特開 2023-117844 半導体装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023117844

(43)【公開日】2023-08-24

(54)【発明の名称】半導体装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/52 20060101AFI20230817BHJP

【ＦＩ】

H01L21/52 A

【審査請求】未請求

【請求項の数】5

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022020626

(22)【出願日】2022-02-14

(71)【出願人】

【識別番号】000004260

【氏名又は名称】株式会社デンソー

(71)【出願人】

【識別番号】000003207

【氏名又は名称】トヨタ自動車株式会社

(71)【出願人】

【識別番号】520124752

【氏名又は名称】株式会社ミライズテクノロジーズ

(74)【代理人】

【識別番号】110000110

【氏名又は名称】弁理士法人 快友国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】東條 智

(72)【発明者】

【氏名】神谷 真行

(72)【発明者】

【氏名】岩橋 洋平

【テーマコード（参考）】

5F047

【Ｆターム（参考）】

5F047AA02

5F047AB09

5F047BA01

5F047BC35

5F047CA02

(57)【要約】

【課題】本明細書は、はんだ層の縁の近傍における半導体素子の表層内の応力を抑える技術を提供する。
【解決手段】本明細書が開示する半導体装置（２、１０２）は、主面（２０ａ）を有している半導体素子（２０）と、主面に対向する対向面（３０ａ、１３０ａ）を有している金属ブロック（３０、１３０）と、主面と対向面を接合しているはんだ層（４０、１４０）を備える。はんだ層の縁においてはんだ層の表面と半導体素子の主面とのなす角度（Ｔｈ）が４５度以下である。一例の半導体装置では、金属ブロックの対向面と連続する側面（３０ｂ）のうち、対向面と前記側面との境界から所定幅（Ｗ）の第１領域（３１）の濡れ性が、第１領域に隣接する第２領域（３２）の濡れ性よりも高い。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

主面（２０ａ）を有している半導体素子（２０）と、
前記主面に対向する対向面（３０ａ、１３０ａ）を有している金属ブロック（３０、１３０）と、
前記主面と前記対向面を接合しているはんだ層（４０、１４０）と、
を備えており、
前記はんだ層の縁において前記はんだ層の表面（４１、１４１）と前記主面とのなす角度（Ｔｈ）が４５度以下である、半導体装置。

【請求項2】

前記金属ブロックの前記対向面と連続する側面（３０ｂ）のうち、前記対向面と前記側面との境界から所定幅（Ｗ）の第１領域（３１）の濡れ性が、前記第１領域に隣接する第２領域（３２）の濡れ性よりも高い、請求項１に記載の半導体装置。

【請求項3】

前記第２領域に金属酸化膜（３４）が形成されている、請求項２に記載の半導体装置。

【請求項4】

前記対向面の縁（１３０ｄ）に沿って一周している所定幅（Ｗ）の周辺領域（１３２）の濡れ性が前記周辺領域に囲まれている中央領域（１３１）の濡れ性よりも低い、請求項１に記載の半導体装置。

【請求項5】

前記周辺領域に金属酸化膜（１３４）が形成されている、請求項４に記載の半導体装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本明細書が開示する技術は、半導体素子と金属ブロックがはんだ層を介して接合されている半導体装置に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１、２に開示された半導体装置は次の構造を有している。半導体装置は、両方の主面のそれぞれに電極を有している半導体素子と、一対の金属板と、金属ブロックを備える。半導体素子と金属ブロックは一対の金属板に挟まれている。半導体素子の一方の主面が一方の金属板に接合されており、他方の主面は金属ブロックの一面に接合されている。金属ブロックの他方の面が一対の金属板の他方に接合されている。一対の金属板は放熱板と半導体装置の主端子を兼ねており、半導体素子の一方の主面の電極は一対の電極の一方と導通している。半導体素子の他方の主面の電極は金属ブロックを介して一対の金属板の他方と導通している。半導体素子の主面と金属ブロックは、はんだ層で接合されている。金属ブロックと金属板も、はんだ層で接合されている。一対の金属板の間で半導体素子と金属ブロックは樹脂パッケージに封止されている。

【0003】

特許文献１に開示されている半導体装置は次の特徴を有している。金属ブロックの側面は、金属板の側に位置する第１範囲と、第１範囲よりも半導体素子側に位置する第２範囲を有している。第１範囲は、第２範囲よりもはんだ濡れ性が高く、はんだ層に接触しており、第２範囲は、第１範囲よりも表面粗さが大きく、樹脂パッケージに接触している。金属板と金属ブロックをはんだで接合する際、溶融したはんだは、濡れ性の高い第１範囲に広がるが、濡れ性の低い第２範囲には広がらない。金属板に接しているはんだは、金属ブロックの側面にまで広がり、はんだ層における電流密度を下げることができる。一方、第２範囲では金属ブロックが樹脂パッケージと接し、金属ブロックと樹脂パッケージがしかりと接合する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０２０－１８８１６３号公報

【特許文献2】特開２０２０－１７６００号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

発明者らの検討によると、はんだが金属ブロックの側面にも接合し、はんだ層の縁から金属ブロックの側面にかけてはんだ層の厚みが急激に大きくなると、熱サイクル（半導体素子の駆動と停止の繰り返しによる熱サイクル）によって半導体素子の表層の応力が高くなる傾向を見出した。本明細書は、半導体素子と金属ブロックがはんだ層で接合されている半導体装置に関し、はんだ層の縁の近傍における半導体素子表層内の応力を抑える技術を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本明細書が開示する半導体装置（２、１０２）は、主面（２０ａ）を有している半導体素子（２０）と、主面に対向する対向面（３０ａ、１３０ａ）を有している金属ブロック（３０、１３０）と、主面と対向面を接合しているはんだ層（４０、１４０）を備える。発明者らの検討によると、はんだ層の縁においてはんだ層の表面（４１、１４１）と主面のなす角度（縁角Ｔｈ）が４５度以下であると、半導体素子の表層の応力が抑えられることがわかった。すなわち、本明細書が開示する半導体装置では、はんだ層の縁においてはんだ層の表面と半導体素子の主面とのなす角度が４５度以下である。

【0007】

本明細書が開示する半導体装置の一態様では、はんだ層（４０）は、金属ブロック（３０）の側面（３０ｂ）の一部まで接合していてよい。その場合、金属ブロックの対向面と連続する側面のうち、対向面と側面との境界から所定幅の第１領域（３１）の濡れ性が、第１領域に隣接する第２領域（３２）の濡れ性よりも高い。金属ブロックと半導体素子を接合する際、溶融したはんだは、濡れ性の高い第１領域には広がるが、濡れ性の低い第２領域には広がらない。第１領域の幅を適切に調整することで、はんだ層の縁から金属ブロックの側面へとつながるはんだ層表面の角度（はんだ層の表面と主面とがなす角度）を４５度以下に調整することができる。

【0008】

本明細書が開示する半導体装置の別の態様では、はんだ層（１４０）は、金属ブロック（１３０）の対向面（１３０ｂ）だけに広がっていてもよい。その場合、対向面の縁（１３０ｄ）に沿って一周している所定幅の周辺領域（１３２）の濡れ性が周辺領域に囲まれている中央領域（１３１）の濡れ性よりも低い。溶融したはんだは周辺領域には広がらない。はんだ層の表面は、はんだ層の縁と、周辺領域と中央領域の境界の間に広がる。周辺領域の幅を適切に調整することで、はんだ層の縁から金属ブロックの対向面へとつながるはんだ層表面の角度を４５度以下に調整することができる。

【0009】

第１領域あるいは中央領域にニッケル膜を形成することで、それらの領域の濡れ性を高めることができる。一方、第２領域あるいは、周辺領域に金属酸化膜を形成することで、それらの領域の濡れ性を低くすることができる。

【0010】

本明細書が開示する技術の詳細とさらなる改良は以下の「発明を実施するための形態」にて説明する。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】実施例の半導体装置の斜視図である。

【図2】図１のII－II線に沿った断面図である。

【図3】半導体素子と金属ブロックの接合体の平面図である（第１実施例）。

【図4】第２実施例の半導体装置の断面図である。

【図5】半導体素子と金属ブロックの接合体の平面図である（第２実施例）。

【発明を実施するための形態】

【0012】

（第１実施例）図１に、第１実施例の半導体装置２の斜視図を示す。図１のII－II線に沿ってカットした半導体装置２の断面を図２に示す。半導体装置２は、半導体素子２０と金属ブロック３０が樹脂パッケージ１０に封止されたデバイスである（図２参照）。図１では、半導体素子２０と金属ブロック３０は樹脂パッケージ１０に封止されているので見えない。

【0013】

半導体素子２０はＩＧＢＴやＭＯＳＦＥＴなどのいわゆるパワー素子である。半導体素子２０の一方の主面２０ａには第１主電極と制御電極が配置されており、他方の主面２０ｂには第２主電極が配置されている。第１主電極と第２主電極は、ソース電極とドレイン電極、あるいは、コレクタ電極とエミッタ電極である。制御電極は、ゲート電極またはベース電極と、温度センサやセンスエミッタの電極である。図２では、主面上に形成されている第１主電極と第２主電極と制御電極の図示は省略した。

【0014】

半導体素子２０と金属ブロック３０は、一対の金属板１４、１５に挟まれている。半導体素子２０と金属ブロック３０は、一対の金属板１４、１５の間で樹脂パッケージ１０に封止されている。金属板１４、１５のそれぞれの一面が樹脂パッケージ１０から露出している。金属板１４の縁には主端子１１がつながっており、金属板１５の縁には主端子１２がつながっている。主端子１１、１２の一部は樹脂パッケージ１０から外へ延びている。

【0015】

金属板１５に半導体素子２０の主面２０ｂが接合している。主面２０ｂには第２主電極が露出しており、第２主電極は金属板１５を介して主端子１２と導通している。半導体素子２０の主面２０ａに金属ブロック３０の一面（対向面３０ａ）が接合しており、金属ブロック３０の別の面（反対面３０ｅ）が金属板１４に接合している。主面２０ａには第１主電極が露出しており、第１主電極は金属ブロック３０と金属板１４を介して主端子１１と導通している。金属板１４、１５は、半導体素子２０の端子と放熱板を兼ねている。

【0016】

先に述べたように、主面２０ａには複数の制御電極も露出している。樹脂パッケージ１０から複数の制御端子１３が延びている。制御端子１３の一部は樹脂パッケージ１０に埋設されており、制御端子１３と制御電極は樹脂パッケージ１０の中でボンディングワイヤ１９によって接続されている。

【0017】

金属板１５と半導体素子２０の主面２０ｂははんだ層４３で接合されている。半導体素子２０の主面２０ａと金属ブロック３０の対向面３０ａがはんだ層４０で接合されている。金属ブロック３０の反対面３０ｅと金属板１４がはんだ層４４で接合されている。

【0018】

図２の上側の図の矩形破線の範囲を拡大した図を図２の下側に描いてある。図を見易くするため、図２の下側の拡大図では、全ての部品について、断面を表すハッチングは省略した。

【0019】

図２の下側の図は、半導体素子２０の主面２０ａと金属ブロック３０の対向面３０ａを接合するはんだ層４０の縁４０ａの近傍の拡大図である。はんだ層４０の縁４０ａとは、半導体素子２０と金属ブロック３０の接合体を平面視したときのはんだ層４０の輪郭を意味する。図３に、半導体素子２０と金属ブロック３０の接合体の平面図を示す。なお、平面視において半導体素子２０の面積が金属ブロック３０の面積よりも大きい。すなわち、主面２０ａの面積が金属ブロック３０の対向面３０ａの面積よりも大きい。図３の平面視において、はんだ層４０の縁４０ａは、金属ブロック３０の輪郭と半導体素子２０の輪郭の間に位置する。

【0020】

図２に戻ってはんだ層４０の説明を続ける。はんだ層４０は、縁４０ａからはんだ層４０の中心に向かって厚みが徐々に大きくなっている。はんだ層４０の縁４０ａの近傍において、半導体素子２０の主面２０ａとはんだ層の表面４１がなす角度Ｔｈを、以下では、便宜上、縁角Ｔｈと称する。

【0021】

なお、半導体素子２０の素子層２１の表面にはアルミニウムとシリコンの合金（この合金を以下では電極と称する）の層（電極２２）が形成されており、その上にニッケル層２３と樹脂層２４が形成されている。素子層２１とは、トランジスタなどの半導体素子としての機能（ゲート電極など）を実現する層である。樹脂層２４は、ポリイミドあるいはポリアミドの層である。電極２２は、素子層２１の保護の役割を担う。また、電極２２は、ニッケル層２３及び樹脂層２４を素子層２１に接着し易くする役割も担う。素子層２１、電極２２、ニッケル層２３および樹脂層２４を含んで半導体素子２０と称する。主面２０ａとは、ニッケル層２３および樹脂層２４の表面に相当する。

【0022】

発明者らは、縁角Ｔｈが大きいと、縁４０ａの近傍において半導体素子２０の表層内におおきな応力が発生することを見出した。はんだ層４０の縁角Ｔｈが大きいと、半導体素子２０の表層（特に、電極２２）に高い応力が生じ、熱サイクルが加わると、縁４０ａの近傍において電極２２に亀裂が生じるおそれがある。なお、熱サイクルとは、半導体素子の駆動と停止の繰り返しによる温度変化を意味する。

【0023】

発明者らは、縁角Ｔｈを４５度以下に抑えると、半導体素子２０の表層（特に電極２２）に生じる応力を抑えることができることを見出した。縁角Ｔｈはゼロにはできないので、縁角Ｔｈは１０度以上が好ましい。結局、縁角Ｔｈは４５度以下１０度以上が好ましい。

【0024】

以下では、縁角Ｔｈを所望の範囲に制御することのできる構造を説明する。ニッケル層２３は、はんだに対して親和性が高く、ニッケル層２３のはんだに対する濡れ性は高い。樹脂層２４は、はんだに対して親和性が低く、樹脂層２４に対するはんだの濡れ性は低い。それゆえ、半導体素子２０と金属ブロック３０の間で溶融したはんだは、ニッケル層２３の表面に沿って広がるが、樹脂層２４の表面には広がらない。それゆえ、半導体素子２０の主面２０ａにおいて、ニッケル層２３と樹脂層２４の境界２０ｃに、はんだ層４０の縁４０ａが形成される。

【0025】

一方、金属ブロック３０の対向面３０ａ（主面２０ａと対向する面）と、側面３０ｂの一部にもニッケル層３３が形成される。ニッケル層３３は、側面３０ｂと対向面３０ａの境界３０ｄから幅Ｗの範囲に形成される。側面３０ｂにおいてニッケル層３３が形成される範囲を第１領域３１と称する。また、側面３０ｂにおいて第１領域３１に隣接する領域を第２領域３２と称する。より詳しくは、第２領域３２は、金属ブロック３０の側面３０ｂにおいて、半導体素子２０よりも遠い側で第１領域３１に隣接している。第１領域３１と第２領域３２は、それぞれ、金属ブロック３０の側面３０ｂを一巡している。

【0026】

第２領域３２には、金属酸化膜３４が形成されている。金属酸化膜３４は、例えば銅で作られている金属ブロック３０の表面にレーザを照射することで形成される。金属酸化膜３４は、はんだとの親和性が低く、はんだに対する濡れ性が低い。一方、先に述べたように、ニッケル層は、はんだとの親和性が高く、はんだに対する濡れ性が高い。半導体素子２０と金属ブロック３０の間で溶融したはんだは、ニッケル層３３の表面に沿って広がるが、金属酸化膜３４の表面には広がらない。それゆえ、金属ブロック３０の側面３０ｂにおいて、ニッケル層３３と金属酸化膜３４の境界３０ｃに、はんだ層４０の縁４０ｂが形成される。はんだ層４０の表面４１は、主面２０ａにおけるニッケル層２３と樹脂層２４の境界２０ｃ（縁４０ａ）から、側面３０ｂにおけるニッケル層３３と金属酸化膜３４の境界３０ｃ（縁４０ｂ）に広がる（図２の下側の図を参照）。

【0027】

金属ブロック３０の側面３０ｂと、ニッケル層２３と樹脂層２４の境界２０ｃ（縁４０ａ）までの水平距離を距離Ｌａで表し、金属ブロック３０と半導体素子２０の間の距離を距離Ｌｂで表すと、第１領域３１の幅Ｗと縁角Ｔｈは、図２の下に示した数式関係を満たす。この数式関係を用いて距離Ｌａ、Ｌｂ、幅Ｗを適切に定めることで、縁角Ｔｈを１０度以上４５度以下の範囲に調整することができる。

【0028】

第１実施例の半導体装置２に関する留意点を述べる。ニッケル層２３、３３は、はんだに対する濡れ性を高めるために設けられる。樹脂層２４、金属酸化膜３４は、はんだに対する濡れ性を下げるために設けられる（樹脂層２４は、半導体素子２０と樹脂パッケージ１０との接合性を高める役割も果たす）。それゆえ、第１実施例の半導体装置２の特徴は、次の通り表現することもできる。

【0029】

半導体装置２は、主面２０ａを有している半導体素子２０と、主面２０ａに対向する対向面３０ａを有している金属ブロック３０と、主面２０ａと対向面３０ａを接合しているはんだ層４０を備える。なお、主面２０ａの面積は対向面３０ａの面積よりも大きい。はんだ層４０の縁４０ａにおいて、はんだ層４０の表面４１と主面２０ａとのなす角度（縁角Ｔｈ）が１０度以上４５度以下である。

【0030】

金属ブロック３０の対向面３０ａと連続する側面３０ｂのうち、第１領域３１のはんだに対する濡れ性が、第２領域３２のはんだに対する濡れ性よりも高い。第１領域３１は、対向面３０ａと側面３０ｂとの境界から幅Ｗの範囲である。第２領域３２は、半導体素子２０より遠い側で第１領域３１に隣接する範囲である。第１領域３１の濡れ性を高くするには、典型的には、ニッケルや金の層を第１領域３１に形成すればよい。第２領域３２の濡れ性を低くするには、典型的には、第２領域３２の表面に金属酸化膜を形成すればよい。図２の下側に示した数式の関係を用いて、縁角Ｔｈを１０度以上４５度以下に調整することができる。

【0031】

（第２実施例）図４、図５を参照して第２実施例の半導体装置１０２を説明する。図４は、図３に対応する図であり、半導体素子２０と金属ブロック１３０の接合体の断面の一部を拡大した図である。第１実施例の半導体装置２と同様に、半導体素子２０と金属ブロック１３０の接合体は樹脂パッケージ１０に封止されている。図４では、図を見易くするため、樹脂パッケージ１０を含めた全ての部品について、断面を表すハッチングは省略してある。

【0032】

半導体素子２０は、第１実施例の場合と同じである。すなわち、素子層２１の上に電極２２が形成されており、その上にニッケル層２３と樹脂層２４が形成されている。半導体素子２０には、素子層２１、電極２２、ニッケル層２３、樹脂層２４が含まれる。

【0033】

半導体素子２０と金属ブロック１３０は、はんだ層１４０で接合されている。第２実施例の半導体装置１０２では、はんだ層１４０は、金属ブロック１３０の対向面１３０ａだけに接合しており、金属ブロック１３０の側面には、はんだは付着していない。

【0034】

第２実施例の半導体装置１０２においても、はんだ層１４０は、主面２０ａにおける縁１４０ａからはんだ層１４０の中心に向かって厚みが徐々に大きくなっている。縁１４０ａにおいて、はんだ層１４０の表面１４１と主面２０ａとのなす角度（縁角Ｔｈ）が１０度以上４５度以下である。縁角Ｔｈをそのような範囲に限定することで、縁１４０ａの近傍において半導体素子２０の表層（特に電極２２）に生じる応力を抑えることができる。

【0035】

縁角Ｔｈを所望の範囲に制御することのできる構造を説明する。図５に、半導体素子２０と金属ブロック１３０の接合体の平面図を示す。主面２０ａの一部にニッケル層２３が形成されており、ニッケル層２３を囲むように樹脂層２４が形成されている。図５においてニッケル層２３と樹脂層２４は金属ブロック１３０に隠れているので、破線で描いてある。

【0036】

金属ブロック１３０の対向面１３０ａは、その縁１３０ｄに沿って一周している幅Ｗの周辺領域１３２と、周辺領域１３２に囲まれている中央領域１３１に分けられる。中央領域１３１にはニッケル層１３３が形成されており、周辺領域１３２には金属酸化膜１３４が形成されている。金属ブロック１３０の中央領域１３１は、半導体素子２０の主面２０ａのニッケル層２３に対向している。図５において中央領域１３１（ニッケル層１３３）と周辺領域１３２（金属酸化膜１３４）は金属ブロック１３０の下側の面に位置するので破線で描いてある。図５にも、周辺領域１３２の幅Ｗを図示してある。

【0037】

図５の平面視においては、ニッケル層２３と樹脂層２４の境界２０ｃは、後述する縁１４０ａ（主面２０ａにおけるはんだ層１４０の縁１４０ａ）にも相当する。また、中央領域１３１（ニッケル層１３３）と周辺領域１３２（金属酸化膜１３４）の境界１３０ｃは、後述する縁１４０ｂ（対向面１３０ａにおけるはんだ層１４０の縁１４０ｂ）にも相当する。

【0038】

先に述べたように、ニッケル層２３、１３３ははんだに対して濡れ性が高く、樹脂層２４と金属酸化膜１３４ははんだに対して濡れ性が低い。第１実施例の場合と同様に、金属ブロック１３０と半導体素子２０の間で溶融したはんだは、ニッケル層２３、１３３に沿って広がり、樹脂層２４の表面、金属酸化膜１３４の表面には広がらない。それゆえ、主面２０ａにおいては、ニッケル層２３と樹脂層２４の境界２０ｃに、はんだ層１４０の縁１４０ａが位置し、対向面１３０ａにおいては、ニッケル層１３３と金属酸化膜１３４の境界１３０ｃに、はんだ層１４０の縁１４０ｂが形成される。縁１４０ａと縁１４０ｂの間にはんだ層１４０の表面１４１が広がる。

【0039】

平面視（図５）において半導体素子２０の主面２０ａの中心と金属ブロック１３０の対向面１３０ａの中心が一致するように金属ブロック１３０が配置された場合、はんだ層１４０の縁角Ｔｈを所望の角度に制御するには次の数式関係が利用される。図４に示すように、主面２０ａ上のニッケル層２３の幅を距離Ｌｃで表し、金属ブロック１３０の幅を距離Ｌｄで表し、金属ブロック１３０と半導体素子２０の間の距離を距離Ｌｂで表すと、周辺領域１３２の幅Ｗと縁角Ｔｈは、図４の下に示した数式関係を満足する。この数式関係を用いて距離Ｌｂ、Ｌｃ、Ｌｄ、幅Ｗを適切に定めることで、縁角Ｔｈを１０度以上４５度以下の範囲に調整することができる。

【0040】

第１実施例の場合と同様に、第２実施例の半導体装置１０２においても、ニッケル層２３、１３３は、はんだに対する濡れ性を高めるために設けられる。樹脂層２４、金属酸化膜１３４は、はんだに対する濡れ性を下げるために設けられる。それゆえ、第２実施例の半導体装置１０２の特徴は、次の通り表現することもできる。

【0041】

半導体装置１０２は、主面２０ａを有している半導体素子２０と、主面２０ａに対向する対向面１３０ａを有している金属ブロック１３０と、主面２０ａと対向面１３０ａを接合しているはんだ層１４０を備える。なお、主面２０ａの面積は対向面１３０ａの面積よりも大きい。主面２０ａにおけるはんだ層１４０の縁１４０ａにおいて、はんだ層１４０の表面１４１と主面２０ａとのなす角度（縁角Ｔｈ）が１０度以上４５度以下である。

【0042】

金属ブロック１３０の対向面１３０ａには、その縁１３０ｄに沿って一周している幅Ｗの周辺領域１３２の濡れ性が、周辺領域１３２に囲まれている中央領域１３１の濡れ性よりも低い。中央領域１３１の濡れ性を高くするには、典型的には、ニッケル層１３３や金層を中央領域１３１に形成すればよい。周辺領域１３２の濡れ性を低くするには、典型的には、周辺領域１３２の表面に金属酸化膜を形成すればよい。図４の下側に示した数式の関係を用いて、縁角Ｔｈを１０度以上４５度以下に調整することができる。

【0043】

以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。

【符号の説明】

【0044】

２、１０２：半導体装置 １０：樹脂パッケージ １１、１２：主端子 １３：制御端子 １４、１５：金属板 １９：ボンディングワイヤ ２０：半導体素子 ２０ａ、２０Ｂ：主面 ２０ｃ、１３０ｃ：境界 ２１：素子層 ２２：電極 ２３：ニッケル層 ２４：樹脂層 ３０、１３０：金属ブロック ３０ａ、１３０ａ：対向面 ３０ｂ：側面 ３０ｃ：反対面 ３１：第１領域 ３２：第２領域 ３３、１３３：ニッケル層 ３４、１３４：金属酸化膜 ４０、４３、４４、１４０：はんだ層 ４０ａ、４０ｂ、１３０ｄ、１４０ａ、１４０ｂ：縁 ４１、１４１：表面 １３１：中央領域 １３２：周辺領域

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】