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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023103881
(43)【公開日】2023-07-27
(54)【発明の名称】表示装置及び信号処理方法
(51)【国際特許分類】
G09G 3/3233 20160101AFI20230720BHJP
G09G 3/20 20060101ALI20230720BHJP
H10K 50/10 20230101ALI20230720BHJP
H10K 59/10 20230101ALI20230720BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20230720BHJP
【ＦＩ】
G09G3/3233
G09G3/20 611H
G09G3/20 612T
G09G3/20 642A
G09G3/20 670J
H05B33/14 A
H01L27/32
G09F9/30 338
G09F9/30 365
G09G3/20 624B
【審査請求】未請求
【請求項の数】8
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022004665
(22)【出願日】2022-01-14
(71)【出願人】
【識別番号】000004352
【氏名又は名称】日本放送協会
(71)【出願人】
【識別番号】591053926
【氏名又は名称】一般財団法人ＮＨＫエンジニアリングシステム
(74)【代理人】
【識別番号】100106002
【弁理士】
【氏名又は名称】正林 真之
(74)【代理人】
【識別番号】100120891
【弁理士】
【氏名又は名称】林 一好
(72)【発明者】
【氏名】薄井 武順
(72)【発明者】
【氏名】岡田 拓也
(72)【発明者】
【氏名】中田 充
(72)【発明者】
【氏名】清水 直樹
(72)【発明者】
【氏名】山本 敏裕
【テーマコード（参考）】
3K107
5C080
5C094
5C380
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107CC33
3K107CC34
3K107CC45
3K107EE03
3K107HH04
5C080AA05
5C080AA06
5C080BB05
5C080DD05
5C080FF11
5C080GG12
5C080JJ02
5C080JJ03
5C080JJ05
5C080JJ07
5C094BA03
5C094BA27
5C094CA19
5C094DB01
5C094DB04
5C380AA01
5C380AB06
5C380BA38
5C380BB03
5C380BD04
5C380BD05
5C380BD11
5C380BD14
5C380CC27
5C380CC33
5C380CC37
5C380CC63
5C380CD013
5C380CF01
5C380CF02
5C380EA01
5C380FA02
5C380FA03
5C380FA24
5C380HA03
5C380HA05
(57)【要約】
【課題】より少ないセンシング動作、少ないメモリ使用量により補償データを求めることが可能となる。
【解決手段】各画素が、電流駆動型表示素子と、電流駆動型表示素子に接続された駆動用ＴＦＴとを含む表示装置において、各画素の駆動用ＴＦＴの制御電極に、測定電圧を印加する駆動部と、制御電極に測定電圧を印加することで、駆動用ＴＦＴを流れる電流量をサンプリングしてセンシングするためのセンシング部と、駆動用ＴＦＴの電気的特性の劣化によって変わる変動パラメータを含む電気的特性の近似式と、各駆動用ＴＦＴを流れた電流量及び測定電圧とを用いて変動パラメータの値を求め、求められた変動パラメータの値を含む近似式を用いて電気的特性を求める計算部と、電気的特性の初期から、求められた電気的特性までの変化に基づいて、画素についての画像データを変換するためのデータ補償部と、を備える。
【選択図】図５
【解決手段】各画素が、電流駆動型表示素子と、電流駆動型表示素子に接続された駆動用ＴＦＴとを含む表示装置において、各画素の駆動用ＴＦＴの制御電極に、測定電圧を印加する駆動部と、制御電極に測定電圧を印加することで、駆動用ＴＦＴを流れる電流量をサンプリングしてセンシングするためのセンシング部と、駆動用ＴＦＴの電気的特性の劣化によって変わる変動パラメータを含む電気的特性の近似式と、各駆動用ＴＦＴを流れた電流量及び測定電圧とを用いて変動パラメータの値を求め、求められた変動パラメータの値を含む近似式を用いて電気的特性を求める計算部と、電気的特性の初期から、求められた電気的特性までの変化に基づいて、画素についての画像データを変換するためのデータ補償部と、を備える。
【選択図】図５
【特許請求の範囲】
【請求項1】
映像を表示する複数の画素を含み、各画素は、電流駆動型表示素子、該電流駆動型表示素子に接続された駆動用薄膜トランジスタ、及び該駆動用薄膜トランジスタに流れる電流量を制御するためのスイッチ用薄膜トランジスタを含む表示装置において、
各画素の駆動用薄膜トランジスタの制御電極に、前記スイッチ用薄膜トランジスタを介して測定電圧を印加する駆動部と、
前記制御電極に前記測定電圧を印加することで、前記駆動用薄膜トランジスタを流れる電流量をサンプリングしてセンシングするためのセンシング部と、
前記駆動用薄膜トランジスタの電気的特性の劣化によって変わる変動パラメータを含む前記電気的特性の近似式と、前記複数の画素の各駆動用薄膜トランジスタを流れた電流量及び前記測定電圧とを用いて前記変動パラメータの値を求め、求められた変動パラメータの値を含む前記近似式を用いて前記電気的特性を求める計算部と、
各駆動用薄膜トランジスタの電気的特性の初期から、求められた前記電気的特性までの変化に基づいて、各画素についての画像データを変換するためのデータ補償部と、
を備えた表示装置。
各画素の駆動用薄膜トランジスタの制御電極に、前記スイッチ用薄膜トランジスタを介して測定電圧を印加する駆動部と、
前記制御電極に前記測定電圧を印加することで、前記駆動用薄膜トランジスタを流れる電流量をサンプリングしてセンシングするためのセンシング部と、
前記駆動用薄膜トランジスタの電気的特性の劣化によって変わる変動パラメータを含む前記電気的特性の近似式と、前記複数の画素の各駆動用薄膜トランジスタを流れた電流量及び前記測定電圧とを用いて前記変動パラメータの値を求め、求められた変動パラメータの値を含む前記近似式を用いて前記電気的特性を求める計算部と、
各駆動用薄膜トランジスタの電気的特性の初期から、求められた前記電気的特性までの変化に基づいて、各画素についての画像データを変換するためのデータ補償部と、
を備えた表示装置。
【請求項2】
前記近似式は、前記変動パラメータと、前記電気的特性の劣化によって変わらない定常パラメータとを備え、
前記定常パラメータは、基準となる他の表示装置の、初期及び変動後の駆動用薄膜トランジスタの電気的特性によって求められる、請求項１に記載の表示装置。
前記定常パラメータは、基準となる他の表示装置の、初期及び変動後の駆動用薄膜トランジスタの電気的特性によって求められる、請求項１に記載の表示装置。
【請求項3】
前記測定電圧は、基準となる他の表示装置の、複数の画素の駆動用薄膜トランジスタの制御電極に印加される所定電圧ごとの電流分布の標準偏差と平均値とから求められる変動係数から算出される、請求項１に記載の表示装置。
【請求項4】
前記近似式は、下記数１で示される電流Ｉと電圧ＶのＩ－Ｖ特性を示す近似式であり、下記数２、下記数３及び下記数４のａ１、ａ２、ａ３、ｂ１、ｂ２、ｂ３、ｃ１、ｃ２、ｃ３は前記定常パラメータであり、数２、数３及び数４のＶｎ（ｎは０又は正の整数、Ｖ０は初期値）は変動パラメータである、請求項２に記載の表示装置。
【数1】
【数2】
【数3】
【数4】
【請求項5】
前記近似式は、電流Ｉと電圧ＶのＩ－Ｖ特性を示す近似式であり、
前記データ補償部は、各画素について、前記Ｉ－Ｖ特性を示す近似式を求め、各画素についてのターゲット電流値を、前記駆動用薄膜トランジスタの初期の前記近似式から求め、求めた前記ターゲット電流値を用いて各画素についての画像データを変換する、請求項１から４のいずれかに記載の表示装置。
前記データ補償部は、各画素について、前記Ｉ－Ｖ特性を示す近似式を求め、各画素についてのターゲット電流値を、前記駆動用薄膜トランジスタの初期の前記近似式から求め、求めた前記ターゲット電流値を用いて各画素についての画像データを変換する、請求項１から４のいずれかに記載の表示装置。
【請求項6】
前記近似式は、電流Ｉと電圧ＶのＩ－Ｖ特性を示す近似式であり、
前記データ補償部は、各画素について、前記Ｉ－Ｖ特性を示す近似式を求め、各画素についてのターゲット電流値を、複数の画素について求めた複数の近似式から求められる複数の電流値を平滑化することで求め、求めた前記ターゲット電流値を用いて各画素についての画像データを変換する、請求項１から４のいずれかに記載の表示装置。
前記データ補償部は、各画素について、前記Ｉ－Ｖ特性を示す近似式を求め、各画素についてのターゲット電流値を、複数の画素について求めた複数の近似式から求められる複数の電流値を平滑化することで求め、求めた前記ターゲット電流値を用いて各画素についての画像データを変換する、請求項１から４のいずれかに記載の表示装置。
【請求項7】
請求項１から６のいずれか１項に記載の表示装置において、一定期間で映像の表示位置をずらしながら、前記センシング部によってセンシングする、表示装置。
【請求項8】
映像を表示する複数の画素を含み、各画素は、電流駆動型表示素子、該電流駆動型表示素子に接続された駆動用薄膜トランジスタ、及び該駆動用薄膜トランジスタに流れる電流量を制御するためのスイッチ用薄膜トランジスタを含む表示装置の信号処理方法において、
各画素の駆動用薄膜トランジスタの制御電極に、前記スイッチ用薄膜トランジスタを介して測定電圧を印加し、
前記制御電極に前記測定電圧を印加することで、前記駆動用薄膜トランジスタを流れる電流量をサンプリングしてセンシングし、
前記駆動用薄膜トランジスタの電気的特性の劣化によって変わる変動パラメータを含む前記電気的特性の近似式と、前記複数の画素の各駆動用薄膜トランジスタを流れた電流量及び前記測定電圧とを用いて前記変動パラメータの値を求め、求められた変動パラメータの値を含む前記近似式を用いて前記電気的特性を求め、
各駆動用薄膜トランジスタの電気的特性の初期から、求められた前記電気的特性までの変化に基づいて、各画素についての画像データを変換する、
信号処理方法。
各画素の駆動用薄膜トランジスタの制御電極に、前記スイッチ用薄膜トランジスタを介して測定電圧を印加し、
前記制御電極に前記測定電圧を印加することで、前記駆動用薄膜トランジスタを流れる電流量をサンプリングしてセンシングし、
前記駆動用薄膜トランジスタの電気的特性の劣化によって変わる変動パラメータを含む前記電気的特性の近似式と、前記複数の画素の各駆動用薄膜トランジスタを流れた電流量及び前記測定電圧とを用いて前記変動パラメータの値を求め、求められた変動パラメータの値を含む前記近似式を用いて前記電気的特性を求め、
各駆動用薄膜トランジスタの電気的特性の初期から、求められた前記電気的特性までの変化に基づいて、各画素についての画像データを変換する、
信号処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、表示装置及び信号処理方法に関わり、特に、電流駆動型表示素子がマトリックス状に配列された、アクティブマトリックス型の表示装置及びその画質補償のための信号処理方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、アクティブマトリックス型の有機ＥＬ表示装置の開発が盛んに行われている。有機ＥＬ表示装置に用いられる自発光の有機ＥＬ素子は、応答速度が速く、コントラストが良く、視野角が大きいという長所を有している。
アクティブマトリックス型の有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ素子を含む画素がマトリックス状に配列されており、映像信号レベルに応じた電圧を画素に印加し、駆動電流を制御することで輝度を調節する。
アクティブマトリックス型の有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ素子を含む画素がマトリックス状に配列されており、映像信号レベルに応じた電圧を画素に印加し、駆動電流を制御することで輝度を調節する。
【0003】
各画素には、有機ＥＬ素子に流れる駆動電流を制御するための駆動用薄膜トランジスタ（駆動用ＴＦＴ）が含まれる。しきい値電圧や移動度など、駆動用ＴＦＴの電気的特性は、駆動環境等により時間的に変動してしまう問題がある。
このような理由から、同じデータ電圧を与えても、電流量が異なることで輝度が不均一となってしまい、輝度むら、焼き付きなどの画質劣化が視認されてしまう。この問題を解決するために、各画素のＴＦＴの電流量をセンシングし、センシング結果に基づいて入力データにフィードバックすることで、輝度の不均一性を抑制する画質補償技術が知られている（特許文献１及び２）。
このような理由から、同じデータ電圧を与えても、電流量が異なることで輝度が不均一となってしまい、輝度むら、焼き付きなどの画質劣化が視認されてしまう。この問題を解決するために、各画素のＴＦＴの電流量をセンシングし、センシング結果に基づいて入力データにフィードバックすることで、輝度の不均一性を抑制する画質補償技術が知られている（特許文献１及び２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０１５－１０８８２８号公報
【特許文献2】国際公開２０１５／０９３１００号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
従来のセンシングによる画質補償技術では、駆動用ＴＦＴのしきい値電圧の変化量と、駆動用ＴＦＴの移動度の変化量をセンシングし、センシング結果に基づいて補償データを作成する。そのためには、１つの画素において、複数の電圧－電流の関係を測定し、駆動用ＴＦＴの特性変動を推定する必要が生じるため、フィードバックに要する時間が長くなってしまう問題があり、リアルタイムでの高精度のフィードバックは難しかった。
【0006】
本発明の目的は、センシングに必要な時間、及び使用メモリを削減しつつ、リアルタイムに画質補償可能な表示装置及び信号処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0007】
（１） 本発明に係る表示装置は、映像を表示する複数の画素を含み、各画素は、電流駆動型表示素子、該電流駆動型表示素子に接続された駆動用薄膜トランジスタ、及び該駆動用薄膜トランジスタに流れる電流量を制御するためのスイッチ用薄膜トランジスタを含む表示装置において、
各画素の駆動用薄膜トランジスタの制御電極に、前記スイッチ用薄膜トランジスタを介して測定電圧を印加する駆動部と、
前記制御電極に前記測定電圧を印加することで、前記駆動用薄膜トランジスタを流れる電流量をサンプリングしてセンシングするためのセンシング部と、
前記駆動用薄膜トランジスタの電気的特性の劣化によって変わる変動パラメータを含む前記電気的特性の近似式と、前記複数の画素の各駆動用薄膜トランジスタを流れた電流量及び前記測定電圧とを用いて前記変動パラメータの値を求め、求められた変動パラメータの値を含む前記近似式を用いて前記電気的特性を求める計算部と、
各駆動用薄膜トランジスタの電気的特性の初期から、求められた前記電気的特性までの変化に基づいて、各画素についての画像データを変換するためのデータ補償部と、
を備えた表示装置である。
各画素の駆動用薄膜トランジスタの制御電極に、前記スイッチ用薄膜トランジスタを介して測定電圧を印加する駆動部と、
前記制御電極に前記測定電圧を印加することで、前記駆動用薄膜トランジスタを流れる電流量をサンプリングしてセンシングするためのセンシング部と、
前記駆動用薄膜トランジスタの電気的特性の劣化によって変わる変動パラメータを含む前記電気的特性の近似式と、前記複数の画素の各駆動用薄膜トランジスタを流れた電流量及び前記測定電圧とを用いて前記変動パラメータの値を求め、求められた変動パラメータの値を含む前記近似式を用いて前記電気的特性を求める計算部と、
各駆動用薄膜トランジスタの電気的特性の初期から、求められた前記電気的特性までの変化に基づいて、各画素についての画像データを変換するためのデータ補償部と、
を備えた表示装置である。
【0008】
（２） 上記（１）に記載の表示装置は、前記近似式が、前記変動パラメータと、前記電気的特性の劣化によって変わらない定常パラメータとを備え、
前記定常パラメータが、基準となる他の表示装置の、初期及び変動後の駆動用薄膜トランジスタの電気的特性によって求められるようにできる。
前記定常パラメータが、基準となる他の表示装置の、初期及び変動後の駆動用薄膜トランジスタの電気的特性によって求められるようにできる。
【0009】
（３） 上記（１）に記載の表示装置は、前記測定電圧が、基準となる他の表示装置の、複数の画素の駆動用薄膜トランジスタの制御電極に印加される所定電圧ごとの電流分布の標準偏差と平均値とから求められる変動係数から算出されるようにできる。
【0010】
（４） 上記（２）に記載の表示装置は、前記近似式が、下記数１で示される電流Ｉと電圧ＶのＩ－Ｖ特性であり、下記数２、下記数３及び下記数４のａ１、ａ２、ａ３、ｂ１、ｂ２、ｂ３、ｃ１、ｃ２、ｃ３は前記定常パラメータであり、数２、数３及び数４のＶｎ（ｎは０又は正の整数、Ｖ０は初期値）は変動パラメータであるようにできる。
【数1】
【数2】
【数3】
【数4】
【0011】
（５） 上記（１）から（４）のいずれかに記載の表示装置は、前記近似式が、電流Ｉと電圧ＶのＩ－Ｖ特性を示す近似式であり、
前記データ補償部が、各画素について、前記Ｉ－Ｖ特性を示す近似式を求め、各画素についてのターゲット電流値を、前記駆動用薄膜トランジスタの初期の前記近似式から求め、求めた前記ターゲット電流値を用いて各画素についての画像データを変換するようにできる。
前記データ補償部が、各画素について、前記Ｉ－Ｖ特性を示す近似式を求め、各画素についてのターゲット電流値を、前記駆動用薄膜トランジスタの初期の前記近似式から求め、求めた前記ターゲット電流値を用いて各画素についての画像データを変換するようにできる。
【0012】
（６） 上記（１）から（４）のいずれかに記載の表示装置は、前記近似式が、電流Ｉと電圧ＶのＩ－Ｖ特性を示す近似式であり、
前記データ補償部が、各画素について、前記Ｉ－Ｖ特性を示す近似式を求め、各画素についてのターゲット電流値を、複数の画素について求めた複数の近似式から求められる複数の電流値を平滑化することで求め、求めた前記ターゲット電流値を用いて各画素についての画像データを変換するようにできる。
前記データ補償部が、各画素について、前記Ｉ－Ｖ特性を示す近似式を求め、各画素についてのターゲット電流値を、複数の画素について求めた複数の近似式から求められる複数の電流値を平滑化することで求め、求めた前記ターゲット電流値を用いて各画素についての画像データを変換するようにできる。
【0013】
（７） 上記（１）から（６）のいずれかに記載の表示装置は、一定期間で映像の表示位置をずらしながら、前記センシング部によってセンシングすることができる。
【0014】
（８） 本発明に係る信号処理方法は、映像を表示する複数の画素を含み、各画素は、電流駆動型表示素子、該電流駆動型表示素子に接続された駆動用薄膜トランジスタ、及び該駆動用薄膜トランジスタに流れる電流量を制御するためのスイッチ用薄膜トランジスタを含む表示装置の信号処理方法において、
各画素の駆動用薄膜トランジスタの制御電極に、前記スイッチ用薄膜トランジスタを介して測定電圧を印加し、
前記制御電極に前記測定電圧を印加することで、前記駆動用薄膜トランジスタを流れる電流量をサンプリングしてセンシングし、
前記駆動用薄膜トランジスタの電気的特性の劣化によって変わる変動パラメータを含む前記電気的特性の近似式と、前記複数の画素の各駆動用薄膜トランジスタを流れた電流量及び前記測定電圧とを用いて前記変動パラメータの値を求め、求められた変動パラメータの値を含む前記近似式を用いて前記電気的特性を求め、
各駆動用薄膜トランジスタの電気的特性の初期から、求められた前記電気的特性までの変化に基づいて、各画素についての画像データを変換する、
信号処理方法である。
各画素の駆動用薄膜トランジスタの制御電極に、前記スイッチ用薄膜トランジスタを介して測定電圧を印加し、
前記制御電極に前記測定電圧を印加することで、前記駆動用薄膜トランジスタを流れる電流量をサンプリングしてセンシングし、
前記駆動用薄膜トランジスタの電気的特性の劣化によって変わる変動パラメータを含む前記電気的特性の近似式と、前記複数の画素の各駆動用薄膜トランジスタを流れた電流量及び前記測定電圧とを用いて前記変動パラメータの値を求め、求められた変動パラメータの値を含む前記近似式を用いて前記電気的特性を求め、
各駆動用薄膜トランジスタの電気的特性の初期から、求められた前記電気的特性までの変化に基づいて、各画素についての画像データを変換する、
信号処理方法である。
【発明の効果】
【0015】
本発明によれば、リアルタイムに得られるセンシングデータを用いて、駆動用ＴＦＴの電気的特性を取得することができ、リアルタイムに高精度の画像データを補償することが可能になり、より少ないセンシング動作、少ないメモリ使用量により補償データを求めることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【0016】
【図1】本発明の表示装置の第１実施形態となる有機ＥＬ表示装置の構成を示すブロック図である。
【図2】表示パネル部の一構成例を示す図である。
【図3】表示パネル部の一つの画素Ｐの画素回路を示す図である。
【図4】駆動用薄膜トラジスタのＩ－Ｖ特性の初期特性からの変動を示す特性図である。
【図5】信号処理部の画像データの補償に係る構成部を示すブロック図である。
【図6】駆動用薄膜トラジスタの立ち上がり電圧Ｖｎを含むＩ－Ｖ特性の初期特性からの変動を示す特性図である。
【図7】電圧－変動係数の特性図である。
【図8】通常有機ＥＬ表示装置の画質補償のための信号処理方法を示すフローチャートである。
【図9】本発明の表示装置の第３実施形態となる、ウォブリング制御部を含む有機ＥＬ表示装置の構成を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【0017】
以下、本発明の実施形態について図面を用いて詳細に説明する。以下、表示装置の一実施形態として、電流駆動型表示素子である有機ＥＬ表示素子がマトリックス状に配置された、アクティブマトリックス型の有機ＥＬ表示装置において、画質補償する例について説明する。
【0018】
（第１実施形態）
図１は本発明の表示装置の第１実施形態となる有機ＥＬ表示装置の構成を示すブロック図である。図２は表示パネル部の一構成例を示す図である。図３は表示パネル部の一つの画素Ｐの画素回路を示す図である。
図１に示すように、有機ＥＬ表示装置１は、映像入力部１１と、信号処理部１２、列駆動ドライバ部１３、行駆動ドライバ部１４、及び表示パネル部１５を備えている。
映像入力部１１は、映像信号が入力されると、この映像信号に含まれる画像データを入力バッファに一時的に格納し、処理タイミングに合わせて順次、画像データを後段の信号処理部１２へ出力する。
信号処理部１２では、パネル駆動タイミングを制御するためのパネル制御信号を生成して行駆動ドライバ部１４へ出力するとともに、映像入力部１１から入力された画像データと、列駆動ドライバ部１３から入力されるセンシングデータとを用いて計算された駆動用ＴＦＴのパラメータから、輝度むらを補償するための画像データを作成し、列駆動ドライバ部１３へ出力する。
図１は本発明の表示装置の第１実施形態となる有機ＥＬ表示装置の構成を示すブロック図である。図２は表示パネル部の一構成例を示す図である。図３は表示パネル部の一つの画素Ｐの画素回路を示す図である。
図１に示すように、有機ＥＬ表示装置１は、映像入力部１１と、信号処理部１２、列駆動ドライバ部１３、行駆動ドライバ部１４、及び表示パネル部１５を備えている。
映像入力部１１は、映像信号が入力されると、この映像信号に含まれる画像データを入力バッファに一時的に格納し、処理タイミングに合わせて順次、画像データを後段の信号処理部１２へ出力する。
信号処理部１２では、パネル駆動タイミングを制御するためのパネル制御信号を生成して行駆動ドライバ部１４へ出力するとともに、映像入力部１１から入力された画像データと、列駆動ドライバ部１３から入力されるセンシングデータとを用いて計算された駆動用ＴＦＴのパラメータから、輝度むらを補償するための画像データを作成し、列駆動ドライバ部１３へ出力する。
【0019】
列駆動ドライバ部１３は、垂直方向に配される、複数のデータ信号線ＤＬ及び複数のセンシング信号線ＳＬが接続される。データ信号線ＤＬ及びセンシング信号線ＳＬは、表示パネル部１５のマトリックス状に配列された画素Ｐの各列に接続される。列駆動ドライバ部１３は、複数のデータ信号線ＤＬのそれぞれに、表示動作時には各画素Ｐの画像データ信号（電圧Ｖｄａ）を供給し、センシング動作時には測定電圧Ｖｄｂを供給する。列駆動ドライバ部１３には、各画素Ｐからセンシング信号線ＳＬを介してセンシングデータが入力される。
【0020】
行駆動ドライバ部１４は、水平方向に配される複数の行選択信号線ＲＬ１と複数の行選択信号線ＲＬ２が接続される。行駆動ドライバ部１４は、画像データ信号を画素Ｐに供給するために、パネル制御信号に基づいて、マトリックス状に配列された画素Ｐの画素行を選択するための選択信号を複数の行選択信号線ＲＬ１に順次供給する。また、行駆動ドライバ部１４は、センシングデータを画素Ｐから読み出すために、マトリックス状に配列された画素Ｐの画素行を選択するための選択信号を複数の行選択信号線ＲＬ２に順次供給する。
【0021】
表示パネル部１５には、複数のデータ信号線ＤＬと複数のセンシング信号線ＳＬとが垂直方向に配されるとともに、複数の行選択信号線ＲＬ１と複数の行選択信号線ＲＬ２とが水平方向に配され、それらの交差領域には画素Ｐがマトリックス状に配置される。複数の画素Ｐによって映像が表示される。
データ信号線ＤＬとセンシング信号線ＳＬ、及び行選択信号線ＲＬ１と行選択信号線ＲＬ２は、それぞれ画素Ｐに接続される。図２で図示されていないが、画素Ｐは電源供給のための電圧Ｖｄｄ（陽極電圧）及び電圧Ｖｓｓ（陰極電圧）の供給を受けている。
データ信号線ＤＬとセンシング信号線ＳＬ、及び行選択信号線ＲＬ１と行選択信号線ＲＬ２は、それぞれ画素Ｐに接続される。図２で図示されていないが、画素Ｐは電源供給のための電圧Ｖｄｄ（陽極電圧）及び電圧Ｖｓｓ（陰極電圧）の供給を受けている。
【0022】
画素Ｐは、図３に示すように、有機ＥＬ表示素子Ｄｅｌ、駆動用薄膜トランジスタ（駆動用ＴＦＴ）Ｔｒ１（以下、トランジスタＴｒ１という）、第１スイッチ用薄膜トランジスタ（第１スイッチ用ＴＦＴ）Ｔｒ２（以下、トランジスタＴｒ２という）、第２スイッチ用薄膜トランジスタ（第２スイッチ用ＴＦＴ）Ｔｒ３（以下、トランジスタＴｒ３という）、及びストレージキャパシタＣ１を備えている。トランジスタＴｒ２は、トランジスタＴｒ１に流れる電流量を制御する。
【0023】
トランジスタＴｒ２のドレインは、データ信号線ＤＬに接続され、ソースはトランジスタＴｒ１の制御電極となるゲート及びストレージキャパシタＣ１の一方の端子に接続され、トランジスタＴｒ２のゲートは行選択信号線ＲＬ１に接続される。
トランジスタＴｒ１のドレインは、電圧Ｖｄｄが供給され、ソースはストレージキャパシタＣ１の他方の端子、トランジスタＴｒ３のドレイン及び有機ＥＬ表示素子Ｄｅｌの陽極に接続される。有機ＥＬ表示素子Ｄｅｌの陰極は電圧Ｖｓｓが供給される。
トランジスタＴｒ３のゲートは、行選択信号線ＲＬ２に接続され、ソースはセンシング信号線ＳＬに接続される。
トランジスタＴｒ１のドレインは、電圧Ｖｄｄが供給され、ソースはストレージキャパシタＣ１の他方の端子、トランジスタＴｒ３のドレイン及び有機ＥＬ表示素子Ｄｅｌの陽極に接続される。有機ＥＬ表示素子Ｄｅｌの陰極は電圧Ｖｓｓが供給される。
トランジスタＴｒ３のゲートは、行選択信号線ＲＬ２に接続され、ソースはセンシング信号線ＳＬに接続される。
【0024】
以下、画素Ｐの画素回路動作について説明する。
表示動作時には、行選択信号線ＲＬ１に選択信号となる電圧Ｖｓｃｎが印加され、トランジスタＴｒ２がＯＮしている期間に、画像データに応じた電圧Ｖｄａがデータ信号線ＤＬを介してストレージキャパシタＣ１に充電される。ストレージキャパシタＣ１に充電された電圧Ｖｄａに応じて、トランジスタＴｒ１を流れる電流が調整され、有機ＥＬ表示素子Ｄｅｌに流れる電流が制御される。
表示動作時には、行選択信号線ＲＬ１に選択信号となる電圧Ｖｓｃｎが印加され、トランジスタＴｒ２がＯＮしている期間に、画像データに応じた電圧Ｖｄａがデータ信号線ＤＬを介してストレージキャパシタＣ１に充電される。ストレージキャパシタＣ１に充電された電圧Ｖｄａに応じて、トランジスタＴｒ１を流れる電流が調整され、有機ＥＬ表示素子Ｄｅｌに流れる電流が制御される。
【0025】
センシング動作時には、行選択信号線ＲＬ１に選択信号となる電圧Ｖｓｃｎが印加され、トランジスタＴｒ２がＯＮしている期間に、測定電圧ＶｄｂがストレージキャパシタＣ１に充電される。測定電圧Ｖｄｂについては後述する。この時、行選択信号線ＲＬ２に電圧Ｖｓｅｎが印加され、トランジスタＴｒ３をＯＮにすることで、ストレージキャパシタＣ１に充電された測定電圧Ｖｄｂに応じて、トランジスタＴｒ１を流れる電流をセンシング信号線ＳＬから読み出すことができる。信号処理部１２の後述するセンシング部１２１は、測定電圧Ｖｄｂに対する電流値Ｉｄｓをセンシングし、トランジスタＴｒ１の電気的特性（Ｉ－Ｖ特性）を取得することができる。なお、トランジスタＴｒ３がＯＮすると、有機ＥＬ表示素子Ｄｅｌの陽極の電位は低下し、有機ＥＬ表示素子Ｄｅｌには電流は流れない。有機ＥＬ表示素子Ｄｅｌの陽極にスイッチトランジスタを設けて、センシング動作時に有機ＥＬ表示素子Ｄｅｌに電流が流れないようにしてもよい。
【0026】
図４において、破線はトランジスタＴｒ１の初期のｌｏｇ（Ｉｄｓ）－Ｖｇｓ特性を示し、実線はトランジスタＴｒ１の変動後のｌｏｇ（Ｉｄｓ）－Ｖｇｓ特性を示している。ここで、駆動用ＴＦＴとなるトランジスタＴｒ１のＩ－Ｖ特性は、図４のｌｏｇ（Ｉｄｓ）－Ｖｇｓ特性に示すように、駆動電流による熱、及び有機ＥＬ表示素子Ｄｅｌから発せられる光などにより、時間とともに変動する。そのため、画面の輝度が変動してしまい、この輝度変動により、焼き付きや輝度むらなどの画質劣化が生じてしまう。
【0027】
そこで、信号処理部１２が、変動後のトランジスタＴｒ１の電流Ｉｄｓをセンシングにより取得し、取得したセンシングデータ（電流Ｉｄｓ）から、各画素の駆動用ＴＦＴの電気的特性（Ｉ－Ｖ特性）を求める。初期の電気的特性（Ｉ－Ｖ特性）から、取得した電気的特性（Ｉ－Ｖ特性）までの電圧の変化（ΔＶ）に基づいて、入力される映像信号の画像データを補償することで、輝度の変動を抑制することが可能となる。
【0028】
しかし、有機ＥＬ表示装置のマトリックス状に配置された画素ごとに、測定電圧を変えて駆動用ＴＦＴとなるトランジスタＴｒ１のＩ－Ｖ特性を求めるには、時間を要し、リアルタイムで、入力される映像信号の画像データを補償することは困難であった。
【0029】
本実施形態では、同一ロットの複数の有機ＥＬ表示装置は同等の特性を有することに着目した。
複数の有機ＥＬ表示装置のうちの任意の一つの有機ＥＬ表示装置を基準表示装置とし、初期および一定時間表示後の駆動用ＴＦＴとなるトランジスタＴｒ１のＩ-Ｖ特性を測定し、その値からＩ-Ｖ特性の近似式の特性パラメータを取得する。なお、別ロットであっても特性が同等であれば、別ロットの有機ＥＬ表示装置の一つを基準表示装置としてもよい。
基準表示装置以外の有機ＥＬ表示装置は、基準表示装置となる有機ＥＬ表示装置から取得された近似式の特性パラメータを取得し、この特性パラメータと、センシングにより得られた電流Ｉｄｓ及びＶｇｓとから、画素ごとのトランジスタＴｒ１のＩ-Ｖ特性を推定し、補償する電圧を取得する。
複数の有機ＥＬ表示装置のうちの任意の一つの有機ＥＬ表示装置を基準表示装置とし、初期および一定時間表示後の駆動用ＴＦＴとなるトランジスタＴｒ１のＩ-Ｖ特性を測定し、その値からＩ-Ｖ特性の近似式の特性パラメータを取得する。なお、別ロットであっても特性が同等であれば、別ロットの有機ＥＬ表示装置の一つを基準表示装置としてもよい。
基準表示装置以外の有機ＥＬ表示装置は、基準表示装置となる有機ＥＬ表示装置から取得された近似式の特性パラメータを取得し、この特性パラメータと、センシングにより得られた電流Ｉｄｓ及びＶｇｓとから、画素ごとのトランジスタＴｒ１のＩ-Ｖ特性を推定し、補償する電圧を取得する。
【0030】
図５は信号処理部の映像信号補償に係る構成部を示すブロック図である。
図５に示すように、信号処理部１２は、センシング部１２１、パラメータ計算部１２２、パラメータ記憶部１２３、及びデータ補償部１２４を備えている。パラメータ計算部１２２は計算部となる。
基準表示装置となる有機ＥＬ表示装置（以下、基準有機ＥＬ表示装置という）と、基準有機表示装置以外の有機ＥＬ表示装置（以下、通常有機ＥＬ表示装置という）とでは、信号処理部１２の構成は同じであるが、以下に説明するように、センシング部１２１、パラメータ計算部１２２の動作が異なる。センシング部１２１、パラメータ計算部１２２以外のその他の構成及び動作は、基準有機ＥＬ表示装置と、通常有機ＥＬ表示装置とで同じである。
センシング部１２１、パラメータ計算部１２２の動作について、通常有機ＥＬ表示装置の説明に先立って基準有機ＥＬ表示装置について説明する。
図５に示すように、信号処理部１２は、センシング部１２１、パラメータ計算部１２２、パラメータ記憶部１２３、及びデータ補償部１２４を備えている。パラメータ計算部１２２は計算部となる。
基準表示装置となる有機ＥＬ表示装置（以下、基準有機ＥＬ表示装置という）と、基準有機表示装置以外の有機ＥＬ表示装置（以下、通常有機ＥＬ表示装置という）とでは、信号処理部１２の構成は同じであるが、以下に説明するように、センシング部１２１、パラメータ計算部１２２の動作が異なる。センシング部１２１、パラメータ計算部１２２以外のその他の構成及び動作は、基準有機ＥＬ表示装置と、通常有機ＥＬ表示装置とで同じである。
センシング部１２１、パラメータ計算部１２２の動作について、通常有機ＥＬ表示装置の説明に先立って基準有機ＥＬ表示装置について説明する。
【0031】
（基準有機ＥＬ表示装置）
基準有機ＥＬ表示装置のセンシング部１２１は、センシング期間に、各画素において、複数の異なる測定用データを列駆動ドライバ部１３に出力する。列駆動ドライバ部１３は、複数の異なる測定用データに応じた複数の異なる測定電圧Ｖｄｂを画素Ｐに出力し、上述した画素Ｐの画素回路のセンシング動作により、センシング部１２１は、各測定電圧Ｖｄｂに対するトランジスタＴｒ１の電流値Ｉｄｓをセンシングデータとして、画素Ｐから取得する。センシング期間は、例えば、映像表示期間中の垂直ブランキング期間に設定される。複数の測定電圧Ｖｄｂの電圧値は、トランジスタＴｒ１のしきい値電圧より高い電圧値に設定される。
基準有機ＥＬ表示装置のセンシング部１２１は、センシング期間に、各画素において、複数の異なる測定用データを列駆動ドライバ部１３に出力する。列駆動ドライバ部１３は、複数の異なる測定用データに応じた複数の異なる測定電圧Ｖｄｂを画素Ｐに出力し、上述した画素Ｐの画素回路のセンシング動作により、センシング部１２１は、各測定電圧Ｖｄｂに対するトランジスタＴｒ１の電流値Ｉｄｓをセンシングデータとして、画素Ｐから取得する。センシング期間は、例えば、映像表示期間中の垂直ブランキング期間に設定される。複数の測定電圧Ｖｄｂの電圧値は、トランジスタＴｒ１のしきい値電圧より高い電圧値に設定される。
【0032】
基準有機ＥＬ表示装置のパラメータ計算部１２２は、各測定用データに基づいて求められる各測定電圧ＶｄｂからトランジスタＴｒ１のゲート・ソース電圧Ｖｇｓを求め、複数の電圧Ｖｇｓとセンシング信号線ＳＬを流れる複数の電流Ｉｄｓとから、一つの画素についてのトランジスタＴｒ１のトランジスタＴｒ１のＩ－Ｖ特性を求める。
【0033】
初期状態において、センシング部１２１は上述したように、画素ごとに、複数の測定電圧Ｖｄｂを画素ごとに出力し、複数の測定電圧Ｖｄｂに対するトランジスタＴｒ１の複数の電流値Ｉｄｓをセンシングデータとして取得する。パラメータ計算部１２２は、複数の電圧Ｖｇｓとセンシング信号線ＳＬを流れる複数の電流Ｉｄｓとから、画素ごとに、初期状態のトランジスタＴｒ１のトランジスタＴｒ１のＩ－Ｖ特性を数式１（以下の数１）の近似式で近似し、ｎ＝０の時の特性パラメータα0、β0、γ0を求めて、メモリ等のパラメータ記憶部１２３に保存しておく。
る。
さらに、基準有機ＥＬ表示装置で一定時間表示し、初期状態と同様にして、画素ごとのトランジスタＴｒ１の複数の電流値Ｉｄｓをセンシングデータとして取得し、複数の電圧Ｖｇｓを求めて、トランジスタＴｒ１のＩ－Ｖ特性を得る。表示時間の経過とともに画素ごとのＩ－Ｖ特性は、図４に示すように高電圧側へシフトする。ある電圧での画素ごとの電流分布特性は正規分布となる。一連のＩ－Ｖ特性の変動データを対数表示すると、立ち上がり電圧ＶｎをもとにしたＩ－Ｖ特性に近似することができる。
このＩ－Ｖ特性は、上記数式１及び特性パラメータαｎ、βｎ、γｎを示す数式２（以下の数２）、数式３（以下の数３）、数式４（以下の数４）で表すことができる。
センシングにより得られた画素ごとのトランジスタＴｒ１のＩ－Ｖ特性から、特性パラメータαｎ、βｎ、γｎ、立ち上がり電圧Ｖｎを変数として、数式２、数式３、数式４で基準有機ＥＬ表示装置の特性パラメータａ１、ａ２、ａ３、ｂ１、ｂ２、ｂ３、ｃ１、ｃ２、ｃ３を求め、テーブルデータとして、メモリ等のパラメータ記憶部１２３に保存する。一定時間の表示後には、複数の画素のＩ－Ｖ特性は正規分布するので、いくつかのＩ－Ｖ特性を用いて特性パラメータａ１、ａ２、ａ３、ｂ１、ｂ２、ｂ３、ｃ１、ｃ２、ｃ３を求めることができる。数式２、数式３、数式４のｎは０及び正の整数であり、ｎ＝０は初期値を示す。立ち上がり電圧Ｖｎは、トランジスタＴｒ１のＩ－Ｖ特性の変動（劣化）によって変わる変動パラメータとなり、特性パラメータａ１、ａ２、ａ３、ｂ１、ｂ２、ｂ３、ｃ１、ｃ２、ｃ３は、トランジスタＴｒ１のＩ－Ｖ特性の変動（劣化）によって変わらない定常パラメータとなる。
る。
【数1】
このＩ－Ｖ特性は、上記数式１及び特性パラメータαｎ、βｎ、γｎを示す数式２（以下の数２）、数式３（以下の数３）、数式４（以下の数４）で表すことができる。
センシングにより得られた画素ごとのトランジスタＴｒ１のＩ－Ｖ特性から、特性パラメータαｎ、βｎ、γｎ、立ち上がり電圧Ｖｎを変数として、数式２、数式３、数式４で基準有機ＥＬ表示装置の特性パラメータａ１、ａ２、ａ３、ｂ１、ｂ２、ｂ３、ｃ１、ｃ２、ｃ３を求め、テーブルデータとして、メモリ等のパラメータ記憶部１２３に保存する。一定時間の表示後には、複数の画素のＩ－Ｖ特性は正規分布するので、いくつかのＩ－Ｖ特性を用いて特性パラメータａ１、ａ２、ａ３、ｂ１、ｂ２、ｂ３、ｃ１、ｃ２、ｃ３を求めることができる。数式２、数式３、数式４のｎは０及び正の整数であり、ｎ＝０は初期値を示す。立ち上がり電圧Ｖｎは、トランジスタＴｒ１のＩ－Ｖ特性の変動（劣化）によって変わる変動パラメータとなり、特性パラメータａ１、ａ２、ａ３、ｂ１、ｂ２、ｂ３、ｃ１、ｃ２、ｃ３は、トランジスタＴｒ１のＩ－Ｖ特性の変動（劣化）によって変わらない定常パラメータとなる。
【数2】
【数3】
【数4】
【0034】
（通常有機ＥＬ表示装置）
通常有機ＥＬ表示装置は、基準有機ＥＬ表示装置から、特性パラメータα0、β0、γ0及び特性パラメータａ１、ａ２、ａ３、ｂ１、ｂ２、ｂ３、ｃ１、ｃ２、ｃ３を取得して、テーブルデータとしてメモリ等のパラメータ記憶部１２３に保存する。通常有機ＥＬ表示装置への特性パラメータの保存は、例えば、通常有機ＥＬ表示装置と基準有機ＥＬ表示装置と通信ネットワークで接続しておき、基準有機ＥＬ表示装置のメモリから特性パラメータを読み出して行うことができる。
通常有機ＥＬ表示装置は、センシングによってある測定電圧Ｖｘの時の電流Ｉｄｓｘと電圧Ｖｇｓｘを取得する。電流Ｉｄｓｘ、電圧Ｖｇｓｘ、及び特性パラメータａ１、ａ２、ａ３、ｂ１、ｂ２、ｂ３、ｃ１、ｃ２、ｃ３を用いると、数式５（以下の数５）及び数式６（以下の数６）から導かれる、数式７（以下の数７）及び数式８（以下の数８）より、立ち上がり電圧Ｖｎを求めることができる。数式５は数式２～数式４を数式１に挿入した式であり、数式６は数式５を変形した式である。数式７及び数式８は数式６から求められる。
立ち上がり電圧Ｖｎが決まることで、数式５の近似式のＩ－Ｖ特性が得られる。これは、図６の立ち上がり電圧Ｖｎのときの近似式のＩ－Ｖ特性である。
通常有機ＥＬ表示装置は、基準有機ＥＬ表示装置から、特性パラメータα0、β0、γ0及び特性パラメータａ１、ａ２、ａ３、ｂ１、ｂ２、ｂ３、ｃ１、ｃ２、ｃ３を取得して、テーブルデータとしてメモリ等のパラメータ記憶部１２３に保存する。通常有機ＥＬ表示装置への特性パラメータの保存は、例えば、通常有機ＥＬ表示装置と基準有機ＥＬ表示装置と通信ネットワークで接続しておき、基準有機ＥＬ表示装置のメモリから特性パラメータを読み出して行うことができる。
通常有機ＥＬ表示装置は、センシングによってある測定電圧Ｖｘの時の電流Ｉｄｓｘと電圧Ｖｇｓｘを取得する。電流Ｉｄｓｘ、電圧Ｖｇｓｘ、及び特性パラメータａ１、ａ２、ａ３、ｂ１、ｂ２、ｂ３、ｃ１、ｃ２、ｃ３を用いると、数式５（以下の数５）及び数式６（以下の数６）から導かれる、数式７（以下の数７）及び数式８（以下の数８）より、立ち上がり電圧Ｖｎを求めることができる。数式５は数式２～数式４を数式１に挿入した式であり、数式６は数式５を変形した式である。数式７及び数式８は数式６から求められる。
立ち上がり電圧Ｖｎが決まることで、数式５の近似式のＩ－Ｖ特性が得られる。これは、図６の立ち上がり電圧Ｖｎのときの近似式のＩ－Ｖ特性である。
【数5】
【数6】
【数7】
【数8】
【0035】
測定電圧Ｖｘは任意に決めてよいが、例えば、以下の統計的な手法を用いることができる。
基準有機ＥＬ表示装置で、複数の画素（全画素の場合を含む）のある電圧（所定電圧）ごとの電流分布を求め、その標準偏差σと平均値ａｖから変動係数（σ／ａｖ）を算出する。図７は電圧－変動係数の特性図である。
図７に示す変動係数が大きく変化し始める電圧を測定電圧とすると、安定した測定が可能となる。
通常有機ＥＬ表示装置は、基準有機ＥＬ表示装置から図７に示した測定電圧を取得して、測定電圧Ｖｘとすることができる。
基準有機ＥＬ表示装置で、複数の画素（全画素の場合を含む）のある電圧（所定電圧）ごとの電流分布を求め、その標準偏差σと平均値ａｖから変動係数（σ／ａｖ）を算出する。図７は電圧－変動係数の特性図である。
図７に示す変動係数が大きく変化し始める電圧を測定電圧とすると、安定した測定が可能となる。
通常有機ＥＬ表示装置は、基準有機ＥＬ表示装置から図７に示した測定電圧を取得して、測定電圧Ｖｘとすることができる。
【0036】
次に、データ補償部１２４は、求めた数式５の近似Ｉ－Ｖ特性から、画像データを補償する。
既に説明したように、映像信号が映像入力部１１に入力されると、映像信号に含まれる画像データが入力バッファに保存される。
データ補償部１２４は、パネルの駆動タイミングに合わせて、保存された画像データを画素ごとに読み出し、画像データの信号レベルに応じた電圧値Ｖから初期パラメータα０、β０、γ０を用いて、以下の数式９（数９と記す）に示したターゲット電流値Ｉtargetを計算する。このターゲット電流値Ｉtargetは、温度など外部状況に応じて補正をしても良い。電流値Ｉtargetと画素毎に画素毎にメモリに保存されているパラメータａ１、ａ２、ａ３、ｂ１、ｂ２、ｂ３、ｃ１、ｃ２、ｃ３を用いて、以下の数式１０（数１０と記す）により電圧Ｖ′を求める。数式１０の電圧Ｖ′を求める式は、数式１の近似式を解いた式である。
既に説明したように、映像信号が映像入力部１１に入力されると、映像信号に含まれる画像データが入力バッファに保存される。
データ補償部１２４は、パネルの駆動タイミングに合わせて、保存された画像データを画素ごとに読み出し、画像データの信号レベルに応じた電圧値Ｖから初期パラメータα０、β０、γ０を用いて、以下の数式９（数９と記す）に示したターゲット電流値Ｉtargetを計算する。このターゲット電流値Ｉtargetは、温度など外部状況に応じて補正をしても良い。電流値Ｉtargetと画素毎に画素毎にメモリに保存されているパラメータａ１、ａ２、ａ３、ｂ１、ｂ２、ｂ３、ｃ１、ｃ２、ｃ３を用いて、以下の数式１０（数１０と記す）により電圧Ｖ′を求める。数式１０の電圧Ｖ′を求める式は、数式１の近似式を解いた式である。
【数9】
【数10】
【0037】
この電圧Ｖ´に応じた画像データが列駆動ドライバ部１３に出力される。出力された画像データに基づいて表示パネル部１５のパネル駆動を行うことで、各画素の駆動用ＴＦＴとなるトランジスタＴｒ１を流れる電流量が補正され、輝度の均一性が向上し、パネルの焼き付きを抑制した表示が可能となる。この補償動作をリアルタイムに連続的に行うことで、常に均一な映像表示が可能となる。
【0038】
そして、通常有機ＥＬ表示装置では、画素について１つの測定電圧で測定すればよく、画素ごとに、複数の異なる測定電圧を用いて駆動用ＴＦＴとなるトランジスタＴｒ１のＩ－Ｖ特性を求める必要がなく、大幅に計算量を減らすことができ、リアルタイムで、入力される映像信号の画像データを補償することができる。
【0039】
次に、通常有機ＥＬ表示装置の画質補償のための信号処理方法を図８に示すフローチャートを用いて説明する。
ステップＳ１１において、センシング部１２１は、列駆動ドライバ部１３が各画素に、順次測定電圧Ｖｄｂをかけていくように測定用データを列駆動ドライバ部１３に出力する。行駆動ドライバ部１４は各画素行を走査し、列駆動ドライバ部１３は測定電圧Ｖｄｂを印加する。測定電圧Ｖｄｂは、例えば図７に示した測定電圧とする。センシング部１２１は、測定電圧Ｖｄｂの電圧値に対する電流値Ｉｄｓを、表示パネル部１５の画素から取得する電流センシングを行う。このようにして、センシング部１２１は電流センシングを行う。
ステップＳ１１において、センシング部１２１は、列駆動ドライバ部１３が各画素に、順次測定電圧Ｖｄｂをかけていくように測定用データを列駆動ドライバ部１３に出力する。行駆動ドライバ部１４は各画素行を走査し、列駆動ドライバ部１３は測定電圧Ｖｄｂを印加する。測定電圧Ｖｄｂは、例えば図７に示した測定電圧とする。センシング部１２１は、測定電圧Ｖｄｂの電圧値に対する電流値Ｉｄｓを、表示パネル部１５の画素から取得する電流センシングを行う。このようにして、センシング部１２１は電流センシングを行う。
【0040】
ステップＳ１２において、パラメータ計算部１２２は、測定用データに基づいて求められる測定電圧Ｖｄｂから各画素のトランジスタＴｒ１のＶｇｓを求める。
【0041】
ステップＳ１３において、パラメータ計算部１２２は、基準有機ＥＬ表示装置から取得した、特性パラメータａ１、ａ２、ａ３、ｂ１、ｂ２、ｂ３、ｃ１、ｃ２、ｃ３と、センシングデータとなる電流Ｉｄｓと電圧Ｖｇｓとから、画素のトランジスタＴｒ１の立ち上がり電圧ＶｎのときのＩ－Ｖ特性の近似式を求める。
【0042】
ステップＳ１４において、パラメータ計算部１２２が表示パネル部１５の全画素について、画素のトランジスタＴｒ１のＩ－Ｖ特性の近似式を求めたかを判断し、全画素について近似式が求められていない場合は、ステップＳ１３に戻る。全画素について近似式が求められた場合はステップＳ１５に移る。
【0043】
ステップＳ１５において、データ補償部１２４は、求めた各画素の近似式を用いて、画像データを補償する。
【0044】
以上の内容により、リアルタイムに補償可能な有機ＥＬ表示装置の画質補償方法を提供することが可能である。
【0045】
（第２実施形態）
第１実施形態では、初期のパラメータ値α0、β0、γ0をメモリに保存しておき、画像データの信号レベルに応じた電圧値からターゲット電流値を計算した。しかし、この場合は、画素毎に初期パラメータα0、β0、γ0を保存しておく必要が生じるため、多くのメモリを必要とする。
第１実施形態では、初期のパラメータ値α0、β0、γ0をメモリに保存しておき、画像データの信号レベルに応じた電圧値からターゲット電流値を計算した。しかし、この場合は、画素毎に初期パラメータα0、β0、γ0を保存しておく必要が生じるため、多くのメモリを必要とする。
【0046】
そこで、本実施形態では、ターゲットとなる電流値を以下のように求める。
焼き付きは、同様の信号レベルにもかかわらず、駆動用ＴＦＴの変動により電流量が変化し、輝度の段差が局所的に大きくなることで視認しやすくなる。そこで、視認されないようにするためには、同じ信号レベルに対して流れる電流を空間的に緩やかに変化させれば良い。
したがって、基準有機ＥＬ表示装置において、以下のように、数式１１（以下、数１１と記す）信号レベルに応じた電圧値を与えたときの変動後の電流値を、一つの画素とその周辺画素とのｐ×ｑの画素（例えば１００×１００画素程度、全画素であってもよい）で平滑化することにより、一つの画素のターゲット電流値Ｉtargetを求める。数式１１のｓ、ｔは平滑化する範囲を示す数（自然数）である。
ここで、数式１１のＶはＩtargetを求めたい一つの画素の信号レベルに応じた電圧値であり、αij，βij，γijは、周辺画素の変動後パラメータを表す。これにより、求める画素の周辺で電流値は緩やかに変化することから、表示される輝度の差は緩やかになり、焼き付きを抑制することが可能となる。
焼き付きは、同様の信号レベルにもかかわらず、駆動用ＴＦＴの変動により電流量が変化し、輝度の段差が局所的に大きくなることで視認しやすくなる。そこで、視認されないようにするためには、同じ信号レベルに対して流れる電流を空間的に緩やかに変化させれば良い。
したがって、基準有機ＥＬ表示装置において、以下のように、数式１１（以下、数１１と記す）信号レベルに応じた電圧値を与えたときの変動後の電流値を、一つの画素とその周辺画素とのｐ×ｑの画素（例えば１００×１００画素程度、全画素であってもよい）で平滑化することにより、一つの画素のターゲット電流値Ｉtargetを求める。数式１１のｓ、ｔは平滑化する範囲を示す数（自然数）である。
【数11】
ここで、数式１１のＶはＩtargetを求めたい一つの画素の信号レベルに応じた電圧値であり、αij，βij，γijは、周辺画素の変動後パラメータを表す。これにより、求める画素の周辺で電流値は緩やかに変化することから、表示される輝度の差は緩やかになり、焼き付きを抑制することが可能となる。
【0047】
（第３実施形態）
駆動用ＴＦＴの変動による焼き付きの視認性を低下させる手法として、有機ＥＬ表示素子と同様に自発光のディスプレイであるＰＤＰなどではウォブリング（画面位置を僅かに移動）する手法が用いられている。ウォブリングを用いることで焼き付に生じる輝度段差を緩やかにすることが可能であり、本実施形態では、一定期間で映像の表示位置をずらしながら、リアルタイムにセンシングし、近傍画素の電気的特性の取得と同時に用いることで、相乗効果により、有効性を飛躍的に向上させることが可能である。
駆動用ＴＦＴの変動による焼き付きの視認性を低下させる手法として、有機ＥＬ表示素子と同様に自発光のディスプレイであるＰＤＰなどではウォブリング（画面位置を僅かに移動）する手法が用いられている。ウォブリングを用いることで焼き付に生じる輝度段差を緩やかにすることが可能であり、本実施形態では、一定期間で映像の表示位置をずらしながら、リアルタイムにセンシングし、近傍画素の電気的特性の取得と同時に用いることで、相乗効果により、有効性を飛躍的に向上させることが可能である。
【0048】
図９は本発明の表示装置の第３実施形態となる、ウォブリング制御部を含む有機ＥＬ表示装置の構成を示すブロック図である。図９に示す有機ＥＬ表示装置１Ａの構成は、ウォブリング制御部を除いて図１に示す有機ＥＬ表示装置１の構成と同じであり、第１実施形態又は第２実施形態の有機ＥＬ表示装置のいずれかに適用することができる。
ウォブリングについては、例えば、特開２００７－３０４３１８号公報に記載されている。図９のウォブリング制御部１６は、焼付き視認抑制のために、画像の表示位置を所定の時間間隔で所定の移動量だけ移動させるように制御する。ウォブリング制御部１６は、特開２００７－３０４３１８号公報に記載された表示画面制御部と同一の構成を取ることができる。表示画面制御部は、画像を移動させる時間間隔を設定するための時間間隔設定部と、画像を移動させる移動間隔を設定する移動距離設定部と、画像を水平方向および垂直方向に移動させるための移動方向切替部を備えている。これらの動作の詳細については、特開２００７－３０４３１８号公報に記載されている。
ウォブリングについては、例えば、特開２００７－３０４３１８号公報に記載されている。図９のウォブリング制御部１６は、焼付き視認抑制のために、画像の表示位置を所定の時間間隔で所定の移動量だけ移動させるように制御する。ウォブリング制御部１６は、特開２００７－３０４３１８号公報に記載された表示画面制御部と同一の構成を取ることができる。表示画面制御部は、画像を移動させる時間間隔を設定するための時間間隔設定部と、画像を移動させる移動間隔を設定する移動距離設定部と、画像を水平方向および垂直方向に移動させるための移動方向切替部を備えている。これらの動作の詳細については、特開２００７－３０４３１８号公報に記載されている。
【0049】
以上説明した実施形態は、本発明の好適な実施形態ではあるが、上記実施形態及び実施例のみに本発明の範囲を限定するものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更を施した形態での実施が可能である。
【符号の説明】
【0050】
１、１Ａ 有機ＥＬ表示装置
１１ 映像入力部
１２ 信号処理部
１３ 列駆動ドライバ部
１４ 行駆動ドライバ部
１５ 表示パネル部
１２１ センシング部
１２２ パラメータ計算部
１２３ パラメータ記憶部
１２４ データ補償部
Ｄｅｌ 有機ＥＬ表示素子
Ｔｒ１ 駆動用薄膜トランジスタ
Ｔｒ２ 第１スイッチ用薄膜トランジスタ
Ｔｒ３ 第２スイッチ用薄膜トランジスタ
Ｃ１ ストレージキャパシタ
１１ 映像入力部
１２ 信号処理部
１３ 列駆動ドライバ部
１４ 行駆動ドライバ部
１５ 表示パネル部
１２１ センシング部
１２２ パラメータ計算部
１２３ パラメータ記憶部
１２４ データ補償部
Ｄｅｌ 有機ＥＬ表示素子
Ｔｒ１ 駆動用薄膜トランジスタ
Ｔｒ２ 第１スイッチ用薄膜トランジスタ
Ｔｒ３ 第２スイッチ用薄膜トランジスタ
Ｃ１ ストレージキャパシタ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】