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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023130632
(43)【公開日】2023-09-21
(54)【発明の名称】半導体発光装置
(51)【国際特許分類】
H01L 33/58 20100101AFI20230913BHJP
H01L 33/50 20100101ALI20230913BHJP
【ＦＩ】
H01L33/58
H01L33/50
【審査請求】未請求
【請求項の数】7
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022035037
(22)【出願日】2022-03-08
(71)【出願人】
【識別番号】000116024
【氏名又は名称】ローム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001195
【氏名又は名称】弁理士法人深見特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】増山 一哉
【テーマコード（参考）】
5F142
【Ｆターム（参考）】
5F142AA22
5F142AA26
5F142BA32
5F142CA02
5F142CA13
5F142CD02
5F142CD16
5F142CD44
5F142CD47
5F142CE02
5F142CE13
5F142CE16
5F142CG03
5F142CG04
5F142CG05
5F142CG26
5F142DA12
5F142DA73
5F142DB17
(57)【要約】
【課題】発光色度のばらつきが低減された半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体発光装置１は、第１光２５を放射する半導体発光素子２４と、半導体発光素子２４を封止する封止部材３０とを備える。封止部材３０は、封止樹脂３１と、蛍光体粒子３２と、球状ポリマー粒子３３とを含む。蛍光体粒子３２は、第１光２５を第１光２５とは異なる波長を有する第２光３５に変換する。球状ポリマー粒子３３は、第１光２５または第２光３５の少なくとも一つを吸収して、半導体発光装置１の光量を減少させる。球状ポリマー粒子３３の平均粒子径は、３μｍ以上である。
【選択図】図１
【解決手段】半導体発光装置１は、第１光２５を放射する半導体発光素子２４と、半導体発光素子２４を封止する封止部材３０とを備える。封止部材３０は、封止樹脂３１と、蛍光体粒子３２と、球状ポリマー粒子３３とを含む。蛍光体粒子３２は、第１光２５を第１光２５とは異なる波長を有する第２光３５に変換する。球状ポリマー粒子３３は、第１光２５または第２光３５の少なくとも一つを吸収して、半導体発光装置１の光量を減少させる。球状ポリマー粒子３３の平均粒子径は、３μｍ以上である。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１光を放射する半導体発光素子と、
前記半導体発光素子を封止する封止部材とを備える半導体発光装置であって、
前記封止部材は、封止樹脂と、前記封止樹脂に添加されている蛍光体粒子と、前記封止樹脂に添加されている球状ポリマー粒子とを含み、
前記蛍光体粒子は、前記第１光を前記第１光とは異なる波長を有する第２光に変換し、
前記球状ポリマー粒子は、前記第１光または前記第２光の少なくとも一つを吸収して、前記半導体発光装置の光量を減少させ、
前記球状ポリマー粒子の平均粒子径は、３μｍ以上である、半導体発光装置。
前記半導体発光素子を封止する封止部材とを備える半導体発光装置であって、
前記封止部材は、封止樹脂と、前記封止樹脂に添加されている蛍光体粒子と、前記封止樹脂に添加されている球状ポリマー粒子とを含み、
前記蛍光体粒子は、前記第１光を前記第１光とは異なる波長を有する第２光に変換し、
前記球状ポリマー粒子は、前記第１光または前記第２光の少なくとも一つを吸収して、前記半導体発光装置の光量を減少させ、
前記球状ポリマー粒子の平均粒子径は、３μｍ以上である、半導体発光装置。
【請求項2】
前記球状ポリマー粒子の粒子径の変動係数は、１０％以下であり、
前記変動係数は、前記球状ポリマー粒子の前記粒子径の標準偏差を、前記球状ポリマー粒子の前記平均粒子径で除して、１００を掛けることによって与えられる、請求項１に記載の半導体発光装置。
前記変動係数は、前記球状ポリマー粒子の前記粒子径の標準偏差を、前記球状ポリマー粒子の前記平均粒子径で除して、１００を掛けることによって与えられる、請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項3】
第１光を放射する半導体発光素子と、
前記半導体発光素子を封止する封止部材とを備える半導体発光装置であって、
前記封止部材は、封止樹脂と、前記封止樹脂に添加されている蛍光体粒子と、前記封止樹脂に添加されている球状ポリマー粒子とを含み、
前記蛍光体粒子は、前記第１光を前記第１光とは異なる波長を有する第２光に変換し、
前記球状ポリマー粒子は、前記第１光または前記第２光の少なくとも一つを吸収して、前記半導体発光装置の光量を減少させ、
前記球状ポリマー粒子の粒子径の変動係数は、１０％以下であり、
前記変動係数は、前記球状ポリマー粒子の前記粒子径の標準偏差を、前記球状ポリマー粒子の平均粒子径で除して、１００を掛けることによって与えられる、半導体発光装置。
前記半導体発光素子を封止する封止部材とを備える半導体発光装置であって、
前記封止部材は、封止樹脂と、前記封止樹脂に添加されている蛍光体粒子と、前記封止樹脂に添加されている球状ポリマー粒子とを含み、
前記蛍光体粒子は、前記第１光を前記第１光とは異なる波長を有する第２光に変換し、
前記球状ポリマー粒子は、前記第１光または前記第２光の少なくとも一つを吸収して、前記半導体発光装置の光量を減少させ、
前記球状ポリマー粒子の粒子径の変動係数は、１０％以下であり、
前記変動係数は、前記球状ポリマー粒子の前記粒子径の標準偏差を、前記球状ポリマー粒子の平均粒子径で除して、１００を掛けることによって与えられる、半導体発光装置。
【請求項4】
前記球状ポリマー粒子の前記平均粒子径は、２５μｍ以下である、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
【請求項5】
前記半導体発光素子に接続されている導電ワイヤをさらに備え、
前記球状ポリマー粒子の前記平均粒子径は、前記導電ワイヤの直径以下である、請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
前記球状ポリマー粒子の前記平均粒子径は、前記導電ワイヤの直径以下である、請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
【請求項6】
前記球状ポリマー粒子は、ポリマー母材と、前記ポリマー母材に添加されておりかつ前記第１光または前記第２光の前記少なくとも一つを吸収する光吸収体とを含む、請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
【請求項7】
前記ポリマー母材は、シリコーン系共重合体、アクリル共重合体またはジビニルベンゼン共重合体で形成されており、
前記光吸収体は、黒色顔料で形成されている、請求項６に記載の半導体発光装置。
前記光吸収体は、黒色顔料で形成されている、請求項６に記載の半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【0002】
国際公開第２０１８／２１２３００号（特許文献１）は、実装基板と、複数のＬＥＤ素子と、封止樹脂とを備える発光装置を開示している。封止樹脂は、複数のＬＥＤ素子を封止する。封止樹脂は、蛍光体粒子と、二酸化チタン粒子とを含む。蛍光体粒子は、複数のＬＥＤ素子から出射される第１の光によって励起されて、第２の光を発する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】国際公開第２０１８／２１２３００号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
特許文献１の発光装置では、同一製造ロット内であっても、複数の発光装置間で発光色度に大きなばらつきがあり、発光装置の製造歩留まりが低い。本開示は、上記の課題を鑑みてなされたものであり、その目的は、発光色度のばらつきが低減された半導体発光装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の第一の局面の半導体発光装置は、第１光を放射する半導体発光素子と、半導体発光素子を封止する封止部材とを備える。封止部材は、封止樹脂と、封止樹脂に添加されている蛍光体粒子と、封止樹脂に添加されている球状ポリマー粒子とを含む。蛍光体粒子は、第１光を第１光とは異なる波長を有する第２光に変換する。球状ポリマー粒子は、第１光または第２光の少なくとも一つを吸収して、半導体発光装置の光量を減少させる。球状ポリマー粒子の平均粒子径は、３μｍ以上である。
【0006】
本開示の第二の局面の半導体発光装置は、第１光を放射する半導体発光素子と、半導体発光素子を封止する封止部材とを備える。封止部材は、封止樹脂と、封止樹脂に添加されている蛍光体粒子と、封止樹脂に添加されている球状ポリマー粒子とを含む。蛍光体粒子は、第１光を第１光とは異なる波長を有する第２光に変換する。球状ポリマー粒子は、第１光または第２光の少なくとも一つを吸収して、半導体発光装置の光量を減少させる。球状ポリマー粒子の粒子径の変動係数は、１０％以下である。変動係数は、球状ポリマー粒子の粒子径の標準偏差を、球状ポリマー粒子の平均粒子径で除して、１００を掛けることによって与えられる。
【発明の効果】
【0007】
本開示の第一の局面及び第二の局面の半導体発光装置の発光色度のばらつきが低減される。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【発明を実施するための形態】
【0009】
図面に基づいて本開示の実施の形態の詳細について説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は繰返さない。以下に記載する実施の形態の少なくとも一部の構成を任意に組み合わせてもよい。
【0010】
図１を参照して、実施の形態の半導体発光装置１を説明する。半導体発光装置１は、基板１０と、半導体発光素子２４と、導電ワイヤ２７，２８と、封止部材３０とを備える。半導体発光装置１は、リフレクタ２０をさらに備えてもよい。
【0011】
基板１０は、半導体発光素子２４を支持する。基板１０は、例えば、絶縁基板１１と、前面導電層１２，１３と、背面導電層１４，１５と、貫通ビア１６，１７とを含む。
【0012】
絶縁基板１１は、主面１１ａと、主面１１ａとは反対側の主面１１ｂとを含む。絶縁基板１１は、例えば、ガラスクロスと、ガラスクロスに含浸された樹脂とで形成されている。
【0013】
前面導電層１２，１３は、主面１１ａ上に設けられている。前面導電層１２，１３は、互いに間隔を空けて配置されている。背面導電層１４，１５は、主面１１ｂ上に設けられている。背面導電層１４，１５は、互いに間隔を空けて配置されている。前面導電層１２，１３及び背面導電層１４，１５は、例えば、銅のような導電材料で形成されている。前面導電層１２，１３及び背面導電層１４，１５は、金めっき層または銀めっき層のようなめっき層（図示せず）で覆われてもよい。
【0014】
貫通ビア１６は、絶縁基板１１を貫通しており、前面導電層１２と背面導電層１４とに接続されている。貫通ビア１７は、絶縁基板１１を貫通しており、前面導電層１３と背面導電層１５とに接続されている。貫通ビア１６，１７は、例えば、銅のような導電材料で形成されている。基板１０は、配線基板（図示せず）に実装される。配線基板は、配線（図示せず）を含む。背面導電層１４，１５は、はんだなどの導電接合部材（図示せず）を用いて、配線基板の配線に接合される。
【0015】
半導体発光素子２４は、基板１０に実装されている。具体的には、半導体発光素子２４は、はんだなどの導電接合部材２３を用いて、前面導電層１２に接合されている。半導体発光素子２４は、例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）である。半導体発光素子２４は、主に、窒化ガリウム（ＧａＮ）などの半導体材料で形成されている。半導体発光素子２４は、例えば、ｎ型電極（図示せず）とｐ型電極（図示せず）とを含む。半導体発光素子２４は、第１光２５を放射する。第１光２５は、特に限定されないが、例えば、青色光である。
【0016】
導電ワイヤ２７，２８は、半導体発光素子２４に接続されている。具体的には、導電ワイヤ２７は、半導体発光素子２４（例えば、ｎ型電極）と前面導電層１２とに接続されている。導電ワイヤ２７は、半導体発光素子２４（例えば、ｐ型電極）と前面導電層１３とに接続されている。導電ワイヤ２７，２８は、例えば、銅、金またはアルミニウムのような導電材料で形成されている。導電ワイヤ２７，２８は、各々、直径Ｄを有する。直径Ｄは、例えば、１０μｍ以上４０μｍ以下である。
【0017】
リフレクタ２０は、基板１０上に配置されている。絶縁基板１１の主面１１ａの平面視において、リフレクタ２０は、半導体発光素子２４を取り囲んでいる。リフレクタ２０は、半導体発光素子２４から放射される第１光２５と、後述する蛍光体粒子３２から放射される第２光３５とを、半導体発光装置１の外部に向けて反射する。リフレクタ２０は、例えば、側壁２１と、反射層２２とを含む。基板１０に近づくにつれて側壁２１の内表面が半導体発光素子２４に近づくように、側壁２１の内表面は傾斜してもよい。側壁２１は、例えば、エポキシ樹脂のような樹脂で形成されている。反射層２２は、側壁２１の内表面上に設けられている。反射層２２は、第１光２５と第２光３５とを反射する。反射層２２は、例えば、金層、銀層、亜鉛層、または、金とコバルトとの合金層である。
【0018】
封止部材３０は、半導体発光素子２４を封止する。封止部材３０は、封止樹脂３１と、蛍光体粒子３２と、球状ポリマー粒子３３とを含む。
【0019】
封止樹脂３１は、半導体発光素子２４から放射される第１光２５及び蛍光体粒子３２から放射される第２光３５に対して透明な樹脂である。封止樹脂３１は、例えば、エポキシ樹脂で形成されている。
【0020】
蛍光体粒子３２は、封止樹脂３１に添加されており、封止樹脂３１中に分散されている。蛍光体粒子３２は、半導体発光素子２４から放射される第１光２５を、第１光２５とは異なる波長を有する第２光３５に変換する。蛍光体粒子３２は、第２光３５を蛍光として発する。第２光３５は、例えば、第１光２５よりも長い波長を有する。例えば、第１光２５が青色光である場合、蛍光体粒子３２は（Ｙ，Ｇｄ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ３＋または（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋などのような黄色蛍光体粒子であり、第２光３５は黄色光である。そのため、半導体発光装置１から白色光が放射される。
【0021】
蛍光色が互いに異なる複数の蛍光体粒子３２が、封止樹脂３１に添加されており、封止樹脂３１中に分散されてもよい。発光色が互いに異なる複数の蛍光体粒子３２は、例えば、（Ｂａ，Ｓｒ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋などのような緑色蛍光体粒子、及び、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ２＋などのような赤色蛍光体粒子である。
【0022】
球状ポリマー粒子３３は、封止樹脂３１に添加されており、封止樹脂３１中に分散されている。球状ポリマー粒子３３は、第１光２５または第２光３５の少なくとも一つを吸収する。球状ポリマー粒子３３は、第１光２５の一部を吸収してもよいし、第２光３５の一部を吸収してもよいし、図１に示されるように第１光２５の一部と第２光３５の一部とを吸収してもよい。図１では、第１光２５の矢印が細いほど第１光２５の光量が小さく、第２光３５の矢印が細いほど第２光３５の光量が小さい。第１光２５に対する球状ポリマー粒子３３の光吸収率は、第２光３５に対する球状ポリマー粒子３３の光吸収率と同じであってもよいし、第２光３５に対する球状ポリマー粒子３３の光吸収率と異なってもよい。
【0023】
球状ポリマー粒子３３は、半導体発光装置１の光量を減少させる。例えば、球状ポリマー粒子３３無しの半導体発光装置１の光量が、半導体発光装置１の仕様の光量よりも大きい場合、封止樹脂３１に球状ポリマー粒子３３を添加することにより、半導体発光装置１の光量を半導体発光装置１の仕様の光量に減少させる。球状ポリマー粒子３３は、封止樹脂３１中に、例えば、０．０１％重量以上１０．００％重量以下含まれている。そのため、半導体発光装置１の光量が１０％以下程度減少する。
【0024】
球状ポリマー粒子３３は、例えば、ポリマー母材と、光吸収体とを含む。ポリマー母材は、例えば、シリコーン系共重合体、アクリル共重合体またはジビニルベンゼン共重合体で形成されている。光吸収体は、ポリマー母材に添加されており、第１光２５または第２光３５の少なくとも一つを吸収する。光吸収体は、例えば、カーボンブラックのような黒色顔料で形成されている。
【0025】
球状ポリマー粒子３３の平均粒子径は、例えば、３μｍ以上である。球状ポリマー粒子３３の平均粒子径は、４μｍ以上であってもよく、６μｍ以上であってもよく、８μｍ以上であってもよい。球状ポリマー粒子３３の平均粒子径は、２５μｍ以下である。球状ポリマー粒子３３の平均粒子径は、２０μｍ以下であってもよく、１５μｍ以下であってもよく、１２μｍ以下以上であってもよい。球状ポリマー粒子３３の平均粒子径は、導電ワイヤ２７，２８の各々の直径Ｄ以下である。球状ポリマー粒子３３の平均粒子径は、球状ポリマー粒子３３の粒子径の平均値である。本明細書において、平均粒子径は、日本産業規格ＪＩＳ Ｚ ８８２５ （２０１３）に定められる方法によって算出される。具体的には、平均粒子径は、レーザ回折・散乱法によって測定される粒子径の分布から算出される。
【0026】
球状ポリマー粒子３３の粒子径の変動係数（ＣＶ値）は、１０％以下である。球状ポリマー粒子３３の粒子径の変動係数（ＣＶ値）は、８％以下であってもよく、６％以下であってもよい。本明細書において、粒子径の変動係数（ＣＶ値）は、以下の式（１）によって与えられる。
【0027】
ＣＶ値（％）＝（粒子径の標準偏差／平均粒子径）×１００ （１）
球状ポリマー粒子３３は、例えば、金型を用いて作製される。そのため、球状ポリマー粒子３３の粒子径の変動係数（ＣＶ値）は、後述する酸化チタン粒子の粒子径の変動係数（ＣＶ値）よりも小さい。本明細書において、粒子径の標準偏差は、日本産業規格ＪＩＳ Ｚ ８８２５ （２０１３）に定められる方法によって算出される。具体的には、粒子径の標準偏差は、レーザ回折・散乱法によって測定される粒子径の分布から算出される。
球状ポリマー粒子３３は、例えば、金型を用いて作製される。そのため、球状ポリマー粒子３３の粒子径の変動係数（ＣＶ値）は、後述する酸化チタン粒子の粒子径の変動係数（ＣＶ値）よりも小さい。本明細書において、粒子径の標準偏差は、日本産業規格ＪＩＳ Ｚ ８８２５ （２０１３）に定められる方法によって算出される。具体的には、粒子径の標準偏差は、レーザ回折・散乱法によって測定される粒子径の分布から算出される。
【0028】
本実施の形態の半導体発光装置１の製造方法を説明する。
【0029】
基板１０上にリフレクタ２０を形成する。例えば、トランスファーモールドによって、基板１０上に側壁２１を形成する。側壁２１の内表面上に、めっき層を施して反射層２２を形成する。それから、半導体発光素子２４を基板１０に実装する。具体的には、はんだなどの導電接合部材２３を用いて、半導体発光素子２４を、前面導電層１２に接合する。それから、ワイヤボンディング工程を行う。具体的には、導電ワイヤ２７を半導体発光素子２４（例えば、ｎ型電極）と前面導電層１２とにボンディングする。導電ワイヤ２８を半導体発光素子２４（例えば、ｐ型電極）と前面導電層１３とにボンディングする。
【0030】
最後に、半導体発光素子２４を封止部材３０で封止する。具体的には、蛍光体粒子３２及び球状ポリマー粒子３３が分散された封止樹脂３１を、基板１０及びリフレクタ２０により画された空間内にディスペンサを用いてポッティングして、加熱硬化する。こうして、図１に示される半導体発光装置１が得られる。
【0031】
比較例と対比しながら、本実施の形態の半導体発光装置１の作用を説明する。
【0032】
比較例では、球状ポリマー粒子３３に代えて、酸化チタン粒子が封止樹脂３１に添加されている。酸化チタン粒子は、半導体発光素子２４から放射される第１光２５または蛍光体粒子３２から放射される第２光３５の少なくとも一つを吸収して、半導体発光装置１の光量を減少させる。例えば、第１光２５が青色光であり、かつ、第２光３５が黄色光である場合、第１光２５に対する酸化チタン粒子の光吸収率は、第２光３５に対する酸化チタン粒子の光吸収率よりも大きい。
【0033】
本実施の形態の複数の半導体発光装置１を同一の製造条件で製造するとともに、比較例の複数の半導体発光装置を同一の製造条件で製造した。そして、同一製造ロット内の本実施の形態の複数の半導体発光装置１間の発光色度のばらつきと同一製造ロット内の比較例の複数の半導体発光装置間の発光色度のばらつきとを比べた。すると、本実施の形態の複数の半導体発光装置１間の発光色度のばらつきは、比較例の複数の半導体発光装置間の発光色度のばらつきよりも減少していた。以下の二つの理由により、本実施の形態の複数の半導体発光装置１間で発光色度のばらつきが減少すると考えられる。
【0034】
第一の理由は、本実施の形態の球状ポリマー粒子３３の平均粒子径と比較例の酸化チタン粒子の平均粒子径との違いである。球状ポリマー粒子３３の平均粒子径は３μｍ以上であるのに対し、酸化チタン粒子の平均粒子径は数十ｎｍ以上数百ｎｍである。球状ポリマー粒子３３の平均粒子径は、酸化チタン粒子の平均粒子径より大きい。粒子径が増加するにつれて、粒子は凝集しにくくなる。そのため、本実施の形態の複数の半導体発光装置１間で、球状ポリマー粒子３３の凝集の仕方のばらつきが減少する。こうして、本実施の形態の複数の半導体発光装置１間で発光色度のばらつきが減少する。
【0035】
第二の理由は、本実施の形態の球状ポリマー粒子３３の粒子径の変動係数（ＣＶ値）と比較例の酸化チタン粒子の粒子径の変動係数（ＣＶ値）との違いである。比較例に用いられている酸化チタン粒子の粒子径の変動係数（ＣＶ値）は２０％であるのに対し、本実施の形態に用いられている球状ポリマー粒子３３の粒子径の変動係数（ＣＶ値）は１０％以下である。本実施の形態に用いられている球状ポリマー粒子３３の粒子径のばらつきは、比較例に用いられている酸化チタン粒子の粒子径のばらつきよりも小さい。粒子径のばらつきが小さくなるほど、複数の半導体発光装置１間で粒子の凝集の仕方のばらつきも減少する。そのため、本実施の形態の複数の半導体発光装置１間で発光色度のばらつきが減少する。
【0036】
本実施の形態の半導体発光装置１の効果を説明する。
【0037】
本実施の形態の半導体発光装置１は、第１光２５を放射する半導体発光素子２４と、半導体発光素子２４を封止する封止部材３０とを備える。封止部材３０は、封止樹脂３１と、封止樹脂３１に添加されている蛍光体粒子３２と、封止樹脂３１に添加されている球状ポリマー粒子３３とを含む。蛍光体粒子３２は、第１光２５を第１光２５とは異なる波長を有する第２光３５に変換する。球状ポリマー粒子３３は、第１光２５または第２光３５の少なくとも一つを吸収して、半導体発光装置１の光量を減少させる。球状ポリマー粒子３３の平均粒子径は、３μｍ以上である。
【0038】
球状ポリマー粒子３３の平均粒子径が３μｍ以上であるため、球状ポリマー粒子３３は凝集しにくくなる。球状ポリマー粒子３３の凝集の仕方のばらつきが減少する。そのため、本実施の形態の半導体発光装置１の発光色度のばらつきが減少する。半導体発光装置１の製造歩留まりが向上する。
【0039】
本実施の形態の半導体発光装置１では、球状ポリマー粒子３３の粒子径の変動係数は、１０％以下である。変動係数は、球状ポリマー粒子３３の粒子径の標準偏差を、球状ポリマー粒子３３の平均粒子径で除して、１００を掛けることによって与えられる。
【0040】
球状ポリマー粒子３３の粒子径の変動係数が１０％以下であるため、球状ポリマー粒子３３の凝集の仕方のばらつきが減少する。そのため、本実施の形態の半導体発光装置１の発光色度のばらつきが減少する。半導体発光装置１の製造歩留まりが向上する。
【0041】
本実施の形態の半導体発光装置１は、第１光２５を放射する半導体発光素子２４と、半導体発光素子２４を封止する封止部材３０とを備える。封止部材３０は、封止樹脂３１と、封止樹脂３１に添加されている蛍光体粒子３２と、封止樹脂３１に添加されている球状ポリマー粒子３３とを含む。蛍光体粒子３２は、第１光２５を第１光２５とは異なる波長を有する第２光３５に変換する。球状ポリマー粒子３３は、第１光２５または第２光３５の少なくとも一つを吸収して、半導体発光装置１の光量を減少させる。球状ポリマー粒子３３の粒子径の変動係数は、１０％以下である。変動係数は、球状ポリマー粒子３３の粒子径の標準偏差を、球状ポリマー粒子３３の平均粒子径で除して、１００を掛けることによって与えられる。
【0042】
球状ポリマー粒子３３の粒子径の変動係数が１０％以下であるため、球状ポリマー粒子３３の凝集の仕方のばらつきが減少する。そのため、本実施の形態の半導体発光装置１の発光色度のばらつきが減少する。半導体発光装置１の製造歩留まりが向上する。
【0043】
本実施の形態の半導体発光装置１では、球状ポリマー粒子３３の平均粒子径は、２５μｍ以下である。
【0044】
そのため、球状ポリマー粒子３３は、封止樹脂３１中に沈降し難くなって、より均一に封止樹脂３１中に分散され得る。そのため、本実施の形態の半導体発光装置１の発光色度のばらつきが減少する。半導体発光装置１の製造歩留まりが向上する。
【0045】
本実施の形態の半導体発光装置１は、半導体発光素子２４に接続されている導電ワイヤ２７，２８をさらに備える。球状ポリマー粒子３３の平均粒子径は、導電ワイヤ２７，２８の直径Ｄ以下である。
【0046】
そのため、球状ポリマー粒子３３は、封止樹脂３１中に沈降し難くなって、より均一に封止樹脂３１中に分散され得る。そのため、本実施の形態の半導体発光装置１の発光色度のばらつきが減少する。また、球状ポリマー粒子３３が導電ワイヤ２７，２８に衝突しても、球状ポリマー粒子３３によって導電ワイヤ２７，２８が折り曲げられるまたは断線することが防止される。半導体発光装置１の製造歩留まりが向上する。
【0047】
本実施の形態の半導体発光装置１では、球状ポリマー粒子３３は、ポリマー母材と、ポリマー母材に添加されておりかつ第１光２５または第２光３５の少なくとも一つを吸収する光吸収体とを含む。
【0048】
そのため、球状ポリマー粒子３３の凝集の仕方のばらつきが減少する。本実施の形態の半導体発光装置１の発光色度のばらつきが減少する。半導体発光装置１の製造歩留まりが向上する。
【0049】
本実施の形態の半導体発光装置１では、ポリマー母材は、シリコーン系共重合体、アクリル共重合体またはジビニルベンゼン共重合体で形成されている。光吸収体は、黒色顔料で形成されている。
【0050】
そのため、球状ポリマー粒子３３の凝集の仕方のばらつきが減少する。本実施の形態の半導体発光装置１の発光色度のばらつきが減少する。半導体発光装置１の製造歩留まりが向上する。
【0051】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本開示の範囲は、上記した説明ではなく特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることを意図される。
【符号の説明】
【0052】
１ 半導体発光装置、１０ 基板、１１ 絶縁基板、１１ａ，１１ｂ 主面、１２，１３ 前面導電層、１４，１５ 背面導電層、１６，１７ 貫通ビア、２０ リフレクタ、２１ 側壁、２２ 反射層、２３ 導電接合部材、２４ 半導体発光素子、２５ 第１光、２７，２８ 導電ワイヤ、３０ 封止部材、３１ 封止樹脂、３２ 蛍光体粒子、３３ 球状ポリマー粒子、３５ 第２光。
【図1】