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特開2023-117503情報記録媒体

書誌要約請求の範囲詳細な説明課題実施例実施するための形態図面の説明

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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023117503

(43)【公開日】2023-08-24

(54)【発明の名称】情報記録媒体

(51)【国際特許分類】

G11B 7/2433 20130101AFI20230817BHJP

G11B 7/24018 20130101ALI20230817BHJP

G11B 7/24038 20130101ALI20230817BHJP

G11B 7/2578 20130101ALI20230817BHJP

G11B 7/005 20060101ALI20230817BHJP

G11B 7/0045 20060101ALI20230817BHJP

G11B 7/26 20060101ALI20230817BHJP

【ＦＩ】

G11B7/2433

G11B7/24018

G11B7/24038

G11B7/2578

G11B7/005 Z

G11B7/0045 Z

G11B7/26 531

【審査請求】未請求

【請求項の数】4

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022020095

(22)【出願日】2022-02-14

(71)【出願人】

【識別番号】314012076

【氏名又は名称】パナソニックＩＰマネジメント株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100106116

【弁理士】

【氏名又は名称】鎌田健司

(74)【代理人】

【識別番号】100131495

【弁理士】

【氏名又は名称】前田健児

(72)【発明者】

【氏名】冨田昇吾

(72)【発明者】

【氏名】槌野晶夫

(72)【発明者】

【氏名】児島理恵

【テーマコード（参考）】

5D029

5D090

【Ｆターム（参考）】

5D029JA01

5D029JB03

5D029JB05

5D029JB47

5D029JC06

5D029LA14

5D029LB01

5D029LC06

5D090AA01

5D090BB12

5D090CC01

5D090CC04

5D090JJ14

(57)【要約】

【課題】良好な再生耐久性を得ることのできる情報記録媒体を提供する。
【解決手段】基板上に中間分離層を介して少なくとも４つの情報層とカバー層が順次積層され、カバー層側からの波長λであるレーザ光の照射により情報を記録層に記録し、または記録層から情報を再生する情報記録媒体であって、基板から見て最も近い情報層である第１の情報層に接してレーザ光の照射側とは反対側に位相調整膜が形成され、さらに位相調整膜に接してレーザ光の照射側とは反対側に基板が形成されていることを特徴とする情報記録媒体。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板上に中間分離層を介して少なくとも４つの情報層とカバー層が順次積層され、前記カバー層側からの波長λであるレーザ光の照射により情報を前記記録層に記録し、または前記記録層から情報を再生する情報記録媒体であって、前記基板から見て最も近い情報層である第１の情報層に接して前記レーザ光の照射側とは反対側に位相調整膜が形成され、さらに前記位相調整膜に接して前記レーザ光の照射側とは反対側に前記基板が形成されており、
前記第１の情報層は、前記基板からから見て近い方から遠い方に向かって、第１誘電体膜、記録膜、および第２誘電体膜をこの順に含み、
前記第１誘電体膜、前記記録膜、および前記第２誘電体膜の３つの薄膜の全体膜厚および平均屈折率はそれぞれｄ_Ａおよびｎ_Ａ、前記位相調整膜の膜厚および屈折率はそれぞれｄ_Ｌ、ｎ_Ｌ、前記基板の屈折率がｎ_Ｓの場合に、（２×ｄ_Ａ×ｎ_Ａ）／λ＜＝１．０以下であり、（２×ｄ_Ｌ×ｎ_Ｌ）／λが０＜（２×ｄ_Ｌ×ｎ_Ｌ）／λ＜０．７５であり、さらに、ｎ_Ｌ＜ｎ_Ａかつｎ_Ｌ＜ｎ_Ｓであることを特徴とする情報記録媒体。

【請求項2】

基板上に中間分離層を介して少なくとも４つの情報層とカバー層が順次積層され、前記カバー層側からの波長λであるレーザ光の照射により情報を前記記録層に記録し、または前記記録層から情報を再生する情報記録媒体であって、
前記情報層のうち前記基板から見て最も近い情報層以外の１つの情報層である第１の情報層に接して前記レーザ光の照射側とは反対側に位相調整膜が形成され、さらに前記位相調整膜に接して前記レーザ光の照射側とは反対側に第１の中間分離層が形成されており、
前記第１の情報層は、前記基板からから見て近い方から遠い方に向かって、第１誘電体膜、記録膜、および第２誘電体膜をこの順に含み、前記第１誘電体膜、前記記録膜、および前記第２誘電体膜の３つの薄膜の全体膜厚および平均屈折率はそれぞれｄ_Ｂおよびｎ_Ｂ、前記位相調整膜の膜厚および屈折率はそれぞれｄ_Ｌ、ｎ_Ｌ、前記第１の中間分離層の屈折率がｎ_Ｒの場合に、（２×ｄ_Ｂ×ｎ_Ｂ）／λ＜＝１．０以下であり、（２×ｄ_Ｌ×ｎ_Ｌ）／λが０＜（２×ｄ_Ｌ×ｎ_Ｌ）／λ＜０．７５であり、さらに、ｎ_Ｌ＜ｎ_Ｂかつｎ_Ｌ＜ｎ_Ｒであることを特徴とする情報記録媒体。

【請求項3】

（２×ｄ_Ｌ×ｎ_Ｌ）／λが０．２０＜（２×ｄ_Ｌ×ｎ_Ｌ）／λ＜０．６０であることを特徴とする請求項１または２に記載の情報記録媒体。

【請求項4】

前記位相調整膜の材料がＳｉＯ_２またはＭｇＦ_２であることを特徴とする請求項１または２に記載の情報記録媒体。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、光学的手段によって情報を記録または再生する、高密度な情報記録媒体に関するものである。

【背景技術】

【0002】

光ディスクはこれまで、ＣＤ（ＣｏｍｐａｃｔＤｉｓｃ）、ＤＶＤ（ＤｉｇｉｔａｌＶｅｒｓａｔｉｌｅＤｉｓｃ）、ＢＤ（Ｂｌｕ－ｒａｙ（登録商標）Ｄｉｓｃ）と進化してきた。近年では、ＢＤよりも高い記録密度を有するアーカイバル・ディスク（ＡｒｃｈｉｖａｌＤｉｓｃ）の開発が進められており、ディスク１枚あたり５００ギガバイト（ＧＢ）の記録容量が実現されている。

【0003】

５００ＧＢのアーカイバル・ディスクは、２５０ＧＢの情報を保存できる片面３層のディスク（片面に３つの情報層を備える光ディスク）が２枚貼り合わされた構造をしており、１枚あたり５００ＧＢの情報の記録再生を可能にするものである。すなわち、このアーカイバル・ディスクにおいて、１情報層あたりの記録容量は８３．３ＧＢである。

【0004】

５００ＧＢ容量を超える、例えば１ＴＢ容量のアーカイバル・ディスクを実現するためには、情報層の層数を増やすことや、１情報層あたりの記録容量を大きくすることが必要となってくる。１情報層あたりの記録容量を大きくする手段として、トラック密度（ディスク半径方向の単位長さ当たりのトラック数）を大きくしたり、最小ピット長を短くするなど、記録マークのサイズを小さくして、記録密度を大きくする方法が考えられる。

【0005】

しかし、記録マークのサイズを小さくすると、信号が高周波となりシステムノイズの影響を受けてディスクのＳ／Ｎ（Ｓ：信号、Ｎ：ノイズ）が低下し、再生耐久性（記録マークに再生光を照射し続けた時の信号品質の劣化度合いを表す指標）が悪化する。１ＴＢ容量のアーカイバル・ディスクを実現するためには、微小な記録マークにおいても良好な再生耐久性が得られなければならない。

【0006】

各情報層は、３種類の薄膜で構成されており、レーザ光照射面から見て遠い方から近い方に向かって、第１誘電体膜、記録膜、および第２誘電体膜と呼ばれる。記録膜にレーザ光を照射すると、記録膜が形状変化を生じて、信号が記録される。情報層に含まれる記録膜の光吸収量は初期特性及び再生耐久性に大きな影響を及ぼすため、これらの特性を向上させるために、従来、種々の記録膜の組成が検討されてきた（例えば、特許文献１および２参照）。しかし、１ＴＢ容量のアーカイバル・ディスクにおいては、記録膜の組成を最適化するのみでは、良好な初期特性を担保したまま、十分な再生耐久性を得ることが難しく、本発明者らは記録膜の組成を最適化する以外の手段で、再生耐久性を向上させることを検討した。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0007】

【特許文献1】特開２０１８－１０６７９４号公報

【特許文献2】国際公開第２０２１／１１７４７０号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0008】

本発明者らは、再生耐久性を向上させる手段として、再生パワーを下げることに着目した。信号のＳＮＲは、照射されたレーザ光が情報層で反射されて光検出器に入射する光量、すなわち、レーザ光強度と情報層の反射率の積で決まる。そのため、低い再生パワーにおいても良好なＳＮＲを得るためには、情報層の反射率を上げる必要があり、本発明者らは情報層の反射率を高めることを検討した。具体的には、光学薄膜を組み合わせ、薄膜干渉を利用して反射率を最大化させる情報記録媒体の最適設計を行った。検討の結果、基板上に中間分離層を介して少なくとも４つの情報層が順次積層された情報記録媒体において、情報層と基板との間、あるいは情報層と中間分離層との間に低屈折率の位相調整膜を設けて、情報層を構成する薄膜の干渉効果を利用して反射率を高くできることを見出した。本発明の情報記録媒体は、情報層に照射されたレーザ光を効率よく反射させることによって、再生パワーを下げることを可能とし、良好な再生耐久性を実現した。

【課題を解決するための手段】

【0009】

基板上に中間分離層を介して少なくとも４つの情報層とカバー層が順次積層され、カバー層側からの波長λであるレーザ光の照射により情報を記録層に記録し、または記録層から情報を再生する情報記録媒体であって、基板から見て最も近い情報層である第１の情報層に接してレーザ光の照射側とは反対側に位相調整膜が形成され、さらに位相調整膜に接してレーザ光の照射側とは反対側に前記基板が形成されており、第１の情報層は、基板からから見て近い方から遠い方に向かって、第１誘電体膜、記録膜、および第２誘電体膜をこの順に含み、第１誘電体膜、記録膜、および第２誘電体膜の３つの薄膜の全体膜厚および平均屈折率はそれぞれｄ_Ａおよびｎ_Ａ、位相調整膜の膜厚および屈折率はそれぞれｄ_Ｌ、ｎ_Ｌ、基板の屈折率がｎ_Ｓの場合に、（２×ｄ_Ａ×ｎ_Ａ）／λ＜＝１．０以下であり、（２×ｄ_Ｌ×ｎ_Ｌ）／λが０＜（２×ｄ_Ｌ×ｎ_Ｌ）／λ＜０．７５であり、さらに、ｎ_Ｌ＜ｎ_Ａかつｎ_Ｌ＜ｎ_Ｓであることを特徴とする。

【発明の効果】

【0010】

本発明の実施形態にかかる情報記録媒体は、良好な再生耐久性を示す情報層を有し、高信頼性かつ高記録密度の情報記録媒体の実現を可能とする。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】実施の形態１に係る情報記録媒体の断面図

【図2】Ｌ０層１０に照射されたレーザ光７が中間分離層２を通ってＬ０層１０に入射し、Ｌ０層１０および位相調整膜１４で反射または透過されることを模式的に示す図

【図3】位相調整膜１４の膜厚を変化させた場合の、Ｌ０層１０の反射率のシミュレーション結果を示す図

【図4】種々のＬ０層１０の全体膜厚ｄ_Ａにおいて、位相調整膜１４の膜厚を変化させた場合のＬ０層１０の反射率と、位相調整膜１４を形成しない場合の反射率との比を光学シミュレーションした結果を示す図

【図5】実施の形態２に係る情報記録媒体の断面図

【図6】Ｌ１層２０に照射されたレーザ光７が中間分離層３を通ってＬ１層２０に入射し、Ｌ１層２０および位相調整膜１４で反射または透過されることを模式的に示す図

【図7】位相調整膜１４の膜厚を変化させた場合の、Ｌ１層２０の反射率のシミュレーション結果を示す図

【図8】種々のＬ１層２０の全体膜厚ｄ_Ｂにおいて、位相調整膜１４の膜厚を変化させた場合のＬ１層２０の反射率と、位相調整膜１４を形成しない場合の反射率との比を光学シミュレーションした結果を示す図

【発明を実施するための形態】

【0012】

以下、適宜図面を参照しながら、実施の形態を詳細に説明する。ただし、必要以上に詳細な説明は省略する場合がある。例えば、既によく知られた事項の詳細説明や実質的に同一の構成に対する重複説明を省略する場合がある。これは、以下の説明が不必要に冗長になることを避け、当業者の理解を容易にするためである。なお、添付図面及び以下の説明は、当業者が本開示を十分に理解するために提供されるのであって、これらにより特許請求の範囲に記載の主題を限定することは意図されていない。
（実施の形態１）
図１は、本実施の形態１における情報記録媒体の断面図である。

【0013】

情報記録媒体１００は、Ａ面情報記録媒体１０１とＢ面情報記録媒体１０２を貼り合わせた、両面情報記録媒体である。Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２は各々、基板１上に中間分離層２、３および４などを介して、情報層として順次積層されたＬ０層１０、Ｌ１層２０、Ｌ２層３０およびＬ３層４０を有し、さらに、Ｌ３層４０上にカバー層５が設けられている。Ｌ０層１０は、基板１からから見て近い方から遠い方に向かって、第１誘電体膜１１、記録膜１２、および第２誘電体膜１３をこの順に形成している。Ｌ１層２０、Ｌ２層３０およびＬ３層４０も同様の構成をとる。さらに、基板１の上には、Ｌ０層１０の反射率を高めるために位相調整膜１４が設けられている。すなわち、Ｌ０層１０の下に位相調整膜１４が設けられている。Ｌ１層２０、Ｌ２層３０およびＬ３層４０は透過型の情報層である。Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２は、それらの基板１の裏面（情報層を有する面と逆側）を貼り合わせ層６により貼り合わせている。情報記録媒体１００は、カバー層５側よりレーザ光７を照射し、各情報層に対して情報の記録および再生を行う。レーザ光７は波長４０５ｎｍ付近の青紫色域のレーザ光である。

【0014】

情報記録媒体１００において、案内溝を基板１に形成する場合、本明細書においては、レーザ光７に近い側にある面を便宜的に「グルーブ」と呼び、レーザ光７から遠い側にある面を便宜的に「ランド」と呼ぶ。このグルーブとランドの両方に、記録マーク長を短くしてビットを形成することで（ランド－グルーブ記録）、１情報層あたりの容量を大きくすることが可能となる。

【0015】

案内溝は、後述するとおり、中間分離層２、３および４にも形成してもよい。特に、Ｌ１層２０、Ｌ２層３０およびＬ３層４０において、ランド－グルーブ記録を実施する場合には、中間分離層２、３および４に案内溝を形成することが好ましい。

【0016】

４つの情報層の実効反射率は、Ｌ０層１０、Ｌ１層２０、Ｌ２層３０およびＬ３層４０の反射率と、Ｌ１層２０、Ｌ２層３０およびＬ３層４０の透過率を各々調整することにより制御できる。本明細書中では、４つの情報層を積層した状態で測った各情報層の反射率を、実効反射率と定義する。特に断りがない限り、「実効」と記載していなければ、積層しないで測った反射率を指す。

【0017】

以下、基板１、中間分離層２、中間分離層３、中間分離層４、カバー層５および貼り合わせ層６の機能、材料および厚みについて詳細に説明する。

【0018】

基板１は、円盤状の透明な基板であることが好ましい。基板１の材料には、例えばポリカーボネート、アモルファスポリオフィン、またはポリメチルメタクリレート等の樹脂、あるいはガラスを用いることができる。基板１のＬ０層側の表面に、必要に応じてレーザ光７を導くための凹凸の案内溝が形成されてもよい。基板１の厚さは、約０．５ｍｍ、直径が約１２０ｍｍであることが好ましい。また、基板１に案内溝を形成した場合、グルーブ面とランド面の段差は、１０ｎｍ～５０ｎｍであることが好ましい。また、実施の形態１では、グルーブ・ランド間の距離を約０．１８０μｍとした。

【0019】

中間分離層２、３および４は、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等のアクリル系樹脂からなり、レーザ光７が効率よくＬ０層１０、Ｌ１層２０およびＬ２層３０に到達するように、記録再生に用いる波長λの光に対して光吸収が小さいことが好ましい。中間分離層２、３および４は、Ｌ０層１０、Ｌ１層２０、Ｌ２層３０およびＬ３層４０のフォーカス位置を区別するために用いられ、厚さは対物レンズの開口数（ＮＡ）とレーザ光７の波長λによって決定される焦点深度ΔＺ以上である必要がある。焦点の光強度の基準を無収差の場合の８０％と仮定した場合、ΔＺは式（１）で近似できる。

【0020】

【数1】

また、Ｌ１層２０、Ｌ２層３０およびＬ３層４０における裏焦点の影響を防ぐために、中間分離層２、３および４の厚みは、それぞれ異なる値が好ましい。また、中間分離層２、３および４において、レーザ光７の入射側に凹凸の案内溝が形成されてもよい。

【0021】

カバー層５は、例えば、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂からなり、記録再生に用いる波長λの光に対して光吸収が小さいことが好ましい。また、カバー層５には、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、またはポリメチルメタクリレート等の樹脂、あるいはガラスを用いてもよい。これらの材料を使用する場合は、カバー層５を、例えば、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を、Ｌ３層４０の第２誘電体膜４３に塗布し、スピンコートした後に、硬化させることにより形成する。カバー層５の厚みは、ＮＡ＝０．９１で良好な記録・再生が可能となる３５μｍ～７５μｍ程度が好ましく、４５μｍ～６０μｍ程度がより好ましい。

【0022】

貼り合わせ層６は、例えば、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂からなり、Ａ面情報記録媒体１０１とＢ面情報記録媒体１０２を接着させている。また、貼り合わせ層６には、レーザ光７を遮光する膜を設けてもよい。貼り合わせ層６の厚みは５μｍ～８０μｍ程度が好ましく、２０μｍ～５０μｍ程度がより好ましい。

【0023】

情報記録媒体１００の厚さをＢＤ規格と同等の情報記録媒体の厚みとする場合、中間分離層２～４とカバー層５との厚みの総和が１００μｍとなるように設定してよい。例えば、中間分離層２の厚みを１５．５μｍ、中間分離層３の厚みを１９．５μｍ、中間分離層４の厚みを１１．５μｍ、カバー層５の厚みを５３．５μｍと設定してよい。

【0024】

情報記録媒体１００における情報層の再生耐久性は、予め最適な記録パワーのレーザ光７で記録された記録マークに、再生パワーのレーザ光７を連続照射することにより評価することができる。具体的には、１００万回（１００万パス）再生後のｄ－ＭＬＳＥ値で判断することができる。１００万回再生後のｄ－ＭＬＳＥ値が１６．０％以下であれば、その再生パワーで１００万パス再生できたと判断してよい。ここで、ｄ－ＭＬＳＥは、記録信号品質の評価指標であり、ＤｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎＤｅｒｉｖｅｄ－ＭａｘｉｍｕｍＬｉｋｅｌｉｈｏｏｄＳｅｑｕｅｎｃｅＥｒｒｏｒＥｓｔｉｍａｔｉｏｎの略号である。
＜情報記録媒体１００の形成方法＞
Ａ面情報記録媒体１０１は、以下の手順（１）～（８）で製造することができる。
（１）基板１（例えば、厚み０．５ｍｍ、直径１２０ｍｍ）を成膜装置内に配置する。
（２）位相調整膜１４を成膜する。この際、基板１に螺旋状の案内溝が形成されている場合は、この案内溝側に位相調整膜１４を成膜する。

【0025】

位相調整膜１４は、位相調整膜１４の組成に応じたターゲットを用いて、プロセスガス雰囲気、またはプロセスガスと反応ガス（例えば、酸素ガスや窒素ガス）との混合ガス雰囲気でスパッタリングを実施することにより形成できる。プロセスガスは、例えば、Ａｒガス、Ｋｒガス、またはＸｅガスであるが、コスト面ではＡｒガスが有利である。これはスパッタの雰囲気ガスをプロセスガスまたはその混合ガスとする、いずれのスパッタについても当てはまる。

【0026】

また、位相調整膜１４はマルチスパッタリングを実施して形成してよい。位相調整膜１４は、所望の組成に応じたターゲットを用いて形成できる。
例えば、位相調整膜１４を形成するためのターゲット組成は、ＳｉＯ_２、ＭｇＦ_２、ＬａＦ_３、ＣｅＦ_３等が好ましく用いられる。
（３）位相調整膜１４上にＬ０層１０を形成する。Ｌ０層１０を構成する第１誘電体膜１１、記録膜１２および第２誘電体膜１３は、気相成膜法の一つであるスパッタリング法により形成できる。はじめに、第１誘電体膜１１を成膜する。第１誘電体膜１１は、所望の組成に応じたスパッタリングターゲットを用いて、プロセスガス雰囲気、またはプロセスガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中でスパッタすることにより形成できる。

【0027】

ターゲットは、酸化物の形態で含んでよく、あるいは単体金属または合金の形態で含んでよい。金属（合金含む）からなるターゲットを使用する場合には、酸素ガスを含む雰囲気中で実施する反応性スパッタにより酸化物を形成してよい。

【0028】

ターゲットの比抵抗値は好ましくは１Ω・ｃｍ以下である。これによりＤＣスパッタリングを実施しやすくなる。

【0029】

所望の第１誘電体膜１１の組成が得られるように、ターゲットの組成を調整してよい。

【0030】

例えば、第１誘電体膜１１を形成するためのターゲットの組成は、Ｚｒ－Ｉｎ－Ｏ、Ｚｒ－Ｓｉ－Ｉｎ－Ｏ、Ｚｎ－Ｚｒ－Ｓｎ－Ｏ、Ｔｉ－Ｏ、Ｎｂ－Ｏ、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｏが好ましく用いられる。

【0031】

あるいは、これらがターゲット中で、酸化物を形成していることが好ましく、例えば、ＺｒＯ_２－Ｉｎ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２－ＳｉＯ_２－Ｉｎ_２Ｏ_３、ＺｎＯ－ＺｒＯ_２－ＳｎＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｎｂ_２Ｏ_５、Ｉｎ_２Ｏ_３－ＳｎＯ_２等が好ましく用いられる。

【0032】

また、第１誘電体膜１１は少なくとも２種類以上の誘電体膜材料の積層膜からなってよく、例えば基板１側から記録膜に接する側の順に記載して、ＺｎＯ－ＺｒＯ_２－ＳｎＯ_２／ＺｒＯ_２－ＳｉＯ_２－Ｉｎ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２－ＳｉＯ_２－Ｉｎ_２Ｏ_３／ＺｎＯ－ＺｒＯ_２－ＳｎＯ_２、ＺｎＯ－ＺｒＯ_２－ＳｎＯ_２／ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２－ＳｉＯ_２－Ｉｎ_２Ｏ_３／ＴｉＯ_２、ＺｎＯ－ＺｒＯ_２－ＳｎＯ_２／Ｎｂ_２Ｏ_５等でもよい。

【0033】

続いて、第１誘電体膜１１上に記録膜１２を成膜する。記録膜１２は、その組成に応じて、金属合金または金属－酸化物の混合物からなるターゲットを用いて、プロセスガス雰囲気中またはプロセスガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中におけるスパッタリングを実施することにより形成できる。記録膜１２の厚さが第１誘電体膜１１などの誘電体膜より厚いので、生産性を考慮し、記録膜１２は、ＲＦスパッタリングより高い成膜レートが期待できるＤＣスパッタリング、またはパルスＤＣスパッタリングを用いて成膜することが好ましい。記録膜１２中に多くの酸素を含有させるため、雰囲気ガス中に多量の酸素ガスを混合することが好ましい。記録膜１２はマルチスパッタリングを実施して形成してよい。

【0034】

具体的には、記録膜１２の成膜に際して合金ターゲットまたは混合物ターゲットを用いる場合、ターゲットの組成は、Ｗ－Ｃｕ－Ｔａ－Ｍｎ－Ｔｉ－Ｏ、Ｗ－Ｃｕ－Ｔａ－Ｚｎ－Ｍｎ－Ｔｉ－Ｏ、Ｗ－Ｃｕ－Ｔａ－Ｍｎ－Ｔｉ－Ｍｇ－Ｏ、Ｗ－Ｃｕ－Ｔａ－Ｚｎ－Ｍｎ－Ｔｉ－Ｍｇ－Ｏ、Ｗ－Ｃｕ－Ｔａ－Ｍｎ－Ｎｂ－Ｏ、Ｗ－Ｃｕ－Ｔａ－Ｚｎ－Ｍｎ－Ｎｂ－Ｏ、Ｗ－Ｃｕ－Ｔａ－Ｍｎ－Ｎｂ－Ｍｇ－Ｏ、Ｗ－Ｃｕ－Ｔａ－Ｚｎ－Ｍｎ－Ｎｂ－Ｍｇ－Ｏ等であってよい。

【0035】

また、記録膜１２は少なくとも２種類以上の異なる組成の記録膜材料の積層膜からなってよい。

【0036】

積層膜を構成する記録膜材料の組成、あるいは積層膜の膜厚比を変えることにより、Ｌ０層１０の反射率および記録感度を調整することができる。

【0037】

続いて、記録膜１２上に第２誘電体膜１３を成膜する。第２誘電体膜１３は、第２誘電体膜１３の組成に応じたターゲットを用いて、プロセスガス雰囲気、またはプロセスガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気でスパッタリングを実施することにより形成できる。また、第２誘電体膜１３はマルチスパッタリングを実施して形成してよい。第２誘電体膜１３は、所望の組成に応じたターゲットを用いて形成できる。

【0038】

例えば、第２誘電体膜１３を形成するためのターゲット組成は、Ｚｒ－Ｉｎ－Ｏ、Ｚｒ－Ｓｉ－Ｉｎ－Ｏ、Ｚｎ－Ｚｒ－Ｓｎ－Ｏ等が好ましく用いられる。

【0039】

あるいは、これらがターゲット中で、酸化物を形成していることが好ましく、例えば、ＺｒＯ_２－Ｉｎ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２－ＳｉＯ_２－Ｉｎ_２Ｏ_３、ＺｎＯ－ＺｒＯ_２－ＳｎＯ_２等が好ましく用いられる。
（４）第２誘電体膜１３上に中間分離層２を形成する。中間分離層２は、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂（例えばアクリル系樹脂）を、Ｌ０層１０上に塗布しスピンコートした後に、樹脂を硬化させることにより形成できる。中間分離層２に案内溝を設ける場合、表面に所定の形状の溝が形成された転写用基板（型）を硬化前の樹脂に密着させた状態でスピンコートした後に樹脂を硬化させ、さらにその後、転写用基板を硬化した樹脂から剥がす方法で中間分離層２を形成してよい。また、中間分離層２は二段階で形成してよく、具体的には、厚みの大部分を占める部分を先にスピンコート法で形成し、次に案内溝を有する部分を、スピンコート法と転写用基板による転写との組み合わせにより形成してよい。
（５）Ｌ１層２０を形成する。具体的には、まず、第１誘電体膜２１を中間分離層２の上に形成する。第１誘電体膜２１は、前述した第１誘電体膜１１と同様の方法で、所望の組成に応じたターゲットを用いて形成できる。

【0040】

【0041】

続いて、第１誘電体膜３１上に記録膜３２を形成する。記録膜３２は、前述した記録膜１２と同様の方法で、所望の組成に応じたターゲットを用いて形成できる。続いて、記録膜３２上に第２誘電体膜３３を形成する。第２誘電体膜３３は、前述した第２誘電体膜１３と同様の方法で、所望の組成に応じたターゲットを用いて形成できる。続いて、第２誘電体膜３３上に中間分離層４を形成する。中間分離層４は、前述した中間分離層２および３と同様の方法で形成できる。
（７）Ｌ３層４０を形成する。Ｌ３層４０は、基本的には前述したＬ１層２０およびＬ２層３０と同様の方法で形成できる。まず、中間分離層４上に第１誘電体膜４１を形成する。第１誘電体膜４１は、前述した第１誘電体膜１１と同様の方法で、所望の組成に応じたターゲットを用いて形成できる。

【0042】

続いて、第１誘電体膜４１上に記録膜４２を形成する。記録膜４２は、前述した記録膜１２と同様の方法で、所望の組成に応じたターゲットを用いて形成できる。続いて、記録膜４２上に第２誘電体膜４３を形成する。第２誘電体膜４３は、前述した第２誘電体膜１３と同様の方法で、所望の組成に応じたターゲットを用いて形成できる。

【0043】

いずれの誘電体膜、記録膜および位相調整膜も、スパッタリング時の供給電力を１０Ｗ～１０ｋＷとし、成膜室の圧力を０．０１Ｐａ～１０Ｐａとして形成してよい。

【0044】

ターゲットは、粉末や焼結体が結晶相であれば、例えば、Ｘ線回折でターゲットに含まれる酸化物、窒化物、酸窒化物、およびフッ化物を調べることができる。また、ターゲットの組織には、複合酸化物、複合酸窒化物、混合酸化物、混合酸窒化物、亜酸化物、高酸化数酸化物および酸フッ化物が含まれていてよい。これは、第１誘電体膜１１、２１、３１、４１、記録膜１２、２２、３２、４２、第２誘電体膜１３、２３、３３、４３および位相調整膜１４を形成するためのターゲットについても同様に適用される。
（８）第２誘電体膜４３上にカバー層５を形成する。カバー層５は、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）または遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を第２誘電体膜４３上に塗布し、スピンコートした後に、樹脂を硬化させることにより形成できる。あるいは、カバー層５は、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、もしくはポリメチルメタクリレート等の樹脂、またはガラスから成る円盤状の基板１を貼り合わせる方法で形成してよい。具体的には、第２誘電体膜４３に光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）または遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を塗布し、塗布した樹脂に基板１を密着させた状態でスピンコートを実施して樹脂を均一に延ばし、その後、樹脂を硬化させる方法でカバー層５を形成できる。

【0045】

なお、各層の成膜方法として、スパッタリング法以外に、真空蒸着法、イオンプレーティング法、化学気相堆積法（ＣＶＤ法：ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）および分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法：ＭｏｌｅｃｕｌａｒＢｅａｍＥｐｉｔａｘｙ）を用いることも可能である。

【0046】

このようにしてＡ面情報記録媒体１０１を製造することができる。また必要に応じ、基板１およびＬ０層１０に、ディスクの識別コード（例えば、ＢＣＡ（ＢｕｒｓｔＣｕｔｔｉｎｇＡｒｅａ））が含まれるようにしてもよい。例えば、ポリカーボネート製の基板１に識別コードを付ける場合、基板１を成形した後に、ＣＯ_２レーザなどを用いて、ポリカーボネートを溶解・気化することにより、識別コードを付けることができる。また、Ｌ０層１０に識別コードを付ける場合、半導体レーザなどを用いて、記録膜１２に記録を行う、または記録膜１２を分解することによって、識別コードを付けることができる。Ｌ０層１０に識別コードを付ける工程は、第２誘電体膜１３の形成後、中間分離層２の形成後、カバー層５の形成後、または貼り合わせ層６の形成後に実施してよい。

【0047】

同様にしてＢ面情報記録媒体１０２の製造も可能である。Ｂ面情報記録媒体１０２の基板１に案内溝を設ける場合、螺旋の回転方向は前述したＡ面情報記録媒体１０１の基板１の案内溝のそれと逆向きでもよいし、または同じ向きでもよい。

【0048】

最後に、Ａ面情報記録媒体１０１において、基板１の案内溝が設けられた面とは反対の面に、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）を均一に塗布し、Ｂ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝が設けられた面とは反対の面を、塗布した樹脂に貼り付ける。その後、樹脂に光を照射して硬化させることにより、貼り合わせ層６を形成する。あるいは、遅行性硬化型の光硬化型樹脂を、Ａ面情報記録媒体１０１に均一に塗布した後に光を当て、その後、Ｂ面情報記録媒体１０２を貼り付けて、貼り合わせ層６を形成してもよい。このようにして、実施の形態１に係る、両面に情報層を有する情報記録媒体１００を製造することができる。

【0049】

次に、Ｌ０層および位相調整膜について詳細に説明する。
＜Ｌ０層および位相調整膜の基本構成＞
第１誘電体膜１１、記録膜１２および第２誘電体膜１３を含むＬ０層１０およびＬ０層１０の下に形成する位相調整膜１４の基本構成を説明する。以下の説明では、定式化を容易にするため、第１誘電体膜１１、記録膜１２および第２誘電体膜１３を、一様な媒質として近似する。
第１誘電体膜１１、記録膜１２、第２誘電体膜１３の膜厚および屈折率を、それぞれｄ_ｉ、ｎ_ｉ（ｉ＝１、２、３）とするとき、Ｌ０層１０の全体膜厚ｄ_Ａおよび平均屈折率ｎ_Ａは、式（２）および式（３）によって表される。

【0050】

【数2】

【0051】

【数3】

Ｌ０層１０の反射特性は、第１誘電体膜１１、記録膜１２、第２誘電体膜１３および位相調整膜１４で生じる薄膜干渉の繰り返しを考慮することで計算できる。
図２は、Ｌ０層１０に照射されたレーザ光７が中間層分離層２を通ってＬ０層１０に入射し、Ｌ０層１０および位相調整膜１４で反射または透過されることを模式的に示す図である。中間分離層２（媒質１）の屈折率をｎ_Ｒとし、第１誘電体膜１１、記録膜１２および第２誘電体膜１３の３種類で構成されるＬ０層１０（媒質２）の平均屈折率をｎ_Ａとし、位相調整膜１４（媒質３）の屈折率をｎ_Ｌとし、基板１（媒質４）の屈折率をｎ_Ｓとする。位相調整膜１４の膜厚をｄ_Ｌとし、Ｌ０層１０の全体膜厚をｄ_Ａとする。中間分離層２を通ってＬ０層１０に入射するレーザ光の入射角をθ_１とし、屈折角をθ_２とする。Ｌ０層１０を通って位相調整膜１４に入射するレーザ光の屈折角をθ_３とする。媒質iから媒質ｊに光が入射する場合の振幅反射率および振幅透過率をｒ_ｉｊ、ｔ_ｉｊ（ｉ、ｊ=１、２、３（ｉ≠ｊ））とする。反射率Ｒ_Ｌ０は、フレネルの公式を用いて、式（４）によって表される。

【0052】

【数4】

Δ_２は、Ｌ０層１０の中を１往復したときの位相差で、レーザ光７の波長をλとしたとき、式（５）で表される。

【0053】

【数5】

δ_２は中間分離層２とＬ０層１０との境界面およびＬ０層１０と位相調整膜１４との境界面において生じる位相のずれを示している。屈折率が小さい媒質中を通った光が、屈折率が高い媒質に当たって反射される場合に、位相がπずれる。

【0054】

ｒ_３はＬ０層１０と位相調整膜１４との境界面での振幅反射率で、式（６）によって表される。

【0055】

【数6】

Δ_３は、位相調整膜１４を１往復したときの位相差で、レーザ光７の波長をλとしたとき、式（７）で表される。

【0056】

【数7】

δ_３はＬ０層１０と位相調整膜１４との境界面、および位相調整膜１４と基板１との境界面において生じる位相のずれを示している。
＜反射率を高くするための条件＞
レーザ光７は屈折率の低い媒質を通って、屈折率の高い媒質に当たって反射する場合、レーザ光７の位相がπずれる。この屈折率の異なる媒質の境界面で生じる位相のずれにより、反射率が最大となる条件が変化する。

【0057】

例えば、位相調整膜１４の屈折率ｎ_Ｌが、Ｌ０層１０の平均屈折率ｎ_Ａおよび基板１の屈折率ｎ_Sより小さく、且つ、Ｌ０層１０の平均屈折率ｎ_Ａが中間分離層２の屈折率ｎ_Ｒより大きい場合、中間分離層２を通ってＬ０層１０との境界面で反射されるとき、および位相調整膜１４を通って基板１との境界面で反射されるときに、レーザ光７の位相がπずれるため、Ｌ０層１０の中を１往復したときの位相差Δ_２および位相調整膜１４の中を１往復したときの位相差Δ_３はそれぞれ式（８）および式（９）で表される。

【0058】

【数8】

【0059】

【数9】

位相差Δ_２がπの整数倍となるとき、式（４）中のｃоｓΔ_２は、ｃоｓΔ_２＝±１と一定の値を取るため、Ｌ０層１０の反射率は、位相差Δ_２に依存しない。このとき、位相差Δ_３が２πの整数倍となる条件で反射率が最大となり、反射率が最大値をとる位相調整膜１４の膜厚をｄ_{Ｌ（ＭＡＸ）}とすると、式（９）より、式（１０）が導出される。

【0060】

【数10】

また、位相差Δ_３が（２ｐ＋１）π（ｐ＝０、１、２、３、・・・）となる場合に反射率が最小となり、反射率が最小値をとる位相調整膜１４の膜厚をｄ_{Ｌ（ＭＩＮ）}とすると、式（９）より、式（１１）が導出される。

【0061】

【数11】

式（１１）より、位相調整膜１４の屈折率ｎ_Ｌが、Ｌ０層１０の平均屈折率ｎ_Ａおよび基板１の屈折率ｎ_Sより小さい場合は、位相調整膜１４を形成しないときに反射率が最小値をとる。

【0062】

位相差Δ_２がπの整数倍でない場合、式（４）中のｃоｓΔ_２の値によって、Ｌ０層１０の反射率が変化する。つまり、Ｌ０層１０の反射率は位相差Δ_２に依存し、反射率が最大値をとる位相調整膜１４の膜厚ｄ_{Ｌ（ＭＡＸ）}が式（１０）からずれる。このずれ量をΔｄとすると、反射率が最大となる位相調整膜１４の膜厚ｄ_{Ｌ（ＭＡＸ）}は式（１２）で表される。

【0063】

【数12】

±Δｄの符号は、Δ_２の位相差によって決まり、（２ｑ－１）π＜Δ_２＜２ｑπ（ｑ＝０、±１、±２、±３、・・・）のときに－（マイナス）、２ｑπ＜Δ_２＜（２ｑ＋１）π（ｑ＝０、±１、±２、±３、・・・）のときに＋（プラス）となる。

【0064】

一方、位相調整膜１４の屈折率ｎ_Ｌが、Ｌ０層１０の平均屈折率ｎ_Ａより小さく、基板１の屈折率ｎ_Sより大きい場合、レーザ光７がＬ０層１０を通って位相調整膜１４との境界面で反射されるとき、および位相調整膜１４を通って基板１との境界面で反射されるときにレーザ光７の位相がπずれるため、位相差Δ_３が（２ｐ＋１）π（ｐ＝０、１、２、３、・・・）となる場合に反射率が最大となり、式（９）より、反射率が最大となる位相調整膜１４の膜厚ｄ_{Ｌ（ＭＡＸ）}は式（１３）で表される。

【0065】

【数13】

式（１３）より、位相調整膜１４の屈折率ｎ_Ｌが、Ｌ０層１０の平均屈折率ｎ_Ａより小さく、基板１の屈折率ｎ_Sより大きい場合は、位相調整膜１４を形成しないときに反射率が最大値をとり、位相調整膜１４を形成すると反射率は低下する。
＜シミュレーション結果との比較＞
本発明者らは、基板１とＬ０層１０の間に低屈折率の位相調整膜１４を形成することにより、Ｌ０層１０の反射率が向上することをシミュレーションによって確認した。

【0066】

以下、その結果を説明する。計算する上で、以下のパラメータを設定した。基板１の屈折率ｎ_Ｓを１．６２とした。位相調整膜１４の屈折率ｎ_Ｌを１．４７とした。Ｌ０層１０の平均屈折率ｎ_Ａを２．３１とした。中間分離層２の屈折率ｎ_Ｒを１．５２とした。位相調整膜１４の膜厚ｄ_Ａを変化させた場合のＬ０層１０の反射率の変化を光学シミュレーションによって計算した。本シミュレーションでは基板１を平坦基板としたが、凹凸構造を有する基板１でも同様の結果を得られることを確認している。

【0067】

なお、情報記録媒体１００に照射されるレーザ光７の入射角はおよそ±０．５°であるため、本シミュレーションではθ_１＝０°とした。

【0068】

図３は、位相調整膜１４の膜厚を変化させた場合の、Ｌ０層１０の反射率のシミュレーション結果を示す図である。Ｌ０層１０の全体膜厚ｄ_Ａを６４ｎｍとして計算した。図３より、低屈折率の位相調整膜１４を形成することで反射率は高くなる。

【0069】

図４は、種々のＬ０層１０の全体膜厚ｄ_Ａにおいて、位相調整膜１４の膜厚を変化させた場合のＬ０層１０の反射率と位相調整膜１４を形成しない場合の反射率の比を光学シミュレーションした結果を示す図である。Ｌ０層１０の全体膜厚ｄ_Ａを２０ｎｍ、４０ｎｍ、６０ｎｍ、８０ｎｍ、１００ｎｍの５条件で計算した。

【0070】

全体膜厚ｄ_Ａが２０ｎｍ、４０ｎｍ（π＜Δ_２＜２π、つまり０＜（２×ｄ_Ａ×ｎ_Ａ）／λ＜０．５）および１００ｎｍ（３π＜Δ_２＜４π、つまり１．０＜（２×ｄ_Ａ×ｎ_Ａ）／λ＜１．５）で、反射率が最小値をとる位相調整膜１４の膜厚ｄ_{Ｌ（ＭＩＮ）}が１－４４ｎｍずれており、（２×ｄ_Ａ×ｎ_Ａ）／λの条件によって、位相調整膜１４を設けても、反射率が高くならないことを示している。
（実施の形態２）
図５は、本実施の形態２における情報記録媒体２００の断面図である。

【0071】

情報記録媒体２００は、Ａ面情報記録媒体２０１とＢ面情報記録媒体２０２を貼り合わせた、両面情報記録媒体である。Ａ面情報記録媒体２０１およびＢ面情報記録媒体２０２は各々、基板１上に中間分離層２、３および４などを介して、情報層として順次積層されたＬ０層１０、Ｌ１層２０、Ｌ２層３０およびＬ３層４０を有し、さらに、Ｌ３層４０上にカバー層５が設けられている。Ｌ０層１０は、基板１からから見て近い方から遠い方に向かって、第１誘電体膜１１、記録膜１２、および第２誘電体膜１３をこの順に形成している。Ｌ１層２０、Ｌ２層３０およびＬ３層４０も同様の構成をとる。さらに、中間分離層２の上には、Ｌ１層２０の反射率を高めるために位相調整膜１４が設けられている。すなわち、Ｌ１層２０の下に位相調整膜１４が設けられている。Ｌ１層２０、Ｌ２層３０およびＬ３層４０は透過型の情報層である。Ａ面情報記録媒体２０１およびＢ面情報記録媒体２０２は、それらの基板１の裏面（情報層を有する面と逆側）を貼り合わせ層６により貼り合わせている。情報記録媒体２００は、カバー層５側よりレーザ光７を照射し、各情報層に対して情報の記録および再生を行う。

【0072】

以下、基板１、中間分離層２、中間分離層３、中間分離層４、カバー層５および貼り合わせ層６の機能、材料および厚みについて詳細に説明する。

【0073】

基板１は、実施の形態１と同様の材料を用いることができ、また厚みも実施の形態１と同様である。

【0074】

中間分離層２、３および４は、実施の形態１と同様の材料を用いることができ、また厚みも実施の形態１と同様である。

【0075】

カバー層５は、実施の形態１と同様の材料を用いることができ、また厚みも実施の形態１と同様である。

【0076】

貼り合わせ層６は、実施の形態１と同様の材料を用いることができ、また厚みも実施の形態１と同様である。

【0077】

情報記録媒体２００における情報層の再生耐久性は、予め最適な記録パワーのレーザ光７で記録された記録マークに、再生パワーのレーザ光７を連続照射することにより評価することができる。具体的には、１００万回（１００万パス）再生後のｄ－ＭＬＳＥ値で判断することができる。１００万回再生後のｄ－ＭＬＳＥ値が１６．０％以下であれば、その再生パワーで１００万パス再生できたと判断してよい。
＜情報記録媒体２００の形成方法＞
Ａ面情報記録媒体２０１は、以下の手順（１）～（８）で製造することができる。
（１）基板１（例えば、厚み０．５ｍｍ、直径１２０ｍｍ）を成膜装置内に配置する。
（２）Ｌ０層１０を形成する。Ｌ０層１０を構成する第１誘電体膜１１、記録膜１２および第２誘電体膜１３は、気相成膜法の一つであるスパッタリング法により形成できる。
はじめに、第１誘電体膜１１を成膜する。この際、基板１に螺旋状の案内溝が形成されている場合は、この案内溝側に第１誘電体膜１１を成膜する。

【0078】

第１誘電体膜１１は、実施の形態１と同様に材料を用いることができ、また役割や作製方法も実施の形態１と同様である。
続いて、第１誘電体膜１１上に記録膜１２を成膜する。記録膜１２は、実施の形態１と同様の材料を用いることができ、また役割や作製方法も実施の形態１と同様である。

【0079】

続いて、記録膜１２上に第２誘電体膜１３を成膜する。第２誘電体膜１３は、実施の形態１と同様の材料を用いることができ、また役割や作製方法も実施の形態１と同様である。
（３）第２誘電体膜１３上に中間分離層２を形成する。中間分離層２は、実施の形態１と同様の材料を用いることができ、また役割や作製方法も実施の形態１と同様である。
（４）位相調整膜１４を中間分離層２の上に形成する。位相調整膜１４は、実施の形態１と同様の材料を用いることができ、また役割や作製方法も実施の形態１と同様である。
（５）Ｌ１層２０を形成する。具体的には、まず、第１誘電体膜２１を位相調整膜１４の上に形成する。第１誘電体膜２１は、前述した第１誘電体膜１１と同様の方法で、所望の組成に応じたターゲットを用いて形成できる。

【0080】

続いて、第１誘電体膜２１上に記録膜２２を形成する。記録膜２２は、前述した記録膜１２と同様の方法で、所望の組成に応じたターゲットを用いて形成できる。続いて、記録膜２２上に第２誘電体膜２３を形成する。第２誘電体膜２３は、前述した第２誘電体膜１３と同様の方法で、所望の組成に応じたターゲットを用いて形成できる。続いて、第２誘電体膜２３上に中間分離層３を形成する。中間分離層３は、前述した中間分離層２と同様の方法で形成できる。
（６）Ｌ２層３０を形成する。具体的には、まず、第１誘電体膜３１を中間分離層３の上に形成する。第１誘電体膜３１は、前述した第１誘電体膜１１と同様の方法で、所望の組成に応じたターゲットを用いて形成できる。
続いて、第１誘電体膜３１上に記録膜３２を形成する。記録膜３２は、前述した記録膜１２と同様の方法で、所望の組成に応じたターゲットを用いて形成できる。続いて、記録膜３２上に第２誘電体膜３３を形成する。第２誘電体膜３３は、前述した第２誘電体膜１３と同様の方法で、所望の組成に応じたターゲットを用いて形成できる。続いて、第２誘電体膜３３上に中間分離層４を形成する。中間分離層４は、前述した中間分離層２、中間分離層３と同様の方法で形成できる。
（７）Ｌ３層４０を形成する。Ｌ３層４０は、基本的には前述したＬ２層３０と同様の方法で形成できる。まず、中間分離層４上に第１誘電体膜４１を形成する。第１誘電体膜４１は、前述した第１誘電体膜１１と同様の方法で、所望の組成に応じたターゲットを用いて形成できる。

【0081】

【0082】

【0083】

ターゲットは、粉末や焼結体が結晶相であれば、例えば、Ｘ線回折でターゲットに含まれる酸化物、窒化物、酸窒化物、およびフッ化物を調べることができる。また、ターゲットの組織には、複合酸化物、複合酸窒化物、混合酸化物、混合酸窒化物、亜酸化物、高酸化数酸化物および酸フッ化物が含まれていてよい。これは、第１誘電体膜１１、２１、３１、４１、記録膜１２、２２、３２、４２、第２誘電体膜１３、２３、３３、４３および位相調整膜１４を形成するためのターゲットについても同様に適用される。
（８）第２誘電体膜４３上にカバー層５を形成する。カバー層５は、実施の形態１と同様の材料を用いることができ、また役割や作製方法も実施の形態１と同様である。
このようにしてＡ面情報記録媒体２０１を製造することができる。また必要に応じ、基板１およびＬ０層１０に、ディスクの識別コード（例えば、ＢＣＡ（ＢｕｒｓｔＣｕｔｔｉｎｇＡｒｅａ））が含まれるようにしてもよい。例えば、ポリカーボネート製の基板１に識別コードを付ける場合、基板１を成形した後に、ＣＯ_２レーザなどを用いて、ポリカーボネートを溶解・気化することにより、識別コードを付けることができる。また、Ｌ０層１０に識別コードを付ける場合、半導体レーザなどを用いて、記録膜１２に記録を行う、または記録膜１２を分解することによって、識別コードを付けることができる。Ｌ０層１０に識別コードを付ける工程は、第２誘電体膜１３の形成後、中間分離層２の形成後、カバー層５の形成後、または貼り合わせ層６の形成後に実施してよい。

【0084】

同様にしてＢ面情報記録媒体２０２の製造も可能である。Ｂ面情報記録媒体２０２の基板１に案内溝を設ける場合、螺旋の回転方向は前述したＡ面情報記録媒体２０１の基板１の案内溝のそれと逆向きでもよいし、または同じ向きでもよい。

【0085】

最後に、Ａ面情報記録媒体２０１において、基板１の案内溝が設けられた面とは反対の面に、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）を均一に塗布し、Ｂ面情報記録媒体２０２の基板１の案内溝が設けられた面とは反対の面を、塗布した樹脂に貼り付ける。その後、樹脂に光を照射して硬化させることにより、貼り合わせ層６を形成する。あるいは、遅行性硬化型の光硬化型樹脂を、Ａ面情報記録媒体２０１に均一に塗布した後に光を当て、その後、Ｂ面情報記録媒体２０２を貼り付けて、貼り合わせ層６を形成してもよい。このようにして、実施の形態１に係る、両面に情報層を有する情報記録媒体２００を製造することができる。次に、Ｌ１層および位相調整膜について詳細に説明する。
＜Ｌ１層および位相調整膜の基本構成＞
第１誘電体膜２１、記録膜２２および第２誘電体膜２３を含むＬ１層２０と、Ｌ１層２０の下に形成する位相調整膜１４の基本構成を説明する。以下の説明では、定式化を容易にするため、第１誘電体膜２１、記録膜２２および第２誘電体膜２３を、一様な媒質として近似する。
第１誘電体膜２１、記録膜２２、第２誘電体膜２３の膜厚および屈折率を、それぞれｄ_ｋ、ｎ_ｋ（ｋ＝４、５、６）とするとき、Ｌ１層２０の全体膜厚ｄ_Ｂおよび平均屈折率ｎ_Ｂは、式（１４）および式（１５）によって表される。

【0086】

【数14】

【0087】

【数15】

Ｌ１層２０の反射特性は、第１誘電体膜２１、記録膜２２、第２誘電体膜２３および位相調整膜１４で生じる薄膜干渉の繰り返しを考慮することで計算できる。

【0088】

図６は、Ｌ１層２０に照射されたレーザ光７が中間層分離層３を通ってＬ１層２０に入射し、Ｌ１層２０および位相調整膜１４で反射または透過されることを模式的に示す図である。中間分離層３（媒質５）の屈折率をｎ_Ｒとし、第１誘電体膜２１、記録膜２２および第２誘電体膜２３の３種類で構成されるＬ１層２０（媒質６）の平均屈折率をｎ_Ｂとし、位相調整膜１４（媒質７）の屈折率をｎ_Ｌとし、中間分離層２（媒質８）の屈折率をｎ_Ｒとする。位相調整膜１４の膜厚をｄ_Ｌとし、Ｌ１層２０の全体膜厚をｄ_Ｂとする。中間分離層３を通ってＬ１層２０に入射するレーザ光の入射角をθ_５とし、屈折角をθ_６とする。Ｌ１層２０を通って位相調整膜１４に入射するレーザ光の屈折角をθ_７とする。媒質ｋから媒質ｌに光が入射する場合の振幅反射率および振幅透過率をｒ_ｋｌ、ｔ_ｋｌ（ｋ、ｌ=５、６、７、８（ｋ≠ｌ））とする。Ｌ１層２０の反射率Ｒ_Ｌ１は、フレネルの公式を用いて、式（１６）によって表される。

【0089】

【数16】

Δ_６は、Ｌ１層２０の中を１往復したときの位相差で、レーザ光７の波長をλとしたとき、式（１７）で表される。

【0090】

【数17】

δ_６は中間分離層３とＬ１層２０との境界面およびＬ１層２０と位相調整膜１４との境界面において生じる位相のずれを示している。

【0091】

ｒ_７はＬ１層２０と位相調整膜１４との境界面での振幅反射率で、式（１８）によって表される。

【0092】

【数18】

Δ_７は、位相調整膜１４を１往復したときの位相差で、レーザ光７の波長をλとしたとき、式（１９）で表される。

【0093】

【数19】

δ_７はＬ１層２０と位相調整膜１４との境界面、および位相調整膜１４と中間分離層２との境界面において生じる位相のずれを示している。
＜反射率を高くするための条件＞
レーザ光７は屈折率の低い媒質を通って、屈折率の高い媒質に当たって反射する場合、レーザ光７の位相がπずれる。この屈折率の異なる媒質の境界面で生じる位相のずれにより、反射率が最大となる条件が変化する。

【0094】

例えば、位相調整膜１４の屈折率ｎ_Ｌが、Ｌ１層２０の平均屈折率ｎ_Ｂおよび中間分離層２の屈折率ｎ_Ｒより小さく、且つ、Ｌ１層２０の平均屈折率ｎ_Ｂが中間分離層３の屈折率ｎ_Ｒより大きい場合、中間分離層３を通ってＬ１層２０との境界面で反射されるとき、および位相調整膜１４を通って中間分離層２との境界面で反射されるときにレーザ光７の位相がπずれるため、Ｌ１層２０の中を１往復したときの位相差Δ_６および位相調整膜１４の中を１往復したときの位相差Δ_７はそれぞれ式（２０）および式（２１）で表される。

【0095】

【数20】

【0096】

【数21】

位相差Δ_６がπの整数倍となるとき、式（１６）中のｃоｓΔ_６は、ｃоｓΔ_６＝±１と一定の値を取るため、Ｌ０層１０の反射率は、位相差Δ_６に依存しない。このとき、位相差Δ_７が２πの整数倍となる条件で反射率が最大となり、反射率が最大値をとる位相調整膜１４の膜厚をｄ_{Ｌ（ＭＡＸ）}とすると、式（２１）より、式（２２）が導出される。

【0097】

【数22】

また、位相差Δ_７が（２ｐ＋１）π（ｐ＝０、１、２、３、・・・）となる場合に反射率が最小となり、反射率が最小値をとる位相調整膜１４の膜厚をｄ_{Ｌ（ＭＩＮ）}とすると、式（２１）より、式（２３）が導出される。

【0098】

【数23】

式（２３）より、位相調整膜１４の屈折率ｎ_Ｌが、Ｌ１層２０の平均屈折率ｎ_Ｂおよび中間分離層２の屈折率ｎ_Ｒより小さい場合は、位相調整膜１４を形成しないときに反射率が最小値をとる。

【0099】

位相差Δ_６がπの整数倍でない場合、式（１６）中のｃоｓΔ_６の値によって、Ｌ１層２０の反射率が変化する。つまり、Ｌ１層２０の反射率は位相差Δ_６に依存し、反射率が最大値をとる位相調整膜１４の膜厚ｄ_{Ｌ（ＭＡＸ）}が式（２２）からずれる。このずれ量をΔｄとすると、反射率が最大となる位相調整膜１４の膜厚ｄ_{Ｌ（ＭＡＸ）}は式（２４）で表される。

【0100】

【数24】

±Δｄの符号は、Δ_６の位相差によって決まり、（２ｑ－１）π＜Δ_６＜２ｑπ（ｑ＝０、±１、±２、±３、・・・）のときに－（マイナス）、２ｑπ＜Δ_６＜（２ｑ＋１）π（ｑ＝０、±１、±２、±３、・・・）のときに＋（プラス）となる。

【0101】

一方、位相調整膜１４の屈折率ｎ_Ｌが、Ｌ１層２０の平均屈折率ｎ_Ｂより小さく、中間分離層２の屈折率ｎ_Ｒより大きい場合、レーザ光７がＬ１層２０を通って位相調整膜１４との境界面で反射されるとき、および位相調整膜１４を通って中間分離層２との境界面で反射されるときにレーザ光７の位相がπずれるため、位相差Δ_７が（２ｐ＋１）π（ｐ＝０、１、２、３、・・・）となる場合に反射率が最大となり、式（２１）より、反射率が最大となる位相調整膜１４の膜厚ｄ_{Ｌ（ＭＡＸ）}は式（２５）で表される。

【0102】

【数25】

式（２５）より、位相調整膜１４の屈折率ｎ_Ｌが、Ｌ１層２０の平均屈折率ｎ_Ｂより小さく、中間分離層２の屈折率ｎ_Ｒより大きい場合は、位相調整膜１４を形成しないときに反射率が最大値をとり、位相調整膜１４を形成すると反射率は低下する。
＜シミュレーション結果との比較＞
本発明者らは、Ｌ１層２０と中間分離層２との間に低屈折率の位相調整膜１４を形成することにより、Ｌ１層２０の反射率が向上することをシミュレーションによって確認した。

【0103】

以下、その結果を説明する。計算する上で、以下のパラメータを設定した。中間分離層３の屈折率ｎ_Ｒを１．５２とした。Ｌ１層２０の平均屈折率ｎ_Ｂを２．２２とした。位相調整膜１４の屈折率ｎ_Ｌを１．４７とした。中間分離層２の屈折率ｎ_Ｒを１．５２とした。位相調整膜１４の膜厚ｄ_Ｂを変化させた場合のＬ１層２０の反射率の変化を光学シミュレーションによって計算した。本シミュレーションでは中間分離層２の表面状態を平坦として計算したが、中間分離層２が凹凸構造を有する場合でも同様の結果を得られることを確認している。

【0104】

なお、情報記録媒体２００に照射されるレーザ光７の入射角はおよそ±０．５°であるため、本シミュレーションではθ_５＝０°とした。

【0105】

図６は、位相調整膜１４の膜厚を変化させた場合の、Ｌ１層２０の反射率のシミュレーション結果を示す図である。Ｌ１層２０の全体膜厚ｄ_Ｂを７２ｎｍとして計算した。図６より、低屈折率の位相調整膜１４を形成することで反射率は高くなる。

【0106】

図７は、種々のＬ１層２０の全体膜厚ｄ_Ｂにおいて、位相調整膜１４の膜厚を変化させた場合のＬ１層２０の反射率と、位相調整膜１４を形成しない場合の反射率との比を光学シミュレーションした結果を示す図である。Ｌ１層２０の全体膜厚ｄ_Ｂを２０ｎｍ、４０ｎｍ、６０ｎｍ、８０ｎｍ、１００ｎｍの５条件で計算した。

【0107】

全体膜厚ｄ_Ｂが２０ｎｍ、４０ｎｍ（π＜Δ_６＜２π、つまり０＜（２×ｄ_Ｂ×ｎ_Ｂ）／λ＜０．５）および１００ｎｍ（３π＜Δ_６＜４π、つまり１．０＜（２×ｄ_Ｂ×ｎ_Ｂ）／λ＜１．５）で、反射率が最小値をとる位相調整膜１４の膜厚ｄ_{Ｌ（ＭＩＮ）}が１－４８ｎｍずれており、（２×ｄ_Ｂ×ｎ_Ｂ）／λの条件によって、位相調整膜１４を設けても、反射率が高くならないことを示している。

【0108】

なお、本実施の形態２では、位相調整膜１４がＬ１層２０の下に形成される構成を説明したが、位相調整膜１４がＬ２層３０あるいはＬ３層４０の下に形成される場合であっても同様の効果を得ることができる。

【0109】

次に、実施例を用いて本開示の技術を詳細に説明する。

【実施例0110】

本発明のより具体的な実施の形態について、実施例を用いてさらに詳細に説明する。
（実施例１）
本実施例では、実施の形態1の情報記録媒体１００の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体１００の製造方法である。

【0111】

まず、Ａ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．１８μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ）を用意した。その基板１上に、位相調整膜１４を形成した。位相調整膜１４として、ＳｉＯ_２からなるターゲットを用いてＳｉＯ_２を０～１００ｎｍ、スパッタリング法により成膜した。位相調整膜１４の成膜は、ＳｉＯ_２ターゲットを用いてＡｒ＋Ｏ_２の雰囲気（流量：１２＋１．２ｓｃｃｍ）で、ＲＦ電源（１ｋＷ）を用いて行った。

【0112】

続けて、位相調整膜１４上にＬ０層１０を形成した。第１誘電体膜１１として実質的に（ＺｎＯ）_４８．４（ＳｎＯ_２）_２４．７（ＺｒＯ_２）_２３．７（ＭｇＯ）_２．１（Ｇａ_２Ｏ_３）_１．１（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｎＯ）_４８．４（ＳｎＯ_２）_２４．７（ＺｒＯ_２）_２３．７（ＭｇＯ）_２．１（Ｇａ_２Ｏ_３）_１．１（ｍｏｌ％）を１２ｎｍ、記録膜１２として実質的にＷ_２１Ｃｕ_１７Ｔａ_１８Ｚｎ_４Ｍｎ_２０Ｔｉ_２０－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ_２１Ｃｕ_１７Ｔａ_１８Ｚｎ_４Ｍｎ_２０Ｔｉ_２０－Ｏを１０～７４ｎｍ、第２誘電体膜１３として実質的に（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ｍｏｌ％）を１０ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。

【0113】

ここで記録膜１２の表記に関して、元素比としては金属元素比（原子％）のみを記載した形で表記し、以降についても同様に表記する。例えば、Ｗ_２１Ｃｕ_１７Ｔａ_１８Ｚｎ_４Ｍｎ_２０Ｔｉ_２０（原子％）の酸化物であればＷ_２１Ｃｕ_１７Ｔａ_１８Ｚｎ_４Ｍｎ_２０Ｔｉ_２０－Ｏと表記する。

【0114】

第１誘電体膜１１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）で、パルスＤＣ電源（３．５ｋＷ）を用いて行った。記録膜１２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ_２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）で、パルスＤＣ電源（６ｋＷ）を用いて行った。第２誘電体膜１３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）で、ＤＣ電源（２．５ｋＷ）を用いて行った。

【0115】

続けて、Ｌ０層１０上に螺旋状の案内溝（深さ３３ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．１８０μｍ）を設けた中間分離層２を形成した。まず、母体の厚みを形成する紫外線硬化樹脂をスピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させた。次に、案内溝を転写する紫外線硬化樹脂をスピンコートし、その上に案内溝が形成されたポリカーボネートからなるスタンパ基板を貼り合わせ、紫外線により樹脂を硬化させた後、スタンパ基板を剥離して、中間分離層２を形成した。中間分離層２の厚みは約１５．５μｍである。

【0116】

次に、中間分離層２上にＬ１層２０を形成した。Ｌ１層２０の第１誘電体膜２１として（ＺｒＯ_２）_２５（ＺｎＯ）_５０（ＳｎＯ_２）_２５（ｍｏｌ％）を１６ｎｍ、記録膜２２として、本発明の実施形態における実質的にＷ_３２Ｃｕ_１７Ｔａ_１６Ｚｎ_１７Ｍｎ_１８－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ_３２Ｃｕ_１７Ｔａ_１６Ｚｎ_１７Ｍｎ_１８－Ｏを４２ｎｍ、第２誘電体膜２３として実質的に（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ｍｏｌ％）を１４ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。

【0117】

また、第１誘電体膜２１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ_２の混合ガス（流量：１２＋３８ｓｃｃｍ）雰囲気でパルスＤＣ電源（５．５ｋＷ）を用いて行った。第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。

【0118】

続けて、Ｌ１層２０上に螺旋状の案内溝（深さ３３ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．１８０μｍ）を設けた中間分離層３を形成した。まず、母体の厚みを形成する紫外線硬化樹脂をスピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させる。次に、案内溝を転写する紫外線硬化樹脂をスピンコートし、その上に案内溝が形成されたポリカーボネートからなるスタンパ基板を貼り合わせ、紫外線により樹脂を硬化させた後、スタンパ基板を剥離して、中間分離層３を形成した。中間分離層３の厚みは約１９．５μｍである。

【0119】

中間分離層３上にＬ２層３０を形成した。第１誘電体膜３１として（ＺｒＯ_２）_２５（ＺｎＯ）_５０（ＳｎＯ_２）_２５（ｍｏｌ％）を１４ｎｍ、記録膜３２として実質的にＷ_３５Ｃｕ_１４Ｔａ_２５Ｚｎ_１１Ｍｎ_１５－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ_３５Ｃｕ_１４Ｔａ_２５Ｚｎ_１１Ｍｎ_１５－Ｏを４４ｎｍ、第２誘電体膜３３として実質的に（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ｍｏｌ％）を１６ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。

【0120】

【0121】

Ｌ２層３０上に螺旋状の案内溝（深さ３３ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．１８０μｍ）を設けた中間分離層４を形成した。まず、母体の厚みを形成する紫外線硬化樹脂をスピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させる。次に、案内溝を転写する紫外線硬化樹脂をスピンコートし、その上に案内溝が形成されたポリカーボネートからなるスタンパ基板を貼り合わせ、紫外線により樹脂を硬化させた後、スタンパ基板を剥離して、中間分離層４を形成した。中間分離層４の厚みは約１１．５μｍである。

【0122】

中間分離層４上にＬ３層４０を形成した。第１誘電体膜４１として（ＺｒＯ_２）_２５（ＺｎＯ）_５０（ＳｎＯ_２）_２５（ｍｏｌ％）を１３ｎｍ、記録膜４２として実質的にＷ_３７Ｃｕ_１２Ｔａ_２７Ｚｎ_１１Ｍｎ_１３－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ_３７Ｃｕ_１２Ｔａ_２７Ｚｎ_１１Ｍｎ_１３－Ｏを４４ｎｍ、第２誘電体膜４３として実質的に（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ｍｏｌ％）を２１ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。

【0123】

第１誘電体膜４１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（４．８ｋＷ）を用いて行った。記録膜４２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ_２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋４８ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（６ｋＷ）を用いて行った。第２誘電体膜４３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でＤＣ電源（３．５ｋＷ）を用いて行った。

【0124】

その後に、紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜４３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層５を約５３．５μｍ形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製した。

【0125】

次に、Ｂ面情報記録媒体１０２の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．１８０μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（厚さ０．５ｍｍ）を用意した。案内溝の螺旋の回転方向は前述したＡ面情報記録媒体１０１の基板１とは逆の方向とした。その基板１上に、位相調整膜１４を形成した。位相調整膜１４として、ＳｉＯ_２からなるターゲットを用いてＳｉＯ_２を０～１００ｎｍ、スパッタリング法により成膜した。位相調整膜１４の成膜は、ＳｉＯ_２ターゲットを用いてＡｒ＋Ｏ_２の雰囲気（流量：１２＋１．２ｓｃｃｍ）で、ＲＦ電源（１ｋＷ）を用いて行った。

【0126】

続けて、位相調整膜１４上にＬ０層１０を形成した。第１誘電体膜１１として第１誘電体膜１１として実質的に（ＺｎＯ）_４８．４（ＳｎＯ_２）_２４．７（ＺｒＯ_２）_２３．７（ＭｇＯ）_２．１（Ｇａ_２Ｏ_３）_１．１（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｎＯ）_４８．４（ＳｎＯ_２）_２４．７（ＺｒＯ_２）_２３．７（ＭｇＯ）_２．１（Ｇａ_２Ｏ_３）_１．１（ｍｏｌ％）を１２ｎｍ、記録膜１２として実質的にＷ_２１Ｃｕ_１７Ｔａ_１８Ｚｎ_４Ｍｎ_２０Ｔｉ_２０－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ_２１Ｃｕ_１７Ｔａ_１８Ｚｎ_４Ｍｎ_２０Ｔｉ_２０－Ｏを１０～７４ｎｍ、第２誘電体膜１３として実質的に（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ｍｏｌ％）を１０ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。

【0127】

【0128】

【0129】

【0130】

【0131】

【0132】

【0133】

第１誘電体膜３１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ_２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋４８ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（６ｋＷ）を用いて行った。第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。
Ｌ２層３０上に螺旋状の案内溝（深さ３３ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．１８０μｍ）を設けた中間分離層４を形成した。まず、母体の厚みを形成する紫外線硬化樹脂をスピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させる。次に、案内溝を転写する紫外線硬化樹脂をスピンコートし、その上に案内溝が形成されたポリカーボネートからなるスタンパ基板を貼り合わせ、紫外線により樹脂を硬化させた後、スタンパ基板を剥離して、中間分離層４を形成した。中間分離層４の厚みは約１１．５μｍである。

【0134】

【0135】

【0136】

その後に、紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜４３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層５を約５３．５μｍ形成し、Ｂ面情報記録媒体１０２を作製した。

【0137】

最後に、Ａ面情報記録媒体１０１の基板１の案内溝が設けられた面とは反対側の面に、紫外線硬化樹脂を均一に塗布し、Ｂ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝が設けられた面とは反対側の面と貼り合わせ、紫外線により樹脂を硬化させ、貼り合わせ層６（厚み約３５μｍ）を形成した。

【0138】

このようにして本実施例の情報記録媒体１００を作製した。

【0139】

表１は、Ｌ０層１０を構成する第１誘電体膜１１、記録膜１２および第２誘電体膜１３と、位相調整膜１４、中間分離層２、および基板１の屈折率を示している。

【0140】

【表1】

本実施例の情報記録媒体１００の一例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の記録膜１２および位相調整膜１４の膜厚をそれぞれ、（記録膜１２の膜厚、位相調整膜１４の膜厚）＝（２５ｎｍ、１０ｎｍ）、（２５ｎｍ、２０ｎｍ）、（２５ｎｍ、４０ｎｍ）、（２５ｎｍ、６０ｎｍ）、（４２ｎｍ、５ｎｍ）、（４２ｎｍ、１０ｎｍ）、（４２ｎｍ、１５ｎｍ）、（４２ｎｍ、２０ｎｍ）、（４２ｎｍ、３０ｎｍ）、（４２ｎｍ、４０ｎｍ）、（４２ｎｍ、６０ｎｍ）、（４２ｎｍ、８０ｎｍ）、（４２ｎｍ、１００ｎｍ）、（６０ｎｍ、１０ｎｍ）、（６０ｎｍ、２０ｎｍ）、（６０ｎｍ、４０ｎｍ）、（６０ｎｍ、６０ｎｍ）とした情報記録媒体１００を作製した。これらのディスクＮｏ．を１－１～１－１７とする。比較例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の記録膜１２および位相調整膜１４の膜厚をそれぞれ、（記録膜１２の膜厚、位相調整膜１４の膜厚）＝（１０ｎｍ、１０ｎｍ）、（７４ｎｍ、１０ｎｍ）、（４２ｎｍ、０ｎｍ）としたディスクＮｏ．比較例１－１～１－３を作製した。

【0141】

ディスクＮｏ．１－１～１－１７および比較例１－１において、反射率および再生耐久性の評価を行った。反射率の評価はパルステック製評価機（ＯＤＵ－１０００）を用いて行った。再生耐久性の評価は自社作製の評価装置を用いて行った。

【0142】

パルステック製評価機のレーザ光７の波長は４０５ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡは０．９１であり、線速度を８．２３ｍ／ｓとし、すべての情報層が未記録の状態で反射率を評価した。

【0143】

自社作製の評価装置のレーザ光７の波長は４０５ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡは０．９１であり、グルーブおよびランドに情報の記録を行った。記録の線速度は１５．６３ｍ／ｓおよび再生の線速度は１５．６３ｍ／ｓで行った。情報の記録は、多値符号を記録する多値記録を行った。多値記録では、記録深さを制御し、多値符号の値（レベル）に応じたサイズのマークを形成した。５値符号を記録し、１情報層あたり１２５ＧＢの密度とした。再生時には、記録マークのサイズの違いが、反射光の強度の違い（階調）として現れる。５値符号が記録された場合、５値に対応する反射光の階調が得られる。信号品質はｄ－ＭＬＳＥ（ＤｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎＤｅｒｉｖｅｄ－ＭａｘｉｍｕｍＬｉｋｅｌｉｈｏｏｄＳｅｑｕｅｎｃｅＥｒｒｏｒＥｓｔｉｍａｔｉｏｎ）として評価した。

【0144】

Ｌ０層１０の再生耐久性の評価は、隣接するグルーブおよびランドにランダム信号を多値記録し、記録を行ったトラックの中央に位置するグルーブおよび両隣のランドのランダム信号を線速度１５．６３ｍ／ｓで再生し、両隣のランドトラックからのクロストークを最小にする波形透過処理（クロストークキャンセル処理）を行い、繰り返しの再生回数が１００万回目のｄ－ＭＬＳＥの絶対値により良否を判定した。

【0145】

再生パワーは、再生光量が０．１１７を満たすように設定し、例えば、実効反射率が２．２％の場合、再生パワーを５．３ｍＷとした。ここで、再生光量とは、各情報層に照射されたレーザ７が各情報層で反射されて返ってきた戻り光量であり、各情報層の実効反射率と再生パワーの積を求め、これを１００で除すことにより（実効反射率Ｒ（％）×再生パワーＰｒ（ｍＷ）／１００）、求めることができる。
１００万回再生後のｄ－ＭＬＳＥ値が、１５．０％以下を◎（良好）、１５．０より大きく１６．０％以下を○（実用レベル）、１６．０％より大きいものを×（実用不可）とした。

【0146】

なお、ランドではなくグルーブ再生による評価を行ったのは、本実施例ではグルーブの方がランドより反射率が低く、再生パワーを大きくする必要があり、再生耐久性が悪くなるためである。

【0147】

Ａ面情報記録媒体１０１におけるＬ０層１０の再生耐久性結果を表２に示す。

【0148】

【表2】

ディスクＮｏ．１―１～１―１７において、比較例１－１～１－３と比較して、再生耐久性が良好な結果が得られた。具体的には、（２×ｄ_Ａ×ｎ_Ａ）／λが０．５以上１．０以下であり、Ｌ０層１０の下に位相調整膜１４を設け、位相調整膜１４の屈折率が平均屈折率ｎ_Ａおよび中間分離層２の屈折率ｎ_Ｒより小さく、且つ０＜（２×ｄ_Ｌ×ｎ_Ｌ）／λ＜０．７５の場合に、反射率が上昇して再生パワーが下がり、再生耐久性が向上することを確認できた。Ｂ面情報記録媒体１０２においても、同様の結果が得られた。
（実施例２）
本実施例では、実施の形態２の情報記録媒体２００の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体２００の製造方法である。

【0149】

まず、Ａ面情報記録媒体２０１の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．１８μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ）を用意した。その基板１上に、Ｌ０層１０を形成した。第１誘電体膜１１として実質的に（ＺｎＯ）_４８．４（ＳｎＯ_２）_２４．７（ＺｒＯ_２）_２３．７（ＭｇＯ）_２．１（Ｇａ_２Ｏ_３）_１．１（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｎＯ）_４８．４（ＳｎＯ_２）_２４．７（ＺｒＯ_２）_２３．７（ＭｇＯ）_２．１（Ｇａ_２Ｏ_３）_１．１（ｍｏｌ％）を１２ｎｍ、記録膜１２として実質的にＷ_２１Ｃｕ_１７Ｔａ_１８Ｚｎ_４Ｍｎ_２０Ｔｉ_２０－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ_２１Ｃｕ_１７Ｔａ_１８Ｚｎ_４Ｍｎ_２０Ｔｉ_２０－Ｏを４２ｎｍ、第２誘電体膜１３として実質的に（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ｍｏｌ％）を１０ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。

【0150】

【0151】

【0152】

次に、中間分離層２上に位相調整膜１４を形成した。位相調整膜１４として、ＳｉＯ_２からなるターゲットを用いてＳｉＯ_２を０～１００ｎｍ、スパッタリング法により成膜した。位相調整膜１４の成膜は、ＳｉＯ_２ターゲットを用いてＡｒ＋Ｏ_２の雰囲気（流量：１２＋１．２ｓｃｃｍ）で、ＲＦ電源（１ｋＷ）を用いて行った。
次に、位相調整膜１４上にＬ１層２０を形成した。Ｌ１層２０の第１誘電体膜２１として（ＺｒＯ_２）_２５（ＺｎＯ）_５０（ＳｎＯ_２）_２５（ｍｏｌ％）を８～１６ｎｍ、記録膜２２として、本発明の実施形態における実質的にＷ_３２Ｃｕ_１７Ｔａ_１６Ｚｎ_１７Ｍｎ_１８－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ_３２Ｃｕ_１７Ｔａ_１６Ｚｎ_１７Ｍｎ_１８－Ｏを３２～５９ｎｍ、第２誘電体膜２３として実質的に（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ｍｏｌ％）を７～１４ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。

【0153】

【0154】

【0155】

【0156】

【0157】

【0158】

【0159】

【0160】

その後に、紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜４３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層５を約５３．５μｍ形成し、Ａ面情報記録媒体２０１を作製した。

【0161】

次に、Ｂ面情報記録媒体２０２の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．１８０μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（厚さ０．５ｍｍ）を用意した。案内溝の螺旋の回転方向は前述したＡ面情報記録媒体２０１の基板１とは逆の方向とした。その基板１上に、位相調整膜１４を形成した。位相調整膜１４として、ＳｉＯ_２からなるターゲットを用いてＳｉＯ_２を０～１００ｎｍ、スパッタリング法により成膜した。位相調整膜１４の成膜は、ＳｉＯ_２ターゲットを用いてＡｒ＋Ｏ_２の雰囲気（流量：１２＋１．２ｓｃｃｍ）で、ＲＦ電源（１ｋＷ）を用いて行った。

【0162】

【0163】

【0164】

【0165】

次に、中間分離層２上にＬ１層２０を形成した。Ｌ１層２０の第１誘電体膜２１として（ＺｒＯ_２）_２５（ＺｎＯ）_５０（ＳｎＯ_２）_２５（ｍｏｌ％）を８～１６ｎｍ、記録膜２２として、本発明の実施形態における実質的にＷ_３２Ｃｕ_１７Ｔａ_１６Ｚｎ_１７Ｍｎ_１８－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ_３２Ｃｕ_１７Ｔａ_１６Ｚｎ_１７Ｍｎ_１８－Ｏを３２～５９ｎｍ、第２誘電体膜２３として実質的に（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ｍｏｌ％）を７～１４ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。

【0166】

【0167】

【0168】

【0169】

【0170】

中間分離層４上にＬ３層４０を形成した。第１誘電体膜４１として（ＺｒＯ_２）_２５（ＺｎＯ）_５０（ＳｎＯ_２）_２５（ｍｏｌ％）を１３．５ｎｍ、記録膜４２として実質的にＷ_３７Ｃｕ_１２Ｔａ_２７Ｚｎ_１１Ｍｎ_１３－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ_３７Ｃｕ_１２Ｔａ_２７Ｚｎ_１１Ｍｎ_１３－Ｏを４４ｎｍ、第２誘電体膜４３として実質的に（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ｍｏｌ％）を２１．５ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。

【0171】

【0172】

その後に、紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜４３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層５を約５３．５μｍ形成し、Ｂ面情報記録媒体２０２を作製した。

【0173】

最後に、Ａ面情報記録媒体２０１の基板１の案内溝が設けられた面とは反対側の面に、紫外線硬化樹脂を均一に塗布し、Ｂ面情報記録媒体２０２の基板１の案内溝が設けられた面とは反対側の面と貼り合わせ、紫外線により樹脂を硬化させ、貼り合わせ層６（厚み約３５μｍ）を形成した。

【0174】

このようにして本実施例の情報記録媒体２００を作製した。

【0175】

表３は、Ｌ１層２０を構成する第１誘電体膜２１、記録膜２２および第２誘電体膜２３と、位相調整膜１４、中間分離層３、および中間分離層２の屈折率を示している。

【0176】

【表3】

本実施例の情報記録媒体２００の一例として、Ａ面情報記録媒体２０１およびＢ面情報記録媒体２０２の第１誘電体膜２１，記録膜２２、第２誘電体膜２３および位相調整膜１４の膜厚をそれぞれ、
（第１誘電体膜２１の膜厚、記録膜２２の膜厚、第２誘電体膜２３の膜厚、位相調整膜１４の膜厚）＝（８ｎｍ、３２ｎｍ、７ｎｍ、１０ｎｍ）、（８ｎｍ、３２ｎｍ、７ｎｍ、２０ｎｍ）、（８ｎｍ、３２ｎｍ、７ｎｍ、４０ｎｍ）、（８ｎｍ、３２ｎｍ、７ｎｍ、６０ｎｍ）、（１６ｎｍ、４２ｎｍ、１４ｎｍ、５ｎｍ）、（１６ｎｍ、４２ｎｍ、１４ｎｍ、１０ｎｍ）、（１６ｎｍ、４２ｎｍ、１４ｎｍ、１５ｎｍ）、（１６ｎｍ、４２ｎｍ、１４ｎｍ、２０ｎｍ）、（１６ｎｍ、４２ｎｍ、１４ｎｍ、３０ｎｍ）、（１６ｎｍ、４２ｎｍ、１４ｎｍ、４０ｎｍ）、（１６ｎｍ、４２ｎｍ、１４ｎｍ、６０ｎｍ）、（１６ｎｍ、４２ｎｍ、１４ｎｍ、８０ｎｍ）、（１６ｎｍ、４２ｎｍ、１４ｎｍ、１００ｎｍ）、（１６ｎｍ、５９ｎｍ、１４ｎｍ、１０ｎｍ）、（１６ｎｍ、５９ｎｍ、１４ｎｍ、２０ｎｍ）、（１６ｎｍ、５９ｎｍ、１４ｎｍ、４０ｎｍ）、（１６ｎｍ、５９ｎｍ、１４ｎｍ、６０ｎｍ）とした情報記録媒体２００を作製した。これらのディスクＮｏ．を２－１～２－１７とする。比較例として、Ａ面情報記録媒体２０１およびＢ面情報記録媒体２０２の第１誘電体膜２１，記録膜２２、第２誘電体膜２３および位相調整膜１４の膜厚をそれぞれ、
（第１誘電体膜２１の膜厚、記録膜２２の膜厚、第２誘電体膜２３の膜厚、位相調整膜１４の膜厚）＝（８ｎｍ、２８ｎｍ、７ｎｍ、１０ｎｍ）、（１６ｎｍ、６３ｎｍ、１４ｎｍ、１０ｎｍ）、（１６ｎｍ、４２ｎｍ、１４ｎｍ、０ｎｍ）としたディスクＮｏ．比較例２－１～２－３を作製した。

【0177】

ディスクＮｏ．２－１～２－１７および比較例２－１～２－３において、反射率および再生耐久性の評価を行った。反射率の評価はパルステック製評価機（ＯＤＵ－１０００）を用いて行った。再生耐久性の評価は自社作製の評価装置を用いて行った。

【0178】

【0179】

自社作製の評価装置のレーザ光７の波長は４０５ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡは０．９１であり、グルーブおよびランドに情報の記録を行った。記録の線速度は１５．６３ｍ／ｓおよび再生の線速度は１５．６３ｍ／ｓで行った。情報の記録は、多値符号を記録する多値記録を行った。多値記録では、記録深さを制御し、多値符号の値（レベル）に応じたサイズのマークを形成した。具体的には、５値符号を記録し、１情報層あたり１２５ＧＢの密度とした。再生時には、記録マークのサイズの違いが、反射光の強度の違い（階調）として現れる。５値符号が記録された場合、５値に対応する反射光の階調が得られる。信号品質はｄ－ＭＬＳＥ（ＤｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎＤｅｒｉｖｅｄ－ＭａｘｉｍｕｍＬｉｋｅｌｉｈｏｏｄＳｅｑｕｅｎｃｅＥｒｒｏｒＥｓｔｉｍａｔｉｏｎ）として評価した。

【0180】

Ｌ１層２０の再生耐久性の評価は、隣接するグルーブおよびランドにランダム信号を多値記録し、記録を行ったトラックの中央に位置するグルーブおよび両隣のランドのランダム信号を線速度１５．６３ｍ／ｓで再生し、両隣のランドトラックからのクロストークを最小にする波形透過処理（クロストークキャンセル処理）を行い、繰り返しの再生回数が１００万回目のｄ－ＭＬＳＥの絶対値により良否を判定した。

【0181】

再生パワーは、再生光量が０．１１７を満たすように設定し、例えば、実効反射率が２．５％の場合、再生パワーを４．７ｍＷとした。ここで、再生光量とは、各情報層に照射されたレーザ７が各情報層で反射されて返ってきた戻り光量であり、各情報層の実効反射率と再生パワーの積を求め、これを１００で除すことにより（実効反射率Ｒ（％）×再生パワーＰｒ（ｍＷ）／１００）、求めることができる。
１００万回再生後のｄ－ＭＬＳＥ値が、１５．０％以下を◎（良好）、１５．０より大きく１６．０％以下を○（実用レベル）、１６．０％より大きいものを×（実用不可）とした。

【0182】

【0183】

Ａ面情報記録媒体２０１におけるＬ１層２０の再生耐久性結果を表４に示す。

【0184】

【表4】

ディスクＮｏ．２―１～２―１７において、比較例２－１～２－３と比較して、再生耐久性が良好な結果が得られた。具体的には、（２×ｄ_Ｂ×ｎ_Ｂ）／λが０．５以上１．０以下であり、Ｌ１層２０の下に位相調整膜１４を設け、位相調整膜１４の屈折率が平均屈折率ｎ_Ｂおよび中間分離層２の屈折率ｎ_Ｒより小さく、且つ０＜（２×ｄ_L×ｎ_L）／λ＜０．７５の場合に、反射率が上昇して再生パワーが下がり、再生耐久性が向上することを確認できた。Ｂ面情報記録媒体２０２においても、同様の結果が得られた。
（実施例３）
本実施例では、図１に示す情報記録媒体１００の別の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体１００の製造方法である。

【0185】

まず、Ａ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．１８μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ）を用意した。その基板１上に、位相調整膜１４を形成した。位相調整膜１４として、ＭｇＦ_２からなるターゲットを用いてＭｇＦ_２を５～１００ｎｍ、スパッタリング法により成膜した。位相調整膜１４の成膜は、ＭｇＦ_２ターゲットを用いてＡｒの雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）で、ＲＦ電源（０．５ｋＷ）を用いて行った。

【0186】

続けて、位相調整膜１４上にＬ０層１０を形成した。第１誘電体膜１１として実質的に（ＺｎＯ）_４８．４（ＳｎＯ_２）_２４．７（ＺｒＯ_２）_２３．７（ＭｇＯ）_２．１（Ｇａ_２Ｏ_３）_１．１（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｎＯ）_４８．４（ＳｎＯ_２）_２４．７（ＺｒＯ_２）_２３．７（ＭｇＯ）_２．１（Ｇａ_２Ｏ_３）_１．１（ｍｏｌ％）を１２ｎｍ、記録膜１２として実質的にＷ_２１Ｃｕ_１７Ｔａ_１８Ｚｎ_４Ｍｎ_２０Ｔｉ_２０－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ_２１Ｃｕ_１７Ｔａ_１８Ｚｎ_４Ｍｎ_２０Ｔｉ_２０－Ｏを４２ｎｍ、第２誘電体膜１３として実質的に（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ｍｏｌ％）を１０ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。

【0187】

Ｌ０層１０の全体膜厚ｄ_Ａは６４ｎｍであり、平均屈折率ｎ_Ａは２．３１である。レーザ光７の波長をλ＝４０５ｎｍとするとき、（２×ｄ_Ａ×ｎ_Ａ）／λは０．７３である。

【0188】

【0189】

【0190】

【0191】

【0192】

【0193】

【0194】

【0195】

【0196】

【0197】

【0198】

その後に、紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜４３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層５を約５３．５μｍ形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製した。
次に、Ｂ面情報記録媒体１０２の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．１８０μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（厚さ０．５ｍｍ）を用意した。案内溝の螺旋の回転方向は前述したＡ面情報記録媒体１０１の基板１とは逆の方向とした。その基板１上に、位相調整膜１４を形成した。位相調整膜１４として、ＭｇＦ_２からなるターゲットを用いてＭｇＦ_２を５～１００ｎｍ、スパッタリング法により成膜した。位相調整膜１４の成膜は、ＭｇＦ_２ターゲットを用いてＡｒの雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）で、ＲＦ電源（０．５ｋＷ）を用いて行った
続けて、位相調整膜１４上にＬ０層１０を形成した。第１誘電体膜１１として第１誘電体膜１１として実質的に（ＺｎＯ）_４８．４（ＳｎＯ_２）_２４．７（ＺｒＯ_２）_２３．７（ＭｇＯ）_２．１（Ｇａ_２Ｏ_３）_１．１（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｎＯ）_４８．４（ＳｎＯ_２）_２４．７（ＺｒＯ_２）_２３．７（ＭｇＯ）_２．１（Ｇａ_２Ｏ_３）_１．１（ｍｏｌ％）を１２ｎｍ、記録膜１２として実質的にＷ_２１Ｃｕ_１７Ｔａ_１８Ｚｎ_４Ｍｎ_２０Ｔｉ_２０－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ_２１Ｃｕ_１７Ｔａ_１８Ｚｎ_４Ｍｎ_２０Ｔｉ_２０－Ｏを４２ｎｍ、第２誘電体膜１３として実質的に（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ｍｏｌ％）を１０ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。

【0199】

【0200】

【0201】

続けて、Ｌ０層１０上に螺旋状の案内溝（深さ３３ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．１８０μｍ）を設けた中間分離層２を形成した。まず、母体の厚みを形成する紫外線硬化樹脂をスピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させた。次に、案内溝を転写する紫外線硬化樹脂をスピンコートし、その上に案内溝が形成されたポリカーボネートからなるスタンパ基板を貼り合わせ、紫外線により樹脂を硬化させた後、スタンパ基板を剥離することで、中間分離層２が形成される。中間分離層２の厚みは約１５．５μｍである。

【0202】

【0203】

【0204】

続けて、Ｌ１層２０上に螺旋状の案内溝（深さ３３ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．１８０μｍ）を設けた中間分離層３を形成した。まず、母体の厚みを形成する紫外線硬化樹脂をスピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させる。次に、案内溝を転写する紫外線硬化樹脂をスピンコートし、その上に案内溝が形成されたポリカーボネートからなるスタンパ基板を貼り合わせ、紫外線により樹脂を硬化させた後、スタンパ基板を剥離することで、中間分離層３が形成された。中間分離層３の厚みは約１９．５μｍである。

【0205】

【0206】

【0207】

Ｌ２層３０上に螺旋状の案内溝（深さ３３ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．１８０μｍ）を設けた中間分離層４を形成した。まず、母体の厚みを形成する紫外線硬化樹脂をスピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させる。次に、案内溝を転写する紫外線硬化樹脂をスピンコートし、その上に案内溝が形成されたポリカーボネートからなるスタンパ基板を貼り合わせ、紫外線により樹脂を硬化させた後、スタンパ基板を剥離することで、中間分離層４が形成された。中間分離層４の厚みは約１１．５μｍである。

【0208】

【0209】

【0210】

【0211】

【0212】

このようにして本実施例の情報記録媒体１００を作製した。

【0213】

表５は、Ｌ０層１０を構成する第１誘電体膜１１、記録膜１２および第２誘電体膜１３と、位相調整膜１４、中間分離層２および基板１の屈折率を示している。

【0214】

【表5】

本実施例の情報記録媒体１００の一例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の位相調整膜１４の膜厚を５ｎｍ、１０ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍ、３０ｎｍ、４０ｎｍ、６０ｎｍ、８０ｎｍ、１００ｎｍとした情報記録媒体１００を作製した。これらのディスクＮｏ．を２－１～２－９とする。

【0215】

ディスクＮｏ．２－１～２－９において、反射率および再生耐久性の評価を行った。反射率の評価はパルステック製評価機（ＯＤＵ－１０００）を用いて行った。再生耐久性の評価は自社作製の評価装置を用いて行った。

【0216】

【0217】

【0218】

【0219】

再生パワーは、再生光量（実効反射率Ｒ×再生パワーＰｒ）が０．１１７を満たすように設定し、例えば、実効反射率が２．２％の場合、再生パワーを５．３ｍＷとした。
１００万回再生後のｄ－ＭＬＳＥ値が、１５．０％以下を◎（良好）、１５．０より大きく１６．０％以下を○（実用レベル）、１６．０％より大きいものを×（実用不可）とした。

【0220】

【0221】

Ａ面情報記録媒体１０１におけるＬ０層１０の再生耐久性結果を表６に示す。

【0222】

【表6】

ディスクＮｏ．２－１～２－９において、いずれも再生耐久性が良好な結果が得られた。具体的には、位相調整膜１４がＭｇＦ_２である場合でも、位相調整膜１４を設けるとともに、（２×ｄ_Ａ×ｎ_Ａ）／λが０．５以上１．０以下であり、位相調整膜１４の屈折率が平均屈折率ｎ_Ａおよび中間分離層２の屈折率ｎ_Ｒより小さく、且つ０＜（２×ｄ_Ｌ×ｎ_Ｌ）／λ＜０．７５の場合に、反射率が上昇して再生パワーが下がり、再生耐久性が向上することを確認できた。Ｂ面情報記録媒体１０２においても、同様の結果が得られた。

【産業上の利用可能性】

【0223】

本開示の情報記録媒体とその製造方法は、より再生耐久特性の良い情報層を有するため、高記録密度で情報を記録することに適しており、大容量のコンテンツを記録する光ディスクに有用である。具体的にはアーカイバル・ディスク規格に準じて両面に３層ないし４層の情報層を備える、多値記録方式を用いた大容量の次世代の光ディスク（例えば、記録容量１ＴＢ）に有用である。

【符号の説明】

【0224】

１基板
２、３、４中間分離層
５カバー層
６貼り合わせ層
７レーザ光
１０、２０、３０、４０情報層
１１、２１、３１、４１第１誘電体膜
１２、２２、３２、４２記録膜
１３、２３、３３、４３第２誘電体膜
１４位相調整膜
１００、２００情報記録媒体
１０１、２０１Ａ面情報記録媒体
１０２、２０２Ｂ面情報記録媒体

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

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