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特開2023-119724表示パネルの製造装置および表示パネルの製造方法

書誌要約請求の範囲詳細な説明課題実施例実施するための形態図面の説明

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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023119724

(43)【公開日】2023-08-29

(54)【発明の名称】表示パネルの製造装置および表示パネルの製造方法

(51)【国際特許分類】

G09F 9/00 20060101AFI20230822BHJP

【ＦＩ】

G09F9/00 338

【審査請求】未請求

【請求項の数】1

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022022725

(22)【出願日】2022-02-17

(71)【出願人】

【識別番号】598014825

【氏名又は名称】株式会社クオルテック

(72)【発明者】

【氏名】鋤柄新菜

(72)【発明者】

【氏名】高原博司

【テーマコード（参考）】

5G435

【Ｆターム（参考）】

5G435AA17

5G435BB04

5G435KK05

(57)【要約】

【課題】
パネル基板２０２の側面にめっき膜２１５を形成する凹部２１６の形成をする際、加工が困難であるという課題があった。
【解決手段】
パネル基板２０２の側面にレーザミラー３０１を配置する。レーザミラー３０１はミラー基材３０２上に反射膜３０３が形成され、レーザ光２０５は反射膜３０３で反射してパネル基板２０２の側面に入射する。レーザ光２０５により、凹部２１６が形成される。凹部２１６はレーザ光２０５により粗化される。
レーザ光２０５の入射角度をレーザミラー３０１ａのように、臨界角θとすることにより、レーザ光２０５は全反射し、レーザミラー３０１ａを損傷することがなく、凹部２１６を形成できる。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

表示パネル基板の製造方法であって、
パネル基板の側面にレーザミラーを配置し、
前記パネル基板に垂直方向から、レーザ光を照射し、
前記レーザ光を前記レーザミラーで反射させて、前記パネル基板の側面を加工することを特徴とする表示パネルの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は表示パネル等の製造における基板の位置合わせマーカ、位置合わせ方法、位置合わせマーカの製造方法、表示パネルの製造方法、表示パネルの製造装置に関するものである。

【背景技術】

【0002】

大画面液晶テレビが商品化され、また、有機ＥＬ素子を利用した有機ＥＬテレビが商品化されている。しかし、液晶テレビはコントラストが低いという課題があり、有機ＥＬテレビは画像が焼きつくという課題がある。この課題を解決するため、近年では画素に自発光するＬＥＤチップを使用した大型ＬＥＤテレビが開発されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１７－１６４７６４

【特許文献2】特開２０１４－２２４０１０

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

画素に自発光するＬＥＤを使用した大型ＬＥＤテレビは、数百万個のＬＥＤチップを実装する必要があり、ＬＥＤチップの実装不良が発生しやすく、歩留まりが低い。

【0005】

本発明は、歩留まり向上のため、複数の表示モジュールあるいは表示パネルを作製し、複数の表示モジュールを組み合わせることにより１つの表示画面を構成する方法を提案する。

【0006】

複数の表示モジュールを組み合わせるためには、各表示モジュールを位置決めし、表面に形成された信号線に配線を接続し、裏面に配置したドライバ回路から、前記配線を介して信号線に映像信号、選択信号等を印加する必要がある。
配置の形成のためには、表示モジュールに位置決めマーカを形成し、位置決めマーカを基準位置として配線を形成する。
パネル基板２０２の側面にめっき膜２１５を形成する凹部２１６の形成をする際、形成位置の位置決めが困難であるという課題があった。

【0007】

特許文献１には、コマンドを受信すると、マーカヘッドによる加工対象物の撮像によって得られた画像データを用いて基準位置に対する加工対象物のずれ量を算出するとともに、ずれ量をコントローラ２１に通知し、コントローラ２１は、ずれ量に基づきレーザ光を走査する位置を補正した後、マーカヘッドに走査を実行させる位置決め方式が開示されている。
特許文献１は、特許文献１の図１７に図示するマーカを上方から認識するものであって、側面からマーカを認識することはできない。
特許文献２には、レーザ光照射による貫通穴の形成後、貫通穴にドライガスを吹き付けてクラックの発生を抑制する方法が記載されている。
特許文献２は、良好な貫通穴を形成することが難しく、また、クラック発生の抑制効果も小さい。

【課題を解決するための手段】

【0008】

パネル基板２０２の側面に位置合わせマーカ２０１を基準位置として、溝状マーカ２０７を形成する。溝状マーカ２０７は、パネル基板２０２の側面にレーザ光を照射しＶ字状に形成する。溝状マーカ２０７をＶ字状に形成されているため、溝状マーカ２０７の認識時に濃淡画像となりＶ字状の中心位置を検出することができる。

【0009】

レーザ光は、パネルの側面に配置したミラーで反射させてパネルの側面に照射する。レーザ照射により、パネル側面は粗化される。また、レーザ光の照射により凹部２１６を形成する。

【0010】

溝状マーカ２０７の位置を基準として、レーザ光の照射により凹部２１６を形成する。信号線２１４と凹部２１６までのパネル基板２０２の表面をレーザ光により粗化させる。粗化部および凹部２１６にめっき膜２１５を形成し、信号線２１４とパネル基板２０２の裏面に形成された端子と電気に接続する。

【0011】

パネル基板２０２の側面にレーザミラー３０１を配置する。レーザミラー３０１はミラー基材３０２上に反射膜３０３が形成され、レーザ光２０５は反射膜３０３で反射してパネル基板２０２の側面に入射する。レーザ光２０５により、凹部２１６が形成される。凹部２１６はレーザ光２０５により粗化される。

【0012】

レーザ光２０５の入射角度をレーザミラー３０１ａのように、臨界角θとすることにより、レーザ光２０５は全反射し、レーザミラー３０１ａを損傷することがなく、凹部２１６を形成できる。

【発明の効果】

【0013】

本発明は、溝状マーカ２０７を形成する。溝状マーカ２０７はパネル基板２０２の表面および側面のいずれの面からも位置決めのための画像認識することができる。したがって、溝状マーカ２０７をパネル基板２０２の表面から認識することにより位置決めが行うことができ、パネル基板２０２の表面をレーザ光等で加工することができる。また、溝状マーカ２０７をパネル基板２０２の側面から認識することにより位置決めが行うことができ、パネル基板２０２の側面をレーザ光等で加工することができる。

【0014】

また、パネル基板２０２の側面に配置したミラーで、パネル基板２０２の上面から照射したレーザ光を９０度の方向に変化させ、パネル基板２０２の側面を加工することができる。

【図面の簡単な説明】

【0015】

【図1】本発明のパネルの製造方法および製造装置の説明図である。

【図2】本発明のパネルの製造方法および製造装置の説明図である。

【図3】本発明のパネルの製造方法および製造装置の説明図である。

【図4】本発明のパネルの製造方法および製造装置の説明図である。

【図5】本発明のパネルの製造方法および製造装置の説明図である。

【図6】本発明の位置合わせマーカの説明図である。

【図7】本発明の位置合わせマーカの説明図である。

【図8】本発明の位置合わせマーカの製造方法の説明図である。

【図9】本発明の表示パネルの製造方法の説明図である。

【図10】本発明の表示パネルの説明図である。

【図11】本発明の位置合わせマーカの説明図である。

【図12】本発明の位置合わせマーカの製造方法の説明図である。

【図13】本発明の表示パネルの説明図である。

【図14】本発明の表示パネルの画素部の等価回路図及び説明図である。

【図15】本発明の表示パネルの画素部の説明図である。

【図16】本発明の表示パネルの製造方法の説明図である。

【図17】本発明の位置合わせマーカの説明図である。

【図18】本発明の第１の実施例における表示パネルの製造方法の説明図である。

【図19】本発明の第１の実施例における表示パネルの構造図である。

【図20】本発明の第１の実施例における表示パネルの一部断面図である。

【図21】本発明の第１の実施例における表示パネルの構造図である。

【図22】本発明の第１の実施例における表示パネルの製造方法の説明図である。

【図23】本発明の第１の実施例における表示パネルの製造方法の説明図である。

【図24】本発明の第１の実施例における表示パネルの製造方法の説明図である。

【図25】本発明の第１の実施例における表示パネルの製造方法の説明図である。

【図26】本発明の第１の実施例における表示パネルの製造方法の説明図である。

【図27】本発明の第１の実施例における表示パネルの製造方法の説明図である。

【図28】本発明の第１の実施例における表示パネルの製造方法の説明図である。

【図29】本発明の第１の実施例における表示パネルの製造方法の説明図である。

【図30】本発明の第２の実施例における表示パネルの製造方法の説明図である。

【図31】本発明の第２の実施例における表示パネルの構造図である。

【図32】本発明の第２の実施例における表示パネルの一部断面図である。

【図33】本発明の第２の実施例における表示パネルの製造方法の説明図である。

【図34】本発明の第２の実施例における表示パネルの製造方法の説明図である。

【図35】本発明の第３の実施例における表示パネルの構造図である。

【図36】本発明の第３の実施例における表示パネルの製造方法の説明図である。

【図37】本発明の第３の実施例における表示パネルの製造方法の説明図である。

【図38】本発明の表示パネルの製造方法のフローチャート図である。

【図39】本発明の表示パネルの製造方法の説明図である。

【発明を実施するための形態】

【0016】

以下、添付した図面を参照して、本発明の実施の形態について説明をする。発明を実施するための形態を説明するための各図面において、同一の機能を有する要素、構成には同一の符号を付し、説明を省略する場合がある。また、本明細書に記載する本発明の実施例は、一部または全部をそれぞれの実施例と組み合わせることができる。

【0017】

必要以上に詳細な説明は省略する場合がある。例えば、既によく知られた事項の詳細説明や実質的に同一の構成に対する重複説明を省略する場合がある。これは、以下の説明が不必要に冗長になるのを避け、当業者の理解を容易にするためである。

【0018】

なお、当業者が本開示を十分に理解するために図面、及び以下の説明を提供するのであって、これらによって特許請求の範囲に記載の主題を限定することを意図するものではない。

【0019】

図１１は、本発明の位置合わせマーカの説明図である。なお、図１１等で図示する位置合わせマーカは、十字マークとして図示しているが、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、円形、多角形、矩形等、また、複数の形状の組み合わせであってもよい。

【0020】

位置合わせマーカ２０１は、基板２０２に形成されている。基板２０２はガラス等の光透過性を有する基板であり、具体的には、０．５ｍｍ厚の石英ガラス、無アルカリガラス、ソーダガラス、ホウケイ酸ガラス、ライトライムガラス等である。特にケイ酸（SiO₂）を含むガラス基板を選択することが好ましい。

【0021】

なお、基板２０２は、ガラス等の無機材料に限定されるものではなく、光透過性を有する樹脂材料であってもよい。有機材料からなる基板としては板状のもの、フィルム状のいずれでもよく、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂から構成されたものが例示される。

【0022】

パネル基板２０２厚としては０．２ｍｍ以上０．８ｍｍ以下で例示される。パネル基板２０２は少なくとも一方が光透過性を有すればよく、裏面が、シリコンあるいはアルミ等の金属基板で構成されていても、染料あるいは顔料等で着色されたプラスチック基板で構成されていてもよい。

【0023】

位置合わせマーカ２０１は少なくとも基板形状の対角位置に形成される。好ましくは４辺の隅（位置合わせマーカ２０１ａ～位置合わせマーカ２０１ｄ）、４辺の中央部（図示せず）に形成される。位置合わせマーカ２０１は、パネル基板２０２に深さ方向に加工されて形成されている。深さは、２μｍ以上である。

【0024】

位置合わせマーカ２０１は、図１７に図示するように、パネル基板２０２の上方から画像認識カメラ２０６ａ、画像認識カメラ２０６ｂで位置合わせマーカ２０１ａ、位置合わせマーカ２０１ｂを認識する。

【0025】

パネル基板２０２は光透過性を有する。したがって、パネル基板２０２の側面から、位置合わせマーカ２０１を認識することができる。パネル基板２０２の側面から、画像認識カメラ２０６ｃ、画像認識カメラ２０６ｄで位置合わせマーカ２０１ａ、位置合わせマーカ２０１ｂを認識する。

【0026】

図１１（ｄ）に図示するように、位置合わせマーカ２０１に斜面を有するプリズム形状としてもよい。照明光２２７を位置合わせマーカ２０１の斜面で反射させ、斜面で反射光を検出することにより、位置合わせマーカ２０１ｅを検出し、位置合わせマーカ２０１ｅの位置を基準として位置決めを行う。プリズム形状の斜面部は、臨界角以上の角度とすることにより、反射膜を形成せずとも、照明光２２７を反射する。

【0027】

図１１（ｄ）の位置合わせマーカ２０１ｅもパネル基板２０２の上面から認識することができ、位置を行うことができる。パネル基板２０２の側面からも位置合わせマーカ２０１ｅを認識することができ、位置決めを行うことができる。

【0028】

図１７に図示するように、パネル基板２０２あるいは表示モジュール２０３は、ＸＹＺステージ２１７に積載され、ＸＹＺステージ２１７に、エアーチェック機構（図示せず）で、パネル基板２０２あるいは表示モジュール２０３は固定される。

【0029】

画像認識カメラ２０６は、オートフォーカス機能を有し、位置合わせマーカ２０１にフォーカスを合わせて、パネル基板２０２あるいは表示モジュール２０３の位置を認識する。認識した位置からレーザ光２０５を照射する位置を設定する。

【0030】

本発明の位置合わせマーカ２０１は、透明あるいは光透過性を有するパネル基板２０２等、あるいは表示モジュール２０３等に形成され、深さ方向に形状のある３Ｄ形状に作製されている。そのため、図１７に図示するように、パネル基板２０２あるいは表示モジュール２０３の上方だけでなく、側面からも位置合わせマーカ２０１を認識することができる。

【0031】

したがって、パネル基板２０２の上方からレーザ光２０５を照射する際の位置決め、及びパネル基板２０２の側面からレーザ光２０５を照射する際の位置決めの両方に位置合わせマーカ２０１を利用することができる。

【0032】

図１２は本発明の位置合わせマーカ２０１の作製方法を説明する説明図である。図１２（ａ）に図示するように、位置合わせマーカ２０１を形成する位置に、レーザ光吸収部２２４を形成する。レーザ光吸収部２２４の形成方法としては、スパッタによる方法、電着による方法、蒸着による方法、焼結による方法が例示される。
パネル基板２０２は、軟化温度が約７３０℃前後、融点は全成分を完全に溶融させる温度と定義するならば約１２００℃～１５００℃前後である。

【0033】

レーザ光吸収部２２４を形成する材料は、パネル基板２０２の融点よりも高い材料であることが好ましく、また、照射するレーザ光２０５を吸収しやすい材料を選定することが好ましい。また、レーザ光吸収部２２４を形成する材料の沸点は、パネル基板２０２の融点よりも高いことが好ましい。

【0034】

レーザ光吸収部２２４にレーザ光２０５が照射されることにより、レーザ光吸収部２２４が発熱し、発熱した熱によりパネル基板２０２が溶解、蒸発する。レーザ光２０５のパワーを調整し、好ましくは、レーザ光吸収部２２４を形成する材料の沸点以下で、かつ、パネル基板２０２を形成する材料の溶解温度以上に制御する。

【0035】

レーザ光２０５によりパネル基板２０２の該当箇所に穴が形成され、穴は、順次、深さ方向に進行する。レーザ光吸収部２２４の材料の沸点以下の温度を維持することにより、パネル基板２０２に穴、あるいは溝が形成される。

【0036】

好ましくは、図２２、図２７、図２８に図示するように、レーザ光吸収部２２４にスリット２２８（レーザ光吸収部２２４が形成されていない部分）を形成し、スリット２２８から照射されたレーザ光２０５により、パネル基板２０２材料を溶解あるいは加工してもよい。スリット２２８の周辺部のレーザ光吸収部２２４はレーザ光り２０５を吸収し、発熱してよりパネル基板２０２材料を溶解させ、あるいは加工され、凹部２１６または貫通穴２２３の形成を促進させる。

【0037】

なお、パネル基板２０２に貫通穴２２３を形成する場合は、パネル基板２０２の両面（表面側と裏面側）から、レーザ光２０５を、同時に、あるいは交互に、あるいは一方の加工後に他方から照射する。また、一定以上の穴が形成された後は、フッ酸（フッ化水素、弗化水素ＨＦ）を用いて、パネル基板２０２を腐食させることにより貫通穴２２３を形成する。

【0038】

レーザ光吸収部２２４の材料として、タングステン（Ｗ融点３４０７℃）、タンタル（Ｔａ融点２９８５℃）、チタン（Ｔｉ融点１６６６℃）、鉄（Ｆｅ融点１５３６℃）、

【0039】

ニッケル（Ｎｉ融点１４５５℃）、白金（Ｐｔ融点１７６９℃）、パラジウム（Ｐｄ融点１５５２℃）、モリブデン（Ｍｏ融点２６２３℃）が例示される。

【0040】

中でも、高融点のチタン（Ｔｉ融点１６６６℃）、タングステン（Ｗ融点３４０７℃）、モリブデン（Ｍｏ融点２６２３℃）、または、これらの合金を使用することが好ましい。これらの金属あるいは合金は、液晶パネル、有機ＥＬパネル等の信号線の形成材料として使用されているため、本発明の表示モジュールの製造方法に適用することが容易である。
また、レーザ光吸収部２２４をめっき技術で作製する場合は、ニッケル（Ｎｉ融点１４５５℃）、鉄（Ｆｅ融点１５３６℃）を採用することが好ましい。

【0041】

図１２（ａ）に図示するように、位置合わせマーカ２０１の形成する位置あるいは位置を含む近傍にレーザ光吸収部２２４の材料を形成または配置する。レーザ光吸収部２２４の膜厚は、１μｍ以上が好ましい。

【0042】

次に、レーザ加工装置２０４で位置合わせマーカ２０１の形成部にレーザ光２０５を照射する。一例としてレーザ光２０５は図１１に図示するように、十字形状である。図１１（ｄ）に図示するように、斜面を有するプリズム形状であってもよい。加工深さは、２μｍ以上とし、好ましくは、１００μｍ以上の深さに加工する。

【0043】

位置合わせマーカ２０１の加工は、フェムト秒レーザ加工装置２０４が発生するレーザ光２０５で行う。加工状態あるいは粗化状態は、フェムト秒レーザ光２０５のレーザ強度、照射するレーザパルスの移動速度を変更あるいは設定することにより容易に実現できる。

【0044】

フェムト秒レーザ加工装置２０４は、一般にパルス幅が、サブピコ秒から数十フェムト秒のフェムト秒レーザ光２０５を発生する。サブピコ秒から数十フェムト秒の超短パルスのレーザ光２０５を材料に照射した場合、材料の熱拡散時間に比べてパルス幅が十分に短いため、光エネルギーを有効に照射部に投入できる。

【0045】

その結果、照射周辺部への熱影響を局限化することが可能である。また、高精度な微細加工が実現できる。また、レーザ光の電場強度が非常に高いため、ビームが集光されたところにのみ、空間選択的に多光子吸収、多光子イオン化等の非線形作用を誘起することができる。

【0046】

フェムト秒グリーンレーザは、第二高調波であるため、比較的高出力を取り出すことができ、レーザ光吸収部２２４に対しても、照射したレーザ光の吸収が良好である。

【0047】

フェムト秒グリーンレーザが出射する光の波長は５００ｎｍ～５４０ｎｍであるのが好ましい。パルス幅は、１フェムト秒～１０００フェムト秒であるのが好ましい。

【0048】

ピコ秒レーザを用いる場合、ピコ秒レーザが出射する光の波長は５００ｎｍ～５４０ｎｍであるのが好ましい。パルス幅は、１ピコ秒～１０ピコ秒であるのが好ましい。
パネル基板２０２の表面は、パルス幅の単位がピコ秒であるピコ秒レーザ光、又はフェムト秒であるフェムト秒レーザ光により粗化され、また加工される。

【0049】

図１２（ａ）等で説明するレーザ光吸収部２２４の形成、レーザ光２０５の照射によるパネル基板２０２の加工は、複数回、繰り返しても良い。レーザ光２０５の照射によりレーザ光吸収部２２４が除去されることにより、加工箇所のパネル基板２０２の加熱が小さくなる。その対策として、レーザ光吸収部２２４の形成－＞レーザ光２０５の照射－＞レーザ光吸収部２２４の形成－＞レーザ光２０５の照射を複数回、繰り返す。

【0050】

次に、図１２（ｂ）に図示するように、位置合わせマーカ２０１部を含む箇所に、光反射機能あるいは、光吸収機能を有する反射膜２１１を形成する。たとえば、反射膜２１１の材料として、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）が例示される。反射膜２１１の材料は、加工された位置合わせマーカ２０１の底部及び側面に付着し、位置合わせマーカ２０１は光を吸収または反射する。また、位置合わせマーカ２０１は、パネル基板２０２の上方、あるいは側面から観察することができる。

【0051】

図１２の実施例では、位置合わせマーカ２０１部に反射膜２１１を形成するとしたが、位置合わせマーカ２０１の形成部と、他の箇所とのコントラストがあれば、位置合わせマーカ２０１の位置を検出することができる。したがって、反射膜２１１の替わりに、光吸収膜２１１を形成または配置してもよい。なお、説明を容易にするため、薄膜または厚膜２１１は反射膜２１１として説明する。

【0052】

位置合わせマーカ２０１は、光を吸収または反射することにより、他の部分（位置合わせマーカ２０１が形成されていない領域）とコントラストがつき、位置合わせマーカ２０１として機能する。

【0053】

図１２（ｃ）に図示するように、位置合わせマーカ２０１の加工位置、あるいは／または位置合わせマーカ２０１の加工位置を含む近傍に、マスク２１２（マスク２１２ａ、マスク２１２ｂ）を形成する。
次に、図１２（ｄ）に図示するように、マスク２１２をマスクとして、他の箇所に形成された反射膜あるいは吸収膜２１１をエッチングにより除去する。

【0054】

次に、図１２（ｅ）に図示するように、マスク２１２をエッチング等で除去することにより、反射膜２１１が形成された位置合わせマーカ２０１を形成することができる。

【0055】

図１２（ｄ）では、マスク２１２により、位置合わせマーカ２０１部に反射膜２１１等を残存させるとした。しかし、位置合わせマーカ２０１部以外を研磨、等の技術により除去してもよいことは言うまでもない。

【0056】

図１１の位置合わせマーカ２０１は、パネル基板２０２の深さ方向にレーザ光２０５等で位置合わせマーカ２０１を加工し、図１１（ｄ）に図示するように、照明光２２７を反射する反射面を形成したものである。

【0057】

図６は、本発明の第２の実施例のおける位置合わせマーカ２０１の構成図および説明図である。図６の実施例では、位置合わせマーカ２０７は、パネル基板２０２の側面にＶ溝状に形成されている。以降、位置合わせマーカ２０７を溝状マーカ２０７と呼ぶ。
なお、以下の実施例で、溝状マーカ２０７はＶ字状として説明するが、たとえば、Ｕ字状等であっても良いことは言うまでもない。また、凹状であっても良い。

【0058】

以下、図６～図１０等を参照しながら、溝状マーカ２０７について説明をする。なお、本明細書、図面で記載する事項、あるいは類似事項等は説明を省略する場合がある。また、図６等で説明する溝状マーカ２０７は、本明細書、図面等で説明する他の実施例に適用できることは言うまでもない。
また、本明細書、図面等で説明する他の実施例と相互に組み合わせることができることは言うまでもない。

【0059】

図６等において、溝状マーカ２０７はＶ字状の溝として説明するがこれに限定するものではなく、例えば、半円状、三角形状、凹状、多角形状、線状等の形状であっても良いことは言うまでもない。また、パネル基板２０２の側面に位置合わせマーカ２０１のように十字状等に形成してもよいことは言うまでもない。

【0060】

図６（ａ）に図示するように、溝状マーカ２０７は、パネル基板２０２に形成されている。溝状マーカ２０７は、少なくとも基板形状の対角位置に形成される。好ましくは４辺の隅、４辺の中央部に形成される。また、溝状マーカ２０７は、各信号線２１４の位置に合わせて形成される。溝状マーカ２０７は、パネル基板２０２の側面に厚み方向に形成され、また、図６等に図示するようにパネル基板２０２の表面からも観察、画像認識できるサイズ、形状に形成されている。

【0061】

図６（ｂ）では、溝状マーカ２０７は、パネル基板２０２の表面から裏面の全範囲に線状に形成されているように図示しているが、これに限定するものではなく、たとえば、パネル基板２０２の厚み方向の一部（たとえば、厚みの１／２）に範囲に溝状マーカ２０７を形成しても良いことは言うまでもない。また、位置合わせマーカ２０１のように十字状等に形成してもよい。また、溝状マーカ２０７は円状、円弧状であっても位置決めとして機能する。

【0062】

溝状マーカ２０７は、パネル基板２０２にＶ状に加工され、その深さは、５μｍ以上４０μｍ以下とすることが好ましい。また、溝状マーカ２０７幅は、信号線２１４の幅と略一致させるか、信号線２１４の幅よりも大きくする。

【0063】

図７（ａ）は、溝状マーカ２０７を形成したパネル基板２０２を側面方向から図示した図であり、図７（ｂ）はパネル基板２０２の一部平面図である。図７に図示するように、パネル基板２０２の側面にＶ字状の溝状マーカ２０７を配置する。

【0064】

図１１の位置合わせマーカ２０１では、パネル基板２０２上に形成された位置合わせマーカ２０１を画像認識装置２０６で認識し、位置決めを行う。図６の実施例では、パネル基板２０２の平面から認識されるＶ字を画像認識装置２０６で認識し、位置決めを行う。つまり、パネル基板２０２の表面および裏面はこの溝状マーカ２０７の頂点を基準点する。頂点は線状に認識される。

【0065】

なお、溝状マーカ２０７はパネル基板２０２の表面からも画像認識することができる。したがって、パネル基板２０２の表面からも溝状マーカ２０７を用いて位置決めを行うことができる。

【0066】

パネル基板２０２側面は、溝状マーカ２０７の濃淡を判別して最も濃いラインと判定した点を基準点（基準線）とする。図７（ａ）において、溝状マーカ２０７の頂点部（一点鎖線で示す）を基準位置とする。

【0067】

したがって、溝状マーカ２０７を画像認識装置２０６で認識することにより、パネル基板２０２の表面、裏面、側面のいずれかからも溝状マーカ２０７を認識することができ、認識あるいは検出した基準位置から凹部２１６の加工、パネル基板２０２の信号線２１４等の表面のレーザ粗化加工等を実施することができる。

【0068】

なお、図６に図示する位置合わせマーカ２０１と、溝状マーカ２０７の両方を形成または配置し、用途あるいは目的に応じて、位置合わせマーカ２０１と溝状マーカ２０７とを使い分けても良いことは言うまでもない。

【0069】

溝状マーカ２０７はレーザ加工装置２０４からレーザ光２０５を照射し、パネル基板２０２を加工することによりたとえば、Ｖ字状に加工し、アライメント時に図７（ａ）に図示するように濃淡画像が発生できるように加工する。

【0070】

濃淡画像を発生させるためには、画像認識装置２０６の焦点深度が関係する。したがって、溝状マーカ２０７の深さは、画像認識装置２０６の焦点深度を考慮して決定する必要がある。通常、溝状マーカ２０７の深さ（Ｖ字の頂点）は、１０μｍ以上にすることが好ましい。また、加工の制約から５０μｍ以下とすることが好ましい。

【0071】

パネル基板２０２がガラス材料から構成される場合、Ｖ字の頂点が鋭角だと、Ｖ字の頂点からクラックが発生し、パネル基板２０２が割れる場合がある。そのため、溝状マーカ２０７のＶ字の加工後、フッ化水素等でエッチングを行い、クラックをなくすとともに、Ｖ字の鋭角部を適度な円弧状に加工することが好ましい。

【0072】

なお、以上の実施例では、溝状マーカ２０７はレーザ光２０５により形成するとして説明するがこれに限定するものではない。たとえば、サンドブラスタによりクラックを除去する方法、砥石等の切削研磨により形成する方法、フッ化水素等を使用してエッチングにより形成する方法等が例示される。

【0073】

図８は本発明の溝状マーカ２０７の形成方法あるいは製造方法の説明図である。溝状マーカ２０７の形成位置は、多様な基準位置からを基準にすることが考えられる。

【0074】

位置合わせマーカ２０１の形成位置を基準にする場合は、図８に示すように、位置合わせマーカ２０１の中心線からｃの距離の位置を溝状マーカ２０７の中心線とする。位置合わせマーカ２０１は、信号線２１４ａの基準位置として、ａ距離を離れて形成されている。
信号線２１４ａの形成位置を基準にする場合は、信号線２１４ａの中心線からｂの距離の位置を溝状マーカ２０７の中心線とする。

【0075】

少なくともパネル基板２０２の一辺の側面には、複数の溝状マーカ２０７を形成する。図８の実施例では、パネル基板２０２の左辺に、溝状マーカ２０７ａと溝状マーカ２０７ｂを形成し、いずれかの溝状マーカ２０７を基準として、あるいは両方の溝状マーカ２０７を基準として認識し、凹部２１６を形成する。
図９は溝状マーカ２０７を基準位置として、凹部２１６を形成する製造方法の説明図である。凹部２１６は、信号線２１４に対応するように形成、配置される。

【0076】

図９は、溝状マーカ２０７ａと基準として、ｂ距離の位置にある信号線２１４ａに対応する箇所に凹部２１６を形成している。凹部２１６は各信号線２１４ａ、各信号線２１４ｂに対応する位置合わせマーカ２０１に形成する。

【0077】

なお、凹部２１６の形成方法、パネル基板２０２の表面の加工、表示モジュールの構成、製造方法等は、本明細書、本図面の他の実施例で説明するため説明を省略する。
なお、本明細書、図面などで説明した事項、内容、技術的思想は相互に一部または全部を組み合わせることができる。

【0078】

図１０は本発明の表示モジュール２０３の構成図および説明図である。図１０に図示するように、表示モジュール２０３の各側面には、複数の溝状マーカ２０７が形成されている。溝状マーカ２０７を基準として凹部２１６が形成加工されて配置されている。

【0079】

図１０では、左辺に溝状マーカ２０７ａ、溝状マーカ２０７ｂが形成され、上辺に溝状マーカ２０７ｃ、溝状マーカ２０７ｄが形成され、下辺に溝状マーカ２０７ｅ、溝状マーカ２０７ｆが形成され、右辺に溝状マーカ２０７ｇ、溝状マーカ２０７ｈが形成されている。

【0080】

左辺の凹部２１６は、左辺の溝状マーカ２０７ａ、溝状マーカ２０７ｂを基準として加工される。上辺の凹部２１６は、上辺の溝状マーカ２０７ｃ、溝状マーカ２０７ｄを基準として加工される。下辺の凹部２１６は、溝状マーカ２０７ｅ、溝状マーカ２０７ｆを基準として加工される。右辺の凹部２１６は、右辺の溝状マーカ２０７ｇ、溝状マーカ２０７ｈを基準として加工される。また、パネル基板２０２の表面の加工は、各溝状マーカ２０７を基準として加工等される。
以上の実施例では、パネル基板２０２の側面からレーザ光２０５を照射する必要がある。そのため、レーザ加工装置２０４を水平に配置する必要がある。

【0081】

図１は、レーザ加工装置２０４をパネル基板２０２に対して垂直方向に配置し、レーザ光２０５をパネル基板２０２に対して垂直方向（上下方向）から照射できるようにした実施例である。

【0082】

図１は本発明の表示パネルの製造装置および製造方法の説明図である。図１において、レーザミラー３０１はパネル基板２０２の側面に配置されている。レーザミラー３０１はパネル基板２０２の一辺以上の長さ、あるいは凹部２１６を加工する範囲以上の長さを有する。

【0083】

レーザミラー３０１は、垂直軸に対して４０°以上５０°（ＤＥＧ．）の角度で配置される。レーザミラー３０１は、石英ガラスを基材とするミラー基材３０２に銀またはアルミニウムからなる反射膜３０３が形成されている。

【0084】

反射膜３０３には、レーザ光２０５が入射し、レーザ光２０５の方向を９０°変化させて、パネル基板２０２の凹部２１６の形成箇所にレーザ光２０５が照射される。レーザ光２０５は、図１のレーザ光２０５a位置から、レーザ光２０５ｂ位置、レーザ光２０５ｃに移動する（矢印で示す）。

【0085】

凹部２１６には、図２２、図２３、図２７、図２８に図示して説明しているように、スリット２２８、光吸収部２２４を形成または配置しても良いことは言うまでもない。あるいはこれらの技術的思想、技術的方法と組み合わせることができることは言うまでもない。

【0086】

パネル基板２０２は、ＸＹＺステージ２１７に積載され、ＸＹＺステージは、加工する凹部２１６位置にパネル基板２０２を移動し、レーザ光２０５の焦点を合わせ、またパネル基板２０２のＺ位置を移動させる。

【0087】

レーザ光２０５ａ位置のレーザ光は、パネル基板２０２の側面ａ’位置に照射される。レーザ光２０５ｂ位置のレーザ光は、パネル基板２０２の側面ｂ’位置に照射される。レーザ光２０５ｃ位置のレーザ光は、パネル基板２０２の側面ｃ’位置に照射される。レーザ光２０５を矢印方向に移動されることにより、凹部２１６が形成される。

【0088】

図２は、パネル基板２０２の側面にレーザミラー３０１を配置した構成を図示している。パネル基板２０２の一辺にレーザミラー３０１が配置されている。レーザ光２０５はレーザミラー３０１上を移動し、レーザ光２０５が照射されたパネル基板２０２の側面に凹部２１６が形成されていく。
レーザ光２０５は、形成あるいは加工する凹部２１６位置に対応して、位置決めする。レーザ光２０５は、矢印方向に順次、移動して凹部２１６を形成する。

【0089】

なお、図２ではレーザ光２０５は１つとして図示しているが、多数のレーザ光２０５を同時にパネル基板２０２に照射しても良い。また、パネル基板２０２の一辺に限定するものではなく、パネル基板２０２の二辺あるいは４辺から照射しても良い。

【0090】

なお、凹部２１６の形成方法、位置合わせマーカ２０１等に関しては、図６、図７，図８、図９、図１０，図１１、図１２等で説明しているため、説明を省略する。

【0091】

レーザミラー３０１は反射膜３０３が形成されている。レーザ光２０５はレーザミラー３０１の反射膜３０３で反射し、反射したレーザ光２０５ａはパネル基板２０２の側面に入射し、凹部２１６が形成される。

【0092】

レーザミラー３０１には、反射膜３０３が形成されているが、図３に図示するように、レーザ光２０５の一部の光は反射膜３０３を透過し、レーザ光２０５ｂとなり、レーザ光２０５ｂが迷光となってパネル基板２０２の意図しない位置を加工される場合がある。

【0093】

この課題に対して、図３の一点鎖線に示すようにレーザミラー３０１ａを配置し、レーザ光２０５のレーザミラー３０１ａの面に対しての角度θを５°（ＤＥＧ．）以下とする。さらに好ましくは、３°（ＤＥＧ．）以下とする。角度θを小さくすることにより、臨界角となり、レーザ光２０５は全反射あるいは全反射に近い状態で反射される。反射したレーザ光２０５ｃ（一点鎖線で示す）はパネル基板２０２の側面に入射し、凹部２１６を加工する。

【0094】

パネル基板２０２の側面には、レーザ光２０５が斜め方向に入射する。レーザ光２０５はパネル基板２０２内で反射する可能性がある。この対策として、図２３、図２４の実施例を実施することが有効である。

【0095】

なお、図３のレーザ光２０５ｃは、パネル基板２０２の側面に垂直方向に照射されるようにパネル基板２０２を傾けて（パネル基板２０２の側面の平面にレーザ光２０５ｃが略垂直に入射するように）、配置しても良い。

【0096】

図４の実施例は、レーザミラー３０１の反射面の反射膜上に誘電体ミラー３０４を形成した実施例である。なお、誘電体ミラー３０４で十分な反射率が得られる場合は、反射膜３０３は省略してもよい。
誘電体ミラー３０４は、誘電体材料の複数の薄層で構成されるタイプのミラーである。

【0097】

狭い範囲の波長で９９．９９９％以上の値を生成できる。その他、シリコン全反射ミラーを使用することも好ましい。ミラー基材３０２は、溶融石英、合成石英を使用することが好ましい。

【0098】

また、レーザミラー３０１の裏面にレーザ光吸収部２２４を形成あるいは配置することにより、レーザ光２０５ｂを吸収することができ、図３で説明した迷光のレーザ２０５ｂを抑制あるいはなくすことができる。

【0099】

図３のレーザ光２０５ｂをなくす方法として、図５に図示するように、レーザミラー３０１の裏面にプリズム３０５を配置することが有効である。レーザミラー３０１とプリズム３０５とはオプティカルカップリング液２２６（図示せず）で光学的に接合される。

【0100】

なお、図５等においても、反射膜３０３の上に、誘電体ミラー３０４を形成することが好ましい。また、誘電体ミラー３０４を形成または構成する場合は、反射膜３０３がなくても良い。レーザ光２０５が炭酸ガスレーザ等の場合、ミラー３０１はシリコンミラーで構成することもできる。

【0101】

レーザミラー３０１とプリズム３０５とを一体として構成し、光学的界面がないように構成あるいは形成する。また、プリズム３０５のＡ点（レーザ光２０５ｂが照射される箇所あるいは部分）に、レーザ光吸収部２２４を形成しても良いことは言うまでもない。

【0102】

プリズム３０５の面とレーザ光２０５ｂの入射角度θを全反射角以下とすることにより、レーザ光２０５ｂはプリズム３０５と空気の界面Ａで反射光２０５ｃとなり、パネル基板２０２側には出射されない。

【0103】

なお、図１、図２、図３、図４、図５の実施例は一部または全部を相互に組み合わせることができることは言うまでもない。また、本明細書、図面に記載している事項、内容、技術的思想は一部または全部を組み合わせることができることは言うまでもない。

【0104】

図１３、図１４は、本発明の表示パネルの等価回路図である。赤色（Ｒ）の画素１７５Ｒ、緑色（Ｇ）の画素１７５Ｇ、青色（Ｂ）の画素１７５Ｂが表示画面１６５にマトリックス状に配置されている（図１５参照）。なお、画素１７５の色は、ＲＧＢに限定されるものではない、黄色（Ｙ）を加えて４色でもよく、また、ＲＢの２色や、ＲＧＢのいずれか１色の表示モジュール２０３であってもよい。

【0105】

各画素１７５には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１７１、コンデンサ１７３、ＬＥＤ１７２が形成、または、配置、もしくは実装されている。ＴＦＴはスイッチまたは、駆動用トランジスタとして機能する。

【0106】

本明細書では、駆動用トランジスタ１７１ａ、スイッチ用トランジスタ１７１は、薄膜トランジスタとして説明するが、これに限定するものではない。薄膜ダイオード（ＴＦＤ）、リングダイオード等でも構成することができる。

【0107】

薄膜素子に限定するものではなく、シリコンウエハに形成したトランジスタでもよい。たとえば、シリコンウエハでトランジスタを構成し、剥がしてガラス基板に転写したものが例示される。また、シリコンウエハでトランジスタチップを形成し、ガラス基板のボンディング実装した表示パネルが例示される。

【0108】

トランジスタ１７１は、もちろん、ＦＥＴ、ＭＯＳ－ＦＥＴ、ＭＯＳトランジスタ、バイポーラトランジスタでもよい。これらも基本的に薄膜トランジスタである。その他、バリスタ、サイリスタ、リングダイオード、ホトダオード、ホトトランジスタ、ＰＬＺＴ素子等でもよいことは言うまでもない。
本発明のトランジスタ１７１は、Ｎチャンネル、Ｐチャンネルとも、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain)構造を採用することが好ましい。

【0109】

トランジスタ１７１は、高温ポリシリコン(HTPS : High- temperature rature polycrystalline silicon)、低温ポリシリコン(LTPS : Low- temperature poly silicon)、連続粒界シリコン(CGS : Continuous grain silicon)、透明アモルファス酸化物半導体(TAOS : Transparent Amorphous Oxide Semiconductors)、アモルファスシリコン（AS : amorphous silicon）、赤外線RTA（RTA : rapid thermal annealing）で形成したもののうち、いずれでもよい。

【0110】

図１４ではすべてのトランジスタ１７１はＰチャンネルで構成している。ＰチャンネルはＮチャンネルのトランジスタに比較してモビリティが低い。しかし、耐圧が大きく、また、寿命劣化も少ない。

【0111】

本発明は、画素のトランジスタ１７１をＰチャンネルで構成することのみに限定するものではない。Ｎチャンネルのみで構成してもよい。また、ＮチャンネルとＰチャンネルの両方を用いて構成してもよい。また、駆動用トランジスタ１７１ａをＰチャンネルトランジスタとＮチャンネルトランジスタの両方を用いて構成してもよい。

【0112】

スイッチ用トランジスタ１７１は、トランジスタに限定するものではなく、たとえば、ＰチャンネルトランジスタとＮチャンネルトランジスタの両方を用いた、アナログスイッチであってもよい。

【0113】

なお、本発明の表示パネルの画素のトランジスタ１７１は、Ｐチャンネルで構成することが好ましい。Ｐチャンネルで画素を構成すると、Ｎチャンネルで画素を構成した場合に比較して、１画素あたりのトランジスタ数を少なくでき、また、画素のスイッチ用トランジスタを制御するゲート信号線の本数も少なくできるからである。

【0114】

また、トランジスタ１７１はトップゲート構造にすることが好ましい。トップゲート構造にすることにより寄生容量が低減し、トップゲートのゲート電極パターンが、遮光層となり、ＬＥＤ１７２から出射された光を遮光層で遮断し、トランジスタ１７１の誤動作、オフリーク電流を低減できるからである。

【0115】

ゲート信号線１６３またはソース信号線１６４、もしくはゲート信号線１６３とソース信号線１６４の両方の配線材料として、銅配線または銅合金配線を採用できるプロセスを実施することが好ましい。信号線の配線抵抗を低減でき、より大型の表示パネルを実現できるからである。特に、ゲートドライバ１６１が駆動（制御）するゲート信号線１６３は、低インピーダンス化すること好ましい。銅配線は、Ti-Cu-Tiの３層構造を採用することが好ましい。

【0116】

信号線２１４（ソース信号線１６４、ゲート信号線１６３）の表面は、ＩＴＯで被覆することが好ましい。ＩＴＯで被覆することにより、信号線２１４が腐食することが低減し、また、信号線２１４にめっき膜２１５を形成しやすくなるからである。

【0117】

図１３は、ゲート信号線１６３の一方にゲートドライバ１６１を接続した構成であるが、ゲート信号線１６３の両側にゲートドライバ１６１を接続することより、表示画像の輝度傾斜が低減し好ましい。

【0118】

図１４は、本発明の実施例における表示パネルの画素構成の説明図である。図１４において、Ｐチャンネルの駆動用トランジスタ１７１ａのドレイン端子に、スイッチ用トランジスタ１７１ｄのソース端子が接続され、スイッチ用トランジスタ１７１ｄのドレイン端子にＬＥＤ１７２のアノード端子が接続されている。また、ＬＥＤ１７２のカソード端子には、カソード電圧Ｖｓｓが印加されている。駆動用トランジスタ１７１ａのソース端子には、アノード電圧Ｖｄｄが印加されている。

【0119】

ゲート信号線１６３ｂにオン電圧が印加されると、スイッチ用トランジスタ１７１ｄがオンし、駆動用トランジスタ１７１ａからの発光電流がＬＥＤ１７２に供給される。ＬＥＤ１７２は、発光電流の大きさに基づき発光する。

【0120】

駆動用トランジスタ１７１ａのゲート端子とドレイン端子間には、スイッチ用トランジスタ１７１ｂのソース端子とドレイン端子が接続され、ゲート信号線１６３ａにオン電圧が印加されることにより、駆動用トランジスタ１７１ａのゲート端子にソース信号線１６４に印加された信号電圧が印加される。
駆動用トランジスタ１７１ａのゲート端子には、コンデンサ１７３の１端子が接続され、コンデンサ１７３の他端子は、アノード電極Ｖｄｄと接続されている。

【0121】

ソースドライバ１６２は映像信号に基づく電圧をソース信号線１６４に出力する。ゲートドライバ１６１は、スイッチ用トランジスタ１７１ｂ、１７１ｄをオンさせる電圧（オン電圧）、オフさせる電圧（オフ電圧）をゲート信号線１６３に印加する。

【0122】

ゲート信号線１６３ａにオン電圧が印加されている時には、トランジスタ１７１ｂがオン状態であり、ソース信号線１６４に印加されている映像信号を画素１７５に印加される。

【0123】

ソース信号線１６４には、ソースドライバ１６２ａ、ソースドライバ１６２ｂが接続される。ソース信号線１６４は、ソースドライバ１６２ａ、ソースドライバ１６２ｂによる両側給電が行われることにより、表示画面１６５の輝度傾斜は発生しない。

【0124】

ゲートドライバ１６１、ソースドライバ１６２は、シリコンチップで形成されている。ゲートドライバ１６１、ソースドライバ１６２は、ＣＯＦ(Chip On Film)２１８に実装される。ＣＯＦ２１８は信号線２１４（ゲート信号線１６３、ソース信号線１６４等）と表示画面１６５の端で接続される。

【0125】

ＬＥＤ１７２はチップ形状のものが例示される。その他、マイクロＬＥＤ，ナノＬＥＤが例示される。ＬＥＤ１７２の電極端子は、接続電極１７４に、異方性導電膜（ＡＣＦ：Anisotropic Conductive Film）２１９で実装される。また、めっき技術で実装、あるいは接続してもよい。

【0126】

ＬＥＤ１７２の実装後、ＬＥＤ１７２上に、拡散材（散乱材）１７６を塗布あるいは形成もしくは配置する。拡散材１７６として、酸化チタン（TiO₂）、炭酸カルシウム（CaCO₃）、オパールガラス等の無機材料が例示される。これらをアセトン等の溶媒中に拡散あるいは混合し、インクジェット方式等により塗布する。また、樹脂性の拡散シートを配置する構成も有用である。その他、ＬＥＤ１７２上に色度を改善するカラーフィルタ、量子ドット（ＱＤ：Quantum dot)を形成または配置する。

【0127】

図１６は、本発明の表示パネルの製造方法の説明図である。図１６に図示するように、パネル基板２０２には、複数の表示モジュール２０３が作製される。各表示モジュール２０３の４つの端には、位置合わせマーカ２０１が形成、または配置される。

【0128】

図１６では、表示モジュール２０３（１，１）～表示モジュール２０３（４，４）の１６個をパネル基板２０２に形成または配置した例を示している。本発明はこれに限定するものではなく、パネル基板２０２には、適正に表示モジュール２０３を形成または設計すればよい。

【0129】

図１６では、図示を容易にするため、各表示モジュール２０３には模式的に信号線２１４を図示している。なお、図１４で説明した画素回路等は、図示を省略している。

【0130】

パネル基板２０２は、図１６の矢印の位置で、切断され、表示モジュール２０３に分離される。図１８（ａ）に図示するように、必要に応じて、表示モジュール２０３はａａ’線、ｂｂ’線、ｃｃ’線、ｄｄ’線で、精密切断、あるいは切断後に研磨加工される。

【0131】

図１６の矢印位置での切断は、ガラスカッターで切断するため、寸法精度が低い。ａａ’線、ｂｂ’線、ｃｃ’線、ｄｄ’線まで、研磨加工等を行うことにより、表示モジュール２０３サイズ、表示モジュール２０３の信号線１２４端と表示モジュール２０３端の寸法を精度よく形成することができる。

【0132】

また、図１８（ｂ）に図示するように、矢印に示すパネル基板２０２の側面を精密研磨加工することにより、平滑化する。また、ガラス切断により、発生したクラックを消去する。
本発明の表示パネルは、複数の表示モジュール２０３を接続、組み合わせることにより、大画面の表示パネルを構成するものである。

【0133】

ＬＥＤ１７２の実装では、接続不良が発生しやすい。大画面の表示画面１６５を有する表示パネルには数百万個のＬＥＤ１７２を実装する必要がある。したがって、大画面の表示画面１６５を有する表示パネルは製造歩留まりが悪くなる。

【0134】

本発明の表示パネルは、図１６で説明したように、比較的、表示画面１６５が小さい表示モジュール２０３を作製し、当該表示モジュール２０３を組み合わせることにより、大画面の表示画面１６５（大画面の表示モジュール）を作製するものである。

【0135】

比較的、表示画面１６５が小さい表示モジュール２０３には、それぞれゲートドライバ１６１、ソースドライバ１６２が接続される。各表示モジュール２０３は、図１９、図２０に図示するように、各表示モジュール２０３間の界面がない、あるいは、各表示モジュール２０３間を目立たないように接続、組み合わされる。

【0136】

図１９は、本発明の表示パネルの構造の説明図であり、表示パネルの一部を拡大した図面である。図２０は、図１９のＡＡ’線での断面図である。また、図２１（ａ）は表示モジュール２０３の側面図であり、図２１（ｂ）は表示モジュール２０３の平面図である。

【0137】

図１９に図示するように、表示モジュール２０３ａの左端には、信号線２１４位置に一致させて、凹部２１６が形成されている。凹部２１６には、図２１（ａ）に図示するように、めっき膜２１５が形成されている。

【0138】

めっき膜２１５は信号線２１４と電気的に接続され、また、表示モジュール２０３の裏面にＡＣＦ２１９が接続できるように、端子形状（図示せず）が形成されている。

【0139】

めっき膜２１５と信号線２１４が接続される箇所で、かつ、信号線２１４の表面にはＩＴＯ膜（図示せず）が形成されている。したがって、信号線２１４を構成する金属材料と、めっき膜２１５間にはＩＴＯ膜が配置されている。
凹部２１６の深さは、１μｍ以上１０μｍ以下である。したがって、めっき膜２１５の膜厚は、１０μｍ以下としている。
図２１は、表示モジュール２０３の一辺を図示しているが、表示モジュール２０３の他の３辺にも凹部２１６を形成する。

【0140】

表示モジュール２０３に形成されたソース信号線１６４の両端にめっき膜２１５が形成される。図１３に図示するように、ソース信号線１６４の両端にソースドライバ１６２ａ、ソースドライバ１６２ｂを接続するように構成することが好ましい。

【0141】

信号線２１４上には、ＩＴＯ膜（図示せず）が信号線２１４を被覆するように形成されている。ＩＴＯ膜を形成することにより、めっき膜２１５と信号線２１４との接続抵抗が低減する。

【0142】

図２１は、本発明の表示モジュール２０３の構成の説明図である。図２１（ａ）は、本発明の表示モジュール２０３の側面図であり、図２１（ｂ）は、表示モジュール２０３の平面図である。

【0143】

図２１において、表示モジュール２０３の側面には、信号線２１４位置に一致させて、凹部２１６が形成されている。また、凹部２１６にめっき膜２１５が形成されている。めっき膜２１５は、信号線２１４（ソース信号線１６４、ゲート信号線１６３）、電源配線(アノードＶｄｄ、カソードＶｓｓ）等と接続されている。

【0144】

なお、本明細書等において、信号線２１４はめっき膜２１５と接続するとして説明するが、めっき膜に限定されるものでなく、めっき膜２１５は、蒸着、エッチング技術等によりパターニングされた配線、スパッタリングにより形成した配線、導電ペーストをノズルで塗布することにより形成した配線、導電ペーストをインクジェット技術により形成された配線等であってもよい。

【0145】

以下、説明を容易にするため、一例として、めっき膜２１５は、めっきにより形成されためっき膜を例示して説明をする。したがって、めっき膜２１５は、めっきで形成された膜に限定されるものではない。

【0146】

めっき膜２１５は、凹部２１６内に形成される。めっき膜は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）等の多層膜で形成することが好ましい。めっき膜２１５をインクジェット技術により形成する場合も、複数の金属を多層に形成することが好ましい。

【0147】

図１９は、本発明の表示モジュール２０３を組み合わせた状態を説明する説明図である。表示モジュール２０３ａと表示モジュール２０３ｂとは近接あるいは密着させて配置される。凹部２１６にめっき膜２１５が配置されているため、めっき膜２１５が損傷することがない。

【0148】

図２０は、図１９のＡＡ’線での断面図である。図２０に図示するように、表示モジュール２０３ａと表示モジュール２０３ｂが近接あるいは密着して配置され、表示モジュール２０３ａと表示モジュール２０３ｂ間にはガラス接着材２２１が充填あるいは塗布されている。めっき膜２１５は信号線２１４と電気的に接続され、表示モジュール２０３ａと表示モジュール２０３ｂ間に形成された凹部２１６で、表示モジュール２０３ａの裏面に引き出されている。

【0149】

表示モジュール２０３ａの裏面は、図示を省略しているが、めっき膜２１５は端子形状に加工されている。表示モジュール２０３ａの裏面の端子形状に、ＡＣＦ２１９を介してＣＯＦ２１８が接続されている。ＣＯＦ２１８にドライバＩＣ２２０が実装され、ドライバＩＣ２２０の出力信号が、めっき膜２１５を介して信号線２１４に印加される。
図２２、図２７、図２８は、本発明の表示モジュール２０３の製造方法の説明図である。特に、凹部２１６の形成方法を説明した図面である。

【0150】

凹部２１６の形成は、図１２の位置合わせマーカ２０１の形成と同様あるいは類似である。なお、図２７等は溝状の凹部２１６の形成方法として説明するが、これに限定するものではなく、たとえば、貫通穴２２３を形成してもよい。

【0151】

図２７に図示するように、表示モジュール２０３において、凹部２１６を形成する位置にレーザ光吸収部２２４を形成する。レーザ光吸収部２２４は、表示モジュール２０３に形成された信号線２１４4から距離ｔ離れた位置に形成される。距離ｔは極力、短いことがめっき膜２１５と電気的接続を取る観点から好ましいが、レーザ光２０５による信号線２１４の改質あるいは変形、画素１７５のサイズを考慮して決定する。具体的には、距離ｔは画素１７５のサイズ以下の距離である。

【0152】

図２７等で図示するように、レーザ光吸収部２２４に、スリット２２８を形成することが好ましい。スリット２２８は、レーザ光２０５を照射する位置に形成する。
スリット２２８部は、レーザ光吸収部２２４が形成されていないか、他の部分よりレーザ光吸収部２２４が薄く形成されている。

【0153】

スリット２２８にレーザ光２０５が照射されると、レーザ光２０５は表示モジュール２０３のパネル基板２０２を直接に加工する。また、多くのレーザ光２０５はレーザ光吸収部２２４に照射され。レーザ光吸収部２２４を加熱する。

【0154】

パネル基板２０２に照射されたレーザ光２０５はガラス材料を溶解、蒸発、除去する。レーザ光吸収部２２４に照射されたレーザ光２０５はレーザ光吸収部２２４を加熱し、加熱された熱は、ガラス材料の溶解、蒸発、除去を促進する。したがって、スリット２２８が形成去れた位置を中心に加工が促進され、凹部２１６が形成される。
スリット２２８は、図１２で説明した位置合わせマーカ２０１の形成時にも、レーザ光吸収部２２４に形成することが好ましい。

【0155】

レーザ光吸収部２２４の構成は、図２８（ａ）に図示するように、表示モジュール２０３の側面に形成する構成が例示される。また、図２８（ｃ）、図２８（ｄ）に図示するように、レーザ光２０５を照射する位置に合わせて、孤立したレーザ光吸収部２２４とする構成が例示される。なお、図２８（ｄ）は、図２８（ｃ）の側面から見た構成面である。
図２７、図２８（ａ）は、レーザ光吸収部２２４の表面に矩形あるいは円形のスリット２２８が形成された実施例である。

【0156】

図２８（ｃ）は、レーザ光吸収部２２４の表面に矩形のスリット２２８が形成された実施例である。また、図２８（ｄ）の側面図で図示するように、スリット２２８はレーザ光吸収部２２４に線形に形成される。図２８（ｄ）では、スリット２２８の長手方向にレーザ光２０５を移動させて凹部２１６を形成する。

【0157】

めっき膜２１５を形成する位置に、レーザ光吸収部２２４を形成する。レーザ光吸収部２２４の形成方法としては、スパッタによる方法、電着による方法、焼結による方法、インクジェットにより塗布する方法が例示される。

【0158】

レーザ光吸収部２２４を構成する材料は、パネル基板２０２の融点よりも高い材料であることが好ましく、また、照射するレーザ光２０５を吸収しやすい材料を選定することが好ましい。

【0159】

レーザ光吸収部２２４にスリット２２８を形成し、スリット２２８にレーザ光２０５が照射され、スリット２２８の近傍部がレーザ光２０５を吸収し発熱することにより、スリット２２８部を中心として、パネル基板２０２の加工が進行する。

【0160】

また、図２８（ｃ）に図示するように、レーザ光吸収部２２４が独立させることにより、レーザ光吸収部２２４にレーザ光２０５の照射により発生した熱の伝導がレーザ光吸収部２２４に留まり、よりレーザ光２０５の加工部の加熱状態が良好となる。したがって、凹部２１６、貫通穴２２３の加工が促進される。

【0161】

また、レーザ光吸収部２２４が溶解し、ガラス基板の材料と反応する材料が選定される。たとえば、フッ化水素（ＨＦ）、フッ化水素アンモニウムを含有する樹脂材料、クリーム状の混合ペースト等が例示される。フッ化水素は、レーザ光２０５の照射により反応性が向上し、凹部２１６の形成に寄与する。

【0162】

スリット２２８部をフッ化水素に浸透させた状態、フッ酸、硫酸の混合液、フッ化水素アンモニウム、フッ化水素を充填させた状態で、レーザ光２０５をスリット２２８部に照射することにより、スリット２２８部のガラス材料の溶解、腐食が加速される。ガラス材料が溶解あるいは腐食すると、レーザ光２０５の光吸収が向上し、より凹部２１６あるいは貫通穴２２３の形成が促進される。また、貫通穴２２３、凹部２１６部に、ガラスエッチング液を充填すること、超音波を印加すること、放電加工を実施すること、サンドブラスト加工をすることも有用である。
レーザ光吸収部２２４を形成する材料の沸点は、パネル基板２０２の融点よりも高いことが好ましい。

【0163】

レーザ光吸収部２２４にレーザ光２０５が照射されることにより、レーザ光吸収部２２４が発熱し、発熱した熱によりパネル基板２０２が溶解する。あるいは軟化する。したがって、凹部２１６の形成が進行する。
レーザ光２０５のパワーを調整し、レーザ光吸収部２２４を形成する材料の沸点以下で、かつ、パネル基板２０２を形成する材料の溶解温度以上に制御する。
レーザ光２０５の照射時は、窒素、アルゴン等の不活性ガス中で行うことが好ましく、または、真空中で行うことが好ましい。

【0164】

図２８（ａ）に図示するように、レーザ光吸収部２２４にレーザ光２０５を照射することにより、パネル基板２０２の該当箇所に穴が形成され、穴は深さ方向に進行する。レーザ光吸収部２２４の材料の沸点以下の温度を維持することにより、パネル基板２０２に穴が形成される。

【0165】

図２８（ａ）は、レーザ光吸収部２２４が表示モジュール２０３の側面に連続して形成された構成である。レーザ光２０５は表示モジュール２０３の上面側から照射し、レーザ光２０５の焦点位置を移動しながら、凹部２１６を形成する。

【0166】

図２８（ｃ）は、レーザ光吸収部２２４が表示モジュール２０３の側面に孤立して形成された構成である。レーザ光２０５は表示モジュール２０３の上面側からレーザ光吸収部２２４に照射し、レーザ光２０５の焦点位置を移動しながら、凹部２１６を形成する。図２８（ｃ）の構成では、レーザ光吸収部２２４が孤立して形成されているため、レーザ光２０５により発生した熱が伝熱されにくくなり、効率的にガラス基板を加熱し、凹部２１６に形成が容易になる。
図２８（ａ）、図２８（ｃ）、図２８（ｄ）に図示するように、凹部２１６がレーザ光２０５により順次、形成される。

【0167】

図２８（ｃ）、図２８(ｃ)、図２８（ｄ）は、表示モジュール２０３の上面からレーザ光２０５を照射することにより、凹部２１６または貫通穴２２３を形成する実施例であったが、本発明はこれに限定するものではない。

【0168】

図２８（ｂ）に図示するように、表示モジュール２０３の側面からレーザ加工装置２０４のレーザ光２０５をレーザ光吸収部２２４に照射し、凹部２１６を形成してもよいことは言うまでもない。

【0169】

レーザ光２０５は、図２２に図示するように、レーザ光２０５をレーザ光吸収部２２４に照射することにより、表示モジュール２０３のガラス基板に凹部２１６、あるいは貫通穴２２３が形成される。

【0170】

パネル基板２０２に貫通穴２２３を形成する場合は、パネル基板２０２の両面（表面側と裏面側）から、レーザ光２０５を同時にあるいは、交互にあるいは、一方の加工後に他方から照射する。一定以上の穴が形成された後は、フッ酸（フッ化水素、弗化水素ＨＦ）を用いて、パネル基板２０２を腐食させることにより貫通穴２２３を形成する。

【0171】

レーザ光吸収部２２４の形成部にレーザ光２０５を照射することにより、凹部２１６を形成する。レーザ光吸収部２２４の形成、レーザ光２０５の照射による凹部２１６の加工は、複数回、繰り返しても良い。レーザ光２０５の照射によりレーザ光吸収部２２４が除去されることにより、凹部２１６の発熱が小さくなる。レーザ光吸収部２２４の形成－＞レーザ光２０５の照射－＞レーザ光吸収部２２４の形成－＞レーザ光２０５の照射を繰り返すことにより、凹部２１６の加工、形成が容易になる。また、レーザ光２０５の照射前にフッ化水素アンモニウムを塗布することも有効である。
レーザ光２０５を照射する位置の決定、基準は、図１２、図１７等で説明した位置合わせマーカ２０１により行う。

【0172】

図２２に図示するように、表示モジュール２０３の側面側からレーザ光２０５を照射する方法が、溝形状の凹部２１６を形成する場合に有用である。しかし、側面側からレーザ光２０５を照射すると、レーザ光２０５が、パネル基板２０２内に進入し、表示モジュール２０３に形成された画素１７５、信号線２１４等を破壊する場合がある。

【0173】

図２３に図示するように、レーザ光２０５がレーザ光２０５Ｃの場合、レーザ光２０５Ｃは表示モジュール２０３の裏面で全反射して表示モジュール２０３内で反射を繰り返す。また、レーザ光２０５Ｃは、表示モジュール２０３に形成された画素１７５、信号線２１４等に照射され、画素１７５、信号線２１４を焼損させる。

【0174】

レーザ光２０５の入射角度θが４５°（ＤＥＧ．）以下の場合は、表示モジュール２０３の裏面で反射するレーザ光２０５の角度は、４５°以上となり、基本的には、レーザ光２０５は裏面で全反射される。したがって、レーザ光２０５は表示モジュール２０３のパネル基板２０２内を反射して進行する。

【0175】

レーザ光２０５の入射角度θが４５°（ＤＥＧ．）以上の場合は、表示モジュール２０３の裏面で反射するレーザ光２０５の角度は、４５°以下となり、基本的には表示モジュール２０３の裏面から外に出射される。したがって、表示モジュール２０３に形成された画素１７５、信号線２１４等にレーザ光２０５が照射され、画素１７５、信号線２１４を焼損させるリスクは小さくなる。

【0176】

しかし、入射角度θが４５°（ＤＥＧ．）以上の場合は、表示モジュール２０３の側面で、レーザ光２０５が反射し、凹部２１６の加工を行うことができないか、加工に長時間を必要とする。

【0177】

したがって、図２３に示すレーザ光２０５の入射角度θは、レーザ光２０５Ｂのように４５°よりも小さくする。しかし、レーザ光２０５Ｂは、表示モジュール２０３の裏面で反射して、レーザ光２０５Ｃが発生する。

【0178】

本発明は、少なくとも側面の凹部２１６の加工時には、表示モジュール２０３の裏面にレーザ光吸収層２２２を形成する。レーザ光吸収層２２２は、レーザ光２０５Ｂを吸収し、レーザ光２０５Ｃを発生しないようにする効果を発揮する。

【0179】

レーザ光吸収層２２２は、レーザ光２０５を吸収するカラーフィルタが例示される。カラーフィルタはゼラチン、アクリルを染色した樹脂からなるカラーフィルタの他、光学的誘電体多層膜により形成したカラーフィルタ、ホログラムによるカラーフィルタでもよい。

【0180】

アクリル樹脂にカーボン等を添加した樹脂からなるもので構成してもよい。その他、六価クロム等の黒色の金属、黒色の色素あるいは染料を含有する塗料、黒色でなくともレーザ光２０５に対して補色の関係のある染料、顔料等で着色されたものでもよい。また、ホログラムあるいは回折格子でもよい。

【0181】

黒色の色素あるいは顔料を樹脂中に分散したものを用いても良いし、カラーフィルタの様にゼラチンやカゼインを黒色の酸性染料で染色してもよい。黒色色素の例としては、単一で黒色となるフルオラン系色素を発色させて用いること、緑色系色素と赤色系色素とを混合した配色ブラックを用いることもできる。

【0182】

色吸収材料と同様に、色素を用いて天然樹脂を染色した材料、色素を合成樹脂中に分散した材料を用いることができる。色素の選択の範囲は黒色色素よりもむしろ幅広く、アゾ染料、アントラキノン染料、フタロシアニン染料、トリフェニルメタン染料等から適切な１種、もしくはそれらのうち２種類以上の組み合わせでも良い。

【0183】

図２４の方法も例示される。図２４は、容器２２５にオプティカルカップリング液２２６を充填し、表示モジュール２０３とオプティカルカップリング液２２６との屈折率差をなくす、あるいは少なくする構成である。オプティカルカップリング液２２６によりレーザ光２０５Ｃの反射はなくなる。

【0184】

オプティカルカップリング液２２６は、純水でも良いが、更に屈折率が、ガラス基板の屈折率に近いサルチル酸メチル液、エチレングリコール液、フロロカーボン系液を採用することが好ましい。
さらに、オプティカルカップリング液２２６にレーザ光２０５を吸収する顔料、染料を含有させることより、より効果が高くなる。

【0185】

たとえば、液体に、色素あるいは顔料を樹脂中に分散したものを用いても良いし、ゼラチンやカゼインを黒色の酸性染料で染色してもよい。黒色色素の例としては、単一で黒色となるフルオラン系色素を発色させて用いることもし、緑色系色素と赤色系色素とを混合した配色ブラックを用いることもできる。

【0186】

オプティカルカップリング液２２６に、色素を用いて天然樹脂を染色すること、色素を合成樹脂中に分散した材料を用いることができる。色素の選択の範囲は黒色色素よりもむしろ幅広く、アゾ染料、アントラキノン染料、フタロシアニン染料、トリフェニルメタン染料等から適切な１種、もしくはそれらのうち２種類以上の組み合わせでも良い。

【0187】

図２２、図２３、図２４、図２５、図２８等の実施例についても、図１～図５で説明した実施例を適用できること、あるいは組み合わせることができることは言うまでもない。

【0188】

信号線２１４上にＩＴＯに金属膜をめっきする方法について説明をする。ＩＴＯの表面、凹部２１６を脱脂する。脱脂工程では、ＩＴＯ及び凹部２１６に付着した無機及び有機の汚れを除去する。脱脂工程では、ＩＴＯへの汚染物を除去して、めっき皮膜の密着を阻害する因子を排除すると同時に、めっきの選択性を劣化させる要因となる汚染物が除去される。

【0189】

脱脂処理にはアルカリ性界面活性剤溶液を６０～８０℃に加温して用い、洗浄効果を高めるために超音波を併用することが好ましい。MHz領域の周波数の超音波を用いて洗浄するいわゆるメガソニックは、素材にダメージを与えにくく、洗浄効果も高く好ましい。
次に、フッ化物を含むエッチング液で、ＩＴＯを溶解し、表面を粗化することで、上層に形成するめっき膜の密着性を向上させる。

【0190】

ＩＴＯへのめっき処理で用いられる触媒付与処理は、全面にパラジウムコロイド系触媒を付与した後にフッ酸系エッチング液でガラス表面をエッチングしてＩＴＯのみを触媒化する方法と、ＩＴＯへ選択的に付着するパラジウムイオン系触媒を用いる方法が例示される。
前者は、エッチング条件やパラジウムの再付着によって選択性が劣る傾向があるが、めっき膜の密着状態が良好で好ましい。

【0191】

パラジウムイオン系触媒で、ＩＴＯとガラスへの付着密度を測定すると、付着密度比はＩＴＯ：ガラス＝１０：１となり、パラジウムはＩＴＯと比較してガラスには付着しにくい傾向を示すことから、ＩＴＯのみを選択的にめっきできる。

【0192】

以上の処理を行ったＩＴＯに無電解めっきを行う。ＩＴＯパターンへ選択的に無電解ニッケルめっきを行う。ＩＴＯへ最も密着良く製膜できるめっき皮膜は、無電解ニッケルめっき法によるニッケル－リン皮膜である。

【0193】

無電解ニッケルめっき液は、次亜リン酸を還元剤とする酸性タイプの組成である。ニッケル－リン皮膜は比較的電気伝導性の低い皮膜であるため、必要に応じて、ニッケル－リン皮膜上に金や銅等のより電気伝導性の高い皮膜を形成する。

【0194】

無電解ニッケルめっき後の熱処理は、密着増強のために実施する。熱処理による密着増強効果は120℃程度から現れるが、密着を確実にするために200℃～250℃、30分程度の熱処理で良好な結果が得られる。

【0195】

本発明の表示パネルの製造方法について図面を参照しながら説明をする。図２５は、本発明の表示モジュール２０３の製造方法の説明図である。一実施例として、図２５等は、表示モジュール２０３の側面にレーザ光２０５を照射し、凹部２１６を形成するとして説明するが、本発明はこれに限定するものではない。図２８に図示するように、表示モジュール２０３の上面からレーザ光２０５を照射することにより凹部２１６あるいは貫通穴２２３を形成してもよいし、図２３、図２４で説明した方法等と組み合わせてもよい。

【0196】

以上のように、本発明は、本明細書、図面に記載している全部または一部を相互に組み合わせることができる。また、それぞれの構成を適時、採用することができる。

【0197】

なお、図２５は、表示モジュール２０３の側面にレーザ光吸収部２２４を形成した製造方法であるが、本発明はこれに限定されるものではない。たとえば、図２９（ａ）は、レーザ光吸収部２２４を形成せず、凹部２１６を形成した実施例である。なお、図２９（ｂ）は図２５（ｂ）と、図２９（ｃ）は図２５（ｃ）と同様あるいは類似であり、説明を省略する。

【0198】

図１６、図３０に図示するように、１つのパネル基板２０２には、複数の表示モジュール２０３が作製される。各表示モジュール２０３の４つの端には、位置合わせマーカ２０１が形成、または配置される。

【0199】

パネル基板２０２は、図１６の矢印の位置で切断され、表示モジュール２０３に分離される。図１８（ａ）に図示するように、必要に応じて、表示モジュール２０３はａａ’線、ｂｂ’線、ｃｃ’線、ｄｄ’線で精密切断、あるいは研磨加工される。

【0200】

研削加工とは、一例として、砥石車と呼ばれる円状の大きな工具を高速回転させ、その表面を加工するものに当てることにより、その表面を滑らかな状態に整える。この砥石車の表面には大きめの砥粒が無数につけられており、これによって対象物の表面の微小突起等を削ることができる。

【0201】

好ましくは、研磨は、ＣＰ（Cross section polisher）加工（イオンミリング）で行うことが好ましい。ＣＰ加工（イオンミリング）とは、集束していないブロードなアルゴンイオンビームを試料に照射し、試料原子を弾き飛ばすスパッタリング現象を利用して試料を削ることである。試料の表面にアルゴンイオンビームを入射させ、試料を作製する。ＣＰ加工では、研磨面に熱が発生せず、熱による影響がない。

【0202】

図１８（ｂ）に図示するように、矢印に示すパネル基板２０２の側面を精密研磨加工することにより、平滑化する。また、ガラス切断により、発生したクラックを消去する。また、研磨面をフッ化水素で洗浄することにより、微小なクラックをなくすことができる。

【0203】

【0204】

表示画面１６５が小さい表示モジュール２０３には、それぞれゲートドライバ１６１、ソースドライバ１６２が接続される。ソースドライバ１６２は、ソース信号線１６４の両側に接続する。ゲートドライバ１６１は、ゲート信号線１６３の一方に接続するが、好ましくは、ゲート信号線１６３の両方に接続することが好ましい。

【0205】

各表示モジュール２０３は、図１９、図２０に図示するように、各表示モジュール２０３間の界面がない、あるいは、各表示モジュール２０３間を目立たないように接続、組み合わされる。

【0206】

本発明は、複数の表示モジュール２０３を組み合わせることより、大画面の表示画面１６５を構成する。各表示モジュール２０３は、表示不良の検査を行い、不良は修正をして完成させる。したがって、良品の表示モジュール２０３を組み合わせることにより表示ディスプレイを構成するため、製造歩留まりを向上させることができる。

【0207】

以上の事項は、図３０、図３３、図３４、図３５、図３７等においても同様である。また、その一部または全部を組み合わせること、適用できることは言うまでもない。
図２５（ａ）に図示するように、表示モジュール２０３の側面から、レーザ光吸収部２２４にレーザ光２０５を照射し、凹部２１６を形成する。

【0208】

次に、凹部２１６及び裏面及び信号線２１４ａ上にめっき膜２１５を形成する。めっき膜２１５の形成方法について図３８、図３９を参照しながら説明する。図３８は、めっき膜２１５の形成方法に関するフローチャート図である。図３９はめっき膜の形成方法の説明図である。
図３９（ａ）に図示するように、表示モジュール２０３（パネル基板２０２）を洗浄する。あるいは、プラズマアッシャー装置でアッシング処理を行う。
次に、図３９（ｂ）に図示するように、表示モジュール２０３（パネル基板２０２）にレーザ光吸収部２２４、スリット２２８を形成する（図３８Ｓ１１）。

【0209】

図１７で説明したように、表示モジュール２０３（パネル基板２０２）の位置合わせマーカ２０１を画像認識装置２０６で検出・認識し、ＸＹＺステージ２１７を制御して位置決めを行う。
次に、図３９（ｃ）に図示するように、レーザ光２０５をレーザ光吸収部２２４に照射し、凹部２１６を形成する（図３８Ｓ１２）。
凹部２１６は、フェムト秒レーザ光２０５のレーザ強度、照射するレーザパルスの移動速度を変更あるいは設定することによりに実現できる。

【0210】

フェムト秒レーザ加工装置は、一般にパルス幅が、サブピコ秒から数十フェムト秒のフェムト秒レーザ光２０５を発生する。サブピコ秒から数十フェムト秒の超短パルスのレーザ光２０５を材料に照射した場合、材料の熱拡散特性時間に比べてパルス幅が十分に短いため、光エネルギーを有効に照射部に投入できる。

【0211】

その結果、照射周辺部への熱影響が局限することが可能で、高精度な微細加工が実現できる。また、レーザ光の電場強度が非常に高いので、ビームが集光されたところにのみ、空間選択的に多光子吸収、多光子イオン化等の非線形作用を誘起することができる。

【0212】

フェムト秒レーザ光２０５のパルスを照射することにより、レーザ光吸収部２２４及びスリット２２８の形成部に対応する箇所のガラス材料が除去され、凹部２１６が形成される。
パネル基板２０２に対し酸性脱脂剤を用い、例えば４５℃、５分の条件で脱脂を行う（図３８Ｓ１３）。
塩酸系水溶液を用いてプリディップ処理を行う（図３８Ｓ１４）。保持時間は、一例として、２分である。

【0213】

次に、Ｓｎ－Ｐｄ触媒２２９を凹部２１６の表面、及びレーザ光吸収部２２４の残存している部分の表面に付与する（図３８Ｓ１５、図３９（ｄ））。Ｓｎ－Ｐｄ触媒２２９はコロイド状の粒子であり、Ｓｎ－Ｐｄの核部の表面にＳｎ－rich層、及びＳｎ2+層が順に形成されている。

【0214】

次に、活性化を行う（図３８Ｓ１６）。Ｓｎ－Ｐｄ触媒２２９を付与したパネル基板２０２を塩酸系の溶液に浸漬することでＳｎの層が除去され、内部のＰｄ触媒が露出する。Ｐｄ触媒が露出するので、Ｓｎ－Ｐｄ触媒２２９が存在する部分において、無電解Ｎｉ－Ｐめっき液による反応が生じる。

【0215】

アルカリ溶液を用いて、レーザ光吸収部２２４を剥離する（図３８Ｓ１７、図３９（ｅ））。パネル基板２０２のレーザ光吸収部２２４が剥離された部分にはＳｎ－Ｐｄ触媒２２９が存在しない。

【0216】

【0217】

パネル基板２０２の表面に無電解Ｎｉ－Ｐめっきを行い、薄膜ヒータ１１７、温度プローブ１１６が形成される（図３８Ｓ１８、図３９（ｆ））。無電解Ｎｉ－Ｐめっき液としては、酸性領域から中性領域で次亜リン酸ナトリウムを還元剤とする還元析出型の無電解Ｎｉ－Ｐめっき液を用いることができる。

【0218】

キレート剤としては、リンゴ酸、またはクエン酸、またはマロン酸、酒石酸等のオキシカルボン酸、または酢酸やコハク酸等のモノカルボン酸、アンモニアやグリシン等のアミン類を単独もしくは複数併用して用いることができる。無電解Ｎｉ－Ｐめっき液中の還元剤がパネル基板２０２上で電子を放出するように触媒として機能するＰｄが付与されている。したがって、無電解Ｎｉめっき液中のＮｉイオンが、還元剤の酸化反応で放出される電子によって還元され、パネル基板２０２の表面に析出し、薄膜ヒータ１１７、温度プローブ１１６が形成される。

【0219】

本実施形態によれば、難めっき材料からなるパネル基板２０２に対して、特殊な薬液またはフォトリソグラフィの技術を用いることなく、図２５（ｂ）に図示するように、密着性が良好であるＮｉ－Ｐめっきからなるめっき膜２１５を形成することができる。必要に応じて、Ｎｉ－Ｐめっき上に、電解めっきによる銅（Ｃｕ）めっき膜を形成する。
次に、図２５（ｃ）に図示するように、表示モジュール２０３の裏面部のめっき膜２１５に異方性導電膜（ＡＣＦ）２１９を取り付ける。
次に、図２６（ｄ）に図示するように、ＡＣＦ２１９を介して、めっき膜２１５とＣＯＦ２１８の端子電極とを電気的に接続する。

【0220】

ＣＯＦ２１８には、ソースドライバ１６２またはゲートドライバ１６１が実装されている。また、ＣＯＦ２１８には、コンデンサ（図示せず）、電源用のコイル（図示せず）が実装されている。

【0221】

次に、図２６（ｅ）に図示するように、複数の表示モジュール２０３（図２６では、表示モジュール２０３ａ、表示モジュール２０３ｂ）が、近接して配置され、また、組み合わせされる。

【0222】

次に、図２６（ｆ）に図示するように、配置された表示モジュール２０３間にガラス接着剤２２１が塗布され、複数の表示モジュール２０３の組み合わせにより大画面を有する表示パネルが作製される。

【0223】

ガラス接着剤２２１としては、シリコン系、エポキシ系、ウレタン系、これらの紫外線硬化系等の多くから選択することができる。ガラス接着剤は、光透過性を有し、パネル基板２０２の屈折率が近似した材料からなるものを選択することが好ましい。特に、ウレタン接着剤は、一液硬化型で接着強度も高い。紫外線硬化型は、接着工法が容易である。

【0224】

表示モジュール２０３ａと表示モジュール２０３ｂを近接して配置し、位置合わせをする。次に、表示モジュール２０３ａと表示モジュール２０３ｂ間に、ガラス接着剤２２１を流し込む。

【0225】

次に、２～５分間、ＵＶ光をガラス接着剤２２１に照射し、初期硬化させる。次に、ＵＶ光の強度を高くして、再度ＵＶ光を２～３分間、照射して完全硬化させる。

【0226】

なお、ガラス接着剤２２１としたが、ガラスに限定されるものではない。表示モジュール２０３が樹脂の場合は、樹脂接着剤でよい。ガラス接着剤は、表示モジュール２０３のパネル基板２０２と屈折率が等しい、あるいは近似であり接続部が目立ちにくくなるものであればいずれでもよい。
以上の事項は、図３０、図３２、図３４、図３７等においても同様である。また、その一部または全部を組み合わせること、適用できることは言うまでもない。
以下、本発明の第２の実施例における表示モジュール２０３について図面を参照しながら説明をする。

【0227】

図３１は、本発明の第２の実施例における表示パネルの構造の説明図であり、表示パネルの一部を拡大した図面である。図３２は、図３１のＡＡ’線での断面図である。

【0228】

図３１に図示するように、表示モジュール２０３ａに近接して表示モジュール２０３ｂが配置される。なお、表示モジュール２０３ａの右端、表示モジュール２０３ａの紙面上側、表示モジュール２０３ａの紙面下側にも、表示モジュール２０３が配置されることは、図１９の第１の実施例と同様である。

【0229】

図１９の第１の実施例と同様に、表示モジュール２０３ａの信号線２１４ａ（ゲート信号線１６３、ソース信号線１６４等）と、表示モジュール２０３ｂの信号線２１４ｂは平行に、近接して配置される。

【0230】

図１９の第１の実施例、図３１の第２の実施例でも同様であるが、アノード配線Ｖｄｄ、カソード配線Ｖｓｓも信号線２１４と同様に構成され、めっき膜２１５等が形成される。

【0231】

図１６に図示するように、１つのパネル基板２０２には、複数の表示モジュール２０３が作製される。各表示モジュール２０３の４つの端には、位置合わせマーカ２０１が形成、または配置される。

【0232】

パネル基板２０２は、図１６の矢印の位置で切断され、表示モジュール２０３に分離される。図３０（ａ）に図示するように、必要に応じて、表示モジュール２０３はａａ’線、ｂｂ’線、ｃｃ’線、ｄｄ’線で精密切断、あるいは研磨加工される。

【0233】

【0234】

図３０（ｂ）の矢印で図示するように、表示モジュール２０３の端面は、斜面となるように、研磨される。表示モジュール２０３の左右は斜面の形状方向が異なり、また、紙面の上下の斜面の形状方向が異なるように加工される。

【0235】

研削加工とは、一例として、砥石車と呼ばれる円状の大きな工具を高速回転させ、その表面を加工するものに当てることにより、その表面を滑らかな状態に整える。その後、パネル基板２０２の側面を精密研磨加工することにより、平滑化する。また、研磨面をフッ化水素で洗浄することにより、微小なクラックをなくす。あるいは、ＣＰ加工を実施する。

【0236】

図３２で図示するように、表示モジュール２０３ａの左端に表示モジュール２０３ｂが配置される。表示モジュール２０３ａの端部は斜面状に形成され、同様に、表示モジュール２０３ｂの端部は斜面状に形成される。表示モジュール２０３ａの端部と、表示モジュール２０３ｂの端部とが、組み合わせて接するように構成されている。

【0237】

表示モジュール２０３ａの左側端部には、信号線２１４位置に一致させて、凹部が形成されている。凹部には、図２１（ａ）に図示するように、めっき膜２１５が形成されている。

【0238】

第２の実施例では、図３８、図３９等でせつめいしたように、斜面にレーザ光２０５を照射することにより凹部２１６（図示せず）し、めっき膜２１５を形成する。レーザ光２０５の照射部は斜面ながら、表示モジュール２０３の上方からの照射となる。上方からのレーザ光２０５の照射は、表示モジュール２０３の側面側からの照射よりも容易である。

【0239】

なお、第２の実施例における凹部は、第１の実施例における凹部２１６のように必須の構成物ではない。したがって、凹部２１６は、形成しない構成も例示されることは言うまでもない。

【0240】

めっき膜２１５は信号線２１４と電気的に接続される。表示モジュール２０３ａの斜面のめっき膜２１５には、ＡＣＦ２１９が配置され、ＡＣＦ２１９を介してＣＯＦ２１８とめっき膜２１５が電気的に接続されている。表示モジュール２０３の斜面にＡＣＦ２１９が接続できるように、端子形状（図示せず）が形成されている。

【0241】

めっき膜２１５と信号線２１４が接続される箇所で、かつ、信号線２１４の表面にはＩＴＯ膜（図示せず）が形成されている。したがって、信号線２１４を構成する金属材料と、めっき膜２１５間にはＩＴＯ膜が配置されている。ＩＴＯ膜は、好ましくはめっき膜２１５にも形成することが好ましい。
図３１は、表示モジュール２０３の一辺を図示しているが、図３０（ｂ）に図示するように表示モジュール２０３の他の３辺にも斜面を形成する。

【0242】

【0243】

表示モジュール２０３ａと表示モジュール２０３ｂ間にはガラス接着剤２２１が充填される。ガラス接着剤２２１は、表示モジュール２０３ａと表示モジュール２０３ｂを接着するとともに、ＣＯＦ２１８を固定する役割もはたす。

【0244】

表示モジュール２０３ａと表示モジュール２０３ｂの端に形成した斜面で２つの表示モジュール２０３を接続する。斜面で接続するため、接続面積が広く、２つの表示モジュール２０３を強固に接続することができる。また、図２０のように、表示モジュール２０３の裏面にＡＣＦと接続のための端子を形成する必要がない。
表示モジュール２０３の端面は、斜面部と垂直方向に厚みを有する２つの略垂直部を有する。垂直部を厚くするほうがパネル基板２０２はクラックし難くなる。

【0245】

本発明の第２の実施例のおける表示パネルの製造方法について図面を参照しながら説明をする。図３３、図３４は、本発明の表示モジュール２０３の製造方法の説明図である。
図３３（ａ）の実施例では、レーザ光吸収部２２４を形成していないが、図３６（ａ２）に図示するように、レーザ光吸収部２２４を斜面に形成してもよい。
表示モジュール２０３の斜面にめっき膜２１５を形成する方法は、図３８、図３９で説明したので説明を省略する。

【0246】

本実施形態によれば、難めっき材料からなる表示モジュール２０３（パネル基板２０２）に対して、特殊な薬液またはフォトリソグラフィの技術を用いることなく、密着性が良好であるＮｉ－Ｐめっきからなるめっき膜２１５を形成することができる。

【0247】

Ｎｉ－Ｐめっき２１５上には、必要に応じて、銅（Ｃｕ）めっき膜を形成する。また、Ｎｉ－Ｐめっき２１５上には、必要に応じてＩＴＯ膜を形成し、また、銅（Ｃｕ）めっき膜上には必要に応じてＩＴＯ膜を形成する。
図３３（ｃ）に図示するように、表示モジュール２０３の斜面のめっき膜２１５に異方性導電膜（ＡＣＦ）２１９を取り付ける。

【0248】

次に、図３４（ｄ）に図示するように、ＡＣＦ２１９を介して、めっき膜２１５とＣＯＦ２１８の端子電極とを電気的に接続する。接続の際にＡＣＦ２１９を加熱、押圧が必要であるが、押圧方向も表示モジュール２０３の上方からでよいので、製造工程、製造方法が容易である。

【0249】

【0250】

次に、図３４（ｅ）に図示するように、複数の表示モジュール２０３（図３４では、表示モジュール２０３ａ、表示モジュール２０３ｂ）が、近接して配置され、また、組み合わせされる。
次に、図３４（ｆ）に図示するように、配置された表示モジュール２０３間にガラス接着剤２２１が塗布され、ＵＶ（紫外線）光が照射されて、硬化される。
複数の表示モジュール２０３の組み合わせにより大画面を有する表示パネルが作製される。

【0251】

図３２の実施例は、表示モジュール２０３の斜面に、めっき膜２１５を形成し、めっき膜２１５にＡＣＦ２１９を取り付けた構成であった。本発明はこれに限定されるものではない。

【0252】

図３５は、第３の実施例における本発明の表示モジュール２０３の断面図である。図３５では表示モジュール２０３の斜面に貫通穴２２３が形成され、貫通穴２２３にめっき膜２１５ｂが形成されている。全体構成は、図３１、図３２と同様あるいは類似であるので説明を省略する。

【0253】

めっき膜２２３ｂは表示モジュール２０３ａの裏面に端子形状に形成され、斜面のめっき膜２１５ａと電気的に接続されている。めっき膜２１５ａは信号線２１４ａと電気的に接続されている。表示モジュール２０３ａの裏面のめっき膜２１５ｂは、ＡＣＦ２１９が取り付けられ、ＡＣＦ２１９はＣＯＦ２１８が取り付けられている。

【0254】

したがって、表示モジュール２０３ａの信号線２１４ａは、めっき膜２１５ａ、めっき膜２１５ｂ、ＡＣＦ２１９を介して、ドライバＩＣ２２０の出力端子と接続されている。

【0255】

本発明の第３の実施例のおける表示パネルの製造方法について図面を参照しながら説明をする。図３６、図３７は、図３５の本発明の表示モジュール２０３の製造方法の説明図である。
図３６（ａ１）の実施例では、レーザ光吸収部２２４を形成していないが、図３６（ａ２）に図示するように、レーザ光吸収部２２４を斜面に形成してもよい。
表示モジュール２０３の斜面にめっき膜２１５を形成する方法は、図３８、図３９で説明したので説明を省略する。

【0256】

図３６（ａ１）に図示するように、表示モジュール２０３ａの斜面にはＬの範囲にレーザ光２０５が照射される。レーザ光２０５の照射により、めっき膜２１５ａを形成する領域が粗化される。また、好ましくは、加えて凹部２１６が形成される。

【0257】

図３６（ａ２）に図示するように、斜面にレーザ光吸収部２２４を形成することにより、めっき膜２１５ａを形成する領域の粗化が促進される。また、凹部２１６の形成も促進される。

【0258】

次に、図３６（ｂ）に図示するように、貫通穴２２３を形成する領域にレーザ光吸収部２２４を形成する。レーザ光吸収部２２４にレーザ光２０５を照射することにより、容易に貫通穴２２３を形成できる。貫通穴２２３の形成工程時は、レーザ光２０５の貫通穴２２３の形成深さに対応して、レーザ光２０５の焦点位置を移動させる。

【0259】

図３６（ｂ）での貫通穴２２３の形成後、貫通穴２２３部を中心にフッ酸溶液、フッ化水素アンモニウムを浸透させ、貫通穴２２３部のクラックをなくすことが有効である。

【0260】

次に、図３８、図３９で説明しためっき膜の製造方法で、めっき膜２１５ａ、めっき膜２１５ｂを形成する。めっき膜２１５ａ、めっき膜２１５ｂの形成後の表示モジュール２０３の断面を図３６（ｃ）に図示する。

【0261】

本実施形態によれば、難めっき材料からなる表示モジュール２０３（パネル基板２０２）に対して、特殊な薬液またはフォトリソグラフィの技術を用いることなく、密着性が良好であるＮｉ－Ｐめっきからなるめっき膜２１５を形成することができる。
Ｎｉ－Ｐめっき２１５ｂには、貫通穴２２３部に無電解めっきによりめっき膜を形成し、その後、電解めっきにより、銅（Ｃｕ）めっき膜を形成する。

【0262】

図３７（ｃ）に図示するように、表示モジュール２０３の裏面のめっき膜２１５ｂに異方性導電膜（ＡＣＦ）２１９を取り付ける。また、ＡＣＦ２１９を介して、めっき膜２１５ｂとＣＯＦ２１８の端子電極とを電気的に接続する。

【0263】

次に、図３７（ｅ）に図示するように、複数の表示モジュール２０３（図３７では、表示モジュール２０３ａ、表示モジュール２０３ｂ）が、近接して配置され、また、組み合わせされる。複数の表示モジュール２０３の組み合わせにより大画面を有する表示パネルが作製される。
次に、図３７（ｆ）に図示するように、配置された表示モジュール２０３間にガラス接着剤２２１が塗布され、ＵＶ（紫外線）光が照射されて、硬化される。
本実施の形態に係る表示ディスプレイ、表示パネル、表示モジュール２０３は、情報機器等のシステム機器を含む概念である。
以上のように、本開示における技術の例示として、実施の形態を説明した。そのために、添付図面及び詳細な説明を提供した。

【0264】

したがって、添付図面及び詳細な説明に記載された構成要素の中には、課題解決のために必須な構成要素だけでなく、上記技術を例示するために、課題解決のためには必須でない構成要素も含まれ得る。そのため、それらの必須ではない構成要素が添付図面や詳細な説明に記載されていることをもって、直ちに、それらの必須ではない構成要素が必須であるとの認定をするべきではない。

【0265】

上述の実施の形態は、本開示における技術を例示するためのものであるから、特許請求の範囲またはその均等の範囲において種々の変更、置き換え、付加、省略等を行うことができる。

【0266】

以上、本明細書において、実施形態に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能である。
本明細書及び図面に記載した事項あるいは内容は、一部または全部を相互に組み合わせることができることは言うまでもない。

【産業上の利用可能性】

【0267】

本開示は、特に、アクティブ型のＬＥＤディスプレイ、ＬＥＤ表示パネルに有用である。ＬＥＤは、ＬＥＤチップ、マイクロＬＥＤ、ナノＬＥＤ等の多くのサイズに適用できる。

【符号の説明】

【0268】

１６１ゲートドライバＩＣ
１６２ソースドライバＩＣ
１６３ゲート信号線
１６４ソース信号線
１６５表示画面
１７１コンデンサ
１７２ＬＥＤ
１７３トランジスタ
１７４接続電極
１７５画素
１７６拡散材
２０１位置合わせマーカ
２０２パネル基板
２０３表示モジュール
２０４レーザ加工装置
２０５レーザ光
２０６画像認識装置
２０７溝状マーカ
２１１反射膜
２１２マスク
２１４信号線
２１５めっき膜
２１６凹部
２１７ＸＹＺステージ
２１８ＣＯＦ
２１９ＡＣＦ
２２０ドライバＩＣ
２２１ガラス接着剤
２２２レーザ光吸収部
２２３貫通穴
２２４レーザ光吸収部
２２５容器
２２６オプティカルカップリング液
２２７照明光
２２８スリット
２２９Ｓｎ－Ｐｄ触媒
３０１レーザミラー
３０２ミラー基材
３０３反射膜
３０４誘電体ミラー
３０５プリズム

【図1】