特開 2023-129237 水晶ウェハ及び水晶振動子の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023129237

(43)【公開日】2023-09-14

(54)【発明の名称】水晶ウェハ及び水晶振動子の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H03H 3/02 20060101AFI20230907BHJP

【ＦＩ】

H03H3/02 C

【審査請求】未請求

【請求項の数】9

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022183303

(22)【出願日】2022-11-16

(31)【優先権主張番号】P 2022033481

(32)【優先日】2022-03-04

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(71)【出願人】

【識別番号】000232483

【氏名又は名称】日本電波工業株式会社

(72)【発明者】

【氏名】波夛野 真

(72)【発明者】

【氏名】菊池 賢一

(72)【発明者】

【氏名】岩井 悠

(72)【発明者】

【氏名】島尾 憲治

(72)【発明者】

【氏名】渡邉 徹也

【テーマコード（参考）】

5J108

【Ｆターム（参考）】

5J108BB02

5J108KK01

5J108MM08

5J108MM11

(57)【要約】

【課題】ハンドリング及び搬送時に生じる割れを軽減することができ、生産性を向上させることができる水晶ウェハ及び水晶振動子の製造方法を提供する。
【解決手段】
水晶ウェハ１０は、外周部２０の一部又は全部に双晶化領域２１を具える。双晶化領域は水晶ウェハの外周から中心に向かって少なくとも２ｍｍの領域であり、この領域の８０％以上が双晶化されている。双晶化領域を具えた水晶ウェハにマトリクス状に多数の水晶振動子の外形形成用の耐エッチングマスク１３を形成し、この水晶ウェハを、フッ酸を主とするエッチング液中に浸漬して当該外形を形成する。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

多数の水晶振動子をマトリクス状に形成するための水晶ウェハにおいて、
水晶ウェハの外周部の一部又は全部に双晶化領域を具えることを特徴とする水晶ウェハ。

【請求項2】

前記水晶ウェハの外周部の一部が、当該水晶ウェハをウェットエッチングする際の耐エッチング膜の成膜時に用いる固定治具によって前記耐エッチング膜を成膜できない領域であることを特徴とする請求項１に記載の水晶ウェハ。

【請求項3】

前記双晶化領域は水晶ウェハの外周から中心に向かって少なくとも２ｍｍの幅を有した領域であることを特徴とする請求項１又は２に記載の水晶ウェハ。

【請求項4】

前記双晶化領域は水晶ウェハの外周から中心に向かって直径の２％～１２％の幅を有した領域であることを特徴とする請求項１又は２に記載の水晶ウェハ。

【請求項5】

前記双晶化領域内の双晶化率が８０％以上であることを特徴とする請求項１又は２に記載の水晶ウェハ。

【請求項6】

前記多数の水晶振動子を連結するための桟を具え、前記桟の一部又は全部が双晶化領域であることを特徴とする請求項１に記載の水晶ウェハ。

【請求項7】

前記多数の水晶振動子及び前記桟を連結している連結部を具え、前記連結部が双晶化領域であることを特徴とする請求項６に記載の水晶ウェハ。

【請求項8】

水晶ウェハにマトリクス状に多数の水晶振動子の外形を、フォトリソグラフィ技術及びフッ酸を主とするエッチング液を用いて形成する水晶振動子の製造方法において、
前記水晶ウェハの少なくとも外周部の一部又は全部に双晶化領域を形成する工程と、
前記双晶化領域を形成した水晶ウェハを、前記エッチング液に浸漬して前記外形を形成する工程と、
を含むことを特徴とする水晶振動子の製造方法。

【請求項9】

外周部の前記一部は、前記水晶振動子の外形形成のために水晶ウェハの表裏に前記エッチング液に対する保護膜を製膜するに当たり、水晶ウェハの一部分が前記成膜用の治具やレジスト被着用の治具で保持されてしまって、金属膜やレジストが形成されない領域であること、を特徴とする請求項８に記載の水晶振動子の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、ハンドリング及び搬送時の割れが生じにくい水晶ウェハ及び水晶振動子の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、電子機器の小型化及び通信周波数の高周波化に伴い、水晶振動子もより小型で薄いものが要求されており、機械加工式の製造方法では水晶振動子の製造が困難になっている。そのため、フォトリソグラフィ技術及びウェットエッチング技術により、水晶ウェハに多数の水晶振動子をマトリクス状に形成し、各水晶振動子を水晶ウェハから折り取って個片化する方法が用いられている。従って、フォトリソグラフィ工程や個片化する工程では、水晶ウェハのハンドリングや搬送が度々行われる。

【0003】

ウェットエッチング工程では、典型的には、フッ酸を主とするエッチング液が使用されている。また、特許文献１に、ＡＴカット（振動領域）に対して双晶となるＢＴカット（非振動領域）は、エッチング速度が２／７程度であることが開示されている（特許文献１の課題を解決するための手段など）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２００３－６９３７４

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

ところで、水晶ウェハをウェットエッチングする際、エッチング加工を行いたくない箇所、具体的には水晶ウェハの外周部すなわち外枠部や、水晶ウェハ内の各水晶振動子を支持する桟等の箇所に、Ａｕなどのメタル膜やレジスト膜を成膜し、外枠部や桟をエッチング液から保護することが行われる。しかし、メタル膜やレジスト膜の成膜を行う際、水晶ウェハの例えば外周部の一部を治具で保持する必要があるため、この部分はメタル膜やレジスト膜を付着できないので、メタル膜やレジスト膜で保護できない。そのため、水晶ウェハの外周部の一部に意図しないエッチングが生じてしまう。従って、例えば、以下に図１６を参照して説明する問題が生じる。
図１６の（Ａ）は、従来の水晶ウェハ１７０の平面図である。また、図１６の（Ｂ）は、従来の水晶ウェハ１７０に割れ１９０が生じた一例の平面図である。
従来の水晶ウェハ１７０では、図１６の（Ａ）のように、ウェットエッチング工程の際に、水晶ウェハ１７０の外周部が意図しない状態にエッチングされ、凹凸１８０が発生してしまうことがある。この凹凸１８０は、水晶ウェハのハンドリング及び搬送時に水晶ウェハに加わる力によって、図１６の（Ｂ）図のような、割れ１９０を生じさせる原因となる。

【0006】

この発明は上記の点に鑑みなされたものであり、従って、この出願の目的は、多数の水晶振動子をマトリクス状に形成するための水晶ウェハにおいて、外周部に凹凸が発生することを防止し、これにより、ハンドリング及び搬送時に生じる割れを軽減することができる、新規な構造を有した水晶ウェハ及び水晶振動子の製造方法を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0007】

この目的の達成を図るため、この出願の水晶ウェハの発明によれば、多数の水晶振動子をマトリクス状に形成するための水晶ウェハにおいて、水晶ウェハの外周部の一部又は全部に双晶化領域を具えたことを特徴とする。

【0008】

また、この出願の他の発明である水晶振動子の製造方法によれば、水晶ウェハにマトリクス状に多数の水晶振動子の外形を、フォトリソグラフィ技術及びフッ酸を主とするエッチング液を用いて形成する水晶振動子の製造方法において、前記水晶ウェハの少なくとも外周部の一部又は全部に双晶化領域を形成する工程と、前記双晶化領域を形成した水晶ウェハを、前記エッチング液に浸漬して前記外形を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
ここで、上記した各発明において、双晶化領域とは、第１の結晶中に他の結晶が入り込んだ領域、いわゆる貫入双晶の領域である。すなわち、水晶ウェハが右水晶を用いたものである場合は、双晶化領域は左水晶の領域であり、その逆に、水晶ウェハが左水晶を用いたものである場合は、双晶化領域は右水晶の領域である。さらに具体例で言えば、水晶ウェハがＡＴカットの水晶ウェハの場合は、ＢＴカット相当に近いカット領域となっている領域である。

【発明の効果】

【0009】

この発明の水晶ウェハによれば、水晶ウェハの外周部に双晶化領域を備えるため、ウェットエッチング工程の際に外周部が、水晶ウェハの主面に垂直の方向から意図しない状態にエッチングされることを防止（低減）できるので、水晶ウェハの外周部に凹凸が発生することを軽減できる。従って、水晶ウェハのハンドリング及び搬送時に生じる割れを軽減することができるため、水晶振動子製造時の破損不良の低減等、生産性を向上させることができる。また、エッチングを行いたくない箇所にメタル膜やレジスト膜を成膜する時に、固定治具の影響で前記外周部に保護できない領域が発生しても、当該外周部に前記双晶化領域を設けておけば、意図しない状態にエッチングされることを防止又は軽減することができる。そのため、水晶振動子製造時の破損不良の低減等、生産性を向上させることができると共に、固定治具による影響を考慮する必要が無く、従って、固定治具の形状の自由度を向上させることができる。
また、この発明の水晶振動子の製造方法によれば、フッ酸を主とするエッチング液を用いる工程の前に、水晶ウェハの所定部分に双晶化領域を形成し、その後、当該エッチング液による加工をするので、ウェットエッチング工程の際に外周部が意図しない状態にエッチングされることを防止できる。従って、水晶ウェハのハンドリング及び搬送時に生じる割れを軽減できるので、水晶振動子を、生産性良く製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】第１実施形態の水晶ウェハの平面図である。

【図2】第１実施形態の水晶ウェハの一例の平面図である。

【図3】第１実施形態の水晶ウェハの一例の平面図である。

【図4】第１実施形態の水晶ウェハの一例の平面図である。

【図5】第１実施形態の水晶ウェハの一例の平面図である。

【図6】第２実施形態の水晶ウェハの平面図である。

【図7】第３実施形態の水晶ウェハの平面図である。

【図8】本発明の水晶振動子の製造方法の実施形態を説明する説明図である。

【図9】図８に続く製法例の説明図である。

【図10】図９に続く製法例の説明図である。

【図11】図１０に続く製法例の説明図である。

【図12】図１１に続く製法例の説明図である。

【図13】図１２に続く製法例の説明図である。

【図14】図１３に続く製法例の説明図である。

【図15】図１４に続く製法例の説明図である。

【図16】図１６の（Ａ）図は、従来の水晶ウェハの平面図である。図１６の（Ｂ）図は、従来のウェハに割れが生じた一例の平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0011】

以下、図面を参照してこの発明の水晶ウェハおよび水晶振動子の製造方法の実施形態についてそれぞれ説明する。なお、説明に用いる各図はこれらの発明を理解できる程度に概略的に示してあるにすぎない。また、説明に用いる各図において、同様な構成成分については同一の番号を付して示し、その説明を省略する場合もある。また、以下の説明で述べる形状、材質等はこの発明の範囲内の好適例に過ぎない。従って、本発明は以下の実施形態のみに限定されるものではない。

【0012】

１．水晶ウェハの構成
図１は、第１実施形態の水晶ウェハ１０の平面図である。この実施形態の場合、水晶ウェハ１０は平面形状が円形で、水晶原石からの切断（カット）の種類がＡＴカットのものである。ただし平面形状は、円形に限られず、角型でもよく、また切断カットはＡＴカットに限られず、Ｚカット又はＳＣカット等の２回転カット等、他のカットのものでもよい。
第１実施形態の水晶ウェハ１０は、水晶振動子の形成予定領域ではない、フレーム形成予定領域２０を具えている。フレーム形成予定領域２０は、典型的には、外枠２０ａと、各水晶振動子が連結している桟２０ｂと、で構成される領域である。この実施形態では、外枠２０ａを外周部と呼ぶ。
図１に示した例は、外周部２０ａの全域を、双晶化領域２１とした例である。外周部２０ａを双晶化することにより、フッ酸を主とするウェットエッチングを行っても、水晶ウェハ１０の外周部２０ａが意図しない状態にエッチングされることを防止することができ、水晶ウェハ１０の外周部２０ａに凹凸が生じる程度を軽減できる。そのため、水晶ウェハ１０のハンドリング及び搬送時に生じる割れを軽減することができる。

【0013】

水晶ウェハ１０の外周部２０ａを双晶化する際、理想的には、図１に示すように、水晶ウェハ１０の外周部全部が双晶化されていることが望ましいが、図２及び図３に示すように、外周部２０ａの全領域の一部が双晶化されない、非双晶化領域３０が生じる場合も本発明の形態である。この場合でも、水晶ウェハのハンドリング及び搬送時に生じる割れを軽減する効果が得られる。また、外周部２０ａにおいて、ウェハ厚み方向の一部に非双晶化領域３０が生じた場合でも、同様に前記効果を得ることができる。また、図４に示すように、水晶ウェハ１０の最外周部から中心の方向に非双晶化領域３０が生じてしまい、外周部の双晶化領域が途切れてしまった場合は、途切れていない場合に比べて、水晶ウェハの破損不良の可能性が高くなる可能性があるが、その場合もそれ以外の箇所に存在する双晶化領域の効果により、水晶ウェハの破損のおそれを低減できる。

【0014】

また、図５（Ａ）に示すように、水晶ウェハ１０の外周部２０ａの互いに離れた一部領域２０ａａに双晶化領域２１をそれぞれ設ける場合も本発明の形態である。この形態の具体的例としては、例えば、水晶ウェハに保護膜としての金属膜を成膜する場合や、レジストを被着する場合に、水晶ウェハの一部分が金属膜成膜用の治具やレジスト被着用の治具で保持されてしまって、金属膜やレジストが形成されない領域である。この図５（Ａ）の例の場合、水晶ウェハの保護膜で覆われないために意図しないエッチングが起きる確率が極めて高い領域のみを双晶領域とするため、外周部２０ａ全域を双晶化する場合に比べ、双晶化処理の時間が短縮できる。然も、本発明の効果を得ることが出来る。なお、図５（Ａ）の例では、一部領域２０ａａは水晶ウェハのオリエーテンションフラット付近に２つ設けた例であるが、一部領域２０ａａの位置や個数は、図５（ａ）の例に限られず、目的に応じた適正なものに変更できる。一部領域２０ａａの個数が１つの場合があっても勿論良い。

【0015】

なお、外周部２０ａの一部領域２０ａａを双晶化領域２１とする場合においても、例えば図５（Ｂ）に示すように、水晶ウェハの縁部が非双晶化領域３０となってしまう場合がある。そして、このような水晶ウェハをフッ酸系のウェットエッチング液に所定時間浸漬したものでは、縁部は非双晶化領域３０であるため、双晶化領域に比べてエッチングされる。図５（Ｃ）はその様子を示した観察結果である。すなわち、図５（Ｃ）は、エッチング後の水晶ウェハの、図５（Ｂ）のＡ－Ｂ線に沿った断面の観察結果である。図５（Ｃ）において、横軸はＡ―Ｂ線に沿う走査距離（単位：ｍｍ）であり、縦軸は該当領域でのエッチングによって生じた高さの変化（単位：μｍ）である。図５（Ｃ）において、双晶化領域２０ａａ（２１）は、エッチング後においても高さの変化はないのに対し、水晶ウェハの縁部の非双晶化領域３０はエッチングがされたことによって高さが減じていることが分かる。しかし、水晶ウェハの縁部がエッチングされても、その近接領域に双晶領域があるため、水晶ウェハの直径方向の中心側にエッチング起因の凹凸が生じる程度は、低減できる。

【0016】

すなわち、図５に示した形態では、エッチングを行いたくない箇所には、メタル膜やレジスト膜が存在し、一方、意図しない状態にエッチングされる恐れが高い箇所、例えばメタル膜やレジスト膜等の保護膜を成膜する際の治具等が原因でメタル膜やレジスト膜等の保護膜を形成できない箇所に、双晶化領域が存在するので、双晶化領域の効果により、水晶ウェハの縁から凹凸が生じることを低減できる。

【0017】

なお、図５（Ｂ）のように、水晶ウェハの縁に非双晶化領域３０が生じてしまう場合であっても、それが大きすぎては本発明の効果は低下するので、水晶ウェハの縁に非双晶化領域３０が生じてしまう場合は、非双晶化領域３０の水晶ウェハの縁からの中心に向かう幅（奥行寸法）ｈ１は２ｍｍ以内、好ましくは１ｍｍ以内、より好ましくは０．５ｍｍ以内が良い。そして、双晶化領域２１自体の水晶ウェハの縁からの中心に向かう幅（奥行寸法）ｈ２やそれと直交する方向の寸法Ｗ１，Ｗ２は、メタル膜やレジスト膜等の保護膜を成膜する際の治具の大きさを考慮して決めればよい。ただし、Ｗ１とＷ２は、互いに同じでも異なっても良い。これに限られないが、上記寸法ｈ２、Ｗ１，Ｗ２各々は、例えば少なくとも２ｍｍであるのが良い。水晶ウェハが、例えば、直径４インチの円形の水晶ウェハの場合、外周から中心に向かっての双晶化領域のｈ２は、例えば２ｍｍ以上、１２．５ｍｍ以下であることが好ましい。より好ましくは、ｈ２は、例えば３ｍｍ以上、１２．５ｍｍ以下であることが良い。これは、４インチウェハの直径に対する比率で表すと、２／１０１．６≒０．０２以上、１２．５／１０１．６≒０．２１３以下であるので、２％以上、１２％以下である。また、Ｗ１，Ｗ２は３ｍｍ以上、１６ｍｍ以下が良く、より好ましくは４ｍｍ以上１６ｍｍ以下良い。これは、上記した通り双晶化領域が狭すぎる場合、意図しない状態にエッチングされることを防止する効果が十分に得られなくなるので、水晶ウェハのハンドリング及び搬送時に生じる割れを軽減することができなくなるからである。一方、双晶化領域が広すぎる場合、水晶振動子の形成予定領域が狭くなってしまい、水晶振動子の生産性が損なわれてしまうからである。

【0018】

また、双晶化領域の範囲において、双晶化率は、これに限られないが、８０％以上が好ましい。これは、図３に示すように、水晶ウェハの外周部の一部が双晶化されない非双晶化領域３０が生じる場合があり、双晶化領域が少なくなってしまうと、意図しない状態にエッチングされることを防止する効果が十分に得られなくなり、水晶ウェハのハンドリング及び搬送時に生じる割れを軽減することができなくなってしまうからである。

【0019】

図６は、第２実施形態の水晶ウェハ４０の平面図である。第２実施形態の水晶ウェハ４０は、外周部に双晶化領域５０を具え、かつ、各水晶振動子６０が連結している桟の一部又は全部に双晶化領域７０を具えている。前記桟の一部又は全部を双晶化することで、各水晶振動子の連結部分が意図しない状態にエッチングされることを防止し、強度を維持することができ、各水晶振動子の連結部分に割れが生じることを軽減することができる。

【0020】

図７は、第３実施形態の水晶ウェハ８０の平面図である。第３実施形態の水晶ウェハ８０は、外周部に双晶化領域９０を具え、かつ、各水晶振動子１００が桟と連結している連結部のみに双晶化領域１１０を具えている。前記連結部のみを双晶化する場合であっても、第２実施形態同様に、各水晶振動子の連結部分の意図しないエッチングを防止し、各水晶振動子の連結部分に割れが生じることを軽減することができる。

【0021】

２．水晶振動子の製造方法
次に、図８～図１５を参照して、本発明の水晶振動子の製造方法の実施形態について説明する。本発明の製造方法は、フォトリソグラフィ技術およびウェットエッチング技術を用いた製造方法であって、双晶化という特殊工程を含むものである。そのため、図９～図１５では、水晶ウェハの平面図と、その一部分Ｑを拡大した平面図を示してある。さらに、図９～図１５中の一部の図面では、水晶ウェハの一部分ＱのＲ－Ｒ線に沿う断面図も併用している。

【0022】

この製法方法では、先ず、図８に示すように、水晶ウェハ１１を用意し、水晶ウェハ１１を、例えばレーザー１２０で局所的に加熱し、外周部の一部又は全部を双晶化させる。なお、双晶化の手段はレーザーによる局所的加熱に限られず、スポットヒータ等の他の手段であってもよい。また、この製造方法の実施形態の場合、図１に示した水晶ウェハを意識しているため、水晶ウェハの外周部２０ａと桟２０ｂとを双晶化する例を示している。
その後、耐エッチングマスクを形成するための、メタル膜（図示しない）を水晶ウェハ１１に形成する。

【0023】

水晶ウェハ１１に形成したメタル膜を、図９に示すように、周知のフォトリソ技術により加工して、この水晶ウェハ１１の表裏両面に、水晶片１２の外形を形成するための耐エッチング性マスク１３を形成する。
この実施形態の場合の耐エッチング性マスク１３は、水晶片１２の外形に対応する部分、各水晶片を保持する桟部分及び水晶片と桟部分とを連結する部分（図９中の連結部１４）で構成したものとしてある。また、耐エッチング性マスク１３は、水晶ウェハ１１の表裏で対向するように形成してある。

【0024】

次に、耐エッチング性マスク１３の形成が済んだ水晶ウェハ１１を、フッ酸を主とするエッチング液中に所定の時間浸漬する。この処理により、水晶ウェハ１１の耐エッチング性マスク１３で覆われていない部分が溶解されて、図１０に示すように、水晶片の大まかな外形が得られる。水晶ウェハ１１は外周部及び桟を双晶化しているため、水晶片の外形を形成するエッチング工程の際に、外周部及び桟が意図しない状態にエッチングされることを防止することができる。

【0025】

次に、水晶ウェハ１１から耐エッチング性マスク１３を除去する。この際、本発明の製造方法では、図１１に示すように、耐エッチング性マスク１３の水晶片１２に相当する部分のみを除去し、桟や連結部に相当する部分は残している。これは、桟や連結部の強度を維持するためである。もちろん設計によっては、桟及び連結部に相当する部分の、各々の一部又は全部の耐エッチングマスクを除去しても良い。

【0026】

次に、この水晶ウェハ１１を、フッ酸を主とするエッチング液中に、再度、所定の時間浸漬する。ここで、所定の時間とは、水晶片１２の形成予定領域の厚みが、要求される発振周波数の仕様を満たすことができる厚さになるまでの時間である。図１２（Ｂ）では、前記厚さを得た水晶片を示している。水晶ウェハ１１は外周部及び桟を双晶化しているため、外周部及び桟が意図しない状態にエッチングされることを防止することができる。
なお、この実施形態では、水晶片１２の形成予定領域の厚みを薄くするエッチング工程を設けているが、水晶ウェハ自体が最初から所定の発振周波数を得ることができる厚みのものとなっている場合は、この工程は不要である。

【0027】

次に、上記のエッチングが終了した水晶ウェハ１１から、図１３に示すように、耐エッチング性マスク１３を除去して、水晶面を露出する。その後、この水晶ウェハ１１全面に、周知の成膜方法により、水晶振動子の励振電極および引出電極形成用の金属膜（図示しない）を形成する。

【0028】

次に、この金属膜を、図１４に示すように、周知のフォトリソグラフィ技術およびメタルエッチング技術により、電極形状にパターニングして、水晶ウェハ１１に励振電極１５ａおよび引出電極１５ｂを形成する。これにより、水晶片１２、励振電極１５ａおよび引出電極１５ｂを具える水晶振動子１６を得ることができる。

【0029】

なお、一般には、水晶振動子１６を好適な容器に実装した構造物を水晶振動子と称することが多い。その典型的な例を、図１５を用いて以下に説明する。なお、図１５は、水晶振動子１６を容器１４０に実装する手順を、平面図およびそのＳ－Ｓ線に沿う断面図によって示したものである。

【0030】

図１４に示した状態では、水晶振動子１６は、水晶ウェハ１１に連結部１４を介して結合している状態である。そこで、先ず、連結部１４に適当な外力を加えて、水晶振動子１６を水晶ウェハ１１から分離し、図１５の（Ａ）図に示すように個片化する。
一方、容器として、例えば、周知のセラミックパッケージ１４０（以下、パッケージ１４０とも言う）を用意する。この場合のパッケージ１４０は、図１５の（Ｂ）及び（Ｃ）図に示すように、水晶振動子１７を収納する凹部１４０ａと、その凹部１４０ａの底面に設けた、水晶振動子固定用のバンプ１４０ｂと、パッケージ１４０の裏面に設けた実装端子１４０ｃとを具えている。バンプ１４０ｂと実装端子１４０ｃとはビア配線（図示せず）により電気的に接続してある。

【0031】

このパッケージ１４０の凹部１４０ａ内に、図１５の（Ｄ）図に示すように、水晶振動子１７を実装する。詳細には、図１５の（Ｅ）図に示すように、バンプ１４０ｂ上に導電性接着剤１５０を塗布し、この導電性接着剤１５０により、バンプ１４０ｂに水晶振動子１７を引出電極１５ｂの箇所で固定する。
その後、水晶片１２の発振周波数調整を周知の方法により所定値に調整し、次に、パッケージ１４０の凹部１４０ａ内を適度な真空又は不活性ガス雰囲気等にした後、蓋１６０により凹部１４０ａを周知の方法により封止する。
このようにしてパッケージ１４０に水晶振動子１７が収納された構造の、水晶振動子が得られる。

【0032】

なお、上記製造方法の実施形態では、水晶ウェハの外周部２０ａと桟２０ｂとを双晶化する例を説明したが、図５を用いて説明したように、水晶ウェハ１０の外周部２０ａの互いに離れた一部領域２０ａａに双晶化領域２１をそれぞれ設ける場合も本出願の製造方法の発明の形態である。この形態の具体的例としては、例えば、水晶ウェハに保護膜としての金属膜を成膜する場合や、レジストを被着する場合に、水晶ウェハの一部分が金属膜成膜用の治具やレジスト被着用の治具で保持されてしまって、金属膜やレジストが形成されない領域である。水晶ウェハ１０の外周部２０ａの上記治具等で覆われてしまう一部領域２０ａａに双晶化領域２１をそれぞれ設ける場合、外周部２０ａ全域を双晶化する場合に比べ、双晶化処理の時間が短縮できるので、製造スループットの観点で、好ましい。

【符号の説明】

【0033】

１０：第１実施形態の水晶ウェハ １１：水晶ウェハ
１２：水晶片 １３：耐エッチングマスク
１４：連結部 １５ａ：励振電極
１５ｂ：引出電極 １６：水晶振動子
２０：フレーム形成予定領域 ２０ａ：外枠
２０ｂ：桟 ２１：双晶化領域
３０：非双晶化領域 ４０：第２実施形態の水晶ウェハ
５０：双晶化領域 ６０：水晶振動子
７０：双晶化領域 ８０：第３実施形態の水晶ウェハ
９０：双晶化領域 １００：水晶片
１１０：双晶化領域 １２０：熱源
１３０：レーザー １４０：セラミックパッケージ
１４０ａ：凹部 １４０ｂ：バンプ
１４０ｃ：実装端子 １５０：導電性接着剤
１６０：蓋 １７０：従来の水晶ウェハ
１８０：凹凸 １９０：割れ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】