特開 2023-105971 光デバイス、光送信装置、光受信装置及び光通信装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023105971

(43)【公開日】2023-08-01

(54)【発明の名称】光デバイス、光送信装置、光受信装置及び光通信装置

(51)【国際特許分類】

   H04B 10/07 20130101AFI20230725BHJP

   H04B 10/50 20130101ALI20230725BHJP

   H04B 10/61 20130101ALI20230725BHJP

【ＦＩ】

H04B10/07

H04B10/50

H04B10/61

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022007039

(22)【出願日】2022-01-20

(71)【出願人】

【識別番号】309015134

【氏名又は名称】富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】大坪 孝二

(72)【発明者】

【氏名】高林 和雅

(72)【発明者】

【氏名】杉山 昌樹

(72)【発明者】

【氏名】牧野 俊太郎

【テーマコード（参考）】

5K102

【Ｆターム（参考）】

5K102AA41

5K102AD15

5K102AH02

5K102AH14

5K102AH24

5K102AH26

5K102AH27

5K102LA04

5K102LA05

5K102LA11

5K102LA52

5K102MH02

5K102MH03

5K102MH16

5K102MH22

5K102MH23

5K102PB01

5K102PH01

5K102PH15

5K102PH22

5K102PH23

5K102PH31

5K102PH42

5K102PH49

5K102PH50

5K102RD02

(57)【要約】

【課題】ＳＯＡを評価できる光デバイス等を提供することを目的とする。
【解決手段】光デバイスは、光源からの光信号を入力する光カプラと、光カプラからの光信号を増幅する半導体光増幅器と、半導体光増幅器からの自然放出光を受光する受光素子と、を有する。光カプラは、光源からの光信号を入力する第１の入力ポートと、受光素子の入力段と接続する、第１の入力ポートと異なる第２の入力ポートと、半導体光増幅器の入力段と接続し、第１の入力ポートからの光信号を半導体光増幅器に出力する出力ポートと、を有する。受光素子は、出力ポートと第２の入力ポートとを経て、半導体光増幅器からの自然放出光を受光する。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

光源からの光信号を入力する光カプラと、前記光カプラからの光信号を増幅する半導体光増幅器と、前記光カプラを経て、前記半導体光増幅器からの自然放出光を受光する受光素子と、を有し、
前記光カプラは、
前記光源からの前記光信号を入力する第１の入力ポートと、
前記受光素子の入力段と接続する、前記第１の入力ポートと異なる第２の入力ポートと、
前記半導体光増幅器の入力段と接続し、前記第１の入力ポートからの光信号を前記半導体光増幅器に出力する出力ポートと、を有し、
前記受光素子は、
前記出力ポートと前記第２の入力ポートとを経て、前記半導体光増幅器からの前記自然放出光を受光することを特徴とする光デバイス。

【請求項2】

前記半導体光増幅器は、
前記光カプラが形成された光集積回路と異なる直接遷移の化合物半導体で形成されることを特徴とする請求項１に記載の光デバイス。

【請求項3】

前記出力ポートは、
第１の出力ポートと、
前記第１の出力ポートと異なる第２の出力ポートとを有し、
前記半導体光増幅器は、
第１の光変調器と前記第１の出力ポートとの間に接続し、前記第１の出力ポートからの前記光信号を増幅する第１の半導体光増幅器と、
前記第１の光変調器と異なる第２の光変調器と前記第２の出力ポートとの間に接続し、前記第２の出力ポートからの前記光信号を増幅する第２の半導体光増幅器と、を有し、
前記受光素子は、
前記出力ポートと前記第２の入力ポートとを経て前記第１の半導体光増幅器及び前記第２の半導体光増幅器からの前記自然放出光を受光することを特徴とする請求項１又は２に記載の光デバイス。

【請求項4】

前記出力ポートは、
第１の出力ポートと、
前記第１の出力ポートと異なる第２の出力ポートとを有し、
前記半導体光増幅器は、
電気信号を用いて前記光信号を変調する光変調器と前記第１の出力ポートとの間に接続し、前記第１の出力ポートからの前記光信号を増幅する第１の半導体光増幅器と、
前記光信号を用いて受信光から電気信号を得る光受信器と前記第２の出力ポートとの間に接続し、前記第２の出力ポートからの前記光信号を増幅する第２の半導体光増幅器と、を有し、
前記受光素子は、
前記出力ポートと前記第２の入力ポートとを経て前記第１の半導体光増幅器及び前記第２の半導体光増幅器からの前記自然放出光を受光することを特徴とする請求項１又は２に記載の光デバイス。

【請求項5】

前記第１の出力ポートと前記第１の半導体光増幅器との間に接続し、前記第１の出力ポートからの前記光信号を分岐する光分岐部を備え、
前記第１の半導体光増幅器は、
前記光分岐部と前記光変調器内の第１の光変調器との間に接続し、前記光分岐部からの前記光信号を増幅する第１の変調器用半導体光増幅器と、
前記光分岐部と前記光変調器内の第２の光変調器との間に接続し、前記光分岐部からの前記光信号を増幅する第２の変調器用半導体光増幅器と、を有し、
前記受光素子は、
前記出力ポートと前記第２の入力ポートとを経て前記第１の変調器用半導体光増幅器、前記第２の変調器用半導体光増幅器及び前記第２の半導体光増幅器からの前記自然放出光を受光することを特徴とする請求項４に記載の光デバイス。

【請求項6】

光源からの光信号を入力する光カプラと、前記光カプラからの光信号を増幅する半導体光増幅器と、前記半導体光増幅器で増幅された前記光信号を、電気信号を用いて光変調する光変調器と、前記光カプラを経て、前記半導体光増幅器からの自然放出光を受光する受光素子と、を有し、
前記光カプラは、
前記光源からの前記光信号を入力する第１の入力ポートと、
前記受光素子の入力段と接続する、前記第１の入力ポートと異なる第２の入力ポートと、
前記半導体光増幅器の入力段と接続し、前記第１の入力ポートからの光信号を前記半導体光増幅器に出力する出力ポートと、を有し、
前記受光素子は、
前記出力ポートと前記第２の入力ポートとを経て前記半導体光増幅器からの前記自然放出光を受光することを特徴とする光送信装置。

【請求項7】

光源からの光信号を入力する光カプラと、前記光カプラからの光信号を増幅する半導体光増幅器と、前記半導体光増幅器で増幅された前記光信号を用いて、受信光から電気信号を得る光受信器と、前記光カプラを経て、前記半導体光増幅器からの自然放出光を受光する受光素子と、を有し、
前記光カプラは、
前記光源からの前記光信号を入力する第１の入力ポートと、
前記受光素子の入力段と接続する、前記第１の入力ポートと異なる第２の入力ポートと、
前記半導体光増幅器の入力段と接続し、前記第１の入力ポートからの光信号を前記半導体光増幅器に出力する出力ポートと、を有し、
前記受光素子は、
前記出力ポートと前記第２の入力ポートとを経て前記半導体光増幅器からの前記自然放出光を受光することを特徴とする光受信装置。

【請求項8】

光源からの光信号を入力する光カプラと、前記光カプラからの光信号を増幅する第１の半導体光増幅器及び第２の半導体光増幅器と、前記第１の半導体光増幅器で増幅された前記光信号を、電気信号を用いて光変調する光変調器と、前記第２の半導体光増幅器で増幅された前記光信号を用いて、受信光から電気信号を得る光受信器と、前記光カプラを経て、前記第１の半導体光増幅器及び前記第２の半導体光増幅器からの自然放出光を受光する受光素子と、を有し、
前記光カプラは、
前記光源からの前記光信号を入力する第１の入力ポートと、
前記受光素子の入力段と接続する、前記第１の入力ポートと異なる第２の入力ポートと、
前記第１の半導体光増幅器の入力段と接続し、前記第１の入力ポートからの光信号を前記第１の半導体光増幅器に出力する第１の出力ポートと、
前記第２の半導体光増幅器の入力段と接続し、前記第１の入力ポートからの光信号を前記第２の半導体光増幅器に出力する第２の出力ポートと、
を有し、
前記受光素子は、
前記第２の入力ポートを経て前記第１の半導体光増幅器及び前記第２の半導体光増幅器からの前記自然放出光を受光することを特徴とする光通信装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、光デバイス、光送信装置、光受信装置及び光通信装置に関する。

【背景技術】

【0002】

光通信分野において大容量の情報を長距離伝送するための手段として、例えば、ＤＰ－ＱＰＳＫ(Dual Polarization-Quadrature Phase Shift Keying)や多値ＱＡＭ(Quadrature Amplitude Modulation)といった変調方式を用いるデジタルコヒーレント通信技術が知られている。

【0003】

デジタルコヒーレント光通信の光通信装置では、例えば、高出力や狭線幅のレーザ光を発光する可変光源と、電気信号を用いて、レーザ光をＤＰ－ＱＰＳＫ信号や多値ＱＡＭ信号に変調する光変調器とを有する。更に、光通信装置は、例えば、ＤＰ－ＱＰＳＫ信号や多値ＱＡＭ信号を復調して電気信号を得る光受信器を有する。これらの要素の小型化を図る上で、光変調器及び光受信器はシリコンフォトニクス技術により光集積回路として１つのチップに集積可能である。

【0004】

しかしながら、例えば、４００～８００Ｇｂｐｓ（Giga bit per second）の情報を長距離伝送するためには、光信号の高出力化や高感度受信の実現が求められている。従って、その実現には、光の増幅機能を光集積回路に配置する必要がある。そこで、光源と光変調器との間に半導体光増幅器（ＳＯＡ：Semiconductor Optical Amplifier)を配置することで、ＳＯＡは、光源からのレーザ光を光増幅し、光増幅後のレーザ光を光変調器に出力する。その結果、光変調器は、光信号の高出力化を実現できる。また、光源と光受信器との間にＳＯＡを配置することで、ＳＯＡは、光源からのローカル光を光増幅し、光増幅後のローカル光を光受信器に出力する。その結果、光受信器は、高感度受信を実現できる。

【0005】

しかしながら、例えば、光変調器や光カプラ等の光集積回路はシリコンで製作が可能だが、ＳＯＡ等の素子は間接遷移のシリコンで実現できない。従って、ＳＯＡは、光集積回路と異なる直接遷移の化合物半導体で形成され、光集積回路にハイブリッド集積されるのが一般的である。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【特許文献1】特開２００２－５７４１２号公報

【特許文献2】特開２００３－２９０６９号公報

【特許文献3】米国特許第１０７５４０９１号明細書

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

ＳＯＡは光集積回路にハイブリッド集積されるため、ハイブリッド集積前にＳＯＡの初期不良を事前に取り除く必要がある。そこで、ＳＯＡを評価するバーンイン工程では、高温雰囲気で通電し、ＳＯＡからの光出力を検出し、光出力の変動が基準値以下のＳＯＡを選別し、選別したＳＯＡを光集積回路にハイブリッド集積する。また、光出力が基準値未満のＳＯＡを取り換えることになる。

【0008】

しかしながら、光集積回路にＳＯＡをハイブリッド集積した後、ＳＯＡを評価する場合には、ＳＯＡと後段で接続する光変調器の損失等で全体の入出力ポートからの自然放出光（ＡＳＥ：Amplified Spontaneous Emission）の検出が困難となる。そこで、光集積回路素子内に組み込まれたＳＯＡからの光信号の光強度を検出するには、光集積回路内のＳＯＡの後段に光分岐部を設けて分岐先に受光素子を集積し、その受光素子で検出した光信号の光強度でＳＯＡを評価することになる。しかしながら、ＳＯＡ後段に配置された光分岐部は、通常の通信中の状態（運用中）では不要であり使用しないので、この受光素子への光分岐は余計な光損失を加えることとなる。

【0009】

開示の技術は、かかる点に鑑みてなされたものであって、半導体光増幅器（ＳＯＡ）を評価できる光デバイス等を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0010】

本願が開示する光デバイスは、１つの態様において、光源からの光信号を入力する光カプラと、光カプラからの光信号を増幅する半導体光増幅器と、半導体光増幅器からの自然放出光を受光する受光素子と、を有する。光カプラは、光源からの光信号を入力する第１の入力ポートと、受光素子の入力段と接続する、第１の入力ポートと異なる第２の入力ポートと、半導体光増幅器の入力段と接続し、第１の入力ポートからの光信号を半導体光増幅器に出力する出力ポートと、を有する。受光素子は、出力ポートと第２の入力ポートとを経て、半導体光増幅器からの自然放出光を受光する。

【発明の効果】

【0011】

本願が開示する光デバイス等の１つの態様によれば、半導体光増幅器（ＳＯＡ）からの自然放出光を用いてＳＯＡを評価できる。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1】図１は、実施例１の光通信装置の構成の一例を示す説明図である。

【図2】図２は、実施例１の光変調器の構成の一例を示す平面模式図である。

【図3】図３は、図２に示す光変調器内の第１のＭＰＤ及び光カプラの一例を示す説明図である。

【図4】図４は、ＳＯＡ評価基準の一例を示す説明図である。

【図5】図５は、第１の評価処理に関わるＤＳＰの処理動作の一例を示すフロー図である。

【図6】図６は、実施例２の光通信装置の構成の一例を示す説明図である。

【図7】図７は、実施例２の光変調器及び光受信器の構成の一例を示す平面模式図である。

【図8】図８は、図７に示す光変調器及び光受信器内の第１のＭＰＤ及び光カプラの一例を示す説明図である。

【図9】図９は、第２の評価処理に関わるＤＳＰの処理動作の一例を示すフロー図である。

【発明を実施するための形態】

【0013】

以下、本願が開示する光デバイス等の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、この実施の形態により本発明が限定されるものではない。

【実施例0014】

図１は、実施例１の光通信装置１の構成の一例を示す説明図である。図１に示す光通信装置１は、出力側の光ファイバ２Ａ（２）及び入力側の光ファイバ２Ｂ（２）と接続する。光通信装置１は、ＤＳＰ（Digital Signal Processor）３と、光源４と、光変調器５と、光受信器６とを有するデジタルコヒーレント送受信機である。ＤＳＰ３は、デジタル信号処理を実行する電気部品である。ＤＳＰ３は、例えば、送信データの符号化等の処理を実行し、送信データを含む電気信号を生成し、生成した電気信号を光変調器５に出力する。また、ＤＳＰ３は、受信データを含む電気信号を光受信器６から取得し、取得した電気信号の復号等の処理を実行して受信データを得る。

【0015】

光源４は、例えば、レーザダイオード等を備え、所定の波長のＣＷ（Continuous Wave）光を発生させて光変調器５及び光受信器６へ供給する。光変調器５は、ＤＳＰ３から出力される電気信号によって、光源４から供給されるレーザ光を変調し、得られた光送信信号を光ファイバ２Ａに出力する光デバイスである。光変調器５は、例えば、シリコン光導波路と変調部とを備える光変調器等の光デバイスである。シリコン導波路は、例えば、ＳＯＩ(Silicon On Insulator)基板上に形成される。光変調器５は、光源４から供給されるレーザ光がシリコン導波路を伝搬する際に、このレーザ光を変調部へ入力される電気信号によって変調することで、光送信信号を生成する。

【0016】

光受信器６は、光ファイバ２Ｂから光信号である受信光を受信し、光源４から供給されるレーザ光であるローカル光を用いて受信光を復調する。そして、光受信器６は、復調した受信光を電気信号に変換し、変換後の電気信号をＤＳＰ３に出力する。

【0017】

図２は、実施例１の光変調器５の構成の一例を示す平面模式図である。図２に示す光変調器５は、例えば、ＤＰ－ＩＱ(Dual Polarization-Inphase and Quadratuer)光変調器である。光変調器５は、入力部１１と、光カプラ１２と、第１のＳＯＡ（Semiconductor Optical Amplifier）１３Ａ及び第２のＳＯＡ１３Ｂと、Ｘ偏波成分の第１のＩＱ光変調器１４Ａと、Ｙ偏波成分の第２のＩＱ光変調器１４Ｂとを有する。更に、光変調器５は、第３のＳＯＡ１５Ａ及び第４のＳＯＡ１５Ｂを有する。光変調器５は、第１のＶＯＡ（Variable Optical Attenuator）１６Ａ及び第２のＶＯＡ１６Ｂと、ＰＲ（Polarization Rotator）１７と、ＰＢＣ(Polarization Beam Combiner)１８と、出力部１９と、を有する。更に、光変調器５は、受光素子である第１のＭＰＤ（Monitor Photo Diode）２１と、第２のＭＰＤ２２Ａ及び第３のＭＰＤ２２Ｂとを有する。

【0018】

入力部１１は、光源４からの接続ファイバ４Ａ経由でレーザ光を入力する部位である。光カプラ１２は、例えば、２入力ポート及び２出力ポートの光カプラである。光カプラ１２は、入力部１１からのレーザ光を光分岐し、光分岐後のレーザ光を第１のＳＯＡ１３Ａ及び第２のＳＯＡ１３Ｂに出力する。光カプラ１２は、第１の入力ポート１２Ａと、第２の入力ポート１２Ｂと、第１の出力ポート１２Ｃと、第２の出力ポート１２Ｄとを有する。第１の入力ポート１２Ａは、入力部１１と接続し、入力部１１からのレーザ光を入力するポートである。第２の入力ポート１２Ｂは、第１のＭＰＤ２１と接続し、第１のＳＯＡ１３Ａ及び第２のＳＯＡ１３ＢからのＡＳＥをモニタするポートである。第１の出力ポート１２Ｃは、第１のＳＯＡ１３Ａと接続し、レーザ光を第１のＳＯＡ１３Ａに出力するポートである。第２の出力ポート１２Ｄは、第２のＳＯＡ１３Ｂと接続し、レーザ光を第２のＳＯＡ１３Ｂに出力するポートである。

【0019】

第１のＳＯＡ１３Ａは、光カプラ１２内の第１の出力ポート１２Ｃからのレーザ光を光増幅し、光増幅後のレーザ光を第１のＩＱ光変調器１４Ａに出力する第１の変調器用半導体光増幅器である。第２のＳＯＡ１３Ｂは、光カプラ１２内の第２の出力ポート１２Ｄからのレーザ光を光増幅し、光増幅後のレーザ光を第２のＩＱ光変調器１４Ｂに出力する第２の変調器用半導体光増幅器である。

【0020】

第１のＩＱ光変調器１４Ａは、第１のＳＯＡ１３Ａからの光増幅後のレーザ光を変調し、変調後のＸ偏波のＩＱ成分の信号光を第３のＳＯＡ１５Ａに出力する第１の光変調器である。第２のＩＱ光変調器１４Ｂは、第２のＳＯＡ１３Ｂからの光増幅後のレーザ光を変調し、変調後のＹ偏波のＩＱ成分の信号光を第４のＳＯＡ１５Ｂに出力する第２の光変調器である。

【0021】

第３のＳＯＡ１５Ａは、第１のＩＱ光変調器１４ＡからのＸ偏波のＩＱ成分の信号光を光増幅し、光増幅後のＸ偏波のＩＱ成分の信号光を第１のＶＯＡ１６Ａに出力する。第４のＳＯＡ１５Ｂは、第２のＩＱ光変調器１４ＢからのＹ偏波のＩＱ成分の信号光を光増幅し、光増幅後のＹ偏波のＩＱ成分の信号光を第２のＶＯＡ１６Ｂに出力する。

【0022】

第１のＶＯＡ１６Ａは、Ｘ偏波のＩＱ成分の信号光の出力を調整し、調整後のＸ偏波のＩＱ成分の信号光をＰＢＣ１８に出力する。第２のＶＯＡ１６Ｂは、Ｙ偏波のＩＱ成分の信号光の出力を調整し、調整後のＹ偏波のＩＱ成分の信号光をＰＲ１７に出力する。ＰＲ１７は、Ｙ偏波のＩＱ成分の信号光を偏波回転し、偏波回転後のＹ偏波のＩＱ成分の信号光をＰＢＣ１８に出力する。ＰＢＣ１８は、Ｘ偏波のＩＱ成分の信号光と、偏波回転後のＹ偏波のＩＱ成分の信号光とを合波し、合波後のＸＹ偏波の信号光を出力部１９に出力する。出力部１９は、合波後のＸＹ偏波の信号光を光ファイバ２Ａに出力する。

【0023】

第１のＩＱ光変調器１４Ａは、第１の分岐部３１Ａと、第１のＩ成分変調器３２Ａと、第１のＱ成分変調器３３Ａと、第１の合波部３４Ａとを有する。第１の分岐部３１Ａは、第１のＳＯＡ１３Ａからの光増幅後のレーザ光を光分岐し、光分岐後のレーザ光を第１のＩ成分変調器３２Ａ及び第１のＱ成分変調器３３Ａに出力する。

【0024】

第１のＩ成分変調器３２Ａは、第１の分岐部３１Ａからのレーザ光をＸ偏波のＩ成分の信号光に光変調し、Ｘ偏波のＩ成分の信号光を第１の合波部３４Ａに出力する。第１のＱ成分変調器３３Ａは、第１の分岐部３１Ａからのレーザ光をＸ偏波のＱ成分の信号光に光変調し、Ｘ偏波のＱ成分の信号光を第１の合波部３４Ａに出力する。第１の合波部３４Ａは、第１のＩ成分変調器３２ＡからのＸ偏波のＩ成分の信号光と、第１のＱ成分変調器３３ＡからのＸ偏波のＱ成分の信号光とを合波し、Ｘ偏波のＩＱ成分の信号光を第３のＳＯＡ１５Ａに出力する。

【0025】

第１のＩ成分変調器３２Ａは、第３の分岐部４１と、２個のＲＦＰＳ（Radio Frequency Phase Shifter）４２と、２個の子側ＤＣＰＳ(Direct Current Phase Shifter)４３と、第３の合波部４４と、親側ＤＣＰＳ４５とを有する。第３の分岐部４１は、第１の分岐部３１からのレーザ光を光分岐し、光分岐したレーザ光を各ＲＦＰＳ４２に出力する。ＲＦＰＳ４２は、例えば、数１０ＧＨｚの帯域をもつ高速信号を入力し、高速変調を行うＭＺＩ(Mach-Zehnder Interferometer)である。ＲＦＰＳ４２は、ＲＦ電極からの高速信号に応じてレーザ光を高速変調し、高速変調後のレーザ光を子側ＤＣＰＳ４３に出力する。

【0026】

子側ＤＣＰＳ４３は、例えば、ヒータ電極で構成され、ヒータ電極に電流を流して光導波路を加熱することで光導波路の屈折率を変化させ、信号光の位相を調整するＭＺＩである。子側ＤＣＰＳ４３は、高速変調後のレーザ光をＤＣ電極からの電気信号に応じて位相変調し、位相変調後のＩ成分の信号光を第３の合波部４４に出力する。第３の合波部４４は、各子側ＤＣＰＳ４３からのＩ成分の信号光を合波し、合波後のＩ成分の信号光を親側ＤＣＰＳ４５に出力する。親側ＤＣＰＳ４５は、ＤＣ電極からの駆動電圧信号に応じて位相変調後のＩ成分の信号光を直交変調し、直交変調後のＸ偏波のＩ成分の信号光を第１の合波部３４Ａに出力する。

【0027】

第１のＱ成分変調器３３Ａは、第３の分岐部４１と、２個のＲＦＰＳ４２と、２個の子側ＤＣＰＳ４３と、第３の合波部４４と、親側ＤＣＰＳ４５と、を有する。第３の分岐部４１は、第１の分岐部３１からのレーザ光を光分岐し、光分岐したレーザ光を各ＲＦＰＳ４２に出力する。ＲＦＰＳ４２は、ＲＦ電極からの高速信号に応じてレーザ光を高速変調し、高速変調後のレーザ光を子側ＤＣＰＳ４３に出力する。子側ＤＣＰＳ４３は、高速変調後のレーザ光をＤＣ電極からのデータ信号に応じて位相変調し、位相変調後のＱ成分の信号光を第３の合波部４４に出力する。第３の合波部４４は、各子側ＤＣＰＳ４３からのＱ成分の信号光を合波し、合波後のＱ成分の信号光を親側ＤＣＰＳ４５に出力する。親側ＤＣＰＳ４５は、ＤＣ電極からの駆動電圧信号に応じて位相変調後のＱ成分の信号光を直交変調し、直交変調後のＸ偏波のＱ成分の信号光を第１の合波部３４Ａに出力する。第１の合波部３４Ａは、親側ＤＣＰＳ４５からのＸ偏波のＩ成分の信号光と、親側ＤＣＰＳ４５からのＸ偏波のＱ成分の信号光とを合波し、合波後のＸ偏波のＩＱ成分の信号光を第３のＳＯＡ１５Ａに出力する。

【0028】

第２のＩＱ光変調器１４Ｂは、第２の分岐部３１Ｂと、第２のＩ成分変調器３２Ｂと、第２のＱ成分変調器３３Ｂと、第２の合波部３４Ｂとを有する。第２の分岐部３１Ｂは、第２のＳＯＡ１３Ｂからの光増幅後の信号光を光分岐し、光分岐後の信号光を第２のＩ成分変調器３２Ｂ及び第２のＱ成分変調器３３Ｂに出力する。第２のＩ成分変調器３２Ｂは、第２の分岐部３１Ｂからの信号光をＹ偏波のＩ成分の信号光に光変調し、Ｙ偏波のＩ成分の信号光を第２の合波部３４Ｂに出力する。第２のＱ成分変調器３３Ｂは、第２の分岐部３１Ｂからの信号光をＹ偏波のＱ成分の信号光に光変調し、Ｙ偏波のＱ成分の信号光を第２の合波部３４Ｂに出力する。第２の合波部３４Ｂは、第２のＩ成分変調器３２ＢからのＹ偏波のＩ成分の信号光と、第２のＱ成分変調器３３ＢからのＹ偏波のＱ成分の信号光とを合波し、Ｙ偏波のＩＱ成分の信号光を第２の合波部３４Ｂに出力する。

【0029】

第２のＩ成分変調器３２Ｂは、第３の分岐部４１と、２個のＲＦＰＳ４２と、２個の子側ＤＣＰＳ４３と、第３の合波部４４と、親側ＤＣＰＳ４５とを有する。第３の分岐部４１は、第２の分岐部３１Ｂからの信号光を光分岐し、光分岐した信号光を各ＲＦＰＳ４２に出力する。ＲＦＰＳ４２は、ＲＦ電極からの高速信号に応じてレーザ光を高速変調し、高速変調後のレーザ光を子側ＤＣＰＳ４３に出力する。子側ＤＣＰＳ４３は、高速変調後のレーザ光をＤＣ電極からの電気信号に応じて位相変調し、位相変調後のＩ成分の信号光を第３の合波部４４に出力する。第３の合波部４４は、各子側ＤＣＰＳ４３からのＩ成分の信号光を合波し、合波後のＩ成分の信号光を親側ＤＣＰＳ４５に出力する。親側ＤＣＰＳ４５は、ＤＣ電極からの駆動電圧信号に応じて位相変調後のＩ成分の信号光を直交変調し、直交変調後のＹ偏波のＩ成分の信号光を第２の合波部３４Ｂに出力する。

【0030】

第２のＱ成分変調器３３Ｂは、第３の分岐部４１と、２個のＲＦＰＳ４２と、２個の子側ＤＣＰＳ４３と、第３の合波部４４と、親側ＤＣＰＳ４５と、を有する。第３の分岐部４１は、第２の分岐部３１Ｂからの信号光を光分岐し、光分岐した信号光を各ＲＦＰＳ４２に出力する。ＲＦＰＳ４２は、ＲＦ電極からの高速信号に応じてレーザ光を高速変調し、高速変調後のレーザ光を子側ＤＣＰＳ４３に出力する。子側ＤＣＰＳ４３は、高速変調後のレーザ光をＤＣ電極からの電気信号に応じて位相変調し、位相変調後のＱ成分の信号光を第３の合波部４４に出力する。第３の合波部４４は、各子側ＤＣＰＳ４３からのＱ成分の信号光を合波し、合波後のＱ成分の信号光を親側ＤＣＰＳ４５に出力する。親側ＤＣＰＳ４５は、ＤＣ電極からの駆動電圧信号に応じて位相変調後のＱ成分の信号光を直交変調し、直交変調後のＹ偏波のＱ成分の信号光を第２の合波部３４Ｂに出力する。第２の合波部３４Ｂは、親側ＤＣＰＳ４５からのＹ偏波のＩ成分の信号光と、親側ＤＣＰＳ４５からのＹ偏波のＱ成分の信号光とを合波し、合波後のＹ偏波のＩＱ成分の信号光を第４のＳＯＡ１５Ｂに出力する。

【0031】

第２のＭＰＤ２２Ａは、第１のＶＯＡ１６Ａで出力調整後のＸ偏波のＩＱ成分の信号光の一部をモニタし、モニタ結果に基づき、第１のＶＯＡ１６Ａの減衰量を調整する。また、第３のＭＰＤ２２Ｂは、第２のＶＯＡ１６Ｂで出力調整後のＹ偏波のＩＱ成分の信号光の一部をモニタし、モニタ結果に基づき、第２のＶＯＡ１６Ｂの減衰量を調整する。

【0032】

図３は、図２に示す光変調器５内の第１のＭＰＤ２１及び光カプラ１２の一例を示す説明図である。第１のＭＰＤ２１は、第１のＳＯＡ１３Ａの通電に応じて光カプラ１２内の第１の出力ポート１２Ｃ及び第２の入力ポート１２Ｂを経由して第１のＳＯＡ１３ＡからのＡＳＥを検出する。ＳＯＡは電流を注入して入力された光を増幅して出力する素子だが、駆動原理はＬＥＤと同じで電流注入によりＳＯＡ自身で光の入力側と出力側からＡＳＥを発生する。つまり、第１のＳＯＡ１３Ａは、通電に応じてレーザ光を光増幅する際に第１のＳＯＡ１３Ａの全方向、例えば、第１のＳＯＡ１３Ａの入力ポート及び出力ポートからＡＳＥが放出されることになる。第１のＭＰＤ２１は、検出したＡＳＥの光強度をＭＰＤ電流に電気変換する。更に、第１のＭＰＤ２１は、第２のＳＯＡ１３Ｂの通電に応じて光カプラ１２内の第２の出力ポート１２Ｄ及び第２の入力ポート１２Ｂを経由して第２のＳＯＡ１３ＢからのＡＳＥを検出する。尚、第２のＳＯＡ１３Ｂは、通電に応じてレーザ光を光増幅する際に第２のＳＯＡ１３Ｂの全方向、例えば、第２のＳＯＡ１３Ｂの入力ポート及び出力ポートからＡＳＥが放出されることになる。第１のＭＰＤ２１は、検出したＡＳＥの光強度をＭＰＤ電流に電気変換する。

【0033】

次に実施例１の光変調器５の第１のＳＯＡ１３Ａ及び第２のＳＯＡ１３Ｂの評価方法について説明する。図４は、ＳＯＡ評価基準の一例を示す説明図である。ＳＯＡ評価は、一定の評価条件下の高温雰囲気でＳＯＡに通電し、バーンイン時間経過後の第１のＭＰＤ２１のＭＰＤ電流が基準値以下であるか否かでＳＯＡを評価する。一定の評価条件としては、例えば、雰囲気温度：８０℃～１２０℃、ＳＯＡへの通電の電流値：３００ｍＡ～５００ｍＡ、評価時間：６時間～２４時間、基準値：ＡＳＥの光強度の変動が初期から５％～１０％以内である。尚、評価条件は、ＳＯＡの素子構造や実装条件に応じて適宜変更可能である。ＤＳＰ３は、運用開始前、例えば、工場出荷前に第１の評価処理を実行し、ＳＯＡのＡＳＥの光強度に応じたＭＰＤ電流が基準値未満の場合、ＳＯＡ異常と評価し、ＳＯＡのＡＳＥの光強度に応じたＭＰＤ電流が基準値以上の場合、ＳＯＡ正常と評価する。尚、運用とは、光通信装置１を使用して信号光を通信する通信中の状態である。

【0034】

図５は、第１の評価処理に関わるＤＳＰ３の処理動作の一例を示すフロー図である。第１の評価処理は、工場出荷前に、一定の評価条件で光変調器５内の第１のＳＯＡ１３Ａ及び第２のＳＯＡ１３Ｂを評価する処理である。図５においてＤＳＰ３は、第１のＳＯＡ１３Ａ及び第２のＳＯＡ１３Ｂに高温雰囲気下で通電する（ステップＳ１１）。ＤＳＰ３は、第１のＭＰＤ２１を通じて第１のＳＯＡ１３Ａ及び第２のＳＯＡ１３ＢからのＡＳＥの光強度に対するＭＰＤ電流を測定する（ステップＳ１２）。尚、第１のＭＰＤ２１は、光カプラ１２内の第１の出力ポート１２Ｃ及び第２の出力ポート１２Ｄを経て第２の入力ポート１２Ｂから第１のＳＯＡ１３Ａ及び第２のＳＯＡ１３ＢからのＡＳＥの光強度を検出する。第１のＭＰＤ２１は、ＡＳＥの光強度をＭＰＤ電流に電気変換し、電気変換後のＭＰＤ電流をＤＳＰ３に出力する。

【0035】

ＤＳＰ３は、第１のＭＰＤ２１で測定したＭＰＤ電流が基準値以上であるか否かを判定する（ステップＳ１３）。ＤＳＰ３は、ＭＰＤ電流が基準値以上である場合（ステップＳ１３：Ｙｅｓ）、第１のＳＯＡ１３Ａ及び第２のＳＯＡ１３Ｂが正常と評価し（ステップＳ１４）、評価結果を出力し（ステップＳ１５）、図５に示す処理動作を終了する。

【0036】

ＤＳＰ３は、ＭＰＤ電流が基準値以上でない場合（ステップＳ１３：Ｎｏ）、第１のＳＯＡ１３Ａを指定し（ステップＳ１６）、高温雰囲気下で第１のＳＯＡ１３Ａにのみ通電する（ステップＳ１７）。ＤＳＰ３は、第１のＭＰＤ２１を通じて第１のＳＯＡ１３ＡからのＡＳＥの光強度に対するＭＰＤ電流を測定する（ステップＳ１８）。尚、第１のＭＰＤ２１は、光カプラ１２内の第１の出力ポート１２Ｃを経て第２の入力ポート１２Ｂから第１のＳＯＡ１３ＡからのＡＳＥの光強度を検出する。第１のＭＰＤ２１は、ＡＳＥの光強度をＭＰＤ電流に電気変換し、電気変換後のＭＰＤ電流をＤＳＰ３に出力する。

【0037】

ＤＳＰ３は、第１のＭＰＤ２１で測定したＭＰＤ電流が基準値以上であるか否かを判定する（ステップＳ１９）。ＤＳＰ３は、ＭＰＤ電流が基準値以上である場合（ステップＳ１９：Ｙｅｓ）、第１のＳＯＡ１３Ａが正常と評価する（ステップＳ２０）。また、ＤＳＰ３は、ＭＰＤ電流が基準値以上でない場合（ステップＳ１９：Ｎｏ）、第１のＳＯＡ１３Ａが異常と評価する（ステップＳ２１）。つまり、第１のＭＰＤ２１は、第１のＳＯＡ１３Ａを個別に評価することになる。

【0038】

更に、ＤＳＰ３は、ステップＳ２０にて第１のＳＯＡ１３Ａが正常と評価した後、又は、ステップＳ２１にて第２のＳＯＡ１３Ｂが異常と評価した後、第２のＳＯＡ１３Ｂを指定する（ステップＳ２２）。そして、ＤＳＰ３は、高温雰囲気下で第２のＳＯＡ１３Ｂにのみ通電する（ステップＳ２３）。ＤＳＰ３は、第１のＭＰＤ２１を通じて第２のＳＯＡ１３ＢからのＡＳＥの光強度に対するＭＰＤ電流を測定する（ステップＳ２４）。尚、第１のＭＰＤ２１は、光カプラ１２内の第２の出力ポート１２Ｄを経て第２の入力ポート１２Ｂから第２のＳＯＡ１３ＢからのＡＳＥの光強度を検出する。第１のＭＰＤ２１は、ＡＳＥの光強度をＭＰＤ電流に電気変換し、電気変換後のＭＰＤ電流をＤＳＰ３に出力する。

【0039】

ＤＳＰ３は、第１のＭＰＤ２１で測定したＭＰＤ電流が基準値以上であるか否かを判定する（ステップＳ２５）。ＤＳＰ３は、ＭＰＤ電流が基準値以上である場合（ステップＳ２５：Ｙｅｓ）、第２のＳＯＡ１３Ｂが正常と評価し（ステップＳ２６）、評価結果を出力すべく、ステップＳ１５に移行する。

【0040】

また、ＤＳＰ３は、ＭＰＤ電流が基準値以上でない場合（ステップＳ２５：Ｎｏ）、第２のＳＯＡ１３Ｂが異常と評価し（ステップＳ２７）、評価結果を出力するべく、ステップＳ１５に移行する。つまり、第１のＭＰＤ２１は、第２のＳＯＡ１３Ｂを個別に評価することになる。

【0041】

実施例１の光カプラ１２は、光源４からのレーザ光を入力する第１の入力ポート１２Ａと、第１のＭＰＤ２１の入力段と接続する第２の入力ポート１２Ｂとを有する。更に、光カプラ１２は、第１のＳＯＡ１３Ａの入力段と接続し、第１の入力ポート１２Ａからのレーザ光を第１のＳＯＡ１３Ａに出力する第１の出力ポート１２Ｃを有する。更に、光カプラ１２は、第２のＳＯＡ１３Ｂの入力段と接続し、第１の入力ポート１２Ａからのレーザ光を第２のＳＯＡ１３Ｂに出力する第２の出力ポート１２Ｄを有する。第１のＭＰＤ２１は、第１の出力ポート１２Ｃと第２の入力ポート１２Ｂとを経て、第１のＳＯＡ１３ＡからのＡＳＥを受光すると共に、第２の出力ポート１２Ｄと第２の入力ポート１２Ｂとを経て、第２のＳＯＡ１３ＢからのＡＳＥを受光する。その結果、ＤＳＰ３は、工場出荷前に、ＡＳＥの光強度に対応するＭＰＤ電流を用いて第１のＳＯＡ１３Ａ及び第２のＳＯＡ１３Ｂを評価できる。しかも、第１のＭＰＤ２１は、光カプラ１２の第２の入力ポート１２Ｂに接続するため、運用中の信号損失の要因になることはなく、ＳＯＡを評価できる。

【0042】

第１のＳＯＡ１３Ａ及び第２のＳＯＡ１３Ｂは、光集積回路と異なる直接遷移の化合物半導体で形成される。その結果、ＤＳＰ３は、第１のＳＯＡ１３Ａ及び第２のＳＯＡ１３Ｂが光集積回路上にハイブリッド集積されたとしても、ＡＳＥの光強度に対応するＭＰＤ電流を用いて第１のＳＯＡ１３Ａ及び第２のＳＯＡ１３Ｂを評価できる。

【0043】

光変調器５は、第１のＩＱ光変調器１４Ａと第１の出力ポート１２Ｃとの間に接続し、第１の出力ポート１２Ｃからのレーザ光を増幅する第１のＳＯＡ１３Ａを有する。更に、光変調器５は、第２のＩＱ光変調器１４Ｂと第２の出力ポート１２Ｄとの間に接続し、第２の出力ポート１２Ｄからのレーザ光を増幅する第２のＳＯＡ１３Ｂを有する。第１のＭＰＤ２１は、第１の出力ポート１２Ｃと第２の入力ポート１２Ｂとを経て、第１のＳＯＡ１３ＡからのＡＳＥを受光すると共に、第２の出力ポート１２Ｄと第２の入力ポート１２Ｂとを経て、第２のＳＯＡ１３ＢからのＡＳＥを受光する。その結果、ＤＳＰ３は、ＡＳＥの光強度に対応するＭＰＤ電流を用いて光変調器５内の第１のＳＯＡ１３Ａ及び第２のＳＯＡ１３Ｂを評価できる。しかも、第１のＭＰＤ２１は、光カプラ１２の第２の入力ポート１２Ｂに接続するため、運用中の信号損失の要因になることはなく、ＳＯＡを評価できる。

【0044】

また、ＤＳＰ３が工場出荷前に第１の評価処理を実行する場合を例示したが、ＤＳＰ３の代わりに、図示せぬ評価装置を接続して、評価装置が工場出荷前に第１の評価処理を実行しても良く、適宜変更可能である。

【0045】

尚、実施例１の光変調器５の第１のＳＯＡ１３Ａ及び第２のＳＯＡ１３Ｂの他に、光受信器６の第５のＳＯＡ６５を評価する光通信装置の実施の形態につき、実施例２として以下に説明する。尚、実施例１の光通信装置１と同一の構成には同一符号を付すことで、その重複する構成及び動作の説明については省略する。

【実施例0046】

図６は、実施例２の光通信装置１Ａの構成の一例を示す説明図である。図６に示す光通信装置１Ａは、光源４と光変調器５との間を接続すると共に、光源４と光受信器６との間を接続する光カプラ１２を配置する。更に、光通信装置１Ａは、光カプラ１２の第２の入力ポート１２Ｂに接続する第１のＭＰＤ２１Ａを用いて、光変調器５側の第１のＳＯＡ１３Ａ及び第２のＳＯＡ１３Ｂと、光受信器６側の第５のＳＯＡ６５とからのＡＳＥの光強度を検出する。

【0047】

図７は、実施例２の光変調器５及び光受信器６の構成の一例を示す平面模式図、図８は、図７に示す光変調器５及び光受信器６内の第１のＭＰＤ２１Ａ及び光カプラ１２の一例を示す説明図である。光カプラ１２は、第１の入力ポート１２Ａと、第２の入力ポート１２Ｂと、第１の出力ポート１２Ｃと、第２の出力ポート１２Ｄとを有する。第１の入力ポート１２Ａは、光源４と接続し、光源４からのレーザ光を入力するポートである。第２の入力ポート１２Ｂは、第１のＭＰＤ２１Ａと接続し、第１のＳＯＡ１３Ａ、第２のＳＯＡ１３Ｂ及び第５のＳＯＡ６５からのＡＳＥをモニタするポートである。尚、第５のＳＯＡ６５は、通電に応じてローカル光を光増幅する際に第５のＳＯＡ６５の全方向、例えば、第５のＳＯＡ６５の入力ポート及び出力ポートからＡＳＥが放出されることになる。第１の出力ポート１２Ｃは、光変調器５内の第１のＳＯＡ１３及び第２のＳＯＡ１３Ｂに接続する光分岐部８と接続し、レーザ光を光分岐部８に出力するポートである。光分岐部８は、第１の出力ポート１２Ｃからのレーザ光を第１のＳＯＡ１３Ａ及び第２のＳＯＡ１３Ｂに分岐出力する。第２の出力ポート１２Ｄは、光受信器６側の第５のＳＯＡ６５と接続し、レーザ光を第５のＳＯＡ６５に出力するポートである。

【0048】

光受信器６は、受信側入力部６１と、第３のＶＯＡ６２と、ＰＢＳ(Polarization Beam Splitter)６３と、ＰＲ６４と、第５のＳＯＡ６５と、受信側分岐部６６とを有する。光受信器６は、第１の光ハイブリッド回路６７Ａと、第２の光ハイブリッド回路６７Ｂと、４個のＰＤ６８Ａと、４個のＰＤ６８Ｂと、第４のＭＰＤ６９Ａと、第５のＭＰＤ６９Ｂとを有する。

【0049】

受信側入力部６１は、光ファイバ２Ｂからの受信光を入力する。第３のＶＯＡ６２は、受信側入力部６１からの受信光の出力レベルを調整し、調整後の受信光をＰＢＳ６３に出力する。ＰＢＳ６３は、受信光からＸ偏波のＩＱ成分の信号光とＹ偏波のＩＱ成分の信号光とに分波し、Ｘ偏波のＩＱ成分の信号光を第１の光ハイブリッド回路６７Ａに出力すると共に、Ｙ偏波のＩＱ成分の信号光をＰＲ６４に出力する。ＰＲ６４は、Ｙ偏波のＩＱ成分の信号光を９０度偏波回転し、偏波回転後のＹ偏波のＩＱ成分の信号光を第２の光ハイブリッド回路６７Ｂに出力する。

【0050】

光カプラ１２は、光源４からのレーザ光を光変調器５前段の光分岐部８に出力すると共に、光受信器６の第５のＳＯＡ６５に出力する。第５のＳＯＡ６５は、光カプラ１２内の第２の出力ポート１２Ｄからのレーザ光であるローカル光を光増幅し、光増幅後のローカル光を受信側分岐部６６に出力する。

【0051】

受信側分岐部６６は、第５のＳＯＡ６５からの光増幅後のローカル光を第１の光ハイブリッド回路６７Ａ及び第２の光ハイブリッド回路６７Ｂに出力する。

【0052】

第１の光ハイブリッド回路６７Ａは、受信光のＸ偏波成分にローカル光を干渉させてＩ成分及びＱ成分の光信号を取得する。第１の光ハイブリッド回路６７Ａは、Ｘ偏波成分の内、Ｉ成分の光信号をＰＤ６８Ａに出力する。第１の光ハイブリッド回路６７Ａは、Ｘ偏波成分の内、Ｑ成分の光信号をＰＤ６８Ａに出力する。

【0053】

第２の光ハイブリッド回路６７Ｂは、受信光のＹ偏波成分にローカル光を干渉させてＩ成分及びＱ成分の光信号を取得する。第２の光ハイブリッド回路６７Ｂは、Ｙ偏波成分の内、Ｉ成分の光信号をＰＤ６８Ｂに出力する。第２の光ハイブリッド回路６７Ｂは、Ｙ偏波成分の内、Ｑ成分の光信号をＰＤ６８Ｂに出力する。

【0054】

ＰＤ６８Ａは、第１の光ハイブリッド回路６７ＡからのＸ偏波成分のＩ成分の光信号を電気変換し、電気変換後のＩ成分の電気信号を出力する。また、ＰＤ６８Ａは、第１の光ハイブリッド回路６７ＡからのＸ偏波成分のＱ成分の光信号を電気変換し、電気変換後のＱ成分の電気信号を出力する。ＰＤ６８Ｂは、第２の光ハイブリッド回路６７ＢからのＹ偏波成分のＩ成分の光信号を電気変換し、電気変換後のＩ成分の電気信号を出力する。ＰＤ６８Ｂは、第２の光ハイブリッド回路６７ＢからのＹ偏波成分のＱ成分の光信号を電気変換し、電気変換後のＱ成分の電気信号を出力する。

【0055】

次に実施例２の光通信装置１Ａの動作について説明する。図９は、第２の評価処理に関わるＤＳＰ３の処理動作の一例を示すフロー図である。第２の評価処理は、工場出荷前に、一定の評価条件で光変調器５内の第１のＳＯＡ１３Ａ及び第２のＳＯＡ１３Ｂと、光受信器６内の第５のＳＯＡ６５を評価する処理である。図９においてＤＳＰ３は、全ＳＯＡに高温雰囲気下で通電する（ステップＳ３１）。尚、全ＳＯＡとは、例えば、光変調器５内の第１のＳＯＡ１３Ａ及び第２のＳＯＡ１３Ｂ、光受信器６内の第５のＳＯＡ６５である。ＤＳＰ３は、第１のＭＰＤ２１を通じて全ＳＯＡからのＡＳＥの光強度に対するＭＰＤ電流を測定する（ステップＳ３２）。尚、第１のＭＰＤ２１は、光カプラ１２内の第１の出力ポート１２Ｃを経て第２の入力ポート１２Ｂから第１のＳＯＡ１３Ａ及び第２のＳＯＡ１３ＢからのＡＳＥの光強度を検出する。第１のＭＰＤ２１は、ＡＳＥの光強度をＭＰＤ電流に電気変換し、電気変換後のＭＰＤ電流をＤＳＰ３に出力する。更に、第１のＭＰＤ２１は、光カプラ１２内の第２の出力ポート１２Ｄを経て第２の入力ポート１２Ｂから第５のＳＯＡ６５からのＡＳＥの光強度を検出する。第１のＭＰＤ２１は、ＡＳＥの光強度をＭＰＤ電流に電気変換し、電気変換後のＭＰＤ電流をＤＳＰ３に出力する。

【0056】

ＤＳＰ３は、第１のＭＰＤ２１で測定したＭＰＤ電流が基準値以上であるか否かを判定する（ステップＳ３３）。ＤＳＰ３は、ＭＰＤ電流が基準値以上である場合（ステップＳ３３：Ｙｅｓ）、全ＳＯＡが正常と評価し（ステップＳ３４）、評価結果を出力し（ステップＳ３５）、図９に示す処理動作を終了する。尚、全ＳＯＡは、例えば、光変調器５内の第１のＳＯＡ１３Ａ及び第２のＳＯＡ１３Ｂと、光受信器６内の第５のＳＯＡ６５とを有する。

【0057】

ＤＳＰ３は、ＭＰＤ電流が基準値以上でない場合（ステップＳ３３：Ｎｏ）、ＳＯＡを指定する（ステップＳ３６）。尚、ＤＳＰ３は、例えば、第１のＳＯＡ１３Ａ、第２のＳＯＡ１３Ｂ及び第５のＳＯＡ６５から一つのＳＯＡを指定する。ＤＳＰ３は、高温雰囲気下で指定ＳＯＡにのみ通電する（ステップＳ３７）。ＤＳＰ３は、第１のＭＰＤ２１を通じて指定ＳＯＡからのＡＳＥの光強度に対するＭＰＤ電流を測定する（ステップＳ３８）。尚、第１のＭＰＤ２１は、光カプラ１２内の第２の入力ポート１２Ｂから指定ＳＯＡからのＡＳＥの光強度を検出する。第１のＭＰＤ２１は、ＡＳＥの光強度をＭＰＤ電流に電気変換し、電気変換後のＭＰＤ電流をＤＳＰ３に出力する。

【0058】

ＤＳＰ３は、第１のＭＰＤ２１で測定したＭＰＤ電流が基準値以上であるか否かを判定する（ステップＳ３９）。ＤＳＰ３は、ＭＰＤ電流が基準値以上である場合（ステップＳ３９：Ｙｅｓ）、指定ＳＯＡが正常と評価し（ステップＳ４０）、全ＳＯＡの中から未指定のＳＯＡがあるか否かを判定する（ステップＳ４２）。つまり、第１のＭＰＤ２１Ａは、指定ＳＯＡを個別に評価することになる。尚、全ＳＯＡは、例えば、光変調器５内の第１のＳＯＡ１３Ａ及び第２のＳＯＡ１３Ｂと、光受信器６内の第５のＳＯＡ６５とを有する。

【0059】

ＤＳＰ３は、未指定のＳＯＡがある場合（ステップＳ４２：Ｙｅｓ）、未指定のＳＯＡを指定すべく、ステップＳ３６の処理に移行する。また、ＤＳＰ３は、未指定のＳＯＡがない場合（ステップＳ４２：Ｎｏ）、評価結果を出力すべく、ステップＳ３５の処理に移行する。

【0060】

また、ＤＳＰ３は、ＭＰＤ電流が基準値以上でない場合（ステップＳ３９：Ｎｏ）、指定ＳＯＡが異常と評価し（ステップＳ４１）、未指定のＳＯＡがあるか否かを判定すべく、ステップＳ４２の処理に移行する。

【0061】

実施例２の光通信装置１Ａは、電気信号を用いて光信号を変調する光変調器５と第１の出力ポート１２Ｃとの間に接続し、第１の出力ポート１２Ｃからのレーザ光を増幅する第１のＳＯＡ１３Ａ及び第２のＳＯＡ１３Ｂと、光信号を用いて受信光から電気信号を得る光受信器６と第２の出力ポート１２Ｄとの間に接続し、第２の出力ポート１２Ｄからのローカル光を増幅する第５のＳＯＡ６５と、を有する。第１のＭＰＤ２１Ａは、光分岐部８及び第１の出力ポート１２Ｃを経て光変調器５内の第１のＳＯＡ１３Ａ及び第２のＳＯＡ１３ＢのＡＳＥを検出すると共に、第２の出力ポート１２Ｄを経て光受信器６内の第５のＳＯＡ６５のＡＳＥを検出する。その結果、ＤＳＰ３は、工場出荷前に、ＡＳＥの光強度に対応するＭＰＤ電流を用いて光変調器５内の第１のＳＯＡ１３Ａ及び第２のＳＯＡ１３Ｂと、光受信器６内の第５のＳＯＡ６５とを評価できる。しかも、第１のＭＰＤ２１Ａは、光カプラ１２の第２の入力ポート１２Ｂに接続するため、運用中の信号損失の要因になることはなく、ＳＯＡを評価できる。

【0062】

また、ＤＳＰ３が工場出荷前に第２の評価処理を実行する場合を例示したが、ＤＳＰ３の代わりに、図示せぬ評価装置を接続して、評価装置が工場出荷前に第２の評価処理を実行しても良く、適宜変更可能である。

【0063】

尚、実施例２の光通信装置１Ａでは、光変調器５及び光受信器６を内蔵し、光カプラ１２の第１の出力ポート１２Ｃに光分岐部８を接続し、光カプラ１２内の第２の出力ポート１２Ｄに光受信器６側の第５のＳＯＡ６５を接続する場合を例示した。しかしながら、光変調器５のみを内蔵した光送信装置にも本願発明は適用可能であり、この場合、第１のＭＰＤ２１Ａを通じて光変調器５内の第１のＳＯＡ１３Ａ及び第２のＳＯＡ１３ＢからのＡＳＥを検出できる。

【0064】

また、光受信器６のみを内蔵した光受信装置にも本願発明は適用可能であり、この場合、第１のＭＰＤ２１Ａを通じて光受信器６内の第５のＳＯＡ６５からのＡＳＥを検出できる。

【0065】

また、光カプラ１２は、２入力×２出力ポートで例示したが、入力ポートはｍ個のポート、出力ポートはｎ個のポートであればよく、適宜変更可能である。尚、ｍは２以上、ｎは１以上である。

【0066】

光通信装置１では、例えば、ＤＰ－ＱＰＳＫやＱＡＭ方式の通信装置にも適用可能であるため、適宜変更可能である。