特開 2023-104908 半導体装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023104908

(43)【公開日】2023-07-28

(54)【発明の名称】半導体装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 23/50 20060101AFI20230721BHJP

【ＦＩ】

H01L23/50 U

H01L23/50 F

H01L23/50 K

【審査請求】未請求

【請求項の数】7

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023004446

(22)【出願日】2023-01-16

(31)【優先権主張番号】P 2022004995

(32)【優先日】2022-01-17

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(71)【出願人】

【識別番号】000154325

【氏名又は名称】住友電工デバイス・イノベーション株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100088155

【弁理士】

【氏名又は名称】長谷川 芳樹

(74)【代理人】

【識別番号】100113435

【弁理士】

【氏名又は名称】黒木 義樹

(74)【代理人】

【識別番号】100136722

【弁理士】

【氏名又は名称】▲高▼木 邦夫

(74)【代理人】

【識別番号】100174399

【弁理士】

【氏名又は名称】寺澤 正太郎

(74)【代理人】

【識別番号】100140682

【弁理士】

【氏名又は名称】妙摩 貞茂

(72)【発明者】

【氏名】新才 昌弘

【テーマコード（参考）】

5F067

【Ｆターム（参考）】

5F067AA01

5F067AA03

5F067AB04

5F067BD05

5F067BE01

5F067BE04

5F067CA03

5F067EA04

(57)【要約】

【課題】高周波特性の低下が抑制された半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体素子と、半導体素子が搭載された第１面、及び、第１面とは反対側の面である第２面を有するベースと、ベースの周縁の第１領域において、第１面から第２面に向かって段差を有する第１縁部と、ベースの厚さ方向から見て第１縁部に対向する位置に配置された第１端子と、半導体素子と第１端子とを電気的に接続させる導通部材と、ベースの一部、半導体素子、及び第１端子の一部を封止する樹脂材料と、を備える。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

半導体素子と、
前記半導体素子が搭載された第１面、及び、前記第１面とは反対側の面である第２面を有するベースと、
前記ベースの周縁の第１領域において、前記第１面から前記第２面に向かって段差を有する第１縁部と、
前記ベースの厚さ方向から見て前記第１縁部に対向する位置に配置された第１端子と、
前記半導体素子と前記第１端子とを電気的に接続させる導通部材と、
前記ベースの一部、前記半導体素子、及び前記第１端子の一部を封止する樹脂材料と、を備える、半導体装置。

【請求項2】

前記ベースの前記周縁のうち前記第１領域に対向する第２領域において、前記第１面から前記第２面に向かって段差を有する第２縁部と、前記ベースの前記厚さ方向から見て前記第２縁部に対向する位置に配置され、前記半導体素子と前記導通部材によって導通される第２端子をさらに備える、請求項１に記載の半導体装置。

【請求項3】

前記第１端子は、複数の前記第１端子の一つであり、
前記複数の前記第１端子のそれぞれの間には、前記第１縁部から延在したグランド端子が設けられている、請求項２に記載の半導体装置。

【請求項4】

前記ベースの前記周縁は、前記第１縁部および前記第２縁部を接続する第３縁部を含み、
前記第３縁部には凹部が設けられ、
前記凹部の位置には第３端子が配置されている、請求項２に記載の半導体装置。

【請求項5】

前記ベースの前記第１面に搭載され、前記半導体素子と前記第１端子とに電気的に接続された整合回路をさらに備える、請求項１に記載の半導体装置。

【請求項6】

前記第１端子は、前記半導体素子と接続する第１の端部と、前記第１の端部と対向する第２の端部と、を有し、
前記第１の端部は、前記ベースの厚さ方向から見て前記第１縁部に対向する位置に配置され、
前記第２の端部は、前記第１縁部に対向しない位置に配置されている、請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の半導体装置。

【請求項7】

前記ベースの前記第２面は、前記樹脂材料で覆われているパッケージの表面に露出され、
前記第１の端部は、前記樹脂材料の内部に配置され、
前記第２の端部は、前記パッケージの表面に露出されており、
前記第１端子は、前記第１の端部と前記第２の端部との間の領域で屈曲して配置されている、請求項６に記載の半導体装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、半導体装置に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、半導体装置が記載されている。この半導体装置は、リードフレーム（ベース）と、リードフレームに搭載された半導体素子とを備える。半導体素子の電極パッドは、ベースリード及びエミッタリードにボンディングワイヤで電気的に接続されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開平１０－５０８９１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

例えば、入力信号端子又は出力信号端子といった外部端子と半導体素子とがボンディングワイヤ（導通部材）によって電気的に接続されている半導体装置では、ボンディングワイヤの長さが長い場合に、高周波特性が低下することが考えられる。一方、ボンディングワイヤの長さを短くするために外部端子をベースに近づけると、外部端子とベースとの間に発生する寄生容量によって高周波特性が低下することが考えられる。また、樹脂材料で覆うパッケージによって構成される表面実装タイプを実装する場合、リードを折り曲げることでワイヤループ（ボンディングワイヤ）分の高さを収容することになり、パッケージの厚みが増してしまう。リードとベースとの重なる部分では一定の距離を保つ必要があるため、パッケージが大きくなることが考えられる。

【0005】

本開示は、高周波特性の低下が抑制された半導体装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示は、半導体装置を提供する。半導体装置は、半導体素子と、半導体素子が搭載された第１面、及び、第１面とは反対側の面である第２面を有するベースと、ベースの周縁の第１領域において、第１面から第２面に向かって段差を有する第１縁部と、ベースの厚さ方向から見て第１縁部に対向する位置に配置された第１端子と、半導体素子と第１端子とを電気的に接続させる導通部材と、ベースの一部、半導体素子、及び第１端子の一部を封止する樹脂材料と、を備える。

【発明の効果】

【0007】

本開示によれば、高周波特性の低下が抑制された半導体装置を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】図１は、一例の半導体装置の構成を模式的に示す平面図である。

【図2】図２は、図１におけるＩＩ－ＩＩ線に沿った断面図である。

【図3】図３は、図１のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿った断面図である。

【図4】図４は、他の例の半導体装置の構成を模式的に示す平面図である。

【図5】図５は、図４におけるＶ－Ｖ線に沿った断面図である。

【図6】図６は、図４のＶＩ－ＶＩ線に沿った断面図である。

【図7】図７は、図４のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿った断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

［本開示の実施形態の説明］
一実施形態に係る半導体装置は、（１）半導体素子と、半導体素子が搭載された第１面、及び、第１面とは反対側の面である第２面を有するベースと、ベースの周縁の第１領域において、第１面から第２面に向かって段差を有する第１縁部と、ベースの厚さ方向から見て第１縁部に対向する位置に配置された第１端子と、半導体素子と第１端子とを電気的に接続させる導通部材と、ベースの一部、半導体素子、及び第１端子の一部を封止する樹脂材料と、を備える。

【0010】

上記の半導体装置では、ベースに搭載された半導体素子と第１端子とが導通部材によって導通されている。第１端子は、ベースの厚さ方向から見て、ベースの周縁を構成する第１縁部に重複している。これにより、第１端子と半導体素子との間の距離が小さくなるため、第１端子と半導体素子とを接続する導通部材の長さを短くすることができる。したがって、導通部材の長さに起因する高周波特性の低下を抑制できる。なお、第１端子に重複する部分である第１縁部の第１領域と第１端子との間の距離が大きくてもよい。この場合、第１端子と第１領域との間における寄生容量の発生を抑制させることができる。したがって、寄生容量に起因する高周波特性の低下を抑制できる。

【0011】

（２）上記（１）において、一例の半導体装置は、ベースの周縁のうち第１領域に対向する第２領域において、第１面から第２面に向かって段差を有する第２縁部と、ベースの厚さ方向から見て第２縁部に対向する位置に配置され、半導体素子と導通部材によって導通される第２端子をさらに備えてもよい。厚さ方向から見たときのベースの第２縁部における第２端子に重複する第２領域と第２端子との間の厚さ方向に沿った距離は、厚さ方向における第２端子と第１面との間の距離よりも大きくてもよい。この構成では、例えば、第１端子及び第２端子を入力信号端子及び出力信号端子としてもよい。この場合、入力信号端子及び出力信号端子の双方において、周波数特性の低下を抑制できる。

【0012】

（３）上記（２）においては、一例の第１端子は、複数の第１端子の一つであり、複数の第１端子のそれぞれの間には、第１縁部から延在したグランド端子が設けられていてもよい。この構成では、第１端子同士が互いに干渉することが抑制される。

【0013】

（４）上記（２）又は（３）においては、一例のベースの前記周縁は、前記第１縁部および前記第２縁部を接続する第３縁部を含んでよい。第３縁部には凹部が設けられてよい。凹部の位置には第３端子が配置されてもよい。この構成では、パッケージが大きくなることが抑制されている。

【0014】

（５）上記（１）から（４）のいずれかにおいては、一例の半導体装置は、ベースの第１面に搭載され、半導体素子と第１端子とに電気的に接続された整合回路をさらに備えてもよい。この構成では、半導体素子と第１端子との間におけるインピーダンスのマッチングを行うことができる。

【0015】

（６）上記（１）から（５）のいずれかにおいては、一例の第１端子は、半導体素子と接続する第１の端部と、第１の端部と対向する第２の端部と、を有してよい。第１の端部は、ベースの厚さ方向から見て第１縁部に対向する位置に配置され、第２の端部は、第１縁部に対向しない位置に配置されていてよい。この構成では、パッケージが大きくなることが抑制されている。

【0016】

（７）上記（６）においては、ベースの第２面は、樹脂材料で覆われているパッケージの表面に露出され、第１の端部は、樹脂材料の内部に配置され、第２の端部は、パッケージの表面に露出されてなり、第１端子は、第１の端部と第２の端部との間の領域で屈曲して配置されていてよい。この構成では、パッケージが大きくなることが抑制されている。
［本発明の実施形態の詳細］

【0017】

本開示の半導体装置の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。以下の説明では、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

【0018】

図１は、一例の半導体装置の構成を模式的に示す平面図である。図２は、図１におけるＩＩ－ＩＩ線に沿った断面図である。図３は、図１のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿った断面図である。以下の説明では、図面に示したＸＹＺ直交座標系を参照する場合がある。図１から図３に示すように、一例の半導体装置１は、ベース１０と、外部端子２０と、半導体素子３０と、整合回路基板４０と、ボンディングワイヤ５０と、樹脂材料６０とを備える。なお、図１では、樹脂材料６０によって被覆された部分についても実線で描画している。

【0019】

一例のベース１０は、導電性を有する板状の部材である。ベース１０は、例えば銅、銅とモリブデンの合金、銅とタングステンの合金、あるいは、銅板、モリブデン板、タングステン板、銅とモリブデンの合金板、銅とタングステンの合金板による積層材によって形成され得る。図示例のベース１０は銅によって形成されていてよい。なお、ベース１０の材料は上記に限定されない。

【0020】

ベース１０は、略矩形板状をなすベース本体１１を含む。ベース本体１１は、半導体素子３０及び整合回路基板４０を搭載するための表面１１ａ（第１面）と、表面１１ａとは反対側の面である裏面１１ｂ（第２面）とを有する。図１から図３において、表面１１ａ及び裏面１１ｂはＸＹ平面に沿って延在している。そのため、ベース１０の厚さ方向は、Ｚ方向に沿っている。

【0021】

図１に示すように、ベース本体１１の周縁１１ｃは、Ｙ方向に沿って延在する第１縁部１２及び第２縁部１３と、Ｘ方向に沿って延在する第３縁部１４及び第４縁部１５を含む。第１縁部１２と第２縁部１３とは、Ｘ方向に互いに対向している。第３縁部１４と第４縁部１５とは、Ｙ方向に互いに対向している。第１縁部１２及び第２縁部１３は、第３縁部１４及び第４縁部１５によって接続されている。

【0022】

ベース１０は、グランド端子１６を含んでいる。グランド端子１６は、ベース本体１１の周縁１１ｃに設けられている。また、Ｚ方向から見たときに、グランド端子１６は、ベース１０の周縁１１ｃから外側に向かって延在している。図示例のグランド端子１６は、第１縁部１２及び第２縁部１３に設けられている。図示例では、第１縁部１２においてＹ方向の中央と両端とにそれぞれ１つのグランド端子１６が設けられている。また、第２縁部１３では、Ｙ方向の両端、及び両端と中央との間にそれぞれ１つのグランド端子１６が設けられている。すなわち、第１縁部１２には３つのグランド端子１６が設けられ、第２縁部１３には４つのグランド端子１６が設けられている。図３に示すように、グランド端子１６は、Ｚ方向においてベース本体１１から離れた位置でＸＹ平面に沿って延在する第１部分１６ａと、第１部分１６ａとベース本体１１とを接続する第２部分１６ｂとを含む。

【0023】

外部端子２０は、入力信号端子２１と出力信号端子２３とを含む。入力信号端子２１は、Ｙ方向から見たときに、ベース１０の表面１１ａの周縁１１ｃのうち第２縁部１３から離間して配置されている。入力信号端子２１は、Ｚ方向から見たときに、第２縁部１３に重複している。図２に示すように、入力信号端子２１は、Ｚ方向においてベース本体１１に近い位置でＸＹ平面に沿って延在する第１部分２１ａと、第１部分２１ａよりもベース本体１１から離れた位置においてＸＹ平面に沿って延在する第２部分２１ｂと、第１部分２１ａと第２部分２１ｂとを接続する第３部分２１ｃとを含む。一例の入力信号端子２１では、第１部分２１ａがベース本体１１の第２縁部１３の一部とＺ方向に対向している。図示例の入力信号端子２１は、Ｙ方向において、ベース本体１１の中央の位置に配置されている。

【0024】

同様に出力信号端子２３は、Ｙ方向から見たときに、ベース１０の表面１１ａの周縁１１ｃのうち第１縁部１２から離間して配置されている。出力信号端子２３は、Ｚ方向から見たときに、第１縁部１２に重複している。図２に示すように、出力信号端子２３は、Ｚ方向においてベース本体１１に近い位置でＸＹ平面に沿って延在する第１部分２３ａと、第１部分２３ａよりもベース本体１１から離れた位置においてＸＹ平面に沿って延在する第２部分２３ｂと、第１部分２３ａと第２部分２３ｂとを接続する第３部分２３ｃとを含む。一例の出力信号端子２３では、第１部分２３ａがベース本体１１の第１縁部１２の一部とＺ方向に対向している。

【0025】

外部端子２０は電源端子２５を含む。図示例では、４つの電源端子２５（第３端子）が示されている。２つの電源端子２５は、第３縁部１４に近接して配置されており、残りの２つの電源端子２５は第４縁部１５に近接して配置されている。一例の電源端子２５は、Ｚ方向から見たときに、ベース本体１１から離間している。図示例では、ベース本体１１の第３縁部１４及び第４縁部１５に切欠き状の括れ部分１４ａ，１５ａ（凹部）が設けられており、電源端子２５は、この括れ部分１４ａ，１５ａに配置されている。例えば、電源端子２５は、Ｚ方向においてベース本体１１に近い位置でＸＹ平面に沿って延在する第１部分２５ａと、第１部分２５ａよりもベース本体１１から離れた位置においてＸＹ平面に沿って延在する第２部分２５ｂと、第１部分２５ａと第２部分２５ｂとを接続する第３部分２５ｃとを含んでよい。Ｚ方向における電源端子２５の第２部分２５ｂの位置は、入力信号端子２１の第２部分２１ｂ、出力信号端子２３の第２部分２３ｂ及びグランド端子１６の第１部分１６ａと互いに同じであってよい。

【0026】

半導体素子３０は、ベース１０の表面１１ａに搭載されている。ベース１０の表面１１ａ上に半導体素子３０を接着するための接着剤は、例えば銀ペーストといった導電性接着剤であってよい。半導体素子３０は、例えば窒化ガリウム（ＧａＮ）系のトランジスタであってよいが、これに限定されない。例えば、半導体素子３０は、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＧａＮ、ＧａＡｓ又はダイヤモンド等の基板を備えるトランジスタであってもよい。半導体素子３０は、ドレイン電極、ソース電極及びゲート電極からなる電極を含んでおり、この電極を介して他の素子又は端子と電気的に接続される。図示例では、ベース本体１１の表面に３つの半導体素子が搭載されている。

【0027】

整合回路基板４０は、ベース１０の表面１１ａに搭載されている。ベース１０の表面１１ａ上に整合回路基板４０を接着するための接着剤は、例えば銀ペーストといった導電性接着剤であってよい。整合回路基板４０は、入力回路基板４１又は出力回路基板４３であってよい。入力回路基板４１は、入力信号端子２１と半導体素子３０との間のインピーダンスのマッチングを行う。出力回路基板４３は、出力信号端子２３と半導体素子との間のインピーダンスのマッチングを行う。入力回路基板４１及び出力回路基板４３は、例えば、セラミック基板の上面及び下面のそれぞれに電極を設けた平行平板型キャパシタである。また、整合回路基板４０は、Ｓｉ－ＭＯＳ構造により形成されたキャパシタであってもよい。整合回路基板４０は、半導体素子３０と外部端子２０と電源端子２５とに電気的に接続されている。

【0028】

ボンディングワイヤ５０（導通部材）は、半導体装置１の構成要素同士を導通させる部材である。一例の半導体装置１は、複数のボンディングワイヤ５０を含む。ボンディングワイヤ５０は、例えば、金（Ａｕ）といった金属によって形成されている。ボンディングワイヤ５０は、入力信号端子２１と入力回路基板４１との間、入力回路基板４１と半導体素子３０との間、入力回路基板４１と電源端子２５との間、半導体素子３０と出力回路基板４３との間、出力回路基板４３と電源端子２５との間、及び、出力回路基板４３と出力信号端子２３との間、を導通させる。これにより、半導体素子３０と入力信号端子２１及び出力信号端子２３とが導通される。

【0029】

一例の半導体装置１のベース１０上には、図１に示すように、入力信号端子２１に近接する第２縁部１３から出力信号端子２３に近接する第１縁部１２にかけて、入力回路基板４１、半導体素子３０、出力回路基板４３、２つの半導体素子３０及び出力回路基板４３が順番に搭載されている。

【0030】

樹脂材料６０は、ベース１０、半導体素子３０、整合回路基板４０、及び外部端子２０を封止している。一例の半導体装置１では、ベース１０の一部、半導体素子３０、外部端子２０の一部、及びボンディングワイヤ５０が樹脂材料６０によって封止されている。一例の半導体装置１では、入力信号端子２１の第２部分２１ｂ、出力信号端子２３の第２部分２３ｂ、グランド端子１６の第１部分１６ａ、及び、電源端子２５の第２部分２５ｂが樹脂材料６０から露出している。また、ベース１０の裏面１１ｂも樹脂材料６０から露出している。樹脂材料６０は、例えば熱硬化性エポキシ樹脂等の樹脂であってよい。

【0031】

以下、一例の半導体装置１について、さらに詳細に説明する。図２に示すように、ベース１０の表面１１ａの第１縁部１２において出力信号端子２３に重複する第１領域１２ａと出力信号端子２３との間のＺ方向に沿った距離Ｌ１は、Ｚ方向における出力信号端子２３とベース１０の表面１１ａとの間の距離Ｌ２よりも大きい。第１領域１２ａは、第１縁部１２に形成された段部１７に含まれる。段部１７は、表面１１ａから裏面１１ｂ側に向かって段状に形成された部分である。Ｚ方向から見て、段部１７は、Ｘ方向に沿った短辺及びＹ方向に沿った長辺を有する矩形状をなしている。段部１７の長辺の大きさは、出力信号端子２３の第１部分２３ａのＹ方向の大きさよりも大きい。

【0032】

例えば、段部１７は、Ｙ方向において、出力信号端子２３を挟んで配置される一対のグランド端子１６同士の間に形成されている。一例において、段部１７は、一対のグランド端子１６間のＹ方向の全域に形成されている。Ｙ方向において、段部１７の中央の位置と出力信号端子２３の中央の位置とは互いに一致していてよい。また、出力信号端子２３の先端は、Ｘ方向において、段部１７の一対の長辺間に位置していてよい。なお、出力信号端子２３の先端は、第１部分２３ａのうちの第３部分２３ｃと逆の端縁である。図２に示すように、ベース１０の第１領域１２ａと出力信号端子２３の第１部分２３ａとはＺ方向において互いに対向している。

【0033】

同様に、ベース１０の表面１１ａの第２縁部１３において入力信号端子２１に重複する第２領域１３ａと入力信号端子２１との間のＺ方向に沿った距離Ｌ３は、Ｚ方向における入力信号端子２１と表面１１ａとの間の距離Ｌ４よりも大きい。第２領域１３ａは、第２縁部１３に形成された段部１８に含まれている。段部１８は、表面１１ａから裏面１１ｂ側に向かって段状に形成された部分である。Ｚ方向から見て、段部１８は、Ｘ方向に沿った短辺及びＹ方向に沿った長辺を有する矩形状をなしている。段部１８の長辺の大きさは、入力信号端子２１の第１部分２１ａのＹ方向の大きさよりも大きい。

【0034】

例えば、段部１８は、Ｙ方向において、入力信号端子２１を挟んで配置される一対のグランド端子１６同士の間に形成されている。一例において、段部１８は、一対のグランド端子１６間のＹ方向の全域に形成されている。Ｙ方向において、段部１８の中央の位置と入力信号端子２１の中央の位置とは互いに一致していてよい。また、入力信号端子２１の先端は、Ｘ方向において、段部１８の一対の長辺間に位置していてよい。なお、入力信号端子２１の先端は、第１部分２１ａのうちの第２部分２１ｂと逆の端縁である。図２に示すように、ベース１０の第２領域１３ａと入力信号端子２１の第１部分２１ａとはＺ方向において互いに対向している。

【0035】

例えば、ベース１０の厚さ、すなわち、Ｚ方向における大きさは、０．２ｍｍから０．５ｍｍ程度であってよく、距離Ｌ１及び距離Ｌ３は、０．２ｍｍから０．５ｍｍ程度であり、距離Ｌ２及び距離Ｌ４は、０．１ｍｍから０．２５ｍｍ程度であってよい。

【0036】

図示例の半導体装置１は、２つの出力信号端子２３を含む。便宜上、２つの出力信号端子２３を出力信号端子２３１及び出力信号端子２３２とする。一方の出力信号端子２３１は、第１縁部１２における中央のグランド端子１６とＹ方向の一方側のグランド端子１６との間に配置されている。他方の出力信号端子２３２は、第１縁部１２における中央のグランド端子１６とＹ方向の他方側のグランド端子１６との間に配置されている。すなわち、出力信号端子２３１と出力信号端子２３２との間には、ベース１０から延在したグランド端子１６が位置している。

【0037】

以上説明したように、一例の半導体装置１は、半導体素子３０と、半導体素子３０が搭載された表面１１ａ（第１面）、及び、表面１１ａとは反対側の面である裏面１１ｂ（第２面）を有するベース１０と、ベース１０の周縁１１ｃの第１領域１２ａにおいて、表面１１ａから裏面１１ｂに向かって段部１７（段差）を有する第１縁部１２と、ベース１０の厚さ方向（Ｚ方向）から見て第１縁部１２に対向する位置に配置された出力信号端子２３（第１端子）と、半導体素子３０と出力信号端子２３とを電気的に接続させるボンディングワイヤ５０と、ベース１０の一部、半導体素子３０、及び出力信号端子２３の一部を封止する樹脂材料６０と、を備える。一例において、Ｚ方向から見たときのベース１０の第１縁部１２における出力信号端子２３に重複する第１領域１２ａと出力信号端子２３との間のＺ方向に沿った距離Ｌ１は、Ｚ方向における出力信号端子２３と表面１１ａとの間の距離Ｌ２よりも大きくてもよい。なお、半導体装置１では、整合回路基板４０を介してボンディングワイヤ５０で半導体素子３０と出力信号端子２３とが接続されることにより、半導体素子３０と出力信号端子２３とが導通している。

【0038】

入力信号端子及び出力信号端子といった信号端子と整合回路基板、半導体素子等の構成要素とがボンディングワイヤによって導通されている半導体装置では、ボンディングワイヤの長さが長い場合に、高周波特性が低下することがある。例えば、信号端子の位置をベースに近づけることによって、ボンディングワイヤの長さを短くすることができる。しかしながら、Ｚ方向から見て、ベースと信号端子とが重複している場合には、ベースと信号端子との間で寄生容量が発生し、高周波特性が低下し得る。

【0039】

上記の半導体装置１では、ベース１０に搭載された半導体素子３０と出力信号端子２３とがボンディングワイヤ５０によって導通されている。出力信号端子２３は、Ｚ方向から見て、ベース１０の周縁１１ｃを構成する第１縁部１２に重複している。これにより、出力信号端子２３と半導体素子３０との間の距離が小さくなるため、出力信号端子２３と半導体素子３０とを接続するボンディングワイヤ５０の長さを短くすることができる。図示例では、出力信号端子２３と出力回路基板４３を接続するボンディングワイヤ５０の長さを短くすることができる。したがって、ボンディングワイヤ５０の長さに起因する高周波特性の低下を抑制できる。また、出力信号端子２３に重複する部分である第１縁部１２の第１領域１２ａと出力信号端子２３との間のＺ方向に沿った距離が大きいため、出力信号端子２３と第１領域１２ａとの間における寄生容量の発生を抑制させることができる。したがって、寄生容量に起因する高周波特性の低下を抑制できる。

【0040】

一例の半導体装置１は、ベース１０の周縁１１ｃのうち第１領域１２ａに対向する第２領域１３ａにおいて、表面１１ａから裏面１１ｂに向かって段部１８（段差）を有する第２縁部１３と、Ｚ方向から見て第２縁部１３に対向する位置に配置され、ボンディングワイヤ５０によって半導体素子３０と導通される入力信号端子２１（第２端子）を備えている。この構成では、入力信号端子２１及び出力信号端子２３の双方において、周波数特性を向上させることができる。Ｚ方向から見たときのベース１０の第２縁部１３における入力信号端子２１に重複する第２領域１３ａと入力信号端子２１との間の距離Ｌ３は、入力信号端子２１と表面１１ａとの間の距離Ｌ４よりも大きくてもよい。

【0041】

一例の出力信号端子２３は、複数の出力信号端子２３の一つである。図示例では、複数の出力信号端子２３は、一対の出力信号端子２３１，２３２である。複数の出力信号端子２３のそれぞれの間には、第１縁部１２から延在したグランド端子１６が設けられている。この構成では、出力信号端子２３同士が互いに電気的に干渉することが抑制される。すなわち、出力信号端子２３同士の間のアイソレーションが向上する。

【0042】

一例のベース１０の周縁１１ｃは、第１縁部１２および第２縁部１３を接続する第３縁部１４を含んでよい。第３縁部１４には括れ部分１４ａ（凹部）が設けられてよい。括れ部分１４ａの位置には電源端子２５が配置されてもよい。この構成では、パッケージ（半導体装置１）が大きくなることが抑制されている。

【0043】

一例の半導体装置１は、ベース１０の表面１１ａに搭載され、半導体素子３０と入力信号端子２１（出力信号端子２３）とに電気的に接続された整合回路基板４０を備えている。この構成では、半導体素子３０と入力信号端子２１（出力信号端子２３）との間におけるインピーダンスのマッチングを行うことができる。

【0044】

出力信号端子２３は、半導体素子３０と接続する第１部分２３ａ（第１の端部）と、第１部分２３ａと対向する第２部分２３ｂ（第２の端部）と、を有し得る。第１部分２３ａは、Ｚ方向において第１縁部１２に対向する位置に配置されてよい。第２部分２３ｂは、Ｚ方向において第１縁部１２に対向しない位置に配置されてよい。この構成では、パッケージが大きくなることが抑制されている。

【0045】

ベース１０の裏面１１ｂは、樹脂材料６０で覆われているパッケージの表面１１ａに露出されていてよい。第１部分２３ａは、樹脂材料６０の内部に配置されていてよい。第２部分２３ｂは、パッケージの表面１１ａに露出されていてよい。出力信号端子２３は、第１部分２３ａと第２部分２３ｂとの間の領域で屈曲して配置されていてよい。この構成では、パッケージが大きくなることが抑制されている。

【0046】

以上、本開示の一例の形態について詳細に説明されたが、本開示は上記形態に限定されない。

【0047】

図４は、他の例の半導体装置の構成を模式的に示す平面図である。図５は、図４におけるＶ－Ｖ線に沿った断面図である。図６は、図４のＶＩ－ＶＩ線に沿った断面図である。図７は、図４のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿った断面図である。図４から図７に示す半導体装置は、ベースの裏面側に段部を有する点において、図１から図３に示す半導体装置と相違する。以下の半導体装置１００の説明において、半導体装置１と重複する構成の説明は省略する。

【0048】

図４から図６に示すように、半導体装置１００は、半導体装置１の段部１７と同様に、ベース１０の第１縁部１２において出力信号端子２３に重複する第１領域１２ａを含む段部１１７ａを有する。Ｙ方向において、半導体装置１００の段部１１７ａの長さは、半導体装置１の段部１７の長さよりも短い。すなわち、半導体装置１００では、Ｙ方向において、一対のグランド端子１６同士の間の全域にわたって段部が設けられているのではなく、一対のグランド端子１６同士の間のうちの両端部分を除く領域に段部１１７ａが設けられている。

【0049】

第１縁部１２の裏面１１ｂ側において、Ｚ方向から見て第１領域１２ａに重複しない領域は、表面１１ａ側に向かって段状に形成された段部１１７ｂ（第１段部）を有する。図示例では、一対のグランド端子１６同士の間のうちのＹ方向の両端部分の領域に段部１１７ｂが形成されている。すなわち、第１縁部１２に形成された段部１１７ｂは、Ｙ方向において、段部１１７ａとグランド端子１６との間の領域に位置している。段部１１７ｂは、表面１１ａから裏面１１ｂに向かう方向に開口するとともに、第２縁部１３から第１縁部１２に向かう方向に開口している。

【0050】

半導体装置１００は、半導体装置１の段部１８と同様に、ベース１０の第２縁部１３において入力信号端子２１に重複する第２領域１３ａを含む段部１１８ａを有する。Ｙ方向において、半導体装置１００の段部１１８ａの長さは、半導体装置１の段部１８の長さよりも短い。すなわち、半導体装置１００では、Ｙ方向において、一対のグランド端子１６同士の間の全域にわたって段部が設けられているのではなく、一対のグランド端子１６同士の間のうちの両端部分を除く領域に段部１１８ａが設けられている。

【0051】

第２縁部１３の裏面１１ｂ側において、Ｚ方向から見て第２領域１３ａに重複しない領域は、表面１１ａ側に向かって段状に形成された段部１１８ｂ（第２段部）を有する。図示例では、一対のグランド端子１６同士の間のうちのＹ方向の両端部分の領域に段部１１８ｂが形成されている。すなわち、第２縁部１３に形成された段部１１８ｂは、Ｙ方向において、段部１１８ａとグランド端子１６との間の領域に位置している。段部１１８ｂは、表面１１ａから裏面１１ｂに向かう方向に開口するとともに、第１縁部１２から第２縁部１３に向かう方向に開口している。

【0052】

ベース１０の第３縁部１４及び第４縁部１５の裏面１１ｂ側には、表面１１ａ側に向かって段状に形成された段部１１９（第３段部）が形成されている。図示例では、裏面１１ｂ側の第３縁部１４及び第４縁部１５のうち、Ｘ方向における両端部を除く領域に段部１１９が形成されている。図示のとおり、段部１１９はＸ方向に延在するだけでなく、括れ部分１４ａ，１５ａでは、括れの形状に合わせてＹ方向にも延在している。段部１１９は、表面１１ａから裏面１１ｂに向かう方向に開口する。また、段部１１９は、Ｘ方向又はＹ方向に開口している。

【0053】

一例において、Ｚ方向における段部１１７ａの大きさＬ５と段部１１７ｂの大きさＬ６とは同じであってよく、例えば、ベース１０の厚さの略半分であってよい。なお、段部１１７ａ及び段部１１７ｂの大きさは、互いに異なっていてもよい。また、段部１１７ａの大きさと段部１１７ｂの大きさとの和は、ベース１０の厚さよりも小さくてもよい。

【0054】

以上説明した半導体装置１００においても、半導体装置１と同様に高周波特性の低下を抑制できる。また、半導体装置１００では、ベース１０の第１縁部１２において、Ｚ方向から見て第１領域１２ａに重複しない領域は、表面１１ａ側に向かって段状に形成された段部１１７ｂを有し、ベース１０の第２縁部１３において、Ｚ方向から見て第２領域１３ａに重複しない領域は、表面１１ａ側に向かって段状に形成された段部１１８ｂを有している。この構成では、段部１１７ｂ及び段部１１８ｂが樹脂材料６０のアンカーとして機能することができる。すなわち、ベース１０から樹脂材料６０が剥離することが抑制される。

【0055】

また、ベース１０の第３縁部１４の裏面１１ｂ側は、表面１１ａ側に向かって段状に形成された段部１１９を有してもよい。この構成では、段部１１９が樹脂材料６０のアンカーとして機能することができる。

【符号の説明】

【0056】

１…半導体装置
１０…ベース
１１…ベース本体
１１ａ…表面（第１面）
１１ｂ…裏面（第２面）
１１ｃ…周縁
１２…第１縁部
１２ａ…第１領域
１３…第２縁部
１３ａ…第２領域
１４…第３縁部
１４ａ…括れ部分
１５…第４縁部
１５ａ…括れ部分
１６…グランド端子
１６ａ…第１部分
１６ｂ…第２部分
１７…段部
１８…段部
２０…外部端子
２１…入力信号端子（第２端子）
２１ａ…第１部分
２１ｂ…第２部分
２１ｃ…第３部分
２３…出力信号端子（第１端子）
２３ａ…第１部分
２３ｂ…第２部分
２３ｃ…第３部分
２５…電源端子
２５ａ…第１部分
２５ｂ…第２部分
２５ｃ…第３部分
３０…半導体素子
４０…整合回路基板
４１…入力回路基板
４３…出力回路基板
５０…ボンディングワイヤ（導通部材）
６０…樹脂材料
１００…半導体装置
１１７ａ…段部
１１７ｂ…段部（第１段部）
１１８ａ…段部
１１８ｂ…段部（第２段部）
１１９…段部（第３段部）
２３１…出力信号端子
２３２…出力信号端子

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】