(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023111607
(43)【公開日】2023-08-10
(54)【発明の名称】配線基板
(51)【国際特許分類】
H05K 3/46 20060101AFI20230803BHJP
【ＦＩ】
H05K3/46 N
【審査請求】未請求
【請求項の数】8
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022013532
(22)【出願日】2022-01-31
(71)【出願人】
【識別番号】000000158
【氏名又は名称】イビデン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001896
【氏名又は名称】弁理士法人朝日奈特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】大冨 清輝
(72)【発明者】
【氏名】伊藤 克敏
【テーマコード（参考）】
5E316
【Ｆターム（参考）】
5E316AA02
5E316AA12
5E316AA15
5E316AA32
5E316AA43
5E316BB02
5E316CC04
5E316CC05
5E316CC09
5E316CC10
5E316CC13
5E316CC32
5E316CC37
5E316CC39
5E316DD17
5E316DD25
5E316EE33
5E316FF15
5E316HH06
5E316HH11
5E316HH26
(57)【要約】
【課題】優れた信号伝送品質を有する、コア基板を含む配線基板の提供。
【解決手段】実施形態の配線基板は、第１面および第２面を有するコア絶縁層２と、第１面上の第１ランド部３１Ｌおよび第１プレーン部１Ｐを含む第１導体層１１と第１絶縁層２１と微細配線ＦＷおよび第３プレーン部３Ｐを含む第３導体層１３と、第２面上の第２ランド部３２Ｌおよび第２プレーン部２Ｐを含む第２導体層１２と第２絶縁層２２と微細配線ＦＷおよび第４プレーン部４Ｐを含む第４導体層１４とを含むコア基板を有している。第１ランド部３１Ｌと第３導体層１３、第２ランド部３２Ｌと第４導体層１４、第１プレーン部１Ｐと第３プレーン部３Ｐ、第２プレーン部２Ｐと第４プレーン部４Ｐはビア導体８によって接続され、第１プレーン部１Ｐは第３プレーン部３Ｐと、第２プレーン部２Ｐは第４プレーン部４Ｐとそれぞれ平面視において略重なる位置に略同じ大きさで位置している。
【選択図】図１
【解決手段】実施形態の配線基板は、第１面および第２面を有するコア絶縁層２と、第１面上の第１ランド部３１Ｌおよび第１プレーン部１Ｐを含む第１導体層１１と第１絶縁層２１と微細配線ＦＷおよび第３プレーン部３Ｐを含む第３導体層１３と、第２面上の第２ランド部３２Ｌおよび第２プレーン部２Ｐを含む第２導体層１２と第２絶縁層２２と微細配線ＦＷおよび第４プレーン部４Ｐを含む第４導体層１４とを含むコア基板を有している。第１ランド部３１Ｌと第３導体層１３、第２ランド部３２Ｌと第４導体層１４、第１プレーン部１Ｐと第３プレーン部３Ｐ、第２プレーン部２Ｐと第４プレーン部４Ｐはビア導体８によって接続され、第１プレーン部１Ｐは第３プレーン部３Ｐと、第２プレーン部２Ｐは第４プレーン部４Ｐとそれぞれ平面視において略重なる位置に略同じ大きさで位置している。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１面および前記第１面と反対側の第２面を有するコア絶縁層と、
前記第１面上に形成され第１ランド部および第１プレーン部を含む第１導体層と、
前記第２面上に形成され第２ランド部および第２プレーン部を含む第２導体層と、
前記第１面および前記第１導体層を被覆する第１絶縁層と、
前記第２面および前記第２導体層を被覆する第２絶縁層と、
前記第１絶縁層上に形成され、微細配線および第３プレーン部を含む第３導体層と、
前記第２絶縁層上に形成され、微細配線および第４プレーン部を含む第４導体層と
を含むコア基板を有する配線基板であって、
前記第１ランド部と前記第２ランド部とは、前記コア絶縁層を貫通する貫通孔の内側に形成されるスルーホール導体によって接続されており、
前記第１ランド部と前記第３導体層とは、前記第１絶縁層を貫通する第１ビア導体によって接続され、
前記第２ランド部と前記第４導体層とは、前記第２絶縁層を貫通する第２ビア導体によって接続され、
前記第１プレーン部と前記第３プレーン部とは、前記第１絶縁層を貫通する第３ビア導体によって接続され、
前記第２プレーン部と前記第４プレーン部とは、前記第２絶縁層を貫通する第４ビア導体によって接続され、
前記第１プレーン部は前記第３プレーン部と平面視において略重なる位置に略同じ大きさで位置しており、
前記第２プレーン部は前記第４プレーン部と平面視において略重なる位置に、略同じ大きさで位置している。
前記第１面上に形成され第１ランド部および第１プレーン部を含む第１導体層と、
前記第２面上に形成され第２ランド部および第２プレーン部を含む第２導体層と、
前記第１面および前記第１導体層を被覆する第１絶縁層と、
前記第２面および前記第２導体層を被覆する第２絶縁層と、
前記第１絶縁層上に形成され、微細配線および第３プレーン部を含む第３導体層と、
前記第２絶縁層上に形成され、微細配線および第４プレーン部を含む第４導体層と
を含むコア基板を有する配線基板であって、
前記第１ランド部と前記第２ランド部とは、前記コア絶縁層を貫通する貫通孔の内側に形成されるスルーホール導体によって接続されており、
前記第１ランド部と前記第３導体層とは、前記第１絶縁層を貫通する第１ビア導体によって接続され、
前記第２ランド部と前記第４導体層とは、前記第２絶縁層を貫通する第２ビア導体によって接続され、
前記第１プレーン部と前記第３プレーン部とは、前記第１絶縁層を貫通する第３ビア導体によって接続され、
前記第２プレーン部と前記第４プレーン部とは、前記第２絶縁層を貫通する第４ビア導体によって接続され、
前記第１プレーン部は前記第３プレーン部と平面視において略重なる位置に略同じ大きさで位置しており、
前記第２プレーン部は前記第４プレーン部と平面視において略重なる位置に、略同じ大きさで位置している。
【請求項2】
請求項１記載の配線基板であって、前記第１導体層は前記第１ランド部および前記第１プレーン部のみで構成され、前記第２導体層は前記第２ランド部および前記第２プレーン部のみで構成されている。
【請求項3】
請求項１記載の配線基板であって、前記第３導体層の前記微細配線は、その延長方向と直交する方向において、前記第３導体層の前記第１ランド部と接続されている導体パターンと、前記第３導体層の前記第３プレーン部とに挟まれ、前記第４導体層の前記微細配線は、その延長方向と直交する方向において、前記第４導体層の前記第２ランド部と接続されている導体パターンと、前記第４導体層の前記第４プレーン部とに挟まれている。
【請求項4】
請求項１記載の配線基板であって、前記第３導体層および／または前記第４導体層に含まれる前記微細配線は、信号伝送用の配線である。
【請求項5】
請求項１記載の配線基板であって、前記第３導体層および／または前記第４導体層に含まれる前記微細配線の線幅は、８μｍ以上、３０μｍ以下であり、配線間は、１０μｍ以上、３０μｍ以下である。
【請求項6】
請求項３記載の配線基板であって、
前記第３導体層の上側に、第３絶縁層と前記第３絶縁層上に形成される第５導体層とをさらに有し、
前記第４導体層の上側に、第４絶縁層と前記第４絶縁層上に形成される第６導体層とをさらに有し、
前記第３導体層に含まれる前記微細配線の直上には、前記第５導体層に含まれる第５プレーン部が位置しており、
前記第４導体層に含まれる前記微細配線の直上には、前記第６導体層に含まれる第６プレーン部が位置しており、
前記第５プレーン部は、前記第３導体層の前記第１ランド部と接続されている前記導体パターンと接続されており、
前記第６プレーン部は、前記第４導体層の前記第２ランド部と接続されている前記導体パターンと接続されている。
前記第３導体層の上側に、第３絶縁層と前記第３絶縁層上に形成される第５導体層とをさらに有し、
前記第４導体層の上側に、第４絶縁層と前記第４絶縁層上に形成される第６導体層とをさらに有し、
前記第３導体層に含まれる前記微細配線の直上には、前記第５導体層に含まれる第５プレーン部が位置しており、
前記第４導体層に含まれる前記微細配線の直上には、前記第６導体層に含まれる第６プレーン部が位置しており、
前記第５プレーン部は、前記第３導体層の前記第１ランド部と接続されている前記導体パターンと接続されており、
前記第６プレーン部は、前記第４導体層の前記第２ランド部と接続されている前記導体パターンと接続されている。
【請求項7】
請求項６記載の配線基板であって、
前記第１導体層は、前記第１ランド部と前記第１プレーン部とを連結する連結プレーン部をさらに含んでおり、
前記第２導体層は、前記第２ランド部と前記第２プレーン部とを連結する連結プレーン部をさらに含んでおり、
前記第３導体層に含まれる前記微細配線の直下には、前記第１ランド部と接続されている前記連結プレーン部が位置しており、
前記第４導体層に含まれる前記微細配線の直下には、前記第２ランド部と接続されている前記連結プレーン部が位置している。
前記第１導体層は、前記第１ランド部と前記第１プレーン部とを連結する連結プレーン部をさらに含んでおり、
前記第２導体層は、前記第２ランド部と前記第２プレーン部とを連結する連結プレーン部をさらに含んでおり、
前記第３導体層に含まれる前記微細配線の直下には、前記第１ランド部と接続されている前記連結プレーン部が位置しており、
前記第４導体層に含まれる前記微細配線の直下には、前記第２ランド部と接続されている前記連結プレーン部が位置している。
【請求項8】
請求項７記載の配線基板であって、
前記第３導体層の前記微細配線は、配線基板の厚さ方向において、前記第１ランド部と接続されている前記第５プレーン部と、前記第１ランド部と接続されている前記連結プレーン部とに挟まれ、前記微細配線の延長方向と直交する方向において、前記第１ランド部と接続されている前記第３導体層の前記導体パターンと、前記第１プレーン部および前記第３ビア導体を介して前記第１ランド部と接続されている前記第３プレーン部とに挟まれ、
前記第４導体層の前記微細配線は、配線基板の厚さ方向において、前記第２ランド部と接続されている前記第６プレーン部と、前記第２ランド部と接続されている前記連結プレーン部とに挟まれ、前記微細配線の延長方向と直交する方向において、前記第２ランド部と接続されている前記第４導体層の前記導体パターンと、前記第２プレーン部および前記第４ビア導体を介して前記第２ランド部と接続されている前記第４プレーン部とに挟まれている。
前記第３導体層の前記微細配線は、配線基板の厚さ方向において、前記第１ランド部と接続されている前記第５プレーン部と、前記第１ランド部と接続されている前記連結プレーン部とに挟まれ、前記微細配線の延長方向と直交する方向において、前記第１ランド部と接続されている前記第３導体層の前記導体パターンと、前記第１プレーン部および前記第３ビア導体を介して前記第１ランド部と接続されている前記第３プレーン部とに挟まれ、
前記第４導体層の前記微細配線は、配線基板の厚さ方向において、前記第２ランド部と接続されている前記第６プレーン部と、前記第２ランド部と接続されている前記連結プレーン部とに挟まれ、前記微細配線の延長方向と直交する方向において、前記第２ランド部と接続されている前記第４導体層の前記導体パターンと、前記第２プレーン部および前記第４ビア導体を介して前記第２ランド部と接続されている前記第４プレーン部とに挟まれている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、配線基板に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、スルーホール部を有するコア基板を含む多層配線基板が開示されている。コア基板の上面および下面には、スルーホール部を構成する貫通孔の内壁面に設けられたスルーホール導体とスルーホール部に充填される充填材の硬化体とを含むスルーホール部のランド部分、およびランド部分に接してスルーホール部の開口部をふさぐ蓋状導体のみが形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２００５－２０３７６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
特許文献１に開示の多層配線基板では、コア基板の上面および下面にはスルーホール部のランド部分の領域にしか導体層が形成されていない。そのため、コア基板上への配線層の形成工程において、コア基板に反りや歪みが生じ易く、完成後の多層配線基板においても反りなどの問題が生じることがある。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明の配線基板は、第１面および前記第１面と反対側の第２面を有するコア絶縁層と、前記第１面上に形成され第１ランド部および第１プレーン部を含む第１導体層と、前記第２面上に形成され第２ランド部および第２プレーン部を含む第２導体層と、前記第１面および前記第１導体層を被覆する第１絶縁層と、前記第２面および前記第２導体層を被覆する第２絶縁層と、前記第１絶縁層上に形成され、微細配線および第３プレーン部を含む第３導体層と、前記第２絶縁層上に形成され、微細配線および第４プレーン部を含む第４導体層とを含むコア基板を有している。そして、前記第１ランド部と前記第２ランド部とは、前記コア絶縁層を貫通する貫通孔の内側に形成されるスルーホール導体によって接続されており、前記第１ランド部と前記第３導体層とは、前記第１絶縁層を貫通する第１ビア導体によって接続され、前記第２ランド部と前記第４導体層とは、前記第２絶縁層を貫通する第２ビア導体によって接続され、前記第１プレーン部と前記第３プレーン部とは、前記第１絶縁層を貫通する第３ビア導体によって接続され、前記第２プレーン部と前記第４プレーン部とは、前記第２絶縁層を貫通する第４ビア導体によって接続され、前記第１プレーン部は前記第３プレーン部と平面視において略重なる位置に略同じ大きさで位置しており、前記第２プレーン部は前記第４プレーン部と平面視において略重なる位置に、略同じ大きさで位置している。
【0006】
本発明の実施形態によれば、反りの少ないコア基板を含む配線基板が提供され得る。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。
【図2】本発明の一実施形態の配線基板の他の例を示す断面図。
【図3A】一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。
【図3B】一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。
【図3C】一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。
【図3D】一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。
【図3E】一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。
【図3F】一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。
【図3G】一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。
【図3H】一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。
【図3I】一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【0008】
本発明の一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。なお、以下、参照される図面においては、各構成要素の正確な比率を示すことは意図されておらず、本発明の特徴が理解され易いように描かれている。図１には、一実施形態の配線基板が有し得る構造の一例として、配線基板１の断面図が示されている。
【0009】
図１に示されるように、配線基板１は、第１面１０Ｆおよび第１面１０Ｆの反対面である第２面１０Ｂを有するコア基板１０を有している。コア基板１０は、コア絶縁層２と、コア絶縁層２におけるその厚さ方向において対向する２つの主面（第１面１０Ｆ側の第１面２Ｆおよび第２面１０Ｂ側の第２面２Ｂ）それぞれに形成されている２つの導体層（第１導体層１１および第２導体層１２）と、を含んでいる。第１導体層１１上および第１導体層１１の導体パターンから露出する第１面２Ｆ上に第１絶縁層２１が形成され、第１絶縁層２１上には第３導体層１３が形成されている。第３導体層１３および第３導体層１３の導体パターンから露出する第１絶縁層２１の上面によって、コア基板１０の第１面１０Ｆが構成されている。第２導体層１２上および第２導体層１２の導体パターンから露出する第２面２Ｂ上に第２絶縁層２２が形成され、第２絶縁層２２上には第４導体層１４が形成されている。第４導体層１４および第４導体層１４の導体パターンから露出する第２絶縁層２２の上面によって、コア基板１０の第２面１０Ｂが構成されている。コア絶縁層２は、コア絶縁層２を厚さ方向に貫通し、第１導体層１１と第２導体層１２とを接続するスルーホール導体３を含んでいる。
【0010】
コア基板１０の第１面１０Ｆ上および第２面１０Ｂ上には、それぞれ、絶縁層および導体層が交互に積層されて構成されているビルドアップ部（それぞれ、第１ビルドアップ部１０１および第２ビルドアップ部１０２）が形成されている。配線基板１では、コア基板１０の第１面１０Ｆの上には、第１面１０Ｆ側から順に、第３絶縁層２３、第５導体層１５、第５絶縁層２５、第７導体層１７が順に積層されている。一方、コア基板１０の第２面１０Ｂの上には、第２面１０Ｂ側から順に、第４絶縁層２４、第６導体層１６、第６絶縁層２６、第８導体層１８が順に積層されている。
【0011】
図１に示されている配線基板１は、コア基板１０と第１ビルドアップ部１０１と第２ビルドアップ部１０２とで構成されている。第５絶縁層２５および第７導体層１７で構成される表面が、配線基板１の第１面１Ｆを形成している。また、第６絶縁層２６および第８導体層１８で構成される表面が、配線基板１の第２面１Ｂを形成している。
【0012】
なお、実施形態の説明では、配線基板１の厚さ方向においてコア絶縁層２から遠い側は「上側」若しくは「外側」、「上方」、または単に「上」とも称され、コア絶縁層２に近い側は「下側」若しくは「内側」、「下方」、または単に「下」とも称される。さらに、各導体層および各層間絶縁層において、コア絶縁層２と反対側を向く表面は「上面」とも称され、コア絶縁層２側を向く表面は「下面」とも称される。
【0013】
スルーホール導体３は、コア絶縁層２の貫通孔２ａ内に、貫通孔２aの内部を完全に埋めずに貫通孔２ａの内壁上で所定の厚さを有するように形成されている。すなわち、スルーホール導体３は、スルーホール導体３をコア絶縁層２の厚さ方向に貫く空洞３ａを有しており、全体として貫通孔２ａの内壁に沿う筒状の形体を有している。スルーホール導体３は例えば、金属膜体で構成され得る。
【0014】
空洞３ａは、好ましくは樹脂４によって略完全に埋められている。樹脂４は、空洞３ａを満たし得るものであれば特に限定されない。樹脂４は非導電性であっても導電性であってもよい。樹脂４は、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、若しくはフェノール樹脂などの絶縁性樹脂、または、銀粒子などの導電性粒子とエポキシ樹脂などとを含む導電性ペースト若しくは導電性インクであり得る。樹脂４として、コア絶縁層２が有する熱膨張率と近い熱膨張率を有する樹脂などが選択されてもよい。コア絶縁層２内に生じる熱応力が軽減され得る場合がある。
【0015】
コア絶縁層２および絶縁層２１～２６は、任意の絶縁性樹脂によって形成される。絶縁性樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）またはフェノール樹脂などの熱硬化性樹脂が例示される。各絶縁層は、さらに、シリカ（ＳｉＯ2）、アルミナ、またはムライトなどの微粒子からなる無機フィラー（図示せず）および／またはガラス繊維やアラミド繊維などで形成される補強材（芯材）を含んでいてもよい。図１の例では、コア絶縁層２は、芯材（補強材）２ｄを含んでいる。他の絶縁層２１～２６は芯材を含まない。
【0016】
各絶縁層２１～２６には、各絶縁層を貫通するビア導体８が形成されている。ビア導体８は、各絶縁層を介して厚さ方向に隣接する導体層同士を接続する接続導体である。
【0017】
コア基板１０を構成する、第１導体層１１は、スルーホール導体３と一体的に形成される第１ランド部３１Ｌを有している。第１ランド部３１Ｌは、第１絶縁層２１を貫通する第１ビア導体８１を介して第３導体層１３と接続されている。コア基板１０を構成する、第２導体層１２は、スルーホール導体３と一体的に形成される第２ランド部３２Ｌを有している。第２ランド部３２Ｌは、第２絶縁層２２を貫通する第２ビア導体８２を介して第４導体層１４と接続されている。
【0018】
図１の例では、第１ビルドアップ部１０１上に、ソルダーレジスト層６１が形成されている。第２ビルドアップ部１０２上には、ソルダーレジスト層６２が形成されている。ソルダーレジスト層６１には開口６１ａが形成され、開口６１ａからは、第１ビルドアップ部１０１における最も外側の第７導体層１７が有する導体パッド１７ｐが露出している。ソルダーレジスト層６２には開口６２ａが形成され、開口６２ａからは第２ビルドアップ部１０２における最も外側の第８導体層１８が有する導体パッド１８ｐが露出している。ソルダーレジスト層６１、６２は、例えば、感光性のエポキシ樹脂またはポリイミド樹脂などを用いて形成されている。
【0019】
導体パッド１７ｐは、例えば、配線基板１の使用時において配線基板１に実装される部品（図示せず）を載置し得るように形成され得る。すなわち、導体パッド１７ｐは外部の部品が配線基板１に搭載される際の接続部として使用される部品実装パッドであり得、配線基板１の第１面１Ｆは部品実装面であり得る。
【0020】
配線基板１の第２面１Ｂは、外部の配線基板、例えば任意の電気機器のマザーボードなどの外部要素に配線基板１自体が実装される場合に、外部要素に接続される接続面であり得る。また、第２面１Ｂは、第１面１Ｆと同様に、半導体集積回路装置のような電子部品が実装される部品実装面であってもよい。第２面１Ｂを構成する導体パッド１８ｐは、これらに限定されない任意の基板、電気部品、または機構部品などと接続され得る。
【0021】
導体パッド１７ｐ、１８ｐの露出面には、保護膜（図示せず）が形成されていてもよい。例えば、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、またはＳｎなどからなる保護膜がめっき法により形成され得る。有機材の吹き付けによりＯＳＰ膜が形成されてもよい。
【0022】
導体層１１～１８、第１ビア導体８１および第２ビア導体８２を含むビア導体８、ならびに、スルーホール導体３は、銅またはニッケルなどの任意の金属を用いて形成され得る。導体層１１～１８、ビア導体８およびスルーホール導体３は、図１では、見易さのために簡略化して単層構造で示されているが、２層以上の多層構造を有し得る。
【0023】
図１の例では、スルーホール導体３は、第１めっき膜２ｅにより、貫通孔２ａの内壁上に、内壁を覆うように形成されている。すなわち、第１めっき膜２ｅは、コア絶縁層２の厚さ方向を軸方向として有する筒状の形状で形成されている。第１めっき膜２ｅは、例えば、貫通孔２ａの内壁上に形成されている無電解めっき膜２ｅ１と、無電解めっき膜を給電層として用いて、貫通孔２ａにおいて無電解めっき膜の内側に無電解めっき膜を覆うように形成される電解めっき膜２ｅ２とで形成され得る（図３Ｂ参照）。しかし、スルーホール導体３は、１以上の任意の数の層数のめっき膜で形成され得る。なお、上述のように、図１では、第１めっき膜２ｅは、金属膜体として単層で示されている。
【0024】
第１導体層１１および第２導体層１２はそれぞれ、コア絶縁層２の第１面２Ｆ上および第２面２Ｂ上それぞれに積層された例えば銅箔である金属箔２ｃ、金属箔２ｃ上の第１めっき膜２ｅ、および第１めっき膜２ｅ上の第２めっき膜２ｆを含んでいる。第２めっき膜２ｆは、第１めっき膜２ｅと同様に、無電解めっき膜と、無電解めっき膜を給電層として用いる電解めっきによって無電解めっき膜上に形成される電解めっき膜とで形成され得る。したがって、第１導体層１１および第２導体層１２は、金属箔２ｃ、無電解めっき膜である金属膜層２ｅ１、電解めっき膜層２ｅ２、無電解めっき膜である金属膜層２ｆ１、電解めっき膜層２ｆ２を含む５層構造を有している（図３Ｄ参照）。
【0025】
金属箔２ｃは、任意の金属で形成され得、例えば銅箔やニッケル箔などの箔体である。金属箔２ｃは、例えば、熱圧着によってコア絶縁層２に接合されている銅箔である。第１めっき膜２ｅおよび第２めっき膜２ｆは、例えば銅またはニッケルなどの任意の金属を用いて形成される。第１めっき膜２ｅおよび第２めっき膜２ｆは、無電解めっき膜の代わりに、スパッタリングによって形成されるスパッタリング膜などの金属膜を含んでいてもよい。
【0026】
第３導体層１３、第４導体層１４、第５導体層１５、第６導体層１６、第７導体層１７および第８導体層１８、ならびにビア導体８それぞれは、例えば無電解めっきまたはスパッタリングなどによって形成される金属膜と、金属膜を給電層として用いる電解めっきによって金属膜上に形成されるめっき膜とを含む２層構造を有している。
【0027】
ビア導体８は、上側の導体層と一体的に形成されている。例えば、第１ビア導体８１は第３導体層１３と一体的に形成されている。第２ビア導体８２は、第４導体層１４と一体的に形成されている。
【0028】
各導体層１１～１８は、それぞれ、任意の導体パターンを含み得る。上述のように、コア絶縁層２上に形成されている第１導体層１１および第２導体層１２は、スルーホール導体３と一体的に形成されるランド部（それぞれ、第１ランド部３１Ｌおよび第２ランド部３２Ｌ）を含んでいる。図１に示されているように、コア基板１０の第１面１０Ｆを構成する、コア基板１０の最外の導体層である第３導体層１３は、第１ビア導体８１を介して第１ランド部３１Ｌと接続されている導体パターン１３ｗ、微細配線ＦＷ、微細配線ＦＷと隣り合うプレーン部（第３プレーン部）３Ｐを有している。コア基板１０の第２面１０Ｂを構成する、コア基板１０の他方の最外の導体層である第４導体層１４は、第２ビア導体８２を介して第２ランド部３２Ｌと接続されている導体パターン１４ｗ、微細配線ＦＷ、微細配線ＦＷと隣り合うプレーン部（第４プレーン部）４Ｐを有している。
【0029】
なおここで、プレーン部とは、コア基板１０の厚さ方向に対して直交する平面方向において所定の領域に亘って延在する所謂ベタパターンを意味し得る。
【0030】
上述のように、コア絶縁層２の第１面２Ｆ上および第２面２Ｂ上に形成されている第１導体層１１および第２導体層１２は、５層構造を有し得る。一方、コア基板１０の最外層を構成している第３導体層１３および第４導体層１４は、２層構造を有し得る。したがって、第３導体層１３および第４導体層１４には、第１導体層１１および第２導体層１２に形成することのできる導体パターンよりも微細な配線パターンである微細配線ＦＷが形成され得る。実施形態において「微細配線」は、その線幅および最も近接する配線同士の配線間距離が、実施形態の配線基板において最も小さい配線パターンである。
【0031】
例えば、微細配線ＦＷにおいては、微細配線の線幅は、８μｍ以上、３０μｍ以下、配線間は、１０μｍ以上、３０μｍ以下である。微細配線ＦＷのアスペクト比は、第３導体層１３および第４導体層１４に含まれる他の配線および／または他の導体層に含まれる配線のアスペクト比よりも大きく形成され得る。例えば、微細配線ＦＷのアスペクト比は、２．０以上、かつ、６．０以下とされ得る。一方、例えば第３導体層１３および第４導体層１４に含まれる他の配線および／または他の導体層に含まれる配線のアスペクト比は、例えば、１．０以上、かつ、２．０以下であり得る。
【0032】
微細配線ＦＷは信号伝送用の配線であり得、その信号は高周波信号であってもよい。コア基板１０の最外の導体層にこのような信号伝送用などの配線を形成しなければならない場合に、配線をコア絶縁層２の表面に形成される導体層（第１導体層１１および第２導体層１２）に形成せずに、コア絶縁層２上に形成された絶縁層（第１絶縁層２１および第２絶縁層２２）の表面に形成される導体層（第３導体層１３および第４導体層１４）に形成することにより、より微細な配線を形成することができる。
【0033】
図１に示されている例では、第１導体層１１は、第１ランド部３１Ｌに加えて、第１プレーン部１Ｐを有している。第１プレーン部１Ｐは、第３導体層１３の第３プレーン部３Ｐの直下の領域に、すなわち、第３プレーン３Ｐと平面視において略一致する位置に、第３プレーン部３Ｐと略同じ大きさで形成されている。なお「平面視」は、実施形態の配線基板をその厚さ方向に沿う視線で見ることを意味している。また、図１の例では、第２導体層１２は、第２ランド部３２Ｌに加えて、第２プレーン部２Ｐを有している。第２プレーン部２Ｐは、第４導体層１４の第４プレーン部４Ｐの直下の領域に、すなわち、第４プレーン４Ｐと平面視において略一致する位置に、第４プレーン部４Ｐと略同じ大きさで形成されている。好ましくは、第１導体層１１は、第１ランド部３１Ｌおよび第１プレーン部１Ｐ以外の導体パターンを含まない。好ましくは、第２導体層１２は、第２ランド部３２Ｌおよび第２プレーン部２Ｐ以外の導体パターンを含まない。
【0034】
コア絶縁層２の表面上に形成されている第１導体層１１が、第１プレーン部１Ｐを有し、コア絶縁層２の反対の表面上に形成されている第２導体層１２が、第２プレーン部２Ｐを有するこの構成により、コア基板１０の反りが抑制され得ると考えられる。また、配線基板１の製造過程で生じ得る伸縮や歪みなどの変形のばらつきが小さくなると考えられる。
【0035】
平面視で重なり合う第１プレーン部１Ｐと第３プレーン部３Ｐとは、第３ビア導体８３によって接続されている。平面視で重なり合う第２プレーン部２Ｐと第４プレーン部４Ｐとは、第４ビア導体８４によって接続されている。ビア導体によって接続されることで、第１プレーン部Ｐ１と第３プレーン部Ｐ３、および、第２プレーン部Ｐ２と第４プレーン部Ｐ４はそれぞれ、２層にわたるプレーン部とされている。これらがグランドや電源に用いられる場合、グランドレベルや電源レベルが変動し難いと考えられる。
【0036】
図１に示されている例では、第３導体層１３において、第３導体層１３の微細配線ＦＷは、その延長方向と直交する方向において、第１ビア導体８１を介して第１ランド部３１Ｌと接続されている導体パターン１３ｗと、第３プレーン部３Ｐとに挟まれている。また、第４導体層１４において、第４導体層１４の微細配線ＦＷは、その延長方向と直交する方向において、第２ビア導体８２を介して第２ランド部３２Ｌと接続されている導体パターン１４ｗと、第４プレーン部４Ｐとに挟まれている。ノイズの少ない伝送が可能な、信号線が外層に配置されているコア基板が提供され得ると考えられる。
【0037】
実施形態の配線基板は、図２に示される配線基板１００のように、微細配線ＦＷがプレーン部に取り囲まれる構成を有していてもよい。配線基板１００では、第３導体層１３の微細配線ＦＷの直上の領域に、第３絶縁層２３を介して、第５導体層１５に含まれるプレーン部（第５プレーン部）５Ｐが形成されている。図２の例では、第５プレーン部５Ｐは、第１ビア導体８１を介して第１ランド部３１Ｌと接続されている第３導体層１３の導体パターン１３ｗと接続されている。
【0038】
配線基板１００に含まれるコア基板１１０では、第１導体層１１に、第１ランド部３１Ｌと第１プレーン部１Ｐとを連結する連結プレーン部Ｐが形成されている。すなわち、コア基板１１０の第１導体層１１は、第１ランド部３１Ｌと一体化したより面積の大きいプレーン部を含んでいる。第３導体層１３の微細配線ＦＷの直下の領域には、第１ランド部３１Ｌと一体化したプレーン部が配置されている。第３プレーン部３Ｐは、第３ビア導体８３を介して第１ランド部３１Ｌと接続されている。すなわち、配線基板１００では、第３導体層１３の微細配線ＦＷは、その延長方向と直交する方向で、共に第１ランド部３１Ｌと接続されている導体パターン１３ｗと第３プレーン部３Ｐとに挟まれている。かつ、第３導体層１３の微細配線ＦＷは、その直上および直下を、すなわち配線基板１００の厚さ方向において、共に第１ランド部３１Ｌと接続されているプレーン部１ＰおよびＰならびにプレーン部５Ｐにより挟まれている。微細配線ＦＷによって伝送される信号の特性がより安定すると考えられる。優れた信号伝送品質が得られると考えられる。
【0039】
なお、配線基板１００では、コア絶縁層２の第２面２Ｂ側においても、第４導体層１４に含まれる微細配線ＦＷの直上の領域の第６導体層１６に、第６プレーン部６Ｐが形成されている。第６プレーン部６Ｐは、第２ビア導体８２を介して第２ランド部３２Ｌと接続されている第４導体層１４の導体パターン１４ｗと接続されている。微細配線ＦＷの直下の領域の第２導体層１２には、第２ランド部３２Ｌと第２プレーン部２Ｐとを連結する連結プレーン部Ｐが形成されている。第４プレーン部４Ｐは、第４ビア導体８４を介して第２ランド部３２Ｌと接続されている。第４導体層１４の微細配線ＦＷは、その延長方向と直交する方向で、共に第２ランド部３２Ｌと接続されている導体パターン１４ｗと第４プレーン部４Ｐとに挟まれている。かつ、第４導体層１４の微細配線ＦＷは、その直上および直下を、すなわち配線基板１００の厚さ方向において、共に第２ランド部３２Ｌと接続されているプレーン部２ＰおよびＰならびにプレーン部６Ｐにより挟まれている。
【0040】
図３Ａ～図３Ｉを参照して、図１に示される配線基板１が製造される場合を例に、製造方法が説明される。なお、以下に説明される製造方法において形成される各構成要素は、特に異なる記載が無い限り、図１の配線基板１の説明において対応する構成要素の材料として例示された材料を用いて形成され得る。
【0041】
先ず、コア絶縁層２とコア絶縁層２の両面に積層されている金属箔２ｃとを備える基板（出発基板）が用意される。コア絶縁層２は、例えばエポキシ樹脂、ＢＴ樹脂、またはフェノール樹脂などの任意の絶縁性樹脂によって形成されている。図３Ａに示されるように、コア絶縁層２は芯材２ｄを含んでいる。しかし、コア絶縁層２は芯材２ｄを含んでいなくてもよい。金属箔２ｃは、例えば銅やニッケルなどの任意の金属から形成されている。金属箔２ｃは、例えば熱圧着などの任意の方法でコア絶縁層２の両面それぞれに接合されている。例えば、出発基板として、両面銅張積層板が用意されてもよい。なお、以下の図３Ｂ～図３Ｄでは、図３Ａにおいて一点鎖線で囲われている領域Ｂを拡大した拡大図が示されている。
【0042】
次いで、図３Ｂに示されるように、コア絶縁層２および金属箔２ｃを貫く貫通孔２ａが形成される。貫通孔２ａは、例えば、炭酸ガスレーザー光などのレーザー光を、コア絶縁層２の第１面２Ｆ側および／または第２面２Ｂ側から照射することによって形成され得る。貫通孔２ａはまた、ドリル加工によって形成されてもよい。貫通孔２ａは任意の形成方法を用いて形成されてよい。
【0043】
次いで、金属箔２ｃにおけるコア絶縁層２と反対側の表面の全面および貫通孔２ａを向いて露出する端面、ならびに貫通孔２ａの内壁に、第１めっき膜２ｅが形成される。第１めっき膜２ｅは、例えば、無電解めっき膜２ｅ１と電解めっき膜２ｅ２とで形成される。無電解めっきによって銅またはニッケルなどの任意の金属からなる無電解めっき膜２ｅ１が形成された後、この無電解めっき膜２ｅ１を給電層として用いる電解めっきによって、無電解めっき膜２ｅ１上に電解めっき膜２ｅ２が形成される。無電解めっき膜の代わりに、スパッタリングによって形成されるスパッタリング膜などの金属膜が形成されてもよい。第１めっき膜２ｅは、単層のめっき膜で形成されていてもよい。所望の厚さを有する第１めっき膜２ｅが形成される。
【0044】
金属箔２ｃの貫通孔２ａに露出している端面上および貫通孔２ａの内壁上への第１めっき膜２ｅの形成により、貫通孔２ａ内に、第１めっき膜２ｅによって構成されていて空洞３ａを中央部に有するスルーホール導体３が形成される。コア絶縁層２の第１面２Ｆおよび第２面２Ｂ上には、それぞれ、金属箔２ｃおよび第１めっき膜２ｅが順に積層される。
【0045】
次いで、図３Ｃに示されるように、樹脂４が空洞３ａ内へ充填され、固化される。固化された樹脂４の端面は、必要に応じて、化学機械研磨などの任意の方法で研磨される。この研磨によって、樹脂４の端面と第１めっき膜２ｅの表面とが、好ましくは略面一にされる。
【0046】
次いで、図３Ｄに示されるように、コア絶縁層２の第１面２Ｆ側および第２面２Ｂ側の表面全面に第２めっき膜２ｆが形成される。第２めっき膜２ｆは、第１めっき膜２ｅと同様に、無電解めっき膜２ｆ１と電解めっき膜２ｆ２とで形成され得る。例えば、コア絶縁層２の第１面２Ｆ側および第２面２Ｂ側の表面全面に無電解めっき膜２ｆ１が形成され、この無電解めっき膜２ｆ１を給電層として用いて無電解めっき膜２ｆ１上に電解めっき膜２ｆ２が形成されて、これら２層で第２めっき膜２ｆが構成され得る。この結果、金属箔２ｃと第１めっき膜２ｅと第２めっき膜２ｆとから構成される第１導体層１１および第２導体層１２が、コア絶縁層２の第１面２Ｆ側および第２面２Ｂ側それぞれに形成される。
【0047】
次いで、図３Ｅに示されるように、サブトラクティブ法によって第１導体層１１および第２導体層１２がパターニングされる。第１導体層１１は、第１ランド部３１Ｌおよび第１プレーン部１Ｐを含むパターンに形成される。第２導体層１２は、第２ランド部３２Ｌおよび第２プレーン部２Ｐを含むパターンに形成される。
【0048】
次いで、図３Ｆに示されるように、コア絶縁層２の第１面２Ｆ側に第１絶縁層２１が形成され、コア絶縁層２の第２面２Ｂ側に第２絶縁層２２が形成される。例えば、コア絶縁層２の第１面２Ｆおよび第１導体層１１の上、ならびに、コア絶縁層２の第２面２Ｂおよび第２導体層１２の上に、例えばフィルム状のエポキシ樹脂が積層され、加熱および加圧される。第１絶縁層２１および第２絶縁層２２には、これら絶縁層においてビア導体が形成されるべき位置に、すなわち、各ランド部３１Ｌ、３２Ｌの上および各プレーン部１Ｐ、２Ｐの上に、ビア導体を形成するための貫通孔２１ａ、２１ｂおよび貫通孔２２ａ、２２ｂがそれぞれ、例えば炭酸ガスレーザー光の照射などによって形成される。
【0049】
次いで、図３Ｇに示されるように、第３導体層１３および第４導体層１４が形成される。第３導体層１３および第４導体層１４は、それぞれ、例えばセミアディティブ法によって形成される。すなわち、第１絶縁層２１および第２絶縁層２２の表面、および貫通孔２１ａ、２１ｂ、２２ａ、２２ｂ内に無電解めっきやスパッタリングによって金属膜が形成される。その金属膜を給電層として用いる電解めっきを含むパターンめっきによってめっき膜が形成される。その後、金属膜の不要部分が例えばエッチングなどで除去される。その結果、所定の導体パターンを含む、第３導体層１３および第４導体層１４が形成される。貫通孔２１ａ内には第１ビア導体８１が形成され、貫通孔２１ｂ内には第３ビア導体８３が形成される。また、貫通孔２２ａ内には第２ビア導体８２が形成され、貫通孔２２ｂ内には第４ビア導体８４が形成される。実施形態の配線基板１では、第３導体層１３は、微細配線ＦＷおよび第３プレーン部３Ｐを含むようにパターン形成されている。第４導体層１４は、微細配線ＦＷおよび第４プレーン部４Ｐを含むようにパターン形成されている。第１面１０Ｆおよび第１面１０Ｆの反対面である第２面１０Ｂを有するコア基板１０の形成が完了する。
【0050】
次いで、図３Ｈに示されるように、コア基板１０の第１面１０Ｆ上に第１ビルドアップ部１０１が形成されると共に、第２面１０Ｂ上に第２ビルドアップ部１０２が形成される。図３Ｆおよび３Ｇを参照して説明された方法と同様の方法が繰り返されることで、コア基板１０の第１面１０Ｆの上側に絶縁層（第３絶縁層２３、第５絶縁層２５）および導体層（第５導体層１５、第７導体層１７）が形成され、コア基板１０の第２面１０Ｂの上側に絶縁層（第４絶縁層２４、第６絶縁層２６）および導体層（第６導体層１６、第８導体層１８）が形成される。第１ビルドアップ部１０１および第２ビルドアップ部１０２の形成が完了する。
【0051】
次いで、図３Ｉに示されるように、第１ビルドアップ部１０１上にソルダーレジスト層６１が形成され、第２ビルドアップ部１０２上にソルダーレジスト層６２が形成される。ソルダーレジスト層６１、６２は、例えば、感光性のエポキシ樹脂またはポリイミド樹脂などを含む樹脂層の形成と、適切な開口パターンを有するマスクを用いた露光および現像とによって形成される。ソルダーレジスト層６１、６２は、導体パッド１７ｐ、１８ｐを露出する開口６１ａ、６２ａを有するように形成される。以上の工程を経ることによって図１の例の配線基板１が完成する。
【0052】
実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、ならびに、本明細書において例示される構造、形状、および材料を備えるものに限定されない。例えば、配線基板は、コア基板の両面側において、すなわち第１ビルドアップ部１０１および第２ビルドアップ部１０２内に任意の層数の絶縁層および導体層を有し得る。第１ビルドアップ部１０１および第２ビルドアップ部１０２が、互いに異なる層数の絶縁層および導体層を有してもよい。
【符号の説明】
【0053】
１、１００ 配線基板
２ コア絶縁層
２Ｆ コア絶縁層の第１面
２Ｂ コア絶縁層の第２面
２ａ コア絶縁層の貫通孔
２ｃ 金属箔
２ｅ 第１めっき膜
２ｆ 第２めっき膜
３ スルーホール導体
３ａ 空洞
４ 樹脂
８ ビア導体
８１ 第１ビア導体
８２ 第２ビア導体
８３ 第３ビア導体
８４ 第４ビア導体
１０、１１０ コア基板
１０Ｆ コア基板の第１面
１０Ｂ コア基板の第２面
１１ 導体層（第１導体層）
１２ 導体層（第２導体層）
１３ 導体層（第３導体層）
１４ 導体層（第４導体層）
１５ 導体層（第５導体層）
１６ 導体層（第６導体層）
１７ 導体層（第７導体層）
１８ 導体層（第８導体層）
２１ 絶縁層（第１絶縁層）
２２ 絶縁層（第２絶縁層）
２３ 絶縁層（第３絶縁層）
２４ 絶縁層（第４絶縁層）
２５ 絶縁層（第５絶縁層）
２６ 絶縁層（第６絶縁層）
３１Ｌ ランド部（第１ランド部）
３２Ｌ ランド部（第２ランド部）
１Ｐ 第１プレーン部
２Ｐ 第２プレーン部
３Ｐ 第３プレーン部
４Ｐ 第４プレーン部
ＦＷ 微細配線
２ コア絶縁層
２Ｆ コア絶縁層の第１面
２Ｂ コア絶縁層の第２面
２ａ コア絶縁層の貫通孔
２ｃ 金属箔
２ｅ 第１めっき膜
２ｆ 第２めっき膜
３ スルーホール導体
３ａ 空洞
４ 樹脂
８ ビア導体
８１ 第１ビア導体
８２ 第２ビア導体
８３ 第３ビア導体
８４ 第４ビア導体
１０、１１０ コア基板
１０Ｆ コア基板の第１面
１０Ｂ コア基板の第２面
１１ 導体層（第１導体層）
１２ 導体層（第２導体層）
１３ 導体層（第３導体層）
１４ 導体層（第４導体層）
１５ 導体層（第５導体層）
１６ 導体層（第６導体層）
１７ 導体層（第７導体層）
１８ 導体層（第８導体層）
２１ 絶縁層（第１絶縁層）
２２ 絶縁層（第２絶縁層）
２３ 絶縁層（第３絶縁層）
２４ 絶縁層（第４絶縁層）
２５ 絶縁層（第５絶縁層）
２６ 絶縁層（第６絶縁層）
３１Ｌ ランド部（第１ランド部）
３２Ｌ ランド部（第２ランド部）
１Ｐ 第１プレーン部
２Ｐ 第２プレーン部
３Ｐ 第３プレーン部
４Ｐ 第４プレーン部
ＦＷ 微細配線
【図1】
【図2】
【図3A】
【図3B】
【図3C】
【図3D】
【図3E】
【図3F】
【図3G】
【図3H】
【図3I】