(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023116932
(43)【公開日】2023-08-23
(54)【発明の名称】ワークステージおよび露光装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/683 20060101AFI20230816BHJP
G03F 7/20 20060101ALI20230816BHJP
【ＦＩ】
H01L21/68 P
G03F7/20 501
G03F7/20 521
【審査請求】未請求
【請求項の数】9
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022019342
(22)【出願日】2022-02-10
(71)【出願人】
【識別番号】000102212
【氏名又は名称】ウシオ電機株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100109380
【弁理士】
【氏名又は名称】小西 恵
(74)【代理人】
【識別番号】100109036
【弁理士】
【氏名又は名称】永岡 重幸
(72)【発明者】
【氏名】杉崎 俊太
(72)【発明者】
【氏名】那脇 洋平
【テーマコード（参考）】
2H197
5F131
【Ｆターム（参考）】
2H197CD02
2H197CD06
2H197HA02
2H197HA03
2H197HA04
5F131AA12
5F131AA23
5F131BA13
5F131CA07
5F131EA02
5F131EA22
5F131EA23
5F131EA24
5F131EB02
5F131EB54
5F131EB73
(57)【要約】 （修正有）
【課題】異物の挟み込みを抑制し、有機基板からなるワークを適切に平面保持することができるワークステージおよびそのワークステージを使用した露光装置を提供する。
【解決手段】ワークステージと、光照射部２０と、マスク３０と、マスクを保持するマスクステージ３１と、投影レンズ４０と、を備える露光装置１００において、有機基板（ワークＷ）を保持するワークステージ１０は、真空が供給される凹部１１ａが形成された基台１１と、凹部１１ａの内側に設けられ、有機基板の略全面を保持する多数の基板保持部（ピン）と、凹部１１ａに真空を供給し、基板保持部の上面に有機基板を真空吸着するための真空エアー導入路１１ｂの端部となる吸気孔と、を備える。
【選択図】図１
【解決手段】ワークステージと、光照射部２０と、マスク３０と、マスクを保持するマスクステージ３１と、投影レンズ４０と、を備える露光装置１００において、有機基板（ワークＷ）を保持するワークステージ１０は、真空が供給される凹部１１ａが形成された基台１１と、凹部１１ａの内側に設けられ、有機基板の略全面を保持する多数の基板保持部（ピン）と、凹部１１ａに真空を供給し、基板保持部の上面に有機基板を真空吸着するための真空エアー導入路１１ｂの端部となる吸気孔と、を備える。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
有機基板を保持するワークステージであって、
真空が供給される凹部が形成された基台と、
前記凹部の内側に設けられ、前記有機基板の略全面を保持する多数の基板保持部と、
前記凹部に真空を供給し、前記基板保持部の上面に前記有機基板を真空吸着するための吸気孔と、を備えることを特徴とするワークステージ。
真空が供給される凹部が形成された基台と、
前記凹部の内側に設けられ、前記有機基板の略全面を保持する多数の基板保持部と、
前記凹部に真空を供給し、前記基板保持部の上面に前記有機基板を真空吸着するための吸気孔と、を備えることを特徴とするワークステージ。
【請求項2】
前記凹部の内側における端部近傍である外周領域に、前記凹部の端部から前記凹部の中心に向かう方向に複数段設けられた隔壁部をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のワークステージ。
【請求項3】
前記多数の基板保持部は、前記凹部の内側における中心領域であって、前記有機基板の処理領域に対応する領域に設けられ、
前記複数段の隔壁部は、前記凹部の内側における前記中心領域の外側に設定された前記外周領域であって、前記有機基板の非処理領域に対応する領域に設けられていることを特徴とする請求項２に記載のワークステージ。
前記複数段の隔壁部は、前記凹部の内側における前記中心領域の外側に設定された前記外周領域であって、前記有機基板の非処理領域に対応する領域に設けられていることを特徴とする請求項２に記載のワークステージ。
【請求項4】
前記隔壁部は、前記吸気孔に対する吸気経路を構成する切欠き部を備えることを特徴とする請求項２に記載のワークステージ。
【請求項5】
前記複数段の隔壁部は、
第１の切欠き部が設けられた第１の隔壁部と、
前記第１の隔壁部によりも前記凹部の中心側に設けられ、第２の切欠き部が設けられた第２の隔壁部と、を含み、
前記第２の切欠き部は、前記第１の切欠き部が構成する前記吸気孔に対する吸気経路を迂回させる位置に設けられていることを特徴とする請求項４に記載のワークステージ。
第１の切欠き部が設けられた第１の隔壁部と、
前記第１の隔壁部によりも前記凹部の中心側に設けられ、第２の切欠き部が設けられた第２の隔壁部と、を含み、
前記第２の切欠き部は、前記第１の切欠き部が構成する前記吸気孔に対する吸気経路を迂回させる位置に設けられていることを特徴とする請求項４に記載のワークステージ。
【請求項6】
前記隔壁部間の距離は、前記基板保持部間の距離以下であることを特徴とする請求項２に記載のワークステージ。
【請求項7】
前記切欠き部の幅は、前記基板保持部間の距離以下であることを特徴とする請求項４に記載のワークステージ。
【請求項8】
前記凹部を形成する外周部、前記基板保持部および前記隔壁部は、同じ高さを有することを特徴とする請求項２に記載のワークステージ。
【請求項9】
露光光を出射する光照射部と、
パターンが形成されたマスクを保持するマスクステージと、
前記マスクに形成されたパターンが転写される有機基板を保持するワークステージと、を備え、
前記ワークステージは、請求項１から８のいずれか１項に記載のワークステージであることを特徴とする露光装置。
パターンが形成されたマスクを保持するマスクステージと、
前記マスクに形成されたパターンが転写される有機基板を保持するワークステージと、を備え、
前記ワークステージは、請求項１から８のいずれか１項に記載のワークステージであることを特徴とする露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、露光などの加工処理を施す基板を保持するワークステージおよびそのワークステージを使用した露光装置に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体、プリント基板、液晶基板等のワークを製造する工程において、露光などの加工処理を行う際、ワークが位置ずれを起こさないように、ワークを吸着保持するワークステージが用いられる。
例えば特許文献１は、ＬＳＩ製造において用いられる真空吸着装置として、上面が同一平面上にある多数の突子のみによってワーク（ウエハ）を保持する、所謂ピンステージ（ピンチャック）を開示する。このように、従来、半導体製造工程の前工程では、ピンステージが広く用いられている。
一方、半導体製造の後工程では、従来、表面に複数の真空吸着孔が形成された平面ステージ（真空チャック）が用いられてきた。
例えば特許文献１は、ＬＳＩ製造において用いられる真空吸着装置として、上面が同一平面上にある多数の突子のみによってワーク（ウエハ）を保持する、所謂ピンステージ（ピンチャック）を開示する。このように、従来、半導体製造工程の前工程では、ピンステージが広く用いられている。
一方、半導体製造の後工程では、従来、表面に複数の真空吸着孔が形成された平面ステージ（真空チャック）が用いられてきた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開平８－１９５４２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
ワークステージには、載置されたワークが確実に吸着保持され、吸着保持中のワークが平面であることが求められる。
ところが、上記の平面ステージを用いた加工処理においては、ワークとワークステージとの間に異物が入り込みやすい。当該異物は、例えば、半導体パッケージ（ＰＫＧ）で使われる有機基板のゴミ（Fall Material：ＦＭ）などである。
ワークとワークステージとの間に異物が挟み込まれると、ワークが変形し、盛り上がってしまう。このとき、ワーク上の盛り上がった部分ではデフォーカスが起こり、露光不良となる。その結果、歩留まりが悪化する。
ところが、上記の平面ステージを用いた加工処理においては、ワークとワークステージとの間に異物が入り込みやすい。当該異物は、例えば、半導体パッケージ（ＰＫＧ）で使われる有機基板のゴミ（Fall Material：ＦＭ）などである。
ワークとワークステージとの間に異物が挟み込まれると、ワークが変形し、盛り上がってしまう。このとき、ワーク上の盛り上がった部分ではデフォーカスが起こり、露光不良となる。その結果、歩留まりが悪化する。
【0005】
そこで、本発明は、異物の挟み込みを抑制し、有機基板からなるワークを適切に平面保持することができるワークステージおよびそのワークステージを使用した露光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
上記課題を解決するために、本発明に係るワークステージの一態様は、有機基板を保持するワークステージであって、真空が供給される凹部が形成された基台と、前記凹部の内側に設けられ、前記有機基板の略全面を保持する多数の基板保持部と、前記凹部に真空を供給し、前記基板保持部の上面に前記有機基板を真空吸着するための吸気孔と、を備える。
【0007】
このように、有機基板（ワーク）を多数の基板保持部によって真空吸着して保持する構成とすることで、ワークとワークステージとの接触面積を少なくすることができ、ワークとワークステージとの間に異物が挟み込まれることを抑制することができる。したがって、ワークを適切に平面保持することができる。
【0008】
また、上記のワークステージは、前記凹部の内側における端部近傍である外周領域に、前記凹部の端部から前記凹部の中心に向かう方向に複数段設けられた隔壁部をさらに備えてもよい。
この場合、剥離しやすいフィルム等が積層されたワークの当該フィルム側を吸着保持し、当該フィルム等の端部が剥離した場合であっても、その剥離の進行を隔壁部が抑制することができる。つまり、フィルム等が端部から中心部に向けて大きく剥離することを抑制することができる。
この場合、剥離しやすいフィルム等が積層されたワークの当該フィルム側を吸着保持し、当該フィルム等の端部が剥離した場合であっても、その剥離の進行を隔壁部が抑制することができる。つまり、フィルム等が端部から中心部に向けて大きく剥離することを抑制することができる。
【0009】
さらに、上記のワークステージにおいて、前記多数の基板保持部は、前記凹部の内側における中心領域であって、前記有機基板の処理領域に対応する領域に設けられ、前記複数段の隔壁部は、前記凹部の内側における前記中心領域の外側に設定された前記外周領域であって、前記有機基板の非処理領域に対応する領域に設けられていてもよい。
この場合、上記のフィルム等の剥離をワークの非処理領域内に留め、ワークの処理領域に剥離が進行することを抑制することができる。したがって、ワークの処理領域においては、適切に平面保持を維持することができる。
この場合、上記のフィルム等の剥離をワークの非処理領域内に留め、ワークの処理領域に剥離が進行することを抑制することができる。したがって、ワークの処理領域においては、適切に平面保持を維持することができる。
【0010】
また、上記のワークステージにおいて、前記隔壁部は、前記吸気孔に対する吸気経路を構成する切欠き部を備えてもよい。
この場合、隔壁部を挟んで内側と外側とにそれぞれ吸気孔を設ける必要がない。また、隔壁部を挟んで内側と外側とで均一に真空引きすることができる。
この場合、隔壁部を挟んで内側と外側とにそれぞれ吸気孔を設ける必要がない。また、隔壁部を挟んで内側と外側とで均一に真空引きすることができる。
【0011】
さらに、上記のワークステージにおいて、前記複数段の隔壁部は、第１の切欠き部が設けられた第１の隔壁部と、前記第１の隔壁部によりも前記凹部の中心側に設けられ、第２の切欠き部が設けられた第２の隔壁部と、を含み、前記第２の切欠き部は、前記第１の切欠き部が構成する前記吸気孔に対する吸気経路を迂回させる位置に設けられていてもよい。
このように吸気の流れを迂回させることで、剥離しやすいフィルム等が積層されたワークの当該フィルム側を吸着保持し、当該フィルム等の端部が剥離した場合であっても、凹部の中心側に設けられた第２の隔壁部によって上記剥離を適切に抑制することができる。
このように吸気の流れを迂回させることで、剥離しやすいフィルム等が積層されたワークの当該フィルム側を吸着保持し、当該フィルム等の端部が剥離した場合であっても、凹部の中心側に設けられた第２の隔壁部によって上記剥離を適切に抑制することができる。
【0012】
また、上記のワークステージにおいて、前記隔壁部間の距離は、前記基板保持部間の距離以下であってよい。
この場合、隔壁部間でのワークのたわみを適切に抑制することができる。
この場合、隔壁部間でのワークのたわみを適切に抑制することができる。
【0013】
さらにまた、上記のワークステージにおいて、前記切欠き部の幅は、前記基板保持部間の距離以下であってよい。
この場合、隔壁部に設けられた切欠き部でのワークのたわみを適切に抑制することができる。
この場合、隔壁部に設けられた切欠き部でのワークのたわみを適切に抑制することができる。
【0014】
また、上記のワークステージにおいて、前記凹部を形成する外周部、前記基板保持部および前記隔壁部は、同じ高さを有していてもよい。
この場合、ワークを真空吸着により適切に平面保持することができる。
この場合、ワークを真空吸着により適切に平面保持することができる。
【0015】
さらに、本発明に係る露光装置の一態様は、露光光を出射する光照射部と、パターンが形成されたマスクを保持するマスクステージと、前記マスクに形成されたパターンが転写される有機基板を保持するワークステージと、を備え、前記ワークステージは、上記のいずれかのワークステージである。
このように、ワークを適切に平面保持することが可能なワークステージを使用した露光装置では、デフォーカスによる露光不良を適切に抑制することができ、歩留まりの悪化を回避することができる。
このように、ワークを適切に平面保持することが可能なワークステージを使用した露光装置では、デフォーカスによる露光不良を適切に抑制することができ、歩留まりの悪化を回避することができる。
【発明の効果】
【0016】
本発明のワークステージによれば、異物の挟み込みを抑制し、有機基板からなるワークを適切に平面保持することができる。
また、このようなワークステージを使用した露光装置によれば、露光不良が抑制され、歩留まりの悪化が抑制される。
また、このようなワークステージを使用した露光装置によれば、露光不良が抑制され、歩留まりの悪化が抑制される。
【図面の簡単な説明】
【0017】
【図1】本実施形態におけるワークステージを備えた露光装置の概略構成図である。
【図2】ワークステージの構成例を示す平面図である。
【図3】ワークステージの構成例を示す側面図である。
【図4】ワークステージの中心領域および外周領域を示す図である。
【図5】ワークの一例を示す図である。
【図6A】ピンステージを使用した露光装置の動作を説明する図である。
【図6B】ピンステージを使用した露光装置の動作を説明する図である。
【図6C】ピンステージを使用した露光装置の動作を説明する図である。
【図6D】ピンステージを使用した露光装置の動作を説明する図である。
【図7A】本実施形態の露光装置の動作を説明する図である。
【図7B】本実施形態の露光装置の動作を説明する図である。
【図7C】本実施形態の露光装置の動作を説明する図である。
【図7D】本実施形態の露光装置の動作を説明する図である。
【図8】ピンステージを使用した場合の保護フィルムの剥離の一例を示す図である。
【図9】本実施形態のワークステージを使用した場合の保護フィルムの剥離の一例を示す図である。
【図10】ワークステージの別の例を示す図である。
【図11】ワークステージの別の例を示す図である。
【図12】ワークステージの別の例を示す図である。
【図13】ワークステージの別の例を示す図である。
【図14】ワークステージの別の例を示す図である。
【図15】ワークステージの別の例を示す図である。
【図16】ワークステージの別の例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0018】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
本実施形態では、露光装置に用いるワークステージを例にして説明するが、露光装置以外であっても、有機基板を真空吸着保持して処理する装置であれば、このワークステージを使用することができる。
本実施形態では、露光装置に用いるワークステージを例にして説明するが、露光装置以外であっても、有機基板を真空吸着保持して処理する装置であれば、このワークステージを使用することができる。
【0019】
図１は、本実施形態におけるワークステージ１０を備えた露光装置１００の概略構成を示す図である。
露光装置１００は、有機基板からなるワークＷを露光する露光装置である。ここで、ワークＷは、例えばプリント基板とすることができる。
露光装置１００は、有機基板からなるワークＷを露光する露光装置である。ここで、ワークＷは、例えばプリント基板とすることができる。
【0020】
図１に示すように、露光装置１００は、ワークステージ１０と、光照射部２０と、マスク３０と、マスク３０を保持するマスクステージ３１と、投影レンズ４０と、を備える。
光照射部２０は、紫外線を含む光を放射する露光用光源であるランプ２１と、ランプ２１からの光を反射するミラー２２とを有する。ランプ２１およびミラー２２は、ランプハウス２３に収容されている。なお、ここでは光照射部２０の光源がランプ２１である場合について説明するが、光源は、ＬＥＤやレーザなどであってもよい。
光照射部２０は、紫外線を含む光を放射する露光用光源であるランプ２１と、ランプ２１からの光を反射するミラー２２とを有する。ランプ２１およびミラー２２は、ランプハウス２３に収容されている。なお、ここでは光照射部２０の光源がランプ２１である場合について説明するが、光源は、ＬＥＤやレーザなどであってもよい。
【0021】
マスク３０には、ワークに露光（転写）される回路パターンなどのパターンが形成されている。光照射部２０からの露光光は、マスク３０と投影レンズ４０とを介して、ワークステージ１０が保持するワークＷに照射され、マスク３０に形成されたパターンが、ワークＷ上に投影されて露光される。
なお、本実施形態では、露光装置１００が投影レンズ４０を備える場合について説明するが、投影レンズ４０を備えない露光装置にも本実施形態におけるワークステージ１０を適用可能である。
なお、本実施形態では、露光装置１００が投影レンズ４０を備える場合について説明するが、投影レンズ４０を備えない露光装置にも本実施形態におけるワークステージ１０を適用可能である。
【0022】
ワークステージ１０は、中央部に凹部１１ａが形成された基台（ベースプレート）１１を備える。基台１１は、例えばアルミニウムにより構成することができる。
ワークステージ１０には配管５０が接続されている。配管５０には、エアーと真空とが接続されており、第１のバルブ５１と第２のバルブ５２とを開閉することにより、基台１１に真空とエアーとを切り替えて供給することができる。
基台１１内部には、真空エアー導入路１１ｂが形成されており、配管５０に供給された真空またはエアーは、真空エアー導入路１１ｂを通って凹部１１ａに供給される。
ワークステージ１０には配管５０が接続されている。配管５０には、エアーと真空とが接続されており、第１のバルブ５１と第２のバルブ５２とを開閉することにより、基台１１に真空とエアーとを切り替えて供給することができる。
基台１１内部には、真空エアー導入路１１ｂが形成されており、配管５０に供給された真空またはエアーは、真空エアー導入路１１ｂを通って凹部１１ａに供給される。
【0023】
以下、ワークステージ１０の構成について具体的に説明する。
図２は、ワークステージ１０の構成例を示す平面図、図３は、ワークステージ１０の構成例を示す側面図である。
ワークステージ１０の基台１１は、例えば四角形状の板状部材である。なお、基台１１の形状は四角形状に限定されるものではない。
基台１１は、その外縁部において、ワークＷの吸着面側（図３の上方向）に突出して形成された外周部１２を備える。外周部１２は、基台１１の全周にわたって形成されており、この外周部１２によって、基台１１に凹部１１ａが形成される。
図２は、ワークステージ１０の構成例を示す平面図、図３は、ワークステージ１０の構成例を示す側面図である。
ワークステージ１０の基台１１は、例えば四角形状の板状部材である。なお、基台１１の形状は四角形状に限定されるものではない。
基台１１は、その外縁部において、ワークＷの吸着面側（図３の上方向）に突出して形成された外周部１２を備える。外周部１２は、基台１１の全周にわたって形成されており、この外周部１２によって、基台１１に凹部１１ａが形成される。
【0024】
凹部１１ａの内側における端部近傍には隔壁部１３が設けられ、凹部１１ａの内側における中央部には多数の基板保持部１４が設けられている。
隔壁部１３は、凹部１１ａの端部から凹部１１ａの中心に向かう方向に複数段設けられている。本実施形態では、隔壁部１３は、外周部１２から内側に所定の間隔をもって２重に形成されている。
隔壁部１３は、凹部１１ａの端部から凹部１１ａの中心に向かう方向に複数段設けられている。本実施形態では、隔壁部１３は、外周部１２から内側に所定の間隔をもって２重に形成されている。
【0025】
そして、内側の隔壁部１３と外側の隔壁部１３とは、それぞれ少なくとも１つの切欠き部１３ａを備える。本実施形態では、隔壁部１３は、それぞれ２つの切欠き部１３ａを備える。具体的には、外側の隔壁部１３は、Ｘ方向に対向する位置にそれぞれ切欠き部１３ａを備え、内側の隔壁部１３は、Ｙ方向に対向する位置にそれぞれ切欠き部１３ａを備える。
なお、隔壁部１３は少なくとも２段設けられていればよく、段数は特に限定されない。
なお、隔壁部１３は少なくとも２段設けられていればよく、段数は特に限定されない。
【0026】
基板保持部１４は、例えばピン形状の凸部である。基板保持部（以下、「ピン」ともいう。）１４は、例えば図２に示すように、Ｘ方向およびＹ方向に所定の間隔で整列配置されている。
なお、基板保持部１４の形状および配置は上記に限定されるものではない。例えば基板保持部１４の形状は、円柱状、円錐状、角柱状、角錐状などであってもよい。
なお、基板保持部１４の形状および配置は上記に限定されるものではない。例えば基板保持部１４の形状は、円柱状、円錐状、角柱状、角錐状などであってもよい。
【0027】
また、凹部１１ａの底面には、真空エアー導入路１１ｂの端部となる吸気孔１５が形成されている。図２では、ワークステージ１０は、吸気孔１５を凹部１１ａの中央に１つのみ備える場合について示しているが、吸気孔１５の数および位置は上記に限定されない。吸気孔１５は、少なくともワークステージ１０の中心に設けられていればよい。
さらに、外周部１２と隔壁部１３とピン１４とは、Ｚ方向において同じ高さを有する。外周部１２の上面、隔壁部１３の上面およびピン１４の上面が、ワークステージ１０におけるワークＷの載置面を構成する。ワークステージ１０は、上記載置面にワークＷが載置された際に、ワークＷと凹部１１ａとの間に形成された領域を真空排気することでワークＷを吸着保持することができる。
さらに、外周部１２と隔壁部１３とピン１４とは、Ｚ方向において同じ高さを有する。外周部１２の上面、隔壁部１３の上面およびピン１４の上面が、ワークステージ１０におけるワークＷの載置面を構成する。ワークステージ１０は、上記載置面にワークＷが載置された際に、ワークＷと凹部１１ａとの間に形成された領域を真空排気することでワークＷを吸着保持することができる。
【0028】
ワークステージ１０の載置面、即ち、外周部１２の上面と隔壁部１３の上面とピン１４の上面とを含む平面は、精度の良い平面に仕上げられている。例えば、ワークステージ１０の載置面は、高精度のラップ加工により超平面に加工されている。
【0029】
図４に示すように、凹部１１ａは、ピン１４が設けられた中心領域１０ａと、その外周であり隔壁部１３が設けられた外周領域１０ｂとから成る。中心領域１０ａは、ワークＷの略全面に設けられた処理領域（露光領域）に対応し、外周領域１０ｂは、ワークＷの処理領域の外側に設けられた比較的小さい非処理領域に対応する。つまり、ワークＷは、露光領域が中心領域１０ａ内に配置されるようにワークステージ１０に載置され、ワークＷの略全面がピン１４により保持される。
【0030】
ピン１４の直径もしくは一辺の長さ（以下、「ピン径」という。）は、０．２ｍｍ～１ｍｍ程度であることが好ましい。また、ピン１４の高さは数十μｍ～数ｍｍとすることができる。また、ピン１４とピン１４との間の距離（以下、「ピン間距離」という。）は、４ｍｍ以下であることが好ましく、例えば０．５ｍｍ～４ｍｍ程度とすることができる。
隔壁部１３の上面の幅（以下、「隔壁部幅」という。）および隔壁部１３と隔壁部１３との間の溝の距離（以下、「隔壁部間距離」という。）は、ピン径およびピン間距離と同じであってよい。隔壁部間距離は、ピン間距離以下であればよい。
隔壁部１３の上面の幅（以下、「隔壁部幅」という。）および隔壁部１３と隔壁部１３との間の溝の距離（以下、「隔壁部間距離」という。）は、ピン径およびピン間距離と同じであってよい。隔壁部間距離は、ピン間距離以下であればよい。
【0031】
ピン径およびピン間距離は、ワークＷを吸着保持した際に、ワークＷの変形（たわみ）によって露光精度に支障をきたさない平面度が確保できる程度の値に設定することが好ましい。ピン径およびピン間距離は、ワークＷの種類（厚さや硬さ等）やコスト等に応じて適宜設定することができる。例えばピン間距離は、狭いほどワークＷのたわみが少なくなるため露光精度を高めることができるが、ピン１４の数は増えるためコストは嵩む。
また、ピン径は、ワークＷとの接触面の異物の付着を抑制することができる程度の値に設定することが好ましい。
また、ピン径は、ワークＷとの接触面の異物の付着を抑制することができる程度の値に設定することが好ましい。
【0032】
上述したように、ワークステージのワーク載置面は平面であることが求められる。しかしながら、従来のワークステージの表面に複数の真空吸着孔が形成された平面ステージを使用した露光装置では、ワークステージ自体が平面であっても、ワーク載置面上に異物が付着しやすく、ワークとワークステージとの間に入り込んだ異物によってワークが変形しうる。この場合、ワーク上の盛り上がった部分ではデフォーカスが起こり、露光不良となるため、歩留まりが悪化する。
【0033】
本実施形態におけるワークステージ１０は、基台１１と、外周部１２と、外周部１２により基台１１に形成された凹部１１ａに設けられた複数のピン１４と、を備え、凹部１１ａに真空を供給することで、ワークＷの略全面を保持するピン１４ａが、ワークＷを真空吸着保持する構成を有する。
これにより、従来のワークステージと比較して、ワークＷとワークステージ１０との接触面積を大幅に少なくすることができるので、上記の異物による露光不良を抑制することができる。
これにより、従来のワークステージと比較して、ワークＷとワークステージ１０との接触面積を大幅に少なくすることができるので、上記の異物による露光不良を抑制することができる。
【0034】
しかしながら、プリント基板には、両面に回路パターンを形成したものがある。この場合、ワークＷは、図５に示すように、基材Ｗ０の両面にレジストＲが塗布され、レジストＲの上に保護フィルムＦが積層された構成を有する。なお、この図５では、レジストＲおよびフィルムＦの厚さを誇張して示している。
ここで、レジストＲは、例えばドライフィルムレジストであってよい。また、保護フィルムＦは、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムであってよい。また、レジストＲの厚さは約３０μｍ、保護フィルムＦの厚さは１０μｍ～３０μｍ程度とすることができる。
ここで、レジストＲは、例えばドライフィルムレジストであってよい。また、保護フィルムＦは、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムであってよい。また、レジストＲの厚さは約３０μｍ、保護フィルムＦの厚さは１０μｍ～３０μｍ程度とすることができる。
【0035】
図５に示すようなワークＷを用いる場合、露光装置は、ワークＷの両面に対してそれぞれ露光処理を行う。
このとき、ワークステージが、本実施形態におけるワークステージ１０が備えるような隔壁部１３を備えていない場合、つまり、凹部１１ａにピン１４のみが形成された構成であった場合、両面露光において保護フィルムＦの剥離が発生してしまう。以下、この点について詳細に説明する。
このとき、ワークステージが、本実施形態におけるワークステージ１０が備えるような隔壁部１３を備えていない場合、つまり、凹部１１ａにピン１４のみが形成された構成であった場合、両面露光において保護フィルムＦの剥離が発生してしまう。以下、この点について詳細に説明する。
【0036】
図６Ａ～図６Ｄは、隔壁部１３を備えないワークステージ１１０を備える露光装置の動作を説明する図である。
ここで、ワークステージ１１０は、本実施形態におけるワークステージ１０の外周部１２、ピン１４、吸気孔１５、凹部１１ａおよび真空エアー導入路１１ｂにそれぞれ対応する外周部１１２、ピン１１４、吸気孔１１５、凹部１１１ａおよび真空エアー導入路１１１ｂを備える。
このワークステージ１１０を備える露光装置においては、まず図６Ａに示すように、不図示の搬送手段により、ワークステージ１１０上にワークＷが搬送される。ここで、ワークＷは、図５に示すように両面（第１面Ｗ１および第２面Ｗ２）にレジストＲが塗布され、その上に保護フィルムＦが積層された構成を有する。
ここで、ワークステージ１１０は、本実施形態におけるワークステージ１０の外周部１２、ピン１４、吸気孔１５、凹部１１ａおよび真空エアー導入路１１ｂにそれぞれ対応する外周部１１２、ピン１１４、吸気孔１１５、凹部１１１ａおよび真空エアー導入路１１１ｂを備える。
このワークステージ１１０を備える露光装置においては、まず図６Ａに示すように、不図示の搬送手段により、ワークステージ１１０上にワークＷが搬送される。ここで、ワークＷは、図５に示すように両面（第１面Ｗ１および第２面Ｗ２）にレジストＲが塗布され、その上に保護フィルムＦが積層された構成を有する。
【0037】
ワークステージ１１０上に搬送されたワークＷは、図６Ｂに示すように第１面Ｗ１を上面としてワークステージ１１０上に載置される。そして、露光装置がワークステージ１１０の凹部１１１ａに配管１５０から真空を供給することで、ワークＷはワークステージ１１０上に吸着保持される。この状態で、露光装置は、露光光ＬをワークＷに照射し、第１面Ｗ１に対する露光処理を行う。露光装置は、上記の露光処理中、ワークＷが移動（位置ずれ）しないようにワークステージ１１０への真空の供給を続ける。
【0038】
第１面Ｗ１への露光処理が終了すると、露光装置は露光光Ｌの照射を停止し、凹部１１１ａへの真空の供給を停止する。これにより、ワークＷの吸着保持が解除される。吸着保持が解除されたワークＷは、図６Ｃに示すように不図示の反転手段により表裏反転され、図６Ｄに示すように、次に露光を行う第２面Ｗ２を上面としてワークステージ１１０上に載置される。
そして、露光装置がワークステージ１１０の凹部１１１ａに配管１５０から真空を供給することで、ワークＷはワークステージ１１０上に吸着保持される。
そして、露光装置がワークステージ１１０の凹部１１１ａに配管１５０から真空を供給することで、ワークＷはワークステージ１１０上に吸着保持される。
【0039】
なお、プリント基板で多く使用されるレジストは、露光光が照射されると照射された部分が露光前よりも硬くなるため、露光した面を下にしてワークステージ上に置いても、形成した露光パターンが変形することはない。
この状態で、露光装置は、露光光ＬをワークＷに照射し、第２面Ｗ２に対する露光処理を行う。このようにして、ワークＷの両面の露光処理が行われる。第２面Ｗ２の露光処理が終了すると、ワークＷはワークステージ１１０から外され、不図示の搬送手段により、露光装置外に搬送されて次の現像の工程に移される。
この状態で、露光装置は、露光光ＬをワークＷに照射し、第２面Ｗ２に対する露光処理を行う。このようにして、ワークＷの両面の露光処理が行われる。第２面Ｗ２の露光処理が終了すると、ワークＷはワークステージ１１０から外され、不図示の搬送手段により、露光装置外に搬送されて次の現像の工程に移される。
【0040】
両面にレジストＲが塗布されたワークＷにおいて、レジストＲを保護するためにレジストＲ上に積層された保護フィルムＦは、中心部では強固にレジストＲと密着しているため、剥離し難いが、周縁部では剥離しやすい。保護フィルムＦの中心部の臨界剥離強度は１０Ｎ以上であるが、周縁部の臨界剥離強度は０．２Ｎ程度である。
【0041】
そのため、図６Ｂに示すように、ワークＷの最初に露光する面（第１面Ｗ１）を上に、後で露光する面（第２面Ｗ２）を下にしてワークステージ１１０上に置き、凹部１１１ａに配管１５０から真空を供給して、ワークＷを真空吸着すると、真空の吸引力により、保護フィルムＦの周縁部が剥離してしまうことがある。周縁部で発生した剥離は、真空の吸引力により中心部に向かって大きく進行する。
図６Ｂに示すように、ワークＷの吸着面である第２面Ｗ２において保護フィルムＦが剥離すると、ワークＷの吸着力が低下したり、ワークＷの平面度（平坦度）が低下したりして、第１面Ｗ１の露光処理に支障をきたす。
図６Ｂに示すように、ワークＷの吸着面である第２面Ｗ２において保護フィルムＦが剥離すると、ワークＷの吸着力が低下したり、ワークＷの平面度（平坦度）が低下したりして、第１面Ｗ１の露光処理に支障をきたす。
【0042】
さらに、図６Ｄに示すように、ワークＷの第２面Ｗ２に露光処理を行う場合、第１面Ｗ１の露光処理時に剥離した保護フィルムＦ側が被照射面となるため、第２面Ｗ２の露光処理に支障をきたす。
このように、両面にレジストＲと保護フィルムＦとが積層されたワークＷをワークステージ１１０により真空吸着して両面露光処理を行う場合、保護フィルムＦの剥離の問題が生じることがある。
このように、両面にレジストＲと保護フィルムＦとが積層されたワークＷをワークステージ１１０により真空吸着して両面露光処理を行う場合、保護フィルムＦの剥離の問題が生じることがある。
【0043】
これに対して、本実施形態では、凹部１１ａの外周領域１０ｂに２重の隔壁部１３を設けるので、表面に保護フィルムＦが設けられたワークＷの保護フィルムＦ側を吸着保持した場合であっても、当該保護フィルムＦの剥離を抑制することができる。
【0044】
図７Ａ～図７Ｄは、本実施形態におけるワークステージ１０を備える露光装置１００の動作を説明する図である。
図７Ａに示すように、まず不図示の搬送手段により、ワークステージ１０上にワークＷが搬送される。ワークステージ１１０上に搬送されたワークＷは、図７Ｂに示すように第１面Ｗ１を上面としてワークステージ１０上に載置され、真空吸着される。この状態で、露光装置１０は、露光光ＬをワークＷに照射し、第１面Ｗ１に対する露光処理を行う。
図７Ａに示すように、まず不図示の搬送手段により、ワークステージ１０上にワークＷが搬送される。ワークステージ１１０上に搬送されたワークＷは、図７Ｂに示すように第１面Ｗ１を上面としてワークステージ１０上に載置され、真空吸着される。この状態で、露光装置１０は、露光光ＬをワークＷに照射し、第１面Ｗ１に対する露光処理を行う。
【0045】
なお、本実施形態では、露光装置１００は、図７Ａに示すように、ワークステージ１０の凹部１１ａに配管５０から真空を供給しながらワークＷをワークステージ１０上に載置してもよい。真空を供給しながらワークＷをワークステージ１０上に載置することで、タクトタイムを短縮することができる。
ただし、真空を供給するタイミングは上記に限定されるものではなく、露光装置１００は、ワークＷをワークステージ１０上に載置してからワークステージ１０の凹部１１ａに真空を供給するようにしてもよい。
ただし、真空を供給するタイミングは上記に限定されるものではなく、露光装置１００は、ワークＷをワークステージ１０上に載置してからワークステージ１０の凹部１１ａに真空を供給するようにしてもよい。
【0046】
第１面Ｗ１に対する露光処理中は、ワークＷは、真空吸着によりワークステージ１０の表面に押し付けられる。
このとき凹部１１ａに供給される真空は、真空エアー導入路１１ｂから吸気孔１５を通り、凹部１１ａの中心領域１０ａ（図４参照）を経て外周領域１０ｂ（図４参照）に向かう。
本実施形態におけるワークステージ１０は、外周領域１０ｂに２重の隔壁部１３を備え、２重の隔壁部１３にそれぞれ設けられた切欠き部１３ａは、互い違いに配置されている。そのため、中心領域１０ａから外周領域１０ｂに向かうにしたがって、ワークＷの吸着力は適度に弱くなる。したがって、図７Ｂに示すように、第２面Ｗ２の保護フィルムＦ側を吸着保持しても、保護フィルムＦが剥離することはなく、好適に第１面Ｗ１の露光処理を行うことができる。
このとき凹部１１ａに供給される真空は、真空エアー導入路１１ｂから吸気孔１５を通り、凹部１１ａの中心領域１０ａ（図４参照）を経て外周領域１０ｂ（図４参照）に向かう。
本実施形態におけるワークステージ１０は、外周領域１０ｂに２重の隔壁部１３を備え、２重の隔壁部１３にそれぞれ設けられた切欠き部１３ａは、互い違いに配置されている。そのため、中心領域１０ａから外周領域１０ｂに向かうにしたがって、ワークＷの吸着力は適度に弱くなる。したがって、図７Ｂに示すように、第２面Ｗ２の保護フィルムＦ側を吸着保持しても、保護フィルムＦが剥離することはなく、好適に第１面Ｗ１の露光処理を行うことができる。
【0047】
第１面Ｗ１への露光処理が終了すると、露光装置１００は露光光Ｌの照射を停止し、凹部１１ａへの真空の供給を停止し、エアーの供給に切り替える。凹部１１ａにエアーを供給することにより、ワークＷが押し上げられ、ワークＷの取り外しが容易となる。ワークステージ１０から剥がれたワークＷは、図７Ｃに示すように不図示の反転手段により表裏反転され、図７Ｄに示すように、次に露光を行う第２面Ｗ２を上面としてワークステージ１１０上に載置され、ワークステージ１０上に吸着保持される。そして、同様に第２面Ｗ２に対する露光処理が行われる。
図７Ｂに示したように、第１面Ｗ１の露光処理時において、第２面Ｗ２側の保護フィルムＦは剥離しないため、図７Ｄに示すように、第２面Ｗ２側を被照射面とした場合にも第２面Ｗ２の露光処理に支障をきたすことはない。
図７Ｂに示したように、第１面Ｗ１の露光処理時において、第２面Ｗ２側の保護フィルムＦは剥離しないため、図７Ｄに示すように、第２面Ｗ２側を被照射面とした場合にも第２面Ｗ２の露光処理に支障をきたすことはない。
【0048】
隔壁部１３を備えないワークステージ１１０の場合、図８の左図に示すように、保護フィルムＦの端部で小さな剥離Ｆ１１が発生した場合、この剥離は中心部に向けて大きく進行し、図８の右図に示すように大きな剥離Ｆ１２となる。これは、ワークステージ１１０の場合、ピン１１４によって、ワークステージ１１０端部から中心の吸気孔１１５に向けて一直線に吸気経路が形成されており、この吸気経路に沿って剥離が進行していくためである。
なお、図８においては、ピン１１４を誇張して示している。
なお、図８においては、ピン１１４を誇張して示している。
【0049】
これに対して、本実施形態におけるワークステージ１０の場合、図９の左図に示すように、同様に保護フィルムＦの端部で小さな剥離Ｆ１が発生したとしても、この剥離は大きく進行しない。これは、隔壁部１３によって吸気経路が吸気孔１５に対して迂回させられるためである。図９の左図に示すように、最外側の隔壁部１３に設けられた切欠き部１３ａの位置で剥離Ｆ１が発生した場合、剥離Ｆ１は吸気経路に沿って中心に向けて進行するが、その進行は２つ目の隔壁部１３でストップする。そのため、図９の右図に示すように比較的小さい剥離Ｆ２でとどまる。
【0050】
つまり、端部で発生した剥離は、隔壁部１３が形成された外周領域１０ｂでとどまり、中心領域１０ａには達しない。そのため、本実施形態におけるワークステージ１０は、ワークＷの露光領域の平面度（平坦度）を適切に維持することができ、本実施形態におけるワークステージ１０を使用した露光装置１００は、ワークＷの露光処理を良好に行うことができる。
なお、図９においては、隔壁部１３およびピン１４を誇張して示している。
なお、図９においては、隔壁部１３およびピン１４を誇張して示している。
【0051】
以上説明したように、本実施形態におけるワークステージ１０は、真空が供給される凹部１１ａが形成された基台１１と、凹部１１ａの内側に設けられた多数のピン１４と、凹部１１ａに真空を供給する吸気孔１５と、を備え、凹部１１ａに真空を供給することで、ピン１４の上面に有機基板であるワークＷの略全面を真空吸着する。このとき、ピン１４は、ワークＷの略全面を保持する。
【0052】
このように、ワークＷを多数のピン１４によって真空吸着して保持する構成とすることで、ワークＷとワークステージ１０との接触面積を少なくすることができ、ワークＷとワークステージ１０との間に異物が挟み込まれることを抑制することができる。したがって、ワークＷを適切に平面保持することができる。
【0053】
また、本実施形態におけるワークステージ１０は、凹部１１ａの内側における端部近傍である外周領域１０ｂに、凹部１１ａの端部から凹部１１ａの中心に向かう方向に複数段設けられた隔壁部１３を備えることができる。
これにより、ワークステージ１０側に剥離しやすい保護フィルムＦが積層されたワークＷを吸着保持した場合であっても、保護フィルムＦが端部から剥離しないようにすることができる。また、ワークＷの裁断時や搬送時に保護フィルムＦの端部に初期剥離が発生している場合であっても、当該剥離が中心部に向けて大きく進行してしまうことを隔壁部１３によって食い止めることができる。
これにより、ワークステージ１０側に剥離しやすい保護フィルムＦが積層されたワークＷを吸着保持した場合であっても、保護フィルムＦが端部から剥離しないようにすることができる。また、ワークＷの裁断時や搬送時に保護フィルムＦの端部に初期剥離が発生している場合であっても、当該剥離が中心部に向けて大きく進行してしまうことを隔壁部１３によって食い止めることができる。
【0054】
さらに、隔壁部１３は、吸気孔１５に対する吸気経路を構成する切欠き部１３ａを備えることができる。ここで、隔壁部１３は、凹部１１ａの端部から凹部１１ａの中心に向かう方向に少なくとも２段設け、切欠き部１３ａは、互い違いに配置する。つまり、複数段の隔壁部１３が、第１の切欠き部１３ａが設けられた第１の隔壁部１３と、第１の隔壁部１３によりも凹部１１ａの中心側に設けられ、第２の切欠き部１３ａが設けられた第２の隔壁部１３と、を含む場合、第２の切欠き部１３ａは、第１の切欠き部１３ａが構成する吸気孔１５に対する吸気経路を迂回させる位置に設ける。
このように、隔壁部１３を少なくとも２段設け、吸気の流れを迂回させるように切欠き部１３ａを形成することで、上記の剥離の進行を適切に抑制することができる。
このように、隔壁部１３を少なくとも２段設け、吸気の流れを迂回させるように切欠き部１３ａを形成することで、上記の剥離の進行を適切に抑制することができる。
【0055】
また、ピン１４は、凹部１１ａの内側における中心領域１０ａであって、ワークＷの処理領域（露光領域）に対応する領域に設け、隔壁部１３は、凹部１１ａの内側における外周領域１０ｂであって、ワークＷの非処理領域に対応する領域に設けることができる。
保護フィルムＦの端部で発生した剥離は、最内側の隔壁部１３の設置位置まで進行しうるが、隔壁部１３をワークＷの非処理領域に対応する領域に設けることで、保護フィルムＦの剥離をワークＷの非処理領域内に留めることができる。したがって、ワークＷの処理領域においては、適切に平面保持を維持することができる。
保護フィルムＦの端部で発生した剥離は、最内側の隔壁部１３の設置位置まで進行しうるが、隔壁部１３をワークＷの非処理領域に対応する領域に設けることで、保護フィルムＦの剥離をワークＷの非処理領域内に留めることができる。したがって、ワークＷの処理領域においては、適切に平面保持を維持することができる。
【0056】
さらに、隔壁部１３間の距離および切欠き部１３ａの幅は、ピン間距離以下とすることができる。この場合、隔壁部１３と隔壁部１３との間の溝や切欠き部１３ａにおけるワークＷのたわみを適切に抑制することができる。
また、外周部１２、隔壁部１３およびピン１４は、同じ高さとすることができる。この場合、ワークＷを真空吸着により適切に平面保持することができる。
また、外周部１２、隔壁部１３およびピン１４は、同じ高さとすることができる。この場合、ワークＷを真空吸着により適切に平面保持することができる。
【0057】
以上のように、本実施形態におけるワークステージ１０は、ワークＷとの間の異物の挟み込みを抑制し、ワークＷを適切に平面保持することができる。また、本実施形態におけるワークステージ１０は、剥離しやすいフィルムが積層されたワークＷの当該フィルム側を吸着保持しても、フィルムの剥離を適切に抑制することができる。
したがって、このようなワークステージ１０を使用した露光装置１００では、デフォーカスによる露光不良を適切に抑制することができ、歩留まりの悪化を回避することができる。また、両面にフィルムが積層されたワークＷに対して、適切に両面露光処理を行うことができる。
したがって、このようなワークステージ１０を使用した露光装置１００では、デフォーカスによる露光不良を適切に抑制することができ、歩留まりの悪化を回避することができる。また、両面にフィルムが積層されたワークＷに対して、適切に両面露光処理を行うことができる。
【0058】
（変形例）
図１０～図１６は、本実施形態におけるワークステージ１０の変形例である。図１０～図１６に示した形態においても、上記実施形態と同様の効果を有することができる。
図２に示すワークステージ１０では、２重の隔壁部１３にそれぞれ２個の切欠き部１３ａを設けているが、切欠き部１３ａは３個以上であってもよい。例えば図１０に示すワークステージ１０Ａのように、２重の隔壁部１３にそれぞれ４個の切欠き部１３ａを設けてもよい。
図１０～図１６は、本実施形態におけるワークステージ１０の変形例である。図１０～図１６に示した形態においても、上記実施形態と同様の効果を有することができる。
図２に示すワークステージ１０では、２重の隔壁部１３にそれぞれ２個の切欠き部１３ａを設けているが、切欠き部１３ａは３個以上であってもよい。例えば図１０に示すワークステージ１０Ａのように、２重の隔壁部１３にそれぞれ４個の切欠き部１３ａを設けてもよい。
【0059】
また、例えば図１１に示すワークステージ１０Ｂのように、最内側の隔壁部１３には切欠き部１３ａを設けなくてもよい。この場合、保護フィルムＦの端部において、外側の隔壁部１３よりも凹部１１ａの内側に達する初期剥離が発生している場合であっても、確実に最内側の隔壁部１３によって剥離の進行を停止することができる。ただし、この場合、最内側の隔壁部１３の外側の領域である外周領域１０ｂにも吸気孔１５が必要である。
なお、図１１では、外側の隔壁部１３には切欠き部１３ａを設けているが、すべての隔壁部１３に切欠き部１３ａが設けられていない構成であってもよい。ただし、この場合、隔壁部１３間および最外側の隔壁部１３と外周部１２との間にも、それぞれ吸気孔１５が必要である。
なお、図１１では、外側の隔壁部１３には切欠き部１３ａを設けているが、すべての隔壁部１３に切欠き部１３ａが設けられていない構成であってもよい。ただし、この場合、隔壁部１３間および最外側の隔壁部１３と外周部１２との間にも、それぞれ吸気孔１５が必要である。
【0060】
このように、凹部１１ａの中心領域１０ａと外周領域１０ｂとは、隔壁部１３によって分離された構成であってもよい。しかしながら、この場合、上記のように外周部１０ｂにも吸気孔１５が必要であり、中心領域１０ａと外周領域１０ｂとでそれぞれワークＷの吸着力の制御が必要である。そのため、隔壁部１３には切欠き部１３ａを設け、中心領域１０ａと外周領域１０ｂとを連通させた構成とすることが好ましい。切欠き部１３ａの位置や数は、吸気孔１５の位置や数に応じて適宜設定することができる。
【0061】
さらに、図２に示すワークステージ１０では、隔壁部１３は２重の堀構造であるが、例えば図１２に示すワークステージ１０Ｃのように、隔壁部１３は任意の形状であってよい。隔壁部１３は、吸気孔１５に対する吸気経路を構成するとともに、吸気孔１５に対する吸気経路を迂回させる形状であればよい。
つまり、例えば図１３に示すワークステージ１０Ｄのように、隔壁部１３は曲線形状であってもよいし、図１４に示すワークステージ１０Ｅのように、隔壁部１３は直線形状と曲線形状とを組み合わせた形状であってもよい。さらに、図１５に示すワークステージ１０Ｆのように、隔壁部１３は複雑な配置であってもよい。
つまり、例えば図１３に示すワークステージ１０Ｄのように、隔壁部１３は曲線形状であってもよいし、図１４に示すワークステージ１０Ｅのように、隔壁部１３は直線形状と曲線形状とを組み合わせた形状であってもよい。さらに、図１５に示すワークステージ１０Ｆのように、隔壁部１３は複雑な配置であってもよい。
【0062】
また、図１６に示すワークステージ１０Ｇのように、シール部材Ｓをさらに備えていてもよい。シール部材Ｓは、外周部１２の外側に設けられた低反発の弾性体であり、基台１１の全周にわたって形成することができる。例えば、シール部材Ｓは、ゴムスポンジなどにより構成することができる。ワークステージ１０Ｇ上にワークＷが載置された場合、シール部材ＳはワークＷの外周部分と密着する。
ここで、シール部材Ｓの高さは、外周部１２、隔壁部１３およびピン１４の高さよりも高くてもよい。この場合、ワークＷをワークステージ１０Ｇに真空吸着させた際に、シール部材Ｓが外周部１２、隔壁部１３およびピン１４の高さまで押し下げられ、シール部材Ｓの弾性力によってワークＷとシール部材Ｓとの密着度が高まる。これにより、凹部１１ａ内部の真空度を高めることができる。
ここで、シール部材Ｓの高さは、外周部１２、隔壁部１３およびピン１４の高さよりも高くてもよい。この場合、ワークＷをワークステージ１０Ｇに真空吸着させた際に、シール部材Ｓが外周部１２、隔壁部１３およびピン１４の高さまで押し下げられ、シール部材Ｓの弾性力によってワークＷとシール部材Ｓとの密着度が高まる。これにより、凹部１１ａ内部の真空度を高めることができる。
【0063】
したがって、ワークステージ１０Ｇは、より適切にワークＷを真空吸着することができる。また、吸着面側の保護フィルムＦの端部に剥離が生じている場合であっても、当該剥離の進行が適切に抑制される。
シール部材Ｓを備えないワークステージでは、例えば保護フィルムＦに、ピン１４が設けられた中心領域１０ａに達するような初期剥離が発生していると、当該初期剥離が発生している面を吸着面としてワークステージに真空吸着した場合に、隔壁部１３が機能せず、さらに大きな剥離へと進行してしまうおそれがある。
これに対して、シール部材Ｓを備えるワークステージ１０Ｇでは、上記のような初期剥離が発生している場合であっても、適切に剥離の進行を抑制することができる。これは、シール部材Ｓにより凹部１１ａを大気に対して完全に閉じた系とすることができるためであると考えられる。
シール部材Ｓを備えないワークステージでは、例えば保護フィルムＦに、ピン１４が設けられた中心領域１０ａに達するような初期剥離が発生していると、当該初期剥離が発生している面を吸着面としてワークステージに真空吸着した場合に、隔壁部１３が機能せず、さらに大きな剥離へと進行してしまうおそれがある。
これに対して、シール部材Ｓを備えるワークステージ１０Ｇでは、上記のような初期剥離が発生している場合であっても、適切に剥離の進行を抑制することができる。これは、シール部材Ｓにより凹部１１ａを大気に対して完全に閉じた系とすることができるためであると考えられる。
【0064】
なお、上記実施形態では、ワークステージ１０の凹部１１ａに隔壁部１３とピン１４とが設けられている場合について説明したが、図５に示すようにワークＷの表面に剥離しやすい保護フィルムＦが積層されていない場合や、両面露光処理を行わず、且つ、第２面Ｗ２側を吸着保持した際の第２面Ｗ２の保護フィルムＦの剥離が第１面Ｗ１の露光処理に支障をきたさない場合には、隔壁部１３を必ずしも設ける必要はない。
また、上記実施形態では、基板保持部１４がピン形状である場合について説明したが、基板保持部１４はピン形状に限定されるものではなく、ある程度のワークＷとの接触面積を有する支柱であってもよい。つまり、従来の平面ステージと比較してワークＷとの接触面積が小さく、異物の付着を抑制可能であればよい。
また、上記実施形態では、基板保持部１４がピン形状である場合について説明したが、基板保持部１４はピン形状に限定されるものではなく、ある程度のワークＷとの接触面積を有する支柱であってもよい。つまり、従来の平面ステージと比較してワークＷとの接触面積が小さく、異物の付着を抑制可能であればよい。
【0065】
基板保持部１４は、機械加工等の任意の加工方法により形成することができる。基板保持部１４の加工方法は特に限定されるものではなく、また、基板保持部１４の配置も図２に示すようにＸ方向およびＹ方向にそれぞれ等間隔でなくてもよい。
また、基板保持部１４は、凹部１１ａの内側における中心領域１０ａのみならず、外周領域１０ｂにも設けられていてもよい。つまり、外周領域１０ｂには、隔壁部１３とピン１４とを組み合わせて配置してもよい。
また、基板保持部１４は、凹部１１ａの内側における中心領域１０ａのみならず、外周領域１０ｂにも設けられていてもよい。つまり、外周領域１０ｂには、隔壁部１３とピン１４とを組み合わせて配置してもよい。
【符号の説明】
【0066】
１０…ワークステージ、１１…基台、１１ａ…凹部、１２…外周部、１３…隔壁部、１３ａ…切欠き部、１４…基板保持部（ピン）、１５…吸気孔、２０…光照射部、３０…マスク、４０…投影レンズ、５０…配管、１００…露光装置、Ｆ…保護フィルム、Ｒ…レジスト、Ｗ…ワーク
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6A】
【図6B】
【図6C】
【図6D】
【図7A】
【図7B】
【図7C】
【図7D】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】