(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023108479
(43)【公開日】2023-08-04
(54)【発明の名称】配線基板の製造方法
(51)【国際特許分類】
H05K 3/42 20060101AFI20230728BHJP
H05K 3/40 20060101ALI20230728BHJP
H05K 1/16 20060101ALI20230728BHJP
H05K 1/11 20060101ALI20230728BHJP
H05K 3/00 20060101ALI20230728BHJP
【ＦＩ】
H05K3/42 610C
H05K3/40 E
H05K3/42 620A
H05K1/16 B
H05K1/11 H
H05K3/00 K
【審査請求】未請求
【請求項の数】7
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022009625
(22)【出願日】2022-01-25
(71)【出願人】
【識別番号】000000158
【氏名又は名称】イビデン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001896
【氏名又は名称】弁理士法人朝日奈特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】児玉 博明
(72)【発明者】
【氏名】西脇 千朗
【テーマコード（参考）】
4E351
5E317
【Ｆターム（参考）】
4E351AA03
4E351BB11
4E351BB26
4E351BB33
4E351BB35
4E351BB49
4E351CC03
4E351CC06
4E351DD04
4E351DD19
4E351DD31
4E351EE16
4E351FF18
4E351GG09
5E317AA11
5E317AA21
5E317AA24
5E317BB02
5E317BB12
5E317BB15
5E317CC32
5E317CC53
5E317GG03
(57)【要約】
【課題】良好な品質の配線基板の製造。
【解決手段】実施形態の配線基板の製造方法は、第１絶縁層２を用意することと、第１絶縁層２に第１貫通孔１ａを形成することと、第１貫通孔１ａを磁性体７で充填することと、磁性体７を貫く第２貫通孔１ｂを形成することと、第２貫通孔１ｂ内に第１スルーホール導体５１を形成することと、第１絶縁層２の第１面２ａ側及び第２面２ｂ側それぞれに、第１スルーホール導体５１に連続する第１導体パッド４ａ１、４ａ２を形成することと、を含み、さらに、磁性体７を覆う第２絶縁層３２及び第３絶縁層３３を、それぞれ、第１面２ａ及び第２面２ｂに形成することを含んでいる。第１スルーホール導体５１は第２及び第３の絶縁層３２、３３を貫通するように形成され、第１導体パッド４ａ１、４ａ２は第２及び第３の絶縁層３２、３３それぞれを介して磁性体７の上に形成される。
【選択図】図１
【解決手段】実施形態の配線基板の製造方法は、第１絶縁層２を用意することと、第１絶縁層２に第１貫通孔１ａを形成することと、第１貫通孔１ａを磁性体７で充填することと、磁性体７を貫く第２貫通孔１ｂを形成することと、第２貫通孔１ｂ内に第１スルーホール導体５１を形成することと、第１絶縁層２の第１面２ａ側及び第２面２ｂ側それぞれに、第１スルーホール導体５１に連続する第１導体パッド４ａ１、４ａ２を形成することと、を含み、さらに、磁性体７を覆う第２絶縁層３２及び第３絶縁層３３を、それぞれ、第１面２ａ及び第２面２ｂに形成することを含んでいる。第１スルーホール導体５１は第２及び第３の絶縁層３２、３３を貫通するように形成され、第１導体パッド４ａ１、４ａ２は第２及び第３の絶縁層３２、３３それぞれを介して磁性体７の上に形成される。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１面及び前記第１面と反対側の第２面を有する第１絶縁層を用意することと、
前記第１絶縁層を貫く第１貫通孔を形成することと、
前記第１貫通孔を磁性体で充填することと、
前記磁性体を貫く第２貫通孔を形成することと、
前記第２貫通孔の内部に第１スルーホール導体を形成することと、
前記第１絶縁層の第１面側及び第２面側それぞれに、前記第１スルーホール導体に連続する第１導体パッドを形成することと、
を含む配線基板の製造方法であって、
前記製造方法は、さらに、前記第２貫通孔の形成の前に、
前記磁性体を覆う第２絶縁層を前記第１面に形成することと、
前記磁性体を覆う第３絶縁層を前記第２面に形成することと、
を含み、
前記第１スルーホール導体は、前記第２絶縁層及び前記第３絶縁層を貫通するように形成され、
前記第１導体パッドは、前記第２絶縁層及び前記第３絶縁層それぞれを介して前記磁性体の上に形成される。
前記第１絶縁層を貫く第１貫通孔を形成することと、
前記第１貫通孔を磁性体で充填することと、
前記磁性体を貫く第２貫通孔を形成することと、
前記第２貫通孔の内部に第１スルーホール導体を形成することと、
前記第１絶縁層の第１面側及び第２面側それぞれに、前記第１スルーホール導体に連続する第１導体パッドを形成することと、
を含む配線基板の製造方法であって、
前記製造方法は、さらに、前記第２貫通孔の形成の前に、
前記磁性体を覆う第２絶縁層を前記第１面に形成することと、
前記磁性体を覆う第３絶縁層を前記第２面に形成することと、
を含み、
前記第１スルーホール導体は、前記第２絶縁層及び前記第３絶縁層を貫通するように形成され、
前記第１導体パッドは、前記第２絶縁層及び前記第３絶縁層それぞれを介して前記磁性体の上に形成される。
【請求項2】
請求項１記載の配線基板の製造方法であって、さらに、
前記第１絶縁層、前記第２絶縁層、及び前記第３絶縁層を貫く第３貫通孔を形成することと、
前記第３貫通孔の内部に第２スルーホール導体を形成することと、
を含み、
前記第２貫通孔及び前記第３貫通孔は、同一の位置基準に基づいて特定されるそれぞれの位置に形成される。
前記第１絶縁層、前記第２絶縁層、及び前記第３絶縁層を貫く第３貫通孔を形成することと、
前記第３貫通孔の内部に第２スルーホール導体を形成することと、
を含み、
前記第２貫通孔及び前記第３貫通孔は、同一の位置基準に基づいて特定されるそれぞれの位置に形成される。
【請求項3】
請求項２記載の配線基板の製造方法であって、前記第２貫通孔及び前記第３貫通孔は、一つの穿孔工程で連続的に形成される。
【請求項4】
請求項２記載の配線基板の製造方法であって、さらに、前記第２貫通孔及び前記第３貫通孔両方の形成の後に、前記第２貫通孔内及び前記第３貫通孔内の樹脂残渣を除去するデスミア処理を行うことを含んでいる。
【請求項5】
請求項２記載の配線基板の製造方法であって、さらに、
前記第２スルーホール導体に連続する第２導体パッドを前記第１導体パッドと共に形成することを含み、
前記第１導体パッド及び前記第２導体パッドを形成することは、所定の開口を有するマスクを、前記位置基準を用いて前記第２絶縁層又は前記第３絶縁層の上に位置合わせすることを含んでいる。
前記第２スルーホール導体に連続する第２導体パッドを前記第１導体パッドと共に形成することを含み、
前記第１導体パッド及び前記第２導体パッドを形成することは、所定の開口を有するマスクを、前記位置基準を用いて前記第２絶縁層又は前記第３絶縁層の上に位置合わせすることを含んでいる。
【請求項6】
請求項２記載の配線基板の製造方法であって、さらに、前記位置基準として用いられる識別要素を、前記第１貫通孔に基づく位置、又は前記第１貫通孔に対する所定の相対的な位置に形成される基準孔に基づく位置に形成することを含んでいる。
【請求項7】
請求項１記載の配線基板の製造方法であって、さらに、前記第２絶縁層における前記第１絶縁層と反対側の表面及び前記第３絶縁層における前記第１絶縁層と反対側の表面を粗化することを含んでいる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、コア基板の開口に充填された磁性体樹脂を含むインダクタ内蔵基板の製造方法が開示されている。磁性体樹脂に形成された貫通孔内にスルーホール導体が形成される。スルーホール導体に繋がっているスルーホールランドは磁性体樹脂の上に形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０２０－１７８０９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
特許文献１に開示の方法で製造されるインダクタ内蔵基板では、使用条件によってはスルーホールランドとコア基板との密着強度が十分でないことがある。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明の配線基板の製造方法は、第１面及び前記第１面と反対側の第２面を有する第１絶縁層を用意することと、前記第１絶縁層を貫く第１貫通孔を形成することと、前記第１貫通孔を磁性体で充填することと、前記磁性体を貫く第２貫通孔を形成することと、前記第２貫通孔の内部に第１スルーホール導体を形成することと、前記第１絶縁層の第１面側及び第２面側それぞれに、前記第１スルーホール導体に連続する第１導体パッドを形成することと、を含んでいる。本発明の配線基板の製造方法は、さらに、前記第２貫通孔の形成の前に、前記磁性体を覆う第２絶縁層を前記第１面に形成することと、前記磁性体を覆う第３絶縁層を前記第２面に形成することと、を含んでいる。そして。前記第１スルーホール導体は、前記第２絶縁層及び前記第３絶縁層を貫通するように形成され、前記第１導体パッドは、前記第２絶縁層及び前記第３絶縁層それぞれを介して前記磁性体の上に形成される。
【0006】
本発明の実施形態によれば、磁性体を貫くスルーホール導体と連続する導体パッドのその下地からの剥離が防止される、良好な品質の配線基板を製造することができると考えられる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法によって製造される配線基板の一例を示す断面図。
【図2】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法のステップの一例を示すフローチャート。
【図5A】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。
【図5B】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。
【図5C】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。
【図5D】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。
【図5E】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。
【図5F】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。
【図5G】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。
【図5H】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。
【図5I】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。
【図5J】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。
【図5K】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。
【図6】本発明の他の実施形態の配線基板の製造方法によって製造される配線基板の一例を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【0008】
本発明の一実施形態の配線基板の製造方法が、図面を参照しながら説明される。図１には、一実施形態の配線基板の製造方法によって製造される配線基板の一例である配線基板１が断面図にて示されている。図２には、一実施形態の配線基板の製造方法による製造工程の一例がフローチャートで示されている。なお、実施形態の配線基板の製造方法を用いて、後に参照される図６に示されるように、図１の例の配線基板１の両面それぞれに任意の層数の絶縁層及び導体層を含む配線基板も製造され得る。先ず、図１及び図２を参照して、実施形態の配線基板の製造方法の概要が説明される。
【0009】
図１及び図２に示されるように、本実施形態の配線基板の製造方法は、第１面２ａ及び第１面２ａと反対側の第２面２ｂを有する第１絶縁層２を用意することと（図２のステップＳＴ１）、絶縁層２を貫く第１貫通孔１ａを形成することと（図２のステップＳＴ２）、貫通孔１ａを磁性体７で充填することと（図２のステップＳＴ３）、を含んでいる。以下、本実施形態の配線基板の製造方法は単に「本方法」とも称される。本方法は、さらに、磁性体７を覆う第２絶縁層３２を第１絶縁層２の第１面２ａに形成することと（図２のステップＳＴ４）、磁性体７を覆う第３絶縁層３３を第１絶縁層２の第２面２ｂに形成することと（図２のステップＳＴ５）、を含んでいる。本方法は、さらに、磁性体７を貫く第２貫通孔１ｂを形成することと（図２のステップＳＴ６）、第２貫通孔１ｂの内部に第１スルーホール導体５１を形成することと（図２のステップＳＴ７）、第１スルーホール導体５１に連続する第１導体パッド４ａ１、４ａ２を形成することと（図２のステップＳＴ８）、を含んでいる。
【0010】
図１に示されるように、第１導体パッド４ａ１、４ａ２は、第１絶縁層２の第１面２ａ側及び第２面２ｂ側それぞれに形成される。また、図２に示されるように、第２絶縁層３２及び第３絶縁層３３は、第２貫通孔１ｂの形成の前に形成される。図１及び図２に示されるように、第１スルーホール導体５１は、第２絶縁層３２及び第３絶縁層３３を貫通するように形成される。そして、本方法では、図１及び図２に示されるように、第１導体パッド４ａ１、４ａ２は、第２絶縁層３２及び第３絶縁層３３それぞれを介して磁性体７の上に形成される。なお、図２のステップＳＴ４とステップＳＴ５の順序は逆でもよく、同時でもよい。また、ステップＳＴ７とステップＳＴ８は、同時、又は部分的に同時に行われてもよい。
【0011】
実施形態の説明では、配線基板１の厚さ方向において第１絶縁層２から遠い側は、「外側」、「上側」もしくは「上方」、又は単に「上」とも称され、第１絶縁層２に近い側は、「内側」、「下側」もしくは「下方」、又は単に「下」とも称される。さらに、各導体層、各導体パッド、及び各絶縁層において、第１絶縁層２と反対側を向く表面は「上面」とも称され、第１絶縁層２側を向く表面は「下面」とも称される。また、第１絶縁層２の厚さ方向、すなわち配線基板１の厚さ方向は「Ｚ方向」とも称される。なお、以下の説明において、図面に符号が付されている構成要素については、特に必要とされる場合を除いて、「第１」、「第２」、及び「第３」の表記は省略されることがある。
【0012】
実施形態の配線基板の製造方法が容易に理解されるように、図１に例示の配線基板１の構造が説明される。図１の配線基板１は、第１面２ａ及び第２面２ｂを有する絶縁層２（第１絶縁層）と、スルーホール導体５１（第１スルーホール導体）と、スルーホール導体５１と連結されている導体パッド４ａ１、４ａ２（第１導体パッド）と、を含んでいる。絶縁層２は貫通孔１ａ（第１貫通孔）を備えており、スルーホール導体５１は貫通孔１ａの中を通っている。配線基板１は、さらに、貫通孔１ａを充填する磁性体７を含んでいる。磁性体７には、磁性体７を貫く貫通孔１ｂ（第２貫通孔）が形成されている。スルーホール導体５１は貫通孔１ｂの内部に形成されていて磁性体７を貫通している。
【0013】
配線基板１は、さらに、絶縁層２の第１面２ａの上に形成されていて磁性体７の端面７ａを覆う絶縁層３２（第２絶縁層）、及び絶縁層２の第２面２ｂの上に形成されていて磁性体７の端面７ｂを覆う絶縁層３３（第３絶縁層）を含んでいる。貫通孔１ｂ及びスルーホール導体５１は絶縁層３２及び絶縁層３３を貫通している。導体パッド４ａ１及び導体パッド４ａ２は、絶縁層３２及び絶縁層３３それぞれの表面に形成されている。
【0014】
図１の絶縁層２には、さらに、絶縁層２を貫く貫通孔１ｃ（第３貫通孔）が備えられており、貫通孔１ｃの内部には、スルーホール導体５２（第２スルーホール導体）が形成されている。貫通孔１ｃ及びスルーホール導体５２は絶縁層３２及び絶縁層３３を貫通している。スルーホール導体５２と連結されている導体パッド４ｂ１及び導体パッド４ｂ２（第２導体パッド）が、絶縁層３２の表面３２ａ及び絶縁層３３の表面３３ａに、それぞれ形成されている。
【0015】
図１の配線基板１は、絶縁層３２の表面３２ａの上に形成されている導体層４１（第１導体層）、及び絶縁層３３の表面３３ａの上に形成されている導体層４２（第２導体層）を含んでいる。導体層４１は導体パッド４ａ１及び導体パッド４ｂ１を含んでいる。導体層４２は導体パッド４ａ２及び導体パッド４ｂ２を含んでいる。
【0016】
導体パッド４ａ１及び導体パッド４ａ２は、スルーホール導体５１の所謂スルーホールランドであってもよく、スルーホールランドと一体的に形成された、スルーホールランドを含む導体パッドであってもよい。同様に、導体パッド４ｂ１及び導体パッド４ｂ２は、スルーホール導体５２の所謂スルーホールランドであってもよく、スルーホールランドと一体的に形成された、スルーホールランドを含む導体パッドであってもよい。スルーホール導体のスルーホールランド（スルーホールパッドと称されることもある）は、スルーホール導体に貫かれる絶縁層の表面において座切れが生じないように設けられる導体パターンである。スルーホールランドは、設計上、平面視でスルーホール導体の外周よりも外側に外縁を有するように、すなわち、平面視でスルーホール導体を内包するように設けられる導体パターンである。「平面視」は、配線基板１を、その厚さ方向に沿う視線で見ることを意味している。
【0017】
スルーホール導体５１は貫通孔１ｂの内壁を覆う膜状の導電体からなり、その外周側面は磁性体７に接している。スルーホール導体５２は貫通孔１ｃの内壁を覆う膜状の導電体からなる。スルーホール導体５２は貫通孔１ｃの内壁に露出する絶縁層２の上に形成されており、その外周側面は絶縁層２に接している。スルーホール導体５１、５２は、中空部を備えた筒状の形体を有している。スルーホール導体５１の内部は樹脂体６で充填されており、スルーホール導体５２の内部は樹脂体６１で充填されている。
【0018】
絶縁層２、絶縁層３２、及び絶縁層３３は、それぞれ、任意の絶縁性樹脂によって形成されている。絶縁性樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、又はフェノール樹脂などが例示される。これら絶縁性樹脂を用いて形成される各絶縁層は、シリカなどの無機フィラーを含んでいてもよい。図１の例の絶縁層２は補強材（芯材）２１を含んでいる。補強材２１としては、例えばガラス繊維、アラミド繊維、アラミド不織布などが例示されるが、補強材２１はこれらに限定されない。図示されていないが、絶縁層３２及び絶縁層３３が上述したガラス繊維などからなる補強材を含んでいてもよい。
【0019】
導体パッド４ａ１及び導体パッド４ｂ１を含む導体層４１、導体パッド４ａ２及び導体パッド４ｂ２を含む導体層４２、スルーホール導体５１、並びにスルーホール導体５２は、適切な導電性を有する任意の金属で形成されている。これら各導体層及び各スルーホール導体を形成する金属としては、銅やニッケルなどが例示される。しかし、各導体層及び各スルーホール導体を形成する金属は、これらに限定されない。
【0020】
図１の例では、導体層４１は金属膜４０（下層膜）及び金属膜４１ａ（上層膜）を含んでいる。導体層４２は金属膜４０（下層膜）及び金属膜４２ａ（上層膜）を含んでいる。スルーホール導体５１は、導体パッド４ａ１を構成する金属膜４０及び導体パッド４ａ２を構成する金属膜４０と一体的に形成されている。スルーホール導体５２は、導体パッド４ｂ１を構成する金属膜４０及び導体パッド４ｂ２を構成する金属膜４０と一体的に形成されている。
【0021】
磁性体７は、少なくとも、絶縁層２よりも磁性を帯び易い材料を含んでいる。磁性体７は、例えば、鉄、酸化鉄、コバルト、又はニッケルなどの強磁性を示す材料を含んでいる。磁性体７は、これらの強磁性を示す材料の他に、エポキシ樹脂又はウレタン樹脂などの樹脂材料を含み得る。例えば磁性体７は、上述した、鉄、酸化鉄、コバルト、又はニッケルなどからなる磁性粒子（磁性フィラー）とエポキシ樹脂とを含み得る。磁性体７でスルーホール導体５１の側面が覆われるので、スルーホール導体５１を用いて、高いインダクタンスを有するインダクタを配線基板１に形成することができる。
【0022】
図３及び図４には、図１のIII部及びIV部の拡大図が示されている。図３及び図４に示されるように、スルーホール導体５１及びスルーホール導体５２は、それぞれ、下層金属膜５０１と、下層金属膜５０１上に形成された上層金属膜５０２とを含んでいる。スルーホール導体５１及びスルーホール導体５２は、それぞれ、絶縁層３２上の金属膜４０及び絶縁層３３上の金属膜４０と一体的に形成されている。そのため、金属膜４０も、下層金属膜５０１及び上層金属膜５０２を含む２層構造を有している。
【0023】
絶縁層３２の上の上層金属膜５０２上に金属膜４１ａが形成されている。一方、絶縁層３３の上の上層金属膜５０２上に金属膜４２ａが形成されている。金属膜４１ａ及び金属膜４２ａは、スルーホール導体５１、５２それぞれに対する所謂蓋めっき膜である。金属膜４１ａ及び金属膜４２ａは、それぞれ、下層金属膜４３１と、下層金属膜４３１上に形成された上層金属膜４３２とを含んでいる。導体層４１及び導体層４２は、それぞれ、下層金属膜５０１、上層金属膜５０２、下層金属膜４３１、及び上層金属膜４３２からなる４層構造を有している。
【0024】
図３の例では、絶縁層３２及び絶縁層３３は、前述したエポキシ樹脂などの樹脂３ａ及び樹脂３ａに添加されている無機フィラー３ｂを含んでいる。無機フィラー３ｂは、例えばシリカ、アルミナ、又はムライトなどである。無機フィラー３ｂが含まれていると、樹脂３ａだけが含まれるよりも、絶縁層３２、３３が導体層４１、４２と近い熱膨張率を有し得る。なお、図３及び図４には図示されていないが、絶縁層２も、絶縁層３２、３３と同様の含有率で、又は絶縁層３２、３３よりも少ない含有率で無機フィラー３ｂのようなフィラーを含んでいてもよい。本実施形態の配線基板の製造方法では、無機フィラーの含有率が異なる絶縁層同士（絶縁層２と、絶縁層３２及び絶縁層３３と）が直接積層されてもよい。
【0025】
図３の例では、絶縁層３２の表面３２ａ及び絶縁層３３の表面３３ａは、それぞれ、粗化された粗化面である。例えば表面３２ａ及び表面３３ａは、絶縁層２の第１面２ａ及び第２面２ｂよりも高い面粗度を有し得る。主に樹脂を含む絶縁層３２、３３の表面３２ａ及び表面３３ａそれぞれの上には、金属からなる導体層４１又は導体層４２が形成される。高い面粗度がもたらすアンカー効果によって、異種材料同士である導体層４１、４２と絶縁層３２、３３との密着性が向上すると考えられる。なお、絶縁層２の第１面２ａ及び第２面２ｂの上には、絶縁層２と同様に樹脂を主に含む絶縁層３２又は絶縁層３３が積層されるので、アンカー効果が大きく作用しなくても、絶縁層２と、絶縁層３２及び絶縁層３３との間では十分な密着性が得られると考えられる。
【0026】
【0027】
図５Ａに示されるように、第１面２ａ及び第２面２ｂを有する絶縁層２が用意される。図５Ａの例では、絶縁層２を含む製品領域Ｐと、製品領域Ｐの周囲に設けられて配線基板１の製造工程で用いられる非製品領域ＮＰとを含む出発基板１００が用意されている。例えば、エポキシ樹脂、ＢＴ樹脂、又はフェノール樹脂などの樹脂と、ガラス繊維又はアラミド繊維などの補強材２１とを含む絶縁基板とその両面に積層された銅箔とを含む両面銅張積層板（図示せず）が用意される。そして、その銅箔がエッチングなどで除去されることによって、絶縁層２、又は絶縁層２を含む出発基板１００が用意される。或いは、銅箔などを備えない樹脂基板が、絶縁層２、又は絶縁層２を含む出発基板１００として用意されてもよい。上述の樹脂を含む絶縁層２は、例えばシリカ、アルミナ、又はムライトなどからなる無機フィラー（図示せず）を含んでいてもよい。
【0028】
そして、図５Ａの例では、非製品領域ＮＰに１又は複数の第１基準孔Ｄ１が形成される。第１基準孔Ｄ１は、任意の位置基準（例えば出発基板１００の外形）を参照して、例えば、炭酸ガスレーザー光やＹＡＧレーザー光が照射されるレーザー加工、又はドリル加工などによって形成される。第１基準孔Ｄ１は、後工程における各種の処理や加工時の位置基準として用いられ得る。
【0029】
図５Ｂに示されるように、絶縁層２を貫く貫通孔１ａ（第１貫通孔）が形成される。貫通孔１ａは、例えば非製品領域ＮＰ内の第１基準孔Ｄ１を参照して、スルーホール導体５１及び磁性体７（図１参照）が設けられるべき所定の位置に形成される。第１基準孔Ｄ１を参照して形成される貫通孔１ａは、第１基準孔Ｄ１に対して所定の相対的な位置に形成される。換言すると、第１基準孔Ｄ１は、貫通孔１ａに対して所定の相対的な位置に形成されている。貫通孔１ａは、第１基準孔Ｄ１と同様に、例えば、炭酸ガスレーザー光やＹＡＧレーザー光が照射されるレーザー加工、又はドリル加工などによって形成される。
【0030】
図５Ｃに示されるように、貫通孔１ａの内部が磁性体７で充填される。貫通孔１ａの内壁面が磁性体７によって覆われる。例えば、鉄、酸化鉄、又はコバルト、又はニッケルなどの強磁性を示す材料からなる粒子を含むエポキシ樹脂又はウレタン樹脂などが、絶縁層２の第１面２ａ側及び第２面２ｂ側のいずれか又は両方から注入される。必要に応じて、第１面２ａ側及び第２面２ｂ側のうちの一方から供給されたエポキシ樹脂などが、貫通孔１ａを通じて他方から吸引されてもよい。貫通孔１ａ内に注入された強磁性材を含む樹脂は、必要に応じて加熱などによって固化される。その結果、貫通孔１ａ内を充填する磁性体７が形成される。
【0031】
なお、図５Ｃの例では、第１基準孔Ｄ１は磁性体７で充填されていない。例えばマスキングなどによって、磁性体７による第１基準孔Ｄ１の充填を防ぐことができる。なお、第１基準孔Ｄ１は貫通孔１ａと共に磁性体７で充填されてもよい。
【0032】
磁性体７における絶縁層２の第１面２ａ側及び第２面２ｂ側それぞれの端面は、必要に応じて化学機械研磨などの任意の方法で研磨される。磁性体７の端面の研磨の進行に伴って、絶縁層２の第１面２ａ及び第２面２ｂも、磁性体７の端面と共に研磨されてもよい。磁性体７の両端面が平坦化されると共に、磁性体７の両端面それぞれと、第１面２ａ及び第２面２ｂとが、好ましくは略面一にされる。この研磨によって、磁性体７の両端面及び絶縁層２の第１面２ａ及び第２面２ｂが研磨面となり得る。
【0033】
図５Ｄに示されるように、絶縁層２の第１面２ａ上に磁性体７の端面７ａを覆う絶縁層３２が形成される。絶縁層２の第２面２ｂ上には、磁性体７の端面７ｂを覆う絶縁層３３が形成される。例えば、フィルム状に成形されたエポキシ樹脂が、絶縁層２の第１面２ａ及び第２面２ｂに積層されて熱圧着される。その結果、絶縁層２の第１面２ａ上に絶縁層３２が形成され、第２面２ｂ上に絶縁層３３が形成される。絶縁層３２及び絶縁層３３は、ＢＴ樹脂又はフェノール樹脂を絶縁層２の両面に供給することによって形成されてもよい。絶縁層３２及び絶縁層３３は、それぞれ、例えば１５μｍ以上、５０μｍ以下の厚さを有するように形成される。例えば、ガラス繊維やアラミド繊維などからなる補強材を含まない絶縁層３２、３３が形成される。絶縁層３２、３３は、シリカ、アルミナ、又はムライトなどからなる無機フィラーを含んでいてもよい。図５Ｄの例では、第１基準孔Ｄ１が、絶縁層３２及び／又は絶縁層３３を構成する樹脂によって充填されている。
【0034】
図５Ｅに示されるように、非製品領域ＮＰに、１又は複数の第２基準孔Ｄ２が形成される。第２基準孔Ｄ２は、貫通孔１ａを参照して位置決めが行われるレーザー加工又はドリル加工などによって形成される。すなわち、第２基準孔Ｄ２は、貫通孔１ａに基づく位置に形成される。貫通孔１ａは絶縁層３２及び絶縁層３３に覆われているので、例えばＸ線を用いて貫通孔１ａが認識されてもよい。貫通孔１ａは、前述したように絶縁層２と異なる鉄などを含む材料からなる磁性体７で充填されているので、貫通孔１ａを容易に認識することができる。貫通孔１ａを参照して位置決めを行うことによって、貫通孔１ａに対して正確な相対位置に第２基準孔Ｄ２が形成され得る。
【0035】
第２基準孔Ｄ２は、貫通孔１ａに基づく位置に形成されるので、後工程、例えば、以下に説明される貫通孔１ｂ及び貫通孔１ｃ（図５Ｆ参照）の形成工程で位置決めの基準（位置基準）として機能し得る。第２基準孔Ｄ２のような位置基準となり得る、周囲から識別可能な要素（識別要素）は、第２基準孔Ｄ２のような貫通孔でなくてもよい。例えば、貫通孔１ａに基づく位置に、凹部が形成されたり周囲と異なる色彩のマークが付されたりしてもよい。また、第２基準孔Ｄ２のような識別要素は、図５Ｅの例のような非製品領域ＮＰではなく、製品領域Ｐの中に形成されてもよい。さらに、第２基準孔Ｄ２のような識別要素は、貫通孔１ａに対する所定の相対的な位置に形成されている基準孔（例えば第１基準孔Ｄ１）を参照して、その基準孔に基づく位置に形成されてもよい。このように本方法は、例えば貫通孔１ｂ及び貫通孔１ｃの形成工程のような後工程で位置基準として用いられる識別要素を、貫通孔１ａに基づく位置、又は貫通孔１ａに対する所定の相対的な位置に形成される基準孔に基づく位置に形成することを含み得る。
【0036】
図５Ｆに示されるように、磁性体７、絶縁層３２、及び絶縁層３３を貫く貫通孔１ｂ（第２貫通孔）が形成される。貫通孔１ｂは、スルーホール導体５１（図５Ｇ参照）が形成されるべき貫通孔１ａ内の所定の位置に形成される。また、本実施形態の配線基板の製造方法は、図５Ｆに示されるように、絶縁層２、絶縁層３２、及び絶縁層３３を貫く貫通孔１ｃ（第３貫通孔）を形成することを含み得る。貫通孔１ｃは、スルーホール導体５２（図５Ｇ参照）が形成されるべき所定の位置に形成される。貫通孔１ｂ、１ｃは、貫通孔１ａと同様に、例えば、炭酸ガスレーザー光やＹＡＧレーザー光によるレーザー加工、又はドリル加工などによって形成される。
【0037】
貫通孔１ｂ及び貫通孔１ｃいずれの形成においても、第２基準孔Ｄ２のような識別要素が認識され、その識別要素の位置に基づいて、貫通孔１ｂ及び貫通孔１ｃそれぞれを形成する位置が特定され得る。すなわち、貫通孔１ｂ及び貫通孔１ｃそれぞれを形成する位置は、第２基準孔Ｄ２のような識別要素からなる同一の位置基準に基づいて特定されてもよい。そしてその特定されたそれぞれの位置に、貫通孔１ｂ及び貫通孔１ｃが形成されてもよい。互いに対して正確な相対位置に貫通孔１ｂ及び貫通孔１ｃが形成されると考えられる。また、第２基準孔Ｄ２のような識別要素に基づいて形成される貫通孔１ｂ及び貫通孔１ｃは、それぞれ、貫通孔１ａに対しても正確な相対位置に形成され得る。
【0038】
貫通孔１ｂ及び貫通孔１ｃは、好ましくは、一つの穿孔工程で連続的に形成される。「一つの穿孔工程」は、穿孔及び穿孔位置の特定以外の処理や加工を挟まずに、穿孔位置の特定及び穿孔が連続的に行われる工程を意味している。
【0039】
貫通孔１ｂ、１ｃの形成後、好ましくは、貫通孔１ｂ、１ｃ内の樹脂残渣（スミア）が、例えばアルカリ性過マンガン酸塩を含む溶液を用いるデスミア処理によって除去される。本実施形態の配線基板の製造方法は、このように、貫通孔１ｂ及び貫通孔１ｃ両方の形成の後に、貫通孔１ｂ内及び貫通孔１ｃ内の樹脂残渣を除去するデスミア処理を行うことを含み得る。
【0040】
さらに、本実施形態の配線基板の製造方法は、絶縁層３２における絶縁層２と反対側の表面３２ａ及び絶縁層３３における絶縁層２と反対側の表面３３ａを粗化することを含み得る。表面３２ａ及び表面３３ａは、例えば、絶縁層２の第１面２ａ及び第２面２ｂよりも高い面粗度を有するように粗化されてもよい。例えばデスミア処理と同様の化学処理によって、絶縁層３２の表面３２ａ及び絶縁層３３の表面３３ａが粗化される。その結果、絶縁層３２の表面３２ａ及び絶縁層３３の表面３３ａが、絶縁層２の第１面２ａ及び第２面２ｂよりも高い面粗度を有してもよい。絶縁層３２及び絶縁層３３と、導体層４１及び導体層４２(図５Ｉ参照)との良好な密着性が得られると考えられる。
【0041】
図５Ｇに示されるように、スルーホール導体５１が貫通孔１ｂ内に形成される。なお、図５Ｇには、図５Ｆに示されるＶＧ部に相当する部分におけるスルーホール導体５１の形成後の状態が示されている。後に参照される図５Ｈ及び図５Ｉにも、図５Ｇに示される部分の各工程における状態が示されている。本実施形態の配線基板の製造方法は、図５Ｇに示されるように、貫通孔１ｃの内部にスルーホール導体５２（第２スルーホール導体）を形成することを含み得る。スルーホール導体５１、５２の形成では、具体的には下層金属膜５０１及び上層金属膜５０２が、貫通孔１ｂ、１ｃそれぞれの内壁面に形成される。その結果、それぞれ２層の金属膜からなるスルーホール導体５１及びスルーホール導体５２が形成される。
【0042】
下層金属膜５０１及び上層金属膜５０２は、それぞれ、絶縁層３２の表面３２ａの上、及び絶縁層３３の表面３３ａの上にも形成される。絶縁層３２上の下層金属膜５０１及び上層金属膜５０２は導体層４１（図５Ｉ参照）の一部を構成する。絶縁層３３上の下層金属膜５０１及び上層金属膜５０２は導体層４２（図５Ｉ参照）の一部を構成する。下層金属膜５０１は、例えばスパッタリングや無電解めっきによって形成される。上層金属膜５０２は、例えば下層金属膜５０１を給電層として用いる電解めっきによって形成される。下層金属膜５０１及び上層金属膜５０２は、銅やニッケルなどの適切な導電性を有する金属で形成され得る。
【0043】
図５Ｈに示されるように、スルーホール導体５１の内部が樹脂体６で充填され、スルーホール導体５２の内部が樹脂体６１で充填される。例えば、エポキシ、アクリル又はフェノールなどの樹脂が、絶縁層３２側及び絶縁層３３側のいずれか又は両方から、スルーホール導体５１、５２それぞれの内部に注入される。必要に応じて、絶縁層３２側及び絶縁層３３側のうちの一方から供給されたエポキシ樹脂などが他方から吸引されてもよい。各スルーホール導体の内部に注入された樹脂は、必要に応じて加熱などによって固化される。その結果、樹脂体６、６１が形成される。樹脂体６、６１は、上述のエポキシ樹脂などに限らず、スルーホール導体５１、５２それぞれの内部を満たし得る任意の材料で形成され得る。樹脂体６、６１は、銀粒子などの導電性粒子とエポキシ樹脂などとを含む導電性樹脂を含んでいてもよい。図示されていないが、樹脂体６、６１の形成時には、第２基準孔Ｄ２（図５Ｆ参照）が充填されないように第２基準孔Ｄ２がマスキングされてもよい。
【0044】
必要に応じて、樹脂体６、６１における絶縁層３２側及び絶縁層３３側それぞれの端面が、化学機械研磨などの任意の方法で研磨される。樹脂体６、６１の両端面それぞれと、絶縁層３２及び絶縁層３３それぞれの上の上層金属膜５０２の表面とが、好ましくは略面一にされる。
【0045】
図５Ｉに示されるように、絶縁層３２の表面３２ａ上に導体層４１が形成され、絶縁層３３の表面３３ａ上に導体層４２が形成される。具体的には、スルーホール導体５１及び／又はスルーホール導体５２と一体的に形成されている、絶縁層３２又は絶縁層３３の上の上層金属膜５０２の上に、下層金属膜４３１が形成される。さらに下層金属膜４３１上に上層金属膜４３２が形成される。下層金属膜４３１及び上層金属膜４３２は、絶縁層３２側及び絶縁層３３側それぞれにおいて、樹脂体６、６１の端面上にも形成される。樹脂体６、６１の両端面が、下層金属膜４３１及び上層金属膜４３２に覆われる。下層金属膜４３１及び上層金属膜４３２によって、スルーホール導体５１、５２それぞれに対する、所謂蓋めっきが形成される。
【0046】
下層金属膜４３１は、例えばスパッタリングや無電解めっきによって形成される。上層金属膜４３２は、例えば下層金属膜４３１を給電層として用いる電解めっきによって形成される。下層金属膜４３１及び上層金属膜４３２は、銅やニッケルなどの適切な導電性を有する金属で形成され得る。絶縁層３２の表面３２ａ上に導体層４１が形成され、絶縁層３３の表面３３ａ上に導体層４２が形成される。それぞれが、下層金属膜５０１、上層金属膜５０２、下層金属膜４３１、及び上層金属膜４３２からなる４層構造を有する導体層４１及び導体層４２が形成される。
【0047】
図５Ｊに示されるように、導体層４１及び導体層４２それぞれの上に、導体層４１又は導体層４２が有するべき導体パターンに応じた開口Ｍ１を有するエッチングマスクＭが形成される。なお、図５Ｊでは、図５Ｉに示される、絶縁層３２又は絶縁層３３の上の下層金属膜５０１及び上層金属膜５０２は、金属膜４０として１層で示されている。同様に、絶縁層３２の上の下層金属膜４３１及び上層金属膜４３２は金属膜４１ａとして１層で示されており、絶縁層３３の上の下層金属膜４３１及び上層金属膜４３２は金属膜４２ａとして１層で示されている。
【0048】
開口Ｍ１は、開口Ｍ１に応じた所定の開口ＥＭ１を有する露光マスクＥＭを用いる露光及び現像によって設けられる。露光マスクＥＭは、好ましくは、第２基準孔Ｄ２を位置基準として用いて、開口Ｍ１の形成前のエッチングマスクＭを介して絶縁層３２又は絶縁層３３の上に位置合わせされる。すなわち、第２基準孔Ｄ２が認識され、第２基準孔Ｄ２の位置に基づいて、導体層４１又は導体層４２の上に積層されたエッチングマスクＭとなるレジスト膜の上に、露光マスクＥＭが位置づけられる。
【0049】
そして露光マスクＥＭを介した露光、及び現像によって、エッチングマスクＭの開口Ｍ１が形成される。そのため、スルーホール導体５１、５２に対して正確な位置に開口Ｍ１が設けられ得る。図５Ｊの例では、導体層４１において導体パッド４ａ１及び導体パッド４ｂ１（図５Ｋ参照）などの導体パターンを構成する部分はエッチングマスクＭで覆われる。同様に、導体層４２において導体パッド４ａ２及び導体パッド４ｂ２（図５Ｋ参照）などの導体パターンを構成する領域はエッチングマスクＭで覆われる。
【0050】
図５Ｋに示されるように、絶縁層２の第１面２ａ側及び第２面２ｂ側それぞれに、スルーホール導体５１に連続する導体パッド４ａ１、４ａ２（第１導体パッド）が形成される。すなわち、導体層４１及び導体層４２がパターニングされる。図５Ｋの例では、スルーホール導体５２に連続する導体パッド４ｂ１、４ｂ２（第２導体パッド）も形成される。このように本実施形態の配線基板の製造方法は、スルーホール導体５２に連続する導体パッド４ｂ１、４ｂ２を導体パッド４ａ１、４ａ２と共に形成することを含み得る。具体的には、導体層４１及び導体層４２の不要部分、すなわちエッチングマスクＭの開口Ｍ１（図５Ｊ参照）に露出する部分が、例えばウェットエッチングやドライエッチングによって除去される。その結果、導体層４１に、導体パッド４ａ１、４ｂ１などの所定の導体パターンが形成される。導体層４２に、導体パッド４ａ２、４ｂ２などの所定の導体パターンが形成される。
【0051】
なお、導体層４１、４２は、図５Ｊ及び図５Ｋを参照して説明されたサブトラクティブ法ではなく、セミアディティブ法で形成されてもよい。例えば、本実施形態の製造方法によって製造される配線基板において導体層４１、４２は、金属膜４０（下層金属膜５０１及び上層金属膜５０２（図５Ｉ参照））だけで構成されてもよい。そしてそのような場合に、セミアディティブ法で導体層４１、４２が形成されてもよい。すなわち、上層金属膜５０２は、めっきレジスト（図示せず）を用いるパターンめっきによって、導体層４１、４２それぞれの所定の導体パターンが形成されるべき領域だけに形成されてもよい。
【0052】
その図示されないめっきレジストには、導体層４１、４２に含まれるべき、導体パッド４ａ１、４ａ２、４ｂ１、４ｂ２などの導体パターンに対応する領域に開口（図示せず）が設けられる。この図示されないめっきレジストの開口が、図５Ｊに示されるような露光マスクＥＭを用いて形成されてもよい。この場合も、露光マスクＥＭは、好ましくは、第２基準孔Ｄ２を位置基準として用いて、図示されないめっきレジストとなるレジスト膜を介して絶縁層３２又は絶縁層３３の上に位置合わせされる。
【0053】
このようにして開口が形成されためっきレジストを用いるパターンめっきにおいても、導体パッド４ａ１、４ａ２、４ｂ１、４ｂ２などの導体パターンを、スルーホール導体５１、５２に対して正確な位置に形成することができると考えられる。このように本実施形態の配線基板の製造方法において導体パッド４ａ１、４ａ２及び導体パッド４ｂ１、４ｂ２を形成することは、所定の開口を有する露光マスクＥＭのようなマスクを、第２基準孔Ｄ２のような位置基準を用いて絶縁層３２又は絶縁層３３の上に位置合わせすることを含み得る。
【0054】
導体パッド４ａ１、４ａ２、４ｂ１、４ｂ２などの導体パターンの形成後、ルーターなどによって、非製品領域ＮＰが切除される。例えば以上の工程を経ることによって、図１の配線基板１が完成する。
【0055】
実施形態の配線基板の製造方法では、導体パッド４ａ１及び導体パッド４ａ２は、それぞれ、絶縁層３２又は絶縁層３３を介して磁性体７の上に形成される。そのため、以下に説明されるように、導体パッド４ａ１及び導体パッド４ａ２のその下地からの剥がれが防止されると考えられる。
【0056】
導体パッド４ａ１及び導体パッド４ａ２の下側の層を構成する金属膜４０は、絶縁層２や絶縁層３２及び絶縁層３３に対する密着性と同様の密着性を、磁性体７に対して有し得ないことがある。例えば、金属膜４０の下層金属膜５０１（図５Ｉ参照）が無電解めっきで形成される場合、無電解めっきの前には、被めっき表面へのパラジウムなどの触媒の吸着性を向上させるために、被めっき表面の電荷を調整する活性化処理が行われる。絶縁層２のような樹脂体の表面上と共に磁性体７のような強磁性材料を含む磁性体の表面上に無電解めっき膜が形成される場合、磁性体の表面が適切に活性化されず、触媒が十分な密着強度で磁性体の表面に付着しないことがある。その結果、十分でない密着強度で磁性体の表面に付着した触媒の周囲に析出する無電解めっき膜と磁性体との間に十分な密着強度が得られないことがある。そのため、無電解めっき膜と、その下地（磁性体）との間で、外力や熱応力などによって剥離が生じることがある。
【0057】
これに対して実施形態の配線基板の製造方法では、前述したように、導体パッド４ａ１及び導体パッド４ａ２は、磁性体７及び絶縁層２を覆う絶縁層３２又は絶縁層３３の上に形成される。導体パッド４ａ１及び導体パッド４ａ２を構成する金属膜４０の無電解めっき膜（例えば下層金属膜５０１）は、適切に活性化処理された絶縁層３２及び絶縁層３３の上に十分な強度で付着した触媒の周囲に形成される。従って、導体パッド４ａ１及び導体パッド４ａ２が、絶縁層３２又は絶縁層３３を介して、磁性体７との間に十分な密着強度を有し得る。従って、実施形態の製造方法で製造された配線基板１では、導体パッド４ａ１及び導体パッド４ａ２における下地（絶縁層３２及び絶縁層３３並びにそれらの下側の磁性体７）からの剥離は生じ難い。すなわち、本実施形態によれば、導体パッド４ａ１及び導体パッド４ａ２の剥がれが抑制される良好な品質の配線基板を製造することができると考えられる。
【0058】
なお、スルーホール導体５１は磁性体７の側面上に形成されるが、剥離の起点となるようなスルーホール導体５１の縁部は、磁性体７の上には存在しない。しかもスルーホール導体５１は、絶縁層３２又は絶縁層３３と良好に密着する絶縁層３２上又は絶縁層３３上の金属膜４０と連結されている。そのため、熱などによるスルーホール導体５１のＺ方向の伸縮が制限される。また、スルーホール導体５１における、Ｚ方向と直交し且つ側面に沿う方向（周方向）の伸縮は、筒状の形体のために自ずと制限される。さらに、磁性体７から離間する方向へのスルーホール導体５１の挙動は、樹脂体６によって制限されることがある。そのため、実施形態の配線基板の製造方法で製造される配線基板において、磁性体７からのスルーホール導体５１の剥離は生じ難いと考えられる。
【0059】
実施形態の配線基板の製造方法は、図５Ｋの状態の配線基板１の一面又は両面に、さらに、１組又は２組以上の絶縁層及び導体層を含むビルドアップ層を形成することを含んでいてもよい。図６には、そのようにビルドアップ層を形成することを含む他の実施形態の配線基板の製造方法によって製造される配線基板の一例である配線基板１０が示されている。配線基板１０は、コア基板１１と、ビルドアップ層１２と、ビルドアップ層１３とを備える多層配線基板である。コア基板１１は、図５Ｋの状態の配線基板１によって、すなわち、絶縁層２、３２、３３、及び導体層４１、４２によって構成されている。絶縁層３２及び導体層４１の上にビルドアップ層１２が形成され、絶縁層３３及び導体層４２の上にビルドアップ層１３が形成されている。ビルドアップ層１２及びビルドアップ層１３は、それぞれ、コア基板１１上に積層されている１組以上の絶縁層及び導体層を含んでいる。
【0060】
図６の例の配線基板１０が製造される場合、本実施形態の配線基板の製造方法は、図５Ａ～図５Ｋを参照して説明された工程に加えて、絶縁層１４を絶縁層３２及び導体層４１の上、並びに絶縁層３３及び導体層４２の上に形成することを含み得る。絶縁層１４は、例えば、前述した絶縁層３２、３３の形成方法と同様の方法で形成される。さらに、本方法は、絶縁層１４内にビア導体１８ａを形成すると共に絶縁層１４の上に導体層１６を形成することを含み得る。ビア導体１８ａ及び導体層１６は、レーザー加工などによる絶縁層１４への貫通孔の形成と、例えばセミアディティブ法などによるめっき膜の形成とによって形成され得る。
【0061】
さらに、本方法は、絶縁層１４、ビア導体１８ａ、及び導体層１６の形成方法と同様の方法で、絶縁層１４及び導体層１６の上への絶縁層１５、ビア導体１８ｂ、及び導体層１７の形成を適宜繰り返すことを含み得る。そして、本方法では、ビルドアップ層１２、１３それぞれの上に、開口１９ａを備えるソルダーレジスト１９が形成されてもよく、開口１９ａに露出する接続パッド１７ａにバンプ１７ｂが形成されてもよい。ソルダーレジスト１９は、例えば、感光性のエポキシ樹脂やポリイミド樹脂を塗布したり、積層したりすることによって形成され得る。開口１９ａは、例えばフォトリソグラフィ技術やレーザー光を用いて形成され、その形成により接続パッド１７ａが露出される。バンプ１７ｂは、例えば、すずめっき又ははんだボールの載置とリフロー処理とによって形成され得る。
【0062】
このように本実施形態の配線基板の製造方法によって、多層配線基板である配線基板１０が製造されてもよい。
【0063】
実施形態の配線基板の製造方法は、各図面を参照して説明された方法に限定されない。例えば、樹脂体６、６１は形成されなくてもよい。すなわち、中空部の無い柱状体の形体のスルーホール導体が形成されてもよい。前述したように金属膜４０のみからなる導体層４１、４２が形成されてもよく、従って、金属膜４１ａ、４２ａは形成されなくてもよい。すなわち、スルーホール導体５１、５２の蓋めっきは形成されなくてもよい。第１及び第２の基準孔Ｄ１、Ｄ２は形成されなくてもよい。貫通孔１ｂ、１ｃの形成位置は任意の方法で特定され得る。また、露光マスクＥＭの位置決めは任意の方法で実施され得る。実施形態の配線基板の製造方法には、前述された各工程以外に任意の工程が追加されてもよく、前述された工程のうちの一部が省略されてもよい。
【符号の説明】
【0064】
１、１０ 配線基板
１ａ 貫通孔（第１貫通孔）
１ｂ 貫通孔（第２貫通孔）
１ｃ 貫通孔（第３貫通孔）
２ 絶縁層（第１絶縁層）
２ａ 第１面
２ｂ 第２面
３２ 絶縁層（第２絶縁層）
３２ａ 表面
３３ 絶縁層（第３絶縁層）
３３ａ 表面
４ａ１、４ａ２ 導体パッド（第１導体パッド）
４ｂ１、４ｂ２ 導体パッド（第２導体パッド）
５１ スルーホール導体（第１スルーホール導体）
５２ スルーホール導体（第２スルーホール導体）
７ 磁性体
Ｄ１ 第１基準孔
Ｄ２ 第２基準孔
ＥＭ 露光マスク
ＥＭ１ 開口
Ｍ エッチングマスク
Ｍ１ 開口
１ａ 貫通孔（第１貫通孔）
１ｂ 貫通孔（第２貫通孔）
１ｃ 貫通孔（第３貫通孔）
２ 絶縁層（第１絶縁層）
２ａ 第１面
２ｂ 第２面
３２ 絶縁層（第２絶縁層）
３２ａ 表面
３３ 絶縁層（第３絶縁層）
３３ａ 表面
４ａ１、４ａ２ 導体パッド（第１導体パッド）
４ｂ１、４ｂ２ 導体パッド（第２導体パッド）
５１ スルーホール導体（第１スルーホール導体）
５２ スルーホール導体（第２スルーホール導体）
７ 磁性体
Ｄ１ 第１基準孔
Ｄ２ 第２基準孔
ＥＭ 露光マスク
ＥＭ１ 開口
Ｍ エッチングマスク
Ｍ１ 開口
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5A】
【図5B】
【図5C】
【図5D】
【図5E】
【図5F】
【図5G】
【図5H】
【図5I】
【図5J】
【図5K】
【図6】