特開 2023-119421 配線基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023119421

(43)【公開日】2023-08-28

(54)【発明の名称】配線基板

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/34 20060101AFI20230821BHJP

【ＦＩ】

H05K3/34 501E

H05K3/34 501F

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022022322

(22)【出願日】2022-02-16

(71)【出願人】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001896

【氏名又は名称】弁理士法人朝日奈特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】古谷 俊樹

【テーマコード（参考）】

5E319

【Ｆターム（参考）】

5E319AA03

5E319AB05

5E319AC11

5E319CD02

5E319GG03

5E319GG20

(57)【要約】

【課題】配線基板における接続信頼性の向上。
【解決手段】実施形態の配線基板１００は、第１絶縁層３１と第１導体層１と第２絶縁層３２と第２導体層２と第３導体層３と、第１導体層１と第３導体層３とを接続する第１ビア導体６１と、第１導体層１と第２導体層２とを接続する第２ビア導体６２とを含み、第２絶縁層３２は、第１導体層１の第１絶縁層３１と反対側の表面と第１導体層１の側面とを覆っており、第１導体層の表面は研磨面であり、第１導体層１は、側面および第１絶縁層３１側の表面である下面を構成する金属膜からなる第１層１ａと、第１層１ａよりも内側に形成されている電解めっき膜からなる第２層１ｂとを含んでおり、第２ビア導体６２は、平面視において、第１ビア導体６１と重なっている。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の上に形成されている第１導体層と、
前記第１絶縁層および前記第１導体層を覆う第２絶縁層と、
前記第２絶縁層の上に形成されている第２導体層と、
前記第１絶縁層に覆われている第３導体層と、
を含む配線基板であって、
前記配線基板は、さらに、
前記第１絶縁層を貫く第１貫通孔の内部に形成されていて前記第１導体層と前記第３導体層とを接続する第１ビア導体と、
前記第２絶縁層を貫く第２貫通孔の内部に形成されていて前記第１導体層と前記第２導体層とを接続する第２ビア導体と、を含み、
前記第２絶縁層は、前記第１導体層における前記第１絶縁層と反対側の表面、および前記第１導体層の側面を覆っており、
前記第１導体層における前記第１絶縁層と反対側の表面は研磨面であり、
前記第１導体層は、側面および前記第１絶縁層側の表面である下面を構成する金属膜からなる第１層と、前記第１層よりも内側に形成されている電解めっき膜からなる第２層とを含んでおり、
前記第２ビア導体は、平面視において、前記第１ビア導体と重なっている。

【請求項2】

請求項１記載の配線基板であって、前記第１層および前記第２層は、前記第１絶縁層の表面から前記第１貫通孔の内部まで連続的に形成されていて前記第１ビア導体を構成している。

【請求項3】

請求項１記載の配線基板であって、前記第１絶縁層は感光性樹脂を含んでいる。

【請求項4】

請求項３記載の配線基板であって、前記第２絶縁層は感光性樹脂を含んでいる。

【請求項5】

請求項１記載の配線基板であって、
前記第２導体層と前記第２導体層に覆われていない前記第２絶縁層の表面とにより構成される表面が部品実装面である。

【請求項6】

請求項１記載の配線基板であって、
前記第１導体層は、前記第１ビア導体に接続されている第１ビアランドを含んでおり、
前記第２導体層は、前記第２ビア導体に接続されている第２ビアランドを含んでいる。

【請求項7】

請求項１記載の配線基板であって、
前記第２導体層は、前記第２絶縁層側の表面である下面を構成する下層と前記下層の上に形成されている上層とで構成され、
前記第２導体層の側面は前記下層に覆われており、
前記第２導体層における前記第２絶縁層と反対側の表面は研磨面である。

【請求項8】

請求項７記載の配線基板であって、前記下層および前記上層は、前記第２絶縁層の表面から前記第２貫通孔の内部まで連続的に形成されていて前記第２ビア導体を構成している。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、配線基板に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、導体回路間がスタックビア構造をもつバイアホールを介して接続されている多層プリント配線板が開示されている。スタックビア構造を有するバイアホールのうちの少なくとも一つのバイアホールのランドがスタックビア構造のバイアホールの周囲に形成された導体回路非形成領域に拡大して形成されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００２－２８０７３９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１に開示の多層プリント配線板では、バイアホールやランドと層間樹脂絶縁層とのあいだの剥離が発生する虞があると考えられる。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明の配線基板は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上に形成されている第１導体層と、前記第１絶縁層および前記第１導体層を覆う第２絶縁層と、前記第２絶縁層の上に形成されている第２導体層と、前記第１絶縁層に覆われている第３導体層と、を含んでいる。そして、配線基板は、さらに、前記第１絶縁層を貫く第１貫通孔の内部に形成されていて前記第１導体層と前記第３導体層とを接続する第１ビア導体と、前記第２絶縁層を貫く第２貫通孔の内部に形成されていて前記第１導体層と前記第２導体層とを接続する第２ビア導体と、を含み、前記第２絶縁層は、前記第１導体層における前記第１絶縁層と反対側の表面、および前記第１導体層の側面を覆っており、前記第１導体層における前記第１絶縁層と反対側の表面は研磨面であり、前記第１導体層は、側面および前記第１絶縁層側の表面である下面を構成する金属膜からなる第１層と、前記第１層よりも内側に形成されている電解めっき膜からなる第２層とを含んでおり、前記第２ビア導体は、平面視において、前記第１ビア導体と重なっている。

【0006】

本発明の実施形態によれば、ビア導体に加わる応力が分散され得る接続信頼性の高い配線板が提供され得る。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。

【図2】図１のII部の拡大図。

【図3A】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図3B】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図3C】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図3D】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図3E】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図3F】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図3G】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図3H】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図3I】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図3J】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図3K】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図3L】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図3M】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図3N】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【発明を実施するための形態】

【0008】

本発明の一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。なお、以下、参照される図面においては、各構成要素の正確な比率を示すことは意図されておらず、本発明の特徴が理解され易いように描かれている。図１は一実施形態の配線基板の一例である配線基板１００を示す断面図である。図２には図１のII部の拡大図が示されている。なお、配線基板１００は本実施形態の配線基板の一例に過ぎない。実施形態の配線基板の積層構造、ならびに、導体層および絶縁層それぞれの数は、図１の配線基板１００の積層構造、ならびに配線基板１００に含まれる導体層および絶縁層それぞれの数に限定されない。

【0009】

図１に示されるように、配線基板１００は、絶縁層３１（第１絶縁層）と、絶縁層３１の上に形成されている導体層１（第１導体層）と、導体層１に覆われていない絶縁層３１の表面および導体層１を覆う絶縁層３２（第２絶縁層）と、絶縁層３２の上に形成されている導体層２（第２導体層）と、を含んでいる。図１の配線基板１００は、さらに、コア基板４と、コア基板４の一方の表面に積層されている絶縁層３３（第３絶縁層）と、絶縁層３３上に形成されている導体層３（第３導体層）と、を含んでいる。絶縁層３１は、絶縁層３３および導体層３の上に積層されている。絶縁層３３における導体層３に覆われていない表面、および導体層３は絶縁層３１に覆われている。

【0010】

コア基板４は、絶縁層３４と、絶縁層３４の一方の表面３４ｓに形成されている導体層４１とを含んでいる。コア基板４は、さらに、絶縁層３４を貫通するスルーホール導体４２を含むと共に、絶縁層３４の他方の表面（図示せず）にも導体層４１と同様の導体層（図示せず）を含んでいる。導体層４１はスルーホール導体４２によって絶縁層３４の図示されない他方の表面の導体層と接続されている。スルーホール導体４２の内部は、エポキシ樹脂などを含む樹脂体４３で充填されている。導体層４１は、絶縁層３４上の金属箔からなる下層と、スルーホール導体４２と一体の中層と、樹脂体４３を覆う上層とを含む多層構造を有している。図示されていないが、配線基板１００は、絶縁層３４の一方の表面３４ｓと反対側の表面上に積層または形成された、任意の導体パターンを含む任意の数の導体層および任意の数の絶縁層を含み得る。

【0011】

実施形態の説明では、配線基板１００の厚さ方向において絶縁層３４から遠い側は、「外側」、「上側」もしくは「上方」、または単に「上」とも称され、絶縁層３４に近い側は、「内側」、「下側」もしくは「下方」、または単に「下」とも称される。さらに、各導体層および各絶縁層において、絶縁層３４と反対側を向く表面は「上面」とも称され、絶縁層３４側を向く表面は「下面」とも称される。

【0012】

絶縁層３１～３４は、任意の絶縁性樹脂を含んでいる。絶縁性樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、またはフェノール樹脂のような熱硬化性樹脂、ならびに、フッ素樹脂、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、フッ化エチレン（ＰＴＦＥ）樹脂、ポリエステル（ＰＥ）樹脂、および変性ポリイミド（ＭＰＩ）樹脂のような熱可塑性樹脂が例示される。各絶縁層は、それぞれが同じ絶縁性樹脂を含んでいてもよく、互いに異なる絶縁性樹脂を含んでいてもよい。また、各絶縁層は、ガラス繊維やアラミド繊維からなる芯材（補強材）を含んでいてもよい。図１の例では絶縁層３４は芯材３４ｂを含んでいる。各絶縁層はさらに、シリカ（ＳｉＯ₂）、アルミナ、またはムライトなどの微粒子からなる無機フィラー（図示せず）を含み得る。このような無機フィラーを含む絶縁層は、例えば各導体層の熱膨張率と近い熱膨張率を有し得るので好ましいことがある。

【0013】

各絶縁層３１、３２および３３には、各絶縁層を貫通し、各絶縁層を介して隣接する導体層同士を接続する接続導体（ビア導体）が形成されている。絶縁層３１には、導体層３と導体層１とを接続するビア導体６１（第１ビア導体）が形成されている。ビア導体６１は、絶縁層３１を貫く貫通孔３１ａ（第１貫通孔）の内部に形成されている。絶縁層３２には、導体層１と導体層２とを接続するビア導体６２（第２ビア導体）が形成されている。ビア導体６２は、絶縁層３２を貫く貫通孔３２ａ（第２貫通孔）の内部に形成されている。絶縁層３３には、第４導体層４１と導体層３とを接続するビア導体６３が形成されている。ビア導体６３は、絶縁層３３を貫く貫通孔３３ａの内部に形成されている。

【0014】

導体層１～３、４１は、それぞれ、任意の導体パターンを含んでいる。例えば、図１の例では、導体層１は導体パターン１１を含んでいる。導体パターン１１は、ビア導体６１と一体的に形成されているビアランド１１３（第１ビアランド）を含んでいる。すなわち、導体層１はビア導体６１に接続されているビアランド１１３を含んでいる。また、導体パターン１１は、例えば、その配線幅および配線間距離が比較的小さい配線パターンに形成されている配線パターン１１２を含んでいてもよい。また、図１の例において導体層３は、導体パターン１３を含んでいる。導体パターン１３は、ビア導体６３と一体的に形成されているビアランド３１３と、配線パターン３１２を含んでいる。導体層２は、ビア導体６２と一体的に形成されているビアランド２１３（第２ビアランド）を所定のパターンで含む導体パターン１２を含んでいる。すなわち、導体層２はビア導体６２に接続されているビアランド２１３を含んでいる。図に示される例では、絶縁層３２および導体層２で構成される表面が、配線基板１００の２つの表面（配線基板１００の厚さ方向と直交する表面）のうちの一方（第１面１００ｓ）を構成している。配線基板１００の使用時において、第１面１００ｓには、配線基板１００に実装される部品（図示せず）が載置され得る。すなわち、配線基板１００の第１面１００ｓは部品実装面であってよい。したがって、ビアランド２１３は、外部の部品が配線基板１００に搭載される際の接続部として使用される部品実装用のビアパッドであってもよい。

【0015】

導体層１、２、３、４１、および、ビア導体６１、６２、６３は、銅またはニッケルなどの任意の金属を用いて形成されている。図１の例において、導体層１～３は２層構造を有している。導体層１は、絶縁層３１における絶縁層３２側の表面３１ｓ上に形成されている第１層１ａと、第１層１ａの上に形成されている第２層１ｂと、を含んでいる。導体層２は、絶縁層３２の表面３２ｓ上に形成されている下層２ａと、下層２ａの上に形成されている上層２ｂと、を含んでいる。導体層３は、絶縁層３３の表面３３ｓ上に形成されている下層３ａと、下層３ａの上に形成されている上層３ｂと、を含んでいる。

【0016】

図２を参照して、各導体層１～３およびビア導体６１～６３がさらに詳述される。図２に示されるように、絶縁層３２は、導体層１における絶縁層３１と反対側の上面１１ｓを覆っている。この絶縁層３２は、さらに、導体層１の側面を覆っている。すなわち、この絶縁層３２は、導体層１に含まれるビアランド１１３の側面を覆っている。また、絶縁層３２は、配線パターン１１２などの導体パターン１１の側面を覆っている。導体パターン１１は、導体層１が含む第１層１ａおよび第２層１ｂを含んでいる。第１層１ａは金属膜からなり、導体層１の側面および絶縁層３１側の表面である下面を構成している。第２層１ｂは、導体層１において第１層１ａよりも内側、すなわち、第１層１ａよりも各導体パターン１１の内側に形成されている電解めっき膜からなる。各ビアランド１１３において、第１層１ａによって、第２層１ｂの側面および絶縁層３１側の表面が覆われている。

【0017】

本実施形態では、各導体パターン１１においても、第１層１ａは、その側面および絶縁層３１側の表面である下面を構成している。第２層１ｂは、第１層１ａよりも各導体パターン１１の内側に形成されている。第１層１ａによって、各導体パターン１１における第２層１ｂの側面および絶縁層３１側の表面が覆われている。換言すると、導体層１の第１層１ａは、導体層１における上面１１ｓを除く表面全体を構成している。

【0018】

例えば第１層１ａを構成する金属膜は、スパッタリング膜や無電解めっき膜などである。電解めっき膜からなる第２層１ｂは、例えば、第１層１ａを給電層として用いる電解めっきを含むパターンめっきによって形成される。

【0019】

図２に示されるように、ビア導体６１は、導体層１と一体的に形成されている。すなわち、導体層１を構成する第１層１ａおよび第２層１ｂは、絶縁層３１の表面３１ｓから、絶縁層３１に設けられている貫通孔３１ａの内部まで連続的に形成されていてビア導体６１を構成している。第１層１ａは、導体パターン１１の側面だけでなく、ビア導体６１の側面も導体パターン１１の側面と一体的に構成している。そのためビア導体６１の側面に加わる応力が、ビアランド１１３のような導体パターン１１の側面にも分散されると考えられる。結果として、ビア導体６１と絶縁層３１との剥離などが抑制されることがある。

【0020】

上述したように、導体パターン１１の第２層１ｂは、第１層１ａを給電層として用いる電解めっきを含むパターンめっきによって形成される。そのパターンめっきの際に、導体パターン１１が形成されない領域では、導体パターン１１の側面を覆う第１層１ａはパターンめっきに用いられるめっきレジスト（図示せず）上に形成される。すなわち、導体パターン１１が形成されない領域では第１層１ａは絶縁層３１の表面３１ｓ上には形成されない。そのため、表面３１ｓのうち導体パターン１１に覆われずに露出している部分は、その上に第１層１ａが形成されるという経緯を経ておらず、その上から第１層１ａのような導電体が除去された面ではない。したがって、導電体の残渣などの懸念がない。したがって、導体パターン１１には、例えば実施形態の配線パターン１１２のように微細なピッチで配線が配置され得る。例えば、配線パターン１１２において、配線幅は、その最小値が５．０μｍ以下である。このような配線幅および配線間距離で配線パターン１１２が形成されても、配線間での短絡などの不良が引き起こされる虞がないと考えられる。加えて、高いアスペクト比を有する配線パターン１１２が形成され得る。したがって、導体層１には、低抵抗の配線パターン１１２が高密度で形成され得る。

【0021】

本実施形態では、導体層１の上面１１ｓは研磨面である。上面１１ｓは、例えば、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）やサンドブラストによって研磨された研磨面である。すなわち、導体層１の上面１１ｓは、後述されるように、配線基板１００の製造工程において研磨仕上げされた面である。したがって、導体パターン１１の電解めっきによる形成後に表面に凹凸が生じていても、凸部が削られることによって上面１１ｓは平らに均されている。導体層１の上面１１ｓが凹凸の少ない研磨面であると、例えば配線パターン１１２において、良好な高周波伝送特性が得られることがある。

【0022】

導体層１の上面１１ｓおよび導体パターン１１の側面を覆っている絶縁層３２には、導体層２と一体的に形成されているビア導体６２が形成されている。導体層２は、前述したように下層２ａと上層２ｂとを含んでいる。ビア導体６２は、絶縁層３２の表面３２ｓから、絶縁層３２に設けられている貫通孔３２ａの内部まで連続的に形成されている下層２ａと上層２ｂとで構成されている。本実施形態では、導体層２の下層２ａは、導体層１の第１層１ａと同様に、金属膜からなり、導体層２の側面および絶縁層３２側の表面である下面を構成している。上層２ｂは、下層２ａよりも各導体パターン１２の内側に形成されている電解めっき膜からなる。下層２ａによって、上層２ｂの側面および絶縁層３２側の表面が覆われている。

【0023】

図２の例では、ビア導体６２とビア導体６１とは平面視で重なっている。そのため、外部の部品（図示せず）が接続パッド（ビアランド２１３）を介して配線基板１００の第１面１００ｓに搭載される場合に、導体層３などの導体層１よりも下側の導体層と、外部の部品とが短い経路で接続されると考えられる。また、導体パターン１２の側面とビア導体６２の側面とが一体的に構成されているため、絶縁層３２上のビアランド２１３とビア導体６２とのあいだでクラックなどが生じる不具合も起こりにくいと考えられる。しかしながら、導体層２は、後述する導体層３のように、下層２ａが導体層２の導体パターン１２の側面を覆わず、上層２ｂが導体パターン１２側面に露出しているように形成されてもよい。

【0024】

なお、ビア導体６２とビア導体６１とが「平面視で重なる」とは、導体層１の上面１１ｓと接しているビア導体６２の底部が絶縁層３１と導体層１との界面における貫通孔３１ａの開口内に収まっていることを意味している。また「平面視」は、実施形態の配線基板をその厚さ方向に沿う視線で見ることを意味している。

【0025】

導体層３は、前述したように下層３ａと上層３ｂとを含んでいる。本実施形態では、導体層３の下層３ａは、導体層１の第１層１ａと同様に、金属膜からなり、導体層３の、ビアランド３１３や配線パターン３１２などの導体パターン１３の側面および絶縁層３３側の表面である下面を構成している。上層３ｂは、下層３ａよりも各導体パターン１３の内側に形成されている電解めっき膜からなる。下層３ａによって、上層３ｂの側面および絶縁層３３側の表面が覆われている。このように実施形態の配線基板には、電解めっき時に給電層として用いられる金属膜によって側面を構成されている導体パターンを含む導体層が所望の数で形成され得る。

【0026】

本実施形態では、ビア導体６２と、ビア導体６１と、ビア導体６３とが積み重なるように形成されており、所謂スタックビア導体がスルーホール導体４２上に形成されている。スタックビア導体が形成されている配線基板においては、熱応力などによって、スタックビア導体へのストレスが生じたり、スタックビア導体の歪みが生じたりすることがある。ビア導体と絶縁層との界面における界面剥離が発生する虞がある。しかし、本実施形態では、ビア導体６１において、ビア導体６１の側面と導体パターン１１の側面とが一体的に形成されているため、応力が分散され得、その結果、界面剥離が生じ難い信頼性の高い配線基板１００が提供され得る。

【0027】

前述したように、導体層１には、微細なピッチで並ぶ配線パターン１１２が形成されている。すなわち、図１に示されるように、導体層１に含まれる配線パターン１１２同士の間隔Ｓ１（配線パターン１１２の上面１１ｓ間の距離）は、他の導体層、例えば導体層３に含まれる配線パターン３１２同士の間隔Ｓ２（配線パターン３１２の上面１３ｓ間の距離）よりも小さく形成され得る。また、配線パターン１１２の配線幅Ｌ１（配線パターン１１２の上面１１ｓにおける配線幅）は、配線パターン３１２の配線幅Ｌ２（配線パターン３１２の上面１３ｓにおける配線幅）よりも小さくてもよい。しかしながら、本実施形態では、高密度で配置すべき配線パターンは、導体層１と同様の方法で形成される任意の導体層に、任意の位置および数で配置され得る。高密度で配置された配線パターンを含む、接続信頼性の高い配線基板が得られると考えられる。

【0028】

実施形態の配線基板１００では、導体層１の導体パターン１１、導体層２の導体パターン１２、および導体層３の導体パターン１３が、それぞれの側面が下側（コア基板４側）ほど内側に向かって傾くテーパー形状を有している。したがって、そのテーパー形状によって絶縁層３２や絶縁層３１が浮き上がり難く、そのため、導体パターン１１および導体パターン１３と絶縁層３２または絶縁層３１との剥離が生じ難いと考えられる。なお、導体パターン１１、導体パターン１２、および導体パターン１３は、導体層１、導体層２、および導体層３の形成時における適しためっきレジストの選択、およびそのめっきレジストに対する適した露光条件の選択によって形成され得る。

【0029】

つぎに、実施形態の配線基板を製造する方法の一例が、図１の配線基板１００を例に用いて図３Ａ～図３Ｎを参照して説明される。

【0030】

図３Ａに示されるように、絶縁層３４とその両面の導体層４１とを含むコア基板４が用意され、その両面に絶縁層３３が形成される。例えば両面銅張積層板にスルーホール導体４２の形成用の貫通孔が形成され、その貫通孔の内壁および両面銅張積層板の表面に無電解めっきまたはスパッタリング、および電解めっきなどで金属膜が形成される。貫通孔内には、その金属膜と一体の金属膜からなるスルーホール導体４２が形成される。例えばエポキシ樹脂の注入によってスルーホール導体４２の内部が樹脂体４３で充填される。そして、先に形成された金属膜および樹脂体４３の上にさらに無電解めっきや電解めっきによって金属膜が形成される。そして、サブトラクティブ法によるパターニングによって、所定の導体パターンを有する多層構造の導体層４１が絶縁層３４の両面に形成される。例えばこのようにコア基板４が用意され、コア基板４の両面に、例えばフィルム状のエポキシ樹脂を積層して熱圧着することによって絶縁層３３が形成される。しかしながら、後述される絶縁層３１と同様に、絶縁層３３の形成に用いられるフィルム状樹脂は感光性樹脂であってもよい。

【0031】

図３Ｂに示されるように、絶縁層３３におけるビア導体６３（図１参照）の形成位置に、例えば炭酸ガスレーザー光の照射によって貫通孔３３ａが形成される。絶縁層３３が感光性樹脂を用いて形成される場合は、貫通孔３３ａは、貫通孔３３ａに対応する開口を有する露光マスクを用いる露光および現像によって形成されてもよい。なお、図３Ｂ、ならびに以下で参照する図３Ｃ～図３Ｈおよび図３Ｊ～図３Ｎでは、絶縁層３４の一方の表面３４ｓの反対側の表面上に形成され得る導体層および絶縁層の図示は省略されており、それらの説明も省略される。しかし、表面３４ｓと反対側にも、表面３４ｓ上と同様の態様および数の、または表面３４ｓ上とは異なる態様および数の導体層および絶縁層が形成されてもよく、そのような導体層および絶縁層が形成されなくてもよい。

【0032】

図３Ｃに示されるように、めっきレジストＲ１が、絶縁層３３の表面上に設けられる。めっきレジストＲ１には、導体層３に含まれる導体パターン１３（図１参照）に応じた開口Ｒ１１が形成される。

【0033】

めっきレジストＲ１は、例えばドライフィルムレジストの積層によって設けられてもよく、また、ポジ型の液状レジストの塗布および乾燥によって設けられてもよい。開口Ｒ１１は、開口Ｒ１１に対応する開口を有する露光マスクを用いる露光、および現像によって形成され得る。例えばポジ型のめっきレジストが使用される。露光条件を調整して、めっきレジストＲ１の表面側の露光量を多くし、現像液による溶解が絶縁層３３の表面３３ｓ側よりもめっきレジストＲ１の表面側で多くなるようにすることによって、めっきレジストＲ１の表面側の開口径が大きく、表面３３ｓ側に向かうほど開口径が小さくなっていく断面形状をもつ開口Ｒ１１が形成され得る。ポジ型のめっきレジストでは、現像中のレジストの湿潤も起こらないため、所望の形状の開口Ｒ１１は、現像後も維持され得る。

【0034】

図３Ｄに示されるように、貫通孔３３ａの内壁上およびめっきレジストＲ１に覆われていない絶縁層３３の表面３３ｓの上、ならびに、めっきレジストＲ１の表面上およびめっきレジストＲ１の開口Ｒ１１の内壁上に、導体層３の下層３ａ（図１参照）を構成する金属膜３ａａが形成される。金属膜３ａａは、例えばスパッタリングや無電解めっきによって形成される。次いで、金属膜３ａａの上に、導体層３の上層３ｂ（図１参照）を構成する電解めっき膜３ｂｂが形成される。電解めっき膜３ｂｂは、金属膜３ａａを給電層として用いる電解めっきによって形成される。

【0035】

図３Ｄに示されているように、電解めっき膜３ｂｂは、めっきレジストＲ１の表面上にも、具体的にはめっきレジストＲ１の表面を覆う金属膜３ａａ上にも形成される。絶縁層３３の表面３３ｓ上の金属膜３ａａ上において、少なくとも導体層３の上層３ｂに求められる厚さ以上の厚さを有する電解めっき膜３ｂｂが形成される。したがって、電解めっき膜３ｂｂで、めっきレジストＲ１の開口Ｒ１１が完全に充填されてもよく、完全には充填されなくてもよい。一方、電解めっき膜３ｂｂは、絶縁層３３の貫通孔３３ａを完全に充填する。その結果、ビア導体６３（図１参照）が形成される。

【0036】

図３Ｅに示されるように、電解めっき膜３ｂｂの積層方向の一部が、研磨によって除去される。例えば、ＣＭＰやサンドブラストなどによって、電解めっき膜３ｂｂが除去される。この研磨によって、金属膜３ａａのうちの少なくともめっきレジストＲ１の表面上の部分も除去される。電解めっき膜３ｂｂは、絶縁層３３の表面３３ｓ上の電解めっき膜３ｂｂの厚さが導体層３の上層３ｂに求められる所定の厚さになるまで、めっきレジストＲ１と共に研磨される。導体層３において平坦な上面１３ｓが得られる。

【0037】

図３Ｆに示されるように、めっきレジストＲ１が除去される。その結果、ビアランド３１３や複数の配線パターン３１２などの導体パターン１３を含む導体層３が形成される。

【0038】

図３Ｇに示されるように、絶縁層３１が形成され、絶縁層３１に貫通孔３１ａが形成される。絶縁層３１は、例えば絶縁層３３と同様に、エポキシ樹脂などを含むフィルム状樹脂の積層ならびに加熱および加圧をすることによって形成され得る。

【0039】

図１の例のように導体層１に微細なピッチで並ぶ配線パターン１１２を含む導体パターン１１が形成される場合、ビア導体６１も微細なピッチで形成されることが好ましい場合がある。絶縁層３１に小径の貫通孔３１ａが形成される必要がある。このような場合、小径の貫通孔３１ａが形成され易いように、無機フィラーを含まない絶縁層３１が好ましいことがある。

【0040】

無機フィラーを含まない樹脂は、例えば導体層１のような金属からなる導体層の熱膨張率と近い熱膨張率を有し難い。そのため、絶縁層３１が無機フィラーを含まない場合、例えば絶縁層３１の硬化などにおいて、絶縁層３１が高温に晒されないことが好ましいと考えられる。したがって、絶縁層３１は、熱硬化以外の硬化機構を有する樹脂、例えば光硬化型の樹脂で形成され得る。すなわち、絶縁層３１は感光性樹脂で形成され得る。

【0041】

したがって、絶縁層３１の形成に用いられるフィルム状樹脂は、例えば光重合開始剤などを含む感光性樹脂であってもよい。絶縁層３１の高温での硬化工程を回避できる。絶縁層３１への貫通孔３１ａの形成は、例えば炭酸ガスレーザー光やエキシマレーザー光の照射によって行われ得る。絶縁層３１が感光性樹脂を用いて形成される場合は、貫通孔３１ａに対応する開口を有する露光マスクを用いる露光および現像によって貫通孔３１ａが形成されてもよい。

【0042】

図３Ｈに示されるように、前述しためっきレジストＲ１と同様に、めっきレジストＲ２が、絶縁層３１の表面上に設けられる。めっきレジストＲ２には、前述した開口Ｒ１１と同様に、導体層１の導体パターン１１（図１参照）に対応した開口Ｒ２１が形成される。

【0043】

図３Ｉに示されるように、導体層１の第１層１ａ（図１参照）を構成する金属膜１ａａが形成される。金属膜１ａａは、例えばスパッタリングや無電解めっきによって形成される。なお、図３Ｉには、図３Ｈに示されるIIIＩ部に相当する部分の金属膜１ａａの形成後の状態が示されている。金属膜１ａａは、貫通孔３１ａの内壁上、およびめっきレジストＲ２に覆われていない絶縁層３１の表面３１ｓの上、ならびに、めっきレジストＲ２の表面上、およびめっきレジストＲ２の開口Ｒ２１の内壁上に形成される。

【0044】

図３Ｊに示されるように、導体層１の第２層１ｂ（図１参照）を構成する電解めっき膜１ｂｂが、電解めっき膜３ｂｂと同様の方法で、金属膜１ａａの上に形成される。電解めっき膜１ｂｂは、絶縁層３１の表面３１ｓ上の金属膜１ａａ上において、少なくとも導体層１の第２層１ｂに求められる厚さ以上の厚さを有するように形成される。絶縁層３１の貫通孔３１ａは、電解めっき膜１ｂｂによって完全に充填され、その結果、ビア導体６１が形成される。

【0045】

図３Ｋに示されるように、図３Ｅを参照して説明された方法と同様の方法で、電解めっき膜１ｂｂの積層方向の一部が、めっきレジストＲ２の表面上の金属膜１ａａ上と共に研磨によって除去される。導体層１においても平坦な上面１１ｓが得られる。その後、めっきレジストＲ２が除去される。

【0046】

図３Ｌに示されるように、ビアランド１１３などの導体パターン１１を含むと共に、第１層１ａおよび第２層１ｂからなる２層構造を有する導体層１が得られる。導体パターン１１を含む導体層１が、エッチングによる第１層１ａの除去工程を経ずに形成されるので、微細なピッチで並ぶ配線パターン１１２が形成され得る。

【0047】

図３Ｍに示されるように、絶縁層３２が形成される。絶縁層３２は、例えば前述した絶縁層３１の形成方法と同様の方法で形成され得る。絶縁層３２も、光重合開始剤を含む感光性のエポキシ樹脂で形成されてもよい。絶縁層３２には、ビア導体６２の形成個所に貫通孔３２ａが形成される。貫通孔３２ａは、絶縁層３２が感光性樹脂で形成される場合、露光および現像によって形成され得る。貫通孔３２ａは、炭酸ガスレーザー光やエキシマレーザー光の照射によって形成されてもよい。

【0048】

前述した導体層１の形成方法と同様の方法で、導体層２が形成される。すなわち、図３Ｍに示されるように、導体層２の導体パターン１２（図１参照）に対応した開口Ｒ３１を有するめっきレジストＲ３が絶縁層３２の表面３２ｓ上に形成され、導体層２の下層２ａ（図１参照）を構成する金属膜２ａａが例えばスパッタリングや無電解めっきによって形成される。金属膜２ａａは、貫通孔３２ａの内壁上、絶縁層３２の表面３２ｓ上、めっきレジストＲ３の表面上、および開口Ｒ３１の内壁上に形成される。そして、金属膜２ａａの上に、金属膜２ａａを給電層として用いる電解めっきによって、導体層２の上層２ｂ（図１参照）を構成する電解めっき膜２ｂｂが形成される。電解めっき膜２ｂｂが、絶縁層３２の貫通孔３２ａを完全に充填して、ビア導体６２が形成される。

【0049】

その後、電解めっき膜２ｂｂの積層方向の一部がめっきレジストＲ３と共に研磨によって除去される。導体層２において平坦な上面１２ｓ（図３Ｎ参照）が得られる。その後、めっきレジストＲ２が除去される。以上の工程を経ることによって図１の例の配線基板１００が完成する。

【0050】

実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、ならびに、本明細書において例示される構造、形状、および材料を備えるものに限定されない。前述したように、実施形態の配線基板は任意の積層構造を有し得る。例えば実施形態の配線基板はコア基板を含まないコアレス基板であってもよい。実施形態の配線基板は任意の数の導体層および絶縁層を有し得る。例えば、図１の例のビア導体６２は、同様の２層構造を有する導体ポストとして形成されていてもよい。絶縁層３２の表面３２ｓ上の導体ポストの突出部においても、その側面が下層２ａによって覆われているため、外的ストレスによる導体ポストの破断などが起こりにくい場合がある。また、絶縁層３２がソルダーレジストとして設けられていてもよい。絶縁層３１および導体層１を保護すると共に、導体層１の導体パターン１１同士の短絡を抑制し得ると考えられる。

【符号の説明】

【0051】

１００ 配線基板
１ 導体層（第１導体層）
１１ 導体パターン
１１２ 配線パターン
１１３ ビアランド（第１ビアランド）
１ａ 第１層
１ｂ 第２層
２ 導体層（第２導体層）
２ａ 下層
２ｂ 上層
３ 導体層（第３導体層）
１３ 導体パターン
３１２ 配線パターン
３１３ ビアランド
３ａ 下層
３ｂ 上層
３１ 絶縁層（第１絶縁層）
３１ｓ 表面
３２ 絶縁層（第２絶縁層）
３２ｓ 表面
６１、６２、６３ ビア導体
３１ａ、３２a、３３ａ 貫通孔
Ｌ１ 配線パターン１１２の配線幅
Ｌ２ 配線パターン３１２の配線幅
Ｓ１ 配線パターン１１２の配線同士の間隔
Ｓ２ 配線パターン３１２の配線同士の間隔

【図1】

【図2】

【図3A】

【図3B】

【図3C】

【図3D】

【図3E】

【図3F】

【図3G】

【図3H】

【図3I】

【図3J】

【図3K】

【図3L】

【図3M】

【図3N】