特開2023-110900ナノラミネート絶縁ゲート構造を有するワイドバンドギャップトランジスタ及びワイドバンドギャップトランジスタの製造方法

発明の名称　ナノラミネート絶縁ゲート構造を有するワイドバンドギャップトランジスタ及びワイドバンドギャップトランジスタの製造方法

出願人　エスティーマイクロエレクトロニクス　エス．アール．エル．　（識別番号 591002692）

　　　　特許公開件数ランキング 31345 位（0件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 2444 位（6件）（共同出願を含む）

公報番号　特開-2023-110900

公報発行日　2023年8月9

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_A1-2023-110900

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