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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023118477
(43)【公開日】2023-08-25
(54)【発明の名称】積層セラミック電子部品
(51)【国際特許分類】
H01G 4/30 20060101AFI20230818BHJP
【ＦＩ】
H01G4/30 201N
H01G4/30 512
H01G4/30 201K
【審査請求】未請求
【請求項の数】8
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022021443
(22)【出願日】2022-02-15
(71)【出願人】
【識別番号】000006231
【氏名又は名称】株式会社村田製作所
(74)【代理人】
【識別番号】100145713
【弁理士】
【氏名又は名称】加藤 竜太
(74)【代理人】
【識別番号】100165157
【弁理士】
【氏名又は名称】芝 哲央
(72)【発明者】
【氏名】水野 拓
【テーマコード（参考）】
5E001
5E082
【Ｆターム（参考）】
5E001AB03
5E001AC10
5E001AD03
5E001AE01
5E001AE02
5E001AE03
5E001AH01
5E001AH05
5E001AH06
5E001AH07
5E001AH09
5E001AJ01
5E001AJ03
5E082AB03
5E082BC19
5E082EE23
5E082EE26
5E082EE35
5E082FG04
5E082FG26
5E082FG54
5E082GG28
5E082LL02
5E082LL03
5E082MM24
(57)【要約】
【課題】耐湿性の高い積層セラミック電子部品を提供すること。
【解決手段】積層セラミック電子部品１は、複数の積層されたセラミック層２０と、セラミック層２０上に積層された複数の内部導体層３０とを有し、積層方向Ｔおよび幅方向Ｗに直交する長さ方向Ｌに相対する第１の端面ＬＳ１および第２の端面ＬＳ２を含む積層体１０を有し、第１の主面ＴＳ１側の第１の外層端面ＬＳ１３１と第１の連結面ＬＳ１２１との境界部Ｐ１１における、第１の外層端面ＬＳ１３１と第１の連結面ＬＳ１２１とのなす角θは鈍角であり、第２の主面ＴＳ２側の第２の外層端面ＬＳ１３２と第２の連結面ＬＳ１２２との境界部Ｐ２１における、第２の外層端面ＬＳ１３２と第２の連結面ＬＳ１２２とのなす角θは鈍角であり、第１の連結面ＬＳ１２１および第２の連結面ＬＳ１２２にはそれぞれ、複数の内部導体層３０が露出する。
【選択図】図５
【解決手段】積層セラミック電子部品１は、複数の積層されたセラミック層２０と、セラミック層２０上に積層された複数の内部導体層３０とを有し、積層方向Ｔおよび幅方向Ｗに直交する長さ方向Ｌに相対する第１の端面ＬＳ１および第２の端面ＬＳ２を含む積層体１０を有し、第１の主面ＴＳ１側の第１の外層端面ＬＳ１３１と第１の連結面ＬＳ１２１との境界部Ｐ１１における、第１の外層端面ＬＳ１３１と第１の連結面ＬＳ１２１とのなす角θは鈍角であり、第２の主面ＴＳ２側の第２の外層端面ＬＳ１３２と第２の連結面ＬＳ１２２との境界部Ｐ２１における、第２の外層端面ＬＳ１３２と第２の連結面ＬＳ１２２とのなす角θは鈍角であり、第１の連結面ＬＳ１２１および第２の連結面ＬＳ１２２にはそれぞれ、複数の内部導体層３０が露出する。
【選択図】図５
【特許請求の範囲】
【請求項1】
複数の積層されたセラミック層と、前記セラミック層上に積層された複数の内部導体層とを有し、積層方向に相対する第１の主面および第２の主面と、積層方向に直交する幅方向に相対する第１の側面および第２の側面と、積層方向および幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面と、を含む積層体と、
前記第１の端面上に配置され、前記内部導体層に接続された第１の外部電極と、
前記第２の端面上に配置され、前記内部導体層に接続された第２の外部電極と、を有する積層セラミック電子部品であって、
前記積層体は、前記複数のセラミック層の一部と前記内部導体層とを含む内層部と、前記内層部を挟み込むように配置され、前記複数のセラミック層の前記一部以外の部分をそれぞれ含む第１の主面側の第１の外層部および第２の主面側の第２の外層部を有し、
前記第１の端面および前記第２の端面はそれぞれ、前記内層部によって表面が形成される内層端面と、前記第１の外層部によって表面が形成される第１の外層端面と、前記第２の外層部によって表面が形成される第２の外層端面と、を有し、
前記内層端面は、前記第１の外層端面および前記第２の外層端面よりも、前記長さ方向に突出した位置に面を有する突出端面と、前記第１の外層端面と前記突出端面との間を繋ぐ面によって形成された第１の連結面と、前記第２の外層端面と前記突出端面との間を繋ぐ面によって形成された第２の連結面と、を有し、
前記第１の外層端面と前記第１の連結面との境界部における、前記第１の外層端面と前記第１の連結面とのなす角は鈍角であり、前記第２の外層端面と前記第２の連結面との境界部における、前記第２の外層端面と前記第２の連結面とのなす角は鈍角であり、
前記第１の連結面および前記第２の連結面にはそれぞれ、複数の内部導体層が露出する、積層セラミック電子部品。
前記第１の端面上に配置され、前記内部導体層に接続された第１の外部電極と、
前記第２の端面上に配置され、前記内部導体層に接続された第２の外部電極と、を有する積層セラミック電子部品であって、
前記積層体は、前記複数のセラミック層の一部と前記内部導体層とを含む内層部と、前記内層部を挟み込むように配置され、前記複数のセラミック層の前記一部以外の部分をそれぞれ含む第１の主面側の第１の外層部および第２の主面側の第２の外層部を有し、
前記第１の端面および前記第２の端面はそれぞれ、前記内層部によって表面が形成される内層端面と、前記第１の外層部によって表面が形成される第１の外層端面と、前記第２の外層部によって表面が形成される第２の外層端面と、を有し、
前記内層端面は、前記第１の外層端面および前記第２の外層端面よりも、前記長さ方向に突出した位置に面を有する突出端面と、前記第１の外層端面と前記突出端面との間を繋ぐ面によって形成された第１の連結面と、前記第２の外層端面と前記突出端面との間を繋ぐ面によって形成された第２の連結面と、を有し、
前記第１の外層端面と前記第１の連結面との境界部における、前記第１の外層端面と前記第１の連結面とのなす角は鈍角であり、前記第２の外層端面と前記第２の連結面との境界部における、前記第２の外層端面と前記第２の連結面とのなす角は鈍角であり、
前記第１の連結面および前記第２の連結面にはそれぞれ、複数の内部導体層が露出する、積層セラミック電子部品。
【請求項2】
前記第１の連結面および前記第２の連結面は、曲面または傾斜した平面により形成されている、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項3】
前記突出端面は略平坦面であり、前記第１の外層端面および前記第２の外層端面は略平坦面を含み、
前記突出端面と、前記第１の連結面を前記突出端面側に延長したときの第１の仮想面とのなす角は、前記突出端面と前記第１の外層端面とのなす角よりも大きく、
前記突出端面と、前記第２の連結面を前記突出端面側に延長したときの第２の仮想面とのなす角は、前記突出端面と前記第２の外層端面とのなす角よりも大きい、請求項１または請求項２に記載の積層セラミック電子部品。
前記突出端面と、前記第１の連結面を前記突出端面側に延長したときの第１の仮想面とのなす角は、前記突出端面と前記第１の外層端面とのなす角よりも大きく、
前記突出端面と、前記第２の連結面を前記突出端面側に延長したときの第２の仮想面とのなす角は、前記突出端面と前記第２の外層端面とのなす角よりも大きい、請求項１または請求項２に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項4】
前記突出端面と前記第１の外層端面は略平行であり、
前記突出端面と前記第２の外層端面は略平行である、請求項３に記載の積層セラミック電子部品。
前記突出端面と前記第２の外層端面は略平行である、請求項３に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項5】
前記第１の外層端面に対する、前記突出端面の突出量は、５μｍ以上５０μｍ以下であり、
前記第２の外層端面に対する、前記突出端面の突出量は、５μｍ以上５０μｍ以下である、請求項１～４のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
前記第２の外層端面に対する、前記突出端面の突出量は、５μｍ以上５０μｍ以下である、請求項１～４のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項6】
前記第１の連結面における、最も前記第１の主面側の位置に露出している内部導体層の露出面と、前記第１の主面側から第２の主面側に向かって２番目の位置に露出している内部導体層の露出面とを結ぶ直線の延長線と、前記突出端面とのなす角α１は２０°以上６０°以下であり、
前記第２の連結面における、最も前記第２の主面側の位置に露出している内部導体層の露出面と、前記第２の主面側から第１の主面側に向かって２番目の位置に露出している内部導体層の露出面とを結ぶ直線の延長線と、前記突出端面とのなす角β１は２０°以上６０°以下である、請求項１～５のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
前記第２の連結面における、最も前記第２の主面側の位置に露出している内部導体層の露出面と、前記第２の主面側から第１の主面側に向かって２番目の位置に露出している内部導体層の露出面とを結ぶ直線の延長線と、前記突出端面とのなす角β１は２０°以上６０°以下である、請求項１～５のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項7】
前記第１の連結面および前記第２の連結面は、曲面により形成されており、
前記第１の連結面における、最も前記第１の主面側の位置に露出している内部導体層の露出面と、前記第１の主面側から第２の主面側に向かって２番目の位置に露出している内部導体層の露出面とを結ぶ直線の延長線と、前記突出端面とのなす角をα１とし、
前記第１の主面側から第２の主面側に向かって２番目の位置に露出している内部導体層の露出面と、前記第１の主面側から第２の主面側に向かって３番目の位置に露出している内部導体層の露出面とを結ぶ直線の延長線と、前記突出端面とのなす角をα２としたとき、α１＞α２であり、
前記第２の連結面における、最も前記第２の主面側の位置に露出している内部導体層の露出面と、前記第２の主面側から第１の主面側に向かって２番目の位置に露出している内部導体層の露出面とを結ぶ直線の延長線と、前記突出端面とのなす角をβ１とし、
前記第２の主面側から第１の主面側に向かって２番目の位置に露出している内部導体層の露出面と、前記第２の主面側から第１の主面側に向かって３番目の位置に露出している内部導体層の露出面とを結ぶ直線の延長線と、前記突出端面とのなす角をβ２としたとき、β１＞β２である、請求項１～６のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
前記第１の連結面における、最も前記第１の主面側の位置に露出している内部導体層の露出面と、前記第１の主面側から第２の主面側に向かって２番目の位置に露出している内部導体層の露出面とを結ぶ直線の延長線と、前記突出端面とのなす角をα１とし、
前記第１の主面側から第２の主面側に向かって２番目の位置に露出している内部導体層の露出面と、前記第１の主面側から第２の主面側に向かって３番目の位置に露出している内部導体層の露出面とを結ぶ直線の延長線と、前記突出端面とのなす角をα２としたとき、α１＞α２であり、
前記第２の連結面における、最も前記第２の主面側の位置に露出している内部導体層の露出面と、前記第２の主面側から第１の主面側に向かって２番目の位置に露出している内部導体層の露出面とを結ぶ直線の延長線と、前記突出端面とのなす角をβ１とし、
前記第２の主面側から第１の主面側に向かって２番目の位置に露出している内部導体層の露出面と、前記第２の主面側から第１の主面側に向かって３番目の位置に露出している内部導体層の露出面とを結ぶ直線の延長線と、前記突出端面とのなす角をβ２としたとき、β１＞β２である、請求項１～６のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項8】
前記第１の主面側から第２の主面側に向かって３番目の位置に露出している内部導体層の露出面と、前記第１の主面側から第２の主面側に向かって４番目の位置に露出している内部導体層の露出面とを結ぶ直線の延長線と、前記突出端面とのなす角をα３としたとき、α１＞α２＞α３であり、
前記第２の主面側から第１の主面側に向かって３番目の位置に露出している内部導体層の露出面と、前記第２の主面側から第１の主面側に向かって４番目の位置に露出している内部導体層の露出面とを結ぶ直線の延長線と、前記突出端面とのなす角をβ３としたとき、β１＞β２＞β３である、請求項７に記載の積層セラミック電子部品。
前記第２の主面側から第１の主面側に向かって３番目の位置に露出している内部導体層の露出面と、前記第２の主面側から第１の主面側に向かって４番目の位置に露出している内部導体層の露出面とを結ぶ直線の延長線と、前記突出端面とのなす角をβ３としたとき、β１＞β２＞β３である、請求項７に記載の積層セラミック電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、積層セラミック電子部品に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、積層セラミック電子部品としての積層セラミックコンデンサが知られている。一般に、積層セラミックコンデンサは、素子本体としての積層体と、端子電極としての外部電極と、を備える。例えば特許文献１には、内部電極層と内側誘電体層とが交互に積層された内層部と、外側誘電体層からなる外層部と、から形成される素子本体を備える積層セラミックコンデンサが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２００７－１４２１１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
特許文献１の積層セラミックコンデンサにおいては、外層部に対して、内層部が素子本体の外側に向かって突き出ており、これにより、端子電極を良好に形成できることが記載されている。しかしながら、特許文献１に記載された構成においては、内層部と外層部の段差が直角に形成されているため、この段差の部分に配置される外部電極に気泡が生じやすい。よって、この気泡の存在により、耐湿性が低下するおそれがある。
【0005】
本発明の目的は、耐湿性の高い積層セラミック電子部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明に係る積層セラミック電子部品は、複数の積層されたセラミック層と、前記セラミック層上に積層された複数の内部導体層とを有し、積層方向に相対する第１の主面および第２の主面と、積層方向に直交する幅方向に相対する第１の側面および第２の側面と、積層方向および幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面と、を含む積層体と、前記第１の端面上に配置され、前記内部導体層に接続された第１の外部電極と、前記第２の端面上に配置され、前記内部導体層に接続された第２の外部電極と、を有する積層セラミック電子部品であって、前記積層体は、前記複数のセラミック層の一部と前記内部導体層とを含む内層部と、前記内層部を挟み込むように配置され、前記複数のセラミック層の前記一部以外の部分をそれぞれ含む第１の主面側の第１の外層部および第２の主面側の第２の外層部を有し、前記第１の端面および前記第２の端面はそれぞれ、前記内層部によって表面が形成される内層端面と、前記第１の外層部によって表面が形成される第１の外層端面と、前記第２の外層部によって表面が形成される第２の外層端面と、を有し、前記内層端面は、前記第１の外層端面および前記第２の外層端面よりも、前記長さ方向に突出した位置に面を有する突出端面と、前記第１の外層端面と前記突出端面との間を繋ぐ面によって形成された第１の連結面と、前記第２の外層端面と前記突出端面との間を繋ぐ面によって形成された第２の連結面と、を有し、前記第１の外層端面と前記第１の連結面との境界部における、前記第１の外層端面と前記第１の連結面とのなす角は鈍角であり、前記第２の外層端面と前記第２の連結面との境界部における、前記第２の外層端面と前記第２の連結面とのなす角は鈍角であり、前記第１の連結面および前記第２の連結面にはそれぞれ、複数の内部導体層が露出する。
【発明の効果】
【0007】
本発明によれば、耐湿性の高い積層セラミック電子部品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】本実施形態の積層セラミックコンデンサの外観斜視図である。
【図8】２連構造の積層セラミックコンデンサの構成の一例を示す模式図である。
【図9】３連構造の積層セラミックコンデンサの構成の一例を示す模式図である。
【図10】４連構造の積層セラミックコンデンサの構成の一例を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
＜実施形態＞
以下、本開示の第１実施形態に係る積層セラミック電子部品としての積層セラミックコンデンサ１について説明する。図１は、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１の外観斜視図である。図２は、図１の積層セラミックコンデンサ１のＩＩ－ＩＩ線に沿った断面図である。図３は、図２の積層セラミックコンデンサ１のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿った断面図である。図４は、図２の積層セラミックコンデンサ１のＩＶ－ＩＶ線に沿った断面図である。
以下、本開示の第１実施形態に係る積層セラミック電子部品としての積層セラミックコンデンサ１について説明する。図１は、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１の外観斜視図である。図２は、図１の積層セラミックコンデンサ１のＩＩ－ＩＩ線に沿った断面図である。図３は、図２の積層セラミックコンデンサ１のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿った断面図である。図４は、図２の積層セラミックコンデンサ１のＩＶ－ＩＶ線に沿った断面図である。
【0010】
積層セラミックコンデンサ１は、積層体１０と、外部電極４０と、を有する。
【0011】
図１～図７には、ＸＹＺ直交座標系が示されている。積層セラミックコンデンサ１および積層体１０の長さ方向Ｌは、Ｘ方向と対応している。積層セラミックコンデンサ１および積層体１０の幅方向Ｗは、Ｙ方向と対応している。積層セラミックコンデンサ１および積層体１０の積層方向Ｔは、Ｚ方向と対応している。ここで、図２に示す断面はＬＴ断面とも称される。図３に示す断面はＷＴ断面とも称される。図４に示す断面はＬＷ断面とも称される。
【0012】
図１～図４に示すように、積層体１０は、積層方向Ｔに相対する第１の主面ＴＳ１および第２の主面ＴＳ２と、積層方向Ｔに直交する幅方向Ｗに相対する第１の側面ＷＳ１および第２の側面ＷＳ２と、積層方向Ｔおよび幅方向Ｗに直交する長さ方向Ｌに相対する第１の端面ＬＳ１および第２の端面ＬＳ２と、を含む。
【0013】
図１に示すように、積層体１０は、略直方体形状を有している。なお、積層体１０の長さ方向Ｌの寸法は、幅方向Ｗの寸法よりも必ずしも長いとは限らない。積層体１０の角部および稜線部には、丸みがつけられていることが好ましい。角部は、積層体の３面が交わる部分であり、稜線部は、積層体の２面が交わる部分である。なお、積層体１０を構成する表面の一部または全部に凹凸などが形成されていてもよい。
【0014】
積層体１０の寸法は、特に限定されないが、積層体１０の長さ方向Ｌの寸法をＬ寸法とすると、Ｌ寸法は、０．２ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることが好ましい。また、積層体１０の積層方向Ｔの寸法をＴ寸法とすると、Ｔ寸法は、０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることが好ましい。また、積層体１０の幅方向Ｗの寸法をＷ寸法とすると、Ｗ寸法は、０．１ｍｍ以上５ｍｍ以下であることが好ましい。
【0015】
図２および図３に示すように、積層体１０は、内層部１１と、積層方向Ｔにおいて内層部１１を挟み込むように配置された第１の外層部としての第１の主面側外層部１２Ａおよび第２の外層部としての第２の主面側外層部１２Ｂと、を有する。
【0016】
内層部１１は、複数のセラミック層としての複数の誘電体層２０と、複数の内部導体層としての複数の内部電極層３０と、を含む。内層部１１は、積層方向Ｔにおいて、最も第１の主面ＴＳ１側に位置する内部電極層３０から最も第２の主面ＴＳ２側に位置する内部電極層３０までを含む。内層部１１では、複数の内部電極層３０が誘電体層２０を介して対向して配置されている。内層部１１は、静電容量を発生させ実質的にコンデンサとして機能する部分である。なお、図２、図３は、模式的な図である。積層体１０の端面と内部電極層３０との関係の詳細は、図５を用いて後述する。
【0017】
複数の誘電体層２０は、誘電体材料により構成される。誘電体材料は、例えば、ＢａＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、またはＣａＺｒＯ３などの成分を含む誘電体セラミックであってもよい。また、誘電体材料は、これらの主成分にＭｎ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物などの副成分を添加したものであってもよい。
【0018】
誘電体層２０の厚みは、０．２μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。積層される誘電体層２０の枚数は、１５枚以上１２００枚以下であることが好ましい。なお、この誘電体層２０の枚数は、内層部１１の誘電体層の枚数と第１の主面側外層部１２Ａおよび第２の主面側外層部１２Ｂの誘電体層の枚数との総数である。
【0019】
複数の内部電極層３０は、複数の第１の内部電極層３１および複数の第２の内部電極層３２を有する。複数の第１の内部電極層３１は、複数の誘電体層２０上に配置されている。複数の第２の内部電極層３２は、複数の誘電体層２０上に配置されている。複数の第１の内部電極層３１および複数の第２の内部電極層３２は、積層体１０の積層方向Ｔに誘電体層２０を介して交互に配置されている。第１の内部電極層３１および第２の内部電極層３２は、誘電体層２０を挟むようにして配置されている。
【0020】
第１の内部電極層３１は、第２の内部電極層３２に対向する第１の対向部３１Ａと、第１の対向部３１Ａから第１の端面ＬＳ１に引き出される第１の引き出し部３１Ｂとを有している。第１の引き出し部３１Ｂは、第１の端面ＬＳ１に露出している。
【0021】
第２の内部電極層３２は、第１の内部電極層３１に対向する第２の対向部３２Ａと、第２の対向部３２Ａから第２の端面ＬＳ２に引き出される第２の引き出し部３２Ｂとを有している。第２の引き出し部３２Ｂは、第２の端面ＬＳ２に露出している。
【0022】
本実施形態では、第１の対向部３１Ａと第２の対向部３２Ａが誘電体層２０を介して対向することにより容量が形成され、コンデンサの特性が発現する。
【0023】
第１の対向部３１Ａおよび第２の対向部３２Ａの形状は、特に限定されないが、矩形状であることが好ましい。もっとも、矩形形状のコーナー部が丸められていてもよいし、矩形形状のコーナー部が斜めに形成されていてもよい。第１の引出き出し部３１Ｂおよび第２の引き出し部３２Ｂの形状は、特に限定されないが、矩形状であることが好ましい。もっとも、矩形形状のコーナー部が丸められていてもよいし、矩形形状のコーナー部が斜めに形成されていてもよい。
【0024】
第１の対向部３１Ａの幅方向Ｗの寸法と第１の引き出し部３１Ｂの幅方向Ｗの寸法は、同じ寸法で形成されていてもよく、どちらか一方の寸法が小さく形成されていてもよい。第２の対向部３２Ａの幅方向Ｗの寸法と第２の引き出し部３２Ｂの幅方向Ｗの寸法は、同じ寸法で形成されていてもよく、どちらか一方の寸法が狭く形成されていてもよい。
【0025】
第１の内部電極層３１および第２の内部電極層３２は、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕなどの金属や、これらの金属の少なくとも一種を含む合金などの適宜の導電材料により構成される。合金を用いる場合、第１の内部電極層３１および第２の内部電極層３２は、例えばＡｇ－Ｐｄ合金等により構成されてもよい。
【0026】
第１の内部電極層３１および第２の内部電極層３２のそれぞれの厚みは、例えば、０．２μｍ以上２．０μｍ以下程度であることが好ましい。第１の内部電極層３１および第２の内部電極層３２の枚数は、合わせて１５枚以上１０００枚以下であることが好ましい。
【0027】
第１の主面側外層部１２Ａは、積層体１０の第１の主面ＴＳ１側に位置する。第１の主面側外層部１２Ａは、第１の主面ＴＳ１と最も第１の主面ＴＳ１に近い内部電極層３０との間に位置する複数の誘電体層２０の集合体である。第１の主面側外層部１２Ａで用いられる誘電体層２０は、内層部１１で用いられる誘電体層２０と同じものであってもよいし、違う材料により構成された誘電体層であっても良い。
【0028】
第２の主面側外層部１２Ｂは、積層体１０の第２の主面ＴＳ２側に位置する。第２の主面側外層部１２Ｂは、第２の主面ＴＳ２と最も第２の主面ＴＳ２に近い内部電極層３０との間に位置する複数の誘電体層２０の集合体である。第２の主面側外層部１２Ｂで用いられる誘電体層２０は、内層部１１で用いられる誘電体層２０と同じものであってもよいし、違う材料により構成された誘電体層であっても良い。
【0029】
なお、積層体１０は、対向電極部１１Ｅを有する。対向電極部１１Ｅは、第１の内部電極層３１の第１の対向部３１Ａと第２の内部電極層３２の第２の対向部３２Ａが対向する部分である。対向電極部１１Ｅは、内層部１１の一部として構成されている。図４には、対向電極部１１Ｅの幅方向Ｗおよび長さ方向Ｌの範囲が示されている。なお、対向電極部１１Ｅは、コンデンサ有効部ともいう。
【0030】
なお、積層体１０は、側面側外層部を有する。側面側外層部は、第１の側面側外層部ＷＧ１と、第２の側面側外層部ＷＧ２を有する。第１の側面側外層部ＷＧ１は、対向電極部１１Ｅと第１の側面ＷＳ１との間に位置する誘電体層２０を含む部分である。第２の側面側外層部ＷＧ２は、対向電極部１１Ｅと第２の側面ＷＳ２との間に位置する誘電体層２０を含む部分である。図３および図４には、第１の側面側外層部ＷＧ１および第２の側面側外層部ＷＧ２の幅方向Ｗの範囲が示されている。なお、側面側外層部は、Ｗギャップまたはサイドギャップともいう。
【0031】
なお、積層体１０は、端面側外層部を有する。端面側外層部は、第１の端面側外層部ＬＧ１と、第２の端面側外層部ＬＧ２を有する。第１の端面側外層部ＬＧ１は、対向電極部１１Ｅと第１の端面ＬＳ１との間に位置する誘電体層２０を含む部分である。第２の端面側外層部ＬＧ２は、対向電極部１１Ｅと第２の端面ＬＳ２との間に位置する誘電体層２０を含む部分である。図２および図４には、第１の端面側外層部ＬＧ１および第２の端面側外層部ＬＧ２の長さ方向Ｌの範囲が示されている。なお、端面側外層部は、Ｌギャップまたはエンドギャップともいう。
【0032】
外部電極４０は、第１の端面ＬＳ１側に配置された第１の外部電極４０Ａと、第２の端面ＬＳ２側に配置された第２の外部電極４０Ｂと、を有する。
【0033】
第１の外部電極４０Ａは、第１の端面ＬＳ１上に配置されている。第１の外部電極４０Ａは、第１の内部電極層３１に接続されている。第１の外部電極４０Ａは、第１の主面ＴＳ１の一部および第２の主面ＴＳ２の一部、ならびに第１の側面ＷＳ１の一部および第２の側面ＷＳ２の一部にも配置されていてもよい。本実施形態では、第１の外部電極４０Ａは、第１の端面ＬＳ１上から第１の主面ＴＳ１の一部および第２の主面ＴＳ２の一部、ならびに第１の側面ＷＳ１の一部および第２の側面ＷＳ２の一部にまで延びて形成されている。
【0034】
第２の外部電極４０Ｂは、第２の端面ＬＳ２上に配置されている。第２の外部電極４０Ｂは、第２の内部電極層３２に接続されている。第２の外部電極４０Ｂは、第１の主面ＴＳ１の一部および第２の主面ＴＳ２の一部、ならびに第１の側面ＷＳ１の一部および第２の側面ＷＳ２の一部にも配置されていてもよい。本実施形態では、第２の外部電極４０Ｂは、第２の端面ＬＳ２上から第１の主面ＴＳ１の一部および第２の主面ＴＳ２の一部、ならびに第１の側面ＷＳ１の一部および第２の側面ＷＳ２の一部にまで延びて形成されている。
【0035】
前述のとおり、積層体１０内においては、第１の内部電極層３１の第１の対向部３１Ａと第２の内部電極層３２の第２の対向部３２Ａとが誘電体層２０を介して対向することにより容量が形成されている。そのため、第１の内部電極層３１が接続された第１の外部電極４０Ａと第２の内部電極層３２が接続された第２の外部電極４０Ｂとの間でコンデンサの特性が発現する。
【0036】
第１の外部電極４０Ａは、第１の下地電極層５０Ａと、第１の下地電極層５０Ａ上に配置された第１のめっき層６０Ａと、を有する。
【0037】
第２の外部電極４０Ｂは、第２の下地電極層５０Ｂと、第２の下地電極層５０Ｂ上に配置された第２のめっき層６０Ｂと、を有する。
【0038】
第１の下地電極層５０Ａは、第１の端面ＬＳ１上に配置されている。第１の下地電極層５０Ａは、第１の内部電極層３１に接続されている。本実施形態においては、第１の下地電極層５０Ａは、第１の端面ＬＳ１上から第１の主面ＴＳ１の一部および第２の主面ＴＳ２の一部、ならびに第１の側面ＷＳ１の一部および第２の側面ＷＳ２の一部にまで延びて形成されている。
【0039】
第２の下地電極層５０Ｂは、第２の端面ＬＳ２上に配置されている。第２の下地電極層５０Ｂは、第２の内部電極層３２に接続されている。本実施形態においては、第２の下地電極層５０Ｂは、第２の端面ＬＳ２上から第１の主面ＴＳ１の一部および第２の主面ＴＳ２の一部、ならびに第１の側面ＷＳ１の一部および第２の側面ＷＳ２の一部にまで延びて形成されている。
【0040】
第１の下地電極層５０Ａおよび第２の下地電極層５０Ｂは、焼き付け層、導電性樹脂層、薄膜層等から選ばれる少なくとも１つを含む。
【0041】
本実施形態の第１の下地電極層５０Ａおよび第２の下地電極層５０Ｂは、焼き付け層である。焼付け層は、金属成分と、ガラス成分もしくはセラミック成分のどちらか一方を含んでいるか、その両方を含んでいることが好ましい。金属成分は、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ－Ｐｄ合金、Ａｕ等から選ばれる少なくとも１つを含む。ガラス成分は、例えば、Ｂ、Ｓｉ、Ｂａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｌｉ等から選ばれる少なくとも１つを含む。セラミック成分は、誘電体層２０と同種のセラミック材料を用いてもよいし、異なる種のセラミック材料を用いてもよい。セラミック成分は、例えば、ＢａＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、（Ｂａ，Ｃａ）ＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＣａＺｒＯ３等から選ばれる少なくとも１つを含む。
【0042】
焼き付け層は、例えば、ガラスおよび金属を含む導電性ペーストを積層体に塗布して焼き付けたものである。焼き付け層は、内部電極および誘電体層を有する積層チップと積層チップに塗布した導電性ペーストとを同時焼成したものでもよく、内部電極および誘電体層を有する積層チップを焼成して積層体を得た後に積層体に導電性ペーストを塗布して焼き付けたものでもよい。なお、内部電極および誘電体層を有する積層チップと積層チップに塗布した導電性ペーストとを同時に焼成する場合には、焼付け層は、ガラス成分の代わりにセラミック材料を添加したものを焼き付けて形成することが好ましい。この場合、添加するセラミック材料として、誘電体層２０と同種のセラミック材料を用いることが特に好ましい。焼き付け層は、複数層であってもよい。
【0043】
第１の端面ＬＳ１に位置する第１の下地電極層５０Ａの長さ方向の厚みＬ２は、第１の下地電極層５０Ａの積層方向Ｔおよび幅方向Ｗの中央部において、例えば、３μｍ以上１６０μｍ以下程度であることが好ましい。より好ましくは、１０μｍ以上１００μｍ以下である。
【0044】
第２の端面ＬＳ２に位置する第２の下地電極層５０Ｂの長さ方向の厚みＬ２は、第２の下地電極層５０Ｂの積層方向Ｔおよび幅方向Ｗの中央部において、例えば、３μｍ以上１６０μｍ以下程度であることが好ましい。より好ましくは、１０μｍ以上１００μｍ以下である。
【0045】
第１の主面ＴＳ１または第２の主面ＴＳ２の少なくも一方の面の一部にも第１の下地電極層５０Ａを設ける場合には、この部分に設けられた第１の下地電極層５０Ａの積層方向の厚みは、この部分に設けられた第１の下地電極層５０Ａの長さ方向Ｌおよび幅方向Ｗの中央部において、例えば、３μｍ以上４０μｍ以下程度であることが好ましい。
【0046】
第１の側面ＷＳ１または第２の側面ＷＳ２の少なくも一方の面の一部にも第１の下地電極層５０Ａを設ける場合には、この部分に設けられた第１の下地電極層５０Ａの幅方向の厚みは、この部分に設けられた第１の下地電極層５０Ａの長さ方向Ｌおよび積層方向Ｔの中央部において、例えば、３μｍ以上４０μｍ以下程度であることが好ましい。
【0047】
第１の主面ＴＳ１または第２の主面ＴＳ２の少なくも一方の面の一部にも第２の下地電極層５０Ｂを設ける場合には、この部分に設けられた第２の下地電極層５０Ｂの積層方向の厚みは、この部分に設けられた第２の下地電極層５０Ｂの長さ方向Ｌおよび幅方向Ｗの中央部において、例えば、３μｍ以上４０μｍ以下程度であることが好ましい。
【0048】
第１の側面ＷＳ１または第２の側面ＷＳ２の少なくも一方の面の一部にも第２の下地電極層５０Ｂを設ける場合には、この部分に設けられた第２の下地電極層５０Ｂの幅方向の厚みは、この部分に設けられた第２の下地電極層５０Ｂの長さ方向Ｌおよび積層方向Ｔの中央部において、例えば、３μｍ以上４０μｍ以下程度であることが好ましい。
【0049】
なお、第１の下地電極層５０Ａおよび第２の下地電極層５０Ｂは、焼き付け層に限らない。第１の下地電極層５０Ａおよび第２の下地電極層５０Ｂは、焼き付け層、導電性樹脂層、薄膜層等から選ばれる少なくとも１つを含む。例えば、第１の下地電極層５０Ａおよび第２の下地電極層５０Ｂは、薄膜層であってもよい。薄膜層は、スパッタ法または蒸着法等の薄膜形成法により形成される。薄膜層は、金属粒子が堆積された１μｍ以下の層である。
【0050】
第１のめっき層６０Ａは、第１の下地電極層５０Ａを覆うように配置されている。
【0051】
第２のめっき層６０Ｂは、第２の下地電極層５０Ｂを覆うように配置されている。
【0052】
第１のめっき層６０Ａおよび第２のめっき層６０Ｂは、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ－Ｐｄ合金、Ａｕ等から選ばれる少なくとも１つを含んでいてもよい。第１のめっき層６０Ａおよび第２のめっき層６０Ｂは、それぞれ複数層により形成されていてもよい。第１のめっき層６０Ａおよび第２のめっき層６０Ｂは、Ｎｉめっき層の上にＳｎめっき層が形成された２層構造が好ましい。
【0053】
本実施形態においては、第１のめっき層６０Ａは、第１のＮｉめっき層６１Ａと、第１のＮｉめっき層６１Ａ上に位置する第１のＳｎめっき層６２Ａと、を有する。
【0054】
本実施形態においては、第２のめっき層６０Ｂは、第２のＮｉめっき層６１Ｂと、第２のＮｉめっき層６１Ｂ上に位置する第２のＳｎめっき層６２Ｂと、を有する。
【0055】
Ｎｉめっき層は、第１の下地電極層５０Ａおよび第２の下地電極層５０Ｂが、積層セラミックコンデンサ１を実装する際のはんだによって侵食されることを防止する。また、Ｓｎめっき層は、積層セラミックコンデンサ１を実装する際のはんだの濡れ性を向上させる。これにより、積層セラミックコンデンサ１の実装を容易にする。第１のＮｉめっき層６１Ａ、第１のＳｎめっき層６２Ａ、第２のＮｉめっき層６１Ｂ、第２のＳｎめっき層６２Ｂそれぞれの厚みは、２μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。
【0056】
なお、本実施形態の第１の外部電極４０Ａおよび第２の外部電極４０Ｂは、例えば導電性粒子と熱硬化性樹脂を含む導電性樹脂層を有していてもよい。下地電極層（第１の下地電極層５０Ａ、第２の下地電極層５０Ｂ）として導電性樹脂層を設ける場合、導電性樹脂層は、焼き付け層を覆うように配置されてもよいし、焼き付け層を設けずに積層体１０上に直接配置されてもよい。導電性樹脂層が焼き付け層を覆うように配置される場合、導電性樹脂層は、下地電極層とめっき層（第１のめっき層６０Ａ、第２のめっき層６０Ｂ）との間に配置される。導電性樹脂層は、焼き付け層上を完全に覆っていてもよいし、焼き付け層の一部を覆っていてもよい。
【0057】
なお、導電性樹脂層は、複数層で形成されていてもよい。導電性樹脂層の最も厚い部分の厚みは、１０μｍ以上１５０μｍ以下であることが好ましい。
【0058】
なお、第１の下地電極層５０Ａおよび第２の下地電極層５０Ｂを設けずに、積層体１０上に後述の第１のめっき層６０Ａおよび第２のめっき層６０Ｂが直接配置される構成であってもよい。すなわち、積層セラミックコンデンサ１は、第１の内部電極層３１と、第２の内部電極層３２とに、直接電気的に接続されるめっき層を含む構成であってもよい。このような場合、前処理として積層体１０の表面に触媒を配設した後で、めっき層が形成されてもよい。
【0059】
この場合においても、めっき層は、複数層であることが好ましい。下層めっき層および上層めっき層はそれぞれ、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、ＢｉまたはＺｎなどから選ばれる少なくとも１種の金属またはこれらの金属を含む合金を含むことが好ましい。下層めっき層は、はんだバリア性能を有するＮｉを用いて形成されることがより好ましい。上層めっき層は、はんだ濡れ性が良好なＳｎまたはＡｕを用いて形成されることがより好ましい。なお、例えば、第１の内部電極層３１および第２の内部電極層３２がＮｉを用いて形成される場合は、下層めっき層は、Ｎｉと接合性のよいＣｕを用いて形成されることが好ましい。なお、上層めっき層は必要に応じて形成されればよく、外部電極４０は、下層めっき層のみで構成されてもよい。また、めっき層は、上層めっき層を最外層としてもよいし、上層めっき層の表面にさらに他のめっき層を形成してもよい。
【0060】
下地電極層を設けずに配置するめっき層の１層あたりの厚みは、２μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。なお、めっき層は、ガラスを含まないことが好ましい。めっき層の単位体積あたりの金属割合は、９９体積％以上であることが好ましい。
【0061】
なお、めっき層を積層体１０上に直接形成する場合は、下地電極層の厚みを削減することができる。よって、下地電極層の厚みを削減した分、積層セラミックコンデンサ１の積層方向Ｔの寸法を低減させて、積層セラミックコンデンサ１の低背化を図ることができる。あるいは、下地電極層の厚みを削減した分、第１の内部電極層３１および第２の内部電極層３２の間に挟まれる誘電体層２０の厚みを厚くすることができる。このように、めっき層を積層体１０上に直接形成することで、積層セラミックコンデンサの設計自由度を向上させることができる。
【0062】
ここで、第１の外部電極４０Ａおよび第２の外部電極４０Ｂを構成する各層の基本的な構成は同じである。また、第１の外部電極４０Ａおよび第２の外部電極４０Ｂは、積層セラミックコンデンサ１の長さ方向Ｌの中央のＷＴ断面に対して概ね面対称である。よって、第１の外部電極４０Ａと第２の外部電極４０Ｂとを特に区別して説明する必要のない場合は、第１の外部電極４０Ａおよび第２の外部電極４０Ｂは、まとめて外部電極４０と呼ばれる場合がある。また、積層体１０の第１の端面ＬＳ１と第２の端面ＬＳ２とを特に区別して説明する必要のない場合は、第１の端面ＬＳ１および第２の端面ＬＳ２は、まとめて端面ＬＳと呼ばれる場合がある。
【0063】
なお、積層体１０と外部電極４０を含む積層セラミックコンデンサ１の長さ方向の寸法をＬ寸法とすると、Ｌ寸法は、０．２ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることが好ましい。また、積層セラミックコンデンサ１の高さ方向の寸法をＴ寸法とすると、Ｔ寸法は、０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることが好ましい。また、積層セラミックコンデンサ１の幅方向の寸法をＷ寸法とすると、Ｗ寸法は、０．１ｍｍ以上５ｍｍ以下であることが好ましい。
【0064】
以下の図５～７を用いた説明において、上述のとおり、第１の端面ＬＳ１および第２の端面ＬＳ２は、まとめて端面ＬＳとして説明される。図５は、図２に示す積層セラミックコンデンサのＶ部の拡大図であって、外部電極を除外した場合の積層体の端面付近の断面を仮想的に示す拡大断面図である。なお、図５は、端面側を図上側として示される。図６は、図５に示す積層体の端面付近のＶＩ部の拡大図であって、第１の連結面周囲の断面を模式的に示す拡大断面図である。図７は、図５に示す積層体の端面付近のＶＩＩ部の拡大図であって、第２の連結面周囲の断面を模式的に示す拡大断面図である。
【0065】
積層体の端面ＬＳは、図５に示されるように内層部１１によって表面が形成される内層端面ＬＳ１００と、第１の主面側外層部１２Ａによって表面が形成される第１の外層端面ＬＳ１３１と、第２の主面側外層部１２Ｂによって表面が形成される第２の外層端面ＬＳ１３２と、を有する。
【0066】
第１の外層端面ＬＳ１３１および第２の外層端面ＬＳ１３２は、略平坦面を含むことが好ましい。図５に示すように、第１の外層端面ＬＳ１３１は、内層端面ＬＳ１００側に形成された平坦面部ＬＳ１４１と、第１の主面ＴＳ１側に形成された丸みを有する曲面部ＬＳ１５１と、を備えていてもよい。第２の外層端面ＬＳ１３２は、内層端面ＬＳ１００側に形成された平坦面部ＬＳ１４２と、第２の主面ＴＳ２側に設けられた丸みを有する曲面部ＬＳ１５２と、を備えていてもよい。
【0067】
内層端面ＬＳ１００は、第１の外層端面ＬＳ１３１および第２の外層端面ＬＳ１３２よりも、長さ方向に突出した位置に面を有する突出端面ＬＳ１１０と、第１の外層端面ＬＳ１３１と突出端面ＬＳ１１０との間を繋ぐ面によって形成された第１の連結面ＬＳ１２１と、第２の外層端面ＬＳ１３２と突出端面ＬＳ１１０との間を繋ぐ面によって形成された第２の連結面ＬＳ１２２と、を有する。
【0068】
突出端面ＬＳ１１０は、略平坦面であることが好ましい。第１の外層端面ＬＳ１３１に対する、突出端面ＬＳ１１０の突出量Ｌ１は、５μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。より好ましくは１０μｍ以上４０μｍ以下である。第２の外層端面ＬＳ１３２に対する、突出端面ＬＳ１１０の突出量Ｌ１は、５μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。より好ましくは１０μｍ以上４０μｍ以下である。これらの突出量は、下地電極層の積層方向Ｔおよび幅方向Ｗの中央部における下地電極層の長さ方向の厚みＬ２の５％以上５０％以下であることが好ましい。突出端面ＬＳ１１０には、複数の内部電極層３０が露出している。
【0069】
第１の連結面ＬＳ１２１および第２の連結面ＬＳ１２２は、曲面または傾斜した平面により形成されている。本実施形態においては、図５～７に示すように、第１の連結面ＬＳ１２１および第２の連結面ＬＳ１２２は、膨らみを有する曲面により形成されている。
【0070】
具体的には、第１の連結面ＬＳ１２１は、第１の外層端面ＬＳ１３１との境界部Ｐ１１から突出端面ＬＳ１１０側に向かって、傾斜角が徐々に小さくなるような曲面により形成されている。ここで、傾斜角は、第１の外層端面ＬＳ１３１を内層端面ＬＳ１００側に延長した仮想面ＶＳ２Ａと第１の連結面ＬＳ１２１とのなす角により規定される。第１の外層端面ＬＳ１３１と突出端面ＬＳ１１０が平行である場合は、傾斜角は、突出端面ＬＳ１１０を第１の主面ＴＳ１側に延長したときの仮想面ＶＳ１Ａと第１の連結面ＬＳ１２１とのなす角により規定されるということもできる。
【0071】
第２の連結面ＬＳ１２２は、第２の外層端面ＬＳ１３２との境界部Ｐ２１から突出端面ＬＳ１１０側に向かって、傾斜角が徐々に小さくなるような曲面により形成されている。ここで、傾斜角は、第２の外層端面ＬＳ１３２を内層端面ＬＳ１００側に延長した仮想面ＶＳ２Ｂと第２の連結面ＬＳ１２２とのなす角により規定される。第２の外層端面ＬＳ１３２と突出端面ＬＳ１１０が平行である場合は、傾斜角は、突出端面ＬＳ１１０を第２の主面ＴＳ２側に延長したときの仮想面ＶＳ１Ｂと第２の連結面ＬＳ１２２とのなす角により規定されるということもできる。
【0072】
なお、図５～７に示すように、第１の連結面ＬＳ１２１と突出端面ＬＳ１１０は曲面により滑らかに連結されていてもよい。第２の連結面ＬＳ１２２と突出端面ＬＳ１１０は曲面により滑らかに連結されていてもよい。
【0073】
図５に示すように、第１の連結面ＬＳ１２１および第２の連結面ＬＳ１２２は、ＬＴ断面視において、飽和曲線状であってもよい。具体的には、第１の連結面ＬＳ１２１は、ＬＴ断面視において、第１の外層端面ＬＳ１３１との境界部Ｐ１１から突出端面ＬＳ１１０側に向かって延びる飽和曲線状であってもよい。第２の連結面ＬＳ１２２は、ＬＴ断面視において、第２の外層端面ＬＳ１３２との境界部Ｐ２１から突出端面ＬＳ１１０側に向かって延びる飽和曲線状であってもよい。なお、飽和曲線には、シグモイド曲線も含まれる。
【0074】
第１の連結面ＬＳ１２１および第２の連結面ＬＳ１２２の積層方向Ｔの長さＴ１はそれぞれ、内層端面ＬＳ１００の積層方向Ｔの長さＴ２の２％以上４０％以下であることが好ましい。より好ましくは、５％以上４０％以下である。
【0075】
第１の連結面ＬＳ１２１および第２の連結面ＬＳ１２２にはそれぞれ、複数の内部電極層３０が露出している。第１の連結面ＬＳ１２１および第２の連結面ＬＳ１２２それぞれに、好ましくは３層以上、より好ましくは５層以上、さらに好ましくは７層以上の内部電極層３０が露出する。第１の連結面ＬＳ１２１および第２の連結面ＬＳ１２２それぞれに露出する内部電極層３０は、５０層以下であってもよい。
【0076】
第１の外層端面ＬＳ１３１と第１の連結面ＬＳ１２１との境界部Ｐ１１における、第１の外層端面ＬＳ１３１と第１の連結面ＬＳ１２１とのなす角θは図５、６に示すように鈍角であり、第２の外層端面ＬＳ１３２と第２の連結面ＬＳ１２２との境界部Ｐ２１における、第２の外層端面ＬＳ１３２と第２の連結面ＬＳ１２２とのなす角θは図５、７に示すように鈍角である。
【0077】
第１の外層端面ＬＳ１３１と第１の連結面ＬＳ１２１との境界部Ｐ１１における、第１の外層端面ＬＳ１３１と第１の連結面ＬＳ１２１とのなす角θは１２０°以上１７０°以下であることが好ましく、より好ましくは１２０°以上１６０°以下であり、さらに好ましくは１３０°以上１６０°以下である。
【0078】
第２の外層端面ＬＳ１３２と第２の連結面ＬＳ１２２との境界部Ｐ２１における、第２の外層端面ＬＳ１３２と第２の連結面ＬＳ１２２とのなす角θは１２０°以上１７０°以下であることが好ましく、より好ましくは１２０°以上１６０°以下であり、さらに好ましくは１３０°以上１６０°以下である。
【0079】
突出端面ＬＳ１１０と、第１の連結面ＬＳ１２１を突出端面ＬＳ１１０側に延長したときの第１の仮想面とのなす角Φは、突出端面ＬＳ１１０と第１の外層端面ＬＳ１３１とのなす角よりも大きいことが好ましい。突出端面ＬＳ１１０と、第２の連結面ＬＳ１２２を突出端面ＬＳ１１０側に延長したときの第２の仮想面とのなす角Φは、突出端面ＬＳ１１０と第２の外層端面ＬＳ１３２とのなす角よりも大きいことが好ましい。
【0080】
ここで、図５に示すように、突出端面ＬＳ１１０と第１の外層端面ＬＳ１３１は略平行であることが好ましい。また、図５に示すように、突出端面ＬＳ１１０と第２の外層端面ＬＳ１３２は略平行であることが好ましい。なお、第１の外層端面ＬＳ１３１と突出端面ＬＳ１１０が平行の時は、第１の外層端面ＬＳ１３１と突出端面ＬＳ１１０のなす角は０°、第２の外層端面ＬＳ１３２と突出端面ＬＳ１１０が平行の時は、第２の外層端面ＬＳ１３２と突出端面ＬＳ１１０のなす角は０°として考える。
【0081】
なお、第１の連結面ＬＳ１２１が曲面の場合は、第１の連結面ＬＳ１２１と第１の外層端面ＬＳ１３１の境界部Ｐ１１と、第１の連結面ＬＳ１２１と突出端面ＬＳ１１０の境界部Ｐ１２とを結ぶ直線ＬＮ１に基づき、第１の連結面ＬＳ１２１の角度が規定され、上述のなす角Φが規定される。
【0082】
なお、第２の連結面ＬＳ１２２が曲面の場合は、第２の連結面ＬＳ１２２と第２の外層端面ＬＳ１３２の境界部Ｐ２１と、第２の連結面ＬＳ１２２と突出端面ＬＳ１１０の境界部Ｐ２２とを結ぶ直線ＬＮ２に基づき、第２の連結面ＬＳ１２２の角度が規定され、上述のなす角Φが規定される。
【0083】
なお、第１の外層端面ＬＳ１３１および第２の外層端面ＬＳ１３２が平坦面部および曲面部を有する場合、該平坦面部に基づき、上述のなす角が測定される。
【0084】
図６に示すように、第１の連結面ＬＳ１２１における、最も第１の主面ＴＳ１側の位置に露出している内部電極層３０の露出面と、第１の主面ＴＳ１側から第２の主面ＴＳ２側に向かって２番目の位置に露出している内部電極層３０の露出面とを結ぶ直線の延長線ＬＮ１０と、突出端面ＬＳ１１０を第１の主面ＴＳ１側に延長した時の仮想面ＶＳ１Ａとのなす角α１は２０°以上６０°以下であることが好ましい。より好ましくは２０°以上５０°以下である。なお、上述の直線は、積層体１０の端面の輪郭線上における、隣り合う誘電体層２０によって形成される誘電体層２０の開口部の中心位置を、内部電極層３０の露出面の代表位置として規定される。すなわち、延長線ＬＮ１０を規定する前述の直線は、第１の連結面ＬＳ１２１における、最も第１の主面ＴＳ１側の位置に露出している内部電極層３０の露出面の代表位置としての開口部の中心位置ＭＰ１０と、第１の主面ＴＳ１側から第２の主面ＴＳ２側に向かって２番目の位置に露出している内部電極層３０の露出面の代表位置としての開口部の中心位置ＭＰ１１とを結ぶものである。
【0085】
図７に示すように、第２の連結面ＬＳ１２２における、最も第２の主面ＴＳ２側の位置に露出している内部電極層３０の露出面と、第２の主面ＴＳ２側から第１の主面ＴＳ１側に向かって２番目の位置に露出している内部電極層３０の露出面とを結ぶ直線の延長線ＬＮ２０と、突出端面ＬＳ１１０を第２の主面ＴＳ２側に延長した時の仮想面ＶＳ１Ｂとのなす角β１は２０°以上６０°以下であることが好ましい。より好ましくは２０°以上５０°以下である。なお、延長線ＬＮ２０を規定する前述の直線は、第２の連結面ＬＳ１２２における、最も第２の主面ＴＳ２側の位置に露出している内部電極層３０の露出面の代表位置としての開口部の中心位置ＭＰ２０と、第２の主面ＴＳ２側から第１の主面ＴＳ１側に向かって２番目の位置に露出している内部電極層３０の露出面の代表位置としての開口部の中心位置ＭＰ２１とを結ぶものである。
【0086】
前述のとおり、図６に示すように、本実施形態の第１の連結面ＬＳ１２１および第２の連結面ＬＳ１２２は、曲面により形成されている。第１の連結面ＬＳ１２１における、最も第１の主面ＴＳ１側の位置に露出している内部電極層３０の露出面と、第１の主面ＴＳ１側から第２の主面ＴＳ２側に向かって２番目の位置に露出している内部電極層３０の露出面とを結ぶ直線の延長線ＬＮ１０と、突出端面ＬＳ１１０とのなす角をα１とし、第１の主面ＴＳ１側から第２の主面ＴＳ２側に向かって２番目の位置に露出している内部電極層３０の露出面と、第１の主面ＴＳ１側から第２の主面ＴＳ２側に向かって３番目の位置に露出している内部電極層３０の露出面とを結ぶ直線の延長線ＬＮ１１と、突出端面ＬＳ１１０とのなす角をα２としたとき、α１＞α２であることが好ましい。なお、延長線ＬＮ１１を規定する前述の直線は、第１の連結面ＬＳ１２１における、第１の主面ＴＳ１側から第２の主面ＴＳ２側に向かって２番目の位置に露出している内部電極層３０の露出面の代表位置としての開口部の中心位置ＭＰ１１と、第１の主面ＴＳ１側から第２の主面ＴＳ２側に向かって３番目の位置に露出している内部電極層３０の露出面の代表位置としての開口部の中心位置ＭＰ１２とを結ぶものである。
【0087】
図７に示すように、第２の連結面ＬＳ１２２における、最も第２の主面ＴＳ２側の位置に露出している内部電極層３０の露出面と、第２の主面ＴＳ２側から第１の主面ＴＳ１側に向かって２番目の位置に露出している内部電極層３０の露出面とを結ぶ直線の延長線ＬＮ２０と、突出端面ＬＳ１１０とのなす角をβ１とし、第２の主面ＴＳ２側から第１の主面ＴＳ１側に向かって２番目の位置に露出している内部電極層３０の露出面と、第２の主面ＴＳ２側から第１の主面ＴＳ１側に向かって３番目の位置に露出している内部電極層３０の露出面とを結ぶ直線の延長線ＬＮ２１と、突出端面ＬＳ１１０とのなす角をβ２としたとき、β１＞β２であることが好ましい。なお、延長線ＬＮ２１を規定する前述の直線は、第２の連結面ＬＳ１２２における、第２の主面ＴＳ２側から第１の主面ＴＳ１側に向かって２番目の位置に露出している内部電極層３０の露出面の代表位置としての開口部の中心位置ＭＰ２１と、第２の主面ＴＳ２側から第１の主面ＴＳ１側に向かって３番目の位置に露出している内部電極層３０の露出面の代表位置としての開口部の中心位置ＭＰ２２とを結ぶものである。
【0088】
なお、α２、β２は、α１、β１よりも小さな角度であって、５°以上５０°以下であることが好ましい。より好ましくは５°以上４０°以下である。
【0089】
第１の主面ＴＳ１側から第２の主面ＴＳ２側に向かって３番目の位置に露出している内部電極層３０の露出面と、第１の主面ＴＳ１側から第２の主面ＴＳ２側に向かって４番目の位置に露出している内部電極層３０の露出面とを結ぶ直線の延長線ＬＮ１２と、突出端面ＬＳ１１０とのなす角をα３としたとき、α１＞α２＞α３であることが好ましい。なお、延長線ＬＮ１２を規定する前述の直線は、第１の連結面ＬＳ１２１における、第１の主面ＴＳ１側から第２の主面ＴＳ２側に向かって３番目の位置に露出している内部電極層３０の露出面の代表位置としての開口部の中心位置ＭＰ１２と、第１の主面ＴＳ１側から第２の主面ＴＳ２側に向かって４番目の位置に露出している内部電極層３０の露出面の代表位置としての開口部の中心位置ＭＰ１３とを結ぶものである。
【0090】
第２の主面ＴＳ２側から第１の主面ＴＳ１側に向かって３番目の位置に露出している内部電極層３０の露出面と、第２の主面ＴＳ２側から第１の主面ＴＳ１側に向かって４番目の位置に露出している内部電極層３０の露出面とを結ぶ直線の延長線ＬＮ２２と、突出端面ＬＳ１１０とのなす角をβ３としたとき、β１＞β２＞β３であることが好ましい。なお、延長線ＬＮ２２を規定する前述の直線は、第２の連結面ＬＳ１２２における、第２の主面ＴＳ２側から第１の主面ＴＳ１側に向かって３番目の位置に露出している内部電極層３０の露出面の代表位置としての開口部の中心位置ＭＰ２２と、第２の主面ＴＳ２側から第１の主面ＴＳ１側に向かって４番目の位置に露出している内部電極層３０の露出面の代表位置としての開口部の中心位置ＭＰ２３とを結ぶものである。
【0091】
なお、α３、β３は、α２、β２よりも小さな角度であって、３°以上４０°以下であることが好ましい。より好ましくは３°以上３０°以下である。
【0092】
以下、本実施形態における各種パラメータの測定方法について説明する。各種パラメータは、積層セラミックコンデンサをＷ寸法の１／４の位置まで研磨した断面、積層セラミックコンデンサをＷ寸法の１／２の位置まで研磨した断面、積層セラミックコンデンサをＷ寸法の３／４の位置まで研磨した断面をそれぞれ測定して得た測定結果の平均値から取得する。
【0093】
まず、積層セラミックコンデンサを第１の側面ＷＳ１側または第２の側面ＷＳ２側からＷ寸法の１／４の位置まで断面研磨し、特定のＬＴ断面を露出させる。そして、研磨により露出させた積層体１０のＬＴ断面をＳＥＭにて観察する。ＳＥＭ像において、下記寸法および角度を測定する。
［１］突出端面ＬＳ１１０の突出量Ｌ１（図５参照）
［２］下地電極層の長さ方向の厚みＬ２（図２参照）
［３］第１の連結面ＬＳ１２１および第２の連結面ＬＳ１２２の積層方向Ｔの長さＴ１（図５参照）
［４］内層端面ＬＳ１００の積層方向Ｔの長さＴ２（図５参照）
［５］境界部Ｐ１１における第１の外層端面ＬＳ１３１と第１の連結面ＬＳ１２１とのなす角θ（図５、６参照）
［６］境界部Ｐ２１における第２の外層端面ＬＳ１３２と第２の連結面ＬＳ１２２とのなす角θ（図５、７参照）
［７］突出端面ＬＳ１１０と、第１の連結面ＬＳ１２１を突出端面ＬＳ１１０側に延長したときの第１の仮想面とのなす角Φ（図５、６参照）
［８］突出端面ＬＳ１１０を第１の主面ＴＳ１側に延長したときの仮想面ＶＳ１Ａと第１の外層端面ＬＳ１３１とのなす角
［９］突出端面ＬＳ１１０と、第２の連結面ＬＳ１２２を突出端面ＬＳ１１０側に延長したときの第２の仮想面とのなす角Φ（図５、７参照）
［１０］突出端面ＬＳ１１０を第２の主面ＴＳ２側に延長したときの仮想面ＶＳ１Ｂと第２の外層端面ＬＳ１３２とのなす角
［１１］複数の内部電極層の露出面を結ぶ直線の延長線ＬＮ１０、ＬＮ１１、ＬＮ１２、ＬＮ２０、ＬＮ２１、ＬＮ２２と、突出端面ＬＳ１１０とのなす角α１、α２、α３、β１、β２、β３（図６～７参照）
［１］突出端面ＬＳ１１０の突出量Ｌ１（図５参照）
［２］下地電極層の長さ方向の厚みＬ２（図２参照）
［３］第１の連結面ＬＳ１２１および第２の連結面ＬＳ１２２の積層方向Ｔの長さＴ１（図５参照）
［４］内層端面ＬＳ１００の積層方向Ｔの長さＴ２（図５参照）
［５］境界部Ｐ１１における第１の外層端面ＬＳ１３１と第１の連結面ＬＳ１２１とのなす角θ（図５、６参照）
［６］境界部Ｐ２１における第２の外層端面ＬＳ１３２と第２の連結面ＬＳ１２２とのなす角θ（図５、７参照）
［７］突出端面ＬＳ１１０と、第１の連結面ＬＳ１２１を突出端面ＬＳ１１０側に延長したときの第１の仮想面とのなす角Φ（図５、６参照）
［８］突出端面ＬＳ１１０を第１の主面ＴＳ１側に延長したときの仮想面ＶＳ１Ａと第１の外層端面ＬＳ１３１とのなす角
［９］突出端面ＬＳ１１０と、第２の連結面ＬＳ１２２を突出端面ＬＳ１１０側に延長したときの第２の仮想面とのなす角Φ（図５、７参照）
［１０］突出端面ＬＳ１１０を第２の主面ＴＳ２側に延長したときの仮想面ＶＳ１Ｂと第２の外層端面ＬＳ１３２とのなす角
［１１］複数の内部電極層の露出面を結ぶ直線の延長線ＬＮ１０、ＬＮ１１、ＬＮ１２、ＬＮ２０、ＬＮ２１、ＬＮ２２と、突出端面ＬＳ１１０とのなす角α１、α２、α３、β１、β２、β３（図６～７参照）
【0094】
なお、［１１］のなす角を測定するにあたって、複数の内部電極層の露出面を結ぶ直線は、以下の方法により規定される。
（１）ＬＴ断面において、積層体の端面における誘電体層の表面をフィッティングし、積層体の端面の輪郭線を規定する。
（２）積層体の端面の輪郭線上における、隣り合う誘電体層によって形成される誘電体層の開口部の中心位置を、内部電極層の露出面の代表位置とし、前述の直線を規定する。
（１）ＬＴ断面において、積層体の端面における誘電体層の表面をフィッティングし、積層体の端面の輪郭線を規定する。
（２）積層体の端面の輪郭線上における、隣り合う誘電体層によって形成される誘電体層の開口部の中心位置を、内部電極層の露出面の代表位置とし、前述の直線を規定する。
【0095】
測定後、さらにＷ寸法の１／２の位置まで断面研磨し、再び同様のＳＥＭ像の取得および測定を行う。さらにＷ寸法の３／４の位置まで断面研磨し、再び同様のＳＥＭ像の取得および測定を行う。このように積層セラミックコンデンサのＷ寸法の１／４、１／２、３／４の３断面について、全部で３枚のＳＥＭ像それぞれについて、上記寸法および角度を測定する。各寸法および角度について平均値を求め、これらの測定値の平均値を、本実施形態の寸法および角度とする。
【0096】
次に、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１の製造方法について説明する。
【0097】
誘電体層２０用の誘電体シートおよび内部電極層３０用の導電性ペーストが準備される。誘電体シートおよび内部電極用の導電性ペーストは、バインダおよび溶剤を含む。バインダおよび溶剤は、公知のものであってもよい。
【0098】
誘電体シート上に、内部電極層３０用の導電性ペーストが、例えば、スクリーン印刷やグラビア印刷などにより所定のパターンで印刷される。これにより、第１の内部電極層３１のパターンが形成された誘電体シートおよび、第２の内部電極層３２のパターンが形成された誘電体シートが準備される。
【0099】
内部電極層のパターンが印刷されていない誘電体シートが所定枚数積層されることにより、第１の主面ＴＳ１側の第１の主面側外層部１２Ａとなる部分が形成される。その上に、第１の内部電極層３１のパターンが印刷された誘電体シートおよび第２の内部電極層３２のパターンが印刷された誘電体シートが順次積層されることにより、内層部１１となる部分が形成される。この内層部１１となる部分の上に、内部電極層のパターンが印刷されていない誘電体シートが所定枚数積層されることにより、第２の主面ＴＳ２側の第２の主面側外層部１２Ｂとなる部分が形成される。これにより、積層シートが作製される。
【0100】
本実施形態においては、外層部（第１の主面側外層部１２Ａ、第２の主面側外層部１２Ｂ）となる部分を形成するための誘電体シートとして、内層部１１となる部分を形成する誘電体シートよりも、有機物体積比率の大きい誘電体シートを用いる。
【0101】
積層シートが静水圧プレスなどの手段により積層方向にプレスされることにより、積層ブロックが作製される。
【0102】
積層ブロックが所定のサイズにカットされることにより、積層チップが切り出される。このとき、バレル研磨などにより積層チップの角部および稜線部に丸みがつけられてもよい。
【0103】
積層チップが焼成されることにより、積層体１０が作製される。焼成温度は、誘電体層２０や内部電極層３０の材料にもよるが、９００℃以上１４００℃以下であることが好ましい。
【0104】
このとき、外層部用の誘電体シートとして、内層部用の誘電体シートよりも有機物体積比の大きいシートを用いているため、焼成時において、外層部となる部分を構成する誘電体シートが、内層部１１となる部分を構成する誘電体シートよりも大きく収縮する。これにより、内層部１１が外層部よりも突出した構造が得られる。
【0105】
次に、焼成された後、積層体１０がバレル研磨により研磨される。このとき、バレル研磨により段差部および角部が選択的に研磨されていくことにより、本実施形態の構造の積層体１０が得られる。なお、本実施形態の構造の積層体１０を形成するための方法はこれに限らない。例えば、レーザー研磨により積層体１０を選択的に研磨するなどの方法も利用して、本実施形態の構造の積層体１０を形成してもよい。
【0106】
積層体１０の両端面に下地電極層（第１の下地電極層５０Ａ、第２の下地電極層５０Ｂ）となる導電性ペーストが塗布される。本実施形態においては、下地電極層は、焼き付け層である。ガラス成分と金属とを含む導電性ペーストが、例えばディッピングなどの方法により、積層体１０に塗布される。その後、焼き付け処理が行われ、下地電極層が形成される。この時の焼き付け処理の温度は、７００℃以上９００℃以下であることが好ましい。
【0107】
なお、焼成前の積層チップと、積層チップに塗布した導電性ペーストとを同時に焼成する場合には、焼き付け層は、ガラス成分の代わりにセラミック材料を添加したものを焼き付けて形成することが好ましい。このとき、添加するセラミック材料として、誘電体層２０と同種のセラミック材料を用いることが特に好ましい。この場合は、焼成前の積層チップに対して、導電性ペーストを塗布し、積層チップと積層チップに塗布した導電性ペーストを同時に焼き付けて、焼き付け層が形成された積層体１０を形成する。
【0108】
その後、下地電極層の表面に、めっき層が形成される。本実施形態においては、第１の下地電極層５０Ａの表面に、第１のめっき層６０Ａが形成される。また、第２の下地電極層５０Ｂの表面に、第２のめっき層６０Ｂが形成される。本実施形態では、めっき層として、Ｎｉめっき層およびＳｎめっき層が形成される。めっき処理を行うにあたっては、電解めっき、無電解めっきのどちらを採用してもよい。ただし、無電解めっきは、めっき析出速度を向上させるために、触媒などによる前処理が必要となるため、工程が複雑化するというデメリットがある。したがって、通常は、電解めっきを採用することが好ましい。Ｎｉめっき層およびＳｎめっき層は、例えばバレルめっきにより、順次形成される。
【0109】
なお、下地電極層を薄膜層で形成する場合は、マスキングなどを行うことにより、外部電極を形成したい部分に下地電極層としての薄膜層が形成される。薄膜層は、スパッタ法または蒸着法等の薄膜形成法により形成される。薄膜層は、金属粒子が堆積された１μｍ以下の層である。
【0110】
なお、下地電極層として導電性樹脂層を設ける場合、導電性樹脂層は、焼き付け層を覆うように配置されてもよいし、焼き付け層を設けずに積層体１０上に直接配置されてもよい。導電性樹脂層を設ける場合は、熱硬化性樹脂および金属成分を含む導電性樹脂ペーストが焼き付け層上もしくは積層体１０上に塗布され、その後、２５０～５５０℃以上の温度で熱処理される。これにより、熱硬化樹脂が熱硬化して、導電性樹脂層が形成される。この熱処理時の雰囲気は、Ｎ２雰囲気であることが好ましい。また、樹脂の飛散を防ぎ、かつ、各種金属成分の酸化を防ぐため、酸素濃度は１００ｐｐｍ以下であることが好ましい。
【0111】
なお、下地電極層を設けずに、めっき層が積層体１０の内部電極層３０の露出部に直接配置されてもよい。この場合は、積層体１０の第１の端面ＬＳ１および第２の端面ＬＳ２にめっき処理が施され、内部電極層３０の露出部上にめっき層が形成される。めっき処理を行うにあたっては、電解めっき、無電解めっきのどちらを採用してもよい。ただし、無電解めっきは、めっき析出速度を向上させるために、触媒などによる前処理が必要となるため、工程が複雑化するというデメリットがある。したがって、通常は、電解めっきを採用することが好ましい。めっき工法としては、バレルめっきを採用することが好ましい。また、必要に応じて、下層めっき層の表面に形成される上層めっき層を、下層めっき層と同様の工法により形成してもよい。
【0112】
このような製造工程により、積層セラミックコンデンサ１が製造される。
【0113】
なお、積層セラミックコンデンサ１の構成は、図２に示す構成に限定されない。例えば、積層セラミックコンデンサ１は、図８、図９、図１０に示すような、２連構造、３連構造、４連構造の積層セラミックコンデンサであってもよい。図８は、２連構造の積層セラミックコンデンサの構成の一例を示す模式図である。図９は、３連構造の積層セラミックコンデンサの構成の一例を示す模式図である。図１０は４連構造の積層セラミックコンデンサの構成の一例を示す模式図である。
【0114】
図８に示す積層セラミックコンデンサ１は、２連構造の積層セラミックコンデンサ１であり、内部電極層３０として、第１の内部電極層３１および第２の内部電極層３２に加えて、第１の端面ＬＳ１および第２の端面ＬＳ２のどちらにも引き出されない浮き内部電極層３５を備える。図９に示す積層セラミックコンデンサ１は、浮き内部電極層３５として、第１の浮き内部電極層３５Ａおよび第２の浮き内部電極層３５Ｂを備えた、３連構造の積層セラミックコンデンサ１である。図１０に示す積層セラミックコンデンサ１は、浮き内部電極層３５として、第１の浮き内部電極層３５Ａ、第２の浮き内部電極層３５Ｂおよび第３の浮き内部電極層３５Ｃを備えた、４連構造の積層セラミックコンデンサ１である。このように、内部電極層３０として、浮き内部電極層３５を設けることにより、積層セラミックコンデンサ１は、対向電極部が複数に分割された構造となる。これにより、対向する内部電極層３０間において複数のコンデンサ成分が形成され、これらのコンデンサ成分が直列に接続された構成となる。よって、それぞれのコンデンサ成分に印加される電圧が低くなり、積層セラミックコンデンサ１の高耐圧化を図ることができる。なお、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１は、４連以上の多連構造であってもよいことはいうまでもない。
【0115】
なお、積層セラミックコンデンサ１は、２個の外部電極を備える２端子型のものであってもよいし、多数の外部電極を備える多端子型のものであってもよい。
【0116】
なお、上述した実施形態では、積層セラミック電子部品として、誘電体セラミックにより構成される誘電体層２０がセラミック層として用いられている積層セラミックコンデンサを例示した。しかしながら、本開示の積層セラミック電子部品はこれに限定されない。例えば、本開示のセラミック電子部品は、セラミック層として圧電体セラミックを用いた圧電部品、セラミック層として半導体セラミックを用いたサーミスタ、およびセラミック層として磁性体セラミックを用いたインダクタ等の種々の積層セラミック電子部品にも適用可能である。圧電体セラミックとしてはＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）系セラミック等が挙げられ、半導体セラミックとしてはスピネル系セラミック等が挙げられ、磁性体セラミックとしてはフェライト等セラミックが挙げられる。
【0117】
本発明は、上記実施形態の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。なお、上記実施形態において記載する個々の望ましい構成を２つ以上組み合わせたものもまた本発明である。
【0118】
本実施形態の積層セラミックコンデンサ１によれば、以下の効果を奏する。
【0119】
（１）本実施形態の積層セラミックコンデンサ１（積層セラミック電子部品１）は、複数の積層された誘電体層２０（セラミック層２０）と、誘電体層２０上に積層された複数の内部電極層３０（内部導体層３０）とを有し、積層方向Ｔに相対する第１の主面ＴＳ１および第２の主面ＴＳ２と、積層方向Ｔに直交する幅方向Ｗに相対する第１の側面ＷＳ１および第２の側面ＷＳ２と、積層方向Ｔおよび幅方向Ｗに直交する長さ方向Ｌに相対する第１の端面ＬＳ１および第２の端面ＬＳ２と、を含む積層体１０と、第１の端面ＬＳ１上に配置され、内部電極層３０に接続された第１の外部電極４０Ａと、第２の端面ＬＳ２上に配置され、内部電極層３０に接続された第２の外部電極４０Ｂと、を有する積層セラミックコンデンサ１であって、積層体１０は、複数の誘電体層２０の一部と内部電極層３０とを含む内層部１１と、内層部１１を挟み込むように配置され、複数の誘電体層２０の一部以外の部分をそれぞれ含む第１の主面ＴＳ１側の第１の主面側外層部１２Ａ（第１の外層部）および第２の主面ＴＳ２側の第２の主面側外層部１２Ｂ（第２の外層部）を有し、第１の端面ＬＳ１および第２の端面ＬＳ２はそれぞれ、内層部１１によって表面が形成される内層端面ＬＳ１００と、第１の主面側外層部１２Ａによって表面が形成される第１の外層端面ＬＳ１３１と、第２の主面側外層部１２Ｂによって表面が形成される第２の外層端面ＬＳ１３２と、を有し、内層端面ＬＳ１００は、第１の外層端面ＬＳ１３１および第２の外層端面ＬＳ１３２よりも、長さ方向Ｌに突出した位置に面を有する突出端面ＬＳ１１０と、第１の外層端面ＬＳ１３１と突出端面ＬＳ１１０との間を繋ぐ面によって形成された第１の連結面ＬＳ１２１と、第２の外層端面ＬＳ１３２と突出端面ＬＳ１１０との間を繋ぐ面によって形成された第２の連結面ＬＳ１２２と、を有し、第１の外層端面ＬＳ１３１と第１の連結面ＬＳ１２１との境界部Ｐ１１における、第１の外層端面ＬＳ１３１と第１の連結面ＬＳ１２１とのなす角θは鈍角であり、第２の外層端面ＬＳ１３２と第２の連結面ＬＳ１２２との境界部Ｐ２１における、第２の外層端面ＬＳ１３２と第２の連結面ＬＳ１２２とのなす角θは鈍角であり、第１の連結面ＬＳ１２１および第２の連結面ＬＳ１２２にはそれぞれ、複数の内部電極層３０が露出する。
【0120】
前述の特許文献１に記載された構成においては、内層部と外層部の境界部分に設けられた段差が直角に形成されているため、この段差の部分に配置される外部電極に気泡が生じやすい。よって、この気泡の存在により、積層セラミックコンデンサの耐湿性が低下するおそれがある。例えば外部電極の下地電極層として焼き付け層を用いる場合、焼き付け層となる導電性ペーストの塗布時において、この段差の部分に気泡が残りやすい。この場合、焼成時に空気の体積が膨張したり、空気が外部に抜けることにより、焼き付け層内に大きな空隙が形成されたり、ピンホールが発生する可能性がある。これにより、積層セラミックコンデンサの耐湿性が低下するおそれがある。
【0121】
一方、本実施形態によれば、第１の外層端面ＬＳ１３１と内層端面ＬＳ１００の突出端面ＬＳ１１０との間を繋ぐ面によって形成された第１の連結面ＬＳ１２１が、内層端面ＬＳ１００の第１の主面ＴＳ１側に設けられていることにより、内層部１１と外層部の境界部分に導電性ペーストの気泡が発生しにくい。また、第２の外層端面ＬＳ１３２と内層端面ＬＳ１００の突出端面ＬＳ１１０との間を繋ぐ面によって形成された第２の連結面ＬＳ１２２が、内層端面ＬＳ１００の第２の主面ＴＳ２側に設けられていることにより、内層部１１と外層部の境界部分に導電性ペーストの気泡が発生しにくい。よって、内層部１１と外層部の境界部分におけるピンホール等の発生が抑制され、積層セラミックコンデンサ１の耐湿性を向上させることができる。
【0122】
このように、本実施形態の構成は、導電性ペーストが塗布されて形成される焼き付け層によって下地電極層が構成されている場合において、より顕著な効果を得ることができる。ただし、外部電極４０の構成は、これに限らない。例えば、下地電極層として導電性樹脂層を有する外部電極であってもよい。硬化前の導電性樹脂層は粘性を有するため、内層部１１と外層部の境界部分に設けられた段差が直角に形成されている場合、硬化前の導電性樹脂の塗布時において、この段差の部分に気泡が残りやすい。一方、本実施形態の第１の連結面ＬＳ１２１と第２の連結面ＬＳ１２２を有する構成であれば、下地電極層が導電性樹脂層の場合であっても、内層部１１と外層部の境界部分に配置される外部電極４０内に気泡が生じにくくなるため、積層セラミックコンデンサ１の耐湿性を向上させることができる。
【0123】
また、下地電極層を設けずに、積層体１０上にめっき層が直接配置される構成であっても、内層部１１と外層部の境界部分に配置される外部電極４０内に気泡が生じにくくなるため、積層セラミックコンデンサ１の耐湿性を向上させることができる。
【0124】
また、本実施形態においては、第１の外層端面ＬＳ１３１と第２の外層端面ＬＳ１３２を有する。第１の外層端面ＬＳ１３１と第２の外層端面ＬＳ１３２は、平坦面を含むことが好ましい。本実施形態に示されるような第１の外層端面ＬＳ１３１と第２の外層端面ＬＳ１３２を有することにより、導電性ペーストの塗布時において、導電性ペーストの過剰な流動が抑制される。これにより、内層部１１の端面付近の導電ペーストの厚みが薄くなることを抑制することが可能となり、積層セラミックコンデンサ１の耐湿性を向上させることができる。
【0125】
なお、仮に本実施形態に示されるような第１の外層端面ＬＳ１３１と第２の外層端面ＬＳ１３２を有していない場合、例えば、積層体１０の端面ＬＳと第１の主面ＴＳ１または第２の主面ＴＳ２の稜線部に設けられたＲ面取り部に内部電極層３０が露出しているような構成の場合、このＲ面取り部に位置する外部電極４０の厚みは薄くなりやすい。よって、Ｒ面取り部に露出する内部電極層３０と外部電極４０の表面との距離が短くなり、積層セラミックコンデンサ１の耐湿性が低下するおそれがある。
【0126】
また、本実施形態においては、内層端面ＬＳ１００に突出端面ＬＳ１１０を有する。突出端面ＬＳ１１０は、平坦面によって構成されていることが好ましい。仮に積層体１０の端面ＬＳの中央部付近が膨らむようにラウンドしている場合、例えばディッピングにより導電性ペーストを塗布した場合に、導電性ペーストが重力により積層体１０の端面の中央部付近に集まりやすくなるため、積層体１０の端面ＬＳの中央部付近の外部電極が過剰に厚くなってしまう。また、相対的に内層部１１の端面付近の導電性ペーストの厚みが薄くなりやすいため、積層セラミックコンデンサ１の耐湿性が低下するおそれがあった。
【0127】
本実施形態に示されるような突出端面ＬＳ１１０を有することにより、例えばディッピング等によって導電性ペーストを塗布する際に、突出端面ＬＳ１１０の中央付近に導電性ペーストが集まる状況を防ぐことができる。よって、突出端面ＬＳ１１０の中央付近の外部電極４０が過剰に厚くなることを抑制できため、積層セラミックコンデンサ１の長さ方向の寸法を小さくすることができる。あるいは、外部電極４０の最大厚み部分の厚みを薄くできる分、積層体１０の対向電極部１１Ｅ（コンデンサ有効部）の体積を増やし、静電容量を大きくすることも可能である。このように、積層セラミックコンデンサ１の設計自由度を向上させることが可能となる。また、突出端面ＬＳ１１０の中央付近に導電性ペーストが集まる状況を防ぐことができることから、内層部１１を覆う導電性ペーストの厚みの偏りを防ぐことが可能となる。よって、内層部１１の端面付近の導電ペーストの厚みが薄くなることを抑制することが可能となり、積層セラミックコンデンサ１の耐湿性を向上させることができる。以上のように、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１によれば、耐湿性の高い積層セラミックコンデンサ１を提供できる。
【0128】
（２）本実施形態では、第１の連結面ＬＳ１２１および第２の連結面ＬＳ１２２は、曲面または傾斜した平面により形成されている。これにより、第１の連結面ＬＳ１２１および第２の連結面ＬＳ１２２が傾斜しているので、内部電極層３０の露出面積が増え、内部電極層と外部電極とのコンタクト性が向上する。よって、積層セラミックコンデンサ１の信頼性が向上する。また、導電性ペーストの塗布時において、より気泡が残りにくくすることができ、積層セラミックコンデンサ１の耐湿性を向上させることができる。
【0129】
（３）本実施形態では、突出端面ＬＳ１１０は略平坦面であり、第１の外層端面ＬＳ１３１および第２の外層端面ＬＳ１３２は略平坦面を含み、突出端面ＬＳ１１０と、第１の連結面ＬＳ１２１を突出端面ＬＳ１１０側に延長したときの第１の仮想面とのなす角は、突出端面ＬＳ１１０と第１の外層端面ＬＳ１３１とのなす角よりも大きく、突出端面ＬＳ１１０と、第２の連結面ＬＳ１２２を突出端面ＬＳ１１０側に延長したときの第２の仮想面とのなす角は、突出端面ＬＳ１１０と第２の外層端面ＬＳ１３２とのなす角よりも大きい。これにより、導電性ペーストの塗布時において、突出端面ＬＳ１１０の中央付近に導電性ペーストが集まる状況を防ぎつつ、気泡が残りにくくすることができ、積層セラミックコンデンサ１の品質を向上させることができる。
【0130】
（４）本実施形態では、突出端面ＬＳ１１０と第１の外層端面ＬＳ１３１は略平行であり、突出端面ＬＳ１１０と第２の外層端面ＬＳ１３２は略平行である。これにより、導電性ペーストの塗布時において、端面ＬＳにおける導電性ペーストの重力による厚みの偏りを抑制でき、品質を向上させることができる。
【0131】
（５）本実施形態では、第１の外層端面ＬＳ１３１に対する、突出端面ＬＳ１１０の突出量は、５μｍ以上５０μｍ以下であり、第２の外層端面ＬＳ１３２に対する、突出端面ＬＳ１１０の突出量は、５μｍ以上５０μｍ以下である。これにより、積層セラミックコンデンサ１は、小さいサイズのときでも導電性ペーストの塗布時における気泡発生を抑制することができる。
【0132】
（６）本実施形態では、第１の連結面ＬＳ１２１における、最も第１の主面ＴＳ１側の位置に露出している内部電極層３０の露出面と、第１の主面ＴＳ１側から第２の主面ＴＳ２側に向かって２番目の位置に露出している内部電極層３０の露出面とを結ぶ直線の延長線ＬＮ１０と、突出端面ＬＳ１１０とのなす角α１は２０°以上６０°以下であり、第２の連結面ＬＳ１２２における、最も第２の主面ＴＳ２側の位置に露出している内部電極層３０の露出面と、第２の主面ＴＳ２側から第１の主面ＴＳ１側に向かって２番目の位置に露出している内部電極層３０の露出面とを結ぶ直線の延長線ＬＮ２０と、突出端面ＬＳ１１０とのなす角β１は２０°以上６０°以下である。これにより、導電性ペーストの塗布時において、突出端面ＬＳ１１０の中央付近に導電性ペーストが集まる状況を防ぎつつ、気泡が残りにくくすることができ、積層セラミックコンデンサ１の品質を向上させることができる。
【0133】
（７）第１の連結面ＬＳ１２１および第２の連結面ＬＳ１２２は、曲面により形成されており、第１の連結面ＬＳ１２１における、最も第１の主面ＴＳ１側の位置に露出している内部電極層３０の露出面と、第１の主面ＴＳ１側から第２の主面ＴＳ２側に向かって２番目の位置に露出している内部電極層３０の露出面とを結ぶ直線の延長線ＬＮ１０と、突出端面ＬＳ１１０とのなす角をα１とし、第１の主面ＴＳ１側から第２の主面ＴＳ２側に向かって２番目の位置に露出している内部電極層３０の露出面と、第１の主面ＴＳ１側から第２の主面ＴＳ２側に向かって３番目の位置に露出している内部電極層３０の露出面とを結ぶ直線の延長線ＬＮ１１と、突出端面ＬＳ１１０とのなす角をα２としたとき、α１＞α２であり、第２の連結面ＬＳ１２２における、最も第２の主面ＴＳ２側の位置に露出している内部電極層３０の露出面と、第２の主面ＴＳ２側から第１の主面ＴＳ１側に向かって２番目の位置に露出している内部電極層３０の露出面とを結ぶ直線の延長線ＬＮ２０と、突出端面ＬＳ１１０とのなす角をβ１とし、第２の主面ＴＳ２側から第１の主面ＴＳ１側に向かって２番目の位置に露出している内部電極層３０の露出面と、第２の主面ＴＳ２側から第１の主面ＴＳ１側に向かって３番目の位置に露出している内部電極層３０の露出面とを結ぶ直線の延長線ＬＮ２１と、突出端面ＬＳ１１０とのなす角をβ２としたとき、β１＞β２である。これにより、導電性ペーストの塗布時において、突出端面ＬＳ１１０の中央付近に導電性ペーストが集まる状況を防ぎつつ、気泡が残りにくくすることができ、積層セラミックコンデンサ１の品質を向上させることができる。
【0134】
（８）本実施形態では、第１の主面ＴＳ１側から第２の主面ＴＳ２側に向かって３番目の位置に露出している内部電極層３０の露出面と、第１の主面ＴＳ１側から第２の主面ＴＳ２側に向かって４番目の位置に露出している内部電極層３０の露出面とを結ぶ直線の延長線ＬＮ１２と、突出端面ＬＳ１１０とのなす角をα３としたとき、α１＞α２＞α３であり、第２の主面ＴＳ２側から第１の主面ＴＳ１側に向かって３番目の位置に露出している内部電極層３０の露出面と、第２の主面ＴＳ２側から第１の主面ＴＳ１側に向かって４番目の位置に露出している内部電極層３０の露出面とを結ぶ直線の延長線ＬＮ２２と、突出端面ＬＳ１１０とのなす角をβ３としたとき、β１＞β２＞β３である。これにより、導電性ペーストの塗布時において、突出端面ＬＳ１１０の中央付近に導電性ペーストが集まる状況を防ぎつつ、気泡が残りにくくすることができ、積層セラミックコンデンサ１の品質を向上させることができる。
【0135】
本発明は、上記実施形態の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。なお、上記実施形態において記載する個々の望ましい構成を２つ以上組み合わせたものもまた本発明である。
【符号の説明】
【0136】
１ 積層セラミックコンデンサ（積層セラミック電子部品）
１０ 積層体
１１ 内層部
１２Ａ 第１の主面側外層部（第１の外層部）
１２Ｂ 第２の主面側外層部（第２の外層部）
ＬＳ 端面
ＬＳ１ 第１の端面
ＬＳ２ 第２の端面
ＬＳ１００ 内層端面
ＬＳ１１０ 突出端面
ＬＳ１２１ 第１の連結面
ＬＳ１２２ 第２の連結面
ＬＳ１３１ 第１の外層端面
ＬＳ１３２ 第２の外層端面
Ｐ１１ 境界部
Ｐ１２ 境界部
Ｐ２１ 境界部
Ｐ２２ 境界部
ＷＳ１ 第１の側面
ＷＳ２ 第２の側面
ＴＳ１ 第１の主面
ＴＳ２ 第２の主面
２０ 誘電体層（セラミック層）
３０ 内部電極層（内部導体層）
４０Ａ 第１の外部電極
４０Ｂ 第２の外部電極
Ｌ 長さ方向
Ｗ 幅方向
Ｔ 積層方向
１０ 積層体
１１ 内層部
１２Ａ 第１の主面側外層部（第１の外層部）
１２Ｂ 第２の主面側外層部（第２の外層部）
ＬＳ 端面
ＬＳ１ 第１の端面
ＬＳ２ 第２の端面
ＬＳ１００ 内層端面
ＬＳ１１０ 突出端面
ＬＳ１２１ 第１の連結面
ＬＳ１２２ 第２の連結面
ＬＳ１３１ 第１の外層端面
ＬＳ１３２ 第２の外層端面
Ｐ１１ 境界部
Ｐ１２ 境界部
Ｐ２１ 境界部
Ｐ２２ 境界部
ＷＳ１ 第１の側面
ＷＳ２ 第２の側面
ＴＳ１ 第１の主面
ＴＳ２ 第２の主面
２０ 誘電体層（セラミック層）
３０ 内部電極層（内部導体層）
４０Ａ 第１の外部電極
４０Ｂ 第２の外部電極
Ｌ 長さ方向
Ｗ 幅方向
Ｔ 積層方向
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】