特開 2023-129783 基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023129783

(43)【公開日】2023-09-20

(54)【発明の名称】基板

(51)【国際特許分類】

   G01R 27/28 20060101AFI20230912BHJP

   H01P 5/08 20060101ALI20230912BHJP

【ＦＩ】

G01R27/28 Z

H01P5/08 Z

【審査請求】未請求

【請求項の数】6

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022034040

(22)【出願日】2022-03-07

(71)【出願人】

【識別番号】000116024

【氏名又は名称】ローム株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001933

【氏名又は名称】弁理士法人 佐野特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】浜地 健次

【テーマコード（参考）】

2G028

【Ｆターム（参考）】

2G028AA01

2G028CG20

2G028FK09

2G028HN09

2G028MS02

(57)【要約】

【課題】ＤＵＴの周波数特性測定の正確性向上に資する基板を提供する。
【解決手段】基板（ＳＵＢ１０）は、第１面（ＳＦ１）を有する第１基板と、前記第１基板の厚さ方向から見て、前記第１面よりも面積が小さい第２面（ＳＦ２）と、前記第１面よりも面積が小さく前記第２面に対向する第３面（ＳＦ３）と、を有する第２基板と、を備える。前記第１基板は、前記第１面上に形成された第１信号ライン（Ｌ１）及び第２信号ライン（Ｌ２）を有する。前記第２基板は、前記第２面上に形成され、前記第１信号ラインに接触可能な第１導電部（Ｃ１）と、前記第２信号ラインに接触可能な第２導電部（Ｃ２）と、前記第３面上に形成された第３導電部（Ｃ３）及び第４導電部（Ｃ４）と、前記第１導電部と前記第３導電部とを導通させる第１導通部（Ｃ１１）と、前記第２導電部と前記第４導電部とを導通させる第２導通部（Ｃ１２）と、を有する。
【選択図】図８

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１面を有する第１基板と、
前記第１基板の厚さ方向から見て、前記第１面よりも面積が小さい第２面と、前記第１面よりも面積が小さく前記第２面に対向する第３面と、を有する第２基板と、
を備え、
前記第１基板は、前記第１面上に形成された第１信号ライン及び第２信号ラインを有し、
前記第２基板は、前記第２面上に形成され、前記第１信号ラインに接触可能な第１導電部と、前記第２信号ラインに接触可能な第２導電部と、前記第３面上に形成された第３導電部及び第４導電部と、前記第１導電部と前記第３導電部とを導通させる第１導通部と、前記第２導電部と前記第４導電部とを導通させる第２導通部と、を有する、基板。

【請求項2】

前記第２基板は、前記第２面から突出する第１突起、第２突起、及び第３突起を有し、
前記第１突起は前記第１導電部であり、
前記第２突起は前記第２導電部である、請求項１に記載の基板。

【請求項3】

前記第３突起は導電部材であり、
前記第２基板は、前記第３面上に形成される第５導電部と、前記第３突起と前記第５導電部とを導通させる第３導通部と、をさらに有する、請求項２に記載の基板。

【請求項4】

前記第１基板は、前記第１面上に形成されるグランドパターンをさらに有し、
前記第３突起は、前記グランドパターンに接触可能である、請求項３に記載の基板。

【請求項5】

前記第１基板は、前記第１面から凹む凹部を有し、
前記第１信号ライン及び前記第２信号ラインは、前記第１面及び前記凹部に形成される、請求項１～４のいずれか一項に記載の基板。

【請求項6】

前記第１基板は、前記第１面から突出する凸部を有する、請求項１～４のいずれか一項に記載の基板。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本明細書中に開示されている発明は、基板に関する。

【背景技術】

【0002】

ＤＵＴの周波数特性は、ベクトル・ネットワークアナライザ等の周波数特性測定装置によって測定される。従来の一般的な測定手法では、まずはケーブル端面で非特許文献１に記載されているＳＯＬＴ（Short-Open-Load-Thru）校正が実施される。そして、ＤＵＴの代わりにShortさせた基板、ＤＵＴの代わりにOpenにした基板、ＤＵＴの代わりに負荷（Load）が実装された基板、ＤＵＴが実装されたサンプル基板からＤＵＴが実装された部分を除去したThru基板を順次ケーブル間に取り付けて、ＳＯＬＴ校正が実施される。その後、ＤＵＴが実装されたサンプル基板のＳパラメータの測定結果から、ＤＵＴのみのＳパラメータが抽出される。これにより、純粋なＤＵＴの周波数特性を得ることができる。

【先行技術文献】

【非特許文献】

【0003】

【非特許文献1】市川古都美、市川裕一著，「高周波回路設計のためのＳパラメータ詳解」，第5版，ＣＱ出版社，2020年1月1日，p.14-143

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、上述した従来の一般的な測定手法は、４種類の校正用基板を必要とするので、校正用基板に多大なコストがかかるともに、校正作業に時間がかかるという課題を有する。

【0005】

また、ＤＵＴの周波数特性測定において複数の基板を用いる場合、基板の個体差が測定の誤差要因になる。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本明細書中に開示されている基板は、第１面を有する第１基板と、前記第１基板の厚さ方向から見て、前記第１面よりも面積が小さい第２面と、前記第１面よりも面積が小さく前記第２面に対向する第３面と、を有する第２基板と、を備える。前記第１基板は、前記第１面上に形成された第１信号ライン及び第２信号ラインを有する。前記第２基板は、前記第２面上に形成され、前記第１信号ラインに接触可能な第１導電部と、前記第２信号ラインに接触可能な第２導電部と、前記第３面上に形成された第３導電部及び第４導電部と、前記第１導電部と前記第３導電部とを導通させる第１導通部と、前記第２導電部と前記第４導電部とを導通させる第２導通部と、を有する。

【発明の効果】

【0007】

本明細書中に開示されている発明によれば、ＤＵＴの周波数特性測定の正確性向上に資する基板を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】図１は、一実施形態に係る周波数特性測定装置の概略構成を示すブロック図である。

【図2】図２は、第１測定基板の概略構造を示す模式図である。

【図3】図３は、第２測定基板の概略構造を示す模式図である。

【図4】図４は、抽出部の動作例を示すフローチャートである。

【図5】図５は、第１フィクスチャのＳパラメータを模式的に示す図である。

【図6】図６は、第２フィクスチャのＳパラメータを模式的に示す図である。

【図7】図７は、第２測定基板のＳパラメータを模式的に示す図である。

【図8】図８は、基板の斜視図である。

【図9】図９は、第１基板の斜視図である。

【図10】図１０は、第２基板の一例を示す図である。

【図11】図１１は、ＤＵＴの第２基板への実装例を示す図である。

【図12】図１２は、ＤＵＴの第２基板への他の実装例を示す図である。

【図13】図１３は、第２基板の他の例を示す図である。

【図14】図１４は、第２基板の更に他の例を示す図である。

【図15】図１５は、第２基板の変形例を示す図である。

【図16】図１６は、第１基板の変形例を示す図である。

【図17】図１７は、第１基板の他の変形例を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

図１は、一実施形態に係る周波数特定測定装置の概略構成を示すブロック図である。図１に示す一実施形態に係る周波数特性測定装置１０（以下、「周波数特性測定装置１０」と略す）は、ベクトル・ネットワークアナライザである。

【0010】

周波数特性測定装置１０は、第１ポート１と、第２ポート２と、校正部３と、測定部４と、抽出部５と、を備える。

【0011】

第１ポート１は、第１同軸ケーブルＣＸ１の一端Ｅ１１が接続可能に構成される。第２ポート２は、第２同軸ケーブルＣＸ２の一端Ｅ２１が接続可能に構成される。

【0012】

校正部３は、ケーブル端面でＳＯＬＴ校正を行うように構成される。具体的には、第１ポート１に第１同軸ケーブルＣＸ１の一端Ｅ１１が接続され、第２ポート２に第２同軸ケーブルＣＸ２の一端Ｅ２１が接続された状態で、校正部３は、第１同軸ケーブルＣＸ１の他端Ｅ１２の端面及び第２同軸ケーブルＣＸ２の他端Ｅ２２の端面それぞれでＳＯＬＴ校正を行うように構成される。ケーブル端面におけるＳＯＬＴ校正は、例えば非特許文献１等に開示されている周知技術であるため、ここでは詳細な説明を省略する。校正部３は、校正結果を測定部４に提供する。

【0013】

測定部４は、Ｓパラメータを測定する。測定部４は、第１測定部としても機能し、第２測定部としても機能する。

【0014】

第１測定部は、校正部３によるＳＯＬＴ校正の後、ＤＵＴが実装された第１測定基板ＳＵＢ１（図２参照）のＳパラメータを測定するように構成される。つまり、第１測定部が測定を実行するときには、第１測定基板ＳＵＢ１が第１同軸ケーブルＣＸ１及び第２同軸ケーブルＣＸ２を介して周波数特性測定装置１０に接続される。

【0015】

第２測定部は、校正部３によるＳＯＬＴ校正の後、第１測定基板ＳＵＢ１からＤＵＴが実装された部分を除去した構造である第２測定基板ＳＵＢ２（図３参照）のＳパラメータを測定するように構成される。つまり、第２測定部が測定を実行するときには、第２測定基板ＳＵＢ２が第１同軸ケーブルＣＸ１及び第２同軸ケーブルＣＸ２を介して周波数特性測定装置１０に接続される。

【0016】

図２は第１測定基板ＳＵＢ１の概略構造を示す模式図である。図３は第２測定基板ＳＵＢ２の概略構造を示す模式図である。第１測定基板ＳＵＢ１は、ＤＵＴが実装された部分Ｐ１と、第１フィクスチャＰ２と、第２フィクスチャＰ３と、を有する。第２測定基板ＳＵＢ２は、第１フィクスチャＰ２と、第２フィクスチャＰ３と、を有する。第２測定基板ＳＵＢ２において、第１フィクスチャＰ２及び第２フィクスチャＰ３は、第２測定基板ＳＵＢ２を仮想的に中央で２分割して得ることができる。

【0017】

第１フィクスチャＰ２は、第１同軸ケーブルＣＸ１の他端Ｅ１２に接続可能な第１コネクタＣＮ１を有する。第１コネクタＣＮ１は、第１フィクスチャＰ２の左端部に設けられる。第２フィクスチャＰ３は、第２同軸ケーブルＣＸ１の他端Ｅ２２に接続可能な第２コネクタＣＮ２を有する。第２コネクタＣＮ２は、第２フィクスチャＰ３の右端部に設けられる。なお、第１フィクスチャＰ２と第２フィクスチャＰ３とは互いに左右対称の構造である。しかしながら、第１フィクスチャＰ２と第２フィクスチャＰ３とは互いに完全に左右対称の構造でなく、若干の製造ばらつきを有していてもよい。

【0018】

抽出部５は、第１測定部の測定結果及び第２測定部の測定結果をベクトル演算することによって、ＤＵＴのＳパラメータを抽出するように構成される。抽出部５の抽出結果は、例えば周波数特性測定装置１０に対して装脱着可能な可搬型記憶媒体に記憶してもよく、周波数特性測定装置１０に設けられる表示部に表示してもよく、周波数特性測定装置１０の外部に通信によって出力してもよい。

【0019】

抽出部５は、例えばマイクロコンピュータ等のコンピュータに、第１測定部の測定結果及び前記第２測定部の測定結果を処理するためのコンピュータプログラムをインストールし、当該コンピュータプログラムを実行することによって実現することができる。本実施形態では、抽出部５は周波数特性測定装置１０に内蔵されているが、周波数特性測定装置１０の外部に設けられるコンピュータを抽出部５として機能させてもよい。

【0020】

図４は、抽出部５の動作例を示すフローチャートである。抽出部５は、まず始めに第１測定部の測定結果を取得する（ステップＳ１０）。次に、抽出部５は、第２測定部の測定結果を取得する（ステップＳ２０）。なお、本実施形態とは異なり、ステップＳ２０を先に実行し、その後ステップＳ１０を実行してもよく、ステップＳ１０及びステップＳ２０を並行して実行してもよい。

【0021】

第１測定部の測定結果及び第２測定部の測定結果を取得した後、抽出部５は、第１測定部の測定結果及び第２測定部の測定結果をベクトル演算することによって、ＤＵＴのＳパラメータを抽出し（ステップＳ３０）、フロー動作を終了する。

【0022】

次に、ステップＳ３０の処理の詳細について説明する。図５は第１フィクスチャＰ２のＳパラメータを模式的に示す図である。図６は第２フィクスチャＰ３のＳパラメータを模式的に示す図である。図７は第２測定基板ＳＵＢ２のＳパラメータを模式的に示す図である。

【0023】

第１フィクスチャＰ２と第２フィクスチャＰ３との左右対称性から、抽出部５は、Ｓ２１Ａ＝Ｓ１２Ｂ、Ｓ１２Ａ＝Ｓ２１Ｂとする。また、抽出部５は、第１フィクスチャＰ２及び第２フィクスチャＰ３それぞれの第２測定基板端面での反射を、第２測定基板ＳＵＢ２の端面での反射以下とみなし、第１フィクスチャＰ２及び第２フィクスチャＰ３それぞれの仮想分割面での反射を、第２測定基板ＳＵＢ２の端面での反射以下とみなさない。なお、「第１フィクスチャＰ２及び第２フィクスチャＰ３それぞれの第２測定基板端面での反射を、第２測定基板ＳＵＢ２の端面での反射以下とみなす」とは、測定範囲の周波数域において概ね又は完全に、第１フィクスチャＰ２及び第２フィクスチャＰ３それぞれの第２測定基板端面での反射を第２測定基板ＳＵＢ２の端面での反射以下とみなせればよい。すなわち、測定範囲の周波数域において、部分的に、第１フィクスチャＰ２及び第２フィクスチャＰ３それぞれの第２測定基板端面での反射が第２測定基板ＳＵＢ２の端面での反射より高くなる場合を排除するものではない。そして、抽出部５は、第２測定部の測定結果から第１フィクスチャＰ２のＳパラメータ及び第２フィクスチャＰ３のＳパラメータを求める。具体的には、第１フィクスチャＰ２のＳパラメータ及び第２フィクスチャＰ３のＳパラメータは以下のようになる。
（１）Ｓ１１Ａ（第１フィクスチャＰ２の第２測定基板端面での反射を示すＳパラメータ）の振幅は、測定範囲の全周波数域に渡って単一の第１固定値
（２）Ｓ１１Ａの位相は、測定範囲の全周波数域に渡ってゼロ
（３）Ｓ２２Ａ＝（Ｓ２２Ｃ－Ｓ１１Ａ）／Ｓ１２Ｃ
（４）Ｓ２１Ａ＝（１－Ｓ１１Ｂ^２×Ｓ２１Ｃ）^０．５
（５）Ｓ１２Ａ＝（１－Ｓ２２Ａ^２×Ｓ１２Ｃ）^０．５
（６）Ｓ１１Ｂ＝（Ｓ１１Ｃ－Ｓ１１Ａ）／Ｓ２１Ｃ
（７）Ｓ２２Ｂ（第２フィクスチャＰ３の第２測定基板端面での反射を示すＳパラメータ）の振幅は、測定範囲の全周波数域に渡って単一の第１固定値
（８）Ｓ２２Ｂの位相は、測定範囲の全周波数域に渡ってゼロ
（９）Ｓ２１Ｂ＝Ｓ１２Ａ
（１０）Ｓ１２Ｂ＝Ｓ２１Ａ

【0024】

抽出部５は、第１測定部の測定結果から、第１フィクスチャＰ２のＳパラメータ及び第２フィクスチャＰ３のＳパラメータをベクトル演算により差し引いて、ＤＵＴのみのＳパラメータを求める。

【0025】

周波数特性測定装置１０を用いた測定では、ＤＵＴの代わりにShortさせた基板、ＤＵＴの代わりにOpenにした基板、ＤＵＴの代わりに負荷（Load）が実装された基板が不要である。従って、周波数特性測定装置１０は、低コストで簡便にＤＵＴの周波数特性を測定することができる。

【0026】

第１フィクスチャＰ２のＳパラメータＳ１１Ａが低反射を示す値であるとすると、ＤＵＴが高透過特性を有する場合、第１測定基板ＳＵＢ１のＳパラメータＳ１１は第２フィクスチャＰ３のＳパラメータＳ１１Ｂでほぼ決まることになり、逆にＤＵＴが高反射特性を有する場合、第１測定基板ＳＵＢ１のＳパラメータＳ１１はＤＵＴのＳパラメータＳ１１でほぼ決まることになる。ＤＵＴが高透過特性である場合、ＤＵＴが高反射特性を有する場合という極端な２つの場合について説明したが、それ以外の場合でも、第１測定基板ＳＵＢ１のＳパラメータＳ１１は、第２フィクスチャＰ３のＳパラメータＳ１１ＢとＤＵＴのＳパラメータＳ１１とでほぼ決まることになる。

【0027】

同様に、第２フィクスチャＰ３のＳパラメータＳ２２Ｂが低反射を示す値であるとすると、ＤＵＴが高透過特性を有する場合、第１測定基板ＳＵＢ１のＳパラメータＳ２２は第１フィクスチャＰ２のＳパラメータＳ２２Ａでほぼ決まることになり、逆にＤＵＴが高反射特性を有する場合、第１測定基板ＳＵＢ１のＳパラメータＳ２２はＤＵＴのＳパラメータＳ２２でほぼ決まることになる。ＤＵＴが高透過特性である場合、ＤＵＴが高反射特性を有する場合という極端な２つの場合について説明したが、それ以外の場合でも、第１測定基板ＳＵＢ１のＳパラメータＳ２２は、第１フィクスチャＰ２のＳパラメータＳ２２ＡとＤＵＴのＳパラメータＳ２２とでほぼ決まることになる。

【0028】

つまり、抽出部５は、第１フィクスチャＰ２及び第２フィクスチャＰ３それぞれの第２測定基板端面での反射を、測定範囲の全周波数域に渡って所定レベル以下であるとみなすことは、合理的である。

【0029】

周波数特性測定装置１０と同様に、ＤＵＴの代わりにShortさせた基板、ＤＵＴの代わりにOpenにした基板、ＤＵＴの代わりに負荷（Load）が実装された基板が不要である測定装置が、“Design criteria of automatic fixture removal(AFR) for asymmetric fixture dembeddinng”（IEEE Conference Paper,p.654-p.659,August 2014）に開示されている。しかしながら、“Design criteria of automatic fixture removal(AFR) for asymmetric fixture dembeddinng”（IEEE Conference Paper,p.654-p.659,August 2014）のFig.2に記載されている第１フィクスチャと第２フィクスチャとの仮想的な分割は、第２測定基板ＳＵＢ２のケーブルが接続される２つの端面間距離が測定範囲の最も低い周波数の逆数の２倍以上でなければ適切に実行できないと推察される。一方、周波数特性測定装置１０では、上記（１）～（１０）の各Ｓパラメータを求めるのに、第２測定基板ＳＵＢ２のケーブルが接続される２つの端面間距離が測定範囲の最も低い周波数の逆数の２倍以上である必要はない。したがって、第２測定基板ＳＵＢ２の小型化及び低コスト化を図る観点から、第２測定基板ＳＵＢ２のケーブルが接続される２つの端面間距離が測定範囲の最も低い周波数の逆数の２倍未満にすることが好ましい。

【0030】

上述した実施形態では、抽出部５は、第１フィクスチャＰ２の透過特性と第２フィクスチャＰ３の透過特性とが対称であるとみなしたが、抽出部５は、第１フィクスチャＰ２の透過特性と第２フィクスチャＰ３の透過特性とが対称であるとみなさなくてもよい。抽出部５は、第１フィクスチャＰ２の透過特性と第２フィクスチャＰ３の透過特性とが対称であるとみなさない場合、上記（９）が下記（９）’に変わり、上記（１０）が下記（１０）’に変わる。
（９）’Ｓ２１Ｂ＝（１－Ｓ１１Ｂ^２×Ｓ２１Ｃ）^０．５
（１０）’Ｓ１２Ｂ＝（１－Ｓ２２Ａ^２×Ｓ１２Ｃ）^０．５

【0031】

上述した測定では、第１測定基板ＳＵＢ１と第２測定基板ＳＵＢ２との個体差が測定の誤差要因になる。そこで、第１測定基板ＳＵＢ１と第２測定基板ＳＵＢ２との個体差の低減を図るために、第１測定基板ＳＵＢ１及び第２測定基板ＳＵＢ２を、図８に示す基板ＳＵＢ１０に第１コネクタＣＮ１及び第２コネクタＣＮ２を取り付けたものにすることが好ましい。

【0032】

基板ＳＵＢ１０は、第１基板ＳＵＢ１１と、第１基板ＳＵＢ１１より小さい第２基板ＳＵＢ１２と、を有する。

【0033】

第１基板ＳＵＢ１１及び第２基板ＳＵＢ１２はそれぞれ略直方体形状である。より詳細には、第１基板ＳＵＢ１１及び第２基板ＳＵＢ１２はそれぞれ略平板形状である。

【0034】

第１信号ラインＬ１、第２信号ラインＬ２、及びグランドパターンＧＰ１は、第１基板ＳＵＢ１１の上面ＳＦ１に形成される。第１信号ラインＬ１及び第２信号ラインＬ２は、ラインの幅方向において一対のグランドパターンＧＰ１に挟まれている。つまり、第１基板ＳＵＢ１１は、マイクロストリップライン基板である。第１信号ラインＬ１、第２信号ラインＬ２、及びグランドパターンＧＰ１は、例えば金属薄膜等によって構成される。第１基板ＳＵＢ１１の基材は、絶縁材料である。

【0035】

図９に示す通り、第１信号ラインＬ１と第２信号ラインＬ２とは互いに分離している。つまり、第１基板ＳＵＢ１１単体の状態では、第１信号ラインＬ１と第２信号ラインＬ２とは電気的に接続されていない。

【0036】

次に、図１０～図１４を参照して、第２基板ＳＵＢ１２について説明する。図１０～図１４それぞれにおいて、上から順に第２基板ＳＵＢ１２の斜視図、第２基板ＳＵＢ１２の上面図、第２基板ＳＵＢ１２の底面図、及び第２基板ＳＵＢ１２の正面図が描写されている。

【0037】

図１０は、第２基板ＳＵＢ１２の一例を示す図である。図１１は、ＤＵＴ１００の第２基板ＳＵＢ１２への実装例を示す図である。図１２は、ＤＵＴ１００の第２基板ＳＵＢ１２への他の実装例を示す図である。図１３は、第２基板ＳＵＢ１２の他の例を示す図である。図１４は、第２基板ＳＵＢ１２の更に他の例を示す図である。

【0038】

第２基板ＳＵＢ１２は、下面ＳＦ２から突出する第１～第３突起ＰＲ１～ＰＲ３を有する。第２基板ＳＵＢ１２は、第１～第３突起ＰＲ１～ＰＲ３の３箇所で第１基板ＳＵＢ１１と接触する。３箇所で１つの平面が決まるため、第２基板ＳＵＢ１２と第１基板ＳＵＢ１１との接触が安定する。ただし、突起の数は３つに限定されない。例えば突起の突出量ばらつきを小さくできれば、突起の数が４つ以上であっても第２基板ＳＵＢ１２と第１基板ＳＵＢ１１との接触を安定させることができる。

【0039】

第１～第３突起ＰＲ１～ＰＲ３それぞれは略半球形状である。これにより、第１～第３突起ＰＲ１～ＰＲ３それぞれと第１基板ＳＵＢ１１との接触が点接触になり、第２基板ＳＵＢ１２と第１基板ＳＵＢ１１との接触がより一層安定する。

【0040】

なお、第１～第３突起ＰＲ１～ＰＲ３それぞれの形状を略半球形状以外の形状にして第１～第３突起ＰＲ１～ＰＲ３それぞれと第１基板ＳＵＢ１１との接触が点接触になるようにしてもよい。例えば第１～第３突起ＰＲ１～ＰＲ３それぞれの形状を略円錐形状にしてもよい。

【0041】

第１突起ＰＲ１は、第１信号ラインＬ１に接触可能な第１導電部Ｃ１である。第２突起ＰＲ２は、第２信号ラインＬ２に接触可能な第２導電部Ｃ２である。第３突起ＰＲ３は、グランドパターンに接触可能な導電部材である。

【0042】

第２基板ＳＵＢ１２は、第３導電部Ｃ３と、第４導電部Ｃ４と、第５導電部Ｃ５と、を下面ＳＦ２に対向する上面ＳＦ３に有する。

【0043】

第２基板ＳＵＢ１２は、第１導電部Ｃ１と第３導電部Ｃ３とを導通させる第１導通部Ｃ１１を有する。第２基板ＳＵＢ１２は、第２導電部Ｃ２と第４導電部Ｃ４とを導通させる第２導通部Ｃ１２を有する。第２基板ＳＵＢ１２は、第３突起ＰＲ３と第５導電部Ｃ５とを導通させる第３導通部Ｃ１３を有する。第１～第３導通部Ｃ１１～Ｃ１３それぞれは、例えばコンタクトホールである。

【0044】

上述した基板ＳＵＢ１０は、複数種類の第２基板ＳＵＢ１２を交換することで、基板ＳＵＢ１０の大部分を占める第１基板ＳＵＢ１１を共通して使用することができる。したがって、基板ＳＵＢ１０は、個体差を小さくすることができる。そして、基板ＳＵＢ１０の個体差を小さくすることで、ＤＵＴの周波数特性測定の正確性を向上させることができる。

【0045】

例えば、図１０に示すように第３～第５導電部Ｃ３～Ｃ５が互い分離している第２基板ＳＵＢ１２を第１基板ＳＵＢ１１に載せた場合、基板ＳＵＢ１０は、「Openにした基板」として利用することができる。

【0046】

例えば、図１１又は図１２に示すように第３～第５導電部Ｃ３～Ｃ５が互い分離しておりＤＵＴ１００を実装している第２基板ＳＵＢ１２を第１基板ＳＵＢ１１に載せた場合、基板ＳＵＢ１０は、上述した「第１測定基板ＳＵＢ１」として利用することができる。

【0047】

なお、図１１では、ＤＵＴ１００は、ワイヤボンディングによって第２基板ＳＵＢ１２に接続されている。また、図１２では、ＤＵＴ１００は、はんだ付けによって第２基板ＳＵＢ１２に接続されている。

【0048】

例えば、図１３に示すように第３導電部Ｃ３と第４導電部Ｃ４とが連結されており第３導電部Ｃ３及び第４導電部Ｃ４と第５導電部Ｃ５とが互い分離している第２基板ＳＵＢ１２を第１基板ＳＵＢ１１に載せた場合、基板ＳＵＢ１０は、上述した「第２測定基板ＳＵＢ２」として利用することができる。

【0049】

例えば、図１４に示すように第３～第５導電部Ｃ３～Ｃ５が連結されている第２基板ＳＵＢ１２を第１基板ＳＵＢ１１に載せた場合、基板ＳＵＢ１０は、「Shortさせた基板」として利用することができる。

【0050】

また、図１３に示す第２基板ＳＵＢ１２において、ＤＵＴが第３導電部Ｃ３及び第４導電部Ｃ４と第５導電部Ｃ５とを跨ぐようにＤＵＴを実装してシャント・スルーを実現することもできる。

【0051】

また、図１０に示す第２基板ＳＵＢ１２において、ＤＵＴが第３導電部Ｃ３と第４導電部Ｃ４とを跨ぐようにＤＵＴを実装してシリーズ・スルーを実現することもできる。シリーズ・スルーとして用いる場合には、第５導電部Ｃ５及び第３導通部Ｃ１３を無くした構成にし、第３突起ＰＲ３を絶縁部材にすることもできる。

【0052】

基板ＳＵＢ１０では、第１基板ＳＵＢ１１に対して第２基板ＳＵＢ１２を上から押し付けて、第１基板ＳＵＢ１１と第２基板ＳＵＢ１２との間の電気的接続を良好にする必要がある。

【0053】

第１基板ＳＵＢ１１に対して第２基板ＳＵＢ１２を上から押し付ける手法は特に限定されない。例えば、第１基板ＳＵＢ１１及び第２基板ＳＵＢ１２が絶縁性のバンドで巻かれてもよい。また例えば、専用治具によって第１基板ＳＵＢ１１に対して第２基板ＳＵＢ１２が固定されてもよい。また例えば、図１５に示すように第２基板ＳＵＢ１２の四隅に貫通孔ＴＨ１～ＴＨ４が設けられ、４つのネジ穴が第１基板ＳＵＢ１１に設けられ、貫通孔ＴＨ１～ＴＨ４を貫通する４本のボルトによって第２基板ＳＵＢ１２が第１基板ＳＵＢ１１にねじ止めされてもよい。

【0054】

基板ＳＵＢ１０では、第２基板ＳＵＢ１２が第１基板ＳＵＢ１１の所定の位置に搭載される必要がある。つまり、基板ＳＵＢ１０では、第１基板ＳＵＢ１１に対する第２基板ＳＵＢ１２の位置決めが必要となる。第１基板ＳＵＢ１１に対する第２基板ＳＵＢ１２の位置決めは容易であることが好ましい。

【0055】

図１６は、第１基板ＳＵＢ１１の変形例を示す図である。図１６に示す第１基板ＳＵＢ１１は、上面ＳＦ１から凹む凹部ＣＯＮ１を有する。第１信号ラインＬ１は上面ＳＦ１及び凹部ＣＯＮ１に形成される。第２信号ラインＬ２は上面ＳＦ１及び凹部ＣＯＮ２に形成される。図１６中の点線は、上述した所定の位置の外縁を示している。凹部ＣＯＮ１の外縁は、上述した所定の位置の外縁を囲んでいる。

【0056】

凹部ＣＯＮ１を第２基板ＳＵＢ１２のガイドとして利用することで、第１基板ＳＵＢ１１に対する第２基板ＳＵＢ１２の位置決めが容易になる。

【0057】

図１７は、第１基板ＳＵＢ１１の他の変形例を示す図である。図１７に示す第１基板ＳＵＢ１１は、上面ＳＦ１から突出する４個の凸部ＣＯＮ２を有する。図１７中の点線は、上述した所定の位置の外縁を示している。４個の凸部ＣＯＮ２は、上述した所定の位置の外縁を囲んでいる。

【0058】

４個の凸部ＣＯＮ２を第２基板ＳＵＢ１２のガイドとして利用することで、第１基板ＳＵＢ１１に対する第２基板ＳＵＢ１２の位置決めが容易になる。なお、凸部ＣＯＮ２の個数は４個に限定されない。例えば、１個の環状の凸部ＣＯＮ２が第１基板ＳＵＢ１１の上面ＳＦ１に形成されてもよく、３個以下又は５個以上の凸部ＣＯＮ２が第１基板ＳＵＢ１１の上面ＳＦ１に形成されてもよい。

【0059】

上述した通り、基板ＳＵＢ１０では、第２基板ＳＵＢ１２は交換されるが、第１基板ＳＵＢ１１は交換しない。したがって、第１基板ＳＵＢ１１に対して第１コネクタＣＮ１及び第２コネクタＣＮ２の装脱着を繰り返す必要がなくなる。

【0060】

そこで、第１基板ＳＵＢ１１に対して第１コネクタＣＮ１及び第２コネクタＣＮ２をはんだ付け等によって強固に固定することが好ましい。これにより、第１コネクタＣＮ１及び第２コネクタＣＮ２を第１基板ＳＵＢ１１に取り付けるときの残留応力による第１基板ＳＵＢ１１の反り、温度特性評価時の熱応力による第１基板ＳＵＢ１１の反りなどで、第１コネクタＣＮ１及び第２コネクタＣＮ２と第１基板ＳＵＢ１１との接続が不安定となることを抑制することができる。

【0061】

上記実施形態は、全ての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきであり、本明細書に開示されている発明の技術的範囲は、上記実施形態の説明ではなく、特許請求の範囲によって示されるものであり、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内に属する全ての変更が含まれると理解されるべきである。

【0062】

以上説明した基板（ＳＵＢ１０）は、第１面（ＳＦ１）を有する第１基板と、前記第１基板の厚さ方向から見て、前記第１面よりも面積が小さい第２面（ＳＦ２）と、前記第１面よりも面積が小さく前記第２面に対向する第３面（ＳＦ３）と、を有する第２基板と、を備え、前記第１基板は、前記第１面上に形成された第１信号ライン（Ｌ１）及び第２信号ライン（Ｌ２）を有し、前記第２基板は、前記第２面上に形成され、前記第１信号ラインに接触可能な第１導電部（Ｃ１）と、前記第２信号ラインに接触可能な第２導電部（Ｃ２）と、前記第３面上に形成された第３導電部（Ｃ３）及び第４導電部（Ｃ４）と、前記第１導電部と前記第３導電部とを導通させる第１導通部（Ｃ１１）と、前記第２導電部と前記第４導電部とを導通させる第２導通部（Ｃ１２）と、を有する構成（第１の構成）である。

【0063】

上記第１の構成の基板は、複数種類の第２基板を交換することで、基板の大部分を占める第１基板を共通して使用することができる。したがって、上記第１の構成の基板は、個体差を小さくすることができる。そして、基板の個体差を小さくすることで、ＤＵＴの周波数特性測定の正確性を向上させることができる。

【0064】

上記第１の構成の基板において、前記第２基板は、前記第２面から突出する第１突起（ＰＲ１）、第２突起（ＰＲ３）、及び第３突起（ＰＲ３）を有し、前記第１突起は前記第１導電部であり、前記第２突起は前記第２導電部である構成（第２の構成）であってもよい。

【0065】

上記第２の構成の基板では、第２基板が、第１突起、第２突起、及び第３突起の３箇所で第１基板と接触する。３箇所で１つの平面が決まるため、第２基板と第１基板との接触が安定する。

【0066】

上記第２の構成の基板において、前記第３突起は導電部材であり、前記第２基板は、前記第３面上に形成される第５導電部（Ｃ５）と、前記第３突起と前記第５導電部とを導通させる第３導通部（Ｃ１３）と、をさらに有する構成（第３の構成）であってもよい。

【0067】

上記第３の構成の基板は、第２基板にＤＵＴを実装する場合に、第１基板の第１面に形成される第１信号ライン及び第２信号ライン以外の部分とＤＵＴとを電気的に接続することが可能になる。

【0068】

上記第３の構成の基板において、前記第１基板は、前記第１基板は、前記第１面上に形成されるグランドパターン（ＧＰ１）をさらに有し、前記第３突起は、前記グランドパターンに接触可能である構成（第４の構成）であってもよい。

【0069】

上記第４の構成の基板は、第２基板にＤＵＴを実装する場合に、グランド電圧をＤＵＴに供給することができる。

【0070】

上記第１～４いずれかの構成の基板において、前記第１基板は、前記第１面から凹む凹部（ＣＯＮ１）を有し、前記第１信号ラインは前記第１面及び前記凹部に形成され、前記第２信号ラインは前記第１面及び前記凹部に形成される構成（第５構成）であってもよい。

【0071】

上記第５の構成の基板は、凹部を第２基板のガイドとして利用することで、第２基板の位置決めが容易になる。

【0072】

上記第１～４いずれかの構成の基板において、前記第１基板は、前記第１面から突出する凸部（ＣＯＮ２）を有する構成（第６構成）であってもよい。

【0073】

上記第６の構成の基板は、凸部を第２基板のガイドとして利用することで、第２基板の位置決めが容易になる。

【符号の説明】

【0074】

１ 第１ポート
２ 第２ポート
３ 校正部
４ 測定部
５ 抽出部
１０ 一実施形態に係る周波数特定測定装置
１００ ＤＵＴ
Ｃ１～Ｃ５ 第１～第５導電部
Ｃ１１～Ｃ１３ 第１～第５導通部
ＣＮ１ 第１コネクタ
ＣＮ２ 第２コネクタ
ＣＯＮ１ 凹部
ＣＯＮ２ 凸部
ＣＸ１ 第１同軸ケーブル
ＣＸ２ 第２同軸ケーブル
Ｅ１１ 第１同軸ケーブルの一端
Ｅ１２ 第１同軸ケーブルの他端
Ｅ２１ 第２同軸ケーブルの一端
Ｅ２２ 第２同軸ケーブルの他端
ＧＰ１ グランドパターン
Ｌ１、Ｌ２ 第１、第２信号ライン
Ｐ１ ＤＵＴが実装された部分
Ｐ２ 第１フィクスチャ
Ｐ３ 第２フィクスチャ
ＰＲ１～ＰＲ３ 第１～第３突起
ＳＦ１ 第１基板の上面
ＳＦ２ 第２基板の下面
ＳＦ３ 第２基板の上面
ＳＵＢ１ 第１測定基板
ＳＵＢ２ 第２測定基板
ＳＵＢ１０ 基板
ＳＵＢ１１ 第１基板
ＳＵＢ１２ 第２基板
ＴＨ１～ＴＨ４ 貫通孔

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】