(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023119213
(43)【公開日】2023-08-28
(54)【発明の名称】発光装置
(51)【国際特許分類】
H01L 33/48 20100101AFI20230821BHJP
【ＦＩ】
H01L33/48
【審査請求】未請求
【請求項の数】10
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022021953
(22)【出願日】2022-02-16
(71)【出願人】
【識別番号】000000295
【氏名又は名称】沖電気工業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100174104
【弁理士】
【氏名又は名称】奥田 康一
(72)【発明者】
【氏名】小酒 達
(72)【発明者】
【氏名】谷川 兼一
(72)【発明者】
【氏名】中井 佑亮
(72)【発明者】
【氏名】石川 琢磨
(72)【発明者】
【氏名】川田 寛人
【テーマコード（参考）】
5F142
【Ｆターム（参考）】
5F142AA02
5F142BA32
5F142CB07
5F142CB14
5F142CB23
5F142CD02
5F142CD15
5F142CD44
5F142CG27
5F142DB24
5F142GA02
(57)【要約】 （修正有）
【課題】効率良く高輝度を得る。
【解決手段】ＬＥＤディスプレイ装置１は、基板表面１０Ｓに設けられ薄膜ＬＥＤ３０Ｇのバンドギャップの薄膜ＬＥＤ３０Ｇを含む第１の薄膜層２０Ｇと、薄膜ＬＥＤ３０Ｇのバンドギャップと異なる薄膜ＬＥＤ３０Ｂのバンドギャップの薄膜ＬＥＤ３０Ｂを含む第２の薄膜層２０Ｂと、薄膜ＬＥＤ３０Ｇのバンドギャップ及び薄膜ＬＥＤ３０Ｂのバンドギャップよりも小さい薄膜ＬＥＤ３０Ｒのバンドギャップの薄膜ＬＥＤ３０Ｒを含む第３の薄膜層２０Ｒとを設け、第２の薄膜ＬＥＤ３０Ｂ及び第３の薄膜層２０Ｒは第１の薄膜層２０Ｇの上方に所定の順序で重なって形成され、薄膜ＬＥＤ３０Ｒは、積層方向から見たとき、薄膜ＬＥＤ３０Ｒが薄膜ＬＥＤ３０Ｇ及び３０Ｂと重なる領域である光吸収領域ＡＲａが、薄膜ＬＥＤ３０Ｇと薄膜ＬＥＤ３０Ｂとが重なる領域である光透過領域ＡＲｔよりも小さくなるように配置されるようにする。
【選択図】図１４
【解決手段】ＬＥＤディスプレイ装置１は、基板表面１０Ｓに設けられ薄膜ＬＥＤ３０Ｇのバンドギャップの薄膜ＬＥＤ３０Ｇを含む第１の薄膜層２０Ｇと、薄膜ＬＥＤ３０Ｇのバンドギャップと異なる薄膜ＬＥＤ３０Ｂのバンドギャップの薄膜ＬＥＤ３０Ｂを含む第２の薄膜層２０Ｂと、薄膜ＬＥＤ３０Ｇのバンドギャップ及び薄膜ＬＥＤ３０Ｂのバンドギャップよりも小さい薄膜ＬＥＤ３０Ｒのバンドギャップの薄膜ＬＥＤ３０Ｒを含む第３の薄膜層２０Ｒとを設け、第２の薄膜ＬＥＤ３０Ｂ及び第３の薄膜層２０Ｒは第１の薄膜層２０Ｇの上方に所定の順序で重なって形成され、薄膜ＬＥＤ３０Ｒは、積層方向から見たとき、薄膜ＬＥＤ３０Ｒが薄膜ＬＥＤ３０Ｇ及び３０Ｂと重なる領域である光吸収領域ＡＲａが、薄膜ＬＥＤ３０Ｇと薄膜ＬＥＤ３０Ｂとが重なる領域である光透過領域ＡＲｔよりも小さくなるように配置されるようにする。
【選択図】図１４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板面を有する基板と、
前記基板面に設けられ、第１のバンドギャップを有する第１の発光素子を含む第１の層と、
前記第１のバンドギャップと異なる第２のバンドギャップを有する第２の発光素子を含む第２の層と、
前記第１のバンドギャップ及び前記第２のバンドギャップよりも小さい第３のバンドギャップを有する第３の発光素子を含む第３の層と
を有し、
前記第２の層及び前記第３の層は、前記第１の層の上方に所定の順序で重なって形成され、
前記第３の発光素子は、
前記基板面に直交する方向から見たとき、前記第３の発光素子が前記第１の発光素子及び前記第２の発光素子と重なる領域が、前記第１の発光素子と前記第２の発光素子とが重なる領域よりも小さくなるように配置される
発光装置。
前記基板面に設けられ、第１のバンドギャップを有する第１の発光素子を含む第１の層と、
前記第１のバンドギャップと異なる第２のバンドギャップを有する第２の発光素子を含む第２の層と、
前記第１のバンドギャップ及び前記第２のバンドギャップよりも小さい第３のバンドギャップを有する第３の発光素子を含む第３の層と
を有し、
前記第２の層及び前記第３の層は、前記第１の層の上方に所定の順序で重なって形成され、
前記第３の発光素子は、
前記基板面に直交する方向から見たとき、前記第３の発光素子が前記第１の発光素子及び前記第２の発光素子と重なる領域が、前記第１の発光素子と前記第２の発光素子とが重なる領域よりも小さくなるように配置される
発光装置。
【請求項2】
前記第２の層は、前記第１の層上に積層され、
前記第３の層は、前記第２の層上に積層される
請求項１に記載の発光装置。
前記第３の層は、前記第２の層上に積層される
請求項１に記載の発光装置。
【請求項3】
前記第３の層は、前記第１の層上に積層され、
前記第２の層は、前記第３の層上に積層される
請求項１に記載の発光装置。
前記第２の層は、前記第３の層上に積層される
請求項１に記載の発光装置。
【請求項4】
前記第３の発光素子は、
前記基板面に直交する方向から見たときに前記第１の発光素子及び前記第２の発光素子に対して重ならないように配置される
請求項１乃至請求項３の何れかに記載の発光装置。
前記基板面に直交する方向から見たときに前記第１の発光素子及び前記第２の発光素子に対して重ならないように配置される
請求項１乃至請求項３の何れかに記載の発光装置。
【請求項5】
基板と、
前記基板上に設けられ、第１のバンドギャップを有する第１の発光素子を含む第１の層と、
前記第１のバンドギャップと異なる第２のバンドギャップを有する第２の発光素子を含む第２の層と、
前記第１の層と前記第２の層との間に積層され、前記第１のバンドギャップ及び前記第２のバンドギャップよりも小さい第３のバンドギャップを有する第３の発光素子を含む第３の層と
を有し、
前記第１の発光素子は、
積層方向から見たときに、前記第１の発光素子が前記第２の発光素子及び前記第３の発光素子と重なる領域が、前記第２の発光素子と前記第３の発光素子とが重なる領域よりも小さくなるように配置される
発光装置。
前記基板上に設けられ、第１のバンドギャップを有する第１の発光素子を含む第１の層と、
前記第１のバンドギャップと異なる第２のバンドギャップを有する第２の発光素子を含む第２の層と、
前記第１の層と前記第２の層との間に積層され、前記第１のバンドギャップ及び前記第２のバンドギャップよりも小さい第３のバンドギャップを有する第３の発光素子を含む第３の層と
を有し、
前記第１の発光素子は、
積層方向から見たときに、前記第１の発光素子が前記第２の発光素子及び前記第３の発光素子と重なる領域が、前記第２の発光素子と前記第３の発光素子とが重なる領域よりも小さくなるように配置される
発光装置。
【請求項6】
前記第２のバンドギャップは、前記第１のバンドギャップよりも大きい
請求項１乃至請求項５の何れかに記載の発光装置。
請求項１乃至請求項５の何れかに記載の発光装置。
【請求項7】
基板面を有する基板と、
前記基板面に設けられ、第１の波長の光を発光する第１の発光素子を含む第１の層と、
前記第１の波長と異なる第２の波長の光を発光する第２の発光素子を含む第２の層と、
前記第１の波長及び前記第２の波長よりも長い第３の波長の光を発光する第３の発光素子を含む第３の層と
を有し、
前記第２の層及び前記第３の層は、前記第１の層の上方に所定の順序で重なって形成され、
前記第３の発光素子は、
前記基板面に直交する方向から見たとき、前記第３の発光素子が前記第１の発光素子及び前記第２の発光素子と重なる領域が、前記第１の発光素子と前記第２の発光素子とが重なる領域よりも小さくなるように配置される
発光装置。
前記基板面に設けられ、第１の波長の光を発光する第１の発光素子を含む第１の層と、
前記第１の波長と異なる第２の波長の光を発光する第２の発光素子を含む第２の層と、
前記第１の波長及び前記第２の波長よりも長い第３の波長の光を発光する第３の発光素子を含む第３の層と
を有し、
前記第２の層及び前記第３の層は、前記第１の層の上方に所定の順序で重なって形成され、
前記第３の発光素子は、
前記基板面に直交する方向から見たとき、前記第３の発光素子が前記第１の発光素子及び前記第２の発光素子と重なる領域が、前記第１の発光素子と前記第２の発光素子とが重なる領域よりも小さくなるように配置される
発光装置。
【請求項8】
基板と、
前記基板上に設けられ、第１の波長の光を発光する第１の発光素子を含む第１の層と、
前記第１の波長と異なる第２の波長の光を発光する第２の発光素子を含む第２の層と、
前記第１の層と前記第２の層との間に積層され、前記第１の波長及び前記第２の波長よりも長い第３の波長の光を発光する第３の発光素子を含む第３の層と
を有し、
前記第１の発光素子は、
積層方向から見たときに、前記第１の発光素子が前記第２の発光素子及び前記第３の発光素子と重なる領域が、前記第２の発光素子と前記第３の発光素子とが重なる領域よりも小さくなるように配置される
発光装置。
前記基板上に設けられ、第１の波長の光を発光する第１の発光素子を含む第１の層と、
前記第１の波長と異なる第２の波長の光を発光する第２の発光素子を含む第２の層と、
前記第１の層と前記第２の層との間に積層され、前記第１の波長及び前記第２の波長よりも長い第３の波長の光を発光する第３の発光素子を含む第３の層と
を有し、
前記第１の発光素子は、
積層方向から見たときに、前記第１の発光素子が前記第２の発光素子及び前記第３の発光素子と重なる領域が、前記第２の発光素子と前記第３の発光素子とが重なる領域よりも小さくなるように配置される
発光装置。
【請求項9】
前記第１の発光素子は、青色又は緑色の何れか一方の光を発光し、
前記第２の発光素子は、青色又は緑色の何れか他方の光を発光し、
前記第３の発光素子は、赤色の光を発光する
請求項１乃至請求項８の何れかに記載の発光装置。
前記第２の発光素子は、青色又は緑色の何れか他方の光を発光し、
前記第３の発光素子は、赤色の光を発光する
請求項１乃至請求項８の何れかに記載の発光装置。
【請求項10】
前記第３の層において前記第３の発光素子よりも前記基板側に設けられ、前記第３の発光素子と前記基板とを電気的に導通すると共に、前記第３の発光素子が発光した光を反射する電極
をさらに有する請求項９に記載の発光装置。
をさらに有する請求項９に記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は発光装置に関し、例えば半導体素子が回路基板に実装された発光装置に適用して好適なものである。
【背景技術】
【0002】
近年、回路基板にマトリクス状に実装された複数の半導体素子を選択的に駆動して発光させることにより、画像を表示する発光装置が提案されている。またそのような発光装置においては、半導体のバンドギャップ波長が長いものから短いものに向かって、下層側から赤色半導体発光素子、緑色半導体発光素子及び青色半導体発光素子の順番で半導体発光素子が積層方向に沿って積層されているものがある（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１０－６２３５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
このような発光装置においては、効率良く高輝度を得ることが望まれている。
【0005】
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、効率良く高輝度を得る発光装置を提案しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【0006】
かかる課題を解決するため本発明の発光装置においては、基板面を有する基板と、基板面に設けられ、第１のバンドギャップを有する第１の発光素子を含む第１の層と、第１のバンドギャップと異なる第２のバンドギャップを有する第２の発光素子を含む第２の層と、第１のバンドギャップ及び第２のバンドギャップよりも小さい第３のバンドギャップを有する第３の発光素子を含む第３の層とを設け、第２の層及び第３の層は、第１の層の上方に所定の順序で重なって形成され、第３の発光素子は、基板面に直交する方向から見たとき、第３の発光素子が第１の発光素子及び第２の発光素子と重なる領域が、第１の発光素子と第２の発光素子とが重なる領域よりも小さくなるように配置されるようにした。
【0007】
また本発明の発光装置においては、基板と、基板上に設けられ、第１のバンドギャップを有する第１の発光素子を含む第１の層と、第１のバンドギャップと異なる第２のバンドギャップを有する第２の発光素子を含む第２の層と、第１の層と第２の層との間に積層され、第１のバンドギャップ及び第２のバンドギャップよりも小さい第３のバンドギャップを有する第３の発光素子を含む第３の層とを設け、第１の発光素子は、積層方向から見たときに、第１の発光素子が第２の発光素子及び第３の発光素子と重なる領域が、第２の発光素子と第３の発光素子とが重なる領域よりも小さくなるように配置されるようにした。
【0008】
さらに本発明の発光装置においては、基板面を有する基板と、基板面に設けられ、第１の波長の光を発光する第１の発光素子を含む第１の層と、第１の波長と異なる第２の波長の光を発光する第２の発光素子を含む第２の層と、第１の波長及び第２の波長よりも長い第３の波長の光を発光する第３の発光素子を含む第３の層とを設け、第２の層及び第３の層は、第１の層の上方に所定の順序で重なって形成され、第３の発光素子は、基板面に直交する方向から見たとき、第３の発光素子が第１の発光素子及び第２の発光素子と重なる領域が、第１の発光素子と第２の発光素子とが重なる領域よりも小さくなるように配置されるようにした。
【0009】
さらに本発明の発光装置においては、基板と、基板上に設けられ、第１の波長の光を発光する第１の発光素子を含む第１の層と、第１の波長と異なる第２の波長の光を発光する第２の発光素子を含む第２の層と、第１の層と第２の層との間に積層され、第１の波長及び第２の波長よりも長い第３の波長の光を発光する第３の発光素子を含む第３の層とを設け、第１の発光素子は、積層方向から見たときに、第１の発光素子が第２の発光素子及び第３の発光素子と重なる領域が、第２の発光素子と第３の発光素子とが重なる領域よりも小さくなるように配置されるようにした。
【0010】
本発明は、発光装置の外部へ向かう少なくとも第１の発光素子から発せられた光の経路から第３の発光素子の少なくとも一部分を退避させ、第３の発光素子によって吸収されずに発光装置の外部へ出射される第１の発光素子から発せられた光を増加させることができる。
【発明の効果】
【0011】
本発明によれば、効率良く高輝度を得る発光装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【図1】ＬＥＤディスプレイ装置の構成を示す斜視図である。
【図6】第１の実施の形態による第１の薄膜層の構成を示す平面図である。
【図7】第１の実施の形態による第２の薄膜層の構成を示す平面図である。
【図8】第１の実施の形態による第３の薄膜層の構成を示す平面図である。
【図12】第１の実施の形態によるＬＥＤディスプレイ表示部の製造工程を示す断面図である。
【図14】第１の実施の形態による薄膜層の重複の様子を示す平面図である。
【図19】第２の実施の形態による第１の薄膜層の構成を示す平面図である。
【図20】第２の実施の形態による第２の薄膜層の構成を示す平面図である。
【図21】第２の実施の形態による第３の薄膜層の構成を示す平面図である。
【図25】第２の実施の形態によるＬＥＤディスプレイ表示部の製造工程を示す断面図である。
【図28】第２の実施の形態による薄膜層の重複の様子を示す平面図である。
【図33】第３の実施の形態による第１の薄膜層の構成を示す平面図である。
【図34】第３の実施の形態による第２の薄膜層の構成を示す平面図である。
【図35】第３の実施の形態による第３の薄膜層の構成を示す平面図である。
【図39】第３の実施の形態によるＬＥＤディスプレイ表示部の製造工程を示す断面図である。
【図41】第３の実施の形態による薄膜層の重複の様子を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【0013】
以下、発明を実施するための形態（以下実施の形態とする）について、図面を用いて説明する。
【0014】
［１．第１の実施の形態］
［１－１．ＬＥＤディスプレイ装置の構成］
図１及び図２に示すように、ＬＥＤディスプレイ装置１は、ＬＥＤディスプレイ表示部２、放熱部材３、接続ケーブル４、接続端子部５及び駆動ドライバ６等を有している。ＬＥＤディスプレイ装置１は、マイクロＬＥＤディスプレイとも呼ばれており、赤色、緑色及び青色でなる１組のＬＥＤ素子を１つの画素と対応させたディスプレイデバイスとなっている。すなわち、ＬＥＤディスプレイ表示部２は、アクティブマトリクス回路基板である回路基板１０上にマトリクス状に無機発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）を含む素子をピクセル（１画素）として配列した表示装置である。回路基板１０は、ピクセル内のＬＥＤを選択的に駆動するために、配線層と、配線層に接続される駆動素子や駆動回路が配置されており、ＬＥＤとの電気的接続を行う基板である。以下では図１において紙面上で左から右へ向かう方向を＋Ｘ方向とし、紙面上で右上から左下へ向かう方向を＋Ｙ方向とし、紙面上で下から上へ向かう方向を＋Ｚ方向とする。
［１－１．ＬＥＤディスプレイ装置の構成］
図１及び図２に示すように、ＬＥＤディスプレイ装置１は、ＬＥＤディスプレイ表示部２、放熱部材３、接続ケーブル４、接続端子部５及び駆動ドライバ６等を有している。ＬＥＤディスプレイ装置１は、マイクロＬＥＤディスプレイとも呼ばれており、赤色、緑色及び青色でなる１組のＬＥＤ素子を１つの画素と対応させたディスプレイデバイスとなっている。すなわち、ＬＥＤディスプレイ表示部２は、アクティブマトリクス回路基板である回路基板１０上にマトリクス状に無機発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）を含む素子をピクセル（１画素）として配列した表示装置である。回路基板１０は、ピクセル内のＬＥＤを選択的に駆動するために、配線層と、配線層に接続される駆動素子や駆動回路が配置されており、ＬＥＤとの電気的接続を行う基板である。以下では図１において紙面上で左から右へ向かう方向を＋Ｘ方向とし、紙面上で右上から左下へ向かう方向を＋Ｙ方向とし、紙面上で下から上へ向かう方向を＋Ｚ方向とする。
【0015】
［１－２．ＬＥＤディスプレイ表示部の全体構成］
ＬＥＤディスプレイ表示部２は、図４及び図５に示すように、平板状の回路基板１０における＋Ｚ方向側の表面（以下ではこれを基板表面１０Ｓとも呼ぶ）に設定された表示領域内に、第１の薄膜層２０Ｇ、第２の薄膜層２０Ｂ及び第３の薄膜層２０Ｒの３つの薄膜層からなる薄膜層群１８が積層された構成となっている。以下では、第１の薄膜層２０Ｇ、第２の薄膜層２０Ｂ及び第３の薄膜層２０Ｒをまとめて、薄膜層２０とも呼ぶ。それぞれの薄膜層２０は、発光素子が格子状に並んだフィルム形状であり、そのフィルムサイズは、ＬＥＤディスプレイ表示部２のディスプレイサイズと同等となっている。このためＬＥＤディスプレイ表示部２は、各薄膜層２０のフィルムが、１画素毎に独立している訳ではなく、ディスプレイ全面のサイズとなっており、各薄膜層２０の１枚のフィルムの範囲がディスプレイ全面の範囲を占めている。
ＬＥＤディスプレイ表示部２は、図４及び図５に示すように、平板状の回路基板１０における＋Ｚ方向側の表面（以下ではこれを基板表面１０Ｓとも呼ぶ）に設定された表示領域内に、第１の薄膜層２０Ｇ、第２の薄膜層２０Ｂ及び第３の薄膜層２０Ｒの３つの薄膜層からなる薄膜層群１８が積層された構成となっている。以下では、第１の薄膜層２０Ｇ、第２の薄膜層２０Ｂ及び第３の薄膜層２０Ｒをまとめて、薄膜層２０とも呼ぶ。それぞれの薄膜層２０は、発光素子が格子状に並んだフィルム形状であり、そのフィルムサイズは、ＬＥＤディスプレイ表示部２のディスプレイサイズと同等となっている。このためＬＥＤディスプレイ表示部２は、各薄膜層２０のフィルムが、１画素毎に独立している訳ではなく、ディスプレイ全面のサイズとなっており、各薄膜層２０の１枚のフィルムの範囲がディスプレイ全面の範囲を占めている。
【0016】
放熱部材３（図１）は、例えばアルミニウムのように比較的高い熱伝導性を有する金属材料により、全体として扁平な直方体状に構成されている。この放熱部材３は、ＬＥＤディスプレイ表示部２の－Ｚ方向側、すなわち画像等を表示する面の反対側において、該ＬＥＤディスプレイ表示部２に当接するように設置されていることにより、回路基板１０の熱を放熱する。接続ケーブル４は、接続端子部５を介して所定の制御装置（図示せず）と電気的に接続されることにより、該制御装置から供給される画像信号を伝送して駆動ドライバ６に供給する。
【0017】
駆動ドライバ６は、例えば回路基板１０の表面に実装されており、接続ケーブル４及びＬＥＤディスプレイ表示部２とそれぞれ電気的に接続されている。この駆動ドライバ６は、例えば接続ケーブル４を介して供給される画像信号を基に赤色、緑色及び青色それぞれの駆動信号すなわち回路基板１０のゲート駆動信号を生成し、これらの駆動信号に基づいた駆動電流をＬＥＤディスプレイ表示部２に供給する。この結果、ＬＥＤディスプレイ装置１は、ＬＥＤディスプレイ表示部２の表示領域に、制御装置（図示せず）等から供給される画像信号に基づいた画像を表示する。
【0018】
以下では、ＬＥＤディスプレイ表示部２における回路基板１０及び薄膜層群１８のうち、１画素分の領域である画素部８について説明する。また以下では、カソード端子に関わる部材の符号の末尾には「Ｃ」を付し、第１の薄膜層２０Ｇの薄膜ＬＥＤ３０Ｇに関わる部材の符号の末尾には「Ｇ」を付し、第２の薄膜層２０Ｂの薄膜ＬＥＤ３０Ｂに関わる部材の符号の末尾には「Ｂ」を付し、第３の薄膜層２０Ｒの薄膜ＬＥＤ３０Ｒに関わる部材の符号の末尾には「Ｒ」を付す。さらに以下では、薄膜ＬＥＤ３０Ｇ、３０Ｂ及び３０Ｒの＋Ｚ方向側の面である上面（発光面）に直交する方向（すなわちＺ方向）を、発光方向Ｄｅとも呼ぶ。さらに以下では、第１の薄膜層２０Ｇ、第２の薄膜層２０Ｂ及び第３の薄膜層２０Ｒが積層される方向（すなわちＺ方向）を、積層方向とも呼ぶ。さらに以下では、図４において紙面上で左右に沿う方向、すなわち、図２におけるＡ－Ａ矢視断面に沿う方向をＡＡ断面方向Ｄａとも呼ぶ。また以下では、図５において紙面上で左右に沿う方向、すなわち、図２におけるＢ－Ｂ矢視断面に沿う方向をＢＢ断面方向Ｄｂとも呼ぶ。
【0019】
［１－３．回路基板の構成］
図３、図４及び図５に示すように、回路基板１０は、シリコンプロセスにより製造されたＣＭＯＳ（Complementary MOS）バックプレーン回路基板である。回路基板１０は、基材部１０Ｍ、絶縁層１１、接続パッド１２（接続パッド１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂ及び１２Ｃ）、アクティブ素子１４（アクティブ素子１４Ｒ、１４Ｇ及び１４Ｂ）並びに配線層１６を有している。
図３、図４及び図５に示すように、回路基板１０は、シリコンプロセスにより製造されたＣＭＯＳ（Complementary MOS）バックプレーン回路基板である。回路基板１０は、基材部１０Ｍ、絶縁層１１、接続パッド１２（接続パッド１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂ及び１２Ｃ）、アクティブ素子１４（アクティブ素子１４Ｒ、１４Ｇ及び１４Ｂ）並びに配線層１６を有している。
【0020】
基材部１０Ｍは、シリコンウェハである。絶縁層１１は、十分な絶縁性を備えており、配線層１６を＋Ｚ方向側から覆うように配設されている。
【0021】
接続パッド１２（接続パッド１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂ及び１２Ｃ）は、基板表面１０Ｓにおいてマトリクス状（すなわち格子状）に配列されている。以下では、接続パッド１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂ及び１２Ｃをまとめて接続パッド１２とも呼ぶ。この接続パッド１２は、１画素に対応しており、４個の接続パッド１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂ及び１２Ｃにより、接続パッド組１２Ｔが構成されている。接続パッド組１２Ｔは、接続パッド１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂ及び１２Ｃの外接矩形よりも内側（すなわち画素エリア内）に、発光部２４（図２）が位置するように配置されている。
【0022】
接続パッド１２Ｒは、導電性を有する材料でなり、＋Ｚ方向側から見た際に例えば正方形状であり、接続パッド組１２Ｔのうちの＋Ｘ－Ｙ方向側に位置している。また接続パッド１２Ｒは、垂直方向配線２２Ｒにおけるアノードピラー４２ａＲ１の－Ｚ方向側に配され、基板表面１０Ｓに、接続パッド１２Ｒの＋Ｚ方向側の表面（上面）（以下ではこれを接続パッド表面１２ＲＳとも呼ぶ）を露出させている。さらに接続パッド１２Ｒは、回路基板１０の内部においてアクティブ素子１４Ｒと電気的に接続されていると共に、接続パッド表面１２ＲＳが第１の薄膜層２０Ｇにおけるアノードピラー４２ａＲ１の－Ｚ方向側の表面（下面）（以下ではこれをアノードピラー下面４２ａＲ１Ｓ２とも呼ぶ）に接触しており、電気的に接続されている。
【0023】
接続パッド１２Ｇは、接続パッド１２Ｒと同様に構成されており、接続パッド組１２Ｔのうちの－Ｘ＋Ｙ方向側に位置している。また接続パッド１２Ｇは、垂直方向配線２２Ｇ（すなわちアノードパッド４４Ｇ）の－Ｚ方向側に配され、基板表面１０Ｓに、接続パッド１２Ｇの＋Ｚ方向側の表面（上面）（以下ではこれを接続パッド表面１２ＧＳとも呼ぶ）を露出させている。さらに接続パッド１２Ｇは、回路基板１０の内部においてアクティブ素子１４Ｇと電気的に接続されていると共に、接続パッド表面１２ＧＳが第１の薄膜層２０Ｇにおけるアノードパッド４４Ｇの－Ｚ方向側の表面（下面）（以下ではこれをアノードパッド表面４４ＧＳとも呼ぶ）に接触しており、電気的に接続されている。
【0024】
接続パッド１２Ｂは、接続パッド１２Ｒと同様に構成されており、接続パッド組１２Ｔのうちの＋Ｘ＋Ｙ方向側に位置している。また接続パッド１２Ｂは、垂直方向配線２２Ｂにおけるアノードピラー４２ａＢの－Ｚ方向側に配され、基板表面１０Ｓに、接続パッド１２Ｂの＋Ｚ方向側の表面（上面）（以下ではこれを接続パッド表面１２ＢＳとも呼ぶ）を露出させている。さらに接続パッド１２Ｂは、回路基板１０の内部においてアクティブ素子１４Ｂと電気的に接続されていると共に、接続パッド表面１２ＢＳが第１の薄膜層２０Ｇにおけるアノードピラー４２ａＢの－Ｚ方向側の表面（下面）（以下ではこれをアノードピラー下面４２ａＢＳ２とも呼ぶ）に接触しており、電気的に接続されている。
【0025】
接続パッド１２Ｃは、接続パッド１２Ｒと同様に構成されており、接続パッド組１２Ｔのうちの－Ｘ－Ｙ方向側に位置している。また接続パッド１２Ｃは、垂直方向配線２２Ｃにおけるカソードピラー４０ｃＧの－Ｚ方向側に配され、基板表面１０Ｓに、接続パッド１２Ｃの＋Ｚ方向側の表面（上面）（以下ではこれを接続パッド表面１２ＣＳとも呼ぶ）を露出させている。さらに接続パッド１２Ｃは、回路基板１０の内部において配線層１６のカソード共通配線と電気的に接続されていると共に、接続パッド表面１２ＣＳが第１の薄膜層２０Ｇにおけるカソードピラー４０ｃＧの－Ｚ方向側の表面（下面）（以下ではこれをカソードピラー下面４０ｃＧＳ２とも呼ぶ）に接触しており、電気的に接続されている。
【0026】
アクティブ素子１４（アクティブ素子１４Ｒ、１４Ｇ及び１４Ｂ）は、回路基板１０内部においてマトリクス状（すなわち格子状）に配列されている。以下では、アクティブ素子１４Ｒ、１４Ｇ、及び１４Ｂをまとめてアクティブ素子１４とも呼ぶ。
【0027】
アクティブ素子１４Ｒは、２個のＭＯＳトランジスタと１個のコンデンサとにより構成されており、接続パッド１２Ｒの－Ｚ方向側に配され配線層１６内部の配線と電気的に接続されている。アクティブ素子１４Ｇ及び１４Ｂは、アクティブ素子１４Ｒと同様に構成されており、それぞれ接続パッド１２Ｇ及び１２Ｂの－Ｚ方向側に配され配線層１６内部の配線と電気的に接続されている。
【0028】
配線層１６内部の配線は、詳細には図示されないが、マトリクス状（すなわち格子状）に配置されており、アクティブ素子１４（アクティブ素子１４Ｒ、１４Ｇ及び１４Ｂ）並びに接続パッド１２（１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂ及び１２Ｃ）と適宜電気的に接続されていると共に、駆動ドライバ６と電気的に接続されている。
【0029】
回路基板１０は、基板表面１０Ｓが極めて平坦な平面状に形成されている。すなわち回路基板１０では、絶縁層１１の上面である絶縁層表面１１Ｓ、接続パッド表面１２ＲＳ、接続パッド表面１２ＧＳ、接続パッド表面１２ＢＳ及び接続パッド表面１２ＣＳが何れも極めて平坦であり、且つそれぞれが互いに平行な平面となっており、さらにそれぞれのＺ方向に関する距離（すなわち段差）も極めて小さくなっている。すなわち、絶縁層表面１１Ｓ、接続パッド表面１２ＲＳ、接続パッド表面１２ＧＳ、接続パッド表面１２ＢＳ及び接続パッド表面１２ＣＳは、それぞれ同一平面上に位置している。
【0030】
具体的に回路基板１０では、基板表面１０Ｓの表面粗さ、すなわち、絶縁層表面１１Ｓ、接続パッド表面１２ＲＳ、接続パッド表面１２ＧＳ、接続パッド表面１２ＢＳ及び接続パッド表面１２ＣＳにおける表面粗さ（ラフネス、表面最大段差とも呼ぶ）Ｒｐｖが何れも１０［ｎｍ］以下となっている。
【0031】
［１－４．薄膜層群の構成］
図４及び図５に示すように、薄膜層群１８は、第１の薄膜層２０Ｇ、第２の薄膜層２０Ｂ及び第３の薄膜層２０Ｒの３つの薄膜層２０が、－Ｚ方向から＋Ｚ方向へ向かって積層されている。薄膜層群１８は、回路基板１０上に分子間力により物理的に接合されると共に、該回路基板１０と電気的にも接続されている。
図４及び図５に示すように、薄膜層群１８は、第１の薄膜層２０Ｇ、第２の薄膜層２０Ｂ及び第３の薄膜層２０Ｒの３つの薄膜層２０が、－Ｚ方向から＋Ｚ方向へ向かって積層されている。薄膜層群１８は、回路基板１０上に分子間力により物理的に接合されると共に、該回路基板１０と電気的にも接続されている。
【0032】
薄膜層群１８には、ＬＥＤディスプレイ表示部２の領域内においてマトリクス状に配列された複数の画素（画素部８）が配置されている。画素部８は、主に、Ｚ方向から見た際に、四隅に配置されアノードやカソードに対応した４つの垂直方向配線２２（垂直方向配線２２Ｃ、２２Ｒ、２２Ｇ及び２２Ｂ）と、垂直方向配線２２に囲まれ画素部８の内部に配置される１つの発光部２４とにより構成されている。以下では、垂直方向配線２２Ｃ、２２Ｒ、２２Ｇ及び２２Ｂをまとめて、垂直方向配線２２とも呼ぶ。
【0033】
垂直方向配線２２Ｃは、導電性を有する材料でなり、カソード電極３４Ｒ、カソードピラー４０ｃＢ及び４０ｃＧにより構成されている。垂直方向配線２２Ｒは、導電性を有する材料でなり、アノードパッド４４Ｒ、アノードピラー４２ａＲ２及び４２ａＲ１により構成されている。垂直方向配線２２Ｇは、導電性を有する材料でなり、アノードパッド４４Ｇにより構成されている。垂直方向配線２２Ｂは、導電性を有する材料でなり、アノードパッド４４Ｂ及びアノードピラー４２ａＢにより構成されている。
【0034】
発光部２４は、－Ｚ方向側から＋Ｚ方向側へ向かって並ぶように薄膜ＬＥＤ３０Ｇ、３０Ｂ及び３０ＲがＺ方向（発光方向Ｄｅ）から見た際に重複することにより構成されている。本実施の形態においては、薄膜ＬＥＤ３０Ｇ及び３０Ｂは、互いの中心が一致し、該中心が画素部８の中心（すなわち画素エリアの中央）に位置すると共に、外形のＸ方向及びＹ方向の位置が一致するように、Ｚ方向に重なっている。また、薄膜ＬＥＤ３０Ｒは、薄膜ＬＥＤ３０Ｇ及び３０Ｂに対し、中心が－Ｘ－Ｙ方向側にずれているものの、一部分が重なっている。また、薄膜ＬＥＤ３０Ｇ、３０Ｂ及び３０Ｒが、互いの中心が一致するようにＺ方向に重なっていなくとも、Ｚ方向から見た際に少なくとも一部分が重なっている場合、薄膜ＬＥＤ３０Ｇ、３０Ｂ及び３０Ｒが重複しているとする。以下では、薄膜ＬＥＤ３０Ｇ、３０Ｂ及び３０Ｒをまとめて、薄膜ＬＥＤ３０とも呼ぶ。
【0035】
回路基板１０の内部には、カソード共通配線が設けられている。カソード共通配線は、ＬＥＤディスプレイ表示部２の領域外においてＸ方向及びＹ方向に沿って直線状に配置されていると共に、Ｘ方向に並ぶ複数の発光部２４からなる１列の発光部列と、該発光部列に対しＹ方向に隣接する発光部列との間において、Ｘ方向に沿って直線状に配置されている。またこのカソード共通配線は、駆動ドライバ６の共通カソード接続端子に終端している。
【0036】
［１－４－１．第１の薄膜層の構成］
図４、図５及び図６に示すように、第１の薄膜層２０Ｇは、下地透明絶縁材料２６Ｇ、透明絶縁材料２８Ｇ、薄膜ＬＥＤ３０Ｇ、アノード電極３２Ｇ、カソード電極３４Ｇ、引出配線３６ａＧ及び３６ｃＧ、層間絶縁膜３８ａＧ及び３８ｃＧ、アノードピラー４２ａＢ及び４２ａＲ１、アノードパッド４４Ｇ並びにカソードピラー４０ｃＧにより構成されている。
図４、図５及び図６に示すように、第１の薄膜層２０Ｇは、下地透明絶縁材料２６Ｇ、透明絶縁材料２８Ｇ、薄膜ＬＥＤ３０Ｇ、アノード電極３２Ｇ、カソード電極３４Ｇ、引出配線３６ａＧ及び３６ｃＧ、層間絶縁膜３８ａＧ及び３８ｃＧ、アノードピラー４２ａＢ及び４２ａＲ１、アノードパッド４４Ｇ並びにカソードピラー４０ｃＧにより構成されている。
【0037】
下地透明絶縁材料２６Ｇは、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＮや透明ポリイミド等により構成されており、十分な絶縁性を備えている。この下地透明絶縁材料２６Ｇは、ＡＡ断面方向Ｄａ（図４）に関して、画素部８における一端部から他端部までに亘って延設されているものの、回路基板１０におけるそれぞれ接続パッド１２Ｂ及び１２ＣとＺ方向に対向する箇所において、下地透明絶縁材料２６Ｇの＋Ｚ方向側の表面（上面）（以下ではこれを下地透明絶縁材料上面２６ＧＳ１とも呼ぶ）から－Ｚ方向側の表面（下面）（以下ではこれを下地透明絶縁材料下面２６ＧＳ２とも呼ぶ）までに亘って下地透明絶縁材料２６ＧをＺ方向（発光方向Ｄｅ）に貫通する下地透明絶縁材料開口４８ａＢ及び４８ｃＧが形成されている。
【0038】
また下地透明絶縁材料２６Ｇは、ＢＢ断面方向Ｄｂ（図５）に関して、画素部８における一端部から他端部までに亘って延設されているものの、回路基板１０におけるそれぞれ接続パッド１２Ｇ及び１２ＲとＺ方向に対向する箇所において、下地透明絶縁材料上面２６ＧＳ１から下地透明絶縁材料下面２６ＧＳ２までに亘って下地透明絶縁材料２６ＧをＺ方向（発光方向Ｄｅ）に貫通する下地透明絶縁材料開口４８Ｇ及び４８ａＲ１が形成されている。
【0039】
薄膜ＬＥＤ３０Ｇは、ＡＡ断面方向Ｄａ及びＢＢ断面方向Ｄｂに関し画素部８における中央部に配され、ＡＡ断面方向Ｄａ及びＢＢ断面方向Ｄｂに所定の範囲の長さを有し、Ｚ方向の厚さが３［μｍ］以下であり、透明絶縁材料２８Ｇ内に埋め込まれた薄膜無機発光素子である。薄膜ＬＥＤ３０Ｇの＋Ｚ方向側の上面である発光面は、ＸＹ方向に沿った平面となっている。この薄膜ＬＥＤ３０Ｇは、例えばＧａＰ系材料により形成された、緑色の光を発するＬＥＤである。アノード電極３２Ｇは、薄膜ＬＥＤ３０Ｇの＋Ｚ方向側の中央部に形成されたアノード上に配置されている。カソード電極３４Ｇは、薄膜ＬＥＤ３０Ｇの＋Ｚ方向側における－Ｘ－Ｙ方向側に形成されたカソード上に配置されている。
【0040】
引出配線３６ａＧ（図５）は、導電性を有する材料により構成されており、アノード電極３２Ｇにおける＋Ｚ方向側の面（上面）とアノードパッド４４Ｇとにそれぞれ接触し、両者を電気的に接続している。層間絶縁膜３８ａＧは、絶縁性を有する材料により構成されており、引出配線３６ａＧと薄膜ＬＥＤ３０Ｇとの間に配され、Ｚ方向に沿って見た際に引出配線３６ａＧよりも大きく形成されている。この層間絶縁膜３８ａＧは、引出配線３６ａＧと薄膜ＬＥＤ３０Ｇとの不要な部分の短絡を保護する。
【0041】
引出配線３６ｃＧ（図４）は、引出配線３６ａＧ（図５）と同様に導電性を有する材料により構成されており、カソード電極３４Ｇにおける＋Ｚ方向側の面（上面）とカソードピラー４０ｃＧとにそれぞれ接触し、両者を電気的に接続している。層間絶縁膜３８ｃＧは、層間絶縁膜３８ａＧ（図５）と同様に絶縁性を有する材料により構成されており、引出配線３６ｃＧと薄膜ＬＥＤ３０Ｇとの間に配され、Ｚ方向に沿って見た際に引出配線３６ｃＧよりも大きく形成されている。この層間絶縁膜３８ｃＧは、引出配線３６ｃＧと薄膜ＬＥＤ３０Ｇとの不要な部分の短絡を保護する。
【0042】
上述したアノード電極３２Ｇ、カソード電極３４Ｇ、引出配線３６ａＧ及び３６ｃＧは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電性材料により構成されており、層間絶縁膜３８ａＧ及び３８ｃＧは、薄膜ＬＥＤ３０Ｇが発する光の波長に対して透明であることが望ましい。
【0043】
アノードピラー４２ａＢ（図４）は、例えば金、銅やチタン等の導電性を有する材料により構成されており、回路基板１０の接続パッド１２ＢとＺ方向に対向する位置に配され、垂直方向配線２２Ｂの一部分を構成している。具体的にアノードピラー４２ａＢは、プロセス安定化のための金系の金属であるコンタクト金属４６ａＰＬ１Ｇ上（＋Ｚ方向側）に該コンタクト金属４６ａＰＬ１Ｇと一体化して形成されている。またアノードピラー４２ａＢは、銅の拡散防止膜でありコンタクト金属４６ａＰＬ１Ｇ上に形成されたチタン製のバリア層と、バリア層上に形成された銅製のシード金属と、シード金属上に成長充填された銅であるめっき部とにより構成されている。後述するアノードピラー４２ａＲ１及びカソードピラー４０ｃＧにおいても同様であり、アノードピラー４２ａＲ１（図５）は、コンタクト金属４６ａＰＬ２Ｇ上（＋Ｚ方向側）に該コンタクト金属４６ａＰＬ２Ｇと一体化して形成されている。カソードピラー４０ｃＧ（図４）は、コンタクト金属４６ｃＧ上（＋Ｚ方向側）に該コンタクト金属４６ｃＧと一体化して形成されている。このアノードピラー４２ａＢは、＋Ｚ方向側の面（以下ではこれをアノードピラー上面４２ａＢＳ１とも呼ぶ）を、透明絶縁材料２８Ｇから露出させている。またアノードピラー４２ａＢは、－Ｚ方向側の面（アノードピラー下面４２ａＢＳ２）を、下地透明絶縁材料２６Ｇから露出させている。
【0044】
アノードピラー４２ａＲ１（図５）は、アノードピラー４２ａＢと同様に導電性を有する材料により構成されており、回路基板１０の接続パッド１２ＲとＺ方向に対向する位置に配され、垂直方向配線２２Ｒの一部分を構成している。このアノードピラー４２ａＲ１は、＋Ｚ方向側の面（以下ではこれをアノードピラー上面４２ａＲ１Ｓ１とも呼ぶ）を、透明絶縁材料２８Ｇから露出させている。またアノードピラー４２ａＲ１は、－Ｚ方向側の面（アノードピラー下面４２ａＲ１Ｓ２）を、下地透明絶縁材料２６Ｇから露出させている。
【0045】
アノードパッド４４Ｇ（図５）は、アノードピラー４２ａＢと同様に導電性を有する材料により構成されており、回路基板１０の接続パッド１２ＧとＺ方向に対向する位置に配され、垂直方向配線２２Ｇを構成している。このアノードパッド４４Ｇは、－Ｚ方向側の面（アノードパッド表面４４ＧＳ）を、下地透明絶縁材料２６Ｇから露出させている。
【0046】
カソードピラー４０ｃＧ（図４）は、アノードピラー４２ａＢと同様に導電性を有する材料により構成されており、回路基板１０の接続パッド１２ＣとＺ方向に対向する位置に配され、垂直方向配線２２Ｃの一部分を構成している。このカソードピラー４０ｃＧは、＋Ｚ方向側の面（以下ではこれをカソードピラー上面４０ｃＧＳ１とも呼ぶ）を、透明絶縁材料２８Ｇから露出させている。またカソードピラー４０ｃＧは、－Ｚ方向側の面（以下ではこれをカソードピラー下面４０ｃＧＳ２とも呼ぶ）を、下地透明絶縁材料２６Ｇから露出させている。
【0047】
透明絶縁材料２８Ｇは、例えば、下地透明絶縁材料２６Ｇと同一の材料により構成されており、十分な絶縁性を備えていると共に、少なくとも薄膜ＬＥＤ３０Ｇが発する光の波長に対して透明となっている。この透明絶縁材料２８Ｇは、アノードピラー４２ａＢ及び４２ａＲ１並びにカソードピラー４０ｃＧを除いた、下地透明絶縁材料２６Ｇ、薄膜ＬＥＤ３０Ｇ、アノード電極３２Ｇ、カソード電極３４Ｇ、引出配線３６ａＧ及び３６ｃＧ、層間絶縁膜３８ａＧ及び３８ｃＧ並びにアノードパッド４４Ｇを＋Ｚ方向側から覆うように配設されており、これら薄膜ＬＥＤ３０Ｇ、アノード電極３２Ｇ、カソード電極３４Ｇ、引出配線３６ａＧ及び３６ｃＧ、層間絶縁膜３８ａＧ及び３８ｃＧ並びにアノードパッド４４Ｇを、下地透明絶縁材料２６Ｇとの間において内部に埋め込んでいる。
【0048】
この透明絶縁材料２８Ｇ（図４）は、下地透明絶縁材料開口４８ａＢの＋Ｚ方向側において、透明絶縁材料２８Ｇの＋Ｚ方向側の表面（上面）（以下ではこれを透明絶縁材料表面２８ＧＳとも呼ぶ）から－Ｚ方向側の表面（下面）（すなわち下地透明絶縁材料開口４８ａＢの＋Ｚ方向側端部）までに亘って透明絶縁材料２８ＧをＺ方向（発光方向Ｄｅ）に貫通する透明絶縁材料開口５０ａＢが形成されている。
【0049】
また透明絶縁材料２８Ｇ（図５）は、下地透明絶縁材料開口４８ａＲ１の＋Ｚ方向側において、透明絶縁材料表面２８ＧＳから－Ｚ方向側の表面（下面）（すなわち下地透明絶縁材料開口４８ａＲ１の＋Ｚ方向側端部）までに亘って透明絶縁材料２８ＧをＺ方向（発光方向Ｄｅ）に貫通する透明絶縁材料開口５０ａＲ１が形成されている。
【0050】
さらに透明絶縁材料２８Ｇ（図４）は、下地透明絶縁材料開口４８ｃＧの＋Ｚ方向側において、透明絶縁材料表面２８ＧＳから－Ｚ方向側の表面（下面）（すなわち下地透明絶縁材料開口４８ｃＧの＋Ｚ方向側端部）までに亘って透明絶縁材料２８ＧをＺ方向（発光方向Ｄｅ）に貫通する透明絶縁材料開口５０ｃＧが形成されている。
【0051】
このような下地透明絶縁材料開口４８ａＢと透明絶縁材料開口５０ａＢとにより第１の薄膜層開口５２ａＢが形成されている。第１の薄膜層開口５２ａＢは、第１の薄膜層２０Ｇの＋Ｚ方向側の上面（以下ではこれを第１の薄膜層上面２０ＧＳ１とも呼ぶ）から－Ｚ方向側の下面（第１の薄膜層下面２０ＧＳ２）にかけて形成されており、内部にアノードピラー４２ａＢが形成されている。また下地透明絶縁材料開口４８ａＲ１と透明絶縁材料開口５０ａＲ１とにより第１の薄膜層開口５２ａＲ１が形成されている。第１の薄膜層開口５２ａＲ１は、第１の薄膜層上面２０ＧＳ１から第１の薄膜層下面２０ＧＳ２にかけて形成されており、内部にアノードピラー４２ａＲ１が形成されている。さらに下地透明絶縁材料開口４８ｃＧと透明絶縁材料開口５０ｃＧとにより第１の薄膜層開口５２ｃＧが形成されている。第１の薄膜層開口５２ｃＧは、第１の薄膜層上面２０ＧＳ１から第１の薄膜層下面２０ＧＳ２にかけて形成されており、内部にカソードピラー４０ｃＧが形成されている。
【0052】
また第１の薄膜層２０Ｇは、第１の薄膜層上面２０ＧＳ１が極めて平坦な平面状に形成されている。すなわち第１の薄膜層２０Ｇでは、透明絶縁材料表面２８ＧＳ、アノードピラー上面４２ａＢＳ１及び４２ａＲ１Ｓ１並びにカソードピラー上面４０ｃＧＳ１が何れも極めて平坦であり、且つそれぞれが互いに平行な平面となっており、さらにそれぞれのＺ方向に関する距離（すなわち段差）も極めて小さくなっている。すなわち、透明絶縁材料表面２８ＧＳ、アノードピラー上面４２ａＢＳ１、アノードピラー上面４２ａＲ１Ｓ１及びカソードピラー上面４０ｃＧＳ１は、それぞれ同一平面上に位置している。
【0053】
具体的に第１の薄膜層２０Ｇでは、第１の薄膜層上面２０ＧＳ１の表面粗さ、すなわち、透明絶縁材料表面２８ＧＳ、アノードピラー上面４２ａＢＳ１及び４２ａＲ１Ｓ１並びにカソードピラー上面４０ｃＧＳ１における表面粗さＲｐｖが何れも１０［ｎｍ］以下となっている。
【0054】
さらに第１の薄膜層２０Ｇは、第１の薄膜層下面２０ＧＳ２が極めて平坦な平面状に形成されている。すなわち第１の薄膜層２０Ｇでは、下地透明絶縁材料下面２６ＧＳ２、アノードピラー下面４２ａＢＳ２及び４２ａＲ１Ｓ２、アノードパッド表面４４ＧＳ、カソードピラー下面４０ｃＧＳ２、並びに引出配線３６ａＧ及び３６ｃＧの－Ｚ方向側の表面（下面）が何れも極めて平坦であり、且つそれぞれが互いに平行な平面となっており、さらにそれぞれのＺ方向に関する距離（すなわち段差）も極めて小さくなっている。すなわち、下地透明絶縁材料下面２６ＧＳ２、アノードピラー下面４２ａＢＳ２及び４２ａＲ１Ｓ２、アノードパッド表面４４ＧＳ、カソードピラー下面４０ｃＧＳ２、並びに引出配線３６ａＧ及び３６ｃＧの－Ｚ方向側の下面は、それぞれ同一平面上に位置している。
【0055】
具体的に第１の薄膜層２０Ｇでは、第１の薄膜層下面２０ＧＳ２の表面粗さ、すなわち、下地透明絶縁材料下面２６ＧＳ２、アノードピラー下面４２ａＢＳ２及び４２ａＲ１Ｓ２、アノードパッド表面４４ＧＳ、カソードピラー下面４０ｃＧＳ２、並びに引出配線３６ａＧ及び３６ｃＧの－Ｚ方向側の下面における表面粗さＲｐｖが何れも１０［ｎｍ］以下となっている。
【0056】
［１－４－２．第２の薄膜層の構成］
図４、図５及び図７に示すように、第２の薄膜層２０Ｂは、下地透明絶縁材料２６Ｂ、透明絶縁材料２８Ｂ、薄膜ＬＥＤ３０Ｂ、アノード電極３２Ｂ、カソード電極３４Ｂ、引出配線３６ａＢ及び３６ｃＢ、層間絶縁膜３８ａＢ及び３８ｃＢ、アノードピラー４２ａＲ２、アノードパッド４４Ｂ並びにカソードピラー４０ｃＢにより構成されている。
図４、図５及び図７に示すように、第２の薄膜層２０Ｂは、下地透明絶縁材料２６Ｂ、透明絶縁材料２８Ｂ、薄膜ＬＥＤ３０Ｂ、アノード電極３２Ｂ、カソード電極３４Ｂ、引出配線３６ａＢ及び３６ｃＢ、層間絶縁膜３８ａＢ及び３８ｃＢ、アノードピラー４２ａＲ２、アノードパッド４４Ｂ並びにカソードピラー４０ｃＢにより構成されている。
【0057】
下地透明絶縁材料２６Ｂは、下地透明絶縁材料２６Ｇと同様の材料により構成されており、十分な絶縁性を備えていると共に、少なくとも薄膜ＬＥＤ３０Ｂが発する光の波長に対して透明となっている。この下地透明絶縁材料２６Ｂは、ＡＡ断面方向Ｄａ（図４）に関して、画素部８における一端部から他端部までに亘って延設されているものの、第１の薄膜層２０Ｇにおけるそれぞれ第１の薄膜層開口５２ａＢ及び５２ｃＧとＺ方向に対向する箇所において、下地透明絶縁材料２６Ｂの＋Ｚ方向側の表面（上面）（以下ではこれを下地透明絶縁材料上面２６ＢＳ１とも呼ぶ）から－Ｚ方向側の表面（下面）（以下ではこれを下地透明絶縁材料下面２６ＢＳ２とも呼ぶ）までに亘って下地透明絶縁材料２６ＢをＺ方向（発光方向Ｄｅ）に貫通する下地透明絶縁材料開口４８Ｂ及び４８ｃＢがそれぞれ形成されている。
【0058】
また下地透明絶縁材料２６Ｂは、ＢＢ断面方向Ｄｂ（図５）に関して、画素部８における一端部から他端部までに亘って延設されているものの、第１の薄膜層２０Ｇにおける第１の薄膜層開口５２ａＲ１とＺ方向に対向する箇所において、下地透明絶縁材料上面２６ＢＳ１から下地透明絶縁材料下面２６ＢＳ２までに亘って下地透明絶縁材料２６ＢをＺ方向（発光方向Ｄｅ）に貫通する下地透明絶縁材料開口４８ａＲ２が形成されている。
【0059】
薄膜ＬＥＤ３０Ｂは、ＡＡ断面方向Ｄａ及びＢＢ断面方向Ｄｂに関し画素部８における中央部に配され、ＡＡ断面方向Ｄａ及びＢＢ断面方向Ｄｂに所定の範囲の長さを有し、Ｚ方向の厚さが３［μｍ］以下であり、透明絶縁材料２８Ｂ内に埋め込まれた薄膜無機発光素子である。薄膜ＬＥＤ３０Ｂの＋Ｚ方向側の上面である発光面は、ＸＹ方向に沿った平面となっている。この薄膜ＬＥＤ３０Ｂは、例えばＧａＮ系材料により形成された、青色の光を発するＬＥＤである。アノード電極３２Ｂは、薄膜ＬＥＤ３０Ｂの＋Ｚ方向側の中央部に形成されたアノード上に配置されている。カソード電極３４Ｂは、薄膜ＬＥＤ３０Ｂの＋Ｚ方向側における－Ｘ－Ｙ方向側に形成されたカソード上に配置されている。
【0060】
引出配線３６ａＢ（図４）は、導電性を有する材料により構成されており、アノード電極３２Ｂにおける＋Ｚ方向側の面（上面）とアノードパッド４４Ｂとにそれぞれ接触し、両者を電気的に接続している。層間絶縁膜３８ａＢは、絶縁性を有する材料により構成されており、引出配線３６ａＢと薄膜ＬＥＤ３０Ｂとの間に配され、Ｚ方向に沿って見た際に引出配線３６ａＢよりも大きく形成されている。この層間絶縁膜３８ａＢは、引出配線３６ａＢと薄膜ＬＥＤ３０Ｂとの不要な部分の短絡を保護する。
【0061】
引出配線３６ｃＢ（図４）は、引出配線３６ａＢと同様に導電性を有する材料により構成されており、カソード電極３４Ｂにおける＋Ｚ方向側の面（上面）とカソードピラー４０ｃＢとにそれぞれ接触し、両者を電気的に接続している。層間絶縁膜３８ｃＢは、層間絶縁膜３８ａＢと同様に絶縁性を有する材料により構成されており、引出配線３６ｃＢと薄膜ＬＥＤ３０Ｂとの間に配され、Ｚ方向に沿って見た際に引出配線３６ｃＢよりも大きく形成されている。この層間絶縁膜３８ｃＢは、引出配線３６ｃＢと薄膜ＬＥＤ３０Ｂとの不要な部分の短絡を保護する。
【0062】
上述したアノード電極３２Ｂ、カソード電極３４Ｂ、引出配線３６ａＢ及び３６ｃＢは、例えばＩＴＯ等の透明導電性材料により構成されており、層間絶縁膜３８ａＢ及び３８ｃＢは、薄膜ＬＥＤ３０Ｇ及び３０Ｂが発する光の波長に対して透明であることが望ましい。
【0063】
アノードピラー４２ａＲ２（図５）は、例えば金、銅やチタン等の導電性を有する材料により構成されており、第１の薄膜層２０Ｇのアノードピラー４２ａＲ１とＺ方向に対向する位置に配され、垂直方向配線２２Ｒの一部分を構成している。具体的にアノードピラー４２ａＲ２は、プロセス安定化のための金系の金属であるコンタクト金属４６ａＰＬＢ上（＋Ｚ方向側）に該コンタクト金属４６ａＰＬＢと一体化して形成されている。またアノードピラー４２ａＲ２は、銅の拡散防止膜でありコンタクト金属４６ａＰＬＢ上に形成されたチタン製のバリア層と、バリア層上に形成された銅製のシード金属と、シード金属上に成長充填された銅であるめっき部とにより構成されている。後述するカソードピラー４０ｃＢにおいても同様であり、カソードピラー４０ｃＢ（図４）は、コンタクト金属４６ｃＢ上（＋Ｚ方向側）に該コンタクト金属４６ｃＢと一体化して形成されている。このアノードピラー４２ａＲ２は、＋Ｚ方向側の面（以下ではこれをアノードピラー上面４２ａＲ２Ｓ１とも呼ぶ）を、透明絶縁材料２８Ｂから露出させている。またアノードピラー４２ａＲ２は、－Ｚ方向側の面（以下ではこれをアノードピラー下面４２ａＲ２Ｓ２とも呼ぶ）を、下地透明絶縁材料２６Ｂから露出させている。
【0064】
アノードパッド４４Ｂ（図４）は、アノードピラー４２ａＲ２と同様に導電性を有する材料により構成されており、第１の薄膜層２０Ｇのアノードピラー４２ａＢとＺ方向に対向する位置に配され、垂直方向配線２２Ｂの一部分を構成している。このアノードパッド４４Ｂは、－Ｚ方向側の面（以下ではこれをアノードパッド表面４４ＢＳとも呼ぶ）を、下地透明絶縁材料２６Ｂから露出させている。
【0065】
カソードピラー４０ｃＢ（図４）は、アノードピラー４２ａＲ２と同様に導電性を有する材料により構成されており、第１の薄膜層２０Ｇのカソードピラー４０ｃＧとＺ方向に対向する位置に配され、垂直方向配線２２Ｃの一部分を構成している。このカソードピラー４０ｃＢは、＋Ｚ方向側の面（以下ではこれをカソードピラー上面４０ｃＢＳ１とも呼ぶ）を、透明絶縁材料２８Ｂから露出させている。またカソードピラー４０ｃＢは、－Ｚ方向側の面（以下ではこれをカソードピラー下面４０ｃＢＳ２とも呼ぶ）を、下地透明絶縁材料２６Ｂから露出させている。
【0066】
透明絶縁材料２８Ｂは、例えば、下地透明絶縁材料２６Ｂと同一の材料により構成されており、十分な絶縁性を備えていると共に、少なくとも薄膜ＬＥＤ３０Ｇ及び３０Ｂが発する光の波長に対して透明となっている。この透明絶縁材料２８Ｂは、アノードピラー４２ａＲ２及びカソードピラー４０ｃＢを除いた、下地透明絶縁材料２６Ｂ、薄膜ＬＥＤ３０Ｂ、アノード電極３２Ｂ、カソード電極３４Ｂ、引出配線３６ａＢ及び３６ｃＢ、層間絶縁膜３８ａＢ及び３８ｃＢ並びにアノードパッド４４Ｂを＋Ｚ方向側から覆うように配設されており、これら薄膜ＬＥＤ３０Ｂ、アノード電極３２Ｂ、カソード電極３４Ｂ、引出配線３６ａＢ及び３６ｃＢ、層間絶縁膜３８ａＢ及び３８ｃＢ並びにアノードパッド４４Ｂを、下地透明絶縁材料２６Ｂとの間において内部に埋め込んでいる。
【0067】
この透明絶縁材料２８Ｂ（図５）は、下地透明絶縁材料開口４８ａＲ２の＋Ｚ方向側において、透明絶縁材料２８Ｂの＋Ｚ方向側の表面（上面）（以下ではこれを透明絶縁材料表面２８ＢＳとも呼ぶ）から－Ｚ方向側の表面（下面）（すなわち下地透明絶縁材料開口４８ａＲ２の＋Ｚ方向側端部）までに亘って透明絶縁材料２８ＢをＺ方向（発光方向Ｄｅ）に貫通する透明絶縁材料開口５０ａＲ２が形成されている。
【0068】
また透明絶縁材料２８Ｂ（図４）は、下地透明絶縁材料開口４８ｃＢの＋Ｚ方向側において、透明絶縁材料表面２８ＢＳから－Ｚ方向側の表面（下面）（すなわち下地透明絶縁材料開口４８ｃＢの＋Ｚ方向側端部）までに亘って透明絶縁材料２８ＢをＺ方向（発光方向Ｄｅ）に貫通する透明絶縁材料開口５０ｃＢが形成されている。
【0069】
このような下地透明絶縁材料開口４８ａＲ２と透明絶縁材料開口５０ａＲ２とにより第２の薄膜層開口５２ａＲ２が形成されている。第２の薄膜層開口５２ａＲ２は、第２の薄膜層２０Ｂの＋Ｚ方向側の上面（以下ではこれを第２の薄膜層上面２０ＢＳ１とも呼ぶ）から－Ｚ方向側の下面（以下ではこれを第２の薄膜層下面２０ＢＳ２とも呼ぶ）にかけて形成されており、内部にアノードピラー４２ａＲ２が形成されている。また下地透明絶縁材料開口４８ｃＢと透明絶縁材料開口５０ｃＢとにより第２の薄膜層開口５２ｃＢが形成されている。第２の薄膜層開口５２ｃＢは、第２の薄膜層上面２０ＢＳ１から第２の薄膜層下面２０ＢＳ２にかけて形成されており、内部にカソードピラー４０ｃＢが形成されている。
【0070】
また第２の薄膜層２０Ｂは、第２の薄膜層上面２０ＢＳ１が極めて平坦な平面状に形成されている。すなわち第２の薄膜層２０Ｂでは、透明絶縁材料表面２８ＢＳ、アノードピラー上面４２ａＲ２Ｓ１及びカソードピラー上面４０ｃＢＳ１が何れも極めて平坦であり、且つそれぞれが互いに平行な平面となっており、さらにそれぞれのＺ方向に関する距離（すなわち段差）も極めて小さくなっている。すなわち、透明絶縁材料表面２８ＢＳ、アノードピラー上面４２ａＲ２Ｓ１及びカソードピラー上面４０ｃＢＳ１は、それぞれ同一平面上に位置している。
【0071】
具体的に第２の薄膜層２０Ｂでは、第２の薄膜層上面２０ＢＳ１の表面粗さ、すなわち、透明絶縁材料表面２８ＢＳ、アノードピラー上面４２ａＲ２Ｓ１及びカソードピラー上面４０ｃＢＳ１における表面粗さＧｐｖが何れも１０［ｎｍ］以下となっている。
【0072】
さらに第２の薄膜層２０Ｂは、第２の薄膜層下面２０ＢＳ２が極めて平坦な平面状に形成されている。すなわち第２の薄膜層２０Ｂでは、下地透明絶縁材料下面２６ＢＳ２、アノードピラー下面４２ａＲ２Ｓ２、アノードパッド表面４４ＢＳ、カソードピラー下面４０ｃＢＳ２、並びに引出配線３６ａＢ及び３６ｃＢの－Ｚ方向側の表面（下面）が何れも極めて平坦であり、且つそれぞれが互いに平行な平面となっており、さらにそれぞれのＺ方向に関する距離（すなわち段差）も極めて小さくなっている。すなわち、下地透明絶縁材料下面２６ＢＳ２、アノードピラー下面４２ａＲ２Ｓ２、アノードパッド表面４４ＢＳ、カソードピラー下面４０ｃＢＳ２、並びに引出配線３６ａＢ及び３６ｃＢの下面は、それぞれ同一平面上に位置している。
【0073】
具体的に第２の薄膜層２０Ｂでは、第２の薄膜層下面２０ＢＳ２の表面粗さ、すなわち、下地透明絶縁材料下面２６ＢＳ２、アノードピラー下面４２ａＲ２Ｓ２、アノードパッド表面４４ＢＳ、カソードピラー下面４０ｃＢＳ２、並びに引出配線３６ａＢ及び３６ｃＢの下面における表面粗さＧｐｖが何れも１０［ｎｍ］以下となっている。
【0074】
［１－４－３．第３の薄膜層の構成］
図４、図５及び図８に示すように、第３の薄膜層２０Ｒは、下地透明絶縁材料２６Ｒ、透明絶縁材料２８Ｒ、薄膜ＬＥＤ３０Ｒ、アノード電極３２Ｒ、カソード電極３４Ｒ、引出配線３６ａＲ、層間絶縁膜３８ａＲ及びアノードパッド４４Ｒにより構成されている。
図４、図５及び図８に示すように、第３の薄膜層２０Ｒは、下地透明絶縁材料２６Ｒ、透明絶縁材料２８Ｒ、薄膜ＬＥＤ３０Ｒ、アノード電極３２Ｒ、カソード電極３４Ｒ、引出配線３６ａＲ、層間絶縁膜３８ａＲ及びアノードパッド４４Ｒにより構成されている。
【0075】
下地透明絶縁材料２６Ｒは、下地透明絶縁材料２６Ｇと同様の材料により構成されており、十分な絶縁性を備えていると共に、少なくとも薄膜ＬＥＤ３０Ｇ、３０Ｂ及び３０Ｒが発する光の波長に対して透明となっている。この下地透明絶縁材料２６Ｒは、ＡＡ断面方向Ｄａ（図４）に関して、画素部８における一端部から他端部までに亘って延設されているものの、第２の薄膜層２０Ｂにおける第２の薄膜層開口５２ｃＢとＺ方向に対向する箇所において、下地透明絶縁材料２６Ｒの＋Ｚ方向側の表面（上面）（以下ではこれを下地透明絶縁材料上面２６ＲＳ１とも呼ぶ）から－Ｚ方向側の表面（下面）（以下ではこれを下地透明絶縁材料下面２６ＲＳ２とも呼ぶ）までに亘って下地透明絶縁材料２６ＲをＺ方向（発光方向Ｄｅ）に貫通する下地透明絶縁材料開口４８ｃＲが形成されている。下地透明絶縁材料開口４８ｃＲは、内部にカソード電極３４Ｒが形成されている。
【0076】
また下地透明絶縁材料２６Ｒは、ＢＢ断面方向Ｄｂ（図５）に関して、画素部８における一端部から他端部までに亘って延設されているものの、第２の薄膜層２０Ｂにおける第２の薄膜層開口５２ａＲ２とＺ方向に対向する箇所において、下地透明絶縁材料上面２６ＲＳ１から下地透明絶縁材料下面２６ＲＳ２までに亘って下地透明絶縁材料２６ＲをＺ方向（発光方向Ｄｅ）に貫通する下地透明絶縁材料開口４８Ｒが形成されている。
【0077】
薄膜ＬＥＤ３０Ｒは、ＢＢ断面方向Ｄｂに関し画素部８における中央部に配されるものの、画素部８における中央部から－Ｘ－Ｙ方向側に位置ずれして配され、ＡＡ断面方向Ｄａ及びＢＢ断面方向Ｄｂに所定の範囲の長さを有し、Ｚ方向の厚さが３［μｍ］以下であり、透明絶縁材料２８Ｒ内に埋め込まれた薄膜無機発光素子である。薄膜ＬＥＤ３０Ｒの＋Ｚ方向側の上面である発光面は、ＸＹ方向に沿った平面となっている。この薄膜ＬＥＤ３０Ｒは、例えばＧａＡｓ系材料等のＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体材料により形成された、赤色の光を発する四元ＬＥＤである。アノード電極３２Ｒは、薄膜ＬＥＤ３０Ｒの＋Ｚ方向側の中央部に形成されたアノード上に配置されている。カソード電極３４Ｒは、薄膜ＬＥＤ３０Ｒの－Ｚ方向側における－Ｘ－Ｙ方向側に形成されたカソード上に配置されている。
【0078】
引出配線３６ａＲ（図５）は、導電性を有する材料により構成されており、アノード電極３２Ｒにおける＋Ｚ方向側の面（上面）とアノードパッド４４Ｒとにそれぞれ接触し、両者を電気的に接続している。層間絶縁膜３８ａＲは、絶縁性を有する材料により構成されており、引出配線３６ａＲと薄膜ＬＥＤ３０Ｒとの間に配され、Ｚ方向に沿って見た際に引出配線３６ａＲよりも大きく形成されている。この層間絶縁膜３８ａＲは、引出配線３６ａＲと薄膜ＬＥＤ３０Ｒとの不要な部分の短絡を保護する。
【0079】
カソード電極３４Ｒは、第２の薄膜層２０Ｂのカソードピラー４０ｃＢとＺ方向に対向する位置に配され、垂直方向配線２２Ｃの一部分を構成している。このカソード電極３４Ｒは、－Ｚ方向側の面（以下ではこれをカソード電極表面３４ＲＳとも呼ぶ）を、下地透明絶縁材料２６Ｒから露出させている。このカソード電極３４Ｒは、例えば、アノードパッド４４Ｒと同等の範囲の広さを有している。
【0080】
上述したアノード電極３２Ｒ、カソード電極３４Ｒ及び引出配線３６ａＲは、例えばＩＴＯ等の透明導電性材料により構成されており、層間絶縁膜３８ａＲは、薄膜ＬＥＤ３０Ｇ、３０Ｂ及び３０Ｒが発する光の波長に対して透明であることが望ましい。
【0081】
アノードパッド４４Ｒ（図５）は、金、銅やチタン等の導電性を有する材料により構成されており、第２の薄膜層２０Ｂのアノードピラー４２ａＲ２とＺ方向に対向する位置に配され、垂直方向配線２２Ｒの一部分を構成している。このアノードパッド４４Ｒは、－Ｚ方向側の面（以下ではこれをアノードパッド表面４４ＲＳとも呼ぶ）を、下地透明絶縁材料２６Ｒから露出させている。
【0082】
透明絶縁材料２８Ｒは、例えば、下地透明絶縁材料２６Ｒと同一の材料により構成されており、十分な絶縁性を備えていると共に、少なくとも薄膜ＬＥＤ３０Ｇ、３０Ｂ及び３０Ｒが発する光の波長に対して透明となっている。この透明絶縁材料２８Ｒは、下地透明絶縁材料２６Ｒ、薄膜ＬＥＤ３０Ｒ、アノード電極３２Ｒ、カソード電極３４Ｒ、引出配線３６ａＲ、層間絶縁膜３８ａＲ及びアノードパッド４４Ｒを＋Ｚ方向側から覆うように配設されており、これら薄膜ＬＥＤ３０Ｒ、アノード電極３２Ｒ、カソード電極３４Ｒ、引出配線３６ａＲ、層間絶縁膜３８ａＲ及びアノードパッド４４Ｒを、下地透明絶縁材料２６Ｒとの間において内部に埋め込んでいる。
【0083】
また第３の薄膜層２０Ｒは、第３の薄膜層下面２０ＲＳ２が極めて平坦な平面状に形成されている。すなわち第３の薄膜層２０Ｒでは、下地透明絶縁材料下面２６ＲＳ２、アノードパッド表面４４ＲＳ、カソード電極表面３４ＲＳ、及び引出配線３６ａＲの－Ｚ方向側の表面（下面）が何れも極めて平坦であり、且つそれぞれが互いに平行な平面となっており、さらにそれぞれのＺ方向に関する距離（すなわち段差）も極めて小さくなっている。すなわち、下地透明絶縁材料下面２６ＲＳ２、アノードパッド表面４４ＲＳ、カソード電極表面３４ＲＳ、及び引出配線３６ａＲの下面は、それぞれ同一平面上に位置している。
【0084】
具体的に第３の薄膜層２０Ｒでは、第３の薄膜層下面２０ＲＳ２の表面粗さ、すなわち、下地透明絶縁材料下面２６ＲＳ２、アノードパッド表面４４ＲＳ、カソード電極表面３４ＲＳ、及び引出配線３６ａＲの下面における表面粗さＰｐｖが何れも１０［ｎｍ］以下となっている。また以下では、引出配線３６ａＢ、３６ａＧ、３６ａＲ、３６ｃＢ及び３６ｃＧをまとめて、引出配線３６とも呼ぶ。
【0085】
［１－５．薄膜層及び回路基板の接続関係］
［１－５－１．回路基板及び薄膜層の物理的接続関係］
回路基板１０の基板表面１０Ｓと、第１の薄膜層２０Ｇの第１の薄膜層下面２０ＧＳ２とは、分子間力により物理的に接合されている。また、第１の薄膜層２０Ｇの第１の薄膜層上面２０ＧＳ１と、第２の薄膜層２０Ｂの第２の薄膜層下面２０ＢＳ２とは、分子間力により物理的に接合されている。さらに、第２の薄膜層２０Ｂの第２の薄膜層上面２０ＢＳ１と、第３の薄膜層２０Ｒの第３の薄膜層下面２０ＲＳ２とは、分子間力により物理的に接合されている。
［１－５－１．回路基板及び薄膜層の物理的接続関係］
回路基板１０の基板表面１０Ｓと、第１の薄膜層２０Ｇの第１の薄膜層下面２０ＧＳ２とは、分子間力により物理的に接合されている。また、第１の薄膜層２０Ｇの第１の薄膜層上面２０ＧＳ１と、第２の薄膜層２０Ｂの第２の薄膜層下面２０ＢＳ２とは、分子間力により物理的に接合されている。さらに、第２の薄膜層２０Ｂの第２の薄膜層上面２０ＢＳ１と、第３の薄膜層２０Ｒの第３の薄膜層下面２０ＲＳ２とは、分子間力により物理的に接合されている。
【0086】
このようにＬＥＤディスプレイ表示部２においては、それぞれ、基板表面１０Ｓと第１の薄膜層下面２０ＧＳ２と、第１の薄膜層上面２０ＧＳ１と第２の薄膜層下面２０ＢＳ２と、第２の薄膜層上面２０ＢＳ１と第３の薄膜層下面２０ＲＳ２とが、金属接合ではなく、分子間力接合されている。
【0087】
［１－５－２．回路基板及び薄膜層の電気的接続関係］
接続パッド１２Ｇ（図５）は、接続パッド表面１２ＧＳが第１の薄膜層２０Ｇのアノードパッド４４Ｇのアノードパッド表面４４ＧＳに分子間力により物理的に接合されており、導電経路Ｒｇａのように、アノードパッド４４Ｇ及び引出配線３６ａＧを介し薄膜ＬＥＤ３０Ｇのアノード電極３２Ｇに電気的に接続されている。
接続パッド１２Ｇ（図５）は、接続パッド表面１２ＧＳが第１の薄膜層２０Ｇのアノードパッド４４Ｇのアノードパッド表面４４ＧＳに分子間力により物理的に接合されており、導電経路Ｒｇａのように、アノードパッド４４Ｇ及び引出配線３６ａＧを介し薄膜ＬＥＤ３０Ｇのアノード電極３２Ｇに電気的に接続されている。
【0088】
接続パッド１２Ｂ（図４）は、接続パッド表面１２ＢＳが第１の薄膜層２０Ｇのアノードピラー４２ａＢのアノードピラー下面４２ａＢＳ２に分子間力により物理的に接合されている。アノードピラー４２ａＢは、アノードピラー上面４２ａＢＳ１が第２の薄膜層２０Ｂのアノードパッド４４Ｂのアノードパッド表面４４ＢＳに分子間力により物理的に接合されている。アノードパッド４４Ｂは、引出配線３６ａＢと物理的に接触している。このため接続パッド１２Ｂは、導電経路Ｒｂａのように、アノードピラー４２ａＢ、アノードパッド４４Ｂ及び引出配線３６ａＢを介し薄膜ＬＥＤ３０Ｂのアノード電極３２Ｂに電気的に接続されている。
【0089】
接続パッド１２Ｒ（図５）は、接続パッド表面１２ＲＳが第１の薄膜層２０Ｇのアノードピラー４２ａＲ１のアノードピラー下面４２ａＲ１Ｓ２に分子間力により物理的に接合されている。アノードピラー４２ａＲ１は、アノードピラー上面４２ａＲ１Ｓ１が第２の薄膜層２０Ｂのアノードピラー４２ａＲ２のアノードピラー下面４２ａＲ２Ｓ２に分子間力により物理的に接合されている。アノードピラー４２ａＲ２は、アノードピラー上面４２ａＲ２Ｓ１が第３の薄膜層２０Ｒのアノードパッド４４Ｒのアノードパッド表面４４ＲＳに分子間力により物理的に接合されている。アノードパッド４４Ｒは、引出配線３６ａＲと物理的に接触している。このため接続パッド１２Ｒは、導電経路Ｒｒａのように、アノードピラー４２ａＲ１、アノードピラー４２ａＲ２、アノードパッド４４Ｒ及び引出配線３６ａＲを介し薄膜ＬＥＤ３０Ｒのアノード電極３２Ｒに電気的に接続されている。
【0090】
接続パッド１２Ｃ（図４）は、接続パッド表面１２ＣＳが第１の薄膜層２０Ｇのカソードピラー４０ｃＧのカソードピラー下面４０ｃＧＳ２に分子間力により物理的に接合されている。カソードピラー４０ｃＧは、カソードピラー上面４０ｃＧＳ１が第２の薄膜層２０Ｂのカソードピラー４０ｃＢのカソードピラー下面４０ｃＢＳ２に分子間力により物理的に接合されている。カソードピラー４０ｃＢは、カソードピラー上面４０ｃＢＳ１が第３の薄膜層２０Ｒのカソード電極３４Ｒのカソード電極表面３４ＲＳに分子間力により物理的に接合されている。カソード電極３４Ｒは、薄膜ＬＥＤ３０Ｒと物理的に接触している。このため、カソード電極３４Ｒは、導電経路Ｒｃのように、カソードピラー４０ｃＢ、コンタクト金属４６ｃＢ、カソードピラー４０ｃＧ、コンタクト金属４６ｃＧ及び接続パッド１２Ｃを介し、配線層１６のカソード共通配線と電気的に接続されている。
【0091】
また引出配線３６ｃＢは、コンタクト金属４６ｃＢと物理的に接触している。このため、カソード電極３４Ｂは、導電経路Ｒｃのように、引出配線３６ｃＢ、コンタクト金属４６ｃＢ、カソードピラー４０ｃＧ、コンタクト金属４６ｃＧ及び接続パッド１２Ｃを介し、配線層１６のカソード共通配線と電気的に接続されている。
【0092】
さらに引出配線３６ｃＧは、コンタクト金属４６ｃＧと物理的に接触している。このため、カソード電極３４Ｇは、導電経路Ｒｃのように、引出配線３６ｃＧ、コンタクト金属４６ｃＧ及び接続パッド１２Ｃを介し、配線層１６のカソード共通配線と電気的に接続されている。カソード共通配線は、他の画素部８の垂直方向配線２２Ｃにも電気的に接続されており、駆動ドライバ６の共通カソード接続端子（コモン端子）にも接続されている。
【0093】
［１－６．ＬＥＤディスプレイ表示部の製造方法］
次に、ＬＥＤディスプレイ装置１におけるＬＥＤディスプレイ表示部２の製造方法の一例を、図９、図１０、図１１及び図１２を用いて説明する。因みに、図９、図１０、図１１及び図１２は、何れも＋Ｚ方向を上方向に向けた状態を表す模式的な断面図となっている。説明の都合上、ここでは、＋Ｚ方向を上方向とも呼び、－Ｚ方向を下方向とも呼ぶ。
次に、ＬＥＤディスプレイ装置１におけるＬＥＤディスプレイ表示部２の製造方法の一例を、図９、図１０、図１１及び図１２を用いて説明する。因みに、図９、図１０、図１１及び図１２は、何れも＋Ｚ方向を上方向に向けた状態を表す模式的な断面図となっている。説明の都合上、ここでは、＋Ｚ方向を上方向とも呼び、－Ｚ方向を下方向とも呼ぶ。
【0094】
［１－６－１．第１の薄膜層の製造方法］
まず、第１の薄膜層２０Ｇの製造方法について、図９を参照しながら説明する。まず製造装置６０は、図９（Ａ）に示すように、所定のＬＥＤ成長基板６２Ｇの上側、すなわち＋Ｚ方向側に、薄膜ＬＥＤ層６６Ｇを成長させる工程を行う。本実施の形態においては、ＬＥＤ成長基板６２Ｇとしてサファイア基板が一例として使用される。
まず、第１の薄膜層２０Ｇの製造方法について、図９を参照しながら説明する。まず製造装置６０は、図９（Ａ）に示すように、所定のＬＥＤ成長基板６２Ｇの上側、すなわち＋Ｚ方向側に、薄膜ＬＥＤ層６６Ｇを成長させる工程を行う。本実施の形態においては、ＬＥＤ成長基板６２Ｇとしてサファイア基板が一例として使用される。
【0095】
次に製造装置６０は、図９（Ｂ）に示すように、公知のレーザーリフトオフ法により、薄膜ＬＥＤ層６６ＧをＬＥＤ成長基板６２Ｇから分離する。分離した薄膜ＬＥＤ層６６Ｇは、分離面を研磨する等して平坦化を行うことが望ましい。
【0096】
次に製造装置６０は、図９（Ｃ）に示すように、第１の薄膜層２０Ｇの形成基板６８Ｇに、犠牲層７０Ｇ及び下地透明絶縁材料２６Ｇを順次製膜し、薄膜ＬＥＤ層６６Ｇを分子間力により下地透明絶縁材料２６Ｇに接合する。このとき、犠牲層７０Ｒ及び下地透明絶縁材料２６Ｇの上面（＋Ｚ方向側面）はＲｐｖ＝１０［ｎｍ］以下に平坦とする必要があるため、製造装置６０は、研磨等の平滑化工程を行っても良い。
【0097】
次に製造装置６０は、図９（Ｄ）に示すように、エッチング処理により薄膜ＬＥＤ層６６Ｇをエッチングすることにより、薄膜ＬＥＤ３０Ｇを形成すると共に、下地透明絶縁材料２６Ｇの下地透明絶縁材料開口４８ａＢ、４８ｃＧ、４８ａＲ１（図５）及び４８Ｇ（図５）のパターニングを行う。
【0098】
次に製造装置６０は、図９（Ｅ）に示すように、リソグラフィやスパッタリング等の手法によりパターニング処理を行い、薄膜ＬＥＤ３０Ｇ及び下地透明絶縁材料２６Ｇの上に、アノード電極３２Ｇ、カソード電極３４Ｇ、層間絶縁膜３８ｃＧ及び３８ａＧ（図５）、引出配線３６ｃＧ及び３６ａＧ（図５）並びにコンタクト金属４６ａＰＬ１Ｇ、４６ｃＧ、４６ａＰＬ２Ｇ（図５）及び４６ａＰＤＧ（図５）を形成する。
【0099】
次に製造装置６０は、図９（Ｆ）に示すように、透明絶縁材料２８Ｇにより埋め込みを行い該透明絶縁材料２８Ｇに透明絶縁材料開口５０ａＢ、５０ｃＧ及び５０ａＲ１（図５）のパターニングを行った後に、メッキ法により、透明絶縁材料開口５０ａＢ、５０ｃＧ及び５０ａＲ１（図５）から露出しているコンタクト金属４６ａＰＬ１Ｇ、４６ｃＧ及び４６ａＰＬ２Ｇ（図５）上に、アノードピラー４２ａＢ、カソードピラー４０ｃＧ及びアノードピラー４２ａＲ１（図５）を形成する。またコンタクト金属４６ａＰＤＧ（図５）は、アノードパッド４４Ｇとなる。
【0100】
次に製造装置６０は、図９（Ｇ）に示すように、化学機械研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）による平坦化処理を行い、透明絶縁材料２８Ｇ、アノードピラー４２ａＢ及び４２ａＲ１（図５）並びにカソードピラー４０ｃＧの上面を平坦化することにより、アノードピラー４２ａＢ及び４２ａＲ１（図５）の上面にそれぞれアノードピラー上面４２ａＢＳ１及び４２ａＲ１Ｓ１（図５）を、カソードピラー４０ｃＧの上面にカソードピラー上面４０ｃＧＳ１を、透明絶縁材料２８Ｇの上面から露出するように形成する。
【0101】
［１－６－２．第２の薄膜層の製造方法］
次に、第２の薄膜層２０Ｂの製造方法について、図１０を参照しながら説明する。まず製造装置６０は、図１０（Ａ）に示すように、所定のＬＥＤ成長基板６２Ｂの上側、すなわち＋Ｚ方向側に、薄膜ＬＥＤ層６６Ｂを成長させる工程を行う。本実施の形態においては、ＬＥＤ成長基板６２Ｂとしてサファイア基板が一例として使用される。
次に、第２の薄膜層２０Ｂの製造方法について、図１０を参照しながら説明する。まず製造装置６０は、図１０（Ａ）に示すように、所定のＬＥＤ成長基板６２Ｂの上側、すなわち＋Ｚ方向側に、薄膜ＬＥＤ層６６Ｂを成長させる工程を行う。本実施の形態においては、ＬＥＤ成長基板６２Ｂとしてサファイア基板が一例として使用される。
【0102】
次に製造装置６０は、図１０（Ｂ）に示すように、公知のレーザーリフトオフ法により、薄膜ＬＥＤ層６６ＢをＬＥＤ成長基板６２Ｂから分離する。分離した薄膜ＬＥＤ層６６Ｂは、分離面を研磨する等して平坦化を行うことが望ましい。
【0103】
次に製造装置６０は、図１０（Ｃ）に示すように、第２の薄膜層２０Ｂの形成基板６８Ｂに、犠牲層７０Ｂ及び下地透明絶縁材料２６Ｂを順次製膜し、薄膜ＬＥＤ層６６Ｂを分子間力により下地透明絶縁材料２６Ｂに接合する。このとき、犠牲層７０Ｂ及び下地透明絶縁材料２６Ｂの上面（＋Ｚ方向側面）はＲｐｖ＝１０［ｎｍ］以下に平坦とする必要があるため、製造装置６０は、研磨等の平滑化工程を行っても良い。
【0104】
次に製造装置６０は、図１０（Ｄ）に示すように、エッチング処理により薄膜ＬＥＤ層６６Ｂをエッチングすることにより、薄膜ＬＥＤ３０Ｂを形成すると共に、下地透明絶縁材料２６Ｂの下地透明絶縁材料開口４８Ｂ、４８ｃＢ及び４８ａＲ２（図５）のパターニングを行う。
【0105】
次に製造装置６０は、図１０（Ｅ）に示すように、リソグラフィやスパッタリング等の手法によりパターニング処理を行い、薄膜ＬＥＤ３０Ｇ及び下地透明絶縁材料２６Ｇの上に、アノード電極３２Ｂ、カソード電極３４Ｂ、層間絶縁膜３８ｃＢ及び３８ａＢ、引出配線３６ｃＢ及び３６ａＢ、コンタクト金属４６ａＰＤＢ、４６ｃＢ及び４６ａＰＬＢ（図５）を形成する。
【0106】
次に製造装置６０は、図１０（Ｆ）に示すように、透明絶縁材料２８Ｂにより埋め込みを行い該透明絶縁材料２８Ｂに透明絶縁材料開口５０ｃＢ及び５０ａＲ２（図５）のパターニングを行った後に、メッキ法により、透明絶縁材料開口５０ｃＢ及び５０ａＲ２（図５）から露出しているコンタクト金属４６ｃＢ及び４６ａＰＬＢ（図５）上に、カソードピラー４０ｃＢ及びアノードピラー４２ａＲ２（図５）を形成する。またコンタクト金属４６ａＰＤＢは、アノードパッド４４Ｂとなる。
【0107】
次に製造装置６０は、図１０（Ｇ）に示すように、化学機械研磨（ＣＭＰ）による平坦化処理を行い、透明絶縁材料２８Ｂ、カソードピラー４０ｃＢ及びアノードピラー４２ａＲ２（図５）の上面を平坦化することにより、カソードピラー４０ｃＢ及びアノードピラー４２ａＲ２（図５）の上面にそれぞれカソードピラー上面４０ｃＢＳ１及びアノードピラー上面４２ａＲ２Ｓ１を、透明絶縁材料２８Ｂの上面から露出するように形成する。
【0108】
［１－６－３．第３の薄膜層の製造方法］
次に、第３の薄膜層２０Ｒの製造方法について、図１１を参照しながら説明する。まず製造装置６０は、図１１（Ａ）に示すように、所定のＬＥＤ成長基板６２Ｒの上側、すなわち＋Ｚ方向側に、格子整合がされた犠牲層６４Ｒを形成し、さらにその上側に薄膜ＬＥＤ層６６Ｒを成長させる工程を行う。本実施の形態においては、ＬＥＤ成長基板６２ＲとしてＧａＡｓが、犠牲層６４ＲとしてＡｌを含むＧａＡｓ等の材料が一例として使用される。
次に、第３の薄膜層２０Ｒの製造方法について、図１１を参照しながら説明する。まず製造装置６０は、図１１（Ａ）に示すように、所定のＬＥＤ成長基板６２Ｒの上側、すなわち＋Ｚ方向側に、格子整合がされた犠牲層６４Ｒを形成し、さらにその上側に薄膜ＬＥＤ層６６Ｒを成長させる工程を行う。本実施の形態においては、ＬＥＤ成長基板６２ＲとしてＧａＡｓが、犠牲層６４ＲとしてＡｌを含むＧａＡｓ等の材料が一例として使用される。
【0109】
次に製造装置６０は、図１１（Ｂ）に示すように、エッチング処理により犠牲層６４Ｒをエッチングして除去することにより、薄膜ＬＥＤ層６６ＲをＬＥＤ成長基板６２Ｒから分離する。分離した薄膜ＬＥＤ層６６Ｒは、分離面を研磨する等して平坦化を行うことが望ましい。
【0110】
次に製造装置６０は、図１１（Ｃ）に示すように、第３の薄膜層２０Ｒの形成基板６８Ｒに、犠牲層７０Ｒ及び下地透明絶縁材料２６Ｒを順次製膜し、エッチング処理により下地透明絶縁材料２６Ｒの下地透明絶縁材料開口４８ｃＲ及び４８Ｇ（図５）のパターニングを行う。
【0111】
次に製造装置６０は、図１１（Ｄ）に示すように、メッキ法により、下地透明絶縁材料開口４８ｃＲにカソード電極３４Ｒを形成する。
【0112】
次に製造装置６０は、図１１（Ｅ）に示すように、化学機械研磨（ＣＭＰ）による平坦化処理を行い、下地透明絶縁材料２６Ｒ及びカソード電極３４Ｒの上面を平坦化することにより、カソード電極３４Ｒの上面を透明絶縁材料２８Ｒの上面から露出するように形成する。続いて製造装置６０は、薄膜ＬＥＤ層６６Ｒを分子間力により下地透明絶縁材料２６Ｒに接合する。
【0113】
次に製造装置６０は、図１１（Ｆ）に示すように、エッチング処理により薄膜ＬＥＤ層６６Ｒをエッチングすることにより、薄膜ＬＥＤ３０Ｒを形成すると共に、下地透明絶縁材料２６Ｒの下地透明絶縁材料開口４８Ｒ（図５）のパターニングを行う。
【0114】
次に製造装置６０は、図１１（Ｇ）に示すように、リソグラフィやスパッタリング等の手法によりパターニング処理を行い、薄膜ＬＥＤ３０Ｒ及び下地透明絶縁材料２６Ｒの上に、アノード電極３２Ｒ、層間絶縁膜３８ａＲ（図５）、引出配線３６ａＲ及びコンタクト金属４６ａＰＤＲ（図５）を形成する。またコンタクト金属４６ａＰＤＲ（図５）は、アノードパッド４４Ｒとなる。
【0115】
次に製造装置６０は、図１１（Ｈ）に示すように、透明絶縁材料２８Ｒにより埋め込みを行う。製造装置６０は、化学機械研磨（ＣＭＰ）による平坦化処理を行い、透明絶縁材料２８Ｒの上面を平坦化しても良い。
【0116】
［１－６－４．積層接合の工程］
次に、上述した製造方法により製造された第１の薄膜層２０Ｇ、第２の薄膜層２０Ｂ及び第３の薄膜層２０Ｒを、回路基板１０に積層させる積層接合の工程について、図１２を参照しながら説明する。
次に、上述した製造方法により製造された第１の薄膜層２０Ｇ、第２の薄膜層２０Ｂ及び第３の薄膜層２０Ｒを、回路基板１０に積層させる積層接合の工程について、図１２を参照しながら説明する。
【0117】
まず製造装置６０は、図１２（Ａ）に示すように、エッチング処理により犠牲層７０Ｇ（図９）をエッチングして除去することにより、第１の薄膜層２０Ｇを形成基板６８Ｇから分離する。これにより、アノードピラー下面４２ａＢＳ２、カソードピラー下面４０ｃＧＳ２、アノードピラー下面４２ａＲ１Ｓ２（図５）、アノードパッド表面４４ＧＳ（図５）が、下地透明絶縁材料下面２６ＧＳ２から露出する。これらアノードピラー下面４２ａＢＳ２、カソードピラー下面４０ｃＧＳ２、アノードピラー下面４２ａＲ１Ｓ２（図５）、アノードパッド表面４４ＧＳ（図５）は、犠牲層７０Ｇ（図９）の上面に追従して同一平面上に平坦に形成されている。続いて製造装置６０は、分離した第１の薄膜層２０Ｇを公知のボンディング方法により、回路基板１０の上面に分子間力により接合する。
【0118】
次に製造装置６０は、図１２（Ｂ）に示すように、エッチング処理により犠牲層７０Ｂ（図１０）をエッチングして除去することにより、第２の薄膜層２０Ｂを形成基板６８Ｂから分離する。これにより、カソードピラー下面４０ｃＢＳ２、アノードパッド表面４４ ＢＳ及びアノードピラー下面４２ａＲ２Ｓ２（図５）が、下地透明絶縁材料下面２６ＢＳ２から露出する。これらカソードピラー下面４０ｃＢＳ２、アノードパッド表面４４ＢＳ及びアノードピラー下面４２ａＲ２Ｓ２（図５）は、犠牲層７０Ｂ（図１０）の上面に追従して同一平面上に平坦に形成されている。続いて製造装置６０は、分離した第２の薄膜層２０Ｂを公知のボンディング方法により、図１２（Ａ）で回路基板１０に接合させた第１の薄膜層２０Ｇの上面に分子間力により接合する。
【0119】
次に製造装置６０は、図１２（Ｃ）に示すように、エッチング処理により犠牲層７０Ｒ（図１１）をエッチングして除去することにより、第３の薄膜層２０Ｒを形成基板６８Ｒから分離する。これにより、カソード電極表面３４ＲＳ及びアノードパッド表面４４ＲＧＳ（図５）が、下地透明絶縁材料下面２６ＲＳ２から露出する。これらカソード電極表面３４ＲＳ及びアノードパッド表面４４ＲＳ（図５）は、犠牲層７０Ｒ（図１１）の上面に追従して同一平面上に平坦に形成されている。続いて製造装置６０は、分離した第３の薄膜層２０Ｒを公知のボンディング方法により、図１２（Ｂ）で第１の薄膜層２０Ｇに接合させた第２の薄膜層２０Ｂの上面に分子間力により接合する。
【0120】
［１－７．動作］
かかる構成において、ＬＥＤディスプレイ装置１は、ＬＥＤディスプレイ表示部２を駆動する際、図示しない外部回路から接続端子部５を介し駆動ドライバ６に電源、クロック信号及び画像データ等が入力される。続いてＬＥＤディスプレイ装置１は、駆動ドライバ６から回路基板１０の配線層１６に、アクティブ素子１４Ｒ、１４Ｇ及び１４Ｂのオンオフ信号及び駆動電流を選択的に供給する。供給された駆動電流は、接続パッド１２を介し、垂直方向配線２２Ｒ、２２Ｇ及び２２Ｂと、各薄膜層（第１の薄膜層２０Ｇ、第２の薄膜層２０Ｂ及び第３の薄膜層２０Ｒ）内の引出配線３６とを通過し、薄膜ＬＥＤ３０Ｒ、３０Ｇ及び３０Ｂに、アクティブ素子１４Ｒ、１４Ｇ及び１４Ｂのオンオフに応じて供給される。これによりＬＥＤディスプレイ表示部２が発光する。
かかる構成において、ＬＥＤディスプレイ装置１は、ＬＥＤディスプレイ表示部２を駆動する際、図示しない外部回路から接続端子部５を介し駆動ドライバ６に電源、クロック信号及び画像データ等が入力される。続いてＬＥＤディスプレイ装置１は、駆動ドライバ６から回路基板１０の配線層１６に、アクティブ素子１４Ｒ、１４Ｇ及び１４Ｂのオンオフ信号及び駆動電流を選択的に供給する。供給された駆動電流は、接続パッド１２を介し、垂直方向配線２２Ｒ、２２Ｇ及び２２Ｂと、各薄膜層（第１の薄膜層２０Ｇ、第２の薄膜層２０Ｂ及び第３の薄膜層２０Ｒ）内の引出配線３６とを通過し、薄膜ＬＥＤ３０Ｒ、３０Ｇ及び３０Ｂに、アクティブ素子１４Ｒ、１４Ｇ及び１４Ｂのオンオフに応じて供給される。これによりＬＥＤディスプレイ表示部２が発光する。
【0121】
［１－８．ＬＥＤディスプレイ表示部の発光の様子］
図１３に示すように、ＬＥＤディスプレイ表示部２が発光すると、薄膜ＬＥＤ３０ＢがＧａＮ基板で構成されておりＥｇ＝３．４［ｅＶ］に相当する３６５［ｎｍ］（青色）よりも短い波長を吸収するため、薄膜ＬＥＤ３０Ｇから発せられた緑色光ＬＧは、薄膜ＬＥＤ３０Ｂによって吸収されず、透過する。また、第２の薄膜層２０Ｂにおける薄膜ＬＥＤ３０Ｂ以外の箇所と、第３の薄膜層２０Ｒにおける薄膜ＬＥＤ３０Ｒ以外の箇所とは、緑色光ＬＧの波長に対し透明であるため、緑色光ＬＧは、第２の薄膜層２０Ｂにおける薄膜ＬＥＤ３０Ｂ以外の箇所と、第３の薄膜層２０Ｒにおける薄膜ＬＥＤ３０Ｒ以外の箇所とを透過する。一方、薄膜ＬＥＤ３０ＲがＧａＡｓ基板で構成されておりＥｇ＝１．９［ｅＶ］に相当する６６０［ｎｍ］（赤色）よりも短い波長を吸収するため、第３の薄膜層２０Ｒに向かって出射された緑色光ＬＧは、薄膜ＬＥＤ３０Ｒで吸収される。また、第３の薄膜層１２０Ｒに向かって出射された緑色光ＬＧは、カソード電極３４Ｒで反射される。
図１３に示すように、ＬＥＤディスプレイ表示部２が発光すると、薄膜ＬＥＤ３０ＢがＧａＮ基板で構成されておりＥｇ＝３．４［ｅＶ］に相当する３６５［ｎｍ］（青色）よりも短い波長を吸収するため、薄膜ＬＥＤ３０Ｇから発せられた緑色光ＬＧは、薄膜ＬＥＤ３０Ｂによって吸収されず、透過する。また、第２の薄膜層２０Ｂにおける薄膜ＬＥＤ３０Ｂ以外の箇所と、第３の薄膜層２０Ｒにおける薄膜ＬＥＤ３０Ｒ以外の箇所とは、緑色光ＬＧの波長に対し透明であるため、緑色光ＬＧは、第２の薄膜層２０Ｂにおける薄膜ＬＥＤ３０Ｂ以外の箇所と、第３の薄膜層２０Ｒにおける薄膜ＬＥＤ３０Ｒ以外の箇所とを透過する。一方、薄膜ＬＥＤ３０ＲがＧａＡｓ基板で構成されておりＥｇ＝１．９［ｅＶ］に相当する６６０［ｎｍ］（赤色）よりも短い波長を吸収するため、第３の薄膜層２０Ｒに向かって出射された緑色光ＬＧは、薄膜ＬＥＤ３０Ｒで吸収される。また、第３の薄膜層１２０Ｒに向かって出射された緑色光ＬＧは、カソード電極３４Ｒで反射される。
【0122】
また、第３の薄膜層２０Ｒにおける薄膜ＬＥＤ３０Ｒ以外の箇所は、薄膜ＬＥＤ３０Ｂから発せられた青色光ＬＢの波長に対し透明であるため、青色光ＬＢは、第３の薄膜層２０Ｒにおける薄膜ＬＥＤ３０Ｒ以外の箇所を透過する。一方、薄膜ＬＥＤ３０ＲがＧａＡｓ基板で構成されておりＥｇ＝１．９［ｅＶ］に相当する６６０［ｎｍ］（赤色）よりも短い波長を吸収するため、第３の薄膜層２０Ｒに向かって出射された青色光ＬＢは、薄膜ＬＥＤ３０Ｒで吸収される。また、第３の薄膜層１２０Ｒに向かって出射された緑色光ＬＧは、カソード電極３４Ｒで反射される。
【0123】
さらに、第３の薄膜層２０Ｒにおける薄膜ＬＥＤ３０Ｒ以外の箇所は、薄膜ＬＥＤ３０Ｒから発せられた赤色光ＬＲの波長に対し透明であるため、赤色光ＬＲは、第３の薄膜層２０Ｒにおける薄膜ＬＥＤ３０Ｒ以外の箇所を透過する。
【0124】
本実施の形態による画素部８は、薄膜ＬＥＤ３０Ｇ及び３０Ｂの中心に対し、薄膜ＬＥＤ３０Ｒが、その中心を－Ｘ－Ｙ方向側に位置ずれさせた状態で（すなわちオフセットさせた状態で）配されている。このため第３の薄膜層２０Ｒは、緑色光ＬＧ及びＬＢのうち薄膜ＬＥＤ３０Ｒに向かって来た一部の光は薄膜ＬＥＤ３０Ｒによって吸収する共にカソード電極３４Ｒに向かって来た一部の光はカソード電極３４Ｒによって反射するものの、緑色光ＬＧ及びＬＢのうち薄膜ＬＥＤ３０Ｒ及びカソード電極３４Ｒ以外の箇所に向かって来た緑色光ＬＧ及びＬＢは透過させ、＋Ｚ方向へ向かわせる。
【0125】
［１－９．薄膜層の重複の様子］
ここで、＋Ｚ方向側から発光方向Ｄｅに沿って画素部８を見たとき、図１４（Ａ）に示すように、最も＋Ｚ方向側に位置する薄膜ＬＥＤ３０Ｒが、該薄膜ＬＥＤ３０Ｒよりも－Ｚ方向側に位置する薄膜ＬＥＤ３０Ｇ及び薄膜ＬＥＤ３０Ｂの両方と重複する、ハッチングを付した領域を、光吸収領域ＡＲａと呼ぶ。第１の実施の形態においては薄膜ＬＥＤ３０Ｇ及び薄膜ＬＥＤ３０Ｂが互いにオフセットされていないため、光吸収領域ＡＲａは、薄膜ＬＥＤ３０Ｒが薄膜ＬＥＤ３０Ｇと重複する領域となっている。また、＋Ｚ方向側から発光方向Ｄｅに沿って画素部８を見たとき、図１４（Ｂ）に示すように、薄膜ＬＥＤ３０Ｒよりも－Ｚ方向側に位置する薄膜ＬＥＤ３０Ｇと薄膜ＬＥＤ３０Ｂとが重なる、ハッチングを付した領域を、光透過領域ＡＲｔと呼ぶ。本実施の形態による画素部８は、光吸収領域ＡＲａ（図１４（Ａ））が、光透過領域ＡＲｔ（図１４（Ｂ））よりも小さくなるように、薄膜ＬＥＤ３０Ｇ、３０Ｂ及び３０Ｒが配置されている。
ここで、＋Ｚ方向側から発光方向Ｄｅに沿って画素部８を見たとき、図１４（Ａ）に示すように、最も＋Ｚ方向側に位置する薄膜ＬＥＤ３０Ｒが、該薄膜ＬＥＤ３０Ｒよりも－Ｚ方向側に位置する薄膜ＬＥＤ３０Ｇ及び薄膜ＬＥＤ３０Ｂの両方と重複する、ハッチングを付した領域を、光吸収領域ＡＲａと呼ぶ。第１の実施の形態においては薄膜ＬＥＤ３０Ｇ及び薄膜ＬＥＤ３０Ｂが互いにオフセットされていないため、光吸収領域ＡＲａは、薄膜ＬＥＤ３０Ｒが薄膜ＬＥＤ３０Ｇと重複する領域となっている。また、＋Ｚ方向側から発光方向Ｄｅに沿って画素部８を見たとき、図１４（Ｂ）に示すように、薄膜ＬＥＤ３０Ｒよりも－Ｚ方向側に位置する薄膜ＬＥＤ３０Ｇと薄膜ＬＥＤ３０Ｂとが重なる、ハッチングを付した領域を、光透過領域ＡＲｔと呼ぶ。本実施の形態による画素部８は、光吸収領域ＡＲａ（図１４（Ａ））が、光透過領域ＡＲｔ（図１４（Ｂ））よりも小さくなるように、薄膜ＬＥＤ３０Ｇ、３０Ｂ及び３０Ｒが配置されている。
【0126】
［１－１０．効果］
ここで、薄膜ＬＥＤ３０Ｒは、ＧａＡｓ基板であるためＥｇ＝１．９［ｅＶ］に相当する６６０［ｎｍ］（赤色）よりも短い波長を吸収し、薄膜ＬＥＤ３０Ｇは、ＧａＰ基板であるためＥｇ＝２．２［ｅＶ］に相当する５６４［ｎｍ］（緑色）よりも短い波長を吸収し、薄膜ＬＥＤ３０Ｂは、ＧａＮ基板であるためＥｇ＝３．４［ｅＶ］に相当する３６５［ｎｍ］（青色）よりも短い波長を吸収する。すなわち薄膜ＬＥＤ３０は、その半導体のバンドギャップが大きい程、広い範囲の波長の光を透過する性質がある。
ここで、薄膜ＬＥＤ３０Ｒは、ＧａＡｓ基板であるためＥｇ＝１．９［ｅＶ］に相当する６６０［ｎｍ］（赤色）よりも短い波長を吸収し、薄膜ＬＥＤ３０Ｇは、ＧａＰ基板であるためＥｇ＝２．２［ｅＶ］に相当する５６４［ｎｍ］（緑色）よりも短い波長を吸収し、薄膜ＬＥＤ３０Ｂは、ＧａＮ基板であるためＥｇ＝３．４［ｅＶ］に相当する３６５［ｎｍ］（青色）よりも短い波長を吸収する。すなわち薄膜ＬＥＤ３０は、その半導体のバンドギャップが大きい程、広い範囲の波長の光を透過する性質がある。
【0127】
このような特性があるため、積層半導体発光装置であるＬＥＤディスプレイ装置においては、最も－Ｚ方向側（最下層側）から最も＋Ｚ方向側（最上層側）に向かって、バンドギャップの小さい薄膜ＬＥＤ３０からバンドギャップの大きい薄膜ＬＥＤ３０が配置されるように、薄膜ＬＥＤ３０Ｒ、薄膜ＬＥＤ３０Ｇ及び薄膜ＬＥＤ３０Ｂの順番に積層することにより、下層側の薄膜ＬＥＤ３０の光が上層側の薄膜ＬＥＤ３０に吸収されないようにすることが行われていた。
【0128】
しかしながら、それぞれの薄膜ＬＥＤ３０Ｒ、薄膜ＬＥＤ３０Ｇ及び薄膜ＬＥＤ３０Ｂは、互いに発光効率が等しい訳ではなく、特に、薄膜ＬＥＤ３０Ｇ及び薄膜ＬＥＤ３０Ｂよりも薄膜ＬＥＤ３０Ｒの発光効率が低いことが一般的である。すなわち、同じ電流を薄膜ＬＥＤ３０Ｒ、薄膜ＬＥＤ３０Ｇ及び薄膜ＬＥＤ３０Ｂに流したとしても、薄膜ＬＥＤ３０Ｇ及び薄膜ＬＥＤ３０Ｂよりも薄膜ＬＥＤ３０Ｒの方が暗く発光する。また、最上層における薄膜ＬＥＤ３０Ｂ以外の箇所に透明樹脂を用いたとしても、薄膜ＬＥＤ３０Ｒから発せられた赤色光ＬＲに対する最上層の透過率を１００［％］にすることはできない。さらに、最上層と最下層との間の中間層における薄膜ＬＥＤ３０Ｇ以外の箇所に透明樹脂を用いたとしても、薄膜ＬＥＤ３０Ｒから発せられた赤色光ＬＲに対する中間層の透過率を１００［％］にすることはできない。
【0129】
よって、薄膜ＬＥＤ３０Ｒを最下層に配置した場合、該最下層に対する上層である中間層の薄膜ＬＥＤ３０Ｇと最上層の薄膜ＬＥＤ３０Ｂとのバンドギャップが大きく赤色光ＬＲを透過するとしても、薄膜ＬＥＤ３０Ｒの発光効率が低く、且つ、中間層及び最上層の赤色光ＬＲに対する透過率は１００［％］よりは低い値であるため、ＬＥＤディスプレイ表示部から外部へ出射される赤色光ＬＲは減衰する。このため、ＬＥＤディスプレイ表示部から外部へ出射される赤色光ＬＲが暗くなってしまう。その場合、赤色、緑色及び青色を混色させることにより白色を表現するＬＥＤディスプレイ表示部においては、白色の最大輝度は、ＬＥＤディスプレイ表示部から外部へ出射される光が薄膜ＬＥＤ３０Ｇ及び３０Ｂに対し相対的に低い、薄膜ＬＥＤ３０Ｒの最大輝度に依存してしまうこととなる。よって、ＬＥＤディスプレイ表示部は、白色の輝度を上げにくくなり、全体としてのディスプレイ輝度を向上させにくくなってしまう。
【0130】
これに対し、薄膜ＬＥＤ３０Ｒ、３０Ｇ及び３０Ｂの互いの中心を一致させた状態で、薄膜ＬＥＤ３０Ｒを最上層に配置することにより、赤色光ＬＲが薄膜ＬＥＤ３０Ｇ及び３０Ｂによって減衰されないようにすることも考えられる。しかしながら、上述したように、薄膜ＬＥＤ３０Ｒは、ＧａＡｓ基板であるためＥｇ＝１．９［ｅＶ］に相当する６６０［ｎｍ］（赤色）よりも短い波長である青色光ＬＢ及び緑色光ＬＧを吸収し、透過させない。このためＬＥＤディスプレイ表示部から外部へ出射される青色光ＬＢ及び緑色光ＬＧが暗くなってしまう。
【0131】
これに対し第１の形態によるＬＥＤディスプレイ装置１は、第１の薄膜層２０Ｇの薄膜ＬＥＤ３０Ｇ、第２の薄膜層２０Ｂの薄膜ＬＥＤ３０Ｂ及び第３の薄膜層２０Ｒの薄膜ＬＥＤ３０Ｒの順番に積層することにより、最上層に薄膜ＬＥＤ３０Ｒを配置するようにした。またＬＥＤディスプレイ装置１は、薄膜ＬＥＤ３０Ｒの中心を薄膜ＬＥＤ３０Ｇ及び３０Ｂに対しオフセットさせて配置するようにした。
【0132】
このためＬＥＤディスプレイ装置１は、薄膜ＬＥＤ３０Ｇ、３０Ｂ及び３０Ｒを互いの中心を一致させた状態で配置する場合と比較して、＋Ｚ方向へ向かう緑色光ＬＧ及び青色光ＬＢの経路から薄膜ＬＥＤ３０Ｒの少なくとも一部分を退避させ、薄膜ＬＥＤ３０Ｒによって吸収されずにＬＥＤディスプレイ装置１の外部へ出射される緑色光ＬＧ及び青色光ＬＢを増加させることができる。これによりＬＥＤディスプレイ装置１は、最上層の第３の薄膜層２０Ｒの薄膜ＬＥＤ３０Ｒよりも下層側に配置された、該薄膜ＬＥＤ３０Ｒによって吸収される緑色光ＬＧ及び青色光ＬＢを、効率良く外部へ取り出すことができる。
【0133】
このためＬＥＤディスプレイ装置１は、薄膜ＬＥＤ３０Ｇ及び３０Ｂの発光強度が薄膜ＬＥＤ３０Ｒに対し相対的に十分高い場合は、薄膜ＬＥＤ３０Ｒを最下層に配置する場合と比較して、発光強度が低い薄膜ＬＥＤ３０Ｒを最上層に配置することが可能となり、白色の最大輝度が薄膜ＬＥＤ３０Ｒの最大輝度に依存してしまわないようにでき、ＬＥＤディスプレイ表示部２全体のディスプレイ輝度を向上させることができる。
【0134】
またＬＥＤディスプレイ装置１は、薄膜ＬＥＤ３０Ｒの赤色光ＬＲが他の薄膜層２０によって減衰されないため、発光効率が悪い薄膜ＬＥＤ３０Ｒの発光強度を上げるために薄膜ＬＥＤ３０Ｒに大きな電流を流す必要をなくし、少ない電力でＬＥＤディスプレイ表示部２全体のディスプレイ輝度を向上させ、ＬＥＤディスプレイ表示部２全体の発光効率を向上させることができる。
【0135】
かくしてＬＥＤディスプレイ装置１は、発光効率が低い薄膜ＬＥＤ３０Ｒを最上層に配置することが可能となりＬＥＤディスプレイ表示部２全体のディスプレイ輝度を向上させることができると共に、薄膜ＬＥＤ３０Ｒによって吸収される緑色光ＬＧ及び青色光ＬＢを、効率良く外部へ取り出すことができる。
【0136】
以上の構成によればＬＥＤディスプレイ装置１は、基板面としての基板表面１０Ｓを有する回路基板１０と、基板表面１０Ｓに設けられ、第１のバンドギャップとしての薄膜ＬＥＤ３０Ｇのバンドギャップを有し第１の波長としての薄膜ＬＥＤ３０Ｇの波長の光を発光する第１の発光素子としての薄膜ＬＥＤ３０Ｇを含む第１の薄膜層２０Ｇと、薄膜ＬＥＤ３０Ｇのバンドギャップと異なる第２のバンドギャップとしての薄膜ＬＥＤ３０Ｂのバンドギャップを有し薄膜ＬＥＤ３０Ｇの波長と異なる第２の波長としての薄膜ＬＥＤ３０Ｂの光を発光する第２の発光素子としての薄膜ＬＥＤ３０Ｂを含む第２の薄膜層２０Ｂと、薄膜ＬＥＤ３０Ｇのバンドギャップ及び薄膜ＬＥＤ３０Ｂのバンドギャップよりも小さい第３のバンドギャップとしての薄膜ＬＥＤ３０Ｒのバンドギャップを有し薄膜ＬＥＤ３０Ｇの波長及び薄膜ＬＥＤ３０Ｂの波長よりも長い第３の波長としての薄膜ＬＥＤ３０Ｒの光を発光する薄膜ＬＥＤ３０Ｒを含む第３の薄膜層２０Ｒとを設け、第２の薄膜ＬＥＤ３０Ｂ及び第３の薄膜層２０Ｒは、第１の薄膜層２０Ｇの上方（＋Ｚ方向側）に所定の順序で重なって形成され、薄膜ＬＥＤ３０Ｒは、基板表面１０Ｓに直交する積層方向から見たとき、薄膜ＬＥＤ３０Ｒが薄膜ＬＥＤ３０Ｇ及び薄膜ＬＥＤ３０Ｂと重なる領域である光吸収領域ＡＲａが、薄膜ＬＥＤ３０Ｇと薄膜ＬＥＤ３０Ｂとが重なる領域である光透過領域ＡＲｔよりも小さくなるように配置されるようにした。
【0137】
これによりＬＥＤディスプレイ装置１は、＋Ｚ方向へ向かう少なくとも緑色光ＬＧの経路から薄膜ＬＥＤ３０Ｒの少なくとも一部分を退避させ、薄膜ＬＥＤ３０Ｒによって吸収されずにＬＥＤディスプレイ装置１の外部へ出射される緑色光ＬＧを増加させることができる。
【0138】
［２．第２の実施の形態］
［２－１．ＬＥＤディスプレイ装置の構成］
図１と、図２と対応する部材に同一符号を付した図１５とに示すように、第２の実施の形態によるＬＥＤディスプレイ装置１０１は、ＬＥＤディスプレイ装置１と比較して、ＬＥＤディスプレイ表示部１０２がＬＥＤディスプレイ表示部２と相違するものの、他の点については同様に構成されている。ＬＥＤディスプレイ表示部１０２は、アクティブマトリクス回路基板である回路基板１１０上にマトリクス状に無機発光ダイオード（ＬＥＤ）を含む素子をピクセル（１画素）として配列した表示装置である。
［２－１．ＬＥＤディスプレイ装置の構成］
図１と、図２と対応する部材に同一符号を付した図１５とに示すように、第２の実施の形態によるＬＥＤディスプレイ装置１０１は、ＬＥＤディスプレイ装置１と比較して、ＬＥＤディスプレイ表示部１０２がＬＥＤディスプレイ表示部２と相違するものの、他の点については同様に構成されている。ＬＥＤディスプレイ表示部１０２は、アクティブマトリクス回路基板である回路基板１１０上にマトリクス状に無機発光ダイオード（ＬＥＤ）を含む素子をピクセル（１画素）として配列した表示装置である。
【0139】
［２－２．ＬＥＤディスプレイ表示部の全体構成］
ＬＥＤディスプレイ表示部１０２は、図４及び図５と対応する部材に同一符号を付した図１７及び図１８に示すように、平板状の回路基板１１０における＋Ｚ方向側の表面（以下ではこれを基板表面１０Ｓとも呼ぶ）に設定された表示領域内に、第１の薄膜層１２０Ｂ、第２の薄膜層１２０Ｇ及び第３の薄膜層１２０Ｒの３つの薄膜層からなる薄膜層群１１８が積層された構成となっている。以下では、第１の薄膜層１２０Ｂ、第２の薄膜層１２０Ｇ及び第３の薄膜層１２０Ｒをまとめて、薄膜層１２０とも呼ぶ。それぞれの薄膜層１２０は、発光素子が格子状に並んだフィルム形状であり、そのフィルムサイズは、第１の実施の形態による薄膜層２０と同様となっている。
ＬＥＤディスプレイ表示部１０２は、図４及び図５と対応する部材に同一符号を付した図１７及び図１８に示すように、平板状の回路基板１１０における＋Ｚ方向側の表面（以下ではこれを基板表面１０Ｓとも呼ぶ）に設定された表示領域内に、第１の薄膜層１２０Ｂ、第２の薄膜層１２０Ｇ及び第３の薄膜層１２０Ｒの３つの薄膜層からなる薄膜層群１１８が積層された構成となっている。以下では、第１の薄膜層１２０Ｂ、第２の薄膜層１２０Ｇ及び第３の薄膜層１２０Ｒをまとめて、薄膜層１２０とも呼ぶ。それぞれの薄膜層１２０は、発光素子が格子状に並んだフィルム形状であり、そのフィルムサイズは、第１の実施の形態による薄膜層２０と同様となっている。
【0140】
以下では、ＬＥＤディスプレイ表示部１０２における回路基板１１０及び薄膜層群１１８のうち、１画素分の領域である画素部１０８について説明する。また以下では、カソード端子に関わる部材の符号の末尾には「Ｃ」を付し、第１の薄膜層１２０Ｂの薄膜ＬＥＤ３０Ｂに関わる部材の符号の末尾には「Ｂ」を付し、第２の薄膜層１２０Ｇの薄膜ＬＥＤ３０Ｇに関わる部材の符号の末尾には「Ｇ」を付し、第３の薄膜層１２０Ｒの薄膜ＬＥＤ３０Ｒに関わる部材の符号の末尾には「Ｒ」を付す。
【0141】
［２－３．回路基板の構成］
図３と対応する部材に同一符号を付した図１６と、図１７及び図１８とに示すように、回路基板１１０は、シリコンプロセスにより製造されたＣＭＯＳバックプレーン回路基板である。第２の実施の形態による回路基板１１０は、回路基板１０と比較して、接続パッド１１２（接続パッド１１２Ｒ、１１２Ｇ、１１２Ｂ及び１１２Ｃ）並びにアクティブ素子１１４（アクティブ素子１１４Ｒ、１１４Ｇ及び１１４Ｂ）が接続パッド１２（接続パッド１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂ及び１２Ｃ）並びにアクティブ素子１４（アクティブ素子１４Ｒ、１４Ｇ及び１４Ｂ）と相違するものの、他の点については同様に構成されている。
図３と対応する部材に同一符号を付した図１６と、図１７及び図１８とに示すように、回路基板１１０は、シリコンプロセスにより製造されたＣＭＯＳバックプレーン回路基板である。第２の実施の形態による回路基板１１０は、回路基板１０と比較して、接続パッド１１２（接続パッド１１２Ｒ、１１２Ｇ、１１２Ｂ及び１１２Ｃ）並びにアクティブ素子１１４（アクティブ素子１１４Ｒ、１１４Ｇ及び１１４Ｂ）が接続パッド１２（接続パッド１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂ及び１２Ｃ）並びにアクティブ素子１４（アクティブ素子１４Ｒ、１４Ｇ及び１４Ｂ）と相違するものの、他の点については同様に構成されている。
【0142】
接続パッド１１２（接続パッド１１２Ｒ、１１２Ｇ、１１２Ｂ及び１１２Ｃ）は、基板表面１０Ｓにおいてマトリクス状（すなわち格子状）に配列されている。以下では、接続パッド１１２Ｒ、１１２Ｇ、１１２Ｂ及び１１２Ｃをまとめて接続パッド１１２とも呼ぶ。この接続パッド１１２は、１画素に対応しており、４個の接続パッド１１２Ｒ、１１２Ｇ、１１２Ｂ及び１１２Ｃにより、接続パッド組１１２Ｔが構成されている。接続パッド組１１２Ｔは、接続パッド１１２Ｒ、１１２Ｇ、１１２Ｂ及び１１２Ｃの外接矩形よりも内側（すなわち画素エリア内）に、発光部１２４（図１５）が位置するように配置されている。
【0143】
接続パッド１１２Ｒは、導電性を有する材料でなり、＋Ｚ方向側から見た際に例えば正方形状であり、接続パッド組１１２Ｔのうちの＋Ｘ－Ｙ方向側に位置している。また接続パッド１１２Ｒは、垂直方向配線１２２Ｒにおけるアノードピラー１４２ａＲ１の－Ｚ方向側に配され、基板表面１０Ｓに、接続パッド１１２Ｒの＋Ｚ方向側の表面（上面）（以下ではこれを接続パッド表面１１２ＲＳとも呼ぶ）を露出させている。さらに接続パッド１１２Ｒは、回路基板１１０の内部においてアクティブ素子１１４Ｒと電気的に接続されていると共に、接続パッド表面１１２ＲＳが第１の薄膜層１２０Ｂにおけるアノードピラー１４２ａＲ１の－Ｚ方向側の表面（下面）（以下ではこれをアノードピラー下面１４２ａＲ１Ｓ２とも呼ぶ）に接触しており、電気的に接続されている。
【0144】
接続パッド１１２Ｂは、接続パッド１１２Ｒと同様に構成されており、接続パッド組１１２Ｔのうちの－Ｘ＋Ｙ方向側に位置している。また接続パッド１１２Ｂは、垂直方向配線１２２Ｂ（すなわちアノードパッド１４４Ｂ）の－Ｚ方向側に配され、基板表面１０Ｓに、接続パッド１１２Ｂの＋Ｚ方向側の表面（上面）（以下ではこれを接続パッド表面１１２ＢＳとも呼ぶ）を露出させている。さらに接続パッド１１２Ｂは、回路基板１１０の内部においてアクティブ素子１１４Ｂと電気的に接続されていると共に、接続パッド表面１１２ＢＳが第１の薄膜層１２０Ｂにおけるアノードパッド１４４Ｂの－Ｚ方向側の表面（下面）（以下ではこれをアノードパッド表面１４４ＢＳとも呼ぶ）に接触しており、電気的に接続されている。
【0145】
接続パッド１１２Ｇは、接続パッド１１２Ｒと同様に構成されており、接続パッド組１１２Ｔのうちの＋Ｘ＋Ｙ方向側に位置している。また接続パッド１１２Ｇは、垂直方向配線１２２Ｇにおけるアノードピラー１４２ａＧの－Ｚ方向側に配され、基板表面１０Ｓに、接続パッド１１２Ｇの＋Ｚ方向側の表面（上面）（以下ではこれを接続パッド表面１１２ＧＳとも呼ぶ）を露出させている。さらに接続パッド１１２Ｇは、回路基板１１０の内部においてアクティブ素子１１４Ｇと電気的に接続されていると共に、接続パッド表面１１２ＧＳが第１の薄膜層１２０Ｂにおけるアノードピラー１４２ａＧの－Ｚ方向側の表面（下面）（以下ではこれをアノードピラー下面１４２ａＧＳ２とも呼ぶ）に接触しており、電気的に接続されている。
【0146】
接続パッド１１２Ｃは、接続パッド１１２Ｒと同様に構成されており、接続パッド組１１２Ｔのうちの－Ｘ－Ｙ方向側に位置している。また接続パッド１１２Ｃは、垂直方向配線１２２Ｃにおけるカソードピラー１４０ｃＢの－Ｚ方向側に配され、基板表面１０Ｓに、接続パッド１１２Ｃの＋Ｚ方向側の表面（上面）（以下ではこれを接続パッド表面１１２ＣＳとも呼ぶ）を露出させている。さらに接続パッド１１２Ｃは、回路基板１１０の内部において配線層１６のカソード共通配線と電気的に接続されていると共に、接続パッド表面１１２ＣＳが第１の薄膜層１２０Ｂにおけるカソードピラー１４０ｃＢの－Ｚ方向側の表面（下面）（以下ではこれをカソードピラー下面１４０ｃＢＳ２とも呼ぶ）に接触しており、電気的に接続されている。
【0147】
アクティブ素子１１４（アクティブ素子１１４Ｒ、１１４Ｇ及び１１４Ｂ）は、回路基板１１０内部においてマトリクス状（すなわち格子状）に配列されている。以下では、アクティブ素子１１４Ｒ、１１４Ｇ、及び１１４Ｂをまとめてアクティブ素子１１４とも呼ぶ。
【0148】
アクティブ素子１１４Ｒは、２個のＭＯＳトランジスタと１個のコンデンサとにより構成されており、接続パッド１１２Ｒの－Ｚ方向側に配され配線層１６内部の配線と電気的に接続されている。アクティブ素子１１４Ｇ及び１１４Ｂは、アクティブ素子１１４Ｒと同様に構成されており、それぞれ接続パッド１１２Ｇ及び１１２Ｂの－Ｚ方向側に配され配線層１６内部の配線と電気的に接続されている。
【0149】
配線層１６内部の配線は、詳細には図示されないが、マトリクス状（すなわち格子状）に配置されており、アクティブ素子１１４（アクティブ素子１１４Ｒ、１１４Ｇ及び１１４Ｂ）並びに接続パッド１１２（１１２Ｒ、１１２Ｇ、１１２Ｂ及び１１２Ｃ）と適宜電気的に接続されていると共に、駆動ドライバ６と電気的に接続されている。
【0150】
回路基板１１０は、基板表面１０Ｓが極めて平坦な平面状に形成されている。すなわち回路基板１１０では、絶縁層１１の上面である絶縁層表面１１Ｓ、接続パッド表面１１２ＲＳ、接続パッド表面１１２ＧＳ、接続パッド表面１１２ＢＳ及び接続パッド表面１１２ＣＳが何れも極めて平坦であり、且つそれぞれが互いに平行な平面となっており、さらにそれぞれのＺ方向に関する距離（すなわち段差）も極めて小さくなっている。すなわち、絶縁層表面１１Ｓ、接続パッド表面１１２ＲＳ、接続パッド表面１１２ＧＳ、接続パッド表面１１２ＢＳ及び接続パッド表面１１２ＣＳは、それぞれ同一平面上に位置している。
【0151】
具体的に回路基板１１０では、基板表面１０Ｓの表面粗さ、すなわち、絶縁層表面１１Ｓ、接続パッド表面１１２ＲＳ、接続パッド表面１１２ＧＳ、接続パッド表面１１２ＢＳ及び接続パッド表面１１２ＣＳにおける表面粗さ（ラフネス、表面最大段差とも呼ぶ）Ｒｐｖが何れも１０［ｎｍ］以下となっている。
【0152】
［２－４．薄膜層群の構成］
図１７及び図１８に示すように、薄膜層群１１８は、第１の薄膜層１２０Ｂ、第２の薄膜層１２０Ｇ及び第３の薄膜層１２０Ｒの３つの薄膜層１２０が、－Ｚ方向から＋Ｚ方向へ向かって積層されている。薄膜層群１１８は、回路基板１１０上に分子間力により物理的に接合されると共に、該回路基板１１０と電気的にも接続されている。
図１７及び図１８に示すように、薄膜層群１１８は、第１の薄膜層１２０Ｂ、第２の薄膜層１２０Ｇ及び第３の薄膜層１２０Ｒの３つの薄膜層１２０が、－Ｚ方向から＋Ｚ方向へ向かって積層されている。薄膜層群１１８は、回路基板１１０上に分子間力により物理的に接合されると共に、該回路基板１１０と電気的にも接続されている。
【0153】
薄膜層群１１８には、ＬＥＤディスプレイ表示部１０２の領域内においてマトリクス状に配列された複数の画素（画素部１０８）が配置されている。画素部１０８は、主に、Ｚ方向から見た際に、四隅に配置されアノードやカソードに対応した４つの垂直方向配線１２２（垂直方向配線１２２Ｃ、１２２Ｒ、１２２Ｇ及び１２２Ｂ）と、垂直方向配線１２２に囲まれ画素部１０８の内部に配置される１つの発光部１２４とにより構成されている。以下では、垂直方向配線１２２Ｃ、１２２Ｒ、１２２Ｇ及び１２２Ｂをまとめて、垂直方向配線１２２とも呼ぶ。
【0154】
垂直方向配線１２２Ｃは、導電性を有する材料でなり、カソード電極１３４Ｒ、カソードピラー１４０ｃＧ及び１４０ｃＢにより構成されている。垂直方向配線１２２Ｒは、導電性を有する材料でなり、アノードパッド１４４Ｒ、アノードピラー１４２ａＲ２及び１４２ａＲ１により構成されている。垂直方向配線１２２Ｂは、導電性を有する材料でなり、アノードパッド１４４Ｂにより構成されている。垂直方向配線１２２Ｇは、導電性を有する材料でなり、アノードパッド１４４Ｇ及びアノードピラー１４２ａＧにより構成されている。
【0155】
発光部１２４は、－Ｚ方向側から＋Ｚ方向側へ向かって並ぶように薄膜ＬＥＤ３０Ｂ、３０Ｇ及び３０ＲがＺ方向（発光方向Ｄｅ）から見た際に重複することにより構成されている。本実施の形態においては、薄膜ＬＥＤ３０Ｂ、３０Ｇ及び３０Ｒは、互いの中心が一致しないように、Ｚ方向に重なっている。具体的に、薄膜ＬＥＤ３０Ｂは、その中心が画素部１０８の中心（すなわち画素エリアの中央）に位置している。薄膜ＬＥＤ３０Ｇは、薄膜ＬＥＤ３０Ｂに対し、中心が－Ｘ＋Ｙ方向側にずれているものの、一部分が重なっている。薄膜ＬＥＤ３０Ｒは、薄膜ＬＥＤ３０Ｂに対し、中心が－Ｘ－Ｙ方向側にずれているものの、一部分が重なっている。
【0156】
回路基板１１０の内部には、カソード共通配線が設けられている。カソード共通配線は、ＬＥＤディスプレイ表示部１０２の領域外においてＸ方向及びＹ方向に沿って直線状に配置されていると共に、Ｘ方向に並ぶ複数の発光部１２４からなる１列の発光部列と、該発光部列に対しＹ方向に隣接する発光部列との間において、Ｘ方向に沿って直線状に配置されている。またこのカソード共通配線は、駆動ドライバ６の共通カソード接続端子に終端している。
【0157】
［２－４－１．第１の薄膜層の構成］
図１７及び図１８と、図６と対応する部材に同一符号を付した図１９とに示すように、第１の薄膜層１２０Ｂは、下地透明絶縁材料１２６Ｂ、透明絶縁材料１２８Ｂ、薄膜ＬＥＤ３０Ｂ、アノード電極３２Ｂ、カソード電極３４Ｂ、引出配線１３６ａＢ及び１３６ｃＢ、層間絶縁膜１３８ａＢ及び１３８ｃＢ、アノードピラー１４２ａＧ及び１４２ａＲ１、アノードパッド１４４Ｂ並びにカソードピラー１４０ｃＢにより構成されている。
図１７及び図１８と、図６と対応する部材に同一符号を付した図１９とに示すように、第１の薄膜層１２０Ｂは、下地透明絶縁材料１２６Ｂ、透明絶縁材料１２８Ｂ、薄膜ＬＥＤ３０Ｂ、アノード電極３２Ｂ、カソード電極３４Ｂ、引出配線１３６ａＢ及び１３６ｃＢ、層間絶縁膜１３８ａＢ及び１３８ｃＢ、アノードピラー１４２ａＧ及び１４２ａＲ１、アノードパッド１４４Ｂ並びにカソードピラー１４０ｃＢにより構成されている。
【0158】
下地透明絶縁材料１２６Ｂは、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＮや透明ポリイミド等により構成されており、十分な絶縁性を備えている。この下地透明絶縁材料１２６Ｂは、ＡＡ断面方向Ｄａ（図１７）に関して、画素部１０８における一端部から他端部までに亘って延設されているものの、回路基板１１０におけるそれぞれ接続パッド１１２Ｇ及び１１２ＣとＺ方向に対向する箇所において、下地透明絶縁材料１２６Ｂの＋Ｚ方向側の表面（上面）（以下ではこれを下地透明絶縁材料上面１２６ＢＳ１とも呼ぶ）から－Ｚ方向側の表面（下面）（以下ではこれを下地透明絶縁材料下面１２６ＢＳ２とも呼ぶ）までに亘って下地透明絶縁材料１２６ＢをＺ方向（発光方向Ｄｅ）に貫通する下地透明絶縁材料開口１４８ａＧ及び１４８ｃＢが形成されている。
【0159】
また下地透明絶縁材料１２６Ｂは、ＢＢ断面方向Ｄｂ（図１８）に関して、画素部１０８における一端部から他端部までに亘って延設されているものの、回路基板１１０におけるそれぞれ接続パッド１１２Ｂ及び１１２ＲとＺ方向に対向する箇所において、下地透明絶縁材料上面１２６ＢＳ１から下地透明絶縁材料下面１２６ＢＳ２までに亘って下地透明絶縁材料１２６ＢをＺ方向（発光方向Ｄｅ）に貫通する下地透明絶縁材料開口１４８Ｂ及び１４８ａＲ１が形成されている。
【0160】
薄膜ＬＥＤ３０Ｂは、ＡＡ断面方向Ｄａ及びＢＢ断面方向Ｄｂに関し画素部１０８における中央部に配され、ＡＡ断面方向Ｄａ及びＢＢ断面方向Ｄｂに所定の範囲の長さを有し、Ｚ方向の厚さが３［μｍ］以下であり、透明絶縁材料１２８Ｂ内に埋め込まれた薄膜無機発光素子である。薄膜ＬＥＤ３０Ｂの＋Ｚ方向側の上面である発光面は、ＸＹ方向に沿った平面となっている。この薄膜ＬＥＤ３０Ｂは、例えばＧａＮ系材料により形成された、青色の光を発するＬＥＤである。アノード電極３２Ｂは、薄膜ＬＥＤ３０Ｂの＋Ｚ方向側の中央部に形成されたアノード上に配置されている。カソード電極３４Ｂは、薄膜ＬＥＤ３０Ｂの＋Ｚ方向側における－Ｘ－Ｙ方向側に形成されたカソード上に配置されている。
【0161】
引出配線１３６ａＢ（図１８）は、導電性を有する材料により構成されており、アノード電極３２Ｂにおける＋Ｚ方向側の面（上面）とアノードパッド１４４Ｂとにそれぞれ接触し、両者を電気的に接続している。層間絶縁膜１３８ａＢは、絶縁性を有する材料により構成されており、引出配線１３６ａＢと薄膜ＬＥＤ３０Ｂとの間に配され、Ｚ方向に沿って見た際に引出配線１３６ａＢよりも大きく形成されている。この層間絶縁膜１３８ａＢは、引出配線１３６ａＢと薄膜ＬＥＤ３０Ｂとの不要な部分の短絡を保護する。
【0162】
引出配線１３６ｃＢ（図１７）は、引出配線１３６ａＢ（図１８）と同様に導電性を有する材料により構成されており、カソード電極３４Ｂにおける＋Ｚ方向側の面（上面）とカソードピラー１４０ｃＢとにそれぞれ接触し、両者を電気的に接続している。層間絶縁膜１３８ｃＢは、層間絶縁膜１３８ａＢ（図１８）と同様に絶縁性を有する材料により構成されており、引出配線１３６ｃＢと薄膜ＬＥＤ３０Ｂとの間に配され、Ｚ方向に沿って見た際に引出配線１３６ｃＢよりも大きく形成されている。この層間絶縁膜１３８ｃＢは、引出配線１３６ｃＢと薄膜ＬＥＤ３０Ｂとの不要な部分の短絡を保護する。
【0163】
上述したアノード電極３２Ｂ、カソード電極３４Ｂ、引出配線１３６ａＢ及び１３６ｃＢは、例えばＩＴＯ等の透明導電性材料により構成されており、層間絶縁膜１３８ａＢ及び１３８ｃＢは、薄膜ＬＥＤ３０Ｂが発する光の波長に対して透明であることが望ましい。
【0164】
アノードピラー１４２ａＧ（図１７）は、例えば金、銅やチタン等の導電性を有する材料により構成されており、回路基板１１０の接続パッド１１２ＧとＺ方向に対向する位置に配され、垂直方向配線１２２Ｇの一部分を構成している。具体的にアノードピラー１４２ａＧは、プロセス安定化のための金系の金属であるコンタクト金属１４６ａＰＬ１Ｂ上（＋Ｚ方向側）に該コンタクト金属１４６ａＰＬ１Ｂと一体化して形成されている。またアノードピラー１４２ａＧは、銅の拡散防止膜でありコンタクト金属１４６ａＰＬ１Ｂ上に形成されたチタン製のバリア層と、バリア層上に形成された銅製のシード金属と、シード金属上に成長充填された銅であるめっき部とにより構成されている。後述するアノードピラー１４２ａＲ１及びカソードピラー１４０ｃＢにおいても同様であり、アノードピラー１４２ａＲ１（図１８）は、コンタクト金属１４６ａＰＬ２Ｂ上（＋Ｚ方向側）に該コンタクト金属１４６ａＰＬ２Ｂと一体化して形成されている。カソードピラー１４０ｃＢ（図１７）は、コンタクト金属１４６ｃＢ上（＋Ｚ方向側）に該コンタクト金属１４６ｃＢと一体化して形成されている。このアノードピラー１４２ａＧは、＋Ｚ方向側の面（以下ではこれをアノードピラー上面１４２ａＧＳ１とも呼ぶ）を、透明絶縁材料１２８Ｂから露出させている。またアノードピラー１４２ａＧは、－Ｚ方向側の面（アノードピラー下面１４２ａＧＳ２）を、下地透明絶縁材料１２６Ｂから露出させている。
【0165】
アノードピラー１４２ａＲ１（図１８）は、アノードピラー１４２ａＧと同様に導電性を有する材料により構成されており、回路基板１１０の接続パッド１１２ＲとＺ方向に対向する位置に配され、垂直方向配線１２２Ｒの一部分を構成している。このアノードピラー１４２ａＲ１は、＋Ｚ方向側の面（以下ではこれをアノードピラー上面１４２ａＲ１Ｓ１とも呼ぶ）を、透明絶縁材料１２８Ｂから露出させている。またアノードピラー１４２ａＲ１は、－Ｚ方向側の面（アノードピラー下面１４２ａＲ１Ｓ２）を、下地透明絶縁材料１２６Ｂから露出させている。
【0166】
アノードパッド１４４Ｂ（図１８）は、アノードピラー１４２ａＧと同様に導電性を有する材料により構成されており、回路基板１１０の接続パッド１１２ＢとＺ方向に対向する位置に配され、垂直方向配線１２２Ｂを構成している。このアノードパッド１４４Ｂは、－Ｚ方向側の面（アノードパッド表面１４４ＢＳ）を、下地透明絶縁材料１２６Ｂから露出させている。
【0167】
カソードピラー１４０ｃＢ（図１７）は、アノードピラー１４２ａＧと同様に導電性を有する材料により構成されており、回路基板１１０の接続パッド１１２ＣとＺ方向に対向する位置に配され、垂直方向配線１２２Ｃの一部分を構成している。このカソードピラー１４０ｃＢは、＋Ｚ方向側の面（以下ではこれをカソードピラー上面１４０ｃＢＳ１とも呼ぶ）を、透明絶縁材料１２８Ｂから露出させている。またカソードピラー１４０ｃＢは、－Ｚ方向側の面（以下ではこれをカソードピラー下面１４０ｃＢＳ２とも呼ぶ）を、下地透明絶縁材料１２６Ｂから露出させている。
【0168】
透明絶縁材料１２８Ｂは、例えば、下地透明絶縁材料１２６Ｂと同一の材料により構成されており、十分な絶縁性を備えていると共に、少なくとも薄膜ＬＥＤ３０Ｂが発する光の波長に対して透明となっている。この透明絶縁材料１２８Ｂは、アノードピラー１４２ａＧ及び１４２ａＲ１並びにカソードピラー１４０ｃＢを除いた、下地透明絶縁材料１２６Ｂ、薄膜ＬＥＤ３０Ｂ、アノード電極３２Ｂ、カソード電極３４Ｂ、引出配線１３６ａＢ及び１３６ｃＢ、層間絶縁膜１３８ａＢ及び１３８ｃＢ並びにアノードパッド１４４Ｂを＋Ｚ方向側から覆うように配設されており、これら薄膜ＬＥＤ３０Ｂ、アノード電極３２Ｂ、カソード電極３４Ｂ、引出配線１３６ａＢ及び１３６ｃＢ、層間絶縁膜１３８ａＢ及び１３８ｃＢ並びにアノードパッド１４４Ｂを、下地透明絶縁材料１２６Ｂとの間において内部に埋め込んでいる。
【0169】
この透明絶縁材料１２８Ｂ（図１７）は、下地透明絶縁材料開口１４８ａＧの＋Ｚ方向側において、透明絶縁材料１２８Ｂの＋Ｚ方向側の表面（上面）（以下ではこれを透明絶縁材料表面１２８ＢＳとも呼ぶ）から－Ｚ方向側の表面（下面）（すなわち下地透明絶縁材料開口１４８ａＧの＋Ｚ方向側端部）までに亘って透明絶縁材料１２８ＢをＺ方向（発光方向Ｄｅ）に貫通する透明絶縁材料開口１５０ａＧが形成されている。
【0170】
また透明絶縁材料１２８Ｂ（図１８）は、下地透明絶縁材料開口１４８ａＲ１の＋Ｚ方向側において、透明絶縁材料表面１２８ＢＳから－Ｚ方向側の表面（下面）（すなわち下地透明絶縁材料開口１４８ａＲ１の＋Ｚ方向側端部）までに亘って透明絶縁材料１２８ＢをＺ方向（発光方向Ｄｅ）に貫通する透明絶縁材料開口１５０ａＲ１が形成されている。
【0171】
さらに透明絶縁材料１２８Ｂ（図１７）は、下地透明絶縁材料開口１４８ｃＢの＋Ｚ方向側において、透明絶縁材料表面１２８ＢＳから－Ｚ方向側の表面（下面）（すなわち下地透明絶縁材料開口１４８ｃＢの＋Ｚ方向側端部）までに亘って透明絶縁材料１２８ＢをＺ方向（発光方向Ｄｅ）に貫通する透明絶縁材料開口１５０ｃＢが形成されている。
【0172】
このような下地透明絶縁材料開口１４８ａＧと透明絶縁材料開口１５０ａＧとにより第１の薄膜層開口１５２ａＧが形成されている。第１の薄膜層開口１５２ａＧは、第１の薄膜層１２０Ｂの＋Ｚ方向側の上面（以下ではこれを第１の薄膜層上面１２０ＢＳ１とも呼ぶ）から－Ｚ方向側の下面（第１の薄膜層下面１２０ＢＳ２）にかけて形成されており、内部にアノードピラー１４２ａＧが形成されている。また下地透明絶縁材料開口１４８ａＲ１と透明絶縁材料開口１５０ａＲ１とにより第１の薄膜層開口１５２ａＲ１が形成されている。第１の薄膜層開口１５２ａＲ１は、第１の薄膜層上面１２０ＢＳ１から第１の薄膜層下面１２０ＢＳ２にかけて形成されており、内部にアノードピラー１４２ａＲ１が形成されている。さらに下地透明絶縁材料開口１４８ｃＢと透明絶縁材料開口１５０ｃＢとにより第１の薄膜層開口１５２ｃＢが形成されている。第１の薄膜層開口１５２ｃＢは、第１の薄膜層上面１２０ＢＳ１から第１の薄膜層下面１２０ＢＳ２にかけて形成されており、内部にカソードピラー１４０ｃＢが形成されている。
【0173】
また第１の薄膜層１２０Ｂは、第１の薄膜層上面１２０ＢＳ１が極めて平坦な平面状に形成されている。すなわち第１の薄膜層１２０Ｂでは、透明絶縁材料表面１２８ＢＳ、アノードピラー上面１４２ａＧＳ１及び１４２ａＲ１Ｓ１並びにカソードピラー上面１４０ｃＢＳ１が何れも極めて平坦であり、且つそれぞれが互いに平行な平面となっており、さらにそれぞれのＺ方向に関する距離（すなわち段差）も極めて小さくなっている。すなわち、透明絶縁材料表面１２８ＢＳ、アノードピラー上面１４２ａＧＳ１、アノードピラー上面１４２ａＲ１Ｓ１及びカソードピラー上面１４０ｃＢＳ１は、それぞれ同一平面上に位置している。
【0174】
具体的に第１の薄膜層１２０Ｂでは、第１の薄膜層上面１２０ＢＳ１の表面粗さ、すなわち、透明絶縁材料表面１２８ＢＳ、アノードピラー上面１４２ａＧＳ１、アノードピラー上面１４２ａＲ１Ｓ１及びカソードピラー上面１４０ｃＢＳ１における表面粗さＲｐｖが何れも１０［ｎｍ］以下となっている。
【0175】
さらに第１の薄膜層１２０Ｂは、第１の薄膜層下面１２０ＢＳ２が極めて平坦な平面状に形成されている。すなわち第１の薄膜層１２０Ｂでは、下地透明絶縁材料下面１２６ＢＳ２、アノードピラー下面１４２ａＧＳ２及び１４２ａＲ１Ｓ２、アノードパッド表面１４４ＢＳ、並びに引出配線１３６ａＢ及び１３６ｃＢの－Ｚ方向側の表面（下面）が何れも極めて平坦であり、且つそれぞれが互いに平行な平面となっており、さらにそれぞれのＺ方向に関する距離（すなわち段差）も極めて小さくなっている。すなわち、下地透明絶縁材料下面１２６ＢＳ２、アノードピラー下面１４２ａＧＳ２及び１４２ａＲ１Ｓ２、アノードパッド表面１４４ＢＳ、並びに引出配線１３６ａＢ及び１３６ｃＢの下面は、それぞれ同一平面上に位置している。
【0176】
具体的に第１の薄膜層１２０Ｂでは、第１の薄膜層下面１２０ＢＳ２の表面粗さ、すなわち、下地透明絶縁材料下面１２６ＢＳ２、アノードピラー下面１４２ａＧＳ２及び１４２ａＲ１Ｓ２、アノードパッド表面１４４ＢＳ、並びに引出配線１３６ａＢ及び１３６ｃＢの下面における表面粗さＲｐｖが何れも１０［ｎｍ］以下となっている。
【0177】
［２－４－２．第２の薄膜層の構成］
図１７及び図１８と、図７と対応する部材に同一符号を付した図２０とに示すように、第２の薄膜層１２０Ｇは、下地透明絶縁材料１２６Ｇ、透明絶縁材料１２８Ｇ、薄膜ＬＥＤ３０Ｇ、アノード電極３２Ｇ、カソード電極３４Ｇ、引出配線１３６ａＧ及び１３６ｃＧ、層間絶縁膜１３８ａＧ及び１３８ｃＧ、アノードピラー１４２ａＲ２、アノードパッド１４４Ｇ並びにカソードピラー１４０ｃＧにより構成されている。
図１７及び図１８と、図７と対応する部材に同一符号を付した図２０とに示すように、第２の薄膜層１２０Ｇは、下地透明絶縁材料１２６Ｇ、透明絶縁材料１２８Ｇ、薄膜ＬＥＤ３０Ｇ、アノード電極３２Ｇ、カソード電極３４Ｇ、引出配線１３６ａＧ及び１３６ｃＧ、層間絶縁膜１３８ａＧ及び１３８ｃＧ、アノードピラー１４２ａＲ２、アノードパッド１４４Ｇ並びにカソードピラー１４０ｃＧにより構成されている。
【0178】
下地透明絶縁材料１２６Ｇは、下地透明絶縁材料１２６Ｂと同様の材料により構成されており、十分な絶縁性を備えていると共に、少なくとも薄膜ＬＥＤ３０Ｇが発する光の波長に対して透明となっている。この下地透明絶縁材料１２６Ｇは、ＡＡ断面方向Ｄａ（図１７）に関して、画素部１０８における一端部から他端部までに亘って延設されているものの、第１の薄膜層１２０Ｂにおけるそれぞれ第１の薄膜層開口１５２ａＧ及び１５２ｃＧとＺ方向に対向する箇所において、下地透明絶縁材料１２６Ｇの＋Ｚ方向側の表面（上面）（以下ではこれを下地透明絶縁材料上面１２６ＧＳ１とも呼ぶ）から－Ｚ方向側の表面（下面）（以下ではこれを下地透明絶縁材料下面１２６ＧＳ２とも呼ぶ）までに亘って下地透明絶縁材料１２６ＧをＺ方向（発光方向Ｄｅ）に貫通する下地透明絶縁材料開口１４８Ｇ及び１４８ｃＧがそれぞれ形成されている。
【0179】
また下地透明絶縁材料１２６Ｇは、ＢＢ断面方向Ｄｂ（図１８）に関して、画素部１０８における一端部から他端部までに亘って延設されているものの、第１の薄膜層１２０Ｂにおける第１の薄膜層開口１５２ａＲ１とＺ方向に対向する箇所において、下地透明絶縁材料上面１２６ＧＳ１から下地透明絶縁材料下面１２６ＧＳ２までに亘って下地透明絶縁材料１２６ＧをＺ方向（発光方向Ｄｅ）に貫通する下地透明絶縁材料開口１４８ａＲ２が形成されている。
【0180】
薄膜ＬＥＤ３０Ｇは、ＡＡ断面方向Ｄａに関し画素部１０８における中央部に配されるものの、画素部１０８における中央部から－Ｘ＋Ｙ方向側に位置ずれして配され、ＡＡ断面方向Ｄａ及びＢＢ断面方向Ｄｂに所定の範囲の長さを有し、Ｚ方向の厚さが３［μｍ］以下であり、透明絶縁材料１２８Ｇ内に埋め込まれた薄膜無機発光素子である。薄膜ＬＥＤ３０Ｇの＋Ｚ方向側の上面である発光面は、ＸＹ方向に沿った平面となっている。この薄膜ＬＥＤ３０Ｇは、例えばＧａＰ系材料により形成された、緑色の光を発するＬＥＤである。アノード電極３２Ｇは、薄膜ＬＥＤ３０Ｇの＋Ｚ方向側の中央部に形成されたアノード上に配置されている。カソード電極３４Ｇは、薄膜ＬＥＤ３０Ｇの＋Ｚ方向側における－Ｘ－Ｙ方向側に形成されたカソード上に配置されている。
【0181】
引出配線１３６ａＧ（図１７）は、導電性を有する材料により構成されており、アノード電極３２Ｇにおける＋Ｚ方向側の面（上面）とアノードパッド１４４Ｇとにそれぞれ接触し、両者を電気的に接続している。層間絶縁膜１３８ａＧは、絶縁性を有する材料により構成されており、引出配線１３６ａＧと薄膜ＬＥＤ３０Ｇとの間に配され、Ｚ方向に沿って見た際に引出配線１３６ａＧよりも大きく形成されている。この層間絶縁膜１３８ａＧは、引出配線１３６ａＧと薄膜ＬＥＤ３０Ｇとの不要な部分の短絡を保護する。
【0182】
引出配線１３６ｃＧ（図１７）は、引出配線１３６ａＧと同様に導電性を有する材料により構成されており、カソード電極３４Ｇにおける＋Ｚ方向側の面（上面）とカソードピラー１４０ｃＧとにそれぞれ接触し、両者を電気的に接続している。層間絶縁膜１３８ｃＧは、層間絶縁膜１３８ａＧと同様に絶縁性を有する材料により構成されており、引出配線１３６ｃＧと薄膜ＬＥＤ３０Ｇとの間に配され、Ｚ方向に沿って見た際に引出配線１３６ｃＧよりも大きく形成されている。この層間絶縁膜１３８ｃＧは、引出配線１３６ｃＧと薄膜ＬＥＤ３０Ｇとの不要な部分の短絡を保護する。
【0183】
上述したアノード電極３２Ｇ、カソード電極３４Ｇ、引出配線１３６ａＧ及び１３６ｃＧは、例えばＩＴＯ等の透明導電性材料により構成されており、層間絶縁膜１３８ａＧ及び１３８ｃＧは、薄膜ＬＥＤ３０Ｂ及び３０Ｇが発する光の波長に対して透明であることが望ましい。
【0184】
アノードピラー１４２ａＲ２（図１８）は、例えば金、銅やチタン等の導電性を有する材料により構成されており、第１の薄膜層１２０Ｂのアノードピラー１４２ａＲ１とＺ方向に対向する位置に配され、垂直方向配線１２２Ｒの一部分を構成している。具体的にアノードピラー１４２ａＲ２は、プロセス安定化のための金系の金属であるコンタクト金属１４６ａＰＬＧ上（＋Ｚ方向側）に該コンタクト金属１４６ａＰＬＧと一体化して形成されている。またアノードピラー１４２ａＲ２は、銅の拡散防止膜でありコンタクト金属１４６ａＰＬＧ上に形成されたチタン製のバリア層と、バリア層上に形成された銅製のシード金属と、シード金属上に成長充填された銅であるめっき部とにより構成されている。後述するカソードピラー１４０ｃＧにおいても同様であり、カソードピラー１４０ｃＧ（図１７）は、コンタクト金属１４６ｃＧ上（＋Ｚ方向側）に該コンタクト金属１４６ｃＧと一体化して形成されている。このアノードピラー１４２ａＲ２は、＋Ｚ方向側の面（以下ではこれをアノードピラー上面１４２ａＲ２Ｓ１とも呼ぶ）を、透明絶縁材料１２８Ｇから露出させている。またアノードピラー１４２ａＲ２は、－Ｚ方向側の面（以下ではこれをアノードピラー下面１４２ａＲ２Ｓ２とも呼ぶ）を、下地透明絶縁材料１２６Ｇから露出させている。
【0185】
アノードパッド１４４Ｇ（図１７）は、アノードピラー１４２ａＲ２と同様に導電性を有する材料により構成されており、第１の薄膜層１２０Ｂのアノードピラー１４２ａＧとＺ方向に対向する位置に配され、垂直方向配線１２２Ｇの一部分を構成している。このアノードパッド１４４Ｇは、－Ｚ方向側の面（以下ではこれをアノードパッド表面１４４ＧＳとも呼ぶ）を、下地透明絶縁材料１２６Ｇから露出させている。
【0186】
カソードピラー１４０ｃＧ（図１７）は、アノードピラー１４２ａＲ２と同様に導電性を有する材料により構成されており、第１の薄膜層１２０Ｂのカソードピラー１４０ｃＢとＺ方向に対向する位置に配され、垂直方向配線１２２Ｃの一部分を構成している。このカソードピラー１４０ｃＧは、＋Ｚ方向側の面（以下ではこれをカソードピラー上面１４０ｃＧＳ１とも呼ぶ）を、透明絶縁材料１２８Ｇから露出させている。またカソードピラー１４０ｃＧは、－Ｚ方向側の面（以下ではこれをカソードピラー下面１４０ｃＧＳ２とも呼ぶ）を、下地透明絶縁材料１２６Ｇから露出させている。
【0187】
透明絶縁材料１２８Ｇは、例えば、下地透明絶縁材料１２６Ｇと同一の材料により構成されており、十分な絶縁性を備えていると共に、少なくとも薄膜ＬＥＤ３０Ｂ及び３０Ｇが発する光の波長に対して透明となっている。この透明絶縁材料１２８Ｇは、アノードピラー１４２ａＲ２及びカソードピラー１４０ｃＧを除いた、下地透明絶縁材料１２６Ｇ、薄膜ＬＥＤ３０Ｇ、アノード電極３２Ｇ、カソード電極３４Ｇ、引出配線１３６ａＧ及び１３６ｃＧ、層間絶縁膜１３８ａＧ及び１３８ｃＧ並びにアノードパッド１４４Ｇを＋Ｚ方向側から覆うように配設されており、これら薄膜ＬＥＤ３０Ｇ、アノード電極３２Ｇ、カソード電極３４Ｇ、引出配線１３６ａＧ及び１３６ｃＧ、層間絶縁膜１３８ａＧ及び１３８ｃＧ並びにアノードパッド１４４Ｇを、下地透明絶縁材料１２６Ｇとの間において内部に埋め込んでいる。
【0188】
この透明絶縁材料１２８Ｇ（図１８）は、下地透明絶縁材料開口１４８ａＲ２の＋Ｚ方向側において、透明絶縁材料１２８Ｇの＋Ｚ方向側の表面（上面）（以下ではこれを透明絶縁材料表面１２８ＧＳとも呼ぶ）から－Ｚ方向側の表面（下面）（すなわち下地透明絶縁材料開口１４８ａＲ２の＋Ｚ方向側端部）までに亘って透明絶縁材料１２８ＧをＺ方向（発光方向Ｄｅ）に貫通する透明絶縁材料開口１５０ａＲ２が形成されている。
【0189】
また透明絶縁材料１２８Ｇ（図１７）は、下地透明絶縁材料開口１４８ｃＧの＋Ｚ方向側において、透明絶縁材料表面１２８ＧＳから－Ｚ方向側の表面（下面）（すなわち下地透明絶縁材料開口１４８ｃＧの＋Ｚ方向側端部）までに亘って透明絶縁材料１２８ＧをＺ方向（発光方向Ｄｅ）に貫通する透明絶縁材料開口１５０ｃＧが形成されている。
【0190】
このような下地透明絶縁材料開口１４８ａＲ２と透明絶縁材料開口１５０ａＲ２とにより第２の薄膜層開口１５２ａＲ２が形成されている。第２の薄膜層開口１５２ａＲ２は、第２の薄膜層１２０Ｇの＋Ｚ方向側の上面（以下ではこれを第２の薄膜層上面１２０ＧＳ１とも呼ぶ）から－Ｚ方向側の下面（以下ではこれを第２の薄膜層下面１２０ＧＳ２とも呼ぶ）にかけて形成されており、内部にアノードピラー１４２ａＲ２が形成されている。また下地透明絶縁材料開口１４８ｃＧと透明絶縁材料開口１５０ｃＧとにより第２の薄膜層開口１５２ｃＧが形成されている。第２の薄膜層開口１５２ｃＧは、第２の薄膜層上面１２０ＧＳ１から第２の薄膜層下面１２０ＧＳ２にかけて形成されており、内部にカソードピラー１４０ｃＧが形成されている。
【0191】
また第２の薄膜層１２０Ｇは、第２の薄膜層上面１２０ＧＳ１が極めて平坦な平面状に形成されている。すなわち第２の薄膜層１２０Ｇでは、透明絶縁材料表面１２８ＧＳ、アノードピラー上面１４２ａＲ２Ｓ１及びカソードピラー上面１４０ｃＧＳ１が何れも極めて平坦であり、且つそれぞれが互いに平行な平面となっており、さらにそれぞれのＺ方向に関する距離（すなわち段差）も極めて小さくなっている。すなわち、透明絶縁材料表面１２８ＧＳ、アノードピラー上面１４２ａＲ２Ｓ１及びカソードピラー上面１４０ｃＧＳ１は、それぞれ同一平面上に位置している。
【0192】
具体的に第２の薄膜層１２０Ｇでは、第２の薄膜層上面１２０ＧＳ１の表面粗さ、すなわち、透明絶縁材料表面１２８ＧＳ、アノードピラー上面１４２ａＲ２Ｓ１及びカソードピラー上面１４０ｃＧＳ１における表面粗さＧｐｖが何れも１０［ｎｍ］以下となっている。
【0193】
さらに第２の薄膜層１２０Ｇは、第２の薄膜層下面１２０ＧＳ２が極めて平坦な平面状に形成されている。すなわち第２の薄膜層１２０Ｇでは、下地透明絶縁材料下面１２６ＧＳ２、アノードピラー下面１４２ａＲ２Ｓ２、アノードパッド表面１４４ＧＳ、カソードピラー下面１４０ｃＧＳ２、並びに引出配線１３６ａＧ及び１３６ｃＧの－Ｚ方向側の表面（下面）が何れも極めて平坦であり、且つそれぞれが互いに平行な平面となっており、さらにそれぞれのＺ方向に関する距離（すなわち段差）も極めて小さくなっている。すなわち、下地透明絶縁材料下面１２６ＧＳ２、アノードピラー下面１４２ａＲ２Ｓ２、アノードパッド表面１４４ＧＳ、カソードピラー下面１４０ｃＧＳ２、並びに引出配線１３６ａＧ及び１３６ｃＧの下面は、それぞれ同一平面上に位置している。
【0194】
具体的に第２の薄膜層１２０Ｇでは、第２の薄膜層下面１２０ＧＳ２の表面粗さ、すなわち、下地透明絶縁材料下面１２６ＧＳ２、アノードピラー下面１４２ａＲ２Ｓ２、アノードパッド表面１４４ＧＳ、カソードピラー下面１４０ｃＧＳ２、並びに引出配線１３６ａＧ及び１３６ｃＧの下面における表面粗さＧｐｖが何れも１０［ｎｍ］以下となっている。
【0195】
［２－４－３．第３の薄膜層の構成］
図１７及び図１８と、図８と対応する部材に同一符号を付した図２１に示すように、第３の薄膜層１２０Ｒは、下地透明絶縁材料１２６Ｒ、透明絶縁材料１２８Ｒ、薄膜ＬＥＤ３０Ｒ、アノード電極３２Ｒ、カソード電極１３４Ｒ、引出配線１３６ａＲ、層間絶縁膜１３８ａＲ及びアノードパッド１４４Ｒにより構成されている。
図１７及び図１８と、図８と対応する部材に同一符号を付した図２１に示すように、第３の薄膜層１２０Ｒは、下地透明絶縁材料１２６Ｒ、透明絶縁材料１２８Ｒ、薄膜ＬＥＤ３０Ｒ、アノード電極３２Ｒ、カソード電極１３４Ｒ、引出配線１３６ａＲ、層間絶縁膜１３８ａＲ及びアノードパッド１４４Ｒにより構成されている。
【0196】
下地透明絶縁材料１２６Ｒは、下地透明絶縁材料１２６Ｂと同様の材料により構成されており、十分な絶縁性を備えていると共に、少なくとも薄膜ＬＥＤ３０Ｂ、３０Ｇ及び３０Ｒが発する光の波長に対して透明となっている。この下地透明絶縁材料１２６Ｒは、ＡＡ断面方向Ｄａ（図４）に関して、画素部１０８における一端部から他端部までに亘って延設されているものの、第２の薄膜層１２０Ｇにおける第２の薄膜層開口１５２ｃＧとＺ方向に対向する箇所において、下地透明絶縁材料１２６Ｒの＋Ｚ方向側の表面（上面）（以下ではこれを下地透明絶縁材料上面１２６ＲＳ１とも呼ぶ）から－Ｚ方向側の表面（下面）（以下ではこれを下地透明絶縁材料下面１２６ＲＳ２とも呼ぶ）までに亘って下地透明絶縁材料１２６ＲをＺ方向（発光方向Ｄｅ）に貫通する下地透明絶縁材料開口１４８ｃＲが形成されている。下地透明絶縁材料開口１４８ｃＲは、内部にカソード電極１３４Ｒが形成されている。この下地透明絶縁材料開口１４８ｃＲは、ＸＹ方向に関し下地透明絶縁材料開口４８ｃＲ（図５）よりも大きく形成されている。
【0197】
また下地透明絶縁材料１２６Ｒは、ＢＢ断面方向Ｄｂ（図５）に関して、画素部１０８における一端部から他端部までに亘って延設されているものの、第２の薄膜層１２０Ｇにおける第２の薄膜層開口１５２ａＲ２とＺ方向に対向する箇所において、下地透明絶縁材料上面１２６ＲＳ１から下地透明絶縁材料下面１２６ＲＳ２までに亘って下地透明絶縁材料１２６ＲをＺ方向（発光方向Ｄｅ）に貫通する下地透明絶縁材料開口１４８Ｒが形成されている。
【0198】
薄膜ＬＥＤ３０Ｒは、ＢＢ断面方向Ｄｂに関し画素部１０８における中央部に配されるものの、画素部１０８における中央部から－Ｘ－Ｙ方向側に位置ずれして配され、ＡＡ断面方向Ｄａ及びＢＢ断面方向Ｄｂに所定の範囲の長さを有し、Ｚ方向の厚さが３［μｍ］以下であり、透明絶縁材料１２８Ｒ内に埋め込まれた薄膜無機発光素子である。薄膜ＬＥＤ３０Ｒの＋Ｚ方向側の上面である発光面は、ＸＹ方向に沿った平面となっている。この薄膜ＬＥＤ３０Ｒは、例えばＧａＡｓ系材料等のＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体材料により形成された、赤色の光を発する四元ＬＥＤである。アノード電極３２Ｒは、薄膜ＬＥＤ３０Ｒの＋Ｚ方向側の中央部に形成されたアノード上に配置されている。カソード電極１３４Ｒは、薄膜ＬＥＤ３０Ｒの－Ｚ方向側における－Ｘ－Ｙ方向側に形成されたカソード上に配置されている。
【0199】
引出配線１３６ａＲ（図５）は、導電性を有する材料により構成されており、アノード電極３２Ｒにおける＋Ｚ方向側の面（上面）とアノードパッド１４４Ｒとにそれぞれ接触し、両者を電気的に接続している。層間絶縁膜１３８ａＲは、絶縁性を有する材料により構成されており、引出配線１３６ａＲと薄膜ＬＥＤ３０Ｒとの間に配され、Ｚ方向に沿って見た際に引出配線１３６ａＲよりも大きく形成されている。この層間絶縁膜１３８ａＲは、引出配線１３６ａＲと薄膜ＬＥＤ３０Ｒとの不要な部分の短絡を保護する。
【0200】
カソード電極１３４Ｒは、第２の薄膜層１２０Ｇのカソードピラー１４０ｃＧとＺ方向に対向する位置に配され、垂直方向配線１２２Ｃの一部分を構成している。またカソード電極１３４Ｒは、ＸＹ方向に関しカソード電極３４Ｒ（図８）よりも大きく形成されている。このカソード電極１３４Ｒは、－Ｚ方向側の面（以下ではこれをカソード電極表面１３４ＲＳとも呼ぶ）を、下地透明絶縁材料１２６Ｒから露出させている。
【0201】
上述したアノード電極３２Ｒ、カソード電極１３４Ｒ及び引出配線１３６ａＲは、例えばＩＴＯ等の透明導電性材料により構成されており、層間絶縁膜１３８ａＲは、薄膜ＬＥＤ３０Ｂ、３０Ｇ及び３０Ｒが発する光の波長に対して透明であることが望ましい。
【0202】
アノードパッド１４４Ｒ（図８）は、金、銅やチタン等の導電性を有する材料により構成されており、第２の薄膜層１２０Ｇのアノードピラー１４２ａＲ２とＺ方向に対向する位置に配され、垂直方向配線１２２Ｒの一部分を構成している。このアノードパッド１４４Ｒは、－Ｚ方向側の面（以下ではこれをアノードパッド表面１４４ＲＳとも呼ぶ）を、下地透明絶縁材料１２６Ｒから露出させている。
【0203】
透明絶縁材料１２８Ｒは、例えば、下地透明絶縁材料１２６Ｒと同一の材料により構成されており、十分な絶縁性を備えていると共に、少なくとも薄膜ＬＥＤ３０Ｂ、３０Ｇ及び３０Ｒが発する光の波長に対して透明となっている。この透明絶縁材料１２８Ｒは、下地透明絶縁材料１２６Ｒ、薄膜ＬＥＤ３０Ｒ、アノード電極３２Ｒ、カソード電極１３４Ｒ、引出配線１３６ａＲ、層間絶縁膜１３８ａＲ及びアノードパッド１４４Ｒを＋Ｚ方向側から覆うように配設されており、これら薄膜ＬＥＤ３０Ｒ、アノード電極３２Ｒ、カソード電極１３４Ｒ、引出配線１３６ａＲ、層間絶縁膜１３８ａＲ及びアノードパッド１４４Ｒを、下地透明絶縁材料１２６Ｒとの間において内部に埋め込んでいる。
【0204】
また第３の薄膜層１２０Ｒは、第３の薄膜層下面１２０ＲＳ２が極めて平坦な平面状に形成されている。すなわち第３の薄膜層１２０Ｒでは、下地透明絶縁材料下面１２６ＲＳ２、アノードパッド表面１４４ＲＳ、カソード電極表面１３４ＲＳ、及び引出配線１３６ａＲの－Ｚ方向側の表面（下面）が何れも極めて平坦であり、且つそれぞれが互いに平行な平面となっており、さらにそれぞれのＺ方向に関する距離（すなわち段差）も極めて小さくなっている。すなわち、下地透明絶縁材料下面１２６ＲＳ２、アノードパッド表面１４４ＲＳ、カソード電極表面１３４ＲＳ、及び引出配線１３６ａＲの下面は、それぞれ同一平面上に位置している。
【0205】
具体的に第３の薄膜層１２０Ｒでは、第３の薄膜層下面１２０ＲＳ２の表面粗さ、すなわち、下地透明絶縁材料下面１２６ＲＳ２、アノードパッド表面１４４ＲＳ、カソード電極表面１３４ＲＳ、及び引出配線１３６ａＲの下面における表面粗さＰｐｖが何れも１０［ｎｍ］以下となっている。また以下では、引出配線１３６ａＢ、１３６ａＧ、１３６ａＲ、１３６ｃＢ及び１３６ｃＧをまとめて、引出配線１３６とも呼ぶ。
【0206】
［２－５．薄膜層及び回路基板の接続関係］
［２－５－１．回路基板及び薄膜層の物理的接続関係］
回路基板１１０の基板表面１０Ｓと、第１の薄膜層１２０Ｂの第１の薄膜層下面１２０ＢＳ２とは、分子間力により物理的に接合されている。また、第１の薄膜層１２０Ｂの第１の薄膜層上面１２０ＢＳ１と、第２の薄膜層１２０Ｇの第２の薄膜層下面１２０ＧＳ２とは、分子間力により物理的に接合されている。さらに、第２の薄膜層１２０Ｇの第２の薄膜層上面１２０ＧＳ１と、第３の薄膜層１２０Ｒの第３の薄膜層下面１２０ＲＳ２とは、分子間力により物理的に接合されている。
［２－５－１．回路基板及び薄膜層の物理的接続関係］
回路基板１１０の基板表面１０Ｓと、第１の薄膜層１２０Ｂの第１の薄膜層下面１２０ＢＳ２とは、分子間力により物理的に接合されている。また、第１の薄膜層１２０Ｂの第１の薄膜層上面１２０ＢＳ１と、第２の薄膜層１２０Ｇの第２の薄膜層下面１２０ＧＳ２とは、分子間力により物理的に接合されている。さらに、第２の薄膜層１２０Ｇの第２の薄膜層上面１２０ＧＳ１と、第３の薄膜層１２０Ｒの第３の薄膜層下面１２０ＲＳ２とは、分子間力により物理的に接合されている。
【0207】
このようにＬＥＤディスプレイ表示部１０２においては、それぞれ、基板表面１０Ｓと第１の薄膜層下面１２０ＢＳ２と、第１の薄膜層上面１２０ＢＳ１と第２の薄膜層下面１２０ＧＳ２と、第２の薄膜層上面１２０ＧＳ１と第３の薄膜層下面１２０ＲＳ２とが、金属接合ではなく、分子間力接合されている。
【0208】
［２－５－２．回路基板及び薄膜層の電気的接続関係］
接続パッド１１２Ｂ（図１８）は、接続パッド表面１１２ＢＳが第１の薄膜層１２０Ｂのアノードパッド１４４Ｂのアノードパッド表面１４４ＢＳに分子間力により物理的に接合されており、導電経路Ｒｂａのように、アノードパッド１４４Ｂ及び引出配線１３６ａＢを介し薄膜ＬＥＤ３０Ｂのアノード電極３２Ｂに電気的に接続されている。
接続パッド１１２Ｂ（図１８）は、接続パッド表面１１２ＢＳが第１の薄膜層１２０Ｂのアノードパッド１４４Ｂのアノードパッド表面１４４ＢＳに分子間力により物理的に接合されており、導電経路Ｒｂａのように、アノードパッド１４４Ｂ及び引出配線１３６ａＢを介し薄膜ＬＥＤ３０Ｂのアノード電極３２Ｂに電気的に接続されている。
【0209】
接続パッド１１２Ｇ（図１７）は、接続パッド表面１１２ＧＳが第１の薄膜層１２０Ｂのアノードピラー１４２ａＧのアノードピラー下面１４２ａＧＳ２に分子間力により物理的に接合されている。アノードピラー１４２ａＧは、アノードピラー上面１４２ａＧＳ１が第２の薄膜層１２０Ｇのアノードパッド１４４Ｇのアノードパッド表面１４４ＧＳに分子間力により物理的に接合されている。アノードパッド１４４Ｇは、引出配線１３６ａＧと物理的に接触している。このため接続パッド１１２Ｇは、導電経路Ｒｇａのように、アノードピラー１４２ａＧ、アノードパッド１４４Ｇ及び引出配線１３６ａＧを介し薄膜ＬＥＤ３０Ｇのアノード電極３２Ｇに電気的に接続されている。
【0210】
接続パッド１１２Ｒ（図１８）は、接続パッド表面１１２ＲＳが第１の薄膜層１２０Ｂのアノードピラー１４２ａＲ１のアノードピラー下面１４２ａＲ１Ｓ２に分子間力により物理的に接合されている。アノードピラー１４２ａＲ１は、アノードピラー上面１４２ａＲ１Ｓ１が第２の薄膜層１２０Ｇのアノードピラー１４２ａＲ２のアノードピラー下面１４２ａＲ２Ｓ２に分子間力により物理的に接合されている。アノードピラー１４２ａＲ２は、アノードピラー上面１４２ａＲ２Ｓ１が第３の薄膜層１２０Ｒのアノードパッド１４４Ｒのアノードパッド表面１４４ＲＳに分子間力により物理的に接合されている。アノードパッド１４４Ｒは、引出配線１３６ａＲと物理的に接触している。このため接続パッド１１２Ｒは、導電経路Ｒｒａのように、アノードピラー１４２ａＲ１、アノードピラー１４２ａＲ２、アノードパッド１４４Ｒ及び引出配線１３６ａＲを介し薄膜ＬＥＤ３０Ｒのアノード電極３２Ｒに電気的に接続されている。
【0211】
接続パッド１１２Ｃ（図１７）は、接続パッド表面１１２ＣＳが第１の薄膜層１２０Ｂのカソードピラー１４０ｃＧのカソードピラー下面１４０ｃＧＳ２に分子間力により物理的に接合されている。カソードピラー１４０ｃＧは、カソードピラー上面１４０ｃＧＳ１が第２の薄膜層１２０Ｇのカソードピラー１４０ｃＧのカソードピラー下面１４０ｃＧＳ２に分子間力により物理的に接合されている。カソードピラー１４０ｃＧは、カソードピラー上面１４０ｃＧＳ１が第３の薄膜層１２０Ｒのカソード電極１３４Ｒのカソード電極表面１３４ＲＳに分子間力により物理的に接合されている。カソード電極１３４Ｒは、薄膜ＬＥＤ３０Ｒと物理的に接触している。このため、カソード電極１３４Ｒは、導電経路Ｒｃのように、カソードピラー１４０ｃＧ、コンタクト金属１４６ｃＧ、カソードピラー１４０ｃＢ、コンタクト金属１４６ｃＢ及び接続パッド１１２Ｃを介し、配線層１６のカソード共通配線と電気的に接続されている。
【0212】
また引出配線１３６ｃＧは、コンタクト金属１４６ｃＧと物理的に接触している。このため、カソード電極１３４Ｇは、導電経路Ｒｃのように、引出配線１３６ｃＧ、コンタクト金属１４６ｃＧ、カソードピラー１４０ｃＢ、コンタクト金属１４６ｃＢ及び接続パッド１１２Ｃを介し、配線層１６のカソード共通配線と電気的に接続されている。
【0213】
さらに引出配線１３６ｃＢは、コンタクト金属１４６ｃＢと物理的に接触している。このため、カソード電極１３４Ｂは、導電経路Ｒｃのように、引出配線１３６ｃＢ、コンタクト金属１４６ｃＢ及び接続パッド１１２Ｃを介し、配線層１６のカソード共通配線と電気的に接続されている。カソード共通配線は、他の画素部１０８の垂直方向配線１２２Ｃにも電気的に接続されており、駆動ドライバ６の共通カソード接続端子（コモン端子）にも接続されている。
【0214】
［２－６．ＬＥＤディスプレイ表示部の製造方法］
次に、ＬＥＤディスプレイ装置１０１におけるＬＥＤディスプレイ表示部１０２の製造方法の一例を、それぞれ図９、図１０、図１１及び図１２と対応する部材に同一符号を付した図２２、図２３、図２４及び図２５を用いて説明する。因みに、図２２、図２３、図２４及び図２５は、何れも＋Ｚ方向を上方向に向けた状態を表す模式的な断面図となっている。説明の都合上、ここでは、＋Ｚ方向を上方向とも呼び、－Ｚ方向を下方向とも呼ぶ。
次に、ＬＥＤディスプレイ装置１０１におけるＬＥＤディスプレイ表示部１０２の製造方法の一例を、それぞれ図９、図１０、図１１及び図１２と対応する部材に同一符号を付した図２２、図２３、図２４及び図２５を用いて説明する。因みに、図２２、図２３、図２４及び図２５は、何れも＋Ｚ方向を上方向に向けた状態を表す模式的な断面図となっている。説明の都合上、ここでは、＋Ｚ方向を上方向とも呼び、－Ｚ方向を下方向とも呼ぶ。
【0215】
［２－６－１．第１の薄膜層の製造方法］
まず、第１の薄膜層１２０Ｂの製造方法について、図２２を参照しながら説明する。まず製造装置６０は、図２２（Ａ）に示すように、所定のＬＥＤ成長基板１６２Ｂの上側、すなわち＋Ｚ方向側に、薄膜ＬＥＤ層１６６Ｂを成長させる工程を行う。本実施の形態においては、ＬＥＤ成長基板１６２Ｂとしてサファイア基板が一例として使用される。
まず、第１の薄膜層１２０Ｂの製造方法について、図２２を参照しながら説明する。まず製造装置６０は、図２２（Ａ）に示すように、所定のＬＥＤ成長基板１６２Ｂの上側、すなわち＋Ｚ方向側に、薄膜ＬＥＤ層１６６Ｂを成長させる工程を行う。本実施の形態においては、ＬＥＤ成長基板１６２Ｂとしてサファイア基板が一例として使用される。
【0216】
次に製造装置６０は、図２２（Ｂ）に示すように、公知のレーザーリフトオフ法により、薄膜ＬＥＤ層１６６ＢをＬＥＤ成長基板１６２Ｂから分離する。分離した薄膜ＬＥＤ層１６６Ｂは、分離面を研磨する等して平坦化を行うことが望ましい。
【0217】
次に製造装置６０は、図２２（Ｃ）に示すように、第１の薄膜層１２０Ｂの形成基板１６８Ｂに、犠牲層１７０Ｂ及び下地透明絶縁材料１２６Ｂを順次製膜し、薄膜ＬＥＤ層１６６Ｂを分子間力により下地透明絶縁材料１２６Ｂに接合する。このとき、犠牲層１７０Ｂ及び下地透明絶縁材料１２６Ｂの上面（＋Ｚ方向側面）はＲｐｖ＝１０［ｎｍ］以下に平坦とする必要があるため、製造装置６０は、研磨等の平滑化工程を行っても良い。
【0218】
次に製造装置６０は、図２２（Ｄ）に示すように、エッチング処理により薄膜ＬＥＤ層１６６Ｂをエッチングすることにより、薄膜ＬＥＤ３０Ｂを形成すると共に、下地透明絶縁材料１２６Ｂの下地透明絶縁材料開口１４８ａＧ、１４８ｃＢ、１４８ａＲ１（図１８）及び１４８Ｂ（図１８）のパターニングを行う。
【0219】
次に製造装置６０は、図２２（Ｅ）に示すように、リソグラフィやスパッタリング等の手法によりパターニング処理を行い、薄膜ＬＥＤ３０Ｂ及び下地透明絶縁材料１２６Ｂの上に、アノード電極３２Ｂ、カソード電極３４Ｂ、層間絶縁膜１３８ｃＢ及び１３８ａＢ（図１８）、引出配線１３６ｃＢ及び１３６ａＢ並びにコンタクト金属１４６ａＰＬ１Ｂ、１４６ｃＢ、１４６ａＰＬ２Ｂ（図１８）及び１４６ａＰＤＢ（図１８）を形成する。
【0220】
次に製造装置６０は、図２２（Ｆ）に示すように、透明絶縁材料１２８Ｂにより埋め込みを行い該透明絶縁材料１２８Ｂに透明絶縁材料開口１５０ａＧ、１５０ｃＢ及び１５０ａＲ１（図１８）のパターニングを行った後に、メッキ法により、透明絶縁材料開口１５０ａＧ、１５０ｃＢ及び１５０ａＲ１（図１８）から露出しているコンタクト金属１４６ａＰＬ１Ｂ、１４６ｃＢ及び１４６ａＰＬ２Ｂ（図１８）上に、アノードピラー１４２ａＧ、カソードピラー１４０ｃＢ及びアノードピラー１４２ａＲ１（図１８）を形成する。またコンタクト金属１４６ａＰＤＢ（図１８）は、アノードパッド１４４Ｂとなる。
【0221】
次に製造装置６０は、図２２（Ｇ）に示すように、化学機械研磨（ＣＭＰ）による平坦化処理を行い、透明絶縁材料１２８Ｂ、アノードピラー１４２ａＧ、カソードピラー１４０ｃＢ及びアノードピラー１４２ａＲ１（図１８）の上面を平坦化することにより、アノードピラー１４２ａＧ及び１４２ａＲ１（図１８）の上面にそれぞれアノードピラー上面１４２ａＧＳ１及び１４２ａＲ１Ｓ１（図５）を、カソードピラー１４０ｃＢの上面にカソードピラー上面１４０ｃＢＳ１を、透明絶縁材料１２８Ｂの上面から露出するように形成する。
【0222】
［２－６－２．第２の薄膜層の製造方法］
次に、第２の薄膜層１２０Ｇの製造方法について、図２３を参照しながら説明する。まず製造装置６０は、図２３（Ａ）に示すように、所定のＬＥＤ成長基板１６２Ｇの上側、すなわち＋Ｚ方向側に、薄膜ＬＥＤ層１６６Ｇを成長させる工程を行う。本実施の形態においては、ＬＥＤ成長基板１６２Ｇとしてサファイア基板が一例として使用される。
次に、第２の薄膜層１２０Ｇの製造方法について、図２３を参照しながら説明する。まず製造装置６０は、図２３（Ａ）に示すように、所定のＬＥＤ成長基板１６２Ｇの上側、すなわち＋Ｚ方向側に、薄膜ＬＥＤ層１６６Ｇを成長させる工程を行う。本実施の形態においては、ＬＥＤ成長基板１６２Ｇとしてサファイア基板が一例として使用される。
【0223】
次に製造装置６０は、図２３（Ｂ）に示すように、公知のレーザーリフトオフ法により、薄膜ＬＥＤ層１６６ＧをＬＥＤ成長基板１６２Ｇから分離する。分離した薄膜ＬＥＤ層１６６Ｇは、分離面を研磨する等して平坦化を行うことが望ましい。
【0224】
次に製造装置６０は、図２３（Ｃ）に示すように、第２の薄膜層１２０Ｇの形成基板１６８Ｇに、犠牲層１７０Ｇ及び下地透明絶縁材料１２６Ｇを順次製膜し、薄膜ＬＥＤ層１６６Ｇを分子間力により下地透明絶縁材料１２６Ｇに接合する。このとき、犠牲層１７０Ｇ及び下地透明絶縁材料１２６Ｇの上面（＋Ｚ方向側面）はＲｐｖ＝１０［ｎｍ］以下に平坦とする必要があるため、製造装置６０は、研磨等の平滑化工程を行っても良い。
【0225】
次に製造装置６０は、図２３（Ｄ）に示すように、エッチング処理により薄膜ＬＥＤ層１６６Ｇをエッチングすることにより、薄膜ＬＥＤ３０Ｇを形成すると共に、下地透明絶縁材料１２６Ｇの下地透明絶縁材料開口１４８Ｇ、１４８ｃＧ及び１４８ａＲ２（図１８）のパターニングを行う。
【0226】
次に製造装置６０は、図２３（Ｅ）に示すように、リソグラフィやスパッタリング等の手法によりパターニング処理を行い、薄膜ＬＥＤ３０Ｇ及び下地透明絶縁材料１２６Ｇの上に、アノード電極３２Ｇ、カソード電極３４Ｇ、層間絶縁膜１３８ｃＧ及び１３８ａＧ、引出配線１３６ｃＧ及び１３６ａＧ並びにコンタクト金属１４６ａＰＤＧ、１４６ｃＧ及び１４６ａＰＬＧ（図１８）を形成する。
【0227】
次に製造装置６０は、図２３（Ｆ）に示すように、透明絶縁材料１２８Ｇにより埋め込みを行い該透明絶縁材料１２８Ｇに透明絶縁材料開口１５０ｃＧ及び１５０ａＲ２（図１８）のパターニングを行った後に、メッキ法により、透明絶縁材料開口１５０ｃＧ及び１５０ａＲ２（図１８）から露出しているコンタクト金属１４６ｃＧ及び１４６ａＰＬＧ（図１８）上に、カソードピラー１４０ｃＧ及びアノードピラー１４２ａＲ２（図１８）を形成する。またコンタクト金属１４６ａＰＤＧは、アノードパッド１４４Ｇとなる。
【0228】
次に製造装置６０は、図２３（Ｇ）に示すように、化学機械研磨（ＣＭＰ）による平坦化処理を行い、透明絶縁材料１２８Ｇ、カソードピラー１４０ｃＧ及びアノードピラー１４２ａＲ２（図１８）の上面を平坦化することにより、カソードピラー１４０ｃＧ及びアノードピラー１４２ａＲ２（図１８）の上面にそれぞれカソードピラー上面１４０ｃＧＳ１及びアノードピラー上面１４２ａＲ２Ｓ１を、透明絶縁材料１２８Ｇの上面から露出するように形成する。
【0229】
［２－６－３．第３の薄膜層の製造方法］
次に、第３の薄膜層１２０Ｒの製造方法について、図２４を参照しながら説明する。まず製造装置６０は、図２４（Ａ）に示すように、所定のＬＥＤ成長基板１６２Ｒの上側、すなわち＋Ｚ方向側に、格子整合がされた犠牲層１６４Ｒを形成し、さらにその上側に薄膜ＬＥＤ層１６６Ｒを成長させる工程を行う。本実施の形態においては、ＬＥＤ成長基板１６２ＲとしてＧａＡｓが、犠牲層１６４ＲとしてＡｌを含むＧａＡｓ等の材料が一例として使用される。
次に、第３の薄膜層１２０Ｒの製造方法について、図２４を参照しながら説明する。まず製造装置６０は、図２４（Ａ）に示すように、所定のＬＥＤ成長基板１６２Ｒの上側、すなわち＋Ｚ方向側に、格子整合がされた犠牲層１６４Ｒを形成し、さらにその上側に薄膜ＬＥＤ層１６６Ｒを成長させる工程を行う。本実施の形態においては、ＬＥＤ成長基板１６２ＲとしてＧａＡｓが、犠牲層１６４ＲとしてＡｌを含むＧａＡｓ等の材料が一例として使用される。
【0230】
次に製造装置６０は、図２４（Ｂ）に示すように、エッチング処理により犠牲層１６４Ｒをエッチングして除去することにより、薄膜ＬＥＤ層１６６ＲをＬＥＤ成長基板１６２Ｒから分離する。分離した薄膜ＬＥＤ層１６６Ｒは、分離面を研磨する等して平坦化を行うことが望ましい。
【0231】
次に製造装置６０は、図２４（Ｃ）に示すように、第３の薄膜層１２０Ｒの形成基板１６８Ｒに、犠牲層１７０Ｒ及び下地透明絶縁材料１２６Ｒを順次製膜し、エッチング処理により下地透明絶縁材料１２６Ｒの下地透明絶縁材料開口１４８ｃＲ及び１４８Ｇ（図１８）のパターニングを行う。
【0232】
次に製造装置６０は、図２４（Ｄ）に示すように、メッキ法により、下地透明絶縁材料開口１４８ｃＲにカソード電極１３４Ｒを形成する。
【0233】
次に製造装置６０は、図２４（Ｅ）に示すように、化学機械研磨（ＣＭＰ）による平坦化処理を行い、下地透明絶縁材料１２６Ｒ及びカソード電極１３４Ｒの上面を平坦化することにより、カソード電極１３４Ｒの上面を透明絶縁材料１２８Ｒの上面から露出するように形成する。続いて製造装置６０は、薄膜ＬＥＤ層１６６Ｒを分子間力により下地透明絶縁材料１２６Ｒに接合する。
【0234】
次に製造装置６０は、図２４（Ｆ）に示すように、エッチング処理により薄膜ＬＥＤ層１６６Ｒをエッチングすることにより、薄膜ＬＥＤ３０Ｒを形成すると共に、下地透明絶縁材料１２６Ｒの下地透明絶縁材料開口１４８Ｒ（図１８）のパターニングを行う。
【0235】
次に製造装置６０は、図２４（Ｇ）に示すように、リソグラフィやスパッタリング等の手法によりパターニング処理を行い、薄膜ＬＥＤ３０Ｒ及び下地透明絶縁材料１２６Ｒの上に、アノード電極３２Ｒ、層間絶縁膜１３８ａＲ（図１８）、引出配線１３６ａＲ及びコンタクト金属１４６ａＰＤＲ（図１８）を形成する。またコンタクト金属１４６ａＰＤＲ（図１８）は、アノードパッド１４４Ｒとなる。
【0236】
次に製造装置６０は、図２４（Ｈ）に示すように、透明絶縁材料１２８Ｒにより埋め込みを行う。製造装置６０は、化学機械研磨（ＣＭＰ）による平坦化処理を行い、透明絶縁材料１２８Ｒの上面を平坦化しても良い。
【0237】
［２－６－４．積層接合の工程］
次に、上述した製造方法により製造された第１の薄膜層１２０Ｂ、第２の薄膜層１２０Ｇ及び第３の薄膜層１２０Ｒを、回路基板１１０に積層させる積層接合の工程について、図１２と対応する部材に同一符号を付した図２５を参照しながら説明する。
次に、上述した製造方法により製造された第１の薄膜層１２０Ｂ、第２の薄膜層１２０Ｇ及び第３の薄膜層１２０Ｒを、回路基板１１０に積層させる積層接合の工程について、図１２と対応する部材に同一符号を付した図２５を参照しながら説明する。
【0238】
まず製造装置６０は、図２５（Ａ）に示すように、エッチング処理により犠牲層１７０Ｂ（図２２）をエッチングして除去することにより、第１の薄膜層１２０Ｂを形成基板１６８Ｂから分離する。これにより、アノードピラー下面１４２ａＧＳ２、カソードピラー下面１４０ｃＢＳ２、アノードピラー下面１４２ａＲ１Ｓ２（図１８）、アノードパッド表面１４４ＢＳ（図１８）が、下地透明絶縁材料下面１２６ＢＳ２から露出する。これら
アノードピラー下面１４２ａＧＳ２、カソードピラー下面１４０ｃＢＳ２、アノードピラー下面１４２ａＲ１Ｓ２（図１８）、アノードパッド表面１４４ＢＳ（図１８）は、犠牲層１７０Ｂ（図２２）の上面に追従して同一平面上に平坦に形成されている。続いて製造装置６０は、分離した第１の薄膜層１２０Ｂを公知のボンディング方法により、回路基板１１０の上面に分子間力により接合する。
アノードピラー下面１４２ａＧＳ２、カソードピラー下面１４０ｃＢＳ２、アノードピラー下面１４２ａＲ１Ｓ２（図１８）、アノードパッド表面１４４ＢＳ（図１８）は、犠牲層１７０Ｂ（図２２）の上面に追従して同一平面上に平坦に形成されている。続いて製造装置６０は、分離した第１の薄膜層１２０Ｂを公知のボンディング方法により、回路基板１１０の上面に分子間力により接合する。
【0239】
次に製造装置６０は、図２５（Ｂ）に示すように、エッチング処理により犠牲層１７０Ｇ（図２３）をエッチングして除去することにより、第２の薄膜層１２０Ｇを形成基板１６８Ｇから分離する。これにより、カソードピラー下面１４０ｃＧＳ２、アノードパッド表面１４４ＧＳ及びアノードピラー下面１４２ａＲ２Ｓ２（図１８）が、下地透明絶縁材料下面１２６ＧＳ２から露出する。これらカソードピラー下面１４０ｃＧＳ２、アノードパッド表面１４４ＧＳ及びアノードピラー下面１４２ａＲ２Ｓ２（図１８）は、犠牲層１７０Ｇ（図２２）の上面に追従して同一平面上に平坦に形成されている。続いて製造装置６０は、分離した第２の薄膜層１２０Ｇを公知のボンディング方法により、図２５（Ａ）で回路基板１１０に接合させた第１の薄膜層１２０Ｂの上面に分子間力により接合する。
【0240】
次に製造装置６０は、図２５（Ｃ）に示すように、エッチング処理により犠牲層１７０Ｒ（図２４）をエッチングして除去することにより、第３の薄膜層１２０Ｒを形成基板１６８Ｒから分離する。これにより、カソード電極表面１３４ＲＳ及びアノードパッド表面１４４ＲＳ（図１８）が、下地透明絶縁材料下面１２６ＲＳ２から露出する。これらカソード電極表面１３４ＲＳ及びアノードパッド表面１４４ＲＳ（図１８）は、犠牲層１７０Ｒ（図２４）の上面に追従して同一平面上に平坦に形成されている。続いて製造装置６０は、分離した第３の薄膜層１２０Ｒを公知のボンディング方法により、図２５（Ｂ）で第１の薄膜層１２０Ｂに接合させた第２の薄膜層１２０Ｇの上面に分子間力により接合する。
【0241】
［２－７．ＬＥＤディスプレイ表示部の発光の様子］
図２６及び図２７に示すように、ＬＥＤディスプレイ表示部１０２が発光すると、薄膜ＬＥＤ３０ＧがＧａＰ基板で構成されておりＥｇ＝２．２［ｅＶ］に相当する５６４［ｎｍ］（緑色）よりも短い波長を吸収するため、第２の薄膜層１２０Ｇに向かって出射された青色光ＬＢは、薄膜ＬＥＤ３０Ｇによって吸収される。また、薄膜ＬＥＤ３０ＲがＧａＡｓ基板で構成されておりＥｇ＝１．９［ｅＶ］に相当する６６０［ｎｍ］（赤色）よりも短い波長を吸収するため、第３の薄膜層１２０Ｒに向かって出射された青色光ＬＢは、薄膜ＬＥＤ３０Ｒで吸収される。さらに、第３の薄膜層１２０Ｒに向かって出射された青色光ＬＢは、カソード電極１３４Ｒで反射される。一方、第２の薄膜層１２０Ｇにおける薄膜ＬＥＤ３０Ｇ以外の箇所と、第３の薄膜層１２０Ｒにおける薄膜ＬＥＤ３０Ｒ以外の箇所とは、青色光ＬＢの波長に対し透明であるため、青色光ＬＢは、第２の薄膜層１２０Ｇにおける薄膜ＬＥＤ３０Ｇ以外の箇所と、第３の薄膜層１２０Ｒにおける薄膜ＬＥＤ３０Ｒ以外の箇所とを透過する。
図２６及び図２７に示すように、ＬＥＤディスプレイ表示部１０２が発光すると、薄膜ＬＥＤ３０ＧがＧａＰ基板で構成されておりＥｇ＝２．２［ｅＶ］に相当する５６４［ｎｍ］（緑色）よりも短い波長を吸収するため、第２の薄膜層１２０Ｇに向かって出射された青色光ＬＢは、薄膜ＬＥＤ３０Ｇによって吸収される。また、薄膜ＬＥＤ３０ＲがＧａＡｓ基板で構成されておりＥｇ＝１．９［ｅＶ］に相当する６６０［ｎｍ］（赤色）よりも短い波長を吸収するため、第３の薄膜層１２０Ｒに向かって出射された青色光ＬＢは、薄膜ＬＥＤ３０Ｒで吸収される。さらに、第３の薄膜層１２０Ｒに向かって出射された青色光ＬＢは、カソード電極１３４Ｒで反射される。一方、第２の薄膜層１２０Ｇにおける薄膜ＬＥＤ３０Ｇ以外の箇所と、第３の薄膜層１２０Ｒにおける薄膜ＬＥＤ３０Ｒ以外の箇所とは、青色光ＬＢの波長に対し透明であるため、青色光ＬＢは、第２の薄膜層１２０Ｇにおける薄膜ＬＥＤ３０Ｇ以外の箇所と、第３の薄膜層１２０Ｒにおける薄膜ＬＥＤ３０Ｒ以外の箇所とを透過する。
【0242】
また、薄膜ＬＥＤ３０ＲがＧａＡｓ基板で構成されておりＥｇ＝１．９［ｅＶ］に相当する６６０［ｎｍ］（赤色）よりも短い波長を吸収するため、第３の薄膜層１２０Ｒに向かって出射された緑色光ＬＧは、薄膜ＬＥＤ３０Ｒで吸収される。さらに、第３の薄膜層１２０Ｒに向かって出射された緑色光ＬＧは、カソード電極１３４Ｒで反射される。一方、第３の薄膜層１２０Ｒにおける薄膜ＬＥＤ３０Ｒ及びカソード電極１３４Ｒ以外の箇所は、緑色光ＬＧの波長に対し透明であるため、緑色光ＬＧは、第３の薄膜層１２０Ｒにおける薄膜ＬＥＤ３０Ｒ及びカソード電極１３４Ｒ以外の箇所を透過する。
【0243】
さらに、第３の薄膜層１２０Ｒにおける薄膜ＬＥＤ３０Ｒ以外の箇所は、薄膜ＬＥＤ３０Ｒから発せられた赤色光ＬＲの波長に対し透明であるため、赤色光ＬＲは、第３の薄膜層１２０Ｒにおける薄膜ＬＥＤ３０Ｒ以外の箇所を透過する。
【0244】
本実施の形態による画素部１０８は、薄膜ＬＥＤ３０Ｒの中心に対し、薄膜ＬＥＤ３０Ｇが、その中心を＋Ｙ方向側に位置ずれさせた状態で（すなわちオフセットさせた状態で）配されている。このため第３の薄膜層１２０Ｒは、緑色光ＬＧのうち薄膜ＬＥＤ３０Ｒに向かって来た一部の光は薄膜ＬＥＤ３０Ｒによって吸収すると共にカソード電極１３４Ｒに向かって来た一部の光はカソード電極１３４Ｒによって反射するものの、緑色光ＬＧのうち薄膜ＬＥＤ３０Ｒ及びカソード電極１３４Ｒ以外の箇所に向かって来た緑色光ＬＧは透過させ、＋Ｚ方向へ向かわせる。
【0245】
また画素部１０８は、薄膜ＬＥＤ３０Ｂが、その中心をそれぞれ薄膜ＬＥＤ３０Ｒの中心に対し＋Ｘ＋Ｙ方向側に、薄膜ＬＥＤ３０Ｇの中心に対し＋Ｘ－Ｙ方向側に位置ずれさせた状態で（すなわちオフセットさせた状態で）配されている。このため第３の薄膜層１２０Ｒ及び第２の薄膜層１２０Ｇは、青色光ＬＢのうち薄膜ＬＥＤ３０Ｒ又は３０Ｇに向かって来た一部の光は薄膜ＬＥＤ３０Ｒ又は３０Ｇによって吸収すると共にカソード電極１３４Ｒに向かって来た一部の光はカソード電極１３４Ｒによって反射するものの、青色光ＬＢのうち薄膜ＬＥＤ３０Ｒ及び３０Ｇ並びにカソード電極１３４Ｒ以外の箇所に向かって来た青色光ＬＢは透過させ、＋Ｚ方向へ向かわせる。
【0246】
【0247】
［２－８．薄膜層の重複の様子］
ここで、＋Ｚ方向側から発光方向Ｄｅに沿って画素部１０８を見たとき、図１４（Ａ）と対応する部材に同一符号を付した図２８（Ａ）に示すように、最も＋Ｚ方向側に位置する薄膜ＬＥＤ３０Ｒが、該薄膜ＬＥＤ３０Ｒよりも－Ｚ方向側に位置する薄膜ＬＥＤ３０Ｇ及び薄膜ＬＥＤ３０Ｂの両方と重複する、ハッチングを付した領域を、光吸収領域ＡＲａと呼ぶ。また、＋Ｚ方向側から発光方向Ｄｅに沿って画素部１０８を見たとき、図１４（Ｂ）と対応する部材に同一符号を付した図２８（Ｂ）に示すように、薄膜ＬＥＤ３０Ｒよりも－Ｚ方向側に位置する薄膜ＬＥＤ３０Ｇと薄膜ＬＥＤ３０Ｂとが重なる、ハッチングを付した領域を、光透過領域ＡＲｔと呼ぶ。本実施の形態による画素部１０８は、光吸収領域ＡＲａ（図２８（Ａ））が、光透過領域ＡＲｔ（図２８（Ｂ））よりも小さくなるように、薄膜ＬＥＤ３０Ｂ、３０Ｇ及び３０Ｒが配置されている。
ここで、＋Ｚ方向側から発光方向Ｄｅに沿って画素部１０８を見たとき、図１４（Ａ）と対応する部材に同一符号を付した図２８（Ａ）に示すように、最も＋Ｚ方向側に位置する薄膜ＬＥＤ３０Ｒが、該薄膜ＬＥＤ３０Ｒよりも－Ｚ方向側に位置する薄膜ＬＥＤ３０Ｇ及び薄膜ＬＥＤ３０Ｂの両方と重複する、ハッチングを付した領域を、光吸収領域ＡＲａと呼ぶ。また、＋Ｚ方向側から発光方向Ｄｅに沿って画素部１０８を見たとき、図１４（Ｂ）と対応する部材に同一符号を付した図２８（Ｂ）に示すように、薄膜ＬＥＤ３０Ｒよりも－Ｚ方向側に位置する薄膜ＬＥＤ３０Ｇと薄膜ＬＥＤ３０Ｂとが重なる、ハッチングを付した領域を、光透過領域ＡＲｔと呼ぶ。本実施の形態による画素部１０８は、光吸収領域ＡＲａ（図２８（Ａ））が、光透過領域ＡＲｔ（図２８（Ｂ））よりも小さくなるように、薄膜ＬＥＤ３０Ｂ、３０Ｇ及び３０Ｒが配置されている。
【0248】
［２－９．効果］
以上の構成において第２の実施の形態によるＬＥＤディスプレイ装置１０１は、第１の薄膜層１２０Ｂの薄膜ＬＥＤ３０Ｂ、第２の薄膜層１２０Ｇの薄膜ＬＥＤ３０Ｇ及び第３の薄膜層１２０Ｒの薄膜ＬＥＤ３０Ｒの順番に積層することにより、最上層に薄膜ＬＥＤ３０Ｒを配置するようにした。またＬＥＤディスプレイ装置１０１は、薄膜ＬＥＤ３０Ｒ、３０Ｇ及び３０Ｂを互いにオフセットさせて配置するようにした。
以上の構成において第２の実施の形態によるＬＥＤディスプレイ装置１０１は、第１の薄膜層１２０Ｂの薄膜ＬＥＤ３０Ｂ、第２の薄膜層１２０Ｇの薄膜ＬＥＤ３０Ｇ及び第３の薄膜層１２０Ｒの薄膜ＬＥＤ３０Ｒの順番に積層することにより、最上層に薄膜ＬＥＤ３０Ｒを配置するようにした。またＬＥＤディスプレイ装置１０１は、薄膜ＬＥＤ３０Ｒ、３０Ｇ及び３０Ｂを互いにオフセットさせて配置するようにした。
【0249】
このためＬＥＤディスプレイ装置１０１は、薄膜ＬＥＤ３０Ｂ、３０Ｇ及び３０Ｒを互いの中心を一致させた状態で配置する場合と比較して、＋Ｚ方向へ向かう青色光ＬＢの経路から薄膜ＬＥＤ３０Ｇ及び３０Ｒの少なくとも一部分を退避させ、薄膜ＬＥＤ３０Ｒによって吸収されずにＬＥＤディスプレイ装置１０１の外部へ出射される青色光ＬＢを増加させることができる。またＬＥＤディスプレイ装置１０１は、＋Ｚ方向へ向かう緑色光ＬＧの経路から薄膜ＬＥＤ３０Ｒの少なくとも一部分を退避させ、薄膜ＬＥＤ３０Ｒによって吸収されずにＬＥＤディスプレイ装置１０１の外部へ出射される緑色光ＬＧを増加させることができる。
【0250】
またＬＥＤディスプレイ装置１０１は、第３の薄膜層１２０Ｒにおいて薄膜ＬＥＤ３０Ｒよりも回路基板１１０側に、薄膜ＬＥＤ３０Ｒと回路基板１１０とを電気的に導通すると共に、薄膜ＬＥＤ３０Ｒが発光した赤色光ＬＲを反射するカソード電極１３４Ｒを設けるようにした。さらにＬＥＤディスプレイ装置１０１は、ＬＥＤディスプレイ装置１のカソード電極３４Ｒ（図８）と比較して、カソード電極１３４Ｒ（図２１）を大きくするようにした。このためＬＥＤディスプレイ装置１０１は、赤色光ＬＲを反射して＋Ｚ方向へ向かわせることができ、薄膜ＬＥＤ３０Ｒの発光効率の低さを補い、効率良く赤色光ＬＲを外部に出射させることができる。カソード電極１３４Ｒは、大きくなる程、赤色光ＬＲをより多く反射できるものの、青色光ＬＢ及び緑色光ＬＧを－Ｚ方向側へ反射させてＬＥＤディスプレイ装置１０１へは出射させないようになる。
【0251】
その他、第２の実施の形態によるＬＥＤディスプレイ装置１０１は、第１の実施の形態によるＬＥＤディスプレイ装置１と同様の作用効果を奏し得る。
【0252】
［３．第３の実施の形態］
［３－１．ＬＥＤディスプレイ装置の構成］
図１と、図２と対応する部材に同一符号を付した図２９とに示すように、第３の実施の形態によるＬＥＤディスプレイ装置２０１は、ＬＥＤディスプレイ装置１と比較して、ＬＥＤディスプレイ表示部２０２がＬＥＤディスプレイ表示部２と相違するものの、他の点については同様に構成されている。ＬＥＤディスプレイ表示部２０２は、アクティブマトリクス回路基板である回路基板２１０上にマトリクス状に無機発光ダイオード（ＬＥＤ）を含む素子をピクセル（１画素）として配列した表示装置である。
［３－１．ＬＥＤディスプレイ装置の構成］
図１と、図２と対応する部材に同一符号を付した図２９とに示すように、第３の実施の形態によるＬＥＤディスプレイ装置２０１は、ＬＥＤディスプレイ装置１と比較して、ＬＥＤディスプレイ表示部２０２がＬＥＤディスプレイ表示部２と相違するものの、他の点については同様に構成されている。ＬＥＤディスプレイ表示部２０２は、アクティブマトリクス回路基板である回路基板２１０上にマトリクス状に無機発光ダイオード（ＬＥＤ）を含む素子をピクセル（１画素）として配列した表示装置である。
【0253】
［３－２．ＬＥＤディスプレイ表示部の全体構成］
ＬＥＤディスプレイ表示部２０２は、図４及び図５と対応する部材に同一符号を付した図３１及び図３２に示すように、平板状の回路基板２１０における＋Ｚ方向側の表面（以下ではこれを基板表面１０Ｓとも呼ぶ）に設定された表示領域内に、第１の薄膜層２２０Ｂ、第２の薄膜層２２０Ｒ及び第３の薄膜層２２０Ｇの３つの薄膜層からなる薄膜層群２１８が積層された構成となっている。以下では、第１の薄膜層２２０Ｂ、第２の薄膜層２２０Ｒ及び第３の薄膜層２２０Ｇをまとめて、薄膜層２２０とも呼ぶ。それぞれの薄膜層２２０は、発光素子が格子状に並んだフィルム形状であり、そのフィルムサイズは、第１の実施の形態による薄膜層２０と同様となっている。
ＬＥＤディスプレイ表示部２０２は、図４及び図５と対応する部材に同一符号を付した図３１及び図３２に示すように、平板状の回路基板２１０における＋Ｚ方向側の表面（以下ではこれを基板表面１０Ｓとも呼ぶ）に設定された表示領域内に、第１の薄膜層２２０Ｂ、第２の薄膜層２２０Ｒ及び第３の薄膜層２２０Ｇの３つの薄膜層からなる薄膜層群２１８が積層された構成となっている。以下では、第１の薄膜層２２０Ｂ、第２の薄膜層２２０Ｒ及び第３の薄膜層２２０Ｇをまとめて、薄膜層２２０とも呼ぶ。それぞれの薄膜層２２０は、発光素子が格子状に並んだフィルム形状であり、そのフィルムサイズは、第１の実施の形態による薄膜層２０と同様となっている。
【0254】
以下では、ＬＥＤディスプレイ表示部２０２における回路基板２１０及び薄膜層群２１８のうち、１画素分の領域である画素部２０８について説明する。また以下では、アノード端子に関わる部材の符号の末尾には「Ａ」を付し、第１の薄膜層２２０Ｂの薄膜ＬＥＤ３０Ｂに関わる部材の符号の末尾には「Ｂ」を付し、第２の薄膜層２２０Ｒの薄膜ＬＥＤ３０Ｒに関わる部材の符号の末尾には「Ｒ」を付し、第３の薄膜層２２０Ｇの薄膜ＬＥＤ３０Ｇに関わる部材の符号の末尾には「Ｇ」を付す。
【0255】
［３－３．回路基板の構成］
図３と対応する部材に同一符号を付した図３０と、図３１及び図３２とに示すように、回路基板２１０は、シリコンプロセスにより製造されたＣＭＯＳバックプレーン回路基板である。第３の実施の形態による回路基板２１０は、回路基板１０と比較して、接続パッド２１２（接続パッド２１２Ｒ、２１２Ｇ、２１２Ｂ及び２１２Ａ）並びにアクティブ素子２１４（アクティブ素子２１４Ｒ、２１４Ｇ及び２１４Ｂ）が接続パッド１２（接続パッド１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂ及び１２Ｃ）並びにアクティブ素子１４（アクティブ素子１４Ｒ、１４Ｇ及び１４Ｂ）と相違するものの、他の点については同様に構成されている。
図３と対応する部材に同一符号を付した図３０と、図３１及び図３２とに示すように、回路基板２１０は、シリコンプロセスにより製造されたＣＭＯＳバックプレーン回路基板である。第３の実施の形態による回路基板２１０は、回路基板１０と比較して、接続パッド２１２（接続パッド２１２Ｒ、２１２Ｇ、２１２Ｂ及び２１２Ａ）並びにアクティブ素子２１４（アクティブ素子２１４Ｒ、２１４Ｇ及び２１４Ｂ）が接続パッド１２（接続パッド１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂ及び１２Ｃ）並びにアクティブ素子１４（アクティブ素子１４Ｒ、１４Ｇ及び１４Ｂ）と相違するものの、他の点については同様に構成されている。
【0256】
接続パッド２１２（接続パッド２１２Ｒ、２１２Ｇ、２１２Ｂ及び２１２Ａ）は、基板表面１０Ｓにおいてマトリクス状（すなわち格子状）に配列されている。以下では、接続パッド２１２Ｒ、２１２Ｇ、２１２Ｂ及び２１２Ａをまとめて接続パッド２１２とも呼ぶ。この接続パッド２１２は、１画素に対応しており、４個の接続パッド２１２Ｒ、２１２Ｇ、２１２Ｂ及び２１２Ａにより、接続パッド組２１２Ｔが構成されている。接続パッド組２１２Ｔは、接続パッド２１２Ｒ、２１２Ｇ、２１２Ｂ及び２１２Ａの外接矩形よりも内側（すなわち画素エリア内）に、発光部２２４（図２９）が位置するように配置されている。
【0257】
接続パッド２１２Ｒは、導電性を有する材料でなり、＋Ｚ方向側から見た際に例えば正方形状であり、接続パッド組２１２Ｔのうちの＋Ｘ＋Ｙ方向側に位置している。また接続パッド２１２Ｒは、垂直方向配線２２２Ｒにおけるカソードピラー２４０ｃＲの－Ｚ方向側に配され、基板表面１０Ｓに、接続パッド２１２Ｒの＋Ｚ方向側の表面（上面）（以下ではこれを接続パッド表面２１２ＲＳとも呼ぶ）を露出させている。さらに接続パッド２１２Ｒは、回路基板２１０の内部においてアクティブ素子２１４Ｒと電気的に接続されていると共に、接続パッド表面２１２ＲＳが第１の薄膜層２２０Ｂにおけるカソードピラー２４０ｃＲの－Ｚ方向側の表面（下面）（以下ではこれをカソードピラー下面２４０ｃＲＳ２とも呼ぶ）に接触しており、電気的に接続されている。
【0258】
接続パッド２１２Ｇは、接続パッド２１２Ｒと同様に構成されており、接続パッド組２１２Ｔのうちの＋Ｘ－Ｙ方向側に位置している。また接続パッド２１２Ｇは、垂直方向配線２２２Ｇ（すなわちカソードピラー２４０ｃＧ１）の－Ｚ方向側に配され、基板表面１０Ｓに、接続パッド２１２Ｇの＋Ｚ方向側の表面（上面）（以下ではこれを接続パッド表面２１２ＧＳとも呼ぶ）を露出させている。さらに接続パッド２１２Ｇは、回路基板２１０の内部においてアクティブ素子２１４Ｇと電気的に接続されていると共に、接続パッド表面２１２ＧＳが第１の薄膜層２２０Ｂにおけるカソードピラー２４０ｃＧ１の－Ｚ方向側の表面（下面）（以下ではこれをカソードピラー下面２４０ｃＧ１Ｓ２とも呼ぶ）に接触しており、電気的に接続されている。
【0259】
接続パッド２１２Ｂは、接続パッド２１２Ｒと同様に構成されており、接続パッド組２１２Ｔのうちの－Ｘ＋Ｙ方向側に位置している。また接続パッド２１２Ｂは、垂直方向配線２２２Ｂにおけるカソード電極２３４Ｂの－Ｚ方向側に配され、基板表面１０Ｓに、接続パッド２１２Ｂの＋Ｚ方向側の表面（上面）（以下ではこれを接続パッド表面２１２ＧＳとも呼ぶ）を露出させている。さらに接続パッド２１２Ｂは、回路基板２１０の内部においてアクティブ素子２１４Ｂと電気的に接続されていると共に、接続パッド表面２１２ＢＳが第１の薄膜層２２０Ｂにおけるカソード電極２３４Ｂの－Ｚ方向側の表面（下面）（以下ではこれをカソード電極表面２３４ＢＳとも呼ぶ）に接触しており、電気的に接続されている。
【0260】
接続パッド２１２Ａは、接続パッド２１２Ｒと同様に構成されており、接続パッド組２１２Ｔのうちの－Ｘ－Ｙ方向側に位置している。また接続パッド２１２Ａは、垂直方向配線２２２Ａにおけるアノードピラー２４２ａＢの－Ｚ方向側に配され、基板表面１０Ｓに、接続パッド２１２Ａの＋Ｚ方向側の表面（上面）（以下ではこれを接続パッド表面２１２ＡＳとも呼ぶ）を露出させている。さらに接続パッド２１２Ａは、回路基板２１０の内部において配線層１６のアノード共通配線と電気的に接続されていると共に、接続パッド表面２１２ＡＳが第１の薄膜層２２０Ｂにおけるアノードピラー２４２ａＢの－Ｚ方向側の表面（下面）（以下ではこれをアノードピラー下面２４２ａＢＳ２とも呼ぶ）に接触しており、電気的に接続されている。
【0261】
アクティブ素子２１４（アクティブ素子２１４Ｒ、２１４Ｇ及び２１４Ｂ）は、回路基板２１０内部においてマトリクス状（すなわち格子状）に配列されている。以下では、アクティブ素子２１４Ｒ、２１４Ｇ、及び２１４Ｂをまとめてアクティブ素子２１４とも呼ぶ。
【0262】
アクティブ素子２１４Ｒは、２個のＭＯＳトランジスタと１個のコンデンサとにより構成されており、接続パッド２１２Ｒの－Ｚ方向側に配され配線層１６内部の配線と電気的に接続されている。アクティブ素子２１４Ｇ及び２１４Ｂは、アクティブ素子２１４Ｒと同様に構成されており、それぞれ接続パッド２１２Ｇ及び２１２Ｂの－Ｚ方向側に配され配線層１６内部の配線と電気的に接続されている。
【0263】
配線層１６内部の配線は、詳細には図示されないが、マトリクス状（すなわち格子状）に配置されており、アクティブ素子２１４（アクティブ素子２１４Ｒ、２１４Ｇ及び２１４Ｂ）並びに接続パッド２１２（２１２Ｒ、２１２Ｇ、２１２Ｂ及び２１２Ａ）と適宜電気的に接続されていると共に、駆動ドライバ６と電気的に接続されている。
【0264】
回路基板２１０は、基板表面１０Ｓが極めて平坦な平面状に形成されている。すなわち回路基板２１０では、絶縁層１１の上面である絶縁層表面１１Ｓ、接続パッド表面２１２ＲＳ、接続パッド表面２１２ＧＳ、接続パッド表面２１２ＢＳ及び接続パッド表面２１２ＡＳが何れも極めて平坦であり、且つそれぞれが互いに平行な平面となっており、さらにそれぞれのＺ方向に関する距離（すなわち段差）も極めて小さくなっている。すなわち、絶縁層表面１１Ｓ、接続パッド表面２１２ＲＳ、接続パッド表面２１２ＧＳ、接続パッド表面２１２ＢＳ及び接続パッド表面２１２ＡＳは、それぞれ同一平面上に位置している。
【0265】
具体的に回路基板２１０では、基板表面１０Ｓの表面粗さ、すなわち、絶縁層表面１１Ｓ、接続パッド表面２１２ＲＳ、接続パッド表面２１２ＧＳ、接続パッド表面２１２ＢＳ及び接続パッド表面２１２ＡＳにおける表面粗さ（ラフネス、表面最大段差とも呼ぶ）Ｒｐｖが何れも１０［ｎｍ］以下となっている。
【0266】
［３－４．薄膜層群の構成］
図３１及び図３２に示すように、薄膜層群２１８は、第１の薄膜層２２０Ｂ、第２の薄膜層２２０Ｒ及び第３の薄膜層２２０Ｇの３つの薄膜層２２０が、－Ｚ方向から＋Ｚ方向へ向かって積層されている。薄膜層群２１８は、回路基板２１０上に分子間力により物理的に接合されると共に、該回路基板２１０と電気的にも接続されている。
図３１及び図３２に示すように、薄膜層群２１８は、第１の薄膜層２２０Ｂ、第２の薄膜層２２０Ｒ及び第３の薄膜層２２０Ｇの３つの薄膜層２２０が、－Ｚ方向から＋Ｚ方向へ向かって積層されている。薄膜層群２１８は、回路基板２１０上に分子間力により物理的に接合されると共に、該回路基板２１０と電気的にも接続されている。
【0267】
薄膜層群２１８には、ＬＥＤディスプレイ表示部２０２の領域内においてマトリクス状に配列された複数の画素（画素部２０８）が配置されている。画素部２０８は、主に、Ｚ方向から見た際に、四隅に配置されアノードやカソードに対応した４つの垂直方向配線２２２（垂直方向配線２２２Ａ、２２２Ｒ、２２２Ｇ及び２２２Ｂ）と、垂直方向配線２２２に囲まれ画素部２０８の内部に配置される１つの発光部２２４とにより構成されている。以下では、垂直方向配線２２２Ａ、２２２Ｒ、２２２Ｇ及び２２２Ｂをまとめて、垂直方向配線２２２とも呼ぶ。
【0268】
垂直方向配線２２２Ａは、導電性を有する材料でなり、アノードパッド２４４Ｇ、アノードピラー２４２ａＲ及び２４２ａＢにより構成されている。垂直方向配線２２２Ｒは、導電性を有する材料でなり、カソードパッド２４１Ｒ及び２４０ｃＲにより構成されている。垂直方向配線２２２Ｇは、導電性を有する材料でなり、カソードパッド２４１Ｇ、カソードピラー２４０ｃＧ２及び２４０ｃＧ１により構成されている。垂直方向配線２２２Ｂは、導電性を有する材料でなり、カソード電極２３４Ｂにより構成されている。
【0269】
発光部２２４は、－Ｚ方向側から＋Ｚ方向側へ向かって並ぶように薄膜ＬＥＤ３０Ｂ、３０Ｒ及び３０ＧがＺ方向（発光方向Ｄｅ）から見た際に重複することにより構成されている。本実施の形態においては、薄膜ＬＥＤ３０Ｒ及び３０Ｇは、互いの中心が一致し、該中心が画素部２０８の中心（すなわち画素エリアの中央）に位置すると共に、外形の位置におけるＸ方向及びＹ方向の位置が一致するように、Ｚ方向に重なっている。また、薄膜ＬＥＤ３０Ｂは、薄膜ＬＥＤ３０Ｒ及び３０Ｇに対し、中心が－Ｘ＋Ｙ方向側にずれているものの、一部分が重なっている。
【0270】
回路基板２１０の内部には、アノード共通配線が設けられている。アノード共通配線は、ＬＥＤディスプレイ表示部２０２の領域外においてＸ方向及びＹ方向に沿って直線状に配置されていると共に、Ｘ方向に並ぶ複数の発光部２２４からなる１列の発光部列と、該発光部列に対しＹ方向に隣接する発光部列との間において、Ｘ方向に沿って直線状に配置されている。またこのアノード共通配線は、駆動ドライバ６の共通アノード接続端子に終端している。
【0271】
［３－４－１．第１の薄膜層の構成］
図３１及び図３２と、図６と対応する部材に同一符号を付した図３３とに示すように、第１の薄膜層２２０Ｂは、下地透明絶縁材料２２６Ｂ、透明絶縁材料２２８Ｂ、薄膜ＬＥＤ３０Ｂ、アノード電極３２Ｂ、カソード電極２３４Ｂ、引出配線２３６ａＢ、層間絶縁膜２３８ａＢ、アノードピラー２４２ａＢ、カソードピラー２４０ｃＲ及び２４０ｃＧ１により構成されている。
図３１及び図３２と、図６と対応する部材に同一符号を付した図３３とに示すように、第１の薄膜層２２０Ｂは、下地透明絶縁材料２２６Ｂ、透明絶縁材料２２８Ｂ、薄膜ＬＥＤ３０Ｂ、アノード電極３２Ｂ、カソード電極２３４Ｂ、引出配線２３６ａＢ、層間絶縁膜２３８ａＢ、アノードピラー２４２ａＢ、カソードピラー２４０ｃＲ及び２４０ｃＧ１により構成されている。
【0272】
下地透明絶縁材料２２６Ｂは、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＮや透明ポリイミド等により構成されており、十分な絶縁性を備えている。この下地透明絶縁材料２２６Ｂは、ＡＡ断面方向Ｄａ（図３１）に関して、画素部２０８における一端部から他端部までに亘って延設されているものの、回路基板２１０におけるそれぞれ接続パッド２１２Ｒ及び２１２ＡとＺ方向に対向する箇所において、下地透明絶縁材料２２６Ｂの＋Ｚ方向側の表面（上面）（以下ではこれを下地透明絶縁材料上面２２６ＢＳ１とも呼ぶ）から－Ｚ方向側の表面（下面）（以下ではこれを下地透明絶縁材料下面２２６ＢＳ２とも呼ぶ）までに亘って下地透明絶縁材料２２６ＢをＺ方向（発光方向Ｄｅ）に貫通する下地透明絶縁材料開口２４８ｃＲ及び２４８ａＢが形成されている。
【0273】
また下地透明絶縁材料２２６Ｂは、ＢＢ断面方向Ｄｂ（図３２）に関して、画素部２０８における一端部から他端部までに亘って延設されているものの、回路基板２１０におけるそれぞれ接続パッド２１２Ｂ及び２１２ＧとＺ方向に対向する箇所において、下地透明絶縁材料上面２２６ＢＳ１から下地透明絶縁材料下面２２６ＢＳ２までに亘って下地透明絶縁材料２２６ＢをＺ方向（発光方向Ｄｅ）に貫通する下地透明絶縁材料開口２４８ｃＢ１及び２４８ｃＧ１が形成されている。下地透明絶縁材料開口２４８ｃＢは、内部にカソード電極２３４Ｂが形成されている。
【0274】
薄膜ＬＥＤ３０Ｂは、ＡＡ断面方向Ｄａに関し画素部２０８における中央部に配されるものの、画素部２０８における中央部から－Ｘ＋Ｙ方向側に位置ずれして配され、ＡＡ断面方向Ｄａ及びＢＢ断面方向Ｄｂに所定の範囲の長さを有し、Ｚ方向の厚さが３［μｍ］以下であり、透明絶縁材料２２８Ｂ内に埋め込まれた薄膜無機発光素子である。薄膜ＬＥＤ３０Ｂの＋Ｚ方向側の上面である発光面は、ＸＹ方向に沿った平面となっている。この薄膜ＬＥＤ３０Ｂは、例えばＧａＮ系材料により形成された、青色の光を発するＬＥＤである。アノード電極３２Ｂは、薄膜ＬＥＤ３０Ｂの＋Ｚ方向側の中央部に形成されたアノード上に配置されている。カソード電極２３４Ｂは、薄膜ＬＥＤ３０Ｂの－Ｚ方向側における－Ｘ－Ｙ方向側に形成されたカソード上に配置されている。
【0275】
引出配線２３６ａＢ（図３１）は、導電性を有する材料により構成されており、アノード電極３２Ｂにおける＋Ｚ方向側の面（上面）とアノードピラー２４２ａＢとにそれぞれ接触し、両者を電気的に接続している。層間絶縁膜２３８ａＢは、絶縁性を有する材料により構成されており、引出配線２３６ａＢと薄膜ＬＥＤ３０Ｂとの間に配され、Ｚ方向に沿って見た際に引出配線２３６ａＢよりも大きく形成されている。この層間絶縁膜２３８ａＢは、引出配線２３６ａＢと薄膜ＬＥＤ３０Ｂとの不要な部分の短絡を保護する。
【0276】
カソード電極２３４Ｂは、接続パッド２１２ＢとＺ方向に対向する位置に配され、垂直方向配線２２２Ｂを構成している。このカソード電極２３４Ｂは、－Ｚ方向側の面（以下ではこれをカソード電極表面２３４ＢＳとも呼ぶ）を、下地透明絶縁材料２２６Ｂから露出させている。このカソード電極２３４Ｂは、例えば、カソードピラー２４０ｃＧ１と同等の範囲の広さを有している。
【0277】
上述したアノード電極３２Ｂ、カソード電極２３４Ｂ及び引出配線２３６ａＢは、例えばＩＴＯ等の透明導電性材料により構成されており、層間絶縁膜２３８ａＢは、薄膜ＬＥＤ３０Ｂが発する光の波長に対して透明であることが望ましい。
【0278】
カソードピラー２４０ｃＲ（図３１）は、例えば金、銅やチタン等の導電性を有する材料により構成されており、回路基板２１０の接続パッド２１２ＲとＺ方向に対向する位置に配され、垂直方向配線２２２Ｒの一部分を構成している。具体的にカソードピラー２４０ｃＲは、プロセス安定化のための金系の金属であるコンタクト金属２４６ｃＰＬ１Ｂ上（＋Ｚ方向側）に該コンタクト金属２４６ｃＰＬ１Ｂと一体化して形成されている。またカソードピラー２４０ｃＲは、銅の拡散防止膜でありコンタクト金属２４６ｃＰＬ１Ｂ上に形成されたチタン製のバリア層と、バリア層上に形成された銅製のシード金属と、シード金属上に成長充填された銅であるめっき部とにより構成されている。後述するアノードピラー２４２ａＢ及びカソードピラー２４０ｃＧ１においても同様であり、アノードピラー２４２ａＢ（図３１）は、コンタクト金属２４６ａＢ上（＋Ｚ方向側）に該コンタクト金属２４６ａＢと一体化して形成されている。カソードピラー２４０ｃＧ１（図３２）は、コンタクト金属２４６ｃＰＤＧ１上（＋Ｚ方向側）に該コンタクト金属２４６ｃＰＤＧ１と一体化して形成されている。このカソードピラー２４０ｃＲは、＋Ｚ方向側の面（以下ではこれをカソードピラー上面２４０ｃＲＳ１とも呼ぶ）を、透明絶縁材料２２８Ｂから露出させている。
【0279】
アノードピラー２４２ａＢ（図３１）は、カソードピラー２４０ｃＲと同様に導電性を有する材料により構成されており、回路基板２１０の接続パッド２１２ＡとＺ方向に対向する位置に配され、垂直方向配線２２２Ａの一部分を構成している。このアノードピラー２４２ａＢは、＋Ｚ方向側の面（以下ではこれをアノードピラー上面２４２ａＢＳ１とも呼ぶ）を、透明絶縁材料２２８Ｂから露出させている。またアノードピラー２４２ａＢは、－Ｚ方向側の面（アノードピラー下面２４２ａＢＳ２）を、下地透明絶縁材料２２６Ｂから露出させている。
【0280】
カソードピラー２４０ｃＧ１（図３２）は、カソードピラー２４０ｃＲと同様に導電性を有する材料により構成されており、回路基板２１０の接続パッド２１２ＧとＺ方向に対向する位置に配され、垂直方向配線２２２Ｇの一部分を構成している。このカソードピラー２４０ｃＧ１は、＋Ｚ方向側の面（以下ではこれをカソードピラー上面２４０ｃＧ１Ｓ１とも呼ぶ）を、透明絶縁材料２２８Ｂから露出させている。またカソードピラー２４０ｃＧ１は、－Ｚ方向側の面（カソードピラー下面２４０ｃＧ１Ｓ２）を、下地透明絶縁材料２２６Ｂから露出させている。
【0281】
透明絶縁材料２２８Ｂは、例えば、下地透明絶縁材料２２６Ｂと同一の材料により構成されており、十分な絶縁性を備えていると共に、少なくとも薄膜ＬＥＤ３０Ｂが発する光の波長に対して透明となっている。この透明絶縁材料２２８Ｂは、アノードピラー２４２ａＢ、カソードピラー２４０ｃＲ及び２４０ｃＧ１を除いた、下地透明絶縁材料２２６Ｂ、薄膜ＬＥＤ３０Ｂ、アノード電極３２Ｂ、引出配線２３６ａＢ及び層間絶縁膜２３８ａＢを＋Ｚ方向側から覆うように配設されており、これら薄膜ＬＥＤ３０Ｂ、アノード電極３２Ｂ、引出配線２３６ａＢ及び層間絶縁膜２３８ａＢを、下地透明絶縁材料２２６Ｂとの間において内部に埋め込んでいる。
【0282】
この透明絶縁材料２２８Ｂ（図３１）は、下地透明絶縁材料開口２４８ｃＲの＋Ｚ方向側において、透明絶縁材料２２８Ｂの＋Ｚ方向側の表面（上面）（以下ではこれを透明絶縁材料表面２２８ＢＳとも呼ぶ）から－Ｚ方向側の表面（下面）（すなわち下地透明絶縁材料開口２４８ｃＲの＋Ｚ方向側端部）までに亘って透明絶縁材料２２８ＢをＺ方向（発光方向Ｄｅ）に貫通する透明絶縁材料開口２５０ａＲが形成されている。
【0283】
また透明絶縁材料２２８Ｂ（図３２）は、下地透明絶縁材料開口２４８ｃＧ１の＋Ｚ方向側において、透明絶縁材料表面２２８ＢＳから－Ｚ方向側の表面（下面）（すなわち下地透明絶縁材料開口２４８ｃＧ１の＋Ｚ方向側端部）までに亘って透明絶縁材料２２８ＢをＺ方向（発光方向Ｄｅ）に貫通する透明絶縁材料開口２５０ｃＧ１が形成されている。
【0284】
さらに透明絶縁材料２２８Ｂ（図３１）は、下地透明絶縁材料開口２４８ａＢの＋Ｚ方向側において、透明絶縁材料表面２２８ＢＳから－Ｚ方向側の表面（下面）（すなわち下地透明絶縁材料開口２４８ａＢの＋Ｚ方向側端部）までに亘って透明絶縁材料２２８ＢをＺ方向（発光方向Ｄｅ）に貫通する透明絶縁材料開口２５０ａＢが形成されている。
【0285】
このような下地透明絶縁材料開口２４８ｃＲと透明絶縁材料開口２５０ｃＲとにより第１の薄膜層開口２５２ｃＲが形成されている。第１の薄膜層開口２５２ｃＲは、第１の薄膜層２２０Ｂの＋Ｚ方向側の上面（以下ではこれを第１の薄膜層上面２２０ＢＳ１とも呼ぶ）から－Ｚ方向側の下面（第１の薄膜層下面２２０ＢＳ２）にかけて形成されており、内部にカソードピラー２４０ｃＲが形成されている。また下地透明絶縁材料開口２４８ｃＧ１と透明絶縁材料開口２５０ａＧ１とにより第１の薄膜層開口２５２ａＲ１が形成されている。第１の薄膜層開口２５２ａＲ１は、第１の薄膜層上面２２０ＢＳ１から第１の薄膜層下面２２０ＢＳ２にかけて形成されており、内部にカソードピラー２４０ｃＧ１が形成されている。さらに下地透明絶縁材料開口２４８ａＢと透明絶縁材料開口２５０ａＢとにより第１の薄膜層開口２５２ａＢが形成されている。第１の薄膜層開口２５２ａＢは、第１の薄膜層上面２２０ＢＳ１から第１の薄膜層下面２２０ＢＳ２にかけて形成されており、内部にアノードピラー２４２ａＢが形成されている。
【0286】
また第１の薄膜層２２０Ｂは、第１の薄膜層上面２２０ＢＳ１が極めて平坦な平面状に形成されている。すなわち第１の薄膜層２２０Ｂでは、透明絶縁材料表面２２８ＢＳ、アノードピラー上面２４２ａＢＳ１並びにカソードピラー上面２４０ｃＲＳ１及び２４０ｃＧ１Ｓ１が何れも極めて平坦であり、且つそれぞれが互いに平行な平面となっており、さらにそれぞれのＺ方向に関する距離（すなわち段差）も極めて小さくなっている。すなわち、透明絶縁材料表面２２８ＢＳ、アノードピラー上面２４２ａＢＳ１並びにカソードピラー上面２４０ｃＲＳ１及び２４０ｃＧ１Ｓ１は、それぞれ同一平面上に位置している。
【0287】
具体的に第１の薄膜層２２０Ｂでは、第１の薄膜層上面２２０ＢＳ１の表面粗さ、すなわち、透明絶縁材料表面２２８ＢＳ、アノードピラー上面２４２ａＢＳ１並びにカソードピラー上面２４０ｃＲＳ１及び２４０ｃＧ１Ｓ１における表面粗さＲｐｖが何れも１０［ｎｍ］以下となっている。
【0288】
さらに第１の薄膜層２２０Ｂは、第１の薄膜層下面２２０ＢＳ２が極めて平坦な平面状に形成されている。すなわち第１の薄膜層２２０Ｂでは、下地透明絶縁材料下面２２６ＢＳ２、カソード電極表面２３４ＢＳ、アノードピラー下面２４２ａＢＳ２、カソードピラー下面２４０ｃＲＳ及び２４０ｃＧ１Ｓ２、並びに引出配線２３６ａＢの－Ｚ方向側の表面（下面）が何れも極めて平坦であり、且つそれぞれが互いに平行な平面となっており、さらにそれぞれのＺ方向に関する距離（すなわち段差）も極めて小さくなっている。すなわち、下地透明絶縁材料下面２２６ＢＳ２、カソード電極表面２３４ＢＳ、アノードピラー下面２４２ａＢＳ２、カソードピラー下面２４０ｃＲＳ２及び２４０ｃＧ１Ｓ２、並びに引出配線２３６ａＢの－Ｚ方向側の下面は、それぞれ同一平面上に位置している。
【0289】
具体的に第１の薄膜層２２０Ｂでは、第１の薄膜層下面２２０ＢＳ２の表面粗さ、すなわち、下地透明絶縁材料下面２２６ＢＳ２、カソード電極表面２３４ＢＳ、アノードピラー下面２４２ａＢＳ２、カソードピラー下面２４０ｃＲＳ２及び２４０ｃＧ１Ｓ２、並びに引出配線２３６ａＢの－Ｚ方向側の下面における表面粗さＲｐｖが何れも１０［ｎｍ］以下となっている。
【0290】
［３－４－２．第２の薄膜層の構成］
図３１及び図３２と、図７と対応する部材に同一符号を付した図３４とに示すように、第２の薄膜層２２０Ｒは、下地透明絶縁材料２２６Ｒ、透明絶縁材料２２８Ｒ、薄膜ＬＥＤ３０Ｒ、アノード電極３２Ｒ、カソード電極２３４Ｒ、引出配線２３６ａＲ及び２３６ｃＲ、層間絶縁膜２３８ａＲ及び２３８ｃＲ、アノードピラー２４２ａＲ、カソードパッド２４１Ｒ並びにカソードピラー２４０ｃＧ２により構成されている。
図３１及び図３２と、図７と対応する部材に同一符号を付した図３４とに示すように、第２の薄膜層２２０Ｒは、下地透明絶縁材料２２６Ｒ、透明絶縁材料２２８Ｒ、薄膜ＬＥＤ３０Ｒ、アノード電極３２Ｒ、カソード電極２３４Ｒ、引出配線２３６ａＲ及び２３６ｃＲ、層間絶縁膜２３８ａＲ及び２３８ｃＲ、アノードピラー２４２ａＲ、カソードパッド２４１Ｒ並びにカソードピラー２４０ｃＧ２により構成されている。
【0291】
下地透明絶縁材料２２６Ｒは、下地透明絶縁材料２２６Ｂと同様の材料により構成されており、十分な絶縁性を備えていると共に、少なくとも薄膜ＬＥＤ３０Ｒが発する光の波長に対して透明となっている。この下地透明絶縁材料２２６Ｒは、ＡＡ断面方向Ｄａ（図３１）に関して、画素部２０８における一端部から他端部までに亘って延設されているものの、第１の薄膜層２２０Ｂにおけるそれぞれ第１の薄膜層開口２５２ａＢ及び２５２ｃＲとＺ方向に対向する箇所において、下地透明絶縁材料２２６Ｒの＋Ｚ方向側の表面（上面）（以下ではこれを下地透明絶縁材料上面２２６ＲＳ１とも呼ぶ）から－Ｚ方向側の表面（下面）（以下ではこれを下地透明絶縁材料下面２２６ＲＳ２とも呼ぶ）までに亘って下地透明絶縁材料２２６ＲをＺ方向（発光方向Ｄｅ）に貫通する下地透明絶縁材料開口２４８ａＲ及び２４８Ｒがそれぞれ形成されている。
【0292】
また下地透明絶縁材料２２６Ｒは、ＢＢ断面方向Ｄｂ（図３２）に関して、画素部２０８における一端部から他端部までに亘って延設されているものの、第１の薄膜層２２０Ｂにおける第１の薄膜層開口２５２ｃＲ１とＺ方向に対向する箇所において、下地透明絶縁材料上面２２６ＲＳ１から下地透明絶縁材料下面２２６ＲＳ２までに亘って下地透明絶縁材料２２６ＲをＺ方向（発光方向Ｄｅ）に貫通する下地透明絶縁材料開口２４８ｃＲ２が形成されている。
【0293】
薄膜ＬＥＤ３０Ｒは、ＡＡ断面方向Ｄａ及びＢＢ断面方向Ｄｂに関し画素部２０８における中央部に配され、ＡＡ断面方向Ｄａ及びＢＢ断面方向Ｄｂに所定の範囲の長さを有し、Ｚ方向の厚さが３［μｍ］以下であり、透明絶縁材料２２８Ｒ内に埋め込まれた薄膜無機発光素子である。薄膜ＬＥＤ３０Ｒの＋Ｚ方向側の上面である発光面は、ＸＹ方向に沿った平面となっている。この薄膜ＬＥＤ３０Ｒは、例えばＧａＡｓ系材料等のＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体材料により形成された、赤色の光を発する四元ＬＥＤである。アノード電極３２Ｒは、薄膜ＬＥＤ３０Ｒの＋Ｚ方向側の中央部に形成されたアノード上に配置されている。カソード電極２３４Ｒは、薄膜ＬＥＤ３０Ｒの＋Ｚ方向側における＋Ｘ＋Ｙ方向側に形成されたカソード上に配置されている。
【0294】
引出配線２３６ａＲ（図３１）は、導電性を有する材料により構成されており、アノード電極３２Ｒにおける＋Ｚ方向側の面（上面）とアノードピラー２４２ａＲとにそれぞれ接触し、両者を電気的に接続している。層間絶縁膜２３８ａＲは、絶縁性を有する材料により構成されており、引出配線２３６ａＲと薄膜ＬＥＤ３０Ｒとの間に配され、Ｚ方向に沿って見た際に引出配線２３６ａＲよりも大きく形成されている。この層間絶縁膜２３８ａＲは、引出配線２３６ａＲと薄膜ＬＥＤ３０Ｒとの不要な部分の短絡を保護する。
【0295】
引出配線２３６ｃＲ（図３１）は、引出配線２３６ａｃＲと同様に導電性を有する材料により構成されており、カソード電極２３４Ｒにおける＋Ｚ方向側の面（上面）とカソードパッド２４１Ｒとにそれぞれ接触し、両者を電気的に接続している。層間絶縁膜２３８ｃＲは、層間絶縁膜２３８ｃＲと同様に絶縁性を有する材料により構成されており、引出配線２３６ｃＲと薄膜ＬＥＤ３０Ｒとの間に配され、Ｚ方向に沿って見た際に引出配線２３６ｃＲよりも大きく形成されている。この層間絶縁膜２３８ｃＲは、引出配線２３６ｃＲと薄膜ＬＥＤ３０Ｒとの不要な部分の短絡を保護する。
【0296】
上述したアノード電極３２Ｒ、カソード電極２３４Ｒ、引出配線２３６ａＲ及び２３６ｃＲは、例えばＩＴＯ等の透明導電性材料により構成されており、層間絶縁膜２３８ａＲ及び２３８ｃＲは、薄膜ＬＥＤ３０Ｂ及び３０Ｒが発する光の波長に対して透明であることが望ましい。
【0297】
アノードピラー２４２ａＲ（図３１）は、例えば金、銅やチタン等の導電性を有する材料により構成されており、第１の薄膜層２２０Ｂのアノードピラー２４２ａＢとＺ方向に対向する位置に配され、垂直方向配線２２２Ａの一部分を構成している。具体的にアノードピラー２４２ａＲは、プロセス安定化のための金系の金属であるコンタクト金属２４６ａＲ上（＋Ｚ方向側）に該コンタクト金属２４６ａＲと一体化して形成されている。またアノードピラー２４２ａＲは、銅の拡散防止膜でありコンタクト金属２４６ａＲ上に形成されたチタン製のバリア層と、バリア層上に形成された銅製のシード金属と、シード金属上に成長充填された銅であるめっき部とにより構成されている。後述するカソードピラー２４０ｃＧ２においても同様であり、カソードピラー２４０ｃＧ２（図３２）は、コンタクト金属２４６ｃＰＤＧ２上（＋Ｚ方向側）に該コンタクト金属２４６ｃＰＤＧ２と一体化して形成されている。このアノードピラー２４２ａＲは、＋Ｚ方向側の面（以下ではこれをアノードピラー上面２４２ａＲＳ１とも呼ぶ）を、透明絶縁材料２２８Ｒから露出させている。またアノードピラー２４２ａＲは、－Ｚ方向側の面（以下ではこれをアノードピラー下面２４２ａＲＳ２とも呼ぶ）を、下地透明絶縁材料２２６Ｒから露出させている。
【0298】
カソードパッド２４１Ｒ（図３１）は、アノードピラー２４２ａＲと同様に導電性を有する材料により構成されており、第１の薄膜層２２０Ｂのカソードピラー２４０ｃＲとＺ方向に対向する位置に配され、垂直方向配線２２２Ｒの一部分を構成している。このカソードパッド２４１Ｒは、－Ｚ方向側の面（以下ではこれをカソードパッド表面２４１ＲＳとも呼ぶ）を、下地透明絶縁材料２２６Ｒから露出させている。
【0299】
カソードピラー２４０ｃＧ２（図３２）は、アノードピラー２４２ａＲと同様に導電性を有する材料により構成されており、第１の薄膜層２２０Ｂのカソードピラー２４０ｃＧ１とＺ方向に対向する位置に配され、垂直方向配線２２２Ｇの一部分を構成している。このカソードピラー２４０ｃＧ２は、＋Ｚ方向側の面（以下ではこれをカソードピラー上面２４０ｃＧ２Ｓ１とも呼ぶ）を、透明絶縁材料２２８Ｒから露出させている。またカソードピラー２４０ｃＧ２は、－Ｚ方向側の面（以下ではこれをカソードピラー下面２４０ｃＧ２Ｓ２とも呼ぶ）を、下地透明絶縁材料２２６Ｒから露出させている。
【0300】
透明絶縁材料２２８Ｒは、例えば、下地透明絶縁材料２２６Ｒと同一の材料により構成されており、十分な絶縁性を備えていると共に、少なくとも薄膜ＬＥＤ３０Ｂ及び３０Ｒが発する光の波長に対して透明となっている。この透明絶縁材料２２８Ｒは、アノードピラー２４２ａＲ及びカソードピラー２４０ｃＧ２を除いた、下地透明絶縁材料２２６Ｒ、薄膜ＬＥＤ３０Ｒ、アノード電極３２Ｒ、カソード電極２３４Ｒ、引出配線２３６ａＲ及び２３６ｃＲ、層間絶縁膜２３８ａＲ及び２３８ｃＲ並びにカソードパッド２４１Ｒを＋Ｚ方向側から覆うように配設されており、これら薄膜ＬＥＤ３０Ｒ、アノード電極３２Ｒ、カソード電極２３４Ｒ、引出配線２３６ａＲ及び２３６ｃＲ、層間絶縁膜２３８ａＲ及び２３８ｃＲ並びにカソードパッド２４１Ｒを、下地透明絶縁材料２２６Ｒとの間において内部に埋め込んでいる。
【0301】
この透明絶縁材料２２８Ｒ（図３１）は、下地透明絶縁材料開口２４８ａＲの＋Ｚ方向側において、透明絶縁材料２２８Ｒの＋Ｚ方向側の表面（上面）（以下ではこれを透明絶縁材料表面２２８ＲＳとも呼ぶ）から－Ｚ方向側の表面（下面）（すなわち下地透明絶縁材料開口２４８ａＲの＋Ｚ方向側端部）までに亘って透明絶縁材料２２８ＲをＺ方向（発光方向Ｄｅ）に貫通する透明絶縁材料開口２５０ａＲが形成されている。
【0302】
また透明絶縁材料２２８Ｒ（図３２）は、下地透明絶縁材料開口２４８ｃＲ２の＋Ｚ方向側において、透明絶縁材料表面２２８ＲＳから－Ｚ方向側の表面（下面）（すなわち下地透明絶縁材料開口２４８ｃＲ２の＋Ｚ方向側端部）までに亘って透明絶縁材料２２８ＲをＺ方向（発光方向Ｄｅ）に貫通する透明絶縁材料開口２５０ｃＲ２が形成されている。
【0303】
このような下地透明絶縁材料開口２４８ａＲと透明絶縁材料開口２５０ａＲとにより第２の薄膜層開口２５２ａＲが形成されている。第２の薄膜層開口２５２ａＲは、第２の薄膜層２２０Ｒの＋Ｚ方向側の上面（以下ではこれを第２の薄膜層上面２２０ＲＳ１とも呼ぶ）から－Ｚ方向側の下面（以下ではこれを第２の薄膜層下面２２０ＲＳ２とも呼ぶ）にかけて形成されており、内部にアノードピラー２４２ａＲが形成されている。また下地透明絶縁材料開口２４８ｃＲ２と透明絶縁材料開口２５０ｃＲ２とにより第２の薄膜層開口２５２ｃＲ２が形成されている。第２の薄膜層開口２５２ｃＲ２は、第２の薄膜層上面２２０ＲＳ１から第２の薄膜層下面２２０ＲＳ２にかけて形成されており、内部にカソードピラー２４０ｃＧ２が形成されている。
【0304】
また第２の薄膜層２２０Ｒは、第２の薄膜層上面２２０ＲＳ１が極めて平坦な平面状に形成されている。すなわち第２の薄膜層２２０Ｒでは、透明絶縁材料表面２２８ＲＳ、アノードピラー上面２４２ａＲＳ１及びカソードピラー上面２４０ｃＧ２Ｓ１が何れも極めて平坦であり、且つそれぞれが互いに平行な平面となっており、さらにそれぞれのＺ方向に関する距離（すなわち段差）も極めて小さくなっている。すなわち、透明絶縁材料表面２２８ＲＳ、アノードピラー上面２４２ａＲＳ１及びカソードピラー上面２４０ｃＧ２Ｓ１は、それぞれ同一平面上に位置している。
【0305】
具体的に第２の薄膜層２２０Ｒでは、第２の薄膜層上面２２０ＲＳ１の表面粗さ、すなわち、透明絶縁材料表面２２８ＲＳ、アノードピラー上面２４２ａＲＳ１及びカソードピラー上面２４０ｃＧ２Ｓ１における表面粗さＧｐｖが何れも１０［ｎｍ］以下となっている。
【0306】
さらに第２の薄膜層２２０Ｒは、第２の薄膜層下面２２０ＲＳ２が極めて平坦な平面状に形成されている。すなわち第２の薄膜層２２０Ｒでは、下地透明絶縁材料下面２２６ＲＳ２、アノードピラー下面２４２ａＲＳ２、カソードピラー下面２４０ｃＧ２Ｓ２、カソードパッド表面２４１ＲＳ、並びに引出配線２３６ａＲ及び２３６ｃＲの－Ｚ方向側の表面（下面）が何れも極めて平坦であり、且つそれぞれが互いに平行な平面となっており、さらにそれぞれのＺ方向に関する距離（すなわち段差）も極めて小さくなっている。すなわち、下地透明絶縁材料下面２２６ＲＳ２、アノードピラー下面２４２ａＲＳ２、カソードピラー下面２４０ｃＧ２Ｓ２、カソードパッド表面２４１ＲＳ、並びに引出配線２３６ａＲ及び２３６ｃＲの下面は、それぞれ同一平面上に位置している。
【0307】
具体的に第２の薄膜層２２０Ｒでは、第２の薄膜層下面２２０ＲＳ２の表面粗さ、すなわち、下地透明絶縁材料下面２２６ＲＳ２、アノードピラー下面２４２ａＲＳ２、カソードピラー下面２４０ｃＧ２Ｓ２、カソードパッド表面２４１ＲＳ、並びに引出配線２３６ａＲ及び２３６ｃＲの下面における表面粗さＧｐｖが何れも１０［ｎｍ］以下となっている。
【0308】
［３－４－３．第３の薄膜層の構成］
図３１及び図３２と、図８と対応する部材に同一符号を付した図３５に示すように、第３の薄膜層２２０Ｇは、下地透明絶縁材料２２６Ｇ、透明絶縁材料２２８Ｇ、薄膜ＬＥＤ３０Ｇ、アノード電極３２Ｇ、カソード電極２３４Ｇ、アノードパッド２４４Ｇ、カソードパッド２４１Ｇ、引出配線２３６ａＧ及び２３６ｃＧ並びに層間絶縁膜２３８ａＧ及び２３８ｃＧにより構成されている。
図３１及び図３２と、図８と対応する部材に同一符号を付した図３５に示すように、第３の薄膜層２２０Ｇは、下地透明絶縁材料２２６Ｇ、透明絶縁材料２２８Ｇ、薄膜ＬＥＤ３０Ｇ、アノード電極３２Ｇ、カソード電極２３４Ｇ、アノードパッド２４４Ｇ、カソードパッド２４１Ｇ、引出配線２３６ａＧ及び２３６ｃＧ並びに層間絶縁膜２３８ａＧ及び２３８ｃＧにより構成されている。
【0309】
下地透明絶縁材料２２６Ｇは、下地透明絶縁材料２２６Ｂと同様の材料により構成されており、十分な絶縁性を備えていると共に、少なくとも薄膜ＬＥＤ３０Ｂ、３０Ｒ及び３０Ｇが発する光の波長に対して透明となっている。この下地透明絶縁材料２２６Ｇは、ＡＡ断面方向Ｄａ（図３１）に関して、画素部２０８における一端部から他端部までに亘って延設されているものの、第２の薄膜層２２０Ｒにおける第２の薄膜層開口２５２ａＲとＺ方向に対向する箇所において、下地透明絶縁材料２２６Ｇの＋Ｚ方向側の表面（上面）（以下ではこれを下地透明絶縁材料上面２２６ＧＳ１とも呼ぶ）から－Ｚ方向側の表面（下面）（以下ではこれを下地透明絶縁材料下面２２６ＧＳ２とも呼ぶ）までに亘って下地透明絶縁材料２２６ＧをＺ方向（発光方向Ｄｅ）に貫通する下地透明絶縁材料開口２４８ａＧが形成されている。
【0310】
また下地透明絶縁材料２２６Ｇは、ＢＢ断面方向Ｄｂ（図３２）に関して、画素部２０８における一端部から他端部までに亘って延設されているものの、第２の薄膜層２２０Ｒにおける第２の薄膜層開口２５２ｃＲ２とＺ方向に対向する箇所において、下地透明絶縁材料上面２２６ＧＳ１から下地透明絶縁材料下面２２６ＧＳ２までに亘って下地透明絶縁材料２２６ＧをＺ方向（発光方向Ｄｅ）に貫通する下地透明絶縁材料開口２４８Ｒが形成されている。
【0311】
薄膜ＬＥＤ３０Ｇは、ＡＡ断面方向Ｄａ及びＢＢ断面方向Ｄｂに関し画素部８における中央部に配され、ＡＡ断面方向Ｄａ及びＢＢ断面方向Ｄｂに所定の範囲の長さを有し、Ｚ方向の厚さが３［μｍ］以下であり、透明絶縁材料２２８Ｇ内に埋め込まれた薄膜無機発光素子である。薄膜ＬＥＤ３０Ｇの＋Ｚ方向側の上面である発光面は、ＸＹ方向に沿った平面となっている。この薄膜ＬＥＤ３０Ｇは、例えばＧａＰ系材料により形成された、緑色の光を発するＬＥＤである。アノード電極３２Ｇは、薄膜ＬＥＤ３０Ｇの＋Ｚ方向側の中央部に形成されたアノード上に配置されている。カソード電極２３４Ｇは、薄膜ＬＥＤ３０Ｇの＋Ｚ方向側における＋Ｘ－Ｙ方向側に形成されたカソード上に配置されている。
【0312】
引出配線２３６ａＧ（図３１）は、導電性を有する材料により構成されており、アノード電極３２Ｇにおける＋Ｚ方向側の面（上面）とアノードパッド２４４Ｇとにそれぞれ接触し、両者を電気的に接続している。層間絶縁膜２３８ａＧは、絶縁性を有する材料により構成されており、引出配線２３６ａＧと薄膜ＬＥＤ３０Ｇとの間に配され、Ｚ方向に沿って見た際に引出配線２３６ａＧよりも大きく形成されている。この層間絶縁膜２３８ａＧは、引出配線２３６ａＧと薄膜ＬＥＤ３０Ｇとの不要な部分の短絡を保護する。
【0313】
引出配線２３６ｃＧ（図３２）は、引出配線２３６ａＧと同様に導電性を有する材料により構成されており、カソード電極２３４Ｇにおける＋Ｚ方向側の面（上面）とカソードパッド２４１Ｇとにそれぞれ接触し、両者を電気的に接続している。層間絶縁膜２３８ｃＧは、絶縁性を有する材料により構成されており、引出配線２３６ｃＧと薄膜ＬＥＤ３０Ｇとの間に配され、Ｚ方向に沿って見た際に引出配線２３６ｃＧよりも大きく形成されている。この層間絶縁膜２３８ｃＧは、引出配線２３６ｃＧと薄膜ＬＥＤ３０Ｇとの不要な部分の短絡を保護する。
【0314】
上述したアノード電極３２Ｇ、カソード電極２３４Ｇ及び引出配線２３６ａＧは、例えばＩＴＯ等の透明導電性材料により構成されており、層間絶縁膜２３８ａＲは、薄膜ＬＥＤ３０Ｂ、３０Ｒ及び３０Ｇが発する光の波長に対して透明であることが望ましい。
【0315】
アノードパッド２４４Ｇ（図３１）は、金、銅やチタン等の導電性を有する材料により構成されており、第２の薄膜層２２０Ｒのアノードピラー２４２ａＲとＺ方向に対向する位置に配され、垂直方向配線２２２Ａの一部分を構成している。このアノードパッド２４４Ｇは、－Ｚ方向側の面（以下ではこれをアノードパッド表面２４４ＧＳとも呼ぶ）を、下地透明絶縁材料２２６Ｇから露出させている。
【0316】
カソードパッド２４１Ｇ（図３２）は、アノードパッド２４４Ｇと同様に導電性を有する材料により構成されており、第２の薄膜層２２０Ｒのカソードピラー２４０ｃＧ２とＺ方向に対向する位置に配され、垂直方向配線２２２Ｇの一部分を構成している。このカソードパッド２４１Ｇは、－Ｚ方向側の面（以下ではこれをカソードパッド表面２４１ＧＳとも呼ぶ）を、下地透明絶縁材料２２６Ｇから露出させている。
【0317】
透明絶縁材料２２８Ｇは、例えば、下地透明絶縁材料２２６Ｇと同一の材料により構成されており、十分な絶縁性を備えていると共に、少なくとも薄膜ＬＥＤ３０Ｂ、３０Ｒ及び３０Ｇが発する光の波長に対して透明となっている。この透明絶縁材料２２８Ｇは、下地透明絶縁材料２２６Ｇ、薄膜ＬＥＤ３０Ｇ、アノード電極３２Ｇ、カソード電極２３４Ｇ、アノードパッド２４４Ｇ、カソードパッド２４１Ｇ、引出配線２３６ａＧ及び２３６ｃＧ並びに層間絶縁膜２３８ａＧ及び２３８ｃＧを＋Ｚ方向側から覆うように配設されており、これら薄膜ＬＥＤ３０Ｇ、アノード電極３２Ｇ、カソード電極２３４Ｇ、アノードパッド２４４Ｇ、カソードパッド２４１Ｇ、引出配線２３６ａＧ及び２３６ｃＧ並びに層間絶縁膜２３８ａＧ及び２３８ｃＧを、下地透明絶縁材料２２６Ｇとの間において内部に埋め込んでいる。
【0318】
また第３の薄膜層２２０Ｇは、第３の薄膜層下面２２０ＧＳ２が極めて平坦な平面状に形成されている。すなわち第３の薄膜層２２０Ｇでは、下地透明絶縁材料下面２２６ＧＳ２、アノードパッド表面２４４ＧＳ、カソードパッド表面２４１ＧＳ、並びに引出配線２３６ａＧ及び２３６ｃＧの－Ｚ方向側の表面（下面）が何れも極めて平坦であり、且つそれぞれが互いに平行な平面となっており、さらにそれぞれのＺ方向に関する距離（すなわち段差）も極めて小さくなっている。すなわち、下地透明絶縁材料下面２２６ＧＳ２、アノードパッド表面２４４ＧＳ、カソードパッド表面２４１ＧＳ、並びに引出配線２３６ａＧ及び２３６ｃＧの下面は、それぞれ同一平面上に位置している。
【0319】
具体的に第３の薄膜層２２０Ｇでは、第３の薄膜層下面２２０ＧＳ２の表面粗さ、すなわち、下地透明絶縁材料下面２２６ＧＳ２、アノードパッド表面２４４ＧＳ、カソードパッド表面２４１ＧＳ、並びに引出配線２３６ａＧ及び２３６ｃＧの下面における表面粗さＰｐｖが何れも１０［ｎｍ］以下となっている。また以下では、引出配線２３６ａＢ、２３６ａＧ、２３６ａＲ、２３６ａｃＲ、２３６ｃＢ、２３６ｃＧ、２３６ｃＲをまとめて、引出配線２３６とも呼ぶ。
【0320】
［３－５．薄膜層及び回路基板の接続関係］
［３－５－１．回路基板及び薄膜層の物理的接続関係］
回路基板２１０の基板表面１０Ｓと、第１の薄膜層２２０Ｂの第１の薄膜層下面２２０ＢＳ２とは、分子間力により物理的に接合されている。また、第１の薄膜層２２０Ｂの第１の薄膜層上面２２０ＢＳ１と、第２の薄膜層２２０Ｒの第２の薄膜層下面２２０ＲＳ２とは、分子間力により物理的に接合されている。さらに、第２の薄膜層２２０Ｒの第２の薄膜層上面２２０ＲＳ１と、第３の薄膜層２２０Ｇの第３の薄膜層下面２２０ＧＳ２とは、分子間力により物理的に接合されている。
［３－５－１．回路基板及び薄膜層の物理的接続関係］
回路基板２１０の基板表面１０Ｓと、第１の薄膜層２２０Ｂの第１の薄膜層下面２２０ＢＳ２とは、分子間力により物理的に接合されている。また、第１の薄膜層２２０Ｂの第１の薄膜層上面２２０ＢＳ１と、第２の薄膜層２２０Ｒの第２の薄膜層下面２２０ＲＳ２とは、分子間力により物理的に接合されている。さらに、第２の薄膜層２２０Ｒの第２の薄膜層上面２２０ＲＳ１と、第３の薄膜層２２０Ｇの第３の薄膜層下面２２０ＧＳ２とは、分子間力により物理的に接合されている。
【0321】
このようにＬＥＤディスプレイ表示部２０２においては、それぞれ、基板表面１０Ｓと第１の薄膜層下面２２０ＢＳ２と、第１の薄膜層上面２２０ＢＳ１と第２の薄膜層下面２２０ＲＳ２と、第２の薄膜層上面２２０ＲＳ１と第３の薄膜層下面２２０ＧＳ２とが、金属接合ではなく、分子間力接合されている。
【0322】
［３－５－２．回路基板及び薄膜層の電気的接続関係］
接続パッド２１２Ｂ（図３２）は、接続パッド表面２１２ＢＳが第１の薄膜層２２０Ｂのカソード電極２３４Ｂのカソード電極表面２３４ＢＳに分子間力により物理的に接合されており、導電経路Ｒｂｃのように、薄膜ＬＥＤ３０Ｂのカソード電極２３４Ｂに電気的に接続されている。
接続パッド２１２Ｂ（図３２）は、接続パッド表面２１２ＢＳが第１の薄膜層２２０Ｂのカソード電極２３４Ｂのカソード電極表面２３４ＢＳに分子間力により物理的に接合されており、導電経路Ｒｂｃのように、薄膜ＬＥＤ３０Ｂのカソード電極２３４Ｂに電気的に接続されている。
【0323】
接続パッド２１２Ｒ（図３１）は、接続パッド表面２１２ＲＳが第１の薄膜層２２０Ｂのカソードピラー２４０ｃＲのカソードピラー下面２４０ｃＲＳに分子間力により物理的に接合されている。カソードピラー２４０ｃＲは、カソードピラー上面２４０ｃＲＳ１が第２の薄膜層２２０Ｒのカソードパッド２４１Ｒのカソードパッド表面２４１ＲＳに分子間力により物理的に接合されている。カソードパッド２４１Ｒは、引出配線２３６ｃＲと物理的に接触している。このため接続パッド２１２Ｒは、導電経路Ｒｒｃのように、カソードピラー２４０ｃＲ、カソードパッド２４１Ｒ及び引出配線２３６ｃＲを介し薄膜ＬＥＤ３０Ｒのカソード電極２３４Ｒに電気的に接続されている。
【0324】
接続パッド２１２Ｇ（図３２）は、接続パッド表面２１２ＧＳが第１の薄膜層２２０Ｂのカソードピラー２４０ｃＧ１のカソードピラー下面２４０ｃＧ１Ｓ２に分子間力により物理的に接合されている。カソードピラー２４０ｃＧ１は、カソードピラー上面２４０ｃＧ１Ｓ１が第２の薄膜層２２０Ｒのカソードピラー２４０ｃＧ２のカソードピラー下面２４０ｃＧ２Ｓ２に分子間力により物理的に接合されている。カソードピラー２４０ｃＧ２は、カソードピラー上面２４０ｃＧ２Ｓ１が第３の薄膜層２２０Ｇのカソードパッド２４１Ｇのカソードパッド表面２４１ＧＳに分子間力により物理的に接合されている。カソードパッド２４１Ｇは、引出配線２３６ｃＧと物理的に接触している。このため接続パッド２１２Ｂは、導電経路Ｒｇｃのように、カソードピラー２４０ｃＧ１、カソードピラー２４０ｃＧ２及び引出配線２３６ｃＧを介し薄膜ＬＥＤ３０Ｇのカソード電極２３４Ｇに電気的に接続されている。
【0325】
接続パッド２１２Ａ（図３１）は、接続パッド表面２１２ＡＳが第１の薄膜層２２０Ｂのアノードピラー２４２ａＢのアノードピラー下面２４２ａＢＳ２に分子間力により物理的に接合されている。アノードピラー２４２ａＢは、アノードピラー上面２４２ａＢＳ１が第２の薄膜層２２０Ｒのアノードピラー２４２ａＲのアノードピラー下面２４２ａＲＳ２に分子間力により物理的に接合されている。アノードピラー２４２ａＲは、アノードピラー上面２４２ａＲＳ１が第３の薄膜層２２０Ｇのアノードパッド２４４Ｇのアノードパッド表面２４４ＧＳに分子間力により物理的に接合されている。引出配線２３６ａＧは、アノードパッド２４４Ｇと物理的に接触している。このため、アノード電極３２Ｇは、導電経路Ｒａのように、引出配線２３６ａＧ、アノードパッド２４４Ｇ、アノードピラー２４２ａＲ、アノードピラー２４２ａＢ及び接続パッド２１２Ａを介し、配線層１６のアノード共通配線と電気的に接続されている。
【0326】
また引出配線２３６ａＲは、コンタクト金属２４６ａＲと物理的に接触している。このため、アノード電極３２Ｒは、導電経路Ｒａのように、引出配線２３６ａＲ、コンタクト金属２４６ａＲ、アノードピラー２４２ａＲ、アノードピラー２４２ａＢ及び接続パッド２１２Ａを介し、配線層１６のアノード共通配線と電気的に接続されている。
【0327】
さらに引出配線２３６ａＢは、コンタクト金属２４６ａＢと物理的に接触している。このため、アノード電極３２Ｂは、導電経路Ｒａのように、引出配線２３６ａＢ、コンタクト金属２４６ａＢ、アノードピラー２４２ａＢ及び接続パッド２１２Ａを介し、配線層１６のアノード共通配線と電気的に接続されている。
【0328】
［３－６．ＬＥＤディスプレイ表示部の製造方法］
次に、ＬＥＤディスプレイ装置２０１におけるＬＥＤディスプレイ表示部２０２の製造方法の一例を、それぞれ図９、図１０、図１１及び図１２と対応する部材に同一符号を付した図３６、図３７、図３８及び図３９を用いて説明する。因みに、図３６、図３７、図３８及び図３９は、何れも＋Ｚ方向を上方向に向けた状態を表す模式的な断面図となっている。説明の都合上、ここでは、＋Ｚ方向を上方向とも呼び、－Ｚ方向を下方向とも呼ぶ。
次に、ＬＥＤディスプレイ装置２０１におけるＬＥＤディスプレイ表示部２０２の製造方法の一例を、それぞれ図９、図１０、図１１及び図１２と対応する部材に同一符号を付した図３６、図３７、図３８及び図３９を用いて説明する。因みに、図３６、図３７、図３８及び図３９は、何れも＋Ｚ方向を上方向に向けた状態を表す模式的な断面図となっている。説明の都合上、ここでは、＋Ｚ方向を上方向とも呼び、－Ｚ方向を下方向とも呼ぶ。
【0329】
［３－６－１．第１の薄膜層の製造方法］
まず、第１の薄膜層２２０Ｂの製造方法について、図３６を参照しながら説明する。まず製造装置６０は、図３６（Ａ）に示すように、所定のＬＥＤ成長基板２６２Ｂの上側、すなわち＋Ｚ方向側に、薄膜ＬＥＤ層２６６Ｂを成長させる工程を行う。本実施の形態においては、ＬＥＤ成長基板２６２Ｂとしてサファイア基板が一例として使用される。
まず、第１の薄膜層２２０Ｂの製造方法について、図３６を参照しながら説明する。まず製造装置６０は、図３６（Ａ）に示すように、所定のＬＥＤ成長基板２６２Ｂの上側、すなわち＋Ｚ方向側に、薄膜ＬＥＤ層２６６Ｂを成長させる工程を行う。本実施の形態においては、ＬＥＤ成長基板２６２Ｂとしてサファイア基板が一例として使用される。
【0330】
次に製造装置６０は、図３６（Ｂ）に示すように、公知のレーザーリフトオフ法により、薄膜ＬＥＤ層２６６ＢをＬＥＤ成長基板２６２Ｂから分離する。分離した薄膜ＬＥＤ層２６６Ｂは、分離面を研磨する等して平坦化を行うことが望ましい。
【0331】
次に製造装置６０は、図３６（Ｃ）に示すように、第１の薄膜層２２０Ｂの形成基板２６８Ｂに、犠牲層２７０Ｂ及び下地透明絶縁材料２２６Ｂを順次製膜し、薄膜ＬＥＤ層２６６Ｂを分子間力により下地透明絶縁材料２２６Ｂに接合する。このとき、犠牲層２７０Ｂ及び下地透明絶縁材料２２６Ｂの上面（＋Ｚ方向側面）はＲｐｖ＝１０［ｎｍ］以下に平坦とする必要があるため、製造装置６０は、研磨等の平滑化工程を行っても良い。
【0332】
次に製造装置６０は、図３６（Ｄ）に示すように、エッチング処理により薄膜ＬＥＤ層２６６Ｂをエッチングすることにより、薄膜ＬＥＤ３０Ｂを形成すると共に、下地透明絶縁材料２２６Ｂの下地透明絶縁材料開口２４８ａＢ、２４８ｃＲ、２４８ｃＢ（図３２）及び２４８ａＧ１（図３２）のパターニングを行う。
【0333】
次に製造装置６０は、図３６（Ｅ）に示すように、リソグラフィやスパッタリング等の手法によりパターニング処理を行い、薄膜ＬＥＤ３０Ｂ及び下地透明絶縁材料２２６Ｂの上に、アノード電極３２Ｂ、カソード電極２３４Ｂ（図３２）、層間絶縁膜２３８ａＢ、引出配線２３６ａＢ並びにコンタクト金属２４６ａＢ、２４６ｃＰＬ１Ｂ及び２４６ｃＰＤＧ１（図３２）を形成する。
【0334】
次に製造装置６０は、図３６（Ｆ）に示すように、透明絶縁材料２２８Ｂにより埋め込みを行い該透明絶縁材料２２８Ｂに透明絶縁材料開口２５０ａＢ、２５０ｃＲ及び２５０ｃＣＧ１（図３２）のパターニングを行った後に、メッキ法により、透明絶縁材料開口２５０ａＢ、２５０ｃＲ及び２５０ｃＧ１（図３２）から露出しているコンタクト金属２４６ａＢ、２４６ｃＰＬ１Ｂ及び２４６ｃＰＤＧ１（図３２）上に、アノードピラー２４２ａＢ、カソードピラー２４０ｃＲ及び２４０ｃＧ１（図３２）を形成する。
【0335】
次に製造装置６０は、図３６（Ｇ）に示すように、化学機械研磨（ＣＭＰ）による平坦化処理を行い、透明絶縁材料２２８Ｂ、アノードピラー２４２ａＢ、カソードピラー２４０ｃＲ及び２４０ｃＧ１（図３２）の上面を平坦化することにより、アノードピラー２４２ａＢの上面にアノードピラー上面２４２ａＢＳ１を、カソードピラー２４０ｃＲ及び２４０ｃＧ１（図３２）の上面にそれぞれカソードピラー上面２４０ｃＲＳ１及び２４０ｃＧ１Ｓ１（図３２）を、透明絶縁材料２２８Ｂの上面から露出するように形成する。
【0336】
［３－６－２．第２の薄膜層の製造方法］
次に、第２の薄膜層２２０Ｒの製造方法について、図３７を参照しながら説明する。まず製造装置６０は、図３７（Ａ）に示すように、所定のＬＥＤ成長基板２６２Ｒの上側、すなわち＋Ｚ方向側に、格子整合がされた犠牲層２６４Ｒを形成し、さらにその上側に薄膜ＬＥＤ層２６６Ｒを成長させる工程を行う。本実施の形態においては、ＬＥＤ成長基板２６２ＲとしてＧａＡｓが、犠牲層２６４ＲとしてＡｌを含むＧａＡｓ等の材料が一例として使用される。
次に、第２の薄膜層２２０Ｒの製造方法について、図３７を参照しながら説明する。まず製造装置６０は、図３７（Ａ）に示すように、所定のＬＥＤ成長基板２６２Ｒの上側、すなわち＋Ｚ方向側に、格子整合がされた犠牲層２６４Ｒを形成し、さらにその上側に薄膜ＬＥＤ層２６６Ｒを成長させる工程を行う。本実施の形態においては、ＬＥＤ成長基板２６２ＲとしてＧａＡｓが、犠牲層２６４ＲとしてＡｌを含むＧａＡｓ等の材料が一例として使用される。
【0337】
次に製造装置６０は、図３７（Ｂ）に示すように、エッチング処理により犠牲層２６４Ｒをエッチングして除去することにより、薄膜ＬＥＤ層２６６ＲをＬＥＤ成長基板２６２Ｒから分離する。分離した薄膜ＬＥＤ層２６６Ｒは、分離面を研磨する等して平坦化を行うことが望ましい。
【0338】
次に製造装置６０は、図３７（Ｃ）に示すように、第２の薄膜層２２０Ｒの形成基板２６８Ｒに、犠牲層２７０Ｒ及び下地透明絶縁材料２２６Ｒを順次製膜し、薄膜ＬＥＤ層２６６Ｒを分子間力により下地透明絶縁材料２２６Ｒに接合する。このとき、犠牲層２７０Ｒ及び下地透明絶縁材料２２６Ｒの上面（＋Ｚ方向側面）はＲｐｖ＝１０［ｎｍ］以下に平坦とする必要があるため、製造装置６０は、研磨等の平滑化工程を行っても良い。
【0339】
次に製造装置６０は、図３７（Ｄ）に示すように、エッチング処理により薄膜ＬＥＤ層２６６Ｒをエッチングすることにより、薄膜ＬＥＤ３０Ｒを形成すると共に、下地透明絶縁材料２２６Ｒの下地透明絶縁材料開口２４８ａＲ、２４８Ｒ及び２４８ｃＲ２（図３２）のパターニングを行う。
【0340】
次に製造装置６０は、図３７（Ｅ）に示すように、リソグラフィやスパッタリング等の手法によりパターニング処理を行い、薄膜ＬＥＤ３０Ｒ及び下地透明絶縁材料２２６Ｒの上に、アノード電極３２Ｒ、カソード電極２３４Ｒ、層間絶縁膜２３８ａＲ及び２３８ｃＲ、引出配線２３６ａＲ及び２３６ｃＲ並びにコンタクト金属２４６ａＲ、２４６ｃＰＤＲ及び２４６ｃＰＤＧ２（図３２）を形成する。
【0341】
次に製造装置６０は、図３７（Ｆ）に示すように、透明絶縁材料２２８Ｒにより埋め込みを行い該透明絶縁材料２２８Ｒに透明絶縁材料開口２５０ａＲ及び２５０ｃＲ２（図３２）のパターニングを行った後に、メッキ法により、透明絶縁材料開口２５０ａＲ及び２５０ｃＲ２（図３２）から露出しているコンタクト金属２４６ａＲ及び２４６ｃＰＤＧ２（図３２）上に、アノードピラー２４２ａＲ及びカソードピラー２４０ｃＧ２（図３２）を形成する。またコンタクト金属２４６ｃＰＤＲは、カソードパッド２４１Ｒとなる。
【0342】
次に製造装置６０は、図３７（Ｇ）に示すように、化学機械研磨（ＣＭＰ）による平坦化処理を行い、透明絶縁材料２２８Ｒ、アノードピラー２４２ａＲ及びカソードピラー２４０ｃＧ２（図３２）の上面を平坦化することにより、アノードピラー２４２ａＲ及びカソードピラー２４０ｃＧ２（図３２）の上面にそれぞれアノードピラー上面２４２ａＲＳ１及びカソードピラー上面２４０ｃＧ２Ｓ１（図３２）を、透明絶縁材料２２８Ｒの上面から露出するように形成する。
【0343】
［３－６－３．第３の薄膜層の製造方法］
次に、第３の薄膜層２２０Ｇの製造方法について、図３８を参照しながら説明する。まず製造装置６０は、図３８（Ａ）に示すように、所定のＬＥＤ成長基板２６２Ｇの上側、すなわち＋Ｚ方向側に、薄膜ＬＥＤ層２６６Ｇを成長させる工程を行う。本実施の形態においては、ＬＥＤ成長基板２６２Ｇとしてサファイア基板が一例として使用される。
次に、第３の薄膜層２２０Ｇの製造方法について、図３８を参照しながら説明する。まず製造装置６０は、図３８（Ａ）に示すように、所定のＬＥＤ成長基板２６２Ｇの上側、すなわち＋Ｚ方向側に、薄膜ＬＥＤ層２６６Ｇを成長させる工程を行う。本実施の形態においては、ＬＥＤ成長基板２６２Ｇとしてサファイア基板が一例として使用される。
【0344】
次に製造装置６０は、図３８（Ｂ）に示すように、公知のレーザーリフトオフ法により、薄膜ＬＥＤ層２６６ＧをＬＥＤ成長基板２６２Ｇから分離する。分離した薄膜ＬＥＤ層２６６Ｇは、分離面を研磨する等して平坦化を行うことが望ましい。
【0345】
次に製造装置６０は、図３８（Ｃ）に示すように、第３の薄膜層２２０Ｇの形成基板２６８Ｇに、犠牲層２７０Ｇ及び下地透明絶縁材料２２６Ｇを順次製膜し、薄膜ＬＥＤ層２６６Ｇを分子間力により下地透明絶縁材料２２６Ｇに接合する。このとき、犠牲層２７０Ｇ及び下地透明絶縁材料２２６Ｇの上面（＋Ｚ方向側面）はＲｐｖ＝１０［ｎｍ］以下に平坦とする必要があるため、製造装置６０は、研磨等の平滑化工程を行っても良い。
【0346】
次に製造装置６０は、図３８（Ｄ）に示すように、エッチング処理により薄膜ＬＥＤ層２６６Ｇをエッチングすることにより、薄膜ＬＥＤ３０Ｇを形成すると共に、下地透明絶縁材料２２６Ｇの下地透明絶縁材料開口２４８ａＧ及び２４８Ｒ（図３２）のパターニングを行う。
【0347】
次に製造装置６０は、図３８（Ｅ）に示すように、リソグラフィやスパッタリング等の手法によりパターニング処理を行い、薄膜ＬＥＤ３０Ｇ及び下地透明絶縁材料２２６Ｇの上に、アノード電極３２Ｇ、カソード電極２３４Ｇ（図３２）、層間絶縁膜２３８ａＧ及び２３８ｃＧ（図３２）、引出配線２３６ａＧ及び２３６ｃＧ（図３２）並びにコンタクト金属２４６ａＧ及び２４６ｃＰＤＧ（図３２）を形成する。コンタクト金属２４６ａＧは、アノードパッド２４４Ｇとなり、コンタクト金属２４６ｃＰＤＧ（図３２）は、カソードパッド２４１Ｇとなる。
【0348】
次に製造装置６０は、図３８（Ｆ）に示すように、透明絶縁材料２２８Ｇにより埋め込みを行う。製造装置６０は、化学機械研磨（ＣＭＰ）による平坦化処理を行い、透明絶縁材料１２８Ｒの上面を平坦化しても良い。
【0349】
［３－６－４．積層接合の工程］
次に、上述した製造方法により製造された第１の薄膜層２２０Ｂ、第２の薄膜層２２０Ｒ及び第３の薄膜層２２０Ｇを、回路基板２１０に積層させる積層接合の工程について、図１２と対応する部材に同一符号を付した図３９を参照しながら説明する。
次に、上述した製造方法により製造された第１の薄膜層２２０Ｂ、第２の薄膜層２２０Ｒ及び第３の薄膜層２２０Ｇを、回路基板２１０に積層させる積層接合の工程について、図１２と対応する部材に同一符号を付した図３９を参照しながら説明する。
【0350】
まず製造装置６０は、図３９（Ａ）に示すように、エッチング処理により犠牲層２７０Ｂ（図３６）をエッチングして除去することにより、第１の薄膜層２２０Ｂを形成基板２６８Ｂから分離する。これにより、アノードピラー下面２４２ａＢＳ２、カソードピラー下面２４０ｃＲＳ２、カソード電極表面２３４ＢＳ（図３２）及びカソードピラー下面２４０ｃＧ１Ｓ２（図３２）が下地透明絶縁材料下面２２６ＢＳ２から露出する。これらアノードピラー下面２４２ａＢＳ２、カソードピラー下面２４０ｃＲＳ２、カソード電極表面２３４ＢＳ（図３２）及びカソードピラー下面２４０ｃＧ１Ｓ２（図３２）は、犠牲層２７０Ｂ（図３６）の上面に追従して同一平面上に平坦に形成されている。続いて製造装置６０は、分離した第１の薄膜層２２０Ｂを公知のボンディング方法により、回路基板２１０の上面に分子間力により接合する。
【0351】
次に製造装置６０は、図３９（Ｂ）に示すように、エッチング処理により犠牲層２７０Ｒ（図３７）をエッチングして除去することにより、第２の薄膜層２２０Ｒを形成基板２６８Ｒから分離する。これにより、アノードピラー下面２４２ａＲＳ２、カソードパッド表面２４１ＲＳ、カソードピラー下面２４０ｃＧ１Ｓ２（図３２）が、下地透明絶縁材料下面２２６ＲＳ２から露出する。これらアノードピラー下面２４２ａＲＳ２、カソードパッド表面２４１ＲＳ、カソードピラー下面２４０ｃＧ２Ｓ２（図３２）は、犠牲層２７０Ｒ（図３７）の上面に追従して同一平面上に平坦に形成されている。続いて製造装置６０は、分離した第２の薄膜層２２０Ｒを公知のボンディング方法により、図３９（Ａ）で回路基板２１０に接合させた第１の薄膜層２２０Ｂの上面に分子間力により接合する。
【0352】
次に製造装置６０は、図３９（Ｃ）に示すように、エッチング処理により犠牲層２７０Ｇ（図３８）をエッチングして除去することにより、第３の薄膜層２２０Ｇを形成基板２６８Ｇから分離する。これにより、アノードパッド表面２４４ＧＳ及びカソードパッド表面２４１ＧＳ（図３２）が、下地透明絶縁材料下面２２６ＧＳ２から露出する。これらアノードパッド表面２４４ＧＳ及びカソードパッド表面２４１ＧＳ（図３２）は、犠牲層２７０Ｇ（図３８）の上面に追従して同一平面上に平坦に形成されている。続いて製造装置６０は、分離した第３の薄膜層２２０Ｇを公知のボンディング方法により、図３９（Ｂ）で第１の薄膜層２２０Ｂに接合させた第２の薄膜層２２０Ｒの上面に分子間力により接合する。
【0353】
［３－７．ＬＥＤディスプレイ表示部の発光の様子］
図４０に示すように、ＬＥＤディスプレイ表示部２０２が発光すると、薄膜ＬＥＤ３０ＲがＧａＡｓ基板で構成されておりＥｇ＝１．９［ｅＶ］に相当する６６０［ｎｍ］（赤色）よりも短い波長を吸収するため、第２の薄膜層２２０Ｒに向かって出射された青色光ＬＢは、薄膜ＬＥＤ３０Ｒで吸収される。一方、第２の薄膜層２２０Ｒにおける薄膜ＬＥＤ３０Ｒ以外の箇所は、青色光ＬＢの波長に対し透明であるため、青色光ＬＢは、第２の薄膜層２２０Ｒにおける薄膜ＬＥＤ３０Ｒ以外の箇所を透過する。また、薄膜ＬＥＤ３０ＧがＧａＰ基板で構成されておりＥｇ＝２．２［ｅＶ］に相当する５６４［ｎｍ］（緑色）よりも短い波長を吸収するため、第３の薄膜層２２０Ｇに向かって出射された青色光ＬＢは薄膜ＬＥＤ３０Ｇによって吸収されるものの、赤色光ＬＲは薄膜ＬＥＤ３０Ｇによって吸収されず透過する。一方、第３の薄膜層２２０Ｇにおける薄膜ＬＥＤ３０Ｇ以外の箇所は青色光ＬＢの波長に対し透明であるため、青色光ＬＢは、第３の薄膜層２２０Ｇにおける薄膜ＬＥＤ３０Ｇ以外の箇所を透過する。
図４０に示すように、ＬＥＤディスプレイ表示部２０２が発光すると、薄膜ＬＥＤ３０ＲがＧａＡｓ基板で構成されておりＥｇ＝１．９［ｅＶ］に相当する６６０［ｎｍ］（赤色）よりも短い波長を吸収するため、第２の薄膜層２２０Ｒに向かって出射された青色光ＬＢは、薄膜ＬＥＤ３０Ｒで吸収される。一方、第２の薄膜層２２０Ｒにおける薄膜ＬＥＤ３０Ｒ以外の箇所は、青色光ＬＢの波長に対し透明であるため、青色光ＬＢは、第２の薄膜層２２０Ｒにおける薄膜ＬＥＤ３０Ｒ以外の箇所を透過する。また、薄膜ＬＥＤ３０ＧがＧａＰ基板で構成されておりＥｇ＝２．２［ｅＶ］に相当する５６４［ｎｍ］（緑色）よりも短い波長を吸収するため、第３の薄膜層２２０Ｇに向かって出射された青色光ＬＢは薄膜ＬＥＤ３０Ｇによって吸収されるものの、赤色光ＬＲは薄膜ＬＥＤ３０Ｇによって吸収されず透過する。一方、第３の薄膜層２２０Ｇにおける薄膜ＬＥＤ３０Ｇ以外の箇所は青色光ＬＢの波長に対し透明であるため、青色光ＬＢは、第３の薄膜層２２０Ｇにおける薄膜ＬＥＤ３０Ｇ以外の箇所を透過する。
【0354】
さらに、第３の薄膜層２２０Ｇにおける薄膜ＬＥＤ３０Ｇ以外の箇所は、赤色光ＬＲの波長に対し透明であるため、赤色光ＬＲは、第３の薄膜層２２０Ｇにおける薄膜ＬＥＤ３０Ｇ以外の箇所を透過する。
【0355】
本実施の形態による画素部２０８は、薄膜ＬＥＤ３０Ｒ及び３０Ｇの中心に対し、薄膜ＬＥＤ３０Ｂが、その中心を－Ｙ＋Ｙ方向側に位置ずれさせた状態で（すなわちオフセットさせた状態で）配されている。このため第２の薄膜層２２０Ｒは、青色光ＬＢのうち薄膜ＬＥＤ３０Ｒに向かって来た一部の光は薄膜ＬＥＤ３０Ｒによって吸収するものの、緑色光ＬＧのうち薄膜ＬＥＤ３０Ｒ以外の箇所に向かって来た緑色光ＬＧは透過させ、＋Ｚ方向へ向かわせる。
【0356】
［３－８．薄膜層の重複の様子］
ここで、＋Ｚ方向側から発光方向Ｄｅに沿って画素部２０８を見たとき、図１４（Ａ）と対応する部材に同一符号を付した図４１（Ａ）に示すように、薄膜ＬＥＤ３０Ｂが、該薄膜ＬＥＤ３０Ｂよりも＋Ｚ方向側に位置する薄膜ＬＥＤ３０Ｇ及び薄膜ＬＥＤ３０Ｒの両方と重複する、ハッチングを付した領域を、光吸収領域ＡＲａと呼ぶ。第３の実施の形態においては薄膜ＬＥＤ３０Ｇ及び薄膜ＬＥＤ３０Ｒが互いにオフセットされていないため、光吸収領域ＡＲａは、薄膜ＬＥＤ３０Ｂが薄膜ＬＥＤ３０Ｇと重複する領域となっている。また、＋Ｚ方向側から発光方向Ｄｅに沿って画素部２０８を見たとき、図１４（Ｂ）と対応する部材に同一符号を付した図４１（Ｂ）に示すように、薄膜ＬＥＤ３０Ｂよりも＋Ｚ方向側に位置する薄膜ＬＥＤ３０Ｒと薄膜ＬＥＤ３０Ｇとが重なる、ハッチングを付した領域を、光透過領域ＡＲｔと呼ぶ。本実施の形態による画素部２０８は、光吸収領域ＡＲａ（図４１（Ａ））が、光透過領域ＡＲｔ（図４１（Ｂ））よりも小さくなるように、薄膜ＬＥＤ３０Ｂ、３０Ｇ及び３０Ｒが配置されている。
ここで、＋Ｚ方向側から発光方向Ｄｅに沿って画素部２０８を見たとき、図１４（Ａ）と対応する部材に同一符号を付した図４１（Ａ）に示すように、薄膜ＬＥＤ３０Ｂが、該薄膜ＬＥＤ３０Ｂよりも＋Ｚ方向側に位置する薄膜ＬＥＤ３０Ｇ及び薄膜ＬＥＤ３０Ｒの両方と重複する、ハッチングを付した領域を、光吸収領域ＡＲａと呼ぶ。第３の実施の形態においては薄膜ＬＥＤ３０Ｇ及び薄膜ＬＥＤ３０Ｒが互いにオフセットされていないため、光吸収領域ＡＲａは、薄膜ＬＥＤ３０Ｂが薄膜ＬＥＤ３０Ｇと重複する領域となっている。また、＋Ｚ方向側から発光方向Ｄｅに沿って画素部２０８を見たとき、図１４（Ｂ）と対応する部材に同一符号を付した図４１（Ｂ）に示すように、薄膜ＬＥＤ３０Ｂよりも＋Ｚ方向側に位置する薄膜ＬＥＤ３０Ｒと薄膜ＬＥＤ３０Ｇとが重なる、ハッチングを付した領域を、光透過領域ＡＲｔと呼ぶ。本実施の形態による画素部２０８は、光吸収領域ＡＲａ（図４１（Ａ））が、光透過領域ＡＲｔ（図４１（Ｂ））よりも小さくなるように、薄膜ＬＥＤ３０Ｂ、３０Ｇ及び３０Ｒが配置されている。
【0357】
［３－９．効果］
以上の構成において第３の実施の形態によるＬＥＤディスプレイ装置２０１は、第１の薄膜層２２０Ｂの薄膜ＬＥＤ３０Ｂ、第２の薄膜層２２０Ｒの薄膜ＬＥＤ３０Ｒ及び第３の薄膜層２２０Ｇの薄膜ＬＥＤ３０Ｇの順番に積層することにより、中心層に薄膜ＬＥＤ３０Ｒを配置するようにした。またＬＥＤディスプレイ装置２０１は、薄膜ＬＥＤ３０Ｂの中心を薄膜ＬＥＤ３０Ｒ及び３０Ｇに対しオフセットさせて配置するようにした。
以上の構成において第３の実施の形態によるＬＥＤディスプレイ装置２０１は、第１の薄膜層２２０Ｂの薄膜ＬＥＤ３０Ｂ、第２の薄膜層２２０Ｒの薄膜ＬＥＤ３０Ｒ及び第３の薄膜層２２０Ｇの薄膜ＬＥＤ３０Ｇの順番に積層することにより、中心層に薄膜ＬＥＤ３０Ｒを配置するようにした。またＬＥＤディスプレイ装置２０１は、薄膜ＬＥＤ３０Ｂの中心を薄膜ＬＥＤ３０Ｒ及び３０Ｇに対しオフセットさせて配置するようにした。
【0358】
このためＬＥＤディスプレイ装置２０１は、薄膜ＬＥＤ３０Ｂ、３０Ｒ及び３０Ｇを互いの中心を一致させた状態で配置する場合と比較して、＋Ｚ方向へ向かう青色光ＬＢの経路から薄膜ＬＥＤ３０Ｒ及び３０Ｇの少なくとも一部分を退避させ、薄膜ＬＥＤ３０Ｒ及び３０Ｇによって吸収されずにＬＥＤディスプレイ装置２０１の外部へ出射される青色光ＬＢを増加させることができる。
【0359】
またＬＥＤディスプレイ装置１０１は、第２の薄膜層２２０Ｒを最上層に配置せず、第２の薄膜層２２０Ｒよりも上層側に第３の薄膜層２２０Ｇを配置するものの、赤色光ＬＲは第３の薄膜層２２０Ｇに吸収されないため、赤色光ＬＲを大きく減衰させることなくＬＥＤディスプレイ装置２０１の外部へ出射させることができる。
【0360】
その他、第３の実施の形態によるＬＥＤディスプレイ装置２０１は、第１の実施の形態によるＬＥＤディスプレイ装置１と同様の作用効果を奏し得る。
【0361】
以上の構成によればＬＥＤディスプレイ装置２０１は、回路基板２１０と、回路基板２１０上に設けられ、第１のバンドギャップとしての薄膜ＬＥＤ３０Ｂのバンドギャップを有する第１の発光素子としての薄膜ＬＥＤ３０Ｂを含む第１の薄膜層２２０Ｂと、薄膜ＬＥＤ３０Ｂのバンドギャップと異なる第２のバンドギャップとしての薄膜ＬＥＤ３０Ｇのバンドギャップを有する第２の発光素子としての薄膜ＬＥＤ３０Ｇを含む第３の薄膜層２２０Ｇと、第１の薄膜層２２０Ｂと第３の薄膜層２２０Ｇとの間に積層され、薄膜ＬＥＤ３０Ｂのバンドギャップ及び薄膜ＬＥＤ３０Ｇのバンドギャップよりも小さい第３のバンドギャップとしての薄膜ＬＥＤ３０Ｒのバンドギャップを有する薄膜ＬＥＤ３０Ｒを含む第２の薄膜層２２０Ｒとを設け、 薄膜ＬＥＤ３０Ｂは、積層方向から見たときに、薄膜ＬＥＤ３０Ｂが薄膜ＬＥＤ３０Ｒ及び薄膜ＬＥＤ３０Ｇと重なる領域である光吸収領域ＡＲａが、薄膜ＬＥＤ３０Ｇと薄膜ＬＥＤ３０Ｒとが重なる領域である光透過領域ＡＲｔよりも小さくなるように配置されるようにした。
【0362】
［４．他の実施の形態］
なお上述した第１の実施の形態においては、－Ｚ方向側から＋Ｚ方向側へ向かって薄膜ＬＥＤ３０Ｇ、３０Ｂ及び３０Ｒが順次積層する場合について述べた。本発明はこれに限らず、薄膜ＬＥＤ３０Ｇと薄膜ＬＥＤ３０Ｂとの位置を入れ替え、－Ｚ方向側から＋Ｚ方向側へ向かって薄膜ＬＥＤ３０Ｂ、３０Ｇ及び３０Ｒが順次積層するようにしても良い。その場合、薄膜ＬＥＤ３０Ｇが薄膜ＬＥＤ３０Ｂの青色光ＬＢを吸収するため、最下層側の薄膜ＬＥＤ３０Ｂを薄膜ＬＥＤ３０Ｒ及び薄膜ＬＥＤ３０Ｇに対しオフセットさせても良い。
なお上述した第１の実施の形態においては、－Ｚ方向側から＋Ｚ方向側へ向かって薄膜ＬＥＤ３０Ｇ、３０Ｂ及び３０Ｒが順次積層する場合について述べた。本発明はこれに限らず、薄膜ＬＥＤ３０Ｇと薄膜ＬＥＤ３０Ｂとの位置を入れ替え、－Ｚ方向側から＋Ｚ方向側へ向かって薄膜ＬＥＤ３０Ｂ、３０Ｇ及び３０Ｒが順次積層するようにしても良い。その場合、薄膜ＬＥＤ３０Ｇが薄膜ＬＥＤ３０Ｂの青色光ＬＢを吸収するため、最下層側の薄膜ＬＥＤ３０Ｂを薄膜ＬＥＤ３０Ｒ及び薄膜ＬＥＤ３０Ｇに対しオフセットさせても良い。
【0363】
また上述した第１の実施の形態においては、薄膜ＬＥＤ３０Ｒを最上層側に配置する場合について述べた。本発明はこれに限らず、薄膜ＬＥＤ３０Ｒを最上層と最下層との間の中間層に配置しても良い。第２の実施の形態においても同様である。
【0364】
さらに上述した第１の実施の形態においては、薄膜ＬＥＤ３０Ｇと薄膜ＬＥＤ３０Ｂとが互いにオフセットせず中心を一致させている場合について述べた。本発明はこれに限らず、例えば、薄膜ＬＥＤ３０Ｇ及び薄膜ＬＥＤ３０Ｂに対する薄膜ＬＥＤ３０Ｒのオフセット量よりも短い距離だけ、薄膜ＬＥＤ３０Ｇと薄膜ＬＥＤ３０Ｂとが互いに多少オフセットしていても良い。第３の実施の形態における薄膜ＬＥＤ３０Ｒと薄膜ＬＥＤ３０Ｇとの関係においても同様である。
【0365】
さらに上述した第１の実施の形態においては、薄膜ＬＥＤ３０Ｒが薄膜ＬＥＤ３０Ｇ及び薄膜ＬＥＤ３０Ｂに対しＺ方向から見た際に一部分が重複するようにオフセットする場合について述べた。本発明はこれに限らず、薄膜ＬＥＤ３０Ｒが薄膜ＬＥＤ３０Ｇ及び薄膜ＬＥＤ３０Ｂに対しＺ方向から見た際に一部分が重複せずにオフセットしても良い。その場合、Ｚ方向から見た際に薄膜ＬＥＤ３０Ｒが薄膜ＬＥＤ３０Ｇ及び薄膜ＬＥＤ３０Ｂと重なる領域の大きさは０となる。このように、Ｚ方向から見た際に薄膜ＬＥＤ３０同士の重なる領域が小さいことは、重なる領域が０（すなわち光吸収領域ＡＲａ（図１４（Ａ））の大きさが０）であることも含むこととなる。第２の実施の形態においても同様に、薄膜ＬＥＤ３０Ｒが薄膜ＬＥＤ３０Ｂ及び薄膜ＬＥＤ３０Ｇに対しＺ方向から見た際に一部分が重複せずにオフセットしても良い。第３の実施の形態においては、薄膜ＬＥＤ３０Ｂが薄膜ＬＥＤ３０Ｒ及び薄膜ＬＥＤ３０Ｇに対しＺ方向から見た際に一部分が重複せずにオフセットしても良い。
【0366】
また上述した第２の実施の形態においては、－Ｚ方向側から＋Ｚ方向側へ向かって薄膜ＬＥＤ３０Ｂ、３０Ｇ及び３０Ｒが順次積層する場合について述べた。本発明はこれに限らず、薄膜ＬＥＤ３０Ｂと薄膜ＬＥＤ３０Ｇとの位置を入れ替え、－Ｚ方向側から＋Ｚ方向側へ向かって薄膜ＬＥＤ３０Ｇ、３０Ｂ及び３０Ｒが順次積層するようにしても良い。
【0367】
さらに上述した第３の実施の形態においては、－Ｚ方向側から＋Ｚ方向側へ向かって薄膜ＬＥＤ３０Ｂ、３０Ｒ及び３０Ｇが順次積層する場合について述べた。本発明はこれに限らず、薄膜ＬＥＤ３０Ｂと薄膜ＬＥＤ３０Ｇとの位置を入れ替え、－Ｚ方向側から＋Ｚ方向側へ向かって薄膜ＬＥＤ３０Ｇ、３０Ｒ及び３０Ｂが順次積層するようにしても良い。
【0368】
さらに上述した第３の実施の形態においては、薄膜ＬＥＤ３０Ｒを薄膜ＬＥＤ３０Ｂに対しオフセットさせるものの薄膜ＬＥＤ３０Ｇに対しオフセットさせない場合について述べた。本発明はこれに限らず、薄膜ＬＥＤ３０Ｒを薄膜ＬＥＤ３０Ｇ及び薄膜ＬＥＤ３０Ｂに対しオフセットさせても良い。
【0369】
さらに上述した第３の実施の形態において、第２の薄膜層２２０Ｒにおける薄膜ＬＥＤ３０Ｒよりも－Ｚ方向側において、赤色光ＬＲを反射する部材を設けても良い。
【0370】
さらに上述した第１の実施の形態においては、薄膜ＬＥＤ３０Ｇ、３０Ｂ及び３０Ｒの大きさを平面視で互いに同じ大きさに形成する場合について述べた。本発明はこれに限らず、薄膜ＬＥＤ３０を互いに異なる大きさとしても良い。要はＺ方向から見た際に少なくとも一部分が重なっていれば良い。第２及び第３の実施の形態においても同様である。
【0371】
さらに上述した第１の実施の形態においては、薄膜ＬＥＤ３０Ｒは薄膜ＬＥＤ３０Ｇ及び３０Ｂに対し中心が－Ｘ－Ｙ方向側にずれている場合について述べた。本発明はこれに限らず、薄膜ＬＥＤ３０Ｒを薄膜ＬＥＤ３０Ｇ及び３０Ｂに対しピクセル内の任意の方向に避けるように位置ずれさせても良い。しかしながら、第１の形態のように薄膜ＬＥＤ３０Ｒをカソードピラー４０ｃＢ及び４０ｃＧと重なる方向にずらし、カソード電極３４Ｒを薄膜ＬＥＤ３０Ｒの下面に直接接続することにより、薄膜ＬＥＤ３０Ｒを、アノードとカソードとの配置が薄膜ＬＥＤ３０Ｒの上面と下面とに配置される垂直型ＬＥＤ（縦型ＬＥＤ）とすることができる。垂直型ＬＥＤである薄膜ＬＥＤ３０Ｒは、アノード及びカソードが薄膜ＬＥＤ３０の一方の面に配置される水平型ＬＥＤ（横型ＬＥＤ）である薄膜ＬＥＤ３０Ｇ及び３０Ｂのように、引出配線３６ｃＧ及び３６ｃＢのような引出配線を設けるための面積が必要ない。さらに薄膜ＬＥＤ３０Ｒは、薄膜ＬＥＤ３０Ｇ及び３０Ｂのようにカソード電極３４Ｇ及び３４Ｂを設けるための非発光領域が必要なく、面積当たりの発光効率を向上させることができる。このため、薄膜ＬＥＤ３０Ｒの面積当たりの発光効率が向上した分だけ薄膜ＬＥＤ３０Ｒのサイズを小さくすることにより、薄膜ＬＥＤ３０Ｇ及び３０Ｂからの光を効率良く取り出すようにしても良い。第２の実施の形態による第３の薄膜層１２０Ｒにおける薄膜ＬＥＤ３０Ｒと、第３の実施の形態による第１の薄膜層２２０Ｂにおける薄膜ＬＥＤ３０Ｂとにおいても同様である。
【0372】
さらに上述した第１の実施の形態においては、カソード共通配線を回路基板１０の内部に配線する場合について述べた。本発明はこれに限らず、カソード共通配線を第３の薄膜層２０Ｒの上面又は基板表面１０Ｓに配線しても良い。第２の実施の形態においても同様である。また第３の実施の形態によるアノード共通配線においても同様である。
【0373】
さらに上述した第１の実施の形態においては、それぞれの薄膜層２０のフィルムサイズをＬＥＤディスプレイ表示部２のディスプレイサイズと同等する場合について述べた。本発明はこれに限らず、各薄膜層２０が含む画素自体はディスプレイ全体としては同数同ピッチを保ちつつ、例えば、第３の薄膜層２０Ｒのフィルムをディスプレイサイズの半分ずつとなるように例えば２分割等に分割しても良い。例えば２分割した場合、第３の薄膜層２０Ｒが含む画素の数は、第３の薄膜層２０Ｒがディスプレイ全体のサイズであった場合の半分になる。その場合、各薄膜層２０が含む画素の数は、ディスプレイ全体の画素数から１画素までの、任意の画素数であっても原理的には製造可能である。またその場合、第３の薄膜層２０Ｒのフィルムサイズが小さくなるため、該薄膜層２０のフィルムを他の薄膜層２０のフィルムに重ねて接合させる際に、位置合わせがしやすくなる。第２及び第３の実施の形態においても同様である。
【0374】
さらに上述した第１の実施の形態においては、２個のＭＯＳトランジスタと１個のコンデンサとによりアクティブ素子１４を構成する場合について述べた。本発明はこれに限らず、アクティブ素子１４は、基本構造である２個のＭＯＳトランジスタ及び１個のコンデンサに対し、階調制御を行う回路、補償回路や冗長回路等、他の種々の機能を有する回路が加えられても良い。第２及び第３の実施の形態においても同様である。
【0375】
さらに上述した第１の実施の形態においては、駆動ドライバ６を回路基板１０の表面に実装する場合について述べた。本発明はこれに限らず、駆動ドライバ６を接続ケーブル４の表面に実装しても良く、又は、駆動ドライバ６を回路基板１０の内部に半導体プロセスによりＣＭＯＳ回路で形成しても良い。第２及び第３の実施の形態においても同様である。
【0376】
さらに上述した第１の実施の形態においては、回路基板１０をＣＭＯＳ回路基板により構成する場合について述べた。本発明はこれに限らず、回路基板１０を薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）回路基板により構成しても良い。第２及び第３の実施の形態においても同様である。
【0377】
さらに上述した第１の実施の形態においては、ＬＥＤディスプレイ表示部２に第１の薄膜層２０Ｇ、第２の薄膜層２０Ｂ及び第３の薄膜層２０Ｒの３層の薄膜層２０を設ける場合について述べた。本発明はこれに限らず、第４の薄膜層や第５の薄膜層を第３の薄膜層２０Ｒに接合し、光出力や色域を拡張しても良い。又は、第１の薄膜層２０Ｇ、第２の薄膜層２０Ｂ及び第３の薄膜層２０Ｒの３層の薄膜層２０のうち、何れか２層のみを組み合わせ、２色のディスプレイとしても良い。すなわち、ＬＥＤディスプレイ表示部２は、３層の薄膜層２０以外の、２層又は４層以上の任意の層数の薄膜層２０を設けても良い。第２及び第３の実施の形態においても同様である。
【0378】
さらに上述した第１の実施の形態においては、直視型であるＬＥＤディスプレイ装置１に本発明を適用する場合について述べた。本発明はこれに限らず、プロジェクタや光源として使用されるディスプレイに本発明を適用しても良い。第２及び第３の実施の形態においても同様である。
【0379】
さらに本発明は、上述した各実施の形態及び他の実施の形態に限定されるものではない。すなわち本発明は、上述した各実施の形態と上述した他の実施の形態の一部又は全部を任意に組み合わせた実施の形態にも本発明の適用範囲が及ぶものである。また本発明は、上述した各実施の形態及び他の実施の形態のうち任意の実施の形態に記載された構成の一部を抽出し、上述した各実施の形態及び他の実施の形態のうちの任意の実施の形態の構成の一部と置換・転用した実施の形態や、抽出された構成の一部を任意の実施の形態に追加した実施の形態にも本発明の適用範囲が及ぶものである。
【0380】
さらに上述した第１の実施の形態においては、基板としての回路基板１０と、第１の層としての第１の薄膜層２０Ｇと、第２の層としての第２の薄膜層２０Ｂと、第３の層としての第３の薄膜層２０Ｒとによって、発光装置としてのＬＥＤディスプレイ装置１を構成する場合について述べた。本発明はこれに限らず、その他種々の構成でなる基板と、第１の層と、第２の層と、第３の層とによって、発光装置を構成しても良い。
【0381】
さらに上述した第２の実施の形態においては、基板としての回路基板１１０と、第１の層としての第１の薄膜層１２０Ｂと、第２の層としての第２の薄膜層１２０Ｇと、第３の層としての第３の薄膜層１２０Ｒとによって、発光装置としてのＬＥＤディスプレイ装置１０１を構成する場合について述べた。本発明はこれに限らず、その他種々の構成でなる基板と、第１の層と、第２の層と、第３の層とによって、発光装置を構成しても良い。
【0382】
さらに上述した第３の実施の形態においては、基板としての回路基板２１０と、第１の層としての第１の薄膜層２２０Ｂと、第２の層としての第３の薄膜層２２０Ｇと、第３の層としての第２の薄膜層２２０Ｒとによって、発光装置としてのＬＥＤディスプレイ装置２０１を構成する場合について述べた。本発明はこれに限らず、その他種々の構成でなる基板と、第１の層と、第２の層と、第３の層とによって、発光装置を構成しても良い。
【産業上の利用可能性】
【0383】
本発明は、例えば複数のＬＥＤを配置してなるＬＥＤディスプレイで利用できる。
【符号の説明】
【0384】
１、１０１、２０１……ＬＥＤディスプレイ装置、２、１０２、２０２……ＬＥＤディスプレイ表示部、３……放熱部材、４……接続ケーブル、５……接続端子部、６……駆動ドライバ、８、１０８、２０８……画素部、１０、１１０、２１０……回路基板、１０Ｍ……基材部、１０Ｓ……基板表面、１１……絶縁層、１１Ｓ……絶縁層表面、１２Ｂ、１２Ｃ、１２Ｇ、１２Ｒ、１１２Ｂ、１１２Ｃ、１１２Ｇ、１１２Ｒ、２１２Ａ、２１２Ｂ、２１２Ｇ、２１２Ｒ……接続パッド、１２ＢＳ、１２ＣＳ、１２ＧＳ、１２ＲＳ、１１２ＢＳ、１１２ＣＳ、１１２ＧＳ、１１２ＲＳ、２１２ＡＳ、２１２ＢＳ、２１２ＧＳ、２１２ＲＳ……接続パッド表面、１２Ｔ、１１２Ｔ、２１２Ｔ……接続パッド組、１４Ｂ、１４Ｇ、１４Ｒ、１１４Ｂ、１１４Ｇ、１１４Ｒ、２１４Ｂ、２１４Ｇ、２１４Ｒ……アクティブ素子、１６……配線層、１８、１１８、２１８……薄膜層群、２０Ｇ、１２０Ｂ、２２０Ｂ……第１の薄膜層、２０Ｂ、１２０Ｇ、２２０Ｒ……第２の薄膜層、２０Ｒ、１２０Ｒ、２２０Ｇ……第３の薄膜層、２０ＧＳ１、１２０ＢＳ１、２２０ＢＳ１……第１の薄膜層上面、２０ＧＳ２、１２０ＢＳ２、２２０ＢＳ２……第１の薄膜層下面、２０ＢＳ１、１２０ＧＳ１、２２０ＲＳ１……第２の薄膜層上面、２０ＢＳ２、１２０ＧＳ２、２２０ＲＳ２……第２の薄膜層下面、２０ＲＳ２、１２０ＲＳ２、２２０ＧＳ２……第３の薄膜層下面、２２Ｂ、２２Ｃ、２２Ｇ、２２Ｒ、１２２Ｂ、１２２Ｃ、１２２Ｇ、１２２Ｒ、２２２Ａ、２２２Ｂ、２２２Ｇ、２２２Ｒ……垂直方向配線、２４、１２４、２２４……発光部、２６Ｂ、２６Ｇ、２６Ｒ、１２６Ｂ、１２６Ｇ、１２６Ｒ、２２６Ｂ、２２６Ｇ、２２６Ｒ……下地透明絶縁材料、２６ＢＳ１、２６ＧＳ１、２６ＲＳ１、１２６ＢＳ１、１２６ＧＳ１、１２６ＲＳ１、２２６ＢＳ１、２２６ＧＳ１、２２６ＲＳ１……下地透明絶縁材料上面、２６ＢＳ２、２６ＧＳ２、２６ＲＳ２、１２６ＢＳ２、１２６ＧＳ２、１２６ＲＳ２、２２６ＢＳ２、２２６ＧＳ２、２２６ＲＳ２……下地透明絶縁材料下面、２８Ｂ、２８Ｇ、２８Ｒ、１２８Ｂ、１２８Ｇ、１２８Ｒ、２２８Ｂ、２２８Ｇ、２２８Ｒ……透明絶縁材料、２８ＢＳ、２８ＧＳ、１２８ＢＳ、１２８ＧＳ、２２８ＢＳ、２２８ＲＳ……透明絶縁材料表面、３０Ｂ、３０Ｇ、３０Ｒ……薄膜ＬＥＤ、３２Ｂ、３２Ｇ、３２Ｒ、１３２Ｒ……アノード電極、３４Ｂ、３４Ｇ、３４Ｒ、１３４Ｂ、１３４Ｇ、１３４Ｒ、２３４Ｂ、２３４Ｇ、２３４Ｒ……カソード電極、３４ＲＳ、１３４ＲＳ、２３４ＢＳ……カソード電極表面、３６ａＢ、３６ａＧ、３６ａＲ、３６ｃＢ、３６ｃＧ、１３６ａＢ、１３６ａＧ、１３６ａＲ、１３６ｃＢ、１３６ｃＧ、２３６ａＢ、２３６ａＧ、２３６ａＲ、２３６ａｃＲ、２３６ｃＢ、２３６ｃＧ、２３６ｃＲ……引出配線、３８ａＢ、３８ａＧ、３８ａＲ、３８ｃＢ、３８ｃＧ、１３８ａＢ、１３８ａＧ、１３８ａＲ、１３８ｃＢ、１３８ｃＧ、２３８ａＢ、２３８ａＧ、２３８ａＲ、２３８ｃＧ、２３８ｃＲ……層間絶縁膜、４０ｃＢ、４０ｃＧ、１４０ｃＢ、１４０ｃＧ、２４０ｃＧ１、２４０ｃＧ２、２４０ｃＲ……カソードピラー、４０ｃＢＳ１、４０ｃＧＳ１、１４０ｃＢＳ１、１４０ｃＧＳ１、２４０ｃＧ１Ｓ１、２４０ｃＧ２Ｓ１、２４０ｃＲＳ１……カソードピラー上面、４０ｃＢＳ２、４０ｃＧＳ２、１４０ｃＢＳ２、１４０ｃＧＳ２、２４０ｃＧ１Ｓ２、２４０ｃＧ２Ｓ２、２４０ｃＲＳ２……カソードピラー下面、２４１Ｇ、２４１Ｒ……カソードパッド、２４１ＧＳ、２４１ＲＳ……カソードパッド表面、４２ａＢ、４２ａＲ１、４２ａＲ２、１４２ａＧ、１４２ａＲ１、１４２ａＲ２、２４２ａＢ、２４２ａＲ……アノードピラー、４２ａＢＳ１、４２ａＲ１Ｓ１、４２ａＲ２Ｓ１、１４２ａＧＳ１、１４２ａＲ１Ｓ１、１４２ａＲ２Ｓ１、２４２ａＢＳ１、２４２ａＲＳ１……アノードピラー上面、４２ａＢＳ２、４２ａＲ１Ｓ２、４２ａＲ２Ｓ２、１４２ａＧＳ２、１４２ａＲ１Ｓ２、１４２ａＲ２Ｓ２、２４２ａＢＳ２、２４２ａＲＳ２……アノードピラー下面、４４Ｒ、４４Ｇ、１４４Ｂ、１４４Ｇ、１４４Ｒ、２４４Ｇ……アノードパッド、４４ＢＳ、４４ＧＳ、４４ＲＳ、１４４ＢＳ、１４４ＧＳ、１４４ＲＳ、２４４ＧＳ……アノードパッド表面、４６ａＰＤＢ、４６ａＰＤＧ、４６ａＰＤＲ、４６ａＰＬ１Ｇ、４６ａＰＬ２Ｇ、４６ａＰＬＢ、４６ｃＢ、４６ｃＧ、１４６ａＰＤＢ、１４６ａＰＤＧ、１４６ａＰＤＲ、１４６ａＰＬ１Ｂ、１４６ａＰＬ２Ｂ、１４６ａＰＬＧ、１４６ｃＢ、１４６ｃＧ、２４６ａＢ、２４６ａＧ、２４６ａＲ、２４６ｃＰＤＧ１、２４６ｃＰＤＧ２、２４６ｃＰＤＧ、２４６ｃＰＤＲ、２４６ｃＰＬ１Ｂ……コンタクト金属、４８Ｂ、４８Ｇ、４８Ｒ、４８ａＢ、４８ａＲ１、４８ａＲ２、４８ｃＢ、４８ｃＧ、４８ｃＲ、１４８Ｂ、１４８Ｇ、１４８Ｒ、１４８ａＧ、１４８ａＲ１、１４８ａＲ２、１４８ｃＢ、１４８ｃＧ、１４８ｃＲ、２４８Ｒ、２４８ａＢ、２４８ａＧ、２４８ａＲ、２４８ｃＢ、２４８ｃＧ１、２４８ｃＲ、２４８ｃＲ２……下地透明絶縁材料開口、５０ａＢ、５０ａＲ１、５０ａＲ２、５０ｃＢ、５０ｃＧ、１５０ａＧ、１５０ａＲ１、１５０ａＲ２、１５０ｃＢ、１５０ｃＧ、２５０ａＢ、２５０ａＧ１、２５０ａＲ、２５０ｃＲ、２５０ｃＲ２……透明絶縁材料開口、５２ａＢ、５２ａＲ１、５２ｃＧ、１５２ａＧ、１５２ａＲ１、１５２ｃＢ、２５２ａＢ、２５２ａＲ１……第１の薄膜層開口、５２ａＲ２、５２ｃＢ、１５２ａＲ２、１５２ｃＧ、２５２ａＲ、２５２ｃＲ２……第２の薄膜層開口、６０……製造装置、６２Ｂ、６２Ｇ、６２Ｒ、１６２Ｂ、１６２Ｇ、１６２Ｒ、２６２Ｂ、２６２Ｇ、２６２Ｒ……ＬＥＤ成長基板、６４Ｒ、７０Ｂ、７０Ｇ、７０Ｒ、１６４Ｒ、１７０Ｂ、１７０Ｇ、１７０Ｒ、２６４Ｒ、２７０Ｂ、２７０Ｇ、２７０Ｒ……犠牲層、６６Ｂ、６６Ｇ、６６Ｒ、１６６Ｂ、１６６Ｇ、１６６Ｒ、２６６Ｂ、２６６Ｇ、２６６Ｒ……薄膜ＬＥＤ層、６８Ｂ、６８Ｇ、６８Ｒ、１６８Ｂ、１６８Ｇ、１６８Ｒ、２６８Ｂ、２６８Ｇ、２６８Ｒ……形成基板、ＡＲａ……光吸収領域、ＡＲｔ……光透過領域、Ｄａ……ＡＡ断面方向、Ｄｂ……ＢＢ断面方向、Ｄｅ……発光方向、ＬＢ……青色光、ＬＧ……緑色光、ＬＲ……赤色光、Ｒｃ、Ｒｒａ、Ｒｇａ、Ｒｂａ、Ｒａ、Ｒｒｃ、Ｒｇｃ、Ｒｂｃ……導電経路。
【図1】
【図2】
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【図32】
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【図40】
【図41】