特開 2022-98059 配線基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022098059

(43)【公開日】2022-07-01

(54)【発明の名称】配線基板

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20220624BHJP

   H05K 3/34 20060101ALI20220624BHJP

   H05K 3/28 20060101ALI20220624BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 N

H05K3/46 Q

H05K3/34 502D

H05K3/28 B

【審査請求】未請求

【請求項の数】9

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2020211381

(22)【出願日】2020-12-21

(71)【出願人】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001896

【氏名又は名称】特許業務法人朝日奈特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】寺内 伊久哉

(72)【発明者】

【氏名】酒井 俊輔

【テーマコード（参考）】

5E314

5E316

5E319

【Ｆターム（参考）】

5E314AA24

5E314BB05

5E314CC01

5E314FF05

5E314GG12

5E316AA02

5E316AA12

5E316AA32

5E316AA43

5E316BB13

5E316BB16

5E316CC09

5E316CC10

5E316CC32

5E316CC37

5E316DD25

5E316EE31

5E316GG15

5E316GG16

5E316GG17

5E316GG28

5E316HH40

5E319AA03

5E319AB05

5E319AC02

5E319AC13

5E319AC17

5E319BB05

5E319CC22

5E319GG20

(57)【要約】

【課題】配線基板の品質向上。
【解決手段】実施形態の配線基板は、第１絶縁層２１２と、第１絶縁層２１２上に形成されている第１導体層３１２と、第１絶縁層２１２および第１導体層３１２上に形成されているソルダーレジスト層１７と、第１絶縁層２１２を介して第１導体層３１２と反対側に形成されている第２導体層３１３とを含み、第１面１Ｆおよび第１面の反対面である第２面１Ｂを有している。第１導体層３１２が、導体パッド３１２ｅを含み、ソルダーレジスト層１７が、導体パッド３１２ｅの表面の全面を露出させる開口１７ａを有し、導体パッド３１２ｅの外周に沿った領域に第１ビア５１２が接続されており、第１ビア５１２は、第１絶縁層２１２を貫通して第２導体層３１３の導体パターン３１３ｐに接続されている。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上に形成されている第１導体層と、
前記第１絶縁層および前記第１導体層上に形成されているソルダーレジスト層と、
前記第１絶縁層を介して前記第１導体層と反対側に形成されている第２導体層と
を含み、第１面および前記第１面の反対面である第２面を有する配線基板であって、
前記第１導体層が、導体パッドを含み、
前記ソルダーレジスト層が、前記導体パッドの表面の全面を露出させる開口を有し、
前記導体パッドの外周に沿った領域に第１ビアが接続されており、
前記第１ビアは、前記第１絶縁層を貫通して前記第２導体層の導体パターンに接続されている。

【請求項2】

請求項１記載の配線基板であって、前記導体パッドが略矩形の平面形状を有している。

【請求項3】

請求項２記載の配線基板であって、前記第１ビアが、前記略矩形の各コーナー部のそれぞれに接続されている。

【請求項4】

請求項１記載の配線基板であって、さらに、
前記第１絶縁層の直下の第２絶縁層と、
前記第２絶縁層を介して前記第２導体層と反対側に形成されている第３導体層と
を含み、
前記第２導体層が、前記第２絶縁層を貫通して前記第３導体層の導体パターンに接続されている第２ビアを含み、
前記第１ビアが、前記第２ビアに接続されている。

【請求項5】

請求項１記載の配線基板であって、さらに、前記開口から露出している前記導体パッドの露出面を覆う表面処理層を含んでいる。

【請求項6】

請求項１記載の配線基板であって、
前記第１面が部品実装面であり、
前記第１絶縁層、前記第１導体層、前記ソルダーレジスト層、前記第２導体層が、前記第２面側に形成されている。

【請求項7】

請求項６記載の配線基板であって、さらに、前記第１面に部品実装パッドを含み、
前記第１導体層に含まれる前記導体パッドのサイズは、前記部品実装パッドのサイズよりも大きい。

【請求項8】

請求項７記載の配線基板であって、さらに前記第１面に第２ソルダーレジスト層を備え、
前記第２ソルダーレジスト層は前記部品実装パッドの周縁部を覆っており、
前記第２ソルダーレジスト層の開口には前記部品接続パッドの周縁部以外の部分が露出している。

【請求項9】

請求項１記載の配線基板であって、さらに、前記第１絶縁層を貫通して前記第１導体層と前記第２導体層とを接続するビア導体を含み、
前記ビア導体の前記第１導体層側の径は、前記第１ビアの前記導体パッド側の径よりも大きい。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は配線基板に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、表面にソルダーレジストが配設された多層配線基板が開示されている。そして、ソルダーレジストの開口中の絶縁層上に、ソルダーレジストから離れた状態で、接合によって半導体素子の端子部と接続されるパッド部が形成されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００４－２２７１３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１に開示されているパッド部では、パッド部がソルダーレジストから離れて形成されているため、パッドとパッドがその上に形成される絶縁層との間における界面剥離などが起こる虞があると考えられる。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明の配線基板は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に形成されている第１導体層と、前記第１絶縁層および前記第１導体層上に形成されているソルダーレジスト層と、前記第１絶縁層を介して前記第１導体層と反対側に形成されている第２導体層とを含み、第１面および前記第１面の反対面である第２面を有している。そして、前記第１導体層が、導体パッドを含み、前記ソルダーレジスト層が、前記導体パッドの表面の全面を露出させる開口を有し、前記導体パッドの外周に沿った領域に第１ビアが接続されており、前記第１ビアは、前記第１絶縁層を貫通して前記第２導体層の導体パターンに接続されている。

【0006】

本発明の実施形態の配線基板によれば、必要とされる導体パッドの大きさを確保しながら、絶縁層におけるクラックや導体パッドの樹脂絶縁層からの剥離または浮きなどの不具合の発生が生じ難いと考えられる、高い品質の配線基板を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。

【図2A】図１に示される配線基板の、ソルダーレジスト層の開口内に露出されている導体パッドの一例を示す平面図。

【図2B】図２ＡのＢ－Ｂ線での断面図。

【図3】本発明の一実施形態の配線基板の他の例の部分拡大図。

【図4】本発明の一実施形態の配線基板の他の例を示す断面図。

【発明を実施するための形態】

【0008】

本発明の一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図１は一実施形態の配線基板の一例である配線基板１を示す断面図である。

【0009】

図１に示されるように、配線基板１は、その厚さ方向において対向する２つの主面（第１面１０Ｆおよび第１面１０Ｆの反対面である第２面１０Ｂ）を有するコア基板１０を有している。配線基板１は、コア基板１０の第１面１０Ｆ上に積層されている第１ビルドアップ層１１と、コア基板１０の第２面１０Ｂ上に積層されている第２ビルドアップ層１２とを含んでいる。配線基板１は、第１ビルドアップ層１１側の表面の第１面１Ｆおよび第２ビルドアップ層１２側の表面の第２面１Ｂを有している。

【0010】

コア基板１０は、絶縁層５と、絶縁層５の第１ビルドアップ層１１側および第２ビルドアップ層１２側それぞれに積層されている導体層６とを含んでいる。第１ビルドアップ層１１側の導体層６の露出面と、絶縁層５の第１ビルドアップ層１１側の表面の露出部分とによって第１面１０Ｆが構成される。第２ビルドアップ層１２側の導体層６の露出面と、絶縁層５の第２ビルドアップ層１２側の表面の露出部分とによって第２面１０Ｂが構成される。絶縁層５には、絶縁層５を貫通するスルーホール用貫通孔５５が形成されている。各スルーホール用貫通孔５５を導電体で埋めることによって、絶縁層５には、絶縁層５を貫通し、第１面１０Ｆ側の導体層６と第２面１０Ｂ側の導体層６とを接続するスルーホール導体５０が形成されている。

【0011】

第１ビルドアップ層１１および第２ビルドアップ層１２は、それぞれ、複数の絶縁層２１および複数の導体層３１を含んでいる。第１ビルドアップ層１１および第２ビルドアップ層１２それぞれにおいて、複数の絶縁層２１および複数の導体層３１が交互に積層されている。図１の配線基板１では、第１ビルドアップ層１１は６つの導体層３１と６つの絶縁層２１とを含んでいる。同様に、第２ビルドアップ層１２は６つの導体層３１と６つの絶縁層２１とを含んでいる。しかしながら、第１および第２のビルドアップ層内の絶縁層２１および導体層３１はそれぞれ６つに限定されず、任意の数の、例えば５以下の、または、７もしくはそれ以上の数のビルドアップ層が設けられてもよい。

【0012】

なお、実施形態の説明では、配線基板の厚さ方向においてコア基板１０の絶縁層５から遠い側は「上側」、「上方」、「外側」、または単に「上」もしくは「外」、とも称され、コア基板１０の絶縁層５に近い側は「下側」、「下方」、「内側」、または単に「下」もしくは「内」、とも称される。さらに、各導体層および各絶縁層において、コア基板１０の絶縁層５と反対側を向く表面は「上面」とも称され、コア基板１０の絶縁層５側を向く表面は「下面」とも称される。従って、例えば第１ビルドアップ層１１および第２ビルドアップ層１２の説明では、コア基板１０から遠い側が「上側」、「上方」、「上層側」、「外側」、または単に「上」もしくは「外」とも称され、コア基板１０に近い側が「下側」、「下方」、「下層側」、「内側」、または単に「下」もしくは「内」とも称される。

【0013】

実施形態の配線基板１は、第１ビルドアップ層１１の上側を覆うソルダーレジスト層１６（第２ソルダーレジスト層）を含んでいる。配線基板１は、第２ビルドアップ層１２の上側を覆うソルダーレジスト層１７を含んでいる。

【0014】

絶縁層５および絶縁層２１は、任意の絶縁性樹脂によって形成される。絶縁性樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）またはフェノール樹脂などが例示される。図１には示されていないが、絶縁層５や任意の絶縁層２１はガラス繊維などからなる芯材を含み得る。絶縁層５および絶縁層２１は、さらに、無機フィラーを含んでいてもよい。各絶縁層に含まれる無機フィラーとしては、シリカ（ＳｉＯ₂）、アルミナ、またはムライトなどからなる微粒子が例示される。ソルダーレジスト層１６、１７は、例えばエポキシ樹脂やポリイミド樹脂などの任意の絶縁性材料を用いて形成される。

【0015】

導体層６および導体層３１は、任意の金属を用いて形成される。例えば、導体層６および導体層３１は、銅箔などの金属箔や、めっきまたはスパッタリングなどで形成される金属膜によって形成され得る。すなわち、図１に示される例では、導体層６および導体層３１は単層で示されているが、導体層６および導体層３１は、多層構造で構成されていてもよい。例えば、導体層６および導体層３１は、金属箔層、無電解めっき膜層、および、電解めっき膜層を有する３層構造で構成され得る。また、導体層６および導体層３１は、無電解めっき膜層および電解めっき膜層を有する２層構造で構成されていてもよい。導体層６および導体層３１は、例えば、銅、ニッケルなどの任意の金属を単独でまたは組み合わせて用いて形成され得る。例えば、各導体層６および導体層３１は、電解めっきによる形成が容易で、導電性に優れていることから銅で形成され得る。

【0016】

第１ビルドアップ層１１および第２ビルドアップ層１２は、各絶縁層２１を貫通し、各絶縁層２１を介して隣接する導体層６、３１同士を接続するビア導体５１を含んでいる。ビア導体５１は、各絶縁層２１それぞれを貫く貫通孔を導電体で埋めることによって形成される所謂フィルドビアである。ビア導体５１は、それぞれの上側の導体層と一体的に形成されている。したがって、例えば、ビア導体５１と導体層３１とは、同一の、例えば銅またはニッケルなどからなるめっき膜（無電解めっき膜および電解めっき膜）によって形成されている。

【0017】

導体層６および導体層３１には、それぞれ、配線パターンおよび／または導体パッドを含む所望の導体パターンが形成されている。図１に示される例の配線基板１では、第１ビルドアップ層１１内の導体層３１のうちの最も外側の導体層３１１は、複数の部品実装パッド３１１ｅを有している。すなわち配線基板１は、第１面１Ｆに複数の部品実装パッド３１１ｅを含んでいる。図１に示されるように、複数の部品実装パッド３１１ｅは絶縁層２１上に形成されている。

【0018】

ソルダーレジスト層１６は、部品実装パッド３１１ｅを露出させる開口１６ａを有している。ソルダーレジスト層１６の開口１６ａに部品実装パッド３１１ｅの表面が露出している。部品実装パッド３１１ｅの形状は、任意の形状とされてよく、例えばソルダーレジスト層１６の開口１６ａにより画定され得る。

【0019】

各部品実装パッド３１１ｅは、配線基板１の使用時に配線基板１に実装される電子部品（図示せず）と接続され得る。すなわち配線基板１の第１面１Ｆは、配線基板１の部品実装面である。部品実装パッド３１１ｅは、例えばはんだなどの接合材（図示せず）を介して、第１面１Ｆに実装される電子部品の電極と電気的および機械的に接続されてよい。部品実装パッド３１１ｅは、配線基板１に実装される電子部品の配線パターンなどに応じて任意の位置に、任意の数で形成され得る。

【0020】

電子部品としては、半導体装置などの能動部品や、抵抗体のような受動部品が例示される。電子部品は、半導体基板上に形成された微細配線を含む配線材であってもよい。しかし、電子部品はこれらに限定されない。

【0021】

図１に示される例の配線基板１では、第２ビルドアップ層１２内の導体層３１のうちの最も外側の導体層３１２（第１導体層ともいう）は、複数の導体パッド３１２ｅを含んでいる。すなわち配線基板１は、第２面１Ｂに複数の導体パッド３１２ｅを含んでいる。複数の導体パッド３１２ｅは、第２ビルドアップ層１２内の絶縁層２１のうちの最も外側の絶縁層２１２（第１絶縁層ともいう）上に形成されている。

【0022】

図２Ａは、図１に示される配線基板１の一点鎖線で囲われている部分であるII部の第２面１Ｂ側からの拡大された平面図である。図２Ｂには、図１のこのII部の拡大図が示されている。図２Ａに示されている例では、配線基板１の導体パッド３１２ｅは、略矩形の平面形状を有している。なお、ここで、「平面形状」とは、配線基板１の厚さ方向と平行に対象物を見た場合、すなわち対象物の平面視における形状を意味している。しかしながら、導体パッド３１２ｅの形状は、図２Ａに示されている略矩形形状に限定されない。例えば、導体パッド３１２ｅは、略円の形状などで形成されてもよい。導体パッド３１２ｅは任意の形状で形成され得る。

【0023】

また、添付の図面においては、導体パッド３１２ｅを含む各構成要素の正確なサイズや形状、および／または、各構成要素同士のサイズや形状の正確な比率を示すことは意図されていない。例えば、導体パッド３１２ｅは、図２Ａに示されているような略矩形形状、すなわち２組の略平行な辺を有している平面形状を有し得る。導体パッド３１２ｅの長手方向の辺と短手方向の辺との比率は、図２Ａに示される比率に限定されない、任意の比率の略矩形形状が形成されてよい。また、導体パッド３１２ｅは、図２Ａに示されている例のように、その角部が面取りされている略矩形の形状であってもよい。

【0024】

図１に示されるように、ソルダーレジスト層１７は、導体パッド３１２ｅを配線基板１の第２面１Ｂ側に露出させる開口１７ａを有している。実施形態の配線基板１では、導体パッド３１２ｅの絶縁層１２と反対側の表面３１２ａの全面が開口１７ａから露出されている。

【0025】

実施形態の配線基板１の第２面１Ｂには、外部の配線基板、例えば任意の電気機器のマザーボードなど（図示せず）が実装され得る。導体パッド３１２ｅは、マザーボード上の接続パッドなどと接続される。実施形態の配線基板１の第２面１Ｂには、半導体素子などの電子部品（図示せず）が実装されてもよい。その場合、導体パッド３１２ｅは、第２面１Ｂに実装される電子部品の電極と接続されてよい。導体パッド３１２ｅは、配線基板１の第２面１Ｂに接続されるマザーボードや、配線基板１の第２面１Ｂに実装される電子部品の配線パターンなどに応じて任意の位置に、任意の数で形成され得る。

【0026】

図１の例では、導体パッド３１２ｅのサイズは、配線基板１の第１面１Ｆ側に設けられている複数の部品実装パッド３１１ｅのサイズよりも大きい。外部の配線基板と実施形態の配線基板１とが、より大きな接続面積を介して強固に接続されると考えられる。

【0027】

導体パッド３１２ｅの外周に沿った領域には、第２ビルドアップ層１２の最外の導体層３１２と一体的に形成される、ビア導体（楔ビア）５１２が接続されている。図１の例のように、２またはそれ以上のビア導体（楔ビア）５１２が形成されてもよい。図２に示されるように、導体パッド３１２ｅは、第２ビルドアップ層１２の上側から導体パッド３１２ｅを見た平面視における導体パッド３１２ｅの、略中央でビア導体５１と、外周に沿った領域で楔ビア５１２と接続されている。

【0028】

図２Ａに示される例では、４つの楔ビア５１２が、導体パッド３１２ｅの各コーナー部のそれぞれに形成されている。導体パッド３１２ｅと楔ビア５１２との平面視における位置関係は、図２Ａに示されるものに限定されない。例えば、楔ビア５１２は、コーナー部に加えて、導体パッド３１２ｅの外周に沿って枠状に設けられてもよい。また、導体パッド３１２ｅが略矩形以外の形状で形成されている場合、楔ビア５１２は、導体パッド３１２ｅの外周に沿って、例えば等間隔で設けられてもよい。楔ビア５１２は等間隔で設けられていなくてもよく、すなわち例えば図２Ａのような略矩形形状において、コーナー部それぞれに楔ビア５１２が設けられていなくてもよい。また、楔ビア５１２が、外周に沿った領域に加えて、導体パッド３１２ｅ内のランダムな任意の位置に設けられていてもよい。

【0029】

楔ビア５１２は、第２ビルドアップ層１２内の絶縁層２１のうちの最も外側の絶縁層２１２（第１絶縁層）を貫通している。具体的には、最外の導体層３１２（第１導体層）に含まれる導体パッド３１２ｅが、絶縁層２１２を介して導体層３１２と反対側に形成されている導体層３１３（導体層３１２の直下の導体層３１、第２導体層ともいう）の導体パターン３１３ｐと、導体パッド３１２ｅと一体的に形成される楔ビア５１２を介して接続されている。

【0030】

導体パッドが形成された絶縁層の導体パッド近傍には、導体パッドと絶縁層との熱膨張率の相違や、導体パッドへの外部の電子部品の接続時に導体パッドに加わる外力などにより応力が生じる場合がある。このような応力によって、絶縁層の、導体パッドの外周に接している部分周辺に応力によるクラックが生じたり、また、絶縁層からの導体パッドの剥離などの不具合が生じる虞がある。

【0031】

本実施形態の配線基板１では、前述のように、導体パッド３１２ｅの外周に沿った領域に２またはそれ以上の楔ビア５１２が接続されている。導体パッド３１２ｅが、導体層３１３の導体パターン３１３ｐと、このような楔ビア５１２により接続される構成をもつことにより、導体パッド３１２ｅがより内層の導体層３１３とも比較的強固に接続され得る。最外の絶縁層２１２の、導体パッド３１２ｅの外周と接している部分に集中していた応力が、分散・緩和されると考えられる。この結果、導体パッド３１２ｅ近傍の絶縁層２１２におけるクラックの発生や、導体パッド３１２ｅと最外の絶縁層２１２との剥離および／または導体パッド３１２ｅの最外の絶縁層２１２からの浮きなどの不良が抑制されると考えられる。

【0032】

図１に示される配線基板１では、絶縁層２１２（第１絶縁層）の直下に絶縁層２１３（第２絶縁層ともいう）が形成されている。絶縁層２１３を介して導体層３１３（第２導体層）と反対側に導体層３１４（導体層３１３の直下の導体層３１、第３導体層ともいう）が形成されている。導体層３１３と一体的に、ビア導体５１および楔ビア５１３（第２ビアともいう）が形成されている。楔ビア５１３は、絶縁層２１３を貫通して、導体層３１４の導体パターン３１４ｐに接続されている。楔ビア５１３に楔ビア５１２（第１ビアともいう）が接続されている。

【0033】

さらに、図１に示される配線基板１では、絶縁層２１３（第２絶縁層）の直下に絶縁層２１４（第３絶縁層ともいう）が形成されている。絶縁層２１４を介して導体層３１４（第３導体層）と反対側に導体層３１５（導体層３１４の直下の導体層３１、第４導体層ともいう）が形成されている。導体層３１４と一体的に、ビア導体５１および楔ビア５１４（第３ビアともいう）が形成されている。楔ビア５１４は、絶縁層２１４を貫通して、導体層３１５の導体パターン３１５ｐに接続されている。楔ビア５１４に楔ビア５１３が接続されている。

【0034】

このように、導体パッド３１２ｅが楔ビアを介してより多くの内層の導体層３１と接続されることにより、導体パッド３１２ｅにかかる外力が分散されると考えられる。絶縁層２１２における導体パッド３１２ｅの外周と接している部分にかかる力が緩和され得る。その結果、絶縁層２１２におけるクラックの発生がより良好に抑制される場合がある。

【0035】

前述のように、図１に示される例の配線基板１では、導体パッド３１２ｅのサイズは、第１面１Ｆ側に設けられている部品実装パッド３１１ｅのサイズよりも大きい。大きなサイズの導体パッド３１２ｅが配線基板１の第２面１Ｂ側に配置されることは、外部の配線基板と大きな接続面積で接続され得ることを意味しているので、配線基板１の接続信頼性を向上させるために有利であると考えられる。しかしながら、導体パッド３１２ｅのサイズが大きく形成されると、絶縁層２１２における導体パッド３１２ｅの外周と接している部分にかかる応力も大きくなると考えられる。本実施形態では、２またはそれ以上の楔ビア（楔ビア５１２、５１３、５１４）によってこの応力が分散され得るため、配線基板に大きなサイズの導体パッドを配置する場合において、特に本実施形態が優位であると考えられる。

【0036】

実施形態の配線基板１では、導体パッド３１２ｅは、その外周に沿った領域に接続されている楔ビア（第１ビア５１２、第２ビア５１３、第３ビア５１４）を介して、より内層の導体層（第２導体層３１３、第３導体層３１４、第４導体層３１５）の導体パターンへと接続されている。例えば、導体パッド３１２ｅと外部の配線基板の接続パッドとの接合剤を介した接続のための加熱を伴う工程においては、絶縁層２１２と導体層３１２との熱膨張率の違いに起因する、絶縁層２１２と導体パッド３１２ｅとの剥離が生じる虞がある。しかし、導体パッド３１２ｅと内層の導体層（導体層３１３、３１４、３１５）の導体パターンとが楔ビア（楔ビア５１２、５１３、５１４）を介して接続されていることで、導体パッド３１２ｅと絶縁層２１２とは強固に密着している。したがって、絶縁層２１２と導体パッド３１２ｅとの界面での剥離や導体パッド３１２ｅの絶縁層２１２からの浮きの発生が抑制され得る。導体パッド３１２ｅを含む第２面１Ｂの平坦性が確保されると考えられる。

【0037】

なお、図２Ａでは、導体パッド３１２ｅとビア導体５１と楔ビア５１２とは、その位置関係を説明するためにのみ模式的に示されており、その形状および寸法の関係について限定することは意図されていない。ビア導体５１の導体パッド３１２ｅ側の径ｄ１と楔ビア５１２の導体パッド３１２ｅ側の径ｄ２とは略同径に形成されていてもよい。導体パッド３１２ｅへの２またはそれ以上の数の楔ビア５１２の配置という観点から、図２Ａに示されるように例えば楔ビア５１２の導体パッド３１２ｅ側の径ｄ２がビア導体５１の導体パッド３１２ｅ側の径ｄ１よりも小さい径に形成されてもよい。

【0038】

このような場合、例えば、ビア導体５１の導体パッド３１２ｅ側の径ｄ１は、約２５～６０μｍ程度であり、楔ビア５１２の導体パッド３１２ｅ側の径ｄ２は、約３５～７０μｍ程度である。しかしながら、上述のように、ビア導体５１と楔ビア５１２とは、それぞれの導体パッド３１２ｅ側の径が同じに形成されていてもよく、すなわち、径ｄ１と径ｄ２とは等しくてもよい。

【0039】

図１に示される例のように、楔ビア５１２、５１３、５１４が形成される場合、第２ビルドアップ層１２の上側から導体パッド３１２ｅを見た平面視において、楔ビア５１２と楔ビア５１３と楔ビア５１４とは、導体パッド３１２ｅ内においてそれぞれが重なる位置に略同じサイズで形成され得る。導体パッド３１２ｅにかかる外力がより良好に分散されると考えられる。導体パッド３１２ｅの剥がれや浮きのより良好な抑制効果が得られる場合がある。

【0040】

前述の図１では省略されているが、図２Ａに示されているように、ソルダーレジスト層１７の開口１７ａから露出している導体パッド３１２ｅは、表面処理層７を含んでいてもよい。図２Ｂは、図１のII部の拡大図であって、図２Ａに示されるＢ－Ｂ線に重なる切断線で配線基板１のII部を切断した場合の断面図である。

【0041】

図２Ｂに示されているように、表面処理層７は、導体パッド３１２ｅの表面３１２ａおよび側面３１２ｂを覆っている。表面処理層７は、ソルダーレジスト層１７の開口１７ａから露出している導体パッド３１２ｅの露出部分を酸化から保護するための保護膜であり得る。

【0042】

表面処理層７は、有機被膜または金属皮膜であり得る。表面処理層７は、例えば、Ｓｎめっき、Ａｇめっき、Ｎｉ/Ａｕめっき、またはＮｉ/Ｐｄ/Ａｕめっきなどである。表面処理層７はまた、イミダゾール系ＯＳＰ(Organic Solderability Preservative)層であってもよい。

【0043】

図２Ａおよび２Ｂに示されている例では、表面処理層７は、導体パッド３１２ｅの表面３１２ａおよび側面３１２ｂの上に形成されている第１被膜７１および第１被膜７１上に形成されている第２被膜７２で形成されている。第１被膜７１は例えば、ニッケル膜またはニッケル／パラジウムの合金膜である。第２被膜７２は例えば、金からなる金属膜である。

【0044】

導体パッド３１２ｅの露出部分を被覆する表面処理層７が導体パッド３１２ｅ上に形成される場合、表面処理層７の熱膨張率によっては、表面処理層７が導体パッド３１２ｅ上に形成されていない場合と比較して、絶縁層２１２における導体パッド３１２ｅの外周と接している部分にかかる応力が増大する可能性がある。しかしながら、本実施形態では、導体パッド３１２ｅが、内層の導体層（導体層３１３、３１４、３１５）の導体パターンと楔ビア（楔ビア５１２、５１３、５１４）を介して接続されているので、不具合の発生が防止され得る。

【0045】

図１に示される例の配線基板１では、前述のように、導体パッド３１２ｅは、導体パッド３１２ｅの各コーナー部に形成されている楔ビア（楔ビア５１２、５１３、５１４）を介して、内層の導体層（導体層３１３、３１４、３１５）の導体パターンへと接続されている。しかしながら、導体パッド３１２ｅのサイズや絶縁層２１２と導体層３１２との熱膨張率の違い等によって、導体パッド３１２ｅに配置される楔ビアの数や、第２ビルドアップ層１２の上側から導体パッド３１２ｅを見た平面視において重なる楔ビアの数は適宜選択されてよい。

【0046】

例えば、配線基板１は、楔ビア５１３および楔ビア５１４を含まず、導体パッド３１２ｅが楔ビア５１２により導体層３１３の導体パターン３１３ｐに接続される構成を有していてもよい。この例が図３に示されている。図３は、本実施形態の配線基板の他の例の、図１のIII部に対応する部分の拡大図である。

【0047】

また、配線基板１は、その第２面１Ｂに導体パッド３１２ｅを含んでいるが、実施形態の配線基板の第２面１Ｂ側のパッドが全て前述の導体パッド３１２ｅの構成を有している必要はない。すなわち、実施形態の配線基板は、上記で説明された構成を有する導体パッド３１２ｅ以外の接続パッド３１２ｓを第２面１Ｂに含んでいてもよい。このような配線基板１ａの例が図４に示されている。

【0048】

図４に示されるように、配線基板１ａの接続パッド３１２ｓには、楔ビアが設けられていない。すなわち、接続パッド３１２ｓの外周に沿った領域には、楔ビア５１２は形成されていない。配線基板１ａにおいて、接続パッド３１２ｓは導体パッド３１２ｅより小さなサイズを有していてもよい。また、第１面１Ｆ側の部品実装パッド３１１ｅと同様に、接続パッド３１２ｓが、接続パッド３１２ｓの表面がソルダーレジスト層１７の開口１７ａから部分的に露出するように設けられていてもよい。しかしながら、接続パッド３１２ｓは、導体パッド３１２ｅと同様に、接続パッド３１２ｓの絶縁層１２と反対側の表面の全面が開口１７ａから露出するように形成されていてもよい。

【0049】

配線基板１ａの第２面１Ｂの導体パッド３１２ｅや接続パッド３１２ｓは、配線基板１ａの第２面１Ｂに実装される電子部品の電極や接続パッドなどの配置に応じて、適宜形成されている。なお、図４の例の配線基板１ａは、接続パッド３１２ｓを除いて、図１の配線基板１と同様の構造を有している。図４において、図１と同様の構成要素の符号は適宜省略されており、同様の構成要素に関する説明は省略される。

【0050】

本実施形態の配線基板においては、第２面１Ｂ側の最外層の絶縁層２１２が、芯材（補強材）を含んでいてもよい。絶縁層２１２の機械的強度が向上し、外部の配線基板などが接続される際に導体パッド３１２ｅを介して絶縁層２１２にかかり得る応力に起因する絶縁層２１２のクラックなどの不良の発生が抑制される場合がある。また、絶縁層２１２にクラックが生じた場合であっても、絶縁層２１２におけるクラックの拡大が芯材によって制止され得ることがある。例えば、芯材としては、ガラス繊維やアラミド繊維などが使用され得る。

【0051】

また、本実施形態の配線基板においては、第１面１Ｆ側に設けられている部品実装パッド３１１ｅは、第２面１Ｂの導体パッド３１２ｅと同様に、部品実装パッド３１１ｅの絶縁層２１と反対側の表面の全面がソルダーレジスト層１６の開口１６ａから露出するように形成されていてもよい。

【0052】

実施形態の配線基板１は、一般的な配線基板の製造方法によって製造され得る。例えば、絶縁層５を含む両面銅張積層板または両面に金属箔が積層されている絶縁層５が用意される。そしてサブトラクティブ法などによって、所定の導体パターンを含む導体層６を絶縁層５の両面に形成すると共に、絶縁層５に設けられた貫通孔５５内を埋めることによってスルーホール導体５０を形成して、コア基板１０が用意される。

【0053】

コア基板１０の第１面１０Ｆ上および第２面１０Ｂ上に、例えば一般的なビルドアップ基板の製造方法によって、絶縁層２１が積層され、その上に導体層３１が形成される。コア基板１０の両面において、各絶縁層２１の積層と導体層３１の形成とが繰り返され、コア基板１０の第１面１Ｆ側および第２面１Ｂ側に、それぞれ、第１ビルドアップ層１１および第２ビルドアップ層１２が形成される。

【0054】

例えば、各絶縁層２１は、フィルム上のエポキシ樹脂を、先に形成された絶縁層５、２１および導体層６、３１上に、熱圧着することによって形成される。例えば、各導体層３１は、めっきレジストの形成とパターンめっきなどとを含むセミアディティブ法やフルアディティブ法などによって、所望の導体パターンを有するように形成される。また、各導体層３１の形成と共に、ビア導体５１および楔ビア５１２、５１３、５１４が対応する絶縁層２１内に形成され得る。例えば楔ビア５１２、５１３、５１４の外側の径は、ビア導体５１の外側の径より小さくなるように形成され得る。

【0055】

導体層３１のうち、導体層３１３、３１４、３１５は、楔ビア５１２、５１３、５１４がそれぞれ接続される導体パターン３１３ｐ、３１４ｐ、３１５ｐを含むようにパターニングされる。また、第１ビルドアップ層１１の最外の導体層３１は、部品実装パッド３１１ｅを含むようにパターニングされる。第２ビルドアップ層１２の最外の導体層３１２は、導体パッド３１２ｅを含むようにパターニングされる。

【0056】

次いで、ソルダーレジスト層１６が、第１ビルドアップ層１１の最外の絶縁層２１および導体層３１上に形成される。また、ソルダーレジスト層１７が、第２ビルドアップ層１２の最外の絶縁層２１２および導体層３１２上に形成される。ソルダーレジスト層１６、１７は、例えば、感光性の樹脂から形成される。露光および現像により、またはレーザー加工などによって、ソルダーレジスト層１６、１７に、複数の開口１６ａ、１７ａが形成される。ソルダーレジスト層１６の開口１６ａは、その開口１６ａ内に部品実装パッド３１１ｅの表面が露出するように形成される。ソルダーレジスト層１７の開口１７ａは、その開口１７ａ内に導体パッド３１２ｅの表面全体が露出するように形成される。

【0057】

次いで、開口１６ａ内に露出している部品実装パッド３１１ｅの表面上、ならびに、開口１７ａ内に露出している導体パッド３１２ｅの表面３１２ａおよび側面３１２ｂの上に、めっき処理やＯＳＰ剤への浸漬などによって表面処理層７（図２Ａおよび２Ｂ参照）が形成される。以上の工程により、図１に示される例の配線基板１が完成する。

【0058】

実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、ならびに、本明細書において例示される構造、形状、および材料を備えるものに限定されない。実施形態の配線基板は、任意の積層構造を有し得る。また、実施形態の配線基板は、コア基板を含まないコアレス基板であってもよく、また、片面基板や第１ビルドアップ層１１と第２ビルドアップ層１２とが非対称な層構造をもつ基板であってもよい。

【符号の説明】

【0059】

１、１ａ 配線基板
１Ｆ 配線基板の第１面
１Ｂ 配線基板の第２面
５、２１、２１２、２１３、２１４、 絶縁層
６、３１、３１２、３１３、３１４、３１５ 導体層
７ 表面処理層
１０ コア基板
１０Ｆ コア基板の第１面
１０Ｂ コア基板の第２面
１１ 第１ビルドアップ層
１２ 第２ビルドアップ層
１６、１７ ソルダーレジスト層
１６ａ、１７ａ ソルダーレジスト層の開口
５０ スルーホール導体
５１ ビア導体
５１２、５１３、５１４ 楔ビア
３１１ｅ 部品実装パッド
３１２ｅ 導体パッド
３１２ａ 導体パッドの表面
３１２ｂ 導体パッドの側面
３１２ｓ 接続パッド

【図1】

【図2A】

【図2B】

【図3】

【図4】