特開 2022-99957 半導体基板の製造方法及びエッチング装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022099957

(43)【公開日】2022-07-05

(54)【発明の名称】半導体基板の製造方法及びエッチング装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/308 20060101AFI20220628BHJP

【ＦＩ】

H01L21/308 C

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2020214051

(22)【出願日】2020-12-23

(71)【出願人】

【識別番号】000154325

【氏名又は名称】住友電工デバイス・イノベーション株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100088155

【弁理士】

【氏名又は名称】長谷川 芳樹

(74)【代理人】

【識別番号】100113435

【弁理士】

【氏名又は名称】黒木 義樹

(74)【代理人】

【識別番号】100136722

【弁理士】

【氏名又は名称】▲高▼木 邦夫

(74)【代理人】

【識別番号】100174399

【弁理士】

【氏名又は名称】寺澤 正太郎

(72)【発明者】

【氏名】堀野 和彦

【テーマコード（参考）】

5F043

【Ｆターム（参考）】

5F043AA15

5F043BB08

5F043DD07

5F043DD10

5F043DD13

5F043EE07

(57)【要約】

【課題】エッチング液の使用量を削減することができる半導体基板の製造方法及びエッチング装置を提供する。
【解決手段】半導体基板の製造方法は、半導体層が形成された主面と、主面に対向する裏面とを有する半導体基板の温度を、液体を裏面に噴射することにより調整するとともに、エッチング液を用いて半導体層の表面をエッチングする工程を備える。
【選択図】図５

【特許請求の範囲】

【請求項1】

半導体層が形成された主面と、前記主面に対向する裏面とを有する半導体基板の温度を、液体を前記裏面に噴射することにより調整するとともに、エッチング液を用いて前記半導体層の表面をエッチングする工程を備える半導体基板の製造方法。

【請求項2】

前記エッチングする工程では、前記液体を前記裏面の第１領域及び前記第１領域を挟んで位置する又は囲んで位置する複数の第２領域に噴射することにより前記半導体基板の温度を昇温し、
前記第１領域に噴射される液体の温度は、前記第２領域に噴射される液体の温度よりも１０℃以上低く調整される、請求項１に記載の半導体基板の製造方法。

【請求項3】

前記液体の温度は、前記エッチング液の温度よりも高い、請求項１又は請求項２に記載の半導体基板の製造方法。

【請求項4】

前記半導体層は、ＩｎＰを含む層であり、
前記エッチング液は、アンモニア水と過酸化水素水との混合液であり、
前記エッチングする工程では、温度が４０℃以上かつ５０℃以下の前記エッチング液を、前記半導体層の前記表面にかけ流す、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体基板の製造方法。

【請求項5】

前記半導体層は、ＩｎＰを含む層であり、
前記エッチング液は、塩酸と過酸化水素水との混合液であり、
前記エッチングする工程では、温度が２０℃以上かつ３０℃以下の前記エッチング液を、前記半導体層の前記表面にかけ流す、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体基板の製造方法。

【請求項6】

前記エッチングする工程では、前記半導体基板の平均温度と前記エッチング液の温度との差が４０℃以下である、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の半導体基板の製造方法。

【請求項7】

前記半導体層は、ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓ及びＩｎＧａＡｓＰのうち少なくともいずれか一つを含む層である、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の半導体基板の製造方法。

【請求項8】

半導体層が形成された主面と、前記主面に対向する裏面とを有する半導体基板の前記裏面に、液体を噴射することにより前記半導体基板の温度を調整する昇温部と、
前記半導体層の表面にエッチング液をかけ流してエッチング処理を行うエッチング処理槽と、を備えるエッチング装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、半導体基板の製造方法及びエッチング装置に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、プリント配線基板の製造方法に関する技術が開示されている。この製造方法では、エッチング処理槽内を移動するプリント基板に対して、エッチング処理槽の上部に設けられたスプレーノズルからエッチング液がかけ流される。かけ流されたエッチング液によってプリント基板上の回路を構成しない金属部分が除去され、配線が形成される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１０－２１９１６５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１に開示されているようなエッチング液をかけ流す方法を用いて、半導体基板に形成された半導体層にエッチング処理を施す場合、エッチングが完了するまでの間、エッチング液をかけ流し続ける必要がある。つまり、上記方法では、エッチング液を貯めた槽内に半導体基板を浸けおくことによりエッチングを行う方法などと比較して、多量のエッチング液を使用する必要がある。

【0005】

そこで、本開示は、エッチング液の使用量を削減することができる半導体基板の製造方法及びエッチング装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示の半導体基板の製造方法は、半導体層が形成された主面と、主面に対向する裏面とを有する半導体基板の温度を、液体を裏面に噴射することにより調整するとともに、エッチング液を用いて半導体層の表面をエッチングする工程を備える。

【0007】

本開示のエッチング装置は、半導体層が形成された主面と、主面に対向する裏面とを有する半導体基板の裏面に、液体を噴射することにより半導体基板の温度を調整する昇温部と、半導体層の表面にエッチング液をかけ流してエッチング処理を行うエッチング処理槽と、を備える。

【発明の効果】

【0008】

本開示によれば、エッチング液の使用量を削減することができる半導体基板の製造方法及びエッチング装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】図１は、エッチング処理が施されるウエハの一例を示す図である。

【図2】図２は、図１に示すウエハのエッチング処理後の状態を示す図である。

【図3】図３は、エッチング処理が施されるウエハの他の例を示す図である。

【図4】図４は、図３に示すウエハのエッチング処理後の状態を示す図である。

【図5】図５は、第１実施形態に係るエッチング装置の概略図である。

【図6】図６は、エッチング処理が行われているウエハを上側から視認した図である。

【図7】図７は、支持部、アーム部及びウエハを図６に示すＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿って切断した際の模式図である。

【図8】図８は、エッチング処理の流れを示すフローチャートである。

【図9】図９は、ウエハへの温水加熱の有無とエッチングレートとの関係を示す図である。

【図10】図１０は、ウエハにおける面内位置とエッチングレートとの関係を示す図である。

【図11】図１１は、温水の噴射口を三つ有するエッチング装置の概略図である。

【図12】図１２は、図１１に示すエッチング装置を用いてエッチング処理を行ったときのエッチングレートの測定結果を示す図である。

【図13】図１３は、噴射口から噴射された温水の流れを模式的に表した図である。

【図14】図１４は、噴射口から噴射された温水の流れを模式的に表した図である。

【図15】図１５は、水温調整部を有するエッチング装置の概略図である。

【図16】図１６は、温水の温度を調整してエッチング処理を行ったときのエッチングレートの測定結果を示す図である。

【図17】図１７は、第２実施形態に係るエッチング装置の概略図である。

【図18】図１８は、変形例に係るエッチング装置の概略図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

［本開示の実施形態の説明］
最初に、本開示の実施形態の内容を列記して説明する。一実施形態に係る半導体基板の製造方法は、半導体層が形成された主面と、主面に対向する裏面とを有する半導体基板の温度を、液体を裏面に噴射することにより調整するとともに、エッチング液を用いて半導体層の表面をエッチングする工程を備える。

【0011】

この半導体基板の製造方法では、半導体基板が室温よりも高い温度まで昇温された状態においてエッチング処理を行うことが可能である。この場合、室温の半導体基板に対してエッチング処理を行う場合と比べて、エッチングレートが向上する。これにより、エッチングに要する時間（エッチング液を半導体層にかけ流す場合には、かけ流し時間）が短縮され、エッチング液の使用量を削減することができる。また、半導体層が形成されていない半導体基板の裏面が加熱される。これにより、半導体層へのエッチング処理を妨げることなく半導体基板の加熱処理を並行して行うことができ、エッチング処理の効率が向上する。

【0012】

一実施形態として、エッチングする工程では、液体を裏面の第１領域及び第１領域を挟んで位置する又は囲んで位置する複数の第２領域に噴射することにより半導体基板の温度を昇温し、第１領域に噴射される液体の温度は、第２領域に噴射される液体の温度よりも１０℃以上低く調整されてもよい。これにより、第１領域の温度が第２領域の温度よりも過度に高温になることが抑制されるので、エッチングレートの均一化を図ることができる。

【0013】

一実施形態として、液体の温度は、エッチング液の温度よりも高くてよい。この態様によれば、エッチング液の温度よりも低い温度の液体を用いて半導体基板を昇温したときと比べて、半導体基板の温度を高温にすることができる。これにより、エッチングレートがより一層向上し、エッチング液の使用量をさらに削減することができる。

【0014】

一実施形態として、半導体層は、ＩｎＰを含む層であり、エッチング液は、アンモニア水と過酸化水素水との混合液又は塩酸と過酸化水素水との混合液であってもよい。このとき、アンモニア水と過酸化水素水との混合液でエッチングする工程では、温度が４０℃以上かつ５０℃以下のエッチング液を、半導体層の表面にかけ流してもよい。エッチング液の温度を５０℃以下とすることにより、アンモニアの気化が抑制される。この態様によれば、エッチング液に含まれるアンモニア又は塩酸の気化を抑制しつつ、高いエッチングレートにおいてエッチングを行うことができる。また、塩酸と過酸化水素水との混合液でエッチングする工程では、温度が２０℃以上かつ３０℃以下のエッチング液を、半導体層の表面にかけ流してもよい。エッチング液の温度を３０℃以下とすることにより、塩素の気泡の発生が抑制される。

【0015】

一実施形態として、エッチングする工程では、半導体基板の平均温度とエッチング液の温度との差が４０℃以下であってもよい。この態様によれば、半導体基板の平均温度とエッチング液の温度との差が小さいので、エッチング液が半導体基板に接触した場合であっても、半導体基板の温度の低下が抑制される。これにより、エッチング処理を行っている間、高いエッチングレートを維持することができる。

【0016】

一実施形態として、半導体層は、ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓ及びＩｎＧａＡｓＰのうち少なくともいずれか一つを含む層であってもよい。この態様によれば、発光素子に適した半導体部品を製造することができる。

【0017】

一実施形態に係るエッチング装置は、半導体層が形成された主面と、主面に対向する裏面とを有する半導体基板の裏面に、液体を噴射することにより半導体基板の温度を調整する昇温部と、半導体層の表面にエッチング液をかけ流してエッチング処理を行うエッチング処理槽と、を備える。

【0018】

このエッチング装置では、昇温部によって室温よりも高い温度まで昇温された半導体基板に対してエッチング処理を行うことが可能である。この場合、室温の半導体基板に対してエッチングを行う場合と比べて、エッチングレートが向上する。これにより、エッチングに要する時間が短縮されるので、エッチング液の使用量を削減することができる。また、昇温部は、半導体層が形成されていない裏面を加熱する。これにより、半導体層へのエッチング処理を妨げることなく半導体基板の加熱処理を並行して行うことができるので、エッチング処理の効率が向上する。

【0019】

［本開示の実施形態の詳細］
本開示に係る半導体基板の製造方法及びエッチング装置の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。図面の説明においては同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。

【0020】

（第１実施形態）
図１及び図２を用いて、本実施形態に係るエッチング装置１００によってエッチング処理が施されるウエハの一例を説明する。図１は、エッチング処理前のウエハ１の部分断面図である。図２は、エッチング処理後のウエハ１の部分断面図である。ウエハ１はチップ状に切断された後、例えばレーザ又はＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）といった発光素子の製造に使用される。図１及び図２には、ウエハ１から切り出される複数のチップのうち一つのチップに相当する部分の断面が示されている。

【0021】

ウエハ１は、半導体基板１０、ｎ型クラッド層１１、活性層１２、ｐ型クラッド層１３、ＩｎＰ層１４及び絶縁膜１７を備える。半導体基板１０は、例えばｎ型ＩｎＰ基板である。半導体基板１０は、主面１０ａと、主面１０ａに対向する裏面１０ｂとを有する。主面１０ａ上には、ｎ型クラッド層１１、活性層１２、ｐ型クラッド層１３及びＩｎＰ層１４を含む半導体層が形成されている。

【0022】

ｎ型クラッド層１１は、半導体基板１０の主面１０ａ上にエピタキシャル成長した層である。ｎ型クラッド層１１は、例えば、ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓ又はＩｎＧａＡｓＰを含む。活性層１２は、ｎ型クラッド層１１上にエピタキシャル成長した層であり、ｎ型クラッド層１１とｐ型クラッド層１３との間に設けられている。活性層１２は、ｎ型クラッド層１１及びｐ型クラッド層１３のバンドギャップよりも小さいバンドギャップを有し、量子井戸構造を構成する。ｐ型クラッド層１３は、活性層１２上にエピタキシャル成長した層であり、活性層１２と絶縁膜１７との間に設けられている。ｐ型クラッド層１３は、例えば、ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓ又はＩｎＧａＡｓＰを含む。

【0023】

ＩｎＰ層１４は、活性層１２及びｐ型クラッド層１３を挟んで設けられた層である。ＩｎＰ層１４には、抵抗値を高めるために不純物、例えばＦｅがドープされていても良い。また、ＩｎＰ層１４の代わりに、ＩｎＧａＡｓ又はＩｎＧａＡｓＰを含む層が設けられていてもよい。絶縁膜１７は、ｐ型クラッド層１３およびＩｎＰ層１４の上にまたがって設けられた膜である。絶縁膜１７は、例えばＳｉＮから形成された膜であってもよい。ウエハ１を発光素子の部品として使用する場合、絶縁膜１７を除去した後に、ｐ型クラッド層１３およびＩｎＰ層１４の上部にコンタクト層を成長処理によって形成する。その後、コンタクト層の表面及び半導体基板１０の裏面１０ｂに、一組の電極がウエハ１を挟んで設けられる。当該電極間に電圧を印加しｐ型クラッド層１３からｎ型クラッド層１１へと電流を流すことにより活性層１２から光が放出される。ＩｎＰ層１４が高い抵抗値を有するので電極間に流れる電流が絞り込まれ、活性層１２に効率良く流し込まれる。

【0024】

ＩｎＰ層１４の上部にコンタクト層を成長させるための前処理として、ＩｎＰ層１４の表面１４ａにエッチング処理を施す。エッチング処理によって表面１４ａ上に生じている化学的に変質した又は格子構造が乱れた半導体結晶（ダメージ層）が除去され、ウエハ１の品質を高めることできる。図２は、エッチング処理後のウエハ１を示している。エッチング処理後のウエハ１では、ＩｎＰ層１４の表面１４ａのうち、絶縁膜１７が積層されていない部分が除去されている。エッチング処理は、図５に示すエッチング装置１００を用いて行われる。

【0025】

次に、図３及び図４を用いてエッチング処理が施されるウエハの他の例について説明する。図３は、ウエハ２のエッチング処理前の断面図である。図４は、ウエハ２のエッチング処理後の断面図である。ウエハ２は、半導体基板１０、ｎ型クラッド層１１、活性層１２、ｐ型クラッド層１３、ＩｎＰ層１５、ＩｎＧａＡｓＰ層１６及び絶縁膜１７を備える。半導体基板１０、ｎ型クラッド層１１、活性層１２、ｐ型クラッド層１３及び絶縁膜１７は、図１及び図２を用いて上述したウエハ１の構成と同様であるので説明を省略する。

【0026】

ＩｎＰ層１５は、ｎ型クラッド層１１上にエピタキシャル成長したｐ型半導体層である。ＩｎＰ層１５は、活性層１２及びｐ型クラッド層１３を挟んで設けられている。ＩｎＧａＡｓＰ層１６は、ＩｎＰ層１５上にエピタキシャル成長したｎ型半導体層である。ＩｎＧａＡｓＰ層１６は、ｐ型クラッド層１３を挟んで設けられている。絶縁膜１７は、ｐ型クラッド層１３およびＩｎＧａＡｓＰ層１６の上にまたがって設けられた絶縁膜である。ウエハ２を発光素子の部品として使用する場合、絶縁膜１７を除去した後にＩｎＧａＡｓＰ層１６の上部にコンタクト層を成長処理によって形成する。その後、コンタクト層の表面及び半導体基板１０の裏面１０ｂに、一組の電極がウエハ２を挟んで設けられる。当該電極間に電圧を印加しｐ型クラッド層１３からｎ型クラッド層１１へと電流を流すことにより活性層１２から光が放出される。このとき、ｎ型半導体層であるＩｎＧａＡｓＰ層１６及びｐ型半導体であるＩｎＰ層１５の間には電流が流れない。これにより、ＩｎＧａＡｓＰ層１６及びＩｎＰ層１５によって電極間の電流が絞り込まれ、活性層１２に効率良く流し込まれる。

【0027】

ｐ型クラッド層１３およびＩｎＧａＡｓＰ層１６の上部にコンタクト層を成長させるための前処理として、ＩｎＧａＡｓＰ層１６の表面１６ａにエッチング処理を施す。エッチング処理によって表面１６ａ上に生じているダメージ層が除去され、ウエハ２の品質を高めることできる。図４は、エッチング処理後のウエハ２を示している。エッチング処理後のウエハ２では、ＩｎＧａＡｓＰ層１６の表面１６ａのうち、絶縁膜１７が積層されていない部分が除去されている。エッチング処理は、ウエハ１と同様に、図５に示すエッチング装置１００を用いて行われる。

【0028】

図５は、第１実施形態に係るエッチング装置１００の概略図である。以下、エッチング装置１００を用いてウエハ１にエッチング処理を行う場合を例に説明するが、同様の方法によりウエハ２及び他の半導体ウエハにエッチング処理を施すことが可能である。エッチング装置１００は、エッチング処理槽２０、エッチング液タンク４０及び温水タンク５０を備える。

【0029】

エッチング処理槽２０は、エッチング液を用いたウェットエッチングが行われる槽である。エッチング処理槽２０には、エッチング液吐出器２１、温水噴射器２２、排出管２３、支持部３０及びアーム部３５が設けられている。

【0030】

エッチング液吐出器２１は、エッチング液４１を吐出する装置である。エッチング液吐出器２１は、配管４２によってエッチング液タンク４０と接続されている。エッチング液吐出器２１は、エッチング液タンク４０から配管４２を介して供給されたエッチング液を吐出する。吐出されたエッチング液４１は、エッチング液吐出器２１の下方に配置されたウエハ１にかけ流される。かけ流されたエッチング液によって、ウエハ１が有するＩｎＰ層１４の表面１４ａがエッチングされる。エッチング液吐出器２１は、エッチング液４１を吐出する吐出口を一つ又は複数有している。エッチング液吐出器２１が複数の吐出口を有している場合、例えば表面１４ａの中心領域及び当該中心領域を中心とする一つまたは複数の円周上に等間隔に位置する領域に対してエッチング液が吐出されてもよい。

【0031】

エッチング液に含まれる薬剤の種類は、エッチング処理を施す半導体層の種類に応じて選択される。例えば、ＩｎＰを含む半導体層に対してエッチング処理を施す場合、エッチング液は、アンモニア水と過酸化水素水との混合液又は塩酸と過酸化水素水との混合液であってもよい。

【0032】

温水噴射器２２は、温水５１を噴射する装置である。温水噴射器２２は、配管５２によって温水タンク５０と接続されている。温水噴射器２２は、温水タンク５０から配管５２を介して供給された温水をウエハ１に噴射する。ウエハ１に噴射される液体は温水に限定されず、半導体基板１０の裏面１０ｂを侵食しにくい液体から任意に選択可能である。例えば半導体基板１０の裏面１０ｂがＩｎＰからなる場合には、硫酸、硝酸又は弗酸のいずれかを用いることができる。噴射された温水（例えば約６０℃の温水）は、ウエハ１が有する半導体基板１０の裏面１０ｂに接触する。ウエハ１は、温水５１の熱によって加熱され、室温（約２６℃以上）よりも高い温度まで昇温される。温水噴射器２２は、温水５１を噴射する噴射口を一つ又は複数有している。温水噴射器２２が複数の噴射口を有している場合、例えば裏面１０ｂの中心領域及び当該中心領域を中心とする一つ又は複数の円周上に等間隔に位置する領域に対して温水が噴射されてもよい。また、当該中心領域を中心とする複数の円周上に等間隔に位置する領域に対して温水が噴射される場合には、温水の条件によっては中心領域の温度が特異的に上がってしまうことがある。そこで、温水の条件によっては中心領域以外の複数の円周上に位置する領域に対して温水が噴射されてもよい。

【0033】

排出管２３は、使用済みのエッチング液４１及び温水５１を外部へと排出するための管である。排出管２３は、エッチング処理槽２０の下部において、エッチング処理槽２０の内部と外部とを接続する。使用済みのエッチング液４１及び温水５１は、例えば自重又はポンプの自重又はポンプの吸引等による圧力差によって排出管２３を介して外部に排出される。

【0034】

支持部３０は、ウエハ１を支持する部品である。アーム部３５は、ウエハ１を支持部３０に対して押さえる部品である。ここで、図６及び図７を用いて、支持部３０及びアーム部３５の構成について説明する。

【0035】

図６は、エッチング処理が行われているウエハ１を上側から視認した図である。図７は、支持部３０、アーム部３５及びウエハ１を図６に示すＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿って切断した際の模式図である。支持部３０は、底部３１及び支柱部３２を備える。底部３１は、二つの棒状部材が直交した形状を呈しており、中心に貫通孔３３が設けられている。貫通孔３３には、温水噴射器２２（図５を参照）と温水タンク５０とを接続する配管５２が挿通される。支柱部３２は、底部３１の端部を起点として立ち上がる棒状部材である。支柱部３２は、底部３１の四つの端部それぞれに設けられている。支柱部３２の先端には段差が形成されている。この段差は、水平かつ平坦な載置面３４を有する。載置面３４に、ウエハ１の縁部が載置される。また、支持部３０は、例えばモータを含む回転機構（不図示）を備え、貫通孔３３を貫通する軸を中心とした円周方向（図６に示す矢印Ｘ方向）に回転可能に構成されている。

【0036】

アーム部３５は、ヒンジ３６を介して支柱部３２に取り付けられている。アーム部３５は、ヒンジ３６を起点として揺れ動くことが可能となっている。アーム部３５は、先端部に押圧部３７を有する。押圧部３７は、アーム部３５の先端領域である。押圧部３７がウエハ１と接触し、ウエハ１を支持部３０に向かって押圧する。

【0037】

図５に戻り、エッチング装置１００の全体構成について説明を続ける。エッチング液タンク４０は、エッチング液４１が貯められたタンクである。エッチング液タンク４０は、配管４２を介してエッチング処理槽２０のエッチング液吐出器２１と接続されている。配管４２には、ポンプ４３が設けられている。ポンプ４３が駆動することにより、エッチング液タンク４０内のエッチング液４１がエッチング液吐出器２１へと圧送される。エッチング液タンク４０は、エッチング液４１の温度を昇温するヒータ（不図示）を有している。エッチング液４１は、含まれる薬剤の種類に応じた適切な温度まで昇温される。例えば、エッチング液４１がアンモニア水と過酸化水素水との混合液である場合、４０℃以上かつ５０℃以下の温度になるまで昇温される。エッチング液タンク４０は、エッチング液４１の温度を検出するセンサを有し、センサが検出した温度に基づいてヒータの温度及び加熱時間が調整されてもよい。

【0038】

温水タンク５０は、温水５１が貯められたタンクである。温水タンク５０は、配管５２を介してエッチング処理槽２０の温水噴射器２２と接続されている。配管５２には、ポンプ５３が設けられている。ポンプ５３が駆動することにより、温水タンク５０内の温水５１が温水噴射器２２へと圧送される。温水タンク５０は、温水５１の温度を昇温するヒータ（不図示）を有している。温水タンク５０は、温水５１の温度を検出するセンサを有し、センサが検出した温度に基づいてヒータの温度及び加熱時間が調整されてもよい。

【0039】

図８は、エッチング処理の流れを示すフローチャートである。図８を参照して、エッチング装置１００を用いたエッチング処理について説明する。まず、ウエハ１を支持部３０にセットする（ステップＳ１）。具体的には、図７に示したように、支柱部３２が有する載置面３４にウエハ１の縁部を載せることによりウエハ１をセットする。このとき、エッチングされるＩｎＰ層１４（図１を参照）を上側（エッチング液吐出器２１側）に位置させる。

【0040】

次に、半導体基板１０の温度を昇温しつつエッチングを行う（ステップＳ２）。半導体基板１０の昇温は、半導体基板１０の裏面１０ｂを加熱することにより行う。具体的には、図５に示すように、温水噴射器２２からウエハ１に温水５１を噴射する。噴射された温水５１は半導体基板１０の裏面１０ｂに接触する。温水５１の熱によって半導体基板１０の温度が昇温される。半導体基板１０は、室温より高い温度まで昇温される。このとき、半導体基板１０は、その平均温度が４０℃以上かつ９０℃以下になるまで昇温されてもよい。ここで、「平均温度」とは、半導体基板１０の裏面１０ｂ内において均等に分散した複数の点（例えば５点以上）を測定点として選択し、これらの測定点において半導体基板１０の温度を測定したときの平均値である。また、エッチング処理を行っている間は、温水加熱によって半導体基板１０の温度が室温より高い温度に保たれていてもよい。

【0041】

エッチング処理は、支持部３０にセットされたウエハ１に対してエッチング液吐出器２１からエッチング液４１をかけ流すことにより行われる。かけ流されたエッチング液４１によって、ＩｎＰ層１４の表面１４ａがエッチングされる。エッチング処理が行われている間、支持部３０はウエハ１を支持しつつ回転する。回転によってエッチング液４１がウエハ１の全域に広がる。また、支持部３０の回転によってアーム部３５の押圧部３７がウエハ１を押圧する。

【0042】

半導体基板１０の加熱処理は、ＩｎＰ層１４のエッチング処理と同時に行われてもよいし、同時に行われなくともよい。例えば、半導体基板１０の温度が室温より高い温度まで昇温された時点において温水噴射器２２による温水５１の噴射を停止し、その後、エッチング液吐出器２１からエッチング液４１をかけ流してもよい。また、エッチング液４１のかけ流しを継続して行いつつ温水５１の噴射を断続的に行ってもよい。反対に、温水５１の噴射を継続して行いつつエッチング液４１のかけ流しを断続的に行ってもよい。

【0043】

最後に、ウエハ１に付着したエッチング液４１を除去する（ステップＳ３）。エッチング液４１の除去は、ウエハ１を水洗することによって行われる。例えば、エッチング処理槽２０の内部にノズルを取り付け、当該ノズルから純水を噴射することによってウエハ１を水洗してもよい。

【0044】

図９を参照して、温水加熱によるエッチングレートの変化について説明する。図９は、ウエハ１への温水加熱の有無とエッチングレートとの関係を示す図である。図９において、横軸はエッチング液の温度（単位：℃）を示し、縦軸はエッチングレート（単位：ｎｍ／ｍｉｎ）を示す。ここで、「エッチングレート」とは、単位時間あたりに除去される半導体層の厚みである。

【0045】

温水加熱有りの測定では、まず、ＩｎＰ層１４が形成された４インチのウエハ１の裏面１０ｂに約６０℃の温水５１を約２分間噴射した。次に、エッチング液４１（アンモニア過水）を約２分間かけ流しエッチング処理を行った。その後、ウエハ１に対して約５分間の水洗処理を行った。最後に、ウエハ１に対して約１５００ｒｐｍで１分間回転させる乾燥処理を行い、エッチングレートを測定した。以下の説明では、上述したエッチングレートの測定条件を「条件１」と記す。温水加熱無しの測定は、温水５１の噴射の有無を除き条件１と同様の条件によって行われた。

【0046】

図９のプロットＰ１は、ウエハ１への温水加熱を行わずにエッチング処理をした場合のエッチングレートを表し、プロットＰ２は、温水加熱を行ってエッチング処理をした場合のエッチングレートを表している。図９に示すように、エッチング液４１の温度が高くなるほど、エッチングレートも高くなる傾向がある。しかしながら、温水５１による加熱を行わない場合、エッチング液４１の温度を約５５℃付近まで高めても、エッチングレートは２０ｎｍ／ｍｉｎを超えない値にとどまる。一方、温水５１による加熱を行った場合、エッチング液４１の温度が３０℃を若干下回る場合であっても、エッチングレートは２０ｎｍ／ｍｉｎ以上となる結果が得られた。さらに、温水５１による加熱を行った場合では、エッチング液４１の温度を約５５℃まで高めると、エッチングレートは３０ｎｍ／ｍｉｎ～４５ｎｍ／ｍｉｎの間の値まで高まった。つまり、ウエハ１を温水加熱した状態においてエッチング処理を行った場合、加熱をしなかった場合と比較してエッチングレートが向上した。

【0047】

ところで、図９に示した測定結果では、エッチング液４１の温度が同一であってもエッチングレートの値にバラつきが生じている。例えば、エッチング液の温度が約５５℃のときのエッチングレートの値は、３０ｎｍ／ｍｉｎ～４５ｎｍ／ｍｉｎの間に点在している。これは、ウエハ１の面内においてエッチングレートが高い領域と低い領域とが存在することを示している。ウエハ１のいかなる領域においてエッチングレートが高くなるかについて図１０を参照して説明する。

【0048】

図１０は、ウエハ１における面内位置とエッチングレートとの関係を示す図である。図１０において、横軸は面内位置（単位：ｍｍ）を示し、縦軸はエッチングレート（単位：ｎｍ／ｍｉｎ）を示す。ここで、「面内位置」とは、ウエハ１における位置を、ウエハ１の中心との離間距離によって表したものである。例えば、面内位置が２０ｍｍとは、ウエハ１の中心から特定方向に２０ｍｍ離れた位置を示しており、面内位置が－２０ｍｍとは、ウエハ１の中心から特定方向とは逆方向に２０ｍｍ離れた位置を示している。約５０℃のエッチング液４１を用いてウエハ１にエッチングを行い、面内位置ごとのエッチングレートを測定した。他の条件は、図９に関する説明において述べた条件１と同様である。

【0049】

図１０のプロットによって示されているように、面内位置が２０ｍｍ及び－２０ｍｍである２点においてエッチングレートが高くなっている。この２点は、温水噴射器２２から噴射された温水が直接接触する点である。本測定結果によって、温水が直接接触する領域では他の領域と比べてエッチングレートが高くなっていることが判明した。そこで、ウエハ１において温水が当たる箇所を増やし、エッチングレートの均一化を試みた。具体的には、ウエハ１の中心領域及び当該中心領域を中心とする円周上において等間隔に位置する領域に対して温水５１を噴射することとした。

【0050】

図１１は、エッチング装置１０１の概略図である。エッチング装置１０１の温水噴射器２２は複数の噴射口を有し、各噴射口から噴射された温水５１は、ウエハ１の中心領域及び当該中心領域を中心とする円周上において等間隔に位置する領域に接触する。図１１では、温水噴射器２２が有する複数の噴射口のうち、三つの噴射口２２ａ～２２ｃを図示している。エッチング装置１０１が有する配管５２は、複数の配管に分岐している。そのうち三本の配管５２ａ～５２ｃは、それぞれ噴射口２２ａ～２２ｃと接続されている。温水タンク５０から供給された温水は、配管５２ａ～５２ｃを含む複数の配管のうちいずれかを通り対応する噴射口から噴射される。

【0051】

噴射口２２ａから噴射された温水５１は、ウエハ１の中心領域に接触する。具体的には、ウエハ１の面内位置０ｍｍの点及びその近傍領域に接触する。噴射口２２ｂ及び噴射口２２ｃから噴射された温水５１は、ウエハ１の中心領域を中心とした円周上に位置する領域にそれぞれ接触する。具体的には、噴射口２２ｂから噴射された温水５１は、ウエハ１の面内位置－２０ｍｍの点及びその近傍領域に接触する。また、噴射口２２ｂから噴射された温水５１は、ウエハ１の面内位置２０ｍｍの点及びその近傍領域に接触する。つまり、噴射口２２ｂ及び２２ｃから噴射された温水は、中心領域を挟んで位置する領域にそれぞれ接触する。

【0052】

さらに、エッチング装置１０１は流量調整部５４を有する。エッチング装置１０１の他の構成については、図５に示したエッチング装置１００と同様であるので説明を省略する。なお、図１１においては説明の都合上、ウエハ１が支持される支持部３０及びアーム部３５の図示を省略している。

【0053】

図１２は、エッチング装置１０１を用いてウエハ１にエッチング処理を行ったときのエッチングレートの測定結果を示す図である。図１２において、横軸は面内位置（単位：ｍｍ）を示し、縦軸はエッチングレート（単位：ｎｍ／ｍｉｎ）を示す。本測定では、エッチング液４１の温度は約５０℃とし、温水５１の温度は約７０℃とした。他の条件は、図９に関する説明において述べた条件１と同様である。測定結果は、図１２のプロットＰ３によって表されている。図１２に示すように、面内位置０ｍｍでのエッチングレートが他の面内位置でのエッチングレートと比べて高くなっている。そこで、エッチングレートのさらなる均一化が望まれる。

【0054】

そこで、中心領域に噴射される温水の流量を減少させてエッチングレートを均一化することを試みた。図１１に示すように、エッチング装置１０１は、温水噴射器２２から噴射される温水５１の流量を調整可能とする流量調整部５４を有する。流量調整部５４は、三本の配管５２ａ～５２ｃを含む複数の配管に設けられている。噴射口２２ａ～２２ｃから噴射される温水５１の流量を、それぞれ流量Ｆａ～Ｆｃとする。流量調整部５４によって、中心領域に噴射される温水５１の流量Ｆｂを、流量Ｆａ及び流量Ｆｃよりも少なく調整した。言い換えると、プロットＰ３の測定では流量Ｆａ＝流量Ｆｂ＝流量Ｆｃであった各流量の関係を、流量Ｆｂ＜流量Ｆａ＝流量Ｆｃへと変更した。この条件下において、ウエハ１に温水加熱及びエッチング処理を行い、エッチングレートを測定した。なお、他の条件はプロットＰ３の測定と同様である。

【0055】

測定結果は、図１２のプロットＰ４によって表されている。図１２に示すように、面内位置０ｍｍにおけるエッチングレートが若干低下し、エッチングレートの最大値と最小値とのギャップがプロットＰ３の示す結果と比べて小さくなっている。このように、中央領域に噴射される温水５１の流量を少なくすることにより、エッチングレートのバラつきを低減することができた。

【0056】

ここで、噴射口２２ａ～２２ｃから噴射される温水５１の流れを模式的に表した図１３及び図１４を示す。図１３は、各噴射口２２ａ～２２ｃから同じ流量の温水５１が噴射される場合の図である。図１４は、噴射口２２ｂから噴射される温水５１の流量が少ない場合の図である。これらは、ウエハ１が設置されていない状態における温水５１の流れが示された図であり、ウエハ１は本来設置される位置に破線を用いて示されている。図１３に示すように各噴射口２２ａ～２２ｃから噴射される温水５１の流量Ｆａ～Ｆｃが等しい場合では、噴射されたそれぞれの温水５１がほぼ同じ高さまで到達する。一方、図１４に示すように噴射口２２ｂから噴射される温水５１の流量Ｆｂが少ない場合、噴射口２２ｂから噴射される温水５１の到達点は、他の噴射口２２ａ及び２２ｃから噴射される温水５１の到達点と比べて低くなる。したがって、噴射される温水５１の流量を減らし過ぎるとウエハ１に温水５１が接触しなくなってしまうおそれがある。一方、流量を増やし過ぎるとウエハ１に大きな衝撃が加わり、ウエハ１の破損及び位置ずれが生じるおそれがある。したがって、温水５１の流量を変更することによってエッチングレートを調整することは難しく、より容易な方法が望まれる。

【0057】

そこで、噴射される温水５１の温度を変化させてエッチングレートを均一化することを試みた。図１５は、エッチング装置１０２の概略図である。エッチング装置１０２は、配管５２ａ～５２ｃのそれぞれに、水温調整部５５を有する。水温調整部５５は、各噴射口２２ａ～２２ｃから噴射される温水５１の温度を調整する装置である。水温調整部５５は、配管５２ａ～５２ｃを流れる温水５１を加熱するヒータを有する。また、水温調整部５５は、温水５１の温度を検出するセンサを有し、当該センサが検出した温度に基づいてヒータの温度及び加熱時間が調整されてもよい。エッチング装置１０２の水温調整部５５以外の構成については、図１１に示したエッチング装置１０１と同様であるので説明を省略する。

【0058】

図１６は、エッチング装置１０２を用いてウエハ１にエッチング処理を行ったときのエッチングレートの測定結果を示す図である。図１６のプロットＰ５は、各噴射口２２ａ～２２ｃから噴射される温水５１を同じ温度（約７０℃）に調整したときの測定結果を示している。プロットＰ６は、水温調整部５５を用いて、噴射口２２ａ及び２２ｃから噴射される温水５１の温度を約８０℃、噴射口２２ｂから噴射される温水５１の温度を約７０℃に調整したときの測定結果を示している。エッチング液４１の温度は約５０℃とし、他の条件は、図９に関する説明において述べた条件１と同様である。図１６において、横軸は面内位置（単位：ｍｍ）を示し、縦軸はエッチングレート（単位：ｎｍ／ｍｉｎ）を示す。

【0059】

図１６のプロットＰ６によって示す測定結果では、エッチングレートが４５ｎｍ／ｍｉｎ～６０ｎｍ／ｍｉｎの範囲内に収まっており、プロットＰ５によって示す測定結果と比較して、エッチングレートのバラつきが抑制された。この測定結果から、ウエハ１におけるある領域（第１領域）及び第１領域を挟んで位置する又は囲んで位置する複数の領域（第２領域）に温水５１が噴射される場合、第１領域に噴射される温水５１の温度を第２領域に噴射される温水５１の温度よりも低く調整することにより、エッチングレートの均一化が図られることがわかる。

【0060】

本実施形態に係る半導体基板の製造方法では、半導体基板１０が室温よりも高い温度まで昇温された状態においてエッチング処理を行うことが可能である。この場合、半導体基板１０が室温の状態においてエッチングが行われる場合と比べてエッチングレートが向上する。これにより、エッチングに要する時間（本実施形態では、エッチング液４１を半導体層にかけ流す時間）が短縮され、エッチング液４１の使用量を削減することができる。また、半導体層が形成されていない半導体基板１０の裏面１０ｂが加熱される。これにより、半導体層へのエッチング処理を妨げることなく半導体基板の加熱処理を並行して行うことができ、エッチング処理の効率が向上する。

【0061】

また、本実施形態のように、温水５１（液体）を半導体基板１０の裏面１０ｂにおける第１領域及び第１領域を挟んで位置する又は囲んで位置する複数の第２領域に噴射することにより半導体基板１０の温度を昇温してもよい。このとき、第１領域に噴射される温水５１の温度は、第２領域に噴射される温水５１の温度よりも１０℃以上低く調整されてもよい。この場合、第１領域の温度が第２領域の温度よりも過度に高温になることが抑制されるので、エッチングレートの均一化を図ることができる。

【0062】

また、本実施形態のように、半導体基板１０に噴射される温水５１（液体）の温度が、エッチング液４１の温度よりも高くてよい。この場合、エッチング液４１の温度よりも低い温度の温水５１を用いて半導体基板１０を昇温したときと比べて、半導体基板１０の温度を高温にすることができる。これにより、エッチングレートがより一層向上し、エッチング液４１の使用量をさらに削減することができる。

【0063】

また、本実施形態のように、半導体基板１０の平均温度が４０℃以上かつ９０℃以下に保たれつつ、エッチング処理が行われてもよい。半導体基板１０の平均温度が４０℃以上に昇温されることによりエッチングレートが大きく向上する。また、半導体基板の平均温度が４０℃以上に保たれることにより、高いエッチングレートが維持されたままエッチングが行われることとなる。これにより、エッチング液４１の使用量がより一層削減される。また、半導体基板１０の平均温度が９０℃以下の状態においてエッチングが行われる。これにより、半導体基板１０に接触したエッチング液４１に気泡が発生しないのでエッチング処理が適切に行われる。

【0064】

また、本実施形態のように、半導体基板１０上に形成された半導体層は、ＩｎＰを含む層であり、エッチング液４１は、アンモニア水と過酸化水素水との混合液又は塩酸と過酸化水素水との混合液であってもよい。エッチング液４１がアンモニア水と過酸化水素水との混合液である場合、温度が４０℃以上かつ５０℃以下のエッチング液４１を、半導体層の表面にかけ流すことによりエッチングが行われてもよい。エッチング液４１の温度を５０℃以下とすることにより、アンモニアの気化が抑制される。すなわち、エッチング液４１に含まれるアンモニア又は塩酸の気化を抑制しつつ、高いエッチングレートにおいてエッチングを行うことができる。また、エッチング液４１が塩酸と過酸化水素水との混合液である場合、温度が２０℃以上かつ３０℃以下のエッチング液４１を、半導体層の表面にかけ流すことによりエッチングが行われてもよい。エッチング液４１の温度を３０℃以下とすることにより、塩素の気泡の発生が抑制される。

【0065】

また、本実施形態のように、半導体基板１０の平均温度とエッチング液４１の温度との差が４０℃以下の状態においてエッチング処理が行われてもよい。この場合、半導体基板１０の平均温度とエッチング液４１の温度との差が大きくない。したがって、エッチング液４１が半導体基板１０に接触した場合であっても、半導体基板１０の温度が大きく低下しない。これにより、エッチング処理を行っている間、高いエッチングレートを維持することができる。

【0066】

また、本実施形態のように、半導体層は、ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓ及びＩｎＧａＡｓＰのうち少なくともいずれか一つを含む層であってもよい。この場合、発光素子に適した半導体部品を製造することができる。

【0067】

また、本実施形態のように、エッチング装置１００は、半導体基板１０を支持しつつ回転可能な支持部３０と、支持部３０が回転している状態において半導体基板１０を支持部３０に向かって押圧する押圧部３７を有するアーム部３５と、を備えていてもよい。この場合、支持部３０が回転するとともに、支持部３０に支持された半導体基板１０が併せて回転する。これにより、かけ流されたエッチング液４１が半導体層の表面に広がり、エッチングの仕上がりのムラが抑制される。また、支持部３０が回転している状態では、押圧部３７が半導体基板１０を支持部３０に向かって押圧するので、半導体基板１０の浮き上がり及び位置ずれが防止される。

【0068】

（第２実施形態）
図１７を参照して、第２実施形態に係るエッチング装置１０３について説明する。図１７は、エッチング装置１０３の概略図である。以下の説明では、前述した第１実施形態との相違点を主に説明し、共通する構成については説明を省略する場合がある。

【0069】

第２実施形態に係るエッチング装置１０３は、エッチング処理槽２０、エッチング液タンク４０及び純水タンク７０を備える。エッチング処理槽２０には、エッチング液吐出器２１、排出管２３、赤外線照射部２４、純水噴射器２６が設けられている。図１７では、図示を省略しているが、図５を用いて説明したエッチング装置１００と同様に、エッチング処理槽２０にはウエハ１が支持される支持部３０及びアーム部３５が設けられていてもよい。

【0070】

赤外線照射部２４は、赤外線２５を照射する装置である。赤外線２５は、ウエハ１が有する半導体基板１０の裏面１０ｂに照射される。第１実施形態に係るエッチング装置１００では、温水５１の熱によって半導体基板１０が加熱されたが、第２実施形態に係るエッチング装置１０３では、赤外線２５のエネルギーによって半導体基板１０が加熱される。赤外線２５によって半導体基板１０の温度が昇温されるとともに、エッチング液吐出器２１からエッチング液４１がウエハ１にかけ流されてエッチング処理が行われる。

【0071】

エッチング装置１０３は、一つ又は複数の赤外線照射部２４を有している。エッチング装置１０３が複数の赤外線照射部２４を有している場合、例えばウエハ１の裏面１０ｂの中心領域及び当該中心領域を中心とする円周上に等間隔に位置する領域に対して赤外線が照射されてもよい。このとき、中心領域に照射される赤外線２５の強度は、他の領域に照射される赤外線２５の強度よりも小さく調整されていてもよい。そうすることにより、半導体基板１０における各領域の温度差を小さくでき、エッチングレートの均一化が図られる。

【0072】

純水噴射器２６は、純水を噴射する装置である。純水噴射器２６は、配管７２によって純水タンク７０と接続されている。純水噴射器２６は、純水タンク７０から配管７２を介して供給された純水をウエハ１に噴射する。純水の噴射は、ウエハ１のリンス処理として行われる。純水の噴射によって例えばウエハ１の表面に付着した微細な粉塵を除去することができる。

【0073】

純水タンク７０は、純水７１が貯められたタンクである。純水タンク７０は、配管７２を介してエッチング処理槽２０の純水噴射器２６と接続されている。配管７２には、ポンプ７３が設けられている。ポンプ７３が駆動することにより、純水タンク７０内の純水７１が純水噴射器２６へと圧送される。

【0074】

本実施形態に係るエッチング装置１０３では、半導体基板１０が赤外線２５によって昇温されエッチングレートが向上する。これにより、エッチングに要する時間（本実施形態では、エッチング液４１を半導体層にかけ流す時間）が短くなりエッチング液４１の使用量を削減することができる。また、赤外線２５の照射は、照射対象の半導体基板１０に対して強い衝撃を与えるものではない。したがって、昇温時における半導体基板１０の破損及び位置ずれを防止することができる。さらに、ウエハ１から離れた位置に赤外線照射部２４を配置した場合であっても、赤外線照射部２４から照射される赤外線によってウエハ１が適切に昇温される。すなわち、赤外線以外の加熱手段（例えば温水噴射）を用いた場合と比べて、加熱装置（赤外線照射部２４）の配置自由度をより高めることができる。

【0075】

（変形例）
図１８を参照して、エッチング装置１０３の変形例について説明する。図１８は、変形例に係るエッチング装置１０４の概略図である。以下の説明では、図１７を用いて前述したエッチング装置１０３との相違点を主に説明し、共通する点については説明を省略する場合がある。

【0076】

エッチング装置１０４では、赤外線照射部２４がエッチング処理槽２０の外部に配置されている。また、エッチング処理槽２０は、窓部２７及び純水噴射器８０、ブロー８２を備える。窓部２７は、エッチング処理槽２０の外壁に設けられており、赤外線照射部２４から照射された赤外線２５を透過する。窓部２７は、例えば赤外線２５を透過する樹脂又はガラスからなる。赤外線２５は、窓部２７を透過した後に、エッチング処理槽２０の内部に配置されたウエハ１に到達し、半導体基板１０の温度を昇温する。

【0077】

純水噴射器８０は、純水８１を噴射する装置である。純水噴射器８０は、純水８１が貯められたタンク（不図示）と配管によって接続されていてもよい。純水噴射器８０は、純水８１を窓部２７に対して噴射し、窓部２７に付着したエッチング液４１及び汚れを除去する。ブロー８２は、窒素８３を吹き出す装置である。ブロー８２は、窒素８３を窓部２７に向かって吹き付け、窓部２７の乾燥処理を行う。

【0078】

本変形例に係るエッチング装置１０４では、赤外線照射部２４はエッチング処理槽２０の外部に配置される。これにより、赤外線照射部２４に対してエッチング液４１が付着せず、エッチング装置１０４の清掃作業及びメンテナンスが容易となる。

【0079】

以上、本開示の実施形態について詳細に説明してきたが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、様々な実施形態に適用することができる。例えば、半導体基板１０の裏面１０ｂは、温水５１及び赤外線２５に限られず、ヒータといった他の加熱手段によって加熱されてもよい。

【符号の説明】

【0080】

１、２…ウエハ
１０…半導体基板
１０ａ…主面
１０ｂ…裏面
１１…ｎ型クラッド層
１２…活性層
１３…ｐ型クラッド層
１４…ＩｎＰ層
１４ａ…表面
１５…ＩｎＰ層
１６…ＩｎＧａＡｓＰ層
１６ａ…表面
１７…絶縁膜
２０…エッチング処理槽
２１…エッチング液吐出器
２２…温水噴射器
２２ａ、２２ｂ、２２ｃ…噴射口
２３…排出管
２４…赤外線照射部
２５…赤外線
２６…純水噴射器
２７…窓部
３０…支持部
３１…底部
３２…支柱部
３３…貫通孔
３４…載置面
３５…アーム部
３６…ヒンジ
３７…押圧部
４０…エッチング液タンク
４１…エッチング液
４２…配管
４３…ポンプ
５０…温水タンク
５１…温水
５２、５２ａ、５２ｂ、５２ｃ…配管
５３…ポンプ
５４…流量調整部
５５…水温調整部
７０…純水タンク
７１…純水
７２…配管
７３…ポンプ
８０…純水噴射器
８１…純水
８２…ブロー
８３…窒素
１００、１０１、１０２、１０３、１０４…エッチング装置

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】