特開 2023-114299 チップ抵抗器

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023114299

(43)【公開日】2023-08-17

(54)【発明の名称】チップ抵抗器

(51)【国際特許分類】

   H01C 7/00 20060101AFI20230809BHJP

   H01C 1/032 20060101ALI20230809BHJP

【ＦＩ】

H01C7/00 110

H01C1/032

【審査請求】未請求

【請求項の数】5

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022016590

(22)【出願日】2022-02-04

(71)【出願人】

【識別番号】000105350

【氏名又は名称】ＫＯＡ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110000442

【氏名又は名称】弁理士法人武和国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】木村 太郎

【テーマコード（参考）】

5E028

5E033

【Ｆターム（参考）】

5E028BA04

5E028BB01

5E028CA02

5E028EA01

5E028EB02

5E028JC02

5E028JC03

5E028JC04

5E028JC12

5E033AA27

5E033BA03

5E033BC01

5E033BD03

5E033BE02

5E033BH02

(57)【要約】

【課題】低抵抗においても高電力化を図りつつ低ＴＣＲを確保できるチップ抵抗器を提供する。
【解決手段】本発明のチップ抵抗器１は、絶縁基板２と、絶縁基板２の表面両端部に設けられた一対の表電極３と、両表電極３間を接続する抵抗体５と、抵抗体５上に設けられたガラス体６と、ガラス体６を通して抵抗体５に形成された抵抗値調整用のトリミング溝５ａと、一対の表電極３よりも内側の領域でトリミング溝５ａを覆うように形成された第１保護膜７と、第１保護膜７を覆うように形成された第２保護膜８と、絶縁基板２の両端面に延在して表電極３に接続する一対の端面電極９と、端面電極９を覆う一対の外部めっき層１０とを備え、第１保護膜７が放熱性フィラーを含有する樹脂材料からなると共に、第２保護膜８が樹脂材料からなる。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

直方体形状の絶縁基板と、
前記絶縁基板の主面両端部に所定間隔を存して形成された一対の電極と、
一対の前記電極に両端部を重ねるように形成された抵抗体と、
前記抵抗体上に形成されたガラス体と、
前記ガラス体を通して前記抵抗体に形成された抵抗値調整用のトリミング溝と、
一対の前記電極よりも内側の領域で前記トリミング溝を覆うように形成された第１保護膜と、
前記第１保護膜を覆うように形成された第２保護膜と、
前記絶縁基板の両端面に延在して前記電極に接続するように形成された一対の端面電極と、
前記端面電極を覆うように形成された一対の外部めっき層と、
を備え、
前記第１保護膜が放熱性フィラーを含有する樹脂材料からなると共に、前記第２保護膜が樹脂材料からなる、ことを特徴とするチップ抵抗器。

【請求項2】

前記第２保護膜は一対の前記電極よりも内側の領域に形成されている、ことを特徴とする請求項１に記載のチップ抵抗器。

【請求項3】

前記電極上に補助電極が形成されており、前記第１保護膜と前記外部めっき層が前記補助電極を介して接続されている、ことを特徴とする請求項１または２に記載のチップ抵抗器。

【請求項4】

前記電極上に補助電極が形成されていると共に、前記補助電極を覆う前記外部めっき層の上面と前記第２保護膜の上面とが略同一平面上で連続している、ことを特徴とする請求項２に記載のチップ抵抗器。

【請求項5】

前記補助電極は導電粒子を含有する樹脂材料からなる、ことを特徴とする請求項２～５のいずれか１項に記載のチップ抵抗器。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、回路基板のランドに半田接合される面実装タイプのチップ抵抗器に関するものである。

【背景技術】

【0002】

一般的にチップ抵抗器は、直方体形状の絶縁基板と、絶縁基板の表面に所定間隔を存して対向配置された一対の表電極と、絶縁基板の裏面に所定間隔を存して対向配置された一対の裏電極と、表電極と裏電極を導通する一対の端面電極と、これら各電極を覆う一対の外部めっき層と、対をなす表電極どうしを橋絡する抵抗体と、抵抗体を覆う絶縁性の保護膜等によって主に構成されている。

【0003】

この種のチップ抵抗器において、通常、抵抗体には抵抗値を調整するためのトリミング溝が形成されており、保護膜は、トリミング溝を含めた抵抗体を完全に覆う第１保護膜と、第１保護膜を完全に覆う第２保護膜とで構成されている。しかし、このように構成されたチップ抵抗器においては、保護膜の熱伝導率が低いため、電力負荷の大きな使用に対応しようとすると、抵抗体の発熱が大きくなり、抵抗体の発熱部を起点に破壊が発生してしまい、結果的にチップ抵抗器全体の破壊に繋がることが懸念される。

【0004】

そこで従来より、高電力に対応可能なチップ抵抗器を提供するために、第１保護膜をアルミナ等の高熱伝導性絶縁体粒子と樹脂で形成すると共に、第２保護膜を樹脂で形成し、この第１保護膜の幅を抵抗体の幅より狭く且つ第２保護膜の幅を抵抗体の幅よりも広くしたチップ抵抗器が提案されている（特許文献１参照）。

【0005】

上記特許文献１に記載されたチップ抵抗器は、熱伝導率の高い第１保護膜で抵抗体を覆い、この第１保護膜が一対の表電極と接するように構成されているため、抵抗体で発生した熱が第１保護膜から一対の表電極を介して外部めっき層により放熱させることができ、しかも、第１保護膜の幅が抵抗体の幅より狭く設定されているため、絶縁基板上における第２保護膜を形成可能なスペースが広がって、抵抗体を第２保護膜で確実に保護することができる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【特許文献1】特開２０１９－１４０２９９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

ところで一般的なチップ抵抗器において、表電極には比抵抗の低いＡｇ（銀）系の金属が用いられている。Ａｇ系の金属はＴＣＲの高い材料であるが、表電極上にＮｉ（ニッケル）やＳｎ（錫）等からなる外部めっき層を形成することで抵抗値成分が低下するため、チップ抵抗器全体に対する表電極の抵抗値成分が小さくなり、ＴＣＲを低くすることができる。ただし、低抵抗（例えば、１Ω未満）のチップ抵抗器の場合、表電極における外部めっき層の形成領域が狭くなると、表電極によるＴＣＲの影響が大きくなってしまうため、低抵抗のチップ抵抗器ほどＴＣＲを低くすることが困難となる。

【0008】

ここで、特許文献１に記載されたチップ抵抗器は、第１保護膜を抵抗体の表電極に重なる接続部を覆って表電極と接触させ、このような第１保護膜を第２保護膜で完全に覆う構成となっているため、第１保護膜の外形が印刷ダレに起因して外側に広がることを考慮して、第２保護膜を第１保護膜よりも十分に大きく形成する必要がある。その結果、表電極における外部めっき層の形成領域が狭くなってしまうため、低抵抗のチップ抵抗器の場合、ＴＣＲが増加してしまうという問題が発生する。

【0009】

本発明は、上記した従来技術の実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、低抵抗においても高電力化を図りつつ低ＴＣＲを確保できるチップ抵抗器を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0010】

上記の目的を達成するために、本発明のチップ抵抗器は、直方体形状の絶縁基板と、前記絶縁基板の主面両端部に所定間隔を存して形成された一対の電極と、一対の前記電極に両端部を重ねるように形成された抵抗体と、前記抵抗体上に形成されたガラス体と、前記ガラス体を通して前記抵抗体に形成された抵抗値調整用のトリミング溝と、一対の前記電極よりも内側の領域で前記トリミング溝を覆うように形成された第１保護膜と、前記第１保護膜を覆うように形成された第２保護膜と、前記絶縁基板の両端面に延在して前記電極に接続するように形成された一対の端面電極と、前記端面電極を覆うように形成された一対の外部めっき層と、を備え、前記第１保護膜が放熱性フィラーを含有する樹脂材料からなると共に、前記第２保護膜が樹脂材料からなる、ことを特徴としている。

【0011】

このように構成されたチップ抵抗器では、抵抗体のトリミング溝近傍のホットスポットで発生した熱が熱伝導率の高い第１保護膜により放熱されるため、高電力化を図ることができる。また、電極と抵抗体の接続部に生じる段差によって第１保護膜の電極上への流出が防止されるため、必要最小限の大きさの第２保護膜で第１保護膜を覆うことが可能となる。その結果、電極における外部めっき層の形成領域を十分に確保することができるため、低抵抗のチップ抵抗器においてもＴＣＲの増大を防止することができる。

【0012】

上記構成のチップ抵抗器において、第２保護膜は電極と抵抗体の接続部を超えた領域まで延びるように形成されても良いが、第２保護膜が一対の電極よりも内側の領域に形成されていると、外部めっき層の形成範囲が広くなると共に、抵抗体のホットスポットから外部めっき層までの経路が短くなるため、抵抗体のホットスポットで発生した熱を実装基板へ効率良く放熱することができる。

【0013】

また、上記構成のチップ抵抗器において、電極上に補助電極が形成されており、この補助電極を介して第１保護膜と外部めっき層が接続されていると、第１保護膜から露出する抵抗体の両端部を補助電極で覆うことができるため、必ずしも第２保護膜を電極間よりも広い形状で形成する必要がなくなり、第２保護膜の形状の自由度が向上する。

【0014】

また、上記構成のチップ抵抗器において、電極上に補助電極が形成されていると共に、この補助電極を覆う外部めっき層の上面と第２保護膜の上面とが略同一平面上で連続していると、第２保護膜を電極間の内側領域に形成することに伴って実装時のノズルとの吸着面積が小さくなったとしても、外部めっき層と第２保護膜の高さが揃えられてフラットな上面が形成されるため、実装性を安定させることができる。

【0015】

また、上記構成のチップ抵抗器において、補助電極はスパッタにより形成された金属材料であっても良いが、補助電極が導電粒子を含有する樹脂材料からなると、第１保護膜と第２保護膜および補助電極を全て同じ印刷工程にて形成することができ、製造工程の簡素化が図れる。

【発明の効果】

【0016】

本発明によれば、低抵抗においても高電力化を図りつつ低ＴＣＲを確保できるチップ抵抗器を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0017】

【図1】第１の実施形態に係るチップ抵抗器の平面図である。

【図2】図１のII－II線に沿う断面図である。

【図3】該チップ抵抗器の製造工程を示すフローチャートである。

【図4】第２の実施形態に係るチップ抵抗器の平面図である。

【図5】図４のＶ－Ｖ線に沿う断面図である。

【図6】第３の実施形態に係るチップ抵抗器の平面図である。

【図7】図６のVII－VII線に沿う断面図である。

【図8】第４の実施形態に係るチップ抵抗器の平面図である。

【図9】図８のIX－IX線に沿う断面図である。

【図10】第５の実施形態に係るチップ抵抗器の平面図である。

【図11】図１０のXI－XI線に沿う断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0018】

以下、発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。

【0019】

図１は本発明の第１の実施形態に係るチップ抵抗器の平面図、図２は図１のII－II線に沿う断面図である。

【0020】

図１と図２に示すように、第１の実施形態に係るチップ抵抗器１は、直方体形状の絶縁基板２と、絶縁基板２の上面における長手方向の両端部に形成された一対の表電極３と、絶縁基板２の下面における長手方向の両端部に形成された一対の裏電極４と、一対の表電極３を接続する長方形状の抵抗体５と、抵抗体５上に形成されたガラス体６と、ガラス体６を覆うように抵抗体５上に形成された第１保護膜７と、第１保護膜７を完全に覆う第２保護膜８と、絶縁基板２の両端面に延在して表電極３と裏電極４間を導通する一対の端面電極９と、端面電極９の全体と端面電極９から露出する部分の表電極３と裏電極４を覆う一対の外部めっき層１０と、を備えて構成されている。

【0021】

絶縁基板２はセラミックス等からなる部品本体であり、この絶縁基板２はシート状の大判基板を縦横に延びる一次分割溝と二次分割溝に沿って分割することにより多数個取りされたものである。

【0022】

表電極３は、Ｐｄ（パラジウム）を１～５ｗｔ％含有するＡｇ（銀）系ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものである。また、裏電極４はＡｇペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものである。

【0023】

抵抗体５は、酸化ルテニウム等の抵抗ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものであり、この抵抗体５の長手方向の両端部は表電極３に重なって接続している。なお、図２において、抵抗体５の上面は両端の接続部を含めて全て同一高さになっているが、実際には、抵抗体５の両端部が表電極３に重なっているため、表電極３と抵抗体５の接続部に一段高くなった段差が生じている。また、抵抗体５には抵抗値を調整するためのトリミング溝５ａが形成されており、このトリミング溝５ａはガラス体６の上からレーザー光を照射することによって形成される。

【0024】

ガラス体６は、ガラスペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものである。ガラス体６はトリミング溝５ａを形成する前の抵抗体５上に形成され、少なくともトリミング溝５ａが形成される部位の抵抗体５を覆うように形成されている。本実施形態の場合、ガラス体６は一対の表電極３よりも内側に位置する抵抗体５の中央部分に形成されているが、ガラス体６が抵抗体５の全体を覆うように形成しても良い。

【0025】

第１保護膜７は、放熱性フィラーを含有するエポキシやフェノール等の樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化（焼付け）させたものであり、この第１保護膜７は表電極３と抵抗体５の接続部に生じる段差よりも内側の領域に形成されている。第１保護膜７は、ガラス体６の上から抵抗体５にトリミング溝５ａを形成した後に、ガラス体６の全体を覆うように形成されてトリミング溝５ａを覆っている。なお、放熱性フィラーは、高熱伝導率の高い絶縁体粒子であるアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）や窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ホウ素（ＢＮ）等である。

【0026】

第２保護膜８は、第１保護膜７はエポキシやフェノール等の樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化させたものである。第２保護膜８は抵抗体５と第１保護膜７を完全に覆う大きさに形成されており、第２保護膜８の両端部は表電極３と抵抗体５の接続部を超えて表電極３に接している。

【0027】

端面電極９はニッケル（Ｎｉ）／クロム（Ｃｒ）等をスパッタすることによって形成されたものであり、この端面電極９によって絶縁基板２の端面を介して離間する表電極３と裏電極４とが導通されている。端面電極９は、絶縁基板２の端面を覆うだけでなく、絶縁基板２の端面寄りに位置する表電極３の上面と裏電極４の下面を覆うように形成されている。

【0028】

外部めっき層１０は、内層側のバリア層１１と、該バリア層１１を覆う外層側の外部接続層１２との２層構造からなる。バリア層１１は電解めっきによって形成されたＮｉめっき層であり、このバリア層１１は、端面電極９の全体と端面電極９から露出する部分の表電極３と裏電極４を覆うように形成されている。外部接続層１２は電解めっきによって形成されたＳｎめっき層であり、この外部接続層１２はバリア層１１の表面全体を覆うように形成されている。

【0029】

次に、上記の如く構成されたチップ抵抗器１の製造方法について、図３に示すフローチャートを参照しながら説明する。

【0030】

まず、絶縁基板２が多数個取りされる大判基板を準備する。この大判基板には一次分割溝と二次分割溝が格子状に設けられており、両分割溝によって区切られたマス目の１つ１つが１個分のチップ領域となる。そして、図３に示すように、このような大判基板に対して以下に説明する各工程が一括して行われる。

【0031】

最初の工程では、大判基板の裏面にＡｇペーストをスクリーン印刷して乾燥することにより、各チップ形成領域の長手方向両端部に所定間隔を存して対向する一対の裏電極４を形成する（ステップＳ１）。

【0032】

次に、大判基板の表面にＡｇ－Ｐｄペーストをスクリーン印刷して乾燥することにより、各チップ形成領域の長手方向両端部に所定間隔を存して対向する一対の表電極３を形成する（ステップＳ２）。しかる後、表電極３と裏電極４を約８５０℃の高温で同時に焼成する。なお、これら表電極３と裏電極４は個別に焼成しても良く、その形成順を逆にして裏電極４よりも表電極３を先に形成するようにしても良い。

【0033】

次に、大判基板の表面に酸化ルテニウム等を含有した抵抗ペーストをスクリーン印刷して乾燥することにより、両端部を表電極３に重ね合わせた抵抗体５を形成した後、これを約８５０℃の高温で焼成する（ステップＳ３）。その際、表電極３と抵抗体５が重なる両者の接続部には一段高くなった段差が生じる。

【0034】

次に、一対の表電極３よりも内側に位置する抵抗体５上にガラスペーストをスクリーン印刷して乾燥することにより、抵抗体５の中央部分を被覆するガラス体６を形成した後、これを約６００℃の温度で焼成する（ステップＳ４）。

【0035】

次に、一対の表電極３にプローブを当接させて抵抗体５の抵抗値を測定しながら、ガラス体６の上からレーザ光を照射することにより、抵抗体５にトリミング溝５ａを形成して抵抗値を調整する（ステップＳ５）。

【0036】

次に、ガラス体６の上からアルミナ等の放熱性フィラーを含有するエポキシ樹脂（またはフェノール樹脂）ペーストをスクリーン印刷した後、これを約２００℃の温度で加熱硬化して第１保護膜７を形成する（ステップＳ６）。その際、第１保護膜７の樹脂ペーストは一対の表電極３よりも内側の領域に印刷されるが、この領域の外側に位置する表電極３と抵抗体５の接続部に段差が存在するため、この段差によって樹脂ペーストの表電極３上への流出が防止される。

【0037】

次に、第１保護膜７上からエポキシ樹脂（またはフェノール樹脂）ペーストをスクリーン印刷した後、これを約２００℃の温度で加熱硬化して第２保護膜８を形成する（ステップＳ７）。第２保護膜８は抵抗体５と第１保護膜７を完全に覆う大きさに形成されるため、第１保護膜７から露出する抵抗体５の端部（表電極３との接続部）も第２保護膜８によって覆われる。ここで、第２保護膜８の下層の第１保護膜７が表電極３上に流出していないため、第２保護膜８を表電極３上に必要以上大きく形成しなくても良く、換言すると、表電極３には第２保護膜８に覆われずに露出する大きな上面が確保されている。

【0038】

これまでの工程は大判基板に対する一括処理であり、次なる工程で、大判基板を一次分割溝に沿って短冊状に一次分割して短冊状基板を得る（ステップＳ８）。

【0039】

次に、この短冊状基板の分割面にＮｉ／Ｃｒをスパッタすることにより、表電極３と裏電極４間を導通する一対の端面電極９を形成する（ステップＳ９）。これら端面電極９により、短冊状基板の端面全体と、短冊状基板の端面寄りに位置する表電極３の上面と裏電極４の下面が覆われる。

【0040】

次に、短冊状基板を二次分割溝に沿って複数のチップ状基板に二次分割した後（ステップＳ１０）、これらチップ状基板に対して電解めっきを施すことにより、バリア層１１と外部接続層１２からなる一対の外部めっき層１０を形成する（ステップＳ１１）。具体的には、まず、チップ状基板に対して電解Ｎｉめっきを施すことにより、端面電極９の全体と端面電極９から露出する部分の表電極３と裏電極４を覆うバリア層１１を形成する。しかる後、チップ状基板に対して電解Ｓｎめっきを施すことにより、バリア層１１の表面全体を覆う外部接続層１２を形成する。これらバリア層１１と外部接続層１２によって２層構造の外部めっき層１０が形成され、この時点で図１と図２に示すようなチップ抵抗器１が得られる。

【0041】

以上説明したように、第１の実施形態に係るチップ抵抗器１は、放熱性フィラーを含有する樹脂材料からなる第１保護膜７によってトリミング溝５ａが覆われており、抵抗体５のトリミング溝５ａ近傍のホットスポットで発生した熱が熱伝導率の高い第１保護膜７を介して放熱されるため、高電力化を図ることができる。また、第１保護膜７は一対の表電極３よりも内側の領域に形成されており、表電極３と抵抗体５の接続部に生じる段差によって第１保護膜７の表電極３上への流出が防止されるため、必要最小限の大きさの第２保護膜８で第１保護膜７を覆うことが可能となる。その結果、表電極３における外部めっき層１０の形成領域を十分に広く確保することができるため、低抵抗のチップ抵抗器１においてもＴＣＲの増大を防止することができる。

【0042】

図４は第２の実施形態に係るチップ抵抗器２０の平面図、図５は図４のＶ－Ｖ線に沿う断面図であり、図１と図２に対応する部分には同一符号を付してある。

【0043】

図４と図５に示すチップ抵抗器２０が第１の実施形態に係るチップ抵抗器１と相違する点は、第１保護膜７を覆う第２保護膜８が一対の表電極３よりも内側の領域に形成されていると共に、端面電極９が第２保護膜８から露出する表電極３と抵抗体５の接続部を覆っていることにあり、それ以外の構成は基本的に同じである。

【0044】

このように構成された第２の実施形態に係るチップ抵抗器２０では、第２保護膜８の大きさを小さくすることで表電極３における外部めっき層１０の形成領域が大きく広がるため、チップ抵抗器全体に対する表電極３の抵抗値成分が小さくなり、ＴＣＲを低くすることができる。また、抵抗体５のホットスポットから外部めっき層１０までの経路が短くなるため、抵抗体５のホットスポットで発生した熱を実装基板へ効率良く放熱することができる。

【0045】

図６は第３の実施形態に係るチップ抵抗器３０の平面図、図７は図６のVII－VII線に沿う断面図であり、図１と図２に対応する部分には同一符号を付してある。

【0046】

図６と図７に示すチップ抵抗器３０が第１の実施形態に係るチップ抵抗器１と相違する点は、一対の表電極３上にそれぞれ補助電極３１が形成されており、これら補助電極３１を介して第１保護膜７と外部めっき層１０が接続されていることにあり、それ以外の構成は基本的に同じである。

【0047】

補助電極３１は、絶縁基板２の端面から離れた表電極３上に形成されて表電極３と抵抗体５の接続部を覆っており、その一端部は第１保護膜７と第２保護膜８の間に挟まれている。補助電極３１は、表電極３と第１保護膜７を跨ぐ位置に、ＡｇやＣｕやＮｉ等の導電性粒子を含む樹脂ペーストをスクリーン印刷した後、これを約２００℃の温度で加熱硬化させたものである。すなわち、補助電極３１は、図３に示すフローチャートにおけるステップＳ６とステップＳ７の間に行われる工程であり、補助電極３１の形成後に、一対の補助電極３１間に露出する第１保護膜７を覆うように第２保護膜８が形成される。したがって、第１保護膜７と補助電極３１および第２保護膜８を全てスクリーン印刷によって連続的に形成することができる。

【0048】

ただし、補助電極３１をスパッタによって形成することも可能である。その場合は、一対の表電極３の外側部分と第１保護膜７の中央部をそれぞれマスク材で覆い、この状態で大判基板の表面に対して直交方向から金属粒子をスパッタして補助電極３１を形成し、その後にマスク材を除去すれば良い。

【0049】

このように構成された第３の実施形態に係るチップ抵抗器３０では、第１保護膜７から露出する表電極３と抵抗体５の接続部が補助電極３１で覆われているため、端面電極９をスパッタにより形成する際に、スパッタ粒子を表電極３と抵抗体５の接続部まで飛ばす必要がなくなり、端面電極９を容易に形成することができる。また、表電極３と抵抗体５の接続部が補助電極３１で覆われるため、第１の実施形態に係るチップ抵抗器１のように、第２保護膜８を一対の表電極３間よりも広い形状に形成したり、第２の実施形態に係るチップ抵抗器２０のように、第２保護膜８を一対の表電極３間よりも狭い形状に形成することが可能となり、第２保護膜８の形状の自由度が向上する。

【0050】

図８は第４の実施形態に係るチップ抵抗器４０の平面図、図９は図８のIX－IX線に沿う断面図であり、図６と図７に対応する部分には同一符号を付してある。

【0051】

図８と図９に示すチップ抵抗器４０が第３の実施形態に係るチップ抵抗器３０と相違する点は、第１保護膜７を覆う第２保護膜８が一対の表電極３よりも内側の領域に形成されていると共に、外部めっき層１０の上面と第２保護膜８の上面とが略同一平面上で連続していることにあり、それ以外の構成は基本的に同じである。

【0052】

このように構成された第４の実施形態に係るチップ抵抗器４０では、第２保護膜８を一対の表電極３間の内側領域に形成することにより、表電極３における外部めっき層１０の形成領域が大きく広がるため、ＴＣＲを低くすることができる。その反面、チップ抵抗器４０をノズルで吸着して実装基板に実装する際に、第２保護膜８に対するノズルの吸着面積が小さくなってしまうが、外部めっき層１０と第２保護膜８の高さが揃えられてフラットな上面が形成されるため、実装性を安定させることができる。

【0053】

図１０は第５の実施形態に係るチップ抵抗器５０の平面図、図１１は図１０のXI－XI線に沿う断面図であり、図８と図９に対応する部分には同一符号を付してある。

【0054】

図１０と図１１に示すチップ抵抗器５０が第４の実施形態に係るチップ抵抗器４０と相違する点は、補助電極３１の一端部が第１保護膜７と第２保護膜８との間に挟まれておらず、その代わりに補助電極３１の一端部が第２保護膜８の上端部と接していることにあり、それ以外の構成は基本的に同じである。

【0055】

このチップ抵抗器５０において、第２保護膜８は一対の表電極３よりも内側の領域に形成されており、第１保護膜７は第２保護膜８によって完全に覆われている。補助電極３１は、表電極３と抵抗体５の接続部を跨ぐ位置に、ＡｇやＣｕやＮｉ等の導電性粒子を含む樹脂ペーストをスクリーン印刷した後、これを約２００℃の温度で加熱硬化させたものである。すなわち、補助電極３１は、図３に示すフローチャートにおけるステップＳ７とステップＳ８の間に行われる工程であり、第１保護膜７を覆う第２保護膜８の形成後に、この第２保護膜８の両端を超えて上端部を覆うように一対の補助電極３１が形成される。

【0056】

このように構成された第５の実施形態に係るチップ抵抗器５０では、一対の補助電極３１を第２保護膜８の上端部まで覆うように形成し、これら補助電極３１を覆うように外部めっき層１０が形成されているため、チップ抵抗器５０の上面に露出する補助電極３１の面積を大きくすることができる。その結果、ＴＣＲを低くすることができると共に、チップ抵抗器５０の上面に補助電極３１の大きな平面が確保されて、実装性を安定させることができる。

【0057】

なお、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、その技術的要旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態では、絶縁基板の裏面に表電極に導通する裏電極が設けられているチップ抵抗器について説明したが、そのような裏電極を備えていないタイプのチップ抵抗器についても本発明は適用可能である。

【符号の説明】

【0058】

１，２０，３０，４０，５０ チップ抵抗器
２ 絶縁基板
３ 表電極（電極）
４ 裏電極
５ 抵抗体
５ａ トリミング溝
６ ガラス体
８ 第２保護膜
９ 端面電極
１０ 外部めっき層
１１ バリア層
１２ 外部接続層
３１ 補助電極

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】