(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023122205
(43)【公開日】2023-09-01
(54)【発明の名称】積層セラミックコンデンサ及び回路基板
(51)【国際特許分類】
H01G 4/30 20060101AFI20230825BHJP
H01G 2/06 20060101ALI20230825BHJP
【ＦＩ】
H01G4/30 513
H01G4/30 512
H01G4/30 201C
H01G4/30 201F
H01G4/30 201K
H01G2/06 500
【審査請求】未請求
【請求項の数】8
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022025772
(22)【出願日】2022-02-22
(71)【出願人】
【識別番号】000204284
【氏名又は名称】太陽誘電株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100087480
【弁理士】
【氏名又は名称】片山 修平
(72)【発明者】
【氏名】武井 重人
(72)【発明者】
【氏名】笹木 隆
【テーマコード（参考）】
5E001
5E082
【Ｆターム（参考）】
5E001AB03
5E001AC02
5E001AC09
5E001AE01
5E001AE02
5E001AE03
5E001AF06
5E082AA01
5E082AB03
5E082BC31
5E082EE04
5E082EE16
5E082EE35
5E082FF05
5E082FG04
5E082FG26
5E082FG46
5E082GG10
5E082GG11
5E082GG28
5E082JJ06
5E082PP09
(57)【要約】
【課題】低背型であり、取り扱い性及び抗折強度を確保することが可能な積層セラミックコンデンサ及び回路基板を提供する。
【解決手段】積層セラミックコンデンサは、セラミック素体と、第１乃至第４外部電極と、を具備する。セラミック素体は、第１乃至第４側面と、２つの側面を接続する第１乃至第４稜部と、第１及び第２内部電極と、を有する。各外部電極は、稜部をそれぞれ覆い、内部電極に接続される。積層セラミックコンデンサは、第１寸法Ｔが１１０μｍ以下であり、第２寸法Ｌに対する第３寸法Ｗの比率が、０．５以上０．８５未満である。内部電極は、対向部からＸ軸及びＹ軸方向外側に傾いて延び、稜部にそれぞれ面する引出部を有する。
【選択図】図１４
【解決手段】積層セラミックコンデンサは、セラミック素体と、第１乃至第４外部電極と、を具備する。セラミック素体は、第１乃至第４側面と、２つの側面を接続する第１乃至第４稜部と、第１及び第２内部電極と、を有する。各外部電極は、稜部をそれぞれ覆い、内部電極に接続される。積層セラミックコンデンサは、第１寸法Ｔが１１０μｍ以下であり、第２寸法Ｌに対する第３寸法Ｗの比率が、０．５以上０．８５未満である。内部電極は、対向部からＸ軸及びＹ軸方向外側に傾いて延び、稜部にそれぞれ面する引出部を有する。
【選択図】図１４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１軸に垂直な第１及び第２主面と、
前記第１軸に直交する第２軸に垂直な第１及び第２側面と、
前記第１軸及び前記第２軸に直交する第３軸に垂直な第３及び第４側面と、
前記第１及び第４側面を接続する第１稜部と、
前記第２及び第３側面を接続する第２稜部と、
前記第１及び第３側面を接続する第３稜部と、
前記第２及び第４側面を接続する第４稜部と、
前記第１軸方向にセラミック層を介して交互に積層された第１及び第２内部電極と、
を有するセラミック素体と、
前記第１及び第２稜部をそれぞれ覆い、前記第１内部電極に接続された第１及び第２外部電極と、
前記第３及び第４稜部をそれぞれ覆い、前記第２内部電極に接続された第３及び第４第外部電極と、
を具備し、
前記第１軸方向における最大寸法である第１寸法が１１０μｍ以下であり、
前記第２軸方向における最大寸法である第２寸法に対する前記第３軸方向における最大寸法である第３寸法の比率が、０．５以上０．８５未満であり、
前記第１内部電極は、
前記第２内部電極と前記第１軸方向に対向する第１対向部と、
前記第１対向部から前記第２及び第３軸方向に対して外側に傾いて延び、前記第１及び第２稜部にそれぞれ面する一対の第１引出部と、を有し、
前記第２内部電極は、
前記第１対向部と前記第１軸方向に対向する第２対向部と、
前記第２対向部から前記第２及び第３軸方向に対して外側に傾いて延び、前記第３及び第４稜部にそれぞれ面する一対の第２引出部と、を有する
積層セラミックコンデンサ。
前記第１軸に直交する第２軸に垂直な第１及び第２側面と、
前記第１軸及び前記第２軸に直交する第３軸に垂直な第３及び第４側面と、
前記第１及び第４側面を接続する第１稜部と、
前記第２及び第３側面を接続する第２稜部と、
前記第１及び第３側面を接続する第３稜部と、
前記第２及び第４側面を接続する第４稜部と、
前記第１軸方向にセラミック層を介して交互に積層された第１及び第２内部電極と、
を有するセラミック素体と、
前記第１及び第２稜部をそれぞれ覆い、前記第１内部電極に接続された第１及び第２外部電極と、
前記第３及び第４稜部をそれぞれ覆い、前記第２内部電極に接続された第３及び第４第外部電極と、
を具備し、
前記第１軸方向における最大寸法である第１寸法が１１０μｍ以下であり、
前記第２軸方向における最大寸法である第２寸法に対する前記第３軸方向における最大寸法である第３寸法の比率が、０．５以上０．８５未満であり、
前記第１内部電極は、
前記第２内部電極と前記第１軸方向に対向する第１対向部と、
前記第１対向部から前記第２及び第３軸方向に対して外側に傾いて延び、前記第１及び第２稜部にそれぞれ面する一対の第１引出部と、を有し、
前記第２内部電極は、
前記第１対向部と前記第１軸方向に対向する第２対向部と、
前記第２対向部から前記第２及び第３軸方向に対して外側に傾いて延び、前記第３及び第４稜部にそれぞれ面する一対の第２引出部と、を有する
積層セラミックコンデンサ。
【請求項2】
請求項１に記載の積層セラミックコンデンサであって、
前記一対の第１引出部各々は、前記第１対向部から、前記第１稜部又は前記第２稜部によって接続される２つの側面に向かって、前記第２及び第３軸方向における外側にそれぞれ延びる一対の第１側縁部をそれぞれ含み、
前記一対の第２引出部各々は、前記第２対向部から、前記第３稜部又は前記第４稜部によって接続される２つの側面に向かって、前記第２及び第３軸方向における外側にそれぞれ延びる一対の第２側縁部をそれぞれ含む
積層セラミックコンデンサ。
前記一対の第１引出部各々は、前記第１対向部から、前記第１稜部又は前記第２稜部によって接続される２つの側面に向かって、前記第２及び第３軸方向における外側にそれぞれ延びる一対の第１側縁部をそれぞれ含み、
前記一対の第２引出部各々は、前記第２対向部から、前記第３稜部又は前記第４稜部によって接続される２つの側面に向かって、前記第２及び第３軸方向における外側にそれぞれ延びる一対の第２側縁部をそれぞれ含む
積層セラミックコンデンサ。
【請求項3】
請求項２に記載の積層セラミックコンデンサであって、
前記一対の第１側縁部は、相互に実質的に平行に延び、
前記一対の第２側縁部は、相互に実質的に平行に延びる
積層セラミックコンデンサ。
前記一対の第１側縁部は、相互に実質的に平行に延び、
前記一対の第２側縁部は、相互に実質的に平行に延びる
積層セラミックコンデンサ。
【請求項4】
請求項１から３のいずれか一項に記載の積層セラミックコンデンサであって、
前記第２寸法は、１０００μｍ以下である
積層セラミックコンデンサ。
前記第２寸法は、１０００μｍ以下である
積層セラミックコンデンサ。
【請求項5】
請求項１から４のいずれか一項に記載の積層セラミックコンデンサであって、
前記第２寸法に対する、前記第２軸方向に隣り合う前記第１及び第４外部電極の間の前記第２軸方向における最小距離の比率は、０．０５以上０．９５以下である
積層セラミックコンデンサ。
前記第２寸法に対する、前記第２軸方向に隣り合う前記第１及び第４外部電極の間の前記第２軸方向における最小距離の比率は、０．０５以上０．９５以下である
積層セラミックコンデンサ。
【請求項6】
請求項１から５のいずれか一項に記載の積層セラミックコンデンサであって、
前記第３寸法に対する、前記第３軸方向に隣り合う前記第１及び第２外部電極の間の前記第３軸方向における最小距離の比率は、０．０５以上０．９５以下である
積層セラミックコンデンサ。
前記第３寸法に対する、前記第３軸方向に隣り合う前記第１及び第２外部電極の間の前記第３軸方向における最小距離の比率は、０．０５以上０．９５以下である
積層セラミックコンデンサ。
【請求項7】
請求項１から６のいずれか一項に記載の積層セラミックコンデンサであって、
前記第１外部電極の前記第１側面からの前記第２軸方向における突出寸法は、３μｍ以上３０μｍ以下である
積層セラミックコンデンサ。
前記第１外部電極の前記第１側面からの前記第２軸方向における突出寸法は、３μｍ以上３０μｍ以下である
積層セラミックコンデンサ。
【請求項8】
実装面を有する基板本体と、
前記実装面に実装され、前記実装面と第１軸方向に対向する積層セラミックコンデンサと、
を具備し、
前記積層セラミックコンデンサは、
前記第１軸に垂直な第１及び第２主面と、
前記第１軸に直交する第２軸に垂直な第１及び第２側面と、
前記第１軸及び前記第２軸に直交する第３軸に垂直な第３及び第４側面と、
前記第１及び第４側面を接続する第１稜部と、
前記第２及び第３側面を接続する第２稜部と、
前記第１及び第３側面を接続する第３稜部と、
前記第２及び第４側面を接続する第４稜部と、
前記第１軸方向にセラミック層を介して交互に積層された第１及び第２内部電極と、
を有するセラミック素体と、
前記第１及び第２稜部をそれぞれ覆い、前記第１内部電極に接続された第１及び第２外部電極と、
前記第３及び第４稜部をそれぞれ覆い、前記第２内部電極に接続された第３及び第４第外部電極と、
を有し、かつ、
前記第１軸方向における最大寸法である第１寸法が１１０μｍ以下であり、
前記第２軸方向における最大寸法である第２寸法に対する前記第３軸方向における最大寸法である第３寸法の比率が、０．５以上０．８５未満であり、
前記第１内部電極は、
前記第2内部電極と前記第１軸方向に対向する第１対向部と、
前記第１対向部から前記第２及び第３軸方向に対して外側に傾いて延び、前記第１及び第２稜部にそれぞれ面する一対の第１引出部と、を有し、
前記第２内部電極は、
前記第１対向部と前記第１軸方向に対向する第２対向部と、
前記第２対向部から前記第２及び第３軸方向に対して外側に傾いて延び、前記第３及び第４稜部にそれぞれ面する一対の第２引出部と、を有する
回路基板。
前記実装面に実装され、前記実装面と第１軸方向に対向する積層セラミックコンデンサと、
を具備し、
前記積層セラミックコンデンサは、
前記第１軸に垂直な第１及び第２主面と、
前記第１軸に直交する第２軸に垂直な第１及び第２側面と、
前記第１軸及び前記第２軸に直交する第３軸に垂直な第３及び第４側面と、
前記第１及び第４側面を接続する第１稜部と、
前記第２及び第３側面を接続する第２稜部と、
前記第１及び第３側面を接続する第３稜部と、
前記第２及び第４側面を接続する第４稜部と、
前記第１軸方向にセラミック層を介して交互に積層された第１及び第２内部電極と、
を有するセラミック素体と、
前記第１及び第２稜部をそれぞれ覆い、前記第１内部電極に接続された第１及び第２外部電極と、
前記第３及び第４稜部をそれぞれ覆い、前記第２内部電極に接続された第３及び第４第外部電極と、
を有し、かつ、
前記第１軸方向における最大寸法である第１寸法が１１０μｍ以下であり、
前記第２軸方向における最大寸法である第２寸法に対する前記第３軸方向における最大寸法である第３寸法の比率が、０．５以上０．８５未満であり、
前記第１内部電極は、
前記第2内部電極と前記第１軸方向に対向する第１対向部と、
前記第１対向部から前記第２及び第３軸方向に対して外側に傾いて延び、前記第１及び第２稜部にそれぞれ面する一対の第１引出部と、を有し、
前記第２内部電極は、
前記第１対向部と前記第１軸方向に対向する第２対向部と、
前記第２対向部から前記第２及び第３軸方向に対して外側に傾いて延び、前記第３及び第４稜部にそれぞれ面する一対の第２引出部と、を有する
回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、積層セラミックコンデンサ及びそれが実装された回路基板に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、スマートフォン等の電子機器の高機能化に伴い、ノイズ除去等の目的で積層セラミックコンデンサが使用されている。積層セラミックコンデンサは、基板に内蔵され、又は基板の表面に実装されること等によって電子機器に搭載される。このため、積層セラミックコンデンサに対しては、基板の構造的な制約や、電子機器に搭載される他の電子部品との関係によって、低背化（薄型化）が求められている。
【0003】
例えば、特許文献１には、小型でかつ薄型であっても抗折強度を維持する観点から、積層セラミックコンデンサの長さ方向の寸法Ｌと幅方向の寸法Ｗとを比較したとき、０．８５≦Ｗ／Ｌ≦１、かつ、Ｌ≦７５０μｍである積層セラミックコンデンサが記載されている。つまり、この積層セラミックコンデンサは、積層方向から見た際に正方形又はそれに近い形状を有する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０１９－２４０７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかしながら、製造時や製品のユーザの取り扱い性の観点からは、積層セラミックコンデンサの形状は、従来の２端子型に近い、積層方向に直交する方向に長手を有する直方体形状であることが望ましい。その一方で、低背型（薄型）でかつこのような直方体形状とした場合には、十分な抗折強度を確保できない懸念もある。
【0006】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、低背型であり、取り扱い性及び抗折強度を確保することが可能な積層セラミックコンデンサ及びそれが実装された回路基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0007】
上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る積層セラミックコンデンサは、セラミック素体と、第１及び第２外部電極と、第３及び第４外部電極と、を具備する。
前記セラミック素体は、
第１軸に垂直な第１及び第２主面と、
前記第１軸に直交する第２軸に垂直な第１及び第２側面と、
前記第１軸及び前記第２軸に直交する第３軸に垂直な第３及び第４側面と、
前記第１及び第４側面を接続する第１稜部と、
前記第２及び第３側面を接続する第２稜部と、
前記第１及び第３側面を接続する第３稜部と、
前記第２及び第４側面を接続する第４稜部と、
前記第１軸方向にセラミック層を介して交互に積層された第１及び第２内部電極と、
を有する。
前記第１及び第２外部電極は、前記第１及び第２稜部をそれぞれ覆い、前記第１内部電極に接続される。
前記第３及び第４外部電極は、前記第３及び第４稜部をそれぞれ覆い、前記第２内部電極に接続される。
前記積層セラミックコンデンサは、
前記第１軸方向における最大寸法である第１寸法が１１０μｍ以下であり、
前記第２軸方向における最大寸法である第２寸法に対する前記第３軸方向における最大寸法である第３寸法の比率が、０．５以上０．８５未満である。
前記第１内部電極は、
前記第２内部電極と前記第１軸方向に対向する第１対向部と、
前記第１対向部から前記第２及び第３軸方向に対して外側に傾いて延び、前記第１及び第２稜部にそれぞれ面する一対の第１引出部と、を有する。
前記第２内部電極は、
前記第１対向部と前記第１軸方向に対向する第２対向部と、
前記第２対向部から前記第２及び第３軸方向に対して外側に傾いて延び、前記第３及び第４稜部にそれぞれ面する一対の第２引出部と、を有する。
前記セラミック素体は、
第１軸に垂直な第１及び第２主面と、
前記第１軸に直交する第２軸に垂直な第１及び第２側面と、
前記第１軸及び前記第２軸に直交する第３軸に垂直な第３及び第４側面と、
前記第１及び第４側面を接続する第１稜部と、
前記第２及び第３側面を接続する第２稜部と、
前記第１及び第３側面を接続する第３稜部と、
前記第２及び第４側面を接続する第４稜部と、
前記第１軸方向にセラミック層を介して交互に積層された第１及び第２内部電極と、
を有する。
前記第１及び第２外部電極は、前記第１及び第２稜部をそれぞれ覆い、前記第１内部電極に接続される。
前記第３及び第４外部電極は、前記第３及び第４稜部をそれぞれ覆い、前記第２内部電極に接続される。
前記積層セラミックコンデンサは、
前記第１軸方向における最大寸法である第１寸法が１１０μｍ以下であり、
前記第２軸方向における最大寸法である第２寸法に対する前記第３軸方向における最大寸法である第３寸法の比率が、０．５以上０．８５未満である。
前記第１内部電極は、
前記第２内部電極と前記第１軸方向に対向する第１対向部と、
前記第１対向部から前記第２及び第３軸方向に対して外側に傾いて延び、前記第１及び第２稜部にそれぞれ面する一対の第１引出部と、を有する。
前記第２内部電極は、
前記第１対向部と前記第１軸方向に対向する第２対向部と、
前記第２対向部から前記第２及び第３軸方向に対して外側に傾いて延び、前記第３及び第４稜部にそれぞれ面する一対の第２引出部と、を有する。
【0008】
上記構成では、全ての稜部が外部電極によって覆われているため、積層セラミックコンデンサの第２及び第３軸方向の端部が外部電極によって厚く形成されることになり、姿勢の安定性を高めることができる。
また、第２寸法に対する第３寸法の比率が０．５以上０．８５未満であるため、第１軸方向から見た平面視における形状が、第２軸方向に長手を有する長方形状となる。これにより、第２軸方向を判別することができ、取り扱い性を高めることができる。また、第２軸方向に長手を有することで、複数の積層セラミックコンデンサを一列に並べて搬送するような場面においても、不具合を抑制することができる。
さらに、一対の第１引出部と一対の第２引出部とが、４つの稜部に向かって斜めに引き出されることにより、第１及び第２内部電極を重ねた形状がＸ字状となる。これにより、第１寸法が１１０μｍ以下である低背型の積層セラミックコンデンサにおいて、抗折強度を高めることができる。
また、第２寸法に対する第３寸法の比率が０．５以上０．８５未満であるため、第１軸方向から見た平面視における形状が、第２軸方向に長手を有する長方形状となる。これにより、第２軸方向を判別することができ、取り扱い性を高めることができる。また、第２軸方向に長手を有することで、複数の積層セラミックコンデンサを一列に並べて搬送するような場面においても、不具合を抑制することができる。
さらに、一対の第１引出部と一対の第２引出部とが、４つの稜部に向かって斜めに引き出されることにより、第１及び第２内部電極を重ねた形状がＸ字状となる。これにより、第１寸法が１１０μｍ以下である低背型の積層セラミックコンデンサにおいて、抗折強度を高めることができる。
【0009】
前記一対の第１側縁部は、相互に実質的に平行に延び、
前記一対の第２側縁部は、相互に実質的に平行に延びていてもよい。
これにより、抗折強度をより安定して高めることができる。また、第１及び第２引出部が、局所的に幅の細い部分を有さないため、第１及び第２内部電極における電流の抵抗値の上昇を抑制することができる。これにより、積層セラミックコンデンサにおける等価直列インダクタンス（ＥＳＬ：Equivalent Series Inductance）の上昇を抑制することができる。
前記一対の第２側縁部は、相互に実質的に平行に延びていてもよい。
これにより、抗折強度をより安定して高めることができる。また、第１及び第２引出部が、局所的に幅の細い部分を有さないため、第１及び第２内部電極における電流の抵抗値の上昇を抑制することができる。これにより、積層セラミックコンデンサにおける等価直列インダクタンス（ＥＳＬ：Equivalent Series Inductance）の上昇を抑制することができる。
【0010】
前記第２寸法は、１０００μｍ以下であってもよい。これにより、積層セラミックコンデンサを小型化することができる。
【0011】
前記第２寸法に対する、前記第２軸方向に隣り合う前記第１及び第４外部電極の間の前記第２軸方向における最小距離の比率は、０．０５以上０．９５以下であってもよい。
また、前記第３寸法に対する、前記第３軸方向に隣り合う前記第１及び第２外部電極の間の前記第３軸方向における最小距離の比率は、０．０５以上０．９５以下であってもよい。
これらにより、２つの外部電極間の導通を抑制できるとともに、外部電極の寸法を十分に確保し、内部電極との導通を確保することができる。
また、前記第３寸法に対する、前記第３軸方向に隣り合う前記第１及び第２外部電極の間の前記第３軸方向における最小距離の比率は、０．０５以上０．９５以下であってもよい。
これらにより、２つの外部電極間の導通を抑制できるとともに、外部電極の寸法を十分に確保し、内部電極との導通を確保することができる。
【0012】
前記第１外部電極の前記第１側面からの前記第２軸方向における突出寸法は、３μｍ以上３０μｍ以下であってもよい。
これにより、稜部を十分に被覆できるとともに、積層セラミックコンデンサの小型化に貢献することができる。
これにより、稜部を十分に被覆できるとともに、積層セラミックコンデンサの小型化に貢献することができる。
【0013】
本発明の他の実施形態に係る回路基板は、第１軸に垂直な実装面を有する基板本体と、前記実装面に実装され、前記実装面と第１軸方向に対向する積層セラミックコンデンサと、を具備する。
前記積層セラミックコンデンサは、セラミック素体と、第１及び第２外部電極と、第３及び第４外部電極と、を有する。
前記セラミック素体は、
前記第１軸に垂直な第１及び第２主面と、
前記第１軸に直交する第２軸に垂直な第１及び第２側面と、
前記第１軸及び前記第２軸に直交する第３軸に垂直な第３及び第４側面と、
前記第１及び第４側面を接続する第１稜部と、
前記第２及び第３側面を接続する第２稜部と、
前記第１及び第３側面を接続する第３稜部と、
前記第２及び第４側面を接続する第４稜部と、
前記第１軸方向にセラミック層を介して交互に積層された第１及び第２内部電極と、
を有する。
前記第１及び第２外部電極は、前記第１及び第２稜部をそれぞれ覆い、前記第１内部電極に接続される。
前記第３及び第４外部電極は、前記第３及び第４稜部をそれぞれ覆い、前記第２内部電極に接続される。
前記積層セラミックコンデンサは、
前記第１軸方向における最大寸法である第１寸法が１１０μｍ以下であり、
前記第２軸方向における最大寸法である第２寸法に対する前記第３軸方向における最大寸法である第３寸法の比率が、０．５以上０．８５未満である。
前記第１内部電極は、
前記第２内部電極と前記第１軸方向に対向する第１対向部と、
前記第１対向部から前記第２及び第３軸方向に対して外側に傾いて延び、前記第１及び第２稜部にそれぞれ面する一対の第１引出部と、を有する。
前記第２内部電極は、
前記第１対向部と前記第１軸方向に対向する第２対向部と、
前記第２対向部から前記第２及び第３軸方向に対して外側に傾いて延び、前記第３及び第４稜部にそれぞれ面する一対の第２引出部と、を有する。
前記積層セラミックコンデンサは、セラミック素体と、第１及び第２外部電極と、第３及び第４外部電極と、を有する。
前記セラミック素体は、
前記第１軸に垂直な第１及び第２主面と、
前記第１軸に直交する第２軸に垂直な第１及び第２側面と、
前記第１軸及び前記第２軸に直交する第３軸に垂直な第３及び第４側面と、
前記第１及び第４側面を接続する第１稜部と、
前記第２及び第３側面を接続する第２稜部と、
前記第１及び第３側面を接続する第３稜部と、
前記第２及び第４側面を接続する第４稜部と、
前記第１軸方向にセラミック層を介して交互に積層された第１及び第２内部電極と、
を有する。
前記第１及び第２外部電極は、前記第１及び第２稜部をそれぞれ覆い、前記第１内部電極に接続される。
前記第３及び第４外部電極は、前記第３及び第４稜部をそれぞれ覆い、前記第２内部電極に接続される。
前記積層セラミックコンデンサは、
前記第１軸方向における最大寸法である第１寸法が１１０μｍ以下であり、
前記第２軸方向における最大寸法である第２寸法に対する前記第３軸方向における最大寸法である第３寸法の比率が、０．５以上０．８５未満である。
前記第１内部電極は、
前記第２内部電極と前記第１軸方向に対向する第１対向部と、
前記第１対向部から前記第２及び第３軸方向に対して外側に傾いて延び、前記第１及び第２稜部にそれぞれ面する一対の第１引出部と、を有する。
前記第２内部電極は、
前記第１対向部と前記第１軸方向に対向する第２対向部と、
前記第２対向部から前記第２及び第３軸方向に対して外側に傾いて延び、前記第３及び第４稜部にそれぞれ面する一対の第２引出部と、を有する。
【発明の効果】
【0014】
以上のように、本発明によれば、低背型であり、取り扱い性及び抗折強度を確保することが可能な積層セラミックコンデンサ及びそれが実装された回路基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0015】
【図1】本発明の第１実施形態に係る積層セラミックコンデンサを示す図である。
【図4】上記積層セラミックコンデンサをＺ軸方向（第１軸方向）から見た平面図である。
【図5】上記積層セラミックコンデンサをＸ軸方向（第２軸方向）から見た側面図である。
【図6】上記積層セラミックコンデンサをＹ軸方向（第３軸方向）から見た側面図である。
【図7】上記積層セラミックコンデンサを実装した本実施形態の回路基板を示す平面図である。
【図8】本実施形態の第１比較例に係る積層セラミックコンデンサの構成を示す斜視図である。
【図9】上記第１比較例に係る積層セラミックコンデンサをＺ軸方向（第１軸方向）から見た平面図である。
【図10】積層セラミックコンデンサの包装過程において用いられる搬送装置を用いて、本実施形態の第１比較例に係る積層セラミックコンデンサを搬送している状態を示す図であり、Ａは上方から見た平面図、Ｂは側方から見た側面図である。
【図11】上記搬送装置を用いて、本実施形態の積層セラミックコンデンサを搬送している状態を示す図であり、Ａは上方から見た平面図、Ｂは側方から見た側面図である。
【図12】本実施形態の第２比較例に係る積層セラミックコンデンサの構成を示す平面図である。
【図13】上記搬送装置を用いて、本実施形態の第２比較例に係る積層セラミックコンデンサを搬送している状態を示す、上方から見た平面図である。
【図14】上記積層セラミックコンデンサのセラミック素体の断面図であり、Ａは第１内部電極の位置でＸ軸方向（第２軸方向）及びＹ軸方向（第３軸方向）に平行に切断した態様を示し、Ｂは第２内部電極の位置でＸ軸方向（第２軸方向）及びＹ軸方向（第３軸方向）に平行に切断した態様を示す。
【発明を実施するための形態】
【0016】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。
図面には、適宜相互に直交するＸ軸、Ｙ軸、及びＺ軸が示されている。Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸は全図において共通である。Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸は、全図について共通であり、積層セラミックコンデンサ１０，２０，３０に対して固定された固定座標系を規定する。
図面には、適宜相互に直交するＸ軸、Ｙ軸、及びＺ軸が示されている。Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸は全図において共通である。Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸は、全図について共通であり、積層セラミックコンデンサ１０，２０，３０に対して固定された固定座標系を規定する。
【0017】
［積層セラミックコンデンサ１０の構成］
図１～６は、本発明の第１実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１０を示す図である。図１は、積層セラミックコンデンサ１０の斜視図である。図２は、図１のＡ－Ａ'線に沿った積層セラミックコンデンサ１０の断面図である。図３は、図１のＢ－Ｂ'線に沿った積層セラミックコンデンサ１０の断面図である。図４は、積層セラミックコンデンサ１０をＺ軸方向から見た平面図である。図５は、積層セラミックコンデンサ１０をＸ軸方向から見た側面図である。図６は、積層セラミックコンデンサ１０をＹ軸方向から見た側面図である。
図１～６は、本発明の第１実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１０を示す図である。図１は、積層セラミックコンデンサ１０の斜視図である。図２は、図１のＡ－Ａ'線に沿った積層セラミックコンデンサ１０の断面図である。図３は、図１のＢ－Ｂ'線に沿った積層セラミックコンデンサ１０の断面図である。図４は、積層セラミックコンデンサ１０をＺ軸方向から見た平面図である。図５は、積層セラミックコンデンサ１０をＸ軸方向から見た側面図である。図６は、積層セラミックコンデンサ１０をＹ軸方向から見た側面図である。
【0018】
積層セラミックコンデンサ１０は、セラミック素体１１と、第１外部電極１４ａと、第２外部電極１４ｂと、第３外部電極１４ｃと、第４外部電極１４ｄと、を備えた４端子型の積層セラミックコンデンサである。なお、各外部電極１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄを、外部電極１４とも称する。また、図１では外部電極１４に覆われた部分のセラミック素体１１の構成を破線で示している。
【0019】
以下の説明において、Ｘ軸方向における外側とは、積層セラミックコンデンサ１０をＸ軸方向に２等分する仮想的なＹ－Ｚ平面から遠ざかる側を意味する。Ｘ軸方向における内側とは、当該仮想的なＹ－Ｚ平面に近づく側を意味する。
Ｙ軸方向における外側とは、積層セラミックコンデンサ１０をＹ軸方向に２等分する仮想的なＸ－Ｚ平面から遠ざかる側を意味する。Ｙ軸方向における内側とは、当該仮想的なＸ－Ｚ平面に近づく側を意味する。
Ｙ軸方向における外側とは、積層セラミックコンデンサ１０をＹ軸方向に２等分する仮想的なＸ－Ｚ平面から遠ざかる側を意味する。Ｙ軸方向における内側とは、当該仮想的なＸ－Ｚ平面に近づく側を意味する。
【0020】
セラミック素体１１は、Ｘ軸に垂直な第１側面Ｓ１及び第２側面Ｓ２と、Ｙ軸に垂直な第３側面Ｓ３及び第４側面Ｓ４と、Ｚ軸に垂直な第１及び第２主面Ｍ１，Ｍ２と、を有する。つまり、セラミック素体１１は、略直方体状であり、Ｘ－Ｙ平面に沿った矩形の平面形状を有する。なお、各側面Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４を側面Ｓとも称する。また、Ｘ軸方向は、Ｚ軸に直交しセラミック素体１１の２つの側面Ｓに垂直な２方向のうち、積層セラミックコンデンサ１０の最大寸法が大きい方向とする。
【0021】
セラミック素体１１の４つの側面Ｓ及び２つの主面Ｍ１，Ｍ２はいずれも、平坦面として構成される。本実施形態に係る平坦面とは、全体的に見たときに平坦と認識される面であれば厳密に平面でなくてもよく、例えば、表面の微小な凹凸形状や、所定の範囲に存在する緩やかな湾曲形状などを有する面も含まれる。
【0022】
さらに、セラミック素体１１は、第１側面Ｓ１及び第４側面Ｓ４を接続する第１稜部Ｒ１と、第２側面Ｓ２及び第３側面Ｓ３を接続する第２稜部Ｒ２と、第１側面Ｓ１及び第３側面Ｓ３を接続する第３稜部Ｒ３と、第２側面Ｓ２及び第４側面Ｓ４を接続する第４稜部Ｒ４と、を有する。各稜部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４を、稜部Ｒとも称する。
【0023】
これらの稜部Ｒは、いずれも、Ｚ軸方向に沿って延びている。稜部Ｒは、典型的には、２つの側面Ｓを滑らかに接続する凸状の曲面として形成される。しかし、稜部Ｒは、この構成に限定されず、例えば、２つの側面Ｓを直接接続する交線であってもよい。
【0024】
第１外部電極１４ａは、第１稜部Ｒ１を覆っており、例えば第１及び第４側面Ｓ１，Ｓ４及び主面Ｍ１，Ｍ２の一部に形成されている。第２外部電極１４ｂは、第２稜部Ｒ２を覆っており、例えば第２及び第３側面Ｓ２，Ｓ３及び主面Ｍ１，Ｍ２の一部に形成されている。第３外部電極１４ｃは、第３稜部Ｒ３を覆っており、例えば第１及び第３側面Ｓ１，Ｓ３及び主面Ｍ１，Ｍ２の一部に形成されている。第４外部電極１４ｄは、第４稜部Ｒ４を覆っており、例えば第２及び第４側面Ｓ２，Ｓ４及び主面Ｍ１，Ｍ２の一部に形成されている。
【0025】
本実施形態において、各側面Ｓには、２つの外部電極１４が間隔をあけて配置されている。図１、図５及び図６に示すように、各側面Ｓ及び各主面Ｍ１，Ｍ２における外部電極１４の平面形状は、長方形状であり得る。なお、外部電極１４の形状は図示の例に限定されない。
【0026】
第１及び第２外部電極１４ａ，１４ｂは、同一の極性を有する。第３及び第４外部電極１４ｃ、１４ｄは、同一の極性であって第１及び第２外部電極１４ａ，１４ｂと異なる極性を有する。このため、第１及び第２外部電極１４ａ，１４ｂ又は第３及び第４外部電極１４ｃ、１４ｄの一方をグランド電極、他方をソース電極とすることができる。
【0027】
外部電極１４は、電気の良導体により形成されている。外部電極１４を形成する電気の良導体としては、例えば、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、錫（Ｓｎ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）などを主成分とする金属又は合金が挙げられる。外部電極１４は、例えば、導電性ペーストを焼き付けた焼結膜上に、１又は複数のメッキ膜が形成された構成を有していてもよい。
【0028】
図２及び図３に示すように、セラミック素体１１は、Ｘ－Ｙ平面に沿った平板状の複数のセラミック層がＺ軸方向に積層され、セラミック層の間に内部電極１２，１３が積層された構成を有する。セラミック素体１１は、セラミック層を介してＺ軸方向に交互に積層された第１内部電極１２及び第２内部電極１３を有する。内部電極１２，１３は、Ｘ－Ｙ平面に沿って延びるシート状に構成される。
【0029】
内部電極１２，１３は、電気の良導体であって、金属導体により形成されている。内部電極１２，１３を形成する材料としては、例えばニッケル（Ｎｉ）を主成分とする金属又は合金が挙げられる。内部電極１２，１３の層数については、特に限定されず、例えば２０～５０層とすることができる。各内部電極１２，１３のＺ軸方向に沿った厚み寸法は、例えば０．１μｍ～１．５μｍ程度とすることができる。
【0030】
セラミック素体１１は、例えば、セラミックグリーンシートを積層して未焼成の積層チップを作製し、この積層チップを焼成することにより形成される。積層チップの内部電極１２，１３の積層部分は、第１内部電極１２に対応する電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートと、第２内部電極１３に対応する電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートと、を交互に積層することにより形成される。電極パターンは、例えば、導電性ペーストを印刷することにより形成される。積層チップにおいて、内部電極１２，１３の積層部分のＺ軸方向上下の領域には、電極パターンが形成されていないセラミックグリーンシートが積層される。
【0031】
図２に示すように、第１内部電極１２は、第１対向部１２１と、一対の第１引出部１２２と、を含む。第１対向部１２１は、第２内部電極１３の第２対向部１３１とＺ軸方向に対向する。一対の第１引出部１２２は、第１対向部１２１から第１稜部Ｒ１及び第２稜部Ｒ２までそれぞれ延びる。これにより、これらの第１引出部１２２は、第１及び第２外部電極１４ａ，１４ｂにそれぞれ接続される。
【0032】
図３に示すように、第２内部電極１３は、第２対向部１３１と、一対の第２引出部１３２と、を含む。第２対向部１３１は、第１内部電極１２の第１対向部１２１とＺ軸方向に対向する部分である。一対の第２引出部１３２は、第２対向部１３１から第３稜部Ｒ３及び第４稜部Ｒ４までそれぞれ延びる。これにより、これらの第２引出部１３２は、第３及び第４外部電極１４ｃ，１４ｄにそれぞれ接続される。
【0033】
積層セラミックコンデンサ１０では、第１及び第２外部電極１４ａ，１４ｂと第３及び第４外部電極１４ｃ，１４ｄとの間に電圧が印加されると、第１対向部１２１と第２対向部１３１との間の複数のセラミック層に電圧が加わる。これにより、積層セラミックコンデンサ１０では、第１及び第２外部電極１４ａ，１４ｂと第３及び第４外部電極１４ｃ，１４ｄとの間の電圧に応じた電荷が蓄えられる。
【0034】
セラミック素体１１では、内部電極１２，１３間の各セラミック層の容量を大きくするため、高誘電率の誘電体セラミックスが用いられる。誘電体セラミックスは、例えば、一般式ＡＢＯ３で表されるペロブスカイト構造を有するセラミック材料を主成分とすることができる。なお、ペロブスカイト構造は、化学量論組成から外れたＡＢＯ３－αを含んでもよい。ペロブスカイト構造を有するセラミック材料としては、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）に代表される、バリウム（Ｂａ）及びチタン（Ｔｉ）を含む材料が挙げられる。具体的には、例えば、Ｂａ１-ｘ－ｙＣａｘＳｒｙＴｉ１－ｚＺｒｚＯ３(０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦１)が挙げられる。
【0035】
なお、誘電体セラミックスは、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）、チタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ３）、チタン酸マグネシウム（ＭｇＴｉＯ３）、ジルコン酸カルシウム（ＣａＺｒＯ３）、チタン酸ジルコン酸カルシウム（Ｃａ（Ｔｉ，Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３）、チタン酸ジルコン酸バリウムカルシウム（（Ｂａ，Ｃａ）（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ３）、ジルコン酸バリウム（ＢａＺｒＯ３）、酸化チタン（ＴｉＯ２）などの組成系でもよい。
【0036】
内部電極１２，１３間のセラミック層のＺ軸方向に沿った厚み寸法は、所望の静電容量、内部電極１２，１３の層数やセラミック層の材料、セラミック素体１１のサイズ等を考慮して設定でき、例えば０．２μｍ～２．０μｍ程度とすることができる。
【0037】
［積層セラミックコンデンサ１０の外観形状］
積層セラミックコンデンサ１０において、Ｚ軸方向における最大寸法を第１寸法Ｔ、Ｘ軸方向における最大寸法を第２寸法Ｌ、Ｙ軸方向における最大寸法を第３寸法Ｗと規定する。Ｚ軸方向は、セラミック層及び内部電極１２，１３の積層方向である。Ｘ軸方向は、上述のように、積層セラミックコンデンサ１０の長手方向となるため、第２寸法Ｌは、第３寸法Ｗよりも大きくなる。
積層セラミックコンデンサ１０において、Ｚ軸方向における最大寸法を第１寸法Ｔ、Ｘ軸方向における最大寸法を第２寸法Ｌ、Ｙ軸方向における最大寸法を第３寸法Ｗと規定する。Ｚ軸方向は、セラミック層及び内部電極１２，１３の積層方向である。Ｘ軸方向は、上述のように、積層セラミックコンデンサ１０の長手方向となるため、第２寸法Ｌは、第３寸法Ｗよりも大きくなる。
【0038】
本実施形態において、積層セラミックコンデンサ１０は、低背型、つまり薄型に構成される。具体的に、積層セラミックコンデンサ１０では、Ｚ軸方向における最大寸法である第１寸法Ｔが１１０μｍ以下であり、例えば１００μｍ以下である。これにより、積層セラミックコンデンサ１０が狭い実装スペースにも実装可能となる。また、第１寸法Ｔは、積層セラミックコンデンサ１０の抗折強度及び静電容量を確保する観点から、例えば６０μｍ以上であり得る。
【0039】
積層セラミックコンデンサ１０の第１寸法Ｔを上記範囲とするため、セラミック素体１１のＺ軸方向における最大寸法は、例えば４０μｍ以上８０μｍ以下であり得る。
【0040】
本実施形態において、積層セラミックコンデンサ１０では、第２寸法Ｌに対する第３寸法Ｗの比率（Ｗ／Ｌ）が、０．５０以上０．８５未満である。これにより、Ｚ軸方向から見た積層セラミックコンデンサ１０の平面形状が、Ｘ軸方向に長手を有する長方形状となる。つまり、積層セラミックコンデンサ１０のＸ軸方向及びＹ軸方向が外観から明確に判別でき、製造時、包装時及び実装時における取り扱い性の点で有利となる。
【0041】
さらに、例えばＷ／Ｌを０．６０以上とすることで、内部電極１２，１３の面積を十分に確保し、積層セラミックコンデンサ１０の静電容量の低下を抑制することができる。
【0042】
また、積層セラミックコンデンサ１０をより小型化する観点から、第２寸法Ｌは、例えば１０００μｍ以下、さらに９００μｍ以下であり得る。また、第２寸法Ｌは、例えば１５０μｍ以上であり、静電容量を向上させる等の観点から、例えば３５０μｍ以上、５００μｍ以上であり得る。同様に、第３寸法Ｗは、例えば１００μｍ以上、３００μｍ以上、４００μｍ以上であり得る。
【0043】
加えて、積層セラミックコンデンサ１０の基板への実装性の観点からも、寸法Ｔ，Ｌ，Ｗの好ましい範囲を規定することができる。
【0044】
図７は、積層セラミックコンデンサ１０を実装した回路基板１００を示す平面図である。
回路基板１００は、例えばＢＧＡ（Ball Grid Array）基板として構成される。
回路基板１００は、例えばＢＧＡ（Ball Grid Array）基板として構成される。
【0045】
具体的には、回路基板１００は、プリント基板等で構成された基板本体１１０と、積層セラミックコンデンサ１０と、を備える。基板本体１１０は、第１実装面と、第１実装面の反対側の面である第２実装面（実装面）１１１と、を有する。積層セラミックコンデンサ１０は、第２実装面（実装面）１１１に実装される。
【0046】
なお、図示はしないが、回路基板１００は、第１実装面に実装された集積回路等の電子部品と、電子部品を覆うエポキシ樹脂等の絶縁膜と、をさらに備えていてもよい。この場合、回路基板１００は、パッケージ基板となり、積層セラミックコンデンサ１０は、一例として、集積回路等のノイズ除去のために設けられる。
【0047】
実装面１１１は、ＢＧＡ面として構成され、２方向に配列された複数のハンダボール１１２を有する。この例では、複数のハンダボール１１２が同一のサイズを有し、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に等間隔に配置されている。つまり、ハンダボール１１２は、実装面１１１上に格子状に配置されている。なお、実装面１１１には、積層セラミックコンデンサ１０以外の電子部品が実装されていてもよい。
【0048】
積層セラミックコンデンサ１０は、実装面１１１とＺ軸方向に対向するように配置される。図７に示す例では、第２主面Ｍ２が実装面１１１と対向しているが、第１主面Ｍ１が実装面１１１と対向していてもよい。積層セラミックコンデンサ１０は、例えば、外部電極１４をハンダボール１１２上に配置し、ハンダボール１１２を加熱によって溶融させ、冷却したハンダボール１１２を外部電極１４と固着させることで、実装面１１１に実装される。
【0049】
回路基板１００がＢＧＡ基板の場合、ハンダボール１１２の配置にはいくつか規格がある。例えば、ハンダボール１１２間のピッチＰが約０．３５ｍｍ（３５０μｍ）、ハンダボール１１２の直径Ｄｍが約０．２ｍｍ（２００μｍ）となる規格のＢＧＡ基板が汎用されている。なお、ピッチＰは、隣り合う２つのハンダボール１１２の中心間の距離である。
【0050】
上記規格の実装面１１１のハンダボール１１２各々に積層セラミックコンデンサ１０の外部電極１４を実装可能とするため、第２寸法Ｌは、例えば、６００μｍ以上７５０μｍ以下であり得る。第３寸法Ｗは、例えば５００μｍ以上６００μｍ以下であり得る。寸法Ｌ，Ｗをこのような範囲とすることで、上記規格の４個のハンダボール上に積層セラミックコンデンサ１０を実装することができ、省スペースな実装を実現することができる。
【0051】
また、ハンダボール１１２間のピッチＰが０．３５μｍよりも小さい、例えば０．１μｍ程度のＢＧＡ基板であれば、第２寸法Ｌが１５０μｍ以上、第３寸法が１００μｍ以上の積層セラミックコンデンサ１０も実装可能である。
【0052】
また、実装面１１１は、ハンダボール１１２とは異なる大型のハンダボールを用いて他の基板に実装されることがある。この大型のハンダボールの高さは、例えば１１０μｍ程度であることが多い。このため、第１寸法Ｔを１１０μｍ以下、例えば１００μｍ以下とすることで、回路基板１００とそれが実装される基板との間に積層セラミックコンデンサ１０を配置することができ、省スペースな実装を実現できる。
【0053】
一方、セラミック素体１１の表面に形成された外部電極１４に関する寸法については、積層セラミックコンデンサ１０の小型化等に対応しつつ、２つの外部電極１４間の導通等の不具合を抑制する観点から、好ましい範囲を以下のように設定することができる。
【0054】
図６を参照し、各外部電極１４のＸ軸方向における最大寸法ＤＬ１は、例えば４０μｍ以上、１００μｍ以上であり、例えば５００μｍ以下、４００μｍ以下であり得る。
【0055】
Ｘ軸方向に隣り合う２つの外部電極１４の間のＸ軸方向における最小距離ＤＬ２は、例えば５０μｍ以上、７０μｍ以上であり得る。これにより、Ｘ軸方向に隣り合う２つの外部電極１４間における金属イオンのマイグレーションを抑制し、ショート等の不具合を抑制することができる。また、最小距離ＤＬ２は、例えば１０００μｍ以下、４００μｍ以下であり得る。なお、Ｘ軸方向に隣り合う２つの外部電極１４は、第３側面Ｓ３において隣り合う第２及び第３外部電極１４ｂ，１４ｃ、又は第４側面Ｓ４において隣り合う第１及び第４外部電極１４ａ，１４ｄである。
【0056】
図５を参照し、各外部電極１４のＹ軸方向における最大寸法ＤＷ１は、例えば４０μｍ以上、８０μｍ以上であり、例えば４５０μｍ以下、３５０μｍ以下であり得る。
【0057】
Ｙ軸方向に隣り合う２つの外部電極１４の間のＹ軸方向における最小距離ＤＷ２は、例えば５０μｍ以上、７０μｍ以上であり得る。これにより、Ｙ軸方向に隣り合う２つの外部電極１４間における金属のマイグレーションを抑制し、ショート等の不具合を抑制することができる。また、最小距離ＤＷ２は、例えば８００μｍ以下、３００μｍ以下であり得る。なお、Ｙ軸方向に隣り合う２つの外部電極１４は、第１側面Ｓ１において隣り合う第１及び第３外部電極１４ａ，１４ｃ、又は第２側面Ｓ２において隣り合う第２及び第４外部電極１４ｂ，１４ｄである。
【0058】
図６を参照し、積層セラミックコンデンサ１０の第２寸法Ｌに対する、Ｘ軸方向に隣り合う２つの外部電極１４の最小距離ＤＬ２の比率（ＤＬ２／Ｌ）は、例えば０．０５以上、０．１０以上であり、例えば０．９５以下、０．９０以下であり得る。
【0059】
図５を参照し、積層セラミックコンデンサ１０の第３寸法Ｗに対する、Ｙ軸方向に隣り合う２つの外部電極１４の最小距離ＤＷ２の比率（ＤＷ２／Ｗ）は、例えば０．０５以上、０．１０以上であり、例えば０．９５以下、０．７０以下であり得る。
【0060】
ＤＬ１／Ｌ及びＤＬ２／Ｗを上記範囲とすることにより、２つの外部電極１４間が導通してショートすることを抑制できるとともに、２つの外部電極１４の寸法を十分に確保し、外部電極１４を内部電極１２，１３と確実に接続させることができる。
【0061】
また、後述するように、積層セラミックコンデンサ１０を搬送する際の不具合を抑制するためには、稜部Ｒが外部電極１４によって十分に覆われていることが効果的である。このため、第１外部電極１４ａの第１側面Ｓ１からのＸ軸方向における突出寸法ＤＬ３は、例えば、３μｍ以上、１０μｍ以上であり、例えば３０μｍ以下、２０μｍ以下であり得る。この場合の突出寸法ＤＬ３は、第１側面Ｓ１と、第１外部電極１４ａの最もＸ軸方向外側に位置する部分と、の間のＸ軸方向における距離である。なお、第３外部電極１４ｃの第１側面Ｓ１からのＸ軸方向における突出寸法、第２外部電極１４ｂ又は第４外部電極１４ｄの第２側面Ｓ２からのＸ軸方向における突出寸法も、突出寸法ＤＬ３と同様の範囲とすることができる。
【0062】
この突出寸法ＤＬ３は、外部電極１４の厚みによって調整することができる。外部電極１４の最大厚み寸法は、例えば、３μｍ以上、１０μｍ以上であり、例えば３０μｍ以下、２０μｍ以下であり得る。
【0063】
積層セラミックコンデンサ１０が上述のような外観形状を有することの作用効果について、本実施形態の比較例に係る積層セラミックコンデンサの構成と対比して説明する。なお、以下の比較例において、積層セラミックコンデンサ１０と共通する構成については、同一の符号を付す。
【0064】
まず、第１比較例として、稜部Ｒが外部電極によって覆われていない例を挙げる。
図８及び図９は、本実施形態の第１比較例に係る積層セラミックコンデンサ２０の構成を示す図であり、図８は斜視図、図９はＺ軸方向から見た平面図である。
図８及び図９は、本実施形態の第１比較例に係る積層セラミックコンデンサ２０の構成を示す図であり、図８は斜視図、図９はＺ軸方向から見た平面図である。
【0065】
積層セラミックコンデンサ２０は、セラミック素体１１と、第１内部電極に接続された第１及び第２外部電極２４ａ，２４ｂと、第２内部電極に接続された第３及び第４外部電極２４ｃ，２４ｄと、を有する。各外部電極２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，２４ｄを、外部電極２４とも称する。積層セラミックコンデンサ２０では、積層セラミックコンデンサ１０と異なり、外部電極２４が稜部Ｒを覆っていない。外部電極２４は、第１及び第２側面Ｓ１，Ｓ２よりもＸ軸方向内側に位置している。
【0066】
第１比較例に係る積層セラミックコンデンサ２０は、低背型で自重が軽い上に、稜部Ｒが外部電極２４によって覆われていないため、姿勢が不安定になりやすく、取り扱い上の不具合が生じ得る。
第１比較例に係る積層セラミックコンデンサ２０において取り扱い上の不具合が生じる工程として、積層セラミックコンデンサ２０を一列に並べて振動を加えながら搬送する工程が挙げられる。このような工程の一例として、積層セラミックコンデンサ２０の製造後、包装装置へ搬送する工程について具体的に説明する。
第１比較例に係る積層セラミックコンデンサ２０において取り扱い上の不具合が生じる工程として、積層セラミックコンデンサ２０を一列に並べて振動を加えながら搬送する工程が挙げられる。このような工程の一例として、積層セラミックコンデンサ２０の製造後、包装装置へ搬送する工程について具体的に説明する。
【0067】
図１０Ａ，Ｂは、積層セラミックコンデンサの包装過程において用いられる搬送装置２００を用いて、積層セラミックコンデンサ２０を搬送している状態を示す図であり、図１０Ａは上方から見た平面図、図１０Ｂは側方から見た側面図である。なお、図１０Ａ，Ｂにおいて記載しているＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸は、問題なく搬送されている搬送方向ＭＤの前方（下流側）の積層セラミックコンデンサ２０に対する座標系とする。
【0068】
搬送装置２００は、例えば、底板２１０上に列をなして配置された積層セラミックコンデンサに対して、上下方向の振動を付加することで、搬送方向ＭＤに沿って積層セラミックコンデンサを搬送する。積層セラミックコンデンサ２０は、Ｘ軸方向と搬送方向ＭＤとが一致するように配置される。搬送装置２００は、搬送方向ＭＤの下流側において包装装置（テーピング装置）と接続されており、積層セラミックコンデンサを順に包装装置に提供することができる。
【0069】
搬送装置２００において、底板２１０の両側部には一対の側壁２２０が配置され、上部にはカバー２３０が配置される。一対の側壁２２０間の距離は、積層セラミックコンデンサ２０の第３寸法Ｗの３割程度大きい寸法として設計され得る。また、底板２１０とカバー２３０との距離は、積層セラミックコンデンサ２０の第１寸法Ｔの３割程度大きい寸法として設計され得る。
【0070】
通常は、図１０Ｂの搬送方向ＭＤにおける上流及び下流側の積層セラミックコンデンサ２０のように、外部電極２４が底板２１０に接した状態で搬送される。一方で、積層セラミックコンデンサ２０のように稜部Ｒが外部電極２４によって覆われていない場合は、積層セラミックコンデンサ２０のＸ軸方向端部（搬送方向ＭＤにおける前方部及び後方部）に、第１寸法Ｔよりも小さい寸法であるセラミック素体１１の側面Ｓが露出する。
【0071】
そのため、搬送装置２００から上下振動が加わり、積層セラミックコンデンサ２０の姿勢が不安定になると、薄いセラミック素体１１の前方部及び後方部同士が上下に重なりやすくなる。例えば、図１０Ｂに示す例では、前方の積層セラミックコンデンサ２０と底板２１０との隙間に、後方の積層セラミックコンデンサ２０のセラミック素体１１が入り込んでいる。あるいは、後方の積層セラミックコンデンサ２０のセラミック素体１１が前方の積層セラミックコンデンサ２０上に乗り上げることもある。２つの積層セラミックコンデンサ２０が、搬送装置２００の底板２１０とカバー２３０の間に嵌ると、上下振動によっても積層セラミックコンデンサ２０の列が動かなくなり、搬送が困難となり得る。
【0072】
また、セラミック素体１１の稜部Ｒの先端の角部と外部電極２４とが底板２１０に支持されることによっても、積層セラミックコンデンサ２０の前方部又は後方部が底板２１０に対して傾きやすくなる。
【0073】
【0074】
本実施形態の積層セラミックコンデンサ１０では、稜部Ｒが外部電極１４によって覆われているため、積層セラミックコンデンサ１０の前方部及び後方部の厚みがセラミック素体１１の厚みよりも厚くなる。これにより、前後の積層セラミックコンデンサ１０同士が上下に重なりにくくなる。また、稜部Ｒの先端の角部が底板２１０に接することがなく、積層セラミックコンデンサ１０が底板２１０に対して大きく傾きにくい。これにより、積層セラミックコンデンサ１０が搬送装置２００によって安定して搬送され、積層セラミックコンデンサ１０同士が上下に重なるような不具合を抑制することができる。
【0075】
次に、第２比較例として、第２寸法Ｌに対する第３寸法の比率（Ｗ／Ｌ）が０．８５以上１．０以下となる例を挙げる。
図１２は、本実施形態の第２比較例に係る積層セラミックコンデンサ３０の構成を示す平面図である。
図１２は、本実施形態の第２比較例に係る積層セラミックコンデンサ３０の構成を示す平面図である。
【0076】
積層セラミックコンデンサ３０は、セラミック素体３１と、第１内部電極に接続された第１及び第２外部電極１４ａ，１４ｂと、第２内部電極に接続された第３及び第４外部電極１４ｃ，１４ｄと、を有する。セラミック素体３１では、第１実施形態のセラミック素体１１とは異なり、第２寸法Ｌに対する第３寸法の比率（Ｗ／Ｌ）が０．８５以上１．０以下である。つまり、セラミック素体３１では、Ｚ軸方向から見た平面形状が正方形状又はそれに近い形状を有する。このような積層セラミックコンデンサ３０は、格子状に並んだＢＧＡ基板のハンダボールと外部電極１４との位置合わせがしやすいという利点があるものの、実質的に長手方向を有さないため、やはり搬送装置２００による搬送時等において不具合を生じることがある。
【0077】
図１３は、搬送装置２００を用いて、積層セラミックコンデンサ３０を搬送している状態を示す図であり、上方から見た平面図である。なお、図１３において記載しているＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸は、問題なく搬送されている搬送方向ＭＤの前方（下流側）の積層セラミックコンデンサ３０に対する座標系とする。
【0078】
上述のように、一対の側壁２２０間の距離は、搬送対象となる積層セラミックコンデンサの第３寸法Ｗの３割程度大きい寸法として設計され得る。
ここで、Ｚ軸方向から見てほぼ正方形状の平面形状を有する積層セラミックコンデンサ３０では、長方形状の平面形状を有する積層セラミックコンデンサ１０と比較して、第３寸法Ｗに対する、Ｚ軸方向から見た平面視における対角線上の稜部Ｒ間の長さの比率が小さくなる。このため、図１３に示すように、積層セラミックコンデンサ３０が振動によってＺ軸まわりに回転した際に、対角線上にある一対の稜部Ｒが側壁２２０間に嵌りやすくなり、搬送が困難となり得る。
ここで、Ｚ軸方向から見てほぼ正方形状の平面形状を有する積層セラミックコンデンサ３０では、長方形状の平面形状を有する積層セラミックコンデンサ１０と比較して、第３寸法Ｗに対する、Ｚ軸方向から見た平面視における対角線上の稜部Ｒ間の長さの比率が小さくなる。このため、図１３に示すように、積層セラミックコンデンサ３０が振動によってＺ軸まわりに回転した際に、対角線上にある一対の稜部Ｒが側壁２２０間に嵌りやすくなり、搬送が困難となり得る。
【0079】
これに対し、図１１Ａに示すように、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１０は、積層セラミックコンデンサ３０よりも第３寸法Ｗに対する上記対角線上の稜部Ｒ間の長さの比率が大きい。このため、仮に稜部Ｒが側壁２２０と接触しても、一対の稜部Ｒが側壁２２０間に嵌ることを抑制できる。したがって、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１０は、第２比較例に係る積層セラミックコンデンサ３０に対しても、搬送装置２００を用いた搬送時の取り扱いにおいて有利となる。
【0080】
さらに、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１０は、積層セラミックコンデンサ３０よりも一般的な２端子型の積層セラミックコンデンサに近い形状である。このため、２端子型の積層セラミックコンデンサに慣れたユーザにとっても、導入しやすく、取り扱いが容易になる。
【0081】
加えて、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１０は、積層セラミックコンデンサ３０と比較して、長手方向が判別しやすい。つまり、積層セラミックコンデンサ１０では、第１及び第２側面Ｓ１，Ｓ２に垂直なＸ軸方向と、第３及び第４側面Ｓ３，Ｓ４に垂直なＹ軸方向と、を外観から容易に判別することができる。これにより、実装時における姿勢を規定しやすく、実装時の基板上への配置ミス等を防止しやすくなる。
【0082】
また、積層セラミックコンデンサ１０が上記方向の判別性を有することで、積層セラミックコンデンサ１０の欠陥が生じた際に、Ｘ－Ｙ平面内における欠陥部位の位置を特定しやすいという利点もある。これにより、同ロットの他の製品における欠陥部位の特定や、欠陥の原因究明等に役立てることができる。
【0083】
したがって、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１０は、低背型の構成であり、かつ、取り扱い性を向上させることができる。
【0084】
［内部電極の詳細な形状］
本実施形態の積層セラミックコンデンサ１０は、第１寸法Ｔが１１０μｍ以下であり、かつ、Ｗ／Ｌが０．５以上０．８５未満という条件を満たしつつ、さらに抗折強度を高める観点から、以下のような特徴的な形状の内部電極１２，１３を有していてもよい。
本実施形態の積層セラミックコンデンサ１０は、第１寸法Ｔが１１０μｍ以下であり、かつ、Ｗ／Ｌが０．５以上０．８５未満という条件を満たしつつ、さらに抗折強度を高める観点から、以下のような特徴的な形状の内部電極１２，１３を有していてもよい。
【0085】
図１４Ａ，Ｂは、セラミック素体１１の断面図である。図１４Ａは、第１内部電極１２の位置でＸ－Ｙ平面と平行に切断した態様を示し、図１４Ｂは、第２内部電極１３の位置でＸ－Ｙ平面と平行に切断した態様を示す。なお、図１４Ａにおいて、第２内部電極１３の第２側縁部９が重なる位置を破線で示している。
【0086】
図１４Ａに示すように、第１内部電極１２は、第１対向部１２１と、第１対向部１２１からＸ軸方向及びＹ軸方向に対して外側に傾いて延び、第１及び第２稜部Ｒ１，Ｒ２にそれぞれ面する一対の第１引出部１２２と、を有する。
【0087】
図１４Ｂに示すように、第２内部電極１３は、第１対向部１２１とＺ軸方向に対向する第２対向部１３１と、第２対向部１３１からＸ軸方向及びＹ軸方向に対して外側に傾いて延び、第３及び第４稜部Ｒ３，Ｒ４にそれぞれ面する一対の第２引出部１３２と、を有する。
【0088】
第１及び第２対向部１２１，１３１は、４つの側面Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４及び４つの稜部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４から間隔をあけて配置される。つまり、第１及び第２対向部１２１，１３１は、これらの側面Ｓ及び稜部ＲよりもＸ軸方向及びＹ軸方向において内側に配置される。
【0089】
本実施形態において、第１及び第２対向部１２１，１３１は、実質的に矩形の平面形状を有する。第１及び第２対向部１２１，１３１は、角ばった矩形でもよいし、矩形の角が丸まった形状でもよい。また、第１及び第２対向部１２１，１３１各々は、例えば、Ｘ軸方向に平行な２辺と、Ｙ軸方向に平行な２辺と、とを含む。
【0090】
本実施形態において、第１及び第２引出部１２２，１３２は、それぞれ、第１及び第２対向部１２１，１３１から、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に対して斜めの方向に延び、稜部Ｒに到達する。「第１及び第２引出部１２２，１３２が稜部Ｒに面する」とは、これらの引出部１２２，１３２が少なくとも稜部Ｒの一部に到達していることをいう。
【0091】
図１４Ａに示す例では、各第１引出部１２２は、第１対向部１２１から、第１稜部Ｒ１又は第２稜部Ｒ２によって接続される２つの側面Ｓに向かって、Ｘ軸方向及びＹ軸方向における外側に延びる一対の第１側縁部１２２ａを含む。
図１４Ｂに示す例では、各第２引出部１３２は、第２対向部１３１から、第３稜部Ｒ３又は第４稜部Ｒ４によって接続される２つの側面Ｓに向かって、Ｘ軸方向及びＹ軸方向における外側に延びる一対の第２側縁部１３２ａを含む。
図１４Ｂに示す例では、各第２引出部１３２は、第２対向部１３１から、第３稜部Ｒ３又は第４稜部Ｒ４によって接続される２つの側面Ｓに向かって、Ｘ軸方向及びＹ軸方向における外側に延びる一対の第２側縁部１３２ａを含む。
【0092】
具体的に、各側縁部１２２ａ，１３２ａは、第１対向部１２１又は第２対向部１３１上に位置する基点Ｐ１と、側面Ｓ上の端点Ｐ２と、を含み、端点Ｐ２が基点Ｐ１よりもＸ軸方向及びＹ軸方向における外側に位置している。各側縁部１２２ａ，１３２ａは、基点Ｐ１及び端点Ｐ２が上記関係を有していればよく、例えば直線状であるが、曲線状でもよい。
【0093】
ここで、上記構成の作用効果について説明するため、第１及び第２仮想線ＶＬ１，ＶＬ２について定義する。第１仮想線ＶＬ１は、第１内部電極１２を通るＸ－Ｙ平面と平行な断面において第１及び第２稜部Ｒ１，Ｒ２を結ぶ仮想線であり、Ｚ軸方向から見た平面視におけるセラミック素体１１の対角線の一方に相当する。第２仮想線ＶＬ２は、第２内部電極１３を通るＸ－Ｙ平面と平行な断面において第３及び第４稜部Ｒ３，Ｒ４を結ぶ仮想線であり、Ｚ軸方向から見た平面視におけるセラミック素体１１の対角線の他方に相当する。
【0094】
上記構成では、第１引出部１２２が、第１仮想線ＶＬ１に沿って延び、第２引出部１３２が、第２仮想線ＶＬ２に沿って延びることになる。
【0095】
これにより、図１４Ａに示すように、Ｚ軸方向から見た平面視において、内部電極１２，１３を重ねた形状が、対角線に相当する第１及び第２仮想線ＶＬ１，ＶＬ２に沿ったＸ字状となる。これにより、セラミック素体１１のＸ軸方向及びＹ軸方向における中央部からセラミック素体１１の表面までの距離が長く曲げ応力に対して欠陥が生じやすい、第１及び第２仮想線ＶＬ１，ＶＬ２上の領域を補強することができる。したがって、本実施形態では、当該領域を補強することで、セラミック素体１１の抗折強度を高めることができる。
【0096】
さらに、側縁部１２２ａ，１３２ａがいずれもＸ軸方向及びＹ軸方向における外側に傾いていることで、引出部１２２，１３２の対向部１２１，１３１との境界部の幅が狭くなることを抑制できる。例えば、一対の側縁部のうち、一方の側縁部がＸ軸方向に平行又はＹ軸方向内側に延び、他方の側縁部がＹ軸方向に平行又はＸ軸方向内側に延びていた場合、当該境界部が括れた形状となり、クラック等の起点となりやすくなる。これに対し、上記構成では、当該境界部が括れた形状となりにくいため、この部分を起点とするクラックを抑制することができる。
【0097】
これに加えて、上記構成の積層セラミックコンデンサ１０では、対向部１２１，１３１から外部電極１４までの電流の通路の幅を十分に確保することができる。これにより、内部電極１２，１３における電流の抵抗の上昇を抑制でき、積層セラミックコンデンサ１０における等価直列インダクタンス（ＥＳＬ：Equivalent Series Inductance）の上昇を抑制することができる。
【0098】
このような作用効果をより一層確実に得るため、一対の第１側縁部１２２ａは、相互に実質的に平行であってもよい。同様に、一対の第２側縁部１３２ａは、相互に実質的に平行であってもよい。
「一対の側縁部が実質的に平行である」とは、直線状の一対の側縁部が平行、又はこれらのなす角度が１０度以下となることをいう。
「一対の側縁部が実質的に平行である」とは、直線状の一対の側縁部が平行、又はこれらのなす角度が１０度以下となることをいう。
【0099】
これにより、引出部１２２，１３２における側縁部１２２ａ，１３２ａ間の距離（引出幅）をほぼ一定にすることができる。したがって、クラック等の起点となる引出幅が細い部分を形成せずに、セラミック素体１１の抗折強度をより安定して高めることができる。また、電流の通路の幅も安定して確保できるため、ＥＳＬの上昇を抑制する効果も十分に得ることができる。
【0100】
＜他の実施形態＞
本発明において、低背型であり、取り扱い性を確保することが可能な積層セラミックコンデンサを提供するという観点からは、内部電極の形状は上述の形状に限定されない。
本発明において、低背型であり、取り扱い性を確保することが可能な積層セラミックコンデンサを提供するという観点からは、内部電極の形状は上述の形状に限定されない。
【0101】
例えば、本発明の他の実施形態に係る積層セラミックコンデンサは、セラミック素体と、第１及び第２外部電極と、第３及び第４外部電極と、を備える。
セラミック素体は、第１軸に垂直な第１及び第２主面と、第１軸に直交する第２軸に垂直な第１及び第２側面と、第１軸及び第２軸に直交する第３軸に垂直な第３及び第４側面と、第１及び第４側面を接続する第１稜部と、第２及び第３側面を接続する第２稜部と、第１及び第３側面を接続する第３稜部と、第２及び第４側面を接続する第４稜部と、第１軸方向にセラミック層を介して交互に積層された第１及び第２内部電極と、を有する。
第１及び第２外部電極は、第１及び第２稜部をそれぞれ覆い、第１内部電極に接続される。
第３及び第４外部電極は、第３及び第４稜部をそれぞれ覆い、第２内部電極に接続される。
積層セラミックコンデンサは、第１軸方向における最大寸法である第１寸法が１１０μｍ以下であり、第２軸方向における最大寸法である第２寸法に対する第３軸方向における最大寸法である第３寸法の比率が、０．５以上０．８５未満である。
上記構成により、第１実施形態と同様に、製造、包装や実装の際の取り扱い性を高めることができる。また、この実施形態においても、第１実施形態の「積層セラミックコンデンサ１０の外観形状」で説明した寸法を適宜適用することができる。
セラミック素体は、第１軸に垂直な第１及び第２主面と、第１軸に直交する第２軸に垂直な第１及び第２側面と、第１軸及び第２軸に直交する第３軸に垂直な第３及び第４側面と、第１及び第４側面を接続する第１稜部と、第２及び第３側面を接続する第２稜部と、第１及び第３側面を接続する第３稜部と、第２及び第４側面を接続する第４稜部と、第１軸方向にセラミック層を介して交互に積層された第１及び第２内部電極と、を有する。
第１及び第２外部電極は、第１及び第２稜部をそれぞれ覆い、第１内部電極に接続される。
第３及び第４外部電極は、第３及び第４稜部をそれぞれ覆い、第２内部電極に接続される。
積層セラミックコンデンサは、第１軸方向における最大寸法である第１寸法が１１０μｍ以下であり、第２軸方向における最大寸法である第２寸法に対する第３軸方向における最大寸法である第３寸法の比率が、０．５以上０．８５未満である。
上記構成により、第１実施形態と同様に、製造、包装や実装の際の取り扱い性を高めることができる。また、この実施形態においても、第１実施形態の「積層セラミックコンデンサ１０の外観形状」で説明した寸法を適宜適用することができる。
【0102】
さらに、本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。
【0103】
例えば、外部電極の形状は、図示の例に限定されない。例えば、外部電極は、一方の主面上には形成されていなくてもよい。
また、外部電極の主面上における形状は、長方形状に限定されない。例えば、主面上の外部電極の縁部が、屈曲しておらず、曲線状又は直線状に構成されていてもよい。このような外部電極の下地層は、例えば、稜部を下向きとして導電性ペースト槽に浸漬するディッピングによって形成することができる。
また、外部電極の主面上における形状は、長方形状に限定されない。例えば、主面上の外部電極の縁部が、屈曲しておらず、曲線状又は直線状に構成されていてもよい。このような外部電極の下地層は、例えば、稜部を下向きとして導電性ペースト槽に浸漬するディッピングによって形成することができる。
【0104】
＜実施例＞
本発明の積層セラミックコンデンサの外観形状について好適な範囲を見出すために、外観形状の異なる積層セラミックコンデンサのサンプルを作製し、評価した。
本発明の積層セラミックコンデンサの外観形状について好適な範囲を見出すために、外観形状の異なる積層セラミックコンデンサのサンプルを作製し、評価した。
【0105】
［サンプルの作製］
実施例１～１２及び比較例１～３の各サンプルを、以下の「共通する製造方法」に沿って作製した。但し、これらのサンプルは、焼成前の各部の寸法やカットサイズ、シートの積層数等を調整することで、製造後において表１及び表２に示す寸法を有するように調整した。なお、表１及び表２に示す寸法は、いずれも、製造後の各部の寸法を示す。
実施例１～１２及び比較例１～３の各サンプルを、以下の「共通する製造方法」に沿って作製した。但し、これらのサンプルは、焼成前の各部の寸法やカットサイズ、シートの積層数等を調整することで、製造後において表１及び表２に示す寸法を有するように調整した。なお、表１及び表２に示す寸法は、いずれも、製造後の各部の寸法を示す。
【0106】
（共通する製造方法）
まず、ＢａＴｉＯ３等を含む高誘電体材料を用いてセラミックグリーンシートを作製した。このシート上に、Ｎｉ等を含む導電体ペーストを塗布し、第１及び第２内部電極に対応する電極パターンを形成した。第１内部電極に対応する電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートと、第２内部電極に対応する電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートと、を交互に積層し、その積層体の上下に、電極パターンを含まないセラミックグリーンシートを積層し、圧着した。そして、このセラミックグリーンシートの積層体を１チップ分のサイズにカットして、未焼成のセラミック素体を個片化した。この未焼成のセラミック素体の４つの稜部を覆うように、外部電極の下地用の導電ペーストを塗布した。これを焼成し、焼成された下地膜上に電解メッキを行った。これにより、積層セラミックコンデンサの各サンプルが作製された。
まず、ＢａＴｉＯ３等を含む高誘電体材料を用いてセラミックグリーンシートを作製した。このシート上に、Ｎｉ等を含む導電体ペーストを塗布し、第１及び第２内部電極に対応する電極パターンを形成した。第１内部電極に対応する電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートと、第２内部電極に対応する電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートと、を交互に積層し、その積層体の上下に、電極パターンを含まないセラミックグリーンシートを積層し、圧着した。そして、このセラミックグリーンシートの積層体を１チップ分のサイズにカットして、未焼成のセラミック素体を個片化した。この未焼成のセラミック素体の４つの稜部を覆うように、外部電極の下地用の導電ペーストを塗布した。これを焼成し、焼成された下地膜上に電解メッキを行った。これにより、積層セラミックコンデンサの各サンプルが作製された。
【0107】
（実施例１～３）
第２寸法Ｌに対する第３寸法Ｗの比率（Ｗ／Ｌ）について検討するため、第３寸法Ｗ及びＷ／Ｌ及びの異なる、実施例１～３のサンプルを作製した。これらのサンプルの各寸法を、表１に示す。実施例１～３のサンプルは、図１～６に示す構成と同様の基本構成を有するものとした。
第２寸法Ｌに対する第３寸法Ｗの比率（Ｗ／Ｌ）について検討するため、第３寸法Ｗ及びＷ／Ｌ及びの異なる、実施例１～３のサンプルを作製した。これらのサンプルの各寸法を、表１に示す。実施例１～３のサンプルは、図１～６に示す構成と同様の基本構成を有するものとした。
【0108】
（比較例１及び２）
第２寸法Ｌに対する第３寸法Ｗの比率（Ｗ／Ｌ）が０．８５以上１以下である、比較例１及び２のサンプルを作製した。これらのサンプルの各寸法を、表１に示す。比較例１及び２のサンプルは、第２比較例に係る図１２に示す構成と同様の基本構成を有するものとした。
第２寸法Ｌに対する第３寸法Ｗの比率（Ｗ／Ｌ）が０．８５以上１以下である、比較例１及び２のサンプルを作製した。これらのサンプルの各寸法を、表１に示す。比較例１及び２のサンプルは、第２比較例に係る図１２に示す構成と同様の基本構成を有するものとした。
【0109】
（実施例４～９）
第２寸法Ｌについて検討するため、第２寸法Ｌ及び第３寸法Ｗの異なる、実施例４～９のサンプルを作製した。これらのサンプルの各寸法を、表１に示す。実施例４～９のサンプルは、稜部が外部電極によって完全に覆われており、図１～６に示す構成と同様の基本構成を有するものとした。
第２寸法Ｌについて検討するため、第２寸法Ｌ及び第３寸法Ｗの異なる、実施例４～９のサンプルを作製した。これらのサンプルの各寸法を、表１に示す。実施例４～９のサンプルは、稜部が外部電極によって完全に覆われており、図１～６に示す構成と同様の基本構成を有するものとした。
【0110】
【表1】
【0111】
（実施例１０）
Ｘ軸方向に隣り合う２つの外部電極の間のＸ軸方向における最小距離ＤＬ２、及びＹ軸方向に隣り合う２つの外部電極の間のＹ軸方向における最小距離ＤＷ２の下限値について検討するため、最小距離ＤＬ２及びＤＷ２がいずれも７０μｍである実施例１０のサンプルを作製した。このサンプルの各寸法を、表２に示す。実施例１０のサンプルは、図１～６に示す構成と同様の基本構成を有するものとした。なお、表２には、比較のため、表１に記載した実施例１のデータも記載している。
Ｘ軸方向に隣り合う２つの外部電極の間のＸ軸方向における最小距離ＤＬ２、及びＹ軸方向に隣り合う２つの外部電極の間のＹ軸方向における最小距離ＤＷ２の下限値について検討するため、最小距離ＤＬ２及びＤＷ２がいずれも７０μｍである実施例１０のサンプルを作製した。このサンプルの各寸法を、表２に示す。実施例１０のサンプルは、図１～６に示す構成と同様の基本構成を有するものとした。なお、表２には、比較のため、表１に記載した実施例１のデータも記載している。
【0112】
（実施例１１及び１２）
第１側面からの外部電極の突出寸法ＤＬ３について検討するため、突出寸法ＤＬ３の異なる、実施例１１及び１２のサンプルを作製した。これらのサンプルの各寸法を、表２に示す。これらのサンプルでは、外部電極の製造後の厚みがそれぞれ３μｍ、３０μｍとなるように、下地膜の厚み及びメッキ膜の厚みを調整した。実施例１１及び１２のサンプルは、稜部が外部電極によって完全に覆われており、図１～６に示す構成と同様の基本構成を有するものとした。
第１側面からの外部電極の突出寸法ＤＬ３について検討するため、突出寸法ＤＬ３の異なる、実施例１１及び１２のサンプルを作製した。これらのサンプルの各寸法を、表２に示す。これらのサンプルでは、外部電極の製造後の厚みがそれぞれ３μｍ、３０μｍとなるように、下地膜の厚み及びメッキ膜の厚みを調整した。実施例１１及び１２のサンプルは、稜部が外部電極によって完全に覆われており、図１～６に示す構成と同様の基本構成を有するものとした。
【0113】
（比較例３及び４）
稜部が外部電極に覆われていない、比較例３及び４のサンプルを作製した。これらのサンプルは、外部電極の配置及び寸法を変更した以外は、「共通する製造方法」に沿って作製された。これらのサンプルの各寸法を、表２に示す。比較例３及び４のサンプルは、図８及び図９に示す第１比較例と同様の基本構成を有するものとした。
稜部が外部電極に覆われていない、比較例３及び４のサンプルを作製した。これらのサンプルは、外部電極の配置及び寸法を変更した以外は、「共通する製造方法」に沿って作製された。これらのサンプルの各寸法を、表２に示す。比較例３及び４のサンプルは、図８及び図９に示す第１比較例と同様の基本構成を有するものとした。
【0114】
比較例３及び４のサンプルにおいて、外部電極のＸ軸方向外側の端部は、第１及び第２側面からＸ軸方向内側に、それぞれ８０μｍ及び４０μｍ後退させた。このため、表２に示す比較例３及び４の突出寸法ＤＬ３では、外部電極のＸ軸方向外側の端部が第１及び第２側面からＸ軸方向内側に後退していることを「－（マイナス）」で表し、突出寸法ＤＬ３を－８０μｍ、－４０μｍと示している。
【0115】
【表2】
【0116】
［方向判別性の評価］
上記実施例及び比較例の各サンプルの１０個の外観を光学顕微鏡によって２０倍に拡大して観察し、第１及び第２側面と垂直なＸ軸方向（長手方向）を、第３及び第４側面と垂直なＹ軸方向に対して判別できるか否か評価した。各実施例及び比較例について、全て判別可能であった場合を「ＯＫ」、１個でも判別できなかった場合を「ＮＧ」と評価した。この評価結果を、表１及び２に示す。
上記実施例及び比較例の各サンプルの１０個の外観を光学顕微鏡によって２０倍に拡大して観察し、第１及び第２側面と垂直なＸ軸方向（長手方向）を、第３及び第４側面と垂直なＹ軸方向に対して判別できるか否か評価した。各実施例及び比較例について、全て判別可能であった場合を「ＯＫ」、１個でも判別できなかった場合を「ＮＧ」と評価した。この評価結果を、表１及び２に示す。
【0117】
これらの表に示すように、Ｗ／Ｌが０．５以上０．８５未満である実施例１～１２及び比較例３，４のサンプルは、全て長手方向を判別することができて「ＯＫ」と評価された。一方で、Ｗ／Ｌがそれぞれ０．９６、１．００である比較例１及び２のサンプルは、いずれにおいても長手方向を判別することができず、「ＮＧ」と評価された。
【0118】
［搬送時の不具合についての評価］
上記実施例及び比較例の各サンプルの１００００個を順に、図１０、１１及び１３に示すような搬送装置に投入して、搬送過程において不具合が生じないか否か評価した。各実施例及び比較例について、搬送装置に投入後、下流のテーピング装置まで搬送された場合を「ＯＫ」、搬送装置において詰まり等が生じて下流のテーピング装置まで搬送が困難だった場合を「ＮＧ」と評価した。この評価結果を、表１及び２に示す。
上記実施例及び比較例の各サンプルの１００００個を順に、図１０、１１及び１３に示すような搬送装置に投入して、搬送過程において不具合が生じないか否か評価した。各実施例及び比較例について、搬送装置に投入後、下流のテーピング装置まで搬送された場合を「ＯＫ」、搬送装置において詰まり等が生じて下流のテーピング装置まで搬送が困難だった場合を「ＮＧ」と評価した。この評価結果を、表１及び２に示す。
【0119】
外部電極が稜部を覆っていない比較例３及び４では、搬送装置において詰まりが生じてしまい、ＮＧと評価された。比較例３及び４における搬送過程を調査したところ、前後のサンプルが上下に重なってしまった箇所があり、重なった２つのサンプルが搬送装置の底板とカバーの間に嵌った状態となっていた。
【0120】
Ｚ軸方向から見てほぼ正方形状の比較例１及び２では、搬送装置において詰まりが生じてしまい、ＮＧと評価された。これらのサンプルにおける搬送過程を調査したところ、一つのサンプルがＺ軸方向を回転軸として回転し、Ｚ軸方向から見て対角線上にある一対の稜部が搬送装置の側壁間に嵌った状態となっていた。
【0121】
実施例１～１２のサンプルは、いずれも搬送装置における不具合が生じず、ＯＫと評価された。但し、突出寸法ＤＬ３が３μｍの実施例１１については、全てのサンプルが下流のテーピング装置まで搬送されたものの、やや搬送が遅れる傾向にあった。
【0122】
［総括］
以上のように、Ｗ／Ｌが０．５以上０．８５未満である実施例１～１２のサンプルは、長手方向を判別することが可能であるとともに、搬送装置における不具合も生じなかった。これにより、実施例１～１２のサンプルは、比較例１～４のサンプルと比較して、取り扱い性に優れることがわかった。
以上のように、Ｗ／Ｌが０．５以上０．８５未満である実施例１～１２のサンプルは、長手方向を判別することが可能であるとともに、搬送装置における不具合も生じなかった。これにより、実施例１～１２のサンプルは、比較例１～４のサンプルと比較して、取り扱い性に優れることがわかった。
【符号の説明】
【0123】
１０ 積層セラミックコンデンサ
１１ セラミック素体
１２ 第１内部電極
１２１ 第１対向部
１２２ 第１引出部
１２２ａ 第１側縁部
１３ 第２内部電極
１３１ 第２対向部
１３２ 第２引出部
１３２ａ 第２側縁部
１４，１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄ 外部電極
Ｓ，Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４ 側面
Ｍ１，Ｍ２ 主面
Ｒ，Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４ 稜部
１１ セラミック素体
１２ 第１内部電極
１２１ 第１対向部
１２２ 第１引出部
１２２ａ 第１側縁部
１３ 第２内部電極
１３１ 第２対向部
１３２ 第２引出部
１３２ａ 第２側縁部
１４，１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄ 外部電極
Ｓ，Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４ 側面
Ｍ１，Ｍ２ 主面
Ｒ，Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４ 稜部
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】