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特開2023-101049情報記録媒体とその製造方法

書誌要約請求の範囲詳細な説明課題実施例実施するための形態図面の説明

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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023101049

(43)【公開日】2023-07-20

(54)【発明の名称】情報記録媒体とその製造方法

(51)【国際特許分類】

G11B 7/243 20130101AFI20230712BHJP

G11B 7/24018 20130101ALI20230712BHJP

G11B 7/24035 20130101ALI20230712BHJP

G11B 7/24038 20130101ALI20230712BHJP

G11B 7/2578 20130101ALI20230712BHJP

G11B 7/26 20060101ALI20230712BHJP

【ＦＩ】

G11B7/243

G11B7/24018

G11B7/24035

G11B7/24038

G11B7/2578

G11B7/26 531

【審査請求】未請求

【請求項の数】7

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022001369

(22)【出願日】2022-01-07

(71)【出願人】

【識別番号】314012076

【氏名又は名称】パナソニックＩＰマネジメント株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100106116

【弁理士】

【氏名又は名称】鎌田健司

(74)【代理人】

【識別番号】100131495

【弁理士】

【氏名又は名称】前田健児

(72)【発明者】

【氏名】槌野晶夫

(72)【発明者】

【氏名】冨田昇吾

(72)【発明者】

【氏名】児島理恵

【テーマコード（参考）】

5D029

【Ｆターム（参考）】

5D029JA01

5D029JB05

5D029JB35

5D029KA07

5D029LA14

5D029LA19

5D029LB01

5D029LB07

5D029RA30

5D029RA46

(57)【要約】

【課題】再生耐久性が優れた情報記録媒体を提供する。
【解決手段】レーザ光の照射により情報を記録または再生する情報記録媒体であって、３層以上の情報層を含み、前記３層以上の情報層のうちの、少なくとも一つの情報層を第１情報層とし、前記第１情報層が前記レーザ光照射面から見て遠い方から近い方に向かって、第１誘電体膜、および記録膜をこの順に含み、前記第１誘電体膜が少なくともＺｎＳを含み、前記記録膜が少なくともＷと、Ｍｎと、酸素とを含み、さらに、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｎｂ、Ｔａ、およびＴｉより選ばれる少なくとも一つの元素を含む、情報記録媒体。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

レーザ光の照射により情報を記録または再生する情報記録媒体であって、３層以上の情報層を含み、前記３層以上の情報層のうちの、少なくとも一つの情報層を第１情報層とし、前記第１情報層が前記レーザ光照射面から見て遠い方から近い方に向かって、第１誘電体膜、および記録膜をこの順に含み、前記第１誘電体膜が少なくともＺｎＳを含み、前記記録膜が少なくともＷと、Ｍｎと、酸素とを含み、さらに、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｎｂ、Ｔａ、およびＴｉより選ばれる少なくとも一つの元素を含む、情報記録媒体。

【請求項2】

前記第１情報層が、レーザ光照射面より最も遠くに位置する情報層である請求項１に記載の情報記録媒体。

【請求項3】

前記第１情報層が、ポリカーボネートからなる基板を有し、前記第１誘電体膜が前記ポリカーボネート基板と接する、請求項１に記載の情報記録媒体。

【請求項4】

前記第1誘電体膜が、さらにＳｉＯ_２またはＴｉＯ_２を３０ｍｏｌ％以下で含む、請求項１に記載の情報記録媒体。

【請求項5】

前記第１情報層が、前記第1誘電体膜と前記記録膜と接する第２誘電体膜を有し、前記第２誘電体膜がＺｒ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｓｉ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｇａおよび酸素より選ばれる少なくとも一つの元素を含む、請求項１に記載の情報記録媒体。

【請求項6】

情報記録媒体の製造方法であって、情報記録媒体が有する３以上の情報層の各々を形成する工程を含み、前記３以上の情報層のうちの少なくとも一つの情報層を形成する工程が、少なくとも、第１誘電体膜を形成する工程と、記録膜を形成する工程とを含み、前記第１誘電体膜を形成する工程が、少なくともＺｎＳを含み、前記記録膜を形成する工程が、少なくともＷと、Ｍｎとを含み、さらに、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｎｂ、Ｔａ、およびＴｉより選ばれる少なくとも一つの元素を含む記録膜を形成し、前記第１誘電体膜を形成する工がＲＦ電源を用いたスパッタリング、前記記録膜を形成する工程がＤＣ電源を用いたスパッタリングにより実施される、情報記録媒体の製造方法。

【請求項7】

前記第１誘電体膜を形成する工程で形成する前記第１誘電体膜が、さらにＳｉＯ_２またはＴｉＯ_２を３０ｍｏｌ％以下で含む、請求項６に記載の情報記録媒体の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、光学的手段によって情報を記録または再生する大容量な情報記録媒体とその製造方法に関するものである。

【背景技術】

【0002】

インターネットの普及や放送のデジタル化等により、デジタルデータの利用量が年々増加している。光学的情報記録媒体である光ディスクはデータの長期保存に適した信頼性の高い情報記録媒体として、増大する情報量と共に大容量化という進化を続けてきた。

【0003】

ＢＤＸＬ規格（ＢＤ：Ｂｌｕ－ｒａｙ（登録商標）Ｄｉｓｃ）は２０１０年６月に策定された。この規格に準じた３層ディスク（３つの情報層を備える光ディスク）は、１情報層あたりの記録容量が３３．４ギガバイト（ＧＢ）であり、片面で１００ＧＢという大容量のデータを保存できる。３層ディスクを構成する３つの情報層については、レーザ光の光源から最も遠いものが「Ｌ０層」と呼ばれ、次に遠いものが「Ｌ１層」と呼ばれ、レーザ光の光源に最も近いものが「Ｌ２層」と呼ばれる。

【0004】

例えば、データセンター向けに、追記型のＢＤ－ＲＸＬディスクを用いた、最大約６３８テラバイト（ＴＢ）の大容量を実現できる光ディスクライブラリーが既に提案されている（例えば、非特許文献１参照）。

【0005】

ＢＤＸＬ規格とは異なる規格として、業務用光ディスク規格「アーカイバル・ディスク（ＡｒｃｈｉｖａｌＤｉｓｃ）」が２０１４年３月に策定された（例えば、非特許文献２参照）。アーカイバル・ディスクは、ＢＤよりも高い信頼性を有し、ランド・アンド・グルーブ記録方式の採用によって、より高い記録密度を有している。さらに、アーカイバル・ディスクは、基板の両面にディスク構造を備えているため、より大容量の記録媒体として提供される。アーカイバル・ディスク規格のロードマップは、ディスク１枚あたりの記録容量を順次増やすように策定されている。このロードマップによれば、具体的には、第１世代として３００ＧＢのシステムを、第２世代として５００ＧＢのシステムを、第３世代として１ＴＢのシステムを開発する計画である。

【0006】

第２世代の５００ＧＢのアーカイバル・ディスクは、２５０ＧＢの情報を保存できる３層ディスクが基板の両面に設けられて、１枚あたり５００ＧＢの情報の記録再生を可能にするものである（例えば、非特許文献３参照）。すなわち、このアーカイバル・ディスクにおいて、１情報層あたりの記録容量は８３．４ＧＢである。各情報層は、酸化物誘電体膜で酸化物記録膜を挟んだ簡素な構造である。記録膜にレーザ光を照射すると、記録膜が形状変化を生じて信号が記録される。このディスクを用いて、ペタバイト級の大容量を実現できる光ディスクライブラリーが既に提案されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0007】

【特許文献1】国際公開第２０１７／１５９５６１号

【特許文献2】特許第４２１０６２０号公報

【非特許文献】

【0008】

【非特許文献1】パナソニック株式会社、データアーカイバーＬＢ－ＤＨ８シリーズカタログ、２０１６年９月

【非特許文献2】ＡｒｃｈｉｖａｌＤｉｓｃＷｈｉｔｅＰａｐｅｒ：ＡｒｃｈｉｖａｌＤｉｓｃＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ１ｓｔＥｄｉｔｉｏｎＪｕｌｙ２０１５

【非特許文献3】ＡｒｃｈｉｖａｌＤｉｓｃＷｈｉｔｅＰａｐｅｒ：ＡｒｃｈｉｖａｌＤｉｓｃＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ２ｓｔＥｄｉｔｉｏｎＪｕｌｙ２０１８

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0009】

第３世代の１ＴＢ容量のアーカイバル・ディスクにおいては、第２世代の５００ＧＢ容量から１情報層あたりの記録容量を８３．４ＧＢから１６６．７ＧＢへと２倍に増やす必要がある。記録容量を増やす手法としては、情報層の数を増やす、最短の記録マークのサイズを小さくして一つの情報層における記録密度を高くする、また記録再生方式を２値記録から多値記録にするという方法がある。１ＴＢアーカイバル・ディスクでは上記の技術を取り入れ大容量化を行うが、特に情報層を３層から４層に増やすことによる課題として、再生耐久性が挙げられる。

【0010】

再生耐久性は、予め最適なパワーのレーザ光で記録された記録マークに、再生パワーのレーザ光を連続照射することにより評価される。具体的には、１００万回（１００万パス）再生できる最大再生パワーとして定義され、１００万パスの再生が可能か否かは、例えば、１００万パス後の記録信号のエラーレートやｄ－ＭＬＳＥ値の悪化量で判断する。ここで、ｄ－ＭＬＳＥはアーカイバル・ディスクの、記録信号品質の評価指標であり、ＤｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎＤｅｒｉｖｅｄ－ＭａｘｉｍｕｍＬｉｋｅｌｉｈｏｏｄＳｅｑｕｅｎｃｅＥｒｒｏｒＥｓｔｉｍａｔｉｏｎの略号である。

【0011】

再生耐久性が課題になることを先に述べたが、多層情報記録媒体においては手前にある情報層をレーザが通過して奥にある情報層に到達そこからの反射により再生信号を得るため、同じレーザパワーで再生すると情報層が増えることにより、より奥の層より戻ってくる反射光量は低下する。反射光量の低下は再生信号のＳ／Ｎ低下を生じさせ、そのためエラーレート値が悪化する。そこでＳ／Ｎ悪化を抑制すべく、低下した光量分の再生パワーを上げる必要がある。

【0012】

再生パワーを上げることで、特にレーザ光照射面より最も奥に位置する情報層（Ｌ０層）に対して、熱負荷が大きくなる。この熱負荷が大きくなることにより、前述した再生耐久性が悪化することにあるが、この悪化するメカニズムにはいくつかの現象が挙げられる。一つは、熱負荷により形成された信号が歪み、信号品質が低下すること、一つは熱負荷により記録膜や誘電体膜の変質が生じそれがノイズ成分となり、信号品質が低下すること、一つは熱負荷により基板とそれ接する膜の界面に剥離が生じそれがノイズ成分となり、信号品質が低下することである。

【0013】

特に、情報記録媒体を安価で高い生産性で製造するには、基板材料はある程度限定されるため、前述した3つ目の悪化メカニズムである「基板とそれ接する膜の界面の剥離」を抑制するためには、膜材料や膜構成による解決が必要である。この剥離を抑制できる方法として、
（１）基板界面への熱負荷を抑制するため、熱を最も発生する記録膜からの熱拡散を抑えるよう、基板と記録膜に設けられた誘電体膜を低熱伝導化させる、
（２）基板とそれに接する誘電体膜の密着性を高める誘電体膜材料にする
ことを考えた。

【0014】

この（１）と（２）を満たす誘電体膜材料として、本発明者らはＺｎＳを含む低熱伝導で高密着性の材料を見出した。本発明は、前述した悪化メカニズムにおける、基板とそれ接する膜の界面の剥離を抑制し、高い再生パワーでも優れた再生耐久性を有する情報層を提供する。これにより、多くの情報層が積層でき、テラバイト級の大容量な多層情報記録媒体を提供できる。

【課題を解決するための手段】

【0015】

本開示に係る情報記録媒体は、レーザ光の照射により情報を記録または再生する情報記録媒体であって、３層以上の情報層を含み、前記３層以上の情報層のうちの、少なくとも一つの情報層を第１情報層とし、前記第１情報層が前記レーザ光照射面から見て遠い方から近い方に向かって、第１誘電体膜、および記録膜をこの順に含み、前記第１誘電体膜が少なくともＺｎＳを含み、前記記録膜が少なくともＷと、Ｍｎと、酸素とを含み、さらに、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｎｂ、Ｔａ、およびＴｉより選ばれる少なくとも一つの元素を含む、情報記録媒体である。

【0016】

また前記第１情報層が、ポリカーボネートからなる基板を有し、前記第１誘電体膜が前記ポリカーボネート基板と接する情報記録媒体である。

【0017】

また前記第1誘電体膜が、さらにＳｉＯ_２またはＴｉＯ_２を３０ｍｏｌ％以下で含む情報記録媒体である。

【0018】

本開示に係る情報記録媒体の製造方法は、情報記録媒体が有する３以上の情報層の各々を形成する工程を含み、前記３以上の情報層のうちの少なくとも一つの情報層を形成する工程が、少なくとも、第１誘電体膜を形成する工程と、記録膜を形成する工程とを含み、前記第１誘電体膜を形成する工程が、少なくともＺｎＳを含み、前記記録膜を形成する工程が、少なくともＷと、Ｍｎとを含み、さらに、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｎｂ、Ｔａ、およびＴｉより選ばれる少なくとも一つの元素を含む記録膜を形成し、前記第１誘電体膜を形成する工がＲＦ電源を用いたスパッタリング、前記記録膜を形成する工程がＤＣ電源を用いたスパッタリングにより実施される、情報記録媒体の製造方法である。

【0019】

また前記第１誘電体膜を形成する工程で形成する前記第１誘電体膜が、さらにＳｉＯ_２またはＴｉＯ_２を３０ｍｏｌ％以下で含情報記録媒体の製造方法である。

【発明の効果】

【0020】

本発明の情報記録媒体は、優れた再生耐久性の情報層、特にポリカーボネート基板を含むＬ０層を有し、大容量かつ高信頼性の多層情報記録媒体の実現を可能にする。

【図面の簡単な説明】

【0021】

【図1】実施の形態１に係る情報記録媒体１００の断面図

【発明を実施するための形態】

【0022】

以下、本開示の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。以下の実施の形態は例示的なものであり、本開示は以下の実施の形態に限定されない。
（実施の形態１）
実施の形態１として、レーザ光７を用いて情報の記録及び再生を行う情報記録媒体の一例を説明する。図１に、その光学的情報記録媒体の断面を示す。本実施の形態の情報記録媒体１００は、情報を記録および再生する情報層を、基板１を介して両側にそれぞれ４層ずつ（合計８層）設けており、カバー層５側よりレーザ光７を照射し、各情報層での情報の記録および再生が可能である多層光学的情報記録媒体である。レーザ光７は波長４０５ｎｍ付近の青紫色域のレーザ光である。

【0023】

情報記録媒体１００は、Ａ面情報記録媒体１０１とＢ面情報記録媒体１０２を貼り合わせた、両面の情報記録媒体である。Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２は、それらの基板１の裏面（情報層を有する面とは逆側）にて貼り合わせ層６により貼り合わされている。Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２は各々、基板１上に中間分離層２、３および４などを介して、情報層として順次積層されたＬ０層１０、Ｌ１層２０、Ｌ２層３０およびＬ３層４０を有し、さらに、Ｌ３層４０に接して設けられたカバー層５を有する。Ｌ１層２０、Ｌ２層３０およびＬ３層４０は透過型の情報層である。

【0024】

Ｌ０層１０は、レーザ光７から見て遠い方から近い方に向かって、第１誘電体膜１１、第２誘電体膜１２、記録膜１３および第３誘電体膜１４を、この順に含む。同様にＬ１層２０は、第１誘電体膜２１、記録膜２２および第２誘電体膜２３を、Ｌ２層３０は、第１誘電体膜３１、記録膜３２および第２誘電体膜３３を、L３層４０は、第１誘電体膜４１、記録膜４２および第２誘電体膜４３をこの順に含む。

【0025】

情報記録媒体１００において、案内溝を基板１に形成した場合、本明細書においては、レーザ光７に近い側にある面を便宜的に「グルーブ」と呼び、レーザ光７から遠い側にある面を便宜的に「ランド」と呼ぶ。このグルーブとランドの両方に対応する位置で記録膜に、記録密度を高くしてピットを形成すれば（ランド－グルーブ記録）、１情報層あたりの容量を例えば１６６．７ＧＢにすることができる。情報記録媒体１００においては８つの情報層で情報の記録および再生が可能であるから、情報記録媒体１００は１ＴＢの容量を有するものとして提供できる。案内溝は、後述するとおり、中間分離層２、３および４にも形成してよい。特に、Ｌ１層２０、Ｌ２層３０およびＬ３層４０において、ランド－グルーブ記録を実施する場合には、中間分離層２、３および４に案内溝を形成することが好ましい。

【0026】

３つの情報層の実効反射率は、Ｌ０層１０、Ｌ１層２０、Ｌ２層３０およびＬ３層４０の反射率と、Ｌ１層２０、Ｌ２層３０およびＬ３層４０の透過率を各々調整することにより制御できる。本明細書中では、上記のとおり、４つの情報層を積層した状態で測った各情報層の反射率を、実効反射率と定義する。特に断りがない限り、「実効」と記載していなければ、積層しないで測った反射率を指す。また、反射率Ｒ_ｇはグルーブ部の未記録状態での溝部反射率、反射率Ｒ_ｌはランド部の未記録状態での溝部反射率を示す。

【0027】

本実施の形態では、一例として、Ｌ０層１０の実効反射率Ｒ_ｇが２．３％、実効反射率Ｒ_ｌが２．４％、Ｌ１層２０の実効反射率Ｒ_ｇが２．５％、実効反射率Ｒ_ｌが２．６％、Ｌ２層３０の実効反射率Ｒ_ｇが２．５％、実効反射率Ｒ_ｌが２．６％、Ｌ３層４０の実効反射率Ｒ_ｇが２．６％、実効反射率Ｒ_ｌが２．７％となるように設計した構成を説明する。

【0028】

Ｌ３層３０の透過率が８５％、Ｌ２層３０の透過率が８３％、Ｌ１層２０の透過率が８０％である場合、Ｌ０層１０は反射率Ｒ_ｇが７．５％、反射率Ｒ_ｌが７．７％、Ｌ１層２０は反射率Ｒ_ｇが５．１％、反射率Ｒ_ｌが５．３％、Ｌ２層３０は反射率Ｒ_ｇが３．５％、反射率Ｒ_ｌが３．６％、Ｌ３層４０は反射率Ｒ_ｇが２．６％、反射率Ｒ_ｌが２．７％となるように設計すれば、前述の実効反射率を得ることができる。ここでの透過率は記録膜が未記録状態であるときのグルーブ部およびランド部での平均値を示している。

【0029】

ここで、再生光量について説明する。再生光量は、各層の記録時の実効反射率と再生パワーの積を求め、これを１００で除すことにより（記録時の実効反射率Ｒ（％）×再生パワーＰｒ（ｍＷ）／１００）、求めることができる。

【0030】

第２世代の５００ＧＢアーカイバル・ディスク（片側３つの情報層の情報記録媒体）においては、例えばＬ０層の実効反射率はＲ_ｇが３．０％、Ｒ_ｌが３．１％であった。このことから４層の情報層１０１において、Ｌ０層１０より３層の情報層と少なくとも同等の再生光量を得るためには、グルーブにおいては３．０／２．３≒１．３倍に再生パワーを上げないといけない。Ｌ０層から見たときの手前の層の透過率の合計（４層の情報層でいえばＬ１×Ｌ２×Ｌ３、３層の情報層でいえばＬ１×Ｌ２）は、おおよそでＬ３層分の約８５％になっている、つまりその分だけＬ０層に到達する光のエネルギーは減衰しているが、それでもＬ０層への照射エネルギーは１５％ぐらい高くなっている。

【0031】

また、１ＴＢ容量を実現するにあたり、トラックピッチだけでなく線方向の記録密度も高くしており、再生信号のＳ／Ｎを低下しないため、その分だけ再生パワーをより高くする必要がある。

【0032】

以下、基板１、中間分離層２、中間分離層３、中間分離層４、カバー層５および貼り合わせ層６の機能、材料および厚さについて説明する。

【0033】

基板１の材料として、例えばポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、またはＰＭＭＡ等の樹脂、あるいはガラスを用いることができるが、それらの中で特に安価で高い生産性を有するポリカーボネートが適している。基板１は透明であることが好ましいが、半透明であってもよく、特に透明性は限定されない。また、基板１の形状は特に限定されず、円盤状であってもよい。基板１は、例えば、厚さが約０．５ｍｍであり、直径が約１２０ｍｍである円盤状のものである。

【0034】

基板１のＬ０層１０側の表面には、必要に応じてレーザ光７を導くための凹凸の案内溝が形成されていてもよい。案内溝を基板１に形成した場合、前述した通り、レーザ光７に近い側の溝（面）を「グルーブ」と呼び、レーザ光７から遠い側の溝（面）を「ランド」と呼ぶ。溝深さ（グルーブ面とランド面の段差）は、例えば１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であってよい。ランド－グルーブ記録方式を採用し、かつ高い記録密度で記録する場合、クロストークの影響を低減するために、溝深さはより深く設計してよい。但し、溝を深くすると反射率は下がる傾向にある。クロストークを低減するとともに、反射率を維持できるよう、溝深さは２０ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることが好ましい。実施の形態１ではランド－グルーブ間距離（グルーブの幅方向の中心と、当該グルーブに隣接するランドの幅方向の中心との間の距離）は、約０．１８μｍであるが、これに限定されるものではない。

【0035】

中間分離層２、３および４は、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）、もしくは遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂等からなり、例えばアクリル系樹脂からなる。中間分離層２、３および４は、記録および再生に用いる波長λのレーザ光に対して光吸収が小さいものであると、レーザ光７を効率よくＬ０層１０およびＬ１層２０に到達させることができる。中間分離層２、３および４は、Ｌ０層１０、Ｌ１層２０、Ｌ２層３０およびＬ３層４０のフォーカス位置を区別するために設けられるものである。したがって、中間分離層２、３および４の厚さは、例えば、対物レンズの開口数（ＮＡ）とレーザ光の波長λによって決定される焦点深度ΔＺ以上としてよい。焦点の光強度の基準を無収差の場合の８０％と仮定した場合、ΔＺはΔＺ＝λ／｛２（ＮＡ）^２｝で近似できる。また、Ｌ１層２０、Ｌ２層３０における裏焦点の影響を防ぐため、中間分離層２、中間分離層３、中間分離層４の厚さは異なる値としてよい。

【0036】

中間分離層２、３および４において、レーザ光７の入射側に凹凸の案内溝が形成されていてもよい。中間分離層２、３および４に設ける案内溝の段差、およびランド－グルーブ間距離は、基板１に設けられる案内溝に関して説明したとおりである。実施の形態１では、溝深さ（グルーブ面とランド面の段差）は３０ｎｍ、ランド－グルーブ間距離は、約０．１８μｍとしているが、これらに限定されるものではない。

【0037】

カバー層５は、例えば、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）、もしくは遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂、または誘電体等からなる。カバー層５は、使用するレーザ光に対して光吸収が小さいものであってよい。あるいは、カバー層５は、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、またはポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等の樹脂、あるいはガラスを用いて形成してよい。これらの材料を使用する場合は、カバー層５は、シート状や薄板状であってよい。シート状や薄板状のカバー層５は、例えば、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）または遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を接着剤として、Ｌ２層３０における第２誘電体膜３３に貼り合わせることにより形成してよい。カバー層５の厚さは、例えば、ＮＡ＝０．９１で良好な記録および再生が可能な厚さである４０μｍ～８０μｍ程度としてよく、特に、４５μｍ～６３μｍ程度としてよい。

【0038】

貼り合わせ層６は、例えば、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）または遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂からなり、Ａ面情報記録媒体１０１とＢ面情報記録媒体１０２を接着させている。貼り合わせ層６の透明性は特に限定されず、透明であっても、半透明であってもよい。貼り合わせ層６にはレーザ光７を遮光する膜を設けてもよい。貼り合わせ層６の厚さは５μｍ～８０μｍ程度であってよく、特に２０μｍ～５０μｍ程度であってよい。

【0039】

情報記録媒体１００の厚さをＢＤ規格の媒体と同等の厚さとする場合、中間分離層２、３および４ならびにカバー層５の厚さの総和は１００μｍに設定してよい。例えば、中間分離層２を約１５．５μｍ厚、中間分離層３を約１９．５μｍ厚、中間分離層４を約１１．５μｍ厚、カバー層５を約５３．５μｍ厚に設定してよい。

【0040】

次に各層の膜構成について説明する。

【0041】

まずＬ０層１０の構成について説明する。Ｌ０層１０は基板１の表面上に、少なくとも第１誘電体膜１１、第２誘電体膜１２、記録膜１３および第３誘電体膜１４がこの順に積層されることにより形成される。

【0042】

第１誘電体膜１１は、本発明の特長となす膜であり、本発明の第１誘電体膜１１は基板１との高い密着性を有し、また熱伝導が低いためレーザ光の吸収により記録膜１３で生じた熱が基板１へ拡散を抑制するとこができ、Ｌ０層に優れた再生耐久性を与えることができる。

【0043】

また本発明の第１誘電体膜１１は光学的な位相差を調節して信号振幅を制御する働きを有する。また、第１誘電体膜１１は、記録膜１３への水分の侵入を抑制する働き、および記録膜１３中の酸素が外部へ逃避するのを抑制する働きを有する。

【0044】

第１誘電体膜１１は、基板１の表面上にスパッタで形成する。基板１は成形基板であり、ポリカーボネートが好ましく用いられる。ポリカーボネートは熱可塑性樹脂であって、光重合開始剤は含んでいない。また、低分子成分も少ないため、第１誘電体膜１１のスパッタ中に、揮発する可能性がある成分が少ない。

【0045】

具体的に、第１誘電体膜１１は、ＺｎＳ、またはそれを含む材料である。さらにＳｉＯ_２またはＴｉＯ_２を３０ｍｏｌ％以下で含むことで、ノイズを低減することがで、より高いＳ／Ｎを得ることができる。

【0046】

第１誘電体膜１１の厚さは、例えば、３ｎｍ以上３０ｎｍ以下であって、５ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることが、より基板１との密着性と熱拡散を両立することができ、好ましい。また、第１誘電体膜１１の厚さが３０ｎｍを超えると、第１誘電体膜１１の成膜に要する時間（スパッタ時間）が長くなり生産性が低下することがある。

【0047】

第１誘電体膜１１の組成は、例えば、Ｘ線マイクロアナライザー（ＸＭＡ）、電子線マイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）、ＥＤＳ（エネルギー分散型Ｘ線分析）、またはラザフォード後方散乱分析法（ＲＢＳ）で分析することができる。後述する第１誘電体膜２１、３１、４１、第２誘電体膜１２、２３、３３、４３、記録膜１３、２２、３２、４２、および第３誘電体膜１４も、同様にこれらの手法で含まれる元素、およびその組成を分析することができる。

【0048】

第１誘電体膜１１は、例えばスパッタにより形成されるナノメータオーダの薄膜である。そのため、第１誘電体膜１１に含まれる誘電体は、スパッタ中の金属の欠損、ならびに不可避的な不純物の混入により、厳密に言えば、化学量論組成とならないことがある。この理由により、本実施の形態および他の実施の形態において、第１誘電体膜１１に含まれる酸化物は必ずしも化学量論組成のものでなくてもよい。また、本明細書において化学量論組成で表された材料には、酸素および／または金属の欠損、ならびに不純物の混入等により、厳密に言えば化学量論組成のものではないものも含まれることとする。これは後述する第１誘電体膜２１、３１、４１、第２誘電体膜１２、２３、３３、４３、および第３誘電体膜１４についても同様である。

【0049】

第１誘電体膜１１は、ＺｎとＳから実質的に成っていて、さらにＳｉとＯまたはＴｉＯを含んでいてもよい。

【0050】

ここで「実質的に」という用語は、第１誘電体膜１１が例えばスパッタにより形成される場合には、スパッタ雰囲気に存在する希ガス（Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ）、水分、有機物（Ｃ）、空気、スパッタ室に配置された冶具およびターゲットに含まれる不純物に由来する他の元素が不可避に含まれる場合があることを考慮して使用されている。これら不可避の成分は第１誘電体膜１１に含まれる全原子を１００原子％とした場合、１０原子％を上限として含まれていてもよい。また、後述する第１誘電体膜２１、３１、４１、第２誘電体膜１２、２３、３３、４３、および第３誘電体膜１４についても同様に適用される。

【0051】

第２誘電体膜１２の機能は、光学的な位相差を調節して信号振幅を制御する働きや、記録マークの膨らみを調整して信号振幅を制御する働きを有する。また、第２誘電体膜１２は、記録膜１３への水分の侵入を抑制する働き、および記録膜１３中の酸素が外部へ逃避するのを抑制する働きを有する。

【0052】

第２誘電体膜１２には例えば、Ｚｒ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｏ、Ｚｒ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｙ－Ｏ、Ｚｒ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｍｇ－Ｏ、Ｚｒ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｃａ－Ｏ、Ｚｒ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｇａ－Ｏ、Ｚｒ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ａｌ－Ｏ、Ｚｒ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｙ－Ｇａ－Ｏ、Ｚｒ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｍｇ－Ｇａ－Ｏ、Ｚｒ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｃａ－Ｇａ－Ｏ、Ｚｒ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｙ－Ａｌ－Ｏ、Ｚｒ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｍｇ－Ａｌ－Ｏ、Ｚｒ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｃａ－Ａｌ－Ｏ、Ｚｒ－Ｉｎ－Ｏ、Ｚｒ－Ｉｎ－Ｓｉ－Ｏ、Ｚｒ－Ｉｎ－Ｙ－Ｏ、Ｚｒ－Ｉｎ－Ｍｇ－Ｏ、Ｚｒ－Ｉｎ－Ｃａ－Ｏ、Ｚｒ－Ｉｎ－Ｙ－Ｓｉ－Ｏ、Ｚｒ－Ｉｎ－Ｍｇ－Ｓｉ－Ｏ、Ｚｒ－Ｉｎ－Ｃａ－Ｓｉ－Ｏ、Ｔｉ―Ｏ、Ｎｂ－ＯＴｉ－Ｎｂ－Ｏ等を用いてよい。また第２誘電体膜１２には、上記の系にＨｆが含まれていてもよい。

【0053】

第２誘電体膜１２の厚さは、例えば、３ｎｍ以上３０ｎｍ以下であって、５ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることがより好ましい。３ｎｍ未満であると、第１誘電体膜１１と密着性が低下して、記録膜１３への水分の侵入を抑制する保護機能が低下することがある。３０ｎｍを超えると、Ｌ０層１０の反射率が低下することがある。

【0054】

本発明の記録膜１３は、少なくともＷと、Ｍｎと、酸素とを含み、さらに、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｎｂ、Ｔａ、およびＴｉより選ばれる少なくとも一つの元素を含む。

【0055】

記録膜１３は、少なくともＷと、Ｍｎと、酸素とを含むので、例えば、レーザ光７の照射によって酸素（Ｏ）が分離し、また、Ｏ同士が結合して、記録マークとなる膨張部を形成する。この膨張部の形成は非可逆的な変化であるため、この記録膜１３を備えたＬ０層１０は追記型のものとなる。

【0056】

記録膜１３において、ＷおよびＭｎは、各々Ｗ－Ｏ、Ｍｎ－Ｏの酸化物の形態で存在していてよい。

【0057】

記録膜中のＷ－Ｏは透明な酸化物で、レーザ光が記録膜に照射された際に、酸素を発生して記録膜を膨張させる機能を有する。また、Ｗを含むターゲットを用いて記録膜をＤＣスパッタで形成する際に、ターゲット中のＷは安定にＤＣスパッタを持続させる機能を有する。Ｗが無ければ、記録膜が膨張せず、記録マークの形成が困難になる。Ｗが含まれるターゲットを用い、酸素を導入しながらスパッタにより記録膜を形成すると、Ｗは、記録膜中ではＷ－Ｏとなるか、あるいは他の元素と結合して少なくとも一部が複合酸化物となる。

【0058】

記録膜中のＭｎ－Ｏは光吸収性を有する酸化物であり、レーザ光が記録膜に照射された際に、酸素を発生して記録膜を膨張させる機能を有する。Ｍｎ－Ｏが多いほど変調度は大きくなり、信号品質は向上する。Ｍｎ－Ｏが無ければ、品質のよい記録マークは形成できない。Ｍｎ－Ｏが含まれるターゲットを用い、酸素を導入しながらスパッタにより記録膜を形成すると、Ｍｎ－Ｏは記録膜中でそのまま存在するか、あるいは他の元素と結合して少なくとも一部が複合酸化物となる。

【0059】

さらに、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｎｂ、Ｔａ、およびＴｉより選ばれる少なくとも一つの元素Ｍを含むことにより、高い導電率、大きな変調度、または高い反射率が得られる。

【0060】

記録膜１３において、ＣｕはＣｕ－Ｏの酸化物の形態で存在していてよい。記録膜中のＣｕ－Ｏは光吸収性を有する酸化物であり、記録膜にレーザ光を吸収させる役割を担う。また、ターゲット中のＣｕはターゲットに導電性を付与し、記録膜をＤＣスパッタで形成する際に、安定にＤＣスパッタを持続させる機能を有する。Ｃｕが無いターゲットを用いると、ＤＣスパッタが非常に困難になる。Ｃｕが含まれるターゲットを用い、酸素を導入しながらスパッタにより記録膜を形成すると、Ｃｕは、記録膜中ではＣｕ－Ｏとなるか、あるいは他の元素と結合して少なくとも一部が複合酸化物になる。

【0061】

記録膜１３において、Ｚｎは、Ｚｎ－Ｏの酸化物の形態で存在していてよい。記録膜中のＺｎ－Ｏは導電性を有する酸化物であり、これを含むターゲットを用いてＤＣスパッタにより記録膜を形成すると、ＤＣスパッタの持続性がより安定する。また、Ｚｎ－Ｏの量を調整することで、記録膜の透過率や光吸収率を調整することができる。ただし、ターゲット中にＺｎ－Ｏが含まれていなくてもＤＣスパッタは可能である。Ｚｎ－Ｏが含まれるターゲットを用いて、酸素を導入しながらスパッタにより記録膜を形成すると、Ｚｎ－Ｏは記録膜中でそのまま存在するか、あるいは他の元素と結合して少なくとも一部が複合酸化物となる。

【0062】

記録膜１３において、Ｎｂ、Ｔａ、およびＴｉは、Ｎｂ－Ｏ、Ｔａ－ＯおよびＴｉ－Ｏの酸化物の形態で存在していてよい。Ｎｂ、Ｔａ、およびＴｉはそれぞれ、酸化数の異なる複数の酸化物を形成し得る。一般に酸素の多い酸化物は透明である。例えば、ＮｂＯ（ニオブ２価）とＮｂＯ_２（ニオブ４価）は黒色であるが、Ｎｂ_２Ｏ_５（ニオブ５価）は無色である。マグネリ相の酸化物Ｎｂ_３ｎ＋１Ｏ_８ｎ－２も存在する。ＴａＯ_２（タンタル４価）は黒色であるが、Ｔａ_２Ｏ_５（タンタル５価）は無色である。ＴｉＯ（チタン２価）は黒色、Ｔｉ_２Ｏ_３（チタン３価）は黒紫色であるが、ＴｉＯ_２（チタン４価）は無色である。そのため、記録膜１３の透過率を高めることができる。ＴａはＴａ-Ｏとして存在した場合、記録マークを膨張させる機能に優れた材料である。またＮｂ、Ｔｉは、Ｎｂ－Ｏ、Ｔｉ－Ｏは高屈折率を有し反射率を高めることができる。

【0063】

記録膜１３の膜厚は、１５ｎｍ以上５５ｎｍ以下としてよく、特に２５ｎｍ以上５０ｎｍ以下としてよい。１５ｎｍより薄いと記録膜１３が十分に膨張せず、良好な記録マークが形成されない。５５ｎｍを超えると、反射率が低下して、再生光量が小さくなることがある。また、記録膜１３の厚さが５５ｎｍを超えると、記録膜１３の成膜に要する時間（スパッタ時間）が長くなり生産性が低下することがある。

【0064】

記録膜１３の組成は、例えば、Ｗ－Ｍｎ－Ｏ、Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｚｎ－Ｏ、Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｎｂ－Ｏ、Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｎｂ－Ｚｎ－Ｏ、Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｎｂ－Ｔａ－Ｏ、Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｎｂ－Ｔａ－Ｚｎ－Ｏ、Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｔａ－Ｏ、Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｔａ－Ｚｎ－Ｏ、Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｔｉ－Ｏ、Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｔｉ－Ｚｎ－Ｏ、Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｔｉ－Ｔａ－Ｏ、Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｔｉ－Ｔａ－Ｚｎ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｎｂ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｎｂ－Ｚｎ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｎｂ－Ｔａ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｎｂ－Ｔａ－Ｚｎ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｔａ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｔａ－Ｚｎ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｔｉ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｔｉ－Ｚｎ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｔｉ－Ｔａ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｔｉ－Ｔａ－Ｚｎ－Ｏ等であってよい。

【0065】

記録膜１３中のＷは、透明性の高いＷＯ_３の形態で存在していてよい。記録膜１３には、金属Ｗ、ＷＯ_２、ＷＯ_２とＷＯ_３の中間の酸化物（Ｗ_１８Ｏ_４９、Ｗ_２０Ｏ_５８、Ｗ_５０Ｏ_１４８、Ｗ_４０Ｏ_１１９など）、またはマグネリ相（Ｗ_ｎＯ_３ｎー１）が含まれていてもよい。

【0066】

記録膜１３の膜中のＭｎは、ＭｎＯ、Ｍｎ_３Ｏ_４、Ｍｎ_２Ｏ_３、およびＭｎＯ_２から選ばれる少なくとも一つの酸化物の形態で存在していてよい。記録膜１３には、金属Ｍｎが含まれていてもよい。

【0067】

記録膜１３中のＣｕは、ＣｕＯまたはＣｕ_２Ｏの形態で存在していてよい。記録膜１３には、金属Ｃｕが含まれていてもよい。

【0068】

記録膜１３中のＮｂは、無色のＮｂ_２Ｏ_５またはＮｂＯ_ｘの形態で存在していてよい。Ｎｂ_２Ｏ_５とＮｂＯ_ｘが混在していてもよい。記録膜１３には、ＮｂＯ、ＮｂＯ_２、またはマグネリ相（Ｎｂ_３ｎ＋１Ｏ_８ｎ－２）が含まれていてもよい。記録膜１３には、金属Ｎｂが含まれていてもよい。

【0069】

記録膜１３中のＴａは、無色のＴａ_２Ｏ_５の形態で存在していてよい。記録膜１３には、ＴａＯ_２が含まれていてもよい。記録膜１３には、金属Ｔａが含まれていてもよい。

【0070】

記録膜１３中のＴｉは、無色のＴｉＯ_２またはＴｉＯ_ｘの形態で存在していてよい。ＴｉＯ_２とＴｉＯ_ｘが混在していてもよい。記録膜１３には、ＴｉＯ、Ｔｉ_２Ｏ_３、Ｔｉ_２Ｏ_５、またはマグネリ相（Ｔｉ_ｎＯ_２ｎ－１）が含まれていてもよい。記録膜１３には、金属Ｔｉが含まれていてもよい。

【0071】

記録膜１３中には、Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、および元素Ｍから選択される２以上の金属を含む複合酸化物が存在してもよい。

【0072】

記録膜１３の組成が、例えば、Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｚｎ－Ｏである場合、記録膜１３の系は、ＷＯ_３－ＣｕＯ－ＭｎＯ_２－ＺｎＯ、ＷＯ_３－ＣｕＯ－Ｍｎ_２Ｏ_３－ＺｎＯ、ＷＯ_３－ＣｕＯ－Ｍｎ_３Ｏ_４－ＺｎＯ、ＷＯ_３－ＣｕＯ－ＭｎＯ－ＺｎＯ、ＷＯ_３－Ｃｕ_２Ｏ－ＭｎＯ_２－ＺｎＯ、ＷＯ_３－Ｃｕ_２Ｏ－Ｍｎ_２Ｏ_３－ＺｎＯ、ＷＯ_３－Ｃｕ_２Ｏ－Ｍｎ_３Ｏ_４－ＺｎＯ、およびＷＯ_３－Ｃｕ_２Ｏ－ＭｎＯ－ＺｎＯ等であってよい。あるいは酸化タングステンのマグネリ相を含んでもよい。これらの系において、複合酸化物、混合酸化物、亜酸化物、および高酸化数酸化物を形成してよい。

【0073】

記録膜１３の組成が、例えば、Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｎｂ－Ｏである場合、記録膜１３の系は、ＷＯ_３－ＣｕＯ－ＭｎＯ_２－Ｎｂ_２Ｏ_５、ＷＯ_３－ＣｕＯ－Ｍｎ_２Ｏ_３－Ｎｂ_２Ｏ_５、ＷＯ_３－ＣｕＯ－Ｍｎ_３Ｏ_４－Ｎｂ_２Ｏ_５、ＷＯ_３－ＣｕＯ－ＭｎＯ－Ｎｂ_２Ｏ_５、ＷＯ_３－Ｃｕ_２Ｏ－ＭｎＯ_２－Ｎｂ_２Ｏ_５、ＷＯ_３－Ｃｕ_２Ｏ－Ｍｎ_２Ｏ_３－Ｎｂ_２Ｏ_５、ＷＯ_３－Ｃｕ_２Ｏ－Ｍｎ_３Ｏ_４－Ｎｂ_２Ｏ_５、ＷＯ_３－Ｃｕ_２Ｏ－ＭｎＯ－Ｎｂ_２Ｏ_５、ＷＯ_３－ＣｕＯ－ＭｎＯ_２－ＮｂＯ、ＷＯ_３－ＣｕＯ－Ｍｎ_２Ｏ_３－ＮｂＯ、ＷＯ_３－ＣｕＯ－Ｍｎ_３Ｏ_４－ＮｂＯ、ＷＯ_３－ＣｕＯ－ＭｎＯ－ＮｂＯ、ＷＯ_３－Ｃｕ_２Ｏ－ＭｎＯ_２－ＮｂＯ、ＷＯ_３－Ｃｕ_２Ｏ－Ｍｎ_２Ｏ_３－ＮｂＯ、ＷＯ_３－Ｃｕ_２Ｏ－Ｍｎ_３Ｏ_４－ＮｂＯ、ＷＯ_３－Ｃｕ_２Ｏ－ＭｎＯ－ＮｂＯ、ＷＯ_３－ＣｕＯ－ＭｎＯ_２－ＮｂＯ_２、ＷＯ_３－ＣｕＯ－Ｍｎ_２Ｏ_３－ＮｂＯ_２、ＷＯ_３－ＣｕＯ－Ｍｎ_３Ｏ_４－ＮｂＯ_２、ＷＯ_３－ＣｕＯ－ＭｎＯ－ＮｂＯ_２、ＷＯ_３－Ｃｕ_２Ｏ－ＭｎＯ_２－ＮｂＯ_２、ＷＯ_３－Ｃｕ_２Ｏ－Ｍｎ_２Ｏ_３－ＮｂＯ_２、ＷＯ_３－Ｃｕ_２Ｏ－Ｍｎ_３Ｏ_４－ＮｂＯ_２、ＷＯ_３－Ｃｕ_２Ｏ－ＭｎＯ－ＮｂＯ_２等であってよい。ここに示した系において、Ｎｂ_２Ｏ_５に代えてＮｂＯ_ｘが存在していてもよく、Ｎｂ_２Ｏ_５およびＮｂＯ_ｘが混在していてもよい。あるいは酸化タングステン、酸化ニオブのマグネリ相を含んでもよい。これらの系において、複合酸化物、混合酸化物、亜酸化物、および高酸化数酸化物を形成してよい。さらに、ここに示した系において、ＺｎＯを含んでもよい。

【0074】

記録膜１３の組成が、例えば、Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｔａ－Ｏである場合、記録膜１３の系は、ＷＯ_３－ＣｕＯ－ＭｎＯ_２－Ｔａ_２Ｏ_５、ＷＯ_３－ＣｕＯ－Ｍｎ_２Ｏ_３－Ｔａ_２Ｏ_５、ＷＯ_３－ＣｕＯ－Ｍｎ_３Ｏ_４－Ｔａ_２Ｏ_５、ＷＯ_３－ＣｕＯ－ＭｎＯ－Ｔａ_２Ｏ_５、ＷＯ_３－Ｃｕ_２Ｏ－ＭｎＯ_２－Ｔａ_２Ｏ_５、ＷＯ_３－Ｃｕ_２Ｏ－Ｍｎ_２Ｏ_３－Ｔａ_２Ｏ_５、ＷＯ_３－Ｃｕ_２Ｏ－Ｍｎ_３Ｏ_４－Ｔａ_２Ｏ_５、ＷＯ_３－Ｃｕ_２Ｏ－ＭｎＯ－Ｔａ_２Ｏ_５、ＷＯ_３－ＣｕＯ－ＭｎＯ_２－ＴａＯ_２、ＷＯ_３－ＣｕＯ－Ｍｎ_２Ｏ_３－ＴａＯ_２、ＷＯ_３－ＣｕＯ－Ｍｎ_３Ｏ_４－ＴａＯ_２、ＷＯ_３－ＣｕＯ－ＭｎＯ－ＴａＯ_２、ＷＯ_３－Ｃｕ_２Ｏ－ＭｎＯ_２－ＴａＯ_２、ＷＯ_３－Ｃｕ_２Ｏ－Ｍｎ_２Ｏ_３－ＴａＯ_２、ＷＯ_３－Ｃｕ_２Ｏ－Ｍｎ_３Ｏ_４－ＴａＯ_２、およびＷＯ_３－Ｃｕ_２Ｏ－ＭｎＯ－ＴａＯ_２等であってよい。あるいは酸化タングステンのマグネリ相を含んでもよい。これらの系において、複合酸化物、混合酸化物、亜酸化物、および高酸化数酸化物を形成してよい。

【0075】

記録膜１３の組成が、例えば、Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｔｉ－Ｏである場合、記録膜１３の系は、ＷＯ_３－ＣｕＯ－ＭｎＯ_２－ＴｉＯ_２、ＷＯ_３－ＣｕＯ－Ｍｎ_２Ｏ_３－ＴｉＯ_２、ＷＯ_３－ＣｕＯ－Ｍｎ_３Ｏ_４－ＴｉＯ_２、ＷＯ_３－ＣｕＯ－ＭｎＯ－ＴｉＯ_２、ＷＯ_３－Ｃｕ_２Ｏ－ＭｎＯ_２－ＴｉＯ_２、ＷＯ_３－Ｃｕ_２Ｏ－Ｍｎ_２Ｏ_３－ＴｉＯ_２、ＷＯ_３－Ｃｕ_２Ｏ－Ｍｎ_３Ｏ_４－ＴｉＯ_２、ＷＯ_３－Ｃｕ_２Ｏ－ＭｎＯ－ＴｉＯ_２等であってよい。ＴｉＯ_２に代えてＴｉＯ_ｘが存在していてもよく、ＴｉＯ_２およびＴｉＯ_ｘが混在していてもよい。あるいは酸化タングステン、酸化チタンのマグネリ相を含んでもよい。これらの系において、複合酸化物、混合酸化物、亜酸化物、および高酸化数酸化物を形成してよい。さらに、ここに示した系において、ＺｎＯを含んでもよい。

【0076】

記録膜１３の組成が、例えば、Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｔａ－Ｚｎ－Ｏである場合、記録膜１３の系は、ＷＯ_３－ＣｕＯ－ＭｎＯ_２－Ｔａ_２Ｏ_５－ＺｎＯ、ＷＯ_３－ＣｕＯ－Ｍｎ_２Ｏ_３－Ｔａ_２Ｏ_５－ＺｎＯ、ＷＯ_３－ＣｕＯ－Ｍｎ_３Ｏ_４－Ｔａ_２Ｏ_５－ＺｎＯ、ＷＯ_３－ＣｕＯ－ＭｎＯ－Ｔａ_２Ｏ_５－ＺｎＯ、ＷＯ_３－Ｃｕ_２Ｏ－ＭｎＯ_２－Ｔａ_２Ｏ_５－ＺｎＯ、ＷＯ_３－Ｃｕ_２Ｏ－Ｍｎ_２Ｏ_３－Ｔａ_２Ｏ_５－ＺｎＯ、ＷＯ_３－Ｃｕ_２Ｏ－Ｍｎ_３Ｏ_４－Ｔａ_２Ｏ_５－ＺｎＯ、ＷＯ_３－Ｃｕ_２Ｏ－ＭｎＯ－Ｔａ_２Ｏ_５－ＺｎＯ、ＷＯ_３－ＣｕＯ－ＭｎＯ_２－ＴａＯ_２－ＺｎＯ、ＷＯ_３－ＣｕＯ－Ｍｎ_２Ｏ_３－ＴａＯ_２－ＺｎＯ、ＷＯ_３－ＣｕＯ－Ｍｎ_３Ｏ_４－ＴａＯ_２－ＺｎＯ、ＷＯ_３－ＣｕＯ－ＭｎＯ－ＴａＯ_２－ＺｎＯ、ＷＯ_３－Ｃｕ_２Ｏ－ＭｎＯ_２－ＴａＯ_２－ＺｎＯ、ＷＯ_３－Ｃｕ_２Ｏ－Ｍｎ_２Ｏ_３－ＴａＯ_２－ＺｎＯ、ＷＯ_３－Ｃｕ_２Ｏ－Ｍｎ_３Ｏ_４－ＴａＯ_２－ＺｎＯ、ＷＯ_３－Ｃｕ_２Ｏ－ＭｎＯ－ＴａＯ_２－ＺｎＯ等であってよい。あるいは酸化タングステンのマグネリ相を含んでもよい。これらの系において、複合酸化物、混合酸化物、亜酸化物、および高酸化数酸化物を形成してよい。

【0077】

記録膜１３に含まれる酸素の割合は、金属元素と酸素の原子数の合計を１００原子％としたときに、６０原子％以上８０原子％以下であってよい。酸素の割合が６０原子％未満であると、吸収率が高くなり、再生耐久性の悪化や、再生光量の低下が生じることがある。酸素の割合が８０原子％を超えると、記録感度が悪くなりすぎて、記録に大きなパワーが必要になり、高速記録も困難になる。

【0078】

記録膜１３は、Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、酸素、および元素Ｍから実質的になっていてよい。ここで、「実質的に」という用語は、記録膜１３が例えばスパッタにより形成される場合には、スパッタ雰囲気に存在する希ガス（Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ）、水分、有機物（Ｃ）、空気、スパッタ室に配置された冶具およびターゲットに含まれる不純物に由来する他の元素が不可避に含まれる場合があることを考慮して使用されている。これら不可避の成分は記録膜１３に含まれる全原子を１００原子％とした場合、１０原子％を上限として含まれていてもよい。これは、後述する記録膜２２、３２、４２に関して、「実質的に」という用語を用いる場合に同様に適用される。

【0079】

記録膜１３は、例えばスパッタにより形成されるナノメータオーダの薄膜である。そのため、記録膜１３に含まれる酸化物は、スパッタ中の酸素および／または金属の欠損、ならびに不可避的な不純物の混入により、厳密に言えば、化学量論組成とならないことがある。この理由により、本実施の形態および他の実施の形態において、記録膜１３に含まれる酸化物は必ずしも化学量論組成のものでなくてもよい。また、本明細書において化学量論組成で表された材料には、酸素および／または金属の欠損、ならびに不純物の混入等により、厳密に言えば化学量論組成のものではないものも含まれることとする。また、複合酸化物、混合酸化物、亜酸化物、および高酸化数酸化物を形成してよい。これは後述する記録膜２２、３２、４２についても同様である。

【0080】

第３誘電体膜１４の機能は、前述した第２誘電体膜１２のそれと同様である。第３誘電体膜１４の材料は、第２誘電体膜１２と同様の材料を用いてよい。

【0081】

第３誘電体膜１４の厚さは、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下であってよい。５ｎｍ未満であると、保護機能が低下して、記録膜１３への水分の侵入を抑制できなくなることがあり、３０ｎｍを超えると、Ｌ０層１０の反射率が下がることがある。

【0082】

第１誘電体膜１１、第２誘電体膜１２、記録膜１３、および第３誘電体膜１４の具体的な厚さはマトリクス法（例えば、久保田広著「波動光学」岩波書店、１９７１年、第３章参照。）に基づく計算により設計できる。各膜の厚さを調整することにより、記録膜１３が未記録の場合と記録の場合の各反射率、および記録部－未記録部間での反射光の位相差を調整して、再生信号の信号品質を最適化することが可能である。

【0083】

次にＬ１層２０の構成について説明する。Ｌ１層２０は、中間分離層２の表面上に、少なくとも第１誘電体膜２１、録膜２２および第２誘電体膜２３が積層されてもよい。

【0084】

第１誘電体膜２１の機能は、光学的な位相差を調節して信号振幅を制御する働きや、記録マークの膨らみを調整して信号振幅を制御する働きを有する。また、第１誘電体膜２１は、記録膜２２への水分の侵入を抑制する働き、および記録膜２２中の酸素が外部へ逃避するのを抑制する働きを有する。第１誘電体膜２１の材料は、前述したＬ０層１０の第２誘電体膜１２と同様の材料を用いてよい。

【0085】

第１誘電体膜２１の厚さは、例えば、５ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることが好ましい。５ｎｍ未満であると中間分離層２と密着性が低下して、記録膜２２への水分の侵入を抑制する保護機能が低下することがある。４０ｎｍを超えると、Ｌ１層２０の反射率が低下することがある。また、第１誘電体膜２１の厚さが４０ｎｍを超えると、第１誘電体膜２１の成膜に要する時間（スパッタ時間）が長くなり生産性が低下することがある。

【0086】

記録膜２２の機能は、前述したＬ０層１０の記録膜１３と同様の働きを有する。記録膜２２の材料は、前述したＬ０層１０の記録膜１３と同様の材料を用いることができ、少なくともＷと、Ｍｎと、酸素とを含むので、例えば、レーザ光７の照射によって酸素（Ｏ）が分離し、また、Ｏ同士が結合して、記録マークとなる膨張部を形成する。この膨張部の形成は非可逆的な変化であるため、この記録膜２２を備えたＬ１層２０は追記型のものとなる。

【0087】

記録膜２２の膜厚は、１５ｎｍ以上５５ｎｍ以下としてよく、特に２５ｎｍ以上５０ｎｍ以下としてよい。１５ｎｍより薄いと記録膜２２が十分に膨張せず、良好な記録マークが形成されない。５５ｎｍを超えると、反射率が低下して、再生光量が小さくなることがある。また、記録膜２２の厚さが５０ｎｍを超えると、記録膜２２の成膜に要する時間（スパッタ時間）が長くなり生産性が低下することがある。

【0088】

第２誘電体膜２３の機能は、前述したＬ０層１０の第３誘電体膜１４のそれと同様である。第２誘電体膜２３の材料は、前述したＬ０層１０の第３誘電体膜１４と同様の材料を用いてよい。

【0089】

第２誘電体膜２３の厚さは、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下であってよい。５ｎｍ未満であると、保護機能が低下して、記録膜２２への水分の侵入を抑制できなくなることがあり、３０ｎｍを超えると、Ｌ１層２０の反射率が下がることがある。

【0090】

第１誘電体膜２１、記録膜２２および第２誘電体膜２３の具体的な厚さはマトリクス法（例えば、久保田広著「波動光学」岩波書店、１９７１年、第３章参照。）に基づく計算により設計できる。各膜の厚さを調整することにより、記録膜１３が未記録の場合と記録の場合の各反射率、および記録部－未記録部間での反射光の位相差を調整して、再生信号の信号品質を最適化することが可能である。

【0091】

次にＬ２層３０の構成について説明する。Ｌ２層３０は、中間分離層３の表面上に、少なくとも第１誘電体膜３１、録膜３２および第２誘電体膜３３が積層されてもよい。

【0092】

第１誘電体膜３１の機能は、光学的な位相差を調節して信号振幅を制御する働きや、記録マークの膨らみを調整して信号振幅を制御する働きを有する。また、第１誘電体膜３１は、記録膜３２への水分の侵入を抑制する働き、および記録膜３２中の酸素が外部へ逃避するのを抑制する働きを有する。第１誘電体膜３１の材料は、前述したＬ０層１０の第２誘電体膜１２と同様の材料を用いてよい。

【0093】

第１誘電体膜３１の厚さは、例えば、５ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることが好ましい。５ｎｍ未満であると中間分離層３と密着性が低下して、記録膜３２への水分の侵入を抑制する保護機能が低下することがある。４０ｎｍを超えると、Ｌ２層３０の反射率が低下することがある。また、第１誘電体膜３１の厚さが４０ｎｍを超えると、第１誘電体膜３１の成膜に要する時間（スパッタ時間）が長くなり生産性が低下することがある。

【0094】

記録膜３２の機能は、前述したＬ０層１０の記録膜１３と同様の働きを有する。記録膜３２の材料は、前述したＬ０層１０の記録膜１３と同様の材料を用いることができ、少なくともＷと、Ｍｎと、酸素とを含むので、例えば、レーザ光７の照射によって酸素（Ｏ）が分離し、また、Ｏ同士が結合して、記録マークとなる膨張部を形成する。この膨張部の形成は非可逆的な変化であるため、この記録膜３２を備えたＬ２層３０は追記型のものとなる。

【0095】

記録膜３２の膜厚は、１５ｎｍ以上５５ｎｍ以下としてよく、特に２５ｎｍ以上５０ｎｍ以下としてよい。１５ｎｍより薄いと記録膜３２が十分に膨張せず、良好な記録マークが形成されない。５５ｎｍを超えると、反射率が低下して、再生光量が小さくなることがある。また、記録膜３２の厚さが５０ｎｍを超えると、記録膜３２の成膜に要する時間（スパッタ時間）が長くなり生産性が低下することがある。

【0096】

第２誘電体膜３３の機能は、前述したＬ０層１０の第３誘電体膜１４のそれと同様である。第２誘電体膜３３の材料は、前述したＬ０層１０の第３誘電体膜１４と同様の材料を用いてよい。

【0097】

第２誘電体膜３３の厚さは、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下であってよい。５ｎｍ未満であると、保護機能が低下して、記録膜３２への水分の侵入を抑制できなくなることがあり、３０ｎｍを超えると、Ｌ２層３０の反射率が下がることがある。

【0098】

第１誘電体膜３１、記録膜３２および第２誘電体膜３３の具体的な厚さはマトリクス法（例えば、久保田広著「波動光学」岩波書店、１９７１年、第３章参照。）に基づく計算により設計できる。各膜の厚さを調整することにより、記録膜１３が未記録の場合と記録の場合の各反射率、および記録部－未記録部間での反射光の位相差を調整して、再生信号の信号品質を最適化することが可能である。

【0099】

次にＬ３層４０の構成について説明する。Ｌ３層４０は、中間分離層４の表面上に、少なくとも第１誘電体膜４１、録膜４２および第２誘電体膜４３が積層されてもよい。

【0100】

第１誘電体膜４１の機能は、光学的な位相差を調節して信号振幅を制御する働きや、記録マークの膨らみを調整して信号振幅を制御する働きを有する。また、第１誘電体膜４１は、記録膜４２への水分の侵入を抑制する働き、および記録膜４２中の酸素が外部へ逃避するのを抑制する働きを有する。第１誘電体膜４１の材料は、前述したＬ０層１０の第２誘電体膜１２と同様の材料を用いてよい。

【0101】

第１誘電体膜４１の厚さは、例えば、５ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることが好ましい。５ｎｍ未満であると中間分離層４と密着性が低下して、記録膜４２への水分の侵入を抑制する保護機能が低下することがある。４０ｎｍを超えると、Ｌ３層４０の反射率が低下することがある。また、第１誘電体膜４１の厚さが４０ｎｍを超えると、第１誘電体膜４１の成膜に要する時間（スパッタ時間）が長くなり生産性が低下することがある。

【0102】

記録膜４２の機能は、前述したＬ０層１０の記録膜１３と同様の働きを有する。記録膜４２の材料は、前述したＬ０層１０の記録膜１３と同様の材料を用いることができ、少なくともＷと、Ｍｎと、酸素とを含むので、例えば、レーザ光７の照射によって酸素（Ｏ）が分離し、また、Ｏ同士が結合して、記録マークとなる膨張部を形成する。この膨張部の形成は非可逆的な変化であるため、この記録膜４２を備えたＬ３層４０は追記型のものとなる。

【0103】

記録膜４２の膜厚は、１５ｎｍ以上５５ｎｍ以下としてよく、特に２５ｎｍ以上５０ｎｍ以下としてよい。１５ｎｍより薄いと記録膜４２が十分に膨張せず、良好な記録マークが形成されない。５５ｎｍを超えると、反射率が低下して、再生光量が小さくなることがある。また、記録膜４２の厚さが５０ｎｍを超えると、記録膜４２の成膜に要する時間（スパッタ時間）が長くなり生産性が低下することがある。

【0104】

第２誘電体膜４３の機能は、前述したＬ０層１０の第３誘電体膜１４のそれと同様である。第２誘電体膜４３の材料は、前述したＬ０層１０の第３誘電体膜１４と同様の材料を用いてよい。

【0105】

第２誘電体膜４３の厚さは、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下であってよい。５ｎｍ未満であると、保護機能が低下して、記録膜４２への水分の侵入を抑制できなくなることがあり、３０ｎｍを超えると、Ｌ３層４０の反射率が下がることがある。

【0106】

第１誘電体膜４１、記録膜４２および第２誘電体膜４３の具体的な厚さはマトリクス法（例えば、久保田広著「波動光学」岩波書店、１９７１年、第３章参照。）に基づく計算により設計できる。各膜の厚さを調整することにより、記録膜１３が未記録の場合と記録の場合の各反射率、および記録部－未記録部間での反射光の位相差を調整して、再生信号の信号品質を最適化することが可能である。

【0107】

第１誘電体膜１１、２１、３１、４１、第２誘電体膜１２、２３、３３、４３、第３誘電体膜１４、および記録膜１３、２２、３２、４２は、これらを構成する酸化物を混合したターゲットを用いて、ＲＦスパッタまたはＤＣスパッタにより形成してよい。あるいは、これらの膜は、酸素を含まない合金ターゲットを用いて、酸素導入下でのＲＦスパッタ、または酸素導入下でのＤＣスパッタにより形成してよい。あるいはまた、各酸化物のターゲットをそれぞれ個別の電源に取り付けて、同時にＲＦスパッタまたはＤＣスパッタに付す方法で、これらの膜を形成してよい（マルチスパッタリング法）。ＲＦスパッタとＤＣスパッタは同時に実施してもよい。さらに別の膜形成方法としては、金属の単体もしくは合金からなるターゲット、または酸化物のターゲットをそれぞれ個別の電源に取り付けて、必要に応じて酸素を導入しなら同時にＲＦスパッタする方法や、同時にＤＣスパッタする方法が挙げられる。あるいは、金属と酸化物を混合してなるターゲットを用い、酸素を導入しながら、ＲＦスパッタまたはＤＣスパッタする方法により、これらの膜を形成してよい。

【0108】

実施の形態１の変形例においては、本実施の形態に示す情報記録媒体１００において、いずれかの情報層の記録膜が、Ｔｅ－Ｏ－ＰｄまたはＧｅ－Ｂｉ－Ｏ等の他の記録膜、すなわち本発明のＷ－Ｏ系記録膜以外の記録膜であってもよい。あるいは、他の変形例においては、必要に応じて、反射膜および上記において例示していない材料から成る誘電体膜を設けてもよい。本開示に係る技術の効果は、これらの変形例においても達成される。

【0109】

情報記録媒体１００の記録方式は、線速度一定のＣｏｎｓｔａｎｔＬｉｎｅａｒＶｅｌｏｃｉｔｙ（ＣＬＶ）、回転数一定のＣｏｎｓｔａｎｔＡｎｇｕｌａｒＶｅｌｏｃｉｔｙ（ＣＡＶ）、ＺｏｎｅｄＣＬＶおよびＺｏｎｅｄＣＡＶのいずれであってよく、２値記録、または多値記録方式を使うことができる。

【0110】

本実施の形態の情報記録媒体１００への情報の記録および再生は、対物レンズの開口数ＮＡが０．９１である光学系で実施してよく、あるいはＮＡ＞１の光学系で実施してよい。光学系としてはＳｏｌｉｄＩｍｍｅｒｓｉｏｎＬｅｎｓ（ＳＩＬ）、またはＳｏｌｉｄＩｍｍｅｒｓｉｏｎＭｉｒｒｏｒ（ＳＩＭ）を使用してもよい。この場合、中間分離層２、３および４、ならびにカバー層５は５μｍ以下の厚さとしてよい。あるいは、近接場光を利用した光学系を用いてもよい。
（実施の形態２）
次に、実施の形態１で説明した情報記録媒体１００の製造方法を、実施の形態２として説明する。

【0111】

Ｌ０層１０を構成する第１誘電体膜１１、第２誘電体膜１２、記録膜１３および第３誘電体膜１４は気相成膜法の一つであるスパッタリング法（スパッタ）により形成できる。

【0112】

まず、基板１（例えば、厚み０．５ｍｍ、直径１２０ｍｍ）を成膜装置内に配置する。
続けて、まず第１誘電体膜１１を成膜する。このとき、基板１に螺旋状の案内溝が形成されているときは、この案内溝側に第１誘電体膜１１を成膜する。

【0113】

第１誘電体膜１１は、得ようとする組成に応じたスパッタリングターゲットを用いて、希ガス雰囲気、または希ガスと反応ガス（例えば、酸素ガス）との混合ガス雰囲気中でスパッタすることにより形成される。希ガスは、例えば、Ａｒガス、Ｋｒガス、またはＸｅガスであるが、コスト面ではＡｒガスが有利である。これはスパッタの雰囲気ガスを希ガスまたはその混合ガスとする、いずれのスパッタについてもあてはまる。また、第１誘電体膜１１はマルチスパッタリングを実施して形成してよい。

【0114】

続いて、第１誘電体膜１１上に第２誘電体膜１２を成膜する。第２誘電体膜１２は、第２誘電体膜１２の組成に応じたターゲットを用いて、希ガス雰囲気、または希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気でスパッタリングを実施することにより形成できる。また、第２誘電体膜１２はマルチスパッタリングを実施して形成してよい。第２誘電体膜１２を形成するターゲットの比抵抗値は好ましくは１Ω・ｃｍ以下である。これによりＤＣスパッタ、またはパルスＤＣスパッタが可能になる。

【0115】

続いて、記録膜１３を成膜する。記録膜１３は、その組成に応じて、金属合金または金属－酸化物の混合物からなるターゲットを用いて、希ガス雰囲気中または希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中におけるスパッタリングを実施することにより形成できる。記録膜１３の厚さが第１誘電体膜１１などの誘電体膜より厚いので、生産性を考慮し、記録膜１３は、ＲＦスパッタリングより高い成膜レートが期待できるＤＣスパッタリング、またはパルスＤＣスパッタリングを用いて成膜することが好ましい。記録膜１３中に多くの酸素を含有させるため、雰囲気ガス中に多量の酸素ガスを混合することが好ましい。記録膜１３はマルチスパッタリングを実施して形成してよい。

【0116】

具体的には、記録膜１３の成膜に際して合金ターゲットまたは混合物ターゲットを用いる場合、ターゲットの組成は、Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｎｂ、Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｚｎ、Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｍｏ、Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｔａ、Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｔｉ、
Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ_３Ｏ_４－Ｎｂ、Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ_３Ｏ_４－ＺｎＯ、Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ_３Ｏ_４－Ｍｏ、Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ_３Ｏ_４－Ｔａ、Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ_３Ｏ_４－Ｔｉ、Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ_３Ｏ_４－Ｔａ、Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ_３Ｏ_４－Ｔａ－ＺｎＯ、
等であってよい。

【0117】

続いて、記録膜１３上に第３誘電体膜１４を成膜する。第３誘電体膜１４は、第３誘電体膜１４の組成に応じたターゲットを用いて、希ガス雰囲気、または希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気でスパッタリングを実施することにより形成できる。また、第３誘電体膜１４はマルチスパッタリングを実施して形成してよい。第３誘電体膜１４を形成するターゲットの比抵抗値は好ましくは１Ω・ｃｍ以下である。これによりＤＣスパッタ、またはパルスＤＣスパッタが可能になる。

【0118】

続いて、第３誘電体膜１４上に中間分離層２を形成する。中間分離層２は、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂（例えばアクリル系樹脂）をＬ０層１０上に塗布しスピンコートした後に、樹脂を硬化させることにより形成できる。中間分離層２に案内溝を設ける場合、表面に所定の形状の溝が形成された転写用基板（型）を硬化前の樹脂に密着させた状態でスピンコートした後に樹脂を硬化させ、さらにその後、転写用基板を硬化した樹脂から剥がす方法で中間分離層２を形成してよい。また、中間分離層２は二段階で形成してよく、具体的には、厚みの大部分を占める部分を先にスピンコート法で形成し、次に案内溝を有する部分を、スピンコート法と転写用基板による転写との組み合わせにより形成してよい。

【0119】

続いて、Ｌ１層２０を形成する。具体的には、まず、第１誘電体膜２１を中間分離層２の上に形成する。第１誘電体膜２１は、前述した第２誘電体膜１２と同様の方法で、得ようとする組成に応じたターゲットを用いて形成できる。続いて、第１誘電体膜２１上に記録膜２２を形成する。記録膜２２は、前述した記録膜１３と同様の方法で、得ようとする組成に応じたターゲットを用いて形成できる。続いて、記録膜２２上に第２誘電体膜２３を形成する。第２誘電体膜２３は、前述した第３誘電体膜１４と同様の方法で、得ようとする組成に応じたターゲットを用いて形成できる。

【0120】

続いて、第２誘電体膜２３上に中間分離層３を形成する。中間分離層３は、前述した中間分離層２と同様の方法で形成できる。

【0121】

続いて、Ｌ２層３０を形成する。Ｌ２層３０は、基本的には前述したＬ１層２０と同様の方法で形成できる。まず、中間分離層３上に第１誘電体膜３１を形成する。第１誘電体膜３１は、前述した第２誘電体膜１２と同様の方法で、得ようとする組成に応じたターゲットを用いて形成できる。

【0122】

続いて、第１誘電体膜３１上に記録膜３２を形成する。記録膜３２は、前述した記録膜１３と同様の方法で、得ようとする組成に応じたターゲットを用いて形成できる。続いて、記録膜３２上に第２誘電体膜３３を形成する。第２誘電体膜３３は、前述した第３誘電体膜１４と同様の方法で、得ようとする組成に応じたターゲットを用いて形成できる。

【0123】

続いて、Ｌ３層４０を形成する。Ｌ３層４０は、基本的には前述したＬ１層２０と同様の方法で形成できる。まず、中間分離層４上に第１誘電体膜４１を形成する。第１誘電体膜４１は、前述した第２誘電体膜１２と同様の方法で、得ようとする組成に応じたターゲットを用いて形成できる。

【0124】

続いて、第１誘電体膜４１上に記録膜４２を形成する。記録膜４２は、前述した記録膜１３と同様の方法で、得ようとする組成に応じたターゲットを用いて形成できる。続いて、記録膜４２上に第２誘電体膜４３を形成する。第２誘電体膜４３は、前述した第３誘電体膜１４と同様の方法で、得ようとする組成に応じたターゲットを用いて形成できる。

【0125】

いずれの誘電体膜および記録膜も、スパッタリング時の供給電力を１０Ｗ～１０ｋＷとし、成膜室の圧力を０．０１Ｐａ～１０Ｐａとして形成してよい。

【0126】

続いて、第２誘電体膜４３上にカバー層５を形成する。カバー層５は、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）または遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を第２誘電体膜４３上に塗布し、スピンコートした後に、樹脂を硬化させることにより形成できる。あるいは、カバー層５は、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、もしくはポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等の樹脂、またはガラスから成る円盤状の基板を貼り合わせる方法で形成してよい。具体的には、第２誘電体膜３３に光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）または遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を塗布し、塗布した樹脂に基板を密着させた状態でスピンコートを実施して樹脂を均一に延ばし、その後、樹脂を硬化させる方法でカバー層５を形成できる。

【0127】

なお、各層の成膜方法として、スパッタリング法以外に、真空蒸着法、イオンプレーティング法、化学気相堆積法（ＣＶＤ法：ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）および分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法：ＭｏｌｅｃｕｌａｒＢｅａｍＥｐｉｔａｘｙ）を用いることも可能である。

【0128】

このようにしてＡ面情報記録媒体１０１を製造することができる。また必要に応じ、基板１およびＬ０層１０に、ディスクの識別コード（例えば、ＢＣＡ（ＢｕｒｓｔＣｕｔｔｉｎｇＡｒｅａ））が含まれるようにしてもよい。例えば、ポリカーボネート製の基板１に識別コードを付ける場合、基板１を成形した後に、ＣＯ_２レーザなどを用いて、ポリカーボネートを溶解・気化することにより、識別コードを付けることができる。また、Ｌ０層１０に識別コードを付ける場合、半導体レーザなどを用いて、記録膜１３に記録を行う、または記録膜１３を分解することによって、識別コードを付けることができる。Ｌ０層１０に識別コードを付ける工程は、第３誘電体膜１４の形成後、中間分離層２、３および４の形成後、カバー層５の形成後、または後述する貼り合わせ層６の形成後に実施してよい。

【0129】

同様にしてＢ面情報記録媒体１０２の製造も可能である。Ｂ面情報記録媒体１０２の基板１に案内溝を設ける場合、螺旋の回転方向は前述したＡ面情報記録媒体１０１の基板１の案内溝のそれと逆向きでもよいし、または同じ向きでもよい。

【0130】

最後に、Ａ面情報記録媒体１０１において基板１の案内溝が設けられた面とは反対の面に光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）を均一に塗布し、Ｂ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝が設けられた面とは反対の面を塗布した樹脂に貼り付ける。その後、樹脂に光を照射して硬化させることにより、貼り合わせ層６を形成する。あるいは、遅行性硬化型の光硬化型樹脂をＡ面情報記録媒体１０１に均一に塗布した後に光を当て、その後、Ｂ面情報記録媒体１０２を貼り付けて、貼り合わせ層６を形成してもよい。このようにして、実施の形態１に係る、両面に情報層を有する情報記録媒体１００を製造することができる。

【0131】

以上のように、本開示に係る技術の例示として、実施の形態を説明した。

【0132】

また、上述の実施の形態は、本開示における技術を例示するためのものであるから、請求の範囲またはその均等の範囲において種々の変更、置き換え、付加、省略などを行うことができる。
次に、実施例を用いて本開示の技術を詳細に説明する。

【実施例0133】

本発明のより具体的な実施の形態について、実施例を用いてさらに詳細に説明する。
（実施例１）
本実施例では図１に示す情報記録媒体１００の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体１００の製造方法である。

【0134】

まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．１８μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ）を用意した。その基板１上に、Ｌ０層１０を形成する。第１誘電体膜１１としてＺｎＳからなるターゲットを用いてＺｎＳを６ｎｍ、第２誘電体膜１２として（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて（（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ｍｏｌ％）を６ｎｍ、記録膜１３として実質的にＷ_２１Ｃｕ_１７Ｔａ_１８Ｚｎ_４Ｍｎ_２０Ｔｉ_２０－Ｏからなるターゲットを用いてＷ_２１Ｃｕ_１７Ｔａ_１８Ｚｎ_４Ｍｎ_２０Ｔｉ_２０－Ｏを４０ｎｍ、第３誘電体膜１４として実質的に（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ｍｏｌ％）を１０ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。

【0135】

ここで記録膜の表記に関して、元素比としては金属元素比（原子％）のみを記載した形で表記し、以降についても同様に表記する。例えば、Ｗ_２１Ｃｕ_１７Ｔａ_１８Ｚｎ_４Ｍｎ_２０Ｔｉ_２０（原子％）の酸化物であればＷ_２１Ｃｕ_１７Ｔａ_１８Ｚｎ_４Ｍｎ_２０Ｔｉ_２０－Ｏと表記する。

【0136】

波長４０５ｎｍのレーザ光７において、Ｌ１層２０、Ｌ２層３０およびＬ３層４０がない場合のＬ０層１０の反射率が、未記録状態でＲｇ≒７．５％、Ｒｌ≒７．７％である。

【0137】

第１誘電体膜１１の成膜はＡｒ雰囲気で、RF電源を用いて行った。第２誘電体膜１２および第３誘電体膜１４の成膜は、Ａｒ雰囲気で、ＤＣ電源を用いて行った。記録膜１３の成膜は、Ａｒ＋Ｏ_２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。

【0138】

続けて、Ｌ０層１０上に螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．１８μｍ）の設けられた中間分離層２を形成する。中間分離層２は、まず母体の厚みを形成する紫外線硬化樹脂をスピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させる。次に、案内溝を転写する紫外線硬化樹脂をスピンコートし、その上に案内溝が形成されたポリカーボネートからなるスタンパ基板を貼り合わせ、紫外線により樹脂を硬化させた後、スタンパ基板を剥離することで、中間分離層２が形成される。中間分離層２の厚みは約１５．５μｍである。

【0139】

次に、中間分離層２上にＬ１層２０を形成する。Ｌ１層２０の第１誘電体膜２１として実質的に（ＺｎＯ）_４８．４（ＳｎＯ_２）_２４．７（ＺｒＯ_２）_２３．７（ＭｇＯ）_２．１（Ｇａ_２Ｏ_３）_１．１（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて（ＺｎＯ）_４８．４（ＳｎＯ_２）_２４．７（ＺｒＯ_２）_２３．７（ＭｇＯ）_２．１（Ｇａ_２Ｏ_３）_１．１（ｍｏｌ％）を１６ｎｍ、記録膜２２として本発明における実質的にＷ_３２Ｃｕ_１７Ｔａ_１６Ｚｎ_１７Ｍｎ_１８－Ｏからなるターゲットを用いてＷ_３２Ｃｕ_１７Ｔａ_１６Ｚｎ_１７Ｍｎ_１８－Ｏを４０ｎｍ、第２誘電体膜２３として実質的に（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ｍｏｌ％）を１４ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。

【0140】

波長４０５ｎｍのレーザ光６において、Ｌ２層３０およびＬ３層４０がない場合のＬ１層２０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲｇ≒５．１％、Ｒｌ≒５．３％、透過率が約８０％である。

【0141】

また、第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行った。記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ_２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。

【0142】

続けて、Ｌ１層２０上に螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．１８μｍ）の設けられた中間分離層３を形成する。中間分離層３は、まず母体の厚みを形成する紫外線硬化樹脂をスピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させる。次に、案内溝を転写する紫外線硬化樹脂をスピンコートし、その上に案内溝が形成されたポリカーボネートからなるスタンパ基板を貼り合わせ、紫外線により樹脂を硬化させた後、スタンパ基板を剥離することで、中間分離層３が形成される。中間分離層３の厚みは約１９．５μｍである。

【0143】

中間分離層３上にＬ２層３０を形成する。第１誘電体膜３１として実質的に（ＺｎＯ）_４８．４（ＳｎＯ_２）_２４．７（ＺｒＯ_２）_２３．７（ＭｇＯ）_２．１（Ｇａ_２Ｏ_３）_１．１（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて（ＺｎＯ）_４８．４（ＳｎＯ_２）_２４．７（ＺｒＯ_２）_２３．７（ＭｇＯ）_２．１（Ｇａ_２Ｏ_３）_１．１（ｍｏｌ％）を１５ｎｍ、記録膜３２として本発明における実質的にＷ_３５Ｃｕ_１４Ｔａ_２５Ｚｎ_１１Ｍｎ_１５－Ｏからなるターゲットを用いてＷ_３５Ｃｕ_１４Ｔａ_２５Ｚｎ_１１Ｍｎ_１５－Ｏを４０ｎｍ、第２誘電体膜３３として実質的に（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ｍｏｌ％）を１７ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。

【0144】

第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、波長４０５ｎｍのレーザ光６において、Ｌ３層４０がない場合のＬ２層３０の反射率が、記録膜３２が未記録状態でＲｇ≒３．５％、Ｒｌ≒３．６％、透過率が約８３％となるように設定した。

【0145】

また、第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行った。記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ_２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。

【0146】

続けて、Ｌ２層３０上に螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．１８μｍ）の設けられた中間分離層４を形成する。中間分離層４は、まず母体の厚みを形成する紫外線硬化樹脂をスピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させる。次に、案内溝を転写する紫外線硬化樹脂をスピンコートし、その上に案内溝が形成されたポリカーボネートからなるスタンパ基板を貼り合わせ、紫外線により樹脂を硬化させた後、スタンパ基板を剥離することで、中間分離層４が形成される。中間分離層４の厚みは約１１．５μｍである。

【0147】

中間分離層４上にＬ３層４０を形成する。第１誘電体膜４１として実質的に（ＺｎＯ）_４８．４（ＳｎＯ_２）_２４．７（ＺｒＯ_２）_２３．７（ＭｇＯ）_２．１（Ｇａ_２Ｏ_３）_１．１（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて（ＺｎＯ）_４８．４（ＳｎＯ_２）_２４．７（ＺｒＯ_２）_２３．７（ＭｇＯ）_２．１（Ｇａ_２Ｏ_３）_１．１（ｍｏｌ％）を１５ｎｍ、記録膜４２として本発明における実質的にＷ_３７Ｃｕ_１２Ｔａ_２７Ｚｎ_１１Ｍｎ_１３－Ｏからなるターゲットを用いてＷ_３７Ｃｕ_１２Ｔａ_２７Ｚｎ_１１Ｍｎ_１３－Ｏを４０ｎｍ、第２誘電体膜４３として実質的に（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ｍｏｌ％）を２３ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。

【0148】

第１誘電体膜４１および第２誘電体膜４３の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、波長４０５ｎｍのレーザ光６において、Ｌ３層４０の反射率が、記録膜３２が未記録状態でＲｇ≒２．６％、Ｒｌ≒２．７％、透過率が約８５％となるように設定した。

【0149】

また、第１誘電体膜４１および第２誘電体膜４３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行った。記録膜４２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ_２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。

【0150】

その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜４３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層５を約５３．５μｍ形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製した。

【0151】

次にＢ面情報記録媒体１０２の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．１８μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ）を用意した。その基板１上に、Ｌ０層１０を形成する。第１誘電体膜１１としてＺｎＳからなるターゲットを用いてＺｎＳを６ｎｍ、第２誘電体膜１２として（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて（（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ｍｏｌ％）を６ｎｍ、記録膜１３として実質的にＷ_２１Ｃｕ_１７Ｔａ_１８Ｚｎ_４Ｍｎ_２０Ｔｉ_２０－Ｏからなるターゲットを用いてＷ_２１Ｃｕ_１７Ｔａ_１８Ｚｎ_４Ｍｎ_２０Ｔｉ_２０－Ｏを４０ｎｍ、第３誘電体膜１４として実質的に（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ｍｏｌ％）を１０ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。

【0152】

【0153】

【0154】

【0155】

【0156】

【0157】

【0158】

【0159】

【0160】

【0161】

【0162】

【0163】

【0164】

【0165】

【0166】

【0167】

その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜４３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層５を約５３．５μｍ形成し、Ｂ面情報記録媒体１０２を作製した。

【0168】

最後に、Ａ面情報記録媒体１０１の基板１の案内溝が設けられた面と反対側の面に紫外線硬化樹脂を均一に塗布し、Ｂ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝が設けられた面と反対側と合わせ、紫外線により樹脂を硬化させ、貼り合わせ層６を形成した。

【0169】

このようにして本実施例の情報記録媒体１００を作製した。

【0170】

このディスクＮｏ．を１－０１とする。また比較例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜１１に（ＺｒＯ_２）_１５（ＳｉＯ_２）_１５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_７０（ｍｏｌ％）を適用したディスクＮｏ．比較例１－１を作製した。

【0171】

これらの１－０１および比較例１－１において再生耐久性の評価を行った。再生耐久性の評価は自社作製における評価装置を用いて行った。

【0172】

評価機のレーザ光７の波長は４０５ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡは０．９１であり、グルーブおよびランドに情報の記録を行った。記録および再生の線速度は１５．７８ｍ／で行った。５値の多値記録を行い、セル長を９６．４ｎｍとし、１情報層あたり１６６．７GＢ密度の記録を行った。５値記録とは、記録エネルギー（パワーとパルス幅）を５段階に変えて、記録の深さを５つのレベルで作成する記録の方式である。また再生光は２：１で高周波重畳（変調）されたレーザ光７を用いた。５値ランダム信号による記録を行い、信号品質はＳＥＲ（ＳｉｍｂｏｌＥｒｒｏｒＲａｔｅ）として評価した。

【0173】

Ｌ０層１０の再生耐久性の評価は、隣接するグルーブおよびランドにランダム信号を記録し、記録を行ったトラックの中央に位置するグルーブおよびその両隣接のランドのランダム信号を再生パワー５．３ｍＷ、線速度１５．７８ｍ／ｓで再生し、グルーブおよびランドの繰り返しの再生回数が１回目と１００万回目におけるグルーブのＳ／Ｎの変化量（＝ＳＥＲの変化量をデシベル換算したもの）により良否を判定した。また、Ｌ１層２０、Ｌ２層３０およびＬ３層４０への記録は行っていない。

【0174】

また信号再生は３トラッククロストークキャンセル方式（対象となるグルーブと両隣接のランドの信号を再生し、クロストークキャンセル処理によりグルーブのＳＥＲを算出）によりＳＥＲを算出し、再生回数が１回目と１００万回目のＳＥＲ変化量をΔＳ／Ｎと定義し評価した。具体的には、ΔＳ／Ｎを、１．０ｄＢ未満を◎（非常に良好）、１．０ｄＢ以上１．５ｄＢ以下を○（良好）、１．５ｄＢより大きいものを×（実用不可）とした。尚、ランドではなくグルーブ再生による評価を行ったのは、本実施例ではグルーブのほうが光吸収率が高く、再生耐久性が悪くなるためである。また、以下の実施例でも同様で、グルーブにおける再生耐久性の評価を行った。

【0175】

Ａ面情報記録媒体における結果を表１に示す。

【0176】

【表1】

ディスクＮｏ．１－０１において、比較例１－１に対し再生耐久性が良好な結果が得られ、本発明における誘電体膜構成による再生耐久性向上の効果が確認できた。

【0177】

Ｂ面情報記録媒体における結果を表２に示す。

【0178】

【表2】

ディスクＮｏ．１－０１において、比較例１－１に対し再生耐久性が良好な結果が得られ、本発明における誘電体膜構成による再生耐久性向上の効果が確認できた。
（実施例２）Ｌ２層の記録膜で材料、組成検討
本実施例では図１に示す情報記録媒体１００の別の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体１００の製造方法である。

【0179】

まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。

【0180】

基板１として実施例１と同様の基板を用いた。

【0181】

第１誘電体膜１１として、（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０（ｍｏｌ％）および（ＺｎＳ）_８０（ＴｉＯ_２）_２０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０（ｍｏｌ％）および（ＺｎＳ）_８０（ＴｉＯ_２）_２０（ｍｏｌ％）を６ｎｍ、第２誘電体膜１２として（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて（（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ｍｏｌ％）を６ｎｍ、記録膜１３として実質的にＷ_２１Ｃｕ_１７Ｔａ_１８Ｚｎ_４Ｍｎ_２０Ｔｉ_２０－Ｏからなるターゲットを用いてＷ_２１Ｃｕ_１７Ｔａ_１８Ｚｎ_４Ｍｎ_２０Ｔｉ_２０－Ｏを４０ｎｍ、第３誘電体膜１４として実質的に（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ｍｏｌ％）を１０ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。

【0182】

波長４０５ｎｍのレーザ光７において、Ｌ１層２０、Ｌ２層３０およびＬ３層４０がない場合のＬ０層１０の反射率が、第１誘電体膜１１が（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０（ｍｏｌ％）において、未記録状態でＲｇ≒７．３％、Ｒｌ≒７．５％である。また、第１誘電体膜１１が（ＺｎＳ）_８０（ＴｉＯ_２）_２０（ｍｏｌ％）において、未記録状態でＲｇ≒７．７％、Ｒｌ≒７．９％である。

【0183】

【0184】

続けて、Ｌ０層１０上に螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．１８μｍ）の設けられた中間分離層２を形成する。中間分離層２の構成および製造方法は実施例１と同様である。

【0185】

続けて、中間分離層２上にＬ１層２０を形成する。Ｌ１層２０の構成および製造方法は実施例１と同様である。

【0186】

続けて、Ｌ１層２０上に螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．１８μｍ）の設けられた中間分離層３を形成する。中間分離層３の構成および製造方法は実施例１と同様である。

【0187】

続けて、中間分離層３上にＬ２層３０を形成する。Ｌ２層３０の構成および製造方法は実施例１と同様である。

【0188】

続けて、Ｌ２層３０上に螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．１８μｍ）の設けられた中間分離層４を形成する。中間分離層４の構成および製造方法は実施例１と同様である。

【0189】

続けて、中間分離層４上にＬ３層４０を形成する。Ｌ３層４０の構成および製造方法は実施例１と同様である。

【0190】

【0191】

次にＢ面情報記録媒体１０２の構成を説明する。

【0192】

基板１として実施例１と同様の基板を用いた。

【0193】

【0194】

【0195】

【0196】

【0197】

続けて、中間分離層２上にＬ１層２０を形成する。Ｌ１層２０の構成および製造方法は実施例１と同様である。

【0198】

【0199】

続けて、中間分離層３上にＬ２層３０を形成する。Ｌ２層３０の構成および製造方法は実施例１と同様である。

【0200】

【0201】

続けて、中間分離層４上にＬ３層４０を形成する。Ｌ３層４０の構成および製造方法は実施例１と同様である。

【0202】

【0203】

最後に、Ａ面情報記録媒体１０１の基板１の案内溝が設けられた面と反対側に紫外線硬化樹脂を均一に塗布し、Ｂ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝が設けられた面と反対側と合わせ、紫外線により樹脂を硬化させ、貼り合わせ層６を形成した。

【0204】

第１誘電体膜１１に（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０（ｍｏｌ％）を適用したものをディスクＮｏ．２－０１、（ＺｎＳ）_８０（ＴｉＯ_２）_２０（ｍｏｌ％）を適用したものをディスクＮｏ．２－０２とする。

【0205】

また比較例として、第１誘電体膜１１に（ＺｎＳ）_６５（ＳｉＯ_２）_３５（ｍｏｌ％）を適用したものをディスク比較例２－１、（ＺｎＳ）_６５（ＴｉＯ_２）_６５（ｍｏｌ％）を適用したものをディスク比較例２－２とする。

【0206】

これらの１－３０１～１－３２１において、実施例１で説明したＳＥＲ、再生耐久性の評価を行った。

【0207】

Ａ面情報記録媒体における結果を表３に示す。

【0208】

【表3】

ディスクＮｏ．２－０１およびＮｏ．２－０２において１回目のＳＥＲが良好な結果が得られた。またＺｎＳが少なくなる比較例２－１、比較例２－２において再生耐久性が悪化している。これはＺｎＳの量が少なくなることで、基板１との密着性低下、または熱伝導率の増加による記録膜１３からの熱拡散拡大により、再生耐久性が悪化したと考えられる。

【0209】

Ｂ面情報記録媒体における結果を表４に示す。

【0210】

【表4】

Ｂ面情報記録媒体においてもＡ面情報記録媒体と同様の結果が得られた。

【産業上の利用可能性】

【0211】

本開示の情報記録媒体とその製造方法は、より高い再生光量を与える示す情報層を有するように構成されるので、高記録密度で情報を記録するのに適しており、大容量のコンテンツを記録する光ディスクに有用である。具体的にはアーカイバル・ディスク規格に準じて両面に４層の情報層を備える、次世代の光ディスク（例えば、記録容量１ＴＢ）に有用である。

【符号の説明】

【0212】

１００情報記録媒体
１０１Ａ面情報記録媒体
１０２Ｂ面情報記録媒体
１０Ｌ０層
２０Ｌ１層
３０Ｌ２層
４０Ｌ３層
１１、２１、３１、４１第１誘電体膜
１２、２３、３３、４３第２誘電体膜
１３、２２、３２、４２記録膜
１４第３誘電体膜
１基板
２、３、４中間分離層
５カバー層
６貼り合わせ層
７レーザ光

【図1】

IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版