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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023130081
(43)【公開日】2023-09-20
(54)【発明の名称】電子機器及び多段基板
(51)【国際特許分類】
H05K 1/14 20060101AFI20230912BHJP
H05K 3/36 20060101ALI20230912BHJP
H01L 23/12 20060101ALI20230912BHJP
【ＦＩ】
H05K1/14 G
H05K3/36 B
H01L23/12 N
【審査請求】未請求
【請求項の数】14
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022034534
(22)【出願日】2022-03-07
(71)【出願人】
【識別番号】000002185
【氏名又は名称】ソニーグループ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100116942
【弁理士】
【氏名又は名称】岩田 雅信
(74)【代理人】
【識別番号】100167704
【弁理士】
【氏名又は名称】中川 裕人
(72)【発明者】
【氏名】山田 一成
【テーマコード（参考）】
5E344
【Ｆターム（参考）】
5E344AA01
5E344AA22
5E344BB03
5E344BB08
5E344CC05
5E344CC11
5E344CC24
5E344CC25
5E344DD03
5E344DD04
5E344EE16
5E344EE17
5E344EE21
5E344EE26
(57)【要約】
【課題】 機能性を損なうことなく隣り合う中間基板間の高い接合強度を確保する。
【解決手段】 トップ基板には厚み方向における少なくとも一方の面に第１の回路パターンが形成され、ボトム基板には厚み方向における少なくとも一方の面に第２の回路パターンが形成され、中間基板は両端がそれぞれバンプを介して第１の回路パターンと第２の回路パターンに接続可能な複数の接続用導体を有すると共にトップ基板とボトム基板の間に位置され、複数の中間基板は各一部が対向した状態で位置される対向部として形成され、対向部はメッキ部が設けられた接合部とメッキ部が設けられていない非接合部とを有し、ボトム基板又は中間基板には少なくともトップ基板側に開口され半田が注入される注入溝が形成され、隣り合う中間基板の接合部同士が対向された状態において注入溝に注入された半田がリフローによる加熱時に毛細管現象により接合部間で流動される。
【選択図】図８
【解決手段】 トップ基板には厚み方向における少なくとも一方の面に第１の回路パターンが形成され、ボトム基板には厚み方向における少なくとも一方の面に第２の回路パターンが形成され、中間基板は両端がそれぞれバンプを介して第１の回路パターンと第２の回路パターンに接続可能な複数の接続用導体を有すると共にトップ基板とボトム基板の間に位置され、複数の中間基板は各一部が対向した状態で位置される対向部として形成され、対向部はメッキ部が設けられた接合部とメッキ部が設けられていない非接合部とを有し、ボトム基板又は中間基板には少なくともトップ基板側に開口され半田が注入される注入溝が形成され、隣り合う中間基板の接合部同士が対向された状態において注入溝に注入された半田がリフローによる加熱時に毛細管現象により接合部間で流動される。
【選択図】図８
【特許請求の範囲】
【請求項1】
トップ基板とボトム基板と複数の中間基板とを有する多段基板が内部に配置され、
前記トップ基板には厚み方向における少なくとも一方の面に第１の回路パターンが形成され、
前記ボトム基板には厚み方向における少なくとも一方の面に第２の回路パターンが形成され、
前記中間基板は両端がそれぞれバンプを介して前記第１の回路パターンと前記第２の回路パターンに接続可能な複数の接続用導体を有すると共に前記トップ基板と前記ボトム基板の間に位置され、
複数の前記中間基板は各一部が対向した状態で位置される対向部として形成され、
前記対向部はメッキ部が設けられた接合部と前記メッキ部が設けられていない非接合部とを有し、
前記ボトム基板又は前記中間基板には少なくとも前記トップ基板側に開口され半田が注入される注入溝が形成され、
隣り合う前記中間基板の前記接合部同士が対向された状態において前記注入溝に注入された半田がリフローによる加熱時に毛細管現象により前記接合部間で流動される
電子機器。
前記トップ基板には厚み方向における少なくとも一方の面に第１の回路パターンが形成され、
前記ボトム基板には厚み方向における少なくとも一方の面に第２の回路パターンが形成され、
前記中間基板は両端がそれぞれバンプを介して前記第１の回路パターンと前記第２の回路パターンに接続可能な複数の接続用導体を有すると共に前記トップ基板と前記ボトム基板の間に位置され、
複数の前記中間基板は各一部が対向した状態で位置される対向部として形成され、
前記対向部はメッキ部が設けられた接合部と前記メッキ部が設けられていない非接合部とを有し、
前記ボトム基板又は前記中間基板には少なくとも前記トップ基板側に開口され半田が注入される注入溝が形成され、
隣り合う前記中間基板の前記接合部同士が対向された状態において前記注入溝に注入された半田がリフローによる加熱時に毛細管現象により前記接合部間で流動される
電子機器。
【請求項2】
前記注入溝は前記ボトム基板に形成されると共に導電部が設けられた接続部と前記導電部が設けられていない非接続部とを有し、
前記注入溝の両側にそれぞれ前記中間基板が位置され前記接合部同士と前記非接合部同士がそれぞれ対向された状態において前記半田が毛細管現象により前記接合部間で流動される
請求項１に記載の電子機器。
前記注入溝の両側にそれぞれ前記中間基板が位置され前記接合部同士と前記非接合部同士がそれぞれ対向された状態において前記半田が毛細管現象により前記接合部間で流動される
請求項１に記載の電子機器。
【請求項3】
前記接合部と前記非接合部と前記接続部と前記非接続部がそれぞれ複数形成され、
前記接合部と前記非接合部が交互に形成され、
前記接続部と前記非接続部が交互に形成された
請求項２に記載の電子機器。
前記接合部と前記非接合部が交互に形成され、
前記接続部と前記非接続部が交互に形成された
請求項２に記載の電子機器。
【請求項4】
前記非接続部の容積が前記接続部の容積より大きくされた
請求項２に記載の電子機器。
請求項２に記載の電子機器。
【請求項5】
前記注入溝が前記ボトム基板に形成され、
前記対向部の全体が前記接合部として形成され、
前記非接続部は前記中間基板が位置される部分の外側に形成された
請求項２に記載の電子機器。
前記対向部の全体が前記接合部として形成され、
前記非接続部は前記中間基板が位置される部分の外側に形成された
請求項２に記載の電子機器。
【請求項6】
複数の前記中間基板が前記ボトム基板の周方向において離隔して位置され、
複数の前記接続用導体が厚み方向からの視認状態において千鳥状に配列され、
前記ボトム基板と前記中間基板の間にはスペーサーとして機能する電子部品が前記接続用導体に非接触の状態で配置され、
前記電子部品が前記中間基板における対角の角部にそれぞれ配置され、
前記ボトム基板の周方向において順に配置された複数の前記電子部品が外側と内側に交互に位置された
請求項１に記載の電子機器。
複数の前記接続用導体が厚み方向からの視認状態において千鳥状に配列され、
前記ボトム基板と前記中間基板の間にはスペーサーとして機能する電子部品が前記接続用導体に非接触の状態で配置され、
前記電子部品が前記中間基板における対角の角部にそれぞれ配置され、
前記ボトム基板の周方向において順に配置された複数の前記電子部品が外側と内側に交互に位置された
請求項１に記載の電子機器。
【請求項7】
複数の前記電子部品のうち最も離隔して配置された二つの前記電子部品が位置決め用電子部品として設けられ、
前記位置決め用電子部品の高さが他の前記電子部品の高さより高くされ、
前記中間基板における前記位置決め用電子部品が配置される部分に前記位置決め用電子部品の一部が挿入される挿入用凹部が形成された
請求項６に記載の電子機器。
前記位置決め用電子部品の高さが他の前記電子部品の高さより高くされ、
前記中間基板における前記位置決め用電子部品が配置される部分に前記位置決め用電子部品の一部が挿入される挿入用凹部が形成された
請求項６に記載の電子機器。
【請求項8】
複数の前記中間基板が前記ボトム基板の周方向において離隔して位置され、
複数の前記中間基板は前記トップ基板の外周に沿って塗布される接着剤であるサイドフィルによって前記トップ基板に接着され、
前記トップ基板には外周部に外方に突出され周方向に離隔して位置された複数の堰き止め用突部が設けられ、
複数の前記中間基板は各前記中間基板の隙間がそれぞれ前記堰き止め用突部に覆われた状態で前記トップ基板に接合された
請求項１に記載の電子機器。
複数の前記中間基板は前記トップ基板の外周に沿って塗布される接着剤であるサイドフィルによって前記トップ基板に接着され、
前記トップ基板には外周部に外方に突出され周方向に離隔して位置された複数の堰き止め用突部が設けられ、
複数の前記中間基板は各前記中間基板の隙間がそれぞれ前記堰き止め用突部に覆われた状態で前記トップ基板に接合された
請求項１に記載の電子機器。
【請求項9】
前記トップ基板が絶縁性を有する基材ベースと前記基材ベース上に形成された前記第１の回路パターンとを有し、
前記基材ベースが原板において複数の繋ぎ目を介して繋がれた部分が前記繋ぎ目の中間部で切断されることにより形成され、
前記堰き止め用突部として前記繋ぎ目が用いられた
請求項８に記載の電子機器。
前記基材ベースが原板において複数の繋ぎ目を介して繋がれた部分が前記繋ぎ目の中間部で切断されることにより形成され、
前記堰き止め用突部として前記繋ぎ目が用いられた
請求項８に記載の電子機器。
【請求項10】
複数の前記中間基板が前記ボトム基板の周方向において離隔して位置された状態における四つのコーナーにそれぞれ前記サイドフィルを堰き止める堰き止め用壁部が設けられた
請求項８に記載の電子機器。
請求項８に記載の電子機器。
【請求項11】
前記中間基板が絶縁性を有する基材と導電性を有する前記接続用導体とを有し、
前記堰き止め用壁部が前記基材と同一の材料によって形成された
請求項１０に記載の電子機器。
前記堰き止め用壁部が前記基材と同一の材料によって形成された
請求項１０に記載の電子機器。
【請求項12】
複数の前記接続用導体のうち各一部が差動信号回路用の一対の第１の接続線と接地回路用の複数の第２の接続線として用いられ、
複数の前記第２の接続線によって一対の前記第１の接続線が取り囲まれた状態にされ、
前記第１の接続線が隣り合う前記中間基板においてそれぞれ一つずつ設けられ、
前記第２の接続線が隣り合う前記中間基板においてそれぞれ少なくとも一つずつ設けられた
請求項１に記載の電子機器。
複数の前記第２の接続線によって一対の前記第１の接続線が取り囲まれた状態にされ、
前記第１の接続線が隣り合う前記中間基板においてそれぞれ一つずつ設けられ、
前記第２の接続線が隣り合う前記中間基板においてそれぞれ少なくとも一つずつ設けられた
請求項１に記載の電子機器。
【請求項13】
隣り合う前記中間基板の前記接合部同士の間で流動された前記半田が固化された状態において前記第２の接続線として用いられた
請求項１２に記載の電子機器。
請求項１２に記載の電子機器。
【請求項14】
トップ基板とボトム基板と複数の中間基板とを有し、
前記トップ基板には厚み方向における少なくとも一方の面に第１の回路パターンが形成され、
前記ボトム基板には厚み方向における少なくとも一方の面に第２の回路パターンが形成され、
前記中間基板は両端がそれぞれバンプを介して前記第１の回路パターンと前記第２の回路パターンに接続可能な複数の接続用導体を有すると共に前記トップ基板と前記ボトム基板の間に位置され、
複数の前記中間基板は各一部が対向した状態で位置される対向部として形成され、
前記対向部はメッキ部が設けられた接合部と前記メッキ部が設けられていない非接合部とを有し、
前記ボトム基板又は前記中間基板には少なくとも前記トップ基板側に開口され半田が注入される注入溝が形成され、
隣り合う前記中間基板の前記接合部同士が対向された状態において前記注入溝に注入された半田がリフローによる加熱時に毛細管現象により前記接合部間で流動される
多段基板。
前記トップ基板には厚み方向における少なくとも一方の面に第１の回路パターンが形成され、
前記ボトム基板には厚み方向における少なくとも一方の面に第２の回路パターンが形成され、
前記中間基板は両端がそれぞれバンプを介して前記第１の回路パターンと前記第２の回路パターンに接続可能な複数の接続用導体を有すると共に前記トップ基板と前記ボトム基板の間に位置され、
複数の前記中間基板は各一部が対向した状態で位置される対向部として形成され、
前記対向部はメッキ部が設けられた接合部と前記メッキ部が設けられていない非接合部とを有し、
前記ボトム基板又は前記中間基板には少なくとも前記トップ基板側に開口され半田が注入される注入溝が形成され、
隣り合う前記中間基板の前記接合部同士が対向された状態において前記注入溝に注入された半田がリフローによる加熱時に毛細管現象により前記接合部間で流動される
多段基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本技術はトップ基板とボトム基板と中間基板を有する多段基板及びこれを備えた電子機器についての技術分野に関する。
【背景技術】
【0002】
撮像装置や携帯電話等の各種の電子機器の内部には制御回路等が形成された回路基板が配置されており、これらの回路基板には複数の基板が厚み方向において接続された多段基板がある（例えば、特許文献１参照）。
【0003】
このような多段基板には、トップ基板とボトム基板の間に全体として枠状に形成された中間基板を実装するスタック実装と称される実装方法が用いられ、スタック実装によりトップ基板とボトム基板の間において中間基板の内側に形成される空間に電子部品が搭載されるものがある。
【0004】
このようなスタック実装が行われる多段基板においては、各基板の両面にそれぞれ回路を形成したり中間基板の内側の空間に電子部品を位置させることにより投影面積を小さくした状態で機能性を高めることが可能であり、電子機器の機能性を高めた上で小型化を図ることができる。
【0005】
スタック実装が行われる多段基板の中間基板はインターポーザ基板と称され、枠状に形成されたタイプの他、短冊状に形成されたタイプがあり、一般には、厚みが２ｍｍ程度にされている。
【0006】
中間基板には両端が厚み方向における両面に露出された接続用導体が複数形成されており、所定の接続用導体がトップ基板の第１の回路パターンとボトム基板の第２の回路パターンに半田等により形成されたバンプを介して接合されることにより、第１の回路パターンと第２の回路パターンが接続用導体を介して接続される。
【0007】
ところで、上記のようなスタック実装が行われる多段基板においては、電子機器の落下時等に生じる衝撃に対する強度の向上を図る必要がある。
【0008】
強度の向上を図るためには、枠状に形成されたタイプの中間基板が用いられることが望ましいが、中間基板は平板状の原板の一部が切り取られることにより形成されるため、枠状に形成されたタイプの中間基板が形成される場合には、中間基板の内側の部分が廃棄される部分になってしまう等の不都合がある。従って、１枚の原板から形成される中間基板の数が少なくなってしまい、多段基板の製造コストが高くなってしまう。
【0009】
一方、短冊状に形成されたタイプの複数の中間基板が用いられる場合には、１枚の原板から形成される中間基板の数が多くなるため、多段基板の製造コストの低減を図ることができるが、隣り合う中間基板間に隙間が存在するため、衝撃に対する十分な強度を確保し難い。
【0010】
そこで、短冊状に形成されたタイプの中間基板が用いられる場合に、隣り合う中間基板が接着や半田等によって接合されることにより、多段基板の製造コストの低減を図った上で衝撃に対する強度を高めることが可能になる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0011】
【特許文献1】特開平７－８６７５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0012】
上記のように、多段基板においては、短冊状に形成された隣り合う中間基板が接着や半田等によって接合されることにより、製造コストの低減を図った上で衝撃に対する高い強度を確保することが可能である。
【0013】
しかしながら、隣り合う中間基板を接着によって接合する場合にリフローを行った後に接着作業を行うと、中間基板の厚み方向における両側にトップ基板とボトム基板が存在するため、接着用のディスペンサーを隣り合う中間基板の隙間に挿入し難く、隙間に十分な量の接着剤を注入することができず隣り合う中間基板間の十分な接合強度を確保することができなくなるおそれがある。
【0014】
また、隣り合う中間基板を接着によって接合する場合にリフローを行う前に接着作業を行うと、接着剤がリフロー時の熱による十分な耐熱性を有する必要があるため、接着剤の種類等によっては隣り合う中間基板間の十分な接合強度を確保することができなくなるおそれがある。
【0015】
一方、隣り合う中間基板を半田によって接合する場合には、中間基板がトップ基板とボトム基板の間に配置された状態においてディスペンサー等によって隣り合う中間基板の隙間に半田が注入されるが、中間基板の厚みが２ｍｍ程度と厚いため、隣り合う中間基板間の十分な接合強度を確保するために隣り合う中間基板の隙間に十分な量の半田を注入する必要がある。
【0016】
しかしながら、半田の注入量が多くなると半田がトップ基板と中間基板の間やボトム基板と中間基板の間に流入し接続用導体に付着して短絡（ショート）を発生し機能性を損なうおそれがある。従って、隣り合う中間基板の隙間に注入する半田を一定量に制限することが望ましいが、この場合には隣り合う中間基板の隙間に十分な量の半田が注入されなくなる可能性があり、隣り合う中間基板間の十分な接合強度を確保することができなくなるおそれがある。
【0017】
そこで、本技術電子機器及び多段基板は、機能性を損なうことなく隣り合う中間基板間の高い接合強度を確保することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0018】
本技術に係る電子機器は、トップ基板とボトム基板と複数の中間基板とを有する多段基板が内部に配置され、前記トップ基板には厚み方向における少なくとも一方の面に第１の回路パターンが形成され、前記ボトム基板には厚み方向における少なくとも一方の面に第２の回路パターンが形成され、前記中間基板は両端がそれぞれバンプを介して前記第１の回路パターンと前記第２の回路パターンに接続可能な複数の接続用導体を有すると共に前記トップ基板と前記ボトム基板の間に位置され、複数の前記中間基板は各一部が対向した状態で位置される対向部として形成され、前記対向部はメッキ部が設けられた接合部と前記メッキ部が設けられていない非接合部とを有し、前記ボトム基板又は前記中間基板には少なくとも前記トップ基板側に開口され半田が注入される注入溝が形成され、隣り合う前記中間基板の前記接合部同士が対向された状態において前記注入溝に注入された半田がリフローによる加熱時に毛細管現象により前記接合部間で流動されるものである。
【0019】
本技術に係る多段基板は、トップ基板とボトム基板と複数の中間基板とを有し、前記トップ基板には厚み方向における少なくとも一方の面に第１の回路パターンが形成され、前記ボトム基板には厚み方向における少なくとも一方の面に第２の回路パターンが形成され、前記中間基板は両端がそれぞれバンプを介して前記第１の回路パターンと前記第２の回路パターンに接続可能な複数の接続用導体を有すると共に前記トップ基板と前記ボトム基板の間に位置され、複数の前記中間基板は各一部が対向した状態で位置される対向部として形成され、前記対向部はメッキ部が設けられた接合部と前記メッキ部が設けられていない非接合部とを有し、前記ボトム基板又は前記中間基板には少なくとも前記トップ基板側に開口され半田が注入される注入溝が形成され、隣り合う前記中間基板の前記接合部同士が対向された状態において前記注入溝に注入された半田がリフローによる加熱時に毛細管現象により前記接合部間で流動されるものである。
【0020】
これにより、本技術に係る電子機器及び多段基板においては、注入溝に注入された半田が加熱時に毛細管現象により対向する接合部を伝ってトップ基板とボトム基板の間で流動され、接合部の隙間の全体に半田が充填される。
【図面の簡単な説明】
【0021】
【図2】多段基板の概略分解斜視図である。
【図3】多段基板の概略斜視図である。
【図4】中間基板の概略平面図である。
【図5】中間基板の概略断面図である。
【図6】中間基板の配置状態の一部を示す概略平面図である。
【図7】多段基板の一部を示す概略断面図である。
【図8】隣り合う中間基板とボトム基板の各一部を示す分解斜視図である。
【図9】隣り合う中間基板がボトム基板上に配置された状態を示す斜視図である。
【図10】注入溝を示す平面図である。
【図11】注入溝に半田が注入された状態を示す平面図である。
【図12】ボトム基板上に二つの中間基板が配置された状態を示す平面図である。
【図13】注入溝に注入された半田が接合部間で流動される状態を示す断面図である。
【図14】中間基板の外側に非接合部が形成された例を示す平面図である。
【図15】中間基板の外側に非接合部が形成された例を示す断面図である。
【図16】中間基板に注入溝が形成された例を示す平面図である。
【図17】中間基板に注入溝が形成された例を示す断面図である。
【図18】中間基板のスペースに電子部品が配置された例を示す平面図である。
【図19】中間基板のスペースに電子部品が配置された例において電子部品の全体の配置状態を示す平面図である。
【図20】位置決め用電子部品が配置された状態を示す正面図である。
【図21】中間基板のスペースに電子部品が配置された例において静荷重が付与されている状態を示す正面図である。
【図22】トップ基板等にサイドフィルが塗布されている状態を示す図である。
【図23】トップ基板の原板を示す平面図である。
【図24】繋ぎ目間においてトップ基板等にサイドフィルが塗布された状態を示す図である。
【図25】中間基板に堰き止め用壁部が設けられた例を示す斜視図である。
【図26】図２７乃至図３１と共に差動信号回路用の第１の接続線と接地回路用の第２の接続線との構成を示すものであり、本図は、横長の状態で配置された隣り合う中間基板において一つずつの接続用導体が第１の接続線として用いられ少なくとも一つずつの接続用導体が第２の接続線として用いられた例を示す平面図である。
【図27】横長の状態と縦長の状態で配置された隣り合う中間基板において一つずつの接続用導体が第１の接続線として用いられ少なくとも一つずつの接続用導体が第２の接続線として用いられた例を示す平面図である。
【図28】横長の状態と縦長の状態で配置された隣り合う中間基板において一つずつの接続用導体が第１の接続線として用いられ少なくとも一つずつの接続用導体が第２の接続線として用いられた別の例を示す平面図である。
【図29】横長の状態で配置された隣り合う中間基板において少なくとも一つずつの接続用導体が第２の接続線として用いられた例を示す平面図である。
【図30】横長の状態で配置された隣り合う中間基板において少なくとも一つずつの接続用導体が第２の接続線として用いられた別の例を示す平面図である。
【図31】横長の状態と縦長の状態で配置された隣り合う中間基板において少なくとも一つずつの接続用導体が第２の接続線として用いられた例を示す平面図である。
【図32】電子機器のブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【0022】
以下に、本技術電子機器及び多段基板を実施するための形態を添付図面を参照して説明する。
【0023】
以下に示した実施の形態は、本技術電子機器をインターポーザ基板と称される中間基板を実装するスタック実装によって形成された多段基板が配置された撮像装置に適用したものである。但し、本技術の適用範囲は撮像装置に限られることはない。本技術は内部にこのような多段基板が配置されている他の電子機器、例えば、携帯電話や音響装置等の各種の電子機器に広く適用することができる。
【0024】
多段基板はトップ基板とボトム基板と中間基板を有し中間基板がトップ基板とボトム基板の間に実装された構成にされており、以下の説明にあっては、トップ基板側を上側としボトム基板側を下側として前後上下左右の方向を示す。尚、以下に示す前後上下左右の方向は説明の便宜上のものであり、本技術の実施に関しては、これらの方向に限定されることはない。
【0025】
＜電子機器の概略構成＞
先ず、電子機器１００の概略構成について説明する（図１参照）。
先ず、電子機器１００の概略構成について説明する（図１参照）。
【0026】
電子機器（撮像装置）１００は外筐１０１の内外に所要の各部が配置されて構成されている。
【0027】
外筐１０１はフロントキャビネット１０２とリアキャビネット１０３を有している。フロントキャビネット１０２は、例えば、後方に開口された横長の箱状に形成され、前面部に開口部１０２ａを有している。開口部１０２ａの周辺部分には交換レンズの着脱が可能なマウント部１０５が取り付けられている。リアキャビネット１０３は前後方向を向く略平板状に形成され、フロントキャビネット１０２の後側の開口を閉塞する状態でフロントキャビネット１０２に取り付けられている。
【0028】
外筐１０１の内部には基板取付部材として機能するブラケット１０４が配置されている。ブラケット１０４には多段基板１が取り付けられている。多段基板１は、例えば、電子機器１００の各部を制御する制御基板として機能する。
【0029】
【0030】
多段基板１はトップ基板２とボトム基板３と複数の中間基板４とを有している（図２及び図３参照）。トップ基板２とボトム基板３の厚みは中間基板４の厚みより薄くされ、中間基板４の厚みは、例えば、２ｍｍ程度にされている。
【0031】
トップ基板２はガラスエポキシやアルミナ等によって形成された矩形状の基材ベース５と基材ベース５の厚み方向における少なくとも一方の面に搭載された複数の電子部品６とを有している。基材ベース５は絶縁性を有し、基材ベース５の厚み方向における一方の面又は両面には図示しない第１の回路パターンが形成されている。電子部品６は第１の回路パターンの各部に半田等によって接合された状態で搭載されている。
【0032】
ボトム基板３は、トップ基板２と同様に、ガラスエポキシやアルミナ等によって形成された矩形状の基材ベース７と基材ベース７の厚み方向における少なくとも一方の面に搭載された複数の電子部品８とを有している。基材ベース７は絶縁性を有し、基材ベース７の厚み方向における一方の面又は両面には図示しない第２の回路パターンが形成されている。電子部品８は第２の回路パターンの各部に半田等によって接合された状態で搭載されている。
【0033】
尚、トップ基板２とボトム基板３は外形状が同じ大きさにされていても異なる大きさにされていてもよく、異なる大きさにされている場合には、例えば、ボトム基板３がトップ基板２より一回り大きくされている。但し、トップ基板２がボトム基板３より一回り大きくされていてもよい。
【0034】
中間基板４は短冊状（長方形状）に形成され、絶縁性を有する基材９と基材９の厚み方向（上下方向）に延びる複数の接続用導体１０とを有している（図４及び図５参照）。接続用導体１０は両端面がそれぞれ第１の接続面１０ａと第２の接続面１０ｂとして形成され、第１の接続面１０ａと第２の接続面１０ｂが基材９の厚み方向における両面（上下両面）にそれぞれ露出されている。中間基板４は厚み方向からの視認状態において複数の接続用導体１０が千鳥状に配列されている（図４参照）。接続用導体１０はトップ基板２とボトム基板３に形成される各種の回路用の接続線として機能する。
【0035】
複数の中間基板４はボトム基板３の周方向において所定の間隔で離隔して位置され、全体として枠状に配置されている（図２及び図３参照）。複数の中間基板４は上面がトップ基板２に接合され下面がボトム基板３に接合されており、トップ基板２とボトム基板３の間に配置されている。
【0036】
中間基板４は、例えば、８枚が設けられ、ボトム基板３の外周寄りの部分に接合されている。複数の中間基板４はボトム基板３とトップ基板２に対して点対称の状態で配置されている。隣り合う二つの中間基板４は外周部（外周面）の一部がそれぞれ対向した状態にされ、対向した各部がそれぞれ対向部１１として形成されている（図６参照）。一つの中間基板４には二つの対向部１１が形成されている。
【0037】
中間基板４においては隣り合う中間基板４との対向する部分がボトム基板３に接合された向きや位置によって変わる。従って、中間基板４には、長手方向における両端部（両端面）がそれぞれ二つの対向部１１として形成されるタイプと、長手方向における一方の端部とこの端部に連続する部分とがそれぞれ二つの対向部１１として形成されるタイプの二つのタイプが存在する。
【0038】
隣り合う中間基板４の隙間には後述するように半田が充填され、隣り合う中間基板４が半田によって接合される。従って、多段基板１においては、全ての中間基板４の隙間に半田が充填され隣り合う全ての中間基板４が接合されて全体として枠状にされるため、多段基板１の落下時等に生じる衝撃に対する強度の向上を図ることができる。
【0039】
尚、多段基板１においては、トップ基板２又はボトム基板３に、例えば、メディアスロット（カードスロット）等の各部品が接続されていてもよい。
【0040】
多段基板１において、中間基板４は接続用導体１０の第１の接続面１０ａがトップ基板２の端子部２ａにバンプ３０によって接続される（図７参照）。端子部２ａは第１の回路パターンの一部であり、バンプ３０は、例えば、半田によって形成されている。また、中間基板４は接続用導体１０の第２の接続面１０ｂがボトム基板３の端子部３ａにバンプ４０によって接続される。端子部３ａは第２の回路パターンの一部であり、バンプ４０は、例えば、半田によって形成されている。
【0041】
【0042】
上記したように、多段基板１においては、全ての中間基板４の隙間に半田が注入されて隣り合う全ての中間基板４が接合されて全体として枠状にされる。尚、隣り合う中間基板４は対向部１１同士が接合されるが、以下には、中間基板４の長手方向における端部に形成された対向部１１同士が接合される場合を例として説明する。
【0043】
【0044】
注入溝１２はトップ基板２側（上側）に開口され、例えば、交互に形成された複数の接続部１３と複数の非接続部１４とを有している。尚、注入溝１２においては一つの接続部１３と複数の非接続部１４が形成されていてもよい。
【0045】
接続部１３は細幅のスリット状に形成されて幅Ｈ１にされ、非接続部１４は幅Ｈ２が接続部１３の幅Ｈ１より大きくされ、例えば、幅方向における両側が曲面状に形成されている。接続部１３は幅方向において対向する二つの側面１３ａを有し、接続部１３の底面には銅箔等の導電部１５が設けられ、導電部１５は、例えば、第２の回路パターンの一部として設けられている。導電部１５の表面１５ａは側面１３ａの上縁より下方に位置されている。非接続部１４は対向する二つの周面１４ａと底面１４ｂとを有し、非接続部１４には導電部１５が設けられておらず、その分、非接続部１４は底面１４ｂが導電部１５の表面１５ａより下方に位置されている。非接続部１４はレジストが取り除かれた部分にされている。注入溝１２においては非接続部１４の容積が接続部１３の容積より大きくされている。
【0046】
また、多段基板１においては、隣り合う中間基板４の接合を行うための構造として中間基板４の対向部１１に接合部１１ａと非接合部１１ｂが形成されている。
【0047】
接合部１１ａは平面状に形成され接合部１１ａには銅箔等のメッキ部１６が設けられている。非接合部１１ｂは側方に開口された凹状に形成され、表面が、例えば、周面１４ａと同じ大きさ及び形状の曲面状にされている。非接合部１１ｂはレジストが取り除かれた部分にされている。接合部１１ａと非接合部１１ｂはそれぞれ接続部１３と非接続部１４と同じ数が交互に形成されている。
【0048】
注入溝１２の長手方向と対向部１１の長手方向において、接合部１１ａの長さは接続部１３の長さと同じにされ、非接合部１１ｂの長さは非接続部１４の長さと同じにされている。
【0049】
隣り合う中間基板４が接合されるときには、注入溝１２に半田５０が注入され（図１１参照）、隣り合う中間基板４が注入溝１２を挟んだ両側に配置され（図１２参照）、中間基板４上にトップ基板２が配置される。注入溝１２は非接続部１４の容積が接続部１３の容積より大きくされているため、非接続部１４に対する半田５０の注入量が接続部１３に対する半田５０の注入量より多くされる。
【0050】
隣り合う中間基板４が注入溝１２を挟んだ両側に配置された状態においては、非接続部１４における周面１４ａの真上に非接合部１１ｂの表面が位置される。従って、隣り合う中間基板４の間には非接続部１４と二つの非接合部１１ｂとによって空間１７が形成される。
【0051】
また、隣り合う中間基板４が注入溝１２を挟んだ両側に配置された状態においては、メッキ部１６が導電部１５の真上に位置される。このとき隣り合う中間基板４におけるメッキ部１６の表面１６ａ間の距離が接続部１３における側面１３ａ間の距離より小さくされており、表面１６ａ間の距離Ｌは、例えば、０．５ｍｍ程度にされている。
【0052】
上記のように注入溝１２に半田５０が注入され隣り合う中間基板４が注入溝１２を挟んだ両側に配置され中間基板４上にトップ基板２が配置された状態において、リフローが行われ半田５０が加熱される。
【0053】
加熱された半田５０は溶融され、表面１６ａ間の距離Ｌが小さくされているため溶融された半田５０が毛細管現象によって接合部１１ａ間で吸い上げられてトップ基板２まで流動される（図１３参照）。リフローが終了すると接合部１１ａ間でトップ基板２まで流動された半田５０が固化され、半田５０によって隣り合う中間基板４が接合される。
【0054】
このように隣り合う中間基板４の接合部１１ａが対向された状態において注入溝１２に注入された半田５０がリフローによる加熱時に毛細管現象により接合部１１ａ間で流動されて接合部１１ａ間の全体に充填され、充填されて固化された半田５０によって隣り合う中間基板４が接合される。
【0055】
これにより、短冊状に形成された複数の中間基板４が用いられても中間基板４の全体として高い接合強度が確保されると共にトップ基板２と中間基板４の高い接合強度及びボトム基板３と中間基板４の高い接合強度も確保される。また、注入溝１２に注入された半田５０が毛細管現象により吸い上げられて接合部１１ａ間に充填されるため、半田５０がトップ基板２と中間基板４の間やボトム基板３と中間基板４の間に入り込むことがなく半田５０が接続用導体１０に付着することがない。
【0056】
従って、多段基板１の機能性を損なうことなく隣り合う中間基板４間の高い接合強度を確保することができる。
【0057】
また、対向部１１はメッキ部１６が設けられた接合部１１ａとメッキ部１６が設けられていない非接合部１１ｂとを有し、注入溝１２はボトム基板３に形成され導電部１５が設けられた接続部１３と導電部１５が設けられていない非接続部１４とを有し、注入溝１２の両側にそれぞれ中間基板４が位置され接合部１１ａ同士と非接合部１１ｂ同士がそれぞれ対向された状態において半田５０が毛細管現象により接合部１１ａ間で流動される。
【0058】
従って、注入溝１２に注入された半田５０が接合部１１ａ間で流動される状態において非接合部１１ｂ間に空間１７が存在するため、半田５０が接合部１１ａ間で流動されるときに半田５０に含まれる空気が空間１７に放出され、半田５０の内部にボイドが生じ難く、中間基板４同士の良好な接合状態を確保することができる。
【0059】
さらに、接合部１１ａと非接合部１１ｂと接続部１３と非接続部１４がそれぞれ複数形成され、接合部１１ａと非接合部１１ｂが交互に形成され、接続部１３と非接続部１４が交互に形成されている。
【0060】
従って、接続部１３と非接続部１４がそれぞれ複数形成されることにより半田５０の注入量が多くなり複数の接合部１１ａと非接合部１１ｂが交互に形成されることにより非接合部１１ｂの両側において複数の接合部１１ａで隣り合う中間基板４が半田５０によって接合されるため、中間基板４同士の一層高い接合強度を確保することができる。
【0061】
さらにまた、非接続部１４の容積が接続部１３の容積より大きくされている。
【0062】
従って、非接続部１４に対する半田５０の注入量を増加させることが可能になると共に二つの非接合部１１ｂの間の空間１７が大きな空間にされるため、対向するメッキ部１６間に十分な量の半田５０が流動されると共に半田５０に含まれる空気が空間１７に十分に放出され、中間基板４同士のより一層高い接合強度を確保することができる。
【0063】
尚、上記には、隣り合う中間基板４間に注入溝１２の接続部１３と非接続部１４が存在する例を示したが、例えば、隣り合う中間基板４間の外側に注入溝１２の非接続部１４が存在する構成にすることも可能である（図１４及び図１５参照）。
【0064】
注入溝１２は一つの接続部１３と二つの非接続部１４によって構成され、非接続部１４が非接続部１３の両側に連続して形成されている。この場合には、中間基板４の対向部１１が接合部１１ａのみによって形成される。
【0065】
このような構成においては、リフロー時に、主に、接続部１３の両側に位置された非接続部１４から半田５０が毛細管現象によって接合部１１ａ間で吸い上げられてトップ基板２まで流動される。
【0066】
上記のような非接続部１４が中間基板４の外側に存在する構成においては、中間基板４の外側から半田５０を注入することが可能であり、ボトム基板３に隣り合う中間基板４を配置した状態においても半田５０を容易に注入溝１２に注入することができ、多段基板１の製造を容易に行うことができる。
【0067】
また、中間基板４の外側に注入溝１２の非接続部１４が存在する構成においては、対向部１１の全体が接合部１１ａとして形成されるため、対向部１１同士の全体が半田５０によって接合され、中間基板４同士の強固な接合状態を確保することができる。
【0068】
【0069】
注入溝１２Ａは隣り合う中間基板４における隣り合う部分の上端部に形成され、トップ基板２側（上側）及び互いに対向する側に開口する形状に形成されている。このような構成においてはトップ基板２の下面側において注入溝１２Ａの真上に凹部１８が形成されていることが望ましい。
【0070】
このような構成においては、注入溝１２Ａに半田５０が注入され、注入溝１２Ａに半田５０が注入された状態においてトップ基板２が中間基板４上に配置される。
【0071】
リフロー時には注入溝１２Ａに注入された半田５０が毛細管現象によって接合部１１ａ間をボトム基板３まで流動される。このとき半田５０が自重によってもボトム基板３へ向けて流動されるため、半田５０の高い流動性を確保することができる。また、トップ基板２に凹部１８が形成されていることにより、注入溝１２Ａに注入された半田５０が溶融されて流動されるときに凹部１８に半田５０が留置され、凹部１８によって半田５０の端子部２ａへの流動が防止される。従って、半田５０が端子部２ａに接することがなく、半田５０による短絡の発生を防止することができる。また、上方に開口された注入溝１２Ａに半田５０が注入されるため、半田５０が接続用導体１０に流動されず短絡の発生を防止することができる。
【0072】
【0073】
上記したように、多段基板１においては、中間基板４の接続用導体１０がトップ基板２の第１の回路パターンとボトム基板３の第２の回路パターンとに接合されるが、これらの接合がバンプ３０とバンプ４０を介して行われる。接合時にはボトム基板３上に全体として枠状に形成された状態で複数の中間基板４が配置され、中間基板４上にトップ基板２が配置される。このときトップ基板２には中央部が下方に変位するような反りが発生し易くなり、反りが発生すると中間基板４からバンプ３０が浮き上がったりバンプ３０からトップ基板２が浮き上がってトップ基板２と中間基板３の良好な接合状態を確保することができなくなるおそれがある。
【0074】
そこで、接合時にはトップ基板２の反りの発生を防止するために、トップ基板２の上方から重石が載置され、重石によりトップ基板２における中間基板４の上側の位置に下方への静荷重が付与される。
【0075】
このとき、静荷重が付与されることにより、中間基板４とボトム基板３の間に位置されたバンプ４０に過度の潰れが発生する可能性があるため、バンプ４０の過度の潰れを防止するために、中間基板４とボトム基板３の間にスペーサーが配置されることがある。
【0076】
しかしながら、スペーサーの位置等によっては中間基板４がボトム基板３に対して傾いてしまい、バンプ４０による中間基板４とボトム基板３の良好な接合状態を確保することができなくなるおそれがある。
【0077】
【0078】
上記したように、中間基板４は厚み方向からの視認状態において複数の接続用導体１０が千鳥状に配列されており、中間基板４の接続用導体１０が千鳥状に配列されることにより、対角の角部に接続用導体１０の存在しないスペース４ａが形成されている（図１８参照）。
【0079】
接続用導体１０が千鳥状に配列された複数の中間基板４は、トップ基板２とボトム基板３に対する接合が行われるときにボトム基板３上にボトム基板３の周方向に離隔して配置され、全体として枠状に配置される（図１９参照）。複数の中間基板４上にはトップ基板２が配置される。
【0080】
このときボトム基板３と中間基板４の間においてスペース４ａには接続用導体１０に接しない状態でスペーサーとして機能する電子部品１９が配置される（図１８及び図１９参照）。電子部品１９は第２の回路パターンが形成されていない部分に配置され、回路上の電子部品としては用いられない。従って、電子部品１９としては抵抗部品等の安価なタイプが用いられていればよい。電子部品１９は、例えば、接着等によってボトム基板３の上面又は中間基板４のスペース４ａの少なくとも一方に固定される。
【0081】
このように電子部品１９は中間基板４のスペース４ａに配置されるが、ボトム基板３の周方向において順に配置された電子部品１９が外側と内側に交互に位置されるように全ての中間基板４がボトム基板３上に配置される。具体的には、図１９に示すように、電子部品１９がボトム基板３の周方向において順にＰ１、Ｐ２、Ｐ３、・・・とされたときに、奇数番号のＰ１、Ｐ３、Ｐ５、・・・が中間基板４における外側に配置され、偶数番号のＰ２、Ｐ４、Ｐ６、・・・が中間基板４における内側に配置されている。
【0082】
また、複数の中間基板４が全体として枠状に配置された状態において、全体の形状において対角に位置する二つの電子部品１９は位置決め用電子部品１９Ａとして設けられ他の電子部品１９より高さが高くされ、位置決め用電子部品１９Ａが配置されるスペース４ａには挿入用凹部２０が形成されている（図２０参照）。中間基板４の挿入用凹部２０が形成された部分はレジストが取り除かれた部分にされている。
【0083】
挿入用凹部２０と位置決め用電子部品１９Ａはボトム基板３に中間基板４が配置されるときの位置決め部として機能し、位置決め用電子部品１９Ａの一部が挿入用凹部２０に挿入されることにより中間基板４のボトム基板３に対する位置決めが行われる。このとき中間基板４がトップ基板２に接合されている状態においては、トップ基板２のボトム基板３に対する位置決めが行われる。尚、一部が挿入用凹部２０に挿入された位置決め用電子部品１９Ａは上面がトップ基板２に接しない状態にされ、位置決め用電子部品１９Ａ以外の他の電子部品１９がトップ基板２の下面に接した状態にされる。
【0084】
上記のように、中間基板４のスペース４ａに電子部品１９が配置されボトム基板３の周方向において順に配置された電子部品１９が外側と内側に交互に位置された状態において、複数の中間基板４上にトップ基板２が配置され、中間基板４の接続用導体１０がトップ基板２の第１の回路パターンとボトム基板３の第２の回路パターンに接合されるときにトップ基板２の上方から図示しない重石が載置される。重石によりトップ基板２における中間基板４の上側の位置に下方への静荷重Ｆが付与される（図２１参照）。従って、トップ基板２の反りが防止される。
【0085】
上記のように、中間基板４のスペース４ａに電子部品１９が配置されボトム基板３の周方向において順に配置された電子部品１９が外側と内側に交互に位置されることにより、ボトム基板３の周方向において順に配置された電子部品１９間の距離が大きくなると共に複数の中間基板４の全体として電子部品１９の配置位置に関する良好なバランスが確保される。
【0086】
従って、トップ基板２にボトム基板３側への静荷重Ｆが付与された状態において中間基板４のボトム基板３に対する傾きが生じ難く、トップ基板２のボトム基板３に対する反りを防止することができると共にバンプ４０の変形が抑制され中間基板４の接続用導体１０とボトム基板３の第２の回路パターンとの安定した接続状態を確保することができる。
【0087】
また、複数の電子部品１９のうち最も離隔して配置された二つの位置決め用電子部品１９Ａが設けられ、位置決め用電子部品１９Ａの高さが他の電子部品１９の高さより高くされ、中間基板４における位置決め用電子部品１９Ａが配置される部分に位置決め用電子部品１９Ａの一部が挿入される挿入用凹部２０が形成されている。
【0088】
これにより、トップ基板２に複数の中間基板４が接合された状態において中間基板４がボトム基板３に接合されるときに、位置決め用電子部品１９Ａと挿入用凹部２０によってボトム基板３に対する中間基板４の位置決めが行われる。従って、ボトム基板３に対するトップ基板２の位置を専用の位置決め手段を設けることなく定めることが可能になり、ボトム基板３に対するトップ基板２の高い位置精度を製造コストの増大を来すことなく確保することができる。
【0089】
尚、接続用導体１０が千鳥状に配列された中間基板４が用いられることにより、例えば、上下左右に並んで接続用導体１０が形成された正方配置の中間基板を用いる場合に比し、接続用導体１０の数を減じることなく対角の角部にスペース４ａを形成することができる。
【0090】
【0091】
上記したように、中間基板４は接続用導体１０がトップ基板２の第１の回路パターンとボトム基板３の第２の回路パターンとにそれぞれバンプ３０とバンプ４０を介して接合される。中間基板４がトップ基板２とボトム基板３に接合された後は、中間基板４のトップ基板２とボトム基板３に対する固定強度を高めるためにボトム基板３と中間基板４の接着及びトップ基板２と中間基板４の接着が行われる（図２２参照）。
【0092】
接着作業はディスペンサー２００を用いて行われ、例えば、作業性を高めるためにディスペンサー２００が垂直にされた状態で接着作業が行われる。従って、この場合にはボトム基板３と中間基板４とトップ基板２は外形状が順に小さくなるように大きさが定められ、ボトム基板３と中間基板４の間及び中間基板４とトップ基板２の間にそれぞれ段差が形成された状態で接着作業が行われる。
【0093】
このときトップ基板２と複数の中間基板４との接着作業においては、隣り合う中間基板４に隙間が存在する可能性があり、接着剤であるサイドフィル３００が隙間に流れ落ちる可能性がある。このとき流れ落ちたサイドフィル３００が全体として枠状にされた中間基板４の内側に流動されてボトム基板３に搭載された電子部品８やボトム基板３の第２の回路パターンに付着し、短絡が発生するおそれがある。
【0094】
そこで、サイドフィル３００が隙間に流れ落ちることを防止するために、隙間が存在する部分にはサイドフィル３００を塗布しないように接着を行うことがある。
【0095】
しかしながら、この場合にはトップ基板２と中間基板４に対するサイドフィル３００の接着面積が少なくなり、中間基板４のトップ基板２に対する固定強度が低下するおそれがある。
【0096】
そこで、多段基板１においては、以下のような構成により中間基板４のトップ基板２に対する固定強度の向上が図られている。
【0097】
【0098】
原板４００からは複数のトップ基板２を切り取って形成することが可能にされており、トップ基板２は複数の繋ぎ目２１において切り取られることにより形成される。繋ぎ目２１はトップ基板２の外周部において外方に突出され、周方向に離隔して設けられている。繋ぎ目２１は原板４００においてトップ基板２として設けられる部分以外とトップ基板２とを繋ぐ部分であり、原板４００において繋ぎ目２１と繋ぎ目２１の間の部分にはスリット４００ａが形成されている。
【0099】
トップ基板２は繋ぎ目２１の中間部２１ａにおいて切り取られることにより形成され、繋ぎ目２１の少なくとも一部が残存した状態で形成される。トップ基板２は複数の繋ぎ目２１の各位置が複数の中間基板４の各隙間の位置に一致されている。
【0100】
ボトム基板３と中間基板４とトップ基板２は外形が順に小さくなるように大きさが定められ、ボトム基板３と中間基板４の間及び中間基板４とトップ基板２の間にそれぞれ段差が形成されている（図２４参照）。このようにトップ基板２は複数の繋ぎ目２１の各位置が複数の中間基板４の各隙間の位置に一致されているため、各繋ぎ目２１がそれぞれ中間基板４の隙間に合わされた状態にされ、各繋ぎ目２１によってそれぞれ中間基板４の隙間が覆われた状態にされている。
【0101】
サイドフィル３００は中間基板４の上面でトップ基板２の外周において繋ぎ目２１間に塗布され、複数の中間基板４がサイドフィル３００によってトップ基板２に固定される。サイドフィル３００は繋ぎ目２１間に塗布されるため、サイドフィル３００の一部が繋ぎ目２１の両側面に接着される。
【0102】
また、サイドフィル３００は繋ぎ目２１間に塗布されるため、サイドフィル３００が隣り合う中間基板４の隙間に流れ落ちることがない。従って、繋ぎ目２１はサイドフィル３００の流動を堰き止める堰き止め用突部として機能する。
【0103】
一方、ボトム基板３の上面で中間基板４の外周に塗布されたサイドフィル３００は複数の中間基板４の外周における全周に塗布され、全ての中間基板４がボトム基板３に固定される。
【0104】
尚、トップ基板２の外周にサイドフィル３００が塗布されたときには全体として枠状にされた複数の中間基板４の四つのコーナーにおいてサイドフィル３００が流れ落ちる可能性があるため、この四つのコーナーにそれぞれ堰き止め用壁部２２が設けられることが望ましい（図２５参照）。堰き止め用壁部２２は、例えば、コーナーの形状に応じて直交する二つの部分によって形成されている。
【0105】
このように四つのコーナーにそれぞれサイドフィル３００を堰き止める堰き止め用壁部２２が設けられることにより、四つのコーナーにおいて堰き止め用壁部２２によってサイドフィル３００が堰き止められるため、コーナーからのボトム基板３側への液垂れを防止することができ、中間基板４のトップ基板２に対する適正な接合状態を確保することができる。
【0106】
また、堰き止め用壁部２２は中間基板４の基材９と同一の材料によって形成されることが望ましく、これにより堰き止め用壁部２２を基材９の加工工程において形成することが可能になり、製造コストの低減を図った上でコーナーからのボトム基板３側へのサイドフィル３００の液垂れを防止することができる。
【0107】
尚、多段基板１においては、ボトム基板３のコーナーにもボトム基板３の外周に塗布されるサイドフィル３００を堰き止めるための堰き止め用壁部が設けられていてもよい。この場合には堰き止め用壁部がボトム基板３の基材ベース７と同一の材料によって形成されることが望ましい。
【0108】
上記したように、トップ基板２には外周部に外方に突出され周方向に離隔して位置された複数の堰き止め用突部が設けられ、複数の中間基板４は各中間基板４の隙間がそれぞれ堰き止め用突部に覆われた状態でトップ基板２に接合されている。
【0109】
従って、中間基板４の隙間が堰き止め用突部によって覆われるため、トップ基板２と複数の中間基板４をサイドフィル３００によって接合するときにサイドフィル３００のボトム基板３側への液垂れを防止することができる。また、サイドフィル３００が堰き止め用突部に接合されるため、中間基板４のトップ基板２に対する適正な接合状態を確保した上で高い接合強度を確保することができる。
【0110】
また、トップ基板２の基材ベース５が原板４００において複数の繋ぎ目２１を介して繋がれた部分を繋ぎ目２１の中間部２１ａで切断することにより形成され、堰き止め用突部として繋ぎ目２１が用いられている。
【0111】
従って、専用の工程によって堰き止め用突部を形成する必要がなく、製造コストの低減を図った上で中間基板４のトップ基板２に対する適正な接合状態を確保することができると共に高い接合強度を確保することができる。
【0112】
【0113】
多段基板１においては、上記したように、複数の中間基板４が用いられており、中間基板４には複数の接続用導体１０が形成されている。接続用導体１０はトップ基板２とボトム基板３に形成される各種の回路用の接続線として機能する。
【0114】
多段基板１には高速の信号回路として差動信号回路が形成されるが、差動信号回路は高速の信号回路であるため中間基板４の接続用導体１０を介して配線する場合にはインピーダンスの管理とノイズ対策が必要である。特に、中間基板４の厚みが２ｍｍ程度と厚いためノイズが発生し易く、十分なノイズ対策を施す必要がある。
【0115】
従って、中間基板４においては差動信号回路用のペアの接続線を囲む状態で接地回路用の複数の接続線が形成され、差動信号回路用の接続線を接地回路用の複数の接続線によって取り囲むことによりノイズの発生を抑制するようにしている。
【0116】
しかしながら、中間基板４における接続用導体１０の数と接地回路の接続線として用いる接続用導体１０の数との関係によっては、接続線として使用されない接続用導体１０が生じる可能性があり、接続線として使用されない接続用導体１０の数が多いと、差動信号回路を効率的に形成することができなくなってしまう。
【0117】
そこで、多段基板１においては、接続用導体１０が以下のような手段により効率的に使用される構成にされている。
【0118】
中間基板４においては、並んで位置された二つの接続用導体１０が差動信号回路用の一対の信号（ペア信号）である第１の接続線１０Ｘとして用いられ、第１の接続線１０Ｘを取り囲んで位置された、例えば、八つの接続用導体１０が接地回路用の第２の接続線１０Ｙとして用いられている（図２６参照）。接地回路用の第２の接続線１０Ｙは一部が共用されている。尚、図２６以降の各図には、理解を容易にするために、第１の接続線１０Ｘを黒丸で示し、二つの第１の接続線１０Ｘを取り囲む第２の接続線１０Ｙを仮想線によって結んだ状態で示している。
【0119】
また、中間基板４においては、隣り合う中間基板４において並んで位置された二つの接続用導体１０がそれぞれ第１の接続線１０Ｘとして用いられている。従って、隣り合う中間基板４の一つずつの接続用導体１０がそれぞれ一方の第１の接続線１０Ｘと他方の第１の接続線１０Ｘとして用いられている。このような構成において、隣り合う中間基板４の、例えば、三つずつの接続用導体１０がそれぞれ第２の接続線１０Ｙとして用いられている。このとき第２の接続線１０Ｙの数が不足する場合があるため、このような場合には隣り合う中間基板４において対向する接合部１１ａの間で毛細管現象により流動されて固化された半田５０が第２の接続線１０Ｙとして用いられている。接合部１１ａの間で流動されて固化された半田５０はトップ基板２の第１の回路パターンとボトム基板３の第２の回路パターンとに接続されており、これらの第１の回路パターンと第２の回路パターンが接地回路に接続されている。
【0120】
このように中間基板４においては、接合部１１ａの間で流動されて固化された半田５０によって、不足する第２の接続線１０Ｙが補われている。
【0121】
上記のような隣り合う中間基板４の接続用導体１０がそれぞれ第１の接続線１０Ｘとして用いられ隣り合う中間基板４の各接続用導体１０がそれぞれ第２の接続線１０Ｙとして用いられた構成には、以下のような各種の態様がある（図２７及び図２８参照）。尚、以下の各態様においても、第２の接続線１０Ｙの数が不足する場合には、上記と同様に、接合部１１ａの間で毛細管現象により流動されて固化された半田５０が第２の接続線１０Ｙとして用いられる。
【0122】
第１の態様として、横長の状態で配置された中間基板４と縦長の状態で配置された中間基板４とにおいて、一つずつの接続用導体１０が第１の接続線１０Ｘとして用いられると共に少なくとも一つずつの接続用導体１０が第２の接続線１０Ｙとして用いられる態様がある（図２８参照）。この場合には、例えば、それぞれ隣り合う中間基板４において三つずつの接続用導体１０が第２の接続線１０Ｙとして用いられ、全ての第２の接続線１０Ｙを結んだ形状が横長の形状に形成されている。
【0123】
第２の態様として、横長の状態で配置された中間基板４と縦長の状態で配置された中間基板４とにおいて、一つずつの接続用導体１０が第１の接続線１０Ｘとして用いられると共に少なくとも一つずつの接続用導体１０が第２の接続線１０Ｙとして用いられる態様がある（図２７参照）。この場合には、例えば、それぞれ隣り合う中間基板４において三つずつの接続用導体１０が第２の接続線１０Ｙとして用いられ、全ての第２の接続線１０Ｙを結んだ形状が縦長の形状に形成されている。
【0124】
上記したように、多段基板１においては、一対の第１の接続線１０Ｘが隣り合う二つの中間基板４においてそれぞれ一つずつ設けられ、複数の第２の接続線１０Ｙが隣り合う二つの中間基板４においてそれぞれ少なくとも一つずつ設けられている。
【0125】
従って、隣り合う中間基板４の接続用導体１０が第１の接続線１０Ｘと第２の接続線１０Ｙとしてそれぞれ用いられるため、接続用導体１０を有効に活用することが可能になり差動信号回路の効率的な配線を行うことができる。
【0126】
また、効率的な配線を行うことにより不使用の接続用導体１０を減らすことが可能になり、その分、中間基板４の数を減らしたり中間基板４の大きさを小さくすることが可能であり、多段基板１の小型化を図ることができる。
【0127】
また、二つの中間基板４の接合部１１ａ同士の間で流動された半田５０が固化された状態において第２の接続線１０Ｙとして用いられている。
【0128】
従って、接合部１１ａ同士の間で流動された半田５０が差動信号回路用の第２の接続線１０Ｙとして用いられるため、半田５０を有効に活用することが可能になり差動信号回路の一層効率的な配線を行うことができる。
【0129】
尚、多段基板１においては、一つの中間基板４の接続用導体１０が第１の接続線１０Ｘとして用いられ隣り合う中間基板４の各接続用導体１０がそれぞれ第２の接続線１０Ｙとして用いられた構成にすることも可能である（図２９乃至図３１参照）。
【0130】
例えば、それぞれ横長の状態で配置された隣り合う中間基板４において、一方の中間基板４の接続用導体１０が第１の接続線１０Ｘとして用いられ、隣り合う中間基板４の少なくとも一つずつの接続用導体１０が第２の接続線１０Ｙとして用いられてもよい（図２９及び図３０参照）。この場合には、例えば、一方の中間基板４において五つの接続用導体１０が第２の接続線１０Ｙとして用いられると共に他方の中間基板４において三つの接続用導体１０が第２の接続線１０Ｙとして用いられる構成にされてもよく（図２９参照）、一方の中間基板４において七つの接続用導体１０が第２の接続線１０Ｙとして用いられると共に他方の中間基板４において一つの接続用導体１０が第２の接続線１０Ｙとして用いられる構成にされてもよい（図３０参照）。
【0131】
また、例えば、横長の状態で配置された中間基板４と縦長の状態で配置された中間基板４とにおいて、一方の中間基板４の接続用導体１０が第１の接続線１０Ｘとして用いられ、隣り合う中間基板４の少なくとも一つずつの接続用導体１０が第２の接続線１０Ｙとして用いられてもよい（図３１参照）。この場合には、例えば、一方の中間基板４において五つの接続用導体１０が第２の接続線１０Ｙとして用いられると共に他方の中間基板４において三つの接続用導体１０が第２の接続線１０Ｙとして用いられる。
【0132】
＜電子機器の一実施形態＞
以下に、本技術電子機器として適用される撮像装置の一実施形態の構成例について説明する（図３２参照）。
以下に、本技術電子機器として適用される撮像装置の一実施形態の構成例について説明する（図３２参照）。
【0133】
電子機器（撮像装置）１００には、例えば、撮像機能を担うカメラブロック９０を有する交換レンズが取り付けられる。尚、電子機器１００がレンズ鏡筒を有する場合には、電子機器１００にカメラブロック９０が設けられる。
【0134】
電子機器１００は、撮影された画像信号のアナログ－デジタル変換等の信号処理を行うカメラ信号処理部９１と、画像信号の記録再生処理を行う画像処理部９２とを有している。また、電子機器１００は、撮影された画像等を表示する表示部９３と、メモリー９９への画像信号の書込及び読出を行うＲ／Ｗ（リーダ／ライタ）９４と、電子機器１００の全体を制御するＣＰＵ（Central Processing Unit）９５と、カメラブロック９０に配置されたレンズの駆動を制御するレンズ駆動制御部９６と、ユーザーによって所要の操作が行われる各種のスイッチ等の操作部９７とを有している。
【0135】
電子機器１００には、カメラブロック９０によって取り込まれた光学像を電気的信号に変換するＣＣＤやＣＭＯＳ等の撮像素子９８が設けられている。
【0136】
カメラ信号処理部９１は、撮像素子９８からの出力信号に対するデジタル信号への変換、ノイズ除去、画質補正、輝度・色差信号への変換等の各種の信号処理を行う。
【0137】
画像処理部９２は、所定の画像データフォーマットに基づく画像信号の圧縮符号化・伸張復号化処理や解像度等のデータ仕様の変換処理等を行う。
【0138】
表示部９３はユーザーの操作部９７に対する操作状態や撮影した画像等の各種のデータを表示する機能を有している。尚、電子機器１００においては、表示部９３が設けられていなくてもよく、撮影された画像データが他の表示装置に送出されて画像が表示されるように構成されていてもよい。
【0139】
Ｒ／Ｗ９４は、画像処理部９２によって符号化された画像データのメモリー９９への書込及びメモリー９９に記録された画像データの読出を行う。
【0140】
ＣＰＵ９５は、電子機器１００に設けられた各回路ブロックを制御する制御処理部として機能し、操作部９７からの指示入力信号等に基づいて各回路ブロックを制御する。
【0141】
レンズ駆動制御部９６は、ＣＰＵ９５からの制御信号に基づいてレンズを移動させる駆動源を制御する。
【0142】
操作部９７はユーザーによる操作に応じた指示入力信号をＣＰＵ９５に対して出力する。
【0143】
メモリー９９は、例えば、Ｒ／Ｗ９４に接続されたスロットに対して着脱可能な半導体メモリー又は電子機器１００の内部に予め組み込まれている半導体メモリーである。
【0144】
以下に、電子機器１００における動作を説明する。
【0145】
撮影の待機状態では、ＣＰＵ９５による制御の下で、撮影された画像信号がカメラ信号処理部９１を介して表示部９３に出力され、カメラスルー画像として表示される。また、操作部９７からの指示入力信号が入力されると、ＣＰＵ９５がレンズ駆動制御部９６に制御信号を出力し、レンズ駆動制御部９６の制御に基づいてレンズが移動される。
【0146】
操作部９７からの指示入力信号により撮影動作が行われると、撮影された画像信号がカメラ信号処理部９１から画像処理部９２に出力されて圧縮符号化処理され、所定のデータフォーマットのデジタルデータに変換される。変換されたデータはＲ／Ｗ９４に出力され、メモリー９９に書き込まれる。
【0147】
メモリー９９に記録された画像データを再生する場合には、操作部９７に対する操作に応じて、Ｒ／Ｗ９４によってメモリー９９から所定の画像データが読み出され、画像処理部９２によって伸張復号化処理が行われた後に、再生画像信号が表示部９３に出力されて再生画像が表示される。
【0148】
尚、本技術において、「撮像」とは、撮像素子９８による取り込まれた光を電気信号に変換する光電変換処理から、カメラ信号処理部９１による撮像素子９８からの出力信号に対するデジタル信号への変換、ノイズ除去、画質補正、輝度・色差信号への変換等の処理、画像処理部９２による所定の画像データフォーマットに基づく画像信号の圧縮符号化・伸張復号化処理や解像度等のデータ仕様の変換処理、Ｒ／Ｗ９４によるメモリー９９への画像信号の書込処理までの一連の処理の一部のみ、または全てを含む処理のことを言う。
【0149】
即ち、「撮像」とは、撮像素子９８による取り込まれた光を電気信号に変換する光電変換処理のみを指してもよく、撮像素子９８による取り込まれた光を電気信号に変換する光電変換処理からカメラ信号処理部９１による撮像素子９８からの出力信号に対するデジタル信号への変換、ノイズ除去、画質補正、輝度・色差信号への変換等の処理までを指してもよい、また、「撮像」とは、撮像素子９８による取り込まれた光を電気信号に変換する光電変換処理からカメラ信号処理部９１による撮像素子９８からの出力信号に対するデジタル信号への変換、ノイズ除去、画質補正、輝度・色差信号への変換等の処理を経て、画像処理部９２による所定の画像データフォーマットに基づく画像信号の圧縮符号化・伸張復号化処理や解像度等のデータ仕様の変換処理までを指してもよい。さらに、「撮像」とは、撮像素子９８による取り込まれた光を電気信号に変換する光電変換処理からカメラ信号処理部９１による撮像素子９８からの出力信号に対するデジタル信号への変換、ノイズ除去、画質補正、輝度・色差信号への変換等の処理、及び画像処理部９２による所定の画像データフォーマットに基づく画像信号の圧縮符号化・伸張復号化処理や解像度等のデータ仕様の変換処理までを指してもよく、Ｒ／Ｗ９４によるメモリー９９への画像信号の書込処理までを指してもよい。
【0150】
上記の処理において各処理の順番は適宜入れ替わってもよい。
【0151】
また、本技術において、カメラブロック９０及び電子機器１００は、上記の処理を行う撮像素子９８、カメラ信号処理部９１、画像処理部９２、Ｒ／Ｗ９４の一部のみまたは全てを含むように構成されていてもよい。
【0152】
さらに、カメラブロック９０が撮像素子９８、カメラ信号処理部９１、画像処理部９２、Ｒ／Ｗ９４のうち一部を含んで構成されていてもよい。
【0153】
＜本技術＞
本技術は、以下のような構成にすることもできる。
本技術は、以下のような構成にすることもできる。
【0154】
（１）
トップ基板とボトム基板と複数の中間基板とを有する多段基板が内部に配置され、
前記トップ基板には厚み方向における少なくとも一方の面に第１の回路パターンが形成され、
前記ボトム基板には厚み方向における少なくとも一方の面に第２の回路パターンが形成され、
前記中間基板は両端がそれぞれバンプを介して前記第１の回路パターンと前記第２の回路パターンに接続可能な複数の接続用導体を有すると共に前記トップ基板と前記ボトム基板の間に位置され、
複数の前記中間基板は各一部が対向した状態で位置される対向部として形成され、
前記対向部はメッキ部が設けられた接合部と前記メッキ部が設けられていない非接合部とを有し、
前記ボトム基板又は前記中間基板には少なくとも前記トップ基板側に開口され半田が注入される注入溝が形成され、
隣り合う前記中間基板の前記接合部同士が対向された状態において前記注入溝に注入された半田がリフローによる加熱時に毛細管現象により前記接合部間で流動される
電子機器。
トップ基板とボトム基板と複数の中間基板とを有する多段基板が内部に配置され、
前記トップ基板には厚み方向における少なくとも一方の面に第１の回路パターンが形成され、
前記ボトム基板には厚み方向における少なくとも一方の面に第２の回路パターンが形成され、
前記中間基板は両端がそれぞれバンプを介して前記第１の回路パターンと前記第２の回路パターンに接続可能な複数の接続用導体を有すると共に前記トップ基板と前記ボトム基板の間に位置され、
複数の前記中間基板は各一部が対向した状態で位置される対向部として形成され、
前記対向部はメッキ部が設けられた接合部と前記メッキ部が設けられていない非接合部とを有し、
前記ボトム基板又は前記中間基板には少なくとも前記トップ基板側に開口され半田が注入される注入溝が形成され、
隣り合う前記中間基板の前記接合部同士が対向された状態において前記注入溝に注入された半田がリフローによる加熱時に毛細管現象により前記接合部間で流動される
電子機器。
【0155】
（２）
前記注入溝は前記ボトム基板に形成されると共に導電部が設けられた接続部と前記導電部が設けられていない非接続部とを有し、
前記注入溝の両側にそれぞれ前記中間基板が位置され前記接合部同士と前記非接合部同士がそれぞれ対向された状態において前記半田が毛細管現象により前記接合部間で流動される
前記（１）に記載の電子機器。
前記注入溝は前記ボトム基板に形成されると共に導電部が設けられた接続部と前記導電部が設けられていない非接続部とを有し、
前記注入溝の両側にそれぞれ前記中間基板が位置され前記接合部同士と前記非接合部同士がそれぞれ対向された状態において前記半田が毛細管現象により前記接合部間で流動される
前記（１）に記載の電子機器。
【0156】
（３）
前記接合部と前記非接合部と前記接続部と前記非接続部がそれぞれ複数形成され、
前記接合部と前記非接合部が交互に形成され、
前記接続部と前記非接続部が交互に形成された
前記（２）に記載の電子機器。
前記接合部と前記非接合部と前記接続部と前記非接続部がそれぞれ複数形成され、
前記接合部と前記非接合部が交互に形成され、
前記接続部と前記非接続部が交互に形成された
前記（２）に記載の電子機器。
【0157】
（４）
前記非接続部の容積が前記接続部の容積より大きくされた
前記（２）又は前記（３）の何れかに記載の電子機器。
前記非接続部の容積が前記接続部の容積より大きくされた
前記（２）又は前記（３）の何れかに記載の電子機器。
【0158】
（５）
前記注入溝が前記ボトム基板に形成され、
前記対向部の全体が前記接合部として形成され、
前記非接続部は前記中間基板が位置される部分の外側に形成された
前記（２）から前記（４）の何れかに記載の電子機器。
前記注入溝が前記ボトム基板に形成され、
前記対向部の全体が前記接合部として形成され、
前記非接続部は前記中間基板が位置される部分の外側に形成された
前記（２）から前記（４）の何れかに記載の電子機器。
【0159】
（６）
複数の前記中間基板が前記ボトム基板の周方向において離隔して位置され、
前記複数の接続用導体が厚み方向からの視認状態において千鳥状に配列され、
前記ボトム基板と前記中間基板の間にはスペーサーとして機能する電子部品が前記接続用導体に非接触の状態で配置され、
前記電子部品が前記中間基板における対角の角部にそれぞれ配置され、
前記ボトム基板の周方向において順に配置された複数の前記電子部品が外側と内側に交互に位置された
前記（１）から前記（５）の何れかに記載の電子機器。
複数の前記中間基板が前記ボトム基板の周方向において離隔して位置され、
前記複数の接続用導体が厚み方向からの視認状態において千鳥状に配列され、
前記ボトム基板と前記中間基板の間にはスペーサーとして機能する電子部品が前記接続用導体に非接触の状態で配置され、
前記電子部品が前記中間基板における対角の角部にそれぞれ配置され、
前記ボトム基板の周方向において順に配置された複数の前記電子部品が外側と内側に交互に位置された
前記（１）から前記（５）の何れかに記載の電子機器。
【0160】
（７）
複数の前記電子部品のうち最も離隔して配置された二つの前記電子部品が位置決め用電子部品として設けられ、
前記位置決め用電子部品の高さが他の前記電子部品の高さより高くされ、
前記中間基板における前記位置決め用電子部品が配置される部分に前記位置決め用電子部品の一部が挿入される挿入用凹部が形成された
前記（６）に記載の電子機器。
複数の前記電子部品のうち最も離隔して配置された二つの前記電子部品が位置決め用電子部品として設けられ、
前記位置決め用電子部品の高さが他の前記電子部品の高さより高くされ、
前記中間基板における前記位置決め用電子部品が配置される部分に前記位置決め用電子部品の一部が挿入される挿入用凹部が形成された
前記（６）に記載の電子機器。
【0161】
（８）
複数の前記中間基板が前記ボトム基板の周方向において離隔して位置され、
前記複数の中間基板は前記トップ基板の外周に沿って塗布される接着剤であるサイドフィルによって前記トップ基板に接着され、
前記トップ基板には外周部に外方に突出され周方向に離隔して位置された複数の堰き止め用突部が設けられ、
複数の前記中間基板は各前記中間基板の隙間がそれぞれ前記堰き止め用突部に覆われた状態で前記トップ基板に接合された
前記（１）から前記（７）の何れかに記載の電子機器。
複数の前記中間基板が前記ボトム基板の周方向において離隔して位置され、
前記複数の中間基板は前記トップ基板の外周に沿って塗布される接着剤であるサイドフィルによって前記トップ基板に接着され、
前記トップ基板には外周部に外方に突出され周方向に離隔して位置された複数の堰き止め用突部が設けられ、
複数の前記中間基板は各前記中間基板の隙間がそれぞれ前記堰き止め用突部に覆われた状態で前記トップ基板に接合された
前記（１）から前記（７）の何れかに記載の電子機器。
【0162】
（９）
前記トップ基板が絶縁性を有する基材ベースと前記基材ベース上に形成された前記第１の回路パターンとを有し、
前記基材ベースが原板において複数の繋ぎ目を介して繋がれた部分が前記繋ぎ目の中間部で切断されることにより形成され、
前記堰き止め用突部として前記繋ぎ目が用いられた
前記（８）に記載の電子機器。
前記トップ基板が絶縁性を有する基材ベースと前記基材ベース上に形成された前記第１の回路パターンとを有し、
前記基材ベースが原板において複数の繋ぎ目を介して繋がれた部分が前記繋ぎ目の中間部で切断されることにより形成され、
前記堰き止め用突部として前記繋ぎ目が用いられた
前記（８）に記載の電子機器。
【0163】
（１０）
複数の前記中間基板が前記ボトム基板の周方向において離隔して位置された状態における四つのコーナーにそれぞれ前記サイドフィルを堰き止める堰き止め用壁部が設けられた
前記（８）又は前記（９）に記載の電子機器。
複数の前記中間基板が前記ボトム基板の周方向において離隔して位置された状態における四つのコーナーにそれぞれ前記サイドフィルを堰き止める堰き止め用壁部が設けられた
前記（８）又は前記（９）に記載の電子機器。
【0164】
（１１）
前記中間基板が絶縁性を有する基材と導電性を有する前記接続用導体とを有し、
前記堰き止め用壁部が前記基材と同一の材料によって形成された
前記（１０）に記載の電子機器。
前記中間基板が絶縁性を有する基材と導電性を有する前記接続用導体とを有し、
前記堰き止め用壁部が前記基材と同一の材料によって形成された
前記（１０）に記載の電子機器。
【0165】
（１２）
複数の前記接続用導体のうち各一部が差動信号回路用の一対の第１の接続線と接地回路用の複数の第２の接続線として用いられ、
複数の前記第２の接続線によって一対の前記第１の接続線が取り囲まれた状態にされ、
前記第１の接続線が隣り合う前記中間基板においてそれぞれ一つずつ設けられ、
前記第２の接続線が隣り合う前記中間基板においてそれぞれ少なくとも一つずつ設けられた
前記（１）から前記（１１）の何れかに記載の電子機器。
複数の前記接続用導体のうち各一部が差動信号回路用の一対の第１の接続線と接地回路用の複数の第２の接続線として用いられ、
複数の前記第２の接続線によって一対の前記第１の接続線が取り囲まれた状態にされ、
前記第１の接続線が隣り合う前記中間基板においてそれぞれ一つずつ設けられ、
前記第２の接続線が隣り合う前記中間基板においてそれぞれ少なくとも一つずつ設けられた
前記（１）から前記（１１）の何れかに記載の電子機器。
【0166】
（１３）
隣り合う前記中間基板の前記接合部同士の間で流動された前記半田が固化された状態において前記第２の接続線として用いられた
前記（１２）に記載の電子機器。
隣り合う前記中間基板の前記接合部同士の間で流動された前記半田が固化された状態において前記第２の接続線として用いられた
前記（１２）に記載の電子機器。
【0167】
（１４）
トップ基板とボトム基板と複数の中間基板とを有し、
前記トップ基板には厚み方向における少なくとも一方の面に第１の回路パターンが形成され、
前記ボトム基板には厚み方向における少なくとも一方の面に第２の回路パターンが形成され、
前記中間基板は両端がそれぞれバンプを介して前記第１の回路パターンと前記第２の回路パターンに接続可能な複数の接続用導体を有すると共に前記トップ基板と前記ボトム基板の間に位置され、
複数の前記中間基板は各一部が対向した状態で位置される対向部として形成され、
前記対向部はメッキ部が設けられた接合部と前記メッキ部が設けられていない非接合部とを有し、
前記ボトム基板又は前記中間基板には少なくとも前記トップ基板側に開口され半田が注入される注入溝が形成され、
隣り合う前記中間基板の前記接合部同士が対向された状態において前記注入溝に注入された半田がリフローによる加熱時に毛細管現象により前記接合部間で流動される
多段基板。
トップ基板とボトム基板と複数の中間基板とを有し、
前記トップ基板には厚み方向における少なくとも一方の面に第１の回路パターンが形成され、
前記ボトム基板には厚み方向における少なくとも一方の面に第２の回路パターンが形成され、
前記中間基板は両端がそれぞれバンプを介して前記第１の回路パターンと前記第２の回路パターンに接続可能な複数の接続用導体を有すると共に前記トップ基板と前記ボトム基板の間に位置され、
複数の前記中間基板は各一部が対向した状態で位置される対向部として形成され、
前記対向部はメッキ部が設けられた接合部と前記メッキ部が設けられていない非接合部とを有し、
前記ボトム基板又は前記中間基板には少なくとも前記トップ基板側に開口され半田が注入される注入溝が形成され、
隣り合う前記中間基板の前記接合部同士が対向された状態において前記注入溝に注入された半田がリフローによる加熱時に毛細管現象により前記接合部間で流動される
多段基板。
【符号の説明】
【0168】
１００ 電子機器
１ 多段基板
２ トップ基板
３ ボトム基板
４ 中間基板
５ 基材ベース
７ 基材ベース
９ 基材
１０ 接続用導体
１１ 対向部
１１ａ 接合部
１１ｂ 非接合部
３０ バンプ
４０ バンプ
５０ 半田
１２ 注入溝
１３ 接続部
１４ 非接続部
１５ 導電部
１６ メッキ部
１７ 空間
１２Ａ 注入溝
１８ 凹部
１９ 電子部品
１９Ａ 位置決め用電子部品
２０ 挿入用凹部
３００ サイドフィル
４００ 原板
２１ 繋ぎ目（堰き止め用突部）
２２ 堰き止め用壁部
１０Ｘ 第１の接続線
１０Ｙ 第２の接続線
１ 多段基板
２ トップ基板
３ ボトム基板
４ 中間基板
５ 基材ベース
７ 基材ベース
９ 基材
１０ 接続用導体
１１ 対向部
１１ａ 接合部
１１ｂ 非接合部
３０ バンプ
４０ バンプ
５０ 半田
１２ 注入溝
１３ 接続部
１４ 非接続部
１５ 導電部
１６ メッキ部
１７ 空間
１２Ａ 注入溝
１８ 凹部
１９ 電子部品
１９Ａ 位置決め用電子部品
２０ 挿入用凹部
３００ サイドフィル
４００ 原板
２１ 繋ぎ目（堰き止め用突部）
２２ 堰き止め用壁部
１０Ｘ 第１の接続線
１０Ｙ 第２の接続線
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】