特開 2023-130678 半導体製造装置用部材

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023130678

(43)【公開日】2023-09-21

(54)【発明の名称】半導体製造装置用部材

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/683 20060101AFI20230913BHJP

   H01L 21/3065 20060101ALN20230913BHJP

   H05H 1/46 20060101ALN20230913BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 R

H01L21/302 101G

H05H1/46 M

【審査請求】未請求

【請求項の数】9

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022035115

(22)【出願日】2022-03-08

(71)【出願人】

【識別番号】000004064

【氏名又は名称】日本碍子株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110000017

【氏名又は名称】弁理士法人アイテック国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】竹林 央史

(72)【発明者】

【氏名】久野 達也

(72)【発明者】

【氏名】井上 靖也

【テーマコード（参考）】

2G084

5F004

5F131

【Ｆターム（参考）】

2G084AA02

2G084AA05

2G084BB02

2G084BB05

2G084BB32

2G084CC12

2G084CC33

2G084DD02

2G084DD24

2G084DD37

2G084DD38

2G084FF06

2G084FF15

2G084FF32

2G084FF39

5F004AA01

5F004BA09

5F004BB22

5F004BB23

5F004BB25

5F004BD03

5F004BD04

5F131AA02

5F131BA04

5F131BA19

5F131CA03

5F131CA06

5F131EA03

5F131EB12

5F131EB13

5F131EB15

5F131EB16

5F131EB78

5F131EB82

5F131EB84

(57)【要約】

【課題】割れが発生するのを抑制すると共に内部空間を外部から制御できるようにする。
【解決手段】半導体製造装置用部材１０は、ベース基材２０と、フォーカスリング（ＦＲ）載置台３０と、ウエハ載置台４０と、内部空間５０とを備える。ベース基材２０は、ウエハ載置台支持部２１とＦＲ載置台支持部２２とを有する。ＦＲ載置台３０は、ＦＲ載置台支持面２２ａに環状接合層２６を介して接合されている。ウエハ載置台４０は、ＦＲ載置台３０とは別体で、平面視でＦＲ載置面３０ａの内周部と重複し、ウエハ載置台支持面２１ａ及びＦＲ載置面３０ａの内周部に円形接合層２７を介して接合されている。内部空間５０は、ウエハ載置台支持部２１の側面、ＦＲ載置台３０の内周面及び円形接合層２７によって囲まれた環状の空間であり、連通路２５を介して外部と連通している。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

円形のウエハ載置台支持面を備えたウエハ載置台支持部を有し、前記ウエハ載置台支持部の外周に前記ウエハ載置台支持面よりも低い環状のフォーカスリング載置台支持面を備えたフォーカスリング載置台支持部を有する導電性のベース基材と、
上面に環状のフォーカスリング載置面を有し、前記フォーカスリング載置台支持面に接合された絶縁性のフォーカスリング載置台と、
上面に円形のウエハ載置面を有し、前記フォーカスリング載置台とは別体で、平面視で前記フォーカスリング載置面の内周部と重複し、前記フォーカスリング載置面の内周部及び前記ウエハ載置台支持面に接合された絶縁性のウエハ載置台と、
前記ウエハ載置台の下面、前記ベース基材の前記ウエハ載置台支持部の外周面、前記フォーカスリング載置台の内周面及び前記ベース基材の前記フォーカスリング載置台支持面によって囲まれた環状の内部空間と、
前記ベース基材に設けられ、前記内部空間と前記ベース基材の外部とを連通する連通路と、
を備えた半導体製造装置用部材。

【請求項2】

前記ウエハ載置台は、前記内部空間の上部を閉鎖している、
請求項１に記載の半導体製造装置用部材。

【請求項3】

前記ウエハ載置台は、前記内部空間から前記ウエハ載置面に至る貫通穴を有する、
請求項１に記載の半導体製造装置用部材。

【請求項4】

前記フォーカスリング載置台は、前記フォーカスリング載置台支持面に第１接合層を介して接合され、
前記ウエハ載置台は、前記ウエハ載置台支持面に第２接合層を介して接合され、
前記第１及び第２接合層は、いずれも金属接合層である、
請求項１～３のいずれか１項に記載の半導体製造装置用部材。

【請求項5】

前記フォーカスリング載置面と前記ウエハ載置台支持面とは、同じ高さである、
請求項１～４のいずれか１項に記載の半導体製造装置用部材。

【請求項6】

前記ベース基材は、冷媒流路を内蔵し、
前記冷媒流路の天井面から前記ウエハ載置台支持面までの距離は前記冷媒流路の天井面から前記フォーカスリング載置台支持面までの距離よりも短い、
請求項１～５のいずれか１項に記載の半導体製造装置用部材。

【請求項7】

前記ベース基材は、冷媒流路を内蔵し、
前記冷媒流路のうち前記ウエハ載置台支持面に対応するウエハ用流路と前記フォーカスリング載置台支持面に対応するフォーカスリング用流路とは、独立して設けられ、それぞれ別系統の冷媒が供給される、
請求項１～６のいずれか１項に記載の半導体製造装置用部材。

【請求項8】

前記ウエハ載置台は、ウエハ吸着用電極及びバイアス用ＲＦ電極をそれぞれ個別に内蔵しているか、前記ウエハ吸着用電極及び前記バイアス用ＲＦ電極の兼用電極を内蔵し、
前記フォーカスリング載置台は、フォーカスリング吸着用電極及びフォーカスリング用ＲＦバイアス電極をそれぞれ個別に内蔵しているか、前記フォーカスリング吸着用電極及び前記フォーカスリング用ＲＦバイアス電極の兼用電極を内蔵し、
前記ベース基材は、ソース用ＲＦ電極を兼用している、
請求項１～７のいずれか１項に記載の半導体製造装置用部材。

【請求項9】

前記ウエハ載置台及び前記フォーカスリング載置台は、電極を内蔵しておらず、
前記ベース基材は、ウエハ吸着用電極、フォーカスリング吸着用電極、バイアス用ＲＦ電極及びソース用ＲＦ電極を兼用している、
請求項１～７のいずれか１項に記載の半導体製造装置用部材。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、半導体製造装置用部材に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、半導体製造装置用部材として、例えば特許文献１に示すものが知られている。この半導体製造装置用部材は、ベース基材に、円形のウエハ載置台と環状のフォーカスリング載置台とが一体化された保持部材を接着したものである。ベース基材は、中央に円形のウエハ載置台支持面を備えたウエハ載置台支持部を有し、その外周に、前記ウエハ載置台支持面よりも低い環状のフォーカスリング載置台支持面を備えたフォーカスリング載置台支持部を有する。ベース基材のうちウエハ載置台支持部の外周面と保持部材のうちその外周面に対向する面との間には、内部空間が存在している。この２つの面を接着材で接着した場合には、２つの面同士の隙間が狭いため接着部分の剥がれ発生しやすい。接着部分に剥がれが発生すると、剥がれた箇所と剥がれていない箇所とで熱伝達の特性が異なりるため、温度分布の均一性が低下する。そのため、この２つの面を接着材で接着せず、内部空間が存在するようにしている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特許第６８０５０３２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、保持部材にはウエハ載置台とフォーカスリング載置台との連結部位があるため、その連結部位に応力がかかって割れが発生することがあった。また、内部空間は閉空間であるため、内部空間を外部から制御して有効利用することはできなかった。

【0005】

本発明はこのような課題を解決するためになされたものであり、割れが発生するのを抑制すると共に内部空間を外部から制御できるようにすることを主目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明の半導体製造装置用部材は、
円形のウエハ載置台支持面を備えたウエハ載置台支持部を有し、前記ウエハ載置台支持部の外周に前記ウエハ載置台支持面よりも低い環状のフォーカスリング載置台支持面を備えたフォーカスリング載置台支持部を有する導電性のベース基材と、
上面に環状のフォーカスリング載置面を有し、前記フォーカスリング載置台支持面に接合された絶縁性のフォーカスリング載置台と、
上面に円形のウエハ載置面を有し、前記フォーカスリング載置台とは別体で、平面視で前記フォーカスリング載置面の内周部と重複し、前記フォーカスリング載置面の内周部及び前記ウエハ載置台支持面に接合された絶縁性のウエハ載置台と、
前記ウエハ載置台の下面、前記ベース基材の前記ウエハ載置台支持部の外周面、前記フォーカスリング載置台の内周面及び前記ベース基材の前記フォーカスリング載置台支持面によって囲まれた環状の内部空間と、
前記ベース基材に設けられ、前記内部空間と前記ベース基材の外部とを連通する連通路と、
を備えたものである。

【0007】

この半導体製造装置用部材では、ウエハ載置台は、フォーカスリング載置台と別体で、平面視でフォーカスリング載置面の内周部と重複し、フォーカスリング載置面の内周部及びウエハ載置台支持面に接合されている。そのため、特許文献１のようにウエハ載置台とフォーカスリング載置台とが一体化された保持部材を用いる場合に比べて、割れの発生を抑制することができる。また、環状の内部空間は、閉空間ではなく、ベース基材に設けられた連通路を介してベース基材の外部と連通している。そのため、連通路を介して内部空間を外部から制御することができる。

【0008】

なお、本明細書では、上下、左右、前後などを用いて本発明を説明することがあるが、上下、左右、前後は、相対的な位置関係に過ぎない。そのため、半導体製造装置用部材の向きを変えた場合には上下が左右になったり左右が上下になったりすることがあるが、そうした場合も本発明の技術的範囲に含まれる。

【0009】

本発明の半導体製造装置用部材において、前記ウエハ載置台は、前記内部空間の上部を閉鎖していてもよい。こうすれば、連通路を介して内部空間の圧力等を変えることができる。

【0010】

本発明の半導体製造装置用部材において、前記ウエハ載置台は、前記内部空間から前記ウエハ載置面に至る貫通穴を有していてもよい。こうすれば、連通路に導入されたガス（例えば熱伝導ガス）を、環状の内部空間を介して貫通穴からウエハ載置面に載置されたウエハの下面に供給することができる。そのため、ベース基材の内部にガス通路を設ける必要がなくなる。

【0011】

本発明の半導体製造装置用部材において、前記フォーカスリング載置台は、前記フォーカスリング載置台支持面に第１接合層を介して接合されていてもよく、前記ウエハ載置台は、前記ウエハ載置台支持面に第２接合層を介して接合されていてもよく、前記第１及び第２接合層は、いずれも金属接合層であってもよい。こうすれば、第１及び第２接合層が樹脂（有機）接合層の場合に比べて、ウエハの熱やフォーカスリングの熱を効率よくベース基材に伝達することができる。また、第１及び第２接合層をベース基材と同電位にすることができる。

【0012】

本発明の半導体製造装置用部材において、前記フォーカスリング載置面と前記ウエハ載置台支持面とは、同じ高さであってもよい。こうすれば、ウエハ載置台をフォーカスリング載置面の内周部及びウエハ載置台支持面に比較的容易に接合することができる。なお、「同じ」とは、完全に同じ場合のほか、完全に同じでなくても公差の範囲内であれば同じとみなす（以下同じ）。

【0013】

本発明の半導体製造装置用部材において、前記ベース基材は、冷媒流路を内蔵していてもよく、前記冷媒流路の天井面から前記ウエハ載置台支持面までの距離は前記冷媒流路の天井面から前記フォーカスリング載置台支持面までの距離よりも短くしてもよい。こうすれば、ウエハの温度を効率よく下げることができる。

【0014】

本発明の半導体製造装置用部材において、前記ベース基材は、冷媒流路を内蔵してもよく、前記冷媒流路のうち前記ウエハ載置台支持面に対応するウエハ用流路と前記フォーカスリング載置台支持面に対応するフォーカスリング用流路とは、独立して設けられ、それぞれ別系統の冷媒が供給されてもよい。こうすれば、ウエハの温度とフォーカスリングの温度とを個別に制御しやすくなる。

【0015】

本発明の半導体製造装置用部材において、前記ウエハ載置台は、ウエハ吸着用電極及びバイアス用ＲＦ電極をそれぞれ個別に内蔵していてもよいし、前記ウエハ吸着用電極及び前記バイアス用ＲＦ電極の兼用電極を内蔵していてもよい。前記フォーカスリング載置台は、フォーカスリング吸着用電極及びフォーカスリング用ＲＦバイアス電極をそれぞれ個別に内蔵していてもよいし、前記フォーカスリング吸着用電極及び前記フォーカスリング用ＲＦバイアス電極の兼用電極を内蔵していてもよい。前記ベース基材は、ソース用ＲＦ電極を兼用していていてもよい。

【0016】

本発明の半導体製造装置用部材は、前記ウエハ載置台及び前記フォーカスリング載置台は、電極を内蔵していなくてもよく、前記ベース基材は、ウエハ吸着用電極、フォーカスリング吸着用電極、バイアス用ＲＦ電極及びソース用ＲＦ電極を兼用していてもよい。こうすれば、ウエハ載置台及びフォーカスリング載置台を薄くすることができる。

【図面の簡単な説明】

【0017】

【図1】半導体製造装置用部材１０の縦断面図。

【図2】半導体製造装置用部材１０の平面図。

【図3】半導体製造装置用部材１０の部分断面図付き斜視図。

【図4】半導体製造装置用部材１０の製造工程図。

【図5】半導体製造装置用部材１０の別例の部分断面図付き斜視図。

【図6】半導体製造装置用部材１０の別例の平面図。

【図7】図６の部分断面図付き斜視図。

【図8】絶縁膜１２ａ，１２ｂを備えた半導体製造装置用部材の部分縦断面図。

【図9】絶縁膜１４ａ，１４ｂを備えた半導体製造装置用部材の部分縦断面図。

【図10】半導体製造装置用部材１１０の縦断面図。

【図11】半導体製造装置用部材２１０の縦断面図。

【図12】半導体製造装置用部材３１０の縦断面図。

【図13】半導体製造装置用部材４１０の縦断面図。

【図14】半導体製造装置用部材５１０の縦断面図。

【発明を実施するための形態】

【0018】

本発明の好適な実施形態を、図面を参照しながら以下に説明する。図１は半導体製造装置用部材１０の縦断面図（半導体製造装置用部材１０の中心軸を含む面で切断したときの断面図）、図２は半導体製造装置用部材１０の平面図（但しフォーカスリング７８は省略）、図３は半導体製造装置用部材１０の部分断面図付き斜視図（但しフランジ部２３は省略）である。本明細書において数値範囲を示す「～」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味として使用される。

【0019】

半導体製造装置用部材１０は、ウエハＷにプラズマを利用してＣＶＤやエッチングなどを行うために用いられるものであり、半導体プロセス用のチャンバ９４の内部に設けられた絶縁性の設置板９６に固定されている。半導体製造装置用部材１０は、ベース基材２０と、フォーカスリング載置台３０と、ウエハ載置台４０と、内部空間５０と、連通路２５とを備えている。以下、フォーカスリングを「ＦＲ」と略すことがある。

【0020】

ベース基材２０は、導電性の円板部材である。ベース基材２０は、ウエハ載置台支持部２１と、ＦＲ載置台支持部２２と、フランジ部２３とを有する。ウエハ載置台支持部２１は、ベース基材２０の中央に設けられ、円形のウエハ載置台支持面２１ａを備える。ＦＲ載置台支持部２２は、ウエハ載置台支持部２１の外周に設けられ、ウエハ載置台支持面２１ａよりも低い環状のＦＲ載置台支持面２２ａを備える。フランジ部２３は、ＦＲ載置台支持部２２の外周に設けられ、ＦＲ載置台支持面２２ａよりも低い環状のフランジ面２３ａを備える。ベース基材２０は、内部に冷媒が循環可能な冷媒流路２４を有する。この冷媒流路２４は、平面視でベース基材２０の全体にわたって一筆書きの要領で設けられている（図２）。ベース基材２０のうちウエハ載置台支持面２１ａと冷媒流路２４の天井面との距離ｄ１は、ベース基材２０のうちＦＲ載置台支持面２２ａと冷媒流路２４の天井面との距離ｄ２と同じである。この距離ｄ１，ｄ２は、５ｍｍ以下であることが好ましく、３ｍｍ以下であることがより好ましい。また、冷媒流路２４の上側の角部（側壁と天井面とが交叉する角部）はＲ面になっていることが好ましく、Ｒ面の曲率半径は、例えば０．５～２ｍｍが好ましい。冷媒流路２４を流れる冷媒は、液体が好ましく、電気絶縁性であることが好ましい。電気絶縁性の液体としては、例えばフッ素系不活性液体などが挙げられる。

【0021】

ベース基材２０は、金属を含有する導電材料で作製することができる。導電材料としては、例えば、複合材料や金属などが挙げられる。複合材料としては、金属マトリックス複合材料（メタル・マトリックス・コンポジット（ＭＭＣ）ともいう）などが挙げられ、ＭＭＣとしては、Ｓｉ，ＳｉＣ及びＴｉを含む材料やＳｉＣ多孔質体にＡｌ及び／又はＳｉを含浸させた材料などが挙げられる。Ｓｉ，ＳｉＣ及びＴｉを含む材料をＳｉＳｉＣＴｉといい、ＳｉＣ多孔質体にＡｌを含浸させた材料をＡｌＳｉＣといい、ＳｉＣ多孔質体にＳｉを含浸させた材料をＳｉＳｉＣという。ＦＲ載置台３０やウエハ載置台４０がアルミナ製の場合、ベース基材２０に用いるＭＭＣとしては線熱膨張係数（ＣＴＥ）がアルミナに近いＡｌＳｉＣやＳｉＳｉＣＴｉなどが好ましい。金属としては、Ｔｉ，Ｍｏ，Ａｌ及びそれらの合金などが挙げられる。

【0022】

ベース基材２０は、ソース用ＲＦ電極を兼用するものであり、ソース用ＲＦ電源６２に給電部材６４を介して接続されている。給電部材６４のうちベース基材２０とソース用ＲＦ電源６２との間にはハイパスフィルタ（ＨＰＦ）６３が配置されている。ソース用ＲＦ電源６２は、プラズマを生成するためのソース用ＲＦを発生する。

【0023】

ＦＲ載置台３０は、絶縁性の環状部材であり、上面に環状のＦＲ載置面３０ａを有し、ベース基材２０のＦＲ載置台支持面２２ａに環状接合層（第１接合層）２６を介して接合されている。ＦＲ載置面３０ａは、ベース基材２０のウエハ載置台支持面２１ａと同じ高さである。ＦＲ載置面３０ａには、フォーカスリング７８が載置される。ＦＲ載置台３０は、ＦＲ載置面３０ａに近い側から順に、ＦＲ吸着用電極３１とバイアス用ＲＦ電極３２とを内蔵している。これらの電極３１，３２は、例えばＷ、Ｍｏ、ＷＣ、ＭｏＣなどを含有する材料によって形成されている。ＦＲ吸着用電極３１は、板状又はメッシュ状の単極型の静電電極である。ＦＲ載置台３０のうちＦＲ吸着用電極３１よりも上側の層は誘電体層として機能する。ＦＲ吸着用電極３１には、ＦＲ吸着用電源５６が給電部材５８を介して接続されている。給電部材５８は、ベース基材２０、環状接合層２６及びバイアス用ＲＦ電極３２と電気的に絶縁されている。給電部材５８のうちＦＲ吸着用電源５６とＦＲ吸着用電極３１との間には、ローパスフィルタ（ＬＰＦ）５７が設けられている。

【0024】

ウエハ載置台４０は、絶縁性の円板部材であり、上面に円形のウエハ載置面４０ａを有している。ウエハ載置面４０ａには、ウエハＷが載置される。ウエハ載置台４０は、ＦＲ載置台３０とは別体であり、ベース基材２０のウエハ載置台支持面２１ａよりも大径で、平面視でＦＲ載置面３０ａの内周部と重複している。ウエハ載置台４０は、ウエハ載置台支持面２１ａの全面及びＦＲ載置面３０ａの内周部に円形接合層２７を介して接合されている。円形接合層２７のうちＦＲ載置台３０とウエハ載置台４０とが重なって接合されている部分（重複部）の幅（円形接合層２７の径方向の長さ）は少なくとも３ｍｍであることが好ましい。この幅が少なくとも３ｍｍあれば、円形接合層２７の重複部のシール性を十分確保することができる。ウエハ載置台４０は、ウエハ載置面４０ａに近い側から順に、ウエハ吸着用電極４１とバイアス用ＲＦ電極４２とを内蔵している。これらの電極４１，４２は、例えばＷ、Ｍｏ、ＷＣ、ＭｏＣなどを含有する材料によって形成されている。ウエハ吸着用電極４１は、板状又はメッシュ状の単極型の静電電極である。ウエハ載置台４０のうちウエハ吸着用電極４１よりも上側の層は誘電体層として機能する。ウエハ吸着用電極４１には、ウエハ吸着用電源５２が給電部材５４を介して接続されている。給電部材５４は、ベース基材２０、円形接合層２７及びバイアス用ＲＦ電極４２と電気的に絶縁されている。給電部材５４のうちウエハ吸着用電源５２とウエハ吸着用電極４１との間には、ＬＰＦ５３が設けられている。

【0025】

バイアス用ＲＦ電極３２，４２は、給電部材７４を介してバイアス用ＲＦ電源７２に接続されている。給電部材７４は、環状接合層２６、円形接合層（第２接合層）２７及びベース基材２０と電気的に絶縁されている。これらのバイアス用ＲＦ電極３２，４２とバイアス用ＲＦ電源７２との間にはＨＰＦ７３が配置されている。バイアス用ＲＦ電源７２は、ウエハＷやフォーカスリング７８にイオンを引き込むためのバイアス用ＲＦを発生する。バイアス用ＲＦは、ソース用ＲＦに比べると周波数が低く振幅が大きい。ソース用ＲＦの周波数は、例えば数１０～数１００ＭＨｚであり、バイアス用ＲＦの周波数は、例えば数百ｋＨｚである。

【0026】

ウエハ載置面４０ａには、図２に示すように、外縁に沿ってシールバンド４０ｂが形成され、シールバンド４０ｂの内側に複数の小突起４０ｃが形成されている。シールバンド４０ｂ及び複数の小突起４０ｃは、ウエハ載置面４０ａの基準面４０ｄに形成されている。小突起４０ｃは、本実施形態では扁平な円柱突起である。シールバンド４０ｂの頂面及び複数の小突起４０ｃの頂面は、同一平面上に位置している。シールバンド４０ｂ及び小突起４０ｃの高さ（つまり基準面４０ｄからこれらの頂面までの距離）は数μｍ～数１０μｍである。ウエハＷは、シールバンド４０ｂの頂面及び複数の小突起４０ｃの頂面に接触した状態でウエハ載置面４０ａに載置される。

【0027】

ＦＲ載置台３０及びウエハ載置台４０は、セラミック材料で作製することができる。セラミック材料としては、例えばアルミナや窒化アルミニウムなどが挙げられる。環状接合層２６や円形接合層２７は、例えば、はんだや金属ロウ材で形成された層であってもよい。これらの接合層２６，２７は、例えばＴＣＢ（Ｔｈｅｒｍａｌ ｃｏｍｐｒｅｓｓｉｏｎ ｂｏｎｄｉｎｇ）により形成される。ＴＣＢとは、接合対象の２つの部材の間に金属接合材を挟み込み、金属接合材の固相線温度以下の温度に加熱した状態で２つの部材を加圧接合する公知の方法をいう。

【0028】

内部空間５０は、ウエハ載置台４０の下面（円形接合層２７を含む）、ベース基材２０のウエハ載置台支持部２１の外周面、ＦＲ載置台３０の内周面及びベース基材２０のＦＲ載置台支持面２２ａによって囲まれた環状の空間である。内部空間５０の上面は、ウエハ載置台４０及び円形接合層２７によって塞がれている。内部空間５０の幅（ＦＲ載置台３０の径方向の長さ）は０．１ｍｍ以上であることが好ましい。

【0029】

連通路２５は、ベース基材２０に設けられ、ベース基材２０の下面から内部空間５０に至る通路である。連通路２５は、内部空間５０とベース基材２０の外部とを連通している。ここでは、１本の連通路２５を例示した。連通路２５は、設置板９６を上下方向に貫通する貫通穴９５を介して外部の圧力調整器８０に接続されている。圧力調整器８０は、内部空間５０を真空雰囲気にしたり大気圧に戻したりすることができる。

【0030】

こうした半導体製造装置用部材１０は、チャンバ９４の内部に設けられた設置板９６にクランプ部材７０を用いて取り付けられる。クランプ部材７０は、断面が略逆Ｌ字状の環状部材であり、内周段差面７０ａを有する。半導体製造装置用部材１０と設置板９６とは、クランプ部材７０によって一体化されている。半導体製造装置用部材１０のベース基材２０のフランジ面２３ａにクランプ部材７０の内周段差面７０ａが載置された状態で、クランプ部材７０の上面からボルト７１が差し込まれて設置板９６の上面に設けられたネジ穴９７に螺合されている。ボルト７１は、クランプ部材７０の円周方向に沿って等間隔に設けられた複数箇所（例えば８箇所とか１２箇所）に取り付けられる。クランプ部材７０やボルト７１は、絶縁材料で作製されていてもよいし、導電材料（金属など）で作製されていてもよい。ベース基材２０の下面と設置板９６の上面との間には、シール部材（図示せず）が配置されていてもよい。シール部材としては、各給電部材５４，５８，６４，７４を取り囲むＯリング、連通路２５と貫通穴９５との気密性を維持するＯリング、ベース基材２０とほぼ同径のＯリングなどが挙げられる。こうしたシール部材は、ボルト７１をネジ穴９７に螺合することにより上下方向に押し潰されてシール性を発揮する。シール部材は、金属製でもよいし樹脂製でもよい。

【0031】

次に、半導体製造装置用部材１０の製造例を図４を用いて説明する。図４は半導体製造装置用部材１０の製造工程図である。なお、ここでは給電部材５４，５８，７４の取付構造については省略する。まず、ベース基材２０とＦＲ載置台３０と環状の金属接合材８２とを用意する（図４Ａ）。ベース基材２０は、例えば以下のようにして作製する。まず、特許第５６６６７４８号公報や特許第５６６６７４９号公報に準じて、冷媒流路を内蔵するＭＭＣ製の円形冷却板を作製する。その円形冷却板に外形加工を施すことにより、ウエハ載置台支持部２１とＦＲ載置台支持部２２とフランジ部２３とを備え、冷媒流路２４を内蔵するベース基材２０を得る。このベース基材２０に連通路２５を設ける。ＦＲ載置台３０は、例えば以下のように作製する。まず、セラミック粉末の円板成形体を３枚作製する。続いて、１枚目の円板成形体の上面に外周に沿ってバイアス用ＲＦ電極と同形状の印刷電極を印刷し、２枚目の円板成形体の上面に外周に沿ってＦＲ吸着用電極と同形状の印刷電極を印刷する。そして、１枚目の円板成形体の印刷電極面に２枚目の円板成形体を印刷電極面が上になるように積層し、更にその上に３枚目の円板成形体を積層して積層体とする。この積層体をホットプレス焼成し、得られた焼成体に外形加工を施すことにより、環状のＦＲ載置台３０を得る。各印刷電極はそれぞれＦＲ吸着用電極３１とバイアス用ＲＦ電極３２になる。この段階のＦＲ載置台３０は、最終的なＦＲ載置台３０に比べてＦＲ吸着用電極３１からＦＲ載置台３０の上面までの距離が長くなっている。金属接合材８２は、最終的には環状接合層２６になるものである。

【0032】

続いて、ベース基材２０のＦＲ載置台支持面２２ａに環状の金属接合材８２を積層し、その上に環状のＦＲ載置台３０を積層することにより、積層体を得る。この積層体を加熱しながらＦＲ載置台３０の上面を加圧することにより（ＴＣＢ）、接合体Ｍ１を得る（図４Ｂ）。ＴＣＢは、例えば以下のように行われる。金属接合材８２の固相線温度以下（例えば、固相線温度から２０℃引いた温度以上固相線温度以下）の温度で積層体を加圧して接合し、その後室温に戻す。これにより、金属接合材８２は環状接合層２６になる。このときの金属接合材８２としては、Ａｌ－Ｍｇ系接合材やＡｌ－Ｓｉ－Ｍｇ系接合材を使用することができる。例えば、Ａｌ－Ｓｉ－Ｍｇ系接合材を用いてＴＣＢを行う場合、真空雰囲気下で加熱した状態で積層体を加圧する。金属接合材８２は、厚みが１００μｍ前後のものを用いるのが好ましい。

【0033】

続いて、ウエハ載置台４０と円形の金属接合材８４を用意すると共に、接合体Ｍ１のＦＲ載置台３０に研削加工を施してＦＲ載置台３０の上面の高さをウエハ載置台支持面２１ａの高さと一致させる（図４Ｃ）。ウエハ載置台４０は、印刷電極の形状や外形加工が異なる以外は、ＦＲ載置台３０と同様にして作製することができる。金属接合材８４は、最終的には円形接合層２７になるものである。続いて、ウエハ載置台支持面２１ａの全面及びＦＲ載置面３０ａの内周部に円形の金属接合材８４を積層し、その上に円形のウエハ載置台４０を積層することにより、積層体を得る。この積層体を加熱しながらウエハ載置台４０の上面を加圧することにより（ＴＣＢ）、接合体Ｍ２を得る（図４Ｄ）。これにより、金属接合材８４は円形接合層２７になる。その後、ウエハ載置台４０の上面に鏡面仕上げを施したあと、その面にシールバンド４０ｂや複数の小突起４０ｃ（図２）をブラスト加工などで形成し、半導体製造装置用部材１０を得る。

【0034】

製造工程の途中で、ベース基材２０やウエハ載置台４０にリフトピン穴を設けてもよい。リフトピン穴は、ウエハ載置面４０ａに対してウエハＷを上下させるリフトピンを挿通するための穴である。リフトピン穴の壁面は、導体（ベース基材２０や接合層２６，２７）と電気的に絶縁されるように保護するのが好ましい。

【0035】

次に、半導体製造装置用部材１０の使用例について図１を用いて説明する。チャンバ９４の設置板９６には、上述したように半導体製造装置用部材１０が設置されている。チャンバ９４の天井面には、プロセスガスを多数のガス噴射孔からチャンバ９４の内部へ放出するシャワーヘッド９８が配置されている。

【0036】

半導体製造装置用部材１０のＦＲ載置面３０ａには、フォーカスリング７８が載置され、ウエハ載置面４０ａには、ウエハＷが載置される。フォーカスリング７８は、ウエハＷと干渉しないように上端部の内周に沿って段差を備えている。この状態で、ウエハ吸着用電極４１にウエハ吸着用電源５２の直流電圧を印加してウエハＷをウエハ載置面４０ａに吸着させる。それと共に、ＦＲ吸着用電極３１にＦＲ吸着用電源５６の直流電圧を印加してフォーカスリング７８をＦＲ載置面３０ａに吸着させる。また、圧力調整器８０を作動して環状の内部空間５０を真空雰囲気にする。これにより、内部空間５０は熱抵抗層として機能するため、ウエハＷの温度とフォーカスリング７８の温度とを独立して制御しやすくなる。そして、チャンバ９４の内部を所定の真空雰囲気（又は減圧雰囲気）になるように設定し、シャワーヘッド９８からプロセスガスを供給しながら、ベース基材２０にソース用ＲＦ電源６２からのソース用ＲＦ電圧を印加する。それと共に、バイアス用ＲＦ電極３２，４２にバイアス用ＲＦ電源７２からのバイアス用ＲＦ電圧を印加する。すると、ソース用ＲＦ電圧が印加されたベース基材２０と同電位の接合層２６，２７とシャワーヘッド９８との間でプラズマが発生する。そして、そのプラズマを利用してウエハＷにＣＶＤ成膜を施したりエッチングを施したりする。ソース用ＲＦ電圧は、プラズマを生成するために印加されるものであり、バイアス用ＲＦ電圧は、ウエハＷやフォーカスリング７８にイオンを引き込むために印加されるものである。

【0037】

なお、ウエハＷがプラズマ処理されるのに伴ってフォーカスリング７８も消耗するが、フォーカスリング７８はウエハＷに比べて厚いため、フォーカスリング７８の交換は複数枚のウエハＷを処理したあとに行われる。

【0038】

以上説明した半導体製造装置用部材１０では、ウエハ載置台４０は、ＦＲ載置台３０と別体で、ＦＲ載置面３０ａの内周部及びウエハ載置台支持面２１ａに接合されている。そのため、特許文献１のようにウエハ載置台とフォーカスリング載置台とが一体化された保持部材を用いる場合に比べて、割れの発生を抑制することができる。すなわち、一体化された保持部材ではウエハ載置台とＦＲ載置台との連結部位において割れが発生しやすいが、上述した実施形態ではそうした連結部位がないため割れの発生を抑制することができる。また、環状の内部空間は、閉空間ではなく、ベース基材に設けられた連通路を介してベース基材の外部と連通している。そのため、連通路を介して内部空間を外部から制御することができる。

【0039】

また、ウエハ載置台４０は円形接合層２７と共に内部空間５０の上部を閉鎖している。そのため、連通路２５を介して内部空間５０の圧力を真空にしたり大気圧にしたりすることができる。

【0040】

更に、環状接合層２６及び円形接合層２７は、いずれも金属接合層であるため、これらの接合層２６，２７が樹脂（有機）接合層の場合に比べて、ウエハＷの熱やフォーカスリング７８の熱を効率よくベース基材２０に逃がすことができる。また、これらの接合層２６，２７をベース基材２０と同電位にすることができる。

【0041】

更にまた、ＦＲ載置面３０ａとウエハ載置台支持面２１ａとは、同じ高さである。そのため、ウエハ載置台４０をＦＲ載置面３０ａの内周部及びウエハ載置台支持面２１ａに比較的容易に接合することができる。

【0042】

そして、ウエハ載置台４０は、ウエハ吸着用電極４１及びバイアス用ＲＦ電極４２をそれぞれ個別に内蔵し、ＦＲ載置台３０は、ＦＲ吸着用電極３１及びバイアス用ＲＦ電極３２をそれぞれ個別に内蔵している。各バイアス用ＲＦ電極３２，４２を各載置台３０，４０の表面に近い位置に配置することで、ウエハＷへのイオンの引き込み効率が上がる。ソース用ＲＦ電極のサイズは、プラズマの密度バラツキ低減の観点よりウエハ載置台４０上のウエハ面径より大きな領域である必要があるため、ウエハ載置台４０及びＦＲ載置台３０を冷却するベース基材２０がソース用ＲＦ電極として兼用される。

【0043】

なお、本発明は上述した実施形態に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の態様で実施し得ることはいうまでもない。

【0044】

上述した実施形態では、連通路２５を介して内部空間５０の圧力を真空にしたり大気圧にしたりする例を示したが、特にこれに限定されない。例えば、連通路２５を介して内部空間５０に封入するガスの種類を変えてもよい。

【0045】

上述した実施形態では、ウエハ載置台４０は円形接合層２７と共に内部空間５０の上部を閉鎖する構成としたが、特にこれに限定されない。例えば、図５に示すように、ウエハ載置台４０（円形接合層２７を含む）は、内部空間５０からウエハ載置面４０ａに至る複数の貫通穴４５を有していてもよい。図５では、上述した実施形態と同じ構成要素には同じ符号を付した。こうすれば、内部空間５０をガス通路として利用することができる。すなわち、外部から連通路２５に導入されたガス（例えばＨｅなどの熱伝導ガス）を、環状の内部空間５０を介して複数の貫通穴４５からウエハ載置面４０ａに載置されたウエハＷの下面（シールバンド４０ｂと小突起４０ｃと基準面４０ｄとウエハＷとによって囲まれた空間）に供給することができる。一般的に、ウエハＷの下面にガスを供給する場合、ベース基材２０の内部にベース基材２０と同心円となる環状通路を形成し、ベース基材２０の下面からその環状通路に繋がる連通路を設け、環状通路からベース基材２０、円形接合層２７及びウエハ載置台４０を貫通する複数のガス穴を設ける。図５の構造であれば、ベース基材２０の内部に環状通路を形成したりその環状通路からベース基材２０の上面に至る穴を形成したりする必要がなくなる。

【0046】

上述した実施形態では、冷媒流路２４の天井面からウエハ載置台支持面２１ａまでの距離ｄ１は、冷媒流路２４の天井面からＦＲ載置台支持面２２ａまでの距離ｄ２と同じとしたが、特にこれに限定されない。例えば、距離ｄ１を距離ｄ２よりも短くしてもよい。こうすれば、ウエハＷの温度を効率よく下げることができる。

【0047】

上述した実施形態では、冷媒流路２４は、平面視でベース基材２０のウエハ載置台支持面２１ａ及びＦＲ載置台支持面２２ａの全体にわたって一筆書きの要領で渦巻状に形成されている例を示したが、特にこれに限定されない。例えば、図６及び図７に示すように、ウエハ用冷媒流路２４ａとＦＲ用冷媒流路２４ｂとをそれぞれ独立して設け、それぞれ別系統の冷媒を供給するようにしてもよい。図６及び図７では、上述した実施形態と同じ構成要素には同じ符号を付した。ウエハ用冷媒流路２４ａは、平面視でウエハ載置台支持面２１ａの全体にわたって一筆書きの要領で形成され、ＦＲ用冷媒流路２４ａは、平面視でＦＲ載置台支持面２２ａの全体にわたって一筆書きの要領で形成されている。こうすれば、ウエハＷの温度とフォーカスリング７８の温度とを個別に制御しやすくなる。

【0048】

上述した実施形態において、図８に示すように、ウエハ載置台４０の外周面、円形接合層２７の外周面、ＦＲ載置台３０の外周面、環状接合層２６の外周面及びベース基材２０のうち外部に露出している面は、絶縁膜１２ａ，１２ｂで被覆されていることが好ましい。図８では、上述した実施形態と同じ構成要素には同じ符号を付した。こうすれば、接合層２６，２７の外周面やベース基材２０のうち外部に露出している面が腐食するのを防止することができる。絶縁膜１２ａのうちウエハ載置台４０の外周面を覆う部分は省略してもよく、絶縁膜１２ｂのうちＦＲ載置台３０の外周面を覆う部分は省略してもよい。あるいは、図９に示すように、円形接合層２７の外周面とその周辺領域（ウエハ載置台４０の外周面の一部及びＦＲ載置台３０のＦＲ載置面３０ａの一部）や環状接合層２６の外周面とその周辺領域（ＦＲ載置台３０の外周面の一部）に、絶縁膜形成用の溝を設け、その溝を埋めるように絶縁膜１４ａ，１４ｂを形成してもよい。図９では、上述した実施形態と同じ構成要素には同じ符号を付した。絶縁膜１４ａ，１４ｂを形成した後、絶縁膜１４ａの表面がウエハ載置台４０の外周面やＦＲ載置台３０のＦＲ載置面３０ａと面一になるように形状加工を施すと共に、絶縁膜１４ｂの表面がＦＲ載置台３０の外周面と面一になるように形状加工を施す。このようにしても、接合層２６，２７の外周面やベース基材のうち外部に露出している面が腐食するのを防止することができる。絶縁膜１２ａ，１２ｂ，１４ａ，１４ｂとしては、例えばアルミナやイットリアなどの溶射膜が挙げられる。

【0049】

上述した実施形態では、冷媒流路２４を内蔵するベース基材２０を使用したが、図１０に示す半導体製造装置用部材１１０のように、冷媒流路が内蔵されていないベース基材１２０を使用してもよい。図１０では、上述した実施形態と同じ構成要素には同じ符号を付した。なお、ベース基材１２０はウエハ載置台支持部１２１及びＦＲ載置台支持部１２２を有する。ベース基材１２０はクランプ用のフランジ部を有していないが、フランジ部を有していてもよい。

【0050】

上述した実施形態では、ウエハ載置台４０は、ウエハ吸着用電極４１及びバイアス用ＲＦ電極４２をそれぞれ個別に内蔵し、ＦＲ載置台３０は、ＦＲ吸着用電極３１及びバイアス用ＲＦ電極３２をそれぞれ個別に内蔵したが、特にこれに限定されない。例えば、図１１に示す半導体製造装置用部材２１０のように、ウエハ載置台２４０は兼用電極２４１を内蔵し、ＦＲ載置台２３０は兼用電極２３１を内蔵していてもよい。図１１では、上述した実施形態と同じ構成要素には同じ符号を付した。ウエハ載置台２４０の兼用電極２４１には、ウエハ吸着用電源５２の直流電圧が印加されると共に、バイアス用ＲＦ電源７２のＲＦ電圧も印加される。また、ＦＲ載置台２３０の兼用電極２３１には、ＦＲ吸着用電源５６の直流電圧が印加されると共に、バイアス用ＲＦ電源７２のＲＦ電圧も印加される。こうすれば、ウエハ載置面２４０ａとバイアス用ＲＦ電圧が印加される兼用電極２４１との間の距離を上述した実施形態よりも短くすることができるため、この間のリアクタンスが小さくなり、ウエハＷへのイオンの引き込みを効率よく行うことができる。また、ＦＲ載置面２３０ａとバイアス用ＲＦ電圧が印加される兼用電極２３１との間の距離を上述した実施形態よりも短くすることができるため、この間のリアクタンスが小さくなり、フォーカスリング７８へのイオンの引き込みを効率よく行うことができる。なお、図１１において、ベース基材２０の代わりに、冷媒流路が内蔵されていない図１０のベース基材１２０を採用してもよい。

【0051】

あるいは、図１２に示す半導体製造装置用部材３１０のように、ウエハ載置台３４０及びＦＲ載置台３３０は電極を内蔵していなくてもよい。図１２では、上述した実施形態と同じ構成要素には同じ符号を付した。ベース基材２０には、ウエハ吸着用電源とＦＲ吸着用電源を兼ねる共通の吸着用電源３５２の直流電圧が給電部材３５４を介して印加される。ベース基材２０と吸着用電源３５２との間にはＬＰＦ３５３が設けられている。ベース基材２０には、ソース用ＲＦ電源６２のＲＦ電圧とバイアス用ＲＦ電源７２のＲＦ電圧も印加される。ウエハ載置台３４０の厚みは、図１のウエハ載置台４０や図１１のウエハ載置台２４０に比べて薄くすることができる。また、ＦＲ載置台３３０の厚みは、ウエハ載置台支持面２１ａとＦＲ載置台支持面２２ａとの距離に応じて薄くすることができる。ウエハ載置台３４０の厚みやＦＲ載置台３３０の厚みは１ｍｍ以下が好ましい。こうすれば、ウエハＷをウエハ載置面３４０ａに静電吸着し、フォーカスリング７８をＦＲ載置面３３０ａに静電吸着することができる。また、バイアス用のＲＦ電圧をベース基材２０に印加した場合、ウエハＷとベース基材２０と同電位になる円形接合層２７との間のリアクタンスやフォーカスリング７８とベース基材２０と同電位になる環状接合層２６との間のリアクタンスが小さいため、バイアス用のＲＦ電圧によるウエハＷへのイオンの引き込みやフォーカスリング７８へのイオンの引き込みを効率よく行うことができる。更に、ウエハ載置台３４０やＦＲ載置台３３０に電極を内蔵する必要がないため、構造が簡素になるし、内蔵された電極へ電源を供給するための貫通孔を設ける必要がなく、温度の特異点の生成を抑制することもできる。フォーカスリング７８の厚みは、ＦＲ載置面３３０ａとウエハ載置面３４０ａとの距離に応じて決まる。そのため、フォーカスリング７８の寿命を長くしたい場合には、その距離を長くすればよい。なお、図１２において、ベース基材２０の代わりに、冷媒流路が内蔵されていない図１０のベース基材１２０を採用してもよい。

【0052】

上述した実施形態のベース基材２０の代わりに、図１３に示すベース基材４２０を用いてもよい。図１３では、上述した実施形態と同じ構成要素については同じ符号を付した。図１３の半導体製造装置用部材４１０では、ベース基材４２０は、ウエハ載置台支持部４２１の外周にウエハ載置台支持面４２１ａよりも低いＦＲ載置台支持面４２２ａを備えた環状のＦＲ載置台支持部４２２を有し、ＦＲ載置台支持部４２２の外周にＦＲ載置台支持面４２２ａよりも低いフランジ面４２３ａを備えたフランジ部４２３を有する。ベース基材４２０は、冷媒流路溝４２４を有する。冷媒流路溝４２４は、ベース基材４２０の下面に開口するように設けられている。ベース基材４２０は、シール部材４１６ａ，４１６ｂを介してチャンバ側の設置板９６に固定されている。シール部材４１６ａは、ベース基材４２０よりもやや径が小さく冷媒流路溝４２４の全体を取り囲む環状部材であり、シール部材４１６ｂは、内部空間５０に連通する連通路４２５を取り囲む環状部材である。ベース基材４２０のフランジ部４２３は、クランプ部材４７０に挿通されたボルト４７１が設置板９６のネジ穴に螺合されることにより、クランプ部材４７０を介して設置板９６に押しつけられる。これにより、シール部材４１６ａ，４１６ｂは押し潰されてシール性を発揮する。冷媒流路溝４２４の開口はシール部材４１６ａ，４１６ｂと設置板９６とによって閉鎖されて冷媒流路となる。ベース基材４２０は、ベース基材２０と比べて、使用する材料が少なくて済むため、コストを低く抑えることができる。

【0053】

あるいは、上述した実施形態のベース基材２０の代わりに、図１４に示すベース基材５２０を用いてもよい。図１４では、上述した実施形態と同じ構成要素については同じ符号を付した。図１４の半導体製造装置用部材５１０では、ベース基材５２０は、ベース基材上部５２０Ｕとベース基材下部５２０Ｌとがシール部材５１６ａ，５１６ｂを介してクランプされたものである。ベース基材上部５２０Ｕは、ウエハ載置台支持部５２１の外周にウエハ載置台支持面５２１ａよりも低いＦＲ載置台支持面５２２ａを備えた環状のＦＲ載置台支持部５２２を有し、ＦＲ載置台支持部５２２の外周にＦＲ載置台支持面５２２ａよりも低いフランジ面５２３ａを備えたフランジ部５２３を有する。ベース基材上部５２０Ｕは、冷媒流路を有していない。ベース基材下部５２０Ｌは、冷媒流路溝５２４を有する。冷媒流路溝５２４は、ベース基材下部５２０Ｌの上面に開口するように設けられている。シール部材５１６ａは、ベース基材下部５２０Ｌよりもやや径が小さく冷媒流路溝５２４の全体を取り囲む環状部材であり、シール部材５１６ｂは、内部空間５０に連通する連通路５２５を取り囲む環状部材である。ベース基材上部５２０Ｕのフランジ部５２３は、クランプ部材５７０に挿通されたボルト５７１が設置板９６のネジ穴に螺合されることにより、クランプ部材５７０を介して設置板９６に押しつけられる。これにより、シール部材５１６ａ，５１６ｂは押し潰されてシール性を発揮する。冷媒流路溝５２４の開口はシール部材５１６ａ，５１６ｂとベース基材上部５２０Ｕとによって閉鎖されて冷媒流路となる。この場合、ベース基材上部５２０ＵをＭＭＣで作製し、ベース基材下部５２０ＬをＭＭＣよりも加工が容易な易加工性材料で作製することができる。加工性の指標としては、例えば、ＪＩＳ Ｂ ０１７０（２０２０）に示された被削性指数を用いることができる。易加工性材料としては、被削性指数が４０以上の材料が好ましく、１００以上の材料がより好ましく、１４０以上の材料がさらに好ましい。易加工性材料としては、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、ステンレス鋼（ＳＵＳ材）、樹脂（耐熱樹脂）などが挙げられる。

【0054】

上述した実施形態では、環状接合層２６及び円形接合層２７を金属接合層としたが、特にこれに限定されない。例えば、金属接合層の代わりに、樹脂接合層を用いてもよい。

【0055】

上述した実施形態のウエハ載置台４０及びＦＲ載置台３０には、必要に応じてヒータ電極（抵抗発熱体）を内蔵してもよい。

【0056】

上述した実施形態では、セラミック製のウエハ載置台４０やＦＲ載置台３０を作製する場合、セラミック粉末の成形体をホットプレス焼成することにより作製したが、そのときの成形体は、テープ成形体を複数枚積層して作製してもよいし、モールドキャスト法によって作製してもよいし、セラミック粉末を押し固めることによって作製してもよい。

【0057】

上述した実施形態では、ベース基材２０は、平面視でベース基材２０の全体にわたって一筆書きの要領で形成されている冷媒流路２４を備えたものとしたが、特にこれに限定されない。例えば、ベース基材２０は、ベース基材２０の下面に設けた複数の有底筒状の穴を有していてもよく、各穴に冷媒を供給するようにしてもよい。

【0058】

上述した実施形態において、円形接合層２７のうち内部空間５０に対向する環状部分をなくしてもよい。つまり、内部空間５０にウエハ載置台４０の下面が露出するようにしていてもよい。

【符号の説明】

【0059】

１０ 半導体製造装置用部材、１２ａ，１２ｂ，１４ａ，１４ｂ 絶縁膜、２０ ベース基材、２１ ウエハ載置台支持部、２１ａ ウエハ載置台支持面、２２ ＦＲ載置台支持部、２２ａ ＦＲ載置台支持面、２３ フランジ部、２３ａ フランジ面、２４ 冷媒流路、２４ａ ウエハ用冷媒流路、２４ｂ ＦＲ用冷媒流路、２５ 連通路、２６ 環状接合層、２７ 円形接合層、３０ ＦＲ載置台、３０ａ ＦＲ載置面、３１ ＦＲ吸着用電極、３２ バイアス用ＲＦ電極、４０ ウエハ載置台、４０ａ ウエハ載置面、４０ｂ シールバンド、４０ｃ 小突起、４０ｄ 基準面、４１ ウエハ吸着用電極、４２ バイアス用ＲＦ電極、４５ 貫通穴、５０ 内部空間、５２ ウエハ吸着用電源、５３，５７ ＬＰＦ、５４ 給電部材、５６ ＦＲ吸着用電源、５８ 給電部材、６２ ソース用ＲＦ電源、６３ ＨＰＦ、６４ 給電部材、７０ クランプ部材、７０ａ 内周段差面、７１ ボルト、７２ バイアス用ＲＦ電源、７３ ＨＰＦ、７４ 給電部材、７８ フォーカスリング、８０ 圧力調整器、８２，８４ 金属接合材、９４ チャンバ、９６ 設置板、９７ ネジ穴、９８ シャワーヘッド、１１０ 半導体製造装置用部材、１２０ ベース基材、１２１ ウエハ載置台支持部、１２２ ＦＲ載置台支持部、２１０ 半導体製造装置用部材、２３０ ＦＲ載置台、２３０ａ ＦＲ載置面、２３１ 兼用電極、２４０ ウエハ載置台、２４０ａ ウエハ載置面、２４１ 兼用電極、３１０ 半導体製造装置用部材、３３０ ＦＲ載置台、３３０ａ ＦＲ載置面、３４０ ウエハ載置台、３４０ａ ウエハ載置面、３５２ 吸着用電源、３５４ 給電部材、４１０ 半導体製造装置用部材、４１６ａ，４１５ｂ シール部材、４２０ ベース基材、４２１ ウエハ載置台支持部、４２１ａ ウエハ載置台支持面、４２２ ＦＲ載置台支持部、４２２ａ ＦＲ載置台支持面、４２３ フランジ部、４２３ａ フランジ面、４２４ 冷媒流路溝、４２５ 連通路、４７０ クランプ部材、４７１ ボルト、５１０ 半導体製造装置用部材、５１６ａ，５１６ｂ シール部材、５２０ ベース基材、５２０Ｌ ベース基材下部、５２０Ｕ ベース基材上部、５２１ ウエハ載置台支持部、５２１ａ ウエハ載置台支持面、５２２ ＦＲ載置台支持部、５２２ａ ＦＲ載置台支持面、５２３ フランジ部、５２３ａ フランジ面、５２４ 冷媒流路溝、５２５ 連通路、５７０ クランプ部材、５７１ ボルト、Ｍ１，Ｍ２ 接合体。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】