(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023115031
(43)【公開日】2023-08-18
(54)【発明の名称】有効気密封止状態で基板を受け入れる容器
(51)【国際特許分類】
G03F 1/66 20120101AFI20230810BHJP
H01L 21/673 20060101ALI20230810BHJP
B65D 85/86 20060101ALI20230810BHJP
【ＦＩ】
G03F1/66
H01L21/68 T
B65D85/86 400
【審査請求】未請求
【請求項の数】44
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023091002
(22)【出願日】2023-06-01
(62)【分割の表示】P 2021017618の分割
【原出願日】2021-02-05
(31)【優先権主張番号】63/024,595
(32)【優先日】2020-05-14
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(31)【優先権主張番号】17/146,670
(32)【優先日】2021-01-12
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(71)【出願人】
【識別番号】506017182
【氏名又は名称】家登精密工業股▲ふん▼有限公司
【氏名又は名称原語表記】ＧＵＤＥＮＧ ＰＲＥＣＩＳＩＯＮ ＩＮＤＵＳＴＲＩＡＬ ＣＯ．，ＬＴＤ
(74)【代理人】
【識別番号】100094569
【弁理士】
【氏名又は名称】田中 伸一郎
(74)【代理人】
【識別番号】100103610
【弁理士】
【氏名又は名称】▲吉▼田 和彦
(74)【代理人】
【識別番号】100109070
【弁理士】
【氏名又は名称】須田 洋之
(74)【代理人】
【識別番号】100098475
【弁理士】
【氏名又は名称】倉澤 伊知郎
(74)【代理人】
【識別番号】100130937
【弁理士】
【氏名又は名称】山本 泰史
(74)【代理人】
【識別番号】100144451
【弁理士】
【氏名又は名称】鈴木 博子
(74)【代理人】
【識別番号】100128428
【弁理士】
【氏名又は名称】田巻 文孝
(72)【発明者】
【氏名】荘 家和
(72)【発明者】
【氏名】薛 新民
(72)【発明者】
【氏名】李 怡萱
(72)【発明者】
【氏名】▲温▼ 星閔
(72)【発明者】
【氏名】林 書弘
(72)【発明者】
【氏名】邱 銘乾
(57)【要約】
【課題】半導体製造に必要な基板が例えば空中粒子によって汚染されないように基板を収容する容器を提供する。
【解決手段】本発明は、基板を収容する容器（３００）を開示する。容器（３００）は、少なくとも１つの第１の支持面（３１２）を備えた基部（３１０）および基板のための収容空間を構成するよう基部の第１の支持面（３１２）と係合する少なくとも１つの第２の支持面（３２２）を備えた蓋（３２０）を有する。基部の第１の支持面および蓋の第２の支持面は、それぞれの平坦度が０．０４ｍｍ以下の同一の勾配を有し、その結果、第１の支持面と第２の支持面が互いに接触すると、第１の支持面と第２の支持面との間の有効ハーメチックシールが形成されるようになっている。
【選択図】図５Ａ
【解決手段】本発明は、基板を収容する容器（３００）を開示する。容器（３００）は、少なくとも１つの第１の支持面（３１２）を備えた基部（３１０）および基板のための収容空間を構成するよう基部の第１の支持面（３１２）と係合する少なくとも１つの第２の支持面（３２２）を備えた蓋（３２０）を有する。基部の第１の支持面および蓋の第２の支持面は、それぞれの平坦度が０．０４ｍｍ以下の同一の勾配を有し、その結果、第１の支持面と第２の支持面が互いに接触すると、第１の支持面と第２の支持面との間の有効ハーメチックシールが形成されるようになっている。
【選択図】図５Ａ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板を収容する容器であって、
頂部水平面および前記頂部水平面を包囲した少なくとも１つの第１の支持面を備えた基部と、
前記頂部水平面を覆うとともに前記第１の支持面に係合して前記基板を収容するための収容空間を構成する蓋とを有し、前記蓋は、少なくとも１つのフィルタチャネルおよび前記収容空間を包囲した少なくとも１つの第２の支持面を有し、前記第２の支持面は、前記第１の支持面と合致するよう構成され、前記基部の前記第１の支持面および前記蓋の前記第２の支持面は、前記頂部水平面の勾配に対して終始一貫した勾配を有し、前記基部の前記第１の支持面と前記蓋の前記第２の支持面は両方とも、０．０４ｍｍ未満の平坦度を有し、それにより前記第１の支持面が前記第２の支持面に接触したときにハーメチックシールが形成される、容器。
頂部水平面および前記頂部水平面を包囲した少なくとも１つの第１の支持面を備えた基部と、
前記頂部水平面を覆うとともに前記第１の支持面に係合して前記基板を収容するための収容空間を構成する蓋とを有し、前記蓋は、少なくとも１つのフィルタチャネルおよび前記収容空間を包囲した少なくとも１つの第２の支持面を有し、前記第２の支持面は、前記第１の支持面と合致するよう構成され、前記基部の前記第１の支持面および前記蓋の前記第２の支持面は、前記頂部水平面の勾配に対して終始一貫した勾配を有し、前記基部の前記第１の支持面と前記蓋の前記第２の支持面は両方とも、０．０４ｍｍ未満の平坦度を有し、それにより前記第１の支持面が前記第２の支持面に接触したときにハーメチックシールが形成される、容器。
【請求項2】
前記フィルタチャネルは閉鎖され、前記収容空間と前記容器の外側空間との間には圧力差が作られ、前記平坦度は、第１の支持面および前記第２の支持面によって定められる、請求項１記載の容器。
【請求項3】
前記圧力差は、１００Ｐａを超える、請求項２記載の容器。
【請求項4】
前記収容空間には真空が引かれ、前記容器の外側空間への気体送り戻しプロセス中、前記第１の支持面および前記第２の支持面の前記平坦度によって形成された前記ハーメチックシールは、前記容器に入る空気流を生じさせ、該空気流の９０％が前記フィルタチャネルを通って前記容器に入る、請求項１記載の容器。
【請求項5】
前記収容空間には真空が引かれ、前記容器の外面への気体送り戻しプロセス中、前記第１の支持面および前記第２の支持面の前記平坦度により形成された前記ハーメチックシールは、前記容器に入る空気流を生じさせ、該空気流の１０％未満が前記第１の支持面と前記第２の支持面との間の隙間を通って前記容器に入る、請求項１記載の容器。
【請求項6】
前記基部の前記第１の支持面は、表面粗さ（Ｓａ）を有し、前記蓋の前記第２の支持面は、表面粗さを有し、前記表面粗さは、１３ｎｍから１００ｎｍまでの範囲のものである、請求項１記載の容器。
【請求項7】
前記基部は、前記頂部水平面を囲んだ少なくも２つの支持面を有し、前記第１の支持面および前記第２の支持面は、前記頂部水平面に対して終始一貫した勾配を有し、前記第１の支持面は、０．０４ｍｍ未満の最も大きな平坦度を有する、請求項１記載の容器。
【請求項8】
前記基部は、前記頂部水平面を包囲した前記第１の支持面によってかつ前記第１の支持面と前記頂部水平面との間に形成された溝を有する、請求項７記載の容器。
【請求項9】
前記第１の支持面は、前記第２の支持面に接触し、前記頂部水平面を包囲した少なくとも１つの接触インターフェースが前記第１の支持面と前記第２の支持面との間に形成されている、請求項１記載の容器。
【請求項10】
前記接触インターフェースは、０．０８ｍｍ未満の隙間を有する、請求項９記載の容器。
【請求項11】
前記接触インターフェースは、前記頂部水平面の高さ位置と同一の高さ位置のところにはなくまたは前記頂部水平面の高さ位置に平行である平面を有する、請求項９記載の容器。
【請求項12】
前記基部は、前記頂部水平面を包囲した少なくとも２つの第１の支持面を有し、前記第１の支持面は、前記第２の支持面に接触して前記頂部水平面を包囲した少なくとも２つの接触インターフェースを形成する、請求項９記載の容器。
【請求項13】
前記基部は、前記２つの接触インターフェース相互間に形成されかつ前記頂部水平面を包囲した少なくとも１つの溝を有する、請求項１２記載の容器。
【請求項14】
前記少なくとも１つの接触インターフェースは、前記頂部水平面の高さ位置と同一の高さ位置にはなくまたは前記頂部水平面の高さ位置に平行である平面を有する、請求項９記載の容器。
【請求項15】
基板を収容する容器であって、
頂部水平面を備えた基部と、
少なくとも１つのフィルタチャネルおよび貯蔵空間を備えた蓋とを有し、前記蓋は、前記基部に接触し、前記貯蔵空間および前記頂部水平面は、前記基板を収容するための収容空間を構成し、前記蓋と前記基部との間には、前記頂部水平面を包囲し、それにより前記収容空間を封止する少なくとも１つの接触インターフェースが形成され、前記接触インターフェースは、０．０８ｍｍ未満の隙間を有する、容器。
頂部水平面を備えた基部と、
少なくとも１つのフィルタチャネルおよび貯蔵空間を備えた蓋とを有し、前記蓋は、前記基部に接触し、前記貯蔵空間および前記頂部水平面は、前記基板を収容するための収容空間を構成し、前記蓋と前記基部との間には、前記頂部水平面を包囲し、それにより前記収容空間を封止する少なくとも１つの接触インターフェースが形成され、前記接触インターフェースは、０．０８ｍｍ未満の隙間を有する、容器。
【請求項16】
前記接触インターフェースを構成する前記基部の表面および前記接触インターフェースを構成する前記蓋の表面は、０．０４ｍｍ未満の平坦度を有する、請求項１５記載の容器。
【請求項17】
前記接触インターフェースは、前記頂部水平面の高さ位置と同一の高さ位置にはなくまたは前記頂部水平面の高さ位置に平行である平面を有する、請求項１５記載の容器。
【請求項18】
前記蓋は、前記基部に接触して少なくとも２つの接触インターフェースを構成し、前記基部は、前記頂部水平面を包囲しかつ前記接触インターフェースと前記頂部水平面を互いに離隔させる少なくとも１つの溝を有する、請求項１５記載の容器。
【請求項19】
前記少なくとも２つの接触インターフェースのうちの一方は、前記頂部水平面の高さ位置と同一の高さ位置にはなくまたは前記頂部水平面の高さ位置に平行である平面を有する、請求項１８記載の容器。
【請求項20】
前記フィルタチャネルは閉鎖され、前記収容空間と前記容器の外側空間との間には圧力差が作られ、ハーメチックシールが前記接触インターフェースによって形成される、請求項１５記載の容器。
【請求項21】
前記圧力差は、１００Ｐａを超える、請求項２０記載の容器。
【請求項22】
前記収容空間には真空が引かれ、前記容器の外側空間への気体送り戻しプロセス中、前記接触インターフェースによって形成された前記ハーメチックシールは、前記容器に入る空気流を生じさせ、該空気流の９０％が前記フィルタチャネルを通って前記容器に入る、請求項１５記載の容器。
【請求項23】
前記収容空間には真空が引かれ、前記容器の外側空間への気体送り戻しプロセス中、前記接触インターフェースによって形成された前記ハーメチックシールは、前記容器に入る空気流を生じさせ、該空気流の１０％未満が前記接触インターフェースの隙間を通る、請求項１５記載の容器。
【請求項24】
前記接触インターフェースを構成する前記基部の表面および前記接触インターフェースを構成する前記蓋の表面が１３ｎｍから１００ｎｍまでの範囲の表面粗さ（Ｓａ）を有する、請求項１５記載の容器。
【請求項25】
基板を収容する容器であって、
頂部水平面および前記頂部水平面を包囲した少なくとも１つの第１の支持面を備えた基部と、
少なくとも１つのフィルタチャネル、底面および前記底面を包囲しているフランジを備えた蓋とを有し、前記フランジは、前記底面を包囲した少なくとも１つの第２の支持面を有し、前記第２の支持面は、少なくとも一部が前記基部の前記第１の支持面に接触して前記底面、前記フランジおよび前記頂部水平面が前記基板を収容するための収容空間を構成するようになっており、前記第１の支持面および前記第２の支持面は、０．０４ｍｍ未満の平坦度を有し、それにより前記収容空間に対するハーメチックシールが構成される、容器。
頂部水平面および前記頂部水平面を包囲した少なくとも１つの第１の支持面を備えた基部と、
少なくとも１つのフィルタチャネル、底面および前記底面を包囲しているフランジを備えた蓋とを有し、前記フランジは、前記底面を包囲した少なくとも１つの第２の支持面を有し、前記第２の支持面は、少なくとも一部が前記基部の前記第１の支持面に接触して前記底面、前記フランジおよび前記頂部水平面が前記基板を収容するための収容空間を構成するようになっており、前記第１の支持面および前記第２の支持面は、０．０４ｍｍ未満の平坦度を有し、それにより前記収容空間に対するハーメチックシールが構成される、容器。
【請求項26】
前記フィルタチャネルは、閉鎖され、前記収容空間と前記容器の外側空間との間には圧力差が作られ、前記ハーメチックシールは、前記第１の支持面の前記平坦度および前記第２の支持面の前記平坦度によって形成される、請求項２５記載の容器。
【請求項27】
前記圧力差は、１００Ｐａを超える、請求項２６記載の容器。
【請求項28】
前記収容空間には真空が引かれ、前記容器の外側空間への気体送り戻しプロセス中、前記第１の支持面の前記平坦度および前記第２の支持面の前記平坦度によって形成された前記ハーメチックシールは、前記容器に入る空気流を生じさせ、該空気流の９０％が前記フィルタチャネルを通って前記容器に入る、請求項２５記載の容器。
【請求項29】
前記収容空間には真空が引かれ、前記容器の外面への気体送り戻しプロセス中、前記第１の支持面の前記平坦度および前記第２の支持面の前記平坦度により形成された前記ハーメチックシールは、前記容器に入る空気流を生じさせ、該空気流の１０％未満が前記第１の支持面と前記第２の支持面との間の隙間を通る、請求項２５記載の容器。
【請求項30】
前記基部の表面および前記蓋の表面が１３ｎｍから１００ｎｍまでの範囲の表面粗さ（Ｓａ）を有する、請求項２５記載の容器。
【請求項31】
前記第１の支持面および前記第２の支持面は、前記頂部水平面の勾配に対して終始一貫した勾配を有する、請求項２５記載の容器。
【請求項32】
前記基部は、前記頂部水平面を包囲した少なくとも２つの第１の支持面を有し、前記第１の支持面は、０．０４ｍｍ未満の平坦度を有する、請求項２５記載の容器。
【請求項33】
前記基部は、前記２つの第１の支持面相互間に作られかつ前記頂部水平面を包囲した溝を有する、請求項３２記載の容器。
【請求項34】
前記第１の支持面のうちの一方は、前記頂部水平面の高さ位置と同一の高さ位置にはなくまたは前記頂部水平面の高さ位置に平行である平面を有する、請求項３２記載の容器。
【請求項35】
前記第１の支持面は、前記第２の支持面に接触して前記頂部水平面を包囲した少なくとも１つの接触インターフェースを形成する、請求項２５記載の容器。
【請求項36】
前記接触インターフェースは、０．０８ｍｍ未満の隙間を有する、請求項３５記載の容器。
【請求項37】
基板を収容する容器であって、
頂部水平面を備えた基部と、
少なくとも１つのフィルタチャネルおよび貯蔵空間を備えた蓋とを有し、前記蓋は、前記基部に接触し、前記貯蔵空間および前記頂部水平面は、前記基板を収容するための収容空間を構成し、前記蓋と前記基部との間には前記頂部水平面を包囲し、それにより前記収容空間を封止する少なくとも１つの接触インターフェースが形成され、前記接触インターフェースは、前記フィルタチャネルが閉鎖されると、前記収容空間と前記容器の外側空間との間に圧力差を定める隙間を有し、前記圧力差は、１００Ｐａを超える、容器。
頂部水平面を備えた基部と、
少なくとも１つのフィルタチャネルおよび貯蔵空間を備えた蓋とを有し、前記蓋は、前記基部に接触し、前記貯蔵空間および前記頂部水平面は、前記基板を収容するための収容空間を構成し、前記蓋と前記基部との間には前記頂部水平面を包囲し、それにより前記収容空間を封止する少なくとも１つの接触インターフェースが形成され、前記接触インターフェースは、前記フィルタチャネルが閉鎖されると、前記収容空間と前記容器の外側空間との間に圧力差を定める隙間を有し、前記圧力差は、１００Ｐａを超える、容器。
【請求項38】
基板を収容する容器であって、
頂部水平面を備えた基部と、
少なくとも１つのフィルタチャネルおよび貯蔵空間を備えた蓋とを有し、前記蓋は、前記基部に接触し、前記貯蔵空間および前記頂部水平面は、前記基板を収容するための収容空間を構成し、前記蓋と前記基部との間には前記頂部水平面を包囲する少なくとも１つの接触インターエースが形成され、前記接触インターフェースは、隙間を有し、前記収容空間には真空が引かれ、前記容器の外側空間への気体送り戻しプロセス中、前記隙間は、前記容器に入る空気流を定め、該空気流の９０％が前記フィルタチャネルを通って前記容器に入る、容器。
頂部水平面を備えた基部と、
少なくとも１つのフィルタチャネルおよび貯蔵空間を備えた蓋とを有し、前記蓋は、前記基部に接触し、前記貯蔵空間および前記頂部水平面は、前記基板を収容するための収容空間を構成し、前記蓋と前記基部との間には前記頂部水平面を包囲する少なくとも１つの接触インターエースが形成され、前記接触インターフェースは、隙間を有し、前記収容空間には真空が引かれ、前記容器の外側空間への気体送り戻しプロセス中、前記隙間は、前記容器に入る空気流を定め、該空気流の９０％が前記フィルタチャネルを通って前記容器に入る、容器。
【請求項39】
容器に入る空気流を調整する方法であって、前記容器は、頂部水平面を備えた基部と、少なくとも１つのフィルタチャネルを備えた蓋とを有し、前記蓋は、前記基部に接触して収容空間を構成し、前記方法は、
前記基部と前記蓋との間に少なくとも１つの接触インターフェースを形成して収容空間を包囲するステップを含み、前記接触インターフェースは、隙間を有し、
前記フィルタチャネルが閉鎖されると前記隙間を調整して前記収容空間と前記容器の外側空間との間に１００Ｐａを超える圧力差を定めるステップを含み、
前記容器の前記外側空間への気体送り戻しプロセスを実行するステップを含み、該気体送り戻しプロセスでは、前記収容空間に真空を引き、前記フィルタチャネルを開き、それにより前記容器に入る空気流を生じさせ、該空気流の９０％が前記フィルタチャネルを通過する、方法。
前記基部と前記蓋との間に少なくとも１つの接触インターフェースを形成して収容空間を包囲するステップを含み、前記接触インターフェースは、隙間を有し、
前記フィルタチャネルが閉鎖されると前記隙間を調整して前記収容空間と前記容器の外側空間との間に１００Ｐａを超える圧力差を定めるステップを含み、
前記容器の前記外側空間への気体送り戻しプロセスを実行するステップを含み、該気体送り戻しプロセスでは、前記収容空間に真空を引き、前記フィルタチャネルを開き、それにより前記容器に入る空気流を生じさせ、該空気流の９０％が前記フィルタチャネルを通過する、方法。
【請求項40】
前記接触インターフェースの前記隙間を０．０８ｍｍ未満に調整するステップをさらに含む、請求項３９記載の方法。
【請求項41】
前記基部の第１の支持面を調整して０．０４ｍｍ未満の平坦度を有するようにするステップをさらに含む、請求項３９記載の方法。
【請求項42】
前記蓋の第２の支持面を調整して１３ｎｍから１００ｎｍまでの範囲の表面粗さ（Ｓａ）を有するようにするステップをさらに含む、請求項３９記載の方法。
【請求項43】
前記蓋の第２の支持面を調整して０．０４ｍｍ未満の平坦度を有するようにするステップをさらに含む、請求項３９記載の方法。
【請求項44】
前記蓋の第２の支持面を調整して１３ｎｍから１００ｎｍまでの範囲の表面粗さを有するようにするステップをさらに含む、請求項３９記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示内容（本発明）は、パターン付け基板を搬送するために用いられる搬送ポッド、特に有効気密封止、精密マーク付け、および安定保持をもたらすことができるレチクルポッドを含むレチクルを搬送するために用いられる二部品型入れ子式容器に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体製造に必要な基板（例えば、ウェーハおよびレチクル用の基板）は、基板が搬送中における非真空環境下において半導体製造プロセスにおいて欠陥を生じさせる汚染物、例えば空中粒子によって汚染されるのを阻止する目的で搬送中、特別な容器内に収容される。
【0003】
図１は、先行技術のＥＵＶレチクルポッドを示しており、このＥＵＶレチクルポッドは、内側ポッド組立体１１０および外側ポッド組立体１５０を有する。内側ポッド組立体１１０は、レチクル（Ｒ）を収容するために用いられ、この内側ポッド組立体は、下蓋１２０および上蓋１３０を有する。下蓋１２０は、レチクル（Ｒ）を支持するために４つの支持部材１２１を有する。上蓋１３０は、下蓋１２０に結合され、この上蓋は、レチクル（Ｒ）の表面に圧接するよう４つの支持部材１２１に対応した４つの加圧ユニット１４０を有する。加圧ユニット１４０は、加圧部材を含み、この加圧部材は、加圧力受け取り部分および加圧部分を有する。特に、加圧力受け取り部分は、外側ポッド組立体１５０の外蓋１７０に設けられた下向き加圧ピン１７１を受け入れるよう上蓋１３０の頂面のところで露出されている。加圧力受け取り部分が下方に押された後、加圧部分は、上蓋１３０の底面から突き出てレチクル（Ｒ）の表面に圧接する。外側ポッド組立体１５０は、内側ポッド組立体１１０を受け入れるために用いられ、この外側ポッド組立体は、基部１６０および外蓋１７０を含む。基部１６０は、内側ポッド組立体１１０の下蓋１２０を支持する多数のピラー１９０を有し、基部１６０はまた、外蓋１７０とハーメチックシールを形成するよう外蓋１７０に結合されている。外蓋１７０は、その底面の内側に設けられた４つの下向き加圧ピン１７１を有する。４つの下向き加圧ピン１７１は、４つの加圧ユニット１４０に対応しており、これら４つの下向き加圧ピンは各々、各加圧ユニット１４０の加圧部材に設けられた加圧力受け取り部分の表面に接触するために用いられる。レチクル（Ｒ）を貯蔵する内側ポッド組立体１１０が外側ポッド組立体１５０内に受け入れられると、下向き加圧ピン１７１は、力を加圧ユニット１４０の加圧部材の加圧力受け取り部分に加え、それにより加圧ユニット１４０および支持部材１２１がレチクル（Ｒ）が安定保持状態を保つことができるようにする。
【0004】
先行技術のＥＵＶレチクルポッド１００の内側ポッド組立体１１０は、解決しようとする以下の技術的問題を有する。第１に、各加圧ユニット１４０の加圧部材は、上蓋１３０の頂面のところで露出されており、この加圧部材は、上蓋１３０の底面から突き出る場合があり、それにより粒子が上蓋１３０上に落ちて加圧部材を収容している空間を通過する場合があるというリスクが生じる。粒子は、最終的に、内側空所に入り込んでレチクル（Ｒ）を汚染する場合がある。第２に、レチクル（Ｒ）を収容している内側ポッド組立体１１０が外側ポッド組立体１５０内に配置されない場合、上蓋１３０の４つの加圧ユニットに設けられている加圧部材の加圧部分は、上蓋１３０の底面から突き出ない。この時点において、レチクル（Ｒ）は、加圧ユニット１４０および支持部材１２１によってしっかりとは保持されず、それにより、レチクル（Ｒ）の配置ミスまたは衝撃に起因して多くの粒子が生じる恐れが高くなる。第３に、レチクル（Ｒ）を収容している内側ポッドコンポーネント１１０が外側ポッドコンポーネント１５０の基部１６０のところに配置されると、外蓋１７０が下方に配置されているときにクランプユニット１４０を介して加圧ピン１７１をレチクル（Ｒ）に容易に衝突させる場合があり、それによりレチクル（Ｒ）の変位または衝撃に起因して多くの粒子が生じる恐れが高まる。
【0005】
先行技術のうちの台湾国特許出願公開第２００３０４０５１号明細書は、レチクルを収容する二部品型容器を開示している。かかる容器は、外側ポッドおよび内側ポッドから成り、内側ポッドは、外側ポッド内に配置され、レチクルは、内側ポッド内に配置される。最も多くの場合、レチクルは、高真空環境内で作られ、かくして、レチクルを収容している容器は、搬送中、真空環境と大気圧環境との間で移行する場合がある。別法として、容器は、真空が引かれた後に大気圧環境に搬送される場合がある。容器の内側と外側との間の圧力差を維持して空気流がレチクルを収容している内側空所中に粒子を吹き込むことがないようにするために、濾過またはフィルタチャネルが粒子を濾過して除去するために内側空所と外側空間との間に設けられる。その結果、フィルタ通路以外の容器の内側空所と外側空間との間の気密封止により、容器の内側と外側との間の圧力差によって空気流がフィルタチャネル以外の領域を通過して粒子をレチクルが収容されている領域中に吹き込むことがないようにする。上述の特許出願公開は、内側ポッドと外側ポッドとの間に設けられた粒子封止器具（例えば、Ｏリング）および外側ポッドの蓋と基部との間の接触インターフェースに設けられた気体封止器具（例えば、別のＯリング）を提供する封止手段を開示している。これら形態は、汚染物が真空環境中においてレチクル領域中に入るのを阻止する改良型バリヤとなる。当該特許出願公開は、内側ポッドがポッド蓋および基部を有し、ポッド蓋と基部が一緒になって、レチクルのための収容空間を構成することを開示しているが、内側ポッド蓋と基部との間の接触インターフェースにはＯリングが設けられない。換言すると、内側ポッドの封止具合は、ポッド蓋と基部との間の接触インターフェースで決まるに過ぎず、さらに、当該特許出願公開は、効果的な封止を達成するために接触インターフェースをどのように構成しまたは調整するかを開示しておらずまたは教示していない。
【0006】
台湾国特許第１３９１３０４号明細書（発明の名称：Reticle Pod ）は、先行技術のシールがエラストマー材料で作られる場合が多く、このエラストマー材料はそれ自体、粒子源または汚染源である場合がある。さらに、当該特許明細書は、先行技術においては、エラストマーシールを用いてシールを形成するにはある特定の構造（例えば、溝および隆起バンプ）の使用が必要であることを記載している。かかる構造は広く用いられているが、これら構造は、粒状汚染物または化学物質を間隙内に保持するという欠点を呈する場合がある。当該特許明細書は、ドアおよびカバーのそれぞれの周囲の近くに平坦面を形成するための構造を提案しており、カバーとドアを嵌合させると、平坦面は、互いに当接して粒子がポッドの外部の環境からポッドの内部に入るのを阻止するためのシールを形成し、それにより伝統的なエラストマーシールの必要性がなくなる。当該特許明細書の教示によれば、封止のための表面は、粗さ平均値（Ｒａ）が許容できる最高０．５０ミクロインチ（１．２７×１０-6ｃｍ）までの表面仕上げを有するが、好ましい範囲は、０．２０～０．４０Ｒａである。
【0007】
しかしながら、当業者が精通しているありふれた一般的知識に基づき、上述の特許明細書に記載されているように表面仕上げの粗さを定めるために適用される粗さ平均値（Ｒａ）は、１９９８年１１月１０日に最初に発行されてファン・クワン‐チャオ（Fan Kuang-chao）およびチャン・クオ‐イー（Chang Kuo-yi）の著作／編集になる「プレシジョン・メジャーメント（Precision Measurement：精密測定）」の２１２頁に指定されているように「粗さ曲線の中心線に基づいて平均絶対偏差を計算することに得られた表面粗さを表す表現」でありかつ「図８‐３‐１に示されているように中心線からサンプルのある特定の長さ内の測定点までの偏差の平均値」であるものとする。本願の図２は、この刊行物から抜粋した上述の図８‐３‐１を示している。レチクルポッドのカバーとドアを係合させた場合、互いに当たって面一をなして位置する上面と下面が気密封止を達成できるかどうかは、事実として、上面と下面との間の間隙で決まる。上述の特許明細書では、「粗さ平均値（Ｒａ）」は、表面仕上げの粗さを評価するために適用され、しかも、この粗さ平均値は、直線状セグメント長さでのみ基づいて表面粗さを表している。かかる粗さ平均値（Ｒａ）は、カバーおよびドアのそれぞれの上面と下面との間の間隙の粗さを評価するために使用できることはほとんどなく、と言うのは、これら表面は、広い領域内で互いに当たって面一をなして位置するからである。換言すると、レチクルポッドの互いに係合したカバーとドアの上面および下面が気密封止を達成するかどうかを評価する上で、上記特許明細書に開示された表面粗さの粗さ平均値（Ｒａ）は、良好な指標ではない。
【0008】
上述の刊行物「プレシジョン・メジャーメント」は、表面テキスチャを定める要因を論じるとともに加工物の表面をどれほど精密に機械加工するにせよ、仕上げられた表面と理想的な表面との間には必ずある特定の差が存在することを記載している。避けることのできない差の背後にある理由としては、機械加工の結果としての低周波振動によって引き起こされる低周波、機械のガタガタ音、および機械／加工物の撓みなどや機械加工の結果としての要因、例えば旋削、フライス加工、研削、サンドブラスチング、火炎などにより引き起こされる高頻度の粗さを持つ不規則な表面が挙げられる。粗さの度合いは、中心線（直線）である湾曲波として表現される。上述の中心線Ｒａは、粗さ偏差の絶対値の平均値を計算するためにベースラインとしてＲａ曲線の中心線を用いたものである。したがって、Ｒａの値は、粗さ偏差の最大値を反映することができず、これは、波形の振幅よりも小さい。したがって、当業者であれば知っているように、加工物表面が実際の加工に起因した低周波数および高周波数要因からの衝撃を回避することができないと仮定すると、加工物表面は、波形およびＲａを必ず含んでいる。かくして、有効気密封止が２つの加工物の相互間に形成されているかどうかを判定するという点で、先行技術は、「封止面」を評価するために波形の大きさよりも小さいＲａ値を用いることを開示しているのに過ぎず、Ｒａ値は、有効封止を保証するのに十分ではない。
【0009】
レチクルポッドの基部および蓋が金属で作られていることが知られている。研削または研磨が金属表面（または、無電解ニッケルめっきで処理された表面）の表面仕上げを向上させることができるが、既存の研削または研磨技術を用いて作られた０．５Ｒａまたはそれどころか０．２０～０．４０Ｒａをもつ表面を有するレチクルポッドの製品収量（有効気密封止の面において）は、向上の見込みが低く、生産設備のための費用が急激に増大することになる。さらに、上述したように、明らかなこととして、Ｒａ値だけが封止面を達成するための設計上の目的のうちの１つとして用いられている場合に気密封止の効果を保証することが可能ではない。
【0010】
加うるに、レチクルポッドは、使用のために開かれたときに指向性を持って差し向けられる。かくして、レチクルポッドがリソグラフィ機械に送られたとき、位置だけではなくレチクルポッドの向きの検出がリソグラフィプロセス中の暴露場所のずれを回避する上で必要である。したがって、レチクルポッド位置の正確なアライメントを保証するため、リソグラフィ機械は、光信号をレチクルポッドの表面に送り、次に、センサが識別のために光信号の反射信号を得ることになる。先行技術においては、センサは、レチクルポッドの滑らかな表面または底部構造の設計に起因して、反射信号を安定的に得ることはなく、それによりレチクルポッドの特徴領域が正しい位置にあるかどうかを正確に識別することができない場合がある。先行技術の手法は、レチクルポッドの表面をマーク付けするために十字線レチクルを用いている。しかしながら、リソグラフィ機械によって送られる光信号が特定の角度でポッド表面の３Ｄ構造上に当たったとき、十字線レチクルがセンサによって検出された反射信号に基づいて３Ｄ構造体表面に関係しているかどうかを突き止めることは困難であろう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0011】
【特許文献1】台湾国特許出願公開第２００３０４０５１号明細書
【特許文献2】台湾国特許第１３９１３０４号明細書
【非特許文献】
【0012】
【非特許文献1】ファン・クワン‐チャオ（Fan Kuang-chao）およびチャン・クオ‐イー（Chang Kuo-yi）著／編，「プレシジョン・メジャーメント（Precision Measurement）」，１９９８年１１月１０日初版発行
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0013】
かくして、上述の種々の技術上の問題を解決しようとして、本発明は、有効気密封止、精密マーク付けおよび安定保持を含む特徴を備えたレチクル貯蔵ポッドおよびレチクル搬送ポッドを提供する。
【課題を解決するための手段】
【0014】
本発明は、レチクル容器の蓋と基部との間の接触インターフェースの「平坦度」の調整によってハーメチックシールを提供することを目的としている。本発明者の研究によれば、基部と蓋との間の接触インターフェースの平均表面粗さ（Ｒａ）のみを改良する先行技術は、蓋と基部が互いに接触したときに蓋と基部との間のシールを保証することができないということが指摘されている。本発明者は、基部と蓋の処理後の表面が平均表面粗さ（Ｒａ）の振幅よりも大きい振幅を有する波形を有することをさらに指摘する。かくして、基部と蓋との間のハーメチックシールを接触時に実現できるかどうかを判定するための一要因としては、上側接触面と下側接触面との間の最大高さ（Ｒｚ、すなわち最大の山部と最も低い谷部との間の距離）が挙げられる。接触インターフェースのＲｚは、これら表面が互いに接触状態にあるときに作られる隙間を生じさせ、この隙間は、空気流チャネルになって蓋と基部との間のハーメチックシールの損傷を壊す。さらに、表面撓みを調整することができない場合、処理後の表面はまた、最大高さ（Ｒｚ）を含み、それにより隙間、すなわち空気流チャネルを生じさせることになる。
【0015】
本明細書において説明する「平坦度」は、ある特定の加工物の実際の表面と理想的な平面（真の平面）との間のオフセットを意味している。図３を参照すると、ある特定の加工物の表面波形の平坦度を示す略図が示されている。「平面度」の定義によれば、加工物の実際の平面（１００）を挟む２つの互いに平行な仮想平面１０１，１０２相互間の距離（ｄ）を実際の平面（１００）の最大高さ（Ｒｚ）として表すことができ、上側平面と下側平面はそれぞれ、実際の平面の最大の山部および最も低い谷部に触れる。実際の平面（１００）は、図示のように一加工物（１０３）の表面であり、この表面は、実際の加工における低周波要因によって引き起こされる表面撓みを有し、かかる表面撓みは、相当な程度のかかる高さの差のように見える。これに加えて、図４に示されているような実際の加工における低周波要因によって引き起こされる表面撓みが存在する。「平坦度」の定義によれば、加工物（２０３）の実際の平面（２００）を挟む２つの仮想平面（２０１，２０２）相互間の距離（ｄ）に言及することができ、特に、実際の平面（２００）の被覆度は、特定の長さ（Ｌ）および幅（Ｗ）、例えば１００ｍｍ×１００ｍｍ四方の面積によって定められる。この面積の尺度は、場合によっては、２つの仮想表面（２０１，２０２）相互間の距離（ｄ）を定めることができ、かかる距離は、これに対応して平坦度の測定値を決定することが想定できる。同様に、距離（ｄ）は、実際の平面（２００）の最大高さ（Ｒｚ）を表す。
【0016】
本発明の一目的は、基板を収容する容器を提供することにある。容器は、基部および蓋を有する。基部は、頂部水平面および頂部水平面を包囲した少なくとも１つの第１の支持面を有する。蓋は、頂部水平面を覆うとともに第１の支持面に係合して基板を収容するための収容空間を構成する。蓋は、少なくとも１つのフィルタチャネルおよび収容空間を包囲した少なくとも１つの第２の支持面を有する。第２の支持面は、第１の支持面と合致するよう構成され、基部の第１の支持面および蓋の第２の支持面は、頂部水平面の勾配に対して終始一貫した勾配を有する。基部の第１の支持面と蓋の第２の支持面は両方とも、０．０４ｍｍ未満の平坦度を有し、それにより第１の支持面が第２の支持面に接触したときにハーメチックシールが形成される。
【0017】
本発明のさらに１つの目的は、基板を収容する容器を提供することにある。容器は、基部および蓋を有する。基部は、水平面を有する。蓋は、少なくとも１つのフィルタチャネルおよび貯蔵空間を有する。蓋は基部に接触し、貯蔵空間および頂部水平面は、基板を収容するための収容空間を構成する。蓋と基部との間には、頂部水平面を包囲し、それにより収容空間を封止する少なくとも１つの接触インターフェースが形成されている。接触インターフェースは、０．０８ｍｍ未満の隙間を有する。
【0018】
本発明の別の目的は、基板を収容する容器を提供する。容器は、基部および蓋を有する。基部は、頂部水平面および頂部水平面を包囲した少なくとも１つの第１の支持面を有する。蓋は、少なくとも１つのフィルタチャネル、底面および底面を包囲しているフランジを有する。フランジは、底面を包囲した少なくとも１つの第２の支持面を有し、第２の支持面は、少なくとも一部が基部の第１の支持面に接触して底面、フランジおよび頂部水平面が基板を収容するための収容空間を構成する。第１の支持面および第２の支持面は、０．０４ｍｍ未満の平坦度を有し、それにより収容空間に対するハーメチックシールが構成される。
【0019】
本発明の別の目的は、基板を収容する容器を提供する。容器は、基部および蓋を有する。基部は、頂部水平面を有する。蓋は、少なくとも１つのフィルタチャネルおよび貯蔵空間を有する。蓋は、基部に接触し、貯蔵空間および頂部水平面は、基板を収容するための収容空間を構成する。蓋と基部との間には頂部水平面を包囲し、それにより収容空間を封止する少なくとも１つの接触インターフェースが形成される。接触インターフェースは、第１のチャネルが閉鎖されると、収容空間と容器の外側空間との間に圧力差を定める隙間を有し、圧力差は、１００Ｐａを超える。
【0020】
本発明のさらに１つの目的は、基板を収容する容器を提供する。容器は、基部および蓋を有する。基部は、頂部水平面を有する。蓋は、少なくとも１つのフィルタチャネルおよび貯蔵空間を有する。蓋は、基部に接触する。貯蔵空間および頂部水平面は、基板を収容するための収容空間を構成する。蓋と基部との間には頂部水平面を包囲する少なくとも１つの接触インターエースが形成されている。接触インターフェースは、隙間を有し、収容空間には真空が引かれる。容器の外側空間への気体送り戻しプロセス中、隙間は、容器に入る空気流を定め、空気流の９０％がフィルタチャネルを通って容器に入る。
【0021】
本発明のさらに１つの目的は、容器に入る空気流を調整する方法を提供する。容器は、頂部水平面を備えた基部と、少なくとも１つのフィルタチャネルを備えた蓋とを有する。蓋は、基部に接触して収容空間を構成する。本方法は、基部と蓋との間に少なくとも１つの接触インターフェースを形成して収容空間を包囲するステップを含み、接触インターフェースは、隙間を有し、本方法は、フィルタチャネルが閉鎖されると隙間を調整して収容空間と容器の外側空間との間に１００Ｐａを超える圧力差を定めるステップと、容器の外側空間への気体送り戻しプロセスを実行するステップとを含み、気体送り戻しプロセスでは、収容空間に真空を引き、フィルタチャネルを開き、それにより容器に入る空気流を生じさせ、空気流の９０％がフィルタチャネルを通過する。
【0022】
添付の図面および以下に与えられる説明を参照すると、本発明を一層完全に理解することができる。限定的ではなくかつ排他的であることが意図されていない種々の実施例について図面を参照して説明する。図面に示されている要素は、構造および完全な原理を説明する目的で必ずしも実際の縮尺通りには示されていない。
【図面の簡単な説明】
【0023】
【図1】先行技術のＥＵＶレチクルポッドの分解組立斜視図である。
【図2】粗さ曲線の中心線に基づいて粗さ平均値（Ｒａ）を得る方法を示す略図である。
【図3】加工物表面の波形（これは、平坦度に関係付けられる）を示す略図である。
【図4】別の加工物表面の撓み（これは、平坦度に関係付けられる）を示す略図である。
【図5A】基板を収容するための容器（例えば、レチクルポッド）の分解組立斜視図である。
【図5B】蓋と基部を互いに接合したときの容器の縁部のところの断面を示す図である。
【図6A】本発明の一実施形態に係る基部と蓋との間の接触インターフェースを示す略図である。
【図7A】本発明の別の実施形態に係る基部と蓋との間の接触インターフェースを示す略図である。
【図8A】本発明のさらに別の実施形態に係る基部と蓋との間の接触インターフェースを示す略図である。
【図9A】本発明のさらに別の実施形態に係る基部と蓋との間の接触インターフェースを示す略図である。
【図10】基板を収容するための容器の加圧内側と外側をどのように検査するかに関する実施例を示す図である。
【図11A】蓋と基部を互いに接合したときの撓みに起因して生じる接触表面相互間の隙間を示す略図である。
【図11B】蓋と基部を互いに接合してこれらが互いに接触状態にあるときの蓋と基部との間の隙間および関連波形の概略拡大図である。
【図11C】基部の第１の支持面および蓋の第２の支持面（この場合、基部と蓋は互いに接合されていない）のそれぞれの平坦度を示す略図である。
【発明を実施するための形態】
【0024】
本発明のより完全な説明が添付の図面を参照して以下に与えられており、実施例は、例示の実施形態を実証するために提供されている。それにもかかわらず、本発明のクレーム請求された主題を種々の形態で具体化することができ、したがって、権利範囲に含まれまたはクレーム請求された主題の構成は、本明細書に開示されたどの例示の実施形態にも限定されるべきではなく、例示の実施形態は、実施例として提供されているに過ぎない。同時に、本発明は、クレーム請求されまたは権利範囲に含まれる主題に関して合理的に広い範囲を提供することが意図されている。さらに、例えば、クレーム請求された主題は、方法、装置、またはシステムとして具体化できる。したがって、特定の実施形態は、例えば、ハードウェア、ソフトウェア、ファームウェア、またはこれらの任意の組み合わせ（非ソフトウェアであることが知られている）の形態を取ることができる。
【0025】
本明細書で用いられる「実施形態」という用語は、必ずしも、同一の実施形態そのものを指すわけではなく、本明細書で用いられる「他の（幾つかの／ある特定の）実施形態」という用語は、必ずしも、互いに異なる実施形態を指すものではない。本明細書の目的は、例示の実施形態の全てまたは一部の組み合わせを含む実施例を用いてクレーム請求された主題を説明することにある。本明細書で用いられる「接触インターフェース」という用語は、「上側接触面」と「下側接触面」が互いに接触するインターフェースを指すものとする。本明細書で説明する上側接触面または下側接触面は、加工物の実際の表面を指すものであって、理想的な表面を指しているわけではない。したがって、「上側接触面」および「下側接触面」は各々、実際の表面の最大高さ（Ｒｚ）を表す「平坦度」を有し、「接触インターフェース」は、「上側接触面」および「下側接触面」のそれぞれの平坦度によって定められる間隙または隙間を含む場合がある。
【0026】
図５Ａは、基板を収容する容器（３００）を示し、特に、容器は、レチクルポッドであるのが良い。本発明の実施形態では、容器（３００）は、レチクルポッドのための内側ポッド組立体としての役目を果たすのに適している。容器（３００）は、基部（３１０）および蓋（３２０）を有する。基部（３１０）は、頂部水平面（３１１）および頂部水平面（３１１）を包囲している少なくとも第１の支持面（３１２）を有し、頂部水平面（３１１）は、基板（例えば、レチクル）を載せるのに適した平らな平面である。頂部水平面（３１１）は、複数の支持組立体（３１３）をさらに有し、各支持組立体（３１３）は、基板の側面を制限するピラーおよび通常、２本のピラー相互間に設けられていて、基板の底面を支持するバンプ（図示せず）を含む。図５Ａに示されているように、第１の支持面（３１２）は、頂部水平面（３１１）の周囲に隣接して位置する環状平面である。第１の支持面（３１２）は、蓋（３２０）の対応の表面に接触するようになった実質的に連続した上向きの表面である。
【0027】
蓋（３２０）は、第２の支持面（３２２）を有し、この第２の支持面は、基部（３１０）の頂部水平面（３１１）を包囲するとともに第１の支持面（３１２）に係合している。蓋（３２０）は、受け入れ空間を有し、この受け入れ空間は、頂部水平面（３１１）と一緒になって、基板を収容するための収容空間を構成している。係合を達成するための方法としては、上面と下面を接触させること、バンプおよび溝構造体を用いること、または２つの相補する構造体を互いに接合することが挙げられる。蓋（３２０）の他の視点は、本明細書には示されていないが、当業者であれば理解できるように、蓋（３２０）は、少なくとも、下方に延びる環状部を有し、基部（３１０）と蓋（３２０）を互いに接合すると、蓋（３２０）の下方に延びる環状部は、基部（３１０）に接触して基部の頂部水平面（３１１）を包囲し、他方、第２の支持面（３２２）は、環状部の下面である。一実施形態では、蓋（３２０）は、少なくとも１つのフィルタチャネル（３２１）および環状の形をした少なくとも１つの第２の支持面（３２２）を有するのが良い。第２の支持面（３２２）は、基部（３１０）の支持面（３１２）と合致するよう用いられている。第２の支持面（３２２）の輪郭は、第１の支持面（３１２）と実質的に一致し、第２の支持面（３２２）は、第１の支持面（３１２）の面積よりも僅かに大きいまたは小さい面積を有するのが良い。
【0028】
基部（３１０）が蓋（３２０）に係合すると、第１の支持面（３１２）と第２の支持面（３２２）は、互いに接触することになる。図５Ｂに示されているように、基部（３１０）は、蓋（３２０）と接触状態にあり、図中の容器（３００）の縁に沿う断面（ＣＳ１）が示すように、基部（３１０）と蓋（３２０）との間に形成された接触インターフェース（７０１）を見ることができる。目で見て言えば、接触インターフェース（７０１）は、直線を示している。しかしながら、図４に示されているように、機械加工中の低周波要因は、基部（３１０）の第１の支持面（３１２）および蓋（３２０）の第２の支持面（３２２）のそれぞれの撓みを生じさせることになる。したがって、断面（ＣＳ１）の図から示された接触インターフェース（７０１）は、事実、完全な直線ではない場合がある。撓んだ表面を備えた状態で効果的な封止をどのように行うかについて以下の段落において説明する。また、図５Ｂに示されているように、容器（３００）を異なる位置で別の断面（ＣＳ２）から見たとき、第１の支持面（３１２）と第２の支持面（３２２）との他の関係を観察することができ、詳細は、以下の段落に提供される。
【0029】
図５Ｂの断面（ＣＳ２）が示すように、基部（３１０）の第１の支持面（３１２）と蓋（３２０）の第２の支持面（３２２）は、互いに異なる勾配を有するよう設計されるのが良い。一実施形態では、基部（３１０）の第１の支持面（３１２）および蓋（３２０）の第２の支持面（３２２）は、頂部水平面（３１１）に対して終始一貫した勾配を有する。例えば、第１の支持面（３１２）は、水平面であり、第２の支持面（３２２）もまた、図６Ｂおよび図６Ｃに示されているように水平面である。変形例として、別の実施形態では、第１の支持面（３１２）は、頂部水平面（３１１）の方向に下方に傾けられており、第２の支持面（３２２）もまた、図６Ｄおよび図６Ｅに示されているように同様に傾けられている。本発明の好ましい実施形態では、基部（３１０）と蓋（３２０）との間に有効封止を達成するため、第１の支持面（３１２）および第２の支持面（３２２）は各々、第１の支持面（３１２）と第２の支持面（３２２）が互いに接触状態にあるときに第１の支持面（３１２）と第２の支持面（３２２）との間にハーメチックシールを形成するよう０．０４ミリメートル（ｍｍ）未満の平坦度を有する。好ましくは、平坦度は、１ミクロン（μｍ）から０．０４ｍｍまでの範囲にある。平坦度を公知の方法で測定することができ、これについてはここでは繰り返さない。
【0030】
本発明の実施形態では、第１の支持面（３１２）および第２の支持面（３２２）のそれぞれの平坦度を調整することによって、基部（３１０）と蓋（３２０）との間の有効ハーメチックシールを得ることができる。基部（３１０）と蓋（３２０）との間の接触インターフェースのハーメチックシールが良好であればあるほど、容器の内側と外側との間の圧力差がそれだけ一層大きくなり、これを気体送り戻しプロセス中に行うことができ、この気体送り戻しプロセスでは、フィルタチャネルが閉鎖された状態で容器を真空環境内に配置する。また、良好なハーメチックシールにより、より多量の気体が気体送り戻しプロセス中に開かれているフィルタチャネルを通過することができる。具体的に言えば、各支持面の平坦度が１μｍから０．０４ｍｍまでの範囲にありかつ基部（３１０）と蓋（３２０）との間に有効ハーメチックシールが達成された場合、容器（３００）の周りの気体の体積は、真空状態から増大し始め、容器（３００）の収容空間に入っている到来する気体の少なくとも９０％が閉鎖されていない状態のフィルタチャネル（３２１）を通って入り、収容空間に入っている到来する気体の１０％未満が第１の支持面（３１２）と第２の支持面（３２２）との間の隙間Ｇを通ってまたは他の窓隙間、すなわち、加圧ユニットなどに関連付けられた蓋（３２０）に設けられている隙間を通って入る。他の窓隙間および加圧ユニットに関連付けられた蓋（３２０）上の隙間に気密封止を促進するための封止リングが与えられている場合が多いので、収容空間に入っている到来する気体の１０％未満が主として、第１の支持面（３１２）と第２の支持面（３２２）との間の隙間Ｇを通って入る。
【0031】
第１の支持面（３１２）および第２の支持面（３２２）のそれぞれの平坦度により容器（３００）の収容空間に入っている到来する気体の少なくとも９０％が非閉鎖フィルタチャネル（３２１）を通って入ることができるかどうかを評価するため、本発明は、ここに、図１０に示されているような試験方法を提供する。ＥＵＶ暴露機械の気体交換チャンバ内の空所と見なされる場合のある空所（８００）が提供される。空所（８００）内の気体体積は、弁（８０１）を開くとともに他の弁（８０２）を閉じて気体供給量を調整することによって増大し始めることができる。弁（８０１）を閉じるとともに他の弁（８０２）を開いて気体供給量を調整することによって、空所（８００）内に真空を得ることができる。本発明の試験方法は、容器（３００）が空所（８００）内に配置されたときに容器（３００）の収容空間（Ｐinside）の圧力と空所（８００）の圧力（Ｐoutside）の差をモニタするよう同一の真空ポンプ／気体増加曲線‐制御弁（８０１，８０２）を用いる。収容空間内の真空が得られるとともに空所（８００）内の気体体積が増大し始めたとき、圧力Ｐinsideは、圧力Ｐoutsideよりも低い。空所（８００）内の真空が得られたとき、圧力Ｐinsideは、圧力Ｐoutsideよりも高い。
【0032】
フィルタチャネル（３２１）が閉鎖されていない場合、本発明の容器（３００）が空所（８００）内に配置されると、チャネル（３２１）は、容器（３００）の収容空間の主要な流体通路となる。フィルタチャネル（３２１）が閉鎖された場合、本発明の容器（３００）が空所（８００）内に配置されると、容器（３００）の収容空間と容器（３００）の外部に位置する空間との間の主要な流体通路は、上述したように第１の支持面（３１２）と第２の支持面（３２２）との間の隙間Ｇとなる。注目されるべきこととして、他の窓隙間の周りおよび加圧ユニットに関連付けられた蓋（３２０）の他の間隙の周りに形成される流体通路を無視することができまたは制御可能でありかつ予測可能な影響を及ぼす要因と見なされる。本発明により提供される試験方法では、容器（３００）をフィルタチャネル（３２１）が閉鎖されていない状態で空所（８００）内に配置する。同一の真空ポンプ／気体増加曲線‐制御弁（８０１，８０２）を用いて圧力Ｐinsideと圧力Ｐoutsideとの差をモニタする。この試験方法は、１秒当たりの気体のポンプ送り出し／充填を制御するとともに圧力の変化をモニタすることによって、圧力Ｐinsideと圧力Ｐoutsideとの差が１００Ｐａ以上に達したどうかを判定するステップを含む。先ず最初に、空所（８００）内の気体をポンプで送り出して真空を作り、圧力Ｐoutsideが５００Ｐａに達する。次に、基部（３１０）を蓋（３２０）に係合させた状態で、気体を再び空所（８００）中に送り戻す。圧力Ｐinsideと圧力Ｐoutsideとの１００Ｐａを超える差を観察することができる場合、それにより、収容空間に入っている空気流の少なくとも９０％が非閉鎖状態のフィルタチャネル（３２１）を通過し、収容空間に入っている空気流の１０％未満が第１の支持面（３１２）と第２の支持面（３２２）との間の隙間（Ｇ）を通過する。
【0033】
本発明の好ましい実施形態では、第１の支持面（３１２）および第２の支持面（３２２）の各々の平坦度が１μｍから０．０４ｍｍまでの範囲にある場合、容器（３００）内の気体体積は、真空状態から増加し始め、収容空間に入っている到来する気体の少なくとも９０％が非閉鎖状態のフィルタチャネル（３２１）を通って入ることができまたはその代わりに、収容空間に入っている到来する気体の１０％未満が第１の支持面（３１２）と第２の支持面（３２２）との間の隙間Ｇを入ることができる。本発明の別の実施形態では、好ましくは、第１の支持面（３１２）および第２の支持面（３２２）は各々、１３ｎｍから１００ｎｍまでの範囲にある表面粗さ（Ｓａ）をさらに有する。かかる表面粗さは、基部（３１０）と蓋（３２０）との間の有効気密封止を促進することができ、さらに、それにより、本発明の容器（３００）内の気体体積が真空状態から増加し始めると、収容空間に入っている到来する気体の少なくとも９０％～９５％が非閉鎖状態のフィルタチャネル（３２１）を通って入り、またはその代わりに、収容空間に入っている到来する気体の５％～１０％未満が第１の支持面（３１２）と第２の支持面（３２２）と間の隙間Ｇを通って入るようになる。
【0034】
理解されるべきこととして、本発明では、有効気密封止は、第１の支持面（３１２）および第２の支持面（３２２）によって形成されるシールを通り抜ける気体が存在しないことを意味しているわけではない。これとは異なり、有効気密封止は、ある特定の環境において、本発明の容器（３００）がある特定のプロセスまたは設備の要件を満たすために上述の要件で気密封止を達成することができるということを意味している。
【0035】
図６Ａは、本発明の実施形態に係る基部と蓋との間の接触インターフェースの略図である。この実施形態では、環状接触インターフェース（７０１）が図５Ａに示されている基部（３１０）と蓋（３２０）との間に形成され、接触インターフェース（７０１）は、基部（３１０）の頂部水平面（３１１）を包囲し、接触インターフェース（７０１）の下側接触面（第１の支持面（３１２））および上側接触面（第２の支持面（３２２））は、頂部水平面（３１１）と比較して同一の勾配を有する。接触インターフェース（７０１）は、図１１Ｂの部分拡大図に示されているように隙間Ｇを有する。好ましくは、接触インターフェース（７０１）の隙間Ｇは、０．０８ｍｍを超えることはなく、したがって、本発明において説明している有効気密封止を実現することができる。加うるに、接触インターフェース（７０１）の上側接触面および下側接触面は各々、１３ｎｍから１００ｎｍまでの範囲にある表面粗さ（Ｓａ）を有し、そして基部（３１０）と蓋（３２０）との間の有効気密封止を一層促進することができる。
【0036】
図６Ｂは、図６Ａに示されているＡ‐Ａ切断線に沿って取った基部（３１０）と蓋（３２０）との間の接触インターフェースを示す断面図である。図６Ａに示されている実施形態に基づき、本発明の基部（３１０）は、図６Ｃ～図６Ｅに示されているように互いに異なる具体化実施例を有することができる。接触インターフェース（７０１）は、頂部水平面（３０１）に平行であっても良くまたは頂部水平面（３１１）と比較して傾斜していても良い。一実施例では、本発明の基部（３１０）は、頂部水平面（３１１）を包囲した状態で形成された環状溝（７００）を有し、その結果、環状溝（７００）は、頂部水平面（３１１）と接触インターフェース（７０１）との間に位置決めされるようになっている。溝（７００）は、接触インターフェース（７０１）の外部に位置する空間から隙間Ｇに入る微細な塵粒を捕捉するために使用され、その結果、微細な塵粒は、頂部水平面（３１１）に達する前に溝（７００）の底部上に落下するようになっている。
【0037】
図７Ａは、本発明の別の実施形態にかかる基部と蓋との間の接触インターフェースの略図である。この実施形態では、基部（３１０）の頂部水平面（３１１）を包囲する２つの環状接触インターフェース（７０１，７０２）が基部（３１０）と蓋（３２０）との間に形成されており、基部（３１０）は、２つの環状接触インターフェース（７０１，７０２）相互間に形成された環状溝（４００）を有する。環状溝（４００）の機能および作用効果は、図６Ｃ～図６Ｅに示された環状溝（７００）の機能および作用効果と同一である。この実施形態に関して図７Ａに示されたＢ‐Ｂ切断線に基づき、本発明の基部（３１０）は、図７Ｂ～図７Ｄに示されているよう互いに異なる具体化実施例を有することができる。接触インターフェース（７０１，７０２）の各々の下側接触面および上側接触面は、頂部水平面（３１１）と比較して同一の勾配を有する。例えば、図７Ｂに示されているように、接触インターフェース（７０１，７０２）および頂部水平面（３１１）は、同一の高さ位置にあり、図７Ｃに示されているように、接触インターフェース（７０１，７０２）は、頂部水平面（３１１）から見て異なる高さ位置にあり、粒子捕捉の機会を増大させるために環状溝（７００）が接触インターフェース（７０２）と頂部水平面（３１１）との間に形成され、図７Ｄに示されているように、接触インターフェース（７０１，７０２）は、互いに異なる高さのところにあり、粒子捕捉の機会を増大させるために環状溝（７００）が接触インターフェース（７０２）と頂部水平面（３１１）との間に形成されている。好ましくは、接触インターフェース（７０１，７０２）のうちの少なくとも一方の隙間Ｇは、０．０８ｍｍを超えず、その結果、本発明に係る有効気密封止を実現することができるようになっている。さらに、接触インターフェース（７０１，７０２）の上側接触面および下側接触面は各々、１３ｎｍから１００ｎｍまでの範囲にある表面粗さ（Ｓａ）を有し、そして基部（３１０）と蓋（３２０）との間の有効気密封止をさらに促進することができる。
【0038】
図８Ａは、本発明のさらに別の実施形態に係る基部と蓋との間の接触インターフェースの略図である。この実施形態では、基部（３１０）の頂部水平面（３１１）を包囲する２つの環状接触インターフェース（７０１，７０２）が基部（３１０）と蓋（３２０）との間に形成され、基部（３１０）は、互いに異なる高さ位置のところにある２つの環状接触インターフェース（７０１，７０２）相互間に形成された環状溝（４００）を有する。環状溝（４００）の機能および作用効果は、図６Ｃ～図６Ｅに示された環状溝（７００）の機能および作用効果と同一である。この実施形態に関して図８Ａに示されたＣ‐Ｃ切断線に基づき、本発明の基部（３１０）は、図８Ｂ～図８Ｄに示されているよう互いに異なる具体化例を有することができる。接触インターフェース（７０１，７０２）の各々の下側接触面および上側接触面は、頂部水平面（３１１）と比較して同一の勾配を有する。例えば、図８Ｂに示されているように、接触インターフェース（７０２）および頂部水平面（３１１）は、同一高さのところにあり、他方、接触インタフェース（７０１）は、頂部水平面（３１１）に平行でありかつこれとは異なる高さのところにある。そしてまた、図８Ｃに示されているように、接触インターフェース（７０１）は、頂部水平面（３１１）に平行でありかつこれとは異なる高さのところにあり、他方、接触インタフェース（７０２）は、頂部水平面（３１１）と比較して傾けられている。そしてまたさらに図８Ｄに示されているように、接触インターフェース（７０２）および頂部水平面（３１１）は、互いに異なる高さのところにあり、他方、接触インターフェース（７０１）は、頂部水平面（３１１）と比較して傾けられている。好ましくは、接触インターフェース（７０１，７０２）のうちの少なくとも一方の隙間Ｇは、０．０８ｍｍを超えることはなく、したがって、本発明において説明している有効気密封止を実現することができる。さらに、接触インターフェース（７０１，７０２）の上側接触面および下側接触面は各々、１３ｎｍから１００ｎｍまでの範囲にある表面粗さ（Ｓａ）を有し、そして基部（３１０）と蓋（３２０）との間の有効気密封止を一層促進することができる。
【0039】
図９Ａは、本発明のさらに別の実施形態に係る基部と蓋との間の接触インターフェースの略図である。この実施形態では、互いに連続して隣り合った３つの接触環状インターフェース（７０１，７０２，７０３）が基部（３１０）の頂部水平面（３１１）を包囲するよう基部（３１０）と蓋（３２０）との間に形成されている。この実施形態に関して図９Ａに示されたＤ‐Ｄ切断線に基づき、基部（３１０）は、図９Ｂに示された構造を有するのが良く、基部（３１０）は、接触インターフェースの外部の空間から隙間Ｇに入る微細な塵粒を捕捉するよう頂部水平面（３１１）と接触インターフェース（７０３）との間に形成された環状溝（７００）を有する。接触インターフェース（７０１，７０２，７０３）のそれぞれの各下側接触面および各上側接触面は、同一の勾配を有し、下側接触面および上側接触面の構造は、互いに相補している。好ましくは、接触インターフェース（７０１，７０２，７０３）のうちの少なくとも１つの接触インターフェースの隙間Ｇは、０．０８ｍｍを超えず、その結果、本発明に係る有効気密封止を実現することができるようになっている。さらに、接触インターフェース（７０１，７０２，７０３）の上側接触面および下側接触面は各々、１３ｎｍから１００ｎｍまでの範囲にある表面粗さ（Ｓａ）を有し、そして基部（３１０）と蓋（３２０）との間の有効気密封止をさらに促進することができる。
【0040】
当業者であれば理解されるように、図６Ａ～図９Ｂに示された実施形態では、各第１の支持面（３１２）の構造は、各第２の支持面（３２２）の構造と合致するようになっている。このように、少なくとも１つまたは２つ以上の接触インターフェース（これらは、互いに異なる水平レベルまたは高さのところに位置していても良い）を達成することができ、さらに、それにより、蓋を基部に係合させたときに第１の支持面の全てが第２の支持面全てと接触状態にあるようになる。
【0041】
図１１Ａは、図５Ｂに示された断面（ＣＳ１）に基づく断面図であり、基部（３１０）と蓋（３２０）が互いに接合されたとき、それぞれの適正な平坦度を選択することによって有効ハーメチックシールを達成することができることを示している。図１１Ａが示すように、たとえ一層近くで観察した場合でも、基部（３１０）と蓋（３２０）は、撓みに起因して互いに全体的に接触状態にあるわけではない。すなわち、第１の支持面（３１２）と第２の支持面（３２２）は、２つの端点のところで互いに接触することができるが、これらの各々は、中点の近くでは僅かに窪んだ部分を有するのが良く、その結果、撓みに起因して隙間が生じる。本発明の実施形態によれば、第１の支持面（３１２）および第２の支持面（３２２）が各々、例えば０．０１５ｍｍの平坦度を有する場合、基部（３１０）および蓋（３２０）は、これらが互いに接合されている間、撓みに起因してこれらの間に隙間が存在する場合であっても、有効ハーメチックシールを依然として達成することができる。
【0042】
図１１Ｂは、図５Ｂに示された断面（ＣＳ２）に基づく部分拡大略図であり、第１の支持面（３１２）と第２の支持面（３２２）が接触状態にあるときの第１の支持面（３１２）および第２の支持面（３２２）を示している。機械加工中における低周波要因によって生じる波形に起因して、第１の支持面（３１２）と第２の支持面（３２２）との間の接触インターフェースは、隙間Ｇを有する。理解されるべきこととして、上述の波形は、撓みとは異なっている。本発明にかかる平坦度調整は、たとえ容器内における波形または撓みに起因して隙間が生じる場合であっても、有効ハーメチックシールを達成することができる。図１１Ｃもまた、図５Ｂに示された断面（ＣＳ２）に基づく略図であり、図１１Ｃは、基部（３１０）の第１の支持面（３１２）および蓋（３２０）の第２の支持面（３２２）のそれぞれの平坦度を示している。基部（３１０）の第１の支持面（３１２）の平坦度は、ｄ１と表示され、蓋（３２０）の第２の支持面（３２２）の平坦度は、ｄ２と表示される。基部（３１０）を蓋（３２０）に係合させると、第１の支持面（３１２）と第２の支持面（３２２）との間に形成される接触インターフェースは、可変隙間Ｇを有し、隙間Ｇは、ｄ１＋ｄ２よりも小さくまたはこれに等しい。したがって、それぞれの平坦度が０．０４ｍｍである本発明の実施形態では、隙間Ｇは、０．０８ｍｍを超えることはなく、それにより有効ハーメチックシールを達成することができる。
【0043】
上述の実施形態に基づき、容器の基部と蓋との間のハーメチックシールが単に２つの表面相互間の接触、特に２つの金属表面相互間の接触によって達成され、他方、関連した表面の平坦度および／または粗さ（Ｓａ）は、本発明において開示される技術的手段を用いて制限される。したがって、関連の表面相互間に形成されたハーメチックシールにより、容器の収容空間に入っている気体の少なくとも９０％が蓋のフィルタチャネルを通って入ることができ、気体の１０％未満が接触面相互間の隙間を通って入ることができる。かかるハーメチックシールは、ある特定の関連製造プロセスまたは環境では効果的でありかつ上首尾であると見なされる。
【符号の説明】
【0044】
１１０ 内側ポッド組立体
１２０ 上蓋
１３０ 下蓋
１４０ 加圧ユニット
１５０ 外側ポッド組立体
１６０ 基部
３００ 容器
３１０ 基部
３１２ 第１の支持面
３１３ 支持組立体
３２０ 蓋
３２１ フィルタチャネル
３２２ 第２の支持面
７００ 環状溝
７０１ 接触インターフェース
８００ 空所
８０１、８０２ 制御弁
１２０ 上蓋
１３０ 下蓋
１４０ 加圧ユニット
１５０ 外側ポッド組立体
１６０ 基部
３００ 容器
３１０ 基部
３１２ 第１の支持面
３１３ 支持組立体
３２０ 蓋
３２１ フィルタチャネル
３２２ 第２の支持面
７００ 環状溝
７０１ 接触インターフェース
８００ 空所
８０１、８０２ 制御弁
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5A】
【図5B】
【図6A】
【図6B】
【図6C】
【図6D】
【図6E】
【図7A】
【図7B】
【図7C】
【図7D】
【図8A】
【図8B】
【図8C】
【図8D】
【図9A】
【図9B】
【図10】
【図11A】
【図11B】
【図11C】