知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
▶ 三菱重工業株式会社の特許一覧 ▶ 独立行政法人理化学研究所の特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023131441
(43)【公開日】2023-09-22
(54)【発明の名称】検査装置
(51)【国際特許分類】
G01N 21/3581 20140101AFI20230914BHJP
G01N 21/01 20060101ALI20230914BHJP
G01N 21/21 20060101ALI20230914BHJP
G02F 1/35 20060101ALN20230914BHJP
【ＦＩ】
G01N21/3581
G01N21/01 D
G01N21/21 Z
G02F1/35
【審査請求】未請求
【請求項の数】8
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022036204
(22)【出願日】2022-03-09
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）令和２年度、防衛省、安全保障技術研究推進制度における委託事業「超小型ロバストテラヘルツ波イメージング装置の研究開発」、産業技術力強化法第１７条の適用を受ける特許出願
(71)【出願人】
【識別番号】000006208
【氏名又は名称】三菱重工業株式会社
(71)【出願人】
【識別番号】503359821
【氏名又は名称】国立研究開発法人理化学研究所
(74)【代理人】
【識別番号】110000785
【氏名又は名称】ＳＳＩＰ弁理士法人
(72)【発明者】
【氏名】山本 修作
(72)【発明者】
【氏名】梶川 敬介
(72)【発明者】
【氏名】神納 祐一郎
(72)【発明者】
【氏名】南出 泰亜
(72)【発明者】
【氏名】縄田 耕二
【テーマコード（参考）】
2G059
2K102
【Ｆターム（参考）】
2G059AA05
2G059EE02
2G059EE05
2G059GG10
2G059HH05
2G059JJ11
2G059JJ13
2G059JJ19
2G059JJ20
2G059JJ22
2G059KK01
2G059MM10
2K102AA05
2K102AA36
2K102BA18
2K102BB02
2K102BC02
2K102BD09
2K102CA11
2K102DA01
2K102DA10
2K102DA20
2K102DD05
2K102EB02
2K102EB11
2K102EB20
2K102EB22
(57)【要約】
【課題】難透過材料の下層に位置する検査対象物の検査を可能にする検査装置を提供する。
【解決手段】検査装置は、時間幅が１０ピコ秒から１０ナノ秒のパルス励起光を出力する光源と、前記パルス励起光の光波長変換によってテラヘルツ波を発生する非線形光学結晶と、前記テラヘルツ波が検査対象物で反射した反射波の少なくとも一部を反射する偏光部と、前記偏光部で反射された反射波を検出する検出器とを備える。
【選択図】 図１
【解決手段】検査装置は、時間幅が１０ピコ秒から１０ナノ秒のパルス励起光を出力する光源と、前記パルス励起光の光波長変換によってテラヘルツ波を発生する非線形光学結晶と、前記テラヘルツ波が検査対象物で反射した反射波の少なくとも一部を反射する偏光部と、前記偏光部で反射された反射波を検出する検出器とを備える。
【選択図】 図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
時間幅が１０ピコ秒から１０ナノ秒のパルス励起光を出力する光源と、
前記パルス励起光の光波長変換によってテラヘルツ波を発生する非線形光学結晶と、
前記テラヘルツ波が検査対象物で反射した反射波の少なくとも一部を反射する偏光部と、
前記偏光部で反射された反射波を検出する検出器と
を備える検査装置。
前記パルス励起光の光波長変換によってテラヘルツ波を発生する非線形光学結晶と、
前記テラヘルツ波が検査対象物で反射した反射波の少なくとも一部を反射する偏光部と、
前記偏光部で反射された反射波を検出する検出器と
を備える検査装置。
【請求項2】
前記テラヘルツ波は直線偏波であり、
前記偏光部は、
前記反射波のうち、前記テラヘルツ波の偏波面とは異なる偏波面を有する成分を反射する第１偏光子と、
前記第１偏光子によって反射された前記成分を透過する第２偏光子と
を備える、請求項１に記載の検査装置。
前記偏光部は、
前記反射波のうち、前記テラヘルツ波の偏波面とは異なる偏波面を有する成分を反射する第１偏光子と、
前記第１偏光子によって反射された前記成分を透過する第２偏光子と
を備える、請求項１に記載の検査装置。
【請求項3】
前記テラヘルツ波は直線偏波であり、
前記偏光部は、
前記反射波のうち、前記テラヘルツ波の偏波面とは異なる偏波面を有する成分を反射する第１偏光子と、
前記第１偏光子によって反射された前記成分を反射する第２偏光子と
を備える、請求項１に記載の検査装置。
前記偏光部は、
前記反射波のうち、前記テラヘルツ波の偏波面とは異なる偏波面を有する成分を反射する第１偏光子と、
前記第１偏光子によって反射された前記成分を反射する第２偏光子と
を備える、請求項１に記載の検査装置。
【請求項4】
前記第１偏光子は、前記テラヘルツ波の偏波面が９０°の範囲で回転するように、前記第１偏光子を回転させる第１回転部を含み、
前記第２偏光子は、前記第１偏光子によって反射された前記成分が９０°の範囲で回転するように、前記第２偏光子を回転させる第２回転部を含む、
請求項３に記載の検査装置。
前記第２偏光子は、前記第１偏光子によって反射された前記成分が９０°の範囲で回転するように、前記第２偏光子を回転させる第２回転部を含む、
請求項３に記載の検査装置。
【請求項5】
前記第２偏光子と前記検出器との間に１／４波長板を備える、請求項３又は４に記載の検査装置。
【請求項6】
前記テラヘルツ波は円偏波であり、
前記偏光部は、前記反射波を反射するハーフミラーを備える、
前記検査装置は、前記非線形光学結晶の出力端に１／４波長板を備える、請求項１に記載の検査装置。
前記偏光部は、前記反射波を反射するハーフミラーを備える、
前記検査装置は、前記非線形光学結晶の出力端に１／４波長板を備える、請求項１に記載の検査装置。
【請求項7】
前記テラヘルツ波を集光して前記検査対象物に照射する集光レンズを備える、請求項１～６のいずれか一項に記載の検査装置。
【請求項8】
前記検出器が検出した前記反射波を格納するデータロガーを備え、
前記データロガーには、前記光源からの前記パルス励起光の出力と同時にトリガ信号が伝送され、前記データロガーは、前記トリガ信号を受信したときに、前記反射波の格納を行うように構成されている、請求項１～７のいずれか一項に記載の検査装置。
前記データロガーには、前記光源からの前記パルス励起光の出力と同時にトリガ信号が伝送され、前記データロガーは、前記トリガ信号を受信したときに、前記反射波の格納を行うように構成されている、請求項１～７のいずれか一項に記載の検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、検査装置に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、電磁波の一種であるテラヘルツ波を構造物の表面に照射可能に構成されるとともに、構造物に反射したテラヘルツ波を検出可能に構成された反射型のテラヘルツ波計測装置（検査装置）が開示されている。かかるテラヘルツ波計測装置は、テラヘルツ波発信手段としてのテラヘルツ波発信器と、テラヘルツ波検出手段としてのテラヘルツ波検出器と、を備えている。かかるテラヘルツ波計測装置において、テラヘルツ波発信器には、共鳴トンネルダイオード（ＲＴＤ）等を備えたテラヘルツ波発生素子、又は光伝導アンテナ（ＰＣＡ）が用いられ、テラヘルツ波発信器には、ＲＴＤからなるテラヘルツ波検出素子が用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０２０－２６９９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、特許文献１が示す従来の構成では、テラヘルツ波発信器がＲＴＤやＰＣＡ等の半導体素子で構成されるために、テラヘルツ波発信器によって発信されるテラヘルツ波が微弱であり、ＳＮ比（信号雑音比）が小さく、難透過材料の下層に位置する検査対象物の検査を困難にしている。
【0005】
一方、光源をチップレーザ等のビーム光源で構成すると、半導体素子から照射されるテラヘルツ波よりも強力（高出力）なテラヘルツ波となり、難透過材料の下層に位置する検査対象物の検査が可能になる。難透過材料の表面で反射した後方散乱成分（不要成分）は、検査対象物で反射した反射成分（信号成分）よりも強力なために、検査対象物で反射した反射成分（信号成分）は、難透過材料の表面で反射した後方散乱成分（不要成分）の陰に隠れて検査対象物の検査を困難にしている。
【0006】
上述の事情に鑑みて、本発明の少なくとも一実施形態は、難透過材料の下層に位置する検査対象物の検査を可能にする検査装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明の少なくとも一実施形態に係る検査装置は、
時間幅が１０ピコ秒から１０ナノ秒のパルス励起光を出力する光源と、
前記パルス励起光の光波長変換によってテラヘルツ波を発生する非線形光学結晶と、
前記テラヘルツ波が検査対象物で反射した反射波の少なくとも一部を反射する偏光部と、
前記偏光部で反射された反射波を検出する検出器と
を備える。
時間幅が１０ピコ秒から１０ナノ秒のパルス励起光を出力する光源と、
前記パルス励起光の光波長変換によってテラヘルツ波を発生する非線形光学結晶と、
前記テラヘルツ波が検査対象物で反射した反射波の少なくとも一部を反射する偏光部と、
前記偏光部で反射された反射波を検出する検出器と
を備える。
【発明の効果】
【0008】
本発明の少なくとも一実施形態によれば、難透過材料の表面で反射した後方散乱成分（不要成分）は偏光部を透過し、難透過材料の下層に位置する検査対象物で反射した反射成分（信号成分）は偏光部で反射する。これにより、難透過材料の表面で反射した後方散乱成分（不要成分）と検査対象物で反射した反射成分（信号成分）とが分離される。よって、検査対象物からの反射成分（信号成分）を検出器で検出することができ、検査対象物の検査を可能にしている。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1】実施形態１に係る検査装置の構成を概略的に示す図である。
【図2】実施形態２に係る検査装置の構成を概略的に示す図である。
【図3】実施形態３に係る検査装置の構成を概略的に示す図である。
【図4】実施形態４に係る検査装置の構成を概略的に示す図である。
【図5】実施形態５に係る検査装置の要部構成を概略的に示す図である。
【図6】実施形態６に係る検査装置の要部構成を概略的に示す図である。
【図7】検査原理を概略的に示す図である。
【図8】試験片を検査した事例を概略的に示す図である。
【図9】実施形態７に係る検査装置の要部構成を概略的に示す図である。
【図10】実施形態８に係る検査装置の構成を概略的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、添付図面を参照して本発明の幾つかの実施形態について説明する。ただし、実施形態として記載されている又は図面に示されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、本発明の範囲をこれに限定する趣旨ではなく、単なる説明例にすぎない。
【0011】
［実施形態１］
［実施形態１に係る検査装置の構成］
図１に示すように、実施形態１に係る検査装置１Ａは、難透過材料ＲＭで被覆された検査対象物ＴＧを検査するものである。難透過材料ＲＭは、例えば、黒色ゴムである。検査装置１Ａは、時間幅が１０ピコ秒から１０ナノ秒のパルス励起光ＬＢを出力する光源１２と、パルス励起光ＬＢの光波長変換によってテラヘルツ波ＴＨを発生する非線形光学結晶１４と、テラヘルツ波ＴＨが検査対象物ＴＧで反射した反射波ＲＷの少なくとも一部を反射する偏光部１６と、偏光部１６で反射された反射波ＲＷを検出する検出器１８とを備えている。
［実施形態１に係る検査装置の構成］
図１に示すように、実施形態１に係る検査装置１Ａは、難透過材料ＲＭで被覆された検査対象物ＴＧを検査するものである。難透過材料ＲＭは、例えば、黒色ゴムである。検査装置１Ａは、時間幅が１０ピコ秒から１０ナノ秒のパルス励起光ＬＢを出力する光源１２と、パルス励起光ＬＢの光波長変換によってテラヘルツ波ＴＨを発生する非線形光学結晶１４と、テラヘルツ波ＴＨが検査対象物ＴＧで反射した反射波ＲＷの少なくとも一部を反射する偏光部１６と、偏光部１６で反射された反射波ＲＷを検出する検出器１８とを備えている。
【0012】
光源１２は、パルス励起光ＬＢを出力するものであり、パルス励起光ＬＢは、例えば、１マイクロ秒以下、好ましくは１ナノ秒以下のパルス時間幅で出力される。光源１２は、例えば、チップレーザ等のビーム光源で構成される。非線形光学結晶１４は、例えば、周期分極反転ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）結晶であり、周期分極反転ニオブ酸リチウム結晶は、後進テラヘルツ波ＴＨ発振により、テラヘルツ波ＴＨを発生する。尚、テラヘルツ波ＴＨは、周波数が１０１２Ｈｚ（１兆ヘルツ）付近（０．１～１００ＴＨｚ）にある電磁波である。
【0013】
偏光部１６は、難透過材料ＲＭの表面で反射した後方散乱成分（不要成分）ＮＣの偏波面と難透過材料ＲＭの下層に位置する検査対象物ＴＧで反射した反射成分（信号成分）ＳＣの偏波面とが異なること（複屈折特性）を利用して分離する。例えば、黒色ゴムは、製造過程に延伸プロセスを含み、任意の一方向に延伸された状態で固化されるので、面内方向において異なる屈折率を有する（透過軸と吸収軸を有する）。これにより、黒色ゴムの表面で反射した後方散乱成分ＮＣの偏波面は入射したテラヘルツ波ＴＨと同じ偏波面となるが、検査対象物ＴＧで反射した反射成分ＳＣの偏波面は入射したテラヘルツ波ＴＨの偏波面が回った偏波面となる。そこで、偏光部１６では、黒色ゴムの表面で反射した後方散乱成分（不要成分）ＮＣを削るように偏光子を配置することで、検査対象物ＴＧで反射した反射成分（信号成分）ＳＣを取り出すようにしている。
【0014】
例えば、偏光部１６は、ワイヤーグリッド等の偏光子で構成される。ワイヤーグリッドは、微細な金属のグリッド（スリット）を形成することによって、ｐ偏光成分を透過し、ｓ偏光成分を反射するように構成され、本実施形態では、後方散乱成分（不要成分）ＮＣがグリッドを透過し、反射成分（信号成分）ＳＣが反射するように配置することで、検査対象物ＴＧで反射した反射成分（信号成分）ＳＣを取り出すようにしている。
【0015】
［検査装置１Ａの動作］
実施形態１に係る検査装置１Ａでは、検査対象物ＴＧを検査する場合に、光源１２から時間幅が１０ピコ秒から１０ナノ秒のパルス励起光ＬＢを出力する。パルス励起光ＬＢは、非線形光学結晶１４を透過することでテラヘルツ波ＴＨに光波長変換され、難透過材料ＲＭ及び難透過材料ＲＭの下層に位置する検査対象物ＴＧに照射される。難透過材料ＲＭの表面で反射した後方散乱成分（不要成分）ＮＣは偏光部１６を透過し、難透過材料ＲＭの下層に位置する検査対象物ＴＧで反射した反射成分（信号成分）ＳＣは偏光部１６で反射する。これにより、難透過材料ＲＭの表面で反射した後方散乱成分（不要成分）ＮＣが削られ検査対象物ＴＧからの反射成分（信号成分）ＳＣが取り出される。よって、検査対象物ＴＧからの反射成分（信号成分）ＳＣは検出器１８で検出され、検査対象物ＴＧの検査に供される。
実施形態１に係る検査装置１Ａでは、検査対象物ＴＧを検査する場合に、光源１２から時間幅が１０ピコ秒から１０ナノ秒のパルス励起光ＬＢを出力する。パルス励起光ＬＢは、非線形光学結晶１４を透過することでテラヘルツ波ＴＨに光波長変換され、難透過材料ＲＭ及び難透過材料ＲＭの下層に位置する検査対象物ＴＧに照射される。難透過材料ＲＭの表面で反射した後方散乱成分（不要成分）ＮＣは偏光部１６を透過し、難透過材料ＲＭの下層に位置する検査対象物ＴＧで反射した反射成分（信号成分）ＳＣは偏光部１６で反射する。これにより、難透過材料ＲＭの表面で反射した後方散乱成分（不要成分）ＮＣが削られ検査対象物ＴＧからの反射成分（信号成分）ＳＣが取り出される。よって、検査対象物ＴＧからの反射成分（信号成分）ＳＣは検出器１８で検出され、検査対象物ＴＧの検査に供される。
【0016】
［検査装置１Ａの効果］
実施形態１に係る検査装置１Ａによれば、難透過材料ＲＭの表面で反射した後方散乱成分（不要成分）ＮＣは偏光部１６を透過し、難透過材料ＲＭの下層に位置する検査対象物ＴＧで反射した反射成分（信号成分）ＳＣは偏光部１６で反射することで、難透過材料ＲＭの表面で反射した後方散乱成分（不要成分）ＮＣが削られ、検査対象物ＴＧからの反射成分（信号成分）ＳＣが取り出される。これにより、難透過材料ＲＭの表面で反射した後方散乱成分（不要成分）の陰に隠れた検査対象物ＴＧで反射した反射成分（信号成分）ＳＣを検出器１８で検出できるようになり、検査対象物ＴＧの検査を可能にしている。
実施形態１に係る検査装置１Ａによれば、難透過材料ＲＭの表面で反射した後方散乱成分（不要成分）ＮＣは偏光部１６を透過し、難透過材料ＲＭの下層に位置する検査対象物ＴＧで反射した反射成分（信号成分）ＳＣは偏光部１６で反射することで、難透過材料ＲＭの表面で反射した後方散乱成分（不要成分）ＮＣが削られ、検査対象物ＴＧからの反射成分（信号成分）ＳＣが取り出される。これにより、難透過材料ＲＭの表面で反射した後方散乱成分（不要成分）の陰に隠れた検査対象物ＴＧで反射した反射成分（信号成分）ＳＣを検出器１８で検出できるようになり、検査対象物ＴＧの検査を可能にしている。
【0017】
［実施形態２］
［実施形態２に係る検査装置の構成］
図２に示すように、実施形態２に係る検査装置１Ｂは、非線形光学結晶１４と検査対象物ＴＧとの間にテラヘルツ波ＴＨを集光して検査対象物ＴＧに照射する集光レンズ２０を備えている。その他の構成は実施形態１に係る検査装置１Ａと同じである。
［実施形態２に係る検査装置の構成］
図２に示すように、実施形態２に係る検査装置１Ｂは、非線形光学結晶１４と検査対象物ＴＧとの間にテラヘルツ波ＴＨを集光して検査対象物ＴＧに照射する集光レンズ２０を備えている。その他の構成は実施形態１に係る検査装置１Ａと同じである。
【0018】
［検査装置１Ｂの動作］
実施形態２に係る検査装置１Ｂでは、検査対象物ＴＧを検査する場合に、テラヘルツ波ＴＨが集光レンズ２０で集光されて検査対象物ＴＧに照射される。よって、テラヘルツ波ＴＨが検査対象物ＴＧに集まり、検出器１８において分解能が高い反射成分（信号成分）ＳＣを検出できる。その他の動作、すなわち、テラヘルツ波ＴＨが集光レンズ２０に入射するまでの動作と、反射成分（信号成分）ＳＣが検出器１８で検出され、検査対象物ＴＧの検査に供されるまで動作は、実施形態１に係る検査装置１Ａの動作と同じである。
実施形態２に係る検査装置１Ｂでは、検査対象物ＴＧを検査する場合に、テラヘルツ波ＴＨが集光レンズ２０で集光されて検査対象物ＴＧに照射される。よって、テラヘルツ波ＴＨが検査対象物ＴＧに集まり、検出器１８において分解能が高い反射成分（信号成分）ＳＣを検出できる。その他の動作、すなわち、テラヘルツ波ＴＨが集光レンズ２０に入射するまでの動作と、反射成分（信号成分）ＳＣが検出器１８で検出され、検査対象物ＴＧの検査に供されるまで動作は、実施形態１に係る検査装置１Ａの動作と同じである。
【0019】
［実施形態３］
［実施形態３に係る検査装置の構成］
図３に示すように、実施形態３に係る検査装置１Ｃは、検出器１８が検出した反射成分（信号成分）ＳＣのデータを格納するデータロガー２２を備えている。データロガー２２には、光源１２からのパルス励起光ＬＢの出力と同時にトリガ信号ＴＳが伝送され、データロガー２２は、トリガ信号ＴＳを受信したときに、反射成分（信号成分）ＳＣのデータの格納を行うように構成されている。その他の構成は実施形態１又は２に係る検査装置１Ａ又は１Ｂと同じである。
［実施形態３に係る検査装置の構成］
図３に示すように、実施形態３に係る検査装置１Ｃは、検出器１８が検出した反射成分（信号成分）ＳＣのデータを格納するデータロガー２２を備えている。データロガー２２には、光源１２からのパルス励起光ＬＢの出力と同時にトリガ信号ＴＳが伝送され、データロガー２２は、トリガ信号ＴＳを受信したときに、反射成分（信号成分）ＳＣのデータの格納を行うように構成されている。その他の構成は実施形態１又は２に係る検査装置１Ａ又は１Ｂと同じである。
【0020】
［検査装置１Ｃの動作］
実施形態３に係る検査装置１Ｃでは、検査対象物ＴＧを検査する場合に、データロガー２２は、光源１２からのパルス励起光ＬＢの出力と同時に伝送されるトリガ信号ＴＳを受信したときに、検出器１８が検出した反射成分（信号成分）ＳＣのデータを格納する。よって、データロガー２２が継続して反射成分（信号成分）ＳＣのデータを格納する場合よりも、データロガー２２に格納する反射成分（信号成分）ＳＣのデータ量を少なくできる。その他の動作、すなわち、反射成分（信号成分）ＳＣが検出器１８で検出されるまでの動作は、実施形態１又は２に係る検査装置１Ａ又は１Ｂの動作と同じである。
実施形態３に係る検査装置１Ｃでは、検査対象物ＴＧを検査する場合に、データロガー２２は、光源１２からのパルス励起光ＬＢの出力と同時に伝送されるトリガ信号ＴＳを受信したときに、検出器１８が検出した反射成分（信号成分）ＳＣのデータを格納する。よって、データロガー２２が継続して反射成分（信号成分）ＳＣのデータを格納する場合よりも、データロガー２２に格納する反射成分（信号成分）ＳＣのデータ量を少なくできる。その他の動作、すなわち、反射成分（信号成分）ＳＣが検出器１８で検出されるまでの動作は、実施形態１又は２に係る検査装置１Ａ又は１Ｂの動作と同じである。
【0021】
［実施形態４］
［実施形態４に係る検査装置の構成］
図４に示すように、実施形態４に係る検査装置１Ｄでは、テラヘルツ波ＴＨは直線偏波であり、偏光部１６は、反射波ＲＷのうちテラヘルツ波ＴＨの偏波面とは異なる偏波面を有する成分を反射する第１偏光子２４と、第１偏光子２４によって反射された成分を透過する第２偏光子２６とを備えている。第１偏光子２４は、上述した偏光部１６と同一の原理構成によって、検査対象物ＴＧで反射した反射成分（信号成分）ＳＣを取り出し、第２偏光子２６は取り出した反射成分（信号成分）ＳＣを透過するように構成される。例えば、第１偏光子２４及び第２偏光子２６はワイヤーグリッドで構成される。その他の構成は実施形態１から３に係る検査装置１Ａ，１Ｂ，１Ｃのいずれかと同じである。
［実施形態４に係る検査装置の構成］
図４に示すように、実施形態４に係る検査装置１Ｄでは、テラヘルツ波ＴＨは直線偏波であり、偏光部１６は、反射波ＲＷのうちテラヘルツ波ＴＨの偏波面とは異なる偏波面を有する成分を反射する第１偏光子２４と、第１偏光子２４によって反射された成分を透過する第２偏光子２６とを備えている。第１偏光子２４は、上述した偏光部１６と同一の原理構成によって、検査対象物ＴＧで反射した反射成分（信号成分）ＳＣを取り出し、第２偏光子２６は取り出した反射成分（信号成分）ＳＣを透過するように構成される。例えば、第１偏光子２４及び第２偏光子２６はワイヤーグリッドで構成される。その他の構成は実施形態１から３に係る検査装置１Ａ，１Ｂ，１Ｃのいずれかと同じである。
【0022】
［検査装置１Ｄの動作］
実施形態４に係る検査装置１Ｄでは、検査対象物ＴＧを検査する場合に、難透過材料ＲＭの表面で反射した後方散乱成分（不要成分）ＮＣの大部分は第１偏光子２４を透過し、難透過材料ＲＭの下層に位置する検査対象物ＴＧで反射した反射成分（信号成分）ＳＣは第１偏光子２４で反射する。これにより、難透過材料ＲＭの表面で反射した後方散乱成分（不要成分）ＮＣの大部分は第１偏光子２４で削られ、検査対象物ＴＧで反射した反射成分（信号成分）ＳＣが取り出される。そして、検査対象物ＴＧで反射した反射成分（ＳＣ）が第２偏光子２６を透過することで、第１偏光子２４で削りきれなかった不要成分（後方散乱成分）ΔＮＣが削られる。よって、検査対象物ＴＧで反射した反射成分（信号成分）ＳＣのノイズが小さくなり、検出器１８での検出精度を高められ、精度の高い検査が可能となる。その他の動作、すなわち、難透過材料ＲＭの表面で反射した後方散乱成分（不要成分）ＮＣ及び難透過材料ＲＭの下層に位置する検査対象物ＴＧで反射した反射成分が偏光部１６（第１偏光子２４）に入射するまでの動作は、実施形態１から３に係る検査装置１Ａ，１Ｂ，１Ｃのいずれかの動作と同じである。
実施形態４に係る検査装置１Ｄでは、検査対象物ＴＧを検査する場合に、難透過材料ＲＭの表面で反射した後方散乱成分（不要成分）ＮＣの大部分は第１偏光子２４を透過し、難透過材料ＲＭの下層に位置する検査対象物ＴＧで反射した反射成分（信号成分）ＳＣは第１偏光子２４で反射する。これにより、難透過材料ＲＭの表面で反射した後方散乱成分（不要成分）ＮＣの大部分は第１偏光子２４で削られ、検査対象物ＴＧで反射した反射成分（信号成分）ＳＣが取り出される。そして、検査対象物ＴＧで反射した反射成分（ＳＣ）が第２偏光子２６を透過することで、第１偏光子２４で削りきれなかった不要成分（後方散乱成分）ΔＮＣが削られる。よって、検査対象物ＴＧで反射した反射成分（信号成分）ＳＣのノイズが小さくなり、検出器１８での検出精度を高められ、精度の高い検査が可能となる。その他の動作、すなわち、難透過材料ＲＭの表面で反射した後方散乱成分（不要成分）ＮＣ及び難透過材料ＲＭの下層に位置する検査対象物ＴＧで反射した反射成分が偏光部１６（第１偏光子２４）に入射するまでの動作は、実施形態１から３に係る検査装置１Ａ，１Ｂ，１Ｃのいずれかの動作と同じである。
【0023】
［実施形態５］
［実施形態５に係る検査装置の構成］
図５に示すように、実施形態５に係る検査装置１Ｅでは、テラヘルツ波ＴＨは直線偏波であり、偏光部１６は、反射波ＲＷのうちテラヘルツ波ＴＨの偏波面とは異なる偏波面を有する成分を反射する第１偏光子２８と、第１偏光子２８によって反射された成分を反射する第２偏光子３０とを備えている。第１偏光子２８は、上述した偏光部１６と同一の原理構成によって、検査対象物ＴＧで反射した反射成分（信号成分）ＳＣを取り出し、第２偏光子３０は第１偏光子２８で反射した成分（信号成分）ＳＣを反射するように構成される。例えば、第１偏光子２８及び第２偏光子３０はワイヤーグリッドで構成される。その他の構成は実施形態１から３に係る検査装置１Ａ，１Ｂ，１Ｃのいずれかと同じである。
［実施形態５に係る検査装置の構成］
図５に示すように、実施形態５に係る検査装置１Ｅでは、テラヘルツ波ＴＨは直線偏波であり、偏光部１６は、反射波ＲＷのうちテラヘルツ波ＴＨの偏波面とは異なる偏波面を有する成分を反射する第１偏光子２８と、第１偏光子２８によって反射された成分を反射する第２偏光子３０とを備えている。第１偏光子２８は、上述した偏光部１６と同一の原理構成によって、検査対象物ＴＧで反射した反射成分（信号成分）ＳＣを取り出し、第２偏光子３０は第１偏光子２８で反射した成分（信号成分）ＳＣを反射するように構成される。例えば、第１偏光子２８及び第２偏光子３０はワイヤーグリッドで構成される。その他の構成は実施形態１から３に係る検査装置１Ａ，１Ｂ，１Ｃのいずれかと同じである。
【0024】
［検査装置１Ｅの動作］
実施形態５に係る検査装置１Ｅでは、第１偏光子２８で分離しきれなかった不要成分（後方散乱成分）ΔＮＣは第２偏光子３０を透過し、検査対象物ＴＧで反射した反射成分（信号成分）ＳＣは第２偏光子３０で反射する。これにより、難透過材料ＲＭの表面で反射した後方散乱成分（不要成分）ＮＣの大部分は第１偏光子２４で削られ、検査対象物ＴＧで反射した反射成分（信号成分）ＳＣが取り出される。そして、検査対象物ＴＧで反射した反射成分（ＳＣ）が第２偏光子２６で反射することで、第１偏光子２４で削りきれなかった不要成分（後方散乱成分）ΔＮＣが削られる。尚、第１偏光子２８（ワイヤーグリッド）で生じたミー散乱光（不要波）は、前方散乱（第２偏光子３０では透過に相当）に比べて、後方散乱（第２偏光子３０でみれば反射に相当）のほうが小さいとされているため、第１偏光子２８で生じたミー散乱光を拾いにくくできる。よって、検査対象物ＴＧで反射した反射成分のノイズが小さくなり、検出器１８での検出精度を高められ、精度の高い検査が可能となる。その他の動作、すなわち、難透過材料ＲＭの表面で反射した後方散乱成分（不要成分）ＮＣ及び難透過材料ＲＭの下層に位置する検査対象物ＴＧで反射した反射成分が偏光部１６（第１偏光子２８）に入射するまでの動作は、実施形態１から３に係る検査装置１Ａ，１Ｂ，１Ｃのいずれかの動作と同じである。
実施形態５に係る検査装置１Ｅでは、第１偏光子２８で分離しきれなかった不要成分（後方散乱成分）ΔＮＣは第２偏光子３０を透過し、検査対象物ＴＧで反射した反射成分（信号成分）ＳＣは第２偏光子３０で反射する。これにより、難透過材料ＲＭの表面で反射した後方散乱成分（不要成分）ＮＣの大部分は第１偏光子２４で削られ、検査対象物ＴＧで反射した反射成分（信号成分）ＳＣが取り出される。そして、検査対象物ＴＧで反射した反射成分（ＳＣ）が第２偏光子２６で反射することで、第１偏光子２４で削りきれなかった不要成分（後方散乱成分）ΔＮＣが削られる。尚、第１偏光子２８（ワイヤーグリッド）で生じたミー散乱光（不要波）は、前方散乱（第２偏光子３０では透過に相当）に比べて、後方散乱（第２偏光子３０でみれば反射に相当）のほうが小さいとされているため、第１偏光子２８で生じたミー散乱光を拾いにくくできる。よって、検査対象物ＴＧで反射した反射成分のノイズが小さくなり、検出器１８での検出精度を高められ、精度の高い検査が可能となる。その他の動作、すなわち、難透過材料ＲＭの表面で反射した後方散乱成分（不要成分）ＮＣ及び難透過材料ＲＭの下層に位置する検査対象物ＴＧで反射した反射成分が偏光部１６（第１偏光子２８）に入射するまでの動作は、実施形態１から３に係る検査装置１Ａ，１Ｂ，１Ｃのいずれかの動作と同じである。
【0025】
［実施形態６］
［実施形態６に係る検査装置の構成］
図６に示すように、実施形態６に係る検査装置１Ｆは、第１偏光子２８は、テラヘルツ波ＴＨの偏波面が９０°の範囲で回転するように、第１偏光子２８を回転させる第１回転部３２を含み、第２偏光子３０は、第１偏光子２８によって反射された反射成分（信号成分）ＳＣが９０°の範囲で回転するように、第２偏光子３０を回転させる第２回転部３４を含む。例えば、第１偏光子２８は円盤状であって、第１偏光子２８の中心軸周りに回転可能に支持され、第１回転部３２は、第１偏光子２８の外周に設けられたギア３６と、該ギア３６と噛み合うギア３８を回転させるモータ等のアクチュエータ４０とにより構成される。同様に、第２偏光子３０は円盤状であって、第２偏光子３０の回転軸周りに回転可能に支持され、第２回転部３４は、第２偏光子の外周に設けられたギア４２と、該ギア４２と噛み合うギア４４を回転させるモータ等のアクチュエータ４６とにより構成される。その他の構成は実施形態１から３及び５に係る検査装置１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｅのいずれかと同じである。
［実施形態６に係る検査装置の構成］
図６に示すように、実施形態６に係る検査装置１Ｆは、第１偏光子２８は、テラヘルツ波ＴＨの偏波面が９０°の範囲で回転するように、第１偏光子２８を回転させる第１回転部３２を含み、第２偏光子３０は、第１偏光子２８によって反射された反射成分（信号成分）ＳＣが９０°の範囲で回転するように、第２偏光子３０を回転させる第２回転部３４を含む。例えば、第１偏光子２８は円盤状であって、第１偏光子２８の中心軸周りに回転可能に支持され、第１回転部３２は、第１偏光子２８の外周に設けられたギア３６と、該ギア３６と噛み合うギア３８を回転させるモータ等のアクチュエータ４０とにより構成される。同様に、第２偏光子３０は円盤状であって、第２偏光子３０の回転軸周りに回転可能に支持され、第２回転部３４は、第２偏光子の外周に設けられたギア４２と、該ギア４２と噛み合うギア４４を回転させるモータ等のアクチュエータ４６とにより構成される。その他の構成は実施形態１から３及び５に係る検査装置１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｅのいずれかと同じである。
【0026】
［検査装置１Ｆの動作］
図７（ａ）に示すように、検査対象物ＴＧに亀裂ＣＲがない場合には、検査対象物ＴＧから反射した反射成分ＳＣの偏波面は入射したテラヘルツ波ＴＨの偏波面と同じ偏波面となる（偏光は変わらない）が、図７（ｂ）に示すように、検査対象物ＴＧに亀裂ＣＲがある場合には、検査対象物ＴＧから反射した反射成分ＳＣの偏波面は入射したテラヘルツ波ＴＨの偏波面が変化した偏波面となる（偏光が変わる）。
図７（ａ）に示すように、検査対象物ＴＧに亀裂ＣＲがない場合には、検査対象物ＴＧから反射した反射成分ＳＣの偏波面は入射したテラヘルツ波ＴＨの偏波面と同じ偏波面となる（偏光は変わらない）が、図７（ｂ）に示すように、検査対象物ＴＧに亀裂ＣＲがある場合には、検査対象物ＴＧから反射した反射成分ＳＣの偏波面は入射したテラヘルツ波ＴＨの偏波面が変化した偏波面となる（偏光が変わる）。
【0027】
本願発明者らは、試験検証の結果から、検査対象物ＴＧに設けられた亀裂ＣＲに対して偏波面が４５°の直線偏波のテラヘルツ波ＴＨを照射すると、周辺の健全部位とのコントラストが得られることを見出した。
【0028】
そこで、実施形態６に係る検査装置１Ｆでは、検査対象物ＴＧを検査する場合に、テラヘルツ波ＴＨの偏波面が９０°の範囲で回転するように、第１回転部３２が第１偏光子２８を回転させながら、第１偏光子２８によって反射された反射成分（信号成分）ＳＣが９０°の範囲内で回転するように、第２回転部３４が第２偏光子３０を回転させる。これにより、検査対象物ＴＧに亀裂ＣＲがあるか否かわからない場合であっても、第１偏光子２８を回転させながら第２偏光子３０を回転させることによって、亀裂ＣＲの探査が可能となる。そして、検出器１８で検出された反射成分（信号成分）ＳＣの最大値を探索（Ｍａｘ Ｈｏｌｄ測定）する。
【0029】
図８に示すように、ラインＬＮ上にスリットＳＬ１～ＳＬ６が設けられた試験片ＴＰを検査した事例では、スリットＳＬ１～ＳＬ６に対して斜め４５度に偏光を調整して入射した場合に、第１偏光子２８が基準位置から３０度から７０度の範囲で、スリットＳＬ１～ＳＬ６の信号が検出される。一方、第１偏光子２８が基準位置から１０度又は９０度（９０）では、スリットＳＬ１～ＳＬ６の信号を検出できない。また、３０度と５０度で信号強度に大きな差があること、実際の亀裂ＣＲは傾きが何度かわからないことから、検出器１８で検出された反射成分（信号成分）ＳＣの最大値を探索する。
【0030】
このように反射成分（信号成分）ＳＣの最大値を探索することで、テラヘルツ波ＴＨの偏波面とは異なる偏波面を有する反射成分（信号成分）ＳＣの最大値を測定でき、図８に示すように、亀裂を明瞭にすることができる。よって、検査対象物ＴＧがセラミックス等の遮熱コーティングがされた検査対象物であっても、遮熱コーティングを剥がすことなく、検査対象物ＴＧを検査することができる。その他の動作、すなわち、難透過材料ＲＭの表面で反射した後方散乱成分（不要成分）ＮＣ及び難透過材料ＲＭの下層に位置する検査対象物ＴＧで反射した反射成分が偏光部１６（第１偏光子２８）に入射するまでの動作は、実施形態１から３及び５に係る検査装置１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｅのいずれかの動作と同じである。
【0031】
［実施形態７］
［実施形態７に係る検査装置の構成］
図９に示すように、実施形態７に係る検査装置１Ｇでは、検出器１８は円偏光に高感度なテラヘルツ波検出器であり、第２偏光子３０と検出器１８との間に１／４波長板４８を備えている。例えば、１／４波長板４８は、石英などで構成される。その他の構成は実施形態１から３及び５から６に係る検査装置１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｅ，１Ｆのいずれかと同じである。
［実施形態７に係る検査装置の構成］
図９に示すように、実施形態７に係る検査装置１Ｇでは、検出器１８は円偏光に高感度なテラヘルツ波検出器であり、第２偏光子３０と検出器１８との間に１／４波長板４８を備えている。例えば、１／４波長板４８は、石英などで構成される。その他の構成は実施形態１から３及び５から６に係る検査装置１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｅ，１Ｆのいずれかと同じである。
【0032】
［検査装置１Ｇの動作］
実施形態７に係る検査装置１Ｇでは、第２偏光子３０で反射した反射成分（信号成分）ＳＣが１／４波長板４８を透過することで、円偏波のテラヘルツ波ＴＨとなり、検出器１８に入射する。円偏波のテラヘルツ波ＴＨは、円偏光に高感度な検出器１８によって検出され、反射成分（信号成分）の値（信号値）が大きくなる。
実施形態７に係る検査装置１Ｇでは、第２偏光子３０で反射した反射成分（信号成分）ＳＣが１／４波長板４８を透過することで、円偏波のテラヘルツ波ＴＨとなり、検出器１８に入射する。円偏波のテラヘルツ波ＴＨは、円偏光に高感度な検出器１８によって検出され、反射成分（信号成分）の値（信号値）が大きくなる。
【0033】
このように検出器１８が円偏光に高感度なテラヘルツ波検出器の場合に第２偏光子３０と検出器１８との間に１／４波長板４８を備えることで、検出器１８で検出される反射成分（信号成分）の値（信号値）を大きくできる。その他の動作、すなわち、検査対象物ＴＧで反射した反射成分（信号成分）ＳＣが第２偏光子３０で反射するまでの動作は、実施形態１から３及び５から６に係る検査装置１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｅ，１Ｇのいずれかの動作と同じである。
【0034】
［実施形態８］
［実施形態８に係る検査装置の構成］
図１０に示すように、実施形態７に係る検査装置１Ｈでは、テラヘルツ波ＴＨは円偏波であり、偏光部１６は、反射波ＲＷを反射するハーフミラー５０を備えている。検査装置１Ｇは、非線形光学結晶１４の出力端、すなわち、非線形光学結晶１４とハーフミラー５０との間に１／４波長板５２を備えている。例えば、１／４波長板５２は、石英などで構成される。その他の構成は実施形態１から３に係る検査装置１Ａ，１Ｂ，１Ｃのいずれかと同じである。
［実施形態８に係る検査装置の構成］
図１０に示すように、実施形態７に係る検査装置１Ｈでは、テラヘルツ波ＴＨは円偏波であり、偏光部１６は、反射波ＲＷを反射するハーフミラー５０を備えている。検査装置１Ｇは、非線形光学結晶１４の出力端、すなわち、非線形光学結晶１４とハーフミラー５０との間に１／４波長板５２を備えている。例えば、１／４波長板５２は、石英などで構成される。その他の構成は実施形態１から３に係る検査装置１Ａ，１Ｂ，１Ｃのいずれかと同じである。
【0035】
［検査装置１Ｈの動作］
実施形態７に係る検査装置１Ｈでは、検査対象物ＴＧを検査する場合に、非線形光学結晶１４で光波長変換された直線偏波のテラヘルツ波ＴＨは、１／４波長板５２を透過することで、円偏波のテラヘルツ波ＴＨｃとなり、検査対象物ＴＧに照射される。検査対象物ＴＧで反射した反射波ＲＷはハーフミラー５０で反射し、検出器１８で検出され、検査対象物の検査に供される。実施形態６及び７では、検査対象物に設けられた亀裂に対して偏波面が４５°の直線偏波を照射することが求められるが、円偏波のテラヘルツ波ＴＨｃは、検査対象物ＴＧの亀裂に対して偏波面に依らず、一定の感度が期待することができる。よって、反射成分（信号成分）ＳＣの最大値を探索する必要がなくなるので、実施形態６及び７に比べて計測時間の短縮も期待できる。その他の動作は実施形態１から３に係る検査装置１Ａ，１Ｂ，１Ｃのいずれかの動作と同じである。
実施形態７に係る検査装置１Ｈでは、検査対象物ＴＧを検査する場合に、非線形光学結晶１４で光波長変換された直線偏波のテラヘルツ波ＴＨは、１／４波長板５２を透過することで、円偏波のテラヘルツ波ＴＨｃとなり、検査対象物ＴＧに照射される。検査対象物ＴＧで反射した反射波ＲＷはハーフミラー５０で反射し、検出器１８で検出され、検査対象物の検査に供される。実施形態６及び７では、検査対象物に設けられた亀裂に対して偏波面が４５°の直線偏波を照射することが求められるが、円偏波のテラヘルツ波ＴＨｃは、検査対象物ＴＧの亀裂に対して偏波面に依らず、一定の感度が期待することができる。よって、反射成分（信号成分）ＳＣの最大値を探索する必要がなくなるので、実施形態６及び７に比べて計測時間の短縮も期待できる。その他の動作は実施形態１から３に係る検査装置１Ａ，１Ｂ，１Ｃのいずれかの動作と同じである。
【0036】
上記各実施形態に記載の内容は、例えば、以下のように把握される。
【0037】
［１］の態様に係る検査装置（１Ａ～１Ｈ）は、
時間幅が１０ピコ秒から１０ナノ秒のパルス励起光を出力する光源（１２）と、
前記パルス励起光の光波長変換によってテラヘルツ波を発生する非線形光学結晶（１４）と、
前記テラヘルツ波（ＴＨ）が検査対象物（ＴＧ）で反射した反射波（ＲＷ）の少なくとも一部を反射する偏光部（１６）と、
前記偏光部（１６）で反射された反射波（ＲＷ）を検出する検出器（１８）と
を備える。
時間幅が１０ピコ秒から１０ナノ秒のパルス励起光を出力する光源（１２）と、
前記パルス励起光の光波長変換によってテラヘルツ波を発生する非線形光学結晶（１４）と、
前記テラヘルツ波（ＴＨ）が検査対象物（ＴＧ）で反射した反射波（ＲＷ）の少なくとも一部を反射する偏光部（１６）と、
前記偏光部（１６）で反射された反射波（ＲＷ）を検出する検出器（１８）と
を備える。
【0038】
このような構成によれば、難透過材料（ＲＭ）の表面で反射した後方散乱成分（不要成分）（ＮＣ）は偏光部（１６）を透過し、難透過材料（ＲＭ）の下層に位置する検査対象物（ＴＧ）で反射した反射成分（信号成分）（ＳＣ）は偏光部（１６）で反射する。これにより、難透過材料（ＲＭ）の表面で反射した後方散乱成分（不要成分）（ＮＣ）と検査対象物（ＴＧ）からの反射成分（信号成分）（ＳＣ）とが分離される。よって、検出器（１８）では検査対象物（ＴＧ）からの反射成分（信号成分）（ＳＣ）を検出することができ、検査対象物（ＴＧ）の検査を可能にしている。
【0039】
［２］別の態様に係る検査装置（１Ｄ）は、［１］に記載の検査装置であって、
前記テラヘルツ波（ＴＨ）は直線偏波であり、
前記偏光部（１６）は、
前記反射波（ＲＷ）のうち、前記テラヘルツ波の偏波面とは異なる偏波面を有する成分を反射する第１偏光子（２４）と、
前記第１偏光子（２４）によって反射された前記成分を透過する第２偏光子（２６）と
を備える。
前記テラヘルツ波（ＴＨ）は直線偏波であり、
前記偏光部（１６）は、
前記反射波（ＲＷ）のうち、前記テラヘルツ波の偏波面とは異なる偏波面を有する成分を反射する第１偏光子（２４）と、
前記第１偏光子（２４）によって反射された前記成分を透過する第２偏光子（２６）と
を備える。
【0040】
このような構成によれば、難透過材料（ＲＭ）の表面で反射した後方散乱成分（不要成分）（ＮＣ）の大部分は第１偏光子を透過し、難透過材料（ＲＭ）の下層に位置する検査対象物（ＴＧ）で反射した反射成分（信号成分）（ＳＣ）は第１偏光子（２４）で反射するので、難透過材料（ＲＭ）の表面で反射した後方散乱成分（不要成分）（ＮＣ）と検査対象物で反射した反射成分（信号成分）（ＳＣ）とが分離される。そして、第１偏光子（２４）で分離しきれなかった不要成分（後方散乱成分）は第２偏光子（２６）で反射し、検査対象物（ＴＧ）で反射した反射成分（信号成分）（ＳＣ）は第２偏光子（２６）を透過するので、検査対象物（ＴＧ）で反射した反射成分（信号成分）（ＳＣ）から第１偏光子（２４）で分離しきれなかった不要成分が分離される。よって、検査対象物（ＴＧ）からの反射成分（信号成分）（ＳＣ）のノイズが小さくなり、検出器（１８）での検出精度が高められ、精度の高い検査が可能となる。
【0041】
［３］別の態様に係る検査装置（１Ｅ）は、［１］に記載の検査装置であって、
前記テラヘルツ波は直線偏波であり、
前記偏光部（１６）は、
前記反射波（ＲＷ）のうち、前記テラヘルツ波（ＴＨ）の偏波面とは異なる偏波面を有する成分を反射する第１偏光子（２８）と、
前記第１偏光子（２８）によって反射された前記成分を反射する第２偏光子（３０）と
を備える。
前記テラヘルツ波は直線偏波であり、
前記偏光部（１６）は、
前記反射波（ＲＷ）のうち、前記テラヘルツ波（ＴＨ）の偏波面とは異なる偏波面を有する成分を反射する第１偏光子（２８）と、
前記第１偏光子（２８）によって反射された前記成分を反射する第２偏光子（３０）と
を備える。
【0042】
このような構成によれば、難透過材料（ＲＭ）の表面で反射した後方散乱成分（不要成分）（ＮＣ）の大部分は第１偏光子（２８）を透過し、難透過材料（ＲＭ）の下層に位置する検査対象物（ＴＧ）で反射した反射成分（信号成分）（ＳＣ）は第１偏光子（２８）で反射するので、難透過材料（ＲＭ）の表面での後方散乱成分（不要成分）（ＮＣ）と検査対象物（ＴＧ）からの反射成分（信号成分）（ＳＣ）とを分離することができる。そして、第１偏光子（２８）で反射した検査対象物（ＴＧ）からの反射成分（信号成分）（ＳＣ）は第２偏光子（３０）で反射するが、第１偏光子（２８）（ワイヤーグリッド）で生じたミー散乱光（不要波）は、前方散乱（第２偏光子では透過に相当）に比べて、後方散乱（第２偏光子でみれば反射に相当）の方が小さいとされているため、第１偏光子（２８）で生じたミー散乱光を拾いにくくできる。よって、検査対象物（ＴＧ）で反射した反射成分のノイズが小さくなり、検出器（１８）での検出精度を高められ、精度の高い検査が可能となる。
【0043】
［４］別の態様に係る検査装置（１Ｆ）は、［３］に記載の検査装置であって、
前記第１偏光子（２８）は、前記テラヘルツ波の偏波面が９０°の範囲で回転するように、前記第１偏光子（２８）を回転させる第１回転部（３２）を含み、
前記第２偏光子（３０）は、前記第１偏光子（２８）によって反射された前記成分が９０°の範囲で回転するように、前記第２偏光子（３０）を回転させる第２回転部（３４）を含む。
前記第１偏光子（２８）は、前記テラヘルツ波の偏波面が９０°の範囲で回転するように、前記第１偏光子（２８）を回転させる第１回転部（３２）を含み、
前記第２偏光子（３０）は、前記第１偏光子（２８）によって反射された前記成分が９０°の範囲で回転するように、前記第２偏光子（３０）を回転させる第２回転部（３４）を含む。
【0044】
このように構成することで、テラヘルツ波（ＴＨ）の偏波面とは異なる偏波面を有する反射成分の最大値を測定でき、亀裂方向が不明な亀裂を明瞭にすることができる。
【0045】
［５］別の態様に係る検査装置（１Ｇ）は、［３］又は［４］に記載の検査装置であって、
前記第２偏光子（３０）と前記検出器（１８）との間に１／４波長板（４８）を備える。
前記第２偏光子（３０）と前記検出器（１８）との間に１／４波長板（４８）を備える。
【0046】
このような構成によれば、検出器（１８）が円偏光に高感度なテラヘルツ波検出器の場合に第２偏光子（３０）と検出器（１８）との間に１／４波長板（４８）を備えることで、検出器１８で検出される反射成分（信号成分）の値（信号値）を大きくできる。
【0047】
［６］別の態様に係る検査装置（１Ｈ）は、［１］に記載の検査装置であって、
前記テラヘルツ波（ＴＨ）は円偏波であり、
前記偏光部（１６）は、前記反射波（ＲＷ）を反射するハーフミラー（５０）を備える、
前記検査装置（１Ｇ）は、前記非線形光学結晶（１４）の出力端に１／４波長板（５２）を備える。
前記テラヘルツ波（ＴＨ）は円偏波であり、
前記偏光部（１６）は、前記反射波（ＲＷ）を反射するハーフミラー（５０）を備える、
前記検査装置（１Ｇ）は、前記非線形光学結晶（１４）の出力端に１／４波長板（５２）を備える。
【0048】
このような構成によれば、非線形光学結晶（１４）で光波長変換された直線偏波のテラヘルツ波（ＴＨ）が１／４波長板（５２）を透過することで、円偏波のテラヘルツ波（ＴＨ）となり、検査対象物（ＴＧ）に照射される。円偏波のテラヘルツ波（ＴＨ）は、検査対象物（ＴＧ）の亀裂方向に依らず、一定の感度が期待することができるので、計測時間の短縮も期待することができる。
【0049】
［７］別の態様に係る検査装置（１Ｂ～１Ｇ）は、［１］から［６］のいずれか一つに記載の検査装置であって、
前記テラヘルツ波を集光して前記検査対象物（ＴＧ）に照射する集光レンズ（２０を備える。
前記テラヘルツ波を集光して前記検査対象物（ＴＧ）に照射する集光レンズ（２０を備える。
【0050】
このような構成によれば、非線形光学結晶（１４）から照射されたテラヘルツ波（ＴＨ）が集光レンズ（２０）で集光されて検査対象物（ＴＧ）に照射されるので、テラヘルツ波（ＴＨ）が検査対象物（ＴＧ）に集まり、検出器（１８）において分解能が高い反射成分（信号成分）（ＳＣ）を検出できる。
【0051】
［８］別の態様に係る検査装置は、［１］から［７］のいずれか一つに記載の検査装置であって、
前記検出器（１８）が検出した前記反射波（ＲＷ）を格納するデータロガー（２２）を備え、
前記データロガー（２２）には、前記光源（１２）からの前記励起光の出力と同時にトリガ信号が伝送され、前記データロガー（２２）は、前記トリガ信号を受信したときに、前記反射波（ＲＷ）の格納を行うように構成されている。
前記検出器（１８）が検出した前記反射波（ＲＷ）を格納するデータロガー（２２）を備え、
前記データロガー（２２）には、前記光源（１２）からの前記励起光の出力と同時にトリガ信号が伝送され、前記データロガー（２２）は、前記トリガ信号を受信したときに、前記反射波（ＲＷ）の格納を行うように構成されている。
【0052】
このような構成によれば、データロガー（２２）は、トリガ信号（ＴＳ）を受信したときに、反射成分（信号成分）（ＳＣ）のデータの格納を行うので、データロガー（２２）が継続して反射成分（信号成分）（ＳＣ）のデータを格納する場合よりも、データロガー（２２）に格納する反射成分（信号成分）（ＳＣ）のデータ量を少なくできる。
【符号の説明】
【0053】
１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ，１Ｆ，１Ｇ，１Ｈ 検査装置
１２ 光源
１４ 非線形光学結晶
１６ 偏光部
１８ 検出器
２０ 集光レンズ
２２ データロガー
２４ 第１偏光子
２６ 第２偏光子
２８ 第１偏光子
３０ 第２偏光子
３２ 第１回転部
３４ 第２回転部
３６，４２ ギア
３８，４４ ギア
４０，４６ モータ
４８ １／４波長板
５０ ハーフミラー
５２ １／４波長板
ＬＢ パルス励起光
ＲＭ 難透過材料
ＴＧ 検査対象物
ＣＲ 亀裂
ＴＨ テラヘルツ波
ＴＨｃ 円偏波のテラヘルツ波
ＴＳ トリガ信号
ＲＷ 反射波
ＳＣ 信号成分
ＮＣ 不要成分
ＣＲ 亀裂
ＴＰ 試験片
ＬＮ ライン
ＳＬ１～ＳＬ６ スリット
１２ 光源
１４ 非線形光学結晶
１６ 偏光部
１８ 検出器
２０ 集光レンズ
２２ データロガー
２４ 第１偏光子
２６ 第２偏光子
２８ 第１偏光子
３０ 第２偏光子
３２ 第１回転部
３４ 第２回転部
３６，４２ ギア
３８，４４ ギア
４０，４６ モータ
４８ １／４波長板
５０ ハーフミラー
５２ １／４波長板
ＬＢ パルス励起光
ＲＭ 難透過材料
ＴＧ 検査対象物
ＣＲ 亀裂
ＴＨ テラヘルツ波
ＴＨｃ 円偏波のテラヘルツ波
ＴＳ トリガ信号
ＲＷ 反射波
ＳＣ 信号成分
ＮＣ 不要成分
ＣＲ 亀裂
ＴＰ 試験片
ＬＮ ライン
ＳＬ１～ＳＬ６ スリット
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】