特開 2023-129809 キャパシタおよびその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023129809

(43)【公開日】2023-09-20

(54)【発明の名称】キャパシタおよびその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/822 20060101AFI20230912BHJP

   H01L 21/3205 20060101ALI20230912BHJP

   H01L 21/768 20060101ALI20230912BHJP

   H01L 21/3213 20060101ALI20230912BHJP

   H01G 4/33 20060101ALI20230912BHJP

   H01G 4/30 20060101ALI20230912BHJP

【ＦＩ】

H01L27/04 C

H01L21/88 Z

H01L21/90 B

H01L21/88 D

H01G4/33 102

H01G4/30 541

H01G4/30 547

【審査請求】未請求

【請求項の数】9

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022034091

(22)【出願日】2022-03-07

(71)【出願人】

【識別番号】000154325

【氏名又は名称】住友電工デバイス・イノベーション株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100087480

【弁理士】

【氏名又は名称】片山 修平

(72)【発明者】

【氏名】四田 泰代

【テーマコード（参考）】

5E001

5E082

5F033

5F038

【Ｆターム（参考）】

5E001AF03

5E001AH07

5E001AJ03

5E082BC35

5E082EE05

5E082EE22

5E082EE37

5E082FF05

5E082FG03

5E082FG22

5E082FG42

5F033GG01

5F033GG02

5F033GG03

5F033HH13

5F033HH18

5F033HH23

5F033HH28

5F033HH32

5F033HH33

5F033JJ01

5F033JJ13

5F033JJ18

5F033JJ23

5F033JJ28

5F033JJ32

5F033JJ33

5F033KK13

5F033KK18

5F033KK28

5F033KK32

5F033KK33

5F033KK34

5F033MM05

5F033NN03

5F033PP15

5F033PP19

5F033PP27

5F033QQ08

5F033QQ09

5F033QQ10

5F033QQ14

5F033QQ41

5F033QQ60

5F033RR04

5F033RR06

5F033RR08

5F033RR21

5F033RR22

5F033SS11

5F033UU04

5F033VV10

5F033WW01

5F033XX00

5F033XX21

5F038AC04

5F038AC05

5F038AC09

5F038AC15

5F038DF02

5F038EZ02

(57)【要約】

【課題】耐圧を改善することが可能なキャパシタを提供する。
【解決手段】キャパシタは、基板１０と、前記基板上に設けられた第１電極１４と、前記第１電極上に設けられた誘電体膜１６と、前記誘電体膜上に設けられ、前記基板の上面の法線方向における上方からみた平面視において、外周５３は前記第１電極の外周５１より内側に位置する第２電極１８と、前記平面視における前記第２電極の内側の領域５０において前記第２電極に接触し、前記平面視における前記領域の外側において前記第１電極および前記誘電体膜から前記上方に離れ、前記平面視において外周５４は前記第１電極の外周および前記誘電体膜の外周５２より内側に位置する第３電極２０と、前記第２電極および前記第３電極を覆い前記第２電極および前記第３電極に接触する保護膜２２と、を備える。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板と、
前記基板上に設けられた第１電極と、
前記第１電極上に設けられた誘電体膜と、
前記誘電体膜上に設けられ、前記基板の上面の法線方向における上方からみた平面視において、外周は前記第１電極の外周より内側に位置する第２電極と、
前記平面視における前記第２電極の内側の領域において前記第２電極に接触し、前記平面視における前記領域の外側において前記第１電極および前記誘電体膜から前記上方に離れ、前記平面視において外周は前記第１電極の外周および前記誘電体膜の外周より内側に位置する第３電極と、
前記第２電極および前記第３電極を覆い前記第２電極および前記第３電極に接触する保護膜と、
を備えるキャパシタ。

【請求項2】

前記第３電極の外周と前記第２電極の外周との前記平面視における距離は、前記誘電体膜の厚さの０．５倍以上である請求項１に記載のキャパシタ。

【請求項3】

前記第３電極の外周と前記第２電極の外周との前記平面視における距離は、前記基板の上面に平行な前記第３電極の下面の外周と前記第２電極の上面との前記基板の上面の面方向から見た高さの０．３倍以上である請求項１または請求項２に記載のキャパシタ。

【請求項4】

前記基板の上面に平行な前記第３電極の下面の外周と前記第２電極の上面との前記基板の上面の面方向からみた高さは、前記第３電極の外周と前記領域の外周との前記平面視における距離の０．５倍以上である請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のキャパシタ。

【請求項5】

前記第３電極上の前記保護膜の厚さと前記第２電極上の前記保護膜の厚さは同じである請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のキャパシタ。

【請求項6】

前記第３電極は、前記第２電極上に設けられたシード層と、前記シード層上に設けられためっき層とを備える請求項１から請求項５のいずれか一項に記載のキャパシタ。

【請求項7】

基板上に第１電極を形成する工程と、
前記第１電極上に誘電体膜を形成する工程と、
前記誘電体膜上に、前記基板の上面の法線方向における上方からみた平面視において、外周は前記第１電極の外周より内側に位置する第２電極を形成する工程と、
前記平面視における前記第２電極の内側の領域において前記第２電極に接触し、前記平面視における前記領域の外側において前記第１電極および前記誘電体膜から前記上方に離れ、前記平面視において外周は前記第１電極の外周および前記誘電体膜の外周より内側に位置する第３電極を形成する工程と、
前記平面視における前記第２電極の外周より外側における前記誘電体膜の上面が露出する状態において前記第３電極の上面に形成された不要層を除去する工程と、
前記不要層を除去する工程後に、前記第２電極および前記第３電極を覆い前記第２電極および前記第３電極に接触する保護膜を形成する工程と、
を含むキャパシタの製造方法。

【請求項8】

前記不要層を除去する工程は、前記平面視における前記第２電極の外周より外側における前記誘電体膜の上面が露出する状態において前記第３電極の上面にイオンまたは原子を照射する工程を含む請求項７に記載のキャパシタの製造方法。

【請求項9】

前記第３電極を形成する工程は、前記第２電極上に第１開口を有する第１マスク層を形成する工程と、前記第１開口の内面および前記第１マスク層上にシード層を形成する工程と、前記シード層上に前記第１開口より大きい第２開口を有する第２マスク層を形成する工程と、前記第２開口内にめっき層を形成する工程と、前記第２マスク層を除去する工程と、前記めっき層をマスクに前記シード層を除去する工程と、前記第１マスク層を除去する工程と、を含む請求項８に記載のキャパシタの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、キャパシタおよびその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

基板上に第1電極、誘電体膜および第２電極を積層したキャパシタが知られている。第２電極上に例えば配線として用いられる第３電極を形成することが知られている（例えば特許文献１）。第３電極は、第２電極の中央付近において第２電極に接触し、第２電極の外周付近において第２電極から上方に離れて設けられる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１８－６６２０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、キャパシタの耐圧が低くなることがある。

【0005】

本開示は、上記課題に鑑みなされたものであり、耐圧を改善することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示の一実施形態は、基板と、前記基板上に設けられた第１電極と、前記第１電極上に設けられた誘電体膜と、前記誘電体膜上に設けられ、前記基板の上面の法線方向における上方からみた平面視において、外周は前記第１電極の外周より内側に位置する第２電極と、前記平面視における前記第２電極の内側の領域において前記第２電極に接触し、前記平面視における前記領域の外側において前記第１電極および前記誘電体膜から前記上方に離れ、前記平面視において外周は前記第１電極の外周および前記誘電体膜の外周より内側に位置する第３電極と、前記第２電極および前記第３電極を覆い前記第２電極および前記第３電極に接触する保護膜と、を備えるキャパシタである。

【0007】

本開示の一実施形態は、基板上に第１電極を形成する工程と、前記第１電極上に誘電体膜を形成する工程と、前記誘電体膜上に、前記基板の上面の法線方向における上方からみた平面視において、外周は前記第１電極の外周より内側に位置する第２電極を形成する工程と、前記平面視における前記第２電極の内側の領域において前記第２電極に接触し、前記平面視における前記領域の外側において前記第１電極および前記誘電体膜から前記上方に離れ、前記平面視において外周は前記第１電極の外周および前記誘電体膜の外周より内側に位置する第３電極を形成する工程と、前記平面視における前記第２電極の外周より外側における前記誘電体膜の上面が露出する状態において前記第３電極の上面に形成された不要層を除去する工程と、前記不要層を除去する工程後に、前記第２電極および前記第３電極を覆い前記第２電極および前記第３電極に接触する保護膜を形成する工程と、を含むキャパシタの製造方法である。

【発明の効果】

【0008】

本開示によれば、耐圧を改善することができる。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】図１は、実施例１に係るキャパシタの断面図である。

【図2】図２は、実施例１に係るキャパシタの平面図である。

【図3A】図３Ａは、実施例１に係るキャパシタの製造方法を示す断面図である。

【図3B】図３Ｂは、実施例１に係るキャパシタの製造方法を示す断面図である。

【図4A】図４Ａは、実施例１に係るキャパシタの製造方法を示す断面図である。

【図4B】図４Ｂは、実施例１に係るキャパシタの製造方法を示す断面図である。

【図5A】図５Ａは、実施例１に係るキャパシタの製造方法を示す断面図である。

【図5B】図５Ｂは、実施例１に係るキャパシタの製造方法を示す断面図である。

【図6A】図６Ａは、実施例１に係るキャパシタの製造方法を示す断面図である。

【図6B】図６Ｂは、実施例１に係るキャパシタの製造方法を示す断面図である。

【図7A】図７Ａは、実施例１に係るキャパシタの製造方法を示す断面図である。

【図7B】図７Ｂは、実施例１に係るキャパシタの製造方法を示す断面図である。

【図8】図８は、実施例１に係るキャパシタの別を示す断面図である。

【図9】図９は、比較例1に係るキャパシタの断面図である。

【図10】図１０は、比較例２に係るキャパシタの製造方法を示す断面図である。

【図11A】図１１Ａは、比較例３に係るキャパシタの製造方法を示す断面図である。

【図11B】図１１Ｂは、比較例３に係るキャパシタの製造方法を示す断面図である。

【図12】図１２は、実施例１におけるキャパシタの製造方法を示す断面図である。

【図13】図１３は、実施例１におけるキャパシタの製造方法を示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

［本開示の実施形態の説明］
最初に本開示の実施形態の内容を列記して説明する。
（１）本開示の一実施形態は、基板と、前記基板上に設けられた第１電極と、前記第１電極上に設けられた誘電体膜と、前記誘電体膜上に設けられ、前記基板の上面の法線方向における上方からみた平面視において、外周は前記第１電極の外周より内側に位置する第２電極と、前記平面視における前記第２電極の内側の領域において前記第２電極に接触し、前記平面視における前記領域の外側において前記第１電極および前記誘電体膜から前記上方に離れ、前記平面視において外周は前記第１電極の外周および前記誘電体膜の外周より内側に位置する第３電極と、前記第２電極および前記第３電極を覆い前記第２電極および前記第３電極に接触する保護膜と、を備えるキャパシタである。これにより、耐圧を改善できる。
（２）前記第３電極の外周と前記第２電極の外周との前記平面視における距離は、前記誘電体膜の厚さの０．５倍以上であることが好ましい。
（３）前記第３電極の外周と前記第２電極の外周との前記平面視における距離は、前記第３電極の外周における前記第３電極の下面と前記第２電極の上面との前記基板の上面の面方向から見た高さの０．３倍以上であることが好ましい。
（４）前記基板の上面に平行な前記第３電極の下面の外周と前記第２電極の上面との前記基板の上面の面方向からみた高さは、前記第３電極の外周と前記領域の外周との前記平面視における距離の０．５倍以上であることが好ましい。
（５）前記第３電極上の前記保護膜の厚さと前記第２電極上の前記保護膜の厚さは同じであることが好ましい。
（６）前記第３電極は、前記第２電極上に設けられたシード層と、前記シード層上に設けられためっき層とを備えることが好ましい。
（７）本開示の一実施形態は、基板上に第１電極を形成する工程と、前記第１電極上に誘電体膜を形成する工程と、前記誘電体膜上に、前記基板の上面の法線方向における上方からみた平面視において、外周は前記第１電極の外周より内側に位置する第２電極を形成する工程と、前記平面視における前記第２電極の内側の領域において前記第２電極に接触し、前記平面視における前記領域の外側において前記第１電極および前記誘電体膜から前記上方に離れ、前記平面視において外周は前記第１電極の外周および前記誘電体膜の外周より内側に位置する第３電極を形成する工程と、前記平面視における前記第２電極の外周より外側における前記誘電体膜の上面が露出する状態において前記第３電極の上面に形成された不要層を除去する工程と、前記不要層を除去する工程後に、前記第２電極および前記第３電極を覆い前記第２電極および前記第３電極に接触する保護膜を形成する工程と、を含むキャパシタの製造方法である。これにより、耐圧を改善できる。
（８）前記不要層を除去する工程は、前記平面視における前記第２電極の外周より外側における前記誘電体膜の上面が露出する状態において前記第３電極の上面にイオンまたは原子を照射する工程を含むことが好ましい。
（９）前記第３電極を形成する工程は、前記第２電極上に第１開口を有する第１マスク層を形成する工程と、前記第１開口の内面および前記第１マスク層上にシード層を形成する工程と、前記シード層上に前記第１開口より大きい第２開口を有する第２マスク層を形成する工程と、前記第２開口内にめっき層を形成する工程と、前記第２マスク層を除去する工程と、前記めっき層をマスクに前記シード層を除去する工程と、前記第１マスク層を除去する工程と、を含むことが好ましい。

【0011】

［本開示の実施形態の詳細］
本開示の実施形態にかかるキャパシタおよびその製造方法の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本開示はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

【0012】

［実施例１］
図１は、実施例１に係るキャパシタの断面図である。図２は、実施例１に係るキャパシタの平面図である。図１は図２のＡ－Ａ断面図である。図２では、第１電極１４、第２電極１８、第３電極２０および領域５０を主に図示している。基板１０の上面の法線方向をＺ方向、基板１０の上面に平行な方向をＸ方向およびＹ方向とする。

【0013】

図１に示すように、基板１０は、基板１０ａと基板１０ａ上に設けられた半導体層１０ｂを備えている。半導体層１０ｂは例えばＧａＮ系半導体層またはＧａＡｓ系半導体層である。半導体層１０ｂがＧａＮ系半導体層の場合、基板１０は例えばＳｉＣ基板、サファイア基板、シリコン基板またはＧａＮ基板であり、半導体層１０ｂは、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮおよびこれらの混晶からなる層を含む。半導体層１０ｂがＧａＡｓ系半導体層の場合、基板１０ａは例えばＧａＡｓ基板であり、半導体層１０ｂは、ＧａＡｓ、ＡｌＡｓ、ＩｎＡｓおよびこれらの混晶からなる層を含む。キャパシタが設けられた領域における半導体層１０ｂはイオン注入等により不活性化されている。基板１０上に半導体層１０ｂを用いたトランジスタが設けられて、キャパシタとトランジスタとは同じ基板１０上に集積化され、ＭＭＩＣ（Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｉｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）を形成していてもよい。基板１０には半導体層１０ｂが設けられておらず、基板１０上にはトランジスタ等の能動素子が設けられていなくてもよい。

【0014】

基板１０上に絶縁体膜１２が設けられている。絶縁体膜１２は、例えば窒化シリコン膜、酸化シリコン膜または窒化酸化シリコン膜等の無機絶縁膜、ポリイミドまたはＢＣＢ（Ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）樹脂等の有機絶縁膜である。絶縁体膜１２の厚さは例えば１００ｎｍ～１２００ｎｍである。基板１０上の絶縁体膜１２上に第１電極１４が設けられている。第１電極１４上に誘電体膜１６が設けられている。誘電体膜１６上に第２電極１８が設けられている。第１電極１４、誘電体膜１６および第２電極１８により、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｍｅｔａｌ）キャパシタ６０が形成される。

【0015】

誘電体膜１６を介した第１電極１４と第２電極１８との距離（すなわち誘電体膜１６の厚さ）は製造誤差程度にほぼ均一である。Ｚ方向（基板１０の上面の法線方向）の上方からみた平面視において、第１電極１４の外周５１は第２電極１８の外周５３より外側に位置する。誘電体膜１６の外周５２は、第１電極１４の外周５１より外側に位置する。第１電極１４および第２電極１８は、例えば密着膜と密着膜上に設けられた低抵抗膜を含む金属膜である。密着膜は例えばＴｉ膜、ＷＳｉ膜、ＴｉＷ膜、ＴｉＷＮ膜またはＴｉＮ膜である。低抵抗膜は、密着膜より抵抗率が低い材料からなり例えばＡｕ膜である。密着膜の厚さは例えば３ｎｍ～３００ｎｍである。密着膜は設けられていなくてもよい。低抵抗膜の厚さは例えば５０ｎｍ～４００ｎｍである。誘電体膜１６は例えば窒化シリコン膜、酸化シリコン膜または窒化酸化シリコン膜等の無機絶縁膜である。誘電率を高くする観点から誘電体膜１６は窒化シリコン膜が好ましい。誘電体膜１６の厚さは例えば５０ｎｍ～４００ｎｍである。誘電体膜１６の膜厚は、ＭＩＭキャパシタ６０の容量値および耐圧等を考慮し設定される。

【0016】

第２電極１８上に第３電極２０が設けられている。第３電極２０は、領域５０において第２電極１８と接触している。領域５０の外周５５は第２電極１８の外周５３の内側に位置する。領域５０の外側において、第３電極２０は第２電極１８および誘電体膜１６より上方に離れている。このように、第３電極２０は、周縁に庇を有する。第３電極２０の外周５４は第２電極１８の外周５３の外側に位置する。第３電極２０は、第２電極１８側からシード層２０ａとシード層２０ａ上に設けられためっき層２０ｂとを備える。シード層２０ａは例えば密着膜と密着膜上に設けられた低抵抗膜を含む金属膜である。密着膜は例えばＴｉ膜、ＷＳｉ膜、ＴｉＷ膜、ＴｉＷＮ膜またはＴｉＮ膜である。低抵抗膜は、密着膜より抵抗率が低い材料からなり例えばＡｕ膜である。密着膜の厚さは例えば３ｎｍ～４００ｎｍである。密着膜は設けられていなくてもよい。低抵抗膜の厚さは例えば５０ｎｍ～２００ｎｍである。めっき層２０ｂは低抵抗膜と同じ材料からなる金属膜であり、例えばＡｕ膜である。めっき層２０ｂの厚さは例えば１μｍ～６μｍである。

【0017】

誘電体膜１６の上面、第２電極１８の上面、および第３電極２０を覆うように保護膜２２が設けられている。保護膜２２は、例えば窒化シリコン膜、酸化シリコン膜または窒化酸化シリコン膜である。保護する機能の観点で、保護膜２２は窒化シリコン膜を用いることが好ましい。保護膜２２の厚さは例えば３０ｎｍ～８００ｎｍである。

【0018】

図２に示すように、第１電極１４はＭＩＭキャパシタ６０が設けられた領域より－Ｙ側に大きく設けられている。ＭＩＭキャパシタ６０の－Ｙ側では、第１電極１４の上面に電極２１が設けられている。電極２１は領域５０ａにおいて第２電極１８に接触する。電極２１は、第３電極２０と同じシード層２０ａとめっき層２０ｂを備え、第３電極２０と同時に形成される。第２電極１８に接触された第３電極２０はＭＩＭキャパシタ６０が設けられた領域より＋Ｙ側に大きく設けられている。第３電極２０および電極２１はそれぞれ第２電極１８および第１電極１４を別の素子と電気的に接続する配線として機能する。

【0019】

第１電極１４が－Ｙ方向に引き出された領域および第３電極２０が＋Ｙ方向に引き出された領域以外の領域において、第１電極１４の外周５１は第２電極１８の外周５３より外側に位置する。領域５０の外周５５は第２電極１８の外周５３より内側に位置する。第３電極２０の外周５４は第２電極１８の外周５３より外側に位置する。外周５１と５３との距離をＬ１、外周５４と５３との距離をＬ２、外周５４と５５との距離をＬ３とする。距離Ｌ１は例えば１μｍ～１０μｍ、距離Ｌ２は例えば０．１μｍ～３μｍ、距離Ｌ３は例えば０．２μｍ～５μｍである。図１において、第３電極２０の下面の外周と第３電極２０と第２電極１８の上面とのＸ方向またはＹ方向（基板１０の上面の面方向）から見た高さＴ１は、例えば０．０５μｍ～１μｍである。なお、第１電極１４、誘電体膜１６、第２電極１８および第３電極２０の側面が基板１０の上面に対し垂直でない場合（例えば側面が傾斜しているまたは側面が曲線を含む場合）、外周５１～５４は、対応する側面のうち平面視における最も外側の位置に相当する。

【0020】

［実施例１の製造方法］
図３Ａ～図７Ｂは、実施例１に係るキャパシタの製造方法を示す断面図である。図３Ａに示すように、基板１０上に絶縁体膜１２を形成する。絶縁体膜１２上に第１電極１４を形成する。第１電極１４はスパッタリング法または真空蒸着法を用い形成する。図３Ｂに示すように、第１電極１４上に開口４１を有するマスク層４０を形成する。マスク層４０は例えばフォトレジストでありフォトリソグラフィ法を用い形成する。開口４１の外周は第１電極１４の外周５１にほぼ一致する。マスク層４０をマスクに開口４１下の第１電極１４をエッチングする。これにより、所望形状の第１電極１４を形成する。その後、マスク層４０を除去する。第１電極１４は真空蒸着およびリフトオフ法を用い形成してもよい。

【0021】

図４Ａに示すように、絶縁体膜１２上に第１電極１４を覆うように誘電体膜１６を形成する。誘電体膜１６は例えばＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用い形成する。図４Ｂに示すように、誘電体膜１６上に開口４３を有するマスク層４２を形成する。開口４３の下側の幅は上側の幅より大きい。マスク層４２は例えばフォトレジストでありフォトリソグラフィ法を用い形成する。開口４３の上側の外周が第２電極１８の外周５３にほぼ一致する。開口４３内の誘電体膜１６上およびマスク層４２上に例えば真空蒸着法を用い金属膜を形成する。開口４３内の金属膜は第２電極１８となる。マスク層４２を除去することでマスク層４２上の金属膜がリフトオフされる。第１電極１４、誘電体膜１６および第２電極１８からＭＩＭキャパシタ６０が形成される。

【0022】

図５Ａに示すように、誘電体膜１６および第２電極１８上に開口４５を有するマスク層４４を形成する。マスク層４４は例えばフォトレジストでありフォトリソグラフィ法を用い形成する。開口４５の外周が領域５０の外周５５にほぼ一致する。図５Ｂに示すように、開口４５の内面およびマスク層４４上にシード層２０ａを形成する。シード層２０ａは例えばスパッタリング法を用い形成する。領域５０においてシード層２０ａは第２電極１８の上面に接触する。

【0023】

図６Ａに示すように、シード層２０ａ上に開口４７を有するマスク層４６を形成する。マスク層４４は例えばフォトレジストでありフォトリソグラフィ法を用い形成する。開口４７の外周が第３電極２０の外周５４にほぼ一致する。開口４７内にめっき層２０ｂを形成する。めっき層２０ｂは、例えばシード層２０ａから電流を供給する電解めっき法を用い形成する。図６Ｂに示すように、マスク層４６を除去する。マスク層４６の除去には、酸素プラズマ処理および／または剥離液処理を用いる。めっき層２０ｂをマスクにシード層２０ａを除去する。シード層２０ａは例えばアルゴンイオンをシード層２０ａに照射するイオンミリング法等のエッチング法を用い除去する。その後マスク層４４を除去する。マスク層４４の除去には、酸素プラズマ処理および／または剥離液処理を用いる。第３電極２０の上面に不要層２３が形成される。不要層２３は、マスク層４６、シード層２０ａおよびマスク層４４の除去の工程において、第３電極２０のめっき層２０ｂの表面が酸化された酸化層または残留物である。

【0024】

図７Ａに示すように、第３電極２０の上面にイオン４８を照射する。照射するイオン４８は、例えばアルゴン等の第１８元素のイオンである。イオンの照射には、例えばイオンミリング法を用いる。イオン４８の代わりに原子を照射してもよい。これにより、第３電極２０の上面の不要層２３が除去される。第３電極２０の庇の直下の領域５６における誘電体膜１６の上面には、イオン４８は照射されない。領域５６の外側の領域５８における誘電体膜１６の上面にイオン４８が照射される。イオンまたは原子を照射する方法以外の方法を用い不要層２３を除去してもよい。図７Ｂに示すように、誘電体膜１６の上面、第２電極１８の上面および第３電極２０を覆う保護膜２２を形成する。保護膜２２は例えばＣＶＤ法を用い形成する。図７Ａにおいて、第３電極２０の上面に設けられた酸化層または残留物などの不要層２３が除去されている。このため、第３電極２０と保護膜２２との密着性が向上する。以上により、実施例１に係るキャパシタが製造される

【0025】

図８は、実施例１に係るキャパシタの別を示す断面図である。図８に示すように、図７Ｂの後に保護膜２２を覆うように絶縁体膜２４を形成してもよい。絶縁体膜２４は、例えばポリイミドまたはＢＣＢ樹脂等である。

【0026】

［比較例１］
図９は、比較例1に係るキャパシタの断面図である。比較例１では、第３電極２０の外周５４は第２電極１８の外周５３より内側に位置する。比較例１では、図７Ａのような、第３電極２０の上面にイオンを照射していない。第３電極２０の上面には、不要層２３が形成されている。不要層２３が形成されると、第３電極２０と保護膜２２との密着性が低下する。このため、保護膜２２が第３電極２０から剥離する可能性がある。

【0027】

［比較例２の製造方法］
図１０は、比較例２に係るキャパシタの製造方法を示す断面図である。図１０に示すように、保護膜２２を形成する前に誘電体膜１６の上面が露出する状態において、第３電極２０の上面にイオン４８を照射する。これにより、不要層２３が除去され、第３電極２０と保護膜２２との密着性が向上し保護膜２２の剥離を抑制できる。しかし、イオン４８が第２電極１８の外側における誘電体膜１６の上面の領域５８に照射される。これにより、領域５８において誘電体膜１６が削れる。または、誘電体膜１６にダメージが導入される。このように、第２電極１８に接する領域５８にダメージ等が導入されると、第１電極１４と第２電極１８との間に電圧を加えたときに、キャパシタの耐圧が低下する可能性がある。

【0028】

［比較例３の製造方法］
図１１Ａおよび図１１Ｂは、比較例３に係るキャパシタの製造方法を示す断面図である。図１１Ａに示すように、誘電体膜１６および第２電極１８を覆うように絶縁体膜２６を形成する。絶縁体膜２６は例えば窒化シリコン膜である。第３電極２０は絶縁体膜２６の開口２７において第２電極１８と接触する。第３電極２０の上面にイオン４８を照射する工程において、イオン４８は絶縁体膜２６に照射される。これにより、誘電体膜１６にイオン４８が照射されず、誘電体膜１６にダメージ等が導入されることが抑制できる。

【0029】

しかしながら、図１１Ｂに示すように、絶縁体膜２６に開口２７を形成するためには、図５Ａに相当する工程において、マスク層４４をマスクに開口２７を形成する。真空蒸着法を用い第２電極１８を形成するときに第２電極１８に蒸着材料の塊（スプラッシュ）等が飛散する。塊が剥がれると第２電極１８のピンホール２８となる。絶縁体膜２６に開口２７を形成するときに、絶縁体膜２６をエッチングするエッチャントがピンホール２８を介し誘電体膜１６に至り、誘電体膜１６にピンホールまたは凹みを形成する。誘電体膜１６にピンホールまたは凹みが形成されるとＭＩＭキャパシタ６０の耐圧が低下してしまう。

【0030】

比較例１～３のように、保護膜２２の剥離を抑制しようとすると、ＭＩＭキャパシタ６０の耐圧が低下してしまう。実施例１では、平面視において、第３電極２０の外周５３は第１電極１４の外周５１および誘電体膜１６の外周５２より内側に位置する。第３電極２０は、平面視における第２電極１８の内側の領域５０において第２電極１８に接触し、平面視における領域５０の外側において第１電極１４および誘電体膜１６から上方に離れている。このような構造において、平面視において、第３電極２０の外周５４が第２電極１８の外周５３より外側に位置する。図７Ａのように、第２電極１８の外周５３より外側における誘電体膜１６の上面が露出する状態において第３電極２０の上面に形成された不要層２３を除去する。不要層２３を除去した後に、誘電体膜１６上、第２電極１８上および第３電極２０に接触して覆う保護膜２２を形成する。

【0031】

このようにして製造されたキャパシタは、平面視において、第３電極２０の外周５４が第２電極１８の外周５３より外側に位置する。保護膜２２は、誘電体膜１６上、第２電極１８上および第３電極２０に接触して覆う。これにより、図７Ａのように、不要層２３を除去するときに、第２電極１８の外側における誘電体膜１６の上面のうち第３電極２０の直下の領域５６は第３電極２０の庇の陰となる。よって、イオン４８は領域５６に照射されない。領域５６において誘電体膜１６にダメージ等が導入されることを抑制でき、ＭＩＭキャパシタ６０の耐圧の低下を抑制できる。なお、実施例１では、領域５６の外側の領域５８における誘電体膜１６の上面にイオン４８が照射される。領域５８と第２電極１８とは領域５６を介し離れているため、誘電体膜１６の上面にイオン４８が照射されてもＭＩＭキャパシタ６０の耐圧はほとんど低下しない。

【0032】

図１２は、実施例１におけるキャパシタの製造方法を示す拡大断面図であり、図７Ａに相当する工程における拡大図である。図１２に示すように、第３電極２０の外周５４と第２電極１８の外周５４との平面視における距離Ｌ２が短い場合、イオン４８が照射される領域５６のＸ方向の幅が狭くなり領域５８が第２電極１８に近くなる。これにより、矢印５７のように、第２電極１８から領域５６、５８および誘電体膜１６を介し第１電極１４に至る経路が短く、ＭＩＭキャパシタ６０の耐圧が低下する可能性がある。この観点から距離Ｌ２は、誘電体膜１６の厚さＴ２の０．５倍以上であることが好ましく、１倍以上がより好ましく、２倍以上がさらに好ましい。製造の観点から距離Ｌ２は誘電体膜１６の厚さの１０倍以下が好ましい。また、第２電極１８と第３電極２０との合わせ精度の観点から距離Ｌ２は０．２μｍ以上が好ましい。

【0033】

図１３は、実施例１におけるキャパシタの製造方法を示す拡大断面図であり、図７Ａに相当する工程における拡大図である。図１３に示すように、第３電極２０の外周５４における第３電極２０下面と第２電極１８の上面とのＸ方向またはＹ方向からみた高さＴ１が大きい場合、第３電極２０の庇の直下の領域５６にイオン４８ａが回り込む可能性がある。イオン４８ａが回り込んだ領域５９においては、領域５８と同様に誘電体膜１６にダメージ等が導入される。領域５９が第２電極１８に近い場合、ＭＩＭキャパシタ６０の耐圧が低下する可能性がある。イオン４８の領域５６の回り込みは、高さＴ１が大きいと大きくなる。この観点から距離Ｌ２は高さＴ１の０．３倍以上が好ましく、０．５倍以上がより好ましく、１倍以上がさらに好ましい。製造の観点から距離Ｌ２は高さＴ１の３倍以下が好ましい。

【0034】

第３電極２０の外周５４が外側に位置しすぎると、保護膜２２が第３電極２０の庇下に回り込みにくくなる。この観点から、第３電極２０の外周５４と領域５０の外周５５との平面視における距離Ｌ３に対する高さＴ１は距離Ｌ２の０．５倍以上が好ましく、１倍以上がより好ましい。距離Ｌ２は例えば３μｍ以下が好ましい。製造の観点から距離Ｌ３は高さＴ１の３倍以下が好ましい。

【0035】

実施例１では、比較例３の図１１Ａのような絶縁体膜２６が設けられていないため、第３電極２０上の保護膜２２の厚さと、第２電極１８上および誘電体膜１６上の保護膜２２の厚さは略同じとなる。これにより、比較例３の図１１Ｂのようなピンホール２８に起因するキャパシタの耐圧の低下を抑制できる。

【0036】

図７Ａのように、不要層２３を除去する工程として、第２電極１８の外周５３より外側における誘電体膜１６の上面が露出する状態において第３電極２０の上面にイオンまたは原子を照射する。これにより、不要層２３が除去される。イオンまたは原子の飛来する方向はほぼＺ方向である。イオンまたは原子を照射するときの真空度が十分に高い場合にはイオンまたは原子はほぼ直進する。このため、領域５６は第３電極２０の庇の陰となり、領域５６にイオンまたは原子が照射されにくい。よって、領域５６の誘電体膜１６が削れること、または誘電体膜１６にダメージが導入されることを抑制できる。

【0037】

図５Ａ～図６Ｂにおける第３電極２０の形成する工程において、図５Ａのように、第２電極１８上に開口４５（第１開口）を有するマスク層４４（第１マスク層）を形成する。図５Ｂのように、開口４５の内面およびマスク層４４上にシード層２０ａを形成する。図６Ａのように、シード層２０ａ上に開口４５より大きい開口４７（第２開口）を有するマスク層４６（第２マスク層）を形成する。開口４７内にめっき層を形成する。図６Ｂのように、マスク層４６を除去し、めっき層２０ｂをマスクにシード層２０ａを除去し、マスク層４４を除去する。このように、第３電極２０を形成すると、第２電極１８の内側の領域５０おいて第２電極１８に接触し、領域５０の外側において第１電極１４および誘電体膜１６から上方に離れる。また、第３電極２０は、第２電極１８上に設けられたシード層２０ａと、シード層２０ａ上に設けられためっき層２０ｂとを備える。さらに、マスク層４６、シード層２０ａおよびマスク層４４を除去する工程において、第３電極２０の上面に不要層２３が形成される。そこで、図７Ａのようにイオンまたは原子を第３電極２０に照射することで不要層２３の除去を行うことが好ましい。

【0038】

実施例１では、不要層２３の除去を行う工程において誘電体膜１６に導入されるダメージ等に起因するキャパシタの耐圧低下について説明した。誘電体膜１６のダメージ等は、不要層２３を除去する工程以外の工程において導入されることもある。このような場合も誘電体膜１６に導入されたダメージ等によりキャパシタの耐圧が低下することがある。図６Ａから図７Ｂまでの工程において誘電体膜１６にダメージ等が導入される場合、第３電極２０の外周５１を第２電極１８の外周５３より外側に設けることで、第２電極１８に接する誘電体膜１６の上面にダメージ等が導入されることを抑制でき、キャパシタの耐圧を改善できる。

【0039】

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本開示の範囲は、上記した意味ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

【符号の説明】

【0040】

１０、１０ａ 基板
１０ｂ 半導体層
１２、２４、２６ 絶縁体膜
１４ 第１電極
１６ 誘電体膜
１８ 第２電極
２０ 第３電極
２０ａ シード層
２０ｂ めっき層
２１ 電極
２２ 保護膜
２３ 不要層
２７ 開口
２８ ピンホール
４０、４２ マスク層
４１、４３ 開口
４４ マスク層（第１マスク層）
４５ 開口（第１開口）
４６ マスク層（第２マスク層）
４７ 開口（第２開口）
４８、４８ａ イオン
５０、５６、５８ 領域
５１～５５ 外周
５７ 矢印
６０ キャパシタ

【図1】

【図2】

【図3A】

【図3B】

【図4A】

【図4B】

【図5A】

【図5B】

【図6A】

【図6B】

【図7A】

【図7B】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11A】

【図11B】

【図12】

【図13】

【手続補正書】

【提出日】2023-04-04

【手続補正1】

【補正対象書類名】特許請求の範囲

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正の内容】

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板と、
前記基板上に設けられた第１電極と、
前記第１電極上に設けられた誘電体膜と、
前記誘電体膜上に設けられ、前記基板の上面の法線方向における上方からみた平面視において、外周は前記第１電極の外周より内側に位置する第２電極と、
前記平面視における前記第２電極の内側の領域において前記第２電極に接触し、前記平面視における前記領域の外側において前記第２電極および前記誘電体膜から前記上方に離れ、前記平面視において外周は前記第１電極の外周および前記誘電体膜の外周より内側に位置する第３電極と、
前記第２電極および前記第３電極を覆い前記第２電極および前記第３電極に接触する保護膜と、
を備えるキャパシタ。

【請求項2】

前記第３電極の外周と前記第２電極の外周との前記平面視における距離は、前記誘電体膜の厚さの０．５倍以上である請求項１に記載のキャパシタ。

【請求項3】

前記第３電極の外周と前記第２電極の外周との前記平面視における距離は、前記基板の上面に平行な前記第３電極の下面の外周と前記第２電極の上面との前記基板の上面の面方向から見た高さの０．３倍以上である請求項１または請求項２に記載のキャパシタ。

【請求項4】

前記基板の上面に平行な前記第３電極の下面の外周と前記第２電極の上面との前記基板の上面の面方向からみた高さは、前記第３電極の外周と前記領域の外周との前記平面視における距離の０．５倍以上である請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のキャパシタ。

【請求項5】

前記第３電極上の前記保護膜の厚さと前記第２電極上の前記保護膜の厚さは同じである請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のキャパシタ。

【請求項6】

前記第３電極は、前記第２電極上に設けられたシード層と、前記シード層上に設けられためっき層とを備える請求項１から請求項５のいずれか一項に記載のキャパシタ。

【請求項7】

基板上に第１電極を形成する工程と、
前記第１電極上に誘電体膜を形成する工程と、
前記誘電体膜上に、前記基板の上面の法線方向における上方からみた平面視において、外周は前記第１電極の外周より内側に位置する第２電極を形成する工程と、
前記平面視における前記第２電極の内側の領域において前記第２電極に接触し、前記平面視における前記領域の外側において前記第２電極および前記誘電体膜から前記上方に離れ、前記平面視において外周は前記第１電極の外周および前記誘電体膜の外周より内側に位置する第３電極を形成する工程と、
前記平面視における前記第２電極の外周より外側における前記誘電体膜の上面が露出する状態において前記第３電極の上面に形成された不要層を除去する工程と、
前記不要層を除去する工程後に、前記第２電極および前記第３電極を覆い前記第２電極および前記第３電極に接触する保護膜を形成する工程と、
を含むキャパシタの製造方法。

【請求項8】

前記不要層を除去する工程は、前記平面視における前記第２電極の外周より外側における前記誘電体膜の上面が露出する状態において前記第３電極の上面にイオンまたは原子を照射する工程を含む請求項７に記載のキャパシタの製造方法。

【請求項9】

前記第３電極を形成する工程は、前記第２電極上に第１開口を有する第１マスク層を形成する工程と、前記第１開口の内面および前記第１マスク層上にシード層を形成する工程と、前記シード層上に前記第１開口より大きい第２開口を有する第２マスク層を形成する工程と、前記第２開口内にめっき層を形成する工程と、前記第２マスク層を除去する工程と、前記めっき層をマスクに前記シード層を除去する工程と、前記第１マスク層を除去する工程と、を含む請求項８に記載のキャパシタの製造方法。

【手続補正2】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００９

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0009】

【図1】図１は、実施例１に係るキャパシタの断面図である。

【図2】図２は、実施例１に係るキャパシタの平面図である。

【図3A】図３Ａは、実施例１に係るキャパシタの製造方法を示す断面図である。

【図3B】図３Ｂは、実施例１に係るキャパシタの製造方法を示す断面図である。

【図4A】図４Ａは、実施例１に係るキャパシタの製造方法を示す断面図である。

【図4B】図４Ｂは、実施例１に係るキャパシタの製造方法を示す断面図である。

【図5A】図５Ａは、実施例１に係るキャパシタの製造方法を示す断面図である。

【図5B】図５Ｂは、実施例１に係るキャパシタの製造方法を示す断面図である。

【図6A】図６Ａは、実施例１に係るキャパシタの製造方法を示す断面図である。

【図6B】図６Ｂは、実施例１に係るキャパシタの製造方法を示す断面図である。

【図7A】図７Ａは、実施例１に係るキャパシタの製造方法を示す断面図である。

【図7B】図７Ｂは、実施例１に係るキャパシタの製造方法を示す断面図である。

【図8】図８は、実施例１に係るキャパシタの別の例を示す断面図である。

【図9】図９は、比較例1に係るキャパシタの断面図である。

【図10】図１０は、比較例２に係るキャパシタの製造方法を示す断面図である。

【図11A】図１１Ａは、比較例３に係るキャパシタの製造方法を示す断面図である。

【図11B】図１１Ｂは、比較例３に係るキャパシタの製造方法を示す断面図である。

【図12】図１２は、実施例１におけるキャパシタの製造方法を示す断面図である。

【図13】図１３は、実施例１におけるキャパシタの製造方法を示す断面図である。

【手続補正3】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１８

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0018】

図２に示すように、第１電極１４はＭＩＭキャパシタ６０が設けられた領域より－Ｙ側に大きく設けられている。ＭＩＭキャパシタ６０の－Ｙ側では、第１電極１４の上面に電極２１が設けられている。電極２１は領域５０ａにおいて第１電極１４に接触する。電極２１は、第３電極２０と同じシード層２０ａとめっき層２０ｂを備え、第３電極２０と同時に形成される。第２電極１８に接触された第３電極２０はＭＩＭキャパシタ６０が設けられた領域より＋Ｙ側に大きく設けられている。第３電極２０および電極２１はそれぞれ第２電極１８および第１電極１４を別の素子と電気的に接続する配線として機能する。

【手続補正4】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１９

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0019】

第１電極１４が－Ｙ方向に引き出された領域および第３電極２０が＋Ｙ方向に引き出された領域以外の領域において、第１電極１４の外周５１は第２電極１８の外周５３より外側に位置する。領域５０の外周５５は第２電極１８の外周５３より内側に位置する。第３電極２０の外周５４は第２電極１８の外周５３より外側に位置する。外周５１と５３との距離をＬ１、外周５４と５３との距離をＬ２、外周５４と５５との距離をＬ３とする。距離Ｌ１は例えば１μｍ～１０μｍ、距離Ｌ２は例えば０．１μｍ～３μｍ、距離Ｌ３は例えば０．２μｍ～５μｍである。図１において、第３電極２０の下面の外周と第２電極１８の上面とのＸ方向またはＹ方向（基板１０の上面の面方向）から見た高さＴ１は、例えば０．０５μｍ～１μｍである。なお、第１電極１４、誘電体膜１６、第２電極１８および第３電極２０の側面が基板１０の上面に対し垂直でない場合（例えば側面が傾斜しているまたは側面が曲線を含む場合）、外周５１～５４は、対応する側面のうち平面視における最も外側の位置に相当する。

【手続補正5】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２３

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0023】

図６Ａに示すように、シード層２０ａ上に開口４７を有するマスク層４６を形成する。マスク層４６は例えばフォトレジストでありフォトリソグラフィ法を用い形成する。開口４７の外周が第３電極２０の外周５４にほぼ一致する。開口４７内にめっき層２０ｂを形成する。めっき層２０ｂは、例えばシード層２０ａから電流を供給する電解めっき法を用い形成する。図６Ｂに示すように、マスク層４６を除去する。マスク層４６の除去には、酸素プラズマ処理および／または剥離液処理を用いる。めっき層２０ｂをマスクにシード層２０ａを除去する。シード層２０ａは例えばアルゴンイオンをシード層２０ａに照射するイオンミリング法等のエッチング法を用い除去する。その後マスク層４４を除去する。マスク層４４の除去には、酸素プラズマ処理および／または剥離液処理を用いる。第３電極２０の上面に不要層２３が形成される。不要層２３は、マスク層４６、シード層２０ａおよびマスク層４４の除去の工程において、第３電極２０のめっき層２０ｂの表面が酸化された酸化層または残留物である。

【手続補正6】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２５

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0025】

図８は、実施例１に係るキャパシタの別の例を示す断面図である。図８に示すように、図７Ｂの後に保護膜２２を覆うように絶縁体膜２４を形成してもよい。絶縁体膜２４は、例えばポリイミドまたはＢＣＢ樹脂等である。

【手続補正7】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００３０

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0030】

比較例１～３のように、保護膜２２の剥離を抑制しようとすると、ＭＩＭキャパシタ６０の耐圧が低下してしまう。実施例１では、平面視において、第３電極２０の外周５４は第１電極１４の外周５１および誘電体膜１６の外周５２より内側に位置する。第３電極２０は、平面視における第２電極１８の内側の領域５０において第２電極１８に接触し、平面視における領域５０の外側において第２電極１８および誘電体膜１６から上方に離れている。このような構造において、平面視において、第３電極２０の外周５４が第２電極１８の外周５３より外側に位置する。図７Ａのように、第２電極１８の外周５３より外側における誘電体膜１６の上面が露出する状態において第３電極２０の上面に形成された不要層２３を除去する。不要層２３を除去した後に、誘電体膜１６上、第２電極１８上および第３電極２０に接触して覆う保護膜２２を形成する。

【手続補正8】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００３２

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0032】

図１２は、実施例１におけるキャパシタの製造方法を示す拡大断面図であり、図７Ａに相当する工程における拡大図である。図１２に示すように、第３電極２０の外周５３と第２電極１８の外周５４との平面視における距離Ｌ２が短い場合、イオン４８が照射されない領域５６のＸ方向の幅が狭くなり領域５８が第２電極１８に近くなる。これにより、矢印５７のように、第２電極１８から領域５６、５８および誘電体膜１６を介し第１電極１４に至る経路が短く、ＭＩＭキャパシタ６０の耐圧が低下する可能性がある。この観点から距離Ｌ２は、誘電体膜１６の厚さＴ２の０．５倍以上であることが好ましく、１倍以上がより好ましく、２倍以上がさらに好ましい。製造の観点から距離Ｌ２は誘電体膜１６の厚さの１０倍以下が好ましい。また、第２電極１８と第３電極２０との合わせ精度の観点から距離Ｌ２は０．２μｍ以上が好ましい。

【手続補正9】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００３４

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0034】

第３電極２０の外周５４が外側に位置しすぎると、保護膜２２が第３電極２０の庇下に回り込みにくくなる。この観点から、第３電極２０の外周５４と領域５０の外周５５との平面視における高さＴ１は距離Ｌ３の０．５倍以上が好ましく、１倍以上がより好ましい。距離Ｌ３は例えば３μｍ以下が好ましい。製造の観点から高さＴ１は距離Ｌ３の３倍以下が好ましい。

【手続補正10】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００３７

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0037】

図５Ａ～図６Ｂにおける第３電極２０の形成する工程において、図５Ａのように、第２電極１８上に開口４５（第１開口）を有するマスク層４４（第１マスク層）を形成する。図５Ｂのように、開口４５の内面およびマスク層４４上にシード層２０ａを形成する。図６Ａのように、シード層２０ａ上に開口４５より大きい開口４７（第２開口）を有するマスク層４６（第２マスク層）を形成する。開口４７内にめっき層を形成する。図６Ｂのように、マスク層４６を除去し、めっき層２０ｂをマスクにシード層２０ａを除去し、マスク層４４を除去する。このように、第３電極２０を形成すると、第２電極１８の内側の領域５０おいて第２電極１８に接触し、領域５０の外側において第２電極１８および誘電体膜１６から上方に離れる。また、第３電極２０は、第２電極１８上に設けられたシード層２０ａと、シード層２０ａ上に設けられためっき層２０ｂとを備える。さらに、マスク層４６、シード層２０ａおよびマスク層４４を除去する工程において、第３電極２０の上面に不要層２３が形成される。そこで、図７Ａのようにイオンまたは原子を第３電極２０に照射することで不要層２３の除去を行うことが好ましい。

【手続補正11】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００３８

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0038】

実施例１では、不要層２３の除去を行う工程において誘電体膜１６に導入されるダメージ等に起因するキャパシタの耐圧低下について説明した。誘電体膜１６のダメージ等は、不要層２３を除去する工程以外の工程において導入されることもある。このような場合も誘電体膜１６に導入されたダメージ等によりキャパシタの耐圧が低下することがある。図６Ａから図７Ｂまでの工程において誘電体膜１６にダメージ等が導入される場合、第３電極２０の外周５４を第２電極１８の外周５３より外側に設けることで、第２電極１８に接する誘電体膜１６の上面にダメージ等が導入されることを抑制でき、キャパシタの耐圧を改善できる。