(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023104012
(43)【公開日】2023-07-28
(54)【発明の名称】半導体モジュール
(51)【国際特許分類】
H01L 25/07 20060101AFI20230721BHJP
H01L 23/12 20060101ALI20230721BHJP
H01L 23/13 20060101ALI20230721BHJP
【FI】
H01L25/04 C
H01L23/12 Q
H01L23/12 C
【審査請求】未請求
【請求項の数】9
【出願形態】OL
(21)【出願番号】P 2022004740
(22)【出願日】2022-01-16
(71)【出願人】
【識別番号】000002037
【氏名又は名称】新電元工業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100145861
【弁理士】
【氏名又は名称】木村 薫
(74)【代理人】
【識別番号】100172627
【弁理士】
【氏名又は名称】宮澤 亘
(72)【発明者】
【氏名】中川 政雄
(57)【要約】 (修正有)
【課題】モールド剤が基板から剥離することを少なくできる半導体モジュールを提供する。
【解決手段】基板100の放熱面である一の面101側に金属箔200を設けてモールド剤300によりモールドされた半導体モジュール1であって、金属箔200は、島部210と介在部220とを有する。島部210は、金属箔200の縁部201側を複数の島状に形成して構成される。介在部220は、隣り合う島部210間及び金属箔200の中央部214と島部210との間をモールド剤300が介在して構成され、介在部220において基板100とモールド剤300とが接合する。
【選択図】
図1
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板に金属箔を設けてモールド剤によりモールドされた半導体モジュールであって、
前記金属箔は、島部を含み、
前記島部は、前記金属箔を複数の島状に形成することにより構成され、
更に介在部を有し、
前記介在部は、隣り合う前記島部間を前記モールド剤が介在して構成され、
前記介在部において前記基板と前記モールド剤とが接合することを特徴とする半導体モジュール。
【請求項2】
前記島部は、第1の島部と第2の島部を有し、前記第1の島部は、前記金属箔の縁部側における辺部側に形成され、前記第2の島部は、前記金属箔の縁部側における角部側に形成され、
一の前記第2の島部の面積は、一の前記第1の島部の面積よりも大きい面積とし、前記一の第2の島部の前記モールド剤と接合する辺部の長さは、前記一の第1の島部の前記モールド剤と接合する辺部の長さよりも長くすることを特徴とする請求項1に記載の半導体モジュール。
【請求項3】
前記第1の島部および前記第2の島部を前記金属箔の他の部分と不連続な不連続部とするとともに、前記島部は、第3の島部を有し、前記第3の島部は、前記金属箔の縁部側の辺部側に設けられるとともに、前記金属箔の他の部分と連続する半島状の連続部として端子の設置位置と対応する位置に設けられ、
一の前記第3の島部の面積は、一の前記第1の島部の面積よりも大きい面積とするとともに、更に一の前記第2の島部の面積よりも大きい面積とし、前記一の第3の島部の前記モールド剤と接合する辺部の長さは、前記一の第1の島部の前記モールド剤と接合する辺部の長さよりも長くするとともに、更に前記一の第2の島部の前記モールド剤と接合する辺部の長さよりも長くすることを特徴とする請求項2に記載の半導体モジュール。
【請求項4】
前記金属箔の他の部分は、前記金属箔の中央部側とし、前記金属箔の中央部側は、角部側が傾斜状に切断された矩形状として、前記金属箔の中央部の辺部は、前記角部側の傾斜状の辺部と、隣り合う前記角部を結ぶ直線状の辺部と、を有するとともに、前記介在部は、第1の介在部とし、
前記第1の島部の辺部のうち、前記金属箔の中央部の前記隣り合う前記角部を結ぶ辺部と対向する辺部は、前記隣り合う前記角部を結ぶ辺部と平行に形成され、
前記第2の島部の辺部のうち、前記金属箔の中央部の前記角部側の傾斜状の辺部と対向する辺部は、前記角部側の傾斜状の辺部と平行に形成され、
前記金属箔の中央部と前記島部との間は、前記モールド剤が介在する第2の介在部とすることを特徴とする請求項3に記載の半導体モジュール。
【請求項5】
前記第2の島部は、前記第1の島部よりも角数の多い多角形とすることを特徴とする請求項2乃至請求項4のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
【請求項6】
前記第1の島部は、一の前記第2の島部と、前記一の第2の島部と隣り合う他の第2の島部と、の間に複数設けられるとともに、前記一の第2の島部と前記一の第3の島部との間に更に複数設けられることを特徴とする請求項2乃至請求項5のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
【請求項7】
前記金属箔は、前記モールド剤に対する接合力が前記基板よりも大きい材料により構成されることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
【請求項8】
前記基板と前記モールド剤との線膨張係数の差は、3×10-6/K以上とすることを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
【請求項9】
前記基板は、窒化ケイ素セラミックにより構成し、前記モールド剤は、樹脂を含む材料により構成とすることを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体モジュールに関する。
【背景技術】
【0002】
半導体モジュールは、例えば、基板の一の面側の放熱面に金属箔を設けて樹脂によりモールドして形成される。従来の半導体モジュールの基板としては例えばセラミック基板が用いられている。このような半導体モジュールの技術は、例えば、特許文献1に開示された技術を参照することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
ところで、セラミック基板と樹脂との接する面積が少ないモジュール放熱面においては、繰り返し熱応力発生時に、樹脂とセラミック基板が剥離して、水分が侵入し、侵入した水分がモジュール放熱面から電子部品が設けられる他の面に更に侵入し、半導体モジュール(パワーモジュール)の動作に不具合が生じることがあった。
【0005】
特に、基板を窒化ケイ素基板とした場合には、樹脂との間の線膨張係数の差が大きいため、剥離の問題が顕著となる。
【0006】
本発明は、上記課題を解決する半導体モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
上記課題を解決するために、本発明の半導体モジュールは、基板に金属箔を設けてモールド剤によりモールドされた半導体モジュールであって、金属箔は、島部を含み、島部は、金属箔を複数の島状に形成することにより構成され、介在部は、隣り合う島部間をモールド剤が介在して構成され、更に介在部を有し、介在部において基板とモールド剤とが接合することを特徴とする。
【0008】
本発明によれば、上記の構成により、基板とモールド剤との接合面積を大きくすることができ、モールド剤の基板に対する密着力を向上させ、モールド剤が基板から剥離することを少なくすることができる。また、金属箔を島状に形成された複数の島部とすることにより、金属箔とモールド剤との接合部分が多くなり、基板とモールド剤との接合が金属箔の島部により補強されてモールド剤の基板に対する密着力を更に向上させることができる。
【0009】
島部は、第1の島部と第2の島部を有し、第1の島部は、金属箔の縁部側における辺部側に形成され、第2の島部は、金属箔の縁部側における角部側に形成され、一の第2の島部の面積は、一の第1の島部の面積よりも大きい面積とし、一の第2の島部のモールド剤と接合する辺部の長さは、一の第1の島部のモールド剤と接合する辺部の長さよりも長くすることにより、剥離し易い角部における基板のモールド剤に対する密着力を相対的に大きくすることができる。
【0010】
第1の島部および第2の島部を金属箔の他の部分と不連続な不連続部とするとともに、島部は、第3の島部を有し、第3の島部は、金属箔の縁部側の辺部側に設けられるとともに、金属箔の他の部分と連続する半島状の連続部として端子の設置位置と対応する位置に設けられ、一の第3の島部の面積は、一の第1の島部の面積よりも大きい面積とするとともに、更に一の第2の島部の面積よりも大きい面積とし、一の第3の島部のモールド剤と接合する辺部の長さは、一の第1の島部のモールド剤と接合する辺部の長さよりも長くするとともに、更に一の第2の島部のモールド剤と接合する辺部の長さよりも長くすることにより、モールド剤が基板から剥離することを少なくすることができる。
【0011】
金属箔の他の部分は、金属箔の中央部側とし、金属箔の中央部側は、角部側が傾斜状に切断された矩形状として、金属箔の中央部の辺部は、角部側の傾斜状の辺部と、隣り合う角部を結ぶ直線状の辺部と、を有するとともに、介在部は、第1の介在部とし、第1の島部の辺部のうち、金属箔の中央部の隣り合う角部を結ぶ辺部と対向する辺部は、隣り合う角部を結ぶ辺部と平行に形成され、第2の島部の辺部のうち、金属箔の中央部の角部側の傾斜状の辺部と対向する辺部は、角部側の傾斜状の辺部と平行に形成され、金属箔の中央部と島部との間は、モールド剤が介在する第2の介在部とすることにより、金属箔の中央部の辺部とこれに対向する第1の島部および第2の島部の辺部との間に形成される第2の介在部の幅を一定にすることができ、当該第2の介在部における基板のモールド剤に対する密着力を均一にすることができる。
【0012】
第2の島部は、第1の島部よりも角数の多い多角形とすることにより、剥離し易い角部において接合する角数が相対的に多くなり基板のモールド剤に対する密着力を相対的に大きくすることができる。
【0013】
第1の島部は、一の第2の島部と、一の第2の島部と隣り合う他の第2の島部と、の間に複数設けられるとともに、一の第2の島部と一の第3の島部との間に更に複数設けられることにより、第1の島部が形成される金属箔の辺部側における基板のモールド剤に対する密着力を向上させることができる。また、第2の島部付近および第3の島部付近における基板のモールド剤に対する密着力も向上させることができる。
【0014】
金属箔は、モールド剤に対する接合力が基板よりも大きい材料により構成されることにより、介在部において金属箔とモールド剤との接合を介して基板のモールド剤に対する密着力を補強することができる。
【0015】
基板とモールド剤との線膨張係数の差は、3×10-6/K以上とすることができる。
【0016】
基板は、窒化ケイ素セラミックにより構成し、モールド剤は、樹脂を含む材料により構成とすることができる。
【発明の効果】
【0017】
本発明によれば、モールド剤が基板から剥離することを少なくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【0018】
【
図1】本発明の実施形態に係る半導体モジュールの全体構成を示す斜視図である。
【
図2】半導体モジュールの一部を拡大して示す拡大斜視図である。
【
図3】半導体モジュールの一部を拡大して示す拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0019】
以下、本発明の実施形態を
図1~
図3を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明の実施形態に係る半導体モジュールの全体構成を示す斜視図、
図2は、半導体モジュールの一部を拡大して示す拡大斜視図、
図3は、半導体モジュールの一部を拡大して示す拡大断面図である。
【0020】
図1~
図3を参照して本発明の半導体モジュール1の概要を説明すると、半導体モジュール1は、基板100に金属箔200を設けてモールド剤300によりモールドされた半導体モジュール1である。
【0021】
基板100は、一の面101側(基板100の一の面101側は基板100の裏面側となる)が放熱面として機能し、他の面102側(他の面102側は基板100の表面側となる)は、端子400やリードフレーム等の各種の電子部品が設置される設置面として機能する。
【0022】
すなわち、基板100の一の面101の縁部101a側には、モールド剤300がモールドされることにより、モールド剤300による枠状の突出部101bが形成されており、突出部101bの内側の領域101cが、放熱面として機能する。
【0023】
金属箔200は、基板100一の面101側に設けられている。より詳しくは、金属箔200は、基板100の一の面101側における枠状の突出部101bの内側の領域101cに設けられている。すなわち、基板100および金属箔200は、突出部101bを介してモールド剤300と接合する構成となっており、金属箔200は、モールド剤300を介して基板100に設けられている。金属箔200を枠状の突出部101bの内側の領域101cに設けることで、内側の領域101cを放熱面として機能させることができる。
【0024】
金属箔200は、島部210を含んでいる。
島部210は、基板100の一の面101の縁部101a側において、金属箔200の縁部201側を複数の島状に分割するように形成することにより構成されている。
【0025】
島部210は、第1の島部211、第2の島部212、および第3の島部213を有している。
第1の島部211は、略矩形状より詳しくは長方形状となっている。第1の島部211は、金属箔200の縁部201側における全ての辺部201a側に複数点在するように形成されている。すなわち、第1の島部211は、一の第2の島部212と、一の第2の島部212と隣り合う他の第2の島部212と、の間に複数点在するように設けられている。また、第1の島部211は、一の第2の島部212と一の第3の島部213との間に更に複数点在するように設けられている。
【0026】
第2の島部212は、六角形状となっている。第2の島部212は、第1の島部211および第3の島部213よりも角数の多い多角形となっている。第2の島部212は、金属箔200の縁部201側における角部201b側に点在するように形成されている。第2の島部212は、各角部201bにそれぞれ一つずつ形成されている。第1の島部211および第2の島部212は、金属箔200の他の部分214より詳しくは金属箔200の中央部214側と不連続な不連続部となっている。
【0027】
第3の島部213は、略矩形状より詳しくは長方形状となっている。第3の島部213は、金属箔200の縁部201側の対向する二の辺部201a側に設けられるとともに、金属箔200の中央部214側と連続する半島状の連続部である。第3の島部213は、基板100の他の面102側の端子400の設置位置と対応する位置に設けられている。
【0028】
また、半導体モジュール1は、隣り合う島部211,212,213間および金属箔200の中央部214と島部211,212,213との間に介在する介在部220を有している。介在部220は、第1の介在部221と第2の介在部222を有している。
すなわち、第1の介在部221は、隣り合う島部211,212,213間に介在するように構成されている。より詳しくは、第1の介在部221は、隣り合う島部211,212,213間をモールド剤300が介在して構成されている。
【0029】
また、第2の介在部222は、金属箔200の中央部214と島部211,212,213との間を介在するように構成されている。より詳しくは、第2の介在部222は、金属箔200の中央部214と島部211,212,213との間をモールド剤300が介在して構成されている。第1の介在部221および第2の介在部222は、金属箔200を含まない構成部となっている。
【0030】
第1の介在部221の深さおよび第2の介在部222の深さは、金属箔200の厚みより詳しくは島部211,212,213および中央部214の厚みと等しくなっており、半導体モジュール1のモールド工程においては突出部101b側から第1の介在部221および第2の介在部222側にモールド剤300を流通させることができる。第1の介在部221および第2の介在部222に流通したモールド剤300は、その後に冷えて固まる。これにより、第1の介在部221および第2の介在部222において基板100および金属箔200とモールド剤300とを接合させることができる。
【0031】
ここで、一の第2の島部212の面積は、一の第1の島部211の面積よりも大きい面積となっている。一の第2の島部212のモールド剤300と接合する全ての辺部212aの長さの総和(一の第2の島部212の6辺部212aの長さの総和)は、一の第1の島部211のモールド剤300と接合する全ての辺部211aの長さの総和(一の第1の島部211の4辺部211aの長さの総和)よりも長くなっている。
【0032】
また、一の第3の島部213の面積は、一の第1の島部211の面積よりも大きい面積とするとともに、更に一の第2の島部211の面積よりも大きい面積となっている。一の第3の島部213のモールド剤300と接合する全ての辺部213aの長さの総和(一の第3の島部213の3辺部213aの長さの総和)は、一の第1の島部211のモールド剤300と接合する全ての辺部211aの長さの総和(一の第1の島部211の4辺部211aの長さの総和)よりも長くするとともに、更に一の第2の島部212のモールド剤300と接合する全ての辺部212aの長さの総和(一の第2の島部212の6辺部212aの長さの総和)よりも長くなっている。
【0033】
更に、金属箔200の中央部214側は、角部214a側が傾斜状に切断された矩形状となっている。そして、金属箔200の中央部214の辺部214bは、角部214a側の傾斜状の辺部214b1と、隣り合う角部214aを結ぶ直線状の辺部214b2と、を有している。更にまた、第1の島部211の辺部211aのうち、金属箔200の中央部214の隣り合う角部214aを結ぶ辺部214b1と対向する辺部211a1は、隣り合う角部214aを結ぶ辺部214b1と平行に形成されている。また更に、第2の島部212の辺部212aのうち、金属箔200の中央部214の角部214a側の傾斜状の辺部214b2と対向する辺部212a1は、角部214a側の傾斜状の辺部214b2と平行に形成されている(上記の如く、金属箔200の中央部214と島部211,212との間は、モールド剤300が介在する第2の介在部222となっている)。
【0034】
以上のように構成された半導体モジュール1の基板100、金属箔200、モールド剤300の材質は以下のようにすることができる。
【0035】
すなわち、基板100は、例えば、セラミックにより構成することができ、セラミックは、アルミナセラミックや窒化ケイ素セラミックとすることができる。基板100をアルミナセラミックとしたときは、基板100の線膨張係数は、7×10-6/K程度とすることができる。また、基板100を窒化ケイ素セラミックとしたときは、基板100の線膨張係数は、3×10-6/K程度とすることができる。
【0036】
金属箔200の島部210および中央部214は、モールド剤300に対する接合力が基板100よりも大きい材料により構成されている。金属箔200は、例えば、銅箔とすることができ、銅箔は、銅を含む材料により構成することができる。金属箔200を銅箔としたときは、金属箔200の線膨張係数は、16.6×10-6/K程度とすることができる。
【0037】
モールド剤300は、例えば、樹脂を含む材料により構成とすることができる。モールド剤300を樹脂としたときは、モールド剤300の線膨張係数は、7~10×10-6/K程度となる。基板100をアルミナセラミックとしたときは、基板100とモールド剤300との線膨張係数の差は、0~3×10-6/K程度、基板100を窒化ケイ素セラミックとしたときは、基板100とモールド剤300との線膨張係数の差は、3×10-6/K以上、より詳しくは4~7×10-6/K程度となっている。
【0038】
つまり、半導体モジュール1は、モールド剤300によりモールドすることにより基板100に金属箔200を設けることとしているが、基板100をアルミナセラミックとしモールド剤300を樹脂としたときは、線膨張係数の差が小さく温度変化が大きい場合にもモールド剤300が基板100から剥離し難くく基板100とモールド剤300とを安定して接合させることができる。
【0039】
これに対して、基板100を窒化ケイ素セラミックとしモールド剤300を樹脂としたときは、線膨張係数の差が大きく温度変化が大きい場合にはモールド剤300が基板100から剥離し易くなるが、本実施形態にあっては、上記のような半導体モジュール1における金属箔200の縁部201側の島状構造を採用することにより、基板100を窒化ケイ素セラミックとしたときにもモールド剤300が基板100から剥離することを少なくなすることができる。
【0040】
すなわち、本実施形態にあっては、金属箔200は、島部210と第1の介在部221とを有し、島部210は、基板100の縁部101a側において、金属箔200の縁部201側を複数の島状に形成することにより構成され、第1の介在部221は、隣り合う島部210間をモールド剤300が介在して構成され、第1の介在部221において基板100とモールド剤300とが接合することにより、基板100とモールド剤300との接合面積を大きくすることができる。これにより、モールド剤300の基板100に対する密着力を向上させ、モールド剤300が基板100から剥離することを少なくすることができる。また、金属箔200の縁部201側を島状に形成された複数の島部210とすることにより、金属箔200とモールド剤300との接合部分が多くなり、基板100とモールド剤300との接合が金属箔200の島部210により補強されてモールド剤300の基板100に対する密着力を更に向上させることができる。
【0041】
また、島部210は、第1の島部211と第2の島部212を有し、第1の島部211は、金属箔200の縁部201側における辺部201a側に点在するように形成され、第2の島部212は、金属箔200の縁部201における角部201b側に点在するように形成され、一の第2の島部212の面積は、一の第1の島部211の面積よりも大きい面積とし、一の第2の島部212のモールド剤300と接合する全ての辺部212aの長さの総和は、一の第1の島部211のモールド剤300と接合する全ての辺部211aの長さの総和よりも長くすることにより、剥離し易い角部201bにおける基板100のモールド剤300に対する密着力を相対的に大きくすることができる。
【0042】
更に、島部210は、第3の島部213を有し、第3の島部213は、金属箔200の縁部201側の対向する二の辺部201a側に設けられるとともに、金属箔200の中央部214側と連続する半島状の連続部として端子400の設置位置と対応する位置に設けられ、一の第3の島部213の面積は、一の第1の島部211の面積よりも大きい面積とするとともに、更に一の第2の島部212の面積よりも大きい面積とし、一の第3の島部213のモールド剤300と接合する全ての辺部213aの長さの総和は、一の第1の島部211のモールド剤300と接合する全ての辺部211aの長さの総和よりも長くするとともに、更に一の第2の島部212のモールド剤300と接合する全ての辺部212aの長さ総和よりも長くすることにより、モールド剤300が基板100から剥離することを少なくすることができる。
【0043】
すなわち、端子400には大きな電流が流れるため、端子400の設置位置と対応する位置においては、温度変化が大きくなるが、上記のように、第3の島部213を、端子400の設置位置と対応する位置に設け、一の第3の島部213の面積は、一の第1の島部211の面積よりも大きい面積とするとともに、一の第2の島部212の面積よりも大きい面積とし、一の第3の島部213のモールド剤300と接合する全ての辺部213aの長さ総和は、一の第1の島部211のモールド剤300と接合する全ての辺部211aの長さの総和よりも長くするとともに、一の第2の島部212のモールド剤300と接合する全ての辺部212aの長さ総和よりも長くすることにより、第3の島部213付近において基板100のモールド剤300に対する密着力を相対的に大きくすることができ、温度変化が大きい場合にあってもモールド剤300が基板100から剥離することを少なくすることができる。
【0044】
更にまた、第1の島部211の辺部のうち、金属箔200の中央部214の隣り合う角部214aを結ぶ辺部214b2と対向する辺部211aは、隣り合う角部214aを結ぶ辺部214b2と平行に形成され、第2の島部212の辺部のうち、金属箔200の中央部214の角部214a側の傾斜状の辺部214b1と対向する辺部212aは、角部側の傾斜状の辺部214b1と平行に形成され、金属箔200の中央部214と島部211,212との間は、モールド剤300が介在する第2の介在部222とすることにより、金属箔200の中央部214の辺部214bとこれに対向する第1の島部211および第2の島部212の辺部211a,212aとの間に形成される第2の介在部222の幅を一定にすることができる。これにより、当該第2の介在部222における基板100のモールド剤300に対する密着力を均一にすることができる。
【0045】
また更に、第2の島部212は、第1の島部211および第3の島部213よりも角数の多い多角形とすることにより、剥離し易い角部214aにおいて接合する角数が相対的に多くなり基板100のモールド剤300に対する密着力を相対的に大きくすることができる。
【0046】
また、第1の島部211は、一の第2の島部212と、一の第2の島部212と隣り合う他の第2の島部212と、の間に複数設けられるとともに、一の第2の島部212と一の第3の島部213との間に更に複数設けられることにより、第1の島部211が形成される金属箔200の辺部201a側における基板100のモールド剤300に対する密着力を向上させることができる。また、第2の島部212付近および第3の島部213付近における基板100のモールド剤300に対する密着力も向上させることができる。
【0047】
なお、本発明は上述した実施形態に限定されることなく特許請求の範囲に記載した発明の範囲内において種々の変形実施、応用実施が可能であることは勿論である。
【0048】
例えば、上述した実施形態にあっては、基板100は、アルミナセラミックや窒化ケイ素セラミックとすることとしているが、他の材料を使用することとしても所要の効果を奏する。ただし、基板100を窒化ケイ素セラミックとすることにより本発明の技術的効果を遺憾なく発揮することができる。
【0049】
また、金属箔200は、銅箔とすることとしているが他の金属材料としても所要の効果を奏する。ただし、金属箔200は、銅箔とした方がモールド剤300との接合力が基板100よりも大きくより好ましい実施形態となる。
【0050】
更に、モールド剤300は、樹脂とすることとしているが、本発明の技術的効果を奏することができる各種の材料を採用することができる。
【0051】
更にまた、金属箔200において一の第2の島部212の面積は、一の第1の島部211の面積よりも大きい面積とし、一の第2の島部212のモールド剤300と接合する全ての辺部212aの長さの総和は、一の第1の島部211のモールド剤300と接合する全ての辺部211aの長さの総和よりも長くすることとしているが、例えば一の第2の島部212の面積は、一の第1の島部211の面積よりも小さい面積とし、一の第2の島部212のモールド剤300と接合する全ての辺部212aの長さの総和は、一の第1の島部211のモールド剤300と接合する全ての辺部211aの長さの総和よりも短くすることとしても所要の効果を奏することができる。
【0052】
ただし、一の第2の島部212の面積は、一の第1の島部211の面積よりも大きい面積とし、一の第2の島部212のモールド剤300と接合する全ての辺部212aの長さの総和は、一の第1の島部211のモールド剤300と接合する全ての辺部211aの長さの総和よりも長くすることとした方が、基板100のモールド剤300に対する密着力を大きくすることができより好ましい実施形態となる。
【0053】
また更に、一の第3の島部213の面積は、一の第1の島部211の面積よりも大きい面積とするとともに、更に一の第2の島部212の面積よりも大きい面積とし、一の第3の島部213のモールド剤300と接合する全ての辺部213aの長さの総和は、一の第1の島部211のモールド剤300と接合する全ての辺部211aの長さの総和よりも長くするとともに、更に一の第2の島部212のモールド剤300と接合する全ての辺部212aの長さの総和よりも長くすることとしているが、例えば、端子400との寸法関係から一の第3の島部213の面積は、一の第1の島部211の面積および一の第2の島部212の面積よりも小さい面積とし、一の第3の島部213のモールド剤300と接合する全ての辺部213aの長さの総和は、一の第1の島部211のモールド剤300と接合する全ての辺部211aの長さの総和および一の第2の島部212のモールド剤300と接合する全ての辺部の212aの長さの総和よりも短くすることとしても所要の効果を奏することができる。
【0054】
ただし、一の第3の島部213の面積は、一の第1の島部211の面積よりも大きい面積にするとともに、更に一の第2の島部212の面積よりも大きい面積とし、一の第3の島部213のモールド剤300と接合する全ての辺部213aの長さの総和は、一の第1の島部211のモールド剤300と接合する全ての辺部211aの長さの総和よりも長くするとともに、更に一の第2の島部212のモールド剤300と接合する全ての辺部212aの長さの総和よりも長くした方が基板100のモールド剤300に対する密着力を相対的に大きくすることができより好ましい実施形態となる。
【0055】
また、第1の島部211の辺部211aのうち、金属箔200の中央部214の隣り合う角部214aを結ぶ辺部214b2と対向する辺部211a1は、隣り合う角部214aを結ぶ辺部214b2と平行に形成され、第2の島部212の辺部212aのうち、金属箔200の中央部214の角部214a側の傾斜状の辺部214b1と対向する辺部212a2は、角部214a側の傾斜状の辺部214b1と平行に形成されることとしているが、平行とせずとも所要の効果を奏することができる。
【0056】
ただし、第1の島部211の辺部211aのうち、金属箔200の中央部214の隣り合う角部214aを結ぶ辺部214b2と対向する辺部211a1は、隣り合う角部214aを結ぶ辺部214b2と平行に形成され、第2の島部212の辺部212aのうち、金属箔200の中央部214の角部214a側の傾斜状の辺部214b1と対向する辺部212aは、角部214a側の傾斜状の辺部214b1と平行に形成されることとした方が基板100のモールド剤300に対する密着力を均一にすることができより好ましい実施形態となる。
【0057】
更に、第1の島部211および第3の島部213は、矩形状とし、第2の島部は、六角形状とすることとしているが、他の形状とすることとしても所要の効果を奏することができる。
【0058】
更にまた、第2の島部212は、第1の島部211および第3の島部213よりも角数の多い多角形とすることとしているが、角数が同等の多角形や角数が少ない多角形とすることとしても所要の効果を奏することができる。ただし、第2の島部212は、第1の島部211および第3の島部213よりも角数の多い多角形とした方が基板100のモールド剤300に対する密着力を大きくすることができより好ましい実施形態となる。
【0059】
また更に、第1の島部211は、一の第2の島部212と、一の第2の島部212と隣り合う他の第2の島部212と、の間に複数設けられるとともに、一の第2の島部212と一の第3の島部213との間に更に複数設けられることとしているが、複数とせず単数とすることとしても所要の効果を奏することができる。ただし、第1の島部211は、一の第2の島部212と、一の第2の島部212と隣り合う他の第2の島部212と、の間に複数設けられるとともに、一の第2の島部212と一の第3の島部213との間に更に複数設けられることとした方が基板100のモールド剤300に対する密着力を大きくすることができより好ましい実施形態となる。
【符号の説明】
【0060】
1:半導体モジュール
100:基板
101:一の面
101a:縁部
101b:突出部
101c:内側の領域
102:他の面
200:金属箔
201:縁部
201a:辺部
201b:角部
210:島部
211:第1の島部
211a:辺部
211a1:辺部
212:第2の島部
212a:辺部
212a1:辺部
213:第3の島部
213a:辺部
214:他の部分(中央部)
214a:角部
214b:辺部
214b1:傾斜状の辺部
214b2:直線状の辺部
220:介在部
221:第1の介在部
222:第2の介在部
300:モールド剤
400:端子