特開 2023-123142 配線基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023123142

(43)【公開日】2023-09-05

(54)【発明の名称】配線基板

(51)【国際特許分類】

   H05K 1/02 20060101AFI20230829BHJP

【ＦＩ】

H05K1/02 Q

【審査請求】未請求

【請求項の数】7

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022027027

(22)【出願日】2022-02-24

(71)【出願人】

【識別番号】000004547

【氏名又は名称】日本特殊陶業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100160691

【弁理士】

【氏名又は名称】田邊 淳也

(74)【代理人】

【識別番号】100157277

【弁理士】

【氏名又は名称】板倉 幸恵

(74)【代理人】

【識別番号】100195659

【弁理士】

【氏名又は名称】木村 祐介

(72)【発明者】

【氏名】西村 充

(72)【発明者】

【氏名】宇佐美 憲三

(72)【発明者】

【氏名】柳瀬 康行

(72)【発明者】

【氏名】高木 桂二

(72)【発明者】

【氏名】服部 晃佳

【テーマコード（参考）】

5E338

【Ｆターム（参考）】

5E338AA02

5E338AA15

5E338AA18

5E338BB05

5E338BB12

5E338BB75

5E338CD24

5E338CD32

5E338EE02

(57)【要約】

【課題】加工ばらつきがあったとしても部材間での絶縁性を確保しつつ、電子部品から発生した熱を効率よく放熱できる配線基板を提供する。
【解決手段】配線基板であって、電子部品が搭載される絶縁基板と、絶縁基板のうち電子部品の側の面である第１面に配置され、電子部品と接続する第１配線と、絶縁基板のうち第１面とは反対側の面である第２面に配置された第２配線と、を備え、絶縁基板は、第１面のうち、第１面から第２面を透過視したときに第２配線が配置されておらず、かつ、第１配線が配置された部分に、非貫通ビアが形成されており、非貫通ビアの少なくとも一部は、絶縁基板よりも熱伝導率の高い材料によって構成されている。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

配線基板であって、
電子部品が搭載される絶縁基板と、
前記絶縁基板のうち前記電子部品の側の面である第１面に配置され、前記電子部品と接続する第１配線と、
前記絶縁基板のうち前記第１面とは反対側の面である第２面に配置された第２配線と、を備え、
前記絶縁基板は、前記第１面のうち、前記第１面から前記第２面を透過視したときに前記第２配線が配置されておらず、かつ、前記第１配線が配置された部分に、非貫通ビアが形成されており、
前記非貫通ビアの少なくとも一部は、前記絶縁基板よりも熱伝導率の高い材料によって構成されていることを特徴とする、配線基板。

【請求項2】

請求項１に記載の配線基板であって、
前記非貫通ビアの側面と接続する配線が存在しないことを特徴とする、配線基板。

【請求項3】

請求項１または請求項２に記載の配線基板であって、
前記非貫通ビアの底面と接続する配線が存在しないことを特徴とする、配線基板。

【請求項4】

請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の配線基板であって、
前記非貫通ビアの最大幅は、前記非貫通ビアの上に位置する前記第１配線の最小幅以下であることを特徴とする、配線基板。

【請求項5】

請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の配線基板であって、
前記第１面から前記非貫通ビアの底面までの長さは、前記非貫通ビアが形成された部分における前記第１面から前記第２面までの長さの３分の２以下の長さであることを特徴とする、配線基板。

【請求項6】

請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の配線基板であって、
前記絶縁基板を構成する材料は、ＡｌＮ、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＮ、ＳｉＣのうちいずれかを含むことを特徴とする、配線基板。

【請求項7】

請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の配線基板であって、
前記非貫通ビアの少なくとも一部を構成する材料は、Ｃｕ、Ｗ、Ａｕ、Ｍｏ、Ａｇのうちいずれかを含むことを特徴とする、配線基板。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、配線基板に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、半導体や発光素子等の電子部品が搭載される配線基板において、その電子部品の稼働に応じて発生する熱を放熱する構造が提案されている。例えば、特許文献１に開示された配線基板では、絶縁基体の上面に形成された有底穴内の金属体の上側に発光素子が搭載されており、その金属体と、絶縁基体の下面に配置された外部接続端子とが、配線基板の厚み方向で上下に重なっていることにより、発光素子から発生した熱が金属体から外部接続端子を介して系外へ放出される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００８－１０９０７９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかし、一般的に、有底穴の形成には加工ばらつきがあり、有底穴の深さが変動して予め設定された深さよりも深くなってしまうことがある。このような変動が生じた場合、特許文献１に開示された配線基板では、有底穴（絶縁基体の上面に形成）内の金属体と、絶縁基体の下面に配置された外部接続端子とが、配線基板の厚み方向で上下に重なっていることから、金属体と外部接続端子との間における絶縁性が確保できなくなる虞がある。このため、加工ばらつきがあったとしても部材間での絶縁性を確保しつつ、電子部品から発生した熱を効率よく放熱できる配線基板の開発が望まれていた。

【0005】

本発明は、上述した課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、加工ばらつきがあったとしても部材間での絶縁性を確保しつつ、電子部品から発生した熱を効率よく放熱できる配線基板を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現できる。

【0007】

（１）本発明の一形態によれば、配線基板が提供される。この配線基板は、電子部品が搭載される絶縁基板と、前記絶縁基板のうち前記電子部品の側の面である第１面に配置され、前記電子部品と接続する第１配線と、前記絶縁基板のうち前記第１面とは反対側の面である第２面に配置された第２配線と、を備え、前記絶縁基板は、前記第１面のうち、前記第１面から前記第２面を透過視したときに前記第２配線が配置されておらず、かつ、前記第１配線が配置された部分に、非貫通ビアが形成されており、前記非貫通ビアの少なくとも一部は、前記絶縁基板よりも熱伝導率の高い材料によって構成されている。

【0008】

この構成によれば、第１面のうち第１配線が配置された部分に、少なくとも一部が絶縁基板よりも熱伝導率の高い材料により構成された非貫通ビアが形成されている。このため、電子部品から発生した熱の少なくとも一部が第１配線から絶縁基板を介して第２配線へと伝達される際、第１配線から非貫通ビアを経由したのち絶縁基板から第２配線へと伝達されることから、電子部品から発生した熱を効率よく放熱することができる。また、この構成によれば、非貫通ビアは、絶縁基板における第１面のうち、第１面から第２面を透過視したときに第２配線が配置されていない部分に形成されている。このため、加工ばらつきにより非貫通ビアの深さ（第１面から非貫通ビアの底面までの長さ）が変動して予め設定された深さよりも深くなってしまったとしても、非貫通ビアの底面に対向する第２面の部分には第２配線が配置されていないことから、非貫通ビアと第２配線との間での絶縁性を確保することができる。したがって、この構成の配線基板によれば、非貫通ビアの加工ばらつきがあったとしても、非貫通ビアと第２配線との間での絶縁性を確保しつつ、電子部品から発生した熱を効率よく放熱できる。

【0009】

（２）上記態様の配線基板において、前記非貫通ビアの側面と接続する配線が存在しなくてもよい。
この構成によれば、非貫通ビアの側面と接続する配線が存在しないため、配線から生じた熱が非貫通ビアに集中してしまうことを抑制できる。したがって、局所的な発熱を避けながら、非貫通ビアにおいて第１配線から伝達された熱を非貫通ビアの底面に向かって効率よく伝達することができる。

【0010】

（３）上記態様の配線基板において、前記非貫通ビアの底面と接続する配線が存在しなくてもよい。
この構成によれば、非貫通ビアと第２配線との間での絶縁性を確保しやすくすることができる。非貫通ビアの底面と接続する配線が存在する場合、配線は第１面もしくは第２面と略平行に引き回される傾向にあり、非貫通ビアの底面と接続する配線と第２配線との距離が小さいため絶縁性が確保できない可能性がある。また、非貫通ビアの側面と接続する配線及び底面と接続する配線のいずれもが存在しない場合には、非貫通ビアは導電機能を担っていないことから、非貫通ビアを構成する材料に関して電気伝導率を考慮せずに熱伝導率のみを考慮した材料を選択することができる。

【0011】

（４）上記態様の配線基板において、前記非貫通ビアの最大幅は、前記非貫通ビアの上に位置する前記第１配線の最小幅以下であってもよい。
この構成によれば、第１配線の最小幅は、他の部材との絶縁性が確保されるように設計されていることから、この最小幅より小さい最大幅を有する非貫通ビアについても他の部材との絶縁性を確保することができる。

【0012】

（５）上記態様の配線基板において、前記第１面から前記非貫通ビアの底面までの長さは、前記非貫通ビアが形成された部分における前記第１面から前記第２面までの長さの３分の２以下の長さであってもよい。
この構成によれば、絶縁基板の剛性を維持しつつ、第１面から前記非貫通ビアの底面までの長さについて、ある程度の長さを確保することができる。

【0013】

（６）上記態様の配線基板において、前記絶縁基板を構成する材料は、ＡｌＮ、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＮ、ＳｉＣのうちいずれかを含んでもよい。
この構成によれば、絶縁基板は、絶縁性に加えて耐熱性や耐摩耗性等を有する。

【0014】

（７）上記態様の配線基板において、前記非貫通ビアの少なくとも一部を構成する材料は、Ｃｕ、Ｗ、Ａｕ、Ｍｏ、Ａｇのうちいずれかを含んでもよい。
この構成によれば、非貫通ビアは高い熱伝導率を有することから、電子部品から発生した熱をより一層効率よく放熱することができる。

【0015】

なお、本発明は、種々の態様で実現することが可能であり、例えば、絶縁基板、配線基板、半導体用配線基板、およびこれらを備える部品、絶縁基板の製造方法、配線基板の製造方法等の形態で実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【0016】

【図1】本発明の一実施形態の配線基板の断面構成を模式的に示す説明図である。

【図2】配線基板の平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0017】

図１は、本発明の一実施形態の配線基板１の断面構成を模式的に示す説明図である。図１には、方向を特定するために、互いに直交するＸＹＺ軸が示されている。図２は、配線基板１の平面図である。図２のＦ１－Ｆ１線における断面図が図１にあたる。配線基板１は、電子部品として、半導体チップＳＣが搭載される配線基板である。配線基板１は、第１絶縁基板１０を備える。また、配線基板１は、第１絶縁基板１０から見て半導体チップＳＣが搭載される側に、第１配線１２と、拡散防止層１４と、導電性被膜１６と、バンプ１８と、を備える。また、配線基板１は、第１絶縁基板１０から見て半導体チップＳＣが搭載される側とは反対側に、第２配線２２と、拡散防止層２４と、導電性被膜２６と、半田２９と、第２絶縁基板３０と、を備える。

【0018】

第１絶縁基板１０は、Ａｌ₂Ｏ₃を含む絶縁材料によって形成されたセラミック基板である。また、第１絶縁基板１０は、絶縁性を有する限り、金属板の表面に絶縁膜が塗布された基板であってもよい。第１絶縁基板１０のうち半導体チップＳＣ側（図１では＋Ｚ軸方向側）の面である第１面１０Ｆには、第１配線１２が配置されている。配線基板１において、第１配線１２を構成する材料は、Ｃｕである。第１配線１２には、半導体チップＳＣのＸ軸方向における各々の端部と電気的に接続する第１配線１２Ｐと、半導体チップＳＣのＸ軸方向における中央部分と電気的に接続する第１配線１２Ｎと、がある。図２において第１配線１２は、導電性被膜１６に覆われていることにより本来視認できないため、破線にて示されている。

【0019】

拡散防止層１４は、第１配線１２と後述する導電性被膜１６との間に配置され、第１配線１２と導電性被膜１６との間において金属原子が拡散により相互移動するのを防止する。拡散防止層１４を構成する材料としては、例えば、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｔｉやこれら金属の化合物が挙げられる。導電性被膜１６は、拡散防止層１４を覆う導電性の膜である。配線基板１において、導電性被膜１６を構成する材料は、Ａｕである。バンプ１８は、導電性被膜１６と半導体チップＳＣとを接続している。図１では、バンプ１８のうち半導体チップＳＣと接触している側の部分は、半導体チップＳＣの表面に沿って広がっている。配線基板１において、バンプ１８を構成する材料は、導電性被膜１６と同様に、Ａｕである。

【0020】

一方、第１絶縁基板１０のうち第１面１０Ｆとは反対側の面である第２面１０Ｂには、第２配線２２が配置されている。配線基板１において、第２配線２２を構成する材料は、第１配線１２と同様に、Ｃｕである。図１において、－Ｘ軸方向側に配置された第２配線２２を第２配線２２Ｌと呼び、＋Ｘ軸方向側に配置された第２配線２２を第２配線２２Ｒと呼ぶ。

【0021】

拡散防止層２４は、第２配線２２と後述する導電性被膜２６との間に配置されている点を除いて、上述した拡散防止層１４と同様である。導電性被膜２６は、上述した導電性被膜１６と同様に、拡散防止層２４を覆う導電性の膜である。半田２９は、導電性被膜２６と後述する第２絶縁基板３０とを接続している。第２絶縁基板３０は、第１絶縁基板１０と同様の基板である。

【0022】

図２に図示された白抜き矢印は、通電経路を示している。図２に示されるように、第１絶縁基板１０には、貫通ビアＰＶ１，ＰＶ２が形成されている。貫通ビアＰＶ１は、第２配線２２Ｌ（図１に図示）と第１配線１２Ｐとを接続している。貫通ビアＰＶ２は、第２配線２２Ｒ（図１に図示）と第１配線１２Ｎとを接続している。通電時には、第２配線２２Ｌから貫通ビアＰＶ１を介して第１配線１２Ｐに流れた電流は、半導体チップＳＣを通ったのち、第１配線１２Ｎから貫通ビアＰＶ２を経由して第２配線２２Ｒに流れる。

【0023】

図１の断面において、第１面１０Ｆのうち第１配線１２Ｐが配置された部分は、第１面１０Ｆから第２面１０Ｂを透過視したときに第２配線２２がそれぞれ配置されている部分である。一方、図１の断面において、第１面１０Ｆのうち第１配線１２Ｎが配置された部分は、第１面１０Ｆから第２面１０Ｂを透過視したときに第２配線２２が配置されていない部分である。このような部分に、非貫通ビアＮＶが形成されている。非貫通ビアＮＶは、第１絶縁基板１０上に窪み部を形成したのち、その窪み部を熱伝導性の高い材料で埋めることによって形成されている。非貫通ビアＮＶは、第１絶縁基板１０よりも熱伝導性の高い材料によって構成されている。配線基板１においては、非貫通ビアＮＶは、Ｃｕによって構成されていることから、第１配線１２を構成する材料と、非貫通ビアＮＶを構成する材料は同じである。なお、図２において本来視認できない非貫通ビアＮＶは破線にて示されている。

【0024】

図１，２において、幅Ｌ１は、非貫通ビアＮＶの任意のＸＺ断面における幅（Ｘ軸方向に沿った長さ）を示している。幅Ｌ２は、非貫通ビアＮＶの上に配置された第１配線１２Ｎの任意の位置における幅（Ｘ軸方向に沿った長さ）を示している。図１，２では、幅Ｌ１の最大幅と、幅Ｌ２の最大幅をそれぞれ図示している。ここで、非貫通ビアＮＶの幅Ｌ１の最大幅は、非貫通ビアＮＶの上に位置する第１配線１２Ｎの幅Ｌ２の最小幅以下である。配線基板１においては、非貫通ビアＮＶの幅は一定であるとともに、非貫通ビアＮＶの上に位置する第１配線１２Ｎの幅も一定であることから（図２参照）、幅Ｌ１は幅Ｌ２以下であるともいえる。

【0025】

配線基板１において、第１面１０Ｆから非貫通ビアＮＶの底面ＢＭまでの長さ（図１ではＺ軸方向に沿った長さ）は、非貫通ビアＮＶが形成された部分における第１面１０Ｆから第２面１０Ｂまでの長さの３分の２以下の長さである。本実施形態においては、第１面１０Ｆから非貫通ビアＮＶの底面ＢＭまでの長さは、非貫通ビアＮＶが形成された部分における第１面１０Ｆから第２面１０Ｂまでの長さの２分の１の長さである。

【0026】

また、配線基板１において、非貫通ビアＮＶの側面ＳＤと接続する配線は存在しない。また、非貫通ビアＮＶの底面ＢＭと接続する配線も存在しない。すなわち、非貫通ビアＮＶの側面ＳＤ及び底面ＢＭから引き回される配線は存在せず、非貫通ビアＮＶには第１配線１２Ｎ及び第１絶縁基板１０のみが接触している。

【0027】

以上説明したように、本実施形態の配線基板１によれば、第１面１０Ｆのうち第１配線１２Ｎが配置された部分に、第１絶縁基板１０よりも熱伝導率の高い材料により構成された非貫通ビアＮＶが形成されている。このため、半導体チップＳＣから発生した熱の少なくとも一部が第１配線１２Ｎから第１絶縁基板１０を介して第２配線２２へと伝達される際（図１参照）、第１配線１２Ｎから非貫通ビアＮＶを経由したのち第１絶縁基板１０から第２配線２２へと伝達されることから、電子部品から発生した熱を効率よく放熱することができる。また、本実施形態の配線基板１によれば、非貫通ビアＮＶは、第１面１０Ｆのうち第１面１０Ｆから第２面１０Ｂを透過視したときに第２配線２２が配置されていない部分に形成されている。このため、加工ばらつきにより非貫通ビアＮＶの深さ（第１面１０Ｆから非貫通ビアＮＶの底面ＢＭまでの長さ）が変動して予め設定された深さよりも深くなってしまったとしても、非貫通ビアＮＶの底面ＢＭに対向する第２面１０Ｂの部分には第２配線２２が配置されていないことから、非貫通ビアＮＶと第２配線２２との間での絶縁性を確保することができる。したがって、本実施形態の配線基板１によれば、非貫通ビアＮＶの加工ばらつきがあったとしても、非貫通ビアＮＶと第２配線２２との間での絶縁性を確保しつつ、半導体チップＳＣから発生した熱を効率よく放熱できる。

【0028】

また、本実施形態の配線基板１では、図１の断面において、第１面１０Ｆのうち第１配線１２Ｐが配置された部分は、第１面１０Ｆから第２面１０Ｂを透過視したときに第２配線２２（２２Ｌ，２２Ｒ）がそれぞれ配置されている部分である。したがって、第１配線１２Ｐから第２配線２２（２２Ｌ，２２Ｒ）までの距離は比較的短いことから、電子部品から発生した熱を効率よく放熱することができる。これに対して、図１の断面において、第１面１０Ｆのうち第１配線１２Ｎが配置された部分は、第１面１０Ｆから第２面１０Ｂを透過視したときに第２配線２２（２２Ｌ，２２Ｒ）が配置されていない部分である。したがって、第１配線１２Ｎから第２配線２２（２２Ｌ，２２Ｒ）までの距離は、第１配線１２Ｐから第２配線２２（２２Ｌ，２２Ｒ）までの距離より長いことから、非貫通ビアＮＶを形成することにより、放熱効率を補填しているともいえる。

【0029】

また、本実施形態の配線基板１では、非貫通ビアＮＶの側面ＳＤと接続する配線が存在しない。このため、非貫通ビアＮＶの側面ＳＤと接続する配線が存在しないため、配線から生じた熱が非貫通ビアＮＶに集中してしまうことを抑制できる。したがって、局所的な発熱を避けながら、非貫通ビアＮＶにおいて第１配線１２Ｎから伝達された熱を非貫通ビアＮＶの底面ＢＭに向かって効率よく伝達することができる。

【0030】

また、本実施形態の配線基板１では、非貫通ビアＮＶの底面ＢＭと接続する配線が存在しない。このため、非貫通ビアＮＶと第２配線２２との絶縁性を確保することができる。非貫通ビアＮＶの底面ＢＭと接続する配線が存在する場合、配線は第１面１０Ｆもしくは第２面１０Ｂと略平行に引き回される傾向にあり、非貫通ビアＮＶの底面ＢＭと接続する配線と第２配線２２との距離が小さいため絶縁性が確保できない可能性が高い。また、非貫通ビアＮＶの側面ＳＤと接続する配線及び底面ＢＭと接続する配線のいずれもが存在しない場合には、非貫通ビアＮＶは導電機能を担っていないことから、非貫通ビアＮＶを構成する材料に関して電気伝導率を考慮せずに熱伝導率のみを考慮した材料を選択することができる。

【0031】

また、本実施形態の配線基板１では、非貫通ビアＮＶの最大幅は、非貫通ビアＮＶの上に位置する第１配線１２Ｎの最小幅以下である。このため、第１配線１２Ｎの最小幅は、他の部材（例えば、第１配線１２Ｐや第２配線２２等）との絶縁性が確保されるように設計されていることから、この最小幅より小さい最大幅を有する非貫通ビアＮＶについても他の部材との絶縁性を確保することができる。

【0032】

また、本実施形態の配線基板１では、第１面１０Ｆから非貫通ビアＮＶの底面ＢＭまでの長さは、非貫通ビアＮＶが形成された部分における第１面１０Ｆから第２面１０Ｂまでの長さの３分の２以下の長さである。このため、第１絶縁基板１０の剛性を維持しつつ、第１面１０Ｆから非貫通ビアＮＶの底面ＢＭまでの長さについて、ある程度の長さを確保することができる。

【0033】

また、本実施形態の配線基板１では、第１絶縁基板１０及び第２絶縁基板３０を構成する材料は、Ａｌ₂Ｏ₃を含んでいる。このため、第１絶縁基板１０及び第２絶縁基板３０は、絶縁性に加えて耐熱性や耐摩耗性等を有する。

【0034】

また、本実施形態の配線基板１では、非貫通ビアＮＶは、Ｃｕによって構成されている。このため、非貫通ビアＮＶは高い熱伝導率を有することから、半導体チップＳＣから発生した熱をより一層効率よく放熱することができる。

【0035】

＜本実施形態の変形例＞
本発明は上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、例えば次のような変形も可能である。

【0036】

上記実施形態は、配線基板の一例であり、配線基板が備える構成については種々変形可能である。例えば、配線基板に搭載される電子部品は、半導体チップに限られず、ＬＥＤチップ等の発光素子であってもよいし、他の電子部品であってもよい。また、第１配線及び第２配線の配置は、図１，２に図示されたような配置でなくてもよい。また、第１絶縁基板及び第２絶縁基板を構成する材料は、Ａｌ₂Ｏ₃に限られず、ＡｌＮ、ＳｉＮ、ＳｉＣのうちいずれかを含んでいてもよい。また、第１絶縁基板を構成する材料と、第２絶縁基板を構成する材料とは、異なる材料であってもよい。

【0037】

非貫通ビアを構成する材料は第１配線を構成する材料と同じであったが、第１配線を構成する材料とは異なる材料であってもよい。また、非貫通ビアは、第１絶縁基板よりも熱伝導性の高い材料によって構成されていたが、これに限られず、非貫通ビアの一部が第１絶縁基板よりも熱伝導性の高い材料によって構成されていてもよく、第１絶縁基板よりも熱伝導性の高い材料とは異なる材料が非貫通ビアに含まれていてもよい。また、非貫通ビアを構成する熱伝導性の高い材料は、Ａｇであってもよいし、ＣｕとＡｇとの両方を含んでいてもよいし、Ｃｕ及びＡｇとは異なる材料（例えば、Ｗ、Ａｕ、Ｍｏ等）を含んでいてもよいし、さらには、熱伝導性が高ければ金属材料でなくてもよく、固形を維持できる材料である限り、どのような種類の材料であってもよい。また、上記実施形態は、非貫通ビアの側面と接続する配線及び底面と接続する配線のいずれもが存在しない形態であったが、非貫通ビアの側面と底面とのうち少なくとも一方と接続する配線が存在してもよい。

【0038】

以上、実施形態、変形例に基づき本態様について説明してきたが、上記した態様の実施の形態は、本態様の理解を容易にするためのものであり、本態様を限定するものではない。本態様は、その趣旨並びに特許請求の範囲を逸脱することなく、変更、改良され得ると共に、本態様にはその等価物が含まれる。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することができる。

【符号の説明】

【0039】

１…配線基板
１０…第１絶縁基板
１０Ｆ…第１面
１０Ｂ…第２面
１２，１２Ｐ，１２Ｎ…第１配線
１４…拡散防止層
１６…導電性被膜
１８…バンプ
２２，２２Ｌ，２２Ｒ…第２配線
２４…拡散防止層
２６…導電性被膜
２９…半田
３０…第２絶縁基板
ＮＶ…非貫通ビア
ＰＶ１，ＰＶ２…貫通ビア

【図1】

【図2】