特開 2023-121102 光電半導体装置及び光電半導体のパッケージング方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023121102

(43)【公開日】2023-08-30

(54)【発明の名称】光電半導体装置及び光電半導体のパッケージング方法

(51)【国際特許分類】

   H01S 5/02212 20210101AFI20230823BHJP

   H01S 5/02253 20210101ALI20230823BHJP

【ＦＩ】

H01S5/02212

H01S5/02253

【審査請求】未請求

【請求項の数】10

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022066966

(22)【出願日】2022-04-14

(31)【優先権主張番号】202210152381.X

(32)【優先日】2022-02-18

(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN

(71)【出願人】

【識別番号】520166796

【氏名又は名称】鴻富泰精密電子（煙台）有限公司

(71)【出願人】

【識別番号】500080546

【氏名又は名称】鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司

【氏名又は名称原語表記】ＨＯＮ ＨＡＩ ＰＲＥＣＩＳＩＯＮ ＩＮＤＵＳＴＲＹ ＣＯ．，ＬＴＤ．

【住所又は居所原語表記】６６，Ｃｈｕｎｇ Ｓｈａｎ Ｒｏａｄ，Ｔｕ－Ｃｈｅｎｇ Ｎｅｗ Ｔａｉｐｅｉ，２３６（ＴＷ）

(74)【代理人】

【識別番号】110002848

【氏名又は名称】弁理士法人ＮＩＰ＆ＳＢＰＪ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】江 ▲協▼志

(72)【発明者】

【氏名】邱 崇哲

(72)【発明者】

【氏名】阮 智▲偉▼

(72)【発明者】

【氏名】曾 ▲シャク▼▲鋒▼

【テーマコード（参考）】

5F173

【Ｆターム（参考）】

5F173MA10

5F173MB02

5F173MC21

5F173MD05

5F173MD13

5F173MD35

5F173MD58

5F173MD64

5F173MD84

5F173ME03

5F173ME15

5F173ME22

5F173ME32

5F173ME44

5F173ME47

5F173ME63

5F173ME72

5F173ME83

5F173MF39

(57)【要約】      （修正有）

【課題】光電半導体装置と回路基板との溶接を容易にするために、光電半導体装置及び光電半導体のパッケージング方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基台１０と、光電半導体と、導電体４０と、上部カバー２０とを備える光電半導体装置１００を開示する。上部カバーは、基台に設けられ、基台と共同で収容チャンバーを形成し、且つ収容チャンバーに連通する開口を有する。前記導電体は、基台における上部カバーから離れた側に垂直に固定される。前記光電半導体は、導電体と電気的に接続するように基台に固定され、前記収容チャンバー内に収容され、且つ前記光電半導体からの励起光が上部カバーを通過するように、前記開口に面している。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基台と、光電半導体と、導電体とを備える光電半導体装置であって、
前記基台に被覆され、前記基台と共同で収容チャンバーを形成し、且つ前記収容チャンバーに連通する第１開口を有する上部カバーと、
前記導電体は、前記基台における前記上部カバーとは反対側の面に垂直に固定され、
前記光電半導体は、前記導電体に電気的に接続されるように前記基台に固定され、且つ前記収容チャンバー内に収容され、
前記光電半導体は、前記光電半導体からの励起光が前記上部カバーを通過するように、前記第１開口に面していることを特徴とする光電半導体装置。

【請求項2】

前記基台は、第２開口を有する金属枠体と、前記第２開口内に固定された金属プレートとを備え、
前記金属枠体の周辺には、複数の固定孔が設けられており、前記導電体は、前記固定孔から露出するように前記固定孔に固定されていることを特徴とする請求項１に記載の光電半導体装置。

【請求項3】

複数の前記固定孔は、前記基台の両縁に対をなすように設けられ、複数の前記導電体は、前記固定孔に対をなすように固定され、複数の前記光電半導体は、前記基台において結晶アレイを構成しており、各列の前記光電半導体は、一対の前記導電体に対応し、同列かつ隣接する２つの前記光電半導体は、電気的に接続されることを特徴とする請求項２に記載の光電半導体装置。

【請求項4】

前記固定孔の中には、金属スリーブ及び封止スリーブがさらに固定され、前記金属スリーブは、前記封止スリーブを取り囲むように設けられ、前記導電体は、前記封止スリーブに穿設されることを特徴とする請求項２に記載の光電半導体装置。

【請求項5】

前記金属スリーブは、第１スリーブ及び第２スリーブを含み、前記第１スリーブと前記第２スリーブとの間には、段差部が形成されており、前記段差部は、前記金属枠体における前記上部カバーの反対側に突き当てられることを特徴とする請求項４に記載の光電半導体装置。

【請求項6】

レンズ及び封止枠をさらに備え、前記レンズ及び前記封止枠は、前記収容チャンバー内に収容され、
前記レンズは、前記光電半導体と前記封止枠との間に位置し、
前記封止枠は、前記上部カバーにおける前記第１開口の縁と前記レンズとの間に装着されることを特徴とする請求項１に記載の光電半導体装置。

【請求項7】

前記上部カバーにおける前記基台とは反対側の面を覆う外装層をさらに備え、
前記外装層には、前記上部カバーから離れる方向へ突出する円弧状の集光部が設けられており、
前記集光部の数は、前記基台における前記光電半導体の数と同じであり、
前記集光部が対応する前記光電半導体が発生する励起光の光路上に位置することを特徴とする請求項１に記載の光電半導体装置。

【請求項8】

導電体を基台に垂直に固定する工程と、
光電半導体を前記基台における前記導電体から離れる側に固定し、且つ前記光電半導体を対応する前記導電体と導線により接続する工程と、
レンズ及び第１開口を有する上部カバーを封止枠の両側に固定し、前記光電半導体を前記基台と前記上部カバーとの間に収容し且つ前記第１開口に面するように、前記上部カバーを前記基台における前記導電体から離れた側にレーザ溶接により固定する工程と、
を備えることを特徴とする光電半導体のパッケージング方法。

【請求項9】

集光部を有する外装層を用意し、且つ前記集光部が前記光電半導体に対向するように、前記外装層で前記上部カバーの前記第１開口を覆うとともに前記外装層を前記上部カバーに固定する工程をさらに備えることを特徴とする請求項８に記載の光電半導体のパッケージング方法。

【請求項10】

前記導電体を基台に垂直に固定する工程は、
前記基台において第２開口を開設する工程と、
封止スリーブを長尺ロッド状の前記導電体の周面の一部を被覆してから、金属スリーブを前記封止スリーブに取り囲むように装着する工程と、
前記金属スリーブを前記基台の固定孔内に挿入する工程と、
前記導電体、前記封止スリーブ及び前記金属スリーブが挿入された前記基台を高温環境下に放置して所定時間焼成し、前記封止スリーブを溶融させ、且つ前記封止スリーブが溶融した後、前記封止スリーブが冷却されるまで待って、前記基台に前記導電体を密封するように固定する工程と、
を含むことを特徴とする請求項８に記載の光電半導体のパッケージング方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、光電半導体技術分野に関し、特に、光電半導体装置及び光電半導体のパッケージング方法に関する。

【背景技術】

【0002】

現在の光電半導体産業においては、銅、アルミニウム等の金属元素を含む合金材料をプレス方式でカットし、カットした合金材料を再びホットフィラメント溶融技術によって半導体基台上に固定して、さらに光電半導体のパッケージを完成させることがしばしば行われている。従来の光電半導体装置におけるピンは、パッケージ構造の制約から、基台と平行になるように折り曲げて設けられているが、このように、光電半導体装置のピンを回路基板における電子素子に半田付けする際に、ピンが基台方向に一定の長さを有するため、半田付け作業に不便を与える。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0003】

本願の主な目的は、光電半導体装置と回路基板との溶接を容易にするために、光電半導体装置及び光電半導体のパッケージング方法を提供することである。

【0004】

上記の目的を達成するために、本発明の１つの局面に係る光電半導体装置は、基台と、光電半導体と、導電体と、前記基台に被覆され、前記基台と共同で収容チャンバーを形成し、且つ前記収容チャンバーに連通する第１開口を有する上部カバーとを備え、
前記導電体は、前記基台における前記上部カバーとは反対側の面に垂直に固定され、前記光電半導体は、前記導電体に電気的に接続されるように前記基台に固定され、且つ前記収容チャンバー内に収容され、
前記光電半導体は、前記光電半導体からの励起光が前記上部カバーを通過するように、前記第１開口に面している。

【0005】

さらに、前記基台は、第２開口を有する金属枠体と、前記第２開口内に固定された金属プレートとを備え、
前記金属枠体の周辺には、複数の固定孔が設けられており、前記導電体は、前記固定孔から露出するように前記固定孔に固定されている。

【0006】

さらに、複数の前記固定孔は、前記基台の両縁に対をなすように設けられ、複数の前記導電体は、前記固定孔に対をなすように固定され、複数の前記光電半導体は、前記基台において結晶アレイを構成しており、各列の前記光電半導体は、一対の前記導電体に対応し、同列かつ隣接する２つの前記光電半導体は、電気的に接続される。

【0007】

さらに、前記固定孔の中には、金属スリーブ及び封止スリーブがさらに固定され、前記金属スリーブは、前記封止スリーブを取り囲むように設けられ、前記導電体は、前記封止スリーブに穿設される。

【0008】

さらに、前記金属スリーブは、第１スリーブ及び第２スリーブを含み、前記第１スリーブと前記第２スリーブとの間には、段差部が形成されており、前記段差部は、前記金属枠体における前記上部カバーの反対側に突き当てられる。

【0009】

さらに、レンズ及び封止枠をさらに備え、前記レンズ及び前記封止枠は、前記収容チャンバー内に収容され、
前記レンズは、前記光電半導体と前記封止枠との間に位置し、
前記封止枠は、前記上部カバーにおける前記第１開口の縁と前記レンズとの間に装着される。

【0010】

さらに、前記上部カバーにおける前記基台とは反対側の面を覆う外装層をさらに備え、
前記外装層には、前記上部カバーから離れる方向へ突出する円弧状の集光部が設けられており、
前記集光部の数は、前記基台における前記光電半導体の数と同じであり、
前記集光部が対応する前記光電半導体が発生する励起光の光路上に位置する。

【0011】

また、本発明の他の局面に係る光電半導体のパッケージング方法は、
導電体を基台に垂直に固定する工程と、
光電半導体を前記基台における前記導電体から離れる側に固定し、且つ前記光電半導体を対応する前記導電体と導線により接続する工程と、
レンズ及び第１開口を有する上部カバーを封止枠の両側に固定し、前記光電半導体を前記基台と前記上部カバーとの間に収容し且つ前記第１開口に面するように、前記上部カバーを前記基台における前記導電体から離れた側にレーザ溶接により固定する工程と、を備える。

【0012】

さらに、前記光電半導体のパッケージング方法は、集光部を有する外装層を用意し、且つ前記集光部が前記光電半導体に対向するように、前記外装層で前記上部カバーの前記第１開口を覆うとともに前記外装層を前記上部カバーに固定する工程を備える。

【0013】

さらに、前記導電体を基台に垂直に固定する工程は、
前記基台において第２開口を開設する工程と、
封止スリーブを長尺ロッド状の前記導電体の周面の一部を被覆してから、金属スリーブを前記封止スリーブに取り囲むように装着する工程と、
前記金属スリーブを前記基台の固定孔内に挿入する工程と、
前記導電体、前記封止スリーブ及び前記金属スリーブが挿入された前記基台を高温環境下に放置して所定時間焼成し、前記封止スリーブを溶融させ、且つ前記封止スリーブが溶融した後、前記封止スリーブが冷却されるまで待って、前記基台に前記導電体を密封するように固定する工程と、を含む。

【発明の効果】

【0014】

上述した光電半導体装置及び光電半導体のパッケージング方法は、基台における前記光電半導体から遠い側に導電体を垂直に設けて、光電半導体を他の電子部品と半田付けする際に、導電体の基台から遠い側の一端を電子部品に合わせておけばよい。これにより、溶接の作業が容易になるとともに、１つの導電体が同時に複数の電子部品に接触することによる溶接不良を起こすことが避けられる。

【図面の簡単な説明】

【0015】

【図1】本願実施例によって提供される光電半導体装置の斜視図である。

【図2】図１に示した光電半導体装置の分解模式図である。

【図3】図１に示した光電半導体装置のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿った断面図である。

【図4】図１に示した光電半導体装置のＩＶ－ＩＶ線に沿った断面図である。

【図5】本願が提供する光電半導体のパッケージング方法のフローチャートである。

【図6】図５に示した光電半導体のパッケージング方法を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0016】

本技術分野の当業者が本願の技術提案をよりよく理解できるように、以下、本願実施例に添付された図面を用いて本願実施例に係る発明を明確かつ完全に述べることとし、当然のことながら、述べられた実施例はただ本願の一部の実施例のみであり、全ての実施例ではない。本発明における実施例に基づいて、当業者は創造的な工夫なしになし得るすべての他の実施例についても、本発明の保護を求めようとする範囲となるべきである。

【0017】

本願の明細書及び上記添付図面における「第１」及び「第２」等の用語は、特定の順序を記述するものではなく、異なる対象を区別するために用いられる。また、「含む」、及びそれらの任意の変形は、網羅的に含まれることを意図している。例えば、一連の工程またはモジュールを含むプロセス、方法、システム、製品または装置は、リストアップされた工程またはモジュールに限定されるものではなく、リストアップされていない工程またはモジュールを含んでいてもよいし、これらプロセス、方法、製品、または装置に固有する他の工程またはモジュールを含んでいてもよい。

【0018】

図１乃至図４に示すように、本発明は、基台１０と、上部カバー２０と、光電半導体３０と、導電体４０とを備える光電半導体装置１００を提供する。上部カバー２０は、基台１０に被せられて基台１０と共同で収容チャンバー２１を形成しており、且つ当該収容チャンバー２１に連通する第１開口２２を有している。導電体４０は、基台１０における上部カバー２０の反対側の面に垂直に固定される。光電半導体３０は、基台１０に固定されて、収容チャンバー２１内に収容され、且つ導電体４０と電気的に接続される。また、光電半導体３０は、光電半導体３０における励起光が上部カバー２０を通過するように第１開口２２に面している。光電半導体装置１００における導電体４０は、基台１０における光電半導体３０から離れた側に垂直に設けられる。光電半導体３０を他の電子部品と半田付けする際に、導電体４０の基台１０から離れる一端を電子部品と位置合わせすればよい。これにより、半田付けの作業が容易になるとともに、１つの導電体４０が同時に複数の電子部品に接触することによる溶接不良を起こすことが避けられる。

【0019】

具体的には、光電半導体３０は、レーザ半導体である。光電半導体装置１００は、レーザダイオードであり、光源部として投影装置に適用することができる。

【0020】

一実施形態において、基台１０は、第２開口１１１を有する金属枠体１１と、第２開口１１１内に固定される金属プレート１２と、を備える。金属枠体１１及び金属プレート１２は、鉄、鉄合金又は銅などの金属材料によって作られている。金属枠体１１には、複数の固定孔１１２が設けられている。導電体４０は、外部回路と接続するために、固定孔１１２を通り抜けて露出している。

【0021】

図１に示した実施形態においては、複数対の固定孔１１２が基台１０の両縁に設けられており、複数対の長尺ロッド状の導電体４０が固定孔１１２内に固定される。複数の光電半導体３０が基台１０において結晶アレイを構成し、各列の光電半導体３０が一対の導電体４０に対応し、同列かつ隣接する２つの光電半導体３０が電気的に接続されている。導電体４０に隣接する光電半導体３０は、当該導電体４０と電気的に接続される。

【0022】

なお、他の実施形態では、光電半導体３０の数は１つ又は１列である。これに対応して、固定孔１１２は一対であってもよく、導電体４０も一対であってもよい。

【0023】

一実施形態では、固定孔１１２の中には、金属スリーブ５０及び封止スリーブ６０がさらに固定される。金属スリーブ５０は、封止スリーブ６０を取り囲むように設けられる。導電体４０は、封止スリーブ６０に穿設される。即ち、封止スリーブ６０は、導電体４０を取り囲むように設けられる。ここで、金属スリーブ５０は、第１スリーブ５１及び第２スリーブ５２を含む。第１スリーブ５１の外径が第２スリーブ５２の外径よりも大きいので、両者の間には段差部５３が形成されている。段差部５３は、金属枠体１１における上部カバー２０の反対側に突き当てられ、金属スリーブ５０を固定孔１１２の中に位置決めする。封止スリーブ６０は、封止樹脂を用いて製造されることができる。封止樹脂は、例えば、低温ガラスであってもよく、低い融解温度（例えば、融解温度が３００～４００℃程度）、耐高圧（例えば、約１０^－９Ｐａ程度の高圧に耐え得る）、封止効果を達成できるという利点がある。導電体４０の基台１０に挿着する一端に封止スリーブ６０を被せてから、両者を金属スリーブ５０の中に挿入し、最後に、封止スリーブ６０を被覆する金属スリーブ５０を固定孔１１２の中に挿入する。これにより、導電体４０が封止スリーブ６０及び金属スリーブ５０を介して対応する固定孔１１２内に挿入される際に、封止スリーブ６０が導電体４０と金属スリーブ５０との間に充填され、金属スリーブ５０が焼結により固定孔１１２に固定されるときに、封止スリーブ６０が溶融して導電体４０と基台１０との間に隙間がないようにし、封止効果を達成することができる。

【0024】

光電半導体３０は、結晶粒子３１と、反射部材３２とを含む。結晶粒子３１は、励起されると発光し、導電体４０や他の結晶粒子３１と電気的に接続可能である。反射部材３２は、結晶粒子３１の励起光の出射光路に設けられ、励起光を反射し、励起光の方向を変化させる役割を果たす。導電体４０は、鉄－ニッケル－コバルト合金材質からなり、光電半導体装置１００のピンとして、光電半導体３０に外部からの正、負電圧を導入し、光電半導体３０が励起して発光できるようにする。

【0025】

図１に示した実施形態では、光電半導体３０の数は複数であり、複数の光電半導体３０は、結晶アレイを構成して、複数列に形成されているが、他の実施形態では、光電半導体３０が１つまたは１列であってもよい。

【0026】

光電半導体装置１００は、レンズ７０及び封止枠８０をさらに備える。レンズ７０及び封止枠８０は、収容チャンバー２１内に収容される。そして、レンズ７０は、光電半導体３０と封止枠８０との間に位置する。封止枠８０は、上部カバー２０における第１開口２２の縁とレンズ７０との間に装着されている。結晶粒子３１が発生した励起光は、反射部材３２により反射されると、レンズ７０へ直射でき、さらにレンズ７０を通過してから第１開口２２を通って外部へ出射される。封止枠８０が上部カバー２０における第１開口２２の端縁とレンズ７０との間に挟持されることにより、封止枠８０は上部カバー２０における第１開口２２の縁とレンズ７０との間の隙間を埋める役割を果たし、光電半導体装置１００の気密性や安全性に貢献する。

【0027】

一実施形態において、封止枠８０は、封止樹脂からなるが、低温ガラスであってもよい。上部カバー２０は、ニッケル－コバルト合金材料からなる。このように、封止枠８０及び上部カバー２０は何れも低熱膨張性を有し、熱膨張係数差が小さく、異なる素子の材質の熱膨張係数差が大き過ぎることに起因する素子の位置ずれの問題を回避できる。封止枠８０は、加熱溶融された後に、上部カバー２０における第１開口２２の縁とレンズ７０とに更に貼り合わせることができ、シール効果が一層高くなる。

【0028】

光電半導体装置１００は、上部カバー２０における基台１０とは反対側の面を覆う外装層９０をさらに含む。外装層９０には、上部カバー２０から離れる方向へ突出する円弧状の集光部９１が設けられている。集光部９１の数は、基台１０における光電半導体３０の数と同じである。集光部９１毎に1つの光電半導体３０に対応する。集光部９１が対応する光電半導体３０が発生する励起光の光路上に位置し、レンズ７０を透過した励起光を１つのビームに集める。これにより、光電半導体装置１００が投影装置の光源部分とする場合、大きな光強度を有することができる。外装層９０は、ガラス材質を用いることができ、耐熱性、耐圧性及びシール性に優れており、例えばＵＶゴムなどの接着剤によって上部カバー２０に粘着される。

【0029】

図５～図６は、それぞれ本願が提供する光電半導体のパッケージング方法のフローチャート及び概略図を示している。当該方法は、上述したような光電半導体装置１００を製造するために用いられ、以下の工程を備える。

【0030】

工程Ｓ１０では、導電体４０を基台１０に垂直に固定する。

【0031】

具体的には、一実施形態では、上記の工程Ｓ１０に係る「導電体４０を基台１０に垂直に固定する」ことは、具体的に次の通りである。先ず、基台１０において、第２開口１１１を開設する。次に、封止スリーブ６０を長尺ロッド状の導電体４０の周面の一部を被覆してから、金属スリーブ５０を封止スリーブ６０に取り囲むように装着する。次に、金属スリーブ５０を固定孔１１２内に挿入する。最後に、導電体４０、封止スリーブ６０及び金属スリーブ５０が挿入された基台１０を高温環境下に放置して所定時間焼成し、この封止スリーブ６０を溶融させ、且つ封止スリーブ６０が溶融した後、封止スリーブ６０が冷却されるまで待って、基台１０に導電体４０を密封するように固定する。

【0032】

工程Ｓ２０では、光電半導体３０を基台１０における導電体４０から離れる側に固定し、且つ光電半導体３０と対応する導電体４０とを導線により接続する。

【0033】

工程Ｓ３０では、レンズ７０及び第１開口２２を有する上部カバー２０を封止枠８０の両側に固定し、光電半導体３０を基台１０と上部カバー２０との間に収容し且つ第１開口２２に面するように、上部カバー２０を基台１０における導電体４０から離れた側にレーザ溶接により固定する。

【0034】

具体的には、基台１０は鉄銅合金であり、上部カバー２０は鉄－ニッケル合金であり、レンズ７０、封止枠８０及び上部カバー２０を共に、一定の温度で（例えば、４００℃～５００℃）、一定の気圧で（例えば、１０^－９Ｐａの真空雰囲気）一定の時間（１ｈ～２ｈ）焼成し、封止枠８０が溶融して冷却するまで待つと、上部カバー２０の第１開口２２の縁部とレンズ７０との接続部がシールされる。

【0035】

続いて、上部カバー２０と基台１０との接触箇所に銀銅半田ペーストを塗布した後、上部カバー２０と基台１０とを銀溶接炉にセットして、予め設定された温度で（例えば、９００～１０００℃）、予め設定された気圧で（例えば、１０^－９Ｐａの真空雰囲気）予め設定された時間（例えば、１～２ｈ）を焼成することにより、上部カバー２０が銀銅半田ペーストによって基台１０にろう付けされる。この真空焼成プロセスでは、銀銅半田ペーストが不純物により化学反応して発生するガスの減少に有利であり、ガスが逃げて気孔が形成されることに起因して、上部カバー２０と基台１０との接合部、すなわち溶接ビードの気密性が損なわれることを回避できる。

【0036】

工程Ｓ４０では、集光部９１を有する外装層９０を用意し、且つ集光部９１が光電半導体３０に対向するように、外装層９０で上部カバー２０の第１開口２２を覆うように外装層９０を上部カバー２０に固定する。

【0037】

なお、外装層９０は、予め成型されており、装着時には、ＵＶゴムなどの接着剤によって上部カバー２０に固定すればよいことが理解される。

【0038】

なお、他の実施形態において、光電半導体のパッケージング方法は、上述した工程Ｓ１０～Ｓ３０を備えるが、工程Ｓ４０を含まなくてもよい。

【0039】

なお、前述の各方法実施形態については、簡単に記述するために、一連の動作の組み合わせとして表現することとしたが、当業者は、本発明が記述された動作順序に制限されることなく、本発明によって、ある工程の順序を変えてもよいし、一部の工程を同時に行われてもよい。

【0040】

以上述べた実施例は、本願の技術案を説明するためにのみ使用され、それを制限するものではない。前述の実施例を参照して本願を詳細に説明しているにもかかわらず、当業者は、前述の各実施例に記載されている技術案を補正したり、その技術的特徴の一部を同等に置換したりすることが可能である。これらの補正又は置換は、対応する発明の本質を本願発明の範囲から逸脱させるものではない。

【符号の説明】

【0041】

１００ 光電半導体装置
１０ 基台
１１ 金属枠体
１１１ 第２開口
１１２ 固定孔
１２ 金属プレート
２０ 上部カバー
２１ 収容チャンバー
２２ 第１開口
３０ 光電半導体
３１ 結晶粒子
３２ 反射部材
４０ 導電体
５０ 金属スリーブ
５１ 第１スリーブ
５２ 第２スリーブ
５３ 段差部
６０ 封止スリーブ
７０ レンズ
８０ 封止枠
９０ 外装層
９１ 集光部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】