特開 2023-126136 プリント配線板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023126136

(43)【公開日】2023-09-07

(54)【発明の名称】プリント配線板

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20230831BHJP

   H05K 1/02 20060101ALI20230831BHJP

   H05K 1/11 20060101ALI20230831BHJP

   H05K 3/40 20060101ALI20230831BHJP

   H05K 1/03 20060101ALI20230831BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 T

H05K3/46 E

H05K3/46 N

H05K1/02 C

H05K1/11 H

H05K3/40 E

H05K1/03 610L

H05K1/03 610R

【審査請求】未請求

【請求項の数】14

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023000806

(22)【出願日】2023-01-06

(31)【優先権主張番号】P 2022028787

(32)【優先日】2022-02-28

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(71)【出願人】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100122622

【弁理士】

【氏名又は名称】森 徳久

(72)【発明者】

【氏名】酒井 純

(72)【発明者】

【氏名】伊西 拓弥

【テーマコード（参考）】

5E316

5E317

5E338

【Ｆターム（参考）】

5E316AA02

5E316AA04

5E316AA12

5E316AA15

5E316AA32

5E316AA43

5E316BB02

5E316CC09

5E316CC32

5E316DD17

5E316DD24

5E316DD33

5E316DD47

5E316EE33

5E316FF03

5E316FF07

5E316FF14

5E316GG15

5E316GG17

5E316GG23

5E316HH31

5E316HH40

5E317AA24

5E317BB02

5E317BB12

5E317CC25

5E317CC33

5E317CD01

5E317CD15

5E317CD18

5E317CD25

5E317CD27

5E317GG03

5E338AA03

5E338AA16

5E338BB14

5E338BB25

5E338CC01

5E338EE27

(57)【要約】

【課題】高い品質を有するプリント配線板の提供。
【解決手段】プリント配線板は、第１導体層と、前記第１導体層上に形成されていて、前記第１導体層を露出するビア導体用の開口を有する樹脂絶縁層と、前記樹脂絶縁層上に形成されている第２導体層と、前記開口内に形成されていて、前記第１導体層と前記第２導体層とを接続するビア導体、とを有する。前記第２導体層と前記ビア導体は、シード層と前記シード層上の電解めっき層で形成されている。前記樹脂絶縁層は無機粒子と樹脂によって形成されている。前記無機粒子は前記開口の内壁面を形成する第１無機粒子と前記樹脂絶縁層内に埋まっている第２無機粒子を含む。前記第１無機粒子の形状は前記第２無機粒子の形状と異なる。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１導体層と、
前記第１導体層上に形成されていて、前記第１導体層を露出するビア導体用の開口を有する樹脂絶縁層と、
前記樹脂絶縁層上に形成されている第２導体層と、
前記開口内に形成されていて、前記第１導体層と前記第２導体層とを接続するビア導体、とを有するプリント配線板であって、
前記第２導体層と前記ビア導体は、シード層と前記シード層上の電解めっき層で形成されており、
前記樹脂絶縁層は無機粒子と樹脂によって形成されており、
前記無機粒子は前記開口の内壁面を形成する第１無機粒子と前記樹脂絶縁層内に埋まっている第２無機粒子を含み、前記第１無機粒子の形状は前記第２無機粒子の形状と異なる。

【請求項2】

請求項１のプリント配線板であって、前記内壁面は前記第１無機粒子と前記樹脂によって形成されており、前記第１無機粒子は平坦部を有し、前記平坦部が前記内壁面を形成する。

【請求項3】

請求項１のプリント配線板であって、前記内壁面の算術平均粗さは１．０μｍ以下である。

【請求項4】

請求項１のプリント配線板であって、前記第１導体層の上面と前記内壁面との間の角度は７０°以上８５°以下である。

【請求項5】

請求項１のプリント配線板であって、前記樹脂絶縁層の上面と前記内壁面との間の角度は９５°以上１１０°以下である。

【請求項6】

請求項２のプリント配線板であって、前記内壁面は前記樹脂と前記平坦部で形成されている。

【請求項7】

請求項６のプリント配線板であって、前記平坦部と前記内壁面を形成する前記樹脂の面は、ほぼ共通な面を形成する。

【請求項8】

請求項１のプリント配線板であって、前記樹脂は熱硬化性樹脂である。

【請求項9】

請求項１のプリント配線板であって、前記樹脂は光硬化性樹脂である。

【請求項10】

請求項２のプリント配線板であって、前記第２無機粒子の形は球である。

【請求項11】

請求項２のプリント配線板であって、前記第１無機粒子の形状は球を平面で切断することで得られる。

【請求項12】

請求項１０のプリント配線板であって、前記第１無機粒子の形状は前記第２無機粒子を平面で切断することで得られる。

【請求項13】

請求項１のプリント配線板であって、前記開口を形成することは、前記開口の前記内壁面を形成する前記樹脂から突出する突出部分を有する前記無機粒子を形成することを含み、前記第１無機粒子は前記無機粒子の前記突出部分を除去することで形成される。

【請求項14】

請求項１のプリント配線板であって、前記開口を形成することは、前記第２無機粒子から突出部分を有する前記無機粒子を形成することを含み、前記開口の前記内壁面は前記突出部分を除去することで形成される前記第１無機粒子の露出面を含む。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本明細書によって開示される技術は、プリント配線板に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１は、第１導体層と、第１導体層上に形成されている絶縁層と、絶縁層上に形成されている第２導体層とを有するプリント配線板を開示している。絶縁層は第１導体層を露出するビア導体用の貫通孔を有する。貫通孔内に第１導体層と第２導体層を接続するビア導体が形成されている。ビア導体は無電解めっき層および電解めっき層で形成されている。絶縁層は樹脂と無機粒子を含む。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１５－１２６１０３号公報

【発明の概要】

【0004】

［特許文献１の課題］
特許文献１の図１７に示されるように、特許文献１は貫通孔の壁面（内周面）上に中間層を有する。中間層は、無機粒子間に形成されている隙間により、複雑な凹凸面を有する。中間層に含まれる無機粒子は絶縁層に含まれる無機粒子と同じである。特許文献１の図１８に示されるように、特許文献１は、貫通孔内に無電解めっき膜を形成する。無電解めっき膜は中間層に形成されている凹凸に追従している。もしくは、中間層に形成されている隙間が無電解めっき膜で充填される。しかしながら、凹凸が複雑であると、隙間を無電解めっき膜で完全に充填することは難しいと考えられる。無電解めっき膜が析出する時、反応により発生するガスが隙間を充填することを阻害すると考えらえる。隙間が無電解めっき膜で完全に充填されないと、貫通孔の壁面と無電解めっき膜との間にボイドが発生すると考えられる。熱でボイドが膨張すると、無電解めっき膜が貫通孔の壁面から剥がれると考えられる。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明のプリント配線板は、第１導体層と、前記第１導体層上に形成されていて、前記第１導体層を露出するビア導体用の開口を有する樹脂絶縁層と、前記樹脂絶縁層上に形成されている第２導体層と、前記開口内に形成されていて、前記第１導体層と前記第２導体層とを接続するビア導体、とを有する。前記第２導体層と前記ビア導体は、シード層と前記シード層上の電解めっき層で形成されている。前記樹脂絶縁層は無機粒子と樹脂によって形成されている。前記無機粒子は前記開口の内壁面を形成する第１無機粒子と前記樹脂絶縁層内に埋まっている第２無機粒子を含む。前記第１無機粒子の形状は前記第２無機粒子の形状と異なる。

【0006】

本発明の実施形態のプリント配線板では、第１無機粒子が開口の内壁面を形成する。そして、第１無機粒子の形状と樹脂絶縁層内に埋まっている第２無機粒子の形状は異なる。例えば、第１無機粒子の形状を変えることで、内壁面の形状を制御することができる。内壁面はビア導体と接する面である。そのため、内壁面の形状を制御することにより、ビア導体と樹脂絶縁層間の密着力を高くすることができる。ビア導体がシード層を含むと、シード層は内壁面上に形成される。そのため、内壁面の形状を制御することにより、シード層の厚みを薄くすることができる。シード層の厚みのバラツキを小さくすることができる。第２導体層内の各導体回路の幅を目標値に近くすることができる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】実施形態のプリント配線板を模式的に示す断面図。

【図2】実施形態のプリント配線板の一部を模式的に示す拡大断面図。

【図3A】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図3B】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図3C】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図3D】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す拡大断面図。

【図3E】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図3F】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図4】実施形態の別例２のプリント配線板の製造方法を模式的に示す拡大断面図。

【発明を実施するための形態】

【0008】

［実施形態］
図１は実施形態のプリント配線板２を示す断面図である。図２は実施形態のプリント配線板２の一部を示す拡大断面図である。図１に示されるように、プリント配線板２は、絶縁層４と第１導体層１０と樹脂絶縁層２０と第２導体層３０とビア導体４０とを有する。

【0009】

絶縁層４は樹脂を用いて形成される。絶縁層４はシリカ等の無機粒子を含んでもよい。絶縁層４は、ガラスクロス等の補強材を含んでもよい。絶縁層４は、第３面６（図中の上面）と第３面６と反対側の第４面８（図中の下面）を有する。

【0010】

第１導体層１０は絶縁層４の第３面６上に形成されている。第１導体層１０は信号配線１２とパッド１４を含む。図に示されていないが、第１導体層１０は信号配線１２とパッド１４以外の導体回路も含んでいる。第１導体層１０は主に銅によって形成される。第１導体層１０は、絶縁層４上のシード層１０ａとシード層１０ａ上の電解めっき層１０ｂで形成されている。シード層１０ａは第３面６上の第１層１１ａと第１層１１ａ上の第２層１１ｂで形成されている。第１層１１ａは銅合金で形成されている。第２層１１ｂは銅で形成されている。電解めっき層１０ｂは銅で形成されている。第１層１１ａは絶縁層４に接している。

【0011】

樹脂絶縁層２０は絶縁層４の第３面６と第１導体層１０上に形成されている。樹脂絶縁層２０は第１面２２（図中の上面）と第１面２２と反対側の第２面２４（図中の下面）を有する。樹脂絶縁層２０の第２面２４は第１導体層１０と対向する。樹脂絶縁層２０はパッド１４を露出する開口２６を有している。樹脂絶縁層２０は樹脂８０と樹脂８０内に分散されている多数の無機粒子９０で形成されている。樹脂８０はエポキシ系樹脂である。樹脂の例は熱硬化性樹脂と光硬化性樹脂である。無機粒子９０は、例えば、シリカやアルミナである。

【0012】

図１と図２に示されるように、無機粒子９０は、開口２６の内壁面２７を形成する第１無機粒子９１と、樹脂８０内に埋まっている第２無機粒子９２を含む。第２無機粒子９２の形は球である。第１無機粒子９１の形状は球を平面で切断することで得られる。第１無機粒子９１の形状は第２無機粒子９２を平面で切断することで得られる。第１無機粒子９１の形状と第２無機粒子９２の形状は異なる。

【0013】

図１に示されるように、樹脂絶縁層２０の第１面２２は樹脂８０のみで形成されている。第１面２２から無機粒子９０（第２無機粒子９２）は露出しない。第１面２２は第２無機粒子９２の表面を含まない。樹脂絶縁層２０の第１面２２には凹凸が形成されていない。第１面２２は荒らされていない。第１面２２は平滑に形成されている。

【0014】

図２に示されるように、開口２６の内壁面２７は樹脂８０と第１無機粒子９１で形成されている。第１無機粒子９１は平坦部９１ａを有する。平坦部９１ａは内壁面２７を形成する。内壁面２７は樹脂８０と平坦部９１ａで形成されている。平坦部９１ａと内壁面２７を形成する樹脂８０の面は、ほぼ共通な面を形成する。内壁面２７を形成する樹脂８０上に凹凸が形成されない。内壁面２７を形成する樹脂８０の面は平滑である。平坦部９１ａの露出面（内壁面２７を形成する面）上に凹凸が形成されない。平坦部９１ａの露出面は平滑である。内壁面２７は平滑に形成される。内壁面２７の算術平均粗さ（Ｒａ）は１．０μｍ以下である。

【0015】

第１無機粒子９０の平坦部９１ａは第１無機粒子９１の周りに形成されている樹脂８０の面（内壁面２７を形成する面）８０ａを延長することで得られる面とほぼ一致する。図１と図２中に実質的な直線で描かれている平坦部９１ａは平面を意味している。図１と図２に示される断面において平坦部９１ａは平面である。平坦部９１ａは完全な平面でなくてもよい。平坦部９１ａは実質的な平面であってほぼ平滑な面である。

【0016】

図２に示されるように、開口２６の内壁面２７は傾斜している。パッド１４の上面と内壁面２７との間の角度（傾斜角度）θ１は７０°以上８５°以下である。パッド１４の上面は第１導体層１０の上面に含まれる。樹脂絶縁層２０の第１面（上面）２２と内壁面２７との間の角度（傾斜角度）θ２は９５°以上１１０°以下である。

【0017】

図１と図２に示される断面では、開口２６の形状は略逆台形に示されている。しかしながら、実際の開口２６の形状は略逆円錐台形状である。そのため実際の開口２６の内壁面（側壁）２７は略曲面である。すなわち、平坦部９１ａと樹脂８０で形成される共通な面は略曲面で形成される内壁面（側壁）２７を含む。

【0018】

図１に示されるように、第２導体層３０は樹脂絶縁層２０の第１面２２上に形成されている。第２導体層３０は第１信号配線３２と第２信号配線３４とランド３６を含む。図に示されていないが、第２導体層３０は第１信号配線３２と第２信号配線３４とランド３６以外の導体回路も含んでいる。第１信号配線３２と第２信号配線３４はペア配線を形成している。第２導体層３０は主に銅によって形成される。第２導体層３０は、第１面２２上のシード層３０ａとシード層３０ａ上の電解めっき層３０ｂで形成されている。シード層３０ａは第１面２２上の第１層３１ａと第１層３１ａ上の第２層３１ｂで形成されている。第１層３１ａは銅合金で形成されている。第２層３１ｂは銅で形成されている。電解めっき層３０ｂは銅で形成されている。第１層３１ａは第１面２２に接している。

【0019】

ビア導体４０は開口２６内に形成されている。ビア導体４０は第１導体層１０と第２導体層３０を接続する。図１ではビア導体４０はパッド１４とランド３６を接続する。ビア導体４０はシード層３０ａとシード層３０ａ上の電解めっき層３０ｂで形成されている。ビア導体４０を形成するシード層３０ａと第２導体層３０を形成するシード層３０ａは共通である。第１層３１ａは内壁面２７に接している。

【0020】

［実施形態のプリント配線板２の製造方法］
図３Ａ～図３Ｆは実施形態のプリント配線板２の製造方法を示す。図３Ａ～図３Ｃ、図３Ｅ～図３Ｆは断面図である。図３Ｄは拡大断面図である。図３Ａは絶縁層４と絶縁層４の第３面６上に形成されている第１導体層１０を示す。第１導体層１０はセミアディティブ法によって形成される。第１層１１ａと第２層１１ｂはスパッタで形成される。電解めっき層１０ｂは電解めっきで形成される。

【0021】

図３Ｂに示されるように、絶縁層４と第１導体層１０上に樹脂絶縁層２０と保護膜５０が形成される。樹脂絶縁層２０の第２面２４が絶縁層４の第３面６と対向している。樹脂絶縁層２０の第１面２２上に保護膜５０が形成されている。樹脂絶縁層２０は樹脂８０と無機粒子９０（第２無機粒子９２）を有する。無機粒子９０は樹脂８０内に埋まっている。

【0022】

保護膜５０は樹脂絶縁層２０の第１面２２を完全に覆っている。保護膜５０の例は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）製のフィルムである。保護膜５０と樹脂絶縁層２０との間に離型剤が形成されている。

【0023】

図３Ｃに示されるように、保護膜５０の上からレーザ光Ｌが照射される。レーザ光Ｌは保護膜５０と樹脂絶縁層２０を同時に貫通する。第１導体層１０のパッド１４に至るビア導体用の開口２６が形成される。レーザ光Ｌは例えばＵＶレーザ光、ＣＯ２レーザ光である。開口２６によりパッド１４が露出される。開口２６が形成される時、第１面２２は保護膜５０で覆われている。そのため、開口２６が形成される時、樹脂が飛散しても、第１面２２に樹脂が付着することが抑制される。

【0024】

図３Ｄは、レーザ光照射後の開口２６の内壁面２７ｂを示す。内壁面２７ｂは樹脂８０と樹脂８０から突出している無機粒子９０で形成されている。内壁面の形状を制御するため、レーザ光照射後の内壁面２７ｂは処理される。樹脂８０から突出している無機粒子９０を選択的に除去することが好ましい。これにより、無機粒子９０から第１無機粒子９１が形成される。例えば、レーザ光照射後の内壁面２７ｂを薬品で処理することで、樹脂８０から突出している無機粒子９０が選択的に除去される。あるいは、レーザ光照射後の内壁面２７ｂをプラズマで処理することで、樹脂８０から突出している無機粒子９０が選択的に除去される。選択的に除去することは、無機粒子９０のエッチング速度が樹脂８０のエッチング速度より大きいことを含む。例えば、両者のエッチング速度差は１０倍以上である。あるいは、両者のエッチング速度差は５０倍以上である。あるいは、両者のエッチング速度差は１００倍以上である。レーザ光照射後の内壁面２７ｂを処理することで、平坦部９１ａ（図２参照）を有する第１無機粒子９１が得られる。レーザ光照射後の内壁面２７ｂを処理するための条件を制御することで、内壁面２７ｂの形状を制御することができる。条件の例は、温度、濃度、時間、ガスの種類や圧力である。無機粒子９０のエッチング速度と樹脂のエッチング速度が制御される。

【0025】

樹脂絶縁層２０にレーザ光Ｌを照射することで、樹脂８０に埋まっている第２無機粒子９２の一部がレーザ光照射後の内壁面２７ｂを形成する。レーザ光照射後の内壁面２７ｂを形成する第２無機粒子９２は、樹脂８０から突出している突出部分Ｐと樹脂８０に埋まっている部分Ｅで形成される。レーザ光照射後の内壁面２７ｂが処理される。例えば、四フッ化メタンを含むガスのプラズマで内壁面２７ｂが処理される。突出部分Ｐが選択的に除去され、実施形態の内壁面２７（図１、図２）が形成される。第２無機粒子９２から第１無機粒子９１が形成される。突出部分Ｐを選択的に除去することで、平坦部９１ａを有する第１無機粒子９１が形成される。平坦部９１ａは平面である。球の形を持つ第２無機粒子９２が平面で切断されると、第１無機粒子９１の形状が得られる。内壁面２７は平坦部９１ａと樹脂８０の面８０ａで形成され、平坦部９１ａの露出面９１ｂと樹脂８０の面８０ａはほぼ同一平面上に位置する。例えば、スパッタで内壁面２７ｂ上にシード層３０ａが形成されると、突出部分Ｐはスパッタ膜の成長を阻害する。例えば、内壁面２７ｂ上に連続しているシード層３０ａが形成されない。あるいは、シード層３０ａの厚みを大きくしなければならない。微細な導体回路を形成することができない。実施形態では、突出部分Ｐが除去される。スパッタで形成されるシード層３０ａの厚みを薄くできる。スパッタで形成されるシード層３０ａの厚みが薄くても、連続しているシード層３０ａが得られる。

【0026】

開口２６を形成することは、突出部分Ｐを有する無機粒子（第２無機粒子９２）９０を形成することを含む。突出部分Ｐは開口２６の内壁面２７を形成する樹脂８０から突出している。第１無機粒子９１は無機粒子（第２無機粒子９２）９０の突出部分Ｐを除去することで形成される。開口２６の内壁面２７は第１無機粒子９１の露出面９１ｂを含む。第１無機粒子９１の露出面９１ｂは突出部分Ｐを除去することで形成される。

【0027】

球の形を持つ第２無機粒子９２を平面で切断することで第１無機粒子９１の形状を得ることは、無機粒子９０の突出部分Ｐを除去することを含む。実際の開口２６の内壁面２７は略曲面である。突出部分Ｐを除去することで平坦部９１ａが形成されるので、平坦部９１ａの露出面９１ｂは曲面を含む。すなわち、平坦部９１ａと樹脂８０で共通な面を形成することは実質的な曲面で形成される内壁面２７を形成することを含む。

【0028】

内壁面２７上に凹凸が形成されない。内壁面２７は平滑に形成される。レーザ光照射後の内壁面２７ｂを処理するための条件を制御することで、凹凸の大きさが制御される。

【0029】

開口２６内が洗浄される。開口２６内を洗浄することにより開口２６形成時に発生する樹脂残渣が除去される。開口２６内の洗浄はプラズマによって行われる。即ち洗浄はドライプロセスで行われる。洗浄はデスミア処理を含む。樹脂絶縁層２０の第１面２２は保護膜５０で覆われているためプラズマの影響を受けない。樹脂絶縁層２０の第１面２２には凹凸が形成されない。第１面２２は荒らされない。

【0030】

レーザ光照射後の内壁面２７ｂを処理することが開口２６内を洗浄することを含む場合、開口２６内を洗浄することを削除することができる。

【0031】

図３Ｅに示されるように、開口２６内を洗浄することの後に、樹脂絶縁層２０から保護膜５０が除去される。レーザ光照射後の内壁面２７ｂを処理することが開口２６内を洗浄することを含む場合、レーザ光照射後の内壁面２７ｂを処理することの後に、樹脂絶縁層２０から保護膜５０が除去される。レーザ光照射後の内壁面２７ｂが処理される時、保護膜５０は樹脂絶縁層２０の第１面２２を覆っている。保護膜５０除去後、樹脂絶縁層２０の第１面２２を荒らすことは行われない。

【0032】

図３Ｆに示されるように、樹脂絶縁層２０の第１面２２上にシード層３０ａが形成される。シード層３０ａはスパッタによって形成される。シード層３０ａの形成はドライプロセスで行われる。第１層３１ａが第１面２２上にスパッタで形成される。同時に、開口２６から露出する内壁面２７とパッド１４上に第１層３１ａがスパッタで形成される。その後、第１層３１ａ上に第２層３１ｂがスパッタで形成される。シード層３０ａは開口２６から露出するパッド１４の上面と開口２６の内壁面２７にも形成される。第１層３１ａは銅合金で形成される。第２層３１ｂは銅で形成される。

【0033】

シード層３０ａ上にめっきレジスト（図示しない）が形成される。めっきレジストは、第１信号配線３２と第２信号配線３４とランド３６（図１）を形成するための開口を有する。

【0034】

めっきレジストから露出するシード層３０ａ上に電解めっき層３０ｂが形成される。電解めっき層３０ｂは銅で形成される。電解めっき層３０ｂは開口２６を充填する。第１面２２上のシード層３０ａと電解めっき層３０ｂによって、第１信号配線３２と第２信号配線３４とランド３６が形成される。第２導体層３０が形成される。開口２６内のシード層３０ａと電解めっき層３０ｂによって、ビア導体４０が形成される。ビア導体４０は、パッド１４とランド３６を接続する。第１信号配線３２と第２信号配線３４はペア配線を形成する。

【0035】

めっきレジストが除去される。電解めっき層３０ｂから露出するシード層３０ａが除去される。第２導体層３０とビア導体４０は同時に形成される。実施形態のプリント配線板２（図１）が得られる。

【0036】

実施形態のプリント配線板２（図１、図２）では、開口２６の内壁面２７は第１無機粒子９１の平坦部９１ａと樹脂８０によって形成される。平坦部９１ａと内壁面２７を形成する樹脂８０の面８０ａはほぼ共通な面を形成する。内壁面２７は平滑に形成される。そのため、開口２６の内壁面２７上に均一な厚みのシード層３０ａが形成される。シード層３０ａは薄く形成される（図３Ｆ）。シード層３０ａが除去される時、エッチング量が少ない。そのため、電解めっき層３０ｂのエッチング量が少ない。第１信号配線３２と第２信号配線３４を有する第２導体層３０が設計値通りの幅を有する。高い品質を有するプリント配線板２が提供される。

【0037】

実施形態のプリント配線板２では樹脂絶縁層２０の第１面２２は樹脂８０で形成されている。第１面２２には無機粒子９０が露出しない。第１面２２には凹凸が形成されない。樹脂絶縁層２０の第１面２２近傍部分の比誘電率の標準偏差が大きくなることが抑制される。第１面２２の比誘電率は場所によって大きく変わらない。第１信号配線３２と第２信号配線３４が第１面２２に接していても、第１信号配線３２と第２信号配線３４間の電気信号の伝搬速度の差を小さくすることができる。そのため、実施形態のプリント配線板２ではノイズが抑制される。実施形態のプリント配線板２にロジックＩＣが実装されても、第１信号配線３２で伝達されるデータと第２信号配線３４で伝達されるデータがロジックＩＣにほぼ遅延なく到達する。ロジックＩＣの誤動作を抑制することができる。第１信号配線３２の長さと第２信号配線３４の長さが５ｍｍ以上であっても、両者の伝搬速度の差を小さくすることができる。第１信号配線３２の長さと第２信号配線３４の長さが１０ｍｍ以上、２０ｍｍ以下であっても、ロジックＩＣの誤動作を抑制することができる。高い品質を有するプリント配線板２が提供される。

【0038】

［実施形態の別例］
実施形態の別例ではレーザ光照射後の内壁面２７ｂを処理するための条件が制御される。そのため、図４に示されるように、平坦部９１ａと内壁面２７を形成する樹脂８０の面８０ａは実質的に同一平面を形成する。図４は処理後の内壁面２７を示す拡大断面図である。平坦部９１ａの露出面９１ｂと樹脂８０の面８０ａとの間の距離は５μｍ以下である。そのため、第１無機粒子９１と第１無機粒子９１の周りに形成されている樹脂８０間に隙間１００があっても、隙間１００内にシード層３０ａを形成することができる。この場合、シード層３０ａは内壁面２７上と隙間１００内に形成される。平坦部９１ａの露出面９１ｂと隙間１００の底との間の距離は５μｍ以下であると、スパッタで形成されるシード層３０ａが内壁面２７から剥がれ難い。平坦部９１ａの露出面９１ｂと樹脂８０の面８０ａとの間の距離は３μｍ以下であることが好ましい。平坦部９１ａと隙間１００の底との間の距離は３μｍ以下であることが好ましい。内壁面２７上のシード層３０ａの厚みのバラツキを小さくすることができる。

【0039】

本明細書内では、平面は内壁面２７の形状と平坦部９１ａの形状、第１無機粒子９１の形状に対し用いられている。これらに対し用いられている平面の意味は図１と図２に示されている。すなわち、図１と図２では、内壁面２７はほぼまっすぐに描かれている。図１と図２中の内壁面２７の形状はほぼ直線である。本明細書内の平面は、断面中に示されている実質的な直線を含む。図１と図２の第１無機粒子９１の断面に示されるように、断面では、平面で切断することは直線で切断することを含む。本明細書内の平面は完全な平面を意味せず実質的な平面を含む。実質的な平面は小さな凹凸を含んでもよい。

【符号の説明】

【0040】

２ ：プリント配線板
４ ：絶縁層
１０ ：第１導体層
２０ ：樹脂絶縁層
２６ ：開口
２７ ：内壁面
３０ ：第２導体層
３０ａ ：シード層
３０ｂ ：電解めっき層
３２ ：第１信号配線
３４ ：第２信号配線
３６ ：ランド
４０ ：ビア導体
８０ ：樹脂
９０ ：無機粒子
９１ ：第１無機粒子
９１ａ ：平坦部
９１ｂ ：露出面
９２ ：第２無機粒子

【図1】

【図2】

【図3A】

【図3B】

【図3C】

【図3D】

【図3E】

【図3F】

【図4】