特開 2023-114835 ペルチェモジュール

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023114835

(43)【公開日】2023-08-18

(54)【発明の名称】ペルチェモジュール

(51)【国際特許分類】

   H10N 10/17 20230101AFI20230810BHJP

   H02N 11/00 20060101ALI20230810BHJP

【ＦＩ】

H01L35/32 Z

H02N11/00 A

【審査請求】未請求

【請求項の数】9

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022017373

(22)【出願日】2022-02-07

(71)【出願人】

【識別番号】590000835

【氏名又は名称】株式会社ＫＥＬＫ

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】白幡 智史

(57)【要約】

【課題】生産性を向上すること。
【解決手段】ペルチェモジュール１０は、向かい合って配置された一対の基板と、前記一対の基板との間に配置された複数の熱電素子と、前記熱電素子を接続する電極と、を備え、前記一対の基板のうちの一方の基板は、他方の基板に対して少なくとも一方向において長さの差分を有する。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

光通信に用いられるペルチェモジュールであって、
向かい合って配置された一対の基板と、
前記一対の基板との間に配置された複数の熱電素子と、
前記熱電素子を接続する電極と、
を備え、
前記一対の基板のうちの一方の基板は、他方の基板に対して少なくとも一方向において長さの差分を有する、
ペルチェモジュール。

【請求項2】

前記差分は、０μｍより大きい、
請求項１に記載のペルチェモジュール。

【請求項3】

前記差分は、５０μｍより大きい、
請求項２に記載のペルチェモジュール。

【請求項4】

前記差分は、１００μｍより大きい、
請求項２に記載のペルチェモジュール。

【請求項5】

前記他方の基板の面積は、前記一方の基板の面積の０．８倍以上である、
請求項１に記載のペルチェモジュール。

【請求項6】

前記他方の基板の面積は、前記一方の基板の面積の０．９倍以上である、
請求項５に記載のペルチェモジュール。

【請求項7】

前記他方の基板の面積は、前記一方の基板の面積の０．９５倍以上である、
請求項５に記載のペルチェモジュール。

【請求項8】

前記一対の基板のうち下方に配置された基板は、上方に配置された基板に対して少なくとも一方向において３００μｍ以上外側に張り出した張出部、
を備え、
前記張出部には、電力供給用の電極引き出し部である端部電極が配置されている、
請求項１から７のいずれか１項に記載のペルチェモジュール。

【請求項9】

前記一対の基板のうち上方に配置された基板は、切り欠き部、
を備え、
前記切り欠き部には、電力供給用の電極引き出し部である端部電極が配置されている、
請求項１から７のいずれか１項に記載のペルチェモジュール。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、ペルチェモジュールに関する。

【背景技術】

【0002】

向かい合って配置された一対の基板と、一対の基板との間に配置された複数の熱電素子と、熱電素子を接続する電極とを備えた、ペルチェモジュールに関する技術が知られている（例えば、特許文献１参照。）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】国際公開第２０１７／０１０５７０号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

光通信装置の温調用としてペルチェモジュールが用いられている。光通信の大容量化に伴って、光通信装置の小型化が強く要求されている。光通信装置を小型化するには、ケースも小型化する必要がある。上下の基板が同一形状で各辺の長さがそろったペルチェモジュールを組み立てる場合、一方の基板と端面が合うように他方の基板を貼り合わせる。ところが、貼り合わせに用いる装置の精度や作業者の技量に依存して位置がずれて上下の基板が貼り合わされるおそれがある。この場合、位置がずれた分だけペルチェモジュールの外形が大きくなる。このため、ペルチェモジュールを格納する容器のペルチェモジュールを搭載する空間は、上下の基板の位置のずれを考慮して大きく設計される必要があり、容器が大きくなってしまう。

【0005】

また、上下の基板のずれを低減するためには、位置決め治具等により基板を固定しながら基板を貼り合わせる方法等が考えられるが、装置や手順が煩雑になり、生産性が低下するおそれがある。

【0006】

本開示は、生産性を向上することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本開示に従えば、向かい合って配置された一対の基板と、前記一対の基板との間に配置された複数の熱電素子と、前記熱電素子を接続する電極と、を備え、前記一対の基板のうちの一方の基板は、他方の基板に対して少なくとも一方向において長さの差分を有する、ペルチェモジュールが提供される。

【発明の効果】

【0008】

本開示によれば、生産性を向上することができる。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】図１は、第１実施形態に係る光通信装置を模式的に示す平面図である。

【図2】図２は、第１実施形態に係る光通信装置を模式的に示す断面図である。

【図3】図３は、第１実施形態に係るペルチェモジュールの第１基板を模式的に示す平面図であり、上方から見た図である。

【図4】図４は、第１実施形態に係るペルチェモジュールの第２基板を模式的に示す平面図であり、下方から見た図である。

【図5】図５は、第１実施形態に係るペルチェモジュールの第１基板及び第２基板を模式的に示す平面図である。

【図6】図６は、第１実施形態に係るペルチェモジュールの第１基板及び第２基板を模式的に示す断面図である。

【図7】図７は、第１実施形態に係るペルチェモジュールの第１基板及び第２基板を模式的に示す平面図である。

【図8】図８は、第１実施形態に係るペルチェモジュールの第１基板及び第２基板を模式的に示す断面図である。

【図9】図９は、変形例１に係るペルチェモジュールの第１基板及び第２基板を模式的に示す平面図である。

【図10】図１０は、変形例２に係るペルチェモジュールの第１基板及び第２基板を模式的に示す平面図である。

【図11】図１１は、変形例３に係るペルチェモジュールの第１基板及び第２基板を模式的に示す平面図である。

【図12】図１２は、変形例４に係るペルチェモジュールの第１基板及び第２基板を模式的に示す平面図である。

【図13】図１３は、変形例５に係るペルチェモジュールの第１基板及び第２基板を模式的に示す平面図である。

【図14】図１４は、変形例６に係るペルチェモジュールの第１基板及び第２基板を模式的に示す平面図である。

【図15】図１５は、変形例６に係るペルチェモジュールの第１基板及び第２基板を模式的に示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

以下、本開示に係る実施形態について図面を参照しながら説明するが、本開示は実施形態に限定されない。以下で説明する複数の実施形態の構成要素は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。

【0011】

実施形態においては、「左」、「右」、「前」、「後」、「上」、及び「下」の用語を用いて各部の位置関係について説明する。これらの用語は、光通信装置１の中心を基準とした相対位置又は方向を示す。左右方向と前後方向と上下方向とは直交する。

【0012】

（第１実施形態）
［光通信装置］
図１は、第１実施形態に係る光通信装置を模式的に示す平面図である。図２は、第１実施形態に係る光通信装置を模式的に示す断面図である。

【0013】

図１、図２に示すように、光通信装置１は、ケース２と、ケース２の内部空間に配置されるペルチェモジュール１０とを備える。

【0014】

ケース２は、金属製である。ケース２は、蓋部２Ａと、蓋部２Ａと向かい合って配置された底部２Ｂと、蓋部２Ａと底部２Ｂとの間に配置された側壁部２Ｃとを有する。蓋部２Ａは、ケース２の上部の開口を覆うように配置される。ケース２の内部空間は、ペルチェモジュール１０の外形に応じて設計される。実施形態では、ケース２の内部空間は、ペルチェモジュール１０の第１基板１１及び第２基板１２のうち面積が大きい基板の外形に応じて設計される。ケース２の内部空間は、密閉される。ケース２の内部空間は、乾燥空気または不活性ガスで満たされる。不活性ガスは、例えば、アルゴンガス、窒素ガス、及びヘリウムガスである。ケース２の内部空間は、真空でもよい。ケース２の低部の下面は放熱面である。

【0015】

［ペルチェモジュール］
図２に示すように、ペルチェモジュール１０は、一対の基板である第１基板１１及び第２基板１２と、第１基板１１及び第２基板１２の間に配置される熱電変換素子２１とを備える。以下の説明に用いる各図における熱電変換素子２１、第１電極２２及び第２電極２３の配置は模式的に示すものである。

【0016】

ペルチェモジュール１０は、第１基板１１及び第２基板１２は、面積が異なる。ペルチェモジュール１０は、幅方向または全周について、第１基板１１が第２基板１２より小さい。または、ペルチェモジュール１０は、幅方向または全周について、第２基板１２が第１基板１１より小さい。実施形態では、全周について、第１基板１１が第２基板１２より小さいペルチェモジュール１０について説明する。

【0017】

図３は、第１実施形態に係るペルチェモジュールの第１基板を模式的に示す平面図であり、上方から見た図である。図４は、第１実施形態に係るペルチェモジュールの第２基板を模式的に示す平面図であり、下方から見た図である。第１基板１１及び第２基板１２は、電気絶縁材料によって形成される。図３、図４に示すように、第１基板１１及び第２基板１２は、熱電変換素子２１を挟んで向かい合って配置されている。実施形態において、第２基板１２は、第１基板１１よりも上方に配置される。第１基板１１及び第２基板１２は、板状に形成されている。実施形態において、第１基板１１及び第２基板１２は、矩形状に形成されている。

【0018】

図５は、第１実施形態に係るペルチェモジュールの第１基板及び第２基板を模式的に示す平面図である。実施形態では、第１基板１１が、一対の基板のうちの一方の基板であり、第２基板１２が、他方の基板である。第１基板１１は、第２基板１２に対して少なくとも一方向において長さの差分を有する。

【0019】

少なくとも一方向とは、第１基板１１及び第２基板１２の外形を規定する方向のうちのいずれかの１つの方向を含むことをいう。

【0020】

実施形態では、第１基板１１は、第２基板１２に比べて４辺の長さが短い。第２基板１２は、左右方向の辺の長さ及び前後方向の辺の長さが第１基板１１より短い。上下方向視における第２基板１２の面積は、第１基板１１の面積より広い。実施形態では、上下方向視において、第１基板１１は、全周において、第２基板１２より小さい。実施形態では、上下方向視において、第１基板１１の外縁部は、第２基板１２の外縁部より内側に位置する。第２基板１２と第１基板１１との左方における端部の差はｄ１である。第２基板１２と第１基板１１との右方における端部の差はｄ２である。第２基板１２と第１基板１１との後方における端部の差はｄ３である。第２基板１２と第１基板１１との前方における端部の差はｄ４である。第２基板１２及び第１基板１１の左右方向の辺の長さの差は、ｄ１＋ｄ２である。第２基板１２及び第１基板１１の前後方向の辺の長さの差は、ｄ３＋ｄ４である。

【0021】

第１基板１１及び第２基板１２の辺の長さの差分が大きいほど、吸収できる位置のずれは大きくなるため望ましい。第１基板１１及び第２基板１２の辺の長さの差分は、５０μｍより大きいことがより好ましく、1００μｍより大きい。第１基板１１及び第２基板１２の辺の長さの差分の上限は、規定されない。

【0022】

第１基板１１及び第２基板１２の辺の長さの差分は、隣接する第１電極２２の間隔、及び、隣接する第２電極２３の間隔の２倍より小さい。

【0023】

第１基板１１及び第２基板１２の辺の長さの差を大きくとる場合、熱電変換素子２１を搭載することが可能な面積（「素子搭載部面積」という。）が小さくなる。素子搭載面積は、は第１基板１１及び第２基板１２で挟まれた空間の断面積である。ペルチェモジュール１０の最大吸熱量は、ペルチェモジュール１０内の熱電変換素子２１の総断面積に比例するため、素子搭載部面積に対して近似的には比例する。したがって、辺の長さの差分を大きくした場合、ペルチェモジュール１０の最大吸熱量が低下するおそれがある。そのため、素子搭載部の面積は、辺の長さが大きい基板の面積の０．８倍以上、より好ましくは０．９倍以上、より好ましくは０．９５以上有することが望ましい。これにより、実施形態によれば、ペルチェモジュール１０の最大吸熱量の低下を抑えた上で外形精度の高いペルチェモジュール１０を提供することができる。

【0024】

図２に示すように、熱電変換素子２１は、第１基板１１の上面１１ａ側と第２基板１２の下面１２ａ側との間に１つ以上配置される。複数の熱電変換素子２１は、複数の第１電極２２及び第２電極２３によって接続される。

【0025】

熱電変換素子２１は、熱電材料によって形成される。熱電変換素子２１を形成する熱電材料として、マンガンケイ化物系化合物（Ｍｎ－Ｓｉ）、マグネシウムケイ化物系化合物（Ｍｇ－Ｓｉ－Ｓｎ）、スクッテルダイト系化合物（Ｃｏ－Ｓｂ）、ハーフホイスラ系化合物（Ｚｒ－Ｎｉ－Ｓｎ）、及びビスマステルル系化合物（Ｂｉ－Ｔｅ）が例示される。熱電変換素子２１は、マンガンケイ化物系化合物、マグネシウムケイ化物系化合物、スクッテルダイト系化合物、ハーフホイスラ系化合物、又はビスマステルル系化合物から選択される１つの化合物により構成されてもよいし、少なくとも２つの化合物の組み合わせにより構成されてもよい。

【0026】

熱電変換素子２１は、ｐ型素子２１Ｐと、ｎ型素子２１Ｎとを含む。ｐ型素子２１Ｐ及びｎ型素子２１Ｎは、所定面内に複数配置される。前後方向において、ｐ型素子２１Ｐとｎ型素子２１Ｎとは交互に配置される。左右方向において、ｐ型素子２１Ｐとｎ型素子２１Ｎとは交互に配置される。

【0027】

第１電極２２及び第２電極２３は、導電性を有する金属により形成される。第１電極２２は、第１基板１１と熱電変換素子２１との間に配置されている。第１電極２２及び第２電極２３は、熱電変換素子２１を接続する。第１電極２２は、第１基板１１の上面１１ａに設けられる。第１電極２２は、第１基板１１の上面１１ａと平行な所定面内において複数設けられる。第２電極２３は、第２基板１２と熱電変換素子２１との間に配置されている。第２電極２３は、第２基板１２の下面１２ａに設けられる。第２電極２３は、第２基板１２の下面１２ａと平行な所定面内において複数設けられる。

【0028】

第１電極２２及び第２電極２３は、隣接する一対のｐ型素子２１Ｐ及びｎ型素子２１Ｎのそれぞれに接続される。第１電極２２及び第２電極２３は、複数の熱電変換素子２１を直列に接続する。第１電極２２及び第２電極２３により複数の熱電変換素子２１が直列に接続された直列回路が形成される。ｐ型素子２１Ｐ及びｎ型素子２１Ｎが第１電極２２及び第２電極２３を介して電気的に接続されることにより、ｐｎ素子対が構成される。複数のｐｎ素子対が第１電極２２及び第２電極２３を介して直列に接続されることにより、複数の熱電変換素子２１を含む直列回路が構成される。

【0029】

熱電変換素子２１に電流が供給されることにより、ペルチェモジュール１０がペルチェ効果により吸熱又は発熱する。この効果を利用してペルチェモジュール１０上部に配置した光学部品１００を温調する。

【0030】

第１基板１１の下面は、ペルチェモジュール１０の放熱面である。第２基板１２の上面１２ｂは、ペルチェモジュール１０の温調面である。

【0031】

［光通信装置］
光通信装置は、ペルチェモジュール１０を用いて構成される。光通信装置は、ペルチェモジュール１０の第２基板１２の上面１２ｂに直接光学部品１００を実装する。図１、図２に示すように、光学部品１００は（なお、図面では光学部品は省略されている）、第２基板１２の上面１２ｂに配置されている。電極パターン１０１は、光学部品用の配線パターンである。貫通孔１０２は、スルーホールである。

【0032】

このように構成されたペルチェモジュール１０は、全周において、第１基板１１が第２基板１２より小さい。上下方向視において、第１基板１１の外縁部は、第２基板１２の外縁部より内側に位置する。

【0033】

［組み立て方法及び作用］
図６は、第１実施形態に係るペルチェモジュールの第１基板及び第２基板を模式的に示す断面図である。ここでは、ペルチェモジュール１０の組み立て方法のうち、第１基板１１及び第２基板１２の組み付け方法について説明する。第１基板１１には、第１電極２２及第２電極２３が設けられている。第１基板１１の上面１１ａには、第１電極２２が設けられている。第１電極２２の上面には、熱電変換素子２１が接続されている。第２基板１２の下面１２ａには、第２電極２３が設けられている。図６に示すように、第１基板１１が第２基板１２に対し上下方向視で内側に配置されるように位置合わせを行って、第１基板１１及び第２基板１２を貼り合わせる。

【0034】

より詳しくは、第１基板１１の上面１１ａを上方に向けて、第２基板１２の下面１２ａを下方に向けた状態で、第２基板１２を第１基板１１の上方から近づける。上下方向視において、第１基板１１の外縁部が、第２基板１２の外縁部からはみ出さないように、第１基板１１及び第２基板１２の位置を合わせる。位置合わせの際に、左右方向及び奥行き方向において所定範囲のずれが許容される。そして、第２基板１２に設けられた第２電極２３と、第１基板１１に第１電極２２を介して設けられた熱電変換素子２１とを接続する。

【0035】

図７は、第１実施形態に係るペルチェモジュールの第１基板及び第２基板を模式的に示す平面図である。図８は、第１実施形態に係るペルチェモジュールの第１基板及び第２基板を模式的に示す断面図である。図７、図８に示す例では、第２基板１２が第１基板１１に対して右方にずれている。第２基板１２の第１基板１１に対する位置のずれは、Ｌで示している。

【0036】

図７、図８に示すように、第２基板１２が第１基板１１に対してずれたとしても、位置のずれは、第１基板１１及び第２基板１２の辺の長さの差分により吸収される。これにより、上下方向視において、第１基板１１が第２基板１２からはみ出にくくなる。また、外形精度の向上したペルチェモジュール１０が提供される。

【0037】

第２基板１２が第１基板１１に対してずれたとしても、熱電変換素子２１は、接続されるべき適切な第２電極２３に接続され、意図しない第２電極２３には接触しない。

【0038】

［効果］
実施形態では、全周において、第１基板１１の各辺の長さが第２基板１２の各辺の長さより小さい。実施形態では、第１基板１１が第２基板１２に対し上下方向視で内側に配置されるように位置合わせを行い、第１基板１１及び第２基板１２を貼り合わせる。実施形態によれば、第１基板１１及び第２基板１２の差分だけ、第１基板１１及び第２基板１２の位置のずれを吸収することができる。このようにして、実施形態は、外形精度を向上したペルチェモジュール１０を提供することができる。

【0039】

さらに、実施形態によれば、外形精度の向上分だけペルチェモジュール１０を搭載する空間を小さくして光通信装置を設計することができる。実施形態によれば、ペルチェモジュール１０を搭載する光通信装置をより小型化することができる。このようにして、実施形態は、限られた空間に配設できる外形精度の向上したペルチェモジュール１０および限られた空間に配設できる光通信装置を提供することができる。

【0040】

これに対して、第１基板１１及び第２基板１２の各辺の長さが同じである場合について説明する。ペルチェモジュール１０を組み立てる際に、第１基板１１及び第２基板１２のすべての端面が合うように位置合わせを行いながら、一方の基板を他方の基板に近づけて貼り合わせる。これにより、貼り合わせに用いる装置の精度、または、作業者の技量に依存して、位置がずれた状態で第１基板１１及び第２基板１２が貼り合わされる。この場合、位置がずれた分だけペルチェモジュール１０の外形が大きくなる。

【0041】

実施形態に示すように、第２基板１２の上面１２ｂに電極パターンを有するペルチェモジュール１０を使用し、後工程において第２基板１２の上面１２ｂに直接光学部品１００を実装する光通信装置について説明する。実施形態によれば、第１基板１１を小さくすることにより、電極パターン１０１の位置が第１基板１１及び第２基板１２の位置のずれの影響を受けないようにできる。

【0042】

実施形態では、第１基板１１及び第２基板１２の辺の長さの差分が大きいほど吸収できるずれは大きくなるため望ましい。実施形態では、辺の差分は、５０μｍより大きいことがより好ましく、1００μｍより大きいことがさらに好ましい。また、実施形態では、辺の長さの差分を大きくした場合、ペルチェモジュール１０の最大吸熱量が低下するおそれがある。そのため、実施形態では、素子搭載部の面積は、辺の長さが大きい基板の面積の０．８倍以上、より好ましくは０．９倍以上、より好ましくは０．９５以上有することが望ましい。これらにより、実施形態によれば、ペルチェモジュール１０の最大吸熱量の低下を抑えた上で外形精度の高いペルチェモジュール１０を提供することができる。

【0043】

実施形態では、第１基板１１及び第２基板１２の辺の長さの差分は、隣接する第１電極２２の間隔、及び、隣接する第２電極２３の間隔より小さい。実施形態によれば、第１基板１１及び第２基板１２の位置がずれた場合でも、熱電変換素子２１が適切な第２電極２３に接続される位置にすることができる。

【0044】

特に、上側の基板である第２基板１２の上面１２ｂに電極パターン１０１を有するペルチェモジュール１０を使用し、後工程にて第２基板１２上に直接光学部品１００を実装する光通信装置については、下側の基板である第１基板１１を小さくすることでペルチェモジュール１０の外形に対する電極パターン１０１の位置が基板の貼り合わせのずれの影響を受けなくなる。これにより、電極パターン１０１はより正確に配置されることになるため、光学部品１００を精度よく配置することができ有用である。

【0045】

（変形例１）
図９は、変形例１に係るペルチェモジュールの第１基板及び第２基板を模式的に示す平面図である。図９に示すペルチェモジュール１０は、前後方向において、第１基板１１が第２基板１２より小さい。第２基板１２は、左右方向の辺の長さが第１基板１１と同じである。第２基板１２は、前後方向の辺の長さが第１基板１１より短い。第１基板１１及び第２基板１２は、左右方向の幅は同一である。第１基板１１及び第２基板１２は、前後方向の奥行が異なる。変形例１では、第１基板１１の奥行きが、第２基板１２の奥行より短い。変形例１では、第１基板１１及び第２基板１２の位置を合わせる際に、左右方向は端部の位置がずれないように位置を合わせる。第１基板１１及び第２基板１２の位置を合わせる際に、第２基板１２から第１基板１１が露出しない範囲において、奥行き方向に位置のずれを許容する。

【0046】

（変形例２）
図１０は、変形例２に係るペルチェモジュールの第１基板及び第２基板を模式的に示す平面図である。図１０に示すペルチェモジュール１０は、全周において、第１基板１１が第２基板１２より小さい。上下方向視において、第１基板１１の外縁部は、第２基板１２の外縁部より内側に位置する。第１基板１１及び第２基板１２は、切り欠き部１１１及び切り欠き部１１２を有する。第１基板１１は、右後方に切り欠き部１１１を有する。第２基板１２は、右後方に切り欠き部１１２を有する。第１基板１１及び第２基板１２の位置合わせの際に、第２基板１２から第１基板１１が露出しない範囲において、左右方向及び奥行き方向において位置のずれを許容する。

【0047】

（変形例３）
図１１は、変形例３に係るペルチェモジュールの第１基板及び第２基板を模式的に示す平面図である。図１１に示すペルチェモジュール１０は、前後方向において、第１基板１１が第２基板１２より小さい。第１基板１１及び第２基板１２は、左右方向の幅及び前後方向の奥行が異なる。変形例１１では、第１基板１１の左右方向の幅は、第２基板１２の左右方向の幅より長い。変形例１１では、第１基板１１の奥行きが、第２基板１２の奥行より短い。図１１に示す例では、第１基板１１は、右側において第２基板１２より右側に張り出している。第１基板１１の上面１１ａにおいて第２基板１２より右側に張り出した張出部に、端部電極３１及び端部電極３２が配置される。

【0048】

張出部は、右方向に３００μｍ以上外側に張り出している。張出部は、少なくとも一方向において３００μｍ以上外側に張り出していれば、他の位置に配置されていてもよい。

【0049】

端部電極３１及び端部電極３２は、電力供給用の電極引き出し部である。端部電極３１及び端部電極３２は、回路の電力を外部に取り出すための電極である。端部電極３１及び端部電極３２は、導電性を有する金属により形成される。端部電極３１及び端部電極３２は、第１基板１１の上面１１ａの張出部に設けられる。端部電極３１は、回路の一方の端部の熱電変換素子２１に接続されている。端部電極３２は、回路の他方の端部の熱電変換素子２１に接続されている。

【0050】

（変形例４）
図１２は、変形例４に係るペルチェモジュールの第１基板及び第２基板を模式的に示す平面図である。図１２に示すペルチェモジュール１０は、左右方向及び前後方向において、第１基板１１が第２基板１２より小さい。第１基板１１は、矩形状である。第２基板１２は、切り欠き部１２１を有する。第２基板１２は、右後方に切り欠き部１２１を有する。第１基板１１及び第２基板１２は、左右方向の幅及び前後方向の奥行が異なる。第１基板１１の左右方向の幅は、第２基板１２の左右方向の幅より短い。第１基板１１の奥行きが、第２基板１２の奥行より短い。図１２に示す例では、第１基板１１の右後方部は、第２基板１２の切り欠き部１２１から露出している。第１基板１１の露出した部分に、端部電極３１及び端部電極３２が配置される。

【0051】

（変形例５）
図１３は、変形例５に係るペルチェモジュールの第１基板及び第２基板を模式的に示す平面図である。図１３に示すペルチェモジュール１０は、左右方向及び前後方向において、第２基板１２が第１基板１１より小さい。第１基板１１は、矩形状である。第２基板１２は、切り欠き部１１２を有する。第２基板１２は、右後方に切り欠き部１１２を有する。第１基板１１及び第２基板１２は、左右方向の幅及び前後方向の奥行が異なる。第１基板１１の左右方向の幅は、第２基板１２の左右方向の幅より長い。第１基板１１の奥行きが、第２基板１２の奥行より長い。図１３に示す例では、第１基板１１の右後方部は、第２基板１２の切り欠き部１２１から露出している。第１基板１１の露出した部分に、端部電極３１及び端部電極３２が配置される。

【0052】

第２基板１２が第１基板１１に対し上下方向視で内側に配置されるように位置合わせを行って、第１基板１１及び第２基板１２を貼り合わせる。第２基板１２を第１基板１１に対して小さくした分だけ位置のずれが吸収される。

【0053】

（変形例６）
図１４は、変形例６に係るペルチェモジュールの第１基板及び第２基板を模式的に示す平面図である。図１５は、変形例６に係るペルチェモジュールの第１基板及び第２基板を模式的に示す断面図である。図１４に示すペルチェモジュール１０は、左右方向及び前後方向において、第２基板１２が第１基板１１より小さい。第１基板１１及び第２基板１２は、変形例５と同様に構成されている。端部電極３１及び端部電極３２は、ポスト構造を有する。端部電極３１は、第１基板１１の上面１１ａから上方に立設された柱部３１Ｈを有する。端部電極３２は、第１基板１１の上面１１ａから上方に立設された柱部３２Ｈを有する。

【符号の説明】

【0054】

１…光通信装置、２…ケース、２Ａ…蓋部、２Ｂ…底部、２Ｃ…側壁部、１０…ペルチェモジュール、１１…第１基板、１１ａ…上面、１２…第２基板、１２ａ…下面、１２ｂ…上面、２１…熱電変換素子、２１Ｐ…ｐ型素子、２１Ｎ…ｎ型素子、２２…第１電極、２３…第２電極、３１…端部電極（電極引き出し部）、３２…端部電極（電極引き出し部）、１００…光学部品、１０１…電極パターン、１０２…貫通孔。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】