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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023114638
(43)【公開日】2023-08-18
(54)【発明の名称】平衡不平衡変換素子
(51)【国際特許分類】
H01F 19/06 20060101AFI20230810BHJP
H01F 27/00 20060101ALI20230810BHJP
H01G 4/40 20060101ALI20230810BHJP
H03H 7/42 20060101ALI20230810BHJP
【ＦＩ】
H01F19/06
H01F27/00 S
H01G4/40 321A
H03H7/42
【審査請求】未請求
【請求項の数】16
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022017066
(22)【出願日】2022-02-07
(71)【出願人】
【識別番号】000116024
【氏名又は名称】ローム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100135389
【弁理士】
【氏名又は名称】臼井 尚
(72)【発明者】
【氏名】青木 瑠也
【テーマコード（参考）】
5E070
5E082
【Ｆターム（参考）】
5E070AA16
5E070AB10
5E082AA01
5E082BB05
5E082DD08
(57)【要約】
【課題】位相特性が良好な平衡不平衡変換素子を提供する。
【解決手段】平衡不平衡変換素子Ａ１０は、第１インダクタＬ１および第２インダクタＬ２と、第１キャパシタＣ１および第２キャパシタＣ２と、不平衡端子Ｔ１と、接地端子Ｔ２と、第１平衡端子Ｔ３と、第２平衡端子Ｔ４とを備える。第１インダクタＬ１および第２インダクタＬ２は、第２方向ｙに並ぶ。不平衡端子Ｔ１および接地端子Ｔ２は、第２方向ｙに並ぶ。第１平衡端子Ｔ３および第２平衡端子Ｔ４は、第２方向ｙに並ぶ。第１平衡端子Ｔ３は、不平衡端子Ｔ１に対して、第３方向ｘの一方側に位置し、第２平衡端子Ｔ４は、接地端子Ｔ２に対して、第３方向ｘの一方側に位置する。第１インダクタＬ１の第１方向ｚに見た第１中心Ｐ１は、第２インダクタＬ２の第１方向ｚに見た第２中心Ｐ２よりも第３方向ｘの他方側にずれている。
【選択図】図４
【解決手段】平衡不平衡変換素子Ａ１０は、第１インダクタＬ１および第２インダクタＬ２と、第１キャパシタＣ１および第２キャパシタＣ２と、不平衡端子Ｔ１と、接地端子Ｔ２と、第１平衡端子Ｔ３と、第２平衡端子Ｔ４とを備える。第１インダクタＬ１および第２インダクタＬ２は、第２方向ｙに並ぶ。不平衡端子Ｔ１および接地端子Ｔ２は、第２方向ｙに並ぶ。第１平衡端子Ｔ３および第２平衡端子Ｔ４は、第２方向ｙに並ぶ。第１平衡端子Ｔ３は、不平衡端子Ｔ１に対して、第３方向ｘの一方側に位置し、第２平衡端子Ｔ４は、接地端子Ｔ２に対して、第３方向ｘの一方側に位置する。第１インダクタＬ１の第１方向ｚに見た第１中心Ｐ１は、第２インダクタＬ２の第１方向ｚに見た第２中心Ｐ２よりも第３方向ｘの他方側にずれている。
【選択図】図４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
各々が第１方向に直交する平面に沿って巻回された第１インダクタおよび第２インダクタと、
第１キャパシタおよび第２キャパシタと、
前記第１インダクタおよび前記第１キャパシタに導通する不平衡端子と、
前記第２インダクタおよび前記第２キャパシタに導通する接地端子と、
前記第１インダクタおよび前記第２キャパシタに導通する第１平衡端子と、
前記第２インダクタおよび前記第１キャパシタに導通する第２平衡端子と、
を備え、
前記第１インダクタおよび前記第２インダクタは、前記第１方向に直交する第２方向に並んでおり、
前記不平衡端子および前記接地端子は、前記第２方向に並んでおり、
前記第１平衡端子および前記第２平衡端子は、前記第２方向に並んでおり、
前記第１平衡端子は、前記不平衡端子に対して、前記第１方向および前記第２方向に直交する第３方向の一方側に位置し、
前記第２平衡端子は、前記接地端子に対して、前記第３方向の一方側に位置し、
前記第１インダクタの前記第１方向に見た第１中心は、前記第２インダクタの前記第１方向に見た第２中心よりも前記第３方向の他方側にずれている、
平衡不平衡変換素子。
第１キャパシタおよび第２キャパシタと、
前記第１インダクタおよび前記第１キャパシタに導通する不平衡端子と、
前記第２インダクタおよび前記第２キャパシタに導通する接地端子と、
前記第１インダクタおよび前記第２キャパシタに導通する第１平衡端子と、
前記第２インダクタおよび前記第１キャパシタに導通する第２平衡端子と、
を備え、
前記第１インダクタおよび前記第２インダクタは、前記第１方向に直交する第２方向に並んでおり、
前記不平衡端子および前記接地端子は、前記第２方向に並んでおり、
前記第１平衡端子および前記第２平衡端子は、前記第２方向に並んでおり、
前記第１平衡端子は、前記不平衡端子に対して、前記第１方向および前記第２方向に直交する第３方向の一方側に位置し、
前記第２平衡端子は、前記接地端子に対して、前記第３方向の一方側に位置し、
前記第１インダクタの前記第１方向に見た第１中心は、前記第２インダクタの前記第１方向に見た第２中心よりも前記第３方向の他方側にずれている、
平衡不平衡変換素子。
【請求項2】
前記不平衡端子と前記第１平衡端子とは、前記第１方向に見て、前記第２方向に延びる仮想線を対称軸として、線対称となるようにされ、
前記接地端子と前記第２平衡端子とは、前記第１方向に見て、前記仮想線を対称軸として、線対称となるように配置される、
請求項１に記載の平衡不平衡変換素子。
前記接地端子と前記第２平衡端子とは、前記第１方向に見て、前記仮想線を対称軸として、線対称となるように配置される、
請求項１に記載の平衡不平衡変換素子。
【請求項3】
前記第１方向に見て、前記第１中心は、前記仮想線に対して、前記第３方向の他方側に位置し、
前記第１方向に見て、前記第２中心は、前記仮想線に対して、前記第３方向の一方側に位置する、
請求項２に記載の平衡不平衡変換素子。
前記第１方向に見て、前記第２中心は、前記仮想線に対して、前記第３方向の一方側に位置する、
請求項２に記載の平衡不平衡変換素子。
【請求項4】
前記第１方向に見た前記第１中心と前記仮想線との前記第３方向に沿う距離と、前記第１方向に見た前記第２中心と前記仮想線との前記第３方向に沿う距離とは、同じである、
請求項３に記載の平衡不平衡変換素子。
請求項３に記載の平衡不平衡変換素子。
【請求項5】
前記第１インダクタおよび前記第２インダクタを覆う封止部材をさらに備え、
前記封止部材は、前記第１方向の一方を向く主面および前記第１方向の他方を向く裏面を有し、
前記不平衡端子、前記接地端子、前記第１平衡端子および前記第２平衡端子は、前記主面に形成されている、
請求項２ないし請求項４のいずれかに記載の平衡不平衡変換素子。
前記封止部材は、前記第１方向の一方を向く主面および前記第１方向の他方を向く裏面を有し、
前記不平衡端子、前記接地端子、前記第１平衡端子および前記第２平衡端子は、前記主面に形成されている、
請求項２ないし請求項４のいずれかに記載の平衡不平衡変換素子。
【請求項6】
前記第１方向に見て、前記仮想線は、前記封止部材の前記第３方向の中央に重なる、
請求項５に記載の平衡不平衡変換素子。
請求項５に記載の平衡不平衡変換素子。
【請求項7】
前記主面は、前記第１方向に見て、矩形状であり、
前記不平衡端子、前記接地端子、前記第１平衡端子および前記第２平衡端子は、前記主面の四隅に配置されている、
請求項５または請求項６に記載の平衡不平衡変換素子。
前記不平衡端子、前記接地端子、前記第１平衡端子および前記第２平衡端子は、前記主面の四隅に配置されている、
請求項５または請求項６に記載の平衡不平衡変換素子。
【請求項8】
前記封止部材に覆われた第１配線部をさらに備え、
前記第１配線部は、前記不平衡端子と、前記第１インダクタおよび前記第１キャパシタとに接続される、
請求項５ないし請求項７のいずれかに記載の平衡不平衡変換素子。
前記第１配線部は、前記不平衡端子と、前記第１インダクタおよび前記第１キャパシタとに接続される、
請求項５ないし請求項７のいずれかに記載の平衡不平衡変換素子。
【請求項9】
前記封止部材に覆われた第２配線部をさらに備え、
前記第２配線部は、前記接地端子と、前記第２インダクタおよび前記第１キャパシタとに接続される、
請求項８に記載の平衡不平衡変換素子。
前記第２配線部は、前記接地端子と、前記第２インダクタおよび前記第１キャパシタとに接続される、
請求項８に記載の平衡不平衡変換素子。
【請求項10】
前記封止部材に覆われた第３配線部をさらに備え、
前記第３配線部は、前記第１平衡端子と、前記第１インダクタおよび前記第２キャパシタとに接続される、
請求項９に記載の平衡不平衡変換素子。
前記第３配線部は、前記第１平衡端子と、前記第１インダクタおよび前記第２キャパシタとに接続される、
請求項９に記載の平衡不平衡変換素子。
【請求項11】
前記封止部材に覆われた第４配線部をさらに備え、
前記第４配線部は、前記第２平衡端子と、前記第２インダクタおよび前記第２キャパシタとに接続される、
請求項１０に記載の平衡不平衡変換素子。
前記第４配線部は、前記第２平衡端子と、前記第２インダクタおよび前記第２キャパシタとに接続される、
請求項１０に記載の平衡不平衡変換素子。
【請求項12】
前記封止部材は、前記第１方向に積層された第１絶縁層、第２絶縁層および第３絶縁層を含み、
前記第２絶縁層は、前記第１絶縁層および前記第３絶縁層に挟まれ、
前記第１インダクタおよび前記第２インダクタは、前記第２絶縁層に形成されている、
請求項５ないし請求項１１のいずれかに記載の平衡不平衡変換素子。
前記第２絶縁層は、前記第１絶縁層および前記第３絶縁層に挟まれ、
前記第１インダクタおよび前記第２インダクタは、前記第２絶縁層に形成されている、
請求項５ないし請求項１１のいずれかに記載の平衡不平衡変換素子。
【請求項13】
前記封止部材に対して前記第１方向の他方側に配置された絶縁基板をさらに備え、
前記第１キャパシタおよび前記第２キャパシタは、前記第１方向において、前記絶縁基板と前記封止部材とに挟まれている、
請求項５ないし請求項１２のいずれかに記載の平衡不平衡変換素子。
前記第１キャパシタおよび前記第２キャパシタは、前記第１方向において、前記絶縁基板と前記封止部材とに挟まれている、
請求項５ないし請求項１２のいずれかに記載の平衡不平衡変換素子。
【請求項14】
前記第１インダクタは、前記第１方向に見て、前記不平衡端子および前記第１平衡端子に重なり、
前記第２インダクタは、前記第１方向に見て、前記接地端子および前記第２平衡端子に重なる、
請求項１ないし請求項１３のいずれかに記載の平衡不平衡変換素子。
前記第２インダクタは、前記第１方向に見て、前記接地端子および前記第２平衡端子に重なる、
請求項１ないし請求項１３のいずれかに記載の平衡不平衡変換素子。
【請求項15】
前記第１インダクタの前記第１方向に見た前記第３方向の第１寸法と、前記第２インダクタの前記第２方向に見た前記第３方向の第２寸法とは、同じである、
請求項１ないし請求項１４のいずれかに記載の平衡不平衡変換素子。
請求項１ないし請求項１４のいずれかに記載の平衡不平衡変換素子。
【請求項16】
前記第１中心と前記第２中心との前記第３方向に沿う距離は、前記第１寸法に対して０％よりも大きく１０％以下である、
請求項１５に記載の平衡不平衡変換素子。
請求項１５に記載の平衡不平衡変換素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、平衡不平衡変換素子に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、平衡信号と不平衡信号とを変換する平衡不平衡変換回路がある。この平衡不平衡変換回路は、バラン回路とも呼ばれる。特許文献１には、従来の平衡不平衡変換回路が開示されている。特許文献１に記載の平衡不平衡変換回路は、２つのインダクタと、２つのコンデンサと、入力端子と、第１出力端子と、第２出力端子とを備える。２つのインダクタの一方は、入力端子と第１出力端子間に接続される。２つのインダクタの他方は、第２出力端子と接地間に接続される。２つのコンデンサの一方は、入力端子と第２出力端子間に接続される。２つのコンデンサの他方は、第１出力端子と接地間に接続される。入力端子には、不平衡信号が入力される。第１出力端子および第２出力端子には、平衡信号が出力される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２００７－２４３７９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
平衡不平衡変換回路は、その位相特性が良好であることを求められる。位相特性が良好であることの一例としては、平衡不平衡変換回路によって、不平衡信号を平衡信号（２つの信号）に変換した際、当該平衡信号（２つの信号）の位相差が１８０度に近いことである。位相差が１８０度であると、平衡信号（２つの信号）の対称性を保証することになり、また、平衡信号から不平衡信号への変換の際に、不平衡信号に歪が生じることを防止することにもなる。
【0005】
本開示は、上記事情に鑑みて考え出されたものであり、その目的は、位相特性が良好な平衡不平衡変換素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示の平衡不平衡変換素子は、各々が第１方向に直交する平面に沿って巻回された第１インダクタおよび第２インダクタと、第１キャパシタおよび第２キャパシタと、前記第１インダクタおよび前記第１キャパシタに導通する不平衡端子と、前記第２インダクタおよび前記第２キャパシタに導通する接地端子と、前記第１インダクタおよび前記第２キャパシタに導通する第１平衡端子と、前記第２インダクタおよび前記第１キャパシタに導通する第２平衡端子と、を備え、前記第１インダクタおよび前記第２インダクタは、前記第１方向に直交する第２方向に並んでおり、前記不平衡端子および前記接地端子は、前記第２方向に並んでおり、前記第１平衡端子および前記第２平衡端子は、前記第２方向に並んでおり、前記第１平衡端子は、前記不平衡端子に対して、前記第１方向および前記第２方向に直交する第３方向の一方側に位置し、前記第２平衡端子は、前記接地端子に対して、前記第３方向の一方側に位置し、前記第１インダクタの前記第１方向に見た第１中心は、前記第２インダクタの前記第１方向に見た第２中心よりも前記第３方向の他方側にずれている。
【発明の効果】
【0007】
本開示の平衡不平衡変換素子によれば、位相特性を良好にできる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【発明を実施するための形態】
【0009】
本開示の平衡不平衡変換素子の好ましい実施の形態について、図面を参照して、以下に説明する。以下では、同一あるいは類似の構成要素に、同じ符号を付して、重複する説明を省略する。本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単にラベルとして用いたものであり、必ずしもそれらの対象物に順列を付することを意図していない。
【0010】
本開示において、「ある物Ａがある物Ｂに形成されている」および「ある物Ａがある物Ｂ（の）上に形成されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接形成されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに形成されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂに配置されている」および「ある物Ａがある物Ｂ（の）上に配置されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接配置されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに配置されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂ（の）上に位置している」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに接して、ある物Ａがある物Ｂ（の）上に位置していること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物が介在しつつ、ある物Ａがある物Ｂ（の）上に位置していること」を含む。また、「ある方向に見てある物Ａがある物Ｂに重なる」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂのすべてに重なること」、および、「ある物Ａがある物Ｂの一部に重なること」を含む。また、「ある物Ａ（の構成材料）がある材料Ｃを含む」とは、「ある物Ａ（の構成材料）がある材料Ｃからなる場合」、および、「ある物Ａ（の構成材料）の主成分がある材料Ｃである場合」を含む。
【0011】
＜第１実施形態＞
図１～図１５は、第１実施形態にかかる平衡不平衡変換素子Ａ１０を示している。平衡不平衡変換素子Ａ１０は、第１インダクタＬ１、第２インダクタＬ２、第１キャパシタＣ１、第２キャパシタＣ２、不平衡端子Ｔ１、接地端子Ｔ２、第１平衡端子Ｔ３、第２平衡端子Ｔ４、絶縁基板１、封止部材２、第１配線部５１、第２配線部５２、第３配線部５３および第４配線部５４を備える。
図１～図１５は、第１実施形態にかかる平衡不平衡変換素子Ａ１０を示している。平衡不平衡変換素子Ａ１０は、第１インダクタＬ１、第２インダクタＬ２、第１キャパシタＣ１、第２キャパシタＣ２、不平衡端子Ｔ１、接地端子Ｔ２、第１平衡端子Ｔ３、第２平衡端子Ｔ４、絶縁基板１、封止部材２、第１配線部５１、第２配線部５２、第３配線部５３および第４配線部５４を備える。
【0012】
まず、平衡不平衡変換素子Ａ１０の回路構成について、図１を参照して、説明する。図１に示すように、平衡不平衡変換素子Ａ１０は、その回路構成において、次のように構成される。第１インダクタＬ１の一端と第１キャパシタＣ１の一端とが接続される。第２インダクタＬ２の一端と第２キャパシタＣ２の一端とが接続される。第１インダクタＬ１の他端と第２キャパシタＣ２の他端とが接続される。第２インダクタＬ２の他端と第１キャパシタＣ１の他端とが接続される。第１インダクタＬ１および第２キャパシタＣ２は、ローパスフィルタを構成する。第２インダクタＬ２および第１キャパシタＣ１は、ハイパスフィルタを構成する。不平衡端子Ｔ１は、第１インダクタＬ１と第１キャパシタＣ１との接続点に接続される。不平衡端子Ｔ１は、不平衡信号を入出力する。接地端子Ｔ２は、第２インダクタＬ２と第２キャパシタＣ２との接続点に接続される。接地端子Ｔ２は、グランドＧＮＤに接続される。第１平衡端子Ｔ３は、第１インダクタＬ１と第２キャパシタＣ２との接続点に接続される。第２平衡端子Ｔ４は、第２インダクタＬ２と第１キャパシタＣ１との接続点に接続される。第１平衡端子Ｔ３および第２平衡端子Ｔ４は、平衡信号を入出力する。平衡不平衡変換素子Ａ１０は、たとえば５．４ＧＨｚの周波数の信号に対して、５０Ωの不平衡信号と１００Ωの平衡信号との変換を行う。なお、平衡不平衡変換素子Ａ１０が変換する信号の周波数およびインピーダンスは、この数値例に限定されない。
【0013】
平衡不平衡変換素子Ａ１０は、上記位相特性が最も良好な場合において、平衡信号と不平衡信号との変換を、次のように行う。不平衡端子Ｔ１に不平衡信号が入力された場合には、この信号は、先述のローパスフィルタ（第１インダクタＬ１および第２キャパシタＣ２）によって、位相が９０度遅れて第１平衡端子Ｔ３に伝送されるとともに、先述のハイパスフィルタ（第２インダクタＬ２および第１キャパシタＣ１）によって、位相が９０度進んで第２平衡端子Ｔ４に伝送される。これにより、第１平衡端子Ｔ３および第２平衡端子Ｔ４から、互いに位相が１８０度異なる２つの信号が出力される。この２つの信号が、平衡信号である。なお、不平衡信号の位相を０度としたとき、第１平衡端子Ｔ３に伝送される信号の位相は、＋９０度であり、第２平衡端子Ｔ４に伝送される信号の位相は、－９０度である。一方、第１平衡端子Ｔ３および第２平衡端子Ｔ４に平衡信号を構成する２つの信号がそれぞれ入力された場合には、第１平衡端子Ｔ３に入力された信号は、先述のローパスフィルタによって、位相が９０度遅れて不平衡端子Ｔ１に伝送され、且つ、第２平衡端子Ｔ４に入力された信号は、先述のハイパスフィルタによって、位相が９０度進んで不平衡端子Ｔ１に伝送される。これにより、不平衡端子Ｔ１および接地端子Ｔ２から、不平衡信号が出力される。
【0014】
次に、平衡不平衡変換素子Ａ１０の構造について、図２～図１５を参照して、説明する。以下の説明では、説明の便宜上、平衡不平衡変換素子Ａ１０の厚さ方向を「第１方向ｚ」という。また、第１方向ｚの一方を上方といい、他方を下方ということがある。なお、「上」、「下」、「上方」、「下方」、「上端」、「下端」、「上面」および「下面」などの記載は、第１方向ｚにおける各部品等の相対的位置関係を示すものであり、必ずしも重力方向との関係を規定する用語ではない。また、「平面視」とは、第１方向ｚに見たときをいう。第１方向ｚに対して直交する方向を「第２方向ｙ」という。第２方向ｙは、平衡不平衡変換素子Ａ１０の平面図（図３～図７参照）における上下方向である。第１方向ｚおよび第２方向ｙに直交する方向を「第３方向ｘ」という。第３方向ｘは、平衡不平衡変換素子Ａ１０の平面図（図３～図７参照）における左右方向である。
【0015】
絶縁基板１は、封止部材２、第１キャパシタＣ１、第２キャパシタＣ２、第１インダクタＬ１、第２インダクタＬ２、第１配線部５１、第２配線部５２、第３配線部５３および第４配線部５４を支持する。絶縁基板１は、例えば半導体基板である。当該半導体基板の構成材料は、たとえばＳｉ（ケイ素）を含む。絶縁基板１は、半導体基板ではなく、ガラス基板であってもよいし、セラミック基板であってもよい。絶縁基板１は、平面視において矩形状である。
【0016】
絶縁基板１は、基板主面１１、基板裏面１２および複数の基板側面１３１～１３４を有する。図８～図１５に示すように、基板主面１１および基板裏面１２は、第１方向ｚに離間する。基板主面１１は、第１方向ｚ上方を向き、基板裏面１２は、第１方向ｚ下方を向く。複数の基板側面１３１～１３４はそれぞれ、第１方向ｚにおいて、基板主面１１および基板裏面１２に挟まれている。図７～図９、図１２および図１３に示すように、一対の基板側面１３１，１３２は、第３方向ｘにおいて互いに離間し、且つ、第３方向ｘにおいて互いに反対側を向く。図７、図１０、図１１、図１４および図１５に示すように、一対の基板側面１３３，１３４は、第２方向ｙにおいて互いに離間し、且つ、第２方向ｙにおいて互いに反対側を向く。図示された例では、基板主面１１、基板裏面１２および複数の基板側面１３１～１３４はそれぞれ、平坦である。
【0017】
封止部材２は、図２および図８～図１５に示すように、絶縁基板１の基板主面１１上に配置される。封止部材２は、第１キャパシタＣ１、第２キャパシタＣ２、第１インダクタＬ１、第２インダクタＬ２、第１配線部５１、第２配線部５２、第３配線部５３および第４配線部５４を覆う。図示された例では、封止部材２は、平面視において矩形状である。封止部材２の第３方向ｘに沿う寸法は、たとえば２００μｍ以上１２００μｍ以下であり、封止部材２の第２方向ｙに沿う寸法は、たとえば１００μｍ以上６００μｍ以下である。
【0018】
封止部材２は、主面２０１、裏面２０２および複数の側面２０３～２０６を有する。主面２０１および裏面２０２は、第１方向ｚに互いに離間する。主面２０１は、第１方向ｚ上方を向き、裏面２０２は、第１方向ｚ下方を向く。裏面２０２は、基板主面１１に対向する。主面２０１は、平面視において、第３方向ｘを長手方向とする矩形状である。一対の側面２０３，２０４は、第３方向ｘにおいて互いに離間し、且つ、第３方向ｘにおいて互いに反対側を向く。一対の側面２０５，２０６は、第２方向ｙにおいて互いに離間し、且つ、第２方向ｙにおいて互いに反対側を向く。本実施形態では、主面２０１、裏面２０２および複数の側面２０３～２０６はそれぞれ、平坦である。複数の側面２０３～２０６は、複数の基板側面１３１～１３４とそれぞれ面一である。
【0019】
封止部材２は、第１絶縁層２１、第２絶縁層２２および第３絶縁層２３を含む。第１絶縁層２１、第２絶縁層２２および第３絶縁層２３は、第１方向ｚに積層されている。第１絶縁層２１、第２絶縁層２２および第３絶縁層２３の各構成材料は、たとえば感光性樹脂を含む。当該感光性樹脂は、たとえばエポキシ樹脂である。第１絶縁層２１、第２絶縁層２２および第３絶縁層２３は、たとえばドライフィルムレジストから形成される。本実施形態では、封止部材２は、３つの絶縁層（第１絶縁層２１、第２絶縁層２２および第３絶縁層２３）が積層された構成であるが、封止部材２を構成する絶縁層の数は、１つであってもよいし、２つであってもよいし、４つ以上であってもよい。
【0020】
第１絶縁層２１は、第２絶縁層２２の第１方向ｚ上方に積層される。図４および図８～図１５に示すように、第１絶縁層２１は、第１主面２１１、第１裏面２１２および複数の第１側面２１３～２１６を有する。第１主面２１１および第１裏面２１２は、第１方向ｚに互いに離間する。第１主面２１１は、第１方向ｚ上方を向き、第１裏面２１２は、第１方向ｚ下方を向く。複数の第１側面２１３～２１６はそれぞれ、第１方向ｚにおいて、第１主面２１１および第１裏面２１２に挟まれている。一対の第１側面２１３，２１４は、第３方向ｘにおいて互いに離間し、且つ、第３方向ｘにおいて互いに反対側を向く。一対の第１側面２１５，２１６は、第２方向ｙにおいて互いに離間し、且つ、第２方向ｙにおいて互いに反対側を向く。
【0021】
第２絶縁層２２は、第３絶縁層２３の第１方向ｚ上方に積層される。図５および図８～図１５に示すように、第２絶縁層２２は、第２主面２２１、第２裏面２２２および複数の第２側面２２３～２２６を有する。第２主面２２１および第２裏面２２２は、第１方向ｚに互いに離間する。第２主面２２１は、第１方向ｚ上方を向き、第２裏面２２２は、第１方向ｚ下方を向く。第２主面２２１は、第１裏面２１２に接する。第１絶縁層２１は、第２主面２２１上に積層されている。複数の第２側面２２３～２２６はそれぞれ、第１方向ｚにおいて、第２主面２２１および第２裏面２２２に挟まれている。一対の第２側面２２３，２２４は、第３方向ｘにおいて互いに離間し、且つ、第３方向ｘにおいて互いに反対側を向く。
【0022】
第３絶縁層２３は、基板主面１１に積層される。図６および図８～図１５に示すように、第３絶縁層２３は、第３主面２３１、第３裏面２３２および複数の第３側面２３４～２３６を有する。第３主面２３１および第３裏面２３２は、第１方向ｚに互いに離間する。第３主面２３１は、第１方向ｚ上方を向き、第３裏面２３２は、第１方向ｚ下方を向く。第３主面２３１は、第２裏面２２２に接する。第２絶縁層２２は、第３主面２３１上に積層されている。複数の第３側面２３３～２３６はそれぞれ、第１方向ｚにおいて、第３主面２３１および第３裏面２３２に挟まれている。一対の第３側面２３３，２３４は、第３方向ｘにおいて互いに離間し、且つ、第３方向ｘにおいて互いに反対側を向く。一対の第３側面２３５，２３６は、第２方向ｙにおいて互いに離間し、且つ、第２方向ｙにおいて互いに反対側を向く。
【0023】
図８～図１５に示すように、第１側面２１３、第２側面２２３および第３側面２３３は、面一であり、上記側面２０３を構成する。第１側面２１４、第２側面２２４および第３側面２３４は、面一であり、上記側面２０４を構成する。第１側面２１５、第２側面２２５および第３側面２３５は、面一であり、上記側面２０５を構成する。第１側面２１６、第２側面２２６および第３側面２３６は、面一であり、上記側面２０６を構成する。
【0024】
不平衡端子Ｔ１、接地端子Ｔ２、第１平衡端子Ｔ３および第２平衡端子Ｔ４はそれぞれ、図８～図１５に示すように、主面２０１に形成される。不平衡端子Ｔ１、接地端子Ｔ２、第１平衡端子Ｔ３および第２平衡端子Ｔ４はそれぞれ、図３に示すように、平面視矩形状である。本実施形態においては、不平衡端子Ｔ１、接地端子Ｔ２、第１平衡端子Ｔ３および第２平衡端子Ｔ４は、平面視において同じ形状であり、且つ、平面視において同じサイズである。不平衡端子Ｔ１、接地端子Ｔ２、第１平衡端子Ｔ３および第２平衡端子Ｔ４の各構成材料は、導電性材料を含む。この導電性材料は、何ら限定されないが、たとえば銅または銅合金である。不平衡端子Ｔ１、接地端子Ｔ２、第１平衡端子Ｔ３および第２平衡端子Ｔ４の表面（露出する表面）には、めっきが施されていてもよい。このめっきは、たとえばニッケル層、パラジウム層および金層、あるいは、ニッケル層および金層が順に積層された多層構造であってもよいし、ニッケル層あるいは金層などの単層構造であってもよい。
【0025】
図３に示すように、不平衡端子Ｔ１と接地端子Ｔ２とは、第２方向ｙに並ぶ。第１平衡端子Ｔ３と第２平衡端子Ｔ４とは、第２方向ｙに並ぶ。第１平衡端子Ｔ３は、不平衡端子Ｔ１の第３方向ｘの一方側（図３における右側）に位置する。第２平衡端子Ｔ４は、接地端子Ｔ２の第３方向ｘの一方側に位置する。本実施形態では、不平衡端子Ｔ１と第１平衡端子Ｔ３とは、平面視において、第２方向ｙに延びる仮想線Ｍ１（図３参照）を対称軸として、線対称に配置される。接地端子Ｔ２と第２平衡端子Ｔ４とは、平面視において、仮想線Ｍ１を対称軸として、線対称に配置される。つまり、不平衡端子Ｔ１と第１平衡端子Ｔ３との対称軸と、接地端子Ｔ２と第２平衡端子Ｔ４との対称軸とは、共通する。また、不平衡端子Ｔ１と接地端子Ｔ２とは、平面視において、第３方向ｘに延びる仮想線Ｍ２（図３参照）を対称軸として、線対称に配置される。第１平衡端子Ｔ３と第２平衡端子Ｔ４とは、平面視において、仮想線Ｍ２を対称軸として、線対称に配置される。つまり、不平衡端子Ｔ１と接地端子Ｔ２との対称軸と、第１平衡端子Ｔ３と第２平衡端子Ｔ４との対称軸とは、共通する。本実施形態では、仮想線Ｍ１は、平面視において、封止部材２の第３方向ｘの中央に重なり、仮想線Ｍ２は、平面視において、封止部材２の第２方向ｙの中央に重なる。仮想線Ｍ１は、平面視において、第１インダクタＬ１および第２インダクタＬ２に交差する。本実施形態では、図２～図４に示すように、不平衡端子Ｔ１、接地端子Ｔ２、第１平衡端子Ｔ３および第２平衡端子Ｔ４は、主面２０１の四隅に配置される。
【0026】
平衡不平衡変換素子Ａ１０を電子機器などの回路基板に実装する際、不平衡端子Ｔ１、接地端子Ｔ２、第１平衡端子Ｔ３および第２平衡端子Ｔ４が、導電性接合材（たとえばはんだまたは焼結金属）によって回路基板に接合される。よって、平衡不平衡変換素子Ａ１０は、第１方向ｚの上下が図示された例とは反対となる姿勢で回路基板に実装される。
【0027】
第１インダクタＬ１および第２インダクタＬ２はそれぞれ、第２絶縁層２２に形成されている。第１インダクタＬ１および第２インダクタＬ２は、第１方向ｚに直交する平面（ｘ－ｙ平面）に沿って、平面巻回されている。第１インダクタＬ１および第２インダクタＬ２の各巻数は、図示された例に限定されない。なお、第１インダクタＬ１および第２インダクタＬ２の各巻数は、平衡不平衡変換素子Ａ１０の平面視寸法および各インダクタンス値に応じて適宜変更される。図示された例では、第１インダクタＬ１および第２インダクタＬ２の各巻数は、互いに同じである。第１インダクタＬ１および第２インダクタＬ２の各構成材料は、導電性材料を含む。この導電性材料は、何ら限定されないが、たとえば銅または銅合金である。第１インダクタＬ１および第２インダクタＬ２は、第２方向ｙに沿って配置されている。
【0028】
図４に示すように、第１インダクタＬ１は、平面視において、不平衡端子Ｔ１および第１平衡端子Ｔ３に重なる。第２インダクタＬ２は、平面視において、接地端子Ｔ２および第２平衡端子Ｔ４に重なる。
【0029】
本実施形態では、第１インダクタＬ１の第３方向ｘに沿う第１寸法Ｗ１（図５参照）および第２インダクタＬ２の第３方向ｘに沿う第２寸法Ｗ２（図５参照）は、たとえば同じである。この構成とは異なり、第１インダクタＬ１の第３方向ｘに沿う第１寸法Ｗ１と第２インダクタＬ２の第３方向ｘに沿う第２寸法Ｗ２とは、互いに異なっていてもよい。第１寸法Ｗ１および第２寸法Ｗ２はそれぞれ、たとえば２００μｍ以上８００μｍ以下であるが、この範囲に限定されない。
【0030】
図５に示すように、第１インダクタＬ１の平面視における第１中心Ｐ１と、第２インダクタＬ２の平面視における第２中心Ｐ２とは、第３方向ｘにずれている。当該第１中心Ｐ１とは、平面視における第１インダクタＬ１の巻回中心（巻回軸）のことであり、当該第２中心Ｐ２とは、平面視における第２インダクタＬ２の巻回中心（巻回軸）のことである。第１中心Ｐ１と第２中心Ｐ２との第３方向ｘに沿う距離ｄｘ（図５参照）は、たとえば０μｍよりも大きく５０μｍ以下であるが、この範囲に限定されない。本実施形態では、距離ｄｘは、上記第１寸法Ｗ１および第２寸法Ｗ２の各々に対して、たとえば０％よりも大きく１０％以下である。第１中心Ｐ１と第２中心Ｐ２との第２方向ｙに沿う距離ｄｙ（図５参照）は、たとえば３００μｍ以上３２０μｍ以下であるが、この範囲に限定されない。これらの距離ｄｘ，ｄｙは、第１インダクタＬ１および第２インダクタＬ２の各平面視における寸法および各巻数と封止部材２の平面視における寸法とにより適宜変更される。
【0031】
本実施形態では、図５に示すように、第１中心Ｐ１は、平面視において、仮想線Ｍ１よりも、第３方向ｘの他方側（図５における左側）に位置する。また、第２中心Ｐ２は、平面視において、仮想線Ｍ１よりも、第３方向ｘの一方側（図５における右側）に位置する。つまり、第３方向ｘにおいて、第１中心Ｐ１と第２中心Ｐ２とは、仮想線Ｍ１を挟んで、互いに反対側に位置する。これにより、図５に示すように、第１中心Ｐ１は、第２中心Ｐ２よりも第３方向ｘの他方側（図５における左側）にずれている。
【0032】
本実施形態では、平面視における第１中心Ｐ１と仮想線Ｍ１との第３方向ｘに沿う距離ｄｘ１（図５参照）と、平面視における第２中心Ｐ２と仮想線Ｍ１との第３方向ｘに沿う距離ｄｘ２（図５参照）とは、同じである。この構成とは異なり、２つの距離ｄｘ１，ｄｘ２とは、異なっていてもよい。第１中心Ｐ１と第２中心Ｐ２とが、第３方向ｘにおいて、仮想線Ｍ１を挟んで互いに反対側に位置する構成では、上記距離ｄｘは、２つの距離ｄｘ１，ｄｘ２の和となる。２つの距離ｄｘ１，ｄｘ２はそれぞれ、たとえば０μｍ以上５０μｍ以下であるが、この範囲に限定されない。
【0033】
第１キャパシタＣ１および第２キャパシタＣ２はそれぞれ、絶縁基板１と第３絶縁層２３との間に形成され、第１方向ｚにおいて、これらに挟まれている。第１キャパシタＣ１および第２キャパシタＣ２はそれぞれ、たとえばＭＩＭ（Metal-Insulator-Metal）構造である。
【0034】
図１４および図１５に示すように、第１キャパシタＣ１および第２キャパシタＣ２はそれぞれ、一対の金属層３１，３２、絶縁体層３３および接続配線３４を含む。第１キャパシタＣ１および第２キャパシタＣ２の各々において、金属層３２、絶縁体層３３および金属層３１は、第１方向ｚにおいて、絶縁基板１に近い側からこの順で積層される。第１キャパシタＣ１および第２キャパシタＣ２の各々において、接続配線３４は、柱状に形成されており、金属層３２に繋がるが、金属層３１には繋がらない。図１４に示すように、第１キャパシタＣ１の接続配線３４の上端は、第４配線部５４（後述の接続部５４３）に繋がる。第２キャパシタＣ２の接続配線３４の上端は、第２配線部５２（後述の接続部５２３）に繋がる。
【0035】
第１配線部５１、第２配線部５２、第３配線部５３および第４配線部５４の各構成材料は、導電性材料を含む。この導電性材料は、何ら限定されないが、たとえば銅または銅合金である。
【0036】
第１配線部５１は、不平衡端子Ｔ１と、第１インダクタＬ１および第１キャパシタＣ１とを電気的に接続する。図４～図７、図１２および図１４に示すように、第１配線部５１は、複数の接続部５１１，５１２，５１３を含む。
【0037】
図１２および図１４に示すように、接続部５１１は、第１絶縁層２１を第１方向ｚに貫通する。接続部５１１の上端は、不平衡端子Ｔ１に接する。接続部５１１の下端は、第１インダクタＬ１に接する。図１２に示すように、接続部５１２は、第２絶縁層２２を第１方向ｚに貫通する。接続部５１２の上端は、接続部５１１に接する。接続部５１２の下端は、接続部５１３に接する。図１２および図１４に示すように、接続部５１３は、第３絶縁層２３を第１方向ｚに貫通する。接続部５１３の上端は、第１インダクタＬ１および接続部５１２に接する。接続部５１３の下端は、第１キャパシタＣ１に接する。
【0038】
図１２に示すように、接続部５１１を介して、不平衡端子Ｔ１と第１インダクタＬ１とが導通する。接続部５１１，５１２，５１３を介して、不平衡端子Ｔ１と第１キャパシタＣ１とが導通する。なお、不平衡端子Ｔ１と第１キャパシタＣ１との導通においては、接続部５１２の代わりに、第１インダクタＬ１の一部を通る経路もある。接続部５１３を介して、第１インダクタＬ１と第１キャパシタＣ１とが導通する。
【0039】
第２配線部５２は、接地端子Ｔ２と、第２インダクタＬ２および第２キャパシタＣ２および第２インダクタＬ２とを電気的に接続する。図４～図７、図１３および図１５に示すように、第２配線部５２は、複数の接続部５２１，５２２，５２３を含む。
【0040】
図１３および図１５に示すように、接続部５２１は、第１絶縁層２１を第１方向ｚに貫通する。接続部５２１の上端は、接地端子Ｔ２に接する。接続部５２１の下端は、第２インダクタＬ２に接する。接続部５２２は、第２絶縁層２２を第１方向ｚに貫通する。接続部５２２の上端は、接続部５２１に接する。接続部５２２の下端は、接続部５２３に接する。図１３および図１５に示すように、接続部５２３は、第３絶縁層２３を第１方向ｚに貫通する。接続部５２３の上端は、第２インダクタＬ２および接続部５２２に接する。接続部５２３の下端は、第２キャパシタＣ２に接する。
【0041】
図１３に示すように、接続部５２１を介して、接地端子Ｔ２と第２インダクタＬ２とが導通する。接続部５２１，５２２，５２３を介して、接地端子Ｔ２と第２キャパシタＣ２とが導通する。なお、接地端子Ｔ２と第２キャパシタＣ２との導通においては、接続部５２２の代わりに第２インダクタＬ２の一部を通る経路もある。接続部５２３を介して、第２インダクタＬ２と第２キャパシタＣ２とが導通する。
【0042】
第３配線部５３は、第１平衡端子Ｔ３と、第１インダクタＬ１および第２キャパシタＣ２とを電気的に接続する。図４～図７、図１２および図１５に示すように、第３配線部５３は、複数の接続部５３１，５３２，５３３を含む。
【0043】
図１２および図１５に示すように、接続部５３１は、第１絶縁層２１を第１方向ｚに貫通する。接続部５３１の上端は、第１平衡端子Ｔ３に接する。接続部５３１の下端は、第１インダクタＬ１に接する。図１２に示すように、接続部５３２は、第２絶縁層２２を第１方向ｚに貫通する。接続部５３２の上端は、接続部５３１に接する。接続部５３２の下端は、接続部５３３に接する。図１２および図１５に示すように、接続部５３３は、第３絶縁層２３を第１方向ｚに貫通する。接続部５３３の上端は、第１インダクタＬ１および接続部５３２に接する。接続部５３３の下端は、第２キャパシタＣ２に接する。
【0044】
図１２に示すように、接続部５３１を介して、第１平衡端子Ｔ３と第１インダクタＬ１とが導通する。接続部５３１，５３２，５３３を介して、接地端子Ｔ２と第２キャパシタＣ２とが導通する。なお、第１平衡端子Ｔ３と第２キャパシタＣ２との導通においては、接続部５３２の代わりに第１インダクタＬ１の一部を通る経路もある。接続部５３３を介して、第１インダクタＬ１と第２キャパシタＣ２とが導通する。
【0045】
第４配線部５４は、第２平衡端子Ｔ４と、第２インダクタＬ２および第１キャパシタＣ１とを電気的に接続する。図４～図７および図１３～図１５に示すように、第４配線部５４は、複数の接続部５４１，５４２，５４３を含む。
【0046】
図１３および図１４に示すように、接続部５４１は、第１絶縁層２１を第１方向ｚに貫通する。接続部５４１の上端は、第２平衡端子Ｔ４に接する。接続部５４１の下端は、第２インダクタＬ２および接続部５４２に接する。図１３および図１４に示すように、接続部５４２は、第２絶縁層２２を第１方向ｚに貫通する。接続部５４２の上端は、接続部５４１に接する。接続部５４２の下端は、接続部５４３に接する。接続部５４２は、平面視において、第２キャパシタＣ２の一部に交差する。図１３および図１４に示すように、接続部５４３は、第３絶縁層２３を第１方向ｚに貫通する。接続部５４３の上端は、接続部５４２に接する。接続部５４３の下端は、第１キャパシタＣ１に接する。
【0047】
図１３に示すように、接続部５４１を介して、第２平衡端子Ｔ４と第２インダクタＬ２とが導通する。図１４に示すように、接続部５４１，５４２，５４３を介して、第２平衡端子Ｔ４と第１キャパシタＣ１とが導通する。接続部５４１，５４２，５４３を介して、第２インダクタＬ２と第１キャパシタＣ１とが導通する。
【0048】
次に、平衡不平衡変換素子Ａ１０の製造方法について、図１６～図２０を参照して、説明する。図１６～図２０は、平衡不平衡変換素子Ａ１０の製造方法の一工程を示す断面図であって、図１２に示す平衡不平衡変換素子Ａ１０の断面に対応する。
【0049】
まず、図１６に示すように、絶縁基板１を準備し、準備した絶縁基板１に第１キャパシタＣ１および第２キャパシタＣ２を形成する。準備する絶縁基板１は、たとえば半導体基板である。本実施形態では、半導体基板としてＳｉウエハを用いる。なお、準備する絶縁基板１は、半導体基板ではなくガラス基板であってもよいし、セラミック基板であってもよい。また、形成する第１キャパシタＣ１および第２キャパシタＣ２は、たとえばＭＩＭ構造であって、上述の一対の金属層３１，３２、絶縁体層３３および接続配線３４を含む。
【0050】
次いで、図１７に示すように、第３絶縁層２３を形成し、形成した第３絶縁層２３に、各接続部５１３，５２３，５３３，５４３を形成する。図１７は、第３絶縁層２３および各接続部５１３，５３３が形成された状態を示している。この工程では、まず、絶縁基板１の第１キャパシタＣ１および第２キャパシタＣ２を形成した面（基板主面１１）に、ドライフィルムレジストを貼付する。当該ドライフィルムレジストは、感光性樹脂としてのエポキシ樹脂を含む。続いて、貼付したドライフィルムレジストを露光および現像することで、当該ドライフィルムレジストをパターニングする。このパターニングによって、ドライフィルムレジストを貫通するパターンが形成される。このパターンは、各接続部５１３，５２３，５３３，５４３を形成する部分に対応する。これにより、パターンを有する第３絶縁層２３が形成される。続いて、第３絶縁層２３に形成されたパターンに、銅めっきを充填させる。これにより、各接続部５１３，５２３，５３３，５４３が形成される。銅めっきの充填では、先述のパターンが形成された第３絶縁層２３の上面に、たとえばシード層をスパッタ法および／または蒸着法によって形成した後、所定パターンを有するマスクを形成する。その後、シード層を用いた電解めっきにより銅めっきを形成する。シード層は、たとえばチタン層および銅層の積層構造をなす。電解めっきの形成後は、不要なシード層および不要なマスクを除去する。なお、銅めっきの充填方法は、これに限定されない。
【0051】
次いで、図１８に示すように、第２絶縁層２２を形成し、形成した第２絶縁層２２に、第１インダクタＬ１、第２インダクタＬ２および各接続部５１２，５２２，５３２，５４２を形成する。図１８は、第２絶縁層２２、第１インダクタＬ１および各接続部５１２，５１３が形成された状態を示している。この工程では、まず、第３絶縁層２３上に、ドライフィルムレジストを貼付する。このドライフィルムレジストは、感光性樹脂としてのエポキシ樹脂を含む。続いて、貼付したドライフィルムレジストを露光および現像することで、当該ドライフィルムレジストをパターニングする。このパターニングによって、第３絶縁層２３上のドライフィルムレジストを貫通するパターンが形成される。このパターンは、第１インダクタＬ１、第２インダクタＬ２および各接続部５１２，５２２，５３２，５４２のそれぞれを形成する部分に対応する。これにより、パターンを有する第２絶縁層２２が形成される。続いて、第２絶縁層２２に形成されたパターンに、銅めっきを充填させる。これにより、第１インダクタＬ１、第２インダクタＬ２および各接続部５１２，５２２，５３２，５４２が形成される。銅めっきの充填は、たとえば、接続部５１３，５２３，５３３，５４３を形成する処理と同様に、シード層の形成および電解めっきにより行われる。なお、当該銅めっきの充填方法は、これに限定されない。
【0052】
次いで、図１９に示すように、第１絶縁層２１を形成し、形成した第１絶縁層２１に、各接続部５１１，５２１，５３１，５４１を形成する。図１９は、第１絶縁層２１および各接続部５１１，５３１が形成された状態を示している。この工程では、まず、第２絶縁層２２上に、ドライフィルムレジストを貼付する。このドライフィルムレジストは、感光性樹脂としてのエポキシ樹脂を含む。続いて、貼付したドライフィルムレジストを露光および現像することで、当該ドライフィルムレジストをパターニングする。このパターニングによって、第２絶縁層２２上のドライフィルムレジストを貫通するパターンが形成される。このパターンは、各接続部５１１，５２１，５３１，５４１を形成する部分に対応する。これにより、パターンを有する第１絶縁層２１が形成される。続いて、第１絶縁層２１に形成されたパターンに、銅めっきを充填させる。これにより、各接続部５１１，５２１，５３１，５４１が形成され、上述の第１配線部５１、第２配線部５２、第３配線部５３および第４配線部５４が形成される。銅めっきの充填は、たとえば、接続部５１３，５２３，５３３，５４３を形成する処理と同様に、シード層の形成および電解めっきにより行われる。なお、当該銅めっきの充填方法は、これに限定されない。
【0053】
次いで、図２０に示すように、不平衡端子Ｔ１、接地端子Ｔ２、第１平衡端子Ｔ３および第２平衡端子Ｔ４を形成する。図２０は、不平衡端子Ｔ１および第１平衡端子Ｔ３が形成された状態を示している。この時点では、図２０から理解されるように、不平衡端子Ｔ１、接地端子Ｔ２、第１平衡端子Ｔ３および第２平衡端子Ｔ４は、第２方向ｙまたは第３方向ｘに接するものがあり、当該接するもの同士は、互いに一体化されている。不平衡端子Ｔ１、接地端子Ｔ２、第１平衡端子Ｔ３および第２平衡端子Ｔ４の形成は、たとえばスパッタ法および／または蒸着法によってシード層を形成した後、所定パターンを有するマスクを形成する。その後、シード層を用いた電解めっきにより銅めっきを形成する。シード層は、たとえばチタン層および銅層の積層構造をなす。電解めっき後は、不要なマスクおよび不要なシード層を除去する。不要なマスクおよび不要なシード層を除去した後は、不平衡端子Ｔ１、接地端子Ｔ２、第１平衡端子Ｔ３および第２平衡端子Ｔ４の露出表面に、たとえば無電解めっきによりめっきを施してもよい。
【0054】
その後、図２０に示す切断線ＣＬに沿って、絶縁基板１などを切断する。切断方法は、何ら限定されないが、たとえばブレードダイシングまたはレーザダイシングなどを用いる。これにより、絶縁基板１が平衡不平衡変換素子Ａ１０ごとに分割される。また、不平衡端子Ｔ１、接地端子Ｔ２、第１平衡端子Ｔ３および第２平衡端子Ｔ４がそれぞれ分割される。以上の工程を経ることで、図１～図１５に示す平衡不平衡変換素子Ａ１０が製造される。上記した平衡不平衡変換素子Ａ１０の製造方法は、一例であって、これに限定されない。たとえば、各接続部５１１，５２１，５３１，５４１の形成と、不平衡端子Ｔ１、接地端子Ｔ２、第１平衡端子Ｔ３および第２平衡端子Ｔ４の形成とを、一括してもよい。
【0055】
平衡不平衡変換素子Ａ１０の作用および効果は、次の通りである。
【0056】
平衡不平衡変換素子Ａ１０では、不平衡端子Ｔ１と接地端子Ｔ２とが第２方向ｙに並んでおり、第１平衡端子Ｔ３と第２平衡端子Ｔ４とが第２方向ｙに並んでいる。第１平衡端子Ｔ３は、不平衡端子Ｔ１に対して第３方向ｘの一方側に位置し、第２平衡端子Ｔ４は、接地端子Ｔ２に対して第３方向ｘの一方側に位置する。そして、第１インダクタＬ１および第２インダクタＬ２は、第２方向ｙに並んでいる。不平衡端子Ｔ１、接地端子Ｔ２、第１平衡端子Ｔ３および第２平衡端子Ｔ４がこのように配置されている場合、不平衡端子Ｔ１、接地端子Ｔ２、第１平衡端子Ｔ３、第２平衡端子Ｔ４、第１インダクタＬ１、第２インダクタＬ２、第１キャパシタＣ１および第２キャパシタＣ２を電気的に接続する配線が、平面視において交差する部分が生じる。このような配線の交差によって、平衡信号（２つの信号）の位相差が１８０度からずれることがあった。このような平衡信号の位相差のずれに対して、本願発明者の研究によれば、第１インダクタＬ１と第２インダクタＬ２との第３方向ｘにおける相対的な位置関係をずらすことで、平衡信号の位相差のずれを抑制できるとの知見を得た。そこで、平衡不平衡変換素子Ａ１０では、第１インダクタＬ１の平面視における第１中心Ｐ１は、第２インダクタＬ２の平面視における第２中心Ｐ２よりも第３方向ｘの他方側にずれている。これにより、平衡不平衡変換素子Ａ１０は、位相特性を１８０度に近づけることができるので、位相特性を良好にできる。
【0057】
平衡不平衡変換素子Ａ１０では、第１中心Ｐ１と第２中心Ｐ２との第３方向ｘに沿う距離ｄｘは、第１インダクタＬ１の第３方向ｘの第１寸法Ｗ１（または第２インダクタＬ２の第３方向ｘの第２寸法Ｗ２）に対して０％よりも大きく１０％以下である。本願発明者の先述の研究によれば、第１インダクタＬ１の平面視における第１中心Ｐ１と、第２インダクタＬ２の平面視における第２中心Ｐ２との、第３方向ｘに沿う距離ｄｘを大きくした方が、位相特性を１８０度に近づくとの知見を得た。一方で、第３方向ｘに沿う距離ｄｘが大きいと、平衡不平衡変換素子Ａ１０の第３方向ｘの寸法の増大化を招く。そこで、平衡不平衡変換素子Ａ１０では、距離ｄｘを、第１寸法Ｗ１（または第２寸法Ｗ２）に対して、先述の範囲（０％よりも大きく１０％以下）内とすることで、平衡不平衡変換素子Ａ１０の第３方向ｘの寸法を大きくすることなく、距離ｄｘを適度な大きさにできる。つまり、平衡不平衡変換素子Ａ１０は、平衡不平衡変換素子Ａ１０の第３方向ｘの寸法の増大化を抑制しつつ、位相特性を良好にできる。
【0058】
平衡不平衡変換素子Ａ１０では、平面視において、第１中心Ｐ１は、仮想線Ｍ１に対して、第３方向ｘの他方側に位置し、また、平面視において、第２中心Ｐ２は、仮想線Ｍ１に対して、第３方向ｘの一方側に位置する。この構成によると、第１中心Ｐ１または第２中心Ｐ２のいずれか一方を、仮想線Ｍ１から第３方向ｘにずらす場合よりも、平衡不平衡変換素子Ａ１０の第３方向ｘの寸法を大きくすることなく、距離ｄｘを大きくすることができる。つまり、平衡不平衡変換素子Ａ１０は、平衡不平衡変換素子Ａ１０の第３方向ｘの寸法の増大化を抑制しつつ、位相特性を良好にできる。特に、平衡不平衡変換素子Ａ１０では、平面視における第１中心Ｐ１と仮想線Ｍ１との第３方向ｘに沿う距離ｄｘ１と、平面視における第２中心Ｐ２と仮想線Ｍ１との第３方向ｘに沿う距離ｄｘ２とが同じである。このように、２つの距離ｄｘ１，ｄｘ２が同じ場合には、２つの距離ｄｘ１，ｄｘ２が異なる場合に比べて、平衡不平衡変換素子Ａ１０の第３方向ｘの寸法を大きくすることなく、距離ｄｘを大きくすることができる。
【0059】
以下に、本開示の平衡不平衡変換素子の他の実施形態および変形例について、説明する。なお、各実施形態および各変形例における各部の構成は、技術的な矛盾が生じない範囲において相互に組み合わせ可能である。
【0060】
上記第１実施形態では、第１中心Ｐ１および第２中心Ｐ２が、平面視において、仮想線Ｍ１に対して、第３方向ｘにずれた例を示したが、第１中心Ｐ１または第２中心Ｐ２のいずれか一方が、平面視において、仮想線Ｍ１に重なっていてもよい。たとえば、図２１は、このような変形例にかかる平衡不平衡変換素子Ａ１１を示している。図２１に示す平衡不平衡変換素子Ａ１１は、平面視において、第１中心Ｐ１が仮想線Ｍ１に重なる（すなわち仮想線Ｍ１上に位置する）。一方で、平衡不平衡変換素子Ａ１１の第２中心Ｐ２は、平衡不平衡変換素子Ａ１０と同様に、仮想線Ｍ１に対して第３方向ｘの一方側に位置する。図２１に示す平衡不平衡変換素子Ａ１１であっても、第１中心Ｐ１と第２中心Ｐ２とが第３方向ｘにずれているので、平衡不平衡変換素子Ａ１０と同様に、位相特性を良好にできる。なお、図２１では、第１中心Ｐ１が仮想線Ｍ１に重なる構成を示したが、第２中心Ｐ２が仮想線Ｍ１に重なり、且つ、第１中心Ｐ１が仮想線Ｍ１に対して第３方向ｘの一方側（または他方側）に位置する構成であってもよい。
【0061】
上記第１実施形態では、第１中心Ｐ１が、仮想線Ｍ１に対して、第３方向ｘの他方側に位置し、且つ、第２中心Ｐ２が仮想線Ｍ１に対して第３方向ｘの一方側に位置する例を示したが、反対に、第１中心Ｐ１が、仮想線Ｍ１に対して、第３方向ｘの一方側に位置し、且つ、第２中心Ｐ２が、仮想線Ｍ１に対して、第３方向ｘの他方側に位置する構成であってもよい。あるいは、第１中心Ｐ１および第２中心Ｐ２の両方が、仮想線Ｍ１に対して、第３方向ｘの一方側または他方側のいずれかに位置してもよい。ただし、このように、第１中心Ｐ１および第２中心Ｐ２の両方を仮想線Ｍ１に対して第３方向ｘの一方側（または他方側）にずらす場合には、上記２つの距離ｄｘ１，ｄｘ２を互いに異なる値にする必要がある。
【0062】
上記第１実施形態では、不平衡端子Ｔ１、接地端子Ｔ２、第１平衡端子Ｔ３および第２平衡端子Ｔ４が、主面２０１の四隅にそれぞれ重なる例を示したが、不平衡端子Ｔ１、接地端子Ｔ２、第１平衡端子Ｔ３および第２平衡端子Ｔ４は、平面視において、主面２０１の四隅に重なっていなくてもよい。たとえば、図２２は、このような変形例にかかる平衡不平衡変換素子Ａ１２を示している。図２２に示す平衡不平衡変換素子Ａ１２は、不平衡端子Ｔ１、接地端子Ｔ２、第１平衡端子Ｔ３および第２平衡端子Ｔ４は、平面視において、主面２０１の四隅よりも少し内方に配置されている。つまり、平面視において、不平衡端子Ｔ１は、２つの側面２０３，２０６が交差する角に重ならない。平面視において、接地端子Ｔ２は、２つの側面２０３，２０５が交差する角に重ならない。平面視において、第１平衡端子Ｔ３は、２つの側面２０４，２０６が交差する角に重ならない。平面視において、第２平衡端子Ｔ４は、２つの側面２０４，２０５が交差する角に重ならない。図２２に示す平衡不平衡変換素子Ａ１２であっても、第１中心Ｐ１と第２中心Ｐ２とが第３方向ｘにずれているので、平衡不平衡変換素子Ａ１０と同様の効果を奏する。
【0063】
＜第２実施形態＞
図２３は、第２実施形態にかかる平衡不平衡変換素子Ａ２０を示している。平衡不平衡変換素子Ａ２０は、平衡不平衡変換素子Ａ１０と比較して、次の点で異なる。すなわち、図２３に示すように、不平衡端子Ｔ１と第１平衡端子Ｔ３との対称軸（後述の仮想線Ｍ１３）と、接地端子Ｔ２と第２平衡端子Ｔ４との対称軸（後述の仮想線Ｍ２４）とが、異なる。
図２３は、第２実施形態にかかる平衡不平衡変換素子Ａ２０を示している。平衡不平衡変換素子Ａ２０は、平衡不平衡変換素子Ａ１０と比較して、次の点で異なる。すなわち、図２３に示すように、不平衡端子Ｔ１と第１平衡端子Ｔ３との対称軸（後述の仮想線Ｍ１３）と、接地端子Ｔ２と第２平衡端子Ｔ４との対称軸（後述の仮想線Ｍ２４）とが、異なる。
【0064】
図２３に示すように、平衡不平衡変換素子Ａ２０では、不平衡端子Ｔ１と第１平衡端子Ｔ３とは、第２方向ｙに延びる仮想線Ｍ１３を対称軸として、線対称に配置される。仮想線Ｍ１３は、封止部材２の第３方向ｘ中央を示す仮想線Ｍ３に対して、第３方向ｘの他方側（図２３における左側）に位置する。また、接地端子Ｔ２と第２平衡端子Ｔ４とは、第２方向ｙに延びる仮想線Ｍ２４を対称軸として、線対称に配置される。仮想線Ｍ２４は、封止部材２の第３方向ｘ中央を示す仮想線Ｍ３に対して、第３方向ｘの一方側（図２３における右側）に位置する。図２３に示すように、２つの仮想線Ｍ１３，Ｍ２４は、第３方向ｘにずれている。つまり、上述したように、不平衡端子Ｔ１と第１平衡端子Ｔ３との対称軸（仮想線Ｍ１３）と、接地端子Ｔ２と第２平衡端子Ｔ４との対称軸（仮想線Ｍ２４）とは、異なる。
【0065】
また、平衡不平衡変換素子Ａ２０では、第１インダクタＬ１の第１中心Ｐ１は、平面視において、仮想線Ｍ１３に重なる（すなわち仮想線Ｍ１３上に位置する）。また、第２インダクタＬ２の第２中心Ｐ２は、平面視において、仮想線Ｍ２４に重なる（すなわち仮想線Ｍ２４上に位置する）。このように、第１中心Ｐ１が仮想線Ｍ１３上に位置し、第２中心Ｐ２が仮想線Ｍ２４上に位置していても、上述の通り、２つの仮想線Ｍ１３，Ｍ２４は、第３方向ｘにずれていることから、第１中心Ｐ１と第２中心Ｐ２とは、第３方向ｘにずれる。
【0066】
平衡不平衡変換素子Ａ２０では、接地端子Ｔ２は、第３方向ｘにおいて、不平衡端子Ｔ１よりも第３方向ｘの一方側にずれている。また、第２平衡端子Ｔ４は、第３方向ｘにおいて、第１平衡端子Ｔ３よりも第３方向ｘの一方側にずれている。このように、平衡不平衡変換素子Ａ２０では、不平衡端子Ｔ１、接地端子Ｔ２、第１平衡端子Ｔ３および第２平衡端子Ｔ４の相対的な位置関係が、平衡不平衡変換素子Ａ１０と異なっている。
【0067】
平衡不平衡変換素子Ａ２０においても、平衡不平衡変換素子Ａ１０と同様に、第１インダクタＬ１の平面視における第１中心Ｐ１が、第２インダクタＬ２の平面視における第２中心Ｐ２に対して第３方向ｘにずれているので、位相特性を良好にできる。その他、平衡不平衡変換素子Ａ２０は、平衡不平衡変換素子Ａ１０と共通する構成により、各平衡不平衡変換素子Ａ１０と同様の効果を奏する。
【0068】
＜第３実施形態＞
図２４～図２６は、第３実施形態にかかる平衡不平衡変換素子Ａ３０を示している。平衡不平衡変換素子Ａ３０は、平衡不平衡変換素子Ａ１０と比較して、次の点で異なる。すなわち、図２４～図２６から理解されるように、不平衡端子Ｔ１、接地端子Ｔ２、第１平衡端子Ｔ３および第２平衡端子Ｔ４は、主面２０１から複数の側面２０３～２０６のいずれかに跨って形成されている。
図２４～図２６は、第３実施形態にかかる平衡不平衡変換素子Ａ３０を示している。平衡不平衡変換素子Ａ３０は、平衡不平衡変換素子Ａ１０と比較して、次の点で異なる。すなわち、図２４～図２６から理解されるように、不平衡端子Ｔ１、接地端子Ｔ２、第１平衡端子Ｔ３および第２平衡端子Ｔ４は、主面２０１から複数の側面２０３～２０６のいずれかに跨って形成されている。
【0069】
平衡不平衡変換素子Ａ３０では、封止部材２の複数の側面２０３～２０６はそれぞれ、平坦ではなく、段差がある。図２４に示すように、第１絶縁層２１の複数の第１側面２１３～２１６および第２絶縁層２２の複数の第２側面２２３～２２６は、第３絶縁層２３の複数の第３側面２３３～２３６からそれぞれ、平面視において絶縁基板１の内方に配置されている。
【0070】
図２４～図２６に示す例では、不平衡端子Ｔ１は、主面２０１の一部を覆いつつ、第１側面２１３および第２側面２２３の一部ずつと、第１側面２１６および第２側面２２６の一部ずつとを覆う。図２４に示すように、接地端子Ｔ２は、主面２０１の一部を覆いつつ、第１側面２１３および第２側面２２３の一部ずつと、第１側面２１５および第２側面２２６の一部ずつとを覆う。図２４および図２５に示すように、第１平衡端子Ｔ３は、主面２０１の一部を覆いつつ、第１側面２１４および第２側面２２４の一部ずつと、第１側面２１６および第２側面２２６の一部ずつとを覆う。図２４および図２６に示すように、第２平衡端子Ｔ４は、主面２０１の一部を覆いつつ、第１側面２１４および第２側面２２４の一部ずつと、第１側面２１５および第２側面２２５の一部ずつとを覆う。なお、不平衡端子Ｔ１、接地端子Ｔ２、第１平衡端子Ｔ３および第２平衡端子Ｔ４は、複数の第２側面２２３～２２６のいずれも覆っていなくてもよい。
【0071】
以上のような平衡不平衡変換素子Ａ３０は、上述の平衡不平衡変換素子Ａ１０の製造方法において、第１絶縁層２１、第２絶縁層２２および第３絶縁層２３の形成範囲および不平衡端子Ｔ１、接地端子Ｔ２、第１平衡端子Ｔ３および第２平衡端子Ｔ４の形成範囲を適宜調整することで形成される。
【0072】
平衡不平衡変換素子Ａ３０においても、平衡不平衡変換素子Ａ１０と同様に、第１インダクタＬ１の平面視における第１中心Ｐ１が、第２インダクタＬ２の平面視における第２中心Ｐ２に対して第３方向ｘにずれているので、位相特性を良好にできる。その他、平衡不平衡変換素子Ａ３０は、各平衡不平衡変換素子Ａ１０，Ａ２０と共通する構成により、各平衡不平衡変換素子Ａ１０，Ａ２０と同様の効果を奏する。
【0073】
平衡不平衡変換素子Ａ３０では、不平衡端子Ｔ１、接地端子Ｔ２、第１平衡端子Ｔ３および第２平衡端子Ｔ４はそれぞれ、封止部材２の側方にも形成される。この構成によれば、平衡不平衡変換素子Ａ３０を電子機器などの回路基板に実装した際、不平衡端子Ｔ１、接地端子Ｔ２、第１平衡端子Ｔ３および第２平衡端子Ｔ４と、当該回路基板に実装するための導電性接合材（たとえばはんだまたは焼結金属）との接触面積を、平衡不平衡変換素子Ａ１０を用いる場合よりも、大きくできる。これにより、平衡不平衡変換素子Ａ３０は、平衡不平衡変換素子Ａ１０よりも、回路基板への接合強度を高めることができる。さらに、平衡不平衡変換素子Ａ３０では、電子機器などの回路基板に実装した際、当該回路基板に実装するための導電性接合材にフィレットが形成されるので、外観目視が容易となる。
【0074】
上記第３実施形態では、複数の側面２０３～２０６は、第１方向ｚにおける第２絶縁層２２と第３絶縁層２３との境界部分に段差がある例を示したが、第１方向ｚにおける第１絶縁層２１と第２絶縁層２２との境界部分に段差があってもよい。この場合、複数の第２側面２２３～２２６は、不平衡端子Ｔ１、接地端子Ｔ２、第１平衡端子Ｔ３、第２平衡端子Ｔ４のいずれにも覆われない。
【0075】
上記第３実施形態では、複数の側面２０３～２０６に段差がある例を示したが、複数の側面２０３～２０６のいずれにも段差はなく、第１方向ｚにおける封止部材２と絶縁基板１との境界部分に段差があってもよい。
【0076】
本開示にかかる平衡不平衡変換素子は、上記した実施形態に限定されるものではない。本開示の平衡不平衡変換素子の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。たとえば、本開示の平衡不平衡変換素子は、以下の付記に関する実施形態を含む。
付記１．
各々が第１方向に直交する平面に沿って巻回された第１インダクタおよび第２インダクタと、
第１キャパシタおよび第２キャパシタと、
前記第１インダクタおよび前記第１キャパシタに導通する不平衡端子と、
前記第２インダクタおよび前記第２キャパシタに導通する接地端子と、
前記第１インダクタおよび前記第２キャパシタに導通する第１平衡端子と、
前記第２インダクタおよび前記第１キャパシタに導通する第２平衡端子と、
を備え、
前記第１インダクタおよび前記第２インダクタは、前記第１方向に直交する第２方向に並んでおり、
前記不平衡端子および前記接地端子は、前記第２方向に並んでおり、
前記第１平衡端子および前記第２平衡端子は、前記第２方向に並んでおり、
前記第１平衡端子は、前記不平衡端子に対して、前記第１方向および前記第２方向に直交する第３方向の一方側に位置し、
前記第２平衡端子は、前記接地端子に対して、前記第３方向の一方側に位置し、
前記第１インダクタの前記第１方向に見た第１中心は、前記第２インダクタの前記第１方向に見た第２中心よりも前記第３方向の他方側にずれている、平衡不平衡変換素子。
付記２．
前記不平衡端子と前記第１平衡端子とは、前記第１方向に見て、前記第２方向に延びる仮想線を対称軸として、線対称となるようにされ、
前記接地端子と前記第２平衡端子とは、前記第１方向に見て、前記仮想線を対称軸として、線対称となるように配置される、付記１に記載の平衡不平衡変換素子。
付記３．
前記第１方向に見て、前記第１中心は、前記仮想線に対して、前記第３方向の他方側に位置し、
前記第１方向に見て、前記第２中心は、前記仮想線に対して、前記第３方向の一方側に位置する、付記２に記載の平衡不平衡変換素子。
付記４．
前記第１方向に見た前記第１中心と前記仮想線との前記第３方向に沿う距離と、前記第１方向に見た前記第２中心と前記仮想線との前記第３方向に沿う距離とは、同じである、付記３に記載の平衡不平衡変換素子。
付記５．
前記第１インダクタおよび前記第２インダクタを覆う封止部材をさらに備え、
前記封止部材は、前記第１方向の一方を向く主面および前記第１方向の他方を向く裏面を有し、
前記不平衡端子、前記接地端子、前記第１平衡端子および前記第２平衡端子は、前記主面に形成されている、付記２ないし付記４のいずれかに記載の平衡不平衡変換素子。
付記６．
前記第１方向に見て、前記仮想線は、前記封止部材の前記第３方向の中央に重なる、付記５に記載の平衡不平衡変換素子。
付記７．
前記主面は、前記第１方向に見て、矩形状であり、
前記不平衡端子、前記接地端子、前記第１平衡端子および前記第２平衡端子は、前記主面の四隅に配置されている、付記５または付記６に記載の平衡不平衡変換素子。
付記８．
前記封止部材に覆われた第１配線部をさらに備え、
前記第１配線部は、前記不平衡端子と、前記第１インダクタおよび前記第１キャパシタとに接続される、付記５ないし付記７のいずれかに記載の平衡不平衡変換素子。
付記９．
前記封止部材に覆われた第２配線部をさらに備え、
前記第２配線部は、前記接地端子と、前記第２インダクタおよび前記第１キャパシタとに接続される、付記８に記載の平衡不平衡変換素子。
付記１０．
前記封止部材に覆われた第３配線部をさらに備え、
前記第３配線部は、前記第１平衡端子と、前記第１インダクタおよび前記第２キャパシタとに接続される、付記９に記載の平衡不平衡変換素子。
付記１１．
前記封止部材に覆われた第４配線部をさらに備え、
前記第４配線部は、前記第２平衡端子と、前記第２インダクタおよび前記第２キャパシタとに接続される、付記１０に記載の平衡不平衡変換素子。
付記１２．
前記封止部材は、前記第１方向に積層された第１絶縁層、第２絶縁層および第３絶縁層を含み、
前記第２絶縁層は、前記第１絶縁層および前記第３絶縁層に挟まれ、
前記第１インダクタおよび前記第２インダクタは、前記第２絶縁層に形成されている、付記５ないし付記１１のいずれかに記載の平衡不平衡変換素子。
付記１３．
前記封止部材に対して前記第１方向の他方側に配置された絶縁基板をさらに備え、
前記第１キャパシタおよび前記第２キャパシタは、前記第１方向において、前記絶縁基板と前記封止部材とに挟まれている、付記５ないし付記１２のいずれかに記載の平衡不平衡変換素子。
付記１４．
前記第１インダクタは、前記第１方向に見て、前記不平衡端子および前記第１平衡端子に重なり、
前記第２インダクタは、前記第１方向に見て、前記接地端子および前記第２平衡端子に重なる、付記１ないし付記１３のいずれかに記載の平衡不平衡変換素子。
付記１５．
前記第１インダクタの前記第１方向に見た前記第３方向の第１寸法と、前記第２インダクタの前記第２方向に見た前記第３方向の第２寸法とは、同じである、付記１ないし付記１４のいずれかに記載の平衡不平衡変換素子。
付記１６．
前記第１中心と前記第２中心との前記第３方向に沿う距離は、前記第１寸法に対して０％よりも大きく１０％以下である、付記１５に記載の平衡不平衡変換素子。
付記１．
各々が第１方向に直交する平面に沿って巻回された第１インダクタおよび第２インダクタと、
第１キャパシタおよび第２キャパシタと、
前記第１インダクタおよび前記第１キャパシタに導通する不平衡端子と、
前記第２インダクタおよび前記第２キャパシタに導通する接地端子と、
前記第１インダクタおよび前記第２キャパシタに導通する第１平衡端子と、
前記第２インダクタおよび前記第１キャパシタに導通する第２平衡端子と、
を備え、
前記第１インダクタおよび前記第２インダクタは、前記第１方向に直交する第２方向に並んでおり、
前記不平衡端子および前記接地端子は、前記第２方向に並んでおり、
前記第１平衡端子および前記第２平衡端子は、前記第２方向に並んでおり、
前記第１平衡端子は、前記不平衡端子に対して、前記第１方向および前記第２方向に直交する第３方向の一方側に位置し、
前記第２平衡端子は、前記接地端子に対して、前記第３方向の一方側に位置し、
前記第１インダクタの前記第１方向に見た第１中心は、前記第２インダクタの前記第１方向に見た第２中心よりも前記第３方向の他方側にずれている、平衡不平衡変換素子。
付記２．
前記不平衡端子と前記第１平衡端子とは、前記第１方向に見て、前記第２方向に延びる仮想線を対称軸として、線対称となるようにされ、
前記接地端子と前記第２平衡端子とは、前記第１方向に見て、前記仮想線を対称軸として、線対称となるように配置される、付記１に記載の平衡不平衡変換素子。
付記３．
前記第１方向に見て、前記第１中心は、前記仮想線に対して、前記第３方向の他方側に位置し、
前記第１方向に見て、前記第２中心は、前記仮想線に対して、前記第３方向の一方側に位置する、付記２に記載の平衡不平衡変換素子。
付記４．
前記第１方向に見た前記第１中心と前記仮想線との前記第３方向に沿う距離と、前記第１方向に見た前記第２中心と前記仮想線との前記第３方向に沿う距離とは、同じである、付記３に記載の平衡不平衡変換素子。
付記５．
前記第１インダクタおよび前記第２インダクタを覆う封止部材をさらに備え、
前記封止部材は、前記第１方向の一方を向く主面および前記第１方向の他方を向く裏面を有し、
前記不平衡端子、前記接地端子、前記第１平衡端子および前記第２平衡端子は、前記主面に形成されている、付記２ないし付記４のいずれかに記載の平衡不平衡変換素子。
付記６．
前記第１方向に見て、前記仮想線は、前記封止部材の前記第３方向の中央に重なる、付記５に記載の平衡不平衡変換素子。
付記７．
前記主面は、前記第１方向に見て、矩形状であり、
前記不平衡端子、前記接地端子、前記第１平衡端子および前記第２平衡端子は、前記主面の四隅に配置されている、付記５または付記６に記載の平衡不平衡変換素子。
付記８．
前記封止部材に覆われた第１配線部をさらに備え、
前記第１配線部は、前記不平衡端子と、前記第１インダクタおよび前記第１キャパシタとに接続される、付記５ないし付記７のいずれかに記載の平衡不平衡変換素子。
付記９．
前記封止部材に覆われた第２配線部をさらに備え、
前記第２配線部は、前記接地端子と、前記第２インダクタおよび前記第１キャパシタとに接続される、付記８に記載の平衡不平衡変換素子。
付記１０．
前記封止部材に覆われた第３配線部をさらに備え、
前記第３配線部は、前記第１平衡端子と、前記第１インダクタおよび前記第２キャパシタとに接続される、付記９に記載の平衡不平衡変換素子。
付記１１．
前記封止部材に覆われた第４配線部をさらに備え、
前記第４配線部は、前記第２平衡端子と、前記第２インダクタおよび前記第２キャパシタとに接続される、付記１０に記載の平衡不平衡変換素子。
付記１２．
前記封止部材は、前記第１方向に積層された第１絶縁層、第２絶縁層および第３絶縁層を含み、
前記第２絶縁層は、前記第１絶縁層および前記第３絶縁層に挟まれ、
前記第１インダクタおよび前記第２インダクタは、前記第２絶縁層に形成されている、付記５ないし付記１１のいずれかに記載の平衡不平衡変換素子。
付記１３．
前記封止部材に対して前記第１方向の他方側に配置された絶縁基板をさらに備え、
前記第１キャパシタおよび前記第２キャパシタは、前記第１方向において、前記絶縁基板と前記封止部材とに挟まれている、付記５ないし付記１２のいずれかに記載の平衡不平衡変換素子。
付記１４．
前記第１インダクタは、前記第１方向に見て、前記不平衡端子および前記第１平衡端子に重なり、
前記第２インダクタは、前記第１方向に見て、前記接地端子および前記第２平衡端子に重なる、付記１ないし付記１３のいずれかに記載の平衡不平衡変換素子。
付記１５．
前記第１インダクタの前記第１方向に見た前記第３方向の第１寸法と、前記第２インダクタの前記第２方向に見た前記第３方向の第２寸法とは、同じである、付記１ないし付記１４のいずれかに記載の平衡不平衡変換素子。
付記１６．
前記第１中心と前記第２中心との前記第３方向に沿う距離は、前記第１寸法に対して０％よりも大きく１０％以下である、付記１５に記載の平衡不平衡変換素子。
【符号の説明】
【0077】
Ａ１０，Ａ１１，Ａ１２，Ａ２０，Ａ３０：平衡不平衡変換素子
１ ：絶縁基板
１１ ：基板主面
１２ ：基板裏面
１３１，１３２，１３３，１３４：基板側面
２ ：封止部材
２０１ ：主面
２０２ ：裏面
２０３，２０４，２０５，２０６：側面
２１ ：第１絶縁層
２１１ ：第１主面
２１２ ：第１裏面
２１３，２１４，２１５，２１６：第１側面
２２ ：第２絶縁層
２２１ ：第２主面
２２２ ：第２裏面
２２３，２２４，２２５，２２６：第２側面
２３ ：第３絶縁層
２３１ ：第３主面
２３２ ：第３裏面
２３３，２３４，２３５，２３６：第３側面
３１，３２：金属層
３３ ：絶縁体層
３４ ：接続配線
５１ ：第１配線部
５１１，５１２，５１３：接続部
５２ ：第２配線部
５２１，５２２，５２３：接続部
５３ ：第３配線部
５３１，５３２，５３３：接続部
５４ ：第４配線部
５４１，５４２，５４３：接続部
Ｃ１ ：第１キャパシタ
Ｃ２ ：第２キャパシタ
Ｌ１ ：第１インダクタ
Ｌ２ ：第２インダクタ
Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ１３，Ｍ２４：仮想線
Ｐ１ ：第１中心
Ｐ２ ：第２中心
Ｔ１ ：不平衡端子
Ｔ２ ：接地端子
Ｔ３ ：第１平衡端子
Ｔ４ ：第２平衡端子
１ ：絶縁基板
１１ ：基板主面
１２ ：基板裏面
１３１，１３２，１３３，１３４：基板側面
２ ：封止部材
２０１ ：主面
２０２ ：裏面
２０３，２０４，２０５，２０６：側面
２１ ：第１絶縁層
２１１ ：第１主面
２１２ ：第１裏面
２１３，２１４，２１５，２１６：第１側面
２２ ：第２絶縁層
２２１ ：第２主面
２２２ ：第２裏面
２２３，２２４，２２５，２２６：第２側面
２３ ：第３絶縁層
２３１ ：第３主面
２３２ ：第３裏面
２３３，２３４，２３５，２３６：第３側面
３１，３２：金属層
３３ ：絶縁体層
３４ ：接続配線
５１ ：第１配線部
５１１，５１２，５１３：接続部
５２ ：第２配線部
５２１，５２２，５２３：接続部
５３ ：第３配線部
５３１，５３２，５３３：接続部
５４ ：第４配線部
５４１，５４２，５４３：接続部
Ｃ１ ：第１キャパシタ
Ｃ２ ：第２キャパシタ
Ｌ１ ：第１インダクタ
Ｌ２ ：第２インダクタ
Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ１３，Ｍ２４：仮想線
Ｐ１ ：第１中心
Ｐ２ ：第２中心
Ｔ１ ：不平衡端子
Ｔ２ ：接地端子
Ｔ３ ：第１平衡端子
Ｔ４ ：第２平衡端子
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】