(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023100594
(43)【公開日】2023-07-19
(54)【発明の名称】ヒューズ端子設計
(51)【国際特許分類】
H01H 85/43 20060101AFI20230711BHJP
H01H 85/165 20060101ALI20230711BHJP
【ＦＩ】
H01H85/43
H01H85/165
【審査請求】未請求
【請求項の数】14
【出願形態】ＯＬ
【外国語出願】
(21)【出願番号】P 2023000314
(22)【出願日】2023-01-04
(31)【優先権主張番号】17/570,161
(32)【優先日】2022-01-06
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(71)【出願人】
【識別番号】519226506
【氏名又は名称】リテルフューズ、インコーポレイテッド
(74)【代理人】
【識別番号】110000877
【氏名又は名称】弁理士法人ＲＹＵＫＡ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】マシュー デヴィッド ユーカニン
【テーマコード（参考）】
5G502
【Ｆターム（参考）】
5G502AA01
5G502AA20
5G502BB01
5G502BB07
5G502BB14
5G502BC07
5G502BD09
5G502BD11
(57)【要約】 （修正有）
【課題】ヒューズ設計に関し、より具体的には、材料のガス放出を促進するヒューズ設計に関する
【解決手段】ヒューズアセンブリ１００はヒューズ素子１０６及び端子排出チャネルを備える。ヒューズ素子は第１端子１０４ａ及び第２端子１０４ｂの間に配置されている。ヒューズ素子は過電流の事象に応答して破断する。端子排出チャネル１１６は第１端子に配置され、過電流の事象中にデブリのガス放出のための経路を提供する。
【選択図】図１B
【解決手段】ヒューズアセンブリ１００はヒューズ素子１０６及び端子排出チャネルを備える。ヒューズ素子は第１端子１０４ａ及び第２端子１０４ｂの間に配置されている。ヒューズ素子は過電流の事象に応答して破断する。端子排出チャネル１１６は第１端子に配置され、過電流の事象中にデブリのガス放出のための経路を提供する。
【選択図】図１B
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１端子及び第２端子の間に配置されたヒューズ素子、前記ヒューズ素子は過電流の事象に応答して破断する；及び
前記第１端子に配置された端子排出チャネル、前記端子排出チャネルは前記過電流の事象中にデブリのガス放出のための経路を提供する
を備えるヒューズアセンブリ。
前記第１端子に配置された端子排出チャネル、前記端子排出チャネルは前記過電流の事象中にデブリのガス放出のための経路を提供する
を備えるヒューズアセンブリ。
【請求項2】
前記第１端子に切り込まれた第１対の孔；及び
前記第２端子に切り込まれた第２対の孔
をさらに備える、請求項１に記載のヒューズアセンブリ。
前記第２端子に切り込まれた第２対の孔
をさらに備える、請求項１に記載のヒューズアセンブリ。
【請求項3】
前記端子排出チャネルは前記第１対の孔の間に配置されている、請求項２に記載のヒューズアセンブリ。
【請求項4】
前記端子排出チャネルは前記第１端子に三角形のくさびの切り込みを形成している、請求項１～３のいずれか一項に記載のヒューズアセンブリ。
【請求項5】
前記端子排出チャネルは横長の形状を有する、請求項１～３のいずれか一項に記載のヒューズアセンブリ。
【請求項6】
前記端子排出チャネルは前記第１端子へのＳ字形状の切り込みである、請求項１～３のいずれか一項に記載のヒューズアセンブリ。
【請求項7】
前記過電流の事象中にデブリのガス放出のための第２経路を提供する第２端子排出チャネル
をさらに備える、請求項２に記載のヒューズアセンブリ。
をさらに備える、請求項２に記載のヒューズアセンブリ。
【請求項8】
前記第２端子排出チャネルは、前記端子排出チャネルに隣接して、前記第１端子に形成されている、請求項７に記載のヒューズアセンブリ。
【請求項9】
前記第２端子排出チャネルは前記第２端子に形成され、前記第２対の孔の間に配置されている、請求項７に記載のヒューズアセンブリ。
【請求項10】
第１寸法の側壁を有するヒューズ筐体、ここで前記端子排出チャネルは前記側壁の上に配置されている
をさらに備える、請求項１～３のいずれか一項に記載のヒューズアセンブリ。
をさらに備える、請求項１～３のいずれか一項に記載のヒューズアセンブリ。
【請求項11】
前記端子排出チャネルは第２寸法を有し、前記第２寸法は前記第１寸法よりも大きい、請求項１０に記載のヒューズアセンブリ。
【請求項12】
前記端子排出チャネルはヒューズ筐体の側壁の上に配置されている、請求項１～３のいずれか一項に記載のヒューズアセンブリ。
【請求項13】
前記端子排出チャネルは横長の形状を有する、請求項１２に記載のヒューズアセンブリ。
【請求項14】
前記横長の形状は第１寸法を有し、前記側壁は第２寸法を有し、前記第１寸法は前記第２寸法よりも大きい、請求項１３に記載のヒューズアセンブリ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示の実施形態はヒューズ設計に関し、より具体的には、材料のガス放出を促進するヒューズ設計に関する。
【背景技術】
【0002】
ヒューズは、電気回路内の意図的な弱い接続として設計されている、電流に敏感なデバイスである。ヒューズの機能は、過電流条件下で確実に溶断し、このようにして電流の流れを安全に遮断することにより、個別構成要素又は完全な回路保護を提供することである。
【0003】
回路を保護しているヒューズが破断すると、ヒューズの２つの端子の間にアークエネルギが発生する。アークエネルギにより、ヒューズ素子の破断可能部分の金属及び他の材料が溶融して、ヒューズ筐体内に堆積する。ヒューズ素子の溶融した材料、筐体の炭化したプラスチック、及び高温ガスを含むデブリ経路が導電性になる場合がある。したがって、設計が不十分なヒューズは、ヒューズが破断しても、その端子間で電流を伝達する場合がある。
【0004】
筐体内の１つ又は複数の排出口が、ガス放出のためにヒューズの外部への経路を提供し得る。排出口は、デブリが端子の間に導電性経路を形成するのを防ぐように設計されている。プラスチック材料で筐体を成形することにより、排出口を、筐体の種々の場所に配置することができる。しかしながら、プラスチック材料に作成された排出口は、超音波溶接などの組立工程から損傷を受けることで、排出口が意図された形状も寸法も有さない場合がある。
【0005】
本改良が有用であり得るのは、これらのこと及び他の考慮事項に対してである。
【発明の概要】
【0006】
この概要は、以下の「発明を実施するための形態」においてさらに記述される特定の概念を簡略化した形態で紹介するために提供される。この概要は、特許請求される主題の重要な特徴又は本質的な特徴を特定するように意図されるわけでも、特許請求される主題の範囲の決定を助けるものとして意図されるわけでもない。
【0007】
本開示によるヒューズアセンブリの例示的な実施形態は、ヒューズ素子及び端子排出チャネルを備えてもよい。ヒューズ素子は第１端子及び第２端子の間に配置されている。ヒューズ素子は過電流の事象に応答して破断する。端子排出チャネルは第１端子に配置され、過電流の事象中にデブリのガス放出のための経路を提供する。
【0008】
本開示によるヒューズアセンブリの別の例示的な実施形態は、ヒューズ素子、第１ヒューズ筐体、第２ヒューズ筐体、及び端子を備えてもよい。ヒューズ素子は過電流の事象に応答して破断し、ガス放出デブリを生じさせる。第１ヒューズ筐体は第１側壁を有し、第２ヒューズ筐体は第２側壁を有する。第１ヒューズ筐体が第２ヒューズ筐体と係合するときに、第１側壁は第２側壁と係合し、これにより空洞が形成され、ヒューズ素子が空洞内にある。端子は端子排出チャネルを含む。端子排出チャネルは第１側壁の上に配置され、ガス放出デブリの移動のための経路を形成する。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【0010】
【0011】
【0012】
【0013】
【図5】例示的な実施形態によるヒューズアセンブリを例示する図である。
【発明を実施するための形態】
【0014】
ヒューズアセンブリは、コイニング施工又はミリング施工によって端子に形成された端子排出チャネルを特徴とする。端子排出チャネルはヒューズ筐体の側壁の上に配置され、そのサイズは、端子がヒューズ筐体の２つの部分の間に配置されたときに、側壁のいずれかの側に開口部が形成されるように決められている。開口部は、ヒューズ素子の破断中にデブリのガス放出のための経路を提供する。端子排出チャネルのさまざまな形状が可能である。端子排出チャネルは、ヒューズアセンブリの筐体に形成された排出口の代替物を提供する。
【0015】
便宜と明快さのために、「最上」、「最下」、「上」、「下」、「鉛直」、「水平」、「側方」、「横」、「半径方向」、「内部」、「外部」、「左」及び「右」などの用語を本明細書で使用して、特徴及び構成要素の相対的な配置及び向きを、それぞれ本明細書で提供される斜視図、分解斜視図、及び断面図に現れる他の特徴及び構成要素のジオメトリ及び向きに対して説明してもよい。書かれている用語は、限定することを意図するものではなく、具体的に言及された単語、その派生語、及び同様に重要な単語を含む。
【0016】
図１Ａ～１Ｂは、例示的な実施形態による、デブリのガス放出を促進するためのヒューズアセンブリ１００の代表的な図である。ヒューズアセンブリ１００は、ヒューズ素子１０６の一方の側に配置されたヒューズ筐体１０２ａ、及びヒューズ素子の他方の側に配置されたヒューズ筐体１０２ｂ（まとめて「ヒューズ筐体１０２」）を備える。ヒューズ筐体１０２は、プラスチックなどの非導電性材料で作られ、ヒューズ素子１０６を保護するための空洞を形成する。ヒューズ筐体１０２ａがヒューズ筐体１０２ｂと係合すると、ヒューズ素子１０６はそれらの間のエンクロージャ内に配置される。非限定的な例では、ヒューズ筐体１０２ａは、ヒューズ筐体１０２ｂと同一であってもよい。
【0017】
本明細書で使用されるように、ガス放出は、ひとたびヒューズ素子が破断した後のヒューズアセンブリ１００内部の爆発に続くガス状材料の移動を指す。ガス放出デブリは、ガス状材料及び非ガス状材料をも含むすべての材料の移動を指し、その例には、ヒューズ素子からの金属、ヒューズ筐体からのプラスチックがあり、その後者は爆発中に炭化する可能性がある。したがって、ガス放出デブリは、ヒューズ素子の破断に続いて、ヒューズ筐体の内部及び外部の両方で移動する、ありとあらゆる材料を指す。
【0018】
ヒューズ素子１０６は第１端子１０４ａ及び第２端子１０４ｂ（まとめて「端子１０４」）の間に配置される。ヒューズ素子１０６及び端子１０４は銅などの導電性材料でできている。ヒューズ素子１０６はヒューズアセンブリ１００の意図的な弱い接続であるため、ヒューズ素子１０６は端子１０４よりも薄くてもよい。
【0019】
リブ１０８はヒューズ筐体１０２の内部表面に配置されている。ヒューズ筐体１０２ｂ内にリブ１０８が見えているが、ヒューズ筐体１０２ａもリブ（図示せず）を特徴としてもよい。通常、ヒューズ筐体１０２と同じ材料で形成されているリブ１０８は、ヒューズ筐体の内部の表面積を増加させている。リブ１０８の増加した表面積は、ひとたびヒューズ素子１０６が破断すると、結果として生じるデブリが堆積する場所を提供する。リブ１０８を、ジグザグ、クロスハッチ、円形、ピラミッド、又は他の任意のパターンとして配置してもよい。
【0020】
ヒューズ筐体１０２は、２つの要素を一緒に結合するための突起及び空隙を含む。図１Ｂに示すように、ヒューズ筐体１０２ｂは、２つの突起１１２ａ及び１１２ｂ、及び２つの空隙１１４ａ及び１１４ｂ（まとめて「突起１１２」及び「空隙１１４」）を含む。端子１０４も同様に孔１１０ａ～ｄを含み、第１対の孔１１０ａ及び１１０ｂは端子１０４ａの部分であり、第２対の孔１１０ｃ及び１１０ｄは端子１０４ｂの部分である（まとめて「孔１１０」）。孔１１０ａは突起１１２ａの上に配置され、孔１１０ｂは空隙１１４ａの上に配置され、孔１１０ｃは空隙１１４ｂの上に配置され、孔１１０ｄは突起１１２ｂの上に配置される。ひとたび端子１０４の上に配置されると、ヒューズ筐体１０２ａの突起は、それぞれの孔１１０を通ってヒューズ筐体１０２ｂの空隙１１４に嵌合する。同様に、ヒューズ筐体１０２ｂの突起１１２は、それぞれの孔１１０を通ってヒューズ筐体１０２ａの空隙に嵌合する。このようにして、構成要素を互いに固定可能に係合させることができる。
【0021】
例示的な実施形態では、孔１１０は、それぞれの端子１０４の円形の切り欠きである。同様に、突起１１２及び空隙１１４は円筒形であり、孔１１０の直径に近い直径を有している。代替的に、孔１１０、突起１１２、及び空隙１１４は、ヒューズアセンブリ１００のこれらの要素の特定の形状が限定を意味するものではないので、例示のものとは異なる形状であってもよい。
【0022】
例示的な実施形態では、ヒューズアセンブリ１００は端子排出チャネルを特徴として、過電流の事象によって生じるヒューズ素子１０６の破断に続くデブリのガス放出のための経路を提供する。排出チャネル１１６ａ及び１１６ｂは互いに隣接しており、端子１０４ａの孔１１０ａ及び１１０ｂの間に配置されている。排出チャネル１１６ｃ及び１１６ｄは互いに隣接しており、端子１０４ｂの孔１１０ｃ及び１１０ｄの間に配置されている（まとめて、「排出チャネル１１６」及び「端子排出チャネル１１６」）。
【0023】
例示的な実施形態では、ヒューズ筐体１０２ｂは、その上に端子排出チャネルが配置される側壁を含む。側壁１２０ａはヒューズ筐体１０２ａの部分であり、側壁１２０ｂ及び１２０ｃはヒューズ筐体１０２ｂの部分である（まとめて「側壁１２０」）。側壁１２０ｂは突起１１２ａ及び空隙１１４ａを含み、側壁１２０ｃは突起１１２ｂ及び空隙１１４ｂを含む。ヒューズ筐体１０２ａがヒューズ筐体１０２ｂと係合するときに、側壁１２０ａは側壁１２０ｂと係合する。追加として、例示的な実施形態では、側壁１２０ａは端子排出チャネル１１６ａ及び１１６ｂの上方に配置され、側壁１２０ｂは端子排出チャネル１１６ａ及び１１６ｂの下方に配置され、側壁１２０ｃは端子排出チャネル１１６ｃ及び１１６ｄの下方に配置される。
【0024】
例示的な実施形態では、排出チャネル１１６は、材料除去又は圧下プロセスによってそれぞれの端子１０４内に形成される。いくつかの実施形態では、排出チャネル１１６はコイニング施工によって端子１０４に形成される。コイニングとは、材料の表面に圧力を加える密閉型鍛造プロセスである。コイニングは精密プレス加工方法であり、金属ワークピースを高応力の影響下に置いて、金型の形状に変形を引き起こす。他の実施形態では、排出チャネル１１６はミリング施工によって端子１０４に形成される。ミリングとは、カッタをワークピースに進入させて材料を除去するために、ロータリーカッタを使用して機械加工を行うプロセスである。どちらの場合でも、ヒューズアセンブリ１００の端子１０４から材料を除去して、制御された寸法のチャネルを作成する。
【0025】
ヒューズアセンブリ１００のプラスチック材料（ヒューズ筐体１０２など）に排出チャネルを形成するのとは対照的に、いくつかの実施形態では、排出チャネル１１６の寸法は、コイニング又はミリングなどの金属成形加工プロセスを使用してより容易に制御可能である。筐体のプラスチック材料に形成された排出チャネルは、超音波溶接などの組立工程から損傷を受ける可能性がある。したがって、ヒューズアセンブリの排出チャネルを正確に制御する必要がある場合、金属成形加工はプラスチック成形よりも正確である。さらに、金属成形加工プロセスは、いくつかの実施形態では、プラスチック成形プロセスよりも費用効果が高い。いくつかの実施形態では、デブリの排出のための正確な経路を形成する排出チャネルをカスタマイズする機能も、プラスチックよりも金属の方が容易である。
【0026】
図２Ａ及び２Ｂは、例示的な実施形態による、ヒューズアセンブリ１００の端子排出チャネル１１６の代表的な図である。図２Ａは端子排出チャネル１１６の斜視図であり、図２Ｂはヒューズ筐体１０２の間に配置された端子排出チャネルの側面図である。図２Ａでは、端子排出チャネル１１６ａ及び１１６ｂが示されている。例示的な実施形態では、端子排出チャネル１１６は、それぞれの端子１０４に三角形のくさび形状の切り込みを形成している。例示的な実施形態では、三角形のくさび形状は長さｌ、幅ｗ、高さｈを有しており、高さは長さ又は幅よりもかなり小さい。数学的に述べると、端子排出チャネル１１６は以下の特性を有している：寸法ｌ×ｗ×ｈにおいて、ｈ＜＜ｌ、及びｈ＜＜ｗ。
【0027】
ヒューズ筐体１０２ｂの側壁１２０ｂは、点線で示されている。側壁１２０ｂは、寸法ｄ１を有する。例示的な実施形態では、端子排出チャネル１１６の幅ｗは、寸法ｄ１よりも大きい。数学的に述べると、ｗ＞ｄ１である。この制限を超えて、排出チャネル１１６は、図２Ａに例示されている長方形の形状とは異なる形状であってもよい。側壁１２０ｂの幅に対する端子排出チャネル１１６の幅に関するこの関係により、過電流の事象中にデブリが流出する経路を形成する開口部があることが確実になる。
【0028】
図２Ｂでは、端子１０４ａは、ヒューズ筐体１０２ａの側壁１２０ａ及びヒューズ筐体１０２ｂの側壁１２０ｂの間に配置されている。端子排出チャネル１１６を配置することにより、端子１０４ａ及びヒューズ筐体１０２ａの間に開口部２０２が生じる。例示的な実施形態では、端子排出チャネル１１６は、デブリがヒューズアセンブリ１００の内部チャンバからヒューズアセンブリの外部に移動するためのデブリ経路２０４を提供する。
【0029】
ヒューズアセンブリ１００は、コイニング／ミリングなどの材料除去／圧下プロセスによって、例示的な実施形態では、端子排出チャネル１１６などの制御された寸法のチャネルを高電圧ヒューズの端子に追加できることを示している。ヒューズの仕様の１つが、開放状態抵抗（ＯＳＲ）として知られている。この特性は、ヒューズが破断した後、高抵抗を維持する（したがって、電流を遮断し続ける）可能性を表す。適切に排出されたヒューズは、排出されていないものよりも高いＯＳＲを有する場合がある。さらに、高電圧ヒューズは、低電圧ヒューズよりもはるかに多くのアークエネルギを経験する。ヒューズ筐体１０２の組立プラスチック体とぴったり合わせられると、ヒューズアセンブリ１００の端子１０４の部分である端子排出チャネル１１６は、例示的な実施形態では、高破断容量中に圧力及びデブリを解放するための小さな開口部を作成する。さらに、排出チャネル１１６は金属（端子１０４）に形成されているため、いくつかの実施形態では、それらの形成においてより高い精度が可能であり、それは、プラスチック筐体での排出チャネル形成で可能な精度とは対照的である。
【0030】
図３Ａ及び３Ｂは、例示的な実施形態による、デブリのガス放出を促進するためのヒューズアセンブリ３００の代表的な図である。ヒューズアセンブリ３００は、ヒューズ素子３０６の一方の側に配置されたヒューズ筐体３０２ａ、及びヒューズ素子の他方の側に配置されたヒューズ筐体３０２ｂ（まとめて「ヒューズ筐体３０２」）を備える。ヒューズ筐体３０２は、プラスチックなどの非導電性材料で作られ、ヒューズ素子３０６を保護するための空洞を形成する。ヒューズ筐体３０２ａがヒューズ筐体３０２ｂと係合すると、ヒューズ素子３０６はそれらの間のエンクロージャ内に配置される。非限定的な例では、ヒューズ筐体３０２ａはヒューズ筐体３０２ｂと同一であってもよい。
【0031】
ヒューズ素子３０６は第１端子３０４ａ及び第２端子３０４ｂ（まとめて「端子３０４」）の間に配置される。ヒューズ素子３０６及び端子３０４は銅などの導電性材料でできている。ヒューズ素子３０６はヒューズアセンブリ３００の意図的な弱い接続であるため、ヒューズ素子３０６は端子３０４よりも薄くてもよい。
【0032】
リブ３０８はヒューズ筐体３０２の内部表面に配置されている。ヒューズ筐体３０２ｂ内にリブ３０８が見えているが、ヒューズ筐体３０２ａもリブ（図示せず）を特徴としてもよい。通常、ヒューズ筐体３０２と同じ材料で形成されているリブ３０８は、ヒューズ筐体の内部の表面積を増加させている。リブ３０８の増加した表面積は、ひとたびヒューズ素子３０６が破断すると、結果として生じるデブリが堆積する場所を提供する。リブ３０８を、ジグザグ、クロスハッチ、円形、ピラミッド、又は他の任意のパターンとして配置してもよい。
【0033】
ヒューズ筐体３０２は、２つの要素を一緒に結合するための突起及び空隙を含む。図３Ｂに示すように、ヒューズ筐体３０２ｂは、２つの突起３１２ａ及び３１２ｂ、及び２つの空隙３１４ａ及び３１４ｂ（まとめて「突起３１２」及び「空隙３１４」）を含む。端子３０４も同様に孔３１０ａ～ｄを含み、孔３１０ａ及び３１０ｂは端子３０４ａの部分であり、孔３１０ｃ及び３１０ｄは端子３０４ｂの部分である（まとめて「孔３１０」）。孔３１０ａは突起３１２ａの上に配置され、孔３１０ｂは空隙３１４ａの上に配置され、孔３１０ｃは空隙３１４ｂの上に配置され、孔３１０ｄは突起３１２ｂの上に配置される。ひとたび端子３０４の上に配置されると、ヒューズ筐体３０２ａの突起は、それぞれの孔３１０を通ってヒューズ筐体３０２ｂの空隙３１４に嵌合する。同様に、ヒューズ筐体３０２ｂの突起３１２は、それぞれの孔３１０を通ってヒューズ筐体３０２ａの空隙に嵌合する。このようにして、構成要素を互いに固定可能に係合させることができる。
【0034】
例示的な実施形態では、孔３１０は、それぞれの端子３０４の円形の切り欠きである。同様に、突起３１２及び空隙３１４は円筒形であり、孔３１０の直径に近い直径を有している。代替的に、孔３１０、突起３１２、及び空隙３１４を、例示のものとは異なる形状としてもよく、それは、ヒューズアセンブリ３００のこれらの要素の特定の形状が限定を意味するものではないからである。
【0035】
例示的な実施形態では、ヒューズアセンブリ３００は端子排出チャネルを特徴として、過電流の事象によって生じるヒューズ素子３０６の破断に続くデブリのガス放出のための経路を提供する。排出チャネル３１６（本明細書では「端子排出チャネル３１６」とも呼ばれる）は、端子３０４ａの孔３１０ａ及び３１０ｂの間に配置される。図３Ｂには示されていないが、端子３０４ｂの孔３１０ｃ及び３１０ｄの間に第２排出チャネルを配置することができる。
【0036】
例示的な実施形態では、排出チャネル３１６は、材料除去又は圧下プロセスによってそれぞれの端子１０４内に形成される。いくつかの実施形態では、排出チャネル３１６は、金属シートなどの金属に穴を開けるために使用される機械加工プロセスである打抜き加工又は穿孔施工によって端子３０４ａに形成される。他の実施形態では、排出チャネル３１６はミリング施工によって端子３０４ａに形成される。どちらの場合でも、ヒューズアセンブリ３００の端子３０４ａから材料を除去して、制御された寸法のチャネルを作成する。
【0037】
例示的な実施形態では、図３Ｂに例示するように、ヒューズ筐体３０２ｂは側壁３２０ａ、３２０ｂ、及び３２０ｃ（まとめて「側壁３２０」）を含む。側壁３２０ｂは突起３１２ａ及び空隙３１４ａを含む。同様に、側壁３２０ｃは空隙３１４ｂ及び突起３１２ｂを含む。側壁３２０は、それぞれのヒューズ筐体３０２ａ及び３０２ｂが互いに係合するときに、係合する。追加として、例示的な実施形態では、側壁３２０ｂは端子排出チャネル３１６の下方に配置される。
【0038】
図４Ａ及び４Ｂは、例示的な実施形態による、ヒューズアセンブリ３００の端子排出チャネル３１６の代表的な図である。図４Ａは端子排出チャネル３１６の斜視図であり、図４Ｂはヒューズ筐体３０２の間に配置された端子排出チャネルの側面図である。図３Ｂも参照すると、ヒューズ筐体３０２ｂは側壁３２０ｂ及び３２０ｃを有しており、端子排出チャネル３１６は側壁３２０ｂの上に配置されている。非限定的な例では、端子排出チャネル３１６は横長の形状を有するように示されているが、端子排出チャネルは異なる形状であってもよい。例示的な実施形態では、端子排出チャネル３１６は、その最長点で寸法ｄ２を有するのに対して、側壁３２０ｂを横切る距離はｄ３である。例示的な実施形態では、ｄ２はｄ３よりも長い（ｄ２＞ｄ３）。別の言い方をすると、端子排出チャネル３１６は側壁３２０ｂの幅と重なっている。側壁３２０ｂと重なるように端子排出チャネル３１６を配置することにより、２つの開口部４０２ａ及び４０２ｂ（まとめて「開口部４０２」）が生じており、開口部４０２ｂはヒューズチャンバの上にあり、開口部４０２ａはヒューズチャンバの外部にある。
【0039】
図４Ｂでは、端子３０４ａは、ヒューズ筐体３０２ａ、及びヒューズ筐体３０２ｂのヒューズ側壁３２０ｂの間に配置されている。図４Ａにも示されている開口部４０２ａ及び４０２ｂは、ヒューズ筐体３０２のいずれかの側に配置されている。端子排出チャネル３１６を配置することにより、端子３０４ａ及びヒューズ筐体３０２の間に開口部４０２が生じる。例示的な実施形態では、端子排出チャネル３１６は、デブリがヒューズアセンブリ３００の内部チャンバからヒューズアセンブリの外部に移動するためのデブリ経路４０４を提供する。
【0040】
ヒューズアセンブリ１００は４つの端子排出チャネル１１６を示しており、２つは１つの端子にあり、２つは別の端子にある。ヒューズアセンブリ３００は、２つの端子のうちの一方に単一の端子排出チャネルを示している。これらの構成の組み合わせが可能である。例えば、ヒューズアセンブリ３００は、端子３０４の孔３１０の間に互いに隣接して配置された２つの端子排出チャネル３１６を有してもよい。さらに、ヒューズアセンブリ３００の両方の端子３０４は、端子排出チャネル３１６を含んでもよい。あるいは、ヒューズアセンブリ１００は、端子１０４の孔１１０の間に配置された単一の端子排出チャネル１１６を有してもよい。さらに、ヒューズアセンブリ１００及び３００は、端子排出チャネル１１６及び３１６の両方のタイプを特徴としてもよい。図は限定を意味するものではないので、他の組み合わせも同様に可能である。
【0041】
図５は、例示的な実施形態による、デブリのガス放出を促進するためのヒューズアセンブリ５００の代表的な図である。ヒューズアセンブリ５００は、ヒューズ素子５０６の一方の側に配置されたヒューズ筐体５０２ａ、及びヒューズ素子の他方の側に配置されたヒューズ筐体５０２ｂ（まとめて「ヒューズ筐体５０２」）を備える。ヒューズ筐体５０２ａは透明であるので、ヒューズアセンブリ５００の他の特徴が見える。ヒューズ筐体５０２は、プラスチックなどの非導電性材料で作られ、ヒューズ素子５０６を保護するための空洞を形成する。ヒューズ筐体５０２ａがヒューズ筐体５０２ｂと係合すると、ヒューズ素子５０６はそれらの間のエンクロージャ内に配置される。非限定的な例では、ヒューズ筐体５０２ａはヒューズ筐体５０２ｂと同一であってもよい。
【0042】
ヒューズ素子５０６は第１端子５０４ａ及び第２端子５０４ｂ（まとめて「端子５０４」）の間に配置される。ヒューズ素子５０６及び端子５０４は銅などの導電性材料でできている。ヒューズ素子５０６はヒューズアセンブリ５００の意図的な弱い接続であるため、ヒューズ素子５０６は端子５０４よりも薄くてもよい。
【0043】
ヒューズアセンブリ５００は、ヒューズアセンブリ１００及び３００に見られる他の要素、例えばリブ、突起、及び空隙を特徴とする。説明を簡単にするために、これらの要素は、図５では付記されていない。それでもやはり、ヒューズアセンブリ５００の端子５０４は、ヒューズアセンブリ１００及び３００と同様の様式でヒューズ筐体５０２の間に配置される。
【0044】
孔５１０ａ及び５１０ｂは端子５０４ａの部分として付記されているが、端子５０４ｂは同様に図示の孔（まとめて「孔５１０」）を含む。例示的な実施形態では、孔５１０ａ及び５１０ｂの間に、ヒューズアセンブリ５００は端子排出チャネル５１６を特徴として、ヒューズ素子５０６の破断に続くデブリのガス放出のための経路を提供する。
【0045】
例示的な実施形態では、ヒューズ筐体５０２ｂは側壁５２０を含み、その上に端子排出チャネル５１６が配置される。側壁５２０は、側壁１２０（ヒューズアセンブリ１００）及び３２０（ヒューズアセンブリ３００）の幅と同様に、その幅が端子排出チャネル５１６の寸法を決定するので、付記されている。すなわち、端子排出チャネル５１６は側壁５２０よりも広く、（ヒューズ素子５０６が配置されている）ヒューズアセンブリ５００のエンクロージャ内に開口部があることと、ヒューズ筐体５０２外面の開口部とを確実にしている。例示的な実施形態では、端子排出チャネル５１６は、孔５１０ｂよりも孔５１０ａに近い屈曲を含む。端子排出チャネル５１６は、幾分はＳ字形状として説明され得る。いくつかの実施形態では、端子排出チャネル５１６の屈曲はヒューズ素子５０６の形状に基づいてもよい。図５には示されていないが、端子５０４は同様に端子排出チャネルを含み得る。
【0046】
例示的な実施形態では、端子排出チャネル５１６は、ミリング又はコイニングなどの材料除去又は圧下プロセスによって端子５０４内に形成されるが、このとき、材料がヒューズアセンブリ５００の端子５０４から除去されて、制御された寸法のチャネルを作成する。
【0047】
したがって、ヒューズアセンブリ１００、３００、及び５００は、ヒューズ素子が破断される過電流の事象に続くデブリのガス放出を促進する端子排出チャネルを提供する。従来のヒューズアセンブリとは異なり、いくつかの実施形態では、金属よりもプラスチックでの排出チャネル形成は精度が低く、高価であるため、端子排出チャネルは筐体内に形成されるのではなく、端子内に形成される。さらに、例示的な実施形態では、排出チャネルの正確な形状をカスタマイズする機能は、例示的な実施形態では、プラスチックよりも金属においてより成功している。
【0048】
本明細書において使用するとき、単数形で記載されていて、「ａ」又は「ａｎ」という語の後にある要素又は段階は、複数の要素又は段階を除外しないものとして理解されるべきであるが、ただしそのような除外が明示的に記載されている場合を除く。さらに、本開示の「一実施形態」への言及は、記載された特徴を同様に組み込む追加の実施形態の存在を除外すると解釈されることを意図するものではない。
【0049】
本開示は特定の実施形態に言及しているが、添付の特許請求の範囲で定義されるような本開示の領域及び範囲から逸脱することなく、記述した実施形態に対して多くの改変、修正、及び変更を行うことが可能である。従って、本開示は、記載されている実施形態に限定されるものではなく、以下の特許請求の範囲の文言及びその均等物により定義される完全な範囲を有することが意図されている。
［他の可能性な項目］
［項目１］
第１端子及び第２端子の間に配置された、過電流の事象に応答して破断するヒューズ素子；及び
前記第１端子に配置された、前記過電流の事象中にデブリのガス放出のための経路を提供する端子排出チャネル
を備えるヒューズアセンブリ。
［項目２］
前記第１端子に切り込まれた第１対の孔；及び
前記第２端子に切り込まれた第２対の孔
をさらに備える、請求項１に記載のヒューズアセンブリ。
［項目３］
前記端子排出チャネルは前記第１対の孔の間に配置されている、 請求項２に記載のヒューズアセンブリ。
［項目４］
前記端子排出チャネルは前記第１端子に三角形のくさびの切り込みを形成している、請求項１に記載のヒューズアセンブリ。
［項目５］
前記端子排出チャネルは横長の形状を有する、請求項１に記載のヒューズアセンブリ。
［項目６］
前記端子排出チャネルは前記第１端子へのＳ字形状の切り込みである、請求項１に記載のヒューズアセンブリ。
［項目７］
前記過電流の事象中にデブリのガス放出のための第２経路を提供する第２端子排出チャネル
をさらに備える、請求項２に記載のヒューズアセンブリ。
［項目８］
前記第２端子排出チャネルは、前記端子排出チャネルに隣接して、前記第１端子に形成されている、請求項７に記載のヒューズアセンブリ。
［項目９］
前記第２端子排出チャネルは前記第２端子に形成され、前記第２対の孔の間に配置されている、請求項７に記載のヒューズアセンブリ。
［項目１０］
第１寸法の側壁を有するヒューズ筐体、ここで前記端子排出チャネルは前記側壁の上に配置されている
をさらに備える、請求項１に記載のヒューズアセンブリ。
［項目１１］
前記端子排出チャネルは第２寸法を有し、前記第２寸法は前記第１寸法よりも大きい、請求項１に記載のヒューズアセンブリ。
［項目１２］
前記端子排出チャネルはヒューズ筐体の側壁の上に配置されている、請求項１に記載のヒューズアセンブリ。
［項目１３］
前記端子排出チャネルは横長の形状を有する、請求項１２に記載のヒューズアセンブリ。
［項目１４］
前記横長の形状は第１寸法を有し、前記側壁は第２寸法を有し、前記第１寸法は前記第２寸法よりも大きい、請求項１３に記載のヒューズアセンブリ。
［項目１５］
過電流の事象に応答して破断し、ガス放出デブリを生じさせるヒューズ素子；
第１側壁を有する第１ヒューズ筐体；
第２側壁を有する第２ヒューズ筐体、ここで前記第１ヒューズ筐体が前記第２ヒューズ筐体と係合するとき、前記第１側壁は前記第２側壁と係合し、前記ヒューズ素子がその間の空洞に配置されている；及び
端子排出チャネルを有する端子、ここで前記端子排出チャネルは前記第１側壁の上に配置され、前記端子排出チャネルはガス放出デブリの移動のための経路を形成している
を備えるヒューズアセンブリ。
［項目１６］
前記端子排出チャネルは横長の形状を有する、請求項１５に記載のヒューズアセンブリ。
［項目１７］
前記端子排出チャネルは三角形のくさび形状を有する、請求項１５に記載のヒューズアセンブリ。
［項目１８］
前記端子排出チャネルはＳ字形状を有する、請求項１５に記載のヒューズアセンブリ。
［項目１９］
前記第１側壁は第１寸法を有し、前記端子排出チャネルは、前記第１寸法とは異なる第２寸法を有する、請求項１５に記載のヒューズアセンブリ。
［項目２０］
前記第２寸法は前記第１寸法よりも大きい、請求項１９に記載のヒューズアセンブリ。
［他の可能性な項目］
［項目１］
第１端子及び第２端子の間に配置された、過電流の事象に応答して破断するヒューズ素子；及び
前記第１端子に配置された、前記過電流の事象中にデブリのガス放出のための経路を提供する端子排出チャネル
を備えるヒューズアセンブリ。
［項目２］
前記第１端子に切り込まれた第１対の孔；及び
前記第２端子に切り込まれた第２対の孔
をさらに備える、請求項１に記載のヒューズアセンブリ。
［項目３］
前記端子排出チャネルは前記第１対の孔の間に配置されている、 請求項２に記載のヒューズアセンブリ。
［項目４］
前記端子排出チャネルは前記第１端子に三角形のくさびの切り込みを形成している、請求項１に記載のヒューズアセンブリ。
［項目５］
前記端子排出チャネルは横長の形状を有する、請求項１に記載のヒューズアセンブリ。
［項目６］
前記端子排出チャネルは前記第１端子へのＳ字形状の切り込みである、請求項１に記載のヒューズアセンブリ。
［項目７］
前記過電流の事象中にデブリのガス放出のための第２経路を提供する第２端子排出チャネル
をさらに備える、請求項２に記載のヒューズアセンブリ。
［項目８］
前記第２端子排出チャネルは、前記端子排出チャネルに隣接して、前記第１端子に形成されている、請求項７に記載のヒューズアセンブリ。
［項目９］
前記第２端子排出チャネルは前記第２端子に形成され、前記第２対の孔の間に配置されている、請求項７に記載のヒューズアセンブリ。
［項目１０］
第１寸法の側壁を有するヒューズ筐体、ここで前記端子排出チャネルは前記側壁の上に配置されている
をさらに備える、請求項１に記載のヒューズアセンブリ。
［項目１１］
前記端子排出チャネルは第２寸法を有し、前記第２寸法は前記第１寸法よりも大きい、請求項１に記載のヒューズアセンブリ。
［項目１２］
前記端子排出チャネルはヒューズ筐体の側壁の上に配置されている、請求項１に記載のヒューズアセンブリ。
［項目１３］
前記端子排出チャネルは横長の形状を有する、請求項１２に記載のヒューズアセンブリ。
［項目１４］
前記横長の形状は第１寸法を有し、前記側壁は第２寸法を有し、前記第１寸法は前記第２寸法よりも大きい、請求項１３に記載のヒューズアセンブリ。
［項目１５］
過電流の事象に応答して破断し、ガス放出デブリを生じさせるヒューズ素子；
第１側壁を有する第１ヒューズ筐体；
第２側壁を有する第２ヒューズ筐体、ここで前記第１ヒューズ筐体が前記第２ヒューズ筐体と係合するとき、前記第１側壁は前記第２側壁と係合し、前記ヒューズ素子がその間の空洞に配置されている；及び
端子排出チャネルを有する端子、ここで前記端子排出チャネルは前記第１側壁の上に配置され、前記端子排出チャネルはガス放出デブリの移動のための経路を形成している
を備えるヒューズアセンブリ。
［項目１６］
前記端子排出チャネルは横長の形状を有する、請求項１５に記載のヒューズアセンブリ。
［項目１７］
前記端子排出チャネルは三角形のくさび形状を有する、請求項１５に記載のヒューズアセンブリ。
［項目１８］
前記端子排出チャネルはＳ字形状を有する、請求項１５に記載のヒューズアセンブリ。
［項目１９］
前記第１側壁は第１寸法を有し、前記端子排出チャネルは、前記第１寸法とは異なる第２寸法を有する、請求項１５に記載のヒューズアセンブリ。
［項目２０］
前記第２寸法は前記第１寸法よりも大きい、請求項１９に記載のヒューズアセンブリ。
【図1A】
【図1B】
【図2A】
【図2B】
【図3A】
【図3B】
【図4A】
【図4B】
【図5】
【外国語明細書】