図である。
ＲＦＩＤシステム１は、ＲＦＩＤタグ１０と、当該ＲＦＩＤタグ１０との間で電波を送受信するリーダライタ２とを有する。
このうちＲＦＩＤタグ１０は、例えば管理対象の物品３の表面に取り付けられて用いられる。また、ＲＦＩＤタグ１０は、電池を内蔵しないタイプであり、リーダライタ２から電磁波を介して電力を受け、この電力によって動作する。なお、ＲＦＩＤタグ１０は、電池を内蔵するタイプであっても良い。
【0010】
ＲＦＩＤタグ１０は、ＲＦＩＤタグ用基板１００と、ＲＦＩＤタグ用基板１００の板面に実装されたＲＦＩＤタグ用ＩＣ（Integrated Circuit）２００（半導体集積回路）と、ＲＦＩＤタグ用基板１００のうちＲＦＩＤタグ用ＩＣ２００が実装された板面及びＲＦＩＤタグ用ＩＣ２００を封止する封止部材３００と、を備える。
【0011】
ＲＦＩＤタグ用基板１００は、内部に板状逆Ｆアンテナが形成された直方体形状の板状部材であり、詳細な構成については後述する。
【0012】
ＲＦＩＤタグ用ＩＣ２００は、電波の送受信に係る制御を行う制御部と、物品３に関する情報等を記憶する記憶部と、ＲＦＩＤタグ用基板１００のアンテナにそれぞれ電気的に接続される給電端子２０１（図３参照）及び基準電位端子２０２（図３参照）と、を有する。ＲＦＩＤタグ用ＩＣ２００は、制御部による制御下で、アンテナにより受信された電波に含まれる指令情報を取得し、当該指令情報に応じた処理（例えば、記憶部に記憶される情報の書き換え）を行い、また指令情報により指定された情報を含む電波をアンテナから送信（放射）させる。
【0013】
封止部材３００は、ＲＦＩＤタグ用ＩＣ２００を覆って保護する。封止部材３００は、ＲＦＩＤタグ用基板１００及び封止部材３００からなる構造体が全体として直方体形状となるように成形されている。封止部材３００としては、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂およびシリコーン樹脂等を用いることができる。また、これらの樹脂材料にシリカ粒子またはガラス粒子等のフィラー粒子が添加されていても良い。フィラー粒子は、例えば、封止部材３００の機械的な強度、耐湿性または電気特性等の各種の特性を調整するために添加される。
【0014】
リーダライタ２は、ＲＦＩＤタグ１０との間で電波を送受信するためのアンテナ２ａを有する。リーダライタ２は、ＲＦＩＤタグ１０に対して、情報の書き換えや情報の送信を指令する指令情報を含む電波を送信する。また、リーダライタ２は、指令情報に応じてＲＦＩＤタグ１０から送信された電波を受信して、当該電波に含まれる情報を取得し、当該情報を用いて所定の処理（例えば、所定の記憶装置への書き込み処理や所定の表示装置における表示処理）を行う。
【0015】
図２Ａ及び図２Ｂは、ＲＦＩＤタグ１０の構造に応じた電波の放射状態を説明する図である。
ＲＦＩＤタグには、図２Ａに示されるようなキャビティ型のＲＦＩＤタグ１０Ｃと、図１や図２Ｂに示されるような平板型のＲＦＩＤタグ１０とがある。本実施形態では、平板型のＲＦＩＤタグ１０が用いられている。
図２Ａ及び図２Ｂでは、ＲＦＩＤタグ１０Ｃ及びＲＦＩＤ１０に固定的に定義された直交座標ｘ、ｙ、ｚが示されている。ｚ方向は、ＲＦＩＤタグ１０Ｃ及びＲＦＩＤ１０の高さ方向とも呼ぶ。ここで、高さとは、便宜上の呼び方に過ぎず、ＲＦＩＤタグ１０Ｃ及びＲＦＩＤ１０の使用時における実際の高さ方向（鉛直方向）とは必ずしも一致しない。図３以降の各図に示された直交座標についても同様である。
ＲＦＩＤタグには、図２Ａに示されるようなキャビティ型のＲＦＩＤタグ１０Ｃと、図１や図２Ｂに示されるような平板型のＲＦＩＤタグ１０とがある。本実施形態では、平板型のＲＦＩＤタグ１０が用いられている。
図２Ａ及び図２Ｂでは、ＲＦＩＤタグ１０Ｃ及びＲＦＩＤ１０に固定的に定義された直交座標ｘ、ｙ、ｚが示されている。ｚ方向は、ＲＦＩＤタグ１０Ｃ及びＲＦＩＤ１０の高さ方向とも呼ぶ。ここで、高さとは、便宜上の呼び方に過ぎず、ＲＦＩＤタグ１０Ｃ及びＲＦＩＤ１０の使用時における実際の高さ方向（鉛直方向）とは必ずしも一致しない。図３以降の各図に示された直交座標についても同様である。
【0016】
図２Ａのキャビティ型のＲＦＩＤタグ１０Ｃでは、ＲＦＩＤタグ用基板１００の上面に凹部（キャビティ）が設けられており、凹部の底面にＲＦＩＤタグ用ＩＣ２００が実装され、凹部の内部が封止部材３００により封止されている。
一方、図２Ｂの平板型のＲＦＩＤタグ１０では、図１で説明したとおり、平板状のＲＦＩＤタグ用基板１００の上面全体が平板状の封止部材３００により封止されている。このような平板型のＲＦＩＤタグ１０は、ＲＦＩＤタグ用基板１００に凹部を形成する工程が不要であること、また、多数のＲＦＩＤタグ用基板１００を含む複合基板上の全面に封止部材３００を形成した後で分割する方法により効率的に製造することが可能であることなどから、キャビティ型のＲＦＩＤタグ１０Ｃに対して製造コストを抑えることが可能である。
一方、図２Ｂの平板型のＲＦＩＤタグ１０では、図１で説明したとおり、平板状のＲＦＩＤタグ用基板１００の上面全体が平板状の封止部材３００により封止されている。このような平板型のＲＦＩＤタグ１０は、ＲＦＩＤタグ用基板１００に凹部を形成する工程が不要であること、また、多数のＲＦＩＤタグ用基板１００を含む複合基板上の全面に封止部材３００を形成した後で分割する方法により効率的に製造することが可能であることなどから、キャビティ型のＲＦＩＤタグ１０Ｃに対して製造コストを抑えることが可能である。
【0017】
キャビティ型のＲＦＩＤタグ１０Ｃ及び平板型のＲＦＩＤタグ１０のいずれにおいても、ＲＦＩＤタグ用基板１００から送信される電波は、ＲＦＩＤタグ用基板１００の側面（ｙｚ平面に平行な面の一方）から放射されて＋ｚ方向に回り込むように進行する。物品３におけるＲＦＩＤタグ１０、１０Ｃの取り付け面から＋ｚ方向への電波の送信可能距離は、リーダライタ２から受ける電力の大きさや、ＲＦＩＤタグ１０、１０Ｃのサイズなどにもよるが、通常、数十ｃｍ～数ｍ程度である。
【0018】
ところで、電波には、より誘電率（比誘電率）が高い物質を通ろうとする性質がある。このため、図２Ｂの平板型のＲＦＩＤタグ１０では、ＲＦＩＤタグ用基板１００の側面から外部空間に放射された電波の一部が封止部材３００に入射しやすく、電波が所望の方向（＋ｚ方向）に放射されにくくなる。他方で、図２Ａのキャビティ型のＲＦＩＤタグ１０Ｃでは、封止部材３００が凹部に埋め込まれているため電波が封止部材３００に入射しにくく、このような問題は生じにくい。
このため、ＲＦＩＤタグ用基板１００の構造が（凹部の有無を除いて）共通である場合には、平板型のＲＦＩＤタグ１０からの電波の＋ｚ方向への到達距離Ｌ２は、キャビティ型のＲＦＩＤタグ１０Ｃからの電波の＋ｚ方向への到達距離Ｌ１よりも短くなる傾向がある。すなわち、平板型のＲＦＩＤタグ１０では、キャビティ型のＲＦＩＤタグ１０Ｃより通信距離が短くなりやすい。
このため、ＲＦＩＤタグ用基板１００の構造が（凹部の有無を除いて）共通である場合には、平板型のＲＦＩＤタグ１０からの電波の＋ｚ方向への到達距離Ｌ２は、キャビティ型のＲＦＩＤタグ１０Ｃからの電波の＋ｚ方向への到達距離Ｌ１よりも短くなる傾向がある。すなわち、平板型のＲＦＩＤタグ１０では、キャビティ型のＲＦＩＤタグ１０Ｃより通信距離が短くなりやすい。
【0019】
この問題に対し、本実施形態のＲＦＩＤタグ１０では、平板型の構造を採用して製造コストを抑えつつ、ＲＦＩＤタグ用基板１００の構成を最適化することによって、通信距離をより長くすることが可能となっている。以下では、本実施形態のＲＦＩＤタグ１０の構成について、ＲＦＩＤタグ用基板１００の構造を中心に説明する。
【0020】
図３は、本実施形態のＲＦＩＤタグ１０の構成を示す断面図である。
また、図４は、図３のＲＦＩＤタグ１０の分解斜視図である。
図３及び図４に示されるように、ＲＦＩＤタグ用基板１００は、絶縁基板１１０と、絶縁基板１１０の一方の面（＋ｚ方向に向いた面。以下では上面１１０ａとも記す）に設けられた上面導体１２１（第１面導体）、第１の電極１２４及び第２の電極１２５と、絶縁基板１１０の上記一方の面とは反対側の面（－ｚ方向に向いた面。以下では下面１１０ｂとも記す）に設けられた下面導体１２２（第２面導体）と、絶縁基板１１０の内部に設けられ、下面導体１２２の一部と対向して下面導体１２２とともに容量素子１４０（コンデンサ）を形成する容量導体１２３と、絶縁基板１１０を厚さ方向に貫通し、上面導体１２１と下面導体１２２とを電気的に接続する短絡部貫通導体１３１と、絶縁基板１１０の内部に設けられ、容量導体１２３と上面導体１２１とを電気的に接続する容量部貫通導体１３２と、絶縁基板１１０の内部に設けられ、第１の電極１２４と容量導体１２３とを電気的に接続する層間貫通導体１３３（第１の層間貫通導体）と、絶縁基板１１０を厚さ方向に貫通し、第２の電極１２５と下面導体１２２とを電気的に接続する層間貫通導体１３４（第２の層間貫通導体）と、を備える。
また、図４は、図３のＲＦＩＤタグ１０の分解斜視図である。
図３及び図４に示されるように、ＲＦＩＤタグ用基板１００は、絶縁基板１１０と、絶縁基板１１０の一方の面（＋ｚ方向に向いた面。以下では上面１１０ａとも記す）に設けられた上面導体１２１（第１面導体）、第１の電極１２４及び第２の電極１２５と、絶縁基板１１０の上記一方の面とは反対側の面（－ｚ方向に向いた面。以下では下面１１０ｂとも記す）に設けられた下面導体１２２（第２面導体）と、絶縁基板１１０の内部に設けられ、下面導体１２２の一部と対向して下面導体１２２とともに容量素子１４０（コンデンサ）を形成する容量導体１２３と、絶縁基板１１０を厚さ方向に貫通し、上面導体１２１と下面導体１２２とを電気的に接続する短絡部貫通導体１３１と、絶縁基板１１０の内部に設けられ、容量導体１２３と上面導体１２１とを電気的に接続する容量部貫通導体１３２と、絶縁基板１１０の内部に設けられ、第１の電極１２４と容量導体１２３とを電気的に接続する層間貫通導体１３３（第１の層間貫通導体）と、絶縁基板１１０を厚さ方向に貫通し、第２の電極１２５と下面導体１２２とを電気的に接続する層間貫通導体１３４（第２の層間貫通導体）と、を備える。
【0021】
ＲＦＩＤタグ用基板１００は、絶縁基板１１０の下面１１０ｂ（下面導体１２２）が物品３と対向するように物品３に取り付けられて固定される。本実施形態のＲＦＩＤタグ１０は、物品３の表面が金属等の導体であっても動作する。すなわち、このような物品３に取り付ける場合には、物品３の導体部分がＲＦＩＤタグ１０のアンテナの接地導体としても機能する。
【0022】
ＲＦＩＤタグ用ＩＣ２００は、絶縁基板１１０の上面に実装されている。また、封止部材３００は、絶縁基板１１０の上面及びＲＦＩＤタグ用ＩＣ２００を覆って封止している。すなわち、絶縁基板１１０の上面は、ＲＦＩＤタグ用基板１００においてＲＦＩＤタグ用ＩＣ２００が実装され、かつ封止部材３００による封止の対象となる、上述の板面を構成する。
【0023】
絶縁基板１１０は、誘電体（本実施形態では、セラミック）の複数の（ここでは４枚の）積層基板１１１ａ～１１１ｄが下からこの順に積層された構造を有する板状部材である。絶縁基板１１０は、ｘｙ平面と平行な上面１１０ａ及び下面１１０ｂを有し、高さ（ｚ方向の長さ）が幅寸（ｘ方向の長さ）及び奥行寸（ｙ方向の長さ）よりも短く、かつ幅寸が奥行寸より長い、ｘ方向に長尺な直方体形状を有する。絶縁基板１１０を構成する積層基板１１１ａ～１１１ｄは、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体又はガラスセラミック焼結体等の誘電体とすることができる。また、絶縁基板１１０は、例えばシート状の複数層の（ここでは４層の）セラミックグリーンシートを重ねた上で焼結することで形成することができる。
【0024】
絶縁基板１１０の上面１１０ａには、＋ｚ方向から見て矩形の第１の電極１２４及び第２の電極１２５が設けられている。なお、第１の電極１２４及び第２の電極１２５の形状は矩形に限られず、他の多角形や円形などであっても良い。
このうち第１の電極１２４は、ＲＦＩＤタグ用ＩＣ２００が有する複数の端子のうち、送信電波に係る電圧信号が出力される給電端子２０１とボンディングワイヤを介して電気的に接続されている。第１の電極１２４は、第２の電極１２５よりも－ｘ方向側に設けられている。
また、第２の電極１２５は、ＲＦＩＤタグ用ＩＣ２００が有する複数の端子のうち、基準電位となる基準電位端子２０２とボンディングワイヤを介して電気的に接続されている。本実施形態の基準電位は接地電位であり、基準電位端子２０２は、接地端子である。ただし、基準電位は接地電位に限られず、接地電位以外の所定の電位が基準電位とされても良い。
第１の電極１２４及び第２の電極１２５と、ＲＦＩＤタグ用ＩＣ２００の端子との接続方法は、ボンディングワイヤを用いたものに限られず、例えばフリップチップ実装により接続されていても良い。
このうち第１の電極１２４は、ＲＦＩＤタグ用ＩＣ２００が有する複数の端子のうち、送信電波に係る電圧信号が出力される給電端子２０１とボンディングワイヤを介して電気的に接続されている。第１の電極１２４は、第２の電極１２５よりも－ｘ方向側に設けられている。
また、第２の電極１２５は、ＲＦＩＤタグ用ＩＣ２００が有する複数の端子のうち、基準電位となる基準電位端子２０２とボンディングワイヤを介して電気的に接続されている。本実施形態の基準電位は接地電位であり、基準電位端子２０２は、接地端子である。ただし、基準電位は接地電位に限られず、接地電位以外の所定の電位が基準電位とされても良い。
第１の電極１２４及び第２の電極１２５と、ＲＦＩＤタグ用ＩＣ２００の端子との接続方法は、ボンディングワイヤを用いたものに限られず、例えばフリップチップ実装により接続されていても良い。
【0025】
絶縁基板１１０の上面１１０ａには、上面導体１２１が設けられている。上面導体１２１は、ｘ方向に長尺な板状の導体であり、絶縁基板１１０の上面１１０ａのうち、第１の電極１２４及び第２の電極１２５の形成領域を除いたほぼ全面に設けられている。すなわち、上面導体１２１は、第１の電極１２４及び第２の電極１２５の形成領域を確保するための開口部１２１ａを有した形状で設けられている。
下面導体１２２は、ｘ方向に長尺な板状の導体であり、絶縁基板１１０の下面１１０ｂのほぼ全面に設けられている。
下面導体１２２は、ｘ方向に長尺な板状の導体であり、絶縁基板１１０の下面１１０ｂのほぼ全面に設けられている。
【0026】
容量導体１２３は、絶縁基板１１０のうち最下層の積層基板１１１ａと下から２層目の積層基板１１１ｂとの間に設けられた板状の導体であり、下面導体１２２の一部と対向して容量素子１４０を形成している。すなわち、容量素子１４０を形成する一対の導体を第１の導体Ｃ１及び第２の導体Ｃ２とした場合に、これらのうち＋ｚ方向側の第１の導体Ｃ１が容量導体１２３により構成され、－ｚ方向側の第２の導体Ｃ２が下面導体１２２により構成されている。容量導体１２３には、層間貫通導体１３４を通過させるための円形の開口部１２３ａが設けられている。開口部１２３ａは、層間貫通導体１３４から所定距離の間隔（クリアランス）が確保される大きさで形成されている。
【0027】
上面導体１２１、下面導体１２２、容量導体１２３、第１の電極１２４及び第２の電極１２５は、積層基板１１１ａ～１１１ｄがセラミックグリーンシートの段階で、スクリーン印刷等の方法を用いて、金属ペーストをセラミックグリーンシートの該当位置に印刷し、これらを一緒に焼結することで形成することができる。具体的には、まず積層基板１１１ａに対応するセラミックグリーンシートの下面に下面導体１２２に対応する金属ペーストを印刷し、積層基板１１１ｂに対応するセラミックグリーンシートの下面に容量導体１２３に対応する金属ペーストを印刷する。あるいは、積層基板１１１ａに対応するセラミックグリーンシートの上面に容量導体１２３に対応する金属ペーストを印刷し、下面に下面導体１２２に対応する金属ペーストを印刷してもよい。また、積層基板１１１ｄに対応するセラミックグリーンシートの上面に、上面導体１２１、第１の電極１２４及び第２の電極１２５に対応する金属ペーストを印刷する。次に、積層基板１１１ａ～１１１ｄに対応する４層のセラミックグリーンシートを積層した上で、全体を焼結する。これにより、絶縁基板１１０に、上面導体１２１、下面導体１２２、容量導体１２３、第１の電極１２４及び第２の電極１２５を形成することができる。
金属ペーストとしては、例えば、銅の粉末を有機溶剤及び有機バインダと混合した材料が適用できる。上面導体１２１、下面導体１２２、第１の電極１２４及び第２の電極１２５の露出表面は、ニッケル、コバルト、パラジウム又は金等のめっき層で被覆されてもよく、これにより酸化腐食を抑制することができる。第１の電極１２４及び第２の電極１２５については、めっき層の被覆により、ボンディングワイヤとの接合特性も向上する。
金属ペーストとしては、例えば、銅の粉末を有機溶剤及び有機バインダと混合した材料が適用できる。上面導体１２１、下面導体１２２、第１の電極１２４及び第２の電極１２５の露出表面は、ニッケル、コバルト、パラジウム又は金等のめっき層で被覆されてもよく、これにより酸化腐食を抑制することができる。第１の電極１２４及び第２の電極１２５については、めっき層の被覆により、ボンディングワイヤとの接合特性も向上する。
【0028】
短絡部貫通導体１３１は、絶縁基板１１０の上面１１０ａと下面１１０ｂとの間をｚ方向に貫通し、上面導体１２１と下面導体１２２とを電気的に接続する。短絡部貫通導体１３１は、絶縁基板１１０の長手方向（ｘ方向）についての－ｘ方向側の端部に設けられている。よって、短絡部貫通導体１３１は、上面導体１２１及び下面導体１２２の長手方向（ｘ方向）についての－ｘ方向側の端部に接続されている。ここで、絶縁基板１１０の長手方向についての端部とは、例えば長手方向の一端から、絶縁基板１１０の長手方向の長さの１０％以内の領域とすることができる。短絡部貫通導体１３１は、ｘ方向及びｙ方向の幅が、上面導体１２１及び下面導体１２２よりも狭く、本実施形態ではピン状とされている。
【0029】
容量部貫通導体１３２は、絶縁基板１１０のうち上面導体１２１と容量導体１２３との間の層に設けられており（すなわち、積層基板１１１ｂ～１１１ｄをｚ方向に貫通しており）、上面導体１２１と容量導体１２３とを電気的に接続する。容量部貫通導体１３２は、絶縁基板１１０の長手方向についての＋ｘ方向側の端部に設けられている。よって、容量部貫通導体１３２は、上面導体１２１及び容量導体１２３の長手方向についての＋ｘ方向側の端部に接続されている。容量部貫通導体１３２は、短絡部貫通導体１３１と同様、ｘ方向及びｙ方向の幅が、上面導体１２１及び下面導体１２２よりも狭く、本実施形態ではピン状とされている。
【0030】
図３及び図４のＲＦＩＤタグ１０では、短絡部貫通導体１３１及び容量部貫通導体１３２が一つずつ設けられているが、図５に示されるように、絶縁基板１１０の－ｘ方向側の端部に複数の短絡部貫通導体１３１が設けられ、また絶縁基板１１０の＋ｘ方向側の端部に複数の短絡部貫通導体１３１が設けられていても良い。また、短絡部貫通導体１３１及び容量部貫通導体１３２のうち一方のみが複数設けられていても良い。
【0031】
層間貫通導体１３３は、絶縁基板１１０のうち第１の電極１２４と容量導体１２３との間の層に設けられており（すなわち、積層基板１１１ｂ～１１１ｄをｚ方向に貫通しており）、第１の電極１２４と容量導体１２３とを電気的に接続する。層間貫通導体１３３は、ｚ方向から見て第１の電極１２４と重なる位置に設けられている。
層間貫通導体１３４は、絶縁基板１１０の上面１１０ａと下面１１０ｂとの間をｚ方向に貫通し、第２の電極１２５と下面導体１２２とを電気的に接続する。層間貫通導体１３４は、ｚ方向から見て第２の電極１２５と重なる位置に設けられている。また、層間貫通導体１３４は、容量導体１２３の開口部１２３ａを通るように設けられている。
層間貫通導体１３３、１３４は、短絡部貫通導体１３１と同様、ｘ方向及びｙ方向の幅が、上面導体１２１及び下面導体１２２よりも狭く、本実施形態ではピン状とされている。
層間貫通導体１３４は、絶縁基板１１０の上面１１０ａと下面１１０ｂとの間をｚ方向に貫通し、第２の電極１２５と下面導体１２２とを電気的に接続する。層間貫通導体１３４は、ｚ方向から見て第２の電極１２５と重なる位置に設けられている。また、層間貫通導体１３４は、容量導体１２３の開口部１２３ａを通るように設けられている。
層間貫通導体１３３、１３４は、短絡部貫通導体１３１と同様、ｘ方向及びｙ方向の幅が、上面導体１２１及び下面導体１２２よりも狭く、本実施形態ではピン状とされている。
【0032】
短絡部貫通導体１３１、容量部貫通導体１３２及び層間貫通導体１３３、１３４は、上面導体１２１等を形成するために金属ペーストを印刷する前の積層基板１１１ａ～１１１ｄがセラミックグリーンシートの段階で、セラミックグリーンシートに貫通孔又は層間孔を設け、ここに金属ペーストを充填し、これらを一緒に焼結することで形成することができる。金属ペーストとしては、上面導体１２１の材料と同様、例えば、銅の粉末を有機溶剤及び有機バインダと混合した材料が適用できる。
【0033】
このような構成のＲＦＩＤタグ用基板１００では、上面導体１２１、下面導体１２２、容量導体１２３、短絡部貫通導体１３１、容量部貫通導体１３２、層間貫通導体１３３、１３４により、板状逆Ｆアンテナが構成される。このうち上面導体１２１、容量導体１２３及び容量部貫通導体１３２からなる一繋がりの導体は、板状逆Ｆアンテナの放射導体として作用し、下面導体１２２は、板状逆Ｆアンテナの接地導体（地板又は基準電位導体ともいう）として作用する。また、短絡部貫通導体１３１は、板状逆Ｆアンテナの電気壁として作用し、層間貫通導体１３３は、板状逆Ｆアンテナの給電線として作用し、層間貫通導体１３４は、板状逆Ｆアンテナの接地線として作用する。
【0034】
図３に示されるように、この板状逆Ｆアンテナでは、主に容量素子１４０における一対の導体の＋ｘ方向側の開口端部１４０ａから電波が放射される。電波は、＋ｘ方向側に放射された後、＋ｚ方向側に回り込むように進行する。
【0035】
板状逆Ｆアンテナは、電気的には、電気壁の＋ｘ方向側にある放射導体及び短絡導体を、電気壁を対称軸として電気壁の他方側（－ｘ方向側）にも延在させた形状を有するパッチアンテナに相当する。すなわち、放射導体及び短絡導体を電気壁で接続した板状逆Ｆアンテナの構成によれば、同等の機能を有するパッチアンテナに対して面積を半減させることができる。また、本実施形態の板状逆Ｆアンテナは、放射導体の一部（容量導体１２３）と短絡導体（下面導体１２２）の一部が容量素子１４０を形成することで波長短縮効果が得られ、これによっても小型化が実現されている。
【0036】
以下では、板状逆Ｆアンテナの放射導体のうち、第１の電極１２４との電気的な接続がなされる位置を、接続位置Ｐ１と記す。本実施形態では、接続位置Ｐ１は、容量導体１２３と層間貫通導体１３３とが接続される位置（容量導体１２３における第１の電極１２４との電気的な接続位置）である。層間貫通導体１３３は、第１の電極１２４から－ｚ方向に延びているため、ｘ方向及びｙ方向については、接続位置Ｐ１は、第１の電極１２４と同一の位置にある。
また、以下では、板状逆Ｆアンテナの接地導体のうち、第２の電極１２５との電気的な接続がなされる位置を、接続位置Ｐ２と記す。本実施形態では、接続位置Ｐ２は、下面導体１２２と層間貫通導体１３４とが接続される位置（下面導体１２２における第２の電極１２５との電気的な接続位置）である。層間貫通導体１３４は、第２の電極１２５から－ｚ方向に延びているため、ｘ方向及びｙ方向については、接続位置Ｐ２は、第２の電極１２５と同一の位置にある。
また、以下では、板状逆Ｆアンテナの接地導体のうち、第２の電極１２５との電気的な接続がなされる位置を、接続位置Ｐ２と記す。本実施形態では、接続位置Ｐ２は、下面導体１２２と層間貫通導体１３４とが接続される位置（下面導体１２２における第２の電極１２５との電気的な接続位置）である。層間貫通導体１３４は、第２の電極１２５から－ｚ方向に延びているため、ｘ方向及びｙ方向については、接続位置Ｐ２は、第２の電極１２５と同一の位置にある。
【0037】
本実施形態のＲＦＩＤタグ用基板１００では、上述のとおり、第１の電極１２４は、第２の電極１２５よりも－ｘ方向側に設けられている。したがって、接続位置Ｐ１は、接続位置Ｐ２よりも－ｘ方向側に位置している。
また、第１の電極１２４及び第２の電極１２５が上記の位置関係となっていることにより、第１の電極１２４と短絡部貫通導体１３１との距離Ａ１は、第２の電極１２５と短絡部貫通導体１３１との距離Ａ２よりも短くなっている。換言すれば、接続位置Ｐ１と短絡部貫通導体１３１との距離Ａ１は、接続位置Ｐ２と短絡部貫通導体１３１との距離Ａ２よりも短くなっている。
また、第１の電極１２４と容量部貫通導体１３２との距離Ｂ１は、第２の電極１２５と容量部貫通導体１３２との距離Ｂ２よりも長くなっている。換言すれば、接続位置Ｐ１と容量部貫通導体１３２との距離Ｂ１は、接続位置Ｐ２と容量部貫通導体１３２との距離Ｂ２よりも長くなっている。
また、第１の電極１２４及び第２の電極１２５が上記の位置関係となっていることにより、第１の電極１２４と短絡部貫通導体１３１との距離Ａ１は、第２の電極１２５と短絡部貫通導体１３１との距離Ａ２よりも短くなっている。換言すれば、接続位置Ｐ１と短絡部貫通導体１３１との距離Ａ１は、接続位置Ｐ２と短絡部貫通導体１３１との距離Ａ２よりも短くなっている。
また、第１の電極１２４と容量部貫通導体１３２との距離Ｂ１は、第２の電極１２５と容量部貫通導体１３２との距離Ｂ２よりも長くなっている。換言すれば、接続位置Ｐ１と容量部貫通導体１３２との距離Ｂ１は、接続位置Ｐ２と容量部貫通導体１３２との距離Ｂ２よりも長くなっている。
【0038】
ＲＦＩＤタグ用基板１００の板状逆Ｆアンテナでは、アンテナの動作時に、容量素子１４０の第１の導体Ｃ１（容量導体１２３）のうち、層間貫通導体１３３（給電線）との接続位置Ｐ１から、容量部貫通導体１３２との接続位置（以下では、接続位置Ｐ３と記す）までの区間Ｒにおいて主に電流が流れる。このため、この区間Ｒにおいて、容量素子１４０の第１の導体Ｃ１及び第２の導体Ｃ２に、互いに逆極性の電荷が溜まることとなる。なお、図３では、第１の導体Ｃ１に正電荷が、また第２の導体Ｃ２に負電荷が溜まっている状態が描かれているが、ＲＦＩＤタグ用ＩＣ２００の給電端子からは交流の電圧信号が出力されるため、期間によっては、容量素子１４０に溜まる電荷の極性が図３とは逆になる。
本実施形態のＲＦＩＤタグ用基板１００では、接続位置Ｐ１が接続位置Ｐ２より短絡部貫通導体１３１に近い位置に設けられているため、区間Ｒをより長く確保することが可能となっている。この構成とする利点について、比較例のＲＦＩＤタグ用基板１００ｒの構成と対比して説明する。
本実施形態のＲＦＩＤタグ用基板１００では、接続位置Ｐ１が接続位置Ｐ２より短絡部貫通導体１３１に近い位置に設けられているため、区間Ｒをより長く確保することが可能となっている。この構成とする利点について、比較例のＲＦＩＤタグ用基板１００ｒの構成と対比して説明する。
【0039】
図６は、比較例のＲＦＩＤタグ用基板１００ｒの構成を示す断面図である。
この比較例のＲＦＩＤタグ用基板１００ｒでは、第１の電極１２４及び第２の電極１２５のｘ方向についての位置関係が、図３のＲＦＩＤタグ用基板１００とは逆になっている。よって、層間貫通導体１３３（給電線）と層間貫通導体１３４（接地線）のｘ方向についての位置関係も、図３のＲＦＩＤタグ用基板１００とは逆になっている。この結果、接続位置Ｐ１と短絡部貫通導体１３１との距離Ａ１が、接続位置Ｐ２と短絡部貫通導体１３１との距離Ａ２よりも長くなっている。また、接続位置Ｐ１と容量部貫通導体１３２との距離Ｂ１が、接続位置Ｐ２と容量部貫通導体１３２との距離Ｂ２よりも短くなっている。
このような構成の比較例のＲＦＩＤタグ用基板１００ｒでは、アンテナの動作時に電流が流れる接続位置Ｐ１から接続位置Ｐ３までの区間Ｒが、図３のＲＦＩＤタグ用基板１００の区間Ｒよりも短くなる。このため、容量素子１４０に電荷が溜まりにくくなっている。
この比較例のＲＦＩＤタグ用基板１００ｒでは、第１の電極１２４及び第２の電極１２５のｘ方向についての位置関係が、図３のＲＦＩＤタグ用基板１００とは逆になっている。よって、層間貫通導体１３３（給電線）と層間貫通導体１３４（接地線）のｘ方向についての位置関係も、図３のＲＦＩＤタグ用基板１００とは逆になっている。この結果、接続位置Ｐ１と短絡部貫通導体１３１との距離Ａ１が、接続位置Ｐ２と短絡部貫通導体１３１との距離Ａ２よりも長くなっている。また、接続位置Ｐ１と容量部貫通導体１３２との距離Ｂ１が、接続位置Ｐ２と容量部貫通導体１３２との距離Ｂ２よりも短くなっている。
このような構成の比較例のＲＦＩＤタグ用基板１００ｒでは、アンテナの動作時に電流が流れる接続位置Ｐ１から接続位置Ｐ３までの区間Ｒが、図３のＲＦＩＤタグ用基板１００の区間Ｒよりも短くなる。このため、容量素子１４０に電荷が溜まりにくくなっている。
【0040】
これに対し、図３に示される本実施形態のＲＦＩＤタグ用基板１００では、容量素子１４０において電荷が溜まる区間Ｒが、図６の比較例のＲＦＩＤタグ用基板１００ｒにおける区間Ｒより長くなっている。これにより、比較例よりも多くの電荷が容量素子１４０に溜まり、容量素子１４０の一対の導体間に生じる電位差をより大きくすることが可能となっている。この結果、板状逆Ｆアンテナからより強い電波が放出されるため、電波の送信距離、すなわち通信距離をより長くすることができる。
【0041】
＜実施形態の効果＞
以上のように、第１の実施形態のＲＦＩＤタグ用基板１００は、ＲＦＩＤタグ用ＩＤ２００が実装される板面を有し、当該板面及びＲＦＩＤタグ用ＩＤ２００が封止部材３００により封止されて用いられるＲＦＩＤタグ用基板１００であって、一方の面が上記板面をなす絶縁基板１１０と、絶縁基板１１０の上記一方の面に設けられた上面導体１２１と、絶縁基板１１０の上記一方の面とは反対側の面に設けられた下面導体１２２と、絶縁基板１１０を厚さ方向に貫通し、上面導体１２１と下面導体１２２とを電気的に接続する短絡部貫通導体１３１と、絶縁基板１１０の内部に設けられ、下面導体１２２の少なくとも一部と対向して容量素子１４０を形成する容量導体１２３と、絶縁基板１１０の内部に設けられ、容量導体１２３と上面導体１２１とを電気的に接続する容量部貫通導体１３２と、絶縁基板１１０の一方の面に設けられ、ＲＦＩＤタグ用ＩＣ２００が有する複数の端子のうち送信電波に係る電圧信号が出力される端子が電気的に接続される第１の電極１２４と、絶縁基板１１０の一方の面に設けられ、ＲＦＩＤタグ用ＩＣ２００が有する複数の端子のうち基準電位となる端子が電気的に接続される第２の電極１２５と、を備え、容量素子１４０を形成する一対の導体のうち第１の導体Ｃ１（容量導体１２３）は、短絡部貫通導体１３１を介さずに第１の電極１２４に電気的に接続され、一対の導体のうち第２の導体Ｃ２（下面導体１２２）は、短絡部貫通導体１３１を介さずに第２の電極１２５に電気的に接続され、第１の電極１２４から短絡部貫通導体１３１までの距離Ａ１が、第２の電極１２５から短絡部貫通導体１３１までの距離Ａ２より短い。
このような構成によれば、容易に、第１の電極１２４と容量導体１２３（放射導体）との接続位置Ｐ１を、第２の電極１２５と下面導体１２２（接地導体）との接続位置Ｐ２よりも短絡部貫通導体１３１側に設けることができる。すなわち、絶縁基板１１０の厚さ方向に延びる層間貫通導体１３３、１３４で導体間を接続する簡易な構成により、接続位置Ｐ１から短絡部貫通導体１３１までの距離Ａ１を、接続位置Ｐ２から短絡部貫通導体１３１までの距離Ａ２より短くすることができる。
接続位置Ｐ１及び接続位置Ｐ２がこのような位置関係となることで、容量素子１４０において電荷が溜まる区間Ｒを長くすることができる。より具体的には、区間Ｒの短絡部貫通導体１３１側の端部位置である接続位置Ｐ１を、短絡部貫通導体１３１側に近付けることで、区間Ｒを長くすることができる。これによって、より多くの電荷が容量素子１４０に溜まり、容量素子１４０の一対の導体間に生じる電位差をより大きくすることができる。この結果、板状逆Ｆアンテナからより強い電波を放出させることができる。
また、第２の電極１２５と下面導体１２２（接地導体）との接続位置Ｐ２が、容量素子１４０の開口端部１４０ａに近い位置となるため、開口端部１４０ａの下面導体１２２側の電位（基準電位）をより安定させることができる。これによっても、板状逆Ｆアンテナから放出される電波をより強くすることができる。
このように、本実施形態の構成によれば、板状逆Ｆアンテナからより強い電波が放出されるため、絶縁基板１１０の上面１１０ａが封止部材３００で封止される構成においても、電波の送信距離、すなわち通信距離をより長くすることができる。
以上のように、第１の実施形態のＲＦＩＤタグ用基板１００は、ＲＦＩＤタグ用ＩＤ２００が実装される板面を有し、当該板面及びＲＦＩＤタグ用ＩＤ２００が封止部材３００により封止されて用いられるＲＦＩＤタグ用基板１００であって、一方の面が上記板面をなす絶縁基板１１０と、絶縁基板１１０の上記一方の面に設けられた上面導体１２１と、絶縁基板１１０の上記一方の面とは反対側の面に設けられた下面導体１２２と、絶縁基板１１０を厚さ方向に貫通し、上面導体１２１と下面導体１２２とを電気的に接続する短絡部貫通導体１３１と、絶縁基板１１０の内部に設けられ、下面導体１２２の少なくとも一部と対向して容量素子１４０を形成する容量導体１２３と、絶縁基板１１０の内部に設けられ、容量導体１２３と上面導体１２１とを電気的に接続する容量部貫通導体１３２と、絶縁基板１１０の一方の面に設けられ、ＲＦＩＤタグ用ＩＣ２００が有する複数の端子のうち送信電波に係る電圧信号が出力される端子が電気的に接続される第１の電極１２４と、絶縁基板１１０の一方の面に設けられ、ＲＦＩＤタグ用ＩＣ２００が有する複数の端子のうち基準電位となる端子が電気的に接続される第２の電極１２５と、を備え、容量素子１４０を形成する一対の導体のうち第１の導体Ｃ１（容量導体１２３）は、短絡部貫通導体１３１を介さずに第１の電極１２４に電気的に接続され、一対の導体のうち第２の導体Ｃ２（下面導体１２２）は、短絡部貫通導体１３１を介さずに第２の電極１２５に電気的に接続され、第１の電極１２４から短絡部貫通導体１３１までの距離Ａ１が、第２の電極１２５から短絡部貫通導体１３１までの距離Ａ２より短い。
このような構成によれば、容易に、第１の電極１２４と容量導体１２３（放射導体）との接続位置Ｐ１を、第２の電極１２５と下面導体１２２（接地導体）との接続位置Ｐ２よりも短絡部貫通導体１３１側に設けることができる。すなわち、絶縁基板１１０の厚さ方向に延びる層間貫通導体１３３、１３４で導体間を接続する簡易な構成により、接続位置Ｐ１から短絡部貫通導体１３１までの距離Ａ１を、接続位置Ｐ２から短絡部貫通導体１３１までの距離Ａ２より短くすることができる。
接続位置Ｐ１及び接続位置Ｐ２がこのような位置関係となることで、容量素子１４０において電荷が溜まる区間Ｒを長くすることができる。より具体的には、区間Ｒの短絡部貫通導体１３１側の端部位置である接続位置Ｐ１を、短絡部貫通導体１３１側に近付けることで、区間Ｒを長くすることができる。これによって、より多くの電荷が容量素子１４０に溜まり、容量素子１４０の一対の導体間に生じる電位差をより大きくすることができる。この結果、板状逆Ｆアンテナからより強い電波を放出させることができる。
また、第２の電極１２５と下面導体１２２（接地導体）との接続位置Ｐ２が、容量素子１４０の開口端部１４０ａに近い位置となるため、開口端部１４０ａの下面導体１２２側の電位（基準電位）をより安定させることができる。これによっても、板状逆Ｆアンテナから放出される電波をより強くすることができる。
このように、本実施形態の構成によれば、板状逆Ｆアンテナからより強い電波が放出されるため、絶縁基板１１０の上面１１０ａが封止部材３００で封止される構成においても、電波の送信距離、すなわち通信距離をより長くすることができる。
【0042】
また、第１の電極１２４から容量部貫通導体１３２までの距離Ｂ１が、第２の電極１２５から容量部貫通導体１３２までの距離Ｂ２より長くなっている。このような構成によれば、容量部貫通導体１３２と容量導体１２３との接続位置Ｐ３が、第１の電極１２４と容量導体１２３との接続位置Ｐ１から大きく離れた構成とすることができる。よって、接続位置Ｐ１及び接続位置Ｐ３を両端とする区間Ｒを、より長くすることができる。これにより、容量素子１４０の一対の導体間に生じる電位差をより大きくして、放出される電波の強度をさらに高め、通信距離をより長くすることができる。
【0043】
また、容量導体１２３は、下面導体１２２の少なくとも一部と対向して容量素子１４０を形成し、容量素子１４０の第１の導体Ｃ１は、容量導体１２３であり、第２の導体Ｃ２は、下面導体１２２であり、第１の電極１２４は、絶縁基板１１０のうち第１の電極１２４と容量導体１２３との間の層に設けられた層間貫通導体１３３を介して容量導体１２３に電気的に接続され、第２の電極１２５は、絶縁基板１１０を貫通する層間貫通導体１３４を介して下面導体１２２に電気的に接続され、容量導体１２３における第１の電極１２４との電気的な接続位置Ｐ１から短絡部貫通導体１３１までの距離Ａ１が、下面導体１２２における第２の電極１２５との電気的な接続位置Ｐ２から短絡部貫通導体１３１までの距離Ａ２より短くなっている。これにより、簡易な層構造で区間Ｒを長くすることができる。
【0044】
また、容量導体１２３における第１の電極１２４との電気的な接続位置Ｐ１から容量部貫通導体１３２までの距離Ｂ１が、下面導体１２２における第２の電極１２５との電気的な接続位置Ｐ２から容量部貫通導体１３２までの距離Ｂ２より長くなっている。これにより、簡易な層構造で区間Ｒをより長くすることができる。
【0045】
また、上記実施形態のＲＦＩＤタグ１０は、上記のＲＦＩＤタグ用基板１００と、ＲＦＩＤタグ用基板１００の板面に実装されたＲＦＩＤタグ用ＩＣ２００と、ＲＦＩＤタグ用基板１００の板面及びＲＦＩＤタグ用ＩＣ２００を封止する封止部材３００と、を備える。このような構成によれば、封止部材３００により封止がなされていても、通信距離をより長くすることができる。
【0046】
また、上記実施形態のＲＦＩＤシステム１は、上記のＲＦＩＤタグ１０と、ＲＦＩＤタグ１０との間で電波を送受信するリーダライタ２と、を備える。このような構成によれば、ＲＦＩＤタグ１０とリーダライタ２との通信距離の長いＲＦＩＤシステム１を実現することができる。
【0047】
（第２の実施形態）
次に、本開示の第２の実施形態について説明する。
本実施形態は、ＲＦＩＤタグ用基板１００の内部構造の一部が第１の実施形態と異なる他は、第１の実施形態と同様である。以下では、第１の実施形態と同一の構成要素については、同一符号を付して、詳細な説明を省略する。
次に、本開示の第２の実施形態について説明する。
本実施形態は、ＲＦＩＤタグ用基板１００の内部構造の一部が第１の実施形態と異なる他は、第１の実施形態と同様である。以下では、第１の実施形態と同一の構成要素については、同一符号を付して、詳細な説明を省略する。
【0048】
図７は、第２の実施形態のＲＦＩＤタグ１０の構成を示す断面図である。
また、図８は、図７のＲＦＩＤタグ１０の分解斜視図である。
図７及び図８に示されるように、本実施形態のＲＦＩＤタグ用基板１００では、容量導体１２３が、上面導体１２１の一部と対向し、上面導体１２１とともに容量素子１４０を形成している。すなわち、容量素子１４０の第１の導体Ｃ１が上面導体１２１により構成されており、第２の導体Ｃ２が容量導体１２３により構成されている。
また、容量部貫通導体１３２は、絶縁基板１１０のうち容量導体１２３と下面導体１２２との間の層に設けられており（すなわち、積層基板１１１ａ～１１１ｃをｚ方向に貫通しており）、容量導体１２３と下面導体１２２とを電気的に接続している。
また、第１の電極１２４は、絶縁基板１１０の上面１１０ａのうち第１の電極１２４と上面導体１２１との間を繋ぐ領域に設けられた接続電極１２６により、上面導体１２１と電気的に接続されている。なお、この構成に代えて、第１の電極１２４と上面導体１２１とが直接接続された構成や、第１の電極１２４及び上面導体１２１が一体的に設けられた構成としても良い。
よって、本実施形態のＲＦＩＤタグ用基板１００では、上面導体１２１が板状逆Ｆアンテナの放射導体を構成し、容量導体１２３、容量部貫通導体１３２及び下面導体１２２が、板状逆Ｆアンテナの接地導体を構成する。
また、図８は、図７のＲＦＩＤタグ１０の分解斜視図である。
図７及び図８に示されるように、本実施形態のＲＦＩＤタグ用基板１００では、容量導体１２３が、上面導体１２１の一部と対向し、上面導体１２１とともに容量素子１４０を形成している。すなわち、容量素子１４０の第１の導体Ｃ１が上面導体１２１により構成されており、第２の導体Ｃ２が容量導体１２３により構成されている。
また、容量部貫通導体１３２は、絶縁基板１１０のうち容量導体１２３と下面導体１２２との間の層に設けられており（すなわち、積層基板１１１ａ～１１１ｃをｚ方向に貫通しており）、容量導体１２３と下面導体１２２とを電気的に接続している。
また、第１の電極１２４は、絶縁基板１１０の上面１１０ａのうち第１の電極１２４と上面導体１２１との間を繋ぐ領域に設けられた接続電極１２６により、上面導体１２１と電気的に接続されている。なお、この構成に代えて、第１の電極１２４と上面導体１２１とが直接接続された構成や、第１の電極１２４及び上面導体１２１が一体的に設けられた構成としても良い。
よって、本実施形態のＲＦＩＤタグ用基板１００では、上面導体１２１が板状逆Ｆアンテナの放射導体を構成し、容量導体１２３、容量部貫通導体１３２及び下面導体１２２が、板状逆Ｆアンテナの接地導体を構成する。
【0049】
したがって、本実施形態では、接続電極１２６と上面導体１２１との接続位置が、接続位置Ｐ１に相当する。また、層間貫通導体１３４と下面導体１２２との接続位置が、接続位置Ｐ２に相当する。
本実施形態においても、接続位置Ｐ１と短絡部貫通導体１３１との距離Ａ１は、接続位置Ｐ２と短絡部貫通導体１３１との距離Ａ２よりも短くなっている。また、接続位置Ｐ１と容量部貫通導体１３２との距離Ｂ１は、接続位置Ｐ２と容量部貫通導体１３２との距離Ｂ２よりも長くなっている。
本実施形態においても、接続位置Ｐ１と短絡部貫通導体１３１との距離Ａ１は、接続位置Ｐ２と短絡部貫通導体１３１との距離Ａ２よりも短くなっている。また、接続位置Ｐ１と容量部貫通導体１３２との距離Ｂ１は、接続位置Ｐ２と容量部貫通導体１３２との距離Ｂ２よりも長くなっている。
【0050】
＜実施形態の効果＞
以上のように、第２の実施形態のＲＦＩＤタグ用基板１００では、容量導体１２３は、上面導体１２１の少なくとも一部と対向して容量素子１４０を形成している。このような構成によれば、図７に示されるように、容量素子１４０における一対の導体の開口端部１４０ａの位置（すなわち、板状逆Ｆアンテナから電波が主に放出される位置）を、封止部材３００に近付けることができる。より詳しくは、電波が放出される位置を、封止部材３００の直下の位置とすることができる。このような位置から＋ｘ方向に放出された電波は、封止部材３００との距離が極めて近いため、封止部材３００には入射しにくい。これは、電波がその進行方向を旋回させるにはある程度の空間的な広がりが必要なためである（換言すれば、電波は狭い空間で急に曲がることはできないためである）。この結果、放出された電波が封止部材３００の影響を受けにくくなるため、通信距離をより長くすることができる。
以上のように、第２の実施形態のＲＦＩＤタグ用基板１００では、容量導体１２３は、上面導体１２１の少なくとも一部と対向して容量素子１４０を形成している。このような構成によれば、図７に示されるように、容量素子１４０における一対の導体の開口端部１４０ａの位置（すなわち、板状逆Ｆアンテナから電波が主に放出される位置）を、封止部材３００に近付けることができる。より詳しくは、電波が放出される位置を、封止部材３００の直下の位置とすることができる。このような位置から＋ｘ方向に放出された電波は、封止部材３００との距離が極めて近いため、封止部材３００には入射しにくい。これは、電波がその進行方向を旋回させるにはある程度の空間的な広がりが必要なためである（換言すれば、電波は狭い空間で急に曲がることはできないためである）。この結果、放出された電波が封止部材３００の影響を受けにくくなるため、通信距離をより長くすることができる。
【0051】
また、第１の導体Ｃ１は、上面導体１２１であり、第２の導体Ｃ２は、容量導体１２３であり、第２の電極１２５は、絶縁基板１１０を貫通する第２の層間貫通導体を介して下面導体１２２に電気的に接続され、上面導体１２１における第１の電極１２４との電気的な接続位置Ｐ１から短絡部貫通導体１３１までの距離Ａ１が、下面導体１２２における第２の電極１２５との電気的な接続位置Ｐ２から短絡部貫通導体１３１までの距離Ａ２より短くなっている。これにより、簡易な層構成で、容量素子１４０において電荷が溜まる区間Ｒを長くすることができる。より具体的には、区間Ｒの短絡部貫通導体１３１側の端部位置である接続位置Ｐ１を、短絡部貫通導体１３１側に近付けることで、区間Ｒを長くすることができる。これにより、容量素子１４０の一対の導体間に生じる電位差をより大きくして、放出される電波の強度をさらに高め、通信距離をより長くすることができる。
【0052】
また、上面導体１２１における第１の電極１２４との電気的な接続位置Ｐ１から容量部貫通導体１３２までの距離Ｂ１が、下面導体１２２における第２の電極１２５との電気的な接続位置Ｐ２から容量部貫通導体１３２までの距離Ｂ２より長くなっている。これにより、容量部貫通導体１３２と下面導体１２２との接続位置Ｐ３が、第１の電極１２４と容量導体１２３との接続位置Ｐ１から大きく離れた構成とすることができる。これにより、簡易な層構造で区間Ｒをより長くすることができる。
【0053】
（第３の実施形態）
次に、本開示の第３の実施形態について説明する。
本実施形態は、第２の電極１２５と接地導体との接続位置Ｐ２が第２の実施形態と異なる他は、第２の実施形態と同様である。以下では、第２の実施形態と同一の構成要素については、同一符号を付して、詳細な説明を省略する。
次に、本開示の第３の実施形態について説明する。
本実施形態は、第２の電極１２５と接地導体との接続位置Ｐ２が第２の実施形態と異なる他は、第２の実施形態と同様である。以下では、第２の実施形態と同一の構成要素については、同一符号を付して、詳細な説明を省略する。
【0054】
図９は、第３の実施形態のＲＦＩＤタグ１０の構成を示す断面図である。
また、図１０は、図９のＲＦＩＤタグ１０の分解斜視図である。
図９及び図１０に示されるように、本実施形態のＲＦＩＤタグ用基板１００では、容量導体１２３が、層間貫通導体１３５（第３の層間貫通導体）を介して第２の電極１２５と電気的に接続されている。層間貫通導体１３５は、絶縁基板１１０のうち第２の電極１２５と容量導体１２３との間の層にのみ設けられている（すなわち、積層基板１１１ｄをｚ方向に貫通している）。また、層間貫通導体１３５は、ｚ方向から見て第２の電極１２５と重なる位置に設けられている。
また、図１０は、図９のＲＦＩＤタグ１０の分解斜視図である。
図９及び図１０に示されるように、本実施形態のＲＦＩＤタグ用基板１００では、容量導体１２３が、層間貫通導体１３５（第３の層間貫通導体）を介して第２の電極１２５と電気的に接続されている。層間貫通導体１３５は、絶縁基板１１０のうち第２の電極１２５と容量導体１２３との間の層にのみ設けられている（すなわち、積層基板１１１ｄをｚ方向に貫通している）。また、層間貫通導体１３５は、ｚ方向から見て第２の電極１２５と重なる位置に設けられている。
【0055】
よって、本実施形態では、層間貫通導体１３５と容量導体１２３との接続位置が、接続位置Ｐ２に相当する。また、接続位置Ｐ１は、第２の実施形態と同一である。
このような構成の本実施形態においても、接続位置Ｐ１と短絡部貫通導体１３１との距離Ａ１は、接続位置Ｐ２と短絡部貫通導体１３１との距離Ａ２よりも短くなっている。また、接続位置Ｐ１と容量部貫通導体１３２との距離Ｂ１は、接続位置Ｐ２と容量部貫通導体１３２との距離Ｂ２よりも長くなっている。
このような構成の本実施形態においても、接続位置Ｐ１と短絡部貫通導体１３１との距離Ａ１は、接続位置Ｐ２と短絡部貫通導体１３１との距離Ａ２よりも短くなっている。また、接続位置Ｐ１と容量部貫通導体１３２との距離Ｂ１は、接続位置Ｐ２と容量部貫通導体１３２との距離Ｂ２よりも長くなっている。
【0056】
＜実施形態の効果＞
以上のように、第３の実施形態のＲＦＩＤタグ用基板１００では、第１の導体Ｃ１は、上面導体１２１であり、第２の導体Ｃ２は、容量導体１２３であり、第２の電極１２５は、絶縁基板１１０のうち第２の電極１２５と容量導体１２３との間の層に設けられた第３の層間貫通導体を介して容量導体１２３に電気的に接続され、上面導体１２１における第１の電極１２４との電気的な接続位置Ｐ１から短絡部貫通導体１３１までの距離Ａ１が、容量導体１２３における第２の電極１２５との電気的な接続位置Ｐ２から短絡部貫通導体１３１までの距離Ａ２より短くなっている。
このような構成によっても、簡易な層構成で、容量素子１４０において電荷が溜まる区間Ｒを長くすることができる。より具体的には、区間Ｒの短絡部貫通導体１３１側の端部位置である接続位置Ｐ１を、短絡部貫通導体１３１側に近付けることで、区間Ｒを長くすることができる。これにより、容量素子１４０の一対の導体間に生じる電位差をより大きくして、放出される電波の強度をさらに高め、通信距離をより長くすることができる。
さらに、本実施形態の構成では、図９に示されるように、容量素子１４０と下面導体１２２との間の領域（以下、容量素子１４０の「下層領域」と記す）に、第１の電極１２４又は第２の電極１２５に電気的に接続された導体が存在しない。よって、第１の電極１２４と第２の電極１２５との電位差に応じて下層領域に電荷が溜まりにくいため、下層領域に不要な電界が生じないようにすることができる。また、この結果、容量素子１４０の第１の導体Ｃ１（上面導体１２１）及び第２の導体Ｃ２（容量導体１２３）に集中的に電荷を蓄積させることができるため、容量素子１４０の開口端部１４０ａから集中して強い電波を放出することができる。これにより、通信距離をより長くすることができる。
以上のように、第３の実施形態のＲＦＩＤタグ用基板１００では、第１の導体Ｃ１は、上面導体１２１であり、第２の導体Ｃ２は、容量導体１２３であり、第２の電極１２５は、絶縁基板１１０のうち第２の電極１２５と容量導体１２３との間の層に設けられた第３の層間貫通導体を介して容量導体１２３に電気的に接続され、上面導体１２１における第１の電極１２４との電気的な接続位置Ｐ１から短絡部貫通導体１３１までの距離Ａ１が、容量導体１２３における第２の電極１２５との電気的な接続位置Ｐ２から短絡部貫通導体１３１までの距離Ａ２より短くなっている。
このような構成によっても、簡易な層構成で、容量素子１４０において電荷が溜まる区間Ｒを長くすることができる。より具体的には、区間Ｒの短絡部貫通導体１３１側の端部位置である接続位置Ｐ１を、短絡部貫通導体１３１側に近付けることで、区間Ｒを長くすることができる。これにより、容量素子１４０の一対の導体間に生じる電位差をより大きくして、放出される電波の強度をさらに高め、通信距離をより長くすることができる。
さらに、本実施形態の構成では、図９に示されるように、容量素子１４０と下面導体１２２との間の領域（以下、容量素子１４０の「下層領域」と記す）に、第１の電極１２４又は第２の電極１２５に電気的に接続された導体が存在しない。よって、第１の電極１２４と第２の電極１２５との電位差に応じて下層領域に電荷が溜まりにくいため、下層領域に不要な電界が生じないようにすることができる。また、この結果、容量素子１４０の第１の導体Ｃ１（上面導体１２１）及び第２の導体Ｃ２（容量導体１２３）に集中的に電荷を蓄積させることができるため、容量素子１４０の開口端部１４０ａから集中して強い電波を放出することができる。これにより、通信距離をより長くすることができる。
【0057】
また、上面導体１２１における第１の電極１２４との電気的な接続位置Ｐ１から容量部貫通導体１３２までの距離Ｂ１が、容量導体１２３における第２の電極１２５との電気的な接続位置Ｐ２から容量部貫通導体１３２までの距離Ｂ２より長くなっている。これにより、容量部貫通導体１３２と下面導体１２２との接続位置Ｐ３が、第１の電極１２４と容量導体１２３との接続位置Ｐ１から大きく離れた構成とすることができる。よって、簡易な層構造で区間Ｒをより長くすることができる。
【0058】
また、図３及び図４に示される第１の実施形態のＲＦＩＤタグ１０と、図９及び図１０に示される第３の実施形態のＲＦＩＤタグ１０と、の各々について、アンテナ利得のシミュレーションを行ったところ、第１の実施形態のＲＦＩＤタグ１０のアンテナ利得が－２６．３３ｄＢｉとなったのに対し、第３の実施形態のＲＦＩＤタグ１０のアンテナ利得は－２３．７８ｄＢｉとなり、約２．５ｄＢｉの向上が見られた。また、これにより、第３の実施形態の構成における通信距離は、第１の実施形態の構成における通信距離の約１．５倍に改善されることが確認された。これは、図９及び図１０のＲＦＩＤタグ１０では、容量導体１２３が上面導体１２１に対向し、容量素子１４０が封止部材３００の直下に設けられていること（すなわち、電波が封止部材３００の直下から放射されること）、及び、第２の電極１２５と接地導体との導通が、第２の電極１２５と容量導体１２３との間のみを貫通する層間貫通導体１３５により行われていることによる効果である。
【0059】
なお、本開示は、上記実施形態に限られるものではなく、様々な変更が可能である。
例えば、上記実施形態では、容量導体１２３が、上面導体１２１の一部、又は下面導体１２２の一部と対向する例を挙げて説明したが、これに限られず、容量導体１２３が、上面導体１２１の全部、又は下面導体１２２の全部と対向する構成としても良い。
例えば、上記実施形態では、容量導体１２３が、上面導体１２１の一部、又は下面導体１２２の一部と対向する例を挙げて説明したが、これに限られず、容量導体１２３が、上面導体１２１の全部、又は下面導体１２２の全部と対向する構成としても良い。
【0060】
また、上記実施形態では、ＲＦＩＤタグ用基板１００がｘ方向に長尺な直方体形状である例を用いて説明したが、これに限られず、ｚ方向から見て正方形となる形状や、ｙ方向に長尺な形状であっても良い。
【0061】
また、絶縁基板１１０が４層の積層基板１１１ａ～１１１ｄからなる構成を例に挙げて説明したが、これに限られず、絶縁基板１１０は、３層以下又は５層以上の積層基板からなるものであっても良い。
【産業上の利用可能性】
【0062】
本開示は、ＲＦＩＤタグ用基板、ＲＦＩＤタグ及びＲＦＩＤシステムに利用することができる。
【図1】
【図2A】
【図2B】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】