特開 2023-126802 発光装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023126802

(43)【公開日】2023-09-12

(54)【発明の名称】発光装置

(51)【国際特許分類】

   H10K 59/131 20230101AFI20230905BHJP

   H10K 50/10 20230101ALI20230905BHJP

   H10K 77/10 20230101ALI20230905BHJP

   H10K 50/88 20230101ALI20230905BHJP

   H10K 59/82 20230101ALI20230905BHJP

   B41J 2/447 20060101ALI20230905BHJP

   B41J 2/45 20060101ALI20230905BHJP

【ＦＩ】

H10K59/131

H10K50/10

H10K77/10

H10K50/88

H10K59/82

B41J2/447 101A

B41J2/45

B41J2/447 101P

【審査請求】有

【請求項の数】11

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023099689

(22)【出願日】2023-06-16

(62)【分割の表示】P 2022508189の分割

【原出願日】2021-03-02

(31)【優先権主張番号】P 2020046664

(32)【優先日】2020-03-17

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(71)【出願人】

【識別番号】000006633

【氏名又は名称】京セラ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100075557

【弁理士】

【氏名又は名称】西教 圭一郎

(72)【発明者】

【氏名】渡邉 雅也

(72)【発明者】

【氏名】西出 雅彦

(72)【発明者】

【氏名】有沢 崇志

(72)【発明者】

【氏名】鈴木 隆信

(57)【要約】      （修正有）

【課題】寄生容量および抵抗の傾斜分布をなくし、発光輝度のムラを抑制することができる発光装置を提供すること。
【解決手段】長尺状の基板２の長手方向に沿って配置されるＫ（Ｋは２以上の自然数）本の信号配線３と、基板２上に、長手方向に沿って列状に配置されるＫ個の発光素子部４と、基板２上に、長手方向と交差する方向に沿って信号配線３と絶縁層を介して配置され、Ｋ本の信号配線とＫ個の発光素子部４とをそれぞれ接続するＫ本の引出配線５と、を備え、各々が長手方向に沿って連続して配置されたＬ（ＬはＫよりも小さい自然数）本の引出配線５から成る複数の配線群に分割し、各配線群におけるＬ本の引出配線５とＫ本の信号配線３との交差箇所の数の、引出配線５の１本当たりの平均値をＭ１とし、Ｋ本の引出配線５とＫ本の信号配線３との交差箇所の数の、引出配線５の１本当たりの平均値をＭ２としたとき、比率Ｍ１／Ｍ２の標準偏差が所定値以下である。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

長尺状の基板と、
前記基板上に、前記基板の長手方向に沿って配置されるＫ（Ｋは２以上の自然数）本の信号配線と、
前記基板上に、前記長手方向に沿って列状に配置されるＫ個の発光素子部と、
前記基板上に、前記長手方向と交差する方向に沿って前記信号配線と絶縁層を介して配置され、前記Ｋ本の信号配線と前記Ｋ個の発光素子部とをそれぞれ接続するＫ本の引出配線と、を備え、
前記Ｋ本の引出配線を、各々が前記長手方向に沿って連続して配置されたＬ（ＬはＫよりも小さい自然数）本の引出配線から成る複数の配線群に分割し、各配線群における前記Ｌ本の引出配線と前記Ｋ本の信号配線との交差箇所の数の、前記引出配線１本当たりの平均値をＭ１とし、前記Ｋ本の引出配線と前記Ｋ本の信号配線との交差箇所の数の、前記引出配線１本当たりの平均値をＭ２としたとき、比率Ｍ１／Ｍ２の標準偏差が所定値以下である、発光装置。

【請求項2】

前記複数の配線群のそれぞれは５本以上の引出配線から成り、前記所定値は０．４である、請求項１に記載の発光装置。

【請求項3】

前記Ｋ本の引出配線は、長さが前記長手方向に沿って不規則に変化する不規則領域を含む、請求項１または２に記載の発光装置。

【請求項4】

前記複数の配線群は、半分以上が前記不規則領域である、請求項３に記載の発光装置。

【請求項5】

前記基板上において、前記長手方向に沿って列状に配置されるＫ個の発光素子部を有する発光ブロックが、前記長手方向に沿って複数配列されており、
前記不規則領域は、複数の前記発光ブロックで共通する所定パターンとされている、請求項３または４に記載の発光装置。

【請求項6】

前記基板上において、前記長手方向に沿って列状に配置されるＫ個の発光素子部を有する発光ブロックが、前記長手方向に沿って複数配列されており、
前記不規則領域は、複数の前記発光ブロックで互いに相違する所定パターンとされている、請求項３または４に記載の発光装置。

【請求項7】

前記基板上の、前記Ｋ本の信号配線と前記Ｋ個の発光部との間の第１領域に、前記長手方向に沿って配置される第１電源配線と、
前記基板上の、前記Ｋ本の信号配線に関して前記第１領域とは反対側の第２領域に、前記長手方向に沿って配置される第２電源配線と、
前記基板上に配置され、前記第１電源配線と前記第２電源配線とを接続する少なくとも１本の接続配線と、をさらに備え、
前記Ｋ個の発光素子部は、前記第１電源配線に接続されている、請求項１～６のいずれか１項に記載の発光装置。

【請求項8】

前記少なくとも１本の接続配線は、前記Ｋ本の引出配線のうちの隣り合う引出配線同士の間に延びている、請求項７に記載の発光装置。

【請求項9】

前記少なくとも１本の接続配線は、平面視で屈曲した形状を有している、請求項７または８に記載の発光装置。

【請求項10】

前記Ｋ本の引出配線のそれぞれは、前記信号配線に接続される端部に接続パッドを有しており、
前記接続パッドは、前記長手方向に沿って延びる形状を有している、請求項１～９のいずれか１項に記載の発光装置。

【請求項11】

前記Ｋ個の発光素子部は、有機発光ダイオード素子または有機エレクトロルミネッセンス素子を含む、請求項１～１０のいずれか１項に記載の発光装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、有機発光ダイオード素子、有機エレクトロルミネッセンス素子等の発光素子を備える発光装置に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、例えば特許文献１に記載された発光装置が知られている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１７－２１６１５０号公報

【発明の概要】

【0004】

本開示の発光装置は、長尺状の基板と、
前記基板上に、前記基板の長手方向に沿って配置されるＫ（Ｋは２以上の自然数）本の信号配線と、
前記基板上に、前記長手方向に沿って列状に配置されるＫ個の発光素子部と、
前記基板上に、前記長手方向と交差する方向に沿って前記信号配線と絶縁層を介して配置され、前記Ｋ本の信号配線と前記Ｋ個の発光素子部とをそれぞれ接続するＫ本の引出配線と、を備え、
前記Ｋ本の引出配線を、各々が前記長手方向に沿って連続して配置されたＬ（ＬはＫよりも小さい自然数）本の引出配線から成る複数の配線群に分割し、各配線群における前記Ｌ本の引出配線と前記Ｋ本の信号配線との交差箇所の数の、前記引出配線１本当たりの平均値をＭ１とし、前記Ｋ本の引出配線と前記Ｋ本の信号配線との交差箇所の数の、前記引出配線１本当たりの平均値をＭ２としたとき、比率Ｍ１／Ｍ２の標準偏差が所定値以下である。

【図面の簡単な説明】

【0005】

本発明の目的、特色、および利点は、下記の詳細な説明と図面とからより明確になるであろう。

【図1】本開示の一実施形態の発光装置の構成を模式的に示す平面図である。

【図2】発光装置の全体を模式的に示す平面図である。

【図3】図２のＩＩＩ部および駆動素子の回路図である。

【図4】発光素子部と発光素子部に接続される配線を拡大して示す部分拡大平面図である。

【図5】図４の切断面線Ｖ１－Ｖ２から見た断面図である。

【図6】図１の切断面線Ｖ３－Ｖ４から見た断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0006】

本開示の実施形態に係る発光装置が基礎とする構成について説明する。従来の発光装置では、長尺状の基板の主面上に、基板の長手方向に沿って整列して配置された複数の発光素子と、複数の発光素子をそれぞれ駆動する複数の駆動回路ブロックと、駆動回路ブロックと発光素子とを接続する複数の配線と、が形成されている。各駆動回路ブロックは、複数の発光素子の列に沿って並んで配置されており、１つの駆動回路ブロックが複数の発光素子を駆動する。基板の長手方向の一端部または両端部には、各駆動回路ブロックおよび各発光素子を駆動し、各発光素子の発光を制御する駆動装置が、チップオングラス方式等の実装方法によって実装されている。基板の主面における、駆動装置近傍の縁部には、駆動装置との間で駆動信号、制御信号等を入出力するためのフレキシブル回路基板が設置されている。各駆動回路は、シフトレジスタ、論理和否定（ＮＯＲ）回路、インバータ、トランスファゲート素子、および駆動用薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）を有している。駆動用ＴＦＴのドレイン電極には、有機発光ダイオード素子等から成る発光素子が接続されている。発光装置は、各駆動用ＴＦＴのゲート電極にゲート電位がデータ信号として与えられると、データ信号に応じた電源電圧による電源電流が各発光素子に供給され、各発光素子がデータ信号に応じた輝度で発光するように構成されている。

【0007】

従来の発光装置では、基板上に複数の絶縁層の層間に各種配線が配置された多層積層型配線構造体が形成されている。該多層積層型配線構造体において、各駆動用ＴＦＴのゲート電極に電気的に接続される下層側ゲート電位供給配線は、各発光素子が配置されている発光点の近傍まで基板の長手方向に沿って延び、発光点の近傍からコンタクトホール等の層間接続導体によって上層側ゲート電位供給配線に持ち上げられている。上層側ゲート電位供給配線は、基板の短手方向に延びるとともに、基板の長手方向に延びる複数の下層側ゲート電位供給配線を跨いで、各駆動用ＴＦＴのゲート電極に接続されている。

【0008】

従来の発光装置では、１本の上層側ゲート電位供給配線は、複数の下層側ゲート電位供給配線のそれぞれとの間に寄生容量が発生するため、この寄生容量によって各駆動用ＴＦＴのゲート電極に印加されるゲート電位に電位差が生じてしまう。また、従来の発光装置では、上層側ゲート電位供給配線と層間接続導体との接続部は、基板の長手方向の端部にある電源に近い近位の発光点から電源から遠い遠位の発光点に向かって、発光点から見て順次離れていく（または順次近づく）ように配置されている。このため、接続部が発光点に最も近い上層側ゲート電位供給配線から接続部が発光点から最も遠い上層側ゲート電位供給配線になるに従って、寄生容量および抵抗が順次増加し、各発光点に対して寄生容量と抵抗の傾斜分布が生じる。その結果、複数の発光点の発光輝度に長手方向に傾斜した分布が生じる。このような寄生容量および抵抗の傾斜分布をなくし、発光輝度のムラを抑制することができる発光装置が求められている。

【0009】

以下、添付図面を参照して、本開示の発光装置の実施形態について説明する。

【0010】

図１は、本開示の一実施形態の発光装置の構成を模式的に示す平面図である。本実施形態では、一例として、発光装置が有機発光ダイオード（Organic Light Emitting Diode：ＯＬＥＤ）プリンタヘッドに適用される場合について説明する。ＯＬＥＤプリンタヘッドは、画像形成装置が備える感光ドラムの表面に画像情報を静電潜像として形成するものである。ＯＬＥＤプリンタヘッドは、例えば、長尺状の基板に、数百から数千の発光素子部を有する発光ブロックの複数が所定の回路パターンで配列された構成を有する。図１では、本開示の発光装置の基本的な回路パターンを説明する。

【0011】

本開示の発光装置は、基板２と、複数本の信号配線３と、複数個の発光素子部４と、複数本の引出配線５とを備える。複数本の信号配線３は、基板２上に所定方向（例えば、長手方向）に沿って配置される。複数個の発光素子部４は、基板２上に所定方向に沿って列状に配置される。複数本の引出配線５は、基板２上に所定方向と交差する方向（例えば、短手方向）に沿って信号配線３と絶縁層を介して配置され、複数本の信号配線３と複数個の発光素子部４とをそれぞれ接続する。複数本の引出配線５は、長さが所定方向に沿って不規則に変化する不規則領域を、半分以上の割合で含んでいる。

【0012】

本開示の発光装置は、上記の構成により以下の効果を奏する。引出配線５の長さの不規則領域において、信号配線３と引出配線５との平面視における交差箇所の数も、所定方向に沿って不規則になる。その結果、引出配線５の抵抗および交差箇所で生ずる寄生容量が、所定方向に沿って不規則になる。従って、引出配線５の抵抗および交差箇所で生ずる寄生容量が順次増加し、各発光素子部４に対して抵抗と寄生容量の傾斜分布が生じることを抑えて、複数の発光素子部４に同じ駆動電流を入力したときに、複数の発光素子部４から発せられる光の輝度に長手方向に傾斜した分布が生じることを抑制することができる。

【0013】

複数の配線群は、その６０％以上が不規則領域であってもよく、また８０％以上が不規則領域であってもよく、また１００％が不規則領域であってもよい。これらの場合、複数の発光素子部４に同じ駆動電流を入力したときに、複数の発光素子部４から発せられる光の輝度に長手方向に傾斜した分布が生じることをより抑制することができる。

【0014】

不規則領域は、連続していてもよく、断続していてもよい。連続する場合、電源電圧入力部に近い側に不規則領域が位置していてもよい。電圧降下が大きい電源電圧出力部に近い側は、輝度が小さくなりやすいことから、輝度の長手方向に傾斜した分布が分かりにくい傾向があるからである。断続する場合、不規則領域と規則領域を交互に配置してもよい。この場合、輝度の長手方向に傾斜した分布が生じやすい規則領域の存在を分かりにくくすることができる。またこの場合、１つの不規則領域の大きさが、それに隣接する１つの規則領域の大きさよりも大きい構成であってもよい。これにより、輝度の長手方向に傾斜した分布が生じやすい規則領域の存在をより分かりにくくすることができる。また、１つの不規則領域の大きさが、それに隣接する１つの規則領域の大きさよりも大きいパターンを、繰り返す構成であってもよい。これにより、輝度の長手方向に傾斜した分布が生じやすい規則領域の存在をさらに分かりにくくすることができる。

【0015】

不規則領域は、例えば、コンピュータ・ソフトウェア・プログラムを用いて生成した疑似乱数を利用して構成することができる。

【0016】

基板２は、ガラス、樹脂（プラスチック）等の透光性材料、セラミックス、金属等の非透光性材料から成っていてもよい。基板２が透光性材料から成る場合、発光素子部４が配置された基板２の面（例えば、表面）と反対側の面（例えば、裏面）から光を出射させることもできる。また基板２は、異なる材料から成る複数の基板を積層させた複合型基板であってもよく、例えばガラス基板と樹脂基板を積層させた複合型基板であってもよい。また基板２は、樹脂等から成る可撓性基板、所謂フレキシブル基板であってもよい。

【0017】

基板２上における所定方向は、例えば基板２が長方形状、帯状等の長尺状の基板２である場合、長手方向であってもよい。この場合、所定方向と交差する方向は短手方向であってもよい。また、基板２が正方形等の対称的な形状であって長手方向を有していない形状である場合、所定方向は一辺に沿った方向（例えば、行方向）であってもよく、所定方向と交差する方向は一辺に隣接する辺に沿った方向（例えば、列方向）であってもよい。

【0018】

複数本の引出配線５は、信号配線３と絶縁層を介して配置されるが、信号配線３は下層側ゲート電位供給配線であってもよく、引出配線５は上層側ゲート電位供給配線であってもよい。この場合、例えば、引出配線５における発光素子部４と反対側の端部が、スルーホール等の層間接続導体を介して信号配線３に接続される。また、引出配線５における発光素子部４側の端部は、駆動用ＴＦＴのゲート電極に接続される。駆動用ＴＦＴのソース電極は電源配線６（図１に記載）に接続され、駆動用ＴＦＴのドレイン電極は発光素子部４に接続さる。

【0019】

本開示の発光装置は、複数本の引出配線５は、各々が所定方向に沿って連続して配置された引出配線５から成る複数の配線群（例えば、図１のＧ１，Ｇ２，Ｇ３）に分割されており、複数本の信号配線３の本数をＫ（Ｋは２以上の自然数）本とし、複数の配線群の各配線群を構成する引出配線５の本数をＬ（ＬはＫよりも小さい自然数）本とし、各配線群における引出配線５とＫ本の信号配線３との交差箇所の数の、引出配線５の１本当たりの平均値をＭ１とし、Ｋ本の引出配線５とＫ本の信号配線３との交差箇所の数の、引出配線５の１本当たりの平均値をＭ２としたとき、１≦Ｍ１／Ｍ２＜２である構成であってよい。この場合、複数個（Ｋ個）の発光素子部４の全体における、引出配線５の１本当たりの交差箇所数の平均値Ｍ２に対して、各配線群における、引出配線５の１本当たりの交差箇所数の平均値Ｍ１を、異ならせるとともに１に近づけることができる。その結果、発光素子部４の全体における交差箇所の配置パターンと、各配線群における交差箇所の配置パターンと、が異なるとともに、発光素子部４の全体における交差箇所数の平均値Ｍ２と、各配線群における交差箇所数の平均値Ｍ１と、が近似することになる。従って、複数の配線群において、複数の発光素子部４に同じ駆動電流を入力したときに、複数の発光素子部４から発せられる光の輝度に長手方向に傾斜した分布が生じることを抑制することができ、さらに、複数の発光素子部４に同じ駆動電流を入力したときに、複数の発光素子部４の全体における輝度の平均値と、複数の配線群に接続された発光素子部４の輝度の平均値と、が異なることを抑えることができる。Ｍ１／Ｍ２が２以上になると、複数の発光素子部４に同じ駆動電流を入力したときに、複数の発光素子部４の全体における輝度の平均値と、複数の配線群に接続された発光素子部４の輝度の平均値と、の相違が大きくなり、輝度差が異なる領域の存在が目立ちやすくなる場合がある。

【0020】

比率Ｍ１／Ｍ２は、より１に近似してもよく、１≦Ｍ１／Ｍ２≦１．５であってもよく、１≦Ｍ１／Ｍ２≦１．３であってもよいが、これらの値に限らない。

【0021】

Ｋは１００以上であり、Ｌは５以上であってもよい。Ｋが１００未満である場合、複数本の引出配線５を複数の配線群に分割せずとも、全体的に不規則領域を形成すればよくなる傾向がある。Ｌが５未満である場合、同様に、複数本の引出配線５を複数の配線群に分割せずとも、全体的に不規則領域を形成すればよくなる傾向がある。Ｋは１００～１００００程度、Ｌは５～１００程度であってもよいが、これらの範囲に限らない。なお、「～」は「乃至」を意味し、以下同様とする。

【0022】

基板２上において、所定方向に沿って列状に配置されるＫ個の発光素子部４を有する発光ブロックが、所定方向に沿って複数配列されており、不規則領域は、複数の発光ブロックで共通する所定パターンとされている構成であってもよい。この構成の場合、例えば、コンピュータ・ソフトウェア・プログラムを用いて生成した疑似乱数を利用して１つの所定パターンを生成し、その所定パターンを複数の発光ブロックで共通するように、複数の発光ブロックに適用してもよい。またこの構成の場合、不規則領域は、複数の発光ブロックで共通する所定パターンとされていることから、所定パターンの生成が容易になるという効果を奏する。

【0023】

基板２上において、所定方向に沿って列状に配置されるＫ個の発光素子部４を有する発光ブロックが、所定方向に沿って複数配列されており、不規則領域は、複数の発光ブロックで互いに相違する所定パターンとされている構成であってもよい。この構成の場合、例えば、コンピュータ・ソフトウェア・プログラムを用いて生成した疑似乱数を利用して所定パターンを生成する際に、複数の発光ブロックで互いに相違するように生成してもよい。またこの構成の場合、不規則領域は、複数の発光ブロックで互いに相違する所定パターンであることから、複数の発光ブロックに同じ駆動電流を入力したときに、発光ブロック毎に輝度分布が異なる、というより有利な効果を奏する。

【0024】

本実施形態の発光装置１は、基板２と、Ｋ本の信号配線３と、Ｋ個の発光素子部４と、Ｋ本の引出配線５とを備える。ここで、Ｋは、２以上の自然数であり、例えば、数百から数千に達することがある。図１では、図解および説明を容易にするために、Ｋが９である場合を示している。なお、発光装置１は、Ｋ個の発光素子を備えていてもよく、さらにはＫ×ブロック数の個数の発光素子を備えていてもよい。

【0025】

発光装置１は、基板２の主面上（以下、単に、基板上ともいう）に形成された多層積層型配線構造体を有する。多層積層型配線構造体は、複数の絶縁層の層間に信号配線３、引出配線５等の各種配線が配置されたものである。

【0026】

基板２は、長尺状の形状を有しており、例えば図１に示すように、長手方向Ｘおよび長手方向Ｘに垂直な短手方向Ｙを有している。基板２は、例えば、ガラス、樹脂等から成り、透光性を有している。

【0027】

Ｋ本の信号配線３は、基板２上に、長手方向Ｘに沿って配置されている。Ｋ本の信号配線３は、短手方向Ｙにおいて、隣り合う信号配線３同士の間に間隔を空けて配置されている。

【0028】

Ｋ個の発光素子部４は、基板２上に、長手方向Ｘに沿って列状に配置されている。Ｋ個の発光素子部４は、長手方向Ｘに沿って一列に配列されていてもよく、長手方向Ｘに沿って複数列に配列されていてもよい。各発光素子部４は、発光素子４１と、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）４２とを有している。

【0029】

発光素子４１は、ＯＬＥＤ素子、有機エレクトロルミネッセンス（Organic Electro Luminescence：ＯＥＬ）素子等であり、アノード電極４１ａおよびカソード電極を有している。アノード電極４１ａは、ＴＦＴ４２のドレイン電極に接続され、カソード電極は、接地配線に接続されている。

【0030】

ＴＦＴ４２は、ｐチャネル型ＴＦＴであってもよく、ｎチャネル型ＴＦＴであってもよい。ＴＦＴ４２は、ゲート電極４２ａ、ソース電極４２ｂおよびドレイン電極４２ｃを有している。ゲート電極４２ａは、Ｋ本の信号配線３のうちの１本に接続されている。また、ソース電極４２ｂは、電源配線（図１では第１電源配線６）に接続されており、ドレイン電極４２ｃは、発光素子４１のアノード電極４１ａに接続されている。

【0031】

Ｋ本の引出配線５は、基板２上に、長手方向Ｘと交差する短手方向Ｙに沿って信号配線３と絶縁層を介して配置され、Ｋ本の信号配線３とＫ個の発光素子部４とをそれぞれ接続している。長手方向Ｘと短手方向Ｙは交差する方向であるが、図１に示すように直交する方向であってもよい。交差する方向は直交する方向に限らず、交差角度を６０°～１２０°程度の範囲内で選択することもできる。Ｋ本の引出配線５は、長手方向Ｘにおいて、隣り合う引出配線５同士の間に間隔を空けて配置されている。各引出配線５は、一方端部（以下、第１端部ともいう）５１がＫ本の信号配線３のうちの１本に接続され、他方端部がＫ個の発光素子部４のうちの１個に接続されている。各引出配線５は、例えば図１に示すように、Ｋ本の信号配線３のうちの少なくとも１本と平面視で交差するか、または重なっている。

【0032】

信号配線３と引出配線５とは、基板２の厚み方向（図１における紙面に垂直な方向）における信号配線３と引出配線５との間に配置された絶縁層によって、互いに電気的に絶縁されている。このため、信号配線３と該信号配線３と平面視で交差する引出配線５との間に寄生容量が発生する。このため、信号配線３と引出配線５との交差箇所の数（以下、単に、交差数ともいう）が、長手方向Ｘにおいて、単調増加または単調減少する配線構造では、寄生容量および抵抗の分布に長手方向Ｘにおける傾斜が生じてしまい、その結果、複数の発光素子４１から発せられる光の輝度に傾斜分布（グラデーション）が生じるという問題点があった。特に複数の発光素子４１から発せられる光の輝度が同じとなるようにデータ信号を送信した場合に、グラデーションが目立ちやすい。

【0033】

発光装置１は、Ｋ本（図１では９本）の引出配線５を、例えば図１に示すように、各々が長手方向Ｘに連続して配置されたＬ本（図１では３本）の引出配線５から成る複数の配線群Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３に仮想的に分割し、各配線群Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３におけるＬ本の引出配線５とＫ本の信号配線３との交差箇所の数（交差数）の、引出配線５の１本当たりの平均値をＭ１とし、Ｋ本の引出配線５とＫ本の信号配線３との交差箇所の数（交差数）の、引出配線５の１本当たりの平均値をＭ２（＝（Ｋ＋１）／２）としたときに、複数の配線群Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３は、比率Ｍ１／Ｍ２の標準偏差が所定値以下とされている。ここで、Ｌは、Ｋよりも小さい自然数であり、所定値は、例えば、０．６以下の値である。発光装置１では、複数の配線群Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３における比率Ｍ１／Ｍ２が、比率Ｍ１／Ｍ２の平均値である「１」に近い値となっている。換言すると、発光装置１では、信号配線３と引出配線５との交差数、すなわち、信号配線３と引出配線５との間に発生する寄生容量が、長手方向Ｘにおいて、略均一に分布している。発光装置１によれば、発光輝度の、信号配線３と引出配線５との間に発生する寄生容量の傾斜分布に起因するグラデーションの発生を抑制することができる。

【0034】

Ｋ本の引出配線５は、その長さが長手方向Ｘに沿って不規則に変化する不規則領域を含んでいてもよい。例えば、複数の配線群のうち少なくとも１つの配線群が不規則領域となっていてもよい。換言すると、Ｋ本の引出配線５は、その全ての長さが長手方向Ｘに沿って漸次長くなっていたり、漸次短くなっていたりする構成ではない。この場合、比率Ｍ１／Ｍ２の標準偏差を所定値以下とすること、即ち比率Ｍ１／Ｍ２を１に近づけること、が容易になる。また、複数の配線群は、半分以上が不規則領域であってもよい。この場合、比率Ｍ１／Ｍ２の標準偏差を所定値以下とすること、即ち比率Ｍ１／Ｍ２を１に近づけること、がより容易になる。さらに、複数の配線群は、すべてが不規則領域であってもよい。この場合、比率Ｍ１／Ｍ２の標準偏差を所定値以下とすること、即ち比率Ｍ１／Ｍ２を１に近づけること、がさらに容易になる。

【0035】

本実施形態の発光装置１は、基板２上において、長手方向Ｘに沿って列状に配置されるＫ個の発光素子部４を有する発光ブロックが、長手方向Ｘに沿って複数配列されており、不規則領域は、複数の発光ブロックで共通する所定パターンとされていてもよい。この場合、例えば、コンピュータ・ソフトウェア・プログラムを用いて生成した疑似乱数を利用して１つの所定パターンを生成し、その所定パターンを複数の発光ブロックで共通するように、複数の発光ブロックに適用してもよい。またこの構成の場合、不規則領域は、複数の発光ブロックで共通する所定パターンとされていることから、所定パターンの生成が容易になるという効果を奏する。

【0036】

また本実施形態の発光装置１は、基板２上において、長手方向Ｘに沿って列状に配置されるＫ個の発光素子部４を有する発光ブロックが、長手方向に沿って複数配列されており、不規則領域は、複数の発光ブロックで互いに相違する所定パターンとされていてもよい。この場合、例えば、コンピュータ・ソフトウェア・プログラムを用いて生成した疑似乱数を利用して所定パターンを生成する際に、複数の発光ブロックで互いに相違するように生成してもよい。またこの構成の場合、不規則領域は、複数の発光ブロックで互いに相違する所定パターンであることから、複数の発光ブロックに同じ駆動電流を入力したときに、発光ブロック毎に輝度分布が異なる、というより有利な効果を奏する。

【0037】

なお、図１では、９本の引出配線５を３つの配線群Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３に仮想的に分割する例を示したが、引出配線５の総数（すなわち、Ｋの値）および配線群の数は、適宜設定することができる。例えば、１２０本の引出配線５を１０個の配線群に分割してもよく、４００本の引出配線５を１６個の配線群に分割してもよい。

【0038】

比率Ｍ１／Ｍ２の標準偏差を所定値以下とするには、Ｋ本の信号配線３とＫ本の引出配線５とをそれぞれ接続する際に、例えば、各配線群Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３の比率Ｍ１／Ｍ２が目標値である「１」に略等しくなるように、Ｌ本の引出配線５とＫ本の信号配線３のうちのＬ本の信号配線とをそれぞれ接続すればよい。なお、各配線群Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３の比率Ｍ１／Ｍ２は、目標値に等しくなっている必要はなく、比率Ｍ１／Ｍ２の標準偏差が所定値以下となる程度であれば、目標値の近傍でばらついていてもよい。

【0039】

あるいは、比率Ｍ１／Ｍ２の標準偏差を所定値以下とするには、Ｋ本の信号配線３とＫ本の引出配線５とをそれぞれ接続する際に、コンピュータ・ソフトウェア・プログラムを用いて生成した疑似乱数を利用して、比率Ｍ１／Ｍ２の標準偏差が所定値以下となるような、Ｋ本の信号配線３とＫ本の引出配線５との接続の組み合わせ、即ちＫ本の引出配線５の長さの長手方向Ｘに沿った不規則な変化、を決定してもよい。

【0040】

発光装置１は、各配線群Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３が５本以上の引出配線５から成り、比率Ｍ１／Ｍ２の標準偏差が０．４以下であってもよい。比率Ｍ１／Ｍ２の標準偏差が０．４以下である場合、複数の配線群Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３における寄生容量の傾斜分布を効果的に抑制できる。また、各配線群Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３が５本以上の引出配線５から成る場合、Ｋ本の信号配線３とＫ本の引出配線５とをそれぞれ接続する際に、各配線群Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３の比率Ｍ１／Ｍ２を目標値である１に近づけることが容易になる。

【0041】

発光装置１は、第１電源配線６と、第２電源配線７と、接続配線８とをさらに備える。

【0042】

第１電源配線６は、基板２上の、Ｋ本の信号配線３とＫ個の発光素子部４との間の第１領域Ｓ１に、長手方向Ｘに沿って配置されている。第１電源配線６には、外部から供給される電源電圧（例えば１４Ｖ程度）が印加される。発光素子部４は、第１電源配線６に接続されている。本実施形態では、例えば図１に示すように、ＴＦＴ４２のソース電極４２ｂが第１電源配線６に接続されており、これにより、ゲート電極４２ａに供給されるゲート電位に応じた電界が発光素子４１に印加される。

【0043】

第２電源配線７は、基板２上の、Ｋ本の信号配線３に関して第１領域Ｓ１とは反対側の第２領域Ｓ２に、長手方向Ｘに沿って配置されている。第２電源配線７には、第１電源配線６と同様に、外部から供給される電源電圧（例えば１４Ｖ程度）が印加される。

【0044】

接続配線８は、基板２上に少なくとも１本配置され、第１電源配線６と第２電源配線７とを接続している。これにより、電源配線のトータルでの断面積が増加して抵抗が小さくなることから、基板２の長手方向Ｘにおける電源電圧の変動を抑制し、電源電圧を安定化させることができる。その結果、複数の発光素子４１の発光輝度にグラデーションが生じることをより抑制できる。

【0045】

接続配線８は、Ｋ本の引出配線５のうちの隣り合う引出配線５同士の間に延びていてもよい。換言すると、接続配線８は、第１電源配線６の、長手方向Ｘにおける中間部位と、第２電源配線７の、長手方向Ｘにおける中間部位とを接続している。これにより、基板２の長手方向Ｘにおける電源電圧の変動を効果的に抑制できる。その結果、複数の発光素子４１の発光輝度にグラデーションが生じることを効果的に抑制できる。

【0046】

接続配線８は、例えば図１に示すように、平面視において、屈曲した形状を有していてもよい。この場合、大きな線幅の接続配線８を隣り合う引出配線５同士の間に配置することが可能になる。これにより、基板２の長手方向Ｘにおける電源電圧の変動を効果的に抑制できる。その結果、複数の発光素子４１の発光輝度にグラデーションが生じることを効果的に抑制できる。

【0047】

引出配線５は、例えば図１に示すように、信号配線３に接続される第１端部５１に、長手方向Ｘに延びる形状の接続パッド５２を有していてもよい。これにより、引出配線５と信号配線３との接続部における接続抵抗を小さくして、引出配線５の寄生容量による信号電圧の鈍りおよび低下を抑えることができる。その結果、複数の発光素子４１の発光輝度にグラデーションが生じることを効果的に抑制できる。

【0048】

図２は、発光装置の全体を模式的に示す平面図であり、図３は、図２のIII部および駆動素子の回路図である。発光装置１は、複数の駆動回路ブロック９と、駆動素子１０と、フレキシブル回路基板１１とをさらに備えている。以下、図２，３を参照して、複数の駆動回路ブロック９、駆動素子１０およびフレキシブル回路基板１１の構成について説明する。

【0049】

複数の駆動回路ブロック９は、基板２上に配置されており、複数の発光素子部４をそれぞれ駆動する。複数の発光素子部４は、例えば図２に示すように、長手方向Ｘに沿って２列に整列して配置されている。基板２上には、駆動回路ブロック９の配線、および駆動回路ブロック９と発光素子部４とを接続する配線が、化学気相成長（Chemical Vapor Deposition：ＣＶＤ）法等の薄膜形成法によって形成されている。

【0050】

複数の駆動回路ブロック９は、長手方向Ｘに沿ってアレイ状に並べられており、例えば、発光装置１が、８０００個の発光素子部４を有し、１つの駆動回路ブロック９が４００個の発光素子部４を駆動する構成である場合、駆動回路ブロック９は、長手方向Ｘに沿って、２０個並べられている。また、基板２の主面の一端部には、駆動回路ブロック９および発光素子部４を駆動し、それによって、発光素子４１の発光を制御する駆動素子１０が、チップオングラス（Chip On Glass：ＣＯＧ）方式等の実装方法によって設置されている。また、基板２の主面における、駆動素子１０の近傍に位置する縁部には、フレキシブル回路基板１１が接続されている。フレキシブル回路基板１１は、駆動素子１０との間で駆動信号、制御信号等を入出力する。なお、図２および図３において、駆動素子１０と駆動回路ブロック９を接続するデータ配線等の配線は、参照符号２５によって総称的に示している。

【0051】

駆動回路ブロック９は、複数の駆動回路９１を有している。例えば図２，３に示すように、２列を成す各２個の発光素子４１１，４１２（総称する場合には、発光素子４１ともいう）に対して１つの駆動回路９１が形成されている。１つの駆動回路９１は、シフトレジスタ９１ａ、論理和否定（ＮＯＲ）回路９１ｂ、インバータ９１ｃ、トランスファゲート素子９１ｄ１，９１ｄ２、および駆動用のＴＦＴ４２１，４２２（総称する場合には、ＴＦＴ４２ともいう）を有している。トランスファゲート素子９１ｄ１，９１ｄ２は、例えば、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）トランスファゲート素子であり、ｎ型ＭＯＳトランジスタとｐ型ＭＯＳトランジスタとで構成されている。ＴＦＴ４２のドレイン電極４２ｃには、ＯＬＥＤ素子またはＯＥＬ素子である発光素子４１のアノード電極４１ａがそれぞれ接続されている。

【0052】

駆動回路９１は、以下のように順次動作する。シフトレジスタ９１ａは、クロック端子（ＣＬＫ）にハイレベル「１」のクロック信号（ＣＬＫ）が入力されるとともに、入力端子（ｉｎ）にハイレベルの同期信号（Ｖｓｙｎｃ）が入力されたときに、出力端子（Ｑ）からハイレベルの信号が出力され、かつ反転出力端子（ＸＱ）からローレベル「０」の信号が出力される。次に、ＮＯＲ回路９１ｂは、反転出力端子（ＸＱ）からローレベルの信号が入力されるとともに、反転イネーブル信号（ＸＥＮＢ）であるローレベルの信号が入力されたときに、ハイレベルの信号を出力する。

【0053】

次に、インバータ９１ｃは、ハイレベルの信号が入力されたときに、ローレベルの信号を出力する。次に、トランスファゲート素子９１ｄ１は、ｎ型ＭＯＳトランジスタのゲート電極にＮＯＲ回路９１ｂからのハイレベルの信号が入力されるとともに、ｐ型ＭＯＳトランジスタのゲート電極にインバータ９１ｃからローレベルの信号が入力されてオン状態となり、データ信号（ＤＡＴＡ２００）を出力する。次に、データ信号（ＤＡＴＡ２００）がＴＦＴ４２１のゲート電極４２ａに入力されてＴＦＴ４２１がオン状態となり、データ信号（ＤＡＴＡ２００）に応じた電源電圧による電源電流が発光素子４１１に供給される。

【0054】

トランスファゲート素子９１ｄ２は、ｎ型ＭＯＳトランジスタのゲート電極にＮＯＲ回路９１ｂからのハイレベルの信号が入力されるとともに、ｐ型ＭＯＳトランジスタのゲート電極にインバータ９１ｃからローレベルの信号が入力されてオン状態となり、データ信号（ＤＡＴＡ１００）を出力する。次に、データ信号（ＤＡＴＡ１００）がＴＦＴ４２２のゲート電極４２ａに入力されてＴＦＴ４２２がオン状態となり、データ信号（ＤＡＴＡ１００）に応じた電源電圧による電源電流が発光素子４１２に供給される。

【0055】

以上の一連の動作が、次段の駆動回路によって順次実行されていき、すべての発光素子４１が順次発光していく。

【0056】

発光装置１は、例えば図２に示すように、基板２上に配置される封止基板１２をさらに備え、基板２の主面の周縁部と、封止基板１２の基板２の主面に対向する面の周縁部とが、シール部材１３によって接着され、封止されている。シール部材１３の内側の空間には、アクリル樹脂等から成る絶縁層（図５の絶縁層４６に相当する）が、駆動回路ブロック９、配線２５等のほとんどを覆うように配置されている。

【0057】

図４は、発光素子部と発光素子部に接続される配線を拡大して示す部分拡大平面図であり、図５は、図４の切断面線Ｖ１－Ｖ２から見た断面図であり、図６は、図１の切断面線Ｖ３－Ｖ４から見た断面図である。以下、図４～６を参照して、発光素子部４の構成について説明する。

【0058】

発光素子部４は、例えば図４，５に示すように、基板２上に形成されたＴＦＴ４２１，４２２（総称する場合には、ＴＦＴ４２ともいう）と、ＴＦＴ４２１，４２２上にアクリル樹脂、窒化シリコン（ＳｉＮ_x）等から成る絶縁層４３を挟んで積層された有機発光体部４４、および有機発光体部４４とＴＦＴ４２のドレイン電極４２ｃとを導電接続するコンタクトホール４５を含んでいてもよい。有機発光体部４４は、ＴＦＴ４２の側からコンタクトホール４５に電気的に接続された第１電極層４４ａ、有機発光層４４ｂ、第２電極層４４ｃが積層されており、絶縁層４３および第１電極層４４ａ上に有機発光層４４ｂを囲むようにアクリル樹脂等から成る他の絶縁層４６が形成されている。

【0059】

図４，５において、符号４１Ｌで示す部位は、第１電極層４４ａおよび第２電極層４４ｃによって有機発光層４４ｂに直接的に電界が印加されて発光する発光部４１Ｌである。発光素子４１は、平面視において、発光部４１Ｌ、その周囲の第１電極層４４ａおよび有機発光層４４ｂを含む部位である。

【0060】

第１電極層４４ａが、インジウム錫酸化物（Indium Tin Oxide：ＩＴＯ）等の透明電極から成る陽極であり、第２電極層４４ｃが、Ａｌ、Ａｌ－Ｌｉ合金、Ｍｇ－Ａｇ合金（Ａｇを５～１０重量％程度含む）、Ｍｇ－Ｃｕ合金（Ｃｕを５～１０重量％程度含む）等の、仕事関数が４．０ｅＶ程度以下と低く、遮光性、光反射性を有する金属または合金から成る陰極である場合、有機発光層４４ｂで発光した光は基板２側から出射される。すなわち、発光方向が下方（図５におけるＺ方向の負方向）であるボトムエミッション型の発光装置となる。

【0061】

一方、第１電極層４４ａが、上記の遮光性、光反射性を有する金属またはそれらの合金から成る陰極であり、第２電極層４４ｃが、透明電極から成る陽極である場合、発光方向が上方（図５におけるＺ方向の正方向）であるトップエミッション型の発光装置となる。

【0062】

ＴＦＴ４２は、基板２側から、ゲート電極４２ａと、ゲート絶縁膜４２ｄと、チャネル部としてのポリシリコン膜４２ｅおよびポリシリコンに不純物をチャネル部よりも高濃度に含有させた高濃度不純物領域４２ｆから成る半導体膜と、窒化シリコン（ＳｉＮ_x）、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）等から成る絶縁膜４２ｇと、ソース電極４２ｂと、ドレイン電極４２ｃとが、順次積層された構成を有している。

【0063】

また、図４において、第１電源配線６は、ＴＦＴ４２のソース電極４２ｂにソース信号（電源電流）を伝達するソース信号線（電源配線）であり、信号配線３は、ゲート電極４２ａにゲート信号を伝達するゲート信号線である。各信号配線３に入力するゲート信号の電圧を制御することによって、各有機発光層の発光強度を制御することができる。すなわち、第１電源配線６は、電源配線（ソース信号線）として機能する。

【0064】

例えば図６に示すように、基板２の主面には、ＴＦＴ４２のドレイン電極４２ｃと発光部４１Ｌの第１電極層（図６の例ではアノード電極）４４ａとを電気的に接続するアノード接続配線１４、および窒化シリコン（ＳｉＮ_x），酸化シリコン（ＳｉＯ₂）等から成る第１の層間絶縁膜１５が、この順に形成されている。

【0065】

第１の層間絶縁膜１５上には、有機発光層４４ｂに駆動電流を供給するデータ配線等の配線２５、接地配線１６が形成されており、さらに、配線２５および接地配線１６を覆う、窒化シリコン（ＳｉＮ_x）、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）等から成る第２の層間絶縁膜１７が形成されている。第２の層間絶縁膜１７の上には、接地配線１６、配線２５、ＴＦＴ４２の部位を覆うように絶縁層１８（図５の絶縁層４３に相当する）が形成されている。

【0066】

絶縁層１８の上には、アノード電源配線としての第１電源配線６が形成され、ＴＦＴ４２に平面視で重なる部位に、ＴＦＴ４２のソース電極４２ｂにアノード電流を流すアノード配線１９が形成されている。第１電源配線６、アノード配線１９を覆うように、窒化シリコン（ＳｉＮ_x）、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）等から成る保護絶縁層２０が形成されている。なお、図６において、符号９で示される部位は駆動回路ブロック９であり、符号９１ａで示される部位はシフトレジスタ９１ａである。

【0067】

シール部材１３は、保護絶縁層２０上の所定の部位、例えば保護絶縁層２０上の周縁の部位に形成され、基板２と封止基板１２との間の空間を気密に封止している。またシール部材１３は、保護絶縁層２０上の周縁の部位であって第２電源配線７に平面視で重なる部位に形成されていてもよい。

【0068】

アノード接続配線１４に重なる第２の層間絶縁膜１７上の部位に、カソード電源配線２１が形成されており、発光素子４１側にはアノード接続配線１４と第１電極層４４ａとを接続するための層間導体層２２が形成されている。アノード接続配線１４のＴＦＴ４２側の端部には、ＴＦＴ４２のドレイン電極４２ｃに接続される第１のコンタクトホール２３が配置されており、発光素子４１側の端部には、層間導体層２２に接続される第２のコンタクトホール２４が配置されている。

【0069】

保護絶縁層２０上の発光部４１Ｌ側の端部を覆って、第１電極層４４ａが形成されており、第１電極層４４ａの上に有機発光層４４ｂが形成され、有機発光層４４ｂを覆って第２電極層（図６ではカソード電極）４４ｃが形成されている。第２電極層４４ｃの一端部は、カソード電源配線２１に接している。

【0070】

第２電源配線７の上には、補助電源配線（電源強化配線ともいう）７ａが第２電源配線７と平行に配置されているとともに、第２電源配線７と補助電源配線７ａはコンタクトホール７ｂによって接続されている。これにより、第２電源配線７の断面積が実質的に増大することとなり、第２電源配線７の電気抵抗が小さくなる。その結果、長板状の基板２の長手方向Ｘに平行に帯状、または線状に形成されている第２電源配線７の電圧降下が小さくなるように構成されている。

【0071】

なお、発光装置１は、複数の発光素子部４を直線状に配列してなる発光素子アレイを２列に配列した構成を有していてもよく、複数の発光素子部４を直線状に配列してなる発光素子アレイを４列または６列に配列した構成を有していてもよい。

【0072】

上記の発光装置１によれば、複数の配線群Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３の比率Ｍ１／Ｍ２の標準偏差が所定値以下であることによって、複数の発光素子部４からの発光輝度の、信号配線３と引出配線５との間に発生する寄生容量および抵抗の傾斜分布に起因するグラデーションが生じることを抑制できる。

【0073】

発光装置１は、Ｋ個の発光素子部４は、有機発光ダイオード素子または有機エレクトロルミネッセンス素子を含む構成であってもよい。有機発光ダイオード素子または有機エレクトロルミネッセンス素子は、ＣＶＤ法等の薄膜形成法、インクジェット法等の膜形成法によって、基板２上に薄型の発光素子部４として直接形成することができる、という利点がある。また、Ｋ個の発光素子部４は、発光ダイオード（Light Emitting Diode：ＬＥＤ）素子等のチップ型の発光素子を含んでいてもよい。

【0074】

以上、本開示の各実施形態について詳細に説明したが、また、本開示は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲内において、種々の変更、改良等が可能である。上記各実施形態をそれぞれ構成する全部または一部を、適宜、矛盾しない範囲で組み合わせ可能であることは、言うまでもない。

【産業上の利用可能性】

【0075】

本開示の発光装置は、例えば、長板状の基板２の長手方向に複数の発光素子を列状に並ぶように形成することによって、有機ＬＥＤプリンタ（ＯＬＥＤＰ）ヘッドとして構成し得る。また、基板が正方形状、長尺板状等の形状であり、複数の発光素子を２次元的（平面的に）並ぶように形成することによって有機ＥＬ表示装置として構成し得る。さらに本開示の発光装置および有機ＥＬ表示装置は、各種の電子機器に適用できる。その電子機器としては、照明装置、自動車経路誘導システム（カーナビゲーションシステム）、船舶経路誘導システム、航空機経路誘導システム、自動車等の乗り物の計器用インジケータ、インスツルメントパネル、スマートフォン端末、携帯電話、タブレット端末、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、電子手帳、電子書籍、電子辞書、パーソナルコンピュータ、複写機、ゲーム機器の端末装置、テレビジョン、商品表示タグ、価格表示タグ、産業用のプログラマブル表示装置、カーオーディオ、デジタルオーディオプレイヤー、ファクシミリ、プリンタ、現金自動預け入れ払い機（ＡＴＭ）、自動販売機、医療用表示装置、デジタル表示式腕時計、スマートウォッチ、駅または空港等に設置される案内表示装置等がある。

【符号の説明】

【0076】

１ 発光装置
２ 基板
３ 信号配線
４ 発光素子部
４１，４１１，４１２ 発光素子
４１Ｌ 発光部
４１ａ アノード電極
４１ｂ カソード電極
４２，４２１，４２２ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
４２ａ ゲート電極
４２ｂ ソース電極
４２ｃ ドレイン電極
４２ｄ ゲート絶縁膜
４２ｅ ポリシリコン膜
４２ｆ 高濃度不純物領域
４２ｇ 絶縁膜
４３ 絶縁層
４４ 有機発光体部
４４ａ 第１電極層
４４ｂ 有機発光層
４４ｃ 第２電極層
４５ コンタクトホール
４６ 絶縁層
５ 引出配線
５１ 一方端部（第１端部）
５２ 接続パッド
６ 第１電源配線
７ 第２電源配線
７ａ 補助電源配線
７ｂ コンタクトホール
８ 接続配線
９ 駆動回路ブロック
９１ 駆動回路
９１ａ シフトレジスタ
９１ｂ 論理和否定回路（ＮＯＲ回路）
９１ｃ インバータ
９１ｄ１，９１ｄ２ トランスファゲート素子
１０ 駆動素子
１１ フレキシブル回路基板
１２ 封止基板
１３ シール部材
１４ アノード接続配線
１５ 第１の層間絶縁膜
１６ 接地配線
１７ 第２の層間絶縁膜
１８ 絶縁層
１９ アノード配線
２０ 保護絶縁層
２１ カソード電源配線
２２ 層間導体層
２３ 第１のコンタクトホール
２４ 第２のコンタクトホール
２５ 配線

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】