(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023128119
(43)【公開日】2023-09-14
(54)【発明の名称】電子部品等の加熱観察装置
(51)【国際特許分類】
G01N 25/00 20060101AFI20230907BHJP
H05B 3/00 20060101ALI20230907BHJP
【ＦＩ】
G01N25/00 K
H05B3/00 310D
【審査請求】有
【請求項の数】15
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022032245
(22)【出願日】2022-03-03
(11)【特許番号】
(45)【特許公報発行日】2022-10-28
(71)【出願人】
【識別番号】000212599
【氏名又は名称】中谷 進
(71)【出願人】
【識別番号】597130074
【氏名又は名称】羽田 誠
(72)【発明者】
【氏名】羽田 誠
(72)【発明者】
【氏名】中谷 進
【テーマコード（参考）】
2G040
3K058
【Ｆターム（参考）】
2G040BA18
2G040BA26
2G040CB04
2G040EA06
2G040EB01
2G040EC01
2G040EC06
2G040HA01
2G040ZA08
3K058AA42
3K058CA23
3K058CB01
(57)【要約】 （修正有）
【課題】電子部品に温度センサを取り付けることなく、加熱されている電子部品の温度が温度プロファイル管理基準の範囲内に入るように放射熱を制御する、電子部品等の加熱観察装置の提供。
【解決手段】観察試料ＢＷと同時に加熱されるダミー加熱部材のダミー温度にもとづいて、下部ヒーター４ａと上部ヒーター４ｂの電力量を制御するので、熱電対を取付けない状態の観察試料ＢＷの加熱観察を実現する。
【選択図】図１
【解決手段】観察試料ＢＷと同時に加熱されるダミー加熱部材のダミー温度にもとづいて、下部ヒーター４ａと上部ヒーター４ｂの電力量を制御するので、熱電対を取付けない状態の観察試料ＢＷの加熱観察を実現する。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
観察する電子部品等の試料である観察試料（ＢＷ）を上面に載置する試料載置テーブル（５）、前記試料載置テーブル（５）の上面に載置された前記観察試料（ＢＷ）を放射熱によって加熱するヒーター、前記ヒーターに供給する電力量であるヒーター電力量を操作するヒーター電力操作部、前記ヒーター電力量を前記ヒーター電力操作部に指示する温度調整部と、を備えた、前記観察試料（ＢＷ）の前記放射熱による加熱時の挙動を観察する電子部品等の加熱観察装置であって、
前記観察試料（ＢＷ）の加熱時である観察試料加熱時に前記放射熱によって加熱される、下面がダミー下面であり上面がダミー上面であるダミー加熱部材が設けられ、
前記ダミー加熱部材の温度であるダミー温度を検出するダミー温度検出手段が取付けられ、
前記観察試料加熱時の前記放射熱の制御は、前記ダミー温度にもとづく前記ヒーター電力量の制御によって行われるものであり、
前記観察試料加熱時は、前記観察試料（ＢＷ）の温度の検出は行わない形態であり、かつ、前記観察試料（ＢＷ）に熱電対等の温度検出手段を取付けない形態である、ことを特徴とする電子部品等の加熱観察装置。
前記観察試料（ＢＷ）の加熱時である観察試料加熱時に前記放射熱によって加熱される、下面がダミー下面であり上面がダミー上面であるダミー加熱部材が設けられ、
前記ダミー加熱部材の温度であるダミー温度を検出するダミー温度検出手段が取付けられ、
前記観察試料加熱時の前記放射熱の制御は、前記ダミー温度にもとづく前記ヒーター電力量の制御によって行われるものであり、
前記観察試料加熱時は、前記観察試料（ＢＷ）の温度の検出は行わない形態であり、かつ、前記観察試料（ＢＷ）に熱電対等の温度検出手段を取付けない形態である、ことを特徴とする電子部品等の加熱観察装置。
【請求項2】
前記観察試料（ＢＷ）の加熱時の温度である観察試料温度の加熱経過時間におけるバラツキの許容範囲を示す温度プロファイルの管理基準である試料温度プロファイル管理基準（ｗｐＳ）を記憶する試料温度プロファイル管理基準記憶部（１６）が設けられ、
前記観察試料加熱時の前記ダミー温度の加熱経過時間におけるバラツキの許容範囲を示す温度プロファイルの管理基準であるダミー温度プロファイル管理基準を記憶するダミー温度プロファイル管理基準記憶部が設けられ、
前記ダミー温度プロファイル管理基準は、前記ダミー温度にもとづく前記ヒーター電力量が、前記観察試料（ＢＷ）の温度を前記試料温度プロファイル管理基準（ｗｐＳ）の許容範囲内にする前記放射熱を放射する電力量となることを実現する管理基準である、ことを特徴とする請求項１に記載の電子部品等の加熱観察装置。
前記観察試料加熱時の前記ダミー温度の加熱経過時間におけるバラツキの許容範囲を示す温度プロファイルの管理基準であるダミー温度プロファイル管理基準を記憶するダミー温度プロファイル管理基準記憶部が設けられ、
前記ダミー温度プロファイル管理基準は、前記ダミー温度にもとづく前記ヒーター電力量が、前記観察試料（ＢＷ）の温度を前記試料温度プロファイル管理基準（ｗｐＳ）の許容範囲内にする前記放射熱を放射する電力量となることを実現する管理基準である、ことを特徴とする請求項１に記載の電子部品等の加熱観察装置。
【請求項3】
前記観察試料（ＢＷ）と同じ試料である温度プロファイル取得試料（ＴＷ）、前記試料載置テーブル（５）に載置した状態の前記温度プロファイル取得試料（ＴＷ）の、前記放射熱によって加熱された温度である試料温度を検出する試料温度検出手段が設けられ、
前記ダミー温度プロファイル管理基準の取得は、前記試料温度が前記試料温度プロファイル管理基準（ｗｐＳ）の範囲内となるように前記放射熱が制御された状態における前記ダミー温度の温度プロファイルにもとづいて取得される、ことを特徴とする請求項２記載の電子部品等の加熱観察装置。
前記ダミー温度プロファイル管理基準の取得は、前記試料温度が前記試料温度プロファイル管理基準（ｗｐＳ）の範囲内となるように前記放射熱が制御された状態における前記ダミー温度の温度プロファイルにもとづいて取得される、ことを特徴とする請求項２記載の電子部品等の加熱観察装置。
【請求項4】
前記ヒーターは、すくなくても、下部ヒーター（４ａ）、上部ヒーター（４ｂ）とからなっていて、
前記下部ヒーター（４ａ）は、前記試料載置テーブル（５）の下方に設けられていて、上方に向けて放射された上向き放射熱によって、前記観察試料（ＢＷ）の下面と前記ダミー下面を加熱するものであり、
前記上部ヒーター（４ｂ）は、前記試料載置テーブル（５）の上方に設けられていて、下方に向けて放射された下向き放射熱によって前記観察試料（ＢＷ）の上面と前記ダミー上面を加熱するものである、ことを特徴とする請求項１、２、３のいずれか１項に記載の電子部品等の加熱観察装置。
前記下部ヒーター（４ａ）は、前記試料載置テーブル（５）の下方に設けられていて、上方に向けて放射された上向き放射熱によって、前記観察試料（ＢＷ）の下面と前記ダミー下面を加熱するものであり、
前記上部ヒーター（４ｂ）は、前記試料載置テーブル（５）の上方に設けられていて、下方に向けて放射された下向き放射熱によって前記観察試料（ＢＷ）の上面と前記ダミー上面を加熱するものである、ことを特徴とする請求項１、２、３のいずれか１項に記載の電子部品等の加熱観察装置。
【請求項5】
前記試料載置テーブル（５）は光が透過する透明テーブルであり、
前記下部ヒーター（４ａ）は光が透過する透明導電膜であり、
前記試料載置テーブル（５）の下方には光が透過する下方透明板が設けられ、
前記下方透明板には前記透明導電膜の前記下部ヒーター（４ａ）が設けられ、
前記下方透明板の下方には、前記試料載置テーブル（５）に載置された前記観察試料（ＢＷ）の挙動を下方から観察する観察装置が設けられている、ことを特徴とする請求項４記載の電子部品等の加熱観察装置。
前記下部ヒーター（４ａ）は光が透過する透明導電膜であり、
前記試料載置テーブル（５）の下方には光が透過する下方透明板が設けられ、
前記下方透明板には前記透明導電膜の前記下部ヒーター（４ａ）が設けられ、
前記下方透明板の下方には、前記試料載置テーブル（５）に載置された前記観察試料（ＢＷ）の挙動を下方から観察する観察装置が設けられている、ことを特徴とする請求項４記載の電子部品等の加熱観察装置。
【請求項6】
前記ヒーター電力操作部は、少なくても、前記下部ヒーター（４ａ）に電力を供給する下部ヒーター電力操作部（１３ａ）、前記上部ヒーター（４ｂ）に電力を供給する上部ヒーター電力操作部（１３ｂ）とからなる、ことを特徴とする請求項４、５のいずれか１項に記載の電子部品等の加熱観察装置。
【請求項7】
前記観察試料（ＢＷ）と同じ試料である温度プロファイル取得試料（ＴＷ）、前記試料載置テーブル（５）に載置した状態の前記温度プロファイル取得試料（ＴＷ）の、前記放射熱によって加熱された下面温度である試料下面温度（ｗｕａ）を検出する試料下面温度検出手段（８ａ）が設けられ、
前記試料載置テーブル（５）に載置した状態の前記温度プロファイル取得試料（ＴＷ）の、前記放射熱によって加熱された上面温度である試料上面温度（ｗｕｂ）を検出する試料上面温度検出手段（８ｂ）が設けられ、
前記下部ヒーター（４ａ）に供給される電力量である下部ヒーター電力量（Ｅｖａ）と前記上部ヒーター（４ｂ）に供給される電力量である上部ヒーター電力量（Ｅｖｂ）の供給比率である電力比例係数（ｖＴ）を記憶しておく電力比例係数記憶部１５が設けられ、
前記電力比例係数（ｖＴ）は、前記試料下面温度（ｗｕａ）と前記上面温度（ｗｕｂ）の比率にもとづいて決められる、又は、前記試料下面温度（ｗｕａ）を実現している前記下部ヒーター電力量（Ｅｖａ）と前記試料上面温度（ｗｕｂ）を実現している前記上部ヒーター電力量（Ｅｖｂ）の比率にもとづいて決められるものであり、
前記観察試料加熱時の前記下部ヒーター電力量（Ｅｖａ）と前記上部ヒーター電力量（Ｅｖｂ）は、前記温度調整部の前記電力比例係数（ｖＴ）にもとづいた前記下部ヒーター電力操作部（１３ａ）への下部ヒーター電力量指示（ｐｉａ）と、前記温度調整部の前記電力比例係数（ｖＴ）にもとづいた前記上部ヒーター電力操作部（１３ｂ）への上部ヒーター電力量指示（ｐｉｂ）によって行われるものである、ことを特徴とする請求項６に記載の電子部品等の加熱観察装置。
前記試料載置テーブル（５）に載置した状態の前記温度プロファイル取得試料（ＴＷ）の、前記放射熱によって加熱された上面温度である試料上面温度（ｗｕｂ）を検出する試料上面温度検出手段（８ｂ）が設けられ、
前記下部ヒーター（４ａ）に供給される電力量である下部ヒーター電力量（Ｅｖａ）と前記上部ヒーター（４ｂ）に供給される電力量である上部ヒーター電力量（Ｅｖｂ）の供給比率である電力比例係数（ｖＴ）を記憶しておく電力比例係数記憶部１５が設けられ、
前記電力比例係数（ｖＴ）は、前記試料下面温度（ｗｕａ）と前記上面温度（ｗｕｂ）の比率にもとづいて決められる、又は、前記試料下面温度（ｗｕａ）を実現している前記下部ヒーター電力量（Ｅｖａ）と前記試料上面温度（ｗｕｂ）を実現している前記上部ヒーター電力量（Ｅｖｂ）の比率にもとづいて決められるものであり、
前記観察試料加熱時の前記下部ヒーター電力量（Ｅｖａ）と前記上部ヒーター電力量（Ｅｖｂ）は、前記温度調整部の前記電力比例係数（ｖＴ）にもとづいた前記下部ヒーター電力操作部（１３ａ）への下部ヒーター電力量指示（ｐｉａ）と、前記温度調整部の前記電力比例係数（ｖＴ）にもとづいた前記上部ヒーター電力操作部（１３ｂ）への上部ヒーター電力量指示（ｐｉｂ）によって行われるものである、ことを特徴とする請求項６に記載の電子部品等の加熱観察装置。
【請求項8】
前記ダミー温度プロファイル管理基準は、前記ダミー加熱部材の下面の温度であるダミー下面温度（ｄｄａ）のプロファイル管理基準であるダミー下面温度プロファイル管理基準（ｄｄＳａ）と、該ダミー加熱部材の上面の温度であるダミー上面温度（ｄｄｂ）のプロファイル管理基準であるダミー上面温度プロファイル管理基準（ｄｄＳｂ）とからなっていて、
前記ダミー下面温度プロファイル管理基準（ｄｄＳａ）の取得は、前記試料下面温度（ｗｕａ）が前記試料温度プロファイル管理基準（ｗｐＳ）の範囲内となるように前記上向き放射熱が制御された状態における、前記ダミー下面温度（ｄｄａ）の温度プロファイルにもとづいて取得されるものであり、
前記ダミー上面温度プロファイル管理基準（ｄｄＳｂ）の取得は、前記試料上面温度（ｗｕｂ）が前記試料温度プロファイル管理基準（ｗｐＳ）の範囲内となるように前記下向き放射熱が制御された状態における、前記ダミー上面温度（ｄｄｂ）の温度プロファイルにもとづいて取得されるものである、ことを特徴とする請求項４、５、６のいずれか１項に記載の電子部品等の加熱観察装置。
前記ダミー下面温度プロファイル管理基準（ｄｄＳａ）の取得は、前記試料下面温度（ｗｕａ）が前記試料温度プロファイル管理基準（ｗｐＳ）の範囲内となるように前記上向き放射熱が制御された状態における、前記ダミー下面温度（ｄｄａ）の温度プロファイルにもとづいて取得されるものであり、
前記ダミー上面温度プロファイル管理基準（ｄｄＳｂ）の取得は、前記試料上面温度（ｗｕｂ）が前記試料温度プロファイル管理基準（ｗｐＳ）の範囲内となるように前記下向き放射熱が制御された状態における、前記ダミー上面温度（ｄｄｂ）の温度プロファイルにもとづいて取得されるものである、ことを特徴とする請求項４、５、６のいずれか１項に記載の電子部品等の加熱観察装置。
【請求項9】
前記ダミー加熱部材が前記観察試料（ＢＷ）と同じ試料である、ことを特徴とする請求項１～８のいずれか１項に記載の電子部品等の加熱観察装置。
【請求項10】
前記ダミー加熱部材は、少なくても、下面が前記ダミー下面である下方ダミー加熱部材（６ａ）、該下方ダミー加熱部材（６ａ）の上部ないし上方に設けられた、上面が前記ダミー上面である上方ダミー加熱部材（６ｂ）とからなる、ことを特徴とする請求項１～８のいずれか１項に記載の電子部品等の加熱観察装置。
【請求項11】
前記ダミー温度検出手段は、少なくても、前記ダミー下面の温度の温度であるダミー下面温度（ｄｄａ）を検出するダミー下面温度検出手段（７ａ）、前記ダミー上面の温度の温度であるダミー上面温度（ｄｄｂ）を検出するダミー上面温度検出手段（７ｂ）とからなる、ことを特徴とする請求項１～１０のいずれか１項に記載の電子部品等の加熱観察装置。
【請求項12】
前記温度調整部は、少なくても、前記下部ヒーター電力操作部（１３ａ）に指示を行う下部ヒーター温度調整部（１４ａ）、前記上部ヒーター電力操作部（１３ｂ）に指示を行う上部ヒーター温度調整部（１４ｂ）とからなっていて、
前記ダミー温度プロファイル管理基準記は、少なくても、前記ダミー下面温度（ｄｄａ）の加熱経過時間におけるバラツキの許容範囲を示す温度プロファイルの管理基準であるダミー下面温度プロファイル管理基準（ｄｄＳａ）、前記ダミー上面温度（ｄｄｂ）の加熱経過時間におけるバラツキの許容範囲を示す温度プロファイルの管理基準であるダミー上面温度プロファイル管理基準（ｄｄＳｂ）とからなっていて、
前記観察試料加熱時の前記上向き放射熱の制御は、前記ダミー下面温度（ｄｄａ）にもとづいて行われるものであって、前記ダミー下面温度（ｄｄａ）が前記ダミー下面温度プロファイル管理基準（ｄｄＳａ）の範囲内となるように、前記下部ヒーター温度調整部（１４ａ）が前記下部ヒーター電力量（Ｅｖａ）を前記下部ヒーター電力操作部（１３ａ）に指示して行う制御であり、
前記観察試料加熱時の前記下向き放射熱の制御は、前記ダミー上面温度（ｄｄｂ）にもとづいて行われるものであって、前記ダミー上面温度（ｄｄｂ）が前記ダミー上面温度プロファイル管理基準（ｄｄＳｂ）の範囲内となるように、前記上部ヒーター温度調整部（１４ｂ）が前記上部ヒーター電力量（Ｅｖｂ）を前記上部ヒーター電力操作部（１３ｂ）に指示して行う制御である、ことを特徴とする請求項１１記載の電子部品等の加熱観察装置。
前記ダミー温度プロファイル管理基準記は、少なくても、前記ダミー下面温度（ｄｄａ）の加熱経過時間におけるバラツキの許容範囲を示す温度プロファイルの管理基準であるダミー下面温度プロファイル管理基準（ｄｄＳａ）、前記ダミー上面温度（ｄｄｂ）の加熱経過時間におけるバラツキの許容範囲を示す温度プロファイルの管理基準であるダミー上面温度プロファイル管理基準（ｄｄＳｂ）とからなっていて、
前記観察試料加熱時の前記上向き放射熱の制御は、前記ダミー下面温度（ｄｄａ）にもとづいて行われるものであって、前記ダミー下面温度（ｄｄａ）が前記ダミー下面温度プロファイル管理基準（ｄｄＳａ）の範囲内となるように、前記下部ヒーター温度調整部（１４ａ）が前記下部ヒーター電力量（Ｅｖａ）を前記下部ヒーター電力操作部（１３ａ）に指示して行う制御であり、
前記観察試料加熱時の前記下向き放射熱の制御は、前記ダミー上面温度（ｄｄｂ）にもとづいて行われるものであって、前記ダミー上面温度（ｄｄｂ）が前記ダミー上面温度プロファイル管理基準（ｄｄＳｂ）の範囲内となるように、前記上部ヒーター温度調整部（１４ｂ）が前記上部ヒーター電力量（Ｅｖｂ）を前記上部ヒーター電力操作部（１３ｂ）に指示して行う制御である、ことを特徴とする請求項１１記載の電子部品等の加熱観察装置。
【請求項13】
前記下方ダミー加熱部材（６ａ）及び前記上方ダミー加熱部材（６ｂ）を設けない構成とし、
前記ダミー下面温度検出手段（７ａ）及び前記ダミー上面温度検出手段（７ｂ）を設けない構成とし、
前記ダミー下面温度プロファイル管理基準取得部（１８ａ）、前記ダミー下面温度プロファイル管理基準記憶部（１２ａ）、前記ダミー上面温度プロファイル管理基準取得部（１８ｂ）及び前記ダミー下面温度プロファイル管理基準記憶部（１２ｂ）を設けない構成とし、
前記試料温度プロファイル管理基準（ｗｐＳ）の許容範囲に温度を制御された前記温度プロファイル取得試料（ＴＷ）の、加熱時の前記下部ヒーター電力量指示（ｐｉａ）の指示する前記下部ヒーター電力量（Ｅｖａ）の電力プロファイルにもとづいて、前記観察試料（ＢＷ）の加熱時の前記下部ヒーター電力量（Ｅｖａ）を示すプロファイルである下部ヒーター電力プロファイル管理基準（ＥｖＳａ）を取得する下部ヒーター電力プロファイル管理基準取得部（３６ａ）を設け、かつ、前記下部ヒーター電力プロファイル管理基準（ＥｖＳａ）を記憶する下部ヒーター電力プロファイル管理基準記憶部（３７ａ）を設けた構成とし、
前記試料温度プロファイル管理基準（ｗｐＳ）の許容範囲に温度を制御された前記温度プロファイル取得試料（ＴＷ）の、加熱時の前記上部ヒーター電力量指示（ｐｉｂ）の指示する前記上部ヒーター電力量（Ｅｖｂ）の電力プロファイルにもとづいて、前記観察試料（ＢＷ）の加熱時の前記上部ヒーター電力量（Ｅｖｂ）を示すプロファイルである上部ヒーター電力プロファイル管理基準（ＥｖＳｂ）を取得する上部ヒーター電力プロファイル管理基準取得部（３６ｂ）を設け、かつ、前記上部ヒーター電力プロファイル管理基準（ＥｖＳｂ）を記憶する下部ヒーター電力プロファイル管理基準記憶部（３７ｂ）を設けた構成とし、
前記観察試料（ＢＷ）の加熱制御は、前記下部ヒーター温度調整部（１４ａ）が前記下部ヒーター電力操作部（１３ａ）に対して前記下部ヒーター電力プロファイル管理基準（ＥｖＳａ）が示す前記下部ヒーター電力量（Ｅｖａ）の指示と、前記上部ヒーター温度調整部（１４ｂ）が前記上部ヒーター電力操作部（１３ｂ）に対して前記上部ヒーター電力プロファイル管理基準（ＥｖＳｂ）が示す前記上部ヒーター電力量（Ｅｖｂ）の指示とによって行われる制御である、ことを特徴とする請求項８記載の電子部品等の加熱観察装置。
前記ダミー下面温度検出手段（７ａ）及び前記ダミー上面温度検出手段（７ｂ）を設けない構成とし、
前記ダミー下面温度プロファイル管理基準取得部（１８ａ）、前記ダミー下面温度プロファイル管理基準記憶部（１２ａ）、前記ダミー上面温度プロファイル管理基準取得部（１８ｂ）及び前記ダミー下面温度プロファイル管理基準記憶部（１２ｂ）を設けない構成とし、
前記試料温度プロファイル管理基準（ｗｐＳ）の許容範囲に温度を制御された前記温度プロファイル取得試料（ＴＷ）の、加熱時の前記下部ヒーター電力量指示（ｐｉａ）の指示する前記下部ヒーター電力量（Ｅｖａ）の電力プロファイルにもとづいて、前記観察試料（ＢＷ）の加熱時の前記下部ヒーター電力量（Ｅｖａ）を示すプロファイルである下部ヒーター電力プロファイル管理基準（ＥｖＳａ）を取得する下部ヒーター電力プロファイル管理基準取得部（３６ａ）を設け、かつ、前記下部ヒーター電力プロファイル管理基準（ＥｖＳａ）を記憶する下部ヒーター電力プロファイル管理基準記憶部（３７ａ）を設けた構成とし、
前記試料温度プロファイル管理基準（ｗｐＳ）の許容範囲に温度を制御された前記温度プロファイル取得試料（ＴＷ）の、加熱時の前記上部ヒーター電力量指示（ｐｉｂ）の指示する前記上部ヒーター電力量（Ｅｖｂ）の電力プロファイルにもとづいて、前記観察試料（ＢＷ）の加熱時の前記上部ヒーター電力量（Ｅｖｂ）を示すプロファイルである上部ヒーター電力プロファイル管理基準（ＥｖＳｂ）を取得する上部ヒーター電力プロファイル管理基準取得部（３６ｂ）を設け、かつ、前記上部ヒーター電力プロファイル管理基準（ＥｖＳｂ）を記憶する下部ヒーター電力プロファイル管理基準記憶部（３７ｂ）を設けた構成とし、
前記観察試料（ＢＷ）の加熱制御は、前記下部ヒーター温度調整部（１４ａ）が前記下部ヒーター電力操作部（１３ａ）に対して前記下部ヒーター電力プロファイル管理基準（ＥｖＳａ）が示す前記下部ヒーター電力量（Ｅｖａ）の指示と、前記上部ヒーター温度調整部（１４ｂ）が前記上部ヒーター電力操作部（１３ｂ）に対して前記上部ヒーター電力プロファイル管理基準（ＥｖＳｂ）が示す前記上部ヒーター電力量（Ｅｖｂ）の指示とによって行われる制御である、ことを特徴とする請求項８記載の電子部品等の加熱観察装置。
【請求項14】
前記試料載置テーブル（５）の上方には上方壁が設けられ、
前記試料載置テーブル（５）と前記上方壁との間は試料載置空間となっていて、
前記前記試料載置テーブル（５）の外側空間と前記上方壁の外側の空間は試料無し空間となっていて、
前記試料載置空間に供給される冷却風である試料載置空間冷却風を生成する試料載置空間冷却風供給部が設けられ、
前記試料無し空間のみに供給される冷却風である試料無し空間冷却風を生成する試料無し空間冷却風供給部が設けられた、ことを特徴とする請求項１～１３のいずれか１項に記載の電子部品等の加熱観察装置。
前記試料載置テーブル（５）と前記上方壁との間は試料載置空間となっていて、
前記前記試料載置テーブル（５）の外側空間と前記上方壁の外側の空間は試料無し空間となっていて、
前記試料載置空間に供給される冷却風である試料載置空間冷却風を生成する試料載置空間冷却風供給部が設けられ、
前記試料無し空間のみに供給される冷却風である試料無し空間冷却風を生成する試料無し空間冷却風供給部が設けられた、ことを特徴とする請求項１～１３のいずれか１項に記載の電子部品等の加熱観察装置。
【請求項15】
前記試料載置テーブル（５）の下方には下方壁が設けられ、
前記試料載置テーブル（５）の上方には上方壁が設けられ、
前記下方壁と前記上方壁との間は、前記試料載置テーブル（５）が配置された試料載置空間となっていて、
前記下方壁の外側の空間と前記上方壁の外側の空間は試料無し空間となっていて、
前記試料載置空間に供給される冷却風である試料載置空間冷却風を生成する試料載置空間冷却風供給部が設けられ、
前記試料無し空間のみに供給される冷却風である試料無し空間冷却風を生成する試料無し空間冷却風供給部が設けられた、ことを特徴とする請求項１～１３のいずれか１項に記載の電子部品等の加熱観察装置。
前記試料載置テーブル（５）の上方には上方壁が設けられ、
前記下方壁と前記上方壁との間は、前記試料載置テーブル（５）が配置された試料載置空間となっていて、
前記下方壁の外側の空間と前記上方壁の外側の空間は試料無し空間となっていて、
前記試料載置空間に供給される冷却風である試料載置空間冷却風を生成する試料載置空間冷却風供給部が設けられ、
前記試料無し空間のみに供給される冷却風である試料無し空間冷却風を生成する試料無し空間冷却風供給部が設けられた、ことを特徴とする請求項１～１３のいずれか１項に記載の電子部品等の加熱観察装置。
【請求項16】
前記試料載置空間冷却風を前記試料無し空間冷却風よりも低温度の冷却風にする冷却手段を設けた、ことを特徴とする請求項１４、１５のいずれか１項に記載の電子部品等の加熱観察装置。
【請求項17】
前記試料載置空間冷却風供給部が設けられず、前記試料載置空間に冷却風が供給されない、ことを特徴とする請求項１４、１５、１６のいずれか１項に記載の電子部品等の加熱観察装置。
【請求項18】
前記試料載置テーブル（５）に載置された前記観察試料（ＢＷ）の表面に向け下方から照射光を照射し、その反射光を受光部で受光し、その受光情報にもとづいて前記観察試料（ＢＷ）の各座標位置（ｘ、ｙ）の上下距離の変化を測定する観察部（１１）を、前記試料載置テーブル（５）の下方に設けた、ことを特徴とする請求項１～１７のいずれか１項に記載の電子部品等の加熱観察装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、熱源から放射された放射熱（輻射熱、熱放射ともいわれる。）によって加熱されて行く電子部品の挙動を観察（外観挙動観察、外観挙動測定、内部挙動観測等を含む）する電子部品加熱観察装置に関する。
【背景技術】
【0002】
＜特許文献１の発明＞
特許文献１に、
透明ヒーターである透明導電膜３を備えた計測対象物Ｗ（電子部品＝観察試料）を上面に載置する上部透明基板２（試料載置テーブル）と、
この上部透明基板２の上方に上部空間７ａを空けて設けられた透明ヒーターである透明導電膜３ａと、
計測対象物Ｗの上面に取り付けられた第６の温度センサ１２ｆと、
透明導電膜３（下方）の上面に設けられた第２の温度センサ１２ｂ（下方）と、
透明導電膜３ａ（上方）の下面に設けられた第８の温度センサ１２ｇ（上方）と、
透明導電膜３（下方）に電力を供給する電力供給部１０（下方）と、
透明導電膜３ａ（上方）に電力を供給する電力供給部１０ａ（上方）と、
制御部１４と、
上部透明基板２（下方）の下方に設けられた、計測対象物Ｗの形状変化である挙動を下方から計測する光検出部（観察部）と、を備え、
制御部１４は、計測対象物Ｗの設定温度となるように、透明導電膜３への電力供給部１０からの電力量を制御し、透明導電膜３ａへの電力供給部１０ａからの電力量を制御するという技術が開示されている。
特許文献１に、
透明ヒーターである透明導電膜３を備えた計測対象物Ｗ（電子部品＝観察試料）を上面に載置する上部透明基板２（試料載置テーブル）と、
この上部透明基板２の上方に上部空間７ａを空けて設けられた透明ヒーターである透明導電膜３ａと、
計測対象物Ｗの上面に取り付けられた第６の温度センサ１２ｆと、
透明導電膜３（下方）の上面に設けられた第２の温度センサ１２ｂ（下方）と、
透明導電膜３ａ（上方）の下面に設けられた第８の温度センサ１２ｇ（上方）と、
透明導電膜３（下方）に電力を供給する電力供給部１０（下方）と、
透明導電膜３ａ（上方）に電力を供給する電力供給部１０ａ（上方）と、
制御部１４と、
上部透明基板２（下方）の下方に設けられた、計測対象物Ｗの形状変化である挙動を下方から計測する光検出部（観察部）と、を備え、
制御部１４は、計測対象物Ｗの設定温度となるように、透明導電膜３への電力供給部１０からの電力量を制御し、透明導電膜３ａへの電力供給部１０ａからの電力量を制御するという技術が開示されている。
【0003】
よって、引用文献１の発明は、透明導電膜３（下方）の伝導熱（直接載置しているため）と透明導電膜３ａ（上方）の放射熱（下向き放射熱）のみによって電子部品を加熱するものである、すなわち非対流方式である。
【0004】
＜特許文献２の発明＞
特許文献２に、透明ヒーターである透明導電膜６５を備えた透明下部板６６と、この透明下部板６６の上方に空間を空けて設けられた電子部品を載置する透明テーブル１１（試料載置テーブル）と、透明下部板６６の下方に設けられた電子部品の挙動を下方から計測する光学的計測手段６９（観察部）と、を備えた技術が開示されている。
特許文献１の発明と異なる点は、透明下部板６６の上方に空間を空けて設けられた電子部品を載置する透明テーブル１１（試料載置テーブル）を設けた点であり、加熱は熱風によって行い、冷却は冷却風によって行う、すなわち対流によって行うことを基本としているものである、という点である。
特許文献２に、透明ヒーターである透明導電膜６５を備えた透明下部板６６と、この透明下部板６６の上方に空間を空けて設けられた電子部品を載置する透明テーブル１１（試料載置テーブル）と、透明下部板６６の下方に設けられた電子部品の挙動を下方から計測する光学的計測手段６９（観察部）と、を備えた技術が開示されている。
特許文献１の発明と異なる点は、透明下部板６６の上方に空間を空けて設けられた電子部品を載置する透明テーブル１１（試料載置テーブル）を設けた点であり、加熱は熱風によって行い、冷却は冷却風によって行う、すなわち対流によって行うことを基本としているものである、という点である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
上述した特許文献１の従来技術は以下に述べるような欠点を有するものであった。
（１） 電子部品の観察の度に、電子部品の上面に温度センサ１２ｆを取り付けるという煩雑な作業・操作が必要になる、という欠点を有するものであった。
（１） 電子部品の観察の度に、電子部品の上面に温度センサ１２ｆを取り付けるという煩雑な作業・操作が必要になる、という欠点を有するものであった。
【0007】
（２） ア）電子部品の上面の温度は、該電子部品の上方に位置する透明導電膜３ａからの放射熱が当たって加熱された温度であって、電子部品の下方に位置する透明導電膜３からの放射熱は電子部品の上面には当たらないものであり、よって電子部品の下方に位置する透明導電膜３から放射熱は電子部品の上面は加熱しないものである。
また、電子部品の下面の温度は、該電子部品の下方に位置する透明導電膜３からの伝導熱が伝わり加熱された温度であって、電子部品の上方に位置する透明導電膜３ａからの放射熱は電子部品の下面には当たらないものであり、よって電子部品の上方に位置する透明導電膜３ａからの放射熱は電子部品の下面は加熱しないものである。
イ）そうすると、引用文献１の発明の技術は、上方に位置する透明導電膜３ａの放射熱で加熱され昇温する電子部品の上面の温度（以下「電子部品上面温度」という。）を温度センサ１２ｆで検出・監視しながら、［ａ］電子部品上面温度が設定温度プロファイルの範囲内となるように、透明導電膜３ａの温度を第８の温度センサ１２ｇで検出・監視しながら透明導電膜３ａの電力量の制御を行い、かつ、［ｂ］電子部品上面温度が設定温度プロファイルの範囲内となるように、透明導電膜３の温度を第２の温度センサ１２ｂで検出・監視しながら透明導電膜３の電力量の制御を行う、というものである。
よって、透明導電膜３ａと透明導電膜３の温度は電子部品上面温度（温度センサ１２ｆの検出温度）によって決められる構成であるから、透明導電膜３ａと透明導電膜３が同じヒーター（発熱量が同じ）である場合は、両者のヒーター温度は同じになるように制御されることになることが想定される。
ウ）この加熱形態は、透明導電膜３ａの表面温度と透明導電膜３の表面温度が同じ温度（放射エネルギーが同じ）ということであるから、透明導電膜３ａと電子部品の上面の距離Ｇと透明導電膜３と電子部品の下面の距離Ｋとの距離が同じ距離（Ｇ＝Ｋ）である場合のみにおいて実現されるものである。
そうすると、引用文献１の技術は、距離Ｇと距離Ｋが異なる場合には、電子部品の上面の温度と下面の温度が異なる加熱温度になってしまう、すなわち、電子部品の上面の温度及び下面の温度を電子部品の許容される温度範囲を示す温度プロファイル管理基準の範囲内に入るように、透明導電膜３ａと透明導電膜３の電力量制御を行うことが極めて難しい、という欠点を有するものである。
そもそも特許文献１の従来技術は、電子部品の下面は主に伝導熱、上面は放射熱で加熱されており、電子部品に対して熱の伝わり方が上下異なるため、電子部品を上下均一加熱することは困難な形態となっていた。
エ）ところで、電子部品はその種類毎にその上下厚みは異なるものが多いのであって、それは電子部品の種類毎に距離Ｇと距離Ｋが異なることになることを意味している。したがって、引用文献１の発明においては、距離Ｇと距離Ｋが上下厚みによって異なる距離となる電子部品は、その上面の温度と下面の温度が異なるものとなり、よって、かかる上面の温度及び下面の温度を設定温度プロファイルの範囲内に入るように、透明導電膜３ａと透明導電膜３の電力量制御（通電制御）を行うことが極めて難しい、という欠点を有するものである。
オ）また、例えば５ｍｍ以下方形の小さい形態の電子部品、電子部品本体（パッケージ：外周器）の底面からのハンダ付けの端子の下方への突出が短いために載置テーブル面と電子部品本体底面との間の隙間が小さい形態の電子部品、端子が電子部品本体の底部に設けた形態の電子部品（例えば、PGA (Pin Grid Array)、BGA (Ball grid array)）等は、温度センサを電子部品本体の上面及び下面あるいはいずれか一方の面に取り付けた状態の電子部品を透明テーブル上面に載置した状態で、温度変化による電子部品の挙動（主に、上下挙動）を透明テーブル上面位置ないし該上面位置に近傍する位置に設定した仮想的基準面（透明テーブル上面に塗布した反射部材の表面の位置から設定）を基準面として、該基準面からの挙動を測定することは、温度センサやその配線当の影響を強く受けるために正確な挙動測定ができ難いないしできない、という問題を有するものである。
また、電子部品の下面の温度は、該電子部品の下方に位置する透明導電膜３からの伝導熱が伝わり加熱された温度であって、電子部品の上方に位置する透明導電膜３ａからの放射熱は電子部品の下面には当たらないものであり、よって電子部品の上方に位置する透明導電膜３ａからの放射熱は電子部品の下面は加熱しないものである。
イ）そうすると、引用文献１の発明の技術は、上方に位置する透明導電膜３ａの放射熱で加熱され昇温する電子部品の上面の温度（以下「電子部品上面温度」という。）を温度センサ１２ｆで検出・監視しながら、［ａ］電子部品上面温度が設定温度プロファイルの範囲内となるように、透明導電膜３ａの温度を第８の温度センサ１２ｇで検出・監視しながら透明導電膜３ａの電力量の制御を行い、かつ、［ｂ］電子部品上面温度が設定温度プロファイルの範囲内となるように、透明導電膜３の温度を第２の温度センサ１２ｂで検出・監視しながら透明導電膜３の電力量の制御を行う、というものである。
よって、透明導電膜３ａと透明導電膜３の温度は電子部品上面温度（温度センサ１２ｆの検出温度）によって決められる構成であるから、透明導電膜３ａと透明導電膜３が同じヒーター（発熱量が同じ）である場合は、両者のヒーター温度は同じになるように制御されることになることが想定される。
ウ）この加熱形態は、透明導電膜３ａの表面温度と透明導電膜３の表面温度が同じ温度（放射エネルギーが同じ）ということであるから、透明導電膜３ａと電子部品の上面の距離Ｇと透明導電膜３と電子部品の下面の距離Ｋとの距離が同じ距離（Ｇ＝Ｋ）である場合のみにおいて実現されるものである。
そうすると、引用文献１の技術は、距離Ｇと距離Ｋが異なる場合には、電子部品の上面の温度と下面の温度が異なる加熱温度になってしまう、すなわち、電子部品の上面の温度及び下面の温度を電子部品の許容される温度範囲を示す温度プロファイル管理基準の範囲内に入るように、透明導電膜３ａと透明導電膜３の電力量制御を行うことが極めて難しい、という欠点を有するものである。
そもそも特許文献１の従来技術は、電子部品の下面は主に伝導熱、上面は放射熱で加熱されており、電子部品に対して熱の伝わり方が上下異なるため、電子部品を上下均一加熱することは困難な形態となっていた。
エ）ところで、電子部品はその種類毎にその上下厚みは異なるものが多いのであって、それは電子部品の種類毎に距離Ｇと距離Ｋが異なることになることを意味している。したがって、引用文献１の発明においては、距離Ｇと距離Ｋが上下厚みによって異なる距離となる電子部品は、その上面の温度と下面の温度が異なるものとなり、よって、かかる上面の温度及び下面の温度を設定温度プロファイルの範囲内に入るように、透明導電膜３ａと透明導電膜３の電力量制御（通電制御）を行うことが極めて難しい、という欠点を有するものである。
オ）また、例えば５ｍｍ以下方形の小さい形態の電子部品、電子部品本体（パッケージ：外周器）の底面からのハンダ付けの端子の下方への突出が短いために載置テーブル面と電子部品本体底面との間の隙間が小さい形態の電子部品、端子が電子部品本体の底部に設けた形態の電子部品（例えば、PGA (Pin Grid Array)、BGA (Ball grid array)）等は、温度センサを電子部品本体の上面及び下面あるいはいずれか一方の面に取り付けた状態の電子部品を透明テーブル上面に載置した状態で、温度変化による電子部品の挙動（主に、上下挙動）を透明テーブル上面位置ないし該上面位置に近傍する位置に設定した仮想的基準面（透明テーブル上面に塗布した反射部材の表面の位置から設定）を基準面として、該基準面からの挙動を測定することは、温度センサやその配線当の影響を強く受けるために正確な挙動測定ができ難いないしできない、という問題を有するものである。
【0008】
＜特許文献１の発明への特許文献２の発明の適用＞
上記した特許文献１の発明の欠点は、特許文献１の発明への特許文献２の発明の「透明下部板６６（特許文献１の「上部透明基板２」に相当）の上方に空間を空けて設けられた電子部品を載置する透明テーブル１１」という構成を適用した形態においても、解消することはなく同様の欠点を有するものである。
上記した特許文献１の発明の欠点は、特許文献１の発明への特許文献２の発明の「透明下部板６６（特許文献１の「上部透明基板２」に相当）の上方に空間を空けて設けられた電子部品を載置する透明テーブル１１」という構成を適用した形態においても、解消することはなく同様の欠点を有するものである。
【0009】
本発明は以上のような従来技術の欠点に鑑み、電子部品の上面と下面を放射熱で加熱するとともに該電子部品の下方に設けた観察手段（測定手段を含む）によって該電子部品の挙動（「形状変化」を含む）を観察（測定を含む）する電子部品加熱観察装置において、電子部品の加熱観察時においては電子部品に温度検出センサを取り付けることなくかつ電子部品の温度を検出することなく、電子部品の温度（加熱温度）が許容される温度範囲を示す温度プロファイル管理基準の範囲内に入るように前記放射熱（ヒーターへの電力量の制御による）を制御する電子部品等の加熱観察装置の提供を目的としている。
【課題を解決するための手段】
【0010】
上記目的を達成するために、本発明は次に述べるような構成している。
＜＜発明１＞＞
観察する電子部品等の試料である観察試料（ＢＷ）を上面に載置する試料載置テーブル（５）、前記試料載置テーブル（５）の上面に載置された前記観察試料（ＢＷ）を放射熱によって加熱するヒーター、前記ヒーターに供給する電力量であるヒーター電力量を操作するヒーター電力操作部、前記ヒーター電力量を前記ヒーター電力操作部に指示する温度調整部と、を備えた、前記観察試料（ＢＷ）の前記放射熱による加熱時の挙動を観察する電子部品等の加熱観察装置であって、
前記観察試料（ＢＷ）の加熱時である観察試料加熱時に前記放射熱によって加熱される、下面がダミー下面であり上面がダミー上面であるダミー加熱部材が設けられ、
前記ダミー加熱部材の温度であるダミー温度を検出するダミー温度検出手段が取付けられ、
前記観察試料加熱時の前記放射熱の制御は、前記ダミー温度にもとづく前記ヒーター電力量の制御によって行われるものであり、
前記観察試料加熱時は、前記観察試料（ＢＷ）の温度の検出は行わない形態であり、かつ、前記観察試料（ＢＷ）に熱電対等の温度検出手段を取付けない形態である、ことを特徴とする電子部品等の加熱観察装置である。
＜＜発明２＞＞
前記観察試料（ＢＷ）の加熱時の温度である観察試料温度の加熱経過時間におけるバラツキの許容範囲を示す温度プロファイルの管理基準である試料温度プロファイル管理基準（ｗｐＳ）を記憶する試料温度プロファイル管理基準記憶部（１６）が設けられ、
前記観察試料加熱時の前記ダミー温度の加熱経過時間におけるバラツキの許容範囲を示す温度プロファイルの管理基準であるダミー温度プロファイル管理基準を記憶するダミー温度プロファイル管理基準記憶部が設けられ、
前記ダミー温度プロファイル管理基準は、前記ダミー温度にもとづく前記ヒーター電力量が、前記観察試料（ＢＷ）の温度を前記試料温度プロファイル管理基準（ｗｐＳ）の許容範囲内にする前記放射熱を放射する電力量となることを実現する管理基準である、ことを特徴とする前記発明１に記載の電子部品等の加熱観察装置である。
＜＜発明３＞＞
前記観察試料（ＢＷ）と同じ試料である温度プロファイル取得試料（ＴＷ）、前記試料載置テーブル（５）に載置した状態の前記温度プロファイル取得試料（ＴＷ）の、前記放射熱によって加熱された温度である試料温度を検出する試料温度検出手段が設けられ、
前記ダミー温度プロファイル管理基準の取得は、前記試料温度が前記試料温度プロファイル管理基準（ｗｐＳ）の範囲内となるように前記放射熱が制御された状態における前記ダミー温度の温度プロファイルにもとづいて取得される、ことを特徴とする前記発明２記載の電子部品等の加熱観察装置である。
＜＜発明４＞＞
前記ヒーターは、すくなくても、下部ヒーター（４ａ）、上部ヒーター（４ｂ）とからなっていて、
前記下部ヒーター（４ａ）は、前記試料載置テーブル（５）の下方に設けられていて、上方に向けて放射された上向き放射熱によって、前記観察試料（ＢＷ）の下面と前記ダミー下面を加熱するものであり、
前記上部ヒーター（４ｂ）は、前記試料載置テーブル（５）の上方に設けられていて、下方に向けて放射された下向き放射熱によって前記観察試料（ＢＷ）の上面と前記ダミー上面を加熱するものである、ことを特徴とする前記発明１、２、３のいずれかの発明に記載の電子部品等の加熱観察装置である。
＜＜発明５＞＞
前記試料載置テーブル（５）は光が透過する透明テーブルであり、
前記下部ヒーター（４ａ）は光が透過する透明導電膜であり、
前記試料載置テーブル（５）の下方には光が透過する下方透明板が設けられ、
前記下方透明板には前記透明導電膜の前記下部ヒーター（４ａ）が設けられ、
前記下方透明板の下方には、前記試料載置テーブル（５）に載置された前記観察試料（ＢＷ）の挙動を下方から観察する観察装置が設けられている、ことを特徴とする前記発明４記載の電子部品等の加熱観察装置である。
＜＜発明６＞＞
前記ヒーター電力操作部は、少なくても、前記下部ヒーター（４ａ）に電力を供給する下部ヒーター電力操作部（１３ａ）、前記上部ヒーター（４ｂ）に電力を供給する上部ヒーター電力操作部（１３ｂ）とからなる、ことを特徴とする前記発明４、５のいずれかの発明に記載の電子部品等の加熱観察装置である。
＜＜発明７＞＞
前記観察試料（ＢＷ）と同じ試料である温度プロファイル取得試料（ＴＷ）、前記試料載置テーブル（５）に載置した状態の前記温度プロファイル取得試料（ＴＷ）の、前記放射熱によって加熱された下面温度である試料下面温度（ｗｕａ）を検出する試料下面温度検出手段（８ａ）が設けられ、
前記試料載置テーブル（５）に載置した状態の前記温度プロファイル取得試料（ＴＷ）の、前記放射熱によって加熱された上面温度である試料上面温度（ｗｕｂ）を検出する試料上面温度検出手段（８ｂ）が設けられ、
前記下部ヒーター（４ａ）に供給される電力量である下部ヒーター電力量（Ｅｖａ）と前記上部ヒーター（４ｂ）に供給される電力量である上部ヒーター電力量（Ｅｖｂ）の供給比率である電力比例係数（ｖＴ）を記憶しておく電力比例係数記憶部１５が設けられ、
前記電力比例係数（ｖＴ）は、前記試料下面温度（ｗｕａ）と前記上面温度（ｗｕｂ）の比率にもとづいて決められる、又は、前記試料下面温度（ｗｕａ）を実現している前記下部ヒーター電力量（Ｅｖａ）と前記試料上面温度（ｗｕｂ）を実現している前記上部ヒーター電力量（Ｅｖｂ）の比率にもとづいて決められるものであり、
前記観察試料加熱時の前記下部ヒーター電力量（Ｅｖａ）と前記上部ヒーター電力量（Ｅｖｂ）は、前記温度調整部の前記電力比例係数（ｖＴ）にもとづいた前記下部ヒーター電力操作部（１３ａ）への下部ヒーター電力量指示（ｐｉａ）と、前記温度調整部の前記電力比例係数（ｖＴ）にもとづいた前記上部ヒーター電力操作部（１３ｂ）への上部ヒーター電力量指示（ｐｉｂ）によって行われるものである、ことを特徴とする前記発明６に記載の電子部品等の加熱観察装置である。
＜＜発明８＞＞
前記ダミー温度プロファイル管理基準は、前記ダミー加熱部材の下面の温度であるダミー下面温度（ｄｄａ）のプロファイル管理基準であるダミー下面温度プロファイル管理基準（ｄｄＳａ）と、該ダミー加熱部材の上面の温度であるダミー上面温度（ｄｄｂ）のプロファイル管理基準であるダミー上面温度プロファイル管理基準（ｄｄＳｂ）とからなっていて、
前記ダミー下面温度プロファイル管理基準（ｄｄＳａ）の取得は、前記試料下面温度（ｗｕａ）が前記試料温度プロファイル管理基準（ｗｐＳ）の範囲内となるように前記上向き放射熱が制御された状態における、前記ダミー下面温度（ｄｄａ）の温度プロファイルにもとづいて取得されるものであり、
前記ダミー上面温度プロファイル管理基準（ｄｄＳｂ）の取得は、前記試料上面温度（ｗｕｂ）が前記試料温度プロファイル管理基準（ｗｐＳ）の範囲内となるように前記下向き放射熱が制御された状態における、前記ダミー上面温度（ｄｄｂ）の温度プロファイルにもとづいて取得されるものである、ことを特徴とする前記発明４、５、６のいずれかの発明に記載の電子部品等の加熱観察装置である。
＜＜発明９＞＞
前記ダミー加熱部材が前記観察試料（ＢＷ）と同じ試料である、ことを特徴とする前記発明１～８のいずれかの発明に記載の電子部品等の加熱観察装置である。
＜＜発明１０＞＞
前記ダミー加熱部材は、少なくても、下面が前記ダミー下面である下方ダミー加熱部材（６ａ）、該下方ダミー加熱部材（６ａ）の上部ないし上方に設けられた、上面が前記ダミー上面である上方ダミー加熱部材（６ｂ）とからなる、ことを特徴とする前記発明１～８のいずれかの発明に記載の電子部品等の加熱観察装置である。
＜＜請求１１＞＞
前記ダミー温度検出手段は、少なくても、前記ダミー下面の温度の温度であるダミー下面温度（ｄｄａ）を検出するダミー下面温度検出手段（７ａ）、前記ダミー上面の温度の温度であるダミー上面温度（ｄｄｂ）を検出するダミー上面温度検出手段（７ｂ）とからなる、ことを特徴とする前記発明１～１０のいずれかの発明に記載の電子部品等の加熱観察装置である。
＜＜発明１２＞＞
前記温度調整部は、少なくても、前記下部ヒーター電力操作部（１３ａ）に指示を行う下部ヒーター温度調整部（１４ａ）、前記上部ヒーター電力操作部（１３ｂ）に指示を行う上部ヒーター温度調整部（１４ｂ）とからなっていて、
前記ダミー温度プロファイル管理基準記は、少なくても、前記ダミー下面温度（ｄｄａ）の加熱経過時間におけるバラツキの許容範囲を示す温度プロファイルの管理基準であるダミー下面温度プロファイル管理基準（ｄｄＳａ）、前記ダミー上面温度（ｄｄｂ）の加熱経過時間におけるバラツキの許容範囲を示す温度プロファイルの管理基準であるダミー上面温度プロファイル管理基準（ｄｄＳｂ）とからなっていて、
前記観察試料加熱時の前記上向き放射熱の制御は、前記ダミー下面温度（ｄｄａ）にもとづいて行われるものであって、前記ダミー下面温度（ｄｄａ）が前記ダミー下面温度プロファイル管理基準（ｄｄＳａ）の範囲内となるように、前記下部ヒーター温度調整部（１４ａ）が前記下部ヒーター電力量（Ｅｖａ）を前記下部ヒーター電力操作部（１３ａ）に指示して行う制御であり、
前記観察試料加熱時の前記下向き放射熱の制御は、前記ダミー上面温度（ｄｄｂ）にもとづいて行われるものであって、前記ダミー上面温度（ｄｄｂ）が前記ダミー上面温度プロファイル管理基準（ｄｄＳｂ）の範囲内となるように、前記上部ヒーター温度調整部（１４ｂ）が前記上部ヒーター電力量（Ｅｖｂ）を前記上部ヒーター電力操作部（１３ｂ）に指示して行う制御である、ことを特徴とする前記発明１１記載の電子部品等の加熱観察装置である。
＜＜発明１３＞＞
前記下方ダミー加熱部材（６ａ）及び前記上方ダミー加熱部材（６ｂ）を設けない構成とし、
前記ダミー下面温度検出手段（７ａ）及び前記ダミー上面温度検出手段（７ｂ）を設けない構成とし、
前記ダミー下面温度プロファイル管理基準取得部（１８ａ）、前記ダミー下面温度プロファイル管理基準記憶部（１２ａ）、前記ダミー上面温度プロファイル管理基準取得部（１８ｂ）及び前記ダミー下面温度プロファイル管理基準記憶部（１２ｂ）を設けない構成とし、
前記試料温度プロファイル管理基準（ｗｐＳ）の許容範囲に温度を制御された前記温度プロファイル取得試料（ＴＷ）の、加熱時の前記下部ヒーター電力量指示（ｐｉａ）の指示する前記下部ヒーター電力量（Ｅｖａ）の電力プロファイルにもとづいて、前記観察試料（ＢＷ）の加熱時の前記下部ヒーター電力量（Ｅｖａ）を示すプロファイルである下部ヒーター電力プロファイル管理基準（ＥｖＳａ）を取得する下部ヒーター電力プロファイル管理基準取得部（３６ａ）を設け、かつ、前記下部ヒーター電力プロファイル管理基準（ＥｖＳａ）を記憶する下部ヒーター電力プロファイル管理基準記憶部（３７ａ）を設けた構成とし、
前記試料温度プロファイル管理基準（ｗｐＳ）の許容範囲に温度を制御された前記温度プロファイル取得試料（ＴＷ）の、加熱時の前記上部ヒーター電力量指示（ｐｉｂ）の指示する前記上部ヒーター電力量（Ｅｖｂ）の電力プロファイルにもとづいて、前記観察試料（ＢＷ）の加熱時の前記上部ヒーター電力量（Ｅｖｂ）を示すプロファイルである上部ヒーター電力プロファイル管理基準（ＥｖＳｂ）を取得する上部ヒーター電力プロファイル管理基準取得部（３６ｂ）を設け、かつ、前記上部ヒーター電力プロファイル管理基準（ＥｖＳｂ）を記憶する下部ヒーター電力プロファイル管理基準記憶部（３７ｂ）を設けた構成とし、
前記観察試料（ＢＷ）の加熱制御は、前記下部ヒーター温度調整部（１４ａ）が前記下部ヒーター電力操作部（１３ａ）に対して前記下部ヒーター電力プロファイル管理基準（ＥｖＳａ）が示す前記下部ヒーター電力量（Ｅｖａ）の指示と、前記上部ヒーター温度調整部（１４ｂ）が前記上部ヒーター電力操作部（１３ｂ）に対して前記上部ヒーター電力プロファイル管理基準（ＥｖＳｂ）が示す前記上部ヒーター電力量（Ｅｖｂ）の指示とによって行われる制御である、ことを特徴とする前記発明８記載の電子部品等の加熱観察装置である。
＜＜発明１４＞＞
前記試料載置テーブル（５）の上方には上方壁が設けられ、
前記試料載置テーブル（５）と前記上方壁との間は試料載置空間となっていて、
前記前記試料載置テーブル（５）の外側空間と前記上方壁の外側の空間は試料無し空間となっていて、
前記試料載置空間に供給される冷却風である試料載置空間冷却風を生成する試料載置空間冷却風供給部が設けられ、
前記試料無し空間のみに供給される冷却風である試料無し空間冷却風を生成する試料無し空間冷却風供給部が設けられた、ことを特徴とする前記発明１～１３のいずれかの発明に記載の電子部品等の加熱観察装置である。
＜＜発明１５＞＞
前記試料載置テーブル（５）の下方には下方壁が設けられ、
前記試料載置テーブル（５）の上方には上方壁が設けられ、
前記下方壁と前記上方壁との間は、前記試料載置テーブル（５）が配置された試料載置空間となっていて、
前記下方壁の外側の空間と前記上方壁の外側の空間は試料無し空間となっていて、
前記試料載置空間に供給される冷却風である試料載置空間冷却風を生成する試料載置空間冷却風供給部が設けられ、
前記試料無し空間のみに供給される冷却風である試料無し空間冷却風を生成する試料無し空間冷却風供給部が設けられた、ことを特徴とする前記発明１～１３のいずれかの発明に記載の電子部品等の加熱観察装置である。
＜＜発明１６＞＞
前記試料載置空間冷却風を前記試料無し空間冷却風よりも低温度の冷却風にする冷却手段を設けた、ことを特徴とする前記発明１４、１５のいずれかの発明に記載の電子部品等の加熱観察装置である。
＜＜発明１７＞＞
前記試料載置空間冷却風供給部が設けられず、前記試料載置空間に冷却風が供給されない、ことを特徴とする前記発明１４、１５、１６のいずれかの発明に記載の電子部品等の加熱観察装置である。
＜＜発明１８＞＞
前記試料載置テーブル（５）に載置された前記観察試料（ＢＷ）の表面に向け下方から照射光を照射し、その反射光を受光部で受光し、その受光情報にもとづいて前記観察試料（ＢＷ）の各座標位置（ｘ、ｙ）の上下距離の変化を測定する観察部（１１）を、前記試料載置テーブル（５）の下方に設けた、ことを特徴とする前記発明１～１７のいずれかの発明に記載の電子部品等の加熱観察装置。
＜＜発明１＞＞
観察する電子部品等の試料である観察試料（ＢＷ）を上面に載置する試料載置テーブル（５）、前記試料載置テーブル（５）の上面に載置された前記観察試料（ＢＷ）を放射熱によって加熱するヒーター、前記ヒーターに供給する電力量であるヒーター電力量を操作するヒーター電力操作部、前記ヒーター電力量を前記ヒーター電力操作部に指示する温度調整部と、を備えた、前記観察試料（ＢＷ）の前記放射熱による加熱時の挙動を観察する電子部品等の加熱観察装置であって、
前記観察試料（ＢＷ）の加熱時である観察試料加熱時に前記放射熱によって加熱される、下面がダミー下面であり上面がダミー上面であるダミー加熱部材が設けられ、
前記ダミー加熱部材の温度であるダミー温度を検出するダミー温度検出手段が取付けられ、
前記観察試料加熱時の前記放射熱の制御は、前記ダミー温度にもとづく前記ヒーター電力量の制御によって行われるものであり、
前記観察試料加熱時は、前記観察試料（ＢＷ）の温度の検出は行わない形態であり、かつ、前記観察試料（ＢＷ）に熱電対等の温度検出手段を取付けない形態である、ことを特徴とする電子部品等の加熱観察装置である。
＜＜発明２＞＞
前記観察試料（ＢＷ）の加熱時の温度である観察試料温度の加熱経過時間におけるバラツキの許容範囲を示す温度プロファイルの管理基準である試料温度プロファイル管理基準（ｗｐＳ）を記憶する試料温度プロファイル管理基準記憶部（１６）が設けられ、
前記観察試料加熱時の前記ダミー温度の加熱経過時間におけるバラツキの許容範囲を示す温度プロファイルの管理基準であるダミー温度プロファイル管理基準を記憶するダミー温度プロファイル管理基準記憶部が設けられ、
前記ダミー温度プロファイル管理基準は、前記ダミー温度にもとづく前記ヒーター電力量が、前記観察試料（ＢＷ）の温度を前記試料温度プロファイル管理基準（ｗｐＳ）の許容範囲内にする前記放射熱を放射する電力量となることを実現する管理基準である、ことを特徴とする前記発明１に記載の電子部品等の加熱観察装置である。
＜＜発明３＞＞
前記観察試料（ＢＷ）と同じ試料である温度プロファイル取得試料（ＴＷ）、前記試料載置テーブル（５）に載置した状態の前記温度プロファイル取得試料（ＴＷ）の、前記放射熱によって加熱された温度である試料温度を検出する試料温度検出手段が設けられ、
前記ダミー温度プロファイル管理基準の取得は、前記試料温度が前記試料温度プロファイル管理基準（ｗｐＳ）の範囲内となるように前記放射熱が制御された状態における前記ダミー温度の温度プロファイルにもとづいて取得される、ことを特徴とする前記発明２記載の電子部品等の加熱観察装置である。
＜＜発明４＞＞
前記ヒーターは、すくなくても、下部ヒーター（４ａ）、上部ヒーター（４ｂ）とからなっていて、
前記下部ヒーター（４ａ）は、前記試料載置テーブル（５）の下方に設けられていて、上方に向けて放射された上向き放射熱によって、前記観察試料（ＢＷ）の下面と前記ダミー下面を加熱するものであり、
前記上部ヒーター（４ｂ）は、前記試料載置テーブル（５）の上方に設けられていて、下方に向けて放射された下向き放射熱によって前記観察試料（ＢＷ）の上面と前記ダミー上面を加熱するものである、ことを特徴とする前記発明１、２、３のいずれかの発明に記載の電子部品等の加熱観察装置である。
＜＜発明５＞＞
前記試料載置テーブル（５）は光が透過する透明テーブルであり、
前記下部ヒーター（４ａ）は光が透過する透明導電膜であり、
前記試料載置テーブル（５）の下方には光が透過する下方透明板が設けられ、
前記下方透明板には前記透明導電膜の前記下部ヒーター（４ａ）が設けられ、
前記下方透明板の下方には、前記試料載置テーブル（５）に載置された前記観察試料（ＢＷ）の挙動を下方から観察する観察装置が設けられている、ことを特徴とする前記発明４記載の電子部品等の加熱観察装置である。
＜＜発明６＞＞
前記ヒーター電力操作部は、少なくても、前記下部ヒーター（４ａ）に電力を供給する下部ヒーター電力操作部（１３ａ）、前記上部ヒーター（４ｂ）に電力を供給する上部ヒーター電力操作部（１３ｂ）とからなる、ことを特徴とする前記発明４、５のいずれかの発明に記載の電子部品等の加熱観察装置である。
＜＜発明７＞＞
前記観察試料（ＢＷ）と同じ試料である温度プロファイル取得試料（ＴＷ）、前記試料載置テーブル（５）に載置した状態の前記温度プロファイル取得試料（ＴＷ）の、前記放射熱によって加熱された下面温度である試料下面温度（ｗｕａ）を検出する試料下面温度検出手段（８ａ）が設けられ、
前記試料載置テーブル（５）に載置した状態の前記温度プロファイル取得試料（ＴＷ）の、前記放射熱によって加熱された上面温度である試料上面温度（ｗｕｂ）を検出する試料上面温度検出手段（８ｂ）が設けられ、
前記下部ヒーター（４ａ）に供給される電力量である下部ヒーター電力量（Ｅｖａ）と前記上部ヒーター（４ｂ）に供給される電力量である上部ヒーター電力量（Ｅｖｂ）の供給比率である電力比例係数（ｖＴ）を記憶しておく電力比例係数記憶部１５が設けられ、
前記電力比例係数（ｖＴ）は、前記試料下面温度（ｗｕａ）と前記上面温度（ｗｕｂ）の比率にもとづいて決められる、又は、前記試料下面温度（ｗｕａ）を実現している前記下部ヒーター電力量（Ｅｖａ）と前記試料上面温度（ｗｕｂ）を実現している前記上部ヒーター電力量（Ｅｖｂ）の比率にもとづいて決められるものであり、
前記観察試料加熱時の前記下部ヒーター電力量（Ｅｖａ）と前記上部ヒーター電力量（Ｅｖｂ）は、前記温度調整部の前記電力比例係数（ｖＴ）にもとづいた前記下部ヒーター電力操作部（１３ａ）への下部ヒーター電力量指示（ｐｉａ）と、前記温度調整部の前記電力比例係数（ｖＴ）にもとづいた前記上部ヒーター電力操作部（１３ｂ）への上部ヒーター電力量指示（ｐｉｂ）によって行われるものである、ことを特徴とする前記発明６に記載の電子部品等の加熱観察装置である。
＜＜発明８＞＞
前記ダミー温度プロファイル管理基準は、前記ダミー加熱部材の下面の温度であるダミー下面温度（ｄｄａ）のプロファイル管理基準であるダミー下面温度プロファイル管理基準（ｄｄＳａ）と、該ダミー加熱部材の上面の温度であるダミー上面温度（ｄｄｂ）のプロファイル管理基準であるダミー上面温度プロファイル管理基準（ｄｄＳｂ）とからなっていて、
前記ダミー下面温度プロファイル管理基準（ｄｄＳａ）の取得は、前記試料下面温度（ｗｕａ）が前記試料温度プロファイル管理基準（ｗｐＳ）の範囲内となるように前記上向き放射熱が制御された状態における、前記ダミー下面温度（ｄｄａ）の温度プロファイルにもとづいて取得されるものであり、
前記ダミー上面温度プロファイル管理基準（ｄｄＳｂ）の取得は、前記試料上面温度（ｗｕｂ）が前記試料温度プロファイル管理基準（ｗｐＳ）の範囲内となるように前記下向き放射熱が制御された状態における、前記ダミー上面温度（ｄｄｂ）の温度プロファイルにもとづいて取得されるものである、ことを特徴とする前記発明４、５、６のいずれかの発明に記載の電子部品等の加熱観察装置である。
＜＜発明９＞＞
前記ダミー加熱部材が前記観察試料（ＢＷ）と同じ試料である、ことを特徴とする前記発明１～８のいずれかの発明に記載の電子部品等の加熱観察装置である。
＜＜発明１０＞＞
前記ダミー加熱部材は、少なくても、下面が前記ダミー下面である下方ダミー加熱部材（６ａ）、該下方ダミー加熱部材（６ａ）の上部ないし上方に設けられた、上面が前記ダミー上面である上方ダミー加熱部材（６ｂ）とからなる、ことを特徴とする前記発明１～８のいずれかの発明に記載の電子部品等の加熱観察装置である。
＜＜請求１１＞＞
前記ダミー温度検出手段は、少なくても、前記ダミー下面の温度の温度であるダミー下面温度（ｄｄａ）を検出するダミー下面温度検出手段（７ａ）、前記ダミー上面の温度の温度であるダミー上面温度（ｄｄｂ）を検出するダミー上面温度検出手段（７ｂ）とからなる、ことを特徴とする前記発明１～１０のいずれかの発明に記載の電子部品等の加熱観察装置である。
＜＜発明１２＞＞
前記温度調整部は、少なくても、前記下部ヒーター電力操作部（１３ａ）に指示を行う下部ヒーター温度調整部（１４ａ）、前記上部ヒーター電力操作部（１３ｂ）に指示を行う上部ヒーター温度調整部（１４ｂ）とからなっていて、
前記ダミー温度プロファイル管理基準記は、少なくても、前記ダミー下面温度（ｄｄａ）の加熱経過時間におけるバラツキの許容範囲を示す温度プロファイルの管理基準であるダミー下面温度プロファイル管理基準（ｄｄＳａ）、前記ダミー上面温度（ｄｄｂ）の加熱経過時間におけるバラツキの許容範囲を示す温度プロファイルの管理基準であるダミー上面温度プロファイル管理基準（ｄｄＳｂ）とからなっていて、
前記観察試料加熱時の前記上向き放射熱の制御は、前記ダミー下面温度（ｄｄａ）にもとづいて行われるものであって、前記ダミー下面温度（ｄｄａ）が前記ダミー下面温度プロファイル管理基準（ｄｄＳａ）の範囲内となるように、前記下部ヒーター温度調整部（１４ａ）が前記下部ヒーター電力量（Ｅｖａ）を前記下部ヒーター電力操作部（１３ａ）に指示して行う制御であり、
前記観察試料加熱時の前記下向き放射熱の制御は、前記ダミー上面温度（ｄｄｂ）にもとづいて行われるものであって、前記ダミー上面温度（ｄｄｂ）が前記ダミー上面温度プロファイル管理基準（ｄｄＳｂ）の範囲内となるように、前記上部ヒーター温度調整部（１４ｂ）が前記上部ヒーター電力量（Ｅｖｂ）を前記上部ヒーター電力操作部（１３ｂ）に指示して行う制御である、ことを特徴とする前記発明１１記載の電子部品等の加熱観察装置である。
＜＜発明１３＞＞
前記下方ダミー加熱部材（６ａ）及び前記上方ダミー加熱部材（６ｂ）を設けない構成とし、
前記ダミー下面温度検出手段（７ａ）及び前記ダミー上面温度検出手段（７ｂ）を設けない構成とし、
前記ダミー下面温度プロファイル管理基準取得部（１８ａ）、前記ダミー下面温度プロファイル管理基準記憶部（１２ａ）、前記ダミー上面温度プロファイル管理基準取得部（１８ｂ）及び前記ダミー下面温度プロファイル管理基準記憶部（１２ｂ）を設けない構成とし、
前記試料温度プロファイル管理基準（ｗｐＳ）の許容範囲に温度を制御された前記温度プロファイル取得試料（ＴＷ）の、加熱時の前記下部ヒーター電力量指示（ｐｉａ）の指示する前記下部ヒーター電力量（Ｅｖａ）の電力プロファイルにもとづいて、前記観察試料（ＢＷ）の加熱時の前記下部ヒーター電力量（Ｅｖａ）を示すプロファイルである下部ヒーター電力プロファイル管理基準（ＥｖＳａ）を取得する下部ヒーター電力プロファイル管理基準取得部（３６ａ）を設け、かつ、前記下部ヒーター電力プロファイル管理基準（ＥｖＳａ）を記憶する下部ヒーター電力プロファイル管理基準記憶部（３７ａ）を設けた構成とし、
前記試料温度プロファイル管理基準（ｗｐＳ）の許容範囲に温度を制御された前記温度プロファイル取得試料（ＴＷ）の、加熱時の前記上部ヒーター電力量指示（ｐｉｂ）の指示する前記上部ヒーター電力量（Ｅｖｂ）の電力プロファイルにもとづいて、前記観察試料（ＢＷ）の加熱時の前記上部ヒーター電力量（Ｅｖｂ）を示すプロファイルである上部ヒーター電力プロファイル管理基準（ＥｖＳｂ）を取得する上部ヒーター電力プロファイル管理基準取得部（３６ｂ）を設け、かつ、前記上部ヒーター電力プロファイル管理基準（ＥｖＳｂ）を記憶する下部ヒーター電力プロファイル管理基準記憶部（３７ｂ）を設けた構成とし、
前記観察試料（ＢＷ）の加熱制御は、前記下部ヒーター温度調整部（１４ａ）が前記下部ヒーター電力操作部（１３ａ）に対して前記下部ヒーター電力プロファイル管理基準（ＥｖＳａ）が示す前記下部ヒーター電力量（Ｅｖａ）の指示と、前記上部ヒーター温度調整部（１４ｂ）が前記上部ヒーター電力操作部（１３ｂ）に対して前記上部ヒーター電力プロファイル管理基準（ＥｖＳｂ）が示す前記上部ヒーター電力量（Ｅｖｂ）の指示とによって行われる制御である、ことを特徴とする前記発明８記載の電子部品等の加熱観察装置である。
＜＜発明１４＞＞
前記試料載置テーブル（５）の上方には上方壁が設けられ、
前記試料載置テーブル（５）と前記上方壁との間は試料載置空間となっていて、
前記前記試料載置テーブル（５）の外側空間と前記上方壁の外側の空間は試料無し空間となっていて、
前記試料載置空間に供給される冷却風である試料載置空間冷却風を生成する試料載置空間冷却風供給部が設けられ、
前記試料無し空間のみに供給される冷却風である試料無し空間冷却風を生成する試料無し空間冷却風供給部が設けられた、ことを特徴とする前記発明１～１３のいずれかの発明に記載の電子部品等の加熱観察装置である。
＜＜発明１５＞＞
前記試料載置テーブル（５）の下方には下方壁が設けられ、
前記試料載置テーブル（５）の上方には上方壁が設けられ、
前記下方壁と前記上方壁との間は、前記試料載置テーブル（５）が配置された試料載置空間となっていて、
前記下方壁の外側の空間と前記上方壁の外側の空間は試料無し空間となっていて、
前記試料載置空間に供給される冷却風である試料載置空間冷却風を生成する試料載置空間冷却風供給部が設けられ、
前記試料無し空間のみに供給される冷却風である試料無し空間冷却風を生成する試料無し空間冷却風供給部が設けられた、ことを特徴とする前記発明１～１３のいずれかの発明に記載の電子部品等の加熱観察装置である。
＜＜発明１６＞＞
前記試料載置空間冷却風を前記試料無し空間冷却風よりも低温度の冷却風にする冷却手段を設けた、ことを特徴とする前記発明１４、１５のいずれかの発明に記載の電子部品等の加熱観察装置である。
＜＜発明１７＞＞
前記試料載置空間冷却風供給部が設けられず、前記試料載置空間に冷却風が供給されない、ことを特徴とする前記発明１４、１５、１６のいずれかの発明に記載の電子部品等の加熱観察装置である。
＜＜発明１８＞＞
前記試料載置テーブル（５）に載置された前記観察試料（ＢＷ）の表面に向け下方から照射光を照射し、その反射光を受光部で受光し、その受光情報にもとづいて前記観察試料（ＢＷ）の各座標位置（ｘ、ｙ）の上下距離の変化を測定する観察部（１１）を、前記試料載置テーブル（５）の下方に設けた、ことを特徴とする前記発明１～１７のいずれかの発明に記載の電子部品等の加熱観察装置。
【発明の効果】
【0011】
＜＜発明１の効果＞＞
観察試料加熱時の放射熱の制御は、ダミー温度にもとづく前記ヒーター電力量の制御によって行われるものであるとともに、観察試料加熱時は、観察試料（ＢＷ）の温度の検出は行わない形態であり、かつ、観察試料（ＢＷ）に熱電対等の温度検出手段を取付けない形態であるので、観察試料加熱時は観察試料（ＢＷ）に熱電対等の温度検出手段を取付けない形態で放射熱による電子部品の加熱を適切に行うことを実現するという作用効果を奏し、よって、特に小さな電子部品でも正確な加熱による挙動を観察することを実現する。
＜＜発明２の効果＞＞
前記発明１と同様な効果を奏するとともに、以下のような効果を奏する。
ダミー温度プロファイル管理基準が観察試料（ＢＷ）の温度を試料温度プロファイル管理基準（ｗｐＳ）の許容範囲内にするものであるので、前記ダミー温度にもとづく前記ヒーター電力量が、観察試料（ＢＷ）の温度が試料温度プロファイル管理基準（ｗｐＳ）の許容範囲内とする放射熱を放射する電力量となることを実現する、という作用効果を奏する。
＜＜発明３の効果＞＞
前記発明２と同様な効果を奏するとともに、以下のような効果を奏する。
ダミー温度プロファイル管理基準は、温度プロファイル取得試料（ＴＷ）の試料温度が試料温度プロファイル管理基準（ｗｐＳ）の許容範囲内の温度であるときのダミー温度の温度プロファイルにもとづいて取得・決定されているものであるので、観察試料（ＢＷ）の加熱観察時においての該観察試料（ＢＷ）の温度は試料温度プロファイル管理基準（ｗｐＳ）の範囲内のものにできる、という作用効果を奏する。
＜＜発明４の効果＞＞
前記発明１、２、３のいずれかと同様な効果を奏するとともに、観察試料（ＢＷ）の下面及び上面とダミー加熱部材の下面及び上面の加熱温度をそれぞれ制御可能にできる、という効果を奏する。すなわち、観察試料（ＢＷ）から下部ヒーター（４ａ）までの距離と、観察試料（ＢＷ）から上部ヒーター（４ｂ）までの距離とが異なった距離であっても、観察試料（ＢＷ）の下面温度と上面温度を試料温度プロファイル管理基準（ｗｐＳ）の範囲内となるように下部ヒーター（４ａ）の放射熱と上部ヒーター（４ｂ）の放射熱を制御できる。また、下部ヒーター（４ａ）と上部ヒーター（４ｂ）のヒーター種類を異なる場合（例えば、下部ヒーターが透明導電膜で上部ヒーターがハロゲンヒーター）でも、観察試料（ＢＷ）の下面温度と上面温度を試料温度プロファイル管理基準（ｗｐＳ）の範囲内となるように下部ヒーター（４ａ）の放射熱と上部ヒーター（４ｂ）の放射熱を制御できる。
＜＜発明５の効果＞＞
前記発明４と同様な効果を奏するとともに、下方透明板の下方からレーザー光線などの光を照射して、試料載置テーブル（５）に載置された観察試料（ＢＷ）の挙動を観察できるとう効果を奏する。
＜＜発明６の効果＞＞
前記発明４、５のいずれかと同様な効果を奏するとともに、下部ヒーター（４ａ）専用に制御された電力である下部ヒーター電力を該下部ヒーター（４ａ）供給し、上部ヒーター（４ｂ）専用に制御された電力である上部ヒーター電力を該上部ヒーター（４ｂ）に供給することができるので、より精度の高い観察試料（ＢＷ）の下面と上面の加熱を実現する、という効果を奏する。
＜＜発明７の効果＞＞
前記発明６と同様な効果を奏するとともに、観察試料加熱時の下部ヒーター電力量（Ｅｖａ）と上部ヒーター電力量（Ｅｖｂ）は、試料下面温度（ｗｕａ）と上面温度（ｗｕｂ）の比率にもとづいて決められる、又は、試料下面温度（ｗｕａ）を実現している下部ヒーター電力量（Ｅｖａ）と試料上面温度（ｗｕｂ）を実現している上部ヒーター電力量（Ｅｖｂ）の比率にもとづいて決められた電力比例係数（ｖＴ）にもとづいて決められるものであるので、より精度の高い観察試料（ＢＷ）の下面と上面の加熱を実現する、という効果を奏する。
＜＜発明８の効果＞＞
前記発明４、５、６のいずれかと同様な効果を奏するとともに、観察試料加熱時の下部ヒーター電力量（Ｅｖａ）はダミー下面温度プロファイル管理基準（ｄｄＳａ）の範囲内のダミー下面温度（ｄｄａ）を実現している電力量とされ、上部ヒーター電力量（Ｅｖｂ）は、ダミー上面温度プロファイル管理基準（ｄｄＳｂ）の範囲内のダミー上面温度（ｄｄｂ）を実現している電力量とされるので、より精度の高い観察試料（ＢＷ）の下面と上面の加熱を実現する、という効果を奏する。
＜＜発明９の効果＞＞
前記発明１～７又は８と同様な効果を奏するとともに、ダミー加熱部材が観察試料（ＢＷ）と同じ試料であるので、ダミー加熱部材と観察試料（ＢＷ）の異なる素材という条件バラツキが無いので、より精度の高い観察試料（ＢＷ）の加熱を実現する、という効果を奏する。
＜＜発明１０の効果＞＞
前記発明１～８のいずれかと同様な効果を奏するとともに、下向き放射熱は上方ダミー加熱部材（６ｂ）によってそれより下方への影響が止められので、下方ダミー加熱部材（６ａ）及びその下面は下向き放射熱の影響を受け難い形態を実現し、他方、上向き放射熱は下方ダミー加熱部材（６ａ）によってそれより上方への影響が止められので、上方ダミー加熱部材（６ｂ）及びその上面は上向き放射熱の影響を受け難い形態を実現するので、下方ダミー加熱部材（６ａ）の下面と上方ダミー加熱部材（６ｂ）の上面の加熱を精度の高いものにできる、という効果を奏する。
＜＜請求１１の効果＞＞
前記発明１～１０のいずれかの発明と同様な効果を奏するとともに、ダミー下面温度（ｄｄａ）とダミー上面温度（ｄｄｂ）をそれぞれ検出し、それぞれの検出温度にもとづいて、ヒーターの電力制御を行うことを可能とするので、より精度の高い観察試料（ＢＷ）の加熱を実現する、という効果を奏する。
＜＜発明１２の効果＞＞
前記発明１１と同様な効果を奏するとともに、
観察試料加熱時の上向き放射熱の制御は、ダミー下面温度（ｄｄａ）にもとづいて行われるものであって、ダミー下面温度（ｄｄａ）がダミー下面温度プロファイル管理基準（ｄｄＳａ）の範囲内となるように、下部ヒーター温度調整部（１４ａ）が下部ヒーター電力量（Ｅｖａ）を下部ヒーター電力操作部（１３ａ）に指示して行う制御であり、
観察試料加熱時の下向き放射熱の制御は、ダミー上面温度（ｄｄｂ）にもとづいて行われるものであって、ダミー上面温度（ｄｄｂ）がダミー上面温度プロファイル管理基準（ｄｄＳｂ）の範囲内となるように、上部ヒーター温度調整部（１４ｂ）が上部ヒーター電力量（Ｅｖｂ）を上部ヒーター電力操作部（１３ｂ）に指示して行う制御である、ことを特徴とする発明１１記載の電子部品等の加熱観察装置であるので、より精度の高い観察試料（ＢＷ）の加熱を実現する、という効果を奏する。
＜＜発明１３の効果＞＞
前記発明８の構成において、
下方ダミー加熱部材（６ａ）、上方ダミー加熱部材（６ｂ）、ダミー下面温度検出手段（７ａ）及びダミー上面温度検出手段（７ｂ）を設けない構成とし、
他方、試料温度プロファイル管理基準（ｗｐＳ）の許容範囲に温度を制御された温度プロファイル取得試料（ＴＷ）の、加熱時の上部ヒーター電力量指示（ｐｉｂ）の指示する上部ヒーター電力量（Ｅｖｂ）の電力プロファイルにもとづいて、観察試料（ＢＷ）の加熱時の上部ヒーター電力量（Ｅｖｂ）を示すプロファイルである上部ヒーター電力プロファイル管理基準（ＥｖＳｂ）を取得する上部ヒーター電力プロファイル管理基準取得部（３６ｂ）を設け、かつ、上部ヒーター電力プロファイル管理基準（ＥｖＳｂ）を記憶する下部ヒーター電力プロファイル管理基準記憶部（３７ｂ）を設けた構成としたので、
下方ダミー加熱部材（６ａ）、上方ダミー加熱部材（６ｂ）、ダミー下面温度検出手段（７ａ）及びダミー上面温度検出手段（７ｂ）を設けない構成で、下部ヒーター電力プロファイル管理基準（ＥｖＳａ）が示す下部ヒーター電力量（Ｅｖａ）と、上部ヒーター電力プロファイル管理基準（ＥｖＳｂ）が示す上部ヒーター電力量（Ｅｖｂ）とによって、観察試料（ＢＷ）の加熱制御を実現すると、という効果を奏する。
観察試料（ＢＷ）から下部ヒーター（４ａ）までの距離と、観察試料（ＢＷ）から上部ヒーター（４ｂ）までの距離とが異なった距離であっても、観察試料（ＢＷ）の下面温度と上面温度を試料温度プロファイル管理基準（ｗｐＳ）の範囲内となるように、温度検出手段による温度検出を行うことなく下部ヒーター（４ａ）の放射熱と上部ヒーター（４ｂ）の放射熱を制御できる。
また、下部ヒーター（４ａ）と上部ヒーター（４ｂ）のヒーター種類を異なる場合（例えば、下部ヒーターが透明導電膜で上部ヒーターがハロゲンヒーター）でも、観察試料（ＢＷ）の下面温度と上面温度を試料温度プロファイル管理基準（ｗｐＳ）の範囲内となるように、温度検出手段による温度検出を行うことなく下部ヒーター（４ａ）の放射熱と上部ヒーター（４ｂ）の放射熱を制御できる。
＜＜発明１４の効果＞＞
前記発明１～１３のいずれかと同様な効果を奏するとともに、試料載置空間に供給される試料載置空間冷却風を生成する試料載置空間冷却風供給部を、設け、該試料載置空間冷の外側の空間である試料無し空間のみに供給される試料無し空間冷却風を生成する試料無し空間冷却風供給部を設けた構成であるので、試料載置空間冷却風を試料載置テーブル（５）に載置された観察試料ＢＷが動かない風量とすることが可能とでき、他方、観察試料ＢＷに影響を及ぼさない試料載置空間冷却風を風量大として、試料載置空間の外側の壁を速やかに冷却することを可能にする、という効果を奏する。
＜＜発明１５の効果＞＞
前記発明１４の効果と同様な効果を奏する。
＜＜発明１６の効果＞＞
前記発明１４、１５のいずれかと同様な効果を奏するとともに、冷却手段により生成した低温の冷却により、小さい電子部品、微細な電子部品、薄く軽い電子部品など低速風量でも動くようなものを、動かさない極低速風量で低温に冷却された試料載置空間冷却風によって、試料載置空間を形成する壁の冷却を速やかにすすめることを可能にする、という効果を奏する。
＜＜発明１７の効果＞＞
前記発明１４、１５、１６のいずれかの構成おいて、試料載置空間冷却風供給部が設けられず、かつ、試料載置空間に冷却風が供給されない構成としたので、試料載置空間に在る観察試料（ＢＷ）が動く心配が全くなく、他方、試料載置空間を形成する壁の冷却は、大風量の試料無し空間冷却風によって外側から冷却することができる、という効果を奏する。
＜＜発明１８の効果＞＞
前記発明1～１７のいずれかの発明と同様な効果を奏するとともに、観察試料（ＢＷ）の表面（下面）の各座標位置（ｘ、ｙ）の上下距離の変化を測定（観察）したデータ（距離データ）を取得できる、という効果を奏する。かかる距離データにもとづく三次元画像の生成とそれをモニターに表示することも可能となる。
観察試料加熱時の放射熱の制御は、ダミー温度にもとづく前記ヒーター電力量の制御によって行われるものであるとともに、観察試料加熱時は、観察試料（ＢＷ）の温度の検出は行わない形態であり、かつ、観察試料（ＢＷ）に熱電対等の温度検出手段を取付けない形態であるので、観察試料加熱時は観察試料（ＢＷ）に熱電対等の温度検出手段を取付けない形態で放射熱による電子部品の加熱を適切に行うことを実現するという作用効果を奏し、よって、特に小さな電子部品でも正確な加熱による挙動を観察することを実現する。
＜＜発明２の効果＞＞
前記発明１と同様な効果を奏するとともに、以下のような効果を奏する。
ダミー温度プロファイル管理基準が観察試料（ＢＷ）の温度を試料温度プロファイル管理基準（ｗｐＳ）の許容範囲内にするものであるので、前記ダミー温度にもとづく前記ヒーター電力量が、観察試料（ＢＷ）の温度が試料温度プロファイル管理基準（ｗｐＳ）の許容範囲内とする放射熱を放射する電力量となることを実現する、という作用効果を奏する。
＜＜発明３の効果＞＞
前記発明２と同様な効果を奏するとともに、以下のような効果を奏する。
ダミー温度プロファイル管理基準は、温度プロファイル取得試料（ＴＷ）の試料温度が試料温度プロファイル管理基準（ｗｐＳ）の許容範囲内の温度であるときのダミー温度の温度プロファイルにもとづいて取得・決定されているものであるので、観察試料（ＢＷ）の加熱観察時においての該観察試料（ＢＷ）の温度は試料温度プロファイル管理基準（ｗｐＳ）の範囲内のものにできる、という作用効果を奏する。
＜＜発明４の効果＞＞
前記発明１、２、３のいずれかと同様な効果を奏するとともに、観察試料（ＢＷ）の下面及び上面とダミー加熱部材の下面及び上面の加熱温度をそれぞれ制御可能にできる、という効果を奏する。すなわち、観察試料（ＢＷ）から下部ヒーター（４ａ）までの距離と、観察試料（ＢＷ）から上部ヒーター（４ｂ）までの距離とが異なった距離であっても、観察試料（ＢＷ）の下面温度と上面温度を試料温度プロファイル管理基準（ｗｐＳ）の範囲内となるように下部ヒーター（４ａ）の放射熱と上部ヒーター（４ｂ）の放射熱を制御できる。また、下部ヒーター（４ａ）と上部ヒーター（４ｂ）のヒーター種類を異なる場合（例えば、下部ヒーターが透明導電膜で上部ヒーターがハロゲンヒーター）でも、観察試料（ＢＷ）の下面温度と上面温度を試料温度プロファイル管理基準（ｗｐＳ）の範囲内となるように下部ヒーター（４ａ）の放射熱と上部ヒーター（４ｂ）の放射熱を制御できる。
＜＜発明５の効果＞＞
前記発明４と同様な効果を奏するとともに、下方透明板の下方からレーザー光線などの光を照射して、試料載置テーブル（５）に載置された観察試料（ＢＷ）の挙動を観察できるとう効果を奏する。
＜＜発明６の効果＞＞
前記発明４、５のいずれかと同様な効果を奏するとともに、下部ヒーター（４ａ）専用に制御された電力である下部ヒーター電力を該下部ヒーター（４ａ）供給し、上部ヒーター（４ｂ）専用に制御された電力である上部ヒーター電力を該上部ヒーター（４ｂ）に供給することができるので、より精度の高い観察試料（ＢＷ）の下面と上面の加熱を実現する、という効果を奏する。
＜＜発明７の効果＞＞
前記発明６と同様な効果を奏するとともに、観察試料加熱時の下部ヒーター電力量（Ｅｖａ）と上部ヒーター電力量（Ｅｖｂ）は、試料下面温度（ｗｕａ）と上面温度（ｗｕｂ）の比率にもとづいて決められる、又は、試料下面温度（ｗｕａ）を実現している下部ヒーター電力量（Ｅｖａ）と試料上面温度（ｗｕｂ）を実現している上部ヒーター電力量（Ｅｖｂ）の比率にもとづいて決められた電力比例係数（ｖＴ）にもとづいて決められるものであるので、より精度の高い観察試料（ＢＷ）の下面と上面の加熱を実現する、という効果を奏する。
＜＜発明８の効果＞＞
前記発明４、５、６のいずれかと同様な効果を奏するとともに、観察試料加熱時の下部ヒーター電力量（Ｅｖａ）はダミー下面温度プロファイル管理基準（ｄｄＳａ）の範囲内のダミー下面温度（ｄｄａ）を実現している電力量とされ、上部ヒーター電力量（Ｅｖｂ）は、ダミー上面温度プロファイル管理基準（ｄｄＳｂ）の範囲内のダミー上面温度（ｄｄｂ）を実現している電力量とされるので、より精度の高い観察試料（ＢＷ）の下面と上面の加熱を実現する、という効果を奏する。
＜＜発明９の効果＞＞
前記発明１～７又は８と同様な効果を奏するとともに、ダミー加熱部材が観察試料（ＢＷ）と同じ試料であるので、ダミー加熱部材と観察試料（ＢＷ）の異なる素材という条件バラツキが無いので、より精度の高い観察試料（ＢＷ）の加熱を実現する、という効果を奏する。
＜＜発明１０の効果＞＞
前記発明１～８のいずれかと同様な効果を奏するとともに、下向き放射熱は上方ダミー加熱部材（６ｂ）によってそれより下方への影響が止められので、下方ダミー加熱部材（６ａ）及びその下面は下向き放射熱の影響を受け難い形態を実現し、他方、上向き放射熱は下方ダミー加熱部材（６ａ）によってそれより上方への影響が止められので、上方ダミー加熱部材（６ｂ）及びその上面は上向き放射熱の影響を受け難い形態を実現するので、下方ダミー加熱部材（６ａ）の下面と上方ダミー加熱部材（６ｂ）の上面の加熱を精度の高いものにできる、という効果を奏する。
＜＜請求１１の効果＞＞
前記発明１～１０のいずれかの発明と同様な効果を奏するとともに、ダミー下面温度（ｄｄａ）とダミー上面温度（ｄｄｂ）をそれぞれ検出し、それぞれの検出温度にもとづいて、ヒーターの電力制御を行うことを可能とするので、より精度の高い観察試料（ＢＷ）の加熱を実現する、という効果を奏する。
＜＜発明１２の効果＞＞
前記発明１１と同様な効果を奏するとともに、
観察試料加熱時の上向き放射熱の制御は、ダミー下面温度（ｄｄａ）にもとづいて行われるものであって、ダミー下面温度（ｄｄａ）がダミー下面温度プロファイル管理基準（ｄｄＳａ）の範囲内となるように、下部ヒーター温度調整部（１４ａ）が下部ヒーター電力量（Ｅｖａ）を下部ヒーター電力操作部（１３ａ）に指示して行う制御であり、
観察試料加熱時の下向き放射熱の制御は、ダミー上面温度（ｄｄｂ）にもとづいて行われるものであって、ダミー上面温度（ｄｄｂ）がダミー上面温度プロファイル管理基準（ｄｄＳｂ）の範囲内となるように、上部ヒーター温度調整部（１４ｂ）が上部ヒーター電力量（Ｅｖｂ）を上部ヒーター電力操作部（１３ｂ）に指示して行う制御である、ことを特徴とする発明１１記載の電子部品等の加熱観察装置であるので、より精度の高い観察試料（ＢＷ）の加熱を実現する、という効果を奏する。
＜＜発明１３の効果＞＞
前記発明８の構成において、
下方ダミー加熱部材（６ａ）、上方ダミー加熱部材（６ｂ）、ダミー下面温度検出手段（７ａ）及びダミー上面温度検出手段（７ｂ）を設けない構成とし、
他方、試料温度プロファイル管理基準（ｗｐＳ）の許容範囲に温度を制御された温度プロファイル取得試料（ＴＷ）の、加熱時の上部ヒーター電力量指示（ｐｉｂ）の指示する上部ヒーター電力量（Ｅｖｂ）の電力プロファイルにもとづいて、観察試料（ＢＷ）の加熱時の上部ヒーター電力量（Ｅｖｂ）を示すプロファイルである上部ヒーター電力プロファイル管理基準（ＥｖＳｂ）を取得する上部ヒーター電力プロファイル管理基準取得部（３６ｂ）を設け、かつ、上部ヒーター電力プロファイル管理基準（ＥｖＳｂ）を記憶する下部ヒーター電力プロファイル管理基準記憶部（３７ｂ）を設けた構成としたので、
下方ダミー加熱部材（６ａ）、上方ダミー加熱部材（６ｂ）、ダミー下面温度検出手段（７ａ）及びダミー上面温度検出手段（７ｂ）を設けない構成で、下部ヒーター電力プロファイル管理基準（ＥｖＳａ）が示す下部ヒーター電力量（Ｅｖａ）と、上部ヒーター電力プロファイル管理基準（ＥｖＳｂ）が示す上部ヒーター電力量（Ｅｖｂ）とによって、観察試料（ＢＷ）の加熱制御を実現すると、という効果を奏する。
観察試料（ＢＷ）から下部ヒーター（４ａ）までの距離と、観察試料（ＢＷ）から上部ヒーター（４ｂ）までの距離とが異なった距離であっても、観察試料（ＢＷ）の下面温度と上面温度を試料温度プロファイル管理基準（ｗｐＳ）の範囲内となるように、温度検出手段による温度検出を行うことなく下部ヒーター（４ａ）の放射熱と上部ヒーター（４ｂ）の放射熱を制御できる。
また、下部ヒーター（４ａ）と上部ヒーター（４ｂ）のヒーター種類を異なる場合（例えば、下部ヒーターが透明導電膜で上部ヒーターがハロゲンヒーター）でも、観察試料（ＢＷ）の下面温度と上面温度を試料温度プロファイル管理基準（ｗｐＳ）の範囲内となるように、温度検出手段による温度検出を行うことなく下部ヒーター（４ａ）の放射熱と上部ヒーター（４ｂ）の放射熱を制御できる。
＜＜発明１４の効果＞＞
前記発明１～１３のいずれかと同様な効果を奏するとともに、試料載置空間に供給される試料載置空間冷却風を生成する試料載置空間冷却風供給部を、設け、該試料載置空間冷の外側の空間である試料無し空間のみに供給される試料無し空間冷却風を生成する試料無し空間冷却風供給部を設けた構成であるので、試料載置空間冷却風を試料載置テーブル（５）に載置された観察試料ＢＷが動かない風量とすることが可能とでき、他方、観察試料ＢＷに影響を及ぼさない試料載置空間冷却風を風量大として、試料載置空間の外側の壁を速やかに冷却することを可能にする、という効果を奏する。
＜＜発明１５の効果＞＞
前記発明１４の効果と同様な効果を奏する。
＜＜発明１６の効果＞＞
前記発明１４、１５のいずれかと同様な効果を奏するとともに、冷却手段により生成した低温の冷却により、小さい電子部品、微細な電子部品、薄く軽い電子部品など低速風量でも動くようなものを、動かさない極低速風量で低温に冷却された試料載置空間冷却風によって、試料載置空間を形成する壁の冷却を速やかにすすめることを可能にする、という効果を奏する。
＜＜発明１７の効果＞＞
前記発明１４、１５、１６のいずれかの構成おいて、試料載置空間冷却風供給部が設けられず、かつ、試料載置空間に冷却風が供給されない構成としたので、試料載置空間に在る観察試料（ＢＷ）が動く心配が全くなく、他方、試料載置空間を形成する壁の冷却は、大風量の試料無し空間冷却風によって外側から冷却することができる、という効果を奏する。
＜＜発明１８の効果＞＞
前記発明1～１７のいずれかの発明と同様な効果を奏するとともに、観察試料（ＢＷ）の表面（下面）の各座標位置（ｘ、ｙ）の上下距離の変化を測定（観察）したデータ（距離データ）を取得できる、という効果を奏する。かかる距離データにもとづく三次元画像の生成とそれをモニターに表示することも可能となる。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【図1】本発明の実施例１の観察試料ＢＷを加熱観察する際の制御システムを表すブロック図及び加熱炉の模式図。
【図2】本発明の実施例１の温度制御の概念を模式図と電力制御を示す模式図。
【図3】本発明の実施例１の観察試料ＢＷの加熱観察時の流れ図。
【図4】本発明の実施例１の加熱炉の模式図及び温度プロファイル取得試料ＴＷを加熱する際の制御システムを表すブロック図。
【図5】本発明の実施例１のダミー温度プロファイル管理基準の取得流れ図。
【図6】本発明の実施例１の冷却機構の模式図。
【図7】本発明の実施例２の観察試料ＢＷを加熱観察する際の制御システムを表すブロック図及び加熱炉の模式図。
【図8】本発明の実施例２の温度プロファイル取得試料ＴＷを加熱する際の制御システムを表すブロック図及び加熱炉の模式図。
【図9】本発明におけるダミー加熱部材の異なる実施形態例を示す模式図。
【図10】本発明における冷却機構の異なる実施形態例を示す模式図。
【図11】本発明の実施例３の温度プロファイル取得試料ＴＷを加熱する際の制御システムを表すブロック図及び加熱炉の模式図。
【図12】本発明の実施例３の観察試料ＢＷを加熱観察する際の制御システムを表すブロック図及び加熱炉の模式図。
【発明を実施するための形態】
【0013】
以下、本発明を実施するための最良の形態である実施例について説明する。但し、本発明をこれら実施例のみに限定する趣旨のものではない。また、後述する実施例の説明に当って、前述した実施例の同一構成部分には同一符号を付して重複する説明を省略する。
【0014】
＜定義＞
（１）温度プロファイル
経過する時間で変化する温度。
（２）温度プロファイルの管理基準
加熱経過時間における温度のバラツキの許容範囲を示す。
（３）観察
本発明における「観察」には、試料の主に形状変化である挙動を注意深く見ること、試料の挙動を測定・計測・観測すること、直視すること、試料の挙動を顕微鏡による拡大直視すること、モニターに表示された試料の挙動の撮像画像や測定データ画像や測定データ加工画像を見ること、Ｘ線によって試料内部の挙動を撮影しそれをモニター画面で観察すること、それらのデータをもとに何らかの判定（例えば良否判定）を行うこと、などを含んだ概念ないし意味である。
（４）試料
［ａ］観察試料ＢＷ
加熱による主に形状変化である挙動が観察される試料であって、熱電対などのダミー温度検出手段が取付けられていない試料であり、温度測定を行なわない試料。
［ｂ］温度プロファイル取得試料ＴＷ
観察試料ＢＷと同じ試料（一般的には製品名が同一）であって、上面と下面に熱電対などの温度検出手段を取付け、加熱による上面温度と下面温度が検出・取得されるもので、該検出された上面温度と下面温度によって試料温度プロファイルを作成するための試料であり、加熱による挙動の観察は行わない試料である。
［ｃ］同一試料
同じ・差のない試料（一般的には製品名が同一）のこと。
温度プロファイル取得試料ＴＷは観察試料ＢＷと同一試料である。
［ｄ］電子部品
本発明において想定している代表的な試料である。
能動素子単体および能動素子を組み合わせた部品（トランジスタ、IC、ダイオード、オペアンプなど）のことをいい、受動部品は抵抗、コイル、コンデンサなどがあり、補助部品には素子（間）を接続／切断したり、固定するための部品（リレー、スイッチ、コネクタ、基板、端子、線材など）などがある。
本発明において試料としてその代表は電子部品であるが、試料には電部子品以外のものも含まれる。
（５）温度検出手段
温度プロファイル取得試料ＴＷ又はダミー加熱部材の温度を検出する手段であって、温度プロファイル取得試料ＴＷ又はダミー加熱部材に接着剤、ロウ付け、粘着テープないし溶接などよって直接取り付ける形態の熱電対、測温抵抗体、サーミスタ、半導体（トランジスタ、ダイオード）、水晶振動子、塩素酸カリウムなどが一般的であるが、非接触で温度検出する放射温度センサ、２色温度センサもある。
（６）放射熱（輻射熱）
高温の物体表面（一般的には固体表面）から低温の物体表面に、その間の空気その他の気体の存在に関係なく、直接赤外線（電磁波）による伝わり方を放射（＝輻射）といい、その熱を放射熱（＝輻射熱）といい、赤外線（電磁波）が物体に当たるとその物体の分子が振動することで物体が熱を帯びる（加熱される）現象をいう。
（１）温度プロファイル
経過する時間で変化する温度。
（２）温度プロファイルの管理基準
加熱経過時間における温度のバラツキの許容範囲を示す。
（３）観察
本発明における「観察」には、試料の主に形状変化である挙動を注意深く見ること、試料の挙動を測定・計測・観測すること、直視すること、試料の挙動を顕微鏡による拡大直視すること、モニターに表示された試料の挙動の撮像画像や測定データ画像や測定データ加工画像を見ること、Ｘ線によって試料内部の挙動を撮影しそれをモニター画面で観察すること、それらのデータをもとに何らかの判定（例えば良否判定）を行うこと、などを含んだ概念ないし意味である。
（４）試料
［ａ］観察試料ＢＷ
加熱による主に形状変化である挙動が観察される試料であって、熱電対などのダミー温度検出手段が取付けられていない試料であり、温度測定を行なわない試料。
［ｂ］温度プロファイル取得試料ＴＷ
観察試料ＢＷと同じ試料（一般的には製品名が同一）であって、上面と下面に熱電対などの温度検出手段を取付け、加熱による上面温度と下面温度が検出・取得されるもので、該検出された上面温度と下面温度によって試料温度プロファイルを作成するための試料であり、加熱による挙動の観察は行わない試料である。
［ｃ］同一試料
同じ・差のない試料（一般的には製品名が同一）のこと。
温度プロファイル取得試料ＴＷは観察試料ＢＷと同一試料である。
［ｄ］電子部品
本発明において想定している代表的な試料である。
能動素子単体および能動素子を組み合わせた部品（トランジスタ、IC、ダイオード、オペアンプなど）のことをいい、受動部品は抵抗、コイル、コンデンサなどがあり、補助部品には素子（間）を接続／切断したり、固定するための部品（リレー、スイッチ、コネクタ、基板、端子、線材など）などがある。
本発明において試料としてその代表は電子部品であるが、試料には電部子品以外のものも含まれる。
（５）温度検出手段
温度プロファイル取得試料ＴＷ又はダミー加熱部材の温度を検出する手段であって、温度プロファイル取得試料ＴＷ又はダミー加熱部材に接着剤、ロウ付け、粘着テープないし溶接などよって直接取り付ける形態の熱電対、測温抵抗体、サーミスタ、半導体（トランジスタ、ダイオード）、水晶振動子、塩素酸カリウムなどが一般的であるが、非接触で温度検出する放射温度センサ、２色温度センサもある。
（６）放射熱（輻射熱）
高温の物体表面（一般的には固体表面）から低温の物体表面に、その間の空気その他の気体の存在に関係なく、直接赤外線（電磁波）による伝わり方を放射（＝輻射）といい、その熱を放射熱（＝輻射熱）といい、赤外線（電磁波）が物体に当たるとその物体の分子が振動することで物体が熱を帯びる（加熱される）現象をいう。
【実施例0015】
図１～図６に示す本発明の実施例１において加熱観察装置１は次のような構成となっている。
レーザー光線などの光が透過する透明石英ガラス板からなる第１の透明板２ａが設けられている。
第１透明板２ａとの間に空間３ａを形成する形態で、第１の透明板２ａの上方に、上方に向けて放射された上向き放射熱で観察試料ＢＷの下面を加熱する透明導電膜（透明ヒーター）である下部ヒーター４ａを下面に設けた放射熱が透過する第２の透明板２ｂ（下方壁）が設けられている。
第２透明板２ｂとの間に空間３ｂを形成する形態で、第２の透明板２ｂ（下方壁）の上方に、観察試料ＢＷを上面に載置するレーザー光線などの光及び放射熱が透過する透明石英ガラス板からなる試料載置テーブル５が水平形態で設けられている。
試料載置テーブル５との間に空間３ｃを形成する形態で、試料載置テーブル５の上方に、下方に向けて放射された下向き放射熱で観察試料ＢＷの上面を加熱する透明導電膜（透明ヒーター）である上部ヒーター４ｂを上面に設けた放射熱が透過する第３の透明板２ｃ（上方壁）が設けられている。
第３の透明板２ｃ（上方壁）との間に空間３ｄを形成する形態で、第３の透明板２ｃ（上方壁）の上方に、耐熱性の透明ガラス板からなる第４の透明板２ｄが設けられている。
レーザー光線などの光が透過する透明石英ガラス板からなる第１の透明板２ａが設けられている。
第１透明板２ａとの間に空間３ａを形成する形態で、第１の透明板２ａの上方に、上方に向けて放射された上向き放射熱で観察試料ＢＷの下面を加熱する透明導電膜（透明ヒーター）である下部ヒーター４ａを下面に設けた放射熱が透過する第２の透明板２ｂ（下方壁）が設けられている。
第２透明板２ｂとの間に空間３ｂを形成する形態で、第２の透明板２ｂ（下方壁）の上方に、観察試料ＢＷを上面に載置するレーザー光線などの光及び放射熱が透過する透明石英ガラス板からなる試料載置テーブル５が水平形態で設けられている。
試料載置テーブル５との間に空間３ｃを形成する形態で、試料載置テーブル５の上方に、下方に向けて放射された下向き放射熱で観察試料ＢＷの上面を加熱する透明導電膜（透明ヒーター）である上部ヒーター４ｂを上面に設けた放射熱が透過する第３の透明板２ｃ（上方壁）が設けられている。
第３の透明板２ｃ（上方壁）との間に空間３ｄを形成する形態で、第３の透明板２ｃ（上方壁）の上方に、耐熱性の透明ガラス板からなる第４の透明板２ｄが設けられている。
【0016】
本実施例において、第１の透明板２ａ、第２の透明板２ｂ（下方壁）、第３の透明板２ｃ（上方壁）、第４の透明板２ｄ及び試料載置テーブル５は四角形の平面板であるが、本発明はこれに限定されず例えば円板形態等でもよい。
また、本実施例において、第２の透明板２ｂ（下方壁）に設けられた下部ヒーター４ａは第２の透明板２ｂ（下方壁）の全面を覆う形態としているが、本発明はこれに限定されず例えば一部を覆う形態としてもよいし、その形態はいろいろある。第３の透明板２ｃ（上方壁）と上部ヒーター４ｂについても同様である。
また、本実施例において、第２の透明板２ｂ（下方壁）に設けられた下部ヒーター４ａは第２の透明板２ｂ（下方壁）の全面を覆う形態としているが、本発明はこれに限定されず例えば一部を覆う形態としてもよいし、その形態はいろいろある。第３の透明板２ｃ（上方壁）と上部ヒーター４ｂについても同様である。
【0017】
下部ヒーター４ａに電力を供給する下部ヒーター電力操作部１３ａが設けられ、上部ヒーター４ｂに電力を供給する上部ヒーター電力操作部１３ｂが設けられ、下部ヒーター電力操作部１３ａと上部ヒーター電力操作部１３ｂへの電力供給量を指示する温度調整部１４が設けられている。
【0018】
下部ヒーター４ａに供給される電力量である下部ヒーター電力量Ｅｖａと上部ヒーター４ｂに供給される電力量である上部ヒーター電力量Ｅｖｂの供給比率である電力比例係数ｖＴを記憶しておく電力比例係数記憶部１５が設けられている。
本実施例において電力比例係数ｖＴを、例えば、下部ヒーター電力量Ｅｖａ：上部ヒーター電力量Ｅｖｂ＝４：６としている。
観察試料ＢＷ加熱時の下部ヒーター電力量Ｅｖａと上部ヒーター電力量Ｅｖｂは、温度調整部１４の電力比例係数ｖＴにもとづいた下部ヒーター電力操作部１３ａへの下部ヒーター電力量指示ｐｉａと、温度調整部１４の電力比例係数ｖＴにもとづいた上部ヒーター電力操作部１３ｂへの上部ヒーター電力量指示ｐｉｂによって行われる。
本実施例において電力比例係数ｖＴを、例えば、下部ヒーター電力量Ｅｖａ：上部ヒーター電力量Ｅｖｂ＝４：６としている。
観察試料ＢＷ加熱時の下部ヒーター電力量Ｅｖａと上部ヒーター電力量Ｅｖｂは、温度調整部１４の電力比例係数ｖＴにもとづいた下部ヒーター電力操作部１３ａへの下部ヒーター電力量指示ｐｉａと、温度調整部１４の電力比例係数ｖＴにもとづいた上部ヒーター電力操作部１３ｂへの上部ヒーター電力量指示ｐｉｂによって行われる。
【0019】
電力比例係数ｖＴの決定は以下のようである。
電力比例係数ｖＴは、試料下面温度ｗｕａと上面温度ｗｕｂの比率にもとづいて決められる。例えば温度差、又は、試料下面温度ｗｕａを実現している下部ヒーター電力量Ｅｖａと試料上面温度ｗｕｂを実現している上部ヒーター電力量Ｅｖｂの比率にもとづいて決められる（例えば電力差）ものである。
電力比例係数ｖＴは、試料下面温度ｗｕａと上面温度ｗｕｂの比率にもとづいて決められる。例えば温度差、又は、試料下面温度ｗｕａを実現している下部ヒーター電力量Ｅｖａと試料上面温度ｗｕｂを実現している上部ヒーター電力量Ｅｖｂの比率にもとづいて決められる（例えば電力差）ものである。
【0020】
＜ヒーター電力量の制御方法＞
下部ヒーター電力量Ｅｖａと上部ヒーター電力量Ｅｖｂの供給方法例について説明する。
試料温度プロファイル管理基準ｗｐＳの許容温度範囲（例えば１０℃）の中心を０（以下「中心０」ともいう。）として±５℃の温度から、例えば、試料下部面温度ｗｕａが中心０より１．５℃上昇したら下部ヒーター４ａの電力供給を停止し、中心０より１．５℃下降したら下部ヒーター４の電力供給を行う、という電力ＯＮ／ＯＦＦ供給操作を行う方法がある。（模式イメージ図２参照）
そのほかに、電力連続供給操作（ゼロクロスSSR（半導体スイッチの高速動作を利用したゼロクロス動作）、連続比例型ゼロクロスSSR、位相制御方式（半サイクル毎に導通角を調整して電力を連続的に制御する方式）等）などがある。
下部ヒーター電力量Ｅｖａと上部ヒーター電力量Ｅｖｂの供給方法例について説明する。
試料温度プロファイル管理基準ｗｐＳの許容温度範囲（例えば１０℃）の中心を０（以下「中心０」ともいう。）として±５℃の温度から、例えば、試料下部面温度ｗｕａが中心０より１．５℃上昇したら下部ヒーター４ａの電力供給を停止し、中心０より１．５℃下降したら下部ヒーター４の電力供給を行う、という電力ＯＮ／ＯＦＦ供給操作を行う方法がある。（模式イメージ図２参照）
そのほかに、電力連続供給操作（ゼロクロスSSR（半導体スイッチの高速動作を利用したゼロクロス動作）、連続比例型ゼロクロスSSR、位相制御方式（半サイクル毎に導通角を調整して電力を連続的に制御する方式）等）などがある。
【0021】
試料載置テーブル５の観察試料ＢＷの載置域外の上面に、下面が上向き放射熱で加熱されダミー下面であり、上面が下向き放射熱で加熱されるダミー上面であるダミー加熱部材６が設けられている。
ダミー加熱部材６の温度であるダミー温度ｄｄを検出する熱電対からなるダミー温度検出手段７が、該ダミー加熱部材６の上面に接着により固定され又はクランプなどの取付け治具（図示無し）により交換可能形態で取り付けられている。
ダミー加熱部材６の温度であるダミー温度ｄｄを検出する熱電対からなるダミー温度検出手段７が、該ダミー加熱部材６の上面に接着により固定され又はクランプなどの取付け治具（図示無し）により交換可能形態で取り付けられている。
【0022】
ダミー加熱部材６は、例えば金属板に熱電対を溶接やロウ付け等で接合したものが高温度でも使用でき都合が良い。金属板には、黒色の焼付塗装を施し放射熱をより受けるようにしても良い。金属板の面積や厚さは必要に応じて決定すれば良い。
また、試料載置テーブル５の上面及び下面ないしいずれか一方の面に、蒸着やスパッタリングした金属や塗料による塗装などでもよい。
また、試料と同等の形状や熱容量の部材か、試料とは別の試料そのものと同種ないし同一の部材の上面と下面に熱電対を貼りダミー加熱部材としても良い。
また、試料載置テーブル５の上面及び下面ないしいずれか一方の面に、蒸着やスパッタリングした金属や塗料による塗装などでもよい。
また、試料と同等の形状や熱容量の部材か、試料とは別の試料そのものと同種ないし同一の部材の上面と下面に熱電対を貼りダミー加熱部材としても良い。
【0023】
観察試料ＢＷの加熱温度である観察試料温度の加熱経過時間におけるバラツキの許容範囲を示す温度プロファイルの管理基準である試料温度プロファイル管理基準ｗｐＳを記憶する試料温度プロファイル管理基準記憶部１６が設けられている。
【0024】
観察試料ＢＷ加熱時のダミー温度ｄｄの加熱経過時間におけるバラツキの許容範囲を示す温度プロファイルの管理基準であるダミー温度プロファイル管理基準ｄｄＳを記憶するダミー温度プロファイル管理基準記憶部１２が設けられている。
【0025】
第１の透明板２ａ、第２の透明板２ｂ（下方壁）、試料載置テーブル５、第３の透明板２ｃ（上方壁）、第４の透明板２ｄは、全て水平形態に配置された横板であり、これによって、加熱観察装置１の外側上方及び外側下方又はいずれか一方から、観察試料ＢＷの主に形状変化である挙動の、目視による観察、顕微鏡による観察、カメラ（動画を含む）による撮影観察、光切断法、位相シフト法などによる測定等を可能としている。
【0026】
＜観察部＞
第１透明板２ａの下方には、試料載置テーブル５に載置された観察試料ＢＷの下面（表面）に向け下方から帯状の照射光であるレーザー光線を照射し拡散反射させ、その反射光を受光部である撮像素子（ＣＭＯＳイメージセンサ、ＣＣＤイメージセンサ、ＴＤＩカメラ、ＴＯＦカメラなど）で受光（結像）し、その受光情報にもとづいて観察試料ＢＷの高さ位置の変化（各座標位置（ｘ、ｙ）の上下距離の変化）をプロファイルデータとして取得する光切断法の、観察部制御部２０によって制御される観察部１１が設けられている。
観察部１１は、ＸＹ駆動テーブル１０によってＸＹ方向に水平移動制御されるようになっている。
観察部１１は、具体的には測定部ないし計測部である。
第１透明板２ａの下方には、試料載置テーブル５に載置された観察試料ＢＷの下面（表面）に向け下方から帯状の照射光であるレーザー光線を照射し拡散反射させ、その反射光を受光部である撮像素子（ＣＭＯＳイメージセンサ、ＣＣＤイメージセンサ、ＴＤＩカメラ、ＴＯＦカメラなど）で受光（結像）し、その受光情報にもとづいて観察試料ＢＷの高さ位置の変化（各座標位置（ｘ、ｙ）の上下距離の変化）をプロファイルデータとして取得する光切断法の、観察部制御部２０によって制御される観察部１１が設けられている。
観察部１１は、ＸＹ駆動テーブル１０によってＸＹ方向に水平移動制御されるようになっている。
観察部１１は、具体的には測定部ないし計測部である。
【0027】
観察部１１が測定動作を行うのは観察試料ＢＷの測定時においてであり、温度プロファイル取得試料ＴＷの加熱時は観察部１１による測定は行わない。
温度プロファイル取得試料ＴＷの高さ測定を指示した場合や設定した場合には、高さ測定を行うことができるようにしておくのがよい。
温度プロファイル取得試料ＴＷの高さ測定を指示した場合や設定した場合には、高さ測定を行うことができるようにしておくのがよい。
【0028】
＜観察試料ＢＷの加熱とその制御＞
観察しようとする観察試料ＢＷの加熱制御のための、電力比例係数ｖＴが電力比例係数記憶部１５に予め記憶されており、ダミー温度プロファイル管理基準ｄｄＳがダミー温度プロファイル管理基準記憶部１２に予め記憶されている場合は、観察試料ＢＷ加熱時の上向き放射熱および下向き放射熱の制御は、ダミー温度ｄｄがダミー温度プロファイル管理基準ｄｄＳの範囲内となるように温度調整部１４が、下部ヒーター電力量Ｅｖａを下部ヒーター電力操作部１３ａにし指示、上部ヒーター電力量Ｅｖｂを上部ヒーター電力操作部１３ｂに指示することによって行われる（主に図１参照）。
観察しようとする観察試料ＢＷの加熱制御のための、電力比例係数ｖＴが電力比例係数記憶部１５に予め記憶されており、ダミー温度プロファイル管理基準ｄｄＳがダミー温度プロファイル管理基準記憶部１２に予め記憶されている場合は、観察試料ＢＷ加熱時の上向き放射熱および下向き放射熱の制御は、ダミー温度ｄｄがダミー温度プロファイル管理基準ｄｄＳの範囲内となるように温度調整部１４が、下部ヒーター電力量Ｅｖａを下部ヒーター電力操作部１３ａにし指示、上部ヒーター電力量Ｅｖｂを上部ヒーター電力操作部１３ｂに指示することによって行われる（主に図１参照）。
【0029】
＜観察試料ＢＷの加熱制御の手順＞
主に図２、図３を参照して観察試料ＢＷの加熱制御の手順を説明する。
［ステップ１］
温度調整部１４は、ダミー温度ｄｄを監視しながら該ダミー温度ｄｄがダミー温度プロファイル管理基準ｄｄＳの範囲内となるように、電力比例係数ｖＴの比率とした下部ヒーター電力量Ｅｖａと上部ヒーター電力量Ｅｖｂの供給を、下部ヒーター電力操作部１３ａと上部ヒーター電力操作部１３ｂに指示（下部ヒーター電力量指示ｐｉａ、上部ヒーター電力量指示ｐｉｂ）して、下部ヒーター４ａの上向き放射熱と上部ヒーター４ｂの下向き放射熱をコントロールして行く。（模式イメージ図２）
［ステップ２］
測定開始時間（加熱前に開始、加熱と同時開始又は加熱後開始など）になったら、観察部１１の測定（観察）を開始する。
［ステップ３］
加熱を終了する。観察部１１は測定を終了するか冷却時の測定を続行する。
［ステップ４］
試料載置空間冷却風供給部９ａ、試料無し空間冷却風供給部９ｂによる冷却を開始する。
［ステップ５］
素手で触っても火傷をしない温度（例えば６０℃以下）になったら、冷却を停止する。
主に図２、図３を参照して観察試料ＢＷの加熱制御の手順を説明する。
［ステップ１］
温度調整部１４は、ダミー温度ｄｄを監視しながら該ダミー温度ｄｄがダミー温度プロファイル管理基準ｄｄＳの範囲内となるように、電力比例係数ｖＴの比率とした下部ヒーター電力量Ｅｖａと上部ヒーター電力量Ｅｖｂの供給を、下部ヒーター電力操作部１３ａと上部ヒーター電力操作部１３ｂに指示（下部ヒーター電力量指示ｐｉａ、上部ヒーター電力量指示ｐｉｂ）して、下部ヒーター４ａの上向き放射熱と上部ヒーター４ｂの下向き放射熱をコントロールして行く。（模式イメージ図２）
［ステップ２］
測定開始時間（加熱前に開始、加熱と同時開始又は加熱後開始など）になったら、観察部１１の測定（観察）を開始する。
［ステップ３］
加熱を終了する。観察部１１は測定を終了するか冷却時の測定を続行する。
［ステップ４］
試料載置空間冷却風供給部９ａ、試料無し空間冷却風供給部９ｂによる冷却を開始する。
［ステップ５］
素手で触っても火傷をしない温度（例えば６０℃以下）になったら、冷却を停止する。
【0030】
＜ダミー温度プロファイル管理基準の取得（作成）及び電力比例係数の取得（作成）＞
観察しようとする観察試料ＢＷの加熱制御のためのダミー温度プロファイル管理基準ｄｄＳと電力比例係数ｖＴの記憶（保存）が無い場合には、それらを取得（作成）しなければならず、その手順について主に図４、図５を参照して説明する。
観察しようとする観察試料ＢＷの加熱制御のためのダミー温度プロファイル管理基準ｄｄＳと電力比例係数ｖＴの記憶（保存）が無い場合には、それらを取得（作成）しなければならず、その手順について主に図４、図５を参照して説明する。
【0031】
観察試料ＢＷと同じ試料（一般的には製品名が同じ）である温度プロファイル取得試料ＴＷの加熱時に、温度プロファイル取得試料ＴＷの下面に取付けて該下面の温度を検出する、ロウ付けや接着剤により取り付けられる熱電対からなる試料下面温度検出手段８ａが設けられている。
温度プロファイル取得試料ＴＷの加熱時に、温度プロファイル取得試料ＴＷの上面に取付けて該上面の温度を検出する、ロウ付けや接着剤により取り付ける熱電対からなる試料上面温度検出手段８ｂが設けられている。
温度プロファイル取得試料ＴＷの加熱時に、温度プロファイル取得試料ＴＷの上面に取付けて該上面の温度を検出する、ロウ付けや接着剤により取り付ける熱電対からなる試料上面温度検出手段８ｂが設けられている。
【0032】
下面に試料下面温度検出手段８ａを取付け、上面に試料上面温度検出手段８ｂを取り付けた温度プロファイル取得試料ＴＷを、試料載置テーブル５の上面に載置した状態で、下部ヒーター４ａ及び上部ヒーター４ｂに電力を供給して加熱を開始する。
温度調整部１４は、試料下面温度検出手段８ａの検出温度である試料下面温度ｗｕａと試料上面温度検出手段８ｂの検出温度である試料上面温度ｗｕｂがそれぞれ、試料温度プロファイル管理基準ｗｐＳの範囲内となるように、下部ヒーター電力量Ｅｖａと上部ヒーター電力量Ｅｖｂを決定し下部ヒーター電力操作部１３ａと上部ヒーター電力操作部１３ｂに指示（下部ヒーター電力量指示ｐｉａ、上部ヒーター電力量指示ｐｉｂ）を行う。
観察試料ＢＷから下部ヒーター４ａまでの距離と、観察試料ＢＷから上部ヒーター４ｂまでの距離とが異なった距離であっても、観察試料ＢＷの下面温度と上面温度を試料温度プロファイル管理基準ｗｐＳの範囲内となるように、下部ヒーター４ａの放射熱と上部ヒーター４ｂの放射熱を電力比例係数ｖＴの設定によって制御できる。また、下部ヒーター４ａと上部ヒーター４ｂのヒーター種類を異なる場合例えば、下部ヒーターが透明導電膜で上部ヒーターがハロゲンヒーターでも、観察試料ＢＷの下面温度と上面温度を試料温度プロファイル管理基準ｗｐＳの範囲内となるように、下部ヒーター４ａの放射熱と上部ヒーター４ｂの放射熱を電力比例係数ｖＴの設定によって制御できる。
温度調整部１４は、試料下面温度検出手段８ａの検出温度である試料下面温度ｗｕａと試料上面温度検出手段８ｂの検出温度である試料上面温度ｗｕｂがそれぞれ、試料温度プロファイル管理基準ｗｐＳの範囲内となるように、下部ヒーター電力量Ｅｖａと上部ヒーター電力量Ｅｖｂを決定し下部ヒーター電力操作部１３ａと上部ヒーター電力操作部１３ｂに指示（下部ヒーター電力量指示ｐｉａ、上部ヒーター電力量指示ｐｉｂ）を行う。
観察試料ＢＷから下部ヒーター４ａまでの距離と、観察試料ＢＷから上部ヒーター４ｂまでの距離とが異なった距離であっても、観察試料ＢＷの下面温度と上面温度を試料温度プロファイル管理基準ｗｐＳの範囲内となるように、下部ヒーター４ａの放射熱と上部ヒーター４ｂの放射熱を電力比例係数ｖＴの設定によって制御できる。また、下部ヒーター４ａと上部ヒーター４ｂのヒーター種類を異なる場合例えば、下部ヒーターが透明導電膜で上部ヒーターがハロゲンヒーターでも、観察試料ＢＷの下面温度と上面温度を試料温度プロファイル管理基準ｗｐＳの範囲内となるように、下部ヒーター４ａの放射熱と上部ヒーター４ｂの放射熱を電力比例係数ｖＴの設定によって制御できる。
【0033】
主に図４、５を参照してダミー温度プロファイル管理基準ｄｄＳの作成手順を説明する。
［ステップ１］
温度調整部１４は、試料下面温度ｗｕａ及び試料上面温度ｗｕｂを監視しながら、試料下面温度ｗｕａ及び試料上面温度ｗｕｂが試料温度プロファイル管理基準ｗｐＳの範囲内となるように、下部ヒーター電力量Ｅｖａと上部ヒーター電力量Ｅｖｂの供給を、下部ヒーター電力操作部１３ａと上部ヒーター電力操作部１３ｂに指示（下部ヒーター電力量指示ｐｉａ、上部ヒーター電力量指示ｐｉｂ）して、下部ヒーター４ａの上向き放射熱と上部ヒーター４ｂの下向き放射熱をコントロールする。
［ステップ２］
電力比例係数取得部１７は、下部ヒーター電力量指示ｐｉａの下部ヒーター電力量Ｅｖａの電力プロファイルと上部ヒーター電力量指示ｐｉｂの上部ヒーター電力量Ｅｖｂの電力プロファイルにもとづいて、その電力差から電力比例係数ｖＴを作成し、それを電力比例係数記憶部１５に記憶する。
または、試料下面温度ｗｕａと試料上面温度ｗｕｂの温度差から電力比例係数ｖＴを作成し、それを電力比例係数記憶部１５に記憶する。
［ステップ３］
ダミー温度プロファイル管理基準取得部１８は、ダミー温度ｄｄの温度プロファイルにもとづいてダミー温度プロファイル管理基準ｄｄＳを作成し、それをダミー温度プロファイル管理基準記憶部１２に記憶する。
［ステップ４］
加熱を終了する。
［ステップ５］
冷却を開始する。
［ステップ６］
冷却を停止する。
［ステップ１］
温度調整部１４は、試料下面温度ｗｕａ及び試料上面温度ｗｕｂを監視しながら、試料下面温度ｗｕａ及び試料上面温度ｗｕｂが試料温度プロファイル管理基準ｗｐＳの範囲内となるように、下部ヒーター電力量Ｅｖａと上部ヒーター電力量Ｅｖｂの供給を、下部ヒーター電力操作部１３ａと上部ヒーター電力操作部１３ｂに指示（下部ヒーター電力量指示ｐｉａ、上部ヒーター電力量指示ｐｉｂ）して、下部ヒーター４ａの上向き放射熱と上部ヒーター４ｂの下向き放射熱をコントロールする。
［ステップ２］
電力比例係数取得部１７は、下部ヒーター電力量指示ｐｉａの下部ヒーター電力量Ｅｖａの電力プロファイルと上部ヒーター電力量指示ｐｉｂの上部ヒーター電力量Ｅｖｂの電力プロファイルにもとづいて、その電力差から電力比例係数ｖＴを作成し、それを電力比例係数記憶部１５に記憶する。
または、試料下面温度ｗｕａと試料上面温度ｗｕｂの温度差から電力比例係数ｖＴを作成し、それを電力比例係数記憶部１５に記憶する。
［ステップ３］
ダミー温度プロファイル管理基準取得部１８は、ダミー温度ｄｄの温度プロファイルにもとづいてダミー温度プロファイル管理基準ｄｄＳを作成し、それをダミー温度プロファイル管理基準記憶部１２に記憶する。
［ステップ４］
加熱を終了する。
［ステップ５］
冷却を開始する。
［ステップ６］
冷却を停止する。
【0034】
＜ダミー温度プロファイルの取得（作成）＞
ダミー温度プロファイル管理基準取得部１８が設けられている。
ダミー温度プロファイル管理基準取得部１８は、ダミー温度ｄｄの温度プロファイルもとづいてダミー温度プロファイル管理基準ｄｄＳを取得（作成）し、ダミー温度プロファイル管理基準ｄｄＳをダミー温度プロファイル管理基準記憶部１２に記憶する。
ダミー温度プロファイル管理基準取得部１８が設けられている。
ダミー温度プロファイル管理基準取得部１８は、ダミー温度ｄｄの温度プロファイルもとづいてダミー温度プロファイル管理基準ｄｄＳを取得（作成）し、ダミー温度プロファイル管理基準ｄｄＳをダミー温度プロファイル管理基準記憶部１２に記憶する。
【0035】
ダミー温度プロファイル管理基準ｄｄＳの取得（作成）によって、ダミー加熱部材６の放射熱による温度上昇劣化が許容範囲を超えるまで使用し続けることが可能となり、観察試料ＢＷには熱電対を取り付けることなくその加熱観察制御を行うことを可能としている。
【0036】
＜冷却機構＞
透明導電膜（透明ヒーター）、ハロゲンヒーター、カーボンヒーター、セラミックヒーター、電熱線等の放射熱を発生する発熱部材は、自らが温度を下げることはできないことから、温度を降下させたい場合、発熱部材への供給電力を停止しての自然放熱による温度低下しかない。其のため温度を上昇温度プロファイルに沿って上げることは容易であるが、温度を下降温度プロファイルにそって下げることは困難である。其のため冷却時は冷却風で行うことが実用的である。
また、冷却風は、温度プロファイル沿った制御に必要な他、作業効率から温度を早く低下させることにも必要であるが、手が触れて火傷の危険性があるため、例えば６０℃以下になっている必要がある。
また、試料載置テーブル５に載置されている観察試料ＢＷに冷却風があたった場合、移動してしまう危険があり、移動してしまうと温度下降時の観察や計測を正確に行うことができないことになる。
早く温度を下げるには風量を多く（風速を早く）することが求められ、観察試料ＢＷが動かないようにするには、風量を少なくしなければならない。この矛盾を解決することが必要である。
透明導電膜（透明ヒーター）、ハロゲンヒーター、カーボンヒーター、セラミックヒーター、電熱線等の放射熱を発生する発熱部材は、自らが温度を下げることはできないことから、温度を降下させたい場合、発熱部材への供給電力を停止しての自然放熱による温度低下しかない。其のため温度を上昇温度プロファイルに沿って上げることは容易であるが、温度を下降温度プロファイルにそって下げることは困難である。其のため冷却時は冷却風で行うことが実用的である。
また、冷却風は、温度プロファイル沿った制御に必要な他、作業効率から温度を早く低下させることにも必要であるが、手が触れて火傷の危険性があるため、例えば６０℃以下になっている必要がある。
また、試料載置テーブル５に載置されている観察試料ＢＷに冷却風があたった場合、移動してしまう危険があり、移動してしまうと温度下降時の観察や計測を正確に行うことができないことになる。
早く温度を下げるには風量を多く（風速を早く）することが求められ、観察試料ＢＷが動かないようにするには、風量を少なくしなければならない。この矛盾を解決することが必要である。
【0037】
図６を参照して第１の冷却制御部１９ａ、第２の冷却制御部１９ｂによって制御される冷却機構について説明する。
空間３ｃは観察試料ＢＷが載置される試料載置空間であり、該空間３ｃ（試料載置空間）のみに供給される冷却風である試料載置空間冷却風Ｃａ１を取得する試料載置空間冷却風供給部９ａが設けられていて、空間３ｃの風上側（図６では右側）は試料載置空間冷却風供給部９ａによって塞がれていて、風上側からの気体の流入が無い形態となっているか、風上側の気体や装置外の外気を試料載置空間冷却風供給部９ａ内に取り込み、それを冷却装置（図示していないが例えばペルチェ素子による冷却）により冷却した試料載置空間冷却風Ｃａ１を空間３ｃ内に供給できるようになっている。
空間３ｃ（試料載置空間）以外の空間である試料無し空間である空間３ａ、３ｂ、３ｄに供給され冷却風でありかつ空間３ｃには供給されない冷却風である試料無し空間冷却風Ｃａ２を取得する試料無し空間冷却風供給部９ｂが設けられている。
試料載置空間冷却風供給部９ａは、冷却風の風速を可変できるようになっていて、特に小さな電子部品や薄い電子部品が冷却風で動かない微弱風速の冷却風を供給可能であり、外気温よりも低温度の試料載置空間冷却風Ｃａ１を供給するための冷却手段（図示せず省略：例えばペルチェ素子）を有していて、試料載置空間冷却風Ｃａ１の温度によって冷却効果を制御できるようになっている。
試料無し空間冷却風供給部９ｂは、温度不調性の外気のみの冷却風であって、その風速は可変できるようになっていて、風量（風速）によって冷却効果を制御できるようになっているが、外気を冷却する冷却手段（例えばペルチェ素子）を設けて外気を冷却するのもよい。
外気よりも低温の冷却風（例えばマイナス温度）を生成する冷却手段にはペルチェ素子以外に、圧縮ガス（空気を含む）を噴射膨張させて冷却を行う冷却手段、氷やドライアイスなどの冷媒からなる冷却手段、多用な冷却手段がある。
空間３ｃは観察試料ＢＷが載置される試料載置空間であり、該空間３ｃ（試料載置空間）のみに供給される冷却風である試料載置空間冷却風Ｃａ１を取得する試料載置空間冷却風供給部９ａが設けられていて、空間３ｃの風上側（図６では右側）は試料載置空間冷却風供給部９ａによって塞がれていて、風上側からの気体の流入が無い形態となっているか、風上側の気体や装置外の外気を試料載置空間冷却風供給部９ａ内に取り込み、それを冷却装置（図示していないが例えばペルチェ素子による冷却）により冷却した試料載置空間冷却風Ｃａ１を空間３ｃ内に供給できるようになっている。
空間３ｃ（試料載置空間）以外の空間である試料無し空間である空間３ａ、３ｂ、３ｄに供給され冷却風でありかつ空間３ｃには供給されない冷却風である試料無し空間冷却風Ｃａ２を取得する試料無し空間冷却風供給部９ｂが設けられている。
試料載置空間冷却風供給部９ａは、冷却風の風速を可変できるようになっていて、特に小さな電子部品や薄い電子部品が冷却風で動かない微弱風速の冷却風を供給可能であり、外気温よりも低温度の試料載置空間冷却風Ｃａ１を供給するための冷却手段（図示せず省略：例えばペルチェ素子）を有していて、試料載置空間冷却風Ｃａ１の温度によって冷却効果を制御できるようになっている。
試料無し空間冷却風供給部９ｂは、温度不調性の外気のみの冷却風であって、その風速は可変できるようになっていて、風量（風速）によって冷却効果を制御できるようになっているが、外気を冷却する冷却手段（例えばペルチェ素子）を設けて外気を冷却するのもよい。
外気よりも低温の冷却風（例えばマイナス温度）を生成する冷却手段にはペルチェ素子以外に、圧縮ガス（空気を含む）を噴射膨張させて冷却を行う冷却手段、氷やドライアイスなどの冷媒からなる冷却手段、多用な冷却手段がある。
【0038】
加熱制御が終了（停止を含む）すると、温度調整部１４は第１の冷却制御部１９ａ、第２の冷却制御部１９ｂに冷却の開始を指示する。
冷却開始の指示を受けた第１の冷却制御部１９ａは、試料載置空間冷却風供給部９ａに対して設定された風量と温度の試料載置空間冷却風Ｃａ１の送風開始の指示を行い、該送風開始の指示を受けた試料載置空間冷却風供給部９ａは試料載置空間冷却風Ｃａ１の送風を開始する。
ダミー温度プロファイル管理基準ｄｄＳに下降温度プロファイル管理基準が設定されている場合には、温度が下降するダミー温度ｄｄが下降温度プロファイル管理基準の範囲内となるように、温度調整部１４は第１の冷却制御部１９ａに指示を行い、該指示を受けた第１の冷却制御部１９ａは、試料載置空間冷却風供給部９ａに対して試料載置空間冷却風Ｃａ１の停止、風量の調整、冷却風の温度の調整などの指示を行う。
また、冷却開始の指示を受けた第２の冷却制御部１９ｂは、試料無し空間冷却風供給部９ｂに対して試料無し空間冷却風Ｃａ２の送風開始の指示を行い、該送風開始の指示を受けた試料載置空間冷却風供給部９ａは試料無し空間冷却風Ｃａ２の送風を開始し、終了の指示があるまで送風を続ける。
冷却開始の指示を受けた第１の冷却制御部１９ａは、試料載置空間冷却風供給部９ａに対して設定された風量と温度の試料載置空間冷却風Ｃａ１の送風開始の指示を行い、該送風開始の指示を受けた試料載置空間冷却風供給部９ａは試料載置空間冷却風Ｃａ１の送風を開始する。
ダミー温度プロファイル管理基準ｄｄＳに下降温度プロファイル管理基準が設定されている場合には、温度が下降するダミー温度ｄｄが下降温度プロファイル管理基準の範囲内となるように、温度調整部１４は第１の冷却制御部１９ａに指示を行い、該指示を受けた第１の冷却制御部１９ａは、試料載置空間冷却風供給部９ａに対して試料載置空間冷却風Ｃａ１の停止、風量の調整、冷却風の温度の調整などの指示を行う。
また、冷却開始の指示を受けた第２の冷却制御部１９ｂは、試料無し空間冷却風供給部９ｂに対して試料無し空間冷却風Ｃａ２の送風開始の指示を行い、該送風開始の指示を受けた試料載置空間冷却風供給部９ａは試料無し空間冷却風Ｃａ２の送風を開始し、終了の指示があるまで送風を続ける。
【0039】
空間３ｃを形成している壁を冷却手段で外気温よりも低温に冷却された低温冷却風で冷却することで、観察試料ＢＷを動かすことなく短時間での冷却を実現する。そして、冷却時の観察試料ＢＷの主に形状変化である挙動を測定したい場合は、観察試料ＢＷが動かないので加熱後の冷却時の測定を正確に行うことを可能としている。
また、空間３ａ、３ｂ、３ｄを形成している壁を外気温の風量大の強風で冷却するので、短時間での冷却を可能としている。
また、空間３ａ、３ｂ、３ｄを形成している壁を外気温の風量大の強風で冷却するので、短時間での冷却を可能としている。
【0040】
観察試料ＢＷが微風でも動く可能性があるような小さい形態、薄い形態あるは軽い形態である場合は、空間３ｃには試料載置空間冷却風Ｃａ１を限りなく０風速に近いものに調整する、ないし試料載置空間冷却風Ｃａ１を供給しない風速０とすることも可能である。この場合、試料無し空間冷却風Ｃａ２の風量を多くして、試料載置テーブル５及び第３の透明板２ｃの温度低下を促進する。試料無し空間冷却風供給部９ｂの外気よりも低温の冷却風を生成するための冷却手段をもうけるのがよい。
【0041】
下部ヒーター４ａと上部ヒーター４ｂの中間にある試料載置テーブル５は上方空間と下方空間を仕切る構造となっているが、密閉構造とする必要はない。観察試料ＢＷを載置している側の空間に影響を与えない程度の構造であれば良い。試料無し空間冷却風供給部９ｂから発生する試料無し空間冷却風Ｃａ２が風量大であれば、試料載置テーブル５、下部ヒーター４ａと上部ヒーター４ｂは早く冷やすことができ、試料無し空間冷却風Ｃａ２が風量大であっても空間３ｃに在る観察試料ＢＷはかかる風量大の試料無し空間冷却風Ｃａ２の影響を受けることはない。試料載置空間冷却風供給部９ａは観察試料ＢＷが動かない程度の試料載置空間冷却風Ｃａ１を発生させればよい。送られる気体は、例えば常温の空気が使用できるし、マイナスの温度に冷却された気体であってもよい。
温度調整部１４は、時間とともに指定温度を変化させる温度制御と冷却が必要タイミングに試料載置空間冷却風Ｃａ１と試料無し空間冷却風Ｃａ２を発生させる指示を第１の冷却制御部１９ａに行うことができる。試料載置空間冷却風供給部９ａと試料無し空間冷却風供給部がファンで構成されている場合、第１の冷却制御部１９ａ、第２の冷却制御部１９ｂはそれぞれのファンを使用して、試料載置空間冷却風Ｃａ１と試料無し空間冷却風Ｃａ２をそれぞれ制御することができる。制御方法としては、ファンの回転数を制御して風量を制御しているが、ファンをＯＮ／ＯＦＦすることで平均風量を制御することでも良い。また、ファンを吸い込み方向で使用してもよい。其の場合風の方向は吐き出す場合と反対方向になる。更にファンではなく、圧縮空気を利用して空気の吐き出し量を制御して、試料載置空間冷却風Ｃａ１と試料無し空間冷却風Ｃａ２を発生することでも良い。
更に試料載置空間冷却風Ｃａ１は限りなくゼロの風量であっても良い。其の場合、第１の冷却制御部１９ａと風量制御部２と試料載置空間冷却風供給部９ａは無くても良い。ただし、試料無し空間冷却風Ｃａ２が空間３ｃに流れ込まない程度の構造としておく必要はある。また、上方の第４の透明板２ｄと下方の第１の透明板２ａは無くても良い。
温度調整部１４は、時間とともに指定温度を変化させる温度制御と冷却が必要タイミングに試料載置空間冷却風Ｃａ１と試料無し空間冷却風Ｃａ２を発生させる指示を第１の冷却制御部１９ａに行うことができる。試料載置空間冷却風供給部９ａと試料無し空間冷却風供給部がファンで構成されている場合、第１の冷却制御部１９ａ、第２の冷却制御部１９ｂはそれぞれのファンを使用して、試料載置空間冷却風Ｃａ１と試料無し空間冷却風Ｃａ２をそれぞれ制御することができる。制御方法としては、ファンの回転数を制御して風量を制御しているが、ファンをＯＮ／ＯＦＦすることで平均風量を制御することでも良い。また、ファンを吸い込み方向で使用してもよい。其の場合風の方向は吐き出す場合と反対方向になる。更にファンではなく、圧縮空気を利用して空気の吐き出し量を制御して、試料載置空間冷却風Ｃａ１と試料無し空間冷却風Ｃａ２を発生することでも良い。
更に試料載置空間冷却風Ｃａ１は限りなくゼロの風量であっても良い。其の場合、第１の冷却制御部１９ａと風量制御部２と試料載置空間冷却風供給部９ａは無くても良い。ただし、試料無し空間冷却風Ｃａ２が空間３ｃに流れ込まない程度の構造としておく必要はある。また、上方の第４の透明板２ｄと下方の第１の透明板２ａは無くても良い。
【0042】
＜加熱炉＞
第１の透明板２ａ、第２の透明板２ｂ、第３の透明板２ｃ、第４の透明板２ｄ、試料載置テーブル５、試料載置空間冷却風供給部９ａ、試料無し空間冷却風供給部９ｂによって加熱炉１０ａを形成している。
第１の透明板２ａ、第２の透明板２ｂ、第３の透明板２ｃ、第４の透明板２ｄ、試料載置テーブル５、試料載置空間冷却風供給部９ａ、試料無し空間冷却風供給部９ｂによって加熱炉１０ａを形成している。
【0043】
＜観察部について＞
本実施例１では、観察部１１は光切断法を測定手法（観察手法）としているが、本発明においては、測定手法を光切断法に限定するものではない。
位相シフト法、モアレトポグラフィ法、空間コード化法、マルチスリット法等、光投影法、受動型ステレオ法、能動型ステレオ法、スポット投影法、スリット投影法、傾斜光投影法、コード化パターン光投影法、共焦点法、干渉縞法、光時間差法、光周波数差法、Ｘ線透視観察法などもよい。
本実施例１では、観察部１１は光切断法を測定手法（観察手法）としているが、本発明においては、測定手法を光切断法に限定するものではない。
位相シフト法、モアレトポグラフィ法、空間コード化法、マルチスリット法等、光投影法、受動型ステレオ法、能動型ステレオ法、スポット投影法、スリット投影法、傾斜光投影法、コード化パターン光投影法、共焦点法、干渉縞法、光時間差法、光周波数差法、Ｘ線透視観察法などもよい。
【0044】
本実施例１のおける観察部１１は、企業から提供されている既成の観察部とコントローラからなる測定システムを使用することにより、当業者であれば容易に実施可能である。その既成の測定システム例を下記に紹介する。
＜位相シフト法の観察部例＞
例えば、位相シフト法を測定手法とした、左右２つのプロジェクタからなる照射部とその中央に設けたカメラ（受光部・光検出部）を備えた観察部（測定部）とコントローラからなる測定システム（株式会社キーエンス製「ＸＧ－８０００シリーズＸＲ－ＨＴ４０ＭＤ」）が提供されている。これは、試料に対して、左右２つのプロジェクタから高速で投影される複数のストライプパターン（縞模様）を、中央のカメラ（光検出部・受光部）で撮影（受光）して、観察部側の基準位置から試料の表面までの各座標位置（ｘ、ｙ）の高さ距離を測定取得し、該各座標位置（ｘ、ｙ）の高さで表される３次元形状データと各座標位置（ｘ、ｙ）における輝度レベルを得ることができる。
＜共焦点方式の照射受光ユニット例＞
例えば、共焦点方式を測定手法とした、株式会社キーエンス製の「ダブルスキャン高精度レーザー測定器ＬＴ－９０００ シリーズ」がある。これは、共焦点方式による同軸光学系を採用。対象物上で焦点の合った位置を測定する原理で対象物の高さを測定する。この照射受光ユニットをＸＹ方向に走査することで３次元形状データと各座標位置（ｘ、ｙ）における輝度レベルを得ることができる。
以上述べた照射受光ユニット例は一例であって、複数の企業から多様な照射受光ユニットおよびコントローラが提供されている。
＜光切断法の照射受光ユニット例＞
照射受光ユニット（照射手段と受光手段とからなる）とコントローラからなる測定システムである、株式会社キーエンス製の「LJ-V7000シリーズ」がある。これはライン状の切断面の形状（プロファイル）を取得する方法を採用しているものであり、試料に対して、光切断を行う切断位置を一方向に連続的に変化させて連続的にプロファイル（ライン状の切断面の形状）を取得し、得られたプロファイルを合成することで距離画像を取得する。照射光は４０５ｎｍの青紫色レーザー光線である。
＜位相シフト法の観察部例＞
例えば、位相シフト法を測定手法とした、左右２つのプロジェクタからなる照射部とその中央に設けたカメラ（受光部・光検出部）を備えた観察部（測定部）とコントローラからなる測定システム（株式会社キーエンス製「ＸＧ－８０００シリーズＸＲ－ＨＴ４０ＭＤ」）が提供されている。これは、試料に対して、左右２つのプロジェクタから高速で投影される複数のストライプパターン（縞模様）を、中央のカメラ（光検出部・受光部）で撮影（受光）して、観察部側の基準位置から試料の表面までの各座標位置（ｘ、ｙ）の高さ距離を測定取得し、該各座標位置（ｘ、ｙ）の高さで表される３次元形状データと各座標位置（ｘ、ｙ）における輝度レベルを得ることができる。
＜共焦点方式の照射受光ユニット例＞
例えば、共焦点方式を測定手法とした、株式会社キーエンス製の「ダブルスキャン高精度レーザー測定器ＬＴ－９０００ シリーズ」がある。これは、共焦点方式による同軸光学系を採用。対象物上で焦点の合った位置を測定する原理で対象物の高さを測定する。この照射受光ユニットをＸＹ方向に走査することで３次元形状データと各座標位置（ｘ、ｙ）における輝度レベルを得ることができる。
以上述べた照射受光ユニット例は一例であって、複数の企業から多様な照射受光ユニットおよびコントローラが提供されている。
＜光切断法の照射受光ユニット例＞
照射受光ユニット（照射手段と受光手段とからなる）とコントローラからなる測定システムである、株式会社キーエンス製の「LJ-V7000シリーズ」がある。これはライン状の切断面の形状（プロファイル）を取得する方法を採用しているものであり、試料に対して、光切断を行う切断位置を一方向に連続的に変化させて連続的にプロファイル（ライン状の切断面の形状）を取得し、得られたプロファイルを合成することで距離画像を取得する。照射光は４０５ｎｍの青紫色レーザー光線である。
【0045】
本実施例１では、下部ヒーター４ａ及び上部ヒーター４ｂは、透明導電膜としている。
但し、本発明においては、下部ヒーター４ａ及び上部ヒーター４ｂを透明導電膜に限定するものではない。その観察目的や測定手法によって、例えば、ハロゲンヒーター、面状マイカ(雲母)ヒーター、グラファイトヒーター（例えば特許第4739314号発熱体ユニット）、カーボンヒーターなどでもよい。
また、下部ヒーター４ａと上部ヒーター４ｂを異なるヒーターとするのもよい。
例えば、下部ヒーター４ａを透明導電膜とし、上部ヒーター４ｂをハロゲンヒーター、面状マイカ(雲母)ヒーター、グラファイトヒーター（例えば特許第4739314号発熱体ユニット）、セラミックヒーター、電熱線ないしカーボンヒーター等とするのもよい。
計測方法（観察方法）が、観察試料ＢＷの上方からのみの場合は、下部ヒーター４ａをハロゲンヒーター、面状マイカ(雲母)ヒーター、グラファイトヒーター（例えば特許第4739314号発熱体ユニット）、セラミックヒーター、電熱線ないしカーボンヒーター等とするのもよい。
但し、本発明においては、下部ヒーター４ａ及び上部ヒーター４ｂを透明導電膜に限定するものではない。その観察目的や測定手法によって、例えば、ハロゲンヒーター、面状マイカ(雲母)ヒーター、グラファイトヒーター（例えば特許第4739314号発熱体ユニット）、カーボンヒーターなどでもよい。
また、下部ヒーター４ａと上部ヒーター４ｂを異なるヒーターとするのもよい。
例えば、下部ヒーター４ａを透明導電膜とし、上部ヒーター４ｂをハロゲンヒーター、面状マイカ(雲母)ヒーター、グラファイトヒーター（例えば特許第4739314号発熱体ユニット）、セラミックヒーター、電熱線ないしカーボンヒーター等とするのもよい。
計測方法（観察方法）が、観察試料ＢＷの上方からのみの場合は、下部ヒーター４ａをハロゲンヒーター、面状マイカ(雲母)ヒーター、グラファイトヒーター（例えば特許第4739314号発熱体ユニット）、セラミックヒーター、電熱線ないしカーボンヒーター等とするのもよい。
【0046】
本実施例１では、第１の透明板２ａ、第２の透明板２ｂ（下方壁）、第３の透明板２ｃ（上方壁）、第４の透明板２ｄ及び試料載置テーブル５を透明テーブルとしているが、一部の板又は全部の板が非透過性の部材からなるものでもよい。例えば、Ｘ線による観察を行う場合には、光非透過性でありＸ線の透過性の高いCFRP（カーボン／炭素繊維強化プラスチック）などを使用するのがよい。
【0047】
＜熱電対の取り付け方法＞
熱電対の温度プロファイル取得試料ＴＷやダミー加熱部材への取り付けは、エポキシ接着剤による接着固定、ポリイミドテープによる固定、溶接による固定、ロウ付けによる固定が知られている。
熱電対の温度プロファイル取得試料ＴＷやダミー加熱部材への取り付けは、エポキシ接着剤による接着固定、ポリイミドテープによる固定、溶接による固定、ロウ付けによる固定が知られている。
【0048】
＜透明導電膜（透明ヒーター）＞
透明導電膜には、例えば、酸化インジウムを主成分とする材料（例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide））、酸化亜鉛を主成分とする材料（例えば、ＡＺＯ(Aluminium Zinc Oxide)、ＧＺＯ(Gallium doped Zinc Oxide)等）、または酸化錫を主成分とする材料、カドミウム系、カーボンナノチューブ（CNT）を用いた透明導電膜が知られている。
透明導電膜の透過率は、例えば、８０％以上であることが好ましい。透明導電膜の透過率を８０％以上にすることにより、測定（計測）に用いられる光が透明導電膜で妨げられて、測定（計測）結果に影響を及ぼすことを抑えることができる。また、透明導電膜の抵抗率は、１０-3［Ω・ｃｍ］以下であることが好ましい。
また、透明導電膜は、例えば、スパッタリング法、ＰＬＤ(Pulsed laser deposition)法、または真空蒸着法等により、上部透明基板上に成膜することができる。上部透明基板の面精度は、例えば、測定装置の分解能または測定精度等に応じて決めることができる。一例として、測定装置が要求される測定精度が±１μｍ程度である場合、上部透明基板の面精度は、λ（検査波長＝０．６３２８μｍ）以下であることが好ましい。面精度は、有効反表面全体において、最も高い位置（Peak）と、最も低い位置(valley)との差(ＰＶ値)としている。
透明導電膜には、例えば、酸化インジウムを主成分とする材料（例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide））、酸化亜鉛を主成分とする材料（例えば、ＡＺＯ(Aluminium Zinc Oxide)、ＧＺＯ(Gallium doped Zinc Oxide)等）、または酸化錫を主成分とする材料、カドミウム系、カーボンナノチューブ（CNT）を用いた透明導電膜が知られている。
透明導電膜の透過率は、例えば、８０％以上であることが好ましい。透明導電膜の透過率を８０％以上にすることにより、測定（計測）に用いられる光が透明導電膜で妨げられて、測定（計測）結果に影響を及ぼすことを抑えることができる。また、透明導電膜の抵抗率は、１０-3［Ω・ｃｍ］以下であることが好ましい。
また、透明導電膜は、例えば、スパッタリング法、ＰＬＤ(Pulsed laser deposition)法、または真空蒸着法等により、上部透明基板上に成膜することができる。上部透明基板の面精度は、例えば、測定装置の分解能または測定精度等に応じて決めることができる。一例として、測定装置が要求される測定精度が±１μｍ程度である場合、上部透明基板の面精度は、λ（検査波長＝０．６３２８μｍ）以下であることが好ましい。面精度は、有効反表面全体において、最も高い位置（Peak）と、最も低い位置(valley)との差(ＰＶ値)としている。
【0049】
＜試料載置テーブルの平坦度、透過性＞
本実施例では試料載置テーブル５の平坦度は３μｍ以下としているが、本発明はこれに限定されるものではない。
また、第１の透明板２ａ、第２の透明板２ｂ（下方壁）及び試料載置テーブル５は、所定のレーザー光の透過率を得るために、その上面および下面に、フッ化マグネシウム、アルミ、白金、金、銀、銅、クローム、シリコン、ニッケル、５酸化チタン、ゲルマニュウム、二酸化チタン、一酸化珪素、二酸化珪素等々の蒸着物質の蒸着膜（複数物質の混合、多層有り）が施されている。
本実施例では試料載置テーブル５の平坦度は３μｍ以下としているが、本発明はこれに限定されるものではない。
また、第１の透明板２ａ、第２の透明板２ｂ（下方壁）及び試料載置テーブル５は、所定のレーザー光の透過率を得るために、その上面および下面に、フッ化マグネシウム、アルミ、白金、金、銀、銅、クローム、シリコン、ニッケル、５酸化チタン、ゲルマニュウム、二酸化チタン、一酸化珪素、二酸化珪素等々の蒸着物質の蒸着膜（複数物質の混合、多層有り）が施されている。
【0050】
＜測定基準・測定基準面＞
観察部１１は、観察試料ＢＷの高さ・位置・形状の変化をプロファイルデータとして取得する光切断法による測定を行っているが、その基準は、撮像素子面、照射位置、試料載置テーブル５の上面位置（物理的上面）又は下面位置、試料載置テーブル５の上面又は下面に設けた反射部材（図示せず）の表面（下面）位置にもとづいて設定した仮想的な基準点、仮想的な基準線ないし仮想的な基準面である。
本実施例では、試料載置テーブル５の上面に設けた反射部材（図示せず）の表面（下面）の反射光にもとづいて設定した仮想的な平坦基準面（傾斜０度の水平面で無い場合も含む）を基準としている。
仮想的な平坦基準面は湾曲などの無い完全な平坦面である。他方、試料載置テーブル５の上面（物理的上面）は微細な湾曲が有り、また自重により全体が湾曲している。よって、仮想的な平坦基準面は試料載置テーブル５の上面（物理的上面）ではないし、実質同一でもない。
仮想的な基準面を求める方法には、反射部材の適当な３点を結ぶ仮想的な三角形平面により設定する方法や、測定域の複数走査線ないし全走査線を特定し、それらの線から最小二乗法か擬似逆行列を使って平面を求める方法などがある。
観察部１１は、観察試料ＢＷの高さ・位置・形状の変化をプロファイルデータとして取得する光切断法による測定を行っているが、その基準は、撮像素子面、照射位置、試料載置テーブル５の上面位置（物理的上面）又は下面位置、試料載置テーブル５の上面又は下面に設けた反射部材（図示せず）の表面（下面）位置にもとづいて設定した仮想的な基準点、仮想的な基準線ないし仮想的な基準面である。
本実施例では、試料載置テーブル５の上面に設けた反射部材（図示せず）の表面（下面）の反射光にもとづいて設定した仮想的な平坦基準面（傾斜０度の水平面で無い場合も含む）を基準としている。
仮想的な平坦基準面は湾曲などの無い完全な平坦面である。他方、試料載置テーブル５の上面（物理的上面）は微細な湾曲が有り、また自重により全体が湾曲している。よって、仮想的な平坦基準面は試料載置テーブル５の上面（物理的上面）ではないし、実質同一でもない。
仮想的な基準面を求める方法には、反射部材の適当な３点を結ぶ仮想的な三角形平面により設定する方法や、測定域の複数走査線ないし全走査線を特定し、それらの線から最小二乗法か擬似逆行列を使って平面を求める方法などがある。
【実施例0051】
図７～図１０に示す本発明の実施例２の加熱観察装置２５は次のようである。
加熱観察装置２５の前記実施例１の加熱観察装置１と主に異なる点は以下の点である。
（１）ダミー加熱部材を、下面がダミー下面である試料載置テーブル５の下面に取付けられた下方ダミー加熱部材６ａと、下方ダミー加熱部材の上方で試料載置テーブル５の上面に取付けられた上面がダミー上面である上方ダミー加熱部材６ｂとしたこと、
（２）ダミー温度検出手段を、前記ダミー下面の温度を検出する熱電からなるダミー下面温度検出手段７ａと、前記ダミー上面の温度を検出するダミー上面温度検出手段７ｂとしたこと、
（３）温度調整部を、ダミー下面温度検出手段７ａの検出温度であるダミー下面温度ｄｄａにもとづいて下部ヒーター電力量指示ｐｉａを行う下部ヒーター温度調整部１４ａと、ダミー上面温度検出手段７ｂの検出温度であるダミー上面温度ｄｄｂにもとづいて上部ヒーター電力量指示ｐｉｂを行う上部ヒーター温度調整部１４ｂとしたこと、
（４）ダミー温度プロファイル管理基準取得部を、ダミー下面温度ｄｄａの温度プロファイルにもとづいてダミー下面温度プロファイル管理基準ｄｄＳａを作成するダミー下面温度プロファイル管理基準取得部１８ａとし、ダミー上面温度ｄｄｂの温度プロファイルにもとづいてダミー上面温度プロファイル管理基準ｄｄＳｂを作成するダミー上面温度プロファイル管理基準取得部１８ｂとしたこと、
（５）ダミー温度プロファイル管理基準記憶部を、ダミー下面温度プロファイル管理基準ｄｄＳａを記憶するダミー下面温度プロファイル管理基準記憶部１２ａと、ダミー上面温度プロファイル管理基準ｄｄＳｂを記憶するダミー下面温度プロファイル管理基準記憶部１２ｂとしたこと、
（６）電力比例係数取得部１７を設けない構成としたこと、
（７）試料載置空間冷却風供給部９ａの試料載置空間冷却風Ｃａ１を供給する空間を空間３ｃ及び空間３ｂにしたこと、
以上である。
加熱観察装置２５の前記実施例１の加熱観察装置１と主に異なる点は以下の点である。
（１）ダミー加熱部材を、下面がダミー下面である試料載置テーブル５の下面に取付けられた下方ダミー加熱部材６ａと、下方ダミー加熱部材の上方で試料載置テーブル５の上面に取付けられた上面がダミー上面である上方ダミー加熱部材６ｂとしたこと、
（２）ダミー温度検出手段を、前記ダミー下面の温度を検出する熱電からなるダミー下面温度検出手段７ａと、前記ダミー上面の温度を検出するダミー上面温度検出手段７ｂとしたこと、
（３）温度調整部を、ダミー下面温度検出手段７ａの検出温度であるダミー下面温度ｄｄａにもとづいて下部ヒーター電力量指示ｐｉａを行う下部ヒーター温度調整部１４ａと、ダミー上面温度検出手段７ｂの検出温度であるダミー上面温度ｄｄｂにもとづいて上部ヒーター電力量指示ｐｉｂを行う上部ヒーター温度調整部１４ｂとしたこと、
（４）ダミー温度プロファイル管理基準取得部を、ダミー下面温度ｄｄａの温度プロファイルにもとづいてダミー下面温度プロファイル管理基準ｄｄＳａを作成するダミー下面温度プロファイル管理基準取得部１８ａとし、ダミー上面温度ｄｄｂの温度プロファイルにもとづいてダミー上面温度プロファイル管理基準ｄｄＳｂを作成するダミー上面温度プロファイル管理基準取得部１８ｂとしたこと、
（５）ダミー温度プロファイル管理基準記憶部を、ダミー下面温度プロファイル管理基準ｄｄＳａを記憶するダミー下面温度プロファイル管理基準記憶部１２ａと、ダミー上面温度プロファイル管理基準ｄｄＳｂを記憶するダミー下面温度プロファイル管理基準記憶部１２ｂとしたこと、
（６）電力比例係数取得部１７を設けない構成としたこと、
（７）試料載置空間冷却風供給部９ａの試料載置空間冷却風Ｃａ１を供給する空間を空間３ｃ及び空間３ｂにしたこと、
以上である。
【0052】
＜観察試料ＢＷの加熱とその制御＞（図７参照）
観察試料ＢＷの加熱時の制御について主に図７を参照して説明する。
観察しようとする観察試料ＢＷの加熱制御のための、ダミー下面温度プロファイル管理基準ｄｄＳａがダミー下面温度プロファイル管理基準記憶部１２ａに予め記憶され、ダミー上面温度プロファイル管理基準ｄｄＳｂがダミー上面温度プロファイル管理基準記憶部１２ｂに予め記憶されている。
観察試料ＢＷ加熱時の上向き放射熱および下向き放射熱の制御は、
ダミー下面温度ｄｄａがダミー下面温度プロファイル管理基準ｄｄＳａの範囲内となるように、温度調整部１４ａが下部ヒーター電力量Ｅｖａを下部ヒーター電力操作部１３ａに指示することによって行い、
ダミー上面温度ｄｄｂがダミー上面温度プロファイル管理基準ｄｄＳｂの範囲内となるように、温度調整部１４ｂが上部ヒーター電力量Ｅｖｂを上部ヒーター電力操作部１３ｂに指示することによって行う、ことによって行われる。
観察試料ＢＷから下部ヒーター４ａまでの距離と、観察試料ＢＷから上部ヒーター４ｂまでの距離とが異なった距離であっても、観察試料ＢＷの下面温度と上面温度を試料温度プロファイル管理基準ｗｐＳの範囲内となるように、下部ヒーター４ａの放射熱と上部ヒーター４ｂの放射熱を、下部ヒーター温度調整部１４ａと上部ヒーター温度調整部１４ｂのそれぞれからの指示によって制御できる。また、下部ヒーター４ａと上部ヒーター４ｂのヒーター種類を異なる場合例えば、下部ヒーターが透明導電膜で上部ヒーターがハロゲンヒーターでも、観察試料ＢＷの下面温度と上面温度を試料温度プロファイル管理基準ｗｐＳの範囲内となるように、下部ヒーター温度調整部１４ａと上部ヒーター温度調整部１４ｂのそれぞれからの指示によって制御できる。
観察試料ＢＷの加熱時の制御について主に図７を参照して説明する。
観察しようとする観察試料ＢＷの加熱制御のための、ダミー下面温度プロファイル管理基準ｄｄＳａがダミー下面温度プロファイル管理基準記憶部１２ａに予め記憶され、ダミー上面温度プロファイル管理基準ｄｄＳｂがダミー上面温度プロファイル管理基準記憶部１２ｂに予め記憶されている。
観察試料ＢＷ加熱時の上向き放射熱および下向き放射熱の制御は、
ダミー下面温度ｄｄａがダミー下面温度プロファイル管理基準ｄｄＳａの範囲内となるように、温度調整部１４ａが下部ヒーター電力量Ｅｖａを下部ヒーター電力操作部１３ａに指示することによって行い、
ダミー上面温度ｄｄｂがダミー上面温度プロファイル管理基準ｄｄＳｂの範囲内となるように、温度調整部１４ｂが上部ヒーター電力量Ｅｖｂを上部ヒーター電力操作部１３ｂに指示することによって行う、ことによって行われる。
観察試料ＢＷから下部ヒーター４ａまでの距離と、観察試料ＢＷから上部ヒーター４ｂまでの距離とが異なった距離であっても、観察試料ＢＷの下面温度と上面温度を試料温度プロファイル管理基準ｗｐＳの範囲内となるように、下部ヒーター４ａの放射熱と上部ヒーター４ｂの放射熱を、下部ヒーター温度調整部１４ａと上部ヒーター温度調整部１４ｂのそれぞれからの指示によって制御できる。また、下部ヒーター４ａと上部ヒーター４ｂのヒーター種類を異なる場合例えば、下部ヒーターが透明導電膜で上部ヒーターがハロゲンヒーターでも、観察試料ＢＷの下面温度と上面温度を試料温度プロファイル管理基準ｗｐＳの範囲内となるように、下部ヒーター温度調整部１４ａと上部ヒーター温度調整部１４ｂのそれぞれからの指示によって制御できる。
【0053】
＜ダミー温度プロファイル管理基準の取得（作成）＞（図８参照）
観察しようとする観察試料ＢＷの加熱制御のためのダミー下面温度プロファイル管理基準ｄｄＳａ及びダミー上面温度プロファイル管理基準ｄｄＳｂの記憶（保存）が無い場合には、それらを取得（作成）しなければならず、その手順について図８を参照して説明する。
ダミー下面温度プロファイル管理基準ｄｄＳａの取得は、試料下面温度ｗｕａが試料温度プロファイル管理基準ｗｐＳの範囲内となるように上向き放射熱が制御された状態における、ダミー下面温度の温度プロファイルにもとづいて取得されるものである。
上向き放射熱の制御は、温度調整部１４ａが下部ヒーター電力量Ｅｖａを下部ヒーター電力操作部１３ａに指示することによって行う。
観察しようとする観察試料ＢＷの加熱制御のためのダミー下面温度プロファイル管理基準ｄｄＳａ及びダミー上面温度プロファイル管理基準ｄｄＳｂの記憶（保存）が無い場合には、それらを取得（作成）しなければならず、その手順について図８を参照して説明する。
ダミー下面温度プロファイル管理基準ｄｄＳａの取得は、試料下面温度ｗｕａが試料温度プロファイル管理基準ｗｐＳの範囲内となるように上向き放射熱が制御された状態における、ダミー下面温度の温度プロファイルにもとづいて取得されるものである。
上向き放射熱の制御は、温度調整部１４ａが下部ヒーター電力量Ｅｖａを下部ヒーター電力操作部１３ａに指示することによって行う。
【0054】
ダミー上面温度プロファイル管理基準ｄｄＳｂの取得は、試料上面温度ｗｕｂが試料温度プロファイル管理基準ｗｐＳの範囲内となるように下向き放射熱が制御された状態における、ダミー上面温度の温度プロファイルにもとづいて取得されるものである。
下向き放射熱の制御は、温度調整部１４ｂが上部ヒーター電力量Ｅｖｂを上部ヒーター電力操作部１３ｂに指示することによって行う。
下向き放射熱の制御は、温度調整部１４ｂが上部ヒーター電力量Ｅｖｂを上部ヒーター電力操作部１３ｂに指示することによって行う。
【0055】
＜加熱炉＞
第１の透明板２ａ、第２の透明板２ｂ、第３の透明板２ｃ、第４の透明板２ｄ、試料載置テーブル５、試料載置空間冷却風供給部９ａ、試料無し空間冷却風供給部９ｂによって加熱炉１０ｂを形成している。
第１の透明板２ａ、第２の透明板２ｂ、第３の透明板２ｃ、第４の透明板２ｄ、試料載置テーブル５、試料載置空間冷却風供給部９ａ、試料無し空間冷却風供給部９ｂによって加熱炉１０ｂを形成している。
【0056】
図９を参照して、ダミー加熱部材の異なる形態例について述べる。
［図９の（ａ）図の形態］
ダミー下面温度検出手段７ａ、ダミー上面温度検出手段７ｂを取り付けたダミー加熱部材６を、その下面と試料載置テーブル５の上面とを接着剤２６で接着している。
［図９の（ｂ）図の形態］
下方ダミー加熱部材６ａと上方ダミー加熱部材６ｂの間に断熱部材２７（断熱層）が設けられた形態のダミー加熱部材を、その下面と試料載置テーブル５の上面に位置させて、クリップ３３で試料載置テーブル５ごと挟持した形態で取り付けている。
断熱部材２７は熱伝導率が低く耐熱性のある、例えば、ジルコニアのようなものが良い。
上向き放射熱と下向き放射熱が下方ダミー加熱部材６ａと上方ダミー加熱部材６ｂと干渉しないように、例えば、それぞれの感知部が放射熱の影になるように配置、または断熱材を挟むことが望ましい。そうすることにより、互いの制御が干渉せず熱制御が容易となる。
指定温度に加熱した場合のダミー下面温ｄｄａとダミー上面温度ｄｄｂの温度差をモニターし、温度差を少なくするように温度調整部１４による制御を行うようにする。
［図９の（ｃ）図の形態］
断熱性部材からなるアーム２８の先端側下部に下方ダミー加熱部材６ａが接着され、その真上の上部に上方ダミー加熱部材６ｂが接着され、アーム２８は取付治具２９に取付け取外し可能形態（例えば、ねじによる取り付け、差込による取り付けなど）で取り付けられている。
位置は試料載置テーブル５の上面ないし上方としているが、試料載置テーブル５の下面や下方でもよいし、試料載置テーブル５から横方向に離れた位置でもよい。
［図９の（ｄ）図の形態］
下方ダミー加熱部材６ａと上方ダミー加熱部材６ｂが空間３０（断熱層）を空けて真上真下の上下位置関係で、その根元側を取付治具２９に取付け取外し可能形態で取り付けられ、下方ダミー加熱部材６ａの下面にダミー下面温度検出手段７ａを取り付け、上方ダミー加熱部材６ｂの上面にダミー上面温度検出手段７ｂを取り付け、試料載置テーブル５から横に離れた位置にセットされている。
［図９の（ｅ）図の形態］
取付治具２９にクリップ３１が設けられ、このクリップ３１に観察試料ＢＷと同じ試料（製品名が同じが一般的）からなるダミー加熱部材６Ｗが、下面にダミー下面温度検出手段７ａを取付け上面にダミー上面温度検出手段７ｂを取付けた状態で、取付け取外し可能形態で設けられている。
ダミー加熱部材６Ｗは、試料載置テーブル５の上面に接触ないし可能な限り近い位置にセットするのがよい。
［図９の（ａ）図の形態］
ダミー下面温度検出手段７ａ、ダミー上面温度検出手段７ｂを取り付けたダミー加熱部材６を、その下面と試料載置テーブル５の上面とを接着剤２６で接着している。
［図９の（ｂ）図の形態］
下方ダミー加熱部材６ａと上方ダミー加熱部材６ｂの間に断熱部材２７（断熱層）が設けられた形態のダミー加熱部材を、その下面と試料載置テーブル５の上面に位置させて、クリップ３３で試料載置テーブル５ごと挟持した形態で取り付けている。
断熱部材２７は熱伝導率が低く耐熱性のある、例えば、ジルコニアのようなものが良い。
上向き放射熱と下向き放射熱が下方ダミー加熱部材６ａと上方ダミー加熱部材６ｂと干渉しないように、例えば、それぞれの感知部が放射熱の影になるように配置、または断熱材を挟むことが望ましい。そうすることにより、互いの制御が干渉せず熱制御が容易となる。
指定温度に加熱した場合のダミー下面温ｄｄａとダミー上面温度ｄｄｂの温度差をモニターし、温度差を少なくするように温度調整部１４による制御を行うようにする。
［図９の（ｃ）図の形態］
断熱性部材からなるアーム２８の先端側下部に下方ダミー加熱部材６ａが接着され、その真上の上部に上方ダミー加熱部材６ｂが接着され、アーム２８は取付治具２９に取付け取外し可能形態（例えば、ねじによる取り付け、差込による取り付けなど）で取り付けられている。
位置は試料載置テーブル５の上面ないし上方としているが、試料載置テーブル５の下面や下方でもよいし、試料載置テーブル５から横方向に離れた位置でもよい。
［図９の（ｄ）図の形態］
下方ダミー加熱部材６ａと上方ダミー加熱部材６ｂが空間３０（断熱層）を空けて真上真下の上下位置関係で、その根元側を取付治具２９に取付け取外し可能形態で取り付けられ、下方ダミー加熱部材６ａの下面にダミー下面温度検出手段７ａを取り付け、上方ダミー加熱部材６ｂの上面にダミー上面温度検出手段７ｂを取り付け、試料載置テーブル５から横に離れた位置にセットされている。
［図９の（ｅ）図の形態］
取付治具２９にクリップ３１が設けられ、このクリップ３１に観察試料ＢＷと同じ試料（製品名が同じが一般的）からなるダミー加熱部材６Ｗが、下面にダミー下面温度検出手段７ａを取付け上面にダミー上面温度検出手段７ｂを取付けた状態で、取付け取外し可能形態で設けられている。
ダミー加熱部材６Ｗは、試料載置テーブル５の上面に接触ないし可能な限り近い位置にセットするのがよい。
【0057】
＜冷却機構の他の形態を有する加熱炉＞（図１０参照）
図１０を参照して、冷却機構の他の形態を有する加熱炉について述べる。
［図１０の（ａ）図の形態］
加熱炉１０ｃは、試料載置テーブル５の長さを短い形態とし、仕切り壁として機能しない形態とし、よって、第２の透明板２ｂ（下方壁）と第３の透明板２ｃ（上方壁）の間の空間は間に仕切り壁の無い一つの空間である空間３ｃとし、該空間３ｃの風上側を塞ぐ形態で試料載置空間冷却風供給部９ａを設けている。
そして、下部ヒーター４ａは第３の透明板２ｃ（上方壁）の下面に設け、上部ヒーター４ｂは第２の透明板２ｂ（下方壁）の上面に設けていて、下部ヒーター４ａ及び上部ヒーター４ｂは試料載置空間冷却風Ｃａ１で直接冷却される。
［図１０の（ｂ）図の形態］
加熱炉１０ｄは、第１の透明板２ａ及び第４の透明板２ｄを有さない形態であり、第２の透明板２ｂ（下方壁）の上面に下部ヒーター４ａが設けられ、試料載置テーブル５と第２の透明板２ｂ（下方壁）との間に形成された空間３ｂに試料無し空間冷却風Ｃａ２が供給されるように、空間３ｂの風上側を塞ぐように試料無し空間冷却風供給部９ｂが設けられている。
［図１０の（ｃ）図の形態］
加熱炉１０ｅは、第２の透明板２ｂ（下方壁）の下面に下部ヒーター４ａが設けられ、第３の透明板２ｃ（上方壁）の上面に上部ヒーター４ｂが設けられ、第２の透明板２ｂ（下方壁）と第３の透明板２ｃ（上方壁）の間に形成された空間３ｃに非仕切り壁形態の試料載置テーブル５が、第２の透明板２ｂ（下方壁）に近接した位置で設けられ、空間３ｃの上流側は冷却風が侵入しないように塞ぎ部材３２で塞がれている。よって、試料載置空間冷却風供給部９ａは設けられておらず、空間３ａ、空間３ｄに試料無し空間冷却風Ｃａ２が流れる形態で冷却を行う形態としている。
透明導電膜ヒーター（透明ヒーター）の温度は高温度にできないため観察試料ＢＷとの距離はあまり大きく取れない。其のため下部ヒーター４ａと試料載置テーブル５の距離は数ミリ程度が限界であり、間に２～３ミリ厚みの第２の透明板２ｂ（下方壁）があるので、試料載置テーブル５と第２の透明板２ｂ（下方壁）の間の空間は１ミリ～２ミリ程度になるのが現状である。したがって１ミリ～２ミリの空間に風を通すは困難であるため、現実的には下部ヒーター４ａの下側の空間３ａに大量の冷却風を送り、該下部ヒーター４ａに冷却風を大量に直接当てることが現実的である。
［図１０の（ｄ）図の形態］
加熱炉１０ｆは、空間３ａのみに試料無し空間冷却風Ｃａ２を供給する試料無し空間冷却風供給部９ｂ－１が設けられ、空間３ｄのみに試料無し空間冷却風Ｃａ２を供給する試料無し空間冷却風供給部９ｂ－２が設けられ、空間３ｃには冷却風は供給されない形態としている。
図１０を参照して、冷却機構の他の形態を有する加熱炉について述べる。
［図１０の（ａ）図の形態］
加熱炉１０ｃは、試料載置テーブル５の長さを短い形態とし、仕切り壁として機能しない形態とし、よって、第２の透明板２ｂ（下方壁）と第３の透明板２ｃ（上方壁）の間の空間は間に仕切り壁の無い一つの空間である空間３ｃとし、該空間３ｃの風上側を塞ぐ形態で試料載置空間冷却風供給部９ａを設けている。
そして、下部ヒーター４ａは第３の透明板２ｃ（上方壁）の下面に設け、上部ヒーター４ｂは第２の透明板２ｂ（下方壁）の上面に設けていて、下部ヒーター４ａ及び上部ヒーター４ｂは試料載置空間冷却風Ｃａ１で直接冷却される。
［図１０の（ｂ）図の形態］
加熱炉１０ｄは、第１の透明板２ａ及び第４の透明板２ｄを有さない形態であり、第２の透明板２ｂ（下方壁）の上面に下部ヒーター４ａが設けられ、試料載置テーブル５と第２の透明板２ｂ（下方壁）との間に形成された空間３ｂに試料無し空間冷却風Ｃａ２が供給されるように、空間３ｂの風上側を塞ぐように試料無し空間冷却風供給部９ｂが設けられている。
［図１０の（ｃ）図の形態］
加熱炉１０ｅは、第２の透明板２ｂ（下方壁）の下面に下部ヒーター４ａが設けられ、第３の透明板２ｃ（上方壁）の上面に上部ヒーター４ｂが設けられ、第２の透明板２ｂ（下方壁）と第３の透明板２ｃ（上方壁）の間に形成された空間３ｃに非仕切り壁形態の試料載置テーブル５が、第２の透明板２ｂ（下方壁）に近接した位置で設けられ、空間３ｃの上流側は冷却風が侵入しないように塞ぎ部材３２で塞がれている。よって、試料載置空間冷却風供給部９ａは設けられておらず、空間３ａ、空間３ｄに試料無し空間冷却風Ｃａ２が流れる形態で冷却を行う形態としている。
透明導電膜ヒーター（透明ヒーター）の温度は高温度にできないため観察試料ＢＷとの距離はあまり大きく取れない。其のため下部ヒーター４ａと試料載置テーブル５の距離は数ミリ程度が限界であり、間に２～３ミリ厚みの第２の透明板２ｂ（下方壁）があるので、試料載置テーブル５と第２の透明板２ｂ（下方壁）の間の空間は１ミリ～２ミリ程度になるのが現状である。したがって１ミリ～２ミリの空間に風を通すは困難であるため、現実的には下部ヒーター４ａの下側の空間３ａに大量の冷却風を送り、該下部ヒーター４ａに冷却風を大量に直接当てることが現実的である。
［図１０の（ｄ）図の形態］
加熱炉１０ｆは、空間３ａのみに試料無し空間冷却風Ｃａ２を供給する試料無し空間冷却風供給部９ｂ－１が設けられ、空間３ｄのみに試料無し空間冷却風Ｃａ２を供給する試料無し空間冷却風供給部９ｂ－２が設けられ、空間３ｃには冷却風は供給されない形態としている。
【実施例0058】
図１１～図に示す本発明の実施例３の加熱観察装置３５は次のようである。
加熱観察装置３５の前記実施例２の加熱観察装置２５と主に異なる点は以下の点である。
（１）下方ダミー加熱部材６ａ及び上方ダミー加熱部材６ｂを設けない構成とし、
（２）ダミー下面温度検出手段７ａ及びダミー上面温度検出手段７ｂを設けない構成とし、
（３）ダミー下面温度プロファイル管理基準取得部１８ａ、ダミー下面温度プロファイル管理基準記憶部１２ａ、ダミー上面温度プロファイル管理基準取得部１８ｂ及びダミー下面温度プロファイル管理基準記憶部１２ｂを設けない構成とし、
（２）試料温度プロファイル管理基準ｗｐＳの許容範囲に温度を制御された温度プロファイル取得試料ＴＷの、加熱時の下部ヒーター電力量指示ｐｉａの指示する下部ヒーター電力量Ｅｖａの電力プロファイルにもとづいて、観察試料ＢＷの加熱時の下部ヒーター電力量Ｅｖａを示すプロファイルである下部ヒーター電力プロファイル管理基準ＥｖＳａを取得する下部ヒーター電力プロファイル管理基準取得部３６ａを設け、かつ、下部ヒーター電力プロファイル管理基準ＥｖＳａを記憶する下部ヒーター電力プロファイル管理基準記憶部３７ａを設けた構成とし、
（３）試料温度プロファイル管理基準ｗｐＳの許容範囲に温度を制御された温度プロファイル取得試料ＴＷの、加熱時の上部ヒーター電力量指示ｐｉｂの指示する上部ヒーター電力量Ｅｖｂの電力プロファイルにもとづいて、観察試料ＢＷの加熱時の上部ヒーター電力量Ｅｖｂを示すプロファイルである上部ヒーター電力プロファイル管理基準ＥｖＳｂを取得する上部ヒーター電力プロファイル管理基準取得部３６ｂを設け、かつ、上部ヒーター電力プロファイル管理基準ＥｖＳｂを記憶する下部ヒーター電力プロファイル管理基準記憶部３７ｂを設けた構成とし、
以上である。
加熱観察装置３５の前記実施例２の加熱観察装置２５と主に異なる点は以下の点である。
（１）下方ダミー加熱部材６ａ及び上方ダミー加熱部材６ｂを設けない構成とし、
（２）ダミー下面温度検出手段７ａ及びダミー上面温度検出手段７ｂを設けない構成とし、
（３）ダミー下面温度プロファイル管理基準取得部１８ａ、ダミー下面温度プロファイル管理基準記憶部１２ａ、ダミー上面温度プロファイル管理基準取得部１８ｂ及びダミー下面温度プロファイル管理基準記憶部１２ｂを設けない構成とし、
（２）試料温度プロファイル管理基準ｗｐＳの許容範囲に温度を制御された温度プロファイル取得試料ＴＷの、加熱時の下部ヒーター電力量指示ｐｉａの指示する下部ヒーター電力量Ｅｖａの電力プロファイルにもとづいて、観察試料ＢＷの加熱時の下部ヒーター電力量Ｅｖａを示すプロファイルである下部ヒーター電力プロファイル管理基準ＥｖＳａを取得する下部ヒーター電力プロファイル管理基準取得部３６ａを設け、かつ、下部ヒーター電力プロファイル管理基準ＥｖＳａを記憶する下部ヒーター電力プロファイル管理基準記憶部３７ａを設けた構成とし、
（３）試料温度プロファイル管理基準ｗｐＳの許容範囲に温度を制御された温度プロファイル取得試料ＴＷの、加熱時の上部ヒーター電力量指示ｐｉｂの指示する上部ヒーター電力量Ｅｖｂの電力プロファイルにもとづいて、観察試料ＢＷの加熱時の上部ヒーター電力量Ｅｖｂを示すプロファイルである上部ヒーター電力プロファイル管理基準ＥｖＳｂを取得する上部ヒーター電力プロファイル管理基準取得部３６ｂを設け、かつ、上部ヒーター電力プロファイル管理基準ＥｖＳｂを記憶する下部ヒーター電力プロファイル管理基準記憶部３７ｂを設けた構成とし、
以上である。
【0059】
＜電力プロファイル管理基準の取得手順＞（図１１参照）
［ステップ１］
試料下面温度検出手段８ａ、試料上面温度検出手段８ｂを取付けた温度プロファイル取得試料ＴＷの加熱を開始する。
［ステップ２］
下部ヒーター温度調整部１４ａは、試料下面温度ｗｕａが試料温度プロファイル管理基準ｗｐＳの許容範囲内とする下部ヒーター電力量指示ｐｉａ（下部ヒーター電力量Ｅｖａ値の指示）を下部ヒーター電力操作部１３ａに行う。
［ステップ３］
下部ヒーター電力プロファイル管理基準取得部３６ａは、下部ヒーター電力量指示ｐｉａの下部ヒーター電力量Ｅｖａの電力プロファイルである下部ヒーター電力プロファイル管理基準ＥｖＳａを取得（作成）し、それを下部ヒーター電力プロファイル管理基準記憶部３７ａに記憶する。
［ステップ４］
上部ヒーター電力プロファイル管理基準取得部３６ｂは、上部ヒーター電力量指示ｐｉｂの上部ヒーター電力量Ｅｖａの電力プロファイルである上部ヒーター電力プロファイル管理基準ＥｖＳｂを取得（作成）し、それを上部ヒーター電力プロファイル管理基準記憶部３７ｂに記憶する。
［ステップ５］
試料温度プロファイル管理基準ｗｐＳの示す加熱時間（冷却がある場合には冷却時間）になったら、ヒーター電力プロファイル管理基準記の取得を終了する。
［ステップ６］
加熱ないし冷却を停止する。
［ステップ１］
試料下面温度検出手段８ａ、試料上面温度検出手段８ｂを取付けた温度プロファイル取得試料ＴＷの加熱を開始する。
［ステップ２］
下部ヒーター温度調整部１４ａは、試料下面温度ｗｕａが試料温度プロファイル管理基準ｗｐＳの許容範囲内とする下部ヒーター電力量指示ｐｉａ（下部ヒーター電力量Ｅｖａ値の指示）を下部ヒーター電力操作部１３ａに行う。
［ステップ３］
下部ヒーター電力プロファイル管理基準取得部３６ａは、下部ヒーター電力量指示ｐｉａの下部ヒーター電力量Ｅｖａの電力プロファイルである下部ヒーター電力プロファイル管理基準ＥｖＳａを取得（作成）し、それを下部ヒーター電力プロファイル管理基準記憶部３７ａに記憶する。
［ステップ４］
上部ヒーター電力プロファイル管理基準取得部３６ｂは、上部ヒーター電力量指示ｐｉｂの上部ヒーター電力量Ｅｖａの電力プロファイルである上部ヒーター電力プロファイル管理基準ＥｖＳｂを取得（作成）し、それを上部ヒーター電力プロファイル管理基準記憶部３７ｂに記憶する。
［ステップ５］
試料温度プロファイル管理基準ｗｐＳの示す加熱時間（冷却がある場合には冷却時間）になったら、ヒーター電力プロファイル管理基準記の取得を終了する。
［ステップ６］
加熱ないし冷却を停止する。
【0060】
＜観察試料ＢＷの加熱制御＞（図１２参照）
［ステップ１］
試料載置テーブル５に載置した観察試料ＢＷ（試料温度検出手段の取付け無し）の加熱を開始する。
［ステップ２］
下部ヒーター温度調整部１４ａは、下部ヒーター電力操作部１３ａに対して下部ヒーター電力プロファイル管理基準ＥｖＳａが示す下部ヒーター電力量Ｅｖａを指示する。
ここでの下部ヒーター電力プロファイル管理基準ＥｖＳａには許容範囲は無いものであるが、適宜に許容範囲を設定した下部ヒーター電力プロファイル管理基準とするのもよい。
［ステップ３］
上部ヒーター温度調整部１４ｂは、上部ヒーター電力操作部１３ｂに対して上部ヒーター電力プロファイル管理基準ＥｖＳｂが示す上部ヒーター電力量Ｅｖｂを指示する。
ここでの上部ヒーター電力プロファイル管理基準ＥｖＳｂには許容範囲は無いものであるが、適宜に許容範囲を設定した上部ヒーター電力プロファイル管理基準とするのもよい。
［ステップ４］
加熱ないし冷却を停止する。
［ステップ１］
試料載置テーブル５に載置した観察試料ＢＷ（試料温度検出手段の取付け無し）の加熱を開始する。
［ステップ２］
下部ヒーター温度調整部１４ａは、下部ヒーター電力操作部１３ａに対して下部ヒーター電力プロファイル管理基準ＥｖＳａが示す下部ヒーター電力量Ｅｖａを指示する。
ここでの下部ヒーター電力プロファイル管理基準ＥｖＳａには許容範囲は無いものであるが、適宜に許容範囲を設定した下部ヒーター電力プロファイル管理基準とするのもよい。
［ステップ３］
上部ヒーター温度調整部１４ｂは、上部ヒーター電力操作部１３ｂに対して上部ヒーター電力プロファイル管理基準ＥｖＳｂが示す上部ヒーター電力量Ｅｖｂを指示する。
ここでの上部ヒーター電力プロファイル管理基準ＥｖＳｂには許容範囲は無いものであるが、適宜に許容範囲を設定した上部ヒーター電力プロファイル管理基準とするのもよい。
［ステップ４］
加熱ないし冷却を停止する。
【0061】
例えば、観察試料ＢＷの加熱観察の直前に、下部ヒーター電力プロファイル管理基準ＥｖＳａ及び温度プロファイル取得試料ＴＷの加熱による上部ヒーター電力プロファイル管理基準ＥｖＳｂを取得し、直後に下部ヒーター電力プロファイル管理基準ＥｖＳａが示す下部ヒーター電力量Ｅｖａと上部ヒーター電力プロファイル管理基準ＥｖＳｂが示す上部ヒーター電力量Ｅｖｂによる加熱観察を行うことを実現する。下部ヒーター電力プロファイル管理基準ＥｖＳａ及び上部ヒーター電力プロファイル管理基準ＥｖＳｂの取得直後に観察試料ＢＷの加熱観察を行うことで、下部ヒーター４ａ及び上部ヒーター４ｂの放射熱の放射能力の低下の範囲が小さく略同じ放射熱の放射能力で加熱することが実現される。
また、上記のような使用形態とすることで、下部ヒーター４ａ及び上部ヒーター４ｂの劣化が進行しても、観察試料ＢＷの加熱観察の都度に、プロファイル管理基準ＥｖＳａ及び上部ヒーター電力プロファイル管理基準ＥｖＳｂを取得して、それに基づく加熱制御がおこなえるので、常に試料温度プロファイル管理基準ｗｐＳの許容範囲の加熱が実現される。
また、上記のような使用形態とすることで、下部ヒーター４ａ及び上部ヒーター４ｂの劣化が進行しても、観察試料ＢＷの加熱観察の都度に、プロファイル管理基準ＥｖＳａ及び上部ヒーター電力プロファイル管理基準ＥｖＳｂを取得して、それに基づく加熱制御がおこなえるので、常に試料温度プロファイル管理基準ｗｐＳの許容範囲の加熱が実現される。
【0062】
例えば、下部ヒーター４ａ、上部ヒーター４ｂの劣化の度合いが分かっている場合は、加熱精度が許容される範囲のヒーターの劣化期間が分かるので、その劣化許容範囲期間が４日である場合は、その日に取得した下部ヒーター電力プロファイル管理基準ＥｖＳａ及び上部ヒーター電力プロファイル管理基準ＥｖＳｂは、余裕をみて２日使用する、というようにすることなどが可能とできる。
【0063】
観察試料ＢＷから下部ヒーター４ａまでの距離と、観察試料ＢＷから上部ヒーター４ｂまでの距離とが異なった距離であっても、観察試料ＢＷの下面温度と上面温度を試料温度プロファイル管理基準ｗｐＳの範囲内となるように、温度検出手段による温度検出を行うことなく下部ヒーター４ａの放射熱と上部ヒーター４ｂの放射熱を制御できる。
また、下部ヒーター４ａと上部ヒーター４ｂのヒーター種類を異なる場合例えば、下部ヒーターが透明導電膜で上部ヒーターがハロゲンヒーターでも、観察試料ＢＷの下面温度と上面温度を試料温度プロファイル管理基準ｗｐＳの範囲内となるように、温度検出手段による温度検出を行うことなく下部ヒーター４ａの放射熱と上部ヒーター４ｂの放射熱を制御できる。
また、下部ヒーター４ａと上部ヒーター４ｂのヒーター種類を異なる場合例えば、下部ヒーターが透明導電膜で上部ヒーターがハロゲンヒーターでも、観察試料ＢＷの下面温度と上面温度を試料温度プロファイル管理基準ｗｐＳの範囲内となるように、温度検出手段による温度検出を行うことなく下部ヒーター４ａの放射熱と上部ヒーター４ｂの放射熱を制御できる。