特開 2023-123049 導電膜積層体の製造方法及び導電膜積層体

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023123049

(43)【公開日】2023-09-05

(54)【発明の名称】導電膜積層体の製造方法及び導電膜積層体

(51)【国際特許分類】

   B32B 9/04 20060101AFI20230829BHJP

   B32B 38/10 20060101ALI20230829BHJP

   B32B 37/02 20060101ALI20230829BHJP

   H05K 3/00 20060101ALI20230829BHJP

【ＦＩ】

B32B9/04

B32B38/10

B32B37/02

H05K3/00 R

【審査請求】未請求

【請求項の数】14

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022026891

(22)【出願日】2022-02-24

(71)【出願人】

【識別番号】000229955

【氏名又は名称】日本プラスト株式会社

(71)【出願人】

【識別番号】502050729

【氏名又は名称】黄 晋二

(71)【出願人】

【識別番号】521495943

【氏名又は名称】渡辺 剛志

(71)【出願人】

【識別番号】522073157

【氏名又は名称】黒松 将

(74)【代理人】

【識別番号】100083806

【弁理士】

【氏名又は名称】三好 秀和

(74)【代理人】

【識別番号】100101247

【弁理士】

【氏名又は名称】高橋 俊一

(74)【代理人】

【識別番号】100095500

【弁理士】

【氏名又は名称】伊藤 正和

(74)【代理人】

【識別番号】100098327

【弁理士】

【氏名又は名称】高松 俊雄

(72)【発明者】

【氏名】遠藤 和幸

(72)【発明者】

【氏名】黄 晋二

(72)【発明者】

【氏名】渡辺 剛志

(72)【発明者】

【氏名】黒松 将

【テーマコード（参考）】

4F100

【Ｆターム（参考）】

4F100AA37A

4F100AB02B

4F100AB02G

4F100AB02H

4F100AB17B

4F100AB17G

4F100AB17H

4F100AK02C

4F100AK25B

4F100AK25G

4F100AK41C

4F100AK46C

4F100AK50C

4F100AK54C

4F100AK57C

4F100CC102

4F100CC10A

4F100CC10H

4F100DE03A

4F100EC18B

4F100EC18G

4F100EH462

4F100EH46A

4F100EJ152

4F100EJ172

4F100EJ17A

4F100EJ17B

4F100EJ17C

4F100EJ302

4F100EJ912

(57)【要約】

【課題】安定した膜質の導電膜積層体の製造方法及び導電膜積層体を提供する。
【解決手段】導電膜積層体１の製造方法は、被積層基材１０と被積層基材１０の表面に形成された粘着層２０と粘着層２０の表面に形成された炭素導電膜３０とを備える導電膜積層体１の製造方法であって、表面に炭素導電膜３０を形成するための形成用基板４０と、形成用基板４０の表面に形成された炭素導電膜３０と、炭素導電膜３０の表面に形成された粘着層２０と、を備える第１の積層体１１０を作製する第１の積層体作製工程と、第１の積層体１１０の粘着層２０と、被積層基材１０とを接触させた後、加熱圧着を行って第２の積層体１２０を作製する熱圧着工程と、第２の積層体１２０の形成用基板４０をエッチングして、導電膜積層体１を作製するエッチング工程とを備える。
【選択図】図９

【特許請求の範囲】

【請求項1】

被積層基材と前記被積層基材の表面に形成された粘着層と前記粘着層の表面に形成された炭素導電膜とを備える導電膜積層体の製造方法であって、
表面に前記炭素導電膜を形成するための形成用基板と、前記形成用基板の表面に形成された炭素導電膜と、前記炭素導電膜の表面に形成された粘着層と、を備える第１の積層体を作製する第１の積層体作製工程と、
前記第１の積層体の前記粘着層と、前記被積層基材とを接触させた後、加熱圧着を行って第２の積層体を作製する熱圧着工程と、
前記第２の積層体の前記形成用基板をエッチングして、前記導電膜積層体を作製するエッチング工程と、
を備える導電膜積層体の製造方法。

【請求項2】

前記第１の積層体を構成する前記炭素導電膜は、単層カーボンナノチューブのネットワーク構造体であるＳＷＣＮＴ膜である請求項１に記載の導電膜積層体の製造方法。

【請求項3】

前記熱圧着工程の加熱圧着の温度は、前記被積層基材のガラス転移温度以上である請求項１又は２に記載の導電膜積層体の製造方法。

【請求項4】

前記熱圧着工程の加熱圧着の温度は、前記粘着層を構成する粘着剤のガラス転移温度以上である請求項１～３のいずれか一項に記載の導電膜積層体の製造方法。

【請求項5】

前記被積層基材は、ＰＥＴ樹脂からなる請求項１～４のいずれか一項に記載の導電膜積層体の製造方法。

【請求項6】

前記粘着層は、アクリル系粘着剤の硬化物を含む請求項１～５のいずれか一項に記載の導電膜積層体の製造方法。

【請求項7】

前記アクリル系粘着剤の硬化物は、吸水性のあるアクリル系粘着剤の硬化物である請求項６に記載の導電膜積層体の製造方法。

【請求項8】

前記熱圧着工程の加熱圧着は、ＴＯＭ成形で行う請求項１～７のいずれか一項に記載の導電膜積層体の製造方法。

【請求項9】

前記形成用基板は、Ｃｕ含有金属からなるＣｕ板であり、
前記エッチング工程は、Ｃｕをエッチングするエッチャントに前記第２の積層体を浸漬して前記形成用基板をエッチングする請求項１～８のいずれか一項に記載の導電膜積層体の製造方法。

【請求項10】

前記エッチャントは、硝酸鉄水溶液及び塩化鉄水溶液の１種以上からなる請求項９に記載の導電膜積層体の製造方法。

【請求項11】

前記ＳＷＣＮＴ膜は、
単層カーボンナノチューブと分散剤と分散溶媒と含むＣＮＴインクをスピンコート法で前記形成用基板上に塗布してＣＮＴ塗膜を形成する塗布工程と、
前記ＣＮＴ塗膜から前記分散剤と分散溶媒とを除去する除去工程と、
を経て形成される請求項２に記載の導電膜積層体の製造方法。

【請求項12】

前記除去工程は、前記ＣＮＴ塗膜を３５０℃以上で熱処理する請求項１１に記載の導電膜積層体の製造方法。

【請求項13】

被積層基材と前記被積層基材の表面に形成された粘着層と前記粘着層の表面に形成された炭素導電膜とを備え、
前記炭素導電膜は、単層カーボンナノチューブのネットワーク構造体であるＳＷＣＮＴ膜であり、
前記粘着層は、粘着剤の硬化物と金属イオンとを含む導電膜積層体。

【請求項14】

前記金属イオンは、Ｃｕ^２＋及びＦｅ^２＋を含む請求項１３に記載の導電膜積層体。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、導電膜積層体の製造方法及び導電膜積層体に関する。

【背景技術】

【0002】

単層カーボンナノチューブ（ＳＷＣＮＴ：Ｓｉｎｇｌｅ－Ｗａｌｌ Ｃａｒｂｏｎ Ｎａｎｏｔｕｂｅ）は、優れた機械的、電気的及び熱的特性を有し、また高いフレキシブル性を有する。このため、例えばＳＷＣＮＴを含むＳＷＣＮＴ膜は、次世代のフレキシブル導電材料としての応用が期待されている。

【0003】

特許文献１には、炭素化触媒、グラフェンシート、バインダー層及び基板の積層体が、エッチャントとしての酸溶液Ａに浸漬されて炭素化触媒を除去するグラフェンシートの製造方法が開示されている。また、特許文献１には、バインダー層が、絶縁性の高いシロキサン化合物、アクリル系化合物等のコーティングで形成されることが開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２００９－２９８６８３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

しかしながら、特許文献１のコーティングで形成されたバインダー層中には、通常、アルコールやエステル等の溶媒成分が含まれる。このため、特許文献１に開示された発明では、バインダー層の硬化工程において溶媒成分等が揮発してバインダー層とグラフェンシートとの密着性の低下や気泡の発生が生じやすい。

【0006】

なお、特許文献１の図３のＮｉ（炭素化触媒膜）／グラフェンシート／バインダー層／基板のグラフェンシート積層体は、公知の方法で製造されている。このため、特許文献１の図３のグラフェンシート積層体は、バインダー層とグラフェンシートとの密着性の低下や気泡の発生の問題を解消していないと思料される。

【0007】

このように、従来、安定した膜質の炭素導電膜を備えた導電膜積層体及びその製造方法は知られていなかった。

【0008】

本発明は、このような従来技術が有する課題に鑑みてなされたものである。本発明の目的は、安定した膜質の導電膜積層体の製造方法及び導電膜積層体を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0009】

本発明の第１の態様に係る導電膜積層体の製造方法は、被積層基材と前記被積層基材の表面に形成された粘着層と前記粘着層の表面に形成された炭素導電膜とを備える導電膜積層体の製造方法であって、表面に前記炭素導電膜を形成するための形成用基板と、前記形成用基板の表面に形成された炭素導電膜と、前記炭素導電膜の表面に形成された粘着層と、を備える第１の積層体を作製する第１の積層体作製工程と、前記第１の積層体の前記粘着層と、前記被積層基材とを接触させた後、加熱圧着を行って第２の積層体を作製する熱圧着工程と、前記第２の積層体の前記形成用基板をエッチングして、前記導電膜積層体を作製するエッチング工程と、を備える。

【0010】

本発明の第２の態様に係る導電膜積層体は、被積層基材と前記被積層基材の表面に形成された粘着層と前記粘着層の表面に形成された炭素導電膜とを備え、前記炭素導電膜は、単層カーボンナノチューブのネットワーク構造体であるＳＷＣＮＴ膜であり、前記粘着層は、粘着剤の硬化物と金属イオンとを含む。

【発明の効果】

【0011】

本発明によれば、安定した膜質の導電膜積層体の製造方法及び導電膜積層体を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1】本実施形態に係る導電膜積層体の一例を示す断面図である。

【図2】本実施形態に係る第１の積層体の一例を示す断面図である。

【図3】本実施形態に係るＣＮＴ塗膜複合体の一例を示す断面図である。

【図4】本実施形態に係る炭素導電膜複合体の一例を示す断面図である。

【図5】本実施形態に係るＳＷＣＮＴ膜（炭素導電膜）の一例の表面のＳＥＭ写真である。

【図6】本実施形態に係る熱圧着前複合体の一例を示す断面図である。

【図7】本実施形態に係る第２の積層体の一例を示す断面図である。

【図8】本実施形態に係る第２の積層体の一例を示す光学写真である。

【図9】本実施形態に係る第２の積層体のエッチング工程の一例を示す断面図である。

【図10】本実施形態に係るＳＷＣＮＴ膜（炭素導電膜）の一例の表面のＳＥＭ写真である。

【図11】本実施形態に係る導電膜積層体の一例を示す光学写真である。

【発明を実施するための形態】

【0013】

以下、図面を用いて本実施形態に係る導電膜積層体について詳細に説明する。なお、図面の寸法比率は説明の都合上誇張されており、実際の比率と異なる場合がある。

【0014】

［導電膜積層体］
図１は、本実施形態に係る導電膜積層体の一例を示す断面図である。図１に示す導電膜積層体１Ａ（１）は、被積層基材１０と、被積層基材１０の表面に形成された粘着層２０Ａ（２０）と、粘着層２０Ａの表面に形成された炭素導電膜３０Ａ（３０）と、を備える。

【0015】

導電膜積層体１Ａは、製造時の熱圧着工程での加熱圧着により、被積層基材１０と粘着層２０Ａと炭素導電膜３０Ａとが強固に接着されたものになっている。また、導電膜積層体１Ａは、製造時の熱圧着工程の後に行われるエッチング工程でのエッチャントとの接触により、粘着層２０Ａ中に粘着剤の硬化物と金属イオン６０とを含むものになっている。

【0016】

（被積層基材）
被積層基材１０は、炭素導電膜３０Ａが粘着層２０Ａを介して積層される樹脂基材である。被積層基材１０としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ、ガラス転移温度Ｔ_ｇ：６９℃）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＥＴ、ガラス転移温度Ｔ_ｇ：５０℃）、ポリエチレン（ガラス転移温度Ｔ_ｇ：－１２５℃）、ポリプロピレン（ガラス転移温度Ｔ_ｇ：０℃）、ポリ塩化ビニル（ガラス転移温度Ｔ_ｇ：８７℃）、ポリスチレン（ガラス転移温度Ｔ_ｇ：１００℃）、アクリロニトリル－ブタジエン－スチレン樹脂（ＡＢＳ、ガラス転移温度Ｔ_ｇ：８０～１２５℃）、ポリメタクリル酸メチル（ガラス転移温度Ｔ_ｇ：９０℃）、ポリアミド６（ガラス転移温度Ｔ_ｇ：５０℃）、ポリアミド６６（ガラス転移温度Ｔ_ｇ：５０℃）、ポリアセタール（ガラス転移温度Ｔ_ｇ：－５０℃）、ポリカーボネート（ガラス転移温度Ｔ_ｇ：１５０℃）、ポリフェニレンスルフィド（ガラス転移温度Ｔ_ｇ：１２６℃）、ポリウレタン（ガラス転移温度Ｔ_ｇ：－２０℃）、ポリエーテルサルホン（ガラス転移温度Ｔ_ｇ：２３０℃）、ポリフェニレンオキシド（ガラス転移温度Ｔ_ｇ：１０４～１２０℃）、ポリアミドイミド（ガラス転移温度Ｔ_ｇ：２７５℃）、ポリ乳酸（ガラス転移温度Ｔ_ｇ：５７℃）、ポリテトラフルオロエチレン（ガラス転移温度Ｔ_ｇ：１２６℃）、エチレン・酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ、ガラス転移温度Ｔ_ｇ：－４２℃）、ポリアクリロニトリル（ガラス転移温度Ｔ_ｇ：１０４℃）、ポリフッ化ビニリデン（ガラス転移温度Ｔ_ｇ：３５℃）等が用いられる。このうち、ＰＥＴ樹脂は、ガラス転移温度が６９℃と比較的低く、耐熱温度が２２０℃と高いことから、熱圧着時の素材の安定性が高く、フレキシブル性も高い。このため、被積層基材１０がＰＥＴ樹脂からなると、粘着層２０Ａと強固に接着しやすいため非常に好ましい。

【0017】

なお、熱圧着工程を経て作製された導電膜積層体１Ａは、通常、被積層基材１０と粘着層２０Ａとの界面が、強固に結合したものになる。このことについては後述する。

【0018】

（粘着層）
粘着層２０Ａは、被積層基材１０と炭素導電膜３０Ａとの間に配置された後、加熱圧着により被積層基材１０と炭素導電膜３０Ａとを強固に接着する層である。具体的には、粘着層２０Ａは、粘着剤が加熱圧着により硬化してなる粘着剤の硬化物を含む。また、導電膜積層体１Ａは、製造時のエッチング工程でのエッチャント５０との接触により、通常、粘着層２０Ａ中に金属イオン６０を含みやすい。すなわち、粘着層２０Ａは、粘着剤の硬化物と金属イオン６０とを含むことがある。

【0019】

金属イオン６０としては、エッチャント５０中に含まれる金属イオンや、形成用基板４０がエッチャント５０と接触してエッチングされた際に生じる形成用基板４０に由来する金属イオンが用いられる。粘着層２０Ａ中に金属イオンが含まれると、粘着層２０Ａを介して炭素導電膜３０Ａと被積層基材１０との間の電子の移動を向上させるドーピング効果が生じることで、導電膜積層体１Ａ全体としての導電効果が向上するため好ましい。

【0020】

例えば、エッチャント５０が硝酸鉄水溶液及び塩化鉄水溶液のような鉄イオン含有液である場合、エッチャント５０中のＦｅ^３＋が還元されてなるＦｅ^２＋が金属イオン６０として粘着層２０Ａ中に含まれることがある。

【0021】

また、形成用基板４０がＣｕ板である場合、Ｃｕ板４０がエッチャント５０と接触してエッチングされた際に生じるＣｕ^２＋が金属イオン６０として粘着層２０Ａ中に含まれることがある。このため、粘着層２０Ａ中に含まれる金属イオンは、Ｃｕ^２＋及びＦｅ^２＋を含むことがある。

【0022】

粘着層２０Ａは、金属イオン濃度が０．５２ｍｏｌ／Ｌ以上のエッチャント５０で作製したものであると、粘着層２０Ａ中に含まれる金属イオンの含有量が多くなり、導電膜積層体１ＡのＳＷＣＮＴ膜（炭素導電膜）３０Ａの導電効果が高くなりやすいため好ましい。

【0023】

粘着剤としては、例えば、アクリル系粘着剤、変性アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ウレタン系粘着剤、ゴム系粘着剤等が用いられる。このうち、アクリル系粘着剤、変性アクリル系粘着剤は、透明性及び耐熱性が高く、ＴＯＭ成型等に使用可能であるため好ましい。ここで、変性アクリル系粘着剤とは、親水性を付与するために、水分を吸着しやすい官能基を付与して樹脂の極性を高めた粘着剤を意味する。

【0024】

一般的に、分子の極性を高めると、分子間の電子の隔たりが大きくなることにより分子同士の引き合う力（分子間力）が強くなる。このため、樹脂の極性が高くなると、極性の高い樹脂の分子に高極性の分子である水が吸着しやすくなるため、樹脂に親水性が付与される。一方、樹脂の極性が低くなると、極性の低い樹脂の分子に高極性の分子である水が吸着しにくくなるため、樹脂に疎水性が付与されることになる。

【0025】

変性アクリル系粘着剤としては、例えば、分子の端末に水酸基（－ＯＨ）、カルボキシル基（－ＣＯＯＨ）、アミノ基（－ＮＨ_２）、カルボニル基（－ＣＯ）等が付与して改質されたアクリル系粘着剤粘着剤が用いられる。変性アクリル系粘着剤としては、より具体的には、日榮新化株式会社製変性アクリル系粘着剤Ｇ２５の粘着層を構成する粘着剤が用いられる。

【0026】

アクリル系粘着剤及び変性アクリル系粘着剤は、耐熱性及び透明性が高いことからＴＯＭ成形を用いて３次元的に複雑な形状の導電膜積層体１Ａを作製することが可能であるため好ましい。また、変性アクリル系粘着剤は、粘着層２０Ａ中に金属イオンが含まれやすいため、より好ましい。

【0027】

粘着層２０Ａは、アクリル系粘着剤の硬化物を含むものとすることができる。アクリル系粘着剤は、ガラス転移温度が比較的低いことから、粘着層２０Ａが、被積層基材１０、炭素導電膜３０Ａ等と強固に接着しやすいため好ましい。また、アクリル系粘着剤の硬化物を含むは、透明性、耐熱性、及び伸びの追従性が高いため、製造時に被積層基材１０から生じるアウトガスや微量水分を吸収することができる。このため、粘着層２０Ａがアクリル系粘着剤の硬化物を含むと、粘着層２０Ａがガスの吸収や吸水をすることにより、粘着層２０Ａに気泡や浮きが生じることを防ぐことができるため好ましい。

【0028】

アクリル系粘着剤としては、例えば、アクリル酸エチル系粘着剤、アクリル酸メチル系粘着剤、アクリル酸ブチル系粘着剤、メタクリル酸メチル系粘着剤等が用いられる。変性アクリル系粘着剤としては、例えば、上記粘着剤のモノマーに水分を吸着し易い官能基を付与させて変性させた粘着剤等が用いられる。すなわち、本実施形態では、アクリル系粘着剤の硬化物が、吸水性のあるアクリル系粘着剤の硬化物であるようにすることができる。

【0029】

なお、アクリル系粘着剤及び変性アクリル系粘着剤は、通常、一般的なＰＭＭＡポリマーよりも分子量が小さい。このため、アクリル系粘着剤及び変性アクリル系粘着剤のガラス転移温度は、通常、一般的なＰＭＭＡポリマーのガラス転移温度９０℃よりも低い温度、例えば７０～８０℃となる。粘着剤の硬化物が、アクリル系粘着剤又は変性アクリル系アクリル系粘着剤の硬化物からなると、ガラス転移温度が低いことで被積層基材１０、炭素導電膜３０Ａ等と強固に接着しやすいため好ましい。

【0030】

粘着層２０Ａは、被積層基材１０と炭素導電膜３０Ａとの間に介在するが、通常、加熱圧着前に比較して加熱圧着後は厚さが減少する。すなわち、導電膜積層体１Ａの製造方法の熱圧着工程において、被積層基材１０と炭素導電膜３０Ａとの間に配置された粘着剤は、加熱圧着により、厚さが減少して粘着層２０Ａとなる。

【0031】

なお、加熱圧着の際は、通常、粘着層２０Ａと被積層基材１０との界面、及び粘着層２０Ａと炭素導電膜３０Ａとの界面において、各層を構成する物質間が強固に結合しやすい。例えば、加熱圧着の際は、被積層基材１０を構成する樹脂分子のミクロブラウン運動等により、粘着層２０Ａを構成する粘着剤の分子との間で絡み合いが生じることで、隣接する層が強固に結合しやすい。このように、熱圧着工程を経て作製された導電膜積層体１Ａは、通常、粘着層２０Ａと被積層基材１０との界面、及び粘着層２０Ａと炭素導電膜３０Ａとの界面が、強固に結合したものになる。

【0032】

また、粘着剤がアクリル系粘着剤及び変性アクリル系粘着剤である場合、加熱圧着の際に、粘着剤は、通常、そのガラス転移温度よりも高い温度で、加熱圧着される。このため、粘着剤がアクリル系粘着剤及び変性アクリル系粘着剤である場合、粘着剤を構成する樹脂中に含有されている溶媒成分が加熱圧着の際に脱離することにより、粘着層２０Ａが強固な膜となる。

【0033】

粘着層２０Ａの厚さは、例えば５～１００μｍ、好ましくは１０～５０μｍ、より好ましくは２０～３０μｍとする。粘着層２０Ａの厚さが上記範囲内にあると、透明性及び金属イオンの吸着性が良好に維持されるため好ましい。

【0034】

（炭素導電膜）
炭素導電膜３０Ａ（３０）は、炭素材料を含む導電膜である。図５は、本実施形態に係る炭素導電膜の一例の表面のＳＥＭ写真である。図５に示す炭素導電膜３０Ａは、単層カーボンナノチューブ３５のネットワーク構造体であるＳＷＣＮＴ膜３０Ａになっている。ＳＷＣＮＴ膜３０Ａは、通常、多数の空隙を有する。

【0035】

なお、導電膜積層体１Ａでは、炭素導電膜３０がＳＷＣＮＴ膜３０Ａになっているが、導電膜積層体１Ａの変形例として、ＳＷＣＮＴ膜以外の炭素導電膜３０としてもよい。例えば、導電膜積層体１Ａの変形例では、グラフェン膜を含む炭素導電膜３０を用いることができる。

【0036】

ＳＷＣＮＴ膜３０Ａに含まれる単層カーボンナノチューブ３５の中心直径は、例えば０．５～５ｎｍ、好ましくは１～３ｎｍである。ＳＷＣＮＴ膜３０Ａに含まれる単層カーボンナノチューブ３５の長さは、例えば１～数１０μｍである。

【0037】

ＳＷＣＮＴ膜３０Ａの厚さは、例えば５０～５００ｎｍ、好ましくは１００～２００ｎｍである。

【0038】

炭素導電膜３０がＳＷＣＮＴ膜３０Ａであると、導電膜積層体１Ａの製造時の熱圧着工程での加熱圧着により、ＳＷＣＮＴ膜３０Ａと粘着層２０Ａとが強固に接着されやすいため好ましい。ＳＷＣＮＴ膜３０Ａと粘着層２０Ａとの強固な接着は、例えば、熱圧着工程での加熱圧着により、ＳＷＣＮＴ膜３０Ａを構成する単層カーボンナノチューブ３５と、粘着層２０Ａを構成する粘着剤の分子とが、絡み合うことにより発現する。

【0039】

熱圧着工程を経て作製された導電膜積層体１Ａは、上記のように、通常、炭素導電膜３０Ａと粘着層２０Ａとの界面が、強固に結合したものになる。

【0040】

（効果）
導電膜積層体１Ａによれば、安定した膜質の導電膜積層体を提供することができる。

【0041】

また、導電膜積層体１Ａの粘着層２０Ａが金属イオン６０を含む場合、導電膜積層体１ＡのＳＷＣＮＴ膜（炭素導電膜）３０Ａの導電効果をより高くすることができる。

【0042】

導電膜積層体１Ａは、例えば、以下に示す導電膜積層体の製造方法により製造される。

【0043】

［導電膜積層体の製造方法］
導電膜積層体の製造方法は、被積層基材１０と、被積層基材１０の表面に形成された粘着層２０Ａ（２０）と、粘着層２０Ａの表面に形成された炭素導電膜３０Ａ（３０）と、を備える導電膜積層体１Ａ（１）の製造方法である。導電膜積層体の製造方法は、第１の積層体作製工程と、熱圧着工程と、エッチング工程と、を備える。

【0044】

（第１の積層体作製工程）
第１の積層体作製工程は、表面に炭素導電膜３０を形成するための形成用基板４０と、形成用基板４０の表面に形成された炭素導電膜３０と、炭素導電膜３０の表面に形成された粘着層２０と、を備える第１の積層体１１０を作製する工程である。

【0045】

図２は、本実施形態に係る第１の積層体の一例を示す断面図である。図２に示すように、第１の積層体１１０は、形成用基板４０と、ＳＷＣＮＴ膜３０Ａ（３０）と、粘着層２０Ｂ（２０）と、を備える。ＳＷＣＮＴ膜３０Ａは、上記［導電膜積層体］で説明したものと同じであるため説明を省略する。粘着層２０Ｂは、粘着層２０Ａ中に含まれる金属イオンを通常含まない点以外は、上記［導電膜積層体］で説明した粘着層２０Ａと同じである。

【0046】

ここで、粘着層２０Ｂが金属イオンを通常含まない理由は、粘着層２０Ｂが、後述のエッチング工程でのエッチャント５０と接触していないことによる。すなわち、上記［導電膜積層体］で説明した粘着層２０Ａは、エッチング工程でのエッチャント５０と接触した後の粘着層２０であるため、通常、金属イオンを含む。これに対し、粘着層２０Ｂは、エッチング工程でのエッチャント５０と接触していない粘着層２０であるため、通常、金属イオンを含まない。

【0047】

＜形成用基板＞
形成用基板４０は、表面にＳＷＣＮＴ膜３０Ａ（３０）を形成するための金属製基板である。形成用基板４０の材質としては、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｃｏ又はＲｕを含む金属が用いられる。形成用基板４０の材質がこれらの金属からなると、形成用基板４０に耐熱性が付与され、かつエッチングしやすいため好ましい。

【0048】

このうち、形成用基板４０がＣｕ含有金属からなるＣｕ板であると、炭素固有度が低いことから界面において炭素膜との合金形成が生じにくく、エッチングが容易であり、安価であるため好ましい。

【0049】

図３は、本実施形態に係るＣＮＴ塗膜複合体の一例を示す断面図である。図４は、本実施形態に係る炭素導電膜複合体の一例を示す断面図である。図２に示す第１の積層体１１０は、図４に示す炭素導電膜複合体１０５のＳＷＣＮＴ膜３０Ａ（３０）の表面に粘着層２０Ｂを形成することにより作製される。また、図４に示す炭素導電膜複合体１０５は、図３に示すＣＮＴ塗膜複合体１００から作製される。このように、図３に示すＣＮＴ塗膜複合体１００を用いて作製した図４に示す炭素導電膜複合体１０５のＳＷＣＮＴ膜３０Ａ（３０）の表面に粘着層２０Ｂを形成すると、図２に示す第１の積層体１１０が作製される。

【0050】

図３に示すＣＮＴ塗膜複合体１００は、形成用基板４０と、形成用基板４０の表面に塗布されたＣＮＴインク３４又はこのＣＮＴインク３４の粘度が高くなったＣＮＴ塗膜３９と、からなる。

【0051】

図４に示す炭素導電膜複合体１０５は、形成用基板４０と、形成用基板４０の表面に形成されたＳＷＣＮＴ膜３０Ａ（３０）とからなる。炭素導電膜複合体１０５のＳＷＣＮＴ膜３０Ａは、図３に示すＣＮＴ塗膜複合体１００のＣＮＴ塗膜３９から分散剤と分散溶媒とを除去することにより得られる。

【0052】

図３に示すＣＮＴ塗膜複合体１００に下記の塗布工程と除去工程とを行うと、図４に示す炭素導電膜複合体１０５が得られる。

【0053】

［塗布工程］
塗布工程は、単層カーボンナノチューブ３５と分散剤と分散溶媒と含むＣＮＴインク３４をスピンコート法で形成用基板４０上に塗布してＣＮＴ塗膜３９を形成する工程である。

【0054】

ＣＮＴインク３４に含まれる単層カーボンナノチューブ３５は、上記［導電膜積層体］で説明したものと同じであるため説明を省略する。

【0055】

分散剤としては、例えば、エチルセルロース、ドデシル硫酸ナトリウム、ドデシルベンゼン硫酸ナトリウム等が用いられる。エチルセルロースは、ＣＮＴインク３４の粘度の調製が容易で、単層カーボンナノチューブ３５が均一に分散しやすいため好ましい。

【0056】

分散溶媒としては、例えば、Ｎ－メチルピロリドン、ジメチルホルムアミド等が用いられる。Ｎ－メチルピロリドンは、溶液の安定性に優れるため好ましい。

【0057】

ＣＮＴインク３４中の単層カーボンナノチューブ３５の濃度は、ＣＮＴインク３４の１００質量％中、例えば０．０１～０．５質量％、好ましくは０．０５～０．２質量％、より好ましくは０．０８～０．１２質量％とする。単層カーボンナノチューブ３５の濃度が上記範囲内にあると、均一なＳＷＣＮＴ膜を形成しやすいため好ましい。

【0058】

ＣＮＴインク３４中の分散剤の濃度は、ＣＮＴインク３４の１００質量％中、例えば、０．０５～３質量％、好ましくは０．５～１．５質量％、より好ましくは０．８～１．２質量％とする。単層カーボンナノチューブ３５の濃度が上記範囲内にあると、単層カーボンナノチューブの分散効率が高いため好ましい。

【0059】

図３に示すＣＮＴ塗膜複合体１００の形成用基板４０上に塗布されたＣＮＴインク３４は、形成用基板４０の表面を被覆するＣＮＴ塗膜３９となる。なお、ＣＮＴ塗膜３９の成分は、ＣＮＴインク３４と同一でもよいし、ＣＮＴインク３４から分散溶媒等の一部又は全部が除去されたものであってもよい。

【0060】

［除去工程］
除去工程は、ＣＮＴ塗膜３９からＣＮＴインク３４に由来する分散剤と分散溶媒とを除去する工程である。なお、ＣＮＴ塗膜３９中に分散溶媒が存在しない場合、除去工程は、ＣＮＴ塗膜３９から分散剤を除去する工程となる。

【0061】

除去工程は、例えば、ＣＮＴ塗膜３９を例えば３５０℃以上、好ましくは３５０～４００℃で熱処理する。熱処理の温度が上記範囲内にあると、分散剤及び溶媒が効率よく除去されかつＣＮＴ塗膜３９の熱による損傷が小さいため好ましい。

【0062】

第１の積層体作製工程では、初めに、塗布工程と除去工程とを行って、図４に示す炭素導電膜複合体１０５を得る。第１の積層体作製工程では、次に、炭素導電膜複合体１０５の炭素導電膜３０Ａの表面に公知の方法で粘着層２０Ｂを形成することにより、図２に示す第１の積層体１１０を得る。

【0063】

（熱圧着工程）
熱圧着工程は、第１の積層体１１０の粘着層２０Ｂ（２０）と、被積層基材１０とを接触させた後、加熱圧着を行って第２の積層体１２０を作製する工程である。

【0064】

図６は、本実施形態に係る熱圧着前複合体１１５の一例を示す断面図である。図６に示す熱圧着前複合体１１５Ａ（１１５）は、被積層基材１０と、被積層基材１０の表面に形成された粘着層２０Ｂ（２０）と、粘着層２０Ｂの表面に形成された炭素導電膜３０Ａ（３０）と、を備える。熱圧着前複合体１１５Ａは、熱圧着工程での加熱圧着前の積層体である。熱圧着前複合体１１５Ａは、熱圧着工程での加熱圧着後の積層体である第２の積層体１２０の前駆体である。

【0065】

図７は、本実施形態に係る第２の積層体１２０の一例を示す断面図である。図７に示す第２の積層体１２０Ａ（１２０）は、被積層基材１０と、被積層基材１０の表面に形成された粘着層２０Ａ（２０）と、粘着層２０Ａの表面に形成された炭素導電膜３０Ａ（３０）と、を備える。第２の積層体１２０Ａは、熱圧着工程での加熱圧着後の積層体である。

【0066】

図６に示す熱圧着前複合体１１５Ａを加熱圧着すると、図７に示す第２の積層体１２０Ａが得られる。図８は、本実施形態に係る第２の積層体１２０Ａ（１２０）の一例を示す光学写真である。

【0067】

加熱圧着の温度は、被積層基材１０のガラス転移温度以上、好ましくは被積層基材１０のガラス転移温度＋５℃以上であると、被積層基材１０を構成する樹脂の分子と、粘着層２０Ｂ（２０）を構成する粘着剤の分子との間で絡み合いが生じやすい。このように絡み合いが生じると、被積層基材１０と粘着層２０Ｂ（２０Ａ、２０）とが強固に結合しやすいため好ましい。

【0068】

また、加熱圧着の温度は、粘着層２０Ｂ（２０）を構成する粘着剤のガラス転移温度以上、好ましくは粘着剤のガラス転移温度＋５℃以上であると好ましい。加熱圧着の温度が上記範囲内であると、粘着層２０Ｂを構成する粘着剤の分子と、被積層基材１０を構成する樹脂の分子及びＳＷＣＮＴ膜３０Ａを構成する単層カーボンナノチューブ３５の１種以上と、の間で絡み合いが生じやすい。このように絡み合いが生じると、被積層基材１０と粘着層２０Ｂ（２０Ａ、２０）及びＳＷＣＮＴ膜３０Ａの１種以上とが強固に結合しやすいため好ましい。

【0069】

上記の加熱圧着の温度としては、例えば１００℃以上、好ましくは１２０～１３０℃である。加熱圧着の温度が上記範囲内であると、各層が強固に結合するとともに加熱による熱履歴を少なくし、劣化を抑制することができるため好ましい。

【0070】

例えば、被積層基材１０としてガラス転移温度が６９℃のＰＥＴを用い、粘着剤としてガラス転移温度が９０℃のＰＭＭＡを用いる場合、加熱圧着の温度を例えば１００℃以上とする。加熱圧着の温度が上記範囲内であると、被積層基材１０と、粘着層２０Ｂ（２０Ａ、２０）及びＳＷＣＮＴ膜３０Ａの１種以上と、が強固に結合しやすいため好ましい。

【0071】

上記の加熱圧着の付加荷重としては、例えば２～８ｋＮ、好ましくは４～６ｋＮとすることができる。上記の加熱圧着の加圧時間としては、例えば３０～７５秒、好ましくは４５～６０秒とすることができる。

【0072】

熱圧着工程は、例えば、ＴＯＭ（Ｔｈｒｅｅ Ｄｉｍｅｎｔｉｏｎ Ｏｖｅｒｌａｙ Ｍｅｔｈｏｄ、三次元表面加飾）成形で行うことができる。

【0073】

ＴＯＭ成形法での加熱圧着の温度としては、例えば１００℃以上、好ましくは１２０～１３０℃である。熱圧着の温度が上記範囲内であると、被積層基材１０の伸びの追随性がよく、かつ粘着剤の粘着効果がよく発現することから、被積層基材１０と粘着層２０Ｂとの密着性が安定するため好ましい。

【0074】

ＴＯＭ成形法では、加熱圧着における被積層基材１０の伸びを、例えば１００％以上、１００～１５０％とする。被積層基材１０の伸びが上記範囲内にあると、フィルムの破れやシワの発生、端末部の剥がれ、フクレ等がない、安定した第２の積層体１２０Ａが得られやすいため好ましい。ここで、被積層基材１０の「伸び１００％」とは、伸び後の被積層基材１０の長さが伸び前の被積層基材１０の長さの２倍になることを意味する。

【0075】

（エッチング工程）
エッチング工程は、第２の積層体１２０Ａ（１２０）の形成用基板４０をエッチングして、導電膜積層体１Ａ（１）を作製する工程である。

【0076】

エッチング工程は、具体的には、形成用基板４０に含まれる金属をエッチングするエッチャント５０に第２の積層体１２０を浸漬して形成用基板４０をエッチングする工程である。例えば、形成用基板４０がＣｕ含有金属からなるＣｕ板である場合、エッチング工程は、Ｃｕをエッチングするエッチャント５０に第２の積層体１２０Ａを浸漬して形成用基板４０をエッチングする工程とする。

【0077】

Ｃｕをエッチングするエッチャント５０としては、Ｃｕをエッチング可能で、ＰＥＴ等の被積層基材１０の材質に変質を生じさせない限り特に限定されない。Ｃｕをエッチングするエッチャント５０としては、例えば、硝酸鉄水溶液、塩化鉄水溶液、塩酸、硫酸等の酸等が用いられる。このうち、硝酸鉄水溶液及び塩化鉄水溶液の１種以上からなるエッチャント５０は、ＰＥＴ等の被積層基材１０の材質に変質を生じさせる悪影響がない又は小さいため好ましい。

【0078】

エッチャント５０としては、例えば、硝酸鉄水溶液及び塩化鉄水溶液の１種以上が用いられる。硝酸鉄水溶液又は塩化鉄水溶液の濃度は、例えば、０．５～７．０Ｍとする。なお、エッチャント５０は金属イオンの濃度が高いと、導電膜積層体１Ａの粘着層２０Ａ中に金属イオンがより含まれやすいため好ましい。

【0079】

図９は、本実施形態に係る第２の積層体１２０のエッチング工程の一例を示す断面図である。図９に示すように、エッチング工程は、例えば、エッチャント５０を満たしたエッチング槽２００中に、第２の積層体１２０を浸漬することにより行われる。

【0080】

図９は、具体的には、金属イオン６０Ａ（６０）を含むエッチャント５０が形成用基板４０をエッチングすることで形成用基板４０から金属イオン６０Ｂ（６０）が生成する例を示す。

【0081】

図９に示すように、第２の積層体１２０の形成用基板４０は、エッチャント５０でエッチングされると金属イオン６０Ｂをエッチャント５０中に放出する。このため、本工程でエッチングが進行すると、エッチャント５０に由来する金属イオン６０Ａと、形成用基板４０に由来する金属イオン６０Ｂとが、エッチャント５０中に含まれるようになる。

【0082】

本工程でエッチングがさらに進行して形成用基板４０が完全に除去されると、エッチャント５０中で、図１に示す、被積層基材１０と粘着層２０ＡとＳＷＣＮＴ膜（炭素導電膜）３０Ａとを備える導電膜積層体１Ａが得られる。図１０は、本実施形態に係るＳＷＣＮＴ膜（炭素導電膜）３０Ａの一例の表面のＳＥＭ写真である。

【0083】

図１０に示すように、ＳＷＣＮＴ膜（炭素導電膜）３０Ａは、通常、多数の空隙を有する。このため、エッチャント５０中の金属イオン６０Ａ、金属イオン６０Ｂ等の金属イオン６０（６０Ａ、６０Ｂ）は、ＳＷＣＮＴ膜（炭素導電膜）３０Ａ中に浸透し、粘着層２０Ｂ中に浸透する。このように、粘着層２０Ｂ中に金属イオン６０が浸透すると、金属イオン６０を含む粘着層２０Ａが得られる。粘着層２０Ｂ中に含まれる金属イオン６０は、通常、正電荷を有する。なお、粘着層２０Ｂが、極性の高い官能基等を有し吸水性のある変性アクリル系粘着剤の硬化物を含む場合、粘着層２０Ｂ中に金属イオン６０がより浸透しやすくなる。

【0084】

粘着層２０Ａに含まれる金属イオン６０は、ＳＷＣＮＴ膜（炭素導電膜）３０Ａとの界面でアクセプタ（Ｐ型不純物）として作用する。このため、金属イオン６０を含む粘着層２０Ａでは、粘着層２０ＡとＳＷＣＮＴ膜（炭素導電膜）３０Ａとの界面で電子の行き来が生じるドーピング効果が発現し、導電膜積層体１ＡのＳＷＣＮＴ膜（炭素導電膜）３０Ａの導電効果が向上する。なお、粘着層２０Ｂが、極性の高い官能基等を有し吸水性のある変性アクリル系粘着剤の硬化物を含む場合、ドーピング効果がより発現し、導電膜積層体１ＡのＳＷＣＮＴ膜（炭素導電膜）３０Ａの導電効果がより向上するため好ましい。

【0085】

（効果）
本実施形態に係る導電膜積層体の製造方法によれば、安定した膜質の導電膜積層体１Ａの製造方法を提供することができる。

【0086】

また、熱圧着工程の後にエッチング工程を行う本実施形態に係る導電膜積層体の製造方法によれば、従来のような炭素導電膜の水中での転写工程が不要になる。

【実施例0087】

以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。

【0088】

［実施例１］
（第１の積層体作製工程）
形成用基板としてＣｕ板（厚さ１２５μｍ）を用意した。また、ＣＮＴインクの原料として、ＳＷＣＮＴである株式会社名城ナノカーボン製ｅＤＩＰＳ ＥＣ１．５（中心直径１～３ｎｍ）と、分散剤であるエチルセルロースと、分散溶媒であるＮ－メチルピロリドンとを用意した。ｅＤＩＰＳ ＥＣ１．５の含有量が０．１質量％、エチルセルロースの含有量が１質量％になるように、ｅＤＩＰＳ ＥＣ１．５とエチルセルロースとＮ－メチルピロリドンとを混合してＣＮＴインクを調製した。

【0089】

［塗布工程］
ＣＮＴインクをスピンコート法でＣｕ板の表面上に塗布することにより、Ｃｕ板の表面に厚さ１５０ｎｍのＣＮＴ塗膜を形成した。

【0090】

［除去工程］
ＣＮＴ塗膜が形成されたＣｕ板を３５０℃で３０分熱処理することにより、Ｃｕ板の表面に厚さ１５０ｎｍのＳＷＣＮＴ膜が形成された炭素導電膜複合体を得た。図５に、ＳＷＣＮＴ膜の表面のＳＥＭ写真を示す。

【0091】

粘着層２０Ｂとして日榮新化株式会社製変性アクリル系粘着剤Ｇ２５を用意した。Ｇ２５は、厚さ２５μｍの変性アクリル系粘着層と、粘着層の片面を被覆する厚さ３８μｍのＰＥＴ剥離層と、粘着層の他の片面を被覆する厚さ７５μｍのＰＥＴ剥離層と、を有していた。変性アクリル系粘着層は、変性ＰＭＭＡ（ガラス転移温度：９０℃）からなるシートであった。

【0092】

炭素導電膜複合体のＳＷＣＮＴ膜の表面にＧ２５の厚さ２５μｍの変性アクリル系粘着層を接着することにより、Ｃｕ板とＳＷＣＮＴ膜と変性アクリル系粘着層とを備えた第１の積層体を得た。

【0093】

（熱圧着工程）
被積層基材として、ＰＥＴ板（厚さ１２５μｍ、ガラス転移温度：６９℃）を用意した。
ＰＥＴ板の表面に、第１の積層体の変性アクリル系粘着層を接触させ、ＴＯＭ成形を行った。ＴＯＭ成形の条件は、加熱温度１００℃、付加荷重５ｋＮ、加圧時間６０秒（１分）とした。
ＴＯＭ成形により、ＰＥＴ板と変性アクリル系粘着層とＳＷＣＮＴ膜とＣｕ板とを備える第２の積層体が得られた。図８に第２の積層体の光学写真を示す。

【0094】

（エッチング工程）
図９に示すエッチング槽２００を用意し、槽内に２０℃、塩化鉄水溶液（６．９Ｍ）のＣｕエッチャントを貯留した。Ｃｕエッチャント内に第２の積層体を１８分間浸漬し、エッチングにより第２の積層体のＣｕ板を除去したところ、ＰＥＴ板と変性アクリル系粘着層とＳＷＣＮＴ膜とを備える導電膜積層体が得られた。図１０に、導電膜積層体のＳＷＣＮＴ膜（炭素導電膜）の表面のＳＥＭ写真を示す。

【0095】

（評価）
得られた導電膜積層体について、電気特性を測定した。

【0096】

＜電気導電率＞
得られた導電膜積層体のＳＷＣＮＴ膜（炭素導電膜）について、電気導電率を測定した。得られた導電膜積層体から図１１に示す試験片を作製した。図１１に示す試験片では、導電膜積層体のＳＷＣＮＴ膜（炭素導電膜）側の表面の四隅にＡｇペーストを塗布してＡｇ端子２１０を４個作製した。
ＳＷＣＮＴ膜（炭素導電膜）の電気導電率は、３．４×１０^５Ｓ／ｍであった。
ＳＷＣＮＴ膜（炭素導電膜）の表面シート抵抗は、２０Ω／ｓｑであった。

【0097】

［実施例２］
Ｃｕエッチャントとして塩化鉄水溶液（６．９Ｍ）に代えて硝酸鉄水溶液（０．５２Ｍ）を用いた以外は実施例１と同様にして導電膜積層体を得た。

【0098】

（評価）
導電膜積層体のＳＷＣＮＴ膜（炭素導電膜）について、実施例１と同様にして電気導電率を測定した。
ＳＷＣＮＴ膜（炭素導電膜）の電気導電率は、１．４×１０^５Ｓ／ｍであった。
ＳＷＣＮＴ膜（炭素導電膜）の表面シート抵抗は、４６Ω／ｓｑであった。

【0099】

［比較例１］
従来のＰＭＭＡ支持転写法を用いて実施例１と同じ層構成の導電膜積層体を得た。

【0100】

（第１の積層体作製工程）
［塗布工程］
はじめに実施例１と同様に塗布工程を行った。

【0101】

［除去工程］
次に、ＣＮＴ塗膜が形成されたＣｕ板を３５０℃で３０分熱処理することにより、Ｃｕ板の表面に厚さ１５０ｎｍのＳＷＣＮＴ膜が形成された炭素導電膜複合体を得た。

【0102】

スピンコート法を用いて、炭素導電膜複合体のＳＷＣＮＴ膜上に粘着層２０としてのＰＭＭＡ粘着支持シートを作製した。
はじめに、ＰＭＭＡ分散液を作製した。ＰＭＭＡ分散液は、ＰＭＭＡと、溶媒としての乳酸エチルとを混合して調製した。ＰＭＭＡ分散液は、１００質量％中、ＰＭＭＡを４質量％含むように調製した。
次に、スピンコート法を用いて、炭素導電膜複合体のＳＷＣＮＴ膜上にＰＭＭＡ分散液の塗膜を形成し、１８０℃で熱処理することにより、ＳＷＣＮＴ膜上に厚さ２００ｎｍのＰＭＭＡ粘着支持シートを形成した。
これにより、Ｃｕ板とＳＷＣＮＴ膜とＰＭＭＡ粘着支持シートとを備えた第１の積層体を得た。

【0103】

（エッチング工程）
図９に示すエッチング槽２００を用意し、槽内に２０℃、塩化鉄水溶液（６．９Ｍ）のＣｕエッチャントを貯留した。Ｃｕエッチャント内に第１の積層体を１８分間浸漬し、エッチングにより第１の積層体のＣｕ板を除去したところ、ＰＭＭＡ粘着支持シートとＳＷＣＮＴ膜とを備える導電膜積層体が得られた。

【0104】

（水中転写工程）
被積層基材として、ＰＥＴ板（厚さ１２５μｍ、ガラス転移温度：６９℃）を用意した。
超純水を満たした水槽を用意した。超純水中で、導電膜積層体のＳＷＣＮＴ膜を、ＰＥＴ板の表面に転写して、ＰＭＭＡ粘着支持シートとＳＷＣＮＴ膜とＰＥＴ板とがこの順番で積層された転写体を作製した。

【0105】

（洗浄工程）
転写体にトルエンを流下して、転写体からＰＭＭＡ粘着支持シートを除去したところ、ＳＷＣＮＴ膜とＰＥＴ板とがこの順番で積層された２層導電体が得られた。

【0106】

（評価）
２層導電体のＳＷＣＮＴ膜（炭素導電膜）について、実施例１と同様にして、電気導電率を測定した。
なお、試験片は、２層導電体のＳＷＣＮＴ膜（炭素導電膜）側の表面の四隅にＡｇペーストを塗布してＡｇ端子を４個作製したものとした。
ＳＷＣＮＴ膜（炭素導電膜）の電気導電率は、７．８×１０^４Ｓ／ｍであった。
ＳＷＣＮＴ膜（炭素導電膜）の表面シート抵抗は、８５Ω／ｓｑであった。

【0107】

以上、本実施形態を説明したが、本実施形態はこれらに限定されるものではなく、本実施形態の要旨の範囲内で種々の変形が可能である。

【符号の説明】

【0108】

１、１Ａ 導電膜積層体
１０ 被積層基材
２０ 粘着層
２０Ａ 金属イオン含有粘着層
２０Ｂ 金属イオン非含有粘着層
３０ 炭素導電膜
３０Ａ ＳＷＣＮＴ膜（炭素導電膜）
３４ ＣＮＴインク
３５ 単層カーボンナノチューブ
３９ ＣＮＴ塗膜
４０ 形成用基板
５０ エッチャント
６０、６０Ａ、６０Ｂ 金属イオン
１００ ＣＮＴ塗膜複合体
１０５ 炭素導電膜複合体
１１０ 第１の積層体
１１５ 熱圧着前複合体
１２０、１２０Ａ 第２の積層体
２００ エッチング槽
２１０ Ａｇ端子

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】